JP2001290127A - 液晶表示装置及びその製造方法、並びに液晶表示装置の駆動方法 - Google Patents

液晶表示装置及びその製造方法、並びに液晶表示装置の駆動方法

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JP2001290127A JP2001070944A JP2001070944A JP2001290127A JP 2001290127 A JP2001290127 A JP 2001290127A JP 2001070944 A JP2001070944 A JP 2001070944A JP 2001070944 A JP2001070944 A JP 2001070944A JP 2001290127 A JP2001290127 A JP 2001290127A
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浩史 久保田
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克己 足達
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Mika Nakamura
美香 中村
Tsuyoshi Kamimura
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ベンド配向型の液晶表示装置では通常の表示
を開始する前に、表示部全体をスプレイ配向状態からベ
ンド配向状態に均一に全画素部全体を転移させておく必
要がある。しかし、従来、単純な交流電圧を印加して
も、転移が起きなかったり、起きても極めて転移時間が
長く掛かったりで、配向欠陥による表示欠陥が発生しや
すかった。 【解決手段】 ＯＣＢセルを用いた液晶表示装置の駆動
方法であって、通常の表示動作を開始する前の段階で、
電極２２と画素電極２３の間に、バイアス電圧を重畳し
た交流電圧を前記基板間に印加する工程と、前記基板間
にゼロ電圧あるいは低電圧を印加する工程とを交互に繰
り返し実施して、全画素をベンド配向転移させた後、通
常の表示動作に移行させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，テレビジョン画像
やパーソナルコンピューター、マルチメディア画像を表
示する高速応答で広視野のＯＣＢモードの液晶表示装置
及びその製造方法、並びに液晶表示装置の駆動方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶表示装置として、例えばその
液晶表示モードとして、誘電率異方性が正のネマティッ
ク液晶を用いたツイステッドネマティック（ＴＮ）モ−
ドの液晶表示素子が実用化されているが、応答が遅い、
視野角が狭いなどの欠点がある。また、応答が速く、視
野角が広い強誘電性液晶（ＦＬＣ）や反強誘電性液晶な
どの表示モ−ドもあるが、焼き付き、耐ショック性、特
性の温度依存性などに大きな欠点がある。また、視角が
極めて広い、面内で液晶分子を横電界駆動する面内スイ
ッチング（ＩＰＳ）モードがあるが、応答が遅くかつ開
口率が低く輝度が低い。フルカラー動画を大画面で表示
しようとすると、広視野、高輝度、高速の表示性能を持
つ液晶モードが必要であるが、これを同時に完璧に満足
する実用的な液晶表示モードは現在のところ、存在しな
い。
【０００３】従来、少なくとも広視野で高輝度をめざし
た液晶表示装置として、上記のＴＮモード液晶領域を配
向２分割にして視野角を上下に拡大したものがある（Ｓ
ＩＤ９２ ＤＩＧＥＳＴ Ｐ７９８〜８０１）。即ち、
液晶表示装置の各表示画素内に誘電率異方性が正のネマ
チック液晶を用い、ＴＮモードでかつ液晶分子の配向方
位が異なる２つの液晶領域を形成し、すなわち配向２分
割ＴＮモードによって視野角を拡大するものである。
【０００４】図６８にその従来の液晶表示装置の構成概
念図を示す。図６８において、７０１，７０２はガラス
基板であり、７０３，７０４は電極であり、７０５，７
０５’，７０６，７０６’は配向膜である。一方の配向
領域Ａにおいて対向する上下基板界面から若干傾いた誘
電率異方性が正のネマチックの液晶分子７０７,７０
７’の大，小のプレチルト角を形成し、他方の配向領域
Ｂにおいては対向する上下基板界面に対してプレチルト
角の大きさを前記配向領域Ａとは逆の設定にする。その
大小のプレチルト角はいずれも数度で差がつくように設
定している。上記互いに上下基板にプレチルト角が異な
る配向領域を形成する従来の作製法の例として、配向膜
にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフ技術でマ
スキングをし所定の方向に所望の配向膜面をラビングを
する作業を繰り返すなどの方法がある。このような方法
により、図６８の如く、配向領域Ａ，Ｂで液晶層中央部
の液晶分子群の向きが互いに逆向きとなり、電圧印加と
ともに各配向領域の液晶分子が逆に立ち上がっていくた
めに、画素単位で入射光線に対して屈折率異方性が平均
化されて視野角の拡大が図れることになる。上記の従来
の配向２分割ＴＮモードでは、通常のＴＮモードより視
野角は拡大され、上下視野角はコントラスト１０で±３
５度程度となる。
【０００５】しかし、応答速度はＴＮモードと本質的に
変化なく約５０ｍＳ程度である。このように上記従来の
配向２分割ＴＮモードでは視野角，応答とも不十分であ
る。
【０００６】また、配向膜界面で液晶分子をほぼ垂直に
配向させるいわゆるホメオトロピック配向モードを利用
した液晶表示モードで、フィルム位相差板，配向分割技
術を付加して広視野，高速応答の液晶表示装置がある
が、それでも白黒の２値間応答速度は約２５ｍｓかか
り、特にグレー階調間の応答速度は５０〜８０ｍｓで遅
く、人間の目の視認速度と言われる約１／３０ｓより長
く、動画像は流れて見える。
【０００７】これらに対して、基板間の液晶分子がベン
ド配向した状態における各液晶分子の立ち上がり角の変
化による屈折率変化を利用するベンド配向型の液晶表示
装置（ＯＣＢモードの液晶表示装置）が提案されてい
る。ベンド配向した各液晶分子のオン状態とオフ状態で
の配列変化速度は、ＴＮ型液晶表示装置のオン，オフ状
態との間の配列変化速度に比べてはるかに高速であり、
応答速度が速い液晶表示装置とすることができる。さら
に、上記ベンド配向型の液晶表示装置は全体に液晶分子
が上下基板間でベンド配向しているため、光学位相差的
に自己補償でき、かつフィルム位相差板で位相差補償を
するため低電圧で広視野の液晶表示装置となる可能性を
持つ。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記液晶表
示装置は通常無電圧下で液晶分子を基板間でスプレイ配
向状態にして作製する。ベンド配向を利用して屈折率を
変化させるためには、液晶表示装置の使用開始前に、表
示部全体を上記スプレイ配向状態からベンド配向状態に
均一に転移させておく必要がある。対向する表示電極間
に電圧を印加すると、スプレイ配向からベンド配向への
転移核が発生する場所は一様でなく、分散されたスペー
サ周囲や、あるいは配向膜界面の配向ムラ，キズ部など
である。また、常に一定の上記場所からその転移核が発
生する訳でもないので転移が起きたり、起きなかったり
で表示欠陥を生じ易い。従って、使用開始前に、表示部
全体を少なくとも全画素部全体を均一にスプレイ配向か
らベンド配向へ転移をさせておくのは極めて重要であ
る。
【０００９】しかし、従来、単純な交流電圧を印加して
も、転移が起きなかったり、起きても極めて転移時間が
長く掛かった。
【００１０】本発明の目的は、ベンド配向転移がほぼ確
実に発生し、かつ極めて短時間に転移が完了することに
より表示欠陥が無い、応答速度が速く動画像表示に適し
かつ広視野のベンド配向型の液晶表示装置及びその製造
方法、並びに液晶表示装置の駆動方法を提案するもので
ある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、配向転移させるための駆動方法として、
配向転移のための駆動電圧にバイアス電圧を重畳した電
圧波形を基板間に印加するものである。
【００１２】また、本発明は、配向転移のための初期化
期間中において、配向状態が異なる複数の液晶領域、
（特に上下一対の基板間中央部での液晶分子の傾斜角度
が正負逆となる配向状態の２つの液晶領域）を発現させ
得ることを特徴とするものである。これにより、その液
晶領域の境界部でディスクリネーション線を形成するこ
とができ、迅速且つ確実にベンド配向への転移が達成で
きるからである。
【００１３】以下に、本発明の具体的な構成を述べる。
【００１４】請求項１記載の発明は、一対の基板と、基
板間に挟持される液晶層とを含み、電圧無印加時には前
記液晶層は上下界面の液晶のプレチルト角が正負逆で、
互いに平行に配向処理されたスプレイ配向となってお
り、液晶表示駆動に先立って、前記基板間への電圧印加
により前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド
配向に転移させる初期化処理を行ない、この初期化され
たベンド配向状態で液晶表示駆動を行う液晶表示装置に
おける前記スプレイ配向からベンド配向に配向転移させ
るための駆動方法において、バイアス電圧を重畳した交
流電圧を前記基板間に印加して、液晶層をベンド配向に
転移させることを特徴とする。
【００１５】上記方法によれば、バイアス電圧を重畳し
た交流電圧を基板間に印加することにより、単純に交流
電圧を印加する場合に比べて、転移時間が短縮される。
なぜなら、バイアス電圧の重畳により、バイアス電圧に
よって液晶層の液晶分子配向が揺さぶられて液晶分子が
一方の基板側に片寄る現象が発生する。これにより、液
晶層内において、短い時間でしかも確実に転移核が発生
し、転移時間が速くなる。これに加えて、実効電圧の増
加により、更に転移時間が速くなる。
【００１６】請求項２記載の発明は、一対の基板と、基
板間に挟持される液晶層とを含み、電圧無印加時には前
記液晶層は上下界面の液晶のプレチルト角が正負逆で、
互いに平行に配向処理されたスプレイ配向となってお
り、液晶表示駆動に先立って、前記基板間への電圧印加
により前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド
配向に転移させる初期化処理を行ない、この初期化され
たベンド配向状態で液晶表示駆動を行う液晶表示装置に
おける前記スプレイ配向からベンド配向に配向転移させ
るための駆動方法において、前記バイアス電圧を重畳し
た交流電圧を前記基板間に印加する工程と、前記基板間
を電気的に開放状態にする工程とを交互に繰り返し実施
して、液晶層をベンド配向に転移させることを特徴とす
る。
【００１７】上記構成の如く、交流電圧印加の後に電気
的開放状態期間を設けることにより、液晶層の液晶分子
配向が揺さぶられて液晶分子が一方の基板側に片寄る現
象が発生する。これにより、液晶層内において、短い時
間でしかも確実に転移核が発生し、転移時間が速くな
る。
【００１８】請求項３記載の発明は、一対の基板と、基
板間に挟持される液晶層とを含み、電圧無印加時には前
記液晶層は上下界面の液晶のプレチルト角が正負逆で、
互いに平行に配向処理されたスプレイ配向となってお
り、液晶表示駆動に先立って、前記基板間への電圧印加
により前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド
配向に転移させる初期化処理を行ない、この初期化され
たベンド配向状態で液晶表示駆動を行う液晶表示装置に
おける前記スプレイ配向からベンド配向に配向転移させ
るための駆動方法において、バイアス電圧を重畳した交
流電圧を前記基板間に印加する工程と、前記基板間にゼ
ロ電圧あるいは低電圧を印加する工程とを交互に繰り返
し実施して、液晶層をベンド配向に転移させることを特
徴とする。
【００１９】上記構成の如く、交流電圧印加の後にゼロ
電圧あるいは低電圧印加期間を設けることにより、液晶
層の液晶分子配向の揺さぶりの度合いが請求項２記載の
発明より大きくなる。従って、液晶分子が一方の基板側
に片寄る現象が極めて短い時間に発生する。これによ
り、転移時間が一層速められることになる。
【００２０】請求項４記載の発明は、請求項２又は３記
載の液晶表示装置の駆動方法において、前記バイアス電
圧を重畳した交流電圧に代えて、直流電圧とすることを
特徴とする。
【００２１】上記構成の如く、交流電圧に代えて直流電
圧を印加するようにしても、当該直流電圧印加の後に、
ゼロ電圧あるいは低電圧印加期間が存在するため、液晶
層の液晶分子配向の揺さぶりが生じることになる。よっ
て、このような駆動方法においてもまた、転移時間の短
縮化を図ることができる。
【００２２】請求項５記載の発明は、請求項２記載の液
晶表示装置の駆動方法において、前記交互に繰り返す電
圧の周波数は０．１Ｈｚから１００Ｈｚの範囲であり、
且つ前記交互に繰り返す電圧のデューティ比は１：１か
ら１０００：１の範囲であることを特徴とする。
【００２３】ここで、「交互に繰り返す電圧」とは、交
流電圧印加期間と電気的開放状態期間の交互の繰り返し
を全体として１つの電圧波形と考えた場合における電圧
を意味する。このような交互に繰り返す電圧の周波数及
びデューティ比を規制するのは、以下の理由による。
【００２４】周波数が０．１Ｈｚより小さいと、交互の
繰り返しが殆どないため、交互の繰り返しに起因した液
晶分子配向の片寄りの発生が生じなくなる。一方、周波
数が１００Ｈｚより大きいと、交互の繰り返しの頻度が
多すぎて直流電圧に近づき、交互の繰り返しに起因した
液晶分子配向の片寄りの発生が生じなくなる。
【００２５】また、デューティ比が１：１より小さい
（例えば、１：５等）場合、液晶層に十分な電圧を印加
できない。一方、デューティ比が１０００：１より大き
い場合、交互の繰り返しが殆どない直流電圧に近づき、
交互の繰り返しに起因した液晶分子配向の片寄りの発生
が生じなくなる。
【００２６】請求項６記載の発明は、請求項３記載の液
晶表示装置の駆動方法において、前記交互に繰り返す電
圧の周波数は０．１Ｈｚから１００Ｈｚの範囲であり、
且つ前記交互に繰り返す電圧のデューティ比は少なくと
も１：１から１０００：１の範囲であることを特徴とす
る。
【００２７】交互に繰り返す電圧の周波数及びデューテ
ィ比を規制するのは、上記請求項６と同様な理由によ
る。
【００２８】請求項７記載の発明は、請求項１に記載の
液晶表示装置の駆動方法において、アクティブマトリッ
クス型液晶表示装置の駆動方法であって、前記交流電圧
は、一方の基板に形成されたスイッチング素子に連結さ
れたアクティブマトリックス型の液晶表示装置の画素電
極と、他方の基板に形成された共通電極との間に印加さ
れることを特徴とする。
【００２９】上記構成により、アクティブマトリックス
型の液晶表示装置において、転移時間を短縮化すること
ができる。
【００３０】請求項８記載の発明は、請求項２、３、
５、６の何れかに記載の液晶表示装置の駆動方法におい
て、アクティブマトリックス型液晶表示装置の駆動方法
であって、前記交流電圧は、一方の基板に形成されたス
イッチング素子に連結されたアクティブマトリックス型
の液晶表示装置の画素電極と、他方の基板に形成された
共通電極との間に印加されることを特徴とする。
【００３１】上記構成により、アクティブマトリックス
型の液晶表示装置において、転移時間を短縮化すること
ができる。
【００３２】請求項９記載の発明は、請求項８記載の液
晶表示装置の駆動方法において、前記交流電圧は、共通
電極に印加されることを特徴とする。
【００３３】上記構成によっても、転移時間を短縮化す
ることができる。
【００３４】請求項１０記載の発明は、求項４に記載の
液晶表示装置の駆動方法において、アクティブマトリッ
クス型液晶表示装置の駆動方法であって、前記直流電圧
は、一方の基板に形成されたスイッチング素子に連結さ
れたアクティブマトリックス型の液晶表示装置の画素電
極と、他方の基板に形成された共通電極との間に印加さ
れることを特徴とする。
【００３５】上記構成により、アクティブマトリックス
型の液晶表示装置において、転移時間を短縮化すること
ができる。
【００３６】請求項１１記載の発明は、請求項１０記載
の液晶表示装置の駆動方法において、前記直流電圧は、
共通電極に印加されることを特徴とする。
【００３７】上記構成によっても、転移時間を短縮化す
ることができる。
【００３８】請求項１２記載の発明は、請求項１、２、
３、５、６、７、８、９の何れかに記載の液晶表示装置
の駆動方法において、前記交流電圧の電圧値は、液晶層
をスプレイ配向状態からベンド配向状態へ転移させるの
に必要な最小電圧値である臨界電圧値に設定されている
ことを特徴とする。
【００３９】上記構成により、低電圧化を図ることがで
きる。
【００４０】請求項１３記載の発明は、請求項４、１
０、１１の何れかに記載の液晶表示装置の駆動方法にお
いて、前記直流電圧の電圧値は、液晶層をスプレイ配向
状態からベンド配向状態へ転移させるのに必要な最小電
圧値である臨界電圧値に設定されていることを特徴とす
る。
【００４１】上記構成より、低電圧化を図ることができ
る。
【００４２】請求項１４記載の発明は、請求項１乃至１
３の何れかに記載の液晶表示装置の駆動方法において、
前記電圧は時間的に平均的に交流化された電圧であるこ
とを特徴とする。
【００４３】上記構成により、液晶の劣化を防止でき
る。
【００４４】請求項１５記載の発明は、一対の基板と、
基板間に挟持される液晶層とを含み、電圧無印加時には
前記液晶層は上下界面の液晶のプレチルト角が正負逆
で、互いに平行に配向処理されたスプレイ配向となって
おり、液晶表示駆動に先立って、前記基板間への電圧印
加により前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベン
ド配向に転移させる初期化処理を行ない、この初期化さ
れたベンド配向状態で液晶表示駆動を行う液晶表示装置
において、前記液晶層をスプレイ配向からベンド配向に
転移させるため、前記基板間にバイアス電圧を重畳した
交流電圧又は直流電圧を印加する電圧印加手段を有する
ことを特徴とする。
【００４５】上記構成により、転移時間の短い液晶表示
装置が実現される。
【００４６】請求項１６記載の発明は、請求項１５記載
の液晶表示装置において、前記交流電圧又は直流電圧の
電圧値は、液晶層をスプレイ配向状態からベンド配向状
態へ転移させるのに必要な最小電圧値である臨界電圧値
に設定されていることを特徴とする。
【００４７】上記構成により、転移時間の短い液晶表示
装置が実現される。
【００４８】請求項１７記載の発明は、上下一対の基板
と、基板間に挟持される液晶層とを含み、液晶表示駆動
に先立って、前記基板間への電圧印加により前記液晶層
の初期配向をベンド配向に転移させる初期化処理を行な
い、この初期化されたベンド配向状態で液晶表示駆動を
行う液晶表示装置において、前記ベンド配向状態に転移
させる初期化処理過程中に、配向状態が異なる複数の液
晶領域を液晶層内に形成させる手段を備えたことを特徴
とする。
【００４９】上記の如く、配向状態が異なる複数の液晶
領域が発現されると、その液晶領域の境界部でディスク
リネーション線を形成することができ、迅速且つ確実に
ベンド配向への転移が達成できる。なお、配向状態は、
スプレイ配向に限らず、スプレイ配向領域の一部領域に
例えば垂直配向を発現するようにしてもよい。
【００５０】請求項１８記載の発明は、上下一対の基板
と、基板間に挟持される液晶層とを含み、電圧無印加時
には前記液晶層はスプレイ配向となっており、液晶表示
駆動に先立って、前記基板間への電圧印加により前記液
晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド配向に転移さ
せる初期化処理を行ない、この初期化されたベンド配向
状態で液晶表示駆動を行う液晶表示装置において、前記
ベンド配向状態に転移させる初期化処理過程中に、２種
類のスプレイ配向状態を有する液晶領域を液晶層内に発
現させる手段を備えたことを特徴とする。
【００５１】上記の如く、２種類のスプレイ配向状態を
有する液晶領域が発現されると、その液晶領域の境界部
でディスクリネーション線を形成することができ、迅速
且つ確実にベンド配向への転移が達成できる。
【００５２】請求項１９記載の発明は、上下一対の基板
と、基板間に挟持される液晶層とを含み、電圧無印加時
には前記液晶層はスプレイ配向となっており、液晶表示
駆動に先立って、前記基板間への電圧印加により前記液
晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド配向に転移さ
せる初期化処理を行ない、この初期化されたベンド配向
状態で液晶表示駆動を行う液晶表示装置において、電圧
を印加しない状態において、上下一対の基板間中央部で
の液晶分子の傾斜角度が正負逆となる配向状態の２つの
液晶領域が少なくとも形成されていることを特徴とす
る。
【００５３】このような配向状態であると、ｔ−スプレ
イ配向とｂ−スプレイ配向が発現しやすくなる。
【００５４】請求項２０記載の発明は、上下一対の基板
と、基板間に挟持される液晶層とを含み、液晶表示駆動
に先立って、前記基板間への電圧印加により前記液晶層
の配向状態をベンド配向に転移させる初期化処理を行な
い、この初期化されたベンド配向状態で液晶表示駆動を
行う液晶表示装置において、前記ベンド配向状態に転移
させる初期化処理過程中に、前記液晶層にディスクリネ
ーション線を形成させる手段を備え、前記ディスクリネ
ーション線からベンドの転移核が発生ないし拡大するよ
うにしたことを特徴とする。
【００５５】上記の如く、ディスクリネーション線形成
手段により、ディスクリネーション線が形成されると、
迅速且つ確実にベンド配向への転移が達成できる。
【００５６】請求項２１記載の発明は、上下一対の基板
と、基板間に挟持される液晶層とを含み、液晶表示駆動
に先立って、前記基板間への電圧印加により前記液晶層
の配向状態をベンド配向に転移させる初期化処理を行な
い、この初期化されたベンド配向状態で液晶表示駆動を
行う液晶表示装置において、前記スプレイ配向状態の液
晶層にベンド配向状態に転移する電圧より低い電圧を印
加した場合、液晶層内にｂ−スプレイ配向領域とｔ−ス
プレイ配向領域とが発現されることを特徴とする。
【００５７】上記の如く、転移電圧より低い電圧を印加
した場合に、ｂ−スプレイ配向領域とｔ−スプレイ配向
領域とが発現される場合には、転移電圧以上の電圧印加
の場合にも、必ずｂ−スプレイ配向領域とｔ−スプレイ
配向領域とが発現される。よって、迅速且つ確実にベン
ド配向への転移が達成できる。なお、転移電圧以上の電
圧印加の場合には、転移に要する時間が極めて短く、ｂ
−スプレイ配向領域とｔ−スプレイ配向領域の発現を観
察することが困難である。一方、本発明のように、転移
電圧より低い電圧を印加した場合に、ｂ−スプレイ配向
領域及びｔ−スプレイ配向領域が発現される場合には、
ベンドに転移はしないが、配向状態を観察することがで
きるメリットがある。
【００５８】請求項２２記載の発明は、上下一対の基板
と、基板間に挟持される液晶層とを含み、液晶表示駆動
に先立って、前記基板間への電圧印加により前記液晶層
の配向状態をベンド配向に転移させる初期化処理を行な
い、この初期化されたベンド配向状態で液晶表示駆動を
行う液晶表示装置において、前記スプレイ配向状態の液
晶層にベンド配向状態に転移する電圧より低い電圧を印
加した場合、２種の配向領域が発現し、前記２種の配向
領域の透過率の大小関係が、配向方向から観察した場合
と配向方向から１８０度なす方向から観察した場合で反
対であることを特徴とする。
【００５９】上記構成により、ｂ−スプレイ配向領域及
びｔ−スプレイ配向領域が発現されていることを確認す
ることができる。
【００６０】請求項２３記載の発明は、上下一対の基板
と、基板間に挟持される液晶層とを含み、液晶表示駆動
に先立って、前記基板間への電圧印加により前記液晶層
の配向状態をベンド配向に転移させる初期化処理を行な
い、この初期化されたベンド配向状態で液晶表示駆動を
行う液晶表示装置において、電圧未印加時において、前
記液晶層には、前記一対の基板のうち一方の基板付近の
液晶分子の長軸と基板法線とのなす角度を第１の角度と
し、他方の基板付近の液晶分子の長軸と基板法線とのな
す角度を第２の角度とした場合、前記第１の角度と前記
第２の角度とを絶対値で比較したときに第１の角度が第
２の角度よりも大きい領域と、第２の角度が第１の角度
よりも大きい領域がともに形成されていることを特徴と
する上記構成により、配向の異なる領域が得られ、その
境界部からディスクリネーション線が形成され得る。
【００６１】請求項２４記載の発明は、上下一対の基板
と、基板間に挟持される液晶層とを含み、液晶表示駆動
に先立って、前記基板間への電圧印加により前記液晶層
の配向状態をベンド配向に転移させる初期化処理を行な
い、この初期化されたベンド配向状態で液晶表示駆動を
行う液晶表示装置において、電圧未印加時において、前
記液晶層には、セル厚方向中央部の液晶分子の傾斜角が
異なる領域が複数形成されていることを特徴とする。
【００６２】上記構成により、配向の異なる領域が得ら
れ、その境界部からディスクリネーション線が形成され
得る。
【００６３】請求項２５記載の発明は、上下一対の基板
と、基板間に挟持される液晶層とを含み、液晶表示駆動
に先立って、前記基板間への電圧印加により前記液晶層
の配向状態をベンド配向に転移させる初期化処理を行な
い、この初期化されたベンド配向状態で液晶表示駆動を
行う液晶表示装置において、前記液晶のスプレイ配向状
態にベンド配向状態に転移する電圧以下の電圧を印加し
た場合、セル厚方向中央部の液晶分子の傾斜角が異なる
領域が複数形成されることを特徴とする。
【００６４】上記構成により、配向の異なる領域が得ら
れ、その境界部からディスクリネーション線が形成され
得る。
【００６５】請求項２６記載の発明は、請求項１７乃至
２５のいずれかに記載の液晶表示装置において、前記複
数の領域が各画素内に形成されることを特徴とする。
【００６６】請求項２７記載の発明は、請求項１７，１
８，１９，２１，２２，２３，２４，２５のいずれかに
記載の液晶表示装置において、前記複数の領域が複数の
画素単位で形成されることを特徴とする。
【００６７】請求項２８記載の発明は、請求項２０記載
の液晶表示装置において、前記ディスクリネーション線
が各画素内に形成されることを特徴とする。
【００６８】請求項２９記載の発明は、請求項２０記載
の液晶表示装置において、前記ディスクリネーション線
が複数の画素単位で形成されることを特徴とする。
【００６９】請求項３０記載の発明は、請求項１７乃至
２９のいずれかに記載の液晶表示装置において、ベンド
転移を生じさせる所定波形の転移電圧を印加することを
特徴とする。
【００７０】請求項３１記載の発明は、請求項１７乃至
２５のいずれかに記載の液晶表示装置において、前記一
対の基板のうち少なくとも一方の基板における液晶のプ
レチルト角が複数種存在することを特徴とする。
【００７１】上記構成により、配向の異なる領域が得ら
れ、その境界部からディスクリネーション線が形成され
得る。
【００７２】請求項３２記載の発明は、請求項３１記載
の液晶表示装置において、前記プレチルト角の最大値と
最小値の差が１度以上であることを特徴とする。
【００７３】請求項３３記載の発明は、請求項３１記載
の液晶表示装置において、前記プレチルト角の最大値と
最小値の差が２度以上であることを特徴とする。
【００７４】請求項３４記載の発明は、請求項３１記載
の液晶表示装置において、前記プレチルト角の最小値が
１度以上であることを特徴とする。
【００７５】請求項３５記載の発明は、請求項３１記載
の液晶表示装置において、前記プレチルト角の最小値が
３度以上であることを特徴とする。
【００７６】請求項３６記載の発明は、請求項３１記載
の液晶表示装置において、前記複数種のプレチルト角が
紫外線照射により得られたものであることを特徴とす
る。
【００７７】請求項３７記載の発明は、請求項３１記載
の液晶表示装置において、前記複数種のプレチルト角が
光配向処理により得られたものであることを特徴とす
る。
【００７８】請求項３８記載の発明は、請求項３１記載
の液晶表示装置において、前記一対の基板のうち一方の
基板における液晶のプレチルト角が複数種存在し、前記
一対の基板のうち他方の基板には、前記一方の基板にお
けるプレチルト角の最小値以上、最大値以下のプレチル
ト角が存在することを特徴とする。
【００７９】請求項３９記載の発明は、請求項３１記載
の液晶表示装置において、前記一対の基板にはそれぞれ
プレチルト角が複数種存在することを特徴とする。
【００８０】一対の基板それぞれプレチルト角が複数種
存在するようにすれば、より多くの複数種の配向領域が
得られる。
【００８１】請求項４０記載の発明は、請求項３１記載
の液晶表示装置において、前記一対の基板の各内側面に
は、配向強度が基板面内に分布を有するように配向処理
が行われていることを特徴とする。
【００８２】請求項４１記載の発明は、請求項４０記載
の液晶表示装置において、前記配向処理がラビング処理
であることを特徴とする。
【００８３】請求項４２記載の発明は、請求項４１記載
の液晶表示装置において、前記ラビング処理が、剛性の
異なる植毛がなされたラビング布を用いて行うことを特
徴とする。
【００８４】請求項４３記載の発明は、請求項４１記載
の液晶表示装置において、前記ラビング処理が、毛足の
長さに分布を有するラビング布を用いて行うことを特徴
とする。
【００８５】請求項４４記載の発明は、請求項４１記載
の液晶表示装置において、前記ラビング処理により、基
板上に設けられた立体物の周辺領域のうちのラビング方
向下流側の領域と、それ以外の領域とでラビング強度が
異なるような分布状態となっていることを特徴とする。
【００８６】立体物の影になる領域と、それ以外の領域
とでは、ラビング強度に差がでる。従って、このような
立体物を設けてラビングすることにより、プレチルト角
の異なる複数種の領域が得られる。
【００８７】請求項４５記載の発明は、請求項４４記載
の液晶表示装置において、前記立体物が電極線であるこ
とを特徴とする。
【００８８】請求項４６記載の発明は、請求項４５記載
の液晶表示装置において、ラビング方向が電極線の方向
より傾いていることを特徴とする。
【００８９】上記構成により、電極線と平行にラビング
する場合に比べて、ラビングの影となる領域が大きくな
る。この結果、配向状態の異なる領域を大とすることが
できる。
【００９０】請求項４７記載の発明は、請求項４６記載
の液晶表示装置において、ラビング方向が電極線の方向
より１０度以上傾いていることを特徴とする。
【００９１】請求項４８記載の発明は、請求項４４記載
の液晶表示装置において、前記立体物が柱状スペーサで
あることを特徴とする。
【００９２】請求項４９記載の発明は、請求項４８記載
の液晶表示装置において、前記柱状スペーサが各画素に
形成されていることを特徴とする。
【００９３】請求項５０記載の発明は、請求項１７，１
８，１９，２１，２２，２３，２４，２５のいずれかに
記載の液晶表示装置において、前記複数の領域の境界に
発生するディスクリネーション線に近接して、転移励起
用の横電界形成手段が設けられていることを特徴とす
る。
【００９４】横電界形成手段による横電界の作用によ
り、転移が促進される。
【００９５】請求項５１記載の発明は、請求項２０記載
の液晶表示装置において、前記ディスクリネーション形
成手段により形成されたディスクリネーション線に近接
して、転移励起用の横電界形成手段が設けられているこ
とを特徴とする。
【００９６】横電界形成手段による横電界の作用によ
り、転移が促進される。
【００９７】請求項５２記載の発明は、請求項５０又は
５１記載の液晶表示装置において、前記横電界形成手段
により発生する横電界の電界方向が、配向方向と略直交
することを特徴とする。
【００９８】横電界の電界方向と配向方向とに転移容易
性が依存しており、電界方向と配向方向が略直交してい
る場合に良好な転移が達成される。
【００９９】請求項５０又は５１記載の発明より、さら
に転移が促進される。
【０１００】請求項５３記載の発明は、請求項５０又は
５１記載の液晶表示装置において、前記一対の基板のう
ち一方の基板がアクティブマトリクス基板であり、前記
横電界形成手段により、アクティブマトリクス基板に配
線されたソース電極線と画素電極間に横電界が発生し、
ソース電極線の配線方向と配向方向が略平行であること
を特徴とする。
【０１０１】ソース電極線の配線方向と配向方向が略平
行であると、ディスクリネーション線はソース電極線に
ほぼ垂直に発生する。このとき、ソース電極線と画素電
極間に発生する横電界効果が転移に良好である。
【０１０２】請求項５４記載の発明は、請求項５０又は
５１記載の液晶表示装置において、前記一対の基板のう
ち一方の基板がアクティブマトリクス基板であり、前記
横電界形成手段により、アクティブマトリクス基板に配
線されたゲート電極線と画素電極間に横電界が発生し、
ゲート電極線の配線方向と配向方向が略平行であること
を特徴とする。
【０１０３】ゲート電極線の配線方向と配向方向が略平
行であると、ディスクリネーション線はゲート電極線に
ほぼ垂直に発生する。このとき、ゲート電極線と画素電
極間に発生する横電界効果が転移に良好である。
【０１０４】請求項５５記載の発明は、請求項５０又は
５１記載の液晶表示装置において、前記一対の基板のう
ち一方の基板がアクティブマトリクス基板であり、前記
横電界形成手段により、アクティブマトリクス基板に配
線されたゲート電極線と画素電極間、並びに、アクティ
ブマトリクス基板に配線されたソース電極線と画素電極
間にそれぞれ横電界が発生し、配向方向がゲート電極線
の配線方向とソース電極線の配線方向の間にあることを
特徴とする。
【０１０５】配向方向がソース電極線に対して斜め方向
（ゲート電極線にたいしても同様にの斜め方向）の場合
には、ソース電極線と画素電極間、並びに、ゲート電極
線と画素電極間の双方の横電界が転移に効果的である。
【０１０６】請求項５６記載の発明は、請求項３１記載
の液晶表示装置の製造方法であって、 前記一対の基板
にそれぞれ形成された配向膜の少なくとも一方の配向膜
の一部領域のプレチルトを変化させる処理を行うプレチ
ルト変化処理工程を含むことを特徴とする。
【０１０７】前記プレチルト変化処理工程により、配向
状態の異なる領域を有する液晶表示装置を製造できる。
【０１０８】請求項５７記載の発明は、請求項５６記載
の液晶表示装置の製造方法において、前記プレチルト変
化処理工程が、基板に形成された配向膜と異なるプレチ
ルトを有する配向膜材料を前記一部領域に噴霧すること
を特徴とする。
【０１０９】請求項５８記載の発明は、請求項５６記載
の液晶表示装置の製造方法において、前記プレチルト変
化処理工程が、配向膜が形成された基板を高湿度条件下
で放置することであることを特徴とする。
【０１１０】ここで、「高湿度」とは、湿度９０％以上
を意味するものとする。
【０１１１】請求項５９記載の発明は、請求項５６記載
の液晶表示装置の製造方法において、前記プレチルト変
化処理工程が、前記基板に形成された配向膜に、プレチ
ルトを変化させる処理液を噴霧することを特徴とする。
【０１１２】請求項６０記載の発明は、請求項５６記載
の液晶表示装置の製造方法において、前記プレチルト変
化処理工程が、配向膜が形成された基板を溶媒蒸気雰囲
気下で放置することを特徴とする。
【０１１３】請求項６１記載の発明は、請求項３１記載
の液晶表示装置において、前記一対の基板にはそれぞれ
配向膜が形成され、前記配向膜のうち少なくも一方の配
向膜の膜厚に分布があることを特徴とする。
【０１１４】請求項６２記載の発明は、請求項６１記載
の液晶表示装置の製造方法であって、 印刷面が凹凸状
に形成された印刷版を用いて配向膜を印刷する印刷工程
を含むことを特徴とする。
【０１１５】請求項６３記載の発明は、請求項６２記載
の液晶表示装置の製造方法であって、 メッシュサイズ
が１００μｍ以上である印刷版を用いて配向膜を印刷す
る印刷工程を含むことを特徴とする。
【０１１６】請求項６４記載の発明は、請求項６２又は
６３記載の液晶表示装置の製造方法であって、前記印刷
工程が複数回行われることを特徴とする。
【０１１７】請求項６５記載の発明は、請求項１７乃至
２５のいずれか記載の液晶表示装置において、前記一対
の基板の少なくとも一方の基板表面が凹凸状にが形成さ
れていることを特徴とする。
【０１１８】基板表面を凹凸状にすることによっても、
配向状態の異なる領域を形成することができる。
【０１１９】請求項６６記載の発明は、請求項１７乃至
２５のいずれか記載の液晶表示装置の製造方法であっ
て、前記一対の基板の少なくとも一方の基板表面を、凹
凸状に形成する凹凸形状形成工程を含むことを特徴とす
る。
【０１２０】請求項６７記載の発明は、請求項６５記載
の液晶表示装置において、前記凹凸形状がフォトレジス
トで形成されていることを特徴とする。
【０１２１】請求項６８記載の発明は、請求項６６記載
の液晶表示装置の製造方法において、凹凸形状形成工程
に形成された凹凸形状をなだらかにする熱処理工程を有
することを特徴とする。
【０１２２】請求項６９記載の発明は、請求項６６記載
の液晶表示装置の製造方法において、前記凹凸形状形成
工程が印刷方法を用いて凹凸形状を形成する工程である
ことを特徴とする。
【０１２３】請求項７０記載の発明は、請求項６５記載
の液晶表示装置において、前記凹凸形状が窒化シリコン
膜よりなることを特徴とする。
【０１２４】請求項７１記載の発明は、請求項６６記載
の液晶表示装置の製造方法において、前記凹凸形状形成
工程が基板の表面を荒らすことで凹凸形状を形成する工
程であることを特徴とする。
【０１２５】請求項７２記載の発明は、請求項７１記載
の液晶表示装置の製造方法において、前記凹凸形状形成
工程が酸素プラズマ処理を行うことにより凹凸形状を形
成する工程であることを特徴とする。
【０１２６】請求項７３記載の発明は、請求項６５記載
の液晶表示装置において、前記一対の基板の少なくとも
一方の基板の内側面に、透明電極が形成されており、こ
の透明電極の結晶径が５０ｎｍ以上であることを特徴と
する。
【０１２７】請求項７４記載の発明は、請求項６５記載
の液晶表示装置において、前記凹凸形状が、基板上に小
粒子を分散して形成されたものであることを特徴とす
る。
【０１２８】請求項７５記載の発明は、請求項６５記載
の液晶表示装置において、前記凹凸形状が、プレス成形
により形成されたものであることを特徴とする。
【０１２９】請求項７６記載の発明は、請求項６５記載
の液晶表示装置において、前記凹凸形状が、画素電極の
形状が周囲で持ち上がった凹面形状であることを特徴と
する。
【０１３０】請求項７７記載の発明は、請求項６６記載
の液晶表示装置の製造方法において、前記凹凸形状形成
工程が、前記一対の基板の少なくとも一方の基板に樹脂
層を形成する工程と、この樹脂層を処理して凹凸形状を
形成する工程とを有することを特徴とする。
【０１３１】請求項７８記載の発明は、請求項６５記載
の液晶表示装置において、前記凹凸形状が、画素電極の
中央部に凸部を形成することにより得られたものである
ことを特徴とする。
【０１３２】請求項７９記載の発明は、請求項６５記載
の液晶表示装置において、前記凹凸形状が、画素電極の
対角線方向に凸部を形成することにより得られたもので
あることを特徴とする。
【０１３３】請求項８０記載の発明は、請求項１７乃至
２５記載の液晶表示装置において、電界の方向により複
数の領域を形成することを特徴とする。
【０１３４】請求項８１記載の発明は、請求項１７乃至
２５のいずれかに記載の液晶表示装置において、前記一
対の基板に形成されている電極の少なくとも一方の電極
には、電極が欠落した電極欠落部が存在することを特徴
とする。
【０１３５】上記構成により、電極欠落部を挟んだ両側
の電気力線が、傾斜角度が正負逆となる方向に傾斜す
る。これにより、電極欠落部の一方側ではｔ−スプレイ
配向が、電極欠落部の他方側ではｂ−スプレイ配向が形
成される。よって、その境界部のディスクリネーション
線からベンド転移が発生する。
【０１３６】請求項８２記載の発明は、請求項１７乃至
２５のいずれかに記載の液晶表示装置において、前記一
対の基板に形成されている電極のうち、対向基板側の電
極には、電極が欠落した電極欠落部が存在することを特
徴とする。
【０１３７】請求項８３記載の発明は、請求項１７乃至
２５のいずれかに記載の液晶表示装置において、前記一
対の基板に形成されている電極のうち、アレイ基板側の
電極には、電極が欠落した電極欠落部が存在することを
特徴とする。
【０１３８】請求項８４記載の発明は、請求項８１記載
の液晶表示装置において、前記電極欠落部の延在方向が
前記複数の領域の境界に発生するディスクリネーション
線と一致することを特徴とする。
【０１３９】請求項８５記載の発明は、請求項８２記載
の液晶表示装置において、配向方向と電極欠落部の方向
が交差することを特徴とする。
【０１４０】請求項８６記載の発明は、請求項１７乃至
２５のいずれかに記載の液晶表示装置において、画素電
極との間に横電界を形成する横電界形成手段を有するこ
とを特徴とする。
【０１４１】請求項８７記載の発明は、請求項８６記載
の液晶表示装置において、画素電極の両端で横電界を発
生し、その横電界の方向が対向していることを特徴とす
る。
【０１４２】請求項８８記載の発明は、請求項８７記載
の液晶表示装置において、前記一対の基板うち一方の基
板がアクティブマトリクス基板であり、前記アクティブ
マトリクス基板はソース電極線及び画素電極を有し、ソ
ース電極線と画素電極間に横電界を印加することを特徴
とする。
【０１４３】請求項８９記載の発明は、請求項８８記載
の液晶表示装置において、前記画素電極とソース電極線
との距離が５μｍ以下であることを特徴とする。
【０１４４】請求項９０記載の発明は、請求項８７記載
の液晶表示装置の駆動方法であって、画素電位を保持し
ている期間あるいはその一部期間に、ソース電圧を変化
させ、画素電極とソース電極線間に横電界を印加するこ
とを特徴とする。
【０１４５】請求項９１記載の発明は、請求項８７記載
の液晶表示装置において、前記基板の一方がアクティブ
マトリクス基板であり、前記アクティブマトリクス基板
はゲート電極線と画素電極を有し、ゲート電極線と画素
電極間に横電界を印加することを特徴とする。
【０１４６】請求項９２記載の発明は、請求項９１記載
の液晶表示装置において、前記画素電極とゲート電極線
との距離が５μｍ以下であることを特徴とする。
【０１４７】請求項９３記載の発明は、請求項８７記載
の液晶表示装置の駆動方法であって、画素電位を保持し
ている期間に、ゲート電圧を低いレベルにし、画素電極
とゲート電極線間に横電界を印加することを特徴とす
る。
【０１４８】請求項９４記載の発明は、請求項８７記載
の液晶表示装置の駆動方法であって、画素電位よりも高
い電位にゲート電位を設定して、画素電極とゲート電極
線間に横電界を印加することを特徴とする。
【０１４９】請求項９５記載の発明は、請求項９１記載
の液晶表示装置において、前記アクティブマトリクス基
板は補助容量電極を有し、前記補助容量電極はゲート電
極線上に存在しないことを特徴とした。
【０１５０】請求項９６記載の発明は、請求項８７記載
の液晶表示装置において、横電界形成手段が、電極側部
に形成された突起形状であることを特徴とする。
【０１５１】請求項９７記載の発明は、請求項９６記載
の液晶表示装置において、前記突起形状が画素電極に形
成されたことを特徴とする。
【０１５２】請求項９８記載の発明は、請求項９６記載
の液晶表示装置において、前記突起形状がゲート電極線
に形成されたことを特徴とする。
【０１５３】請求項９９記載の発明は、請求項９６記載
の液晶表示装置において、前記突起形状がソース電極線
に形成されたことを特徴とする。
【０１５４】請求項１００記載の発明は、請求項８７記
載の液晶表示装置において、横電界発生方向と配向方と
が略一致していることを特徴とする。
【０１５５】請求項１０１記載の発明は、上下一対の基
板と、基板間に挟持される液晶層とを含み、液晶表示駆
動に先立って、前記基板間への電圧印加により前記液晶
層の初期配向をベンド配向に転移させる初期化処理を行
ない、この初期化されたベンド配向状態で液晶表示駆動
を行う液晶表示装置において、前記基板面内における表
示領域には、スペーサが存在しないことを特徴とする。
【０１５６】表示領域にスペーサが存在すると、転移の
障害となる。従って、本発明のようにスペーサが表示領
域に存在しなければ、転移が円滑に達成される。
【０１５７】請求項１０２記載の発明は、請求項１０１
記載の液晶表示装置において、前記表示領域以外の非表
示領域に、スペーサが形成されていることを特徴とす
る。
【０１５８】請求項１０３記載の発明は、請求項１０２
記載の液晶表示装置において、前記スペーサが柱状スペ
ーサであることを特徴とする。
【０１５９】請求項１０４記載の発明は、画素電極を有
するアレー基板と共通電極を有する対向基板の間に配置
された液晶層上下界面の液晶のプレチルト角が正負逆
で、互いに平行に配向処理されたスプレイ配向の液晶セ
ルで、電圧無印加時にはスプレイ配向となっており、液
晶表示駆動に先立って、電圧印加によりスプレイ配向か
らベンド配向に転移させる初期化処理が行われ、この初
期化されたベンド配向状態で液晶表示駆動を行うアクテ
ィブマトリックス型の液晶表示装置において、前記アレ
ー基板の内面側に形成された配向膜における液晶のプレ
チルト角が第１のプレチルト角を示すと共に、対向する
対向基板の内面側に形成された配向膜における液晶のプ
レチルト角が第１のプレチルト角よりも大きい第２のプ
レチルト角を示す第１の液晶セル領域と、前記第１の液
晶セル領域に隣接して配置され、アレー基板の内面側に
形成された配向膜における液晶のプレチルト角が第３の
プレチルト角を示すと共に、対向する対向基板の内面側
に形成された配向膜における液晶のプレチルト角が第３
のプレチルト角よりも小さい第４のプレチルト角を示す
第２の液晶セル領域と、を同一画素内に少なくとも有し
ており、前記配向膜が、第１の液晶セル領域から第２の
液晶セル領域に向けて配向処理されている液晶セルと、
前記画素電極と前記共通電極との間に、ディスクリネー
ション線を形成するための第１の電圧を印加し、前記第
１の液晶セル領域と前記第２の液晶セル領域との境界付
近においてディスクリネーション線を形成する第１の電
圧印加手段と、前記画素電極と前記共通電極との間に前
記第１の電圧よりも高い第２の電圧を印加することによ
り、ディスクリネーション線において転移核を発生さ
せ、スプレイ配向からベンド配向へ転移させる第２の電
圧印加手段と、を備えることを特徴としている。
【０１６０】前記構成とすることにより、前記画素電極
と共通電極の間に第１の電圧を印加することにより、前
記第１の液晶セル領域と第２の液晶セル領域との間にお
いて、周囲より歪みのエネルギーが高いディスクリネー
ション線を形成することができ、さらに、前記画素電極
と前記共通電極との間に第１の電圧よりも高いの第２の
電圧を印加することにより、更に前記ディスクリネーシ
ョン線にエネルギーが与えられて該ディスクリネーショ
ン線においてスプレイ配向からベンド配向に転移する。
【０１６１】従って、前記構成とした液晶表示装置にお
いては、スプレイ−ベンド配向転移を液晶セルの多数形
成した各画素領域内で確実に一定の場所（ディスクリネ
ーション線）で起こすことができ、また、配向転移を確
実に速く起こさせることができ、表示欠陥が生ずること
なく、高画質で価格的に優れた液晶表示装置を実現する
ことができる。
【０１６２】請求項１０５記載の発明は、請求項１０４
記載の液晶表示装置であって、前記第１および第４のプ
レチルト角は３度以下であり、前記第２および第３のプ
レチルト角は４度以上であることを特徴としている。
【０１６３】前記構成とすることにより、前記第２およ
び第４のプレチルト角と前記第１および第４のプレチル
ト角との比を大きくすることができ、前記比を大きくす
ることによって、周囲より歪みのエネルギーが更に高い
ディスクリネーション線を形成することができ、スプレ
イ配向からベンド配向への転移時間をさらに短縮するこ
とが可能となる。
【０１６４】請求項１０６記載の発明は、請求項１０４
記載の液晶表示装置であって、前記配向膜の配向処理さ
れる方向は、前記画素電極に沿う信号電極線またはゲー
ト電極線に対して直角であることを特徴としている。
【０１６５】前記構成とすることにより、液晶層内の液
晶分子の配向状態方向に横電界印加部から略直交方向に
横電界が印加されるため、該横電界により液晶分子がね
じれる力を受け、従って、ディスクリネーション線にお
いて転移核が発生し、迅速にスプレイ配向からベンド配
向への配向の転移を行うことができる。
【０１６６】請求項１０７記載の発明は、請求項１０４
記載の液晶表示装置であって、前記配向膜の配向処理さ
れる方向は、前記画素電極に沿う信号電極線またはゲー
ト電極線に対して直角方向から若干ずれていることを特
徴としている。
【０１６７】前記配向膜の配向処理方向を、前記信号電
極線またはゲート電極線に対して直角方向から若干ずれ
るようにすることによって、前記ディスクリネーション
線に対して信号電極線またはゲート電極線からの横電界
が斜めに印加されることとなるので、スプレイ配向した
液晶分子にねじれる力が加わることとなるので、ベンド
配向への転移がし易くなる。
【０１６８】請求項１０８記載の発明は、請求項１０４
記載の液晶表示装置であって、前記第２の電圧は、その
周波数が０．１Ｈｚから１００Ｈｚの範囲であり、且つ
第２の電圧のデューティー比は少なくとも１：１から１
０００：１の範囲である、パルス状の電圧であることを
特徴としている。
【０１６９】前記のようなパルス状の第２の電圧を印加
し、電圧印加期間と電圧を印加しない期間を交互に繰り
返すことにより、液晶分子が揺動されて転移し易い状態
となり、従って、スプレイ配向した液晶分子がベンド配
向へ転移する。なお、前記周波数およびデューティー比
を上記範囲に規制するのは、スプレイ配向からベンド配
向への転移領域を拡大するためである。
【０１７０】請求項１０９記載の発明は、請求項１０４
乃至１０８の何れかに記載の液晶表示装置であって、前
記ゲート電極線は、前記転移させる期間中の少なくとも
大部分においてハイ状態であることを特徴としている。
【０１７１】前記ディスクリネーション線領域は周囲よ
り歪みのエネルギーが高くなっており、この状態に、画
素電極の横に配置されているゲート電極線からも前記デ
ィスクリネーション線に横電界が印加されることとなる
ので、更にエネルギーが与えられてスプレイ配向からベ
ンド配向へ速く転移する。
【０１７２】請求項１１０記載の発明は、請求項１０４
乃至１０８の何れかに記載の液晶表示装置であって、前
記画素電極および前記共通電極の内面側に形成された配
向膜のうち、少なくとも一方の配向膜の一部の領域に紫
外線を照射して、該配向膜における液晶のプレチルト角
を変化させて配向分割された液晶セルを有することを特
徴としている。
【０１７３】前記配向膜の一部の領域に紫外線を照射す
ることにより、紫外線が照射された領域の配向膜の表面
が改質され、改質された配向膜における液晶のプレチル
ト角を小さい値とすることができる。なお、紫外線の照
射によって、配向膜における液晶のプレチルト角が小さ
くなるのは、現在明らかとなっていないが、配向膜表面
に存在する側鎖が紫外線によって切断されるためと考え
られている。このようにして、紫外線照射により、配向
分割された液晶セルを容易に形成することができる。
【０１７４】請求項１１１記載の発明は、請求項１０４
乃至１０８の何れかに記載の液晶表示装置であって、前
記画素電極および前記共通電極の一部の領域にオゾン雰
囲気下で紫外線を照射して、該画素電極および共通電極
のうち、少なくとも一方の電極の一部の領域を平坦化処
理した後、前記画素電極および共通電極上に配向膜を塗
布焼成して、前記配向膜における液晶のプレチルト角を
変化させて配向分割された液晶セルを有することを特徴
としている。
【０１７５】前記画素電極および前記共通電極の一部の
領域にオゾン雰囲気下で紫外線を照射することによっ
て、画素電極および共通電極の表面を平坦化することが
でき、従って、画素電極および共通電極上に、配向膜を
塗布することにより、該配向膜における液晶のプレチル
ト角を変化させ配向分割された液晶セルを形成すること
が容易にできる。
【０１７６】請求項１１２記載の発明は、画素電極を有
するアレー基板と共通電極を有する対向基板との間に配
置された液晶層上下界面の液晶のプレチルト角が正負逆
で、互いに平行に配向処理されたスプレイ配向の液晶セ
ルを有しており、前記液晶セルは同一画素内に互いに隣
接する第１の液晶セル領域と第２の液晶セル領域とを有
し、前記第１の液晶セル領域は、前記アレー基板の液晶
層側の界面における液晶の第１プレチルト角が、前記対
向基板の液晶層側の界面における液晶の第２プレチルト
角よりも小さくなるように配向処理され、前記第２の液
晶セル領域は、前記対向基板の液晶層側の界面における
液晶の第４のプレチルト角が、前記第２のプレチルト角
よりも小さく、かつ前記アレー基板の液晶層側の界面に
おける液晶の第３のプレチルト角よりも小さくなるよう
に配向処理されており、電圧無印加時には前記液晶層は
スプレイ配向となっており、液晶表示駆動に先立って、
電圧印加によりスプレイ配向からベンド配向に転移させ
る初期化処理が行われ、この初期化されたベンド配向状
態で液晶表示駆動を行う液晶表示装置における前記スプ
レイ配向からベンド配向に配向転移させるための駆動方
法であって、前記画素電極と前記共通電極との間に第１
の電圧を印加することにより、第１の液晶セル領域では
液晶分子をｂ―スプレイ配向させるとともに、第２の液
晶セル領域では液晶分子をｔ―スプレイ配向させて、前
記第１の液晶セル領域と前記第２の液晶セル領域との境
界付近においてディスクリネーション線を形成し、前記
画素電極と前記共通電極との間に第１の電圧よりも高い
第２の電圧を印加し、前記第１の液晶セル領域と前記第
２の液晶セル領域との境界付近のディスクリネーション
線において転移核を発生させ、スプレイ配向からベンド
配向へ転移させることを特徴としている。
【０１７７】前記方法とすることにより、前記液晶表示
装置においては、スプレイ−ベンド配向転移を液晶セル
の多数形成した各画素領域内で確実に一定の場所（ディ
スクリネーション線付近）で起こさせることができ、ま
た、ディスクリネーション線付近は、周囲より歪みのエ
ネルギーが高いので、転移核が確実に発生する。従っ
て、配向転移を確実に速く起こさせることができ、表示
欠陥が生ずることなく、画質の優れた液晶表示が可能と
なる。
【０１７８】請求項１１３記載の発明は、画素電極を有
するアレー基板と共通電極を有する対向基板の間に配置
された液晶層上下界面の液晶のプレチルト角が正負逆
で、互いに平行に配向処理されたスプレイ配向の液晶セ
ルを有し、電圧無印加時には前記液晶層はスプレイ配向
となっており、液晶表示駆動に先立って、電圧印加によ
りスプレイ配向からベンド配向に転移させる初期化処理
が行われ、この初期化されたベンド配向状態で液晶表示
駆動を行うアクティブマトリックス型の液晶表示装置の
製造方法において、前記液晶セルの一画素内の一部の領
域において、前記アレー基板の液晶層側の界面における
液晶の第１のプレチルト角が、前記対向基板の液晶層側
の界面における液晶の第２のプレチルト角よりも小さく
なるように配向処理を行って第１の液晶セル領域を形成
し、前記一画素内の他の領域において、前記対向基板の
液晶層側の界面における液晶の第４のプレチルト角が、
前記第２のプレチルト角よりも小さく、かつ前記アレ-
基板の液晶層側の界面における液晶の第3のプレチルト
角よりも小さくなるように配向処理を行って第２の液晶
セル領域を形成する、配向処理工程を含むことを特徴と
する。
【０１７９】前記方法とすることにより、画素内にｂ−
スプレイ配向領域とｔ−スプレイ配向領域が形成され、
その境界にディスクリネーション線が明瞭に形成され
る。前記ディスクリネーション線付近は、前述したよう
に、周囲より歪みのエネルギーが高いので、転移核が確
実に発生し、従って、配向転移を確実に速く起こさせる
ことができる。
【０１８０】請求項１１４記載の発明は、請求項１１３
記載の液晶表示装置の製造方法において、前記配向処理
工程は、前記アレー基板上に形成された画素電極および
前記対向基板上に形成された共通電極の内面側に形成さ
れた配向膜の、一画素内の一部の領域に紫外線を照射し
て、液晶のプレチルト角を変化させて、前記第１の液晶
セル領域と前記第２の液晶セル領域とを形成する工程で
あることを特徴とする。
【０１８１】前記配向膜の一部の領域に紫外線を照射す
ることにより、紫外線が照射された領域の配向膜の表面
が改質され、改質された配向膜における液晶のプレチル
ト角を小さい値とすることができる。
【０１８２】請求項１１５記載の発明は、請求項１１３
記載の液晶表示装置の製造方法において、前記配向処理
工程は、前記アレー基板上に形成された画素電極および
前記対向電極上に形成された共通電極の、一画素内の一
部の領域にオゾン雰囲気下で紫外線を照射して、前記画
素電極および前記共通電極の一部の領域を平坦化処理
し、前記画素電極および前記共通電極上に配向膜を塗布
焼成して、該配向膜における液晶のプレチルト角を変化
させて、前記第１の液晶セル領域と前記第２の液晶セル
領域とを形成する工程であることを特徴とする。
【０１８３】前記方法とすることにより、画素電極およ
び共通電極のうち、少なくとも一方の電極の一部の領域
を平坦化することができ、従って、画素電極および共通
電極上に、配向膜を塗布することにより、該配向膜にお
ける液晶のプレチルト角を変化させ配向分割された液晶
セルを有する液晶表示装置を得ることができる。
【０１８４】請求項１１６記載の発明は、アレー基板と
対向基板の間の液晶層上下界面の液晶のプレチルト角が
正負逆で、互いに平行に配向処理されたスプレイ配向の
液晶セルで、電圧無印加時にはスプレイ配向となってお
り、液晶表示駆動に先立って、電圧印加によりスプレイ
配向からベンド配向に転移させる初期化処理が行われ、
この初期化されたベンド配向状態で液晶表示駆動を行う
アクティブマトリックス型の液晶表示装置において、１
画素内に、少なくとも１つの転移励起用の横電界印加部
を有し、該横電界印加部によって横電界を発生させると
ともに、画素電極と共通電極間に連続的または間欠的に
電圧を印加し、画素毎に転移核を発生させ画素全体をス
プレイ配向からベンド配向に転移させることを特徴とし
ている。
【０１８５】前記構成により、以下の作用がなされる。
【０１８６】画素電極と共通電極間に転移電圧よりも充
分大きい電圧を印加すると共に、１画素内に設けられた
少なくとも１つの転移励起用の横電界印加部が液晶層に
横電界を加え、これにより、該横電界印加部が画素内液
晶層のスプレイ配向からベンド配向への起点となり（即
ち、横電界印加部周辺の液晶層内に転移核を確実に発生
させることができ）、従って、迅速にスプレイ配向から
ベンド配向への配向の転移を行うことができる。
【０１８７】請求項１１７記載の発明は、請求項１１６
記載の液晶表示装置であって、前記横電界印加部によっ
て発生される横電界の方向は、配向処理方向と略直交し
ていることを特徴としている。
【０１８８】前記構成とすることにより、液晶層内の液
晶分子の配向状態方向に横電界印加部から略直交方向に
横電界が印加されるため、該横電界により液晶分子がね
じれる力を受け、従って、転移核が発生し、迅速にスプ
レイ配向からベンド配向への配向の転移を行うことがで
きる。
【０１８９】請求項１１８記載の発明は、請求項１１６
記載の液晶表示装置であって、前記横電界印加部は、画
素電極の周辺部を基板面に平行な面内で凹凸に変形させ
た電極変形部であることを特徴としている。
【０１９０】前記構成により、以下の作用がなされる。
【０１９１】画素電極の周辺を基板面に平行な面内で凹
凸に変形した電極変形部からなる横電界印加部と、該横
電界印加部の側方に存在する信号電極線若しくはゲート
電極線との間で電場が集中することとなり、従って、そ
の場合に発生する横電界は、横電界印加部を有しない画
素電極と信号電極線若しくはゲート電極線との間で発生
する横電界よりも強い。従って、前記横電界印加部の存
在によって発生する横電界により、液晶層内に転移核を
確実に発生することができ、スプレイ配向からベンド配
向への配向の転移を迅速に行うことができる。
【０１９２】請求項１１９記載の発明は、請求項１１６
記載の液晶表示装置であって、前記横電界印加部は、信
号電極線若しくはゲート電極線を基板面に平行な面内で
凹凸に変形させた電極線変形部であることを特徴として
いる。
【０１９３】前記構成により、以下の作用がなされる。
【０１９４】請求項１１８の発明と同様の作用が、いず
れかのあるいは両方の電極線の電極線変形部の存在によ
りなされる。
【０１９５】請求項１２０記載の発明は、請求項１１６
記載の液晶表示装置であって、前記横電界印加部は、画
素電極の周辺部を基板面に平行な面内で凹凸に変形さ
せ、該凹凸に対応して信号電極線若しくはゲート電極線
を凸凹に変形させた電極・電極線変形部であることを特
徴としている。
【０１９６】前記構成により、以下の作用がなされる。
【０１９７】画素電極の少なくとも一辺を基板面に平行
な面内でその周辺部を凹凸に変形させ、これに対応して
信号電極線若しくはゲート電極線あるいはその両方を凸
凹に変形させた電極・電極線変形部である横電界印加部
により、請求項３１の発明と同様の作用がなされる。
【０１９８】請求項１２１記載の発明は、請求項１１６
記載の液晶表示装置であって、前記横電界印加部は、横
電界印加用線を基板面に対して平行な面内で凹凸に変形
させた横電界印加用線変形部であり、該横電界印加用線
は、信号電極線若しくはゲート電極線の少なくとも一方
の上層若しくは下層に絶縁膜を介して同方向に配設さ
れ、前記信号電極線若しくはゲート電極線が接続された
駆動回路に接続されていることを特徴としている。
【０１９９】前記構成とすることにより、前記横電界印
加用線は横電界印加専用の線であり、信号電極線若しく
はゲート電極線の少なくとも一方の上層若しくは下層に
絶縁膜を介して配設されているので、横電界印加用線の
側部に凹凸を連続的に形成する等の形状に柔軟性があ
る。また、横電界印加用線は、信号電極線若しくはゲー
ト電極線に重なっているため光の吸収が少なく、従っ
て、画素の開口率が低下しない。よって、設計に自由度
をもたせた冗長設計とすることが可能である。
【０２００】請求項１２２記載の発明は、請求項１２１
記載の液晶表示装置であって、前記横電界印加用線は、
配向転移後の通常の液晶表示時には、駆動回路と遮断さ
れることを特徴としている。
【０２０１】前記構成とすることにより、前記横電界印
加用線は、配向転移後の通常の液晶表示時には、駆動回
路と遮断されるので、その場合、横電界印加用線に形成
された横電界印加部と画素電極間に横電界が発生するこ
とはない。従って、通常の液晶表示時に、液晶の配向乱
れが生じるようなことはなく、良好な液晶表示状態を示
す液晶表示装置を得ることができる。
【０２０２】請求項１２３記載の発明は、アレー基板と
対向基板の間の液晶層上下界面の液晶のプレチルト角が
正負逆で、互いに平行に配向処理されたスプレイ配向の
液晶セルで、電圧無印加時にはスプレイ配向となってお
り、液晶表示駆動に先立って、電圧印加によりスプレイ
配向からベンド配向に転移させる初期化処理が行われ、
この初期化されたベンド配向状態で液晶表示駆動を行う
アクティブマトリックス型の液晶表示装置において、１
画素内に、転移励起用の横電界印加のために少なくとも
１カ所に欠陥部を形成した画素電極若しくは共通電極の
少なくとも一方を有していることを特徴としている。
【０２０３】前記構成により、以下の作用がなされる。
【０２０４】画素単位に、転移励起用の横電界印加のた
め少なくとも１カ所に欠陥部を形成した画素電極若しく
は共通電極の少なくとも一方を有しているので、該欠陥
部の縁において、電界の歪み（斜め電界）が発生する。
従って、該斜め電界により、液晶分子がねじれる力を受
け、転移核が確実に発生し、スプレイ配向からベンド配
向への転移が速くなる。
【０２０５】請求項１２４記載の発明は、アレー基板と
対向基板の間の液晶層上下界面の液晶のプレチルト角が
正負逆で、互いに平行に配向処理されたスプレイ配向の
液晶セルで、電圧無印加時にはスプレイ配向となってお
り、液晶表示駆動に先立って、電圧印加によりスプレイ
配向からベンド配向に転移させる初期化処理が行われ、
この初期化されたベンド配向状態で液晶表示駆動を行う
アクティブマトリックス型の液晶表示装置において、１
画素内に、転移励起用の横電界印加部を有し、更に１画
素は、画素電極の一部領域の液晶分子のプレチルト角が
第１のプレチルト角を示し、前記画素電極に対向する共
通電極の一部領域の液晶分子のプレチルト角がそれより
も大きい第２のプレチルト角を持つ第１の配向領域と、
前記画素電極の他領域の液晶分子のプレチルト角が第３
のプレチルト角を示し、前記画素電極に対向する共通電
極の他の一部領域の液晶分子のプレチルト角がそれより
も小さい第４のプレチルト角を持つ第２の配向領域とを
有することを特徴としている。
【０２０６】前記構成により、以下の作用がなされる。
【０２０７】横電界印加部の作用と、前記第１の配向領
域と第２の配向領域ではプレチルト角が相違するため、
第１および第２の配向領域の間でディスクリネーション
線が発生し、該ディスクリネーション線が配向転移の起
点となり、スプレイ配向からベンド配向への転移が促進
される。
【０２０８】請求項１２５記載の発明は、請求項１１６
乃至１２４の何れかに記載の液晶表示装置であって、前
記共通電極と画素電極の間に、周波数が０．１Ｈｚから
１００Ｈｚの範囲であり、且つデューティー比は少なく
とも１：１から１０００：１の範囲であるパルス状の電
圧を印加するパルス電圧印加部を有していることを特徴
としている。
【０２０９】前記構成により、以下の作用がなされる。
【０２１０】画素の大きさ、形状、液晶層の厚さ等によ
ってある程度の相違があるも、パルス電圧印加部の周波
数およびデューティー比を上記範囲に規制するのは、ス
プレイ配向からベンド配向への転移領域を拡大するため
である。
【０２１１】前記のようなパルス状の第２の電圧を印加
し、電圧印加期間と電圧を印加しない期間を交互に繰り
返すことにより、液晶分子が揺動されて転移し易い状態
となり、従って、スプレイ配向した液晶分子がベンド配
向へ転移する。なお、前記周波数およびデューティー比
を上記範囲に規制するのは、スプレイ配向からベンド配
向への転移領域を拡大するためである。
【０２１２】請求項１２６記載の発明は、一対の基板間
に挟持される液晶層と、基板の外側に配設される位相補
償板とを含み、電圧無印加時には前記液晶層は上下界面
の液晶のプレチルト角が正負逆で、互いに平行に配向処
理されたスプレイ配向となっており、液晶表示駆動に先
立って、電圧印加により前記液晶層の配向状態をスプレ
イ配向からベンド配向に転移させる初期化処理を行な
い、この初期化されたベンド配向状態で液晶表示駆動を
行う液晶表示装置において、表示画素内に周囲よりも液
晶層厚の小さな領域を少なくとも１ケ所含み、かつ前記
領域内の液晶層に印加される電界強度が、周囲の液晶層
に印加される電界強度よりも大きいことを特徴とする。
【０２１３】上記構成により、電界強度の大きい部分で
転移核の発生が生じ易くなり、転移時間を短くすること
ができる。
【０２１４】また請求項１２７記載の発明は、一対の基
板間に挟持される液晶層と、基板の外側に配設される位
相補償板とを含み、電圧無印加時には前記液晶層は上下
界面の液晶のプレチルト角が正負逆で、互いに平行に配
向処理されたスプレイ配向となっており、液晶表示駆動
に先立って、電圧印加により前記液晶層の配向状態をス
プレイ配向からベンド配向に転移させる初期化処理を行
ない、この初期化されたベンド配向状態で液晶表示駆動
を行う液晶表示装置において、表示画素外に液晶層厚の
小さな領域を少なくとも１ケ所含み、かつ前記領域の液
晶層に印加される電界強度が、画素内液晶層に印加され
る電界強度よりも大きいことを特徴とする。
【０２１５】上記構成により、画素外において電界集中
がおこり、画素外に発生する転移核が画素内に伝播す
る。従って、かかる場合においても、転移時間を短くす
ることができる。
【０２１６】また請求項１２８記載の発明は、一対の基
板間に挟持される液晶層と、基板の外側に配設される位
相補償板とを含み、電圧無印加時には前記液晶層は上下
界面の液晶のプレチルト角が正負逆で、互いに平行に配
向処理されたスプレイ配向となっており、液晶表示駆動
に先立って、電圧印加により前記液晶層の配向状態をス
プレイ配向からベンド配向に転移させる初期化処理を行
ない、この初期化されたベンド配向状態で液晶表示駆動
を行う液晶表示装置において、表示画素内に電界集中部
位を少なくとも１ケ所含むことを特徴とする。
【０２１７】また請求項１２９記載の発明は、請求項１
２８記載の液晶表示素子において、前記表示画素内に設
けられた電界集中部位が液晶層の厚み方向に部分的に突
出した表示電極、あるいは共通電極の一部または、その
両方であることを特徴とする。
【０２１８】上記の如く突出した表示電極構成により、
電界集中部位を構成することができる。、また請求項１
３０記載の発明は、一対の基板間に挟持される液晶層
と、基板の外側に配設される位相補償板とを含み、電圧
無印加時には前記液晶層は上下界面の液晶のプレチルト
角が正負逆で、互いに平行に配向処理されたスプレイ配
向となっており、液晶表示駆動に先立って、電圧印加に
より前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド配
向に転移させる初期化処理を行ない、この初期化された
ベンド配向状態で液晶表示駆動を行う液晶表示装置にお
いて、表示画素外に電界集中部位を少なくとも１ケ所含
むことを特徴とする。
【０２１９】上記の如く表示画素外に電界集中部位を設
けることにより、画素外に発生する転移核が画素内に伝
播する。従って、かかる場合においても、転移時間を短
くすることができる。
【０２２０】また請求項１３１記載の発明は、請求項１
３０項記載の液晶表示装置において、前記電界集中部位
が液晶層の厚み方向に部分的に突出した電極の一部であ
ることを特徴とする。
【０２２１】また請求項１３２記載の発明は、一対の基
板間に挟持される液晶層と、基板の外側に配設される位
相補償板とを含み、電圧無印加時には前記液晶層は上下
界面の液晶のプレチルト角が正負逆で、互いに平行に配
向処理されたスプレイ配向となっており、液晶表示駆動
に先立って、電圧印加により前記液晶層の配向状態をス
プレイ配向からベンド配向に転移させる初期化処理を行
ない、この初期化されたベンド配向状態で液晶表示駆動
を行う液晶表示装置において、表示電極、あるいは共通
電極の一部、またはその両方に開口部を有していること
を特徴とする。
【０２２２】上記構成によっても、転移時間を短くでき
る。
【０２２３】また請求項１３３記載の発明は、請求１３
２記載の液晶表示装置において、前記開口部が、スイッ
チング素子を含むアクティブマトリックス型液晶表示装
置の、平坦化膜上に形成した表示電極と該スイッチング
素子と電気的に接続する導通口であることを特徴とす
る。
【０２２４】上記構成によっても、転移時間を短くでき
る。
【０２２５】また請求項１３４記載の発明は、請求項１
２６乃至１３３の何れかに記載の液晶表示装置におい
て、前記位相補償板が、主軸がハイブリッド配列した負
の屈折率異方性を有する光学媒体よりなる位相補償板を
少なくとも１枚含む位相補償板であることを特徴とす
る。
【０２２６】また請求項１３５記載の発明は、請求項１
３４記載の液晶表示装置において、前記位相補償板が、
少なくとも１枚の正の位相補償板を含む位相補償板であ
ることを特徴とする。
【０２２７】請求項１３６記載の発明は、 互いに対向
する第１の基板と第２の基板との間に保持された液晶に
電場を印加し、前記液晶の配向をベンド配向に転移させ
る液晶表示装置であって、前記液晶のスプレイ弾性定数
ｋ11を、１０×１０−７ｄｙｎ≧ｋ11≧６×１０−７ｄ
ｙｎの範囲とし、且つ、前記第１の基板に対する前記液
晶のプレチルト角の絶対値をθ1とし、前記第２の基板
に対する前記液晶のプレチルト角の絶対値をθ2とした
とき、１．５７ｒａｄ＞｜θ1−θ2｜≧０．０００２ｒ
ａｄなる関係を満たすことを特徴とする液晶表示装置で
ある。
【０２２８】上記構成により、液晶転移の臨界電場を低
下させ、液晶分子の配向状態を、初期状態からベンド配
向へ速やかに転移させる液晶表示装置が構成される。
【０２２９】請求項１３７記載の発明は、互いに対向す
る第１の基板と第２の基板との間に保持された液晶に電
場を印加し、前記液晶の配向をベンド配向に転移させる
方法であって、前記液晶のスプレイ弾性定数ｋ11を、１
０×１０-7ｄｙｎ≧ｋ11≧６×１０-7ｄｙｎの範囲と
し、且つ、前記電場が、空間的に均一に印加される主電
場に、空間的に不均一に印加される副電場を重畳させた
電場であり、前記主電場をＥ0とし、前記副電場の最大
値をＥ1としたとき、１．０＞Ｅ1／Ｅ0＞１／１００な
る関係を満たすことを特徴とする。
【０２３０】このような構成によっても、液晶転移の臨
界電場を低下させ、液晶分子の配向状態を、初期状態か
らベンド配向へ速やかに転移させることが可能となる。
【０２３１】請求項１３８記載の発明は、互いに対向す
る第１の基板と第２の基板との間に保持された液晶に電
場を印加し、前記液晶の配向をベンド配向に転移させる
方法であって、前記第１の基板に対する前記液晶のプレ
チルト角の絶対値をθ1とし、前記第２の基板に対する
前記液晶のプレチルト角の絶対値をθ2としたとき、
１．５７ｒａｄ＞｜θ1−θ2｜≧０．０００２ｒａｄな
る関係を満たし、且つ、前記電場が、空間的に均一に印
加される主電場に、空間的に不均一に印加される副電場
を重畳させた電場であり、前記主電場をＥ0とし、前記
副電場の最大値をＥ1としたとき、１．０＞Ｅ1／Ｅ0＞
１／１００なる関係を満たすことを特徴とする。
【０２３２】このような構成によっても、液晶転移の臨
界電場を低下させ、液晶分子の配向状態を、初期状態か
らベンド配向へ速やかに転移させることが可能となる。
【０２３３】請求項１３９記載の発明は、互いに対向す
る第１の基板と第２の基板との間に保持された液晶に電
場を印加し、前記液晶の配向をベンド配向に転移させる
方法であって、前記液晶のスプレイ弾性定数ｋ11を１０
×１０-7ｄｙｎ≧ｋ11≧６×１０-7ｄｙｎの範囲とし、
前記第１の基板に対する前記液晶のプレチルト角の絶対
値をθ1とし、前記第２の基板に対する前記液晶のプレ
チルト角の絶対値をθ2としたとき、１．５７ｒａｄ＞
｜θ1−θ2｜≧０．０００２ｒａｄなる関係を満たし、
且つ、前記電場が、空間的に均一に印加される主電場
に、空間的に不均一に印加される副電場を重畳させた電
場であり、前記主電場をＥ0とし、前記副電場の最大値
をＥ1としたとき、１．０＞Ｅ1／Ｅ0＞１／１００なる
関係を満たすことを特徴とする。
【０２３４】このような構成によっても、液晶転移の臨
界電場を低下させ、液晶分子の配向状態を、初期状態か
らベンド配向へ速やかに転移させることが可能となる。
【０２３５】なお、前記プレチルト角は、各基板表面に
接する液晶分子の電場印加前の配向角であり、基板表面
に接する液晶分子の分子軸の、基板に平行な平面に対す
る傾きを、基板に平行な平面を基準（＝０）として反時
計回りに正として、−π／２〜π／２ｒａｄの範囲で表
した角度である。また、前記第１の基板に対する前記液
晶のプレチルト角と、前記第２の基板に対する前記液晶
のプレチルト角とは互いに異符号の角度である。
【０２３６】また、請求項１４０記載の発明は、請求項
１３７乃至１３９の何れかに記載の液晶表示装置の駆動
方法において、前記副電場が、前記第１の基板の表面に
形成された薄膜トランジスタのソース電極あるいはゲー
ト電極と、前記第２の基板の表面に形成された透明電極
との間に印加される電場であることを特徴とする。
【０２３７】また、請求項１４１記載の発明は、請求項
１３７乃至１４０の何れかに記載の液晶表示装置の駆動
方法において、前記副電場が、時間の経過に伴って減衰
振動させた交流電場であることを特徴とする。
【０２３８】
【発明の実施の形態】本発明は、ベンド配向型のＯＣＢ
セルを備えた液晶表示装置において、以下に述べるスプ
レイ配向からベンド配向への転移メカニズムに着目した
結果得られたものである。従って、先ず、該転移メカニ
ズムについて詳細に説明した後、本発明の具体的内容を
実施の形態を用いて説明することにする。
【０２３９】図１はベンド配向型のＯＣＢセルを備えた
液晶表示装置の一部分を示す斜視図である。図１を参照
して、ベンド配向型のＯＣＢセルを備えた液晶表示装置
の構成を簡単に説明すると、相互に平行配置した基板１
０と１１との間に、液晶分子１２を含む液晶層１３が挿
入されている。図には示さないが、基板１０，１１の相
互に対向する表面には、それぞれ液晶層１３に電界を印
加するための表示電極、及び液晶分子の配向を規制する
ための配向膜が形成されている。上記配向膜は図に示す
ように基板界面付近の液晶分子１２を約５〜７度プレチ
ルトし、基板面内における配向方位が相互に同じ方向
に、すなわち平行配向になるように配向処理されてい
る。基板１０，１１表面から離れるに従って液晶分子１
２は徐々に立ち上がり、液晶層１３の厚さ方向のほぼ中
央において液晶分子のチルト角が９０度になるベンド配
向となる。基板１０，１１の外側には、偏光板１５，１
６と光学補償板１７，１８が配置され、上記２枚の偏光
板１５，１６は、偏光軸が相互に直交あるいは平行に配
置され、その偏光軸と液晶分子の配向方位とは４５度の
角度になるよう配置されている。そして、高電圧を印加
したオン状態と低電圧を印加したオフ状態との液晶層の
屈折率異方性の差を利用して、上記偏光板、光学補償板
を通してその偏光状態を変化させ光の透過率を制御して
表示させることになる。
【０２４０】上記のベンド配向型のＯＣＢセルを備えた
液晶表示装置は、使用前には液晶層がスプレイ配向とな
っているため、液晶表示駆動に先立って電圧印加により
液晶層をスプレイ配向状態からベンド配向状態に転移さ
せておく必要がある。
【０２４１】かかる配向転移のため転移臨界電圧以上の
高電圧を印加した場合における液晶層のスプレイ配向か
らベンド配向へ転移する配向転移のメカニズムを図２に
模式的に示す。
【０２４２】図２は、２枚の基板を平行配向配置した場
合の、液晶分子を模式的に図示して液晶分子配列を概念
的に示した液晶セルの断面図である。
【０２４３】図２（ａ）は初期のスプレイ配列状態を示
す。基板間が無電界時には、液晶層１３の中央の液晶分
子１２の長軸は基板面にほぼ平行になるエネルギ−状態
の低いスプレイ配向状態をとっている。ここで、説明の
便宜上、基板に平行な液晶分子を参照符号１２ａで示す
ことにする。
【０２４４】次に図２（ｂ）は、基板１０，１１に形成
された電極（図示せず）間に高い電圧を印加開始した時
の液晶分子配列状態を示す。液晶層１３中の中央の液晶
分子１２は電界により若干傾斜し始め、その結果、基板
面に平行に向いた液晶分子１２ａは一方の基板面（図で
は基板１１側へ）側に向かって移動して行く。
【０２４５】次に図２（ｃ）は、電圧を印加後、更に時
間が経過したときの液晶分子配列状態を示す。液晶層１
３の中央の液晶分子１２が基板面に対して更に傾斜し
て、これに対して、基板面にほぼ平行に向いた液晶分子
１２ａは基板界面近傍に来て、配向膜からの強い規制力
を受ける。
【０２４６】次に図２（ｄ）は、ベンド配向へ転移した
一段とエネルギー状態の高い液晶分子配列状態を示す。
液晶層１３の中央の液晶分子１２は基板面に対して垂直
になり、基板１０上の配向膜（図示せず）界面に接した
液晶分子は、配向膜から強い規制力を受けて、傾斜配向
状態を維持し、このとき図２（ａ）〜（ｃ）に存在した
基板面に平行に向いた液晶分子１２ａはほぼ無くなる。
【０２４７】図２（ｄ）より更に時間が経過すると、上
記配向状態は基板間で図１に示すベンド配向状態へ移行
して転移は完了する。
【０２４８】このように、電圧を印加した時に起きるス
プレイ配向からベンド配向へ転移する状況が上述の様に
考えられる。
【０２４９】しかし、これが起きる場所は通常、基板面
内の液晶層全体で一度に起きることはなく、配向領域の
一部の部分でエネルギ−の移動がし易い部分であり、通
常、間隙に分散されたスペーサ周囲部分や、配向ムラ部
などで転移核は発生し、そこからベンド配向領域が広が
る。従って、ＯＣＢセルにおいて配向転移させるために
は、基板面内の液晶層の少なくとも一部の領域に転移核
を発生させることと、外部からエネルギ−を与えてスプ
レイ配向状態よりエネルギーの高いベンド配向状態へ遷
移させてこれを維持させておく必要がある。
【０２５０】このような配向転移のメカニズムを考慮し
た結果、本発明者等は転移核を確実に発生させ、かつ極
めて短時間で転移を完了させる液晶表示装置及びその製
造方法、並びに液晶表示装置の駆動方法を完成するに至
った。具体的な内容を、実施の形態に基づいて説明す
る。
【０２５１】（実施の形態１）図３は本発明の実施の形
態１に係る液晶表示装置の駆動法による画素単位の構成
概念図を示す。先ず、図３を参照して、本実施の形態１
に係る駆動方法に関連する液晶表示装置の構成を説明す
る。本実施の形態１に係る液晶表示装置は、駆動回路部
を除いた構成に関して、一般的なＯＣＢセルを備えた液
晶表示装置と同一の構成を有している。即ち、一対のガ
ラス基板２０，２１と、ガラス基板２０，２１間に挟持
された液晶層２６とを有する。ガラス基板２０，２１
は、一定の間隔を隔てて対向配置されている。ガラス基
板２０の内側面には、ＩＴＯの透明電極からなる共通電
極２２が形成され、、ガラス基板２１の内側面には、Ｉ
ＴＯの透明電極からなる画素電極２３が形成されてい
る。上記共通電極２２及び画素電極２３上には、ポリイ
ミド膜からなる配向膜２４，２５が形成されており、こ
の配向膜２４，２５は配向方向が互いに平行方向になる
ように配向処理されている。そして、配向膜２４，２５
間には、Ｐ型のネマティック液晶からなる液晶層２６が
挿入されている。また、配向膜２４，２５上の液晶分子
のプレチルト角は約５度に設定されており、スプレイ配
向からベンド配向へ転移する臨界電圧は２.５Ｖに設定
されている。光学補償板２９のリターデーションはオン
状態時に白あるいは黒表示となるように選択されてい
る。なお、図１において、２７，２８は偏光板である。
【０２５２】また、図中、３０は配向転移用駆動回路で
あり、３１は液晶表示用駆動回路である。また、３２
ａ，３２ｂはスイッチ回路であり、３３はスイッチ回路
３２ａ，３２ｂのスイッチング態様の切換えを制御する
スイッチ制御回路である。前記スイッチ回路３２ａは、
２つの個別接点Ｐ１，Ｐ２，と、１つの共通接点Ｑ１を
備えており、前記スイッチ回路３２ｂは、２つの個別接
点Ｐ３，Ｐ４，と、１つの共通接点Ｑ２を備えている。
共通接点Ｑ１は、スイッチ制御回路３３からのスイッチ
切換信号Ｓ１に応じて、個別接点Ｐ１，Ｐ２の何れかに
接続した状態となる。同様に共通接点Ｑ２は、スイッチ
制御回路３３からのスイッチ切換信号Ｓ２に応じて、個
別接点Ｐ３，Ｐ４の何れかに接続した状態となる。共通
接点Ｑ１が個別接点Ｐ１に接続され且つ共通接点Ｑ２が
個別接点Ｐ３に接続された状態では、配向転移用駆動回
路３０からの駆動電圧が電極２２，２３に印加されるこ
とになる。また、共通接点Ｑ１が個別接点Ｐ２に接続さ
れ且つ共通接点Ｑ２が個別接点Ｐ４に接続された状態で
は、液晶表示用駆動回路３３からの駆動電圧が電極２
２，２３に印加されることになる。
【０２５３】次いで、本実施の形態１に係る駆動方法に
ついて説明する。
【０２５４】先ず、本来の画像信号に基づく液晶表示駆
動に先立って、ベンド配向への転移のために、初期化処
理を行う。先ず、電源投入により、スイッチ制御回路３
３は、スイッチ回路３２ａ，３２ｂにスイッチ切換え信
号Ｓ１，Ｓ２を出力し、共通接点Ｑ１を個別接点Ｐ１に
接続し且つ共通接点Ｑ２を個別接点Ｐ３に接続した状態
とする。これにより、配向転移用駆動回路３０から図４
に示す駆動電圧が電極２２，２３間に印加される。この
駆動電圧は、図４に示すように交流矩形波電圧Ａがバイ
アス電圧Ｂと重畳された交流電圧であり、しかも駆動電
圧の値は、スプレイ配向からベンド配向への転移を発生
させるために必要な最小の電圧である臨界電圧よりも大
きい電圧値に設定されている。このような駆動電圧の印
加により、単純な交流電圧を印加する従来例よりも格段
に転移時間を短くすることが可能となる。なお、転移時
間が短くなる理由については後述する。こうして、ベン
ド配向への転移に関する初期化処理が完了する。
【０２５５】次いで、電極全面が完全にベンド配向に転
移する転移時間が経過すると、スイッチ制御回路３３は
共通接点Ｑ１を個別接点Ｐ２側に切り換える切換信号Ｓ
１をスイッチ回路３２ａに出力すると共に、共通接点Ｑ
２を個別接点Ｐ４側に切り換える切換信号Ｓ２をスイッ
チ回路３２ｂに出力する。これにより、共通接点Ｑ１と
個別接点Ｐ２とが接続され、且つ共通接点Ｑ２と個別接
点Ｐ４とが接続された状態となり、液晶表示用駆動回路
３１からの駆動信号電圧が電極２２，２３間に印加さ
れ、希望する画像が表示されることになる。ここで、液
晶表示用駆動回路３１は、３０Ｈｚの矩形波電圧２.７
Ｖにしてベンド配向状態を維持してこれをオフ状態と
し、３０Ｈｚの矩形波電圧７Ｖをオン状態として、ＯＣ
Ｂパネルを表示した。
【０２５６】次いで、本発明者が、上記構成の液晶表示
装置を作製し、上記駆動方法で初期化処理の実験を行っ
たので、その結果を述べる。なお、実験条件は以下のと
おりである。
【０２５７】電極面積を２cm2とし、セルギャップを約
６μｍとし、交流矩形波電圧Ａの周波数を３０Ｈｚ、振
幅を±４Ｖとした。
【０２５８】上記条件下において、バイアス電圧Ｂを０
Ｖ、２Ｖ、４Ｖ、５Ｖの４種類の電圧に設定した場合の
それぞれの転移時間を測定したので、その結果を図５に
示す。ここで、転移時間とは、電極面積の全領域で配向
の転移が完了するに要した時間を意味する。
【０２５９】図５より明らかなよう、バイアス電圧Ｂが
０Ｖのとき、転移時間は１４０秒要した。これに対し
て、バイアス電圧Ｂを４Ｖにすると、転移時間は８秒と
なって短縮できた。これは、バイアス電圧の重畳によ
り、バイアス電圧によって液晶層の液晶分子配向が揺さ
ぶられて基板間で図２（ｄ）の如く片寄りが生じてより
多くの転移核が発生し、更に実効電圧のアップで転移時
間が速くなったとものと考えられる。
【０２６０】以上のように、バイアス重畳された交流電
圧を連続印加することにより、単純な交流電圧印加の場
合より、転移時間を短縮できる。
【０２６１】上記実験例では、交流矩形波電圧信号は周
波数３０Ｈｚで，±４Ｖの値であったが本発明はこれに
限定されるものではなく、液晶が動作する周波数であれ
ばよく例えば１０ｋＨｚなどの値でも良く，また交流電
圧Ａの振幅を増大すれば転移時間は速くなることはもち
ろんである。このとき、バイアス電圧Ｂを高く重畳すれ
ばするほど速くなる。但し、駆動電圧の低電圧化を考慮
すれば、バイアス電圧は希望する転移時間に応じた最適
な電圧レベルに設定してことが望ましい。また，波形と
して矩形波を用いたが，デューティ比の異なる交流波形
を用いても良い。
【０２６２】なお、参考までに述べると、交流電圧を印
加する駆動方法は、特開平９−１８５０３２号公報に開
示されている。しかしながら、この先行技術では通常の
正負対称の交流電圧を印加しているにすぎない。一方、
本発明は、バイアス電圧を交流電圧に重畳して交流電圧
の正負の対称を崩し、非対称の波形を液晶層に印加し
て、液晶分子の配向を乱して転移核の発生を促し転移を
促進しやすくすることを特徴とするものである。当該先
行技術では、正負対称の交流電圧を印加するため、液晶
分子の配向を乱すことができず、配向状態の変化が途中
で止まってしまい、転移核が生じないおそれがある。こ
れに対して、本発明では、迅速且つ確実に転移核が発生
する。従って、本発明は、本質的に当該先行技術とは異
なるものである。
【０２６３】（実施の形態２）図６は実施の形態２に係
る液晶表示装置の画素単位の構成概念図である。本実施
の形態２では、バイアス電圧を重畳した交流電圧を前記
基板間に印加する工程と、前記基板間を電気的に開放状
態（オープン状態）にする工程とを交互に繰り返して、
液晶層をスプレイ配向からベンド配向に転移させること
を特徴とするものである。
【０２６４】本実施の形態２に係る液晶表示装置におい
て、上記実施の形態１に係る液晶表示装置と同一構成部
分には、同一の参照符号を付して説明は省略する。本実
施の形態２では、実施の形態１の配向転移用駆動回路３
０、スイッチ回路３２ａ、及びスイッチ制御回路３２に
代えて、配向転移用駆動回路４０、スイッチ回路４２
ａ、及びスイッチ制御回路４３が用いられる。スイッチ
回路４２ａは、個別接点Ｐ１，Ｐ２に加えて個別接点Ｐ
５を備えた３端子切換スイッチ回路である。このスイッ
チ回路４２ａのスイッチ切り換えは、スイッチ制御回路
４３により制御されている。また、前記配向転移用駆動
回路４０は、図７に示す駆動電圧を基板２２，２３間に
印加する。この駆動電圧は、図７に示すように交流矩形
波電圧Ｃがバイアス電圧Ｄと重畳された交流電圧であ
り、しかも駆動電圧の値は、スプレイ配向からベンド配
向への転移を発生させるために必要な最小の電圧である
臨界電圧よりも大きい電圧値に設定されている。
【０２６５】なお、スイッチ回路４２ａの共通接点Ｑ１
は、スイッチ制御回路４２からのスイッチ切換信号Ｓ３
により、個別接点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ５の何れかに接続した
状態となる。共通接点Ｑ１が個別接点Ｐ５に接続した状
態では、電極２２，２３が配向転移用駆動回路４０から
切り離されたオープン状態となる。共通接点Ｑ１が個別
接点Ｐ１に接続され且つ共通接点Ｑ２が個別接点Ｐ３に
接続された状態では、配向転移用駆動回路４０からの駆
動電圧が電極２２，２３に印加されることになる。ま
た、共通接点Ｑ１が個別接点Ｐ２に接続され且共通接点
Ｑ２が個別接点Ｐ４に接続された状態では、液晶表示用
駆動回路３１からの駆動電圧が電極２２，２３に印加さ
れることになる。
【０２６６】次いで、本実施の形態２に係る駆動方法に
ついて説明する。
【０２６７】先ず、本来の画像信号に基づく液晶表示駆
動に先立って、ベンド配向への転移のために、初期化処
理を行う。先ず、電源投入により、スイッチ制御回路４
３は、スイッチ回路４２ａにスイッチ切換信号Ｓ３を出
力すると共に、スイッチ回路３２ｂにスイッチ切換信号
Ｓ２を出力し、共通接点Ｑ１と個別接点Ｐ１とを接続状
態とし、且つ共通接点Ｑ２と個別接点Ｐ３とを接続状態
する。これにより、配向転移用駆動回路３０から図７に
示す駆動電圧が電極２２，２３間に印加される。そし
て、一定期間Ｔ２経過すると、スイッチ制御回路４３
は、スイッチ回路４２ａにスイッチ切換信号Ｓ３を出力
し、共通接点Ｑ１と個別接点Ｐ５とを接続状態とする。
これにより、電極２２，２３は、配向転移用駆動回路４
０から切り離されてオープン状態となる。このようなオ
ープン状態が期間Ｗ２維持され、このオープン状態期間
Ｗ２中、電極２２，２３間は充電保持状態となる。
【０２６８】オープン状態期間Ｗ２経過すると、スイッ
チ制御回路４３は、スイッチ回路４２ａにスイッチ切換
信号Ｓ３を出力し、共通接点Ｑ１と個別接点Ｐ１とを再
び接続状態とする。そして、このような配向転移用駆動
とオープン状態とを交互に繰り返し、電源投入時から一
定期間経過すると、電極全面が完全にベンド配向に転移
する。
【０２６９】そして、この一定期間経過時に、スイッチ
制御回路４３は、スイッチ回路４２ａにスイッチ切換信
号Ｓ３を出力すると共に、スイッチ回路３２ｂにスイッ
チ切換信号Ｓ２を出力し、共通接点Ｑ１と個別接点Ｐ２
とを接続状態とし、且つ共通接点Ｑ２と個別接点Ｐ４３
とを接続状態する。これにより、液晶表示用駆動回路３
１からの駆動信号電圧が電極２０，２１間に印加され、
希望する画像が表示されることになる。ここで、液晶表
示用駆動回路３１は、上記実施の形態１と同様に３０Ｈ
ｚの矩形波電圧２.７Ｖにしてベンド配向状態を維持し
てこれをオフ状態とし、３０Ｈｚの矩形波電圧７Ｖをオ
ン状態として、ＯＣＢパネルを表示する。
【０２７０】次いで、本発明者が、上記構成の液晶表示
装置を作製し、上記駆動方法で初期化処理の実験を行っ
たので、その結果を述べる。なお、実験条件は以下のと
おりである。
【０２７１】電極面積を２cm2とし、セルギャップを約
６μｍとし、バイアス電圧Ｂを２Ｖとし、交流矩形波電
圧Ｄの周波数及び振幅を周波数３０Ｈｚ、±４Ｖとし、
印加時間Ｔ２を２秒に固定した。
【０２７２】上記条件下において、オ−プン状態時間Ｗ
２を０秒、０．２秒、２秒、３秒と変化させ、電圧印加
状態とオ−プン状態とを交互に繰り返すしたときの転移
時間を測定したので、その結果を図８に示す。ここで、
転移時間とは、電極面積の全領域で配向の転移が完了す
るに要した時間を意味する。
【０２７３】図８より明らかなよう、オープン状態時間
Ｗ２が０秒すなわちバイアス電圧を重畳した交流電圧を
連続に印加した時，転移時間は８０秒要した．これに対
して，オープン状態時間Ｗ２を０.２秒として、上記バ
イアス重畳された交流電圧と交互に切り替え繰り返す
と，転移時間は４０秒と時間短縮した．しかし，オープ
ン状態時間Ｗ２を２秒とすると逆に転移時間は４２０秒
と長くなり，さらにＷ２を３秒とすると転移を完了する
ことは出来なかった。
【０２７４】また、印加時間Ｔ２を０.３秒，オープン
状態期間Ｗ２を０.３秒とした以外は上記実験例と同一
条件で転移時間を測定すると、転移時間は２８秒であっ
た。
【０２７５】ちなみに、Ｔ２を２秒に固定し、Ｗ２を
０．１秒以上、０．５秒以下に設定した場合、良好な結
果が得られた。
【０２７６】以上のようにバイアスされた交流電圧とオ
ープン状態とを切り替え繰り返えすことによって、スプ
レイ配向からベンド配向への状態遷移時間が極めて短く
なったのは、以下の理由によると考えられる。即ち、バ
イアス重畳された交流電圧印加で，液晶層の液晶分子配
向が揺さぶられて基板間で図２（ｄ）の如く片寄りが生
じて乱れ、次に短いオープン状態への切り替えで転移核
が発生し、転移時間が速くなったものと考えられる。
【０２７７】上記でバイアス重畳された交流電圧を印加
する工程の前か後に、更に他の電圧信号を加え、次にオ
ープン状態を入れてもその効果を得ることができる。
【０２７８】また，バイアス電圧や交流電圧の電圧値，
印加時間やオープン状態の維持時間などは要望される転
移時間により選択することができる。交流電圧の周波数
は液晶が動作する周波数であればよく、例えば１０ｋＨ
ｚなどの値でも良い。波形として矩形波を用いたが，デ
ューティ比の異なる交流波形を用いても良い。
【０２７９】（実施の形態３）図９は実施の形態３に係
る液晶表示装置の画素単位の構成概念図である。本実施
の形態３では、バイアス電圧を重畳した交流電圧を前記
基板間に印加する工程と、前記基板間に０電圧あるいは
低電圧を印加する工程とを交互に繰り返して、液晶層を
スプレイ配向からベンド配向に転移させることを特徴と
するものである。
【０２８０】本実施の形態３に係る液晶表示装置におい
て、上記実施の形態２に係る液晶表示装置と同一構成部
分には、同一の参照符号を付して説明は省略する。本実
施の形態３では、実施の形態２のスイッチ回路３２ｂ、
及びスイッチ制御回路４３に代えて、スイッチ回路４２
ｂ、及びスイッチ制御回路５３が用いられる。また、本
実施の形態３では、配向転移用駆動回路４０に加えて、
電極２２，２３間に低電圧を印加する配向転移用駆動回
路５０が設けられている。
【０２８１】前記スイッチ回路４２ｂは、個別接点Ｐ
３，Ｐ４に加えて個別接点Ｐ６を備えた３端子切換スイ
ッチ回路である。このスイッチ回路４２ｂのスイッチ切
り換えは、スイッチ制御回路５３により制御されてい
る。なお、スイッチ回路４２ｂの共通接点Ｑ２は、スイ
ッチ制御回路５３からのスイッチ切換信号Ｓ４により、
個別接点Ｐ３，Ｐ４，Ｐ６の何れかに接続した状態とな
る。
【０２８２】共通接点Ｑ１が個別接点Ｐ５に接続され、
且つ共通接点Ｑ２が個別接点Ｐ３に接続された状態で
は、配向転移用駆動回路４０からの駆動電圧が電極２
２，２３に印加されることになる。また、共通接点Ｑ１
が個別接点Ｐ５に接続され、且つ共通接点Ｑ２が個別接
点Ｐ６に接続された状態では、配向転移用駆動回路５０
からの駆動電圧が電極２２，２３に印加されることにな
る。更に、共通接点Ｑ１が個別接点Ｐ２に接続され且共
通接点Ｑ２が個別接点Ｐ４に接続された状態では、液晶
表示用駆動回路３１からの駆動電圧が電極２２，２３に
印加されることになる。
【０２８３】次いで、本実施の形態３に係る駆動方法に
ついて説明する。
【０２８４】先ず、本来の画像信号に基づく液晶表示駆
動に先立って、ベンド配向への転移のために、初期化処
理を行う。先ず、電源投入により、スイッチ制御回路５
３は、スイッチ回路４２ａにスイッチ切換信号Ｓ３を出
力すると共に、スイッチ回路４２ｂにスイッチ切換信号
Ｓ４を出力し、共通接点Ｑ１と個別接点Ｐ１とを接続状
態とし、且つ共通接点Ｑ２と個別接点Ｐ３とを接続状態
する。これにより、配向転移用駆動回路４０から図１０
に示す駆動電圧が電極２２，２３間に印加される。そし
て、一定期間Ｔ３経過すると、スイッチ制御回路５３
は、スイッチ回路４２ａにスイッチ切換信号Ｓ３を出力
すると共に、スイッチ回路４２ｂにスイッチ切換信号Ｓ
４を出力し、共通接点Ｑ１と個別接点Ｐ５とを接続状態
とし、且つ共通接点Ｑ２と個別接点Ｐ６とを接続状態す
る。これにより、配向転移用駆動回路５０から図１０に
示す低電圧が電極２２，２３間に印加される。このよう
な低電圧印加が、期間Ｗ３維持される。
【０２８５】次いで、低電圧印加期間Ｗ３経過すると、
スイッチ制御回路５３はスイッチ回路４２ａにスイッチ
切換信号Ｓ３を出力すると共にスイッチ回路４２ｂにス
イッチ切換信号Ｓ４を出力し、再び、共通接点Ｑ１と個
別接点Ｐ１とを接続状態とし且つ共通接点Ｑ２と個別接
点Ｐ３とを接続状態する。そして、このような交流電圧
印加工程と低電圧印加工程を交互に繰り返し、電源投入
時から一定期間経過すると、電極全面が完全にベンド配
向に転移する。
【０２８６】そして、この一定期間経過時に、スイッチ
制御回路５３は、スイッチ回路４２ａにスイッチ切換信
号Ｓ３を出力すると共に、スイッチ回路４２ｂにスイッ
チ切換信号Ｓ４を出力し、共通接点Ｑ１と個別接点Ｐ２
とを接続状態とし、且つ共通接点Ｑ２と個別接点Ｐ４３
とを接続状態する。これにより、液晶表示用駆動回路３
１からの駆動信号電圧が電極２０，２１間に印加され、
希望する画像が表示されることになる。ここで、液晶表
示用駆動回路３１は、上記実施の形態１と同様に３０Ｈ
ｚの矩形波電圧２.７Ｖにしてベンド配向状態を維持し
てこれをオフ状態とし、３０Ｈｚの矩形波電圧７Ｖをオ
ン状態として、ＯＣＢパネルを表示する。
【０２８７】次いで、本発明者が、上記構成の液晶表示
装置を作製し、上記駆動方法で初期化処理の実験を行っ
たので、その結果を述べる。なお、実験条件は以下のと
おりである。
【０２８８】電極面積を２cm2とし、セルギャップを約
６μｍとし、バイアス電圧Ｄを２Ｖとし、交流矩形波電
圧Ｃの周波数及び振幅を周波数３０Ｈｚ、±４Ｖとし、
印加時間Ｔ３を１秒に固定した。また、低電圧印加期間
Ｗ３中の印加電圧を−２Ｖの直流電圧した。
【０２８９】上記条件下において、低電圧印加期間Ｗ３
を変化させ、交流電圧印加状態と印加電圧印加状態とを
交互に繰り返すしたときの転移時間を測定したので、そ
の結果を図１１に示す。
【０２９０】図１１より明らかなよう、低電圧印加時間
が０秒すなわちバイアス電圧を重畳した交流電圧を連続
に印加した時，転移時間は約８０秒要した．これに対し
て，低電圧印加時間Ｗ３を０.１秒として上記バイアス
重畳された交流電圧と交互に切り替え繰り返すと，転移
時間は６０秒と時間短縮した．しかし，低電圧印加時間
Ｗ３を１秒とすると逆に転移時間は３６０秒と長くな
り，さらにＷ３を３秒とすると転移を完了することは出
来なかった。
【０２９１】また、バイアス電圧を２Ｖ重畳した交流電
圧±４Ｖと直流電圧０Ｖとの切り替え繰り返しでは最短
で５０秒内で転移が完了した。また、バイアス２Ｖ重畳
した交流電圧±４Ｖと交流低電圧±２Ｖとの切り替え繰
り返しでは最短で５０秒以内の転移時間が得られた。
【０２９２】ちなみに、Ｔ３を１秒に固定し、Ｗ２を
０．１秒以上、０．５秒以下に設定した場合、良好な結
果が得られた。
【０２９３】以上のようにバイアス重畳した交流電圧を
単に連続印加した場合よりも、バイアス重畳された交流
電圧印加と低電圧印加とを切り替え繰り返えすことによ
って、スプレイ配向からベンド配向への転移時間が短く
なる。これは，バイアス重畳された交流電圧印加で，液
晶層の液晶分子配向が揺さぶられて基板間で図２（ｄ）
の如く片寄りが生じて乱れ、次に短い低電圧印加状態へ
の切り替えで転移核が発生し、転移時間が速くなったも
のと考えられる。
【０２９４】また，バイアス電圧や交流電圧の電圧値，
印加時間や低電圧値、印加時間などは上記値でなく、要
望される転移時間により選択して変えることができる。
交流電圧の周波数は液晶が動作する周波数であればよ
く、例えば１０ｋＨｚなどの値でも良い。波形として矩
形波を用いたが，デューティ比の異なる交流波形を用い
ても良い。
【０２９５】また、上記例では、低電圧印加期間Ｗ３中
において−２Ｖの低電圧を印加するようにしたけれど
も、０Ｖを印加するようにしてもよい。
【０２９６】次いで、交流電圧印加期間Ｔ３と低電圧印
加期間Ｗ３の比、及び１秒間当たりの交流電圧印加と低
電圧印加の繰り返し回数について説明する。ここで、説
明の便宜上、低電圧印加期間Ｗ３での電圧を０Ｖとし、
交流電圧印加と０Ｖ印加の交互の繰り返しを、図１０の
破線Ｌで示すように１つの転移電圧と考える。かかる場
合に、転移時間の短くするためには、転移電圧Ｌの周波
数は、０．１Ｈｚから１００Ｈｚの範囲で、且つ転移電
圧Ｌのデューティ比は１：１から１０００：１の範囲に
設定する必要がある。更に、転移電圧Ｌの周波数は、
０．１Ｈｚから１０Ｈｚの範囲で、且つ転移電圧Ｌのデ
ューティ比は２：１から１０００：１の範囲にするの
が、望ましい。以下にその理由について詳述する。
【０２９７】繰り返し印加電圧のデューティ比が電圧印
加期間よりも電圧印加休止期間の方が大きくなるような
デューティ比の範囲（例えばデューティ比１：１から
１：１０等の範囲）では、パルス幅印加で転移核が発生
しても、その後のパルス間隔の電圧印加休止状態で緩和
されスプレイ配向へ戻り、転移が完了しないものと考え
られる。従って、電圧印加期間の方が電圧印加休止期間
よりも大きくなるようなデューティ比の範囲に設定する
必要がある。そして、転移領域が拡大するためには、デ
ューティ比はパルス幅がパルス間隔より広くなる１：１
から１０００：１の範囲、望ましくは２：１から１０
０：１がよい。１０００：１から直流連続では、パルス
繰り返し印加が殆ど無くなるため、転移核発生の機会が
減少していき転移が若干長くなるものと考えられる。
【０２９８】また、転移用電圧印加の上記繰り返し周波
数は、連続から１００Ｈｚ程度までよいが、望ましくは
転移拡大には１００ｍｓ程度以上のパルス幅が得られる
１０Ｈｚから、デューティ比１０００：１で１０ｍｓ程
度以上のパルス間隔が得られる０．１Ｈｚまでがよい。
【０２９９】なお、本発明者は、直流−１５Ｖと０Ｖの
交互の繰り返し条件で、繰り返し周波数及びデューティ
比を変化させて液晶セルに電圧印加した場合の転移時間
を測定したので、その結果を表１に示す。
【表１】
【０３００】表１より明らかなように、周波数が０．１
Ｈｚから１０Ｈｚの範囲で且つデューティ比が２：１か
ら１０００：１の範囲の場合に転移時間が極めて小さ
く、周波数が０．１Ｈｚから１００Ｈｚの範囲で且つデ
ューティ比が１：１から１０００：１の範囲の場合であ
っても、十分に小さい転移時間となっていることが認め
られる。
【０３０１】（実施の形態４）図１２は実施の形態４に
係る液晶表示装置の画素単位の構成概念図である。本実
施の形態４では、本発明をアクティブマトリックス型液
晶表示装置の駆動方法に適用した例が示されている。
【０３０２】先ず、図１２を参照して、本実施の形態４
に係る駆動方法に関連する液晶表示装置の構成を説明す
る。本実施の形態４に係る液晶表示装置は、駆動回路部
を除いた構成に関して、一般的なＯＣＢセルを備えたア
クティブマトリックス型液晶表示装置と同一の構成を有
している。即ち、一対のガラス基板６０，６１と、ガラ
ス基板６０，６１間に挟持された液晶層６６とを有す
る。ガラス基板６０，６１は、一定の間隔を隔てて対向
配置されている。ガラス基板６０の内側面には、ＩＴＯ
の透明電極からなる共通電極６２が形成され、、ガラス
基板６１の内側面には、画素スイッチング素子としての
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）７０と、ＴＦＴ７０に接続
したＩＴＯの透明電極からなる画素電極６３が形成され
ている。上記共通電極６２及び画素電極６３上には、ポ
リイミド膜からなる配向膜６４，６５が形成されてお
り、この配向膜６４，６５は配向方向が互いに平行方向
になるように配向処理されている。そして、配向膜６
４，６５間には、Ｐ型のネマティック液晶からなる液晶
層６６が挿入されている。また、配向膜６４，６５上の
液晶分子のプレチルト角は約５度に設定されており、ス
プレイ配向からベンド配向へ転移する臨界電圧は２.６
Ｖに設定されている。光学補償板６７のリターデーショ
ンはオン状態時に白あるいは黒表示となるように選択さ
れている。なお、図中、６８，６９は偏光板である。
【０３０３】また、図中、７１，７２は配向転移用駆動
回路であり、この配向転移用駆動回路７１は共通電極６
２に図１４に示す共通電極中心を基準として駆動電圧を
印加し、且つ画素電極６３に０Ｖを印加する働きをな
す。なお、他の構成として、配向転移用駆動回路７２
は、共通電極６２及び画素電極６３に０Ｖを印加する働
きをなす。また、７３は液晶表示用駆動回路であり、液
晶表示用駆動回路７３は図１３に示す電圧波形を有する
駆動電圧を共通電極６２及び画素電極６３に印加する働
きをなす。即ち、液晶表示用駆動回路７３は、図１３の
参照符号Ｍ１に示す電圧を画素電極６３に印加し、且つ
図１３の参照符号Ｍ２に示す電圧を共通電極６２に印加
する。なお、上記構成では、配向転移期間中において、
画素電極６３に０Ｖを印加するようにしたけれども、こ
れに代えて、配向転移期間中においても液晶表示用駆動
回路７３から画素電極電圧を印加するようにしてもよ
い。
【０３０４】また、７４ａ，７４ｂはスイッチ回路であ
り、７５はスイッチ回路７４ａ，７４ｂのスイッチング
態様の切換えを制御するスイッチ制御回路である。前記
スイッチ回路７４ａは、３つの個別接点Ｐ７，Ｐ８，Ｐ
９，と、１つの共通接点Ｑ１を備えており、前記スイッ
チ回路７４ｂは、３つの個別接点Ｐ１０，１１，１２
と、１つの共通接点Ｑ２を備えている。共通接点Ｑ１が
個別接点Ｐ７に接続され且つ共通接点Ｑ２が個別接点Ｐ
１０に接続された状態では、配向転移用駆動回路７１か
らの駆動電圧が電極６２，６３に印加されることにな
る。また、共通接点Ｑ１が個別接点Ｐ２に接続され且つ
共通接点Ｑ２が個別接点Ｐ４に接続された状態では、液
晶表示用駆動回路７３からの駆動電圧が電極６２，６３
に印加されることになる。
【０３０５】次いで、本実施の形態４に係る駆動方法に
ついて説明する。
【０３０６】先ず、本来の画像信号に基づく液晶表示駆
動に先立って、ベンド配向への転移のために、初期化処
理を行う。先ず、電源投入により、スイッチ制御回路７
５は、スイッチ回路７４ａにスイッチ切換信号を出力す
ると共に、スイッチ回路７４ｂにスイッチ切換信号を出
力し、共通接点Ｑ１と個別接点Ｐ７とを接続状態とし、
且つ共通接点Ｑ２と個別接点Ｐ１０とを接続状態する。
これにより、配向転移用駆動回路７１から図１４に示す
駆動電圧が共通電極６２に印加される。即ち、共通電極
６２には、共通電極中心を基準として、バイアス電圧−
ＧＶが重畳された、垂直同期信号に同期した交流電圧が
印加される。なお、画素電極には０Ｖが印加される。そ
して、この交流電圧の印加を 期間Ｔ４維持する。
【０３０７】次いで、交流電圧印加期間Ｔ４経過する
と、スイッチ制御回路７５は、スイッチ回路７４ａにス
イッチ切換信号を出力すると共に、スイッチ回路７４ｂ
にスイッチ切換信号を出力し、共通接点Ｑ１と個別接点
Ｐ９とを接続状態とし、且つ共通接点Ｑ２と個別接点Ｐ
１２とを接続状態する。これにより、配向転移用駆動回
路７２から、図１４に示すように共通電極６２及び画素
電極６３に０Ｖが印加される。そして、この０Ｖ電圧印
加を期間Ｗ４維持する。
【０３０８】次いで、０Ｖ電圧印加期間Ｗ４経過する
と、スイッチ制御回路７５はスイッチ回路７４２ａにス
イッチ切換信号を出力すると共にスイッチ回路７４ｂに
スイッチ切換信号を出力し、再び、共通接点Ｑ１と個別
接点Ｐ７とを接続状態とし且つ共通接点Ｑ２と個別接点
Ｐ１０とを接続状態する。そして、このような交流電圧
印加工程と０Ｖ電圧印加工程を交互に繰り返し、電源投
入時から一定期間経過すると、電極全面が完全にベンド
配向に転移する。
【０３０９】そして、この一定期間経過時に、スイッチ
制御回路７５は、スイッチ回路７４ａにスイッチ切換信
号を出力すると共に、スイッチ回路７４ｂにスイッチ切
換信号を出力し、共通接点Ｑ１と個別接点Ｐ８とを接続
状態とし、且つ共通接点Ｑ２と個別接点Ｐ１１とを接続
状態する。これにより、液晶表示用駆動回路７３からの
駆動信号電圧が電極６２，６３に印加され、希望する画
像が表示されることになる。ここで、液晶表示用駆動回
路７３は、両電極間にベンド配向状態を維持する駆動電
圧２.７Ｖを最低にしてこれをオフ状態とし、上限の電
圧を７Ｖにしてこれをオン状態として、ＯＣＢパネルを
表示する。
【０３１０】上記駆動方法によって、広視野で高速応答
のベンド配向型であるＯＣＢのアクティブマトリックス
型の液晶表示装置が配向欠陥が全くなく高品質駆動表示
できた。
【０３１１】次いで、本発明者が、上記構成の液晶表示
装置を作製し、上記駆動方法で初期化処理の実験を行っ
たので、その結果を述べる。なお、実験条件は以下のと
おりである。
【０３１２】セルギャップを約６μｍとし、バイアス電
圧Ｇを−６Ｖとし、交流矩形波電圧の周波数及び振幅を
７．９２ｋＨｚ、±１０Ｖとし、印加時間Ｔ３を０．５
秒とした。また、０Ｖ電圧印加期間Ｗ４を０．５秒とし
た。
【０３１３】上記実験結果によれば、上記液晶表示装置
のパネル全画素内の配向転移がほぼ２秒以内で完了する
ことができた。
【０３１４】なお、バイアス電圧を重畳しないときに
は，表示面全体の配向状態を転移させるのに約２０秒必
要であった。よって、本実施の形態４においても、バイ
アス電圧を重畳して駆動するのが、転移時間の短縮化を
達成できることが認められる。
【０３１５】（実施の形態５）ＯＣＢモードのアクティ
ブマトリックス型液晶表示装置の配向転移に関する駆動
方法としては、上記の図１４に示す駆動電圧波形に代え
て、図１５の駆動電圧波形を用いて駆動するようにして
もよい。即ち、交流電圧印加期間Ｔ４においては、共通
電極６２に共通電極中心を基準として、直流電圧−１５
Ｖを０．５秒間印加する。次いで、０Ｖ電圧印加期間Ｗ
４においては、０Ｖを０．２秒間印加する。そして、直
流電圧−１５Ｖ印加と０Ｖ電圧印加を交互に繰り返す。
このよう駆動方法においても、転移を確実に且つ極めて
短時間に完了することができる。
【０３１６】なお、本発明者が上記駆動方法を用いて実
験したところ、２秒以内の転移時間が得られた。
【０３１７】（実施の形態６）本実施の形態６は、上記
実施の形態４，５に用いたアクティブマトリックス型の
液晶表示装置に代えて、スイッチング素子の上に平坦化
膜を配置し、その上に画素電極を構成するいわゆる平坦
化膜構成の液晶表示装置に上記に実施の形態４，５の駆
動方法を適用したことを特徴とするものである。駆動方
法を具体的に説明すると、上記実施の形態４におけるバ
イアス重畳した配向転移用電圧を０．５秒印加し、次い
で、オープン状態を０．５秒とし、これを交互に繰り返
した。この駆動方法によると、転移時間は１秒以内で更
に転移がスムーズに行えた。これは、平坦化膜構成によ
り、画素電極間隔を小さくでき、この結果、スプレイ配
向からベンド配向へスムーズに転移したものと考えられ
る。
【０３１８】（その他の事項） 上記実施の形態では、バイアス電圧を重畳した交流電
圧を印加するようにしたけれども、直流電圧を印加する
ようにしてもよく、このようにすれば、片極性電圧でよ
いため、駆動回路が簡略化できる。
【０３１９】上記実施の形態では、バイアス電圧を重
畳された交流電圧信号はバイアス電圧を直流として説明
したが、信頼性向上のために、低周波の交流信号でもよ
い。
【０３２０】繰返し電圧の周波数及びデューティ比の
最適範囲は、実施の形態３以外の他の実施の形態にも適
用できる。
【０３２１】上記実施の形態では、発明の液晶表示装
置の駆動法は透過型液晶表示装置で説明したが、反射型
の液晶表示装置でもよい。また、これらはカラーフィル
ターを使用したフルカラー型の液晶表示装置や，カラフ
ィルターレスの液晶表示装置でもよい。
【０３２２】（実施の形態７） 図１６は本発明の実施
の形態７に係る液晶表示装置の概略断面図、図１７は同
じく概略平面図を示す。 図１６に示す液晶表示装置
は、偏光板１０１・１０２と、該偏光板１０１の内側に
配置された光学補償用の位相補償板１０３と、前記偏光
板１０１・１０２の間に配置されたアクティブマトリッ
クス型の液晶セル１０４とを有する。 前記液晶セル１
０４は、ガラス等からなるアレー基板１０６と、該アレ
ー基板１０６に対向する対向基板１０５とを有し、前記
アレー基板１０６の内面上には透明電極である画素電極
１０８が形成され、前記対向基板１０５の内面上には共
通電極１０７が形成されている。さらに、該画素電極１
０８上に配向膜１１０が形成され、共通電極１０７上に
は配向膜１０９が形成されている。
【０３２３】また、前記アレー基板１０６上には、例え
ばａ−Ｓｉ系のＴＦＴ素子などからなるスイッチング素
子１１１が配置され、該スイッチング素子１１１は前記
画素電極１０８に接続されている。
【０３２４】また、前記配向膜１０９・１１０の間に
は、図示せぬ直径５ミクロンのスペ−サ、および正の誘
電率異方性のネマティック液晶材料からなる液晶層１１
２が配置されている。また、前記配向膜１０９・１１０
はその表面上の液晶分子のプレチルト角が正負逆の値を
持ち、互いにほぼ平行方向になるよう同一方向に平行配
向処理されている。従って、前記液晶層１１２は、無電
圧印加状態では液晶分子が斜めに広がった配向領域から
なるいわゆるスプレイ配向を形成している。
【０３２５】また、前記配向膜１１０は、大きい値のプ
レチルト角Ｂ２（第３のプレチルト角）の配向膜１１０
ａと、小さい値のプレチルト角Ａ２（第１のプレチルト
角）の配向膜１１０ｂよりなる。また、前記配向膜１０
９は、小さい値のプレチルト角Ｄ２（第４のプレチルト
角）の配向膜１０９ａと、大きい値のプレチルト角Ｃ２
（第２のプレチルト角）の配向膜１０９ｂよりなり、プ
レチルト角Ａ２に対向してプレチルト角Ｃ２が配置さ
れ、プレチルト角Ｂ２に対向してプレチルト角Ｄ２が配
置されている。
【０３２６】また、前記配向膜１０９・１１０は、ラビ
ングクロスで信号電極線１１３とほぼ直角方向に、上下
基板同一方向（図１６中の左側から右側に）に平行配向
処理されている。
【０３２７】また、図示せぬが、液晶表示装置には、液
晶表示用駆動回路以外に、第１の電圧印加手段と第２の
電圧印加手段とよりなる配向転移用駆動回路が設けられ
ている。そして、前記第１の電圧印加手段により画素電
極１０８と共通電極１０７の間に第１の電圧を印加し
て、第１の液晶セル領域と前記第２の液晶セル領域との
境界付近においてディスクリネーション線を形成し、第
２の電圧印加手段により画素電極１０８と対向電極１０
７の間に前記第１の電圧よりも高い第２に電圧を印加し
て、ディスクリネーション線において転移核を発生さ
せ、スプレイ配向からベンド配向へ転移させようにして
いる。
【０３２８】次に、この液晶表示装置の製造方法につい
て説明する。
【０３２９】まず、アレー基板１０６の内面上に信号走
査線１１３、スイッチング素子１１１および画素電極１
０８を形成した。
【０３３０】次に、前記画素電極１０８上に、日産化学
工業（株）社製のポリアミック酸タイプの約５度の大き
い値を持つ第３のプレチルト角としてのプレチルト角Ｂ
２のポリイミド配向膜材料を塗布し、乾燥後焼成し、画
素電極１０８上に配向膜１１０ａを形成した。
【０３３１】次に、前記配向膜１１０ａの紙面上左側片
側領域に紫外線を照射して、第１のプレチルト角として
のプレチルト角Ａ２の約２度の小さい値に変化させ、配
向膜１１０ｂを形成した。
【０３３２】対向基板１０５の内面上には、共通電極１
０７を形成した。
【０３３３】次に、前記共通電極１０７上には、日産化
学工業（株）社製のポリアミック酸タイプの約５度の大
きい値の第２のプレチルト角としてのプレチルト角Ｃ２
を界面液晶分子に付与するポリイミド配向膜材料を塗布
し、乾燥後焼成し、共通電極１０７上に配向膜１０９ｂ
を形成した。
【０３３４】次に、前記配向膜１０９ｂの紙面上右側片
側領域（プレチルト角の大きい値を持つプレチルト角Ｂ
２に対向する領域）に、紫外線を照射して第４のプレチ
ルト角としてのプレチルト角Ｄ２の約２度の小さい値に
変化させ、配向膜１０９ａを形成した。
【０３３５】以上のようにして、図１６の如く小さい値
のプレチルト角Ａ２（第１のプレチルト角）に対向して
大きい値のプレチルト角Ｃ２（第２のプレチルト角）を
配置させ、大きい値のプレチルト角Ｂ２（第３のプレチ
ルト角）に対向して小さい値のプレチルト角Ｄ２（第４
のプレチルト角）を配置させることができた。
【０３３６】また、以下のようにしてプレチルト角を制
御することも可能である。
【０３３７】即ち、図１８（ａ）に示すように、アレー
基板１０６上にａ−Ｓｉ系のＴＦＴ素子などからなるア
クティブマトリックス型のスイッチング素子（図示せ
ぬ）と、それに接続して画素電極１０８を形成した。
【０３３８】次に、図１８（ｂ）に示すように、前記画
素電極１０８の左側領域にオゾン雰囲気下で紫外線を照
射して、画素電極１０８の右側領域に比較して平坦化
し、平坦化領域１０８ａを形成した。
【０３３９】次に、図１８（ｃ）に示すように、前記画
素電極１０８上にＪＳＲ社製のプレイミド型のポリイミ
ド配向材料を塗布乾燥あるいは焼成して、配向膜１１０
を形成した。
【０３４０】このように形成した場合、画素電極１０８
の平坦化領域１０８ａ上に位置する液晶分子１４０のプ
レチルト角は、未平坦化領域１０８ｂ上に位置する液晶
分子１４０のプレチルト角よりも小さい値とすることが
できる。さらに、共通電極についても同様の処理を行う
ことによって、図１６と同様に、第１の液晶セル領域
と、第２の液晶セル領域と、を同一画素内に有する液晶
表示装置とすることができる。
【０３４１】次に、図１６に示すように、前記のように
形成した互いに大小のプレチルト角を付与する配向膜１
０９および配向膜１１０の表面をラビングクロスで信号
電極線１１３に対して直角方向に上下基板同一方向（図
１６中の左側から右側）に平行配向処理し、正のネマテ
ィック液晶材料からなる液晶層１１２を配置した。
【０３４２】このようにして作成された液晶表示装置に
おいて、前記画素電極１０８の配向元（ラビングの処理
方向の上流側）には小さいプレチルト角Ａ２が、その対
向する側には大きい値のプレチルト角Ｃ２が配置され、
図１６の画素の（イ）領域（第１の液晶セル領域）に
は、共通電極１０７と画素電極１０８の間に第１の電圧
として２．５Ｖを印加すると、液晶分子をアレー基板１
０６側にスプレイ配向させたｂ−スプレイ配向１２０
が、画素の（ロ）領域（第２の液晶セル領域）には液晶
分子を対向基板１０５側にスプレイ配向させたｔ−スプ
レイ配向１２１が形成されやすくなる。
【０３４３】即ち、図１６、図１７に示すように、前記
液晶セル１０４のスイッチング素子１１１を通して共通
電極１０７と画素電極１０８間に第１の電圧としての
２．５Ｖを印加すると、画素内にｂ−スプレイ配向領域
（第１の液晶セル領域）とｔ−スプレイ配向領域（第２
の液晶セル領域）が形成され、その境界にディスクリネ
ーション線１２３が信号電極線１１３に沿って、かつゲ
ート電極線１１４・１１４’に渡って明瞭に形成された
（ディスクリネーション線形成工程）。
【０３４４】さらに、前記共通電極１０７と前記画素電
極１０８との間に、第２の電圧として電圧−１５Ｖパル
スを繰り返し印加することにより、図１７に示すように
ディスクリネーション線１２３から転移核が発生してベ
ンド配向１２４へ転移拡大し、ＴＦＴパネル画素全体は
約３秒で速かに転移した（配向転移工程）。
【０３４５】これは、ｂ−スプレイ配向状態とｔ−スプ
レイ配向領域の境界であるディスクネーション線領域は
周囲より歪みのエネルギーが高くなっており、この状態
に、上下電極間に高電圧が印加されることによって更に
エネルギーが与えられスプレイ配向がベンド配向に転移
したものと考えられる。
【０３４６】（実施の形態８）図１９は本発明の実施の
形態８に係る液晶表示装置の概略図を示す。
【０３４７】通常表示時には、ゲート電極線は線順次に
オンされ走査されるが、通常の表示の前に、ゲート電極
線を順次オンし、前記共通電極１０７と前記画素電極１
０８との間に第２の電圧として電圧−１５Ｖパルスを繰
り返し印加することにより、画素電極１０８とゲート電
極線１１４、１１４’の間で電位差に起因する横電界が
発生する。そして、前記横電界により、図１９の如くデ
ィスクリネーション線１２３とゲート電極線１１４、１
１４’付近から転移核が発生してベンド配向へ転移拡大
し、ＴＦＴパネル画素全体は約１秒で更に速かにベンド
配向へ拡大転移した（配向転移工程）。
【０３４８】これは、ｂ−スプレイ配向状態とｔ−スプ
レイ配向領域の境界であるディスクリネーション線領域
が周囲より歪みのエネルギーが高くなっており、この状
態に、横に配置されているゲート電極線からも前記ディ
スクリネーション線に横電界が印加されることによって
更にエネルギーが与えられ、速く転移したものと考えら
れる。なお、転移が完了した後、ゲート電極線１１４・
１１４’は通常の走査状態にもどる。
【０３４９】なお、前記画素電極と共通電極の間に印加
する第２の電圧は連続的に印加されてもよい。また、パ
ルス状の電圧が繰り返し印加する場合は、その周波数が
０．１Ｈｚから１００Ｈｚの範囲であり、且つ第２の電
圧のデューティー比は少なくとも１：１から１０００：
１の範囲で転移を速める効果が得られる。
【０３５０】（その他の事項）実施の形態７、８では、
共通電極の配向先領域のプレチルト角Ｄ２を小さい値と
したが、大きい値でも良い。また、画素電極の配向先領
域のプレチルト角Ｂ２を大きい値としたが、横電界の影
響でｔ−スプレイ配向となるため小さい値でも効果は得
られる。
【０３５１】また、一方の基板側のプレチルト角Ａ２の
２度に対して対向のプレチルト角Ｃ２を５度としている
が、その比が大きければ転移時間短縮の効果があり更に
転移時間を速くすることができる。
【０３５２】また、前記では、小さい方のプレチルト角
Ａ２の値を２度としたが、ｂ−スプレイ配向させベンド
配向へ容易に転移させるために、小さい値のプレチルト
角Ａ２、Ｄ２の値として３度以下であれば良く、大きい
値のプレチルト角Ｂ２、Ｃ２は４度以上であれば良い。
【０３５３】また、配向処理方向を信号電極線１１３に
対して直角方向に上下基板同一方向に平行配向処理した
が、ゲート電極線１１４に対して直角方向（即ち、図１
６のおける紙面に対して垂直方向）に上下基板同一方向
に平行配向処理しても良い。その際、ディスクリネーシ
ョン線の形成場所が異なる。
【０３５４】また、前記平行に配向処理される方向が、
該画素電極に沿う電極線の直角方向から例えば約２度ず
れて配向処理すると、画素内に形成されたディスクリネ
ーション線に電極から横電界が斜めに印加されるため、
スプレイ配向した液晶分子にねじれる力が加わりベンド
配向へ転移しやすくなり、転移が確実に速い液晶表示装
置となる。
【０３５５】なお、第１の電圧としては、ディスクリネ
ーション線を形成することが可能な電圧以上であれば良
い。また、画素電極と共通電極の間に第２の電圧を印加
するとしたが、共通電極に印加してもよい。
【０３５６】また、前記配向膜材料としてポリイミド材
料を使用したが、単分子膜材料などの他の材料でもよ
い。
【０３５７】他の液晶表示装置においては、例えば、基
板はプラスチック基板から形成することもできる。ま
た、基板の一方を反射性基板から形成し、例えば、シリ
コンで形成してもよい。
【０３５８】（実施の形態９）本実施の形態は、信号電
極線と画素電極、およびゲート電極線と画素電極に、そ
れぞれ嵌合する形状の凹凸を形成したものである。
【０３５９】図２０、図２１に、本実施の形態の液晶表
示装置の要部を概念的に示す。
【０３６０】本図は、アクティブマトリックス型のＯＣ
Ｂモードの液晶表示装置の画素を表示面上方（使用者
側）から見たものである。
【０３６１】図２０において、２０６は信号電極線（バ
スライン）であり、２０７はゲート電極線であり、２０
８はスイッチングトランジスタ（素子）である。
【０３６２】なお、図では信号電極線２０６とゲート電
極線２０７は交差しているが、両方の電極線は絶縁膜
（図示せぬ）を介して立体配置されているのは勿論であ
る。
【０３６３】また、ＴＦＴからなるスイッチングトラン
ジスタ２０８は、図では略正方形状の画素電極２０２ａ
に接続されている。そして、信号電極線２０６、ゲート
電極線２０７、スイッチングトランジスタ２０８、画素
電極２０２ａの機能、動作、作用はＯＢＣモードのみな
らず従来の液晶表示装置と何等異ならない。
【０３６４】また、最初に液晶分子２１１をスプレイ配
向させるため、上下の配向膜２０３ａ・２０３ｂにラビ
ングクロス等を使用しての配向処理がなされているのも
同じである。
【０３６５】更に、偏光板２０４ａ・２０４ｂ等の作用
と共に、画素内のスプレイ配向状態から、液晶分子を対
向基板間でベンド配向状態としたベンド配向領域に画素
内の液晶分子全体を転移させる作用によって明暗の表示
がなされるのも同じである。
【０３６６】しかしながら、図２０（ａ）に示すよう
に、略正方形状の画素電極２０２ａの各辺の略中央部
に、凹部２２１ａおよび凸部２２２ａが形成されてい
る。一方、これに近接して配線されている信号電極線２
０６及びゲート電極線２０７は、前記凹部２２１ａおよ
び凸部２２２ａに嵌合するように凸部２６１・２７１と
凹部２６２・２７２に変形した配線とされている。この
ため、画素電極２０２ａの上下、左右位置（図２０
（ａ）における紙面上）に、変形した転移励起用の横電
界印加部を形成することとなるのが、従来の液晶表示装
置と相違する。
【０３６７】次に、この液晶表示装置の製造方法につい
て説明する。
【０３６８】横電界印加部を含めた画素電極２０２ａ面
上と共通電極２０２ｂ面上に、日産化学工業（株）社製
のポリアミック酸タイプの約５度の大きさのプレチルト
角のポリイミド配向膜材料を塗布乾燥焼成して、それぞ
れの電極面の液晶層２１０側に配向膜２０３ａ・２０３
ｂを形成した。
【０３６９】次に、前記配向膜２０３ａ・２０３ｂの表
面を、共にラビングクロスで図２０（ａ）に示すように
信号電極線２０６とほぼ直交する方向に配向処理した。
【０３７０】以上のもとで、上下の基板間に正のネマテ
ィック液晶材料を真空注入して液晶層２１０を形成し
た。
【０３７１】このため、図示せぬが、上下の配向膜２０
３ａ・２０３ｂの表面では、液晶分子２１１が、そのプ
レチルト角が正負逆の値を持ち、しかも分子の直軸方向
は互いにほぼ平行になるよう配向し、液晶層２１０はい
わゆる無電圧印加状態で液晶分子が斜めに広がったいわ
ゆるスプレイ配向となる。
【０３７２】次に、液晶表示装置の表示のための動作に
ついて説明する。
【０３７３】以上のもとで、共通電極２０２ｂと画素電
極２０２ａ間に−１５Ｖという液晶分野では比較的電圧
の高いパルス状の電圧を繰り返し印加すると共に、ゲー
ト電極線２０７を通常の走査状態か、あるいは殆ど全て
オンさせた状態にする。これにより、横電界印加部によ
って、ゲート電極線２０７、信号電極線２０６と画素電
極２０２ａ間に周囲の通常の横電界より強い横電界が印
加される。その結果、画素領域内のスプレイ配向領域に
おいて、信号電極線２０６とほぼ直交する方向にラビン
グした場合、主にゲート電極線２０７と画素電極２０２
ａ間の横電界印加部を基点とした液晶層２９９にベンド
配向への転移核が発生する。また、図２１に示すよう
に、ゲート電極線２０７と直交する方向にラビングした
場合、主に信号電極線２０６と画素電極２０２ａ間の横
電界印加部を基点とした液晶層２９８にベンド配向への
転移核が発生する。
【０３７４】更に、この転移核をもとにベンド配向領域
が拡大し、その結果画素領域全体を約０．５秒でベンド
配向へ完了させることができた。
【０３７５】なお、ＴＦＴパネル全体では、約２秒で速
かに転移した。
【０３７６】この機構であるが、上下電極間に高電圧が
印加されて、図２０（ｂ）に示すように、液晶層２１０
がｂ―スプレイ配向状態となり、周囲より歪みのエネル
ギーが高くなり、この液晶分子配向状態方向に横電界印
加部からほぼ直角（図２０（ｂ）面垂直方向）に横電界
が印加されるため、図２０（ｂ）のｂ―スプレイ配向に
おける下基板側の液晶分子がねじれる力を受け、転移核
の発生が起きるものと考えられる。
【０３７７】以上の説明では、横電界印加部は、凹凹に
変形した画素電極部と両方の信号電極線の凹凸部は、相
互に嵌合するように形成されるものとしたが、図２２に
示すように、画素電極２０２ａのみ、信号電極線２０６
のみ、ゲート電極線２０７のみに形成されてもよいのは
勿論である。
【０３７８】即ち、本図においては、信号電極線２０６
の凸部２６３、ゲート電極線２０７の凸部２７３、画素
電極２０２ａの凸部２２３ａ・２２４ａはいずれか一方
のみにあり、嵌合型となっていないのが図２０に示すも
のと相違する。
【０３７９】また、凹凸部の平面形状は、図２０乃至図
２２に示す三角形状、四角形状以外の形状、例えば台形
形状、半円形状、円形状、楕円形状等であってもよいの
は勿論である。
【０３８０】更に、図２０乃至図２２では、横電界印加
部は１画素の上下左右に合計４カ所設けているが、画素
の大きさ等によっては上下の２個のみ、あるいは１個だ
け設けても良く、更にまた電極縁にそって凹凸が連続的
に形成されていてもよいのは勿論である。また、これま
で、ラビング方向を信号電極線あるいはゲート電極線の
ほぼ直交するとしたが、ラビング方向を斜め方向にして
も良い。この場合、信号およびゲート電極線と画素電極
間の横電界印加部の液晶層からベンド配向へ転移が発生
する。また、少なくとも、ラビング方向とほぼ直交する
方向に横電界を印加できる横電界印加部を画素単位に少
なくとも１個配置することが望ましい。
【０３８１】また、図２０乃至図２２は平面図であるた
め、両電極線（信号電極線２０６およびゲート電極線２
０７）と画素電極２０２ａは同一平面にあるように見え
るが、これは少なくとも一方の電極線が画素電極とアレ
ー基板上異なる高さに配置されていても良い。
【０３８２】このように、画素電極の周辺の一部を基板
面に平行な面内で凹凸に変形した電極変形部からなる横
電界印加部は、平面視では０．５〜１０μｍ程度離れ
て、該横電界印加部の側方に存在する信号電極線若しく
はゲート電極線の凸部や０．５〜１０μｍ程度凹んだ凹
部の存在により、横電界を発生させる。
【０３８３】（実施の形態１０）本実施の形態は、横電
界印加用の電極線を設けるものである。
【０３８４】以下、図２３を参照しつつ本実施の形態を
説明する。
【０３８５】本図の（ａ）は、基板上面より見た平面図
である。（ｂ）は、液晶表示装置のゲート電極線２０７
に平行な面での断面図である。
【０３８６】本図の（ａ）と（ｂ）において、２０９
は、アレー基板２０１ａ上の信号電極線２０６のほぼ直
下部分に横電界印加専用に布設された電線である。２１
２は、前記横電界印加用線２０９と信号電極線２０６、
ゲート電極線２０７等を絶縁するための透明絶縁膜であ
る。従って、この画素を上部（表示面に直交する使用者
側方向）から見た場合には、図２３（ａ）に示すごと
く、画素の左右中央部にて横電界印加用線２０９の平面
視三角形状の凸部２９１が信号電極線２０６の側方に突
出している。なお、前記信号電極線２０６および画素電
極２０２ａは従来技術のものと何等かわりがない。
【０３８７】前記横電界印加用線２０９は、前記信号電
極線２０６若しくはゲート電極線２０７が接続された駆
動回路に接続され、さらに、前記横電界印加用線２０９
は、配向転移後の通常の液晶表示時には、駆動回路と遮
断されるよう構成されている。
【０３８８】また、前記横電界印加用線２０９を、信号
電極線２０６に対する上部の信号電極線とし、透明絶縁
膜を介して画素電極に近接して設け、横電界印加の効果
を増し、併せて透明絶縁膜中の図示していないコンタク
トホールで電気的に接続されていてもよい。この場合、
信号電極線が２本となるため冗長度が増し電気抵抗が低
下するという効果もある。
【０３８９】即ち、図２３（ｃ）に示すように、横電界
印加用線２０９ａは、信号電極線２０６の直上に透明絶
縁膜２１３を介して設けられている。なお、画素中央部
への平面視三角形状の凸部２９１ａがあるのは同じであ
る。
【０３９０】また、図２３（ｄ）は、本実施の形態の他
の例である。図に示すように、横電界印加用線２０９ｂ
が平坦化透明絶縁膜２１２ｂによって被覆され、さら
に、専用線２０９ｂの下に信号電極線２０６が平坦化透
明絶縁膜２１２ｃによって被覆され、画素電極２０２ａ
が前記平坦化透明絶縁膜２１２ｂの上に設けられてい
る。なお、画素中央部への三角形状の凸部２９１ｂがあ
るのは同じである。
【０３９１】また、図ではこの横電界印加用の専用線の
凸部を三角形状としているが、これは画素電極に対向す
る部分全てに連続的に凸部を設けたり、更には上方へ突
出した凸部を有する等、立体的な構造を有していてもよ
いのは勿論である。
【０３９２】また、横電界印加用の専用線は信号電極線
でなく、ゲート電極線の直下、直上に設けても良い。更
には、両電極線の直下等に設けても良い。
【０３９３】（実施の形態１１）本実施の形態は、画素
電極内に少なくとも１カ所の切欠きを設けて欠陥部を形
成するものである。
【０３９４】図２４に、本実施の形態の液晶表示装置の
画素単位の平面と特徴を概念的に示す。本図に示すよう
に、ＩＴＯ膜からなる画素電極２０２ａは、例えば数μ
ｍ幅でエッチングにより除去されて平面視クランク形状
の電極欠陥部２２５が形成されている。
【０３９５】なお、この電極欠陥部２２５を含めた画素
電極２０２ａ面上および図示せぬ共通電極面上には、日
産化学工業（株）社製のポリアミック酸タイプの約５度
の大きさのプレチルト角のポリイミド配向膜材料を塗布
乾燥焼成して、それぞれ配向膜（図示せず）を形成し、
更にそれらの表面をラビングクロスでゲート電極線２０
７と直交する方向に配向処理がなされ、このため液晶分
子のプレチルト角が正負逆の値を持ち、互いにほぼ平行
方向になるよう同一方向に平行配向されているのは、第
９および第１０の実施の形態と同じである。
【０３９６】従って、液晶層はいわゆる無電圧印加状態
で液晶分子が斜めに広がった配向領域からなるいわゆる
スプレイ配向の液晶セルを形成しているのも同じであ
る。
【０３９７】しかしながら、表示前の画素の共通電極と
画素電極間に１５Ｖ、あるいは共通電極に−１５Ｖの電
圧のパルスを繰り返し印加すると共に、ゲート電極を通
常の走査状態か、あるいは殆ど全てオンさせた状態にす
ると、画素単位には電極欠陥部２２５が存在するため、
図２４（ｂ）に示すように、該電極欠陥部２２５の縁で
強い歪みの斜め横電界２８０が発生する。
【０３９８】このため、画素領域内のスプレイ配向は、
この電極欠陥部２２５の液晶層２９９にベンド配向への
転移核が発生し、更にこのベンド配向領域が拡大して画
素領域全体を約０．５秒でベンド配向へ完了させる。ま
た、ＴＦＴパネル全体では、約２秒で速かに転移する。
【０３９９】これは、電極欠陥部２２５からなる横電界
印加部で強い横電界を受け、この付近の液晶分子は基板
面に水平状態に配向され、いわゆるｂ−スプレイ配向状
態となり、周囲より歪みのエネルギーが高くなってお
り、この状態のもとで上下電極間に高電圧が印加される
ため更にエネルギーが与えられ、その結果、電極欠陥部
２２５において転移核が発生し、ベンド配向領域が拡大
するものと考えられる。
【０４００】なお、図２４では、平面視クランク形状の
電極欠陥部２２５を１本形成しているが、２本以上とし
ても良いのは勿論である。
【０４０１】また、その形状は直線、角型や円形、楕
円、更には三角形状等であっても良いのは勿論である。
【０４０２】更に、電極欠陥部２２５は、共通電極側に
形成しても良い。
【０４０３】更にまた、画素電極および共通電極の両方
に形成しても良いのも勿論である。
【０４０４】（実施の形態１２）本実施の形態は、横電
界を発生させると共に、これに併せてあらかじめ画素平
面内にチルト角の相違する領域を形成しておくものであ
る。
【０４０５】図２５に、本実施の形態の液晶表示装置の
画素単位の構成と特徴を概念的に示す。本図の（ａ）
は、ゲート電極線に平行な方向の画素の断面図であり、
同一画素であるが、左側の（イ）と右側の（ロ）とで、
チルト角が相違している様子を示す。
【０４０６】図２５（ｂ）は、上（使用者側）方向より
見た画素の平面図であり、画素電極２０２ａの上下左右
に凹凸部２２１ａ・２２２ａが設けられ、更に信号電極
線２０６およびゲート電極線２０７の対応する位置に前
記凹凸部２２１ａ・２２２ａに相嵌合するように凹凸部
２６１・２６２・２７１・２７２が設けられており、前
述した実施の形態７と同様に、第１の電圧である２．５
Ｖを印加して、図２５（ａ）の（イ）と（ロ）の境界に
ディスクリネーション線２２６が形成されている。
【０４０７】以下、本実施の形態の液晶表示装置の製造
方法について説明する。
【０４０８】アクティブマトリックス型の液晶セルの対
向する基板内面上にはそれぞれ配向膜２０３ａｍ・２０
３ｂｍが形成され、この配向膜２０３ａｍ・２０３ｂｍ
は、液晶層２１０が無電圧印加状態でスプレイ配向を形
成する処理がされていること、画素電極２０２ａやこれ
に近接して配線されているゲート電極線２０７等に転移
励起用の横電界印加部を形成すること等は、先の第１の
実施の形態と同じである。
【０４０９】しかしながら、配向膜の処理が異なる。即
ち、図２５（ａ）において、横電界印加部を含めた画素
電極２０２ａ面上に、日産化学工業（株）社製のポリア
ミック酸タイプの約５度の大きい値を持つプレチルト角
Ｂ２のポリイミド配向膜材料を塗布乾燥焼成し、配向膜
２０３ａｍを形成する。
【０４１０】次に、この配向膜２０３ａｍの左側片側領
域２０３ａｈのみ、即ち、（イ）に示す方のみに紫外線
を照射してプレチルト角Ｅ２が約２度の小さい値の配向
膜に変化させる。
【０４１１】これに対して、対向基板２０１ｂ上には日
産化学工業（株）社製のポリアミック酸タイプの約５度
の大きい値のプレチルト角Ｆ２を界面液晶分子に付与す
るポリイミド配向膜材料を塗布乾燥焼成し、共通電極２
０２ｂ上に配向膜２０３ｂｈを形成する。
【０４１２】次に、前記配向膜２０３ｂｈの右側片側領
域２０３ｂｍのみ、即ち、（ロ）に示す方のみに紫外線
を照射してプレチルト角Ｄ２の約２度の小さい値の配向
膜に変化させる。
【０４１３】このようにして、図２５（ａ）の（イ）に
示す如くアレー基板２０１ａ側左半分の配向膜２０３ａ
ｈの小さい値のプレチルト角Ｅ２に対向して対向基板２
０１ｂ側左半分の配向膜２０３ｂｈの大きい値のプレチ
ルト角Ｆ２を配置させ、（ロ）に示すごとくアレー基板
側２０１ａ右半分の配向膜２０３ａｍの大きい値のプレ
チルト角Ｂ２に対向して対向基板２０１ｂ側右半分の配
向膜２０３ｂｍの小さい値のプレチルト角Ｄ２を配置さ
せる。
【０４１４】更に、このようにして形成した互いに大小
のプレチルト角を付与する配向膜の表面をラビングクロ
スで図２５（ｂ）に示すように信号電極６とほぼ直交す
る方向に上下基板同一方向に平行配向処理した。その
後、正のネマティック液晶材料を充填して、これからな
る液晶層２１０を配置した。
【０４１５】以上の下で、画素電極２０２ａの配向元
（ラビングの根本方向）には小さいプレチルト角Ｅ２
が、該プレチルト角Ｅ２に対向する側には大きい値のプ
レチルト角Ｆ２が配置され、図２５（ａ）の画素の
（イ）で示す領域には液晶分子を下基板側にスプレイ配
向させたｂ−スプレイ配向２２７ｂが、画素の（ロ）で
示す領域には液晶分子を上基板側にスプレイ配向させた
ｔ−スプレイ配向２２７ｔが形成されやすくなる。
【０４１６】次に、液晶セルのスイッチングトランジス
タ２０８を通して対向する電極間に転移臨界電圧付近の
２．５Ｖを印加すると、上述の理由で同一の画素内にｂ
−スプレイ配向領域とｔ−スプレイ配向領域が形成さ
れ、その境界にディスクリネーション線２２６が信号電
極線２０６に沿って、かつゲート電極線２０７に渡って
明瞭に形成された。
【０４１７】この画素の共通電極と画素電極間に−１５
Ｖのパルスを繰り返し印加した。そうすると、図２５
（ｂ）に示すように、ディスクリネーション線２２６と
横電界印加部付近の液晶層２９９から転移核が発生して
ベンド配向領域へ転移が拡大し、ＴＦＴパネル画素全体
では約１秒で速かに転移した。
【０４１８】これは、ｂ−スプレイ配向状態とｔ−スプ
レイ配向領域の境界であるディクリネーション線２２６
領域は周囲より歪みのエネルギーが高くなっていて、こ
の状態に加えて横電界印加部で発生する横電界によって
スプレイ配向にねじれが発生して転移し易くなり、これ
に上下電極間に高電圧が印加されて更にエネルギーが与
えられベンド転移したものと考えられる。
【０４１９】以上、本発明を幾つかの実施の形態に基づ
いて説明してきたが、本発明は何もこれらに限定されな
いのは勿論である。即ち、例えば以下のようにしてもよ
い。
【０４２０】１）画素電極と共通電極間に印加する電圧
を連続的、あるいは間欠的とする。
【０４２１】２）高電圧パルスが繰り返し印加される場
合、その周波数は０．１Ｈｚから１００Ｈｚの範囲であ
り、且つ第２の電圧のデューティー比は少なくとも１：
１から１０００：１の範囲で、転移を速める値を選択す
る。
【０４２２】３）使用する基板をプラスチック製とし、
電極として有機導電膜を採用する。
【０４２３】４）基板の一方を反射性基板により形成
し、例えばシリコンとしたり、あるいは、アルミニウム
等の反射電極よりなる反射性基板により形成し、反射型
液晶表示装置とする。
【０４２４】５）画素電極、共通電極に基板面に直交す
る方向の強電極電界発生用突起を設ける等の手段をも併
用する。
【０４２５】６）両基板間を一定に保持する球状ガラス
やシリカに換えて、そのための突起物を形成し、該突起
物に液晶分子を配列させる機能を持たせる等の手段をも
併用する。
【０４２６】７）前記突起部の上部若しくは下部を前記
強電極発生用突起に兼用する。
【０４２７】８）画素電極の形状は、正方形状でなく、
長方形状や３角形状とする。
【０４２８】９）画素を液晶の配向の異なる領域に分割
するのは２つではなく、３つや４つとしたりする。
【０４２９】１０）プレチルト角に大小を付けるのに、
透明電極をＯ2 アッシャー等で表面状態を変え、該透明
電極に配向膜を形成する等の手段を採用している。
【０４３０】（実施の形態１３）図２６は実施の形態１
３に係る液晶表示装置に用いられる液晶セルの構成外観
図であり、図２７、および図２８は凸形状物作製を説明
するための製造プロセスの一部である。
【０４３１】ガラス基板３０８上にＪＳＲ株式会社製Ｐ
Ｃ系レジスト材料を塗布形成し厚さ１μｍのレジスト薄
膜を形成する。次にレジスト薄膜３２０に、矩形状のパ
ターンの開口部３２２を設けたフォトマスク３２１を通
して、平行光紫外線３２３で照射露光する。平行光で露
光された上記レジスト薄膜３２０を現像、リンスし、９
０℃でプリベークして図２８に示すように断面が凸状の
形状物３１０を形成する。
【０４３２】次に、前記基板上に、定法に従いＩＴＯ電
極７を２０００Ａ製膜し、電極付ガラス基板３０８とし
た。その後、透明電極３０２を有するガラス基板３０
１、および上記凸形状物の形成されたガラス基板３０８
上に日産化学工業製配向膜塗料ＳＥ−７４９２をスピン
コート法にて塗布し、恒温槽中１８０℃、１時間硬化さ
せ配向膜３０３、３０６を形成する。その後、レーヨン
製ラビング布を用いて図２９に示す方向にラビング処理
を施し、積水ファインケミカル（株）製スペーサ５、お
よびストラクトボンド３５２Ａ（三井東圧化学（株）製
シール樹脂の商品名）を用いて基板間隔が６．５μｍと
なるように貼り合わせ、液晶セル３０９（液晶セルＡと
する）を作成した。
【０４３３】この時、配向膜界面での液晶プレチルト角
が約５度となるようにラビング処理を行った。
【０４３４】次に、液晶ＭＪ９６４３５（屈折率異方性
Δn＝０．１３８）を真空注入法にて液晶セルＡに注入
し、テストセルＡとした。
【０４３５】次に、テストセルＡに、その偏光軸が配向
膜のラビング処理方向と４５度の角度をなし、かつ、お
互いの偏光軸方向が直交するように偏光板を貼合し、７
Ｖ矩形波を印加してスプレイ配向からベンド配向への転
移を観察したところ、約５秒で全電極領域がスプレイ配
向からベンド領域へと転移した。
【０４３６】凸形状物３１０の形成された領域では、液
晶層厚が周囲の液晶層領域に比べて小さく実効的に電界
強度が大きく、この部分よりベンド転移が確実に発生す
る。発生したベンド配向は速やかに他の領域に広がって
いく。
【０４３７】即ち、確実かつ高速なスプレイ→ベンド転
移が達成出来る。
【０４３８】凸形状物としては、その断面形状が本実施
例の如く矩形状のほか、台形状、三角状、半円状でも良
いことは言うまでもない。
【０４３９】比較例として、凸形状部３１０を有しない
透明電極付きガラス基板を用いること以外、同様のプロ
セスで、スプレイ配向液晶セルＲを作製し、液晶ＭＪ９
６４３５を封入してテストセルＲとした。このテストセ
ルＲに７Ｖ矩形波を印加した時の、全電極領域がスプレ
イ配向からベンド領域へと転移するに要する時間は４２
秒であり、本発明の効果は明らかである。
【０４４０】（実施の形態１４）図３０は実施の形態１
４に係る液晶表示装置に用いられる液晶セルの構成外観
図であり、図３１はその平面図である。図３０は図３１
の矢視Ｘ１−Ｘ１から見た断面図である。実施の形態１
４は、凸形状物３１０を、表示画素領域外に形成された
透明電極３０７ａ上に設けたことを特徴とするものであ
る。以下に、その作製手順を説明する。
【０４４１】透明電極３０２を有するガラス基板３０
１、および凸形状物の形成されたガラス基板３０８上に
日産化学工業製配向膜塗料ＳＥ−７４９２をスピンコー
ト法にて塗布し、恒温槽中１８０℃、１時間硬化させ配
向膜３０３，３０６，３０６ａを形成する。その後、レ
ーヨン製ラビング布を用いて図２９に示す方向にラビン
グ処理を施し、積水ファインケミカル（株）製スペーサ
５、およびストラクトボンド３５２Ａ（三井東圧化学
（株）製シール樹脂の商品名）を用いて基板間隔が６．
５μｍとなるように貼り合わせ、液晶セル（液晶セルＢ
とする）を作成した。
【０４４２】この時、配向膜界面での液晶プレチルト角
が約５度となるようにラビング処理を行った。
【０４４３】次に、液晶ＭＪ９６４３５（屈折率異方性
Δn＝０．１３８）を真空注入法にて液晶セルＢに注入
した。
【０４４４】次に、液晶セルＢに、その偏光軸が配向膜
のラビング処理方向と４５度の角度をなし、かつ、お互
いの偏光軸方向が直交するように偏光板を貼合し、７Ｖ
矩形波を印加してスプレイ配向からベンド配向への転移
を観察したところ、約７秒で全電極領域がスプレイ配向
からベンド領域へと転移した。
【０４４５】本実施の形態では、表示画素領域外に凸形
状部を設け、表示画素領域外でベンド転移核発生をさせ
たものであるが、発生したベンド配向は表示画素領域外
から表示画素領域内に速やかに広がっていくことが確認
された。
【０４４６】表示画素領域とベンド核発生用電極領域と
の間には、電界の印加されない（電極部を有しない）領
域が存在するが、微小領域でありさえすればこの領域を
越えてベンド配向は展開する。
【０４４７】（実施の形態１５）図３２は実施の形態１
５に係る液晶表示装置に用いられる液晶セルの構成外観
図であり、図２７、図２８、および図３３は凸形状物作
製を説明するための製造プロセスの一部である。
【０４４８】ガラス基板３０８上にＪＳＲ株式会社製Ｐ
Ｃ系レジスト材料を塗布形成し厚さ１μｍのレジスト薄
膜を形成する。次にレジスト薄膜３２０に、矩形状のパ
ターンの開口部３２２を設けたフォトマスク３２１を通
して、平行光紫外線３２３で照射露光する。平行光で露
光された上記レジスト薄膜２０を現像、リンスし、９０
℃でプリベークして図２８に示すように断面が凸状の形
状物３１０を形成する。
【０４４９】次に、上記レジスト薄膜材料のガラス転移
点以上の１５０℃でポストベークして凸形状物３１０の
肩をなだらかに順方向に傾斜させて、図３２に示すよう
にその断面形状を山形様に形成する工程で製造する。
【０４５０】次に、前記基板上に、定法に従いＩＴＯ電
極を２０００Åの厚みで製膜し、電極付ガラス基板３０
８とした。その後、透明電極３０２を有するガラス基板
３０１、および上記凸形状物の形成されたガラス基板３
０８上に日産化学工業製配向膜塗料ＳＥ−７４９２をス
ピンコート法にて塗布し、恒温槽中１８０℃、１時間硬
化させ配向膜３０３、３０６を形成する。その後、レー
ヨン製ラビング布を用いて図２９に示す方向にラビング
処理を施し、積水ファインケミカル（株）製スペーサ３
０５、およびストラクトボンド３５２Ａ（三井東圧化学
（株）製シール樹脂の商品名）を用いて基板間隔が６．
５μｍとなるように貼り合わせ、液晶セル３０９（液晶
セルＣとする）を作成した。
【０４５１】この時、配向膜界面での液晶プレチルト角
が約５度となるようにラビング処理を行った。
【０４５２】次に、液晶ＭＪ９６４３５（屈折率異方性
Δn＝０．１３８）を真空注入法にて液晶セルＣに注入
し、テストセルＣとした。
【０４５３】次に、テストセルＣに、その偏光軸が配向
膜のラビング処理方向と４５度の角度をなし、かつ、お
互いの偏光軸方向が直交するように偏光板を貼合し、７
Ｖ矩形波を印加してスプレイ配向からベンド配向への転
移を観察したところ、約７秒で全電極領域がスプレイ配
向からベンド領域へと転移した。
【０４５４】本テストセルＣは、上記三角形状先端部に
電界の集中が起こり、この部分よりベンド配向が発生す
る。また、三角形状物６０上部では、ラビング処理によ
る擦り上げ部と擦り下げ部が存在するため、結果として
液晶プレチルト角の符号が反対の領域が出来る。即ち前
記凸形状部の近傍では液晶ダイレクタが基板面に水平に
なっており、このことも高速なスプレイ−ベンド転移に
寄与しているものと思われる。
【０４５５】本実施例では画素領域内に電界集中部を設
けたが、画素領域外に設けても同様な効果が認められ
た。また、本実施例では電界集中部位は基板片側に配設
したのみであるが、基板両側に配設しても良いことは言
うまでもない。
【０４５６】（実施の形態１６）図３４は実施の形態１
６に係る液晶表示装置に用いられる液晶セルの構成外観
図であり、図３５は本実施の形態で用いたガラス基板３
０２の電極パターンを表している。
【０４５７】開口部３８０を有する透明電極３０２、及
び開口部を有しない透明電極３０７を有する２枚のガラ
ス基板３０１、３０８上に日産化学工業製配向膜塗料Ｓ
Ｅ−７４９２をスピンコート法にて塗布し、恒温槽中１
８０℃、１時間硬化させ配向膜３０３、３０６を形成す
る。その後、レーヨン製ラビング布を用いて図２９に示
す方向にラビング処理を施し、積水ファインケミカル
（株）製スペーサ３０５、およびストラクトボンド３５
２Ａ（三井東圧化学（株）製シール樹脂の商品名）を用
いて基板間隔が６．５μｍとなるように貼り合わせ、液
晶セル３０９（液晶セルＤとする）を作成した。
【０４５８】この時、配向膜界面での液晶プレチルト角
が約５度となるようにラビング処理を行った。
【０４５９】次に、液晶ＭＪ９６４３５（屈折率異方性
Δn＝０．１３８）を真空注入法にて液晶セルＤに注入
し、テストセルＤとした。
【０４６０】次に、その偏光軸が配向膜のラビング処理
方向と４５度の角度をなし、かつ、お互いの偏光軸方向
が直交するように偏光板を貼合し、電圧を印加しながら
スプレイ配向からベンド配向への転移を観察した。
【０４６１】このテストセルＤに、ガラス基板８側電極
に２Ｖ、３０Ｈｚ、矩形波を、ガラス基板１側電極に７
Ｖ、３０Ｈｚ、矩形波を印加した時の、全電極領域がス
プレイ配向からベンド領域へと転移するに要する時間は
５秒であり、極めて高速なベンド転移が実現された。
【０４６２】本実施例においては、二枚の電極間に挟持
された液晶層に５Ｖ（＝７Ｖ−２Ｖ）の電界が印加され
るが、電極開口部の液晶層には７Ｖ（＝７Ｖ−０Ｖ）の
実効電界が印加されることになるため、ここよりベンド
配向が発生する。
【０４６３】本実施例では開口部形状を矩形としたが、
円形、三角形状など他の形状でも良いことは言うまでも
ない。
【０４６４】（実施の形態１７）図３６は実施の形態１
７に係る液晶表示装置に用いられる液晶セルの要部断面
図であり、図３７はその一部の拡大図である。この液晶
セルは、ガラス基板３０８上に画素スイッチング素子３
８０、信号電極線３８１、ゲート信号線（図示せず）が
形成されており、これらスイッチング素子３８０、信号
電極線３８１及びゲート信号線を覆って平坦化膜３８２
が形成されている。そして、平坦化膜３８２上に表示電
極３０７が形成されており、この表示電極３０７とスイ
ッチング素子３８０とは、平坦化膜３８２に開口したコ
ンタクトホール３８３内を挿通する中継電極３８４を介
して電気的に接続されている。中継電極３８４は、コン
タクトホール３８３の上開口側の部分が、図３７に示す
ように凹部３８４ａとなっている。このような凹部３８
４ａにより、表示電極３０７に開口が形成されることに
なり、この凹部３８４ａ付近で電界の集中を生じさせる
ことが可能となる。よって、転移時間の短縮化を達成す
ることができる。
【０４６５】（実施の形態１８）図３８は実施の形態１
８に係る液晶表示装置の構成外観図である。
【０４６６】実施の形態１６で作成したテストセルＤ
に、主軸がハイブリット配列した負の屈折率異方性もつ
光学媒体よりなる位相差板３１２、３１５、負の一軸性
位相差板３１１、３１４、正の一軸性位相差板３１９、
偏光板３１３、３１６を図３９に示される配置で貼合
し、液晶表示装置を作成した。
【０４６７】この時の位相差板３１２、３１５、３１
１、３１４、３１９のリターデーション値は波長５５０
ｎｍの光に対して、それぞれ２６ｎｍ、２６ｎｍ、３５
０ｎｍ、３５０ｎｍ、および１５０ｎｍであった。
【０４６８】図４０は２５℃における液晶表示装置の正
面での電圧−透過率特性である。１０Ｖの矩形波電圧を
１０秒印加しベンド配向を確認した後、電圧を降下させ
ながら測定した。本液晶表示素子ではベンド配向からス
プレイ配向への転移が２．１Ｖで起こるため、実効的に
は２．２Ｖ以上の電圧で表示を行う必要がある。
【０４６９】次に、白レベル電圧を２．２Ｖ、黒レベル
電圧を７．２Ｖとした時のコントラスト比の視角依存性
を測定したところ、上下１２６度、左右１６０度の範囲
でコントラスト比１０：１以上が達成されており、基板
配向膜面上に液晶ダイレクタ方位が周囲とは異なる部位
を一部設けても、充分な広視野角特性が維持されること
が確認された。また、目視観察においても、配向不良お
よび表示品位不良は認められなかった。
【０４７０】また、３Ｖ〜５Ｖ間の応答時間を測定した
ところ、立ち上がり時間は５ミリ秒、立ち下がり時間は
６ミリ秒であった。
【０４７１】以上より明らかなように、本発明液晶表示
装置は、従来のＯＣＢモードの広視野角特性や応答特性
を犠牲にすることなく、高速なスプレイ−ベンド配向転
移を達成することが出来、その実用的な価値は極めて大
きい。
【０４７２】（実施の形態１９）図４１は実施の形態１
９に係る液晶表示装置の要部断面図である。ベンド配向
型セルとして動作させる液晶セルは、２枚の平行な基板
４００，４０１間に液晶層４０２を封入した、いわゆる
サンドイッチセルである。通常、一方の基板には透明電
極が、他方の基板には薄膜トランジスタを備えた画素電
極が、各々形成されている。
【０４７３】図４１（ａ）は、電場を印加しない初期状
態の配向を示す模式図である。初期状態の配向は、液晶
分子の分子軸が基板４００，４０１平面に対して若干の
傾きを有しながらもほぼ平行に且つ実質的に一様に配向
した状態、すなわちホモジニアス配向である。基板との
界面に存在する液晶分子は、上下両基板４００，４０１
において、互いに逆方向に傾斜している。すなわち、基
板との界面に存在する液晶分子の配向角θ1およびθ2
（すなわち、プレチルト角）は、互いに異符号となるよ
うに調整されている。なお、以下の説明において、配向
角およびプレチルト角は、基板に平行な平面に対する液
晶分子の分子軸の傾きを、基板に平行な平面を基準に反
時計回りに正として表した角度である。
【０４７４】図４１（ａ）の状態の液晶層４０２に、基
板平面に対して垂直方向にある値を超える強さの電場を
印加すると、液晶の配向状態が変化し、図４１（ｂ）に
示すような配向へと転移する。
【０４７５】図４１（ｂ）に示す配向は、ベンド配向と
呼ばれるものであり、両基板表面付近においては基板平
面に対する液晶分子の分子軸の傾き、すなわち配向角の
絶対値が小さく、液晶層４０２の中心部分においては液
晶分子の配向角の絶対値が大きくなっている。また、液
晶層全体に渡って、実質的にねじれ構造を有してない。
【０４７６】このような、ホモジニアス配向からベンド
配向への転移を詳細に観察すると、まず、液晶層４０２
の一部においてベンド配向の核が発生しており、この核
が、ホモジニアス配向である他の領域を蚕食しながら次
第に成長し、最終的には液晶層全体がベンド配向とな
る。換言すれば、液晶層のベンド配向への転移には、核
の発生、すなわち微小領域でのホモジニアス配向からベ
ンド配向への転移が必要である。
【０４７７】そこで、発明者らは、液晶分子配向の単位
ベクトル（以下、「ディレクター」とする。）の運動方
程式を解くことにより、微小領域でのベンド配向への転
移について解析し、核が容易に発生し得る条件を見出し
た。以下に、その手法について説明する。
【０４７８】液晶の配向状態は、ディレクターによって
記述される。なお、ディレクターｎは、［数１］で表さ
れる関数である。
【数１】
【０４７９】液晶の自由エネルギー密度ｆは、［数２］
に示すように、ディレクターｎの関数として表わすこと
ができる。
【数２】
【０４８０】ここで、ｋ11、ｋ22、ｋ33はFrankの弾性
定数であり、各々、スプレイ、ツイスト、ベンドの弾性
定数を表す。Δεは、液晶の分子軸方向の誘電率とそれ
に直交する方向の誘電率との差、すなわち誘電率異方性
を表す。また、Ｅは、外部電場である。
【０４８１】［数２］において、第１項、第２項、第３
項は、各々、液晶の広がり、捻じれ、曲がりによる弾性
エネルギーを表わす。また、第４項は、外部電場と液晶
との電気的相互作用による電気エネルギーを表す。電気
エネルギーは、Δε＞０であればｎがＥと平行となると
きに最小となり、Δε＜０であればｎがＥに直交すると
きに最小となる。従って、ある特定の強さを超える電場
Ｅが印加されると、液晶分子は、Δε＞０であれば分子
長軸が電場方向に平行になるように配向し、Δε＜０で
あれば分子長軸が電場方向に直交するように配向する。
【０４８２】初期状態の分子配向が外部電場による変形
を受けたときの液晶の全自由エネルギーＦは、ｆの体積
積分として表すことができる。
【数３】 ［数３］に示すように、全自由エネルギーＦは、ディレ
クターを表す未知関数ｎ(ｘ)を変数として定義される関
数（すなわち、汎関数）である。外部電場印加下におい
て出現する液晶の配向状態は、適当な境界条件のもと
で、全自由エネルギーＦを最小とするｎ(ｘ)で記述され
る。すなわち、Ｆを最小とするｎ(ｘ)が決まれば、液晶
の配向状態を予測することができる。更に、適当な境界
条件のもとでＦを最小とするような、時間変化をも考慮
したディレクターn(ｘ，ｔ) を決めることができれば、
光学定数などのデバイスのあらゆる挙動を予測すること
ができる。これは、物理的にいえば典型的な最小作用の
原理であり、数学的にいえば境界値付きの変分極小問題
である。
【０４８３】そこで、［数３］を原理的に解く。しか
し、例えば、Eulerの方程式を用いるような解析的方法
では、複雑な非線形方程式が現れるため、ディレクター
ｎ(ｘ)の関数形を簡単に決定することは困難である。
【０４８４】そこで、［数３］を容易に解くために、次
のような方法を採用する。まず、積分空間を有限要素法
と同様の手法により離散化する。すなわち、全積分空間
をｎｐ個の要素に分割し、［数３］を各要素の積分の和
として表わす。
【数４】
【０４８５】ここで、部分積分空間ΔＶにおけるディレ
クターn(ｘ)に対して、以下のような近似を行う。ｎx
、ｎy、ｎzは、［数２］式に示すように本来ならば
ｘ、ｙ、ｚの関数であるが、ΔＶにおいては一定である
と仮定する。また、ｄｎx,j／ｄｘ＝（ｎx,j+1−ｄｎx,
j）／Δｘと近似する。なお、ｎx,jは、第ｊ番目の要素
中におけるｎxであり、前述したようにΔＶにおいては
一定ではあるが、未知数である。この部分積分空間ΔＶ
におけるn(ｘ)の近似は粗いものであるが、これを積分
空間の分割を細かくすることによってカバーし、近似を
高めることができる。
【０４８６】上記近似によれば、［数４］において、ｎ
x,j、ｎy,j、ｎz,jは１つの要素中では定数であるため、
積分自体は容易に計算できる。しかし、この段階でも、
全自由エネルギーＦを表す式は、分割数に比例する多数
の未知数ｎx,j、ｎy,j、ｎz,jの高次項および非線型項が
存在し、依然として複雑である。但し、ｎx,0、ｎy,0、
ｎz,0などの値は、境界条件として容易に与えることが
できる。
【０４８７】上記近似によれば、全自由エネルギーＦ
は、
【数５】 という形に変換される。すなわち、全自由エネルギーＦ
は、未知関数ｎ(ｘ)を変数として定義される汎関数か
ら、未知数ｎx,j、ｎy,j、ｎz,jの関数に変換される。未
知数ｎx,j、ｎy,j、ｎz,jは、多次元のパラメーター空間
内で、関数Ｆを最小とする値である。
【０４８８】液晶のベンド配向は、前述したように、捻
じれを実質的に有しない構造である。ディレクターｎ
は、前述したように本来はｘ、ｙ、ｚの関数であるが、
配向角の関数として表すことが可能である。この場合、
ベンド配向におけるディレクターｎは、
【数６】 で表される。但し、θは、基板に平行な平面に対する液
晶分子の傾き、すなわち配向角である。また、θは、液
晶分子の基板からの距離ｚのみに依存するものとする。
図２は、このディレクターを示した模式図である。
【０４８９】［数６］を［数４］に代入し、ｎｐ個の要
素に分割して離散化を行い、各要素について、Ｆを最小
化するようなθjを求める。すなわち、各要素につい
て、
【数７】 なる方程式を満足するθjを求める。なお、ｄはＬ／ｎ
ｐであり、Ｌは基板間距離である。
【０４９０】しかし、［数７］のような複雑な非線型方
程式を、ｎｐ個連立させて解くのは容易ではない。そこ
で、以下のような回路類推を行うことにより、［数７］
を解く。ディレクターの運動方程式は、
【数８】 で表される。なお、ηは、液晶の粘性率である。[数８]
について、以下のような回路類推を行う。
【数９】 [数８]は、
【数１０】 に変換される。[数１０]に対応する回路は、図３に示す
ように、ｎｐ個のＣＲ回路で構成されている。 [数１
０]の第二項は、ＣＲ回路を流れる電流を表す。なお、
Ｒjは放電緩和のための抵抗であって、ＣＲ回路を流れ
る電流（ｉ）を、ｉ＝∂Ｆ（Ｖj）／∂Ｖjとして規定す
る電圧制御抵抗である。
【０４９１】電流ｉ（＝∂Ｆ／∂Ｖj）は、特定のＶjで
ゼロに収束する。すなわち、Ｖjは、回路シミュレータ
ーでＣＲ回路を流れる電流がゼロとなるときの電圧を求
めれば、自動的に求めることができる。
【０４９２】このように、ディレクターの運動方程式を
等価回路に置き換えることにより、液晶の配向現象を表
現する非線型連立方程式を回路シミュレーター上で解析
し、外部電場Ｅと配向状態（配向角θj）との関係を求
めることができる。
【０４９３】上記手法においては、配向現象を表現する
非線型連立方程式を、電気回路的な類推によって回路に
置き換えて回路シミュレーター上で解析するため、プロ
グラム中には等価回路が設定されるだけで、方程式自身
を解くための計算プロセスは含まれない。よって、プロ
グラムの単純化および縮小を実現することができる。
【０４９４】更に、上記手法に基づいて、外部電場Ｅの
増加に伴う配向角θjの変化を計算すれば、配向角θjが
突然変化するときの外部電場Ｅとして、液晶転移の臨界
電場Ｅｃを求めることができる。
【０４９５】図４４は、上記手法に基づく計算結果の一
例であり、外部電場Ｅを時間とともに増加させたとき
の、θjの時間変化を表す。なお、図４の結果は、境界
条件をθ0＝＋０．１rad、θnp-1＝−０．１radとして
固定し、ｋ11＝６×１０-7dyn、ｋ33＝１２×１０-7dy
n、Δε＝１０として計算した結果である。図４に示す
ように、電場印加初期においては、配向角θjがいずれ
も比較的小さく、液晶の配向状態がホモジニアス配向で
あることがわかる。しかし、一定時間経過後、すなわち
外部電場Ｅが一定値を超えると（Ｅ＞Ｅｃ）、配向角θ
jが突然変化して転移が生じる。転移後の配向角θjは、
両基板近傍から液晶層の中心部に向かってその絶対値が
大きくなっており、転移後の液晶の配向状態がベンド配
向であることがわかる。
【０４９６】臨界電場Ｅｃが小さいほど、液晶の配向状
態をホモジニアス配向からベンド配向へと速やかに転移
させることができる。そこで、上記手法に基づいて、液
晶の配向を決める条件を種々変化させて、各条件下での
臨界電場Ｅｃを計算した。その結果、臨界電場Ｅｃは、
特に、液晶の弾性定数（スプレイ弾性定数）、プレチル
ト角の非対称性に影響されることが見出された。
【０４９７】図４５は、スプレイ弾性定数ｋ11と臨界電
場Ｅｃとの関係を求めた結果を示したものである。な
お、図４５は、境界条件をθ0＝＋０．１rad、θnp-1＝
−０．１radとし、ｋ33＝１２×１０-7dyn、Δε＝１０
として計算した結果である。図４５に示すように、スプ
レイ弾性定数ｋ11が大きいほど、臨界電場Ｅｃが増大す
る。特に、ｋ11＞１０×１０-7dynの範囲では、ｋ11の
増大に伴って、Ｅｃが急激に増大する。
【０４９８】従って、速やかな液晶転移を実現するため
には、スプレイ弾性定数ｋ11を、１０×１０-7dyn未
満、好ましくは、８×１０-7dyn以下とすることが有効
である。また、スプレイ弾性定数ｋ11の下限について
は、特に限定するものではないが、６×１０-7dyn以上
とすることが好ましい。ｋ11＜６×１０-7dynの液晶材
料を合成または調製することは、通常、困難であるから
である。
【０４９９】上記のようなスプレイ弾性定数ｋ11を有す
る液晶材料としては、特に限定するものではないが、例
えば、ピリミジン系液晶、ジオキサン系液晶、ビフェニ
ル系液晶などを挙げることができる。
【０５００】プレチルト角の非対称性は、上下基板間で
のプレチルト角の絶対値の差（Δθ）で表すことができ
る。また、前述したように、プレチルト角θ0およびθn
p-1は互いに異符号とされるため、プレチルト角の絶対
値の差（Δθ）は、Δθ＝｜θ0＋θnp-1｜で表すこと
ができる。
【０５０１】図４６（ａ）は、上下基板間でのプレチル
ト角の絶対値の差（Δθ）と臨界電場Ｅｃとの関係を求
めた結果を示すものである。図６のａは、ｋ11＝６×１
０-7dyn、ｋ33＝１２×１０-7dyn、Δε＝１０として計
算した結果である。図４６（ａ）に示すように、プレチ
ルト角の差Δθが大きいほど、臨界電場Ｅｃが低下す
る。特に、Δθ≧０．０００２radの範囲では、Δθの
増大に伴って、Ｅｃが急激に低下する。
【０５０２】従って、速やかな液晶転移を実現するため
には、プレチルト角の差Δθを、０．０００２rad以
上、好ましくは０．０３５rad以上とすることが有効で
ある。また、プレチルト角の差Δθの上限については、
特に限定するものではないが、通常、１．５７rad未
満、好ましくは０．７８５rad以下とする。
【０５０３】なお、プレチルト角θ0およびθnp-1は、
その絶対値が、通常、０radを超え且つ１．５７rad未
満、好ましくは０．０１７rad以上０．７８５rad以下と
なるように調整される。プレチルト角の調整は、基板表
面に、斜方蒸着法およびラングミュア−ブロジェット
（ＬＢ）法などの方法により、適当な液晶配向膜を形成
することによって制御することができる。液晶配向膜と
しては、特に限定するものではないが、例えば、ポリイ
ミド樹脂、ポリビニルアルコール、ポリスチレン樹脂、
ポリシンナメート樹脂、カルコン系樹脂、ポリペプチド
樹脂および高分子液晶などを挙げることができる。ま
た、液晶配向膜の材料選択のほか、斜方蒸着法を採用す
る場合は蒸着方向の基板表面に対する傾きを調製するこ
とによって、ＬＢ法を採用する場合は基板の引き上げ速
度などの条件を調整することによって、プレチルト角を
制御することができる。
【０５０４】また、臨界電場Ｅｃは、液晶層内の電場の
不均一性に影響される。液晶層に発生する電場の歪み
が、液晶分子の配向状態の安定性に影響するからであ
る。なお、電場の不均一性は、液晶層に実質的に均一に
印加される主電場Ｅ0と、不均一に印加される副電場Ｅ1
との比（Ｅ1／Ｅ0）で表すことができる。なお、Ｅ1
は、印加される副電場の最大値とする。
【０５０５】電場の不均一性Ｅ1／Ｅ0と臨界電場Ｅｃと
の関係は、前述した手法に基づいて、以下のようにして
調べることができる。すなわち、液晶層に、外部電場Ｅ
として均一電場である主電場Ｅ0を印加するとともに、
不均一電場である副電場Ｅ1を重畳させて印加するとい
う条件で、主電場Ｅ0の増加に伴う配向角θjの変化を計
算する。このとき、副電場Ｅ1は、主電場Ｅ0の増加に伴
って、Ｅ1／Ｅ0が所定の値で一定となるように増加させ
る。得られた計算結果より、配向角θjが突然変化する
ときの主電場Ｅ0として、液晶転移の臨界電場Ｅｃが求
められる。
【０５０６】図４７は、上記手法に基づいて、Ｅ1／Ｅ0
の値を種々変化させて、各条件下での臨界電場Ｅｃを計
算した計算結果の一例である。なお、図７の結果は、境
界条件をθ0＝＋０．２６rad、θnp-1＝−０．２５rad
として固定し、ｋ11＝６×１０-7dyn、ｋ33＝１２×１
０-7dyn、Δε＝１０として計算した結果である。図４
７に示すように、Ｅ1／Ｅ0が大きいほど、すなわち電場
の不均一性が大きいほど、臨界電場Ｅｃが増大し、Ｅ1
／Ｅ0＝１付近ではＥｃは無限小となる。これは、液晶
層の電場に歪みが存在すると、電場が一様である場合に
比べてホモジニアス配向が不安定となり、その結果、ベ
ンド配向への転移が速やかに発現するからであると考え
られる。
【０５０７】従って、速やかな液晶転移を実現するため
には、液晶層に、実質的に均一な主電場Ｅ0とともに、
空間的に不均一な電場Ｅ1を印加することが有効であ
る。特に、０．０１＜Ｅ1／Ｅ0＜１とすることが有効で
ある。Ｅ1／Ｅ0≦０．０１の範囲では、不均一電場印加
による液晶転移を促進する効果を十分に得ることは困難
であり、Ｅ1／Ｅ0≧１の範囲では、印加電圧が大きくな
り過ぎるため実際の使用に適当でないという問題がある
からである。更には、０．５≦Ｅ1／Ｅ0≦１とすること
が好ましい。
【０５０８】不均一電場Ｅ1は、薄膜トランジスタのソ
ース電極（またはゲート電極）と透明電極との間に印加
した電圧を利用することにより、液晶層に対して基板に
垂直な方向に印加することができる。また、不均一電場
Ｅ1は、周波数１００ｋＨｚ以下の交流電場とすること
が好ましく、更には、振幅を時間的に減衰させることが
好ましい。
【０５０９】臨界電場Ｅｃを低下させる条件である、ス
プレイ弾性定数（ｋ11）、プレチルト角の非対称性（Δ
θ）および電場の不均一性（Ｅ1／Ｅ0）という３条件の
うち、２条件ないし３条件を組み合わせて満足させるこ
とが好ましい。これらの条件を組み合わせることによ
り、各条件を１つのみ満足させる場合に比べ、更に確実
に臨界電場Ｅｃをより確実に低下させることができるか
らである。
【０５１０】例えば、図４６（ｂ）は、実質的に均一な
外部電場Ｅ0とともに、不均一な電場Ｅ1を印加すること
以外は、図４６（ａ）と同条件で計算した結果である。
なお、図４６（ｂ）は、Ｅ1／Ｅ0＝０．０３とした場合
の結果である。図４６（ａ）および（ｂ）の比較からわ
かるように、プレチルト角の非対称性および電場の不均
一性の２条件を組み合わせて満足させることにより、臨
界電場Ｅｃをより低下させ、更に速やかな液晶転移を実
現することができる。
【０５１１】（実施の形態２０）本実施の形態２０は上
記実施の形態７と同様に第１の液晶セル領域と第２の液
晶セル領域を形成し、その境界部のディスクリネーショ
ン線を核にしてベンド転移を容易に発生させることを特
徴とするものである。但し、実施の形態７では、上下一
対の基板それぞれに紫外線を照射し、局所的にプレチル
ト角を変化させる手法を用いた。しかし、本発明はこれ
に限るものではない。処理する基板は両方の基板であっ
ても一方の基板であっても、第１と第２の液晶セル領域
を形成することは可能であり、また、プレチルト角を変
化させる手法としては紫外線を照射に限らない。以下
に、具体的な内容を実施の形態２０−１〜実施の形態２
０−５を例示して説明することにする。
【０５１２】（実施の形態２０−１）図４８は実施の形
態２０−１の係る液晶表示装置の配向状態を示す概念図
である。本実施の形態２０−１は、上下一対の基板のう
ちの一方だけＵＶ照射を行った例である。具体的には、
実施の形態７と同様な方法でアレイ基板５００だけにＵ
Ｖ照射を行った。これにより、アレイ基板５００には実
施の形態７と同様に、５度と２度のプレチルト領域が形
成された。プレチルト角５度は図１６のＢ２に相当し、
プレチルト角２度は図１６のＡ２に相当する。対向基板
５０１の内側面及びアレイ側基板５００の内側面には、
それぞれ同一材料からなる配向膜が形成されているが、
アレイ基板５００側よりも対向基板５０１側でのラビン
グ強度を上げることにより、対向基板５０１にはアレイ
基板５００の２種のプレチルト角の中間的なプレチルト
角を実現した。本実施の形態では３度であった。このよ
うに対向基板５０１のプレチルト角がアレイ側基板５０
０の２種ののプレチルト角の間にあることが本実施の形
態２０−１の特徴である。
【０５１３】電界を印加しない状態では、液晶層５０２
には図４８（ａ）のように２つの領域H１，Ｈ２が発現
する。ここでアレイ側基板５００のプレチルトが、右側
領域Ｈ２で２度、左側領域Ｈ１で５度であり、対向基板
５００のプレチルトが右側領域Ｈ２及び左側領域Ｈ１共
に３度である。
【０５１４】一般に電界を印加しない状態における、液
晶パネルの厚み方向（セル厚方向）中央付近の液晶分子
の配列方向は、上下のプレチルト角の平均的な値にな
る。なお、図４８において、液晶分子は参照符号５０３
で示されている。よって、図４８（ａ）のようにアレイ
側基板５００のプレチルトが対向基板５０１のプレチル
トよりも高い左側領域Ｈ１では、上記中央付近の液晶５
０３は図中右上がりの状態になる。逆にレイ側基板５０
０のプレチルトが対向基板５０１のプレチルトよりも小
さい右側領域Ｈ２では、上記中央付近の液晶５０３は図
中右下がりの状態になる。このようにアレイ基板５００
にプレチルトの分布を持たせ、対向基板５０１側にはそ
の中間的なプレチルトを持たせることで、液晶パネルの
厚み方向中央部の液晶には２種類の配列を実現できる。
なお、対向基板５０１にプレチルトの分布を持たせ、ア
レイ基板５００側にはその中間的なプレチルトを持たせ
るようにしてもよい。、次いで、液晶パネルにベンド配
向に転移する電界以下の電界を印加すると、図４８
（ｂ）のような配向になる。本来の転移電圧は非常に高
電圧であるため、かかる高電圧を印加すると１秒以下の
時間でベンド配向に転移する。図４８（ｂ）のような配
向は、本来の転移電圧を印加したときに、転移の初期に
確認されたが、これは０．１秒以下の時間であった。
【０５１５】そこで、この配向状態を詳細に観察するた
め、転移電圧以下の電圧を印加した。電圧印加時の配向
状態は、電圧無印加時における液晶パネルの厚み方向中
央部の液晶の配向状態が影響する。即ち、電圧無印加時
において当該中央部の液晶分子が右上がり状態である左
領域では、対向基板５０１付近にスプレイ変形部位を有
するｔ−スプレイ配向が形成され、電圧無印加時におい
て当該中央部の液晶分子が左上がりの右領域では、アレ
イ側基板５００付近にスプレイ変形部位を有するｂ−ス
プレイ配向が形成される。このｔ−スプレイ配向とｂ−
スプレイ配向の境界部ではディスクリネーションが発生
し、このディスクリネーション線を核にしてベンド転移
が発生することを見出した。この現象については両側を
ＵＶ照射した実施の形態７と同じである。
【０５１６】本実施の形態では、図４８（ｂ）に示すよ
うに、ラビング方向側から観察すると左側が比較的黒っ
ぽく、右側が白っぽく見え、逆方向から観察すると左側
が比較的白っぽく右側が比較的黒っぽく見えた。このこ
とからｔ−スプレイ状態、ｂ−スプレイ状態と判断し
た。これは液晶層のセル厚方向で中央部の液晶の立ち方
が非対称であり、例えば左側では液晶分子の長軸方向か
ら観察するため、液晶の複屈折性は少なく、比較的黒っ
ぽく見えたと考える。
【０５１７】この液晶パネルに上記実施の形態１から６
で述べた転移波形を印加すると、ディスクリネーション
線を核にしてベンド配向が成長することが確認された。
【０５１８】転移を高速化するためには、ベンド転移の
核を確実に形成することが重要であり、本実施の形態で
は各画素ごとにＵＶ照射することで、各画素にｔ−スプ
レイ配向とｂ−スプレイ配向を形成し、ディスクリネー
ション線を発生させることで転移の高速化を実現でき
た。
【０５１９】上述した例では、アレイ基板側に紫外線を
照射しプレチルトの違う領域を形成したが、本発明はこ
れに限るものではない。対向基板に紫外線を照射し、プ
レチルトの異なる領域を形成しても良い。
【０５２０】また本実施の形態ではプレチルトの異なる
２つの領域に分割したが、本発明はこれに限るものでは
なく、少なくとも上下基板でプレチルトの大小関係が逆
転している領域を有していればよい。また本発明は、各
画素ごとにプレチルトの違う領域を形成したが、複数の
画素ごとに当該領域を形成するようなしてもよい。、ま
た、画素内に多数の領域があってもかまわない。ただ
し、ゲートラインなど画素電極がつながっていない領域
では、各画素ごとに転移核を形成していることが望まし
い。
【０５２１】また本実施の形態では、プレチルトは５
度、３度、２度のものを用いたが、本発明はこれに限る
ものではない。ただし、安定してディスクリネーション
を発生させるためには基板内のプレチルトの最大と最小
の差を１度以上にする必要が有り、より望ましくは２度
以上にすることが望ましい。また安定にベンド配向する
ためには、プレチルトの最小値が１度以上が理想的であ
り、望ましくは２度以上が望ましい。
【０５２２】（実施の形態２０−２）本実施の形態２０
−２では、ラビング強度に面内分布を持たせることで、
プレチルト角に分布を持たせた。
【０５２３】一般に液晶の配向処理にはラビング処理が
行われている。これは均一な長さの繊維を用いて基板表
面を擦ることで液晶の配向性を制御している。一般にラ
ビング強度が強いとプレチルトが低いことが知られてい
る。本実施の形態２０−２では、ラビングに用いる繊維
の長さを不均一にすることでラビング強度に分布を持た
せ、プレチルトを意図的に不均一にした。
【０５２４】繊維の長さを変えるため、本実施の形態で
は、図４９に示す横幅５０μｍ高さ１００μｍの微小な
段差５１０を有する基板５１１を用いて、均一な長さの
繊維を有するラビング布５１２で、基板５１１上を１０
０回以上ラビングを行った。段差５１０の高い部分では
ラビング布５１２の損耗が激しく、これにより、図５０
に示すようにラビング繊維の長さに分布を持ったラビン
グ布５１１ａを得た。
【０５２５】このラビング布５１１ａを用いるとプレチ
ルト角に分布が発生し、プレチルトが２から５度までの
領域がランダムに発生した。上下基板ともプレチルトに
分布を持たせる処理を行った。この２枚の基板を組み合
わせると、さまざまなプレチルトの組み合わせ領域が形
成される。しかし、これらの領域は、大別すると電圧無
印加状態において、セル厚方向中央部での液晶分子が斜
め上方に向いているｂ−スプレイ配向に近似した配向領
域と、セル厚方向中央部での液晶分子が斜め下方に向い
ているｔ−スプレイ配向に近似した配向領域の２種の領
域に分けられる。本実施の形態では、このプレチルトの
分布は画素よりも小さい領域で発生したため、この２種
の領域を各画素に形成することができた。
【０５２６】このような構成の液晶表示パネルに電圧を
印加すると、ｂ−スプレイ配向とｔ−スプレイ配向の２
種の配向領域が形成され、２種の配向領域の境界部でデ
ィスクリネーション線が発生し、これを核にしてベンド
転移が確認された。
【０５２７】本実施の形態２０−２ではラビング強度の
分布を形成するために繊維の長さに分布を形成したが、
本発明はこれに限るものではない。ラビング布の繊維質
をコットンとレーヨンの混合にすることでラビング強度
の分布を形成することができた。ここでは柔軟なコット
ンと剛直なレーヨンの繊維を独立に編み込むラビング布
を実現した。
【０５２８】（実施の形態２０−３）図５１はアレイ配
線によるラビングの影を示した概念図である。本実施の
形態２０−３では、アレイ基板５００上に形成されてい
る金属配線（ソース電極線５２０、ゲート電極線５２
１）によるラビングの影を用いて局所的にラビング強度
の弱い領域を形成した。なお、対向基板５０１側では、
ラビング強度が均一な通常のラビング処理を行った。ア
レイ基板５００でのラビング方向はソース電極線５２０
の延在方向から２０度傾けて行った。このとき、ゲート
電極線５２１及びソース電極線５２０は画素電極部分よ
りも高くなっているため、ラビング処理をすると、ゲー
ト電極線５２１及びソース電極線５２０のエッジ部分５
２２でラビング強度が弱くなり、画素領域のその他の領
域５２３に比べプレチルトが高くなった。
【０５２９】ここで、対向基板５０１のプレチルト角
は、前記した２つのプレチルトの中間的な値にした。こ
のようなラビング処理により、電圧無印加時において、
領域５２２にはセル厚方向中央部での液晶分子が斜め上
方に向いているｂ−スプレイ配向に近似した配向が形成
され、領域５２３にはセル厚方向中央部での液晶分子が
斜め下方に向いているｔ−スプレイ配向に近似した配向
が形成された。これにより、上記実施の形態と同様に電
圧を印加すると、領域５２２にｂ−スプレイ配向が形成
され、領域５２３にｔ−スプレイ配向が形成され、この
２種の配向領域の境界部でディスクリネーション線が発
生し、これを核にしてベンド転移が確認された。
【０５３０】ところで、本実施の形態２０−３での画素
電極は縦長の形状であった。このような縦長形状の画素
電極の場合、上下方向にラビングすると、プレチルトの
高い領域の面積は各画素では少ない。むしろ左右方向に
ラビングするとプレチルトの高い領域の面積は広く得ら
れた。また上述した例のように、斜め方向にラビングし
たときにプレチルトの高い領域の面積は最大に得られ
た。この結果から、ラビング方向はソース電極線５２０
に対して角度を持ってラビングを行う方式がプレチルト
の異なる領域を十分に形成でき、ベンド転移を効率よく
実現することができる。
【０５３１】また、ソース電極線と画素電極間、並び
に、ゲート電極線と画素電極間のそれぞれに横電界が発
生している場合には、以下に述べるように横電界の発生
方向とラビング方向とが転移容易性に影響を与える。即
ち、上下方向にラビングすると、ディスクリネーション
線は横方向に発生する。このとき、ソース電極線と画素
電極間に横電界が発生していると、この横電界効果によ
って転移が良好であった。また、左右方向にラビングす
ると、ディスクリネーション線は縦方向に発生する。こ
のとき、ゲート電極線と画素電極間に横電界が発生して
いると転移が良好であった。また、斜め方向にラビング
すると、ディスクリネーション線は図中の画素の左上か
ら右下まで走り、このときにはソース電極線と画素電極
間の横電界、並びに、ゲート電極線と画素電極間の横電
界の双方が効果的であった。
【０５３２】このように、上下方向のラビングではソー
ス電極線と画素電極間の横電界が効果が有り、左右方向
ラビングではゲート電極線と画素電極間の横電界が効果
が有り、斜め方向ラビングではソースー画素、ゲートー
画素間の双方の横電界が効果的である。従って、横電界
による効果的を希望する場合には、横電界の方向を考慮
してラビング方向を決定しておく必要がある。
【０５３３】なお、本実施の形態２０−３では金属電極
配線の影を用いたが、本発明はこれに限るものではな
い。後述する実施の形態２４に述べるような柱状スペー
サや実施の形態１３、１４に述べたような突起物であっ
てもかまわない。
【０５３４】（実施の形態２０−４）本実施の形態２０
−４では、配向膜の膜厚に分布を持たせることでプレチ
ルトに分布をもたせた。一般に配向膜の印刷は、図５２
に示す印刷版５３０を用いて行っている。ここで、一般
的に配向膜の印刷方法を図５２を参照して簡単に説明す
ると、配向膜の塗布液は、ディスペンサ５３１から回転
しているドクターロール５３２とアニロックスロール５
３３間に滴下供給される。この塗布液は、２つのロール
５３２，５３３間で練られてアニロックスロール５３３
の表面に液薄膜となって保持され、アニロックスロール
５３３から版胴５３４上の印刷版５３０に移される。そ
して、テーブル５３５上に固定された基板５３６が版胴
５３４の直下を通過するときに、塗布液が印刷版５３０
から基板５３６に転写塗布される。ところで、このよう
な配向膜の塗布工程において使用される印刷版５３０に
は、配向膜の膜厚を一定にする要請から一般的には均一
な細かいメッシュが形成されている。本実施の形態で
は、上記要請とは逆に配向膜の膜厚に分布を持たせるこ
とが要請されているため、図５３及び図５４に示すよう
にメッシュサイズＬを大きくした印刷版５３０を使用し
た。これにより、印刷の不均一が生みだされ、膜厚に分
布を持った配向膜が形成された。このようにして形成さ
れた配向膜は、膜厚が薄い領域ではプレチルトの値が低
く、この領域ではｂ−ツイスト配向が発現しやすい傾向
があった。配向膜の膜厚が厚い領域ではプレチルトの値
が高く、ｔ−ツイスト配向が発現しやすい傾向があっ
た。このようにして、 本実施の形態２０−４でも、比
較的ランダムに配向膜の薄い領域、厚い領域が形成され
るため、実施の形態２０−２と同様に２領域を形成する
ことができ、ベンド転移核を有効に形成することができ
た。
【０５３５】メッシュサイズＬとしては、１００μｍ以
上とした場合に、配向膜に十分な膜厚分布を持たせるこ
とができた。なお、参考までに述べると、通常のメッシ
ュサイズＬは５０μｍ程度である。
【０５３６】また、上記の例では、配向膜に膜厚分布を
持たせるために、メッシュサイズＬを大きくした印刷版
を用いたけれども、メッシュサイズＬを不均一にした印
刷版を用いてもよく、また、表面に凹凸をつけるように
した印刷版を用いてもよい。
【０５３７】（実施の形態２０−５）本実施の形態２０
−５では、基板の表面処理等によってプレチルト角に分
布を持たせた。具体的に説明すると、基板上に配向膜を
均一に印刷し、硬化させた後、かかる配向膜が形成され
た基板を４５℃、９０％の高湿度雰囲気中に放置した。
このとき湿度による表面処理によって配向膜の本来的に
付与されたプレチルト角が局所的に低下した。次いで、
従来と同様に配向膜表面をラビング処理することで、基
板に３度から５度のプレチルト角の分布を実現すること
ができた。
【０５３８】上記の例では、配向膜が形成された基板を
高湿度雰囲気中に放置してプレチルト角に分布を持たせ
たけれども、溶媒噴霧蒸気中を通すことや、溶媒を配向
膜に噴霧吹き付け処理をすることでも実現できる。
【０５３９】さらに、配向膜上に別種の配向膜を噴霧処
理することでも実現できる。例えばプレチルト角５度の
配向膜上にプレチルト角３度の配向膜を噴霧吹き付けす
ることで実現した。
【０５４０】（実施の形態２１）本実施の形態２１は、
基板表面を凹凸状に形成にすることにより、ベンド転移
を効率よく実現することを特徴とするものである。即
ち、基板表面を凹凸状に形成して局所的に強い電界を印
加することでｔ−スプレイ配向とｂ−スプレイ配向の領
域の形成による効果と、凸部で強い電界が印加されるこ
とによる効果の両者により、ベンド転移核を良好に発生
させることを特徴とするものである。具体的な構成は、
以下の実施の形態２１−１〜実施の形態２１−４におい
て説明することにする。
【０５４１】（実施の形態２１−１）前述した実施の形
態１３は、凸部を形成しこの凸部に電界の強い領域を形
成することにより、この電界の強い領域を転移の核にす
る方式であった。この方式を用いても、実施の形態２０
と同様にｔ−スプレイ配向とｂ−スプレイ配向が形成さ
れ、、この異なる配向の境界部で発生するディスクリネ
ーションを核に転移が発生する。以下、図５５を参照し
て、詳細に説明する。なお、図５５において、５３５は
電気力線であり、５３６は凸部あり、５３７は画素電
極、５３８は対向電極である。実施の形態１３の場合の
電気力線５３５は、図５５（ａ）のようになる。凸部５
３６での電界が強く、この電界は対向電極側５３８でさ
らに広がる。このため、図５５（ｂ）に示すように、凸
部５３６の両側には横電界成分が発生する。この結果、
図中左側では電界は左上方向に電気力線が向き、この方
向に液晶分子が向こうとするため図のようにｂ−スプレ
イ配向が形成される。図の右側では、電気力線が右上方
向に向くため、ｔ−スプレイ配向が形成される。従っ
て、ｂ−スプレイ配向とｔ−スプレイ配向の境界部に発
生するディスクリネーションを核にベンド転移が発生す
る。
【０５４２】図５６は本実施の形態２１−１に係る液晶
表示装置の駆動波形図である。この駆動波形は、ベンド
転移への初期化処理期間において、低い電圧（０Ｖ）と
高い電圧（−２５Ｖ）を交互に印加することを特徴とす
るものである。このような電圧波形を有する駆動電圧の
印加により、転移を確実に実現することができる。
【０５４３】なぜなら、転移が不確実な場合は、以下の
プロセスが発生していると考えられる。即ち、電圧印加
により、ｔ−スプレイ配向とｂ−スプレイ配向の２つの
スプレイ配向状態が発生し、殆どの画素領域ではこの２
つの配向の境界部からベンド配向が発生する。しかしな
がら、何らかの理由によりベンド配向する前に、１つの
スプレイ配向状態ににってしまった場合、転移は発生し
にくく、この画素では転移が起こらない。
【０５４４】そこで、低い電圧を印加することで、液晶
の配向を一旦初期状態に戻し、再度転移波形を印加する
ことで次回の転移を確実化するのが、この波形の特徴で
ある。よって、この低い電圧はスプレイ配向に戻る電圧
であることが最低条件であり、望ましくは絶対値で１Ｖ
以下、更に望ましくは０Ｖにするのがよい。
【０５４５】この低い電圧期間を、初期に印加すること
が望ましく、これによって初期にどのようなノイズが入
っても確実な転移が実現する。なお、パルス幅は、０．
１秒〜１０秒が望ましかった。
【０５４６】（実施の形態２１−２）本実施の形態２１
−２では各画素に凹凸形状を形成した。図５７は凹凸形
状の形成を概念的に説明した図であり、図５７（ａ）は
従来の画素構造を表わし、ここでは各画素は金属配線５
４０（ゲート電極線又はソース電極線）に挟まれた領域
である。この金属配線５４０上には窒化シリコン等によ
る絶縁膜５４１が形成されている。ただし、画素電極５
４２上には、絶縁膜５４１は一般に形成されていない。
【０５４７】図５７（ｂ）は本実施の形態２１−２を示
す断面図であり、画素電極５４２の中央部で画素電極５
４２上に島状にフォトレジスト樹脂からなる凸部５４３
を形成されている。この凸部５４３は、画素電極５４２
上に塗布されたフォトレジスト樹脂膜をフォトリソグラ
フィーによって部分的に残すことにより形成されたもの
である。凸部５４３の高さは１μｍ、幅が２０μｍとし
た。このとき画素の幅は５０μｍであった。このように
凹凸形状を形成すると、凸部（又は凹部）の左右両側で
ｂ−ツイストとｔ−ツイスト領域が形成され、良好なベ
ンド転移が実現できた。
【０５４８】凸部５４３の変形例として、図５７（ｂ）
では凸部５４３は画素電極５４２の上に形成している
が、画素電極５４２の下に形成しても良い。
【０５４９】また、凸部５４３の形状は、図５７（ｂ）
に示す形状に限らず、図５７（ｃ）に示す山形状であっ
てもよい。図５７（ｃ）に示す山形状の凸部５４３は、
例えばフォトリソグラフィーによって部分的に残された
樹脂部分を熱処理により溶融させて形状をなだらかにし
て作製することができる。特に、図５７（ｃ）に示す形
状の凸部５４３は、良好なベンド転移が実現できた。こ
れは断面形状がななめに傾斜しているので、この傾斜角
が液晶のプレチルトに加算される。このため実施の形態
２０のようにプレチルトに分布を持たせるのと同様の効
果が得られたものと考えられる。図５７（ｂ）に示した
ような急峻な形状でも液晶の配向は連続的に穏やかに変
化するため、図５７（ｃ）と同様の効果が得られたもの
と考える。
【０５５０】さらに画素電極５４２を凸部５４３の上に
形成すると、図５２（ｄ）の形状が形成できた。このよ
うな変形例では画素電極５４２を凸部５４３上に形成す
ることで、凸部５４３の電界強度を強くする効果が追加
されるため、転移が更に良好に実現できた。
【０５５１】また、凸部の更に他の変形例としては、図
５７（ｅ）に示すように、アレイ基板５４５上に窒化シ
リコンからなる凸部５４３が形成されている。この凸部
５４３は、凹凸形状を形成するために金属配線５４０上
に形成した窒化シリコン膜を部分的に残すことにより得
られたものである。本方式では作製プロセスが増加しな
いメリットがある。なお、凸部５４３の段差は１μｍ程
度を実現できた。
【０５５２】また、凸部の更に他の変形例としては、ア
レイ基板５００の表面に透明樹脂層５４６を形成し、透
明樹脂層５４６上にＩＴＯ電極を形成する手法も用い
た。図５７（ｆ）がこのときの構成である。この構成で
は金属配線５４０上の透明樹脂層５４６は盛り上がって
いるため、この透明樹脂層５４６上に形成された画素電
極５４２は凹構造になる。この凹構造部の傾斜によって
２つのツイスト領域が形成できた。さらにこの透明樹脂
層５４６をパターニングして、この層に凹凸構造を形成
しても良い。
【０５５３】（実施の形態２１−３）本実施の形態２１
−３では、基板上に凹凸を密に形成した。
【０５５４】本発明は基板上に凹凸形状を形成し、これ
によってｂ−スプレイとｔ−スプレイの領域を形成する
ことにある。よって凹凸形状は実施の形態１３のように
各画素に点在させても、また画素に複数形成しても、さ
らに画素内に密に形成しても良い。
【０５５５】本実施の形態では基板上に密に形成するた
めに、基板表面上を荒らす処理を行った。基板のＩＴＯ
表面をＯ２アッシャーで処理し、凹凸形状を最大０．２
μｍの深さとした。基板の凹凸の深さは０．１μｍ以上
あれば転移の向上に効果があった。
【０５５６】また本発明はこの手法に限るものではな
く、凹凸形状を形成できれば良い。例えばＩＴＯの蒸着
条件を速くする、膜厚を厚くする等の処理によってＩＴ
Ｏ表面の凹凸を形成することができた。なお、このと
き、ＩＴＯの結晶粒界は５０ｎｍであり、通常のＩＴＯ
の結晶粒界が１０ｎｍ以下であるのに比べて十分な凹凸
状が得られていることが理解される。
【０５５７】また凹凸パターンをアミ点印刷しても良
い。また基板をプレス成形しても良い。
【０５５８】（実施の形態２１−４）その他簡易な手法
として、通常の配向膜の中あるいは上にセル厚以下の大
きさの粒子を分散させることで、基板表面に凹凸構造を
形成してもよい。
【０５５９】（実施の形態２２）図５８は実施の形態２
２に係る液晶表示装置の要部断面図であり、図５９は実
施の形態２２に係る液晶表示装置の画素電極付近の平面
図である。本実施の形態は、上記実施の形態１１と同様
に画素電極及び対向電極の少なくとも一方の電極に、電
極欠落部を形成することを特徴とするものである。但
し、本実施の形態では、ラビング方向を考慮して電極欠
落部の形成方向を決定することを特徴とする。ここで、
図５８おいて、５５０は画素電極を示し、５５１は対向
電極を示し、５５２はアレイ基板を示し、５５３は対向
基板を示し、５５４は電極欠落部を示し、５５５は電気
力線を示し、５５６は液晶分子を示す。本実施の形態２
２における電極欠落部５５２の作用効果について、上記
の実施の形態１１と重複説明となるが、ここで再度説明
しておくことにする。電極欠落部５５４を有する箇所の
電気力線分布は図５８（ａ）のようになり、このとき液
晶の配列は図５８（ｂ）のようにｔ−スプレイ配向とｂ
−スプレイ配向ｔが形成され、その境界部のディスクリ
ネーション線からベンド転移が発生する。よって、各画
素に電極欠落部５５４を形成することでベンド転移を容
易にすることができる。この欠落部５５４は、画素電極
のみならず、対向電極に形成してもよく、また画素電極
及び対向電極の両者に形成するようにしてもよい。横電
界の形成の状態は同様である。
【０５６０】ここで、電極欠落部５５４の形成方向とラ
ビング方向との関係について考察する。電極欠落部５５
４の形成方向は、デスクリネーションラインの発生方向
と一致する。そこで、欠落部がないときに発生するディ
スクリネーション線の箇所に欠落部を形成することが安
定して転移を行うためには重要であった。例えば実施の
形態２０−３で述べたように、ラビング方向によって発
生するディスクリネーション線の方向が異なる場合があ
る。よってラビング方向と最適な欠落部５５４の形成方
向には相関関係が存在する。
【０５６１】上下方向にラビングする場合にはディスク
リネーション線は左右方向に形成されるため、欠落部５
５４は画素の左右方向に形成することが望ましい。左右
方向のラビングではディスクリネーション線は上下方向
に形成されるため、欠落部５５４は画素の上下方向に形
成するのが望ましい。斜め方向にラビングする場合に
は、欠落部５５４は画素の斜め方向に形成することが望
ましかった。
【０５６２】本実施の形態では欠落部は１本としたが、
複数本を形成しても良い。また、欠落部は図５９（ａ）
のように矩形のスリットを空けても良く、また画素周辺
に図５９（ｂ）のように切り込みを入れても良い。な
お、５９（ａ）及び図５９（ｂ）において、５５８はゲ
ート電極線であり、５５９はソース電極線である。
【０５６３】（実施の形態２３）本実施の形態は横電界
を形成することで、ｂ−スプレイとｔ−スプレイを形成
しベンド転移を確実化することを実現した。図６０を参
照して説明すると、画素電極５６０は金属電極線５６１
（ソース電極線またはゲート電極線）に挟まれた状態に
なっている。ここで画素電極５６０の電位が金属電極線
５６１の電位よりも低い場合、矢印５６２のように横電
界が発生する。この影響で液晶５６３の配向に異方性が
発生し、図６０のようにｂ−スプレイ配向とｔ−スプレ
イ配向が発生する。
【０５６４】ここで、この横電界が画素電極５６０の両
側から印加されることが特徴であり、方向性が逆になる
ため非対称なスプレイ配向が発生する。なお、ラビング
方向と横電界方向とが略一致することが、転移の促進の
観点から望ましい。以下に、横電界を形成させるための
具体的な駆動について実施の形態２３−１〜実施の形態
２３−３を例示して説明することにする。
【０５６５】（実施の形態２３−１）本実施の形態２３
−１では、ラビング方向を上下方向（図６０の左右方
向）にし、横電界はゲート電極線−画素電極間に印加す
るようにした。図６１にその駆動波形の概念図を示す。
電位レベルにはゲートレベルの高いレベル（ＧＨ）、ゲ
ートレベルの低いレベル（ＧＬ）、ソースレベルの高い
レベル（ＳＨ）とソースの低いレベル（ＳＬ）を有して
いる。ゲートレベルは前記したレベルから２種選択、ソ
ースレベルはＳＨレベルとＳＬレベルの間の電位をとる
ことができる。転移波形を印加するための対向電位も別
に有している。対向電極にはソースレベルよりも低い電
圧を印加し、これで画素電極と対向電極間に転移波形を
印加する。この転移波形は実施の形態１から６に記載し
たものなどである。
【０５６６】ここで、本実施の形態では、ソース電極線
の電圧を低いレベル（ＳＬ）とし、また、ゲート電極線
の電圧を高いレベルＧＨとした。ゲート電極線がレベル
ＧＨであるため、画素トランジスタは導通状態となる。
これにより、画素電極はソース電極線と同電位になる。
このとき、画素電極よりもゲート電極線の電圧が高いた
め、画素電極−ゲート電極線間に電圧Ｖ１に対応する横
電界が印加される。そして、画素の上方のゲート電極線
（図６０の右側の金属電極線）及び下方のゲート電極線
（図６０の右側の金属電極線）との間で電界方向が相互
に逆方向となる横電界が発生するため、本実施の形態で
は、上方部（図６０の右側部分）でｂ−スプレイ配向が
下方部でｔ−スプレイ配向が形成された。これによって
ベンド転移が良好に行われた。
【０５６７】また、補助電極層を有する構造の場合は、
横電界の効果を向上するため、図６２又は図６３に示す
構成とするのがよい。通常、図６２に示すようにゲート
電極線５７０上には補助電極層５７１が設けられ、この
補助電極層５７１は補助容量を形成している。この構成
では補助電極層５７１はゲート電界を遮蔽する効果があ
るため、ゲート電極線５７０と画素電極５８０の間に横
電界を有効に発生させるためには、この補助電極層５７
１を仮想線で示す従来例の大きさから破線で示す大きさ
のように小さくするか、又は、図６３に示すように画素
中央部に形成するとより横電界の効果が高かった。
【０５６８】（実施の形態２３−２）本実施の形態２３
−２は、上記実施の形態２３−１と同様にゲートー画素
間に横電界を印加したが、ゲートレベルを下げて実現し
た。図６４にその駆動波形の概念図を示す。電位レベル
は、基本的には実施の形態２３−１と同様である。但
し、上記実施の形態２３−１ではゲート電極線の電圧は
高いレベルＧＨのままであったけれども、本実施の形態
２３−２では、ゲート電極線の電圧は画素の充電期間中
は高いレベルＧＨとし、画素の充電期間以外の期間（画
素電位を保持している期間）は低いレベルＧＬとした。
即ち、対向電極に電圧を印加し充電が十分になされる期
間は、ソース電極線をレベルＳＨとするが、充電期間後
はソース電極線をレベルＳＬとした。これにより、電圧
Ｖ２（＞Ｖ１）に対応する横電界を画素電極とゲート電
極間に印加することができた。なお、本実施の形態で
は、画素電極よりもゲート電極電圧が低いため、上記実
施の形態２３−１とは逆の配向状態、即ち、上方部（図
６０の右側部分）でｔ−スプレイが下方部（図６０の左
側部分）でｂ−スプレイが形成された。なお、 （実施の形態２３−３）本実施の形態２３−３ではソー
スー画素間に横電界を印加したことを特徴とするもので
ある。図６５にその駆動波形の概念図を示す。本実施の
形態では、対向電極の電位が変化し充電が完了するまで
の画素の充電期間は画素トランジスタを導通状態にする
ためゲート電極線を高いレベルＧＨとし、それ以外の期
間（画素電位を保持している期間）はゲート電極線を低
いレベルＧＬにする。ゲート電極線がレベルＧＬのとき
はソース電極線と画素電極は導通していないため、ソー
ス電極線と画素電極とは異なる電位に保つことができ
る。そこで、画素電極は電位の高い状態に保ちながら、
ゲート電極線がレベルＧＬとなった段階でソース電極線
をレベルＳＬとすることにより、ソース電極線と画素電
極間に電圧Ｖ３に対応する横電界を印加した。これによ
って画素−ソース間に横電界を印加して２つのスプレイ
配向状態を形成し、ベンド転移を良好に行うことができ
た。
【０５６９】本実施の形態２３−３ではラビング方向を
横方向（図６０の紙面に垂直方向）にするとより効果的
であった。また、上記の例では、画素電位を保持してい
る期間の全ての期間中、ソース電極線をレベルＳＬとし
たけれども、画素電位を保持している期間の一部の期間
のみソース電極線をレベルＳＬとするうにしてもよい。
【０５７０】（実施の形態２４）本実施の形態２４は、
画素領域にスペーサを形成しないことでベンド転移を良
好に行うことを特徴とするものである。従来は、図６６
（ａ）に示すように画素領域５９１内に球状のビーズ５
９０を分散させて基板間の距離を保っていた。
【０５７１】ベンド転移の挙動において、このビーズ５
９０によってベンド転移が阻害される現象を我々は見出
した。そこで本実施の形態では、表示部である画素領域
５９１においてこのビーズ５９０をなくすことで転移を
良好に行うことを実現した。
【０５７２】具体的には、図６６（ｂ）及び図６７に示
すように、表示部以外の非表示領域５９２にフォトリソ
グラフィー工程を用いて厚み５μｍのスペーサ柱５９３
を形成し、これをスペーサビーズの代わりに用いた。こ
のような構成により、ベンド転移が阻害されることな
く、良好に転移が行われた。なお、図６６及び図６７に
おいて、５９４はゲート電極線を示し、５９５はソース
電極線を示す。また、スペーサ柱５９３の配置は、図６
６（ｂ）に限定されるものではなく、非表示領域に形成
されていればよい。
【０５７３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば，ＯＣＢセ
ルを用いた液晶表示装置の駆動方法で，一対の基板に、
バイアス電圧を重畳した交流電圧を印加して、これを連
続印加することにより、または、一対の基板に、バイア
ス電圧を重畳した交流電圧を印加する工程とオープン状
態もしくは低電圧を印加する工程を交互に繰り返すこと
により，スプレイ配向からベンド配向への転移をほぼ確
実にかつ極めて短時間に完了でき、表示欠陥の無い、応
答速度が速く動画像表示に適した，かつ広視野のベンド
配向型ＯＣＢの液晶表示装置を得ることができる。
【０５７４】また、本発明によれば、スプレイ配向から
ベンド配向への転移を確実に速くし易い、表示欠陥の無
いアクティブマトリックス型の液晶セルからなる高速応
答広視野で高画質のＯＣＢ表示モードの液晶表示装置を
得ることが出来るという効果が得られる。
【０５７５】また、本発明によれば、初期化期間中に配
向状態が異なる複数の液晶領域を発現させることによ
り、その液晶領域の境界部でディスクリネーション線を
形成することができ、迅速且つ確実にベンド配向への転
移が達成できる。
【０５７６】また、本発明によれば、アレー基板と対向
基板の間の液晶層上下界面の液晶のプレチルト角が正負
逆で、互いに平行に配向処理されたスプレイ配向の液晶
セルで、電圧無印加時にはスプレイ配向となっており、
液晶表示駆動に先立って、電圧印加によりスプレイ配向
からベンド配向に転移させる初期化処理が行われ、この
初期化されたベンド配向状態で液晶表示駆動を行うアク
ティブマトリックス型の液晶表示装置において、１画素
内に、少なくとも１つの転移励起用の横電界印加部を有
し、該横電界印加部によって横電界を発生させるととも
に、画素電極と共通電極間に連続的または間欠的に電圧
を印加し、画素毎に転移核を発生させ画素全体をスプレ
イ配向からベンド配向に転移させることにより、スプレ
イ配向からベンド配向への転移を速く確実に起こさせ、
これにより表示欠陥のないしかも高速応答で広視野高画
質のＯＣＢ表示モードの液晶表示装置を提供することが
可能となる。
【０５７７】また、本発明によれば、ＯＣＢ表示モード
の配向液晶表示素子は、一対の基板間に挟持される液晶
層と、基板の外側に配設される位相補償板とを含むパラ
レル配向液晶表示素子であり、確実かつ高速なスプレイ
−ベンド配向転移を達成することができ、その実用的価
値は極めて大きい。
【０５７８】また、本発明によれば、互いに対向する第
１の基板と第２の基板との間に保持された液晶に電場を
印加し、前記液晶の配向をベンド配向に転移させる方法
であって、前記液晶のスプレイ弾性定数ｋ11を、１０×
１０-7ｄｙｎ≧ｋ11≧６×１０-7ｄｙｎの範囲とし、且
つ、前記第１の基板に対する前記液晶のプレチルト角の
絶対値をθ1とし、前記第２の基板に対する前記液晶の
プレチルト角の絶対値をθ2としたとき、１．５７ｒａ
ｄ＞｜θ1−θ2｜≧０．０００２ｒａｄなる関係を満た
すため、液晶をベンド配向に速やかに転移させることが
できる。
【０５７９】また、本発明によれば、互いに対向する第
１の基板と第２の基板との間に保持された液晶に電場を
印加し、前記液晶の配向をベンド配向に転移させる方法
であって、前記液晶のスプレイ弾性定数ｋ11を、１０×
１０-7ｄｙｎ≧ｋ11≧６×１０-7ｄｙｎの範囲とし、且
つ、前記電場が、空間的に均一に印加される主電場に、
空間的に不均一に印加される副電場を重畳させた電場で
あり、前記主電場をＥ0とし、前記副電場の最大値をＥ1
としたとき、１．０＞Ｅ1／Ｅ0＞１／１００なる関係を
満たすため、液晶をベンド配向に速やかに転移させるこ
とができる。
【０５８０】また、本発明によれば、互いに対向する第
１の基板と第２の基板との間に保持された液晶に電場を
印加し、前記液晶の配向をベンド配向に転移させる方法
であって、前記第１の基板に対する前記液晶のプレチル
ト角の絶対値をθ1とし、前記第２の基板に対する前記
液晶のプレチルト角の絶対値をθ2としたとき、１．５
７ｒａｄ＞｜θ1−θ2｜≧０．０００２ｒａｄなる関係
を満たし、且つ、前記電場が、空間的に均一に印加され
る主電場に、空間的に不均一に印加される副電場を重畳
させた電場であり、前記主電場をＥ0とし、前記副電場
の最大値をＥ1としたとき、１．０＞Ｅ1／Ｅ0＞１／１
００なる関係を満たすため、液晶をベンド配向に速やか
に転移させることができる。
【０５８１】また、本発明によれば、互いに対向する第
１の基板と第２の基板との間に保持された液晶に電場を
印加し、前記液晶の配向をベンド配向に転移させる方法
であって、前記液晶のスプレイ弾性定数ｋ11を１０×１
０-7ｄｙｎ≧ｋ11≧６×１０ -7ｄｙｎの範囲とし、前記
第１の基板に対する前記液晶のプレチルト角の絶対値を
θ1とし、前記第２の基板に対する前記液晶のプレチル
ト角の絶対値をθ2としたとき、１．５７ｒａｄ＞｜θ1
−θ2｜≧０．０００２ｒａｄなる関係を満たし、且
つ、前記電場が、空間的に均一に印加される主電場に、
空間的に不均一に印加される副電場を重畳させた電場で
あり、前記主電場をＥ0とし、前記副電場の最大値をＥ1
としたとき、１．０＞Ｅ1／Ｅ0＞１／１００なる関係を
満たすため、液晶をベンド配向に速やかに転移させるこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ベンド配向型のＯＣＢセルを備えた液晶表示装
置の一部分を示す斜視図である。
【図２】スプレイ配向からベンド配向へ転移する様子を
説明する液晶セルの断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置の駆
動法による画素単位の構成概念図である。
【図４】本発明の実施の形態１で使用した配向転移用電
圧波形図である。
【図５】本発明の実施の形態１におけるバイアス電圧と
転移時間の関係図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る液晶表示装置の駆
動法による画素単位の構成概念図である。
【図７】本発明の実施の形態２で使用した配向転移用電
圧波形図である。
【図８】本発明の実施の形態２におけるバイアス電圧と
転移時間の関係図である。
【図９】本発明の実施の形態３に係る液晶表示装置の駆
動法による画素単位の構成概念図である。
【図１０】本発明の実施の形態３で使用した配向転移用
電圧波形図である。
【図１１】本発明の実施の形態３におけるバイアス電圧
と転移時間の関係図である。
【図１２】本発明の実施の形態４に係る液晶表示装置の
駆動法による画素単位の構成概念図である。
【図１３】本発明の実施の形態４に係る液晶表示装置の
通常駆動電圧波形図である。
【図１４】本発明の実施の形態４で使用した配向転移用
電圧波形図である。
【図１５】本発明の実施の形態５で使用した配向転移用
電圧波形図である。
【図１６】本発明の実施の形態７に係る液晶表示装置の
概略断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態７に係る液晶表示装置の
概略平面図である。
【図１８】本発明の実施の形態７に係る液晶表示装置の
製造方法を示す図である。
【図１９】本発明の実施の形態８に係る液晶表示装置を
示す図であり、図１９（ａ）は液晶表示装 置の
概略断面図、図１９（ｂ）は液晶表示装置の概略平面図
である。
【図２０】本発明の実施の形態９に係る液晶表示装置の
構成を概念的に示した図であり、図２０（ａ）は液晶表
示装置の概略平面図、図２０（ｂ）は液晶表示装置の概
略断面図である。
【図２１】本発明の実施の形態９に係る液晶表示装置の
構成を概念的に示した図である。
【図２２】本発明の実施の形態９に係る液晶表示装置の
他の例を示す図である。
【図２３】本発明の実施の形態１０に係る液晶表示装置
の構成を概念的に示した図であり、図２３（ａ）は液晶
表示装置の概略平面図、図２３（ｂ）は液晶表示装置の
概略断面図、図２３（ｃ）は他の例の液晶表示装置の概
略断面図、図２３（ｄ）は他の例の液晶表示装置の概略
断面図である。
【図２４】本発明の実施の形態１１に係る液晶表示装置
の構成を概念的に示した図であり、図２４（ａ）は液晶
表示装置の概略平面図、図２４（ｂ）は電界の歪みを示
す概略図である。
【図２５】本発明の実施の形態１２に係る液晶表示装置
の構成を概念的に示した図であり、図２５（ａ）は液晶
表示装置の概略断面図、図２５（ｂ）は概略平面図であ
る。
【図２６】本発明の実施の形態１３に係る液晶表示装置
の断面構成を概念的に示す図である。
【図２７】本発明に係わる液晶表示装置の実施の形態１
３，１４のガラス基板上に形成された凸形状物の製造プ
ロセスを説明するための図である。
【図２８】本発明に係わる図２７に続く凸形状物の製造
プロセスを説明するための図である。
【図２９】本発明の実施の形態１３に用いた基板のラビ
ング方向を示す図である。
【図３０】本発明に係わる実施の形態１４の構成外観図
である。
【図３１】本発明に係わる実施の形態１４の平面図であ
る。
【図３２】本発明の実施の形態１５に係る液晶表示装置
に備えられる液晶セルの構成外観図である。
【図３３】本発明の実施の形態１５に係る液晶セルの凸
形状物の製造プロセスを説明するための図である。
【図３４】本発明の実施の形態１６に係る液晶表示装置
に備えられる液晶セルの断面構成を概念的に示す図であ
る。
【図３５】本発明の実施の形態１６に係る液晶セルに用
いた透明電極のパターンを概念的に示す図である。
【図３６】本発明の実施の形態１７に係る液晶表示装置
に備えられる液晶セルの要部断面図である。
【図３７】図３６の一部の拡大図である。
【図３８】本発明の実施の形態１８に係る液晶表示装置
に備えられる液晶セルの要部断面図である。
【図３９】本発明の実施の形態１８に係る液晶表示装置
に備えられる液晶セルでの光学素子の配置を説明するた
めの図である。
【図４０】本発明の実施の形態１８に係る液晶表示装置
に備えられる液晶セルの電圧−透過率特性を示す図であ
る。
【図４１】図４１（ａ）はモジニアス配向を示す模式図
（ａ）であり、図４１（ｂ）はベンド配向を示す模式図
（ｂ）である。
【図４２】液晶層のディレクターを示す図である。
【図４３】ＣＲ等価回路を示す図である。
【図４４】時間とともに増加する外部電場下での液晶の
配向角（θj）の時間変化を示す図である。
【図４５】スプレイ弾性定数（ｋ11）と臨界電場（Ｅ
ｃ）との関係を示す図である。
【図４６】プレチルト角の絶対値の差（Δθ）と臨界電
場（Ｅｃ）との関係を示す図である。
【図４７】電場の不均一性（Ｅ1／Ｅ0）と臨界電場（Ｅ
ｃ）との関係を示す図である。
【図４８】図４８は実施の形態２０−１の係る液晶表示
装置の配向状態を示す概念図である。
【図４９】段差５１０を有する基板５１１の斜視図であ
る。
【図５０】ラビング繊維の長さに分布を持ったラビング
布５１１ａの拡大図である。
【図５１】実施の形態２０−３におけるアレイ配線によ
るラビングの影を示した概念図である。
【図５２】配向膜の塗布装置を示す図である。
【図５３】印刷版５３０の表面の部分拡大平面図であ
る。
【図５４】印刷版５３０の表面の部分拡大断面図であ
る。
【図５５】実施の形態２１−２の係る液晶表示装置の電
気力線分布と液晶の配向状態を示す概念図であり、図５
５（ａ）は電気力線分布図であり、図５５（ｂ）は液晶
の配向状態を示す図である。
【図５６】本実施の形態２１−１に係る液晶表示装置の
駆動波形図である。
【図５７】本実施の形態２１−２に係る液晶表示装置の
構造を示す概念図でおり、図５７（ａ）は従来例の画素
構造を示す図であり、図５７（ａ）は画素の凹凸構造を
示す図であり、図５７（ｂ）は画素の凹凸構造の変形例
を示す図であり、図５７（ｃ）は画素の凹凸構造の変形
例を示す図であり、図５７（ｄ）は画素の凹凸構造の他
の変形例を示す図であり、図５７（ｅ）は画素の凹凸構
造の他の変形例を示す図であり、図５７（ｆ）は画素の
凹凸構造の他の変形例を示す図である。
【図５８】実施の形態２２に係る液晶表示装置の要部断
面図である。
【図５９】実施の形態２２に係る液晶表示装置の画素電
極付近の平面図である。
【図６０】実施の形態２３に係る液晶表示装置の動作を
示す概念図である。
【図６１】実施の形態２３−１に係る液晶表示装置の転
移電圧波形を示す概念図である。
【図６２】補助電極層５７１の形状を示す平面図であ
る。
【図６３】補助電極層５７１の他の形状を示す平面図で
ある。
【図６４】実施の形態２３−２に係る液晶表示装置の転
移電圧波形を示す概念図である。
【図６５】実施の形態２３−３に係る液晶表示装置の転
移電圧波形を示す概念図である。
【図６６】実施の形態２４に係るスペーサを説明するた
めの基板平面図であり、図６６（ａ）は従来例のスペー
サを示す図であり、図６６（ｂ）は本発明のスペーサを
示す図である。
【図６７】実施の形態２４に係るスペーサを説明するた
めの基板断面図である。
【図６８】従来例の断面図である。
【符号の説明】
２０，２１ 基板 ２２，２３ 電極 ２４，２５ 配向膜 ２６ 液晶層 ３０，４０，５０，７１，７２ 配向転移用駆動回路 ３１ 液晶表示駆動回路 １０１・１０２ 偏光板 １０３ 位相補償板 １０４ 液晶セル １０５ 対向基板 １０６ アレー基板 １０７ 共通電極 １０８ 画素電極 １０９・１１０ 配向膜 １１１ スイッチング素子 １１２ 液晶層 １１３ 信号電極線 １１４・１１４’ ゲート電極線 １２０ ｂ−スプレイ配向 １２１ ｔ−スプレイ配向 １２３ ディスクリネーション線 １２４ ベンド配向 Ａ２・Ｂ２・Ｃ２・Ｄ２ プレチルト角 ２０１ａ アレー基板 ２０１ｂ 対向基板 ２０２ａ 画素電極 ２２１ａ 画素電極の凹部 ２２２ａ 画素電極の凸部 ２２３ａ 画素電極の非嵌合型凸部 ２２４ａ 画素電極の非嵌合型凸部 ２０２ｂ 共通電極 ２０３ａ 配向膜 ２０３ａｍ 配向膜 ２０３ａｈ 配向膜 ２０３ｂ 配向膜 ２０３ｂｍ 配向膜 ２０３ｂｈ 配向膜 ２０４ａ 偏光板 ２０４ｂ 偏光板 ２０５ 位相補償板 ２０６ 信号電極線 ２６１ 信号電極線の凸部 ２６２ 信号電極線の凹部 ２６３ 信号電極線の非嵌合型凸部 ２０７ ゲート電極線 ２７１ ゲート電極線の凸部 ２７２ ゲート電極線の凹部 ２７３ ゲート電極線の非嵌合型凸部 ２０８ スイッチングトランジスタ（素子） ２０９ 横電界印加用線 ２９１ 横電界印加用線の凸部 ２０９ａ 横電界印加用線 ２９１ａ 横電界印加用線の凸部 ２１０ 液晶層 ２９８ 液晶層 ２９９ 液晶層 ２１１ 液晶分子 ２１２ 透明絶縁膜 ２２５ 電極欠陥部 ２２６ ディスクリネーション線 ２２７ｂ ｂ−スプレイ配向 ２２７ｔ ｔ−スプレイ配向 ３０１，３０８ ガラス基板 ３０２，３０７ 透明電極 ３０３，３０６ 配向膜 ３０４ 液晶層 ３０４ａ 電圧無印加時の液晶配向（スプレイ配向） ３０４ｂ 電圧印加時の液晶配向（ベンド配向） ３０５ スペーサ ３０９ テストセル ３１０ 凸形状物 ３１１，３１４ 負の一軸性フィルム位相板 ３１２，３１５ 主軸がハイブリッド配列した負の屈折
率異方性を有する光学媒体よりなる位相差板 ３１３，３１６ 偏光板 ３１７，３１８ 位相補償板 ３１９ 正の一軸性フィルム位相板 ３２０ レジスト薄膜 ３２１ フォトマスク ３２２ フォトマスク開口部 ３２３ 平行紫外線 ３６０ 三角形状物 ３８０ 電極開口部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/139 Ｇ０２Ｆ 1/139 (31)優先権主張番号 特願平11−200102 (32)優先日 平成11年７月14日(1999．7．14) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (72)発明者 石原 將市 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 久保田 浩史 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 八田 真一郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 足達 克己 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 田中 好紀 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 中村 美香 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 上村 強 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (141)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 上下一対の基板と、基板間に挟持される
    液晶層とを含み、電圧無印加時には前記液晶層は上下界
    面の液晶のプレチルト角が正負逆で、互いに平行に配向
    処理されたスプレイ配向となっており、液晶表示駆動に
    先立って、前記基板間への電圧印加により前記液晶層の
    配向状態をスプレイ配向からベンド配向に転移させる初
    期化処理を行ない、この初期化されたベンド配向状態で
    液晶表示駆動を行う液晶表示装置における前記スプレイ
    配向からベンド配向に配向転移させるための駆動方法に
    おいて、 バイアス電圧を重畳した交流電圧を前記基板間に印加し
    て、液晶層をベンド配向に転移させることを特徴とする
    液晶表示装置の駆動方法。
  2. 【請求項２】 上下一対の基板と、基板間に挟持される
    液晶層とを含み、電圧無印加時には前記液晶層は上下界
    面の液晶のプレチルト角が正負逆で、互いに平行に配向
    処理されたスプレイ配向となっており、液晶表示駆動に
    先立って、前記基板間への電圧印加により前記液晶層の
    配向状態をスプレイ配向からベンド配向に転移させる初
    期化処理を行ない、この初期化されたベンド配向状態で
    液晶表示駆動を行う液晶表示装置における前記スプレイ
    配向からベンド配向に配向転移させるための駆動方法に
    おいて、 前記バイアス電圧を重畳した交流電圧を前記基板間に印
    加する工程と、前記基板間を電気的に開放状態にする工
    程とを交互に繰り返し実施して、液晶層をベンド配向に
    転移させることを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
  3. 【請求項３】 上下一対の基板と、基板間に挟持される
    液晶層とを含み、電圧無印加時には前記液晶層は上下界
    面の液晶のプレチルト角が正負逆で、互いに平行に配向
    処理されたスプレイ配向となっており、液晶表示駆動に
    先立って、前記基板間への電圧印加により前記液晶層の
    配向状態をスプレイ配向からベンド配向に転移させる初
    期化処理を行ない、この初期化されたベンド配向状態で
    液晶表示駆動を行う液晶表示装置における前記スプレイ
    配向からベンド配向に配向転移させるための駆動方法に
    おいて、 バイアス電圧を重畳した交流電圧を前記基板間に印加す
    る工程と、前記基板間にゼロ電圧あるいは低電圧を印加
    する工程とを交互に繰り返し実施して、液晶層をベンド
    配向に転移させることを特徴とする液晶表示装置の駆動
    方法。
  4. 【請求項４】 前記バイアス電圧を重畳した交流電圧に
    代えて、直流電圧とすることを特徴とする請求項２又は
    ３記載の液晶表示装置の駆動方法。
  5. 【請求項５】 前記交互に繰り返す電圧の周波数は０．
    １Ｈｚから１００Ｈｚの範囲であり、且つ前記交互に繰
    り返す電圧のデューティ比は少なくとも１：１から１０
    ００：１の範囲であることを特徴とする請求項２記載の
    液晶表示装置の駆動方法。
  6. 【請求項６】 前記交互に繰り返す電圧の周波数は０．
    １Ｈｚから１００Ｈｚの範囲であり、且つ前記交互に繰
    り返す電圧のデューティ比は１：１から１０００：１の
    範囲であることを特徴とする請求項３記載の液晶表示装
    置の駆動方法。
  7. 【請求項７】 アクティブマトリックス型液晶表示装置
    の駆動方法であって、前記交流電圧は、一方の基板に形
    成されたスイッチング素子に連結されたアクティブマト
    リックス型の液晶表示装置の画素電極と、他方の基板に
    形成された共通電極との間に印加されることを特徴とす
    る請求項１記載の液晶表示装置の駆動方法。
  8. 【請求項８】 アクティブマトリックス型液晶表示装置
    の駆動方法であって、前記交流電圧は、一方の基板に形
    成されたスイッチング素子に連結されたアクティブマト
    リックス型の液晶表示装置の画素電極と、他方の基板に
    形成された共通電極との間に印加されることを特徴とす
    る請求項２、３、５、６の何れかに記載の液晶表示装置
    の駆動方法。
  9. 【請求項９】 前記交流電圧は、共通電極に印加される
    ことを特徴とする請求項８記載の液晶表示装置の駆動方
    法。
  10. 【請求項１０】 アクティブマトリックス型液晶表示装
    置の駆動方法であって、前記直流電圧は、一方の基板に
    形成されたスイッチング素子に連結されたアクティブマ
    トリックス型の液晶表示装置の画素電極と、他方の基板
    に形成された共通電極との間に印加されることを特徴と
    する請求項４記載の液晶表示装置の駆動方法。
  11. 【請求項１１】 前記直流電圧は、共通電極に印加され
    ることを特徴とする請求項１０記載の液晶表示装置の駆
    動方法。
  12. 【請求項１２】 前記交流電圧の電圧値は、液晶層をス
    プレイ配向状態からベンド配向状態へ転移させるのに必
    要な最小電圧値である臨界電圧値に設定されていること
    を特徴とする請求項１、２、３、５、６、７、８、９の
    何れかに記載の液晶表示装置の駆動方法。
  13. 【請求項１３】 前記直流電圧の電圧値は、液晶層をス
    プレイ配向状態からベンド配向状態へ転移させるのに必
    要な最小電圧値である臨界電圧値に設定されていること
    を特徴とする請求項４、１０、１１の何れかに記載の液
    晶表示装置の駆動方法。
  14. 【請求項１４】 前記電圧は時間的に平均的に交流化さ
    れた電圧であることを特徴とする請求項１乃至１３の何
    れかに記載の液晶表示装置の駆動方法。
  15. 【請求項１５】 上下一対の基板と、基板間に挟持され
    る液晶層とを含み、電圧無印加時には前記液晶層は上下
    界面の液晶のプレチルト角が正負逆で、互いに平行に配
    向処理されたスプレイ配向となっており、液晶表示駆動
    に先立って、前記基板間への電圧印加により前記液晶層
    の配向状態をスプレイ配向からベンド配向に転移させる
    初期化処理を行ない、この初期化されたベンド配向状態
    で液晶表示駆動を行う液晶表示装置において、 前記液晶層をスプレイ配向からベンド配向に転移させる
    ため、前記基板間にバイアス電圧を重畳した交流電圧又
    は直流電圧を印加する電圧印加手段を有することを特徴
    とする液晶表示装置。
  16. 【請求項１６】 前記交流電圧又は直流電圧の電圧値
    は、液晶層をスプレイ配向状態からベンド配向状態へ転
    移させるのに必要な最小電圧値である臨界電圧値に設定
    されていることを特徴とする請求項１５記載の液晶表示
    装置。
  17. 【請求項１７】 上下一対の基板と、基板間に挟持され
    る液晶層とを含み、液晶表示駆動に先立って、前記基板
    間への電圧印加により前記液晶層の初期配向をベンド配
    向に転移させる初期化処理を行ない、この初期化された
    ベンド配向状態で液晶表示駆動を行う液晶表示装置にお
    いて、 前記ベンド配向状態に転移させる初期化処理過程中に、
    配向状態が異なる複数の液晶領域を液晶層内に発現させ
    る手段を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
  18. 【請求項１８】 上下一対の基板と、基板間に挟持され
    る液晶層とを含み、電圧無印加時には前記液晶層はスプ
    レイ配向となっており、液晶表示駆動に先立って、前記
    基板間への電圧印加により前記液晶層の配向状態をスプ
    レイ配向からベンド配向に転移させる初期化処理を行な
    い、この初期化されたベンド配向状態で液晶表示駆動を
    行う液晶表示装置において、 前記ベンド配向状態に転移させる初期化処理過程中に、
    ２種類のスプレイ配向状態を有する液晶領域を液晶層内
    に発現させる手段を備えたことを特徴とする液晶表示装
    置。
  19. 【請求項１９】 上下一対の基板と、基板間に挟持され
    る液晶層とを含み、電圧無印加時には前記液晶層はスプ
    レイ配向となっており、液晶表示駆動に先立って、前記
    基板間への電圧印加により前記液晶層の配向状態をスプ
    レイ配向からベンド配向に転移させる初期化処理を行な
    い、この初期化されたベンド配向状態で液晶表示駆動を
    行う液晶表示装置において、 電圧を印加しない状態において、上下一対の基板間中央
    部での液晶分子の傾斜角度が正負逆となる配向状態の２
    つの液晶領域が少なくとも形成されていることを特徴と
    する液晶表示装置。
  20. 【請求項２０】 上下一対の基板と、基板間に挟持され
    る液晶層とを含み、液晶表示駆動に先立って、前記基板
    間への電圧印加により前記液晶層の配向状態をベンド配
    向に転移させる初期化処理を行ない、この初期化された
    ベンド配向状態で液晶表示駆動を行う液晶表示装置にお
    いて、 前記ベンド配向状態に転移させる初期化処理過程中に、
    前記液晶層にディスクリネーション線を形成させる手段
    を備え、 前記ディスクリネーション線からベンドの転移核が発生
    ないし拡大するようにしたことを特徴とする液晶表示装
    置。
  21. 【請求項２１】 上下一対の基板と、基板間に挟持され
    る液晶層とを含み、液晶表示駆動に先立って、前記基板
    間への電圧印加により前記液晶層の配向状態をベンド配
    向に転移させる初期化処理を行ない、この初期化された
    ベンド配向状態で液晶表示駆動を行う液晶表示装置にお
    いて、 前記スプレイ配向状態の液晶層にベンド配向状態に転移
    する電圧より低い電圧を印加した場合、液晶層内にｂ−
    スプレイ配向領域とｔ−スプレイ配向領域とが発現され
    ることを特徴とする液晶表示装置。
  22. 【請求項２２】 上下一対の基板と、基板間に挟持され
    る液晶層とを含み、液晶表示駆動に先立って、前記基板
    間への電圧印加により前記液晶層の配向状態をベンド配
    向に転移させる初期化処理を行ない、この初期化された
    ベンド配向状態で液晶表示駆動を行う液晶表示装置にお
    いて、 前記スプレイ配向状態の液晶層にベンド配向状態に転移
    する電圧より低い電圧を印加した場合、２種の配向領域
    が発現し、前記２種の配向領域の透過率の大小関係が、
    配向方向から観察した場合と配向方向から１８０度なす
    方向から観察した場合で反対であることを特徴とした液
    晶表示装置。
  23. 【請求項２３】 上下一対の基板と、基板間に挟持され
    る液晶層とを含み、液晶表示駆動に先立って、前記基板
    間への電圧印加により前記液晶層の配向状態をベンド配
    向に転移させる初期化処理を行ない、この初期化された
    ベンド配向状態で液晶表示駆動を行う液晶表示装置にお
    いて、 電圧未印加時において、前記液晶層には、前記一対の基
    板のうち一方の基板付近の液晶分子の長軸と基板法線と
    のなす角度を第１の角度とし、他方の基板付近の液晶分
    子の長軸と基板法線とのなす角度を第２の角度とした場
    合、前記第１の角度と前記第２の角度とを絶対値で比較
    したときに第１の角度が第２の角度よりも大きい領域
    と、第２の角度が第１の角度よりも大きい領域がともに
    形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
  24. 【請求項２４】 上下一対の基板と、基板間に挟持され
    る液晶層とを含み、液晶表示駆動に先立って、前記基板
    間への電圧印加により前記液晶層の配向状態をベンド配
    向に転移させる初期化処理を行ない、この初期化された
    ベンド配向状態で液晶表示駆動を行う液晶表示装置にお
    いて、 電圧未印加時において、前記液晶層には、セル厚方向中
    央部の液晶分子の傾斜角が異なる領域が複数形成されて
    いることを特徴とする液晶液晶表示装置。
  25. 【請求項２５】 上下一対の基板と、基板間に挟持され
    る液晶層とを含み、液晶表示駆動に先立って、前記基板
    間への電圧印加により前記液晶層の配向状態をベンド配
    向に転移させる初期化処理を行ない、この初期化された
    ベンド配向状態で液晶表示駆動を行う液晶表示装置にお
    いて、 前記液晶のスプレイ配向状態にベンド配向状態に転移す
    る電圧以下の電圧を印加した場合、セル厚方向中央部の
    液晶分子の傾斜角が異なる領域が複数形成されることを
    特徴とする液晶液晶表示装置。
  26. 【請求項２６】 前記複数の領域が各画素内に形成され
    ることを特徴とする請求項１７乃至２５のいずれかに記
    載の液晶表示装置
  27. 【請求項２７】 前記複数の領域が複数の画素単位で形
    成されることを特徴とする請求項１７，１８，１９，２
    １，２２，２３，２４，２５のいずれかに記載の液晶表
    示装置。
  28. 【請求項２８】 前記ディスクリネーション線が各画素
    内に形成されることを特徴とする請求項２０記載の液晶
    表示装置。
  29. 【請求項２９】 前記ディスクリネーション線が複数の
    画素単位で形成されることを特徴とする請求項２０記載
    の液晶表示装置。
  30. 【請求項３０】 ベンド転移を生じさせる所定波形の転
    移電圧を印加することを特徴とする請求項１７乃至２９
    のいずれかに記載の液晶表示装置。
  31. 【請求項３１】 前記一対の基板のうち少なくとも一方
    の基板における液晶のプレチルト角が複数種存在するこ
    とを特徴とする請求項１７乃至２５のいずれかに記載の
    液晶表示装置。
  32. 【請求項３２】 前記プレチルト角の最大値と最小値の
    差が１度以上であることを特徴とする請求項３１記載の
    液晶表示装置。
  33. 【請求項３３】 前記プレチルト角の最大値と最小値の
    差が２度以上であることを特徴とする請求項３１記載の
    液晶表示装置。
  34. 【請求項３４】 前記プレチルト角の最小値が１度以上
    であることを特徴とする請求項３１記載の液晶表示装
    置。
  35. 【請求項３５】 前記プレチルト角の最小値が３度以上
    であることを特徴とする請求項３１記載の液晶表示装
    置。
  36. 【請求項３６】 前記複数種のプレチルト角が紫外線照
    射により得られたものであることを特徴とする請求項３
    １記載の液晶表示装置。
  37. 【請求項３７】 前記複数種のプレチルト角が光配向処
    理により得られたものであることを特徴とする請求項３
    １記載の液晶表示装置。
  38. 【請求項３８】 前記一対の基板のうち一方の基板にお
    ける液晶のプレチルト角が複数種存在し、前記一対の基
    板のうち他方の基板には、前記一方の基板におけるプレ
    チルト角の最小値以上、最大値以下のプレチルト角が存
    在することを特徴とする請求項３１記載の液晶表示装
    置。
  39. 【請求項３９】 前記一対の基板にはそれぞれプレチル
    ト角が複数種存在することを特徴とする請求項３１記載
    の液晶表示装置。
  40. 【請求項４０】 前記一対の基板の各内側面には、配向
    強度が基板面内に分布を有するように配向処理が行われ
    ていることを特徴とする請求項３１記載の液晶表示装
    置。
  41. 【請求項４１】 前記配向処理がラビング処理であるこ
    とを特徴とする請求項４０記載の液晶表示装置。
  42. 【請求項４２】 前記ラビング処理が、剛性の異なる植
    毛がなされたラビング布を用いて行うことを特徴とする
    請求項４１記載の液晶表示装置。
  43. 【請求項４３】 前記ラビング処理が、毛足の長さに分
    布を有するラビング布を用いて行うことを特徴とする請
    求項４１記載の液晶表示装置。
  44. 【請求項４４】 前記ラビング処理により、基板上に設
    けられた立体物の周辺領域のうちのラビング方向下流側
    の領域と、それ以外の領域とでラビング強度が異なるよ
    うな分布状態となっていることを特徴とする請求項４１
    記載の液晶表示装置。
  45. 【請求項４５】 前記立体物が電極線であることを特徴
    とする請求項４４記載の液晶表示装置。
  46. 【請求項４６】 ラビング方向が電極線の方向より傾い
    ていることを特徴とする請求項４５記載の液晶表示装置
  47. 【請求項４７】 ラビング方向が電極線の方向より１０
    度以上傾いていることを特徴とする請求項４６記載の液
    晶表示装置。
  48. 【請求項４８】 前記立体物が柱状スペーサであること
    を特徴とする請求項４４記載の液晶表示装置。
  49. 【請求項４９】 前記柱状スペーサが各画素に形成され
    ていることを特徴とする請求項４８記載の液晶表示装
    置。
  50. 【請求項５０】 前記複数の領域の境界に発生するディ
    スクリネーション線に近接して、転移励起用の横電界形
    成手段が設けられていることを特徴とする請求項１７，
    １８，１９，２１，２２，２３，２４，２５のいずれか
    に記載の液晶表示装置。
  51. 【請求項５１】 前記ディスクリネーション形成手段に
    より形成されたディスクリネーション線に近接して、転
    移励起用の横電界形成手段が設けられていることを特徴
    とする請求項２０記載の液晶表示装置。
  52. 【請求項５２】 前記横電界形成手段により発生する横
    電界の電界方向が、配向方向と略直交することを特徴と
    する請求項５０又は５１記載の液晶表示装置。
  53. 【請求項５３】 前記一対の基板のうち一方の基板がア
    クティブマトリクス基板であり、前記横電界形成手段に
    より、アクティブマトリクス基板に配線されたソース電
    極線と画素電極間に横電界が発生し、ソース電極線の配
    線方向と配向方向が略平行であることを特徴とする請求
    項５０又は５１記載の液晶表示装置。
  54. 【請求項５４】 前記一対の基板のうち一方の基板がア
    クティブマトリクス基板であり、前記横電界形成手段に
    より、アクティブマトリクス基板に配線されたゲート電
    極線と画素電極間に横電界が発生し、ゲート電極線の配
    線方向と配向方向が略平行であることを特徴とする請求
    項５０又は５１記載の液晶表示装置。
  55. 【請求項５５】 前記一対の基板のうち一方の基板がア
    クティブマトリクス基板であり、前記横電界形成手段に
    より、アクティブマトリクス基板に配線されたゲート電
    極線と画素電極間、並びに、アクティブマトリクス基板
    に配線されたソース電極線と画素電極間にそれぞれ横電
    界が発生し、配向方向がゲート電極線の配線方向とソー
    ス電極線の配線方向の間にあることを特徴とする請求項
    ５０又は５１記載の液晶表示装置。
  56. 【請求項５６】 請求項３１記載の液晶表示装置の製造
    方法であって、 前記一対の基板にそれぞれ形成された配向膜の少なくと
    も一方の配向膜の一部領域のプレチルトを変化させる処
    理を行うプレチルト変化処理工程を含むことを特徴とす
    る液晶表示装置の製造方法。
  57. 【請求項５７】 前記プレチルト変化処理工程が、基板
    に形成された配向膜と異なるプレチルトを有する配向膜
    材料を前記一部領域に噴霧することである請求項５６記
    載の液晶表示装置の製造方法。
  58. 【請求項５８】 前記プレチルト変化処理工程が、配向
    膜が形成された基板を高湿度条件下で放置することであ
    る請求項５６記載の液晶表示装置の製造方法。
  59. 【請求項５９】 前記プレチルト変化処理工程が、前記
    基板に形成された配向膜に、プレチルトを変化させる処
    理液を噴霧することである請求項５６記載の液晶表示装
    置の製造方法。
  60. 【請求項６０】 前記プレチルト変化処理工程が、配向
    膜が形成された基板を溶媒蒸気雰囲気下で放置すること
    である請求項５６記載の液晶表示装置の製造方法。
  61. 【請求項６１】 前記一対の基板にはそれぞれ配向膜が
    形成され、前記配向膜のうち少なくも一方の配向膜の膜
    厚に分布があることを特徴とする請求項３１記載の液晶
    表示装置。
  62. 【請求項６２】 請求項６１記載の液晶表示装置の製造
    方法であって、 印刷面が凹凸状に形成された印刷版を用いて配向膜を印
    刷する印刷工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の
    製造方法。
  63. 【請求項６３】 請求項６２記載の液晶表示装置の製造
    方法であって、 メッシュサイズが１００μｍ以上である印刷版を用いて
    配向膜を印刷する印刷工程を含むことを特徴とする液晶
    表示装置の製造方法。
  64. 【請求項６４】 請求項６２又は６３記載の液晶表示装
    置の製造方法であって、 前記印刷工程が複数回行われることを特徴とする液晶表
    示装置の製造方法。
  65. 【請求項６５】 前記一対の基板の少なくとも一方の基
    板表面が凹凸状にが形成されていることを特徴とする請
    求項１７乃至２５のいずれか記載の液晶表示装置。
  66. 【請求項６６】 請求項１７乃至２５のいずれか記載の
    液晶表示装置の製造方法であって、 前記一対の基板の少なくとも一方の基板表面を、凹凸状
    に形成する凹凸形状形成工程を含むことを特徴とする液
    晶表示装置の製造方法。
  67. 【請求項６７】 前記凹凸形状がフォトレジストで形成
    されていることを特徴とする請求項６５記載の液晶表示
    装置。
  68. 【請求項６８】 凹凸形状形成工程に形成された凹凸形
    状をなだらかにする熱処理工程を有することを特徴とす
    る請求項６６記載の液晶表示装置の製造方法。
  69. 【請求項６９】 前記凹凸形状形成工程が印刷方法を用
    いて凹凸形状を形成する工程であることを特徴とする請
    求項６６記載の液晶表示装置の製造方法。
  70. 【請求項７０】 前記凹凸形状が窒化シリコン膜よりな
    ることを特徴とする請求項６５記載の液晶表示装置。
  71. 【請求項７１】 前記凹凸形状形成工程が基板の表面を
    荒らすことで凹凸形状を形成する工程であることを特徴
    とする請求項６６記載の液晶表示装置の製造方法。
  72. 【請求項７２】 前記凹凸形状形成工程が酸素プラズマ
    処理を行うことにより凹凸形状を形成する工程であるこ
    とを特徴とする請求項７１記載の液晶表示装置の製造方
    法。
  73. 【請求項７３】 前記一対の基板の少なくとも一方の基
    板の内側面に、透明電極が形成されており、この透明電
    極の結晶径が５０ｎｍ以上であることを特徴とした請求
    項６５記載の液晶表示装置。
  74. 【請求項７４】 前記凹凸形状が、基板上に小粒子を分
    散して形成されたものであることを特徴とする請求項６
    ５記載の液晶表示装置。
  75. 【請求項７５】 前記凹凸形状が、プレス成形により形
    成されたものであることを特徴とする請求項６５記載の
    液晶表示装置。
  76. 【請求項７６】 前記凹凸形状が、画素電極の形状が周
    囲で持ち上がった凹面形状であることを特徴とした請求
    項６５記載の液晶表示装置。
  77. 【請求項７７】 前記凹凸形状形成工程が、前記一対の
    基板の少なくとも一方の基板に樹脂層を形成する工程
    と、この樹脂層を処理して凹凸形状を形成する工程とを
    有することを特徴とする請求項６６記載の液晶表示装置
    の製造方法。
  78. 【請求項７８】 前記凹凸形状が、画素電極の中央部に
    凸部を形成することにより得られたものであることを特
    徴とする請求項６５記載の液晶表示装置。
  79. 【請求項７９】 前記凹凸形状が、画素電極の対角線方
    向に凸部を形成することにより得られたものであること
    を特徴とする請求項６５記載の液晶表示装置。
  80. 【請求項８０】 電界の方向により複数の領域を形成す
    ることを特徴とした請求項１７乃至２５記載の液晶表示
    装置。
  81. 【請求項８１】 前記一対の基板に形成されている電極
    の少なくとも一方の電極には、電極が欠落した電極欠落
    部が存在することを特徴とする請求項１７乃至２５のい
    ずれかに記載の液晶表示装置。
  82. 【請求項８２】 前記一対の基板に形成されている電極
    のうち、対向基板側の電極には、電極が欠落した電極欠
    落部が存在することを特徴とする請求項１７乃至２５の
    いずれかに記載の液晶表示装置。
  83. 【請求項８３】 前記一対の基板に形成されている電極
    のうち、アレイ基板側の電極には、電極が欠落した電極
    欠落部が存在することを特徴とする請求項１７乃至２５
    のいずれかに記載の液晶表示装置。
  84. 【請求項８４】 前記電極欠落部の延在方向が前記複数
    の領域の境界に発生するディスクリネーション線と一致
    することを特徴とする請求項８１記載の液晶表示装置。
  85. 【請求項８５】 配向方向と電極欠落部の方向が交差す
    ることを特徴とする請求項８２記載の液晶表示装置。
  86. 【請求項８６】 画素電極との間に横電界を形成する横
    電界形成手段を有することを特徴とする請求項１７乃至
    ２５のいずれかに記載の液晶表示装置。
  87. 【請求項８７】 画素電極の両端で横電界を発生し、そ
    の横電界の方向が対向していることを特徴とする請求項
    ８６記載の液晶表示装置。
  88. 【請求項８８】 前記一対の基板うち一方の基板がアク
    ティブマトリクス基板であり、前記アクティブマトリク
    ス基板はソース電極線及び画素電極を有し、ソース電極
    線と画素電極間に横電界を印加することを特徴とする請
    求項８７記載の液晶表示装置。
  89. 【請求項８９】 前記画素電極とソース電極線との距離
    が５μｍ以下であることを特徴とする請求項８８記載の
    液晶表示装置。
  90. 【請求項９０】 請求項８７記載の液晶表示装置の駆動
    方法であって、 画素電位を保持している期間あるいはその一部の期間
    に、ソース電圧を変化させ、画素電極とソース電極線間
    に横電界を印加することを特徴とする液晶表示装置の駆
    動方法。
  91. 【請求項９１】 前記基板の一方がアクティブマトリク
    ス基板であり、前記アクティブマトリクス基板はゲート
    電極線と画素電極を有し、ゲート電極線と画素電極間に
    横電界を印加することを特徴とする請求項８７記載の液
    晶表示装置。
  92. 【請求項９２】 前記画素電極とゲート電極線との距離
    が５μｍ以下であることを特徴とする請求項９１記載の
    液晶表示装置。
  93. 【請求項９３】 請求項８７記載の液晶表示装置の駆動
    方法であって、 画素電位を保持している期間に、ゲート電圧を低いレベ
    ルにし、画素電極とゲート電極線間に横電界を印加する
    ことを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
  94. 【請求項９４】 請求項８７記載の液晶表示装置の駆動
    方法であって、 画素電位よりも高い電位にゲート電位を設定して、画素
    電極とゲート電極線間に横電界を印加することを特徴と
    する液晶表示装置の駆動方法。
  95. 【請求項９５】 前記アクティブマトリクス基板は補助
    容量電極を有し、前記補助容量電極はゲート電極線上に
    存在しないことを特徴とした請求項９１記載の液晶表示
    装置。
  96. 【請求項９６】 横電界形成手段が、電極側部に形成さ
    れた突起形状であることを特徴とした請求項８７記載の
    液晶表示装置。
  97. 【請求項９７】 前記突起形状が画素電極に形成された
    ことを特徴とする請求項９６記載の液晶表示装置。
  98. 【請求項９８】 前記突起形状がゲート電極線に形成さ
    れたことを特徴とする請求項９６記載の液晶表示装置。
  99. 【請求項９９】 前記突起形状がソース電極線に形成さ
    れたことを特徴とする請求項９６記載の液晶表示装置。
  100. 【請求項１００】 横電界発生方向と配向方とが略一致
    していることを特徴とした請求項８７記載の液晶表示装
    置。
  101. 【請求項１０１】 上下一対の基板と、基板間に挟持さ
    れる液晶層とを含み、液晶表示駆動に先立って、前記基
    板間への電圧印加により前記液晶層の初期配向をベンド
    配向に転移させる初期化処理を行ない、この初期化され
    たベンド配向状態で液晶表示駆動を行う液晶表示装置に
    おいて、 前記基板面内における表示領域には、スペーサが存在し
    ないことを特徴とする液晶表示装置。
  102. 【請求項１０２】 前記表示領域以外の非表示領域に、
    スペーサが形成されていることを特徴とする請求項１０
    １記載の液晶表示装置。
  103. 【請求項１０３】 前記スペーサが柱状スペーサである
    ことを特徴とした請求項１０２記載の液晶表示装置。
  104. 【請求項１０４】 画素電極を有するアレー基板と共通
    電極を有する対向基板の間に配置された液晶層上下界面
    の液晶のプレチルト角が正負逆で、互いに平行に配向処
    理されたスプレイ配向の液晶セルで、電圧無印加時には
    スプレイ配向となっており、液晶表示駆動に先立って、
    電圧印加によりスプレイ配向からベンド配向に転移させ
    る初期化処理が行われ、この初期化されたベンド配向状
    態で液晶表示駆動を行うアクティブマトリックス型の液
    晶表示装置において、 前記アレー基板の内面側に形成された配向膜における液
    晶のプレチルト角が第１のプレチルト角を示すと共に、
    対向基板の内面側に形成された配向膜における液晶のプ
    レチルト角が第１のプレチルト角よりも大きい第２のプ
    レチルト角を示す第１の液晶セル領域と、前記第１の液
    晶セル領域に隣接して配置され、アレー基板の内面側に
    形成された配向膜における液晶のプレチルト角が第３の
    プレチルト角を示すと共に、対向する対向基板の内面側
    に形成された配向膜における液晶のプレチルト角が第３
    のプレチルト角よりも小さい第４のプレチルト角を示す
    第２の液晶セル領域と、を同一画素内に少なくとも有し
    ており、前記上下配向膜が、第１の液晶セル領域から第
    ２の液晶セル領域に向けて配向処理されている液晶セル
    と、 前記画素電極と前記共通電極との間に、ディスクリネー
    ション線を形成するための第１の電圧を印加し、前記第
    １の液晶セル領域と前記第２の液晶セル領域との境界付
    近においてディスクリネーション線を形成する第１の電
    圧印加手段と、 前記画素電極と前記共通電極との間に前記第１の電圧よ
    りも高い第２の電圧を印加することにより、ディスクリ
    ネーション線において転移核を発生させ、スプレイ配向
    からベンド配向へ転移させる第２の電圧印加手段と、を
    備えることを特徴とする液晶表示装置。
  105. 【請求項１０５】 前記第１および第４のプレチルト角
    は３度以下であり、前記第２および第３のプレチルト角
    は４度以上であることを特徴とする請求項１０４記載の
    液晶表示装置。
  106. 【請求項１０６】 前記上下配向膜の配向処理される方
    向は、前記画素電極に沿う信号電極線またはゲート電極
    線に対して直角であることを特徴とする請求項１０４記
    載の液晶表示装置。
  107. 【請求項１０７】 前記配向膜の配向処理される方向
    は、前記画素電極に沿う信号電極線またはゲート電極線
    に対して直角方向から若干ずれていることを特徴とする
    請求項１０４記載の液晶表示装置。
  108. 【請求項１０８】 前記第２の電圧は、その周波数が
    ０．１Ｈｚから１００Ｈｚの範囲であり、且つ第２の電
    圧のデューティー比は１：１から１０００：１の範囲で
    ある、パルス状の電圧であることを特徴とする請求項１
    ０４記載の液晶表示装置。
  109. 【請求項１０９】 前記ゲート電極線は、前記転移させ
    る期間中の少なくとも大部分においてハイ状態であるこ
    とを特徴とする請求項１０４乃至１０８の何れかに記載
    の液晶表示装置。
  110. 【請求項１１０】 前記画素電極および前記共通電極の
    内面側に形成された配向膜のうち、少なくとも一方の配
    向膜の一部の領域に紫外線を照射して、該配向膜におけ
    る液晶のプレチルト角を変化させて配向分割された液晶
    セルを有することを特徴とする請求項１０４乃至１０８
    の何れかに記載の液晶表示装置。
  111. 【請求項１１１】 前記画素電極および前記共通電極の
    一部の領域にオゾン雰囲気下で紫外線を照射して、該画
    素電極および共通電極のうち、少なくとも一方の電極の
    一部の領域を平坦化処理した後、前記画素電極および共
    通電極上に配向膜を塗布焼成して、前記配向膜における
    液晶のプレチルト角を変化させて配向分割された液晶セ
    ルを有することを特徴とする請求項１０４乃至１０８の
    何れかに記載の液晶表示装置。
  112. 【請求項１１２】 画素電極を有するアレー基板と共通
    電極を有する対向基板との間に配置された液晶層上下界
    面の液晶のプレチルト角が正負逆で、互いに平行に配向
    処理されたスプレイ配向の液晶セルを有しており、前記
    液晶セルは同一画素内に互いに隣接する第１の液晶セル
    領域と第２の液晶セル領域とを有し、前記第１の液晶セ
    ル領域は、前記アレー基板の液晶層側の界面における液
    晶の第１プレチルト角が、前記対向基板の液晶層側の界
    面における液晶の第２プレチルト角よりも小さくなるよ
    うに配向処理され、前記第２の液晶セル領域は、前記対
    向基板の液晶層側の界面における液晶の第４のプレチル
    ト角が、前記第２のプレチルト角よりも小さく、かつ前
    記アレー基板の液晶層側の界面における液晶の第３のプ
    レチルト角よりも小さくなるように配向処理されてお
    り、電圧無印加時には前記液晶層はスプレイ配向となっ
    ており、液晶表示駆動に先立って、電圧印加によりスプ
    レイ配向からベンド配向に転移させる初期化処理が行わ
    れ、この初期化されたベンド配向状態で液晶表示駆動を
    行う液晶表示装置における前記スプレイ配向からベンド
    配向に配向転移させるための駆動方法であって、 前記画素電極と前記共通電極との間に第１の電圧を印加
    することにより、第１の液晶セル領域では液晶分子をｂ
    ―スプレイ配向させるとともに、第２の液晶セル領域で
    は液晶分子をｔ―スプレイ配向させて、前記第１の液晶
    セル領域と前記第２の液晶セル領域との境界付近におい
    てディスクリネーション線を形成し、前記画素電極と前
    記共通電極との間に第１の電圧よりも高い第２の電圧を
    印加し、前記第１の液晶セル領域と前記第２の液晶セル
    領域との境界付近のディスクリネーション線において転
    移核を発生させ、スプレイ配向からベンド配向へ転移さ
    せることを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
  113. 【請求項１１３】 画素電極を有するアレー基板と共通
    電極を有する対向基板の間に配置された液晶層上下界面
    の液晶のプレチルト角が正負逆で、互いに平行に配向処
    理されたスプレイ配向の液晶セルを有し、電圧無印加時
    には前記液晶層はスプレイ配向となっており、液晶表示
    駆動に先立って、電圧印加によりスプレイ配向からベン
    ド配向に転移させる初期化処理が行われ、この初期化さ
    れたベンド配向状態で液晶表示駆動を行うアクティブマ
    トリックス型の液晶表示装置の製造方法において、 前記液晶セルの一画素内の一部の領域において、前記ア
    レー基板の液晶層側の界面における液晶の第１のプレチ
    ルト角が、前記対向基板の液晶層側の界面における液晶
    の第２のプレチルト角よりも小さくなるように配向処理
    を行って第１の液晶セル領域を形成し、 前記一画素内の他の領域において、前記対向基板の液晶
    層側の界面における液晶の第４のプレチルト角が、前記
    第２のプレチルト角よりも小さく、かつ前記アレ-基板
    の液晶層側の界面における液晶の第3のプレチルト角よ
    りも小さくなるように配向処理を行って第２の液晶セル
    領域を形成する、配向処理工程を含むことを特徴とする
    液晶表示装置の製造方法。
  114. 【請求項１１４】 前記配向処理工程は、前記アレー基
    板上に形成された画素電極および前記対向基板上に形成
    された共通電極の内面側に形成された配向膜の、一画素
    内の一部の領域に紫外線を照射して、液晶のプレチルト
    角を変化させて、前記第１の液晶セル領域と前記第２の
    液晶セル領域とを形成する工程であることを特徴とする
    請求項１１３記載の液晶表示装置の製造方法。
  115. 【請求項１１５】 前記配向処理工程は、 前記アレー基板上に形成された画素電極および前記対向
    電極上に形成された共通電極の、一画素内の一部の領域
    にオゾン雰囲気下で紫外線を照射して、前記画素電極お
    よび前記共通電極の一部の領域を平坦化処理し、 前記画素電極および前記共通電極上に配向膜を塗布焼成
    して、該配向膜における液晶のプレチルト角を変化させ
    て、前記第１の液晶セル領域と前記第２の液晶セル領域
    とを形成する工程であることを特徴とする請求項１１３
    記載の液晶表示装置の製造方法。
  116. 【請求項１１６】 画素電極を有するアレー基板と共通
    電極を有する対向基板の間に配置された液晶層上下界面
    の液晶のプレチルト角が正負逆で、互いに平行に配向処
    理されたスプレイ配向の液晶セルで、電圧無印加時には
    スプレイ配向となっており、液晶表示駆動に先立って、
    電圧印加によりスプレイ配向からベンド配向に転移させ
    る初期化処理が行われ、この初期化されたベンド配向状
    態で液晶表示駆動を行うアクティブマトリックス型の液
    晶表示装置において、 １画素内に、少なくとも１つの転移励起用の横電界印加
    部を有し、該横電界印加部によって横電界を発生させる
    とともに、画素電極と共通電極間に連続的または間欠的
    に電圧を印加し、画素毎に転移核を発生させ画素全体を
    スプレイ配向からベンド配向に転移させることを特徴と
    する液晶表示装置。
  117. 【請求項１１７】 前記横電界印加部によって発生され
    る横電界の方向は、配向処理方向と略直交していること
    を特徴とする請求項１１６記載の液晶表示装置。
  118. 【請求項１１８】 前記横電界印加部は、 画素電極の周辺部を基板面に平行な面内で凹凸に変形さ
    せた電極変形部であることを特徴とする請求項１１６記
    載の液晶表示装置。
  119. 【請求項１１９】 前記横電界印加部は、 信号電極線若しくはゲート電極線を基板面に平行な面内
    で凹凸に変形させた電極線変形部であることを特徴とす
    る請求項１１６記載の液晶表示装置。
  120. 【請求項１２０】 前記横電界印加部は、 画素電極の周辺部を基板面に平行な面内で凹凸に変形さ
    せ、該凹凸に対応して信号電極線若しくはゲート電極線
    を凸凹に変形させた電極・電極線変形部であることを特
    徴とする請求項１１６記載の液晶表示装置。
  121. 【請求項１２１】 前記横電界印加部は、 横電界印加用線を基板面に対して平行な面内で凹凸に変
    形させた横電界印加用線変形部であり、該横電界印加用
    線は、信号電極線若しくはゲート電極線の少なくとも一
    方の上層若しくは下層に絶縁膜を介して同方向に配設さ
    れ、前記信号電極線若しくはゲート電極線が接続された
    駆動回路に接続されていることを特徴とする請求項１１
    ６記載の液晶表示装置。
  122. 【請求項１２２】 前記横電界印加用線は、配向転移後
    の通常の液晶表示時には、駆動回路と遮断されることを
    特徴とする請求項１２１記載の液晶表示装置。
  123. 【請求項１２３】 アレー基板と対向基板の間の液晶層
    上下界面の液晶のプレチルト角が正負逆で、互いに平行
    に配向処理されたスプレイ配向の液晶セルで、電圧無印
    加時にはスプレイ配向となっており、液晶表示駆動に先
    立って、電圧印加によりスプレイ配向からベンド配向に
    転移させる初期化処理が行われ、この初期化されたベン
    ド配向状態で液晶表示駆動を行うアクティブマトリック
    ス型の液晶表示装置において、 １画素内に、転移励起用の横電界印加のために少なくと
    も１カ所に欠陥部を形成した画素電極若しくは共通電極
    の少なくとも一方を有していることを特徴とする液晶表
    示装置。
  124. 【請求項１２４】 アレー基板と対向基板の間の液晶層
    上下界面の液晶のプレチルト角が正負逆で、互いに平行
    に配向処理されたスプレイ配向の液晶セルで、電圧無印
    加時にはスプレイ配向となっており、液晶表示駆動に先
    立って、電圧印加によりスプレイ配向からベンド配向に
    転移させる初期化処理が行われ、この初期化されたベン
    ド配向状態で液晶表示駆動を行うアクティブマトリック
    ス型の液晶表示装置において、 １画素内に、転移励起用の横電界印加部を有し、 更に１画素は、画素電極の一部領域の液晶分子のプレチ
    ルト角が第１のプレチルト角を示し、前記画素電極に対
    向する共通電極の一部領域の液晶分子のプレチルト角が
    それよりも大きい第２のプレチルト角を持つ第１の配向
    領域と、 前記画素電極の他領域の液晶分子のプレチルト角が第３
    のプレチルト角を示し、前記画素電極に対向する共通電
    極の他の一部領域の液晶分子のプレチルト角がそれより
    も小さい第４のプレチルト角を持つ第２の配向領域とを
    有することを特徴とする液晶表示装置。
  125. 【請求項１２５】 前記共通電極と画素電極の間に、周
    波数が０．１Ｈｚから１００Ｈｚの範囲であり、且つデ
    ューティー比は１：１から１０００：１の範囲であるパ
    ルス状の電圧を印加するパルス電圧印加部を有している
    ことを特徴とする請求項１１６乃至１２４の何れかに記
    載の液晶表示装置。
  126. 【請求項１２６】 一対の基板間に挟持される液晶層
    と、基板の外側に配設される位相補償板とを含み、電圧
    無印加時には前記液晶層は上下界面の液晶のプレチルト
    角が正負逆で、互いに平行に配向処理されたスプレイ配
    向となっており、液晶表示駆動に先立って、電圧印加に
    より前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド配
    向に転移させる初期化処理を行ない、この初期化された
    ベンド配向状態で液晶表示駆動を行う液晶表示装置にお
    いて、 表示画素内に周囲よりも液晶層厚の小さな領域を少なく
    とも１ケ所含み、かつ前記領域内の液晶層に印加される
    電界強度が、周囲の液晶層に印加される電界強度よりも
    大きいことを特徴とする液晶表示装置。
  127. 【請求項１２７】 上下一対の基板間に挟持される液晶
    層と、基板の外側に配設される位相補償板とを含み、電
    圧無印加時には前記液晶層は上下界面の液晶のプレチル
    ト角が正負逆で、互いに平行に配向処理されたスプレイ
    配向となっており、液晶表示駆動に先立って、電圧印加
    により前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド
    配向に転移させる初期化処理を行ない、この初期化され
    たベンド配向状態で液晶表示駆動を行う液晶表示装置に
    おいて、 表示画素外に液晶層厚の小さな領域を少なくとも１ケ所
    含み、かつ前記領域の液晶層に印加される電界強度が、
    画素内液晶層に印加される電界強度よりも大きいことを
    特徴とする液晶表示装置。
  128. 【請求項１２８】 上下一対の基板間に挟持される液晶
    層と、基板の外側に配設される位相補償板とを含み、電
    圧無印加時には前記液晶層は上下界面の液晶のプレチル
    ト角が正負逆で、互いに平行に配向処理されたスプレイ
    配向となっており、液晶表示駆動に先立って、電圧印加
    により前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド
    配向に転移させる初期化処理を行ない、この初期化され
    たベンド配向状態で液晶表示駆動を行う液晶表示装置に
    おいて、 表示画素内に電界集中部位を少なくとも１ケ所含むこと
    を特徴とする液晶表示装置。
  129. 【請求項１２９】 前記表示画素内に設けられた電界集
    中部位が液晶層の厚み方向に部分的に突出した表示電
    極、あるいは共通電極の一部または、その両方であるこ
    とを特徴とする請求項１２８記載の液晶表示装置。
  130. 【請求項１３０】 上下一対の基板間に挟持される液晶
    層と、基板の外側に配設される位相補償板とを含み、電
    圧無印加時には前記液晶層は上下界面の液晶のプレチル
    ト角が正負逆で、互いに平行に配向処理されたスプレイ
    配向となっており、液晶表示駆動に先立って、電圧印加
    により前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド
    配向に転移させる初期化処理を行ない、この初期化され
    たベンド配向状態で液晶表示駆動を行う液晶表示装置に
    おいて、 表示画素外に電界集中部位を少なくとも１ケ所含むこと
    を特徴とする液晶表示装置。
  131. 【請求項１３１】 前記電界集中部位が液晶層の厚み方
    向に部分的に突出した電極の一部であることを特徴とす
    る請求項１３０項記載の液晶表示装置。
  132. 【請求項１３２】 上下一対の基板間に挟持される液晶
    層と、基板の外側に配設される位相補償板とを含み、電
    圧無印加時には前記液晶層は上下界面の液晶のプレチル
    ト角が正負逆で、互いに平行に配向処理されたスプレイ
    配向となっており、液晶表示駆動に先立って、電圧印加
    により前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド
    配向に転移させる初期化処理を行ない、この初期化され
    たベンド配向状態で液晶表示駆動を行う液晶表示装置に
    おいて、 表示電極、あるいは共通電極の一部、またはその両方に
    開口部を有していることを特徴とする液晶表示装置。
  133. 【請求項１３３】 前記開口部が、スイッチング素子を
    含むアクティブマトリックス型液晶表示装置の、平坦化
    膜上に形成した画素電極と該スイッチング素子と電気的
    に接続する導通口であることを特徴とする請求項１３２
    記載の液晶表示装置。
  134. 【請求項１３４】 前記位相補償板が、主軸がハイブリ
    ッド配列した負の屈折率異方性を有する光学媒体よりな
    る位相補償板を少なくとも１枚含む位相補償板であるこ
    とを特徴とする請求項１２６乃至１３３の何れかに記載
    の液晶表示装置。
  135. 【請求項１３５】 前記位相補償板が、少なくとも１枚
    の正の位相補償板を含む位相補償板であることを特徴と
    する請求項１３４記載の液晶表示装置。
  136. 【請求項１３６】 互いに対向する第１の基板と第２
    の基板との間に保持された液晶に電場を印加し、前記液
    晶の配向をベンド配向に転移させる液晶表示装置であっ
    て、 前記液晶のスプレイ弾性定数ｋ11を、１０×１０−７ｄ
    ｙｎ≧ｋ11≧６×１０−７ｄｙｎの範囲とし、且つ、前
    記第１の基板に対する前記液晶のプレチルト角の絶対値
    をθ1とし、前記第２の基板に対する前記液晶のプレチ
    ルト角の絶対値をθ2としたとき、１．５７ｒａｄ＞｜
    θ1−θ2｜≧０．０００２ｒａｄなる関係を満たすこと
    を特徴とする液晶表示装置。
  137. 【請求項１３７】 互いに対向する第１の基板と第２の
    基板との間に保持された液晶に電場を印加し、前記液晶
    の配向をベンド配向に転移させる方法であって、前記液
    晶のスプレイ弾性定数ｋ11を、１０×１０-7ｄｙｎ≧ｋ
    11≧６×１０-7ｄｙｎの範囲とし、且つ、前記電場が、
    空間的に均一に印加される主電場に、空間的に不均一に
    印加される副電場を重畳させた電場であり、前記主電場
    をＥ0とし、前記副電場の最大値をＥ1としたとき、１．
    ０＞Ｅ1／Ｅ0＞１／１００なる関係を満たすことを特徴
    とする液晶表示装置の駆動方法。
  138. 【請求項１３８】 互いに対向する第１の基板と第２の
    基板との間に保持された液晶に電場を印加し、前記液晶
    の配向をベンド配向に転移させる方法であって、前記第
    １の基板に対する前記液晶のプレチルト角の絶対値をθ
    1とし、前記第２の基板に対する前記液晶のプレチルト
    角の絶対値をθ2としたとき、１．５７ｒａｄ＞｜θ1−
    θ2｜≧０．０００２ｒａｄなる関係を満たし、且つ、
    前記電場が、空間的に均一に印加される主電場に、空間
    的に不均一に印加される副電場を重畳させた電場であ
    り、前記主電場をＥ0とし、前記副電場の最大値をＥ1と
    したとき、１．０＞Ｅ1／Ｅ0＞１／１００なる関係を満
    たすことを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
  139. 【請求項１３９】 互いに対向する第１の基板と第２の
    基板との間に保持された液晶に電場を印加し、前記液晶
    の配向をベンド配向に転移させる方法であって、前記液
    晶のスプレイ弾性定数ｋ11を１０×１０-7ｄｙｎ≧ｋ11
    ≧６×１０-7ｄｙｎの範囲とし、前記第１の基板に対す
    る前記液晶のプレチルト角の絶対値をθ1とし、前記第
    ２の基板に対する前記液晶のプレチルト角の絶対値をθ
    2としたとき、１．５７ｒａｄ＞｜θ1−θ2｜≧０．０
    ００２ｒａｄなる関係を満たし、且つ、前記電場が、空
    間的に均一に印加される主電場に、空間的に不均一に印
    加される副電場を重畳させた電場であり、前記主電場を
    Ｅ0とし、前記副電場の最大値をＥ1としたとき、１．０
    ＞Ｅ1／Ｅ0＞１／１００なる関係を満たすことを特徴と
    する液晶表示装置の駆動方法。
  140. 【請求項１４０】 前記副電場が、前記第１の基板の表
    面に形成された薄膜トランジスタのソース電極あるいは
    ゲート電極と、前記第２の基板の表面に形成された透明
    電極との間に印加される電場である請求項１３７乃至１
    ３９の何れかに記載の液晶表示装置の駆動方法。
  141. 【請求項１４１】 前記副電場が、時間の経過に伴って
    減衰振動させた交流電場である請求項１３７乃至１４０
    の何れかに記載の液晶表示装置の駆動方法。
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