JP2001305547A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 配向転移がほぼ確実に発生し、かつ極めて短
時間に転移が完了することにより表示欠陥の無い、応答
速度が速く動画表示に適しかつ広視野の液晶表示装置を
提供する。 【解決手段】 画素電極１２８を有するアレー基板１０
６と対向電極１２７を有する対向基板１０５との間に配
置された液晶層１２２上下界面の液晶のプレチルト角が
正負逆で、互いに平行に配向処理されたスプレイ配向の
液晶セル１２４で、ベンド配向させて表示をさせるアク
ティブマトリックス型の液晶表示装置であって、前記画
素電極１２８はスイッチング素子１２３あるいは配線電
極上を平坦に被覆する平坦化膜１００の上に形成配置さ
れている。これにより、スプレイ−ベンド配向転移を液
晶セル画素内で短時間に確実に容易に起こさせ、配向欠
陥のない高画質のＯＣＢモードの液晶表示装置を実現す
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高速応答で広視野
の表示性能を持つ液晶表示装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、液晶表示装置として例えば、ネマ
ティック液晶を用いたツイステッドネマティック（Ｔ
Ｎ）モ−ドの液晶表示装置が実用化されているが、応答
が遅い、視野角が狭いなどの欠点がある。また、応答が
速く、視野角が広い強誘電性液晶（ＦＬＣ）などの表示
モ−ドもあるが耐ショック性、温度特性など大きな欠点
がある。また、光散乱を利用する高分子分散型液晶表示
モ−ドはラビングレス配向の表示モ−ドであるが、視野
角に改善が必要であり、応答がそれほど速くないなどの
欠点がある。

【０００３】それらに対して、応答が速く視野角が広い
表示モードとして光学補償ベンド（ＯＣＢ）モ−ドが提
案されている（特開平７−８４２５４号公報、特開平９
−９６７９０号公報）。

【０００４】図２１は、ＯＣＢモ−ドの液晶表示装置の
画素領域における構成概念断面図である。

【０００５】図２１に示すように、このＯＣＢモ−ドの
液晶表示装置は、配向膜１９・１９が一定方向に配向処
理され、電圧を印加してセル中央部にベンド配向あるい
はねじれ配向を含んだベンド配向を起こさせた液晶セル
１４と、かつ低電圧駆動と視角拡大のために光学補償す
る位相補償板３とを配置したものであり、性能的には高
速で視角が広い特徴を持つ優れたアクティブマトリック
ス型の液晶表示装置を実現することができる。そして、
透過型あるいは反射型の液晶表示装置として利用される
可能性が高い。

【０００６】また、前記液晶表示装置は、画素電極１８
に接続された画素部駆動用のスイッチング素子１３等が
配設されたアレー基板６と、対向電極１７を設けた対向
基板５との両内面に設けた配向膜１９・１９を、互いに
平行方向にプレチルト角Ｃが正負逆で且つ約数度〜１０
度になるように配向処理し、正の誘電率異方性のネマテ
ィック液晶を挿入して液晶層１２を配置して構成されて
いる。そして、電圧を印加しない状態で液晶分子が上下
対称に斜めに広がった配向領域からなるスプレイ配向１
１が形成されている。

【０００７】その後、前記電極間に臨界転移電圧以上の
電圧を印加することによって、図２１（ｂ）の如く、液
晶セル中央部の液晶分子を立たせ、あるいはねじれ配向
を含んだ液晶分子が立ち上がり曲がった配向領域からな
るベンド配向１３に転移させこの領域を拡大移行させ
る。

【０００８】また、偏光板１・２と、十分なコントラス
トと視野拡大のためにベンド配向セルを光学補償し、低
電圧化するための位相補償板３とが上下基板の外側に少
なくとも１枚、所定の軸方向に各々設定され配置されて
いる。

【０００９】そして、前記画素全体を転移させた後、駆
動信号電圧を可変して、液晶分子のベンド配向状態の程
度を変えることにより位相差を変化させて動作表示利用
するものである。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】従って、ＯＣＢモ−ド
の液晶表示装置においては、このスプレイ配向からベン
ド配向への転移核を発生させて画素を均一なベンド配向
にさせ、ＴＦＴパネル全画素領域内でそれを確実に起こ
させておく必要があるが、転移核を確実に起こさせるの
は実際には容易ではない。

【００１１】前記の画素領域を顕微鏡観察していると、
ギャップ形成のために散布されたスペーサの周囲から転
移核が発生したり、画素電極に沿って配線されたソース
線やゲート線周囲から転移核が発生するが、その発生場
所は一定の場所ではなく、しばしば全く発生しない場合
さえある。この場合、配向欠陥、表示点欠陥不良パネル
となる。

【００１２】また、前記転移を促進するため、前記液晶
セルの対向電極と画素電極間に臨界転移電圧以上より大
きい高電圧を印加する方法が採られる。しかし、前記転
移に要する印加電圧と印加時間は液晶材料によって相当
に異なり、液晶材料によっては、ＯＣＢモードのＴＦＴ
液晶パネルを転移させるのに、対向する電極間に約２０
Ｖの電圧印加で数十秒から数分の時間を要するものもあ
る。この場合、表示可能となるまでの待ち時間はもとよ
り、液晶表示装置の消費電力、駆動部の信頼性の面から
も実用的でない。

【００１３】このため、ＯＣＢモードの液晶表示装置に
おいて、表示パネルの数十万個以上にも及ぶ全ての画素
内で、確実に配向を転移させることのできる技術の開発
が望まれていた。

【００１４】

【課題を解決するための手段】一群の本発明は、前記現
状に鑑みなされたものであり、その目的は、配向転移が
ほぼ確実に発生し、かつ極めて短時間に転移が完了する
ことにより表示欠陥の無い、応答速度が速く動画表示に
適しかつ広視野の液晶表示装置を提供することにあり、
特に、ベンド配向転移をほぼ確実に発生させて、極めて
短時間に転移を完了させ、応答速度が速く動画表示に適
するベンド配向型の液晶表示装置を提供することであ
る。

【００１５】尚、一群の本発明は、同一乃至類似した着
想に基づくものである。しかし、それぞれの発明は異な
る実施の形態により具現化されるものであるので、本明
細書では、これらの一群の本発明を密接に関連した発明
ごとに第１の発明群、第２の発明群、第３の発明群、第
４の発明群、及び第５の発明群として区分する。そし
て、以下では、それぞれの区分（発明群）ごとにその内
容を順次説明する。

【００１６】（１）第１の発明群 第１の発明群は、電圧を印加しない状態の前記液晶の配
向状態を配向状態1とし、表示に用いる配向状態を配向
状態２とするとき、配向状態１と配向状態２が異なる液
晶表示装置において、配向状態１から配向状態２への転
移を容易にかつ確実に実現するために、基板表面の凹凸
を平坦化し、液晶層の界面を平坦化したことを特徴とし
ている。

【００１７】従来のアクティブマトリクス基板を用いた
液晶表示装置では、基板上に大きな凹凸が存在すること
が通常であった。これは、最も大きい段差が最上層に形
成された絶縁層を除去し、画素電極を露出させる工程に
よるものである。また、画素周辺に配されるソース配
線、ゲート配線によっても段差が形成される。このよう
にアクティブマトリクス基板においては段差が存在する
のであった。

【００１８】従来から用いられているＴＮ型液晶表示装
置では、段差があるとその箇所で配向乱れが発生し、光
抜けが発生する問題があった。この問題を解消するため
には、この光抜けの発生した領域をブラックマトリクス
によって隠すことが必要であり、これによって明るさが
低下する問題が発生した。そこで、この配向乱れ、光抜
けを解消するために、この凹凸のある基板上に樹脂層を
形成し、その樹脂層の上に画素電極を形成することで平
滑化する例があった。

【００１９】ＯＣＢモードの液晶表示装置のように、電
圧を印加しない状態の配向状態と表示状態の配向状態と
が異なる液晶表示装置では、表示状態の配向状態に移行
させる「転移」作用が必要である。

【００２０】ＯＣＢモードの液晶表示装置では、ＴＮ型
液晶表示措置とは異なる平行配向状態を用いているた
め、ＴＮ型液晶表示装置での配向乱れような問題は発生
しないが、本願発明者らは、転移に対してこの段差が悪
影響を及ぼすことを新たに見出した。

【００２１】ＯＣＢモードの液晶表示装置の転移は、転
位電圧を印加することで行う。このとき、転移核からベ
ンド配向が発生し、この配向状態が広がっていく。ただ
し、このベンド配向の成長が基板の凹凸領域、特に基板
が凸状態で液晶層が薄くなっている領域にさしかかると
成長が止まることを見出した。特に、ベンド配向の成長
はデフェクトに沿って成長することが多いのであるが、
前記した液晶層が薄くなっている箇所では、デフェクト
が断続的になることが多く、このため成長が止まる場合
も多い。このデフェクトは、セル厚方向での液晶分子の
傾斜する方向が異なる２種類のスプレイ配向状態の境界
部分であることが多い。

【００２２】また、所定の転移波形の電圧で完全に転移
が完了せず、特定の画素がスプレイ配向を残した場合に
も、後の通常表示駆動によって徐々にベンド配向に移行
することを見出した。

【００２３】このように、ＯＣＢモードの液晶表示装置
のように電圧を印加しない状態の前記液晶の配向状態を
配向状態1とし、表示に用いる配向状態を配向状態２と
するとき、配向状態１と配向状態２が異なる液晶表示装
置であって、転移が容易にかつ確実に実現するために、
基板表面の凹凸を平坦化し、液晶層の界面を平坦化した
ことを特徴とする液晶表示装置を実現した。

【００２４】即ち、請求項１記載の発明は、一対の基板
と、前記一対の基板間に挟持された液晶層とを有し、該
液晶層に電圧を印加しない状態の液晶の配向状態を配向
状態１、表示に用いる配向状態を配向状態２とし、配向
状態１と配向状態２とが異なる液晶表示装置であって、
前記液晶層と前記一対の基板のうちの少なくとも一方の
基板との界面を平坦化した構成であることを特徴として
いる。

【００２５】前記構成とすることにより、液晶層と基板
との界面の凹凸領域が少なくなるので、配向状態１から
配向状態２への転移が容易にかつ確実に実現する。ま
た、請求項２記載の発明は、請求項１に記載の液晶表示
装置であって、前記一対の基板のうちの一方の基板がア
クティブマトリクス基板であることを特徴としている。

【００２６】前記構成とすることにより、アクティブマ
トリックス基板は、画素周辺に配されるソース配線、ゲ
ート配線等が形成されており、段差が大きいものである
が、このような基板を平坦化構成して、配向状態１から
配向状態２への転移が容易にかつ確実に実現する。

【００２７】また、請求項３記載の発明は、請求項１に
記載の液晶表示装置であって、前記界面を樹脂層よりな
る平坦化膜により平坦化した構成であることを特徴とし
ている。

【００２８】また、請求項４記載の発明は、請求項３に
記載の液晶表示装置であって、前記平坦化膜の少なくと
も一部の上に電極を形成したことを特徴としている。

【００２９】また、請求項５記載の発明は、請求項１に
記載の液晶表示装置であって、前記配向状態１がスプレ
イ配向状態、前記配向状態２がベンド配向状態であるこ
とを特徴としている。

【００３０】前記構成とすることにより、転移が容易に
かつ確実に実現することのできるＯＣＢモードの液晶表
示装置が実現できる。

【００３１】また、請求項６記載の発明は、請求項１に
記載の液晶表示装置であって、前記基板上の凹凸の段差
が１μｍ以下であることを特徴としている。

【００３２】また、請求項７記載の発明は、請求項１に
記載の液晶表示装置であって、前記基板上の凹凸の段差
が０．５μｍ以下であることを特徴としている。

【００３３】このように規制することにより、基板上の
凹凸の段差は１μｍ以下、望ましくは０．５μｍ以下で
あれば、配向状態１から配向状態２への転移を容易にか
つ確実に実現することができる。

【００３４】また、請求項８記載の発明は、請求項２に
記載の液晶表示装置であって、前記アクティブマトリク
ス基板が複数の画素電極を有し、該画素電極間の距離が
１μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴としている。

【００３５】また、請求項９記載の発明は、請求項２に
記載の液晶表示装置であって、前記アクティブマトリク
ス基板が複数の画素電極を有し、該画素電極間の距離が
１μｍ以上５μｍ以下であることを特徴としている。

【００３６】このように、前記画素電極間の距離は１μ
ｍ以上１０μｍ以下が望ましく、さらに望ましくは１μ
ｍ以上５μｍ以下とすることにより、配向状態１から配
向状態２への転移を容易にかつ確実に実現することがで
きる。

【００３７】また、請求項１０記載の発明は、請求項８
または請求項９に記載の液晶表示装置であって、前記画
素電極の少なくとも一部領域が画素電極の平均高さより
高いことを特徴としている。前記構成により、前記一部
領域により転移核の発生が容易になる。

【００３８】また、請求項１１記載の発明は、請求項８
または請求項９に記載の液晶表示装置であって、前記画
素電極と前記一対の基板のうちの他方の基板に形成され
た対向電極間に電圧を印加して、液晶層をベンド配向へ
転移させ、転移後の状態で表示を行うことを特徴として
いる。

【００３９】（２）第２の発明群 また、請求項１２記載の発明は、画素電極を有するアレ
ー基板と対向電極を有する対向基板との間に液晶層を挟
持し、該液晶層をベンド配向させて表示をさせるアクテ
ィブマトリックス型の液晶表示装置であって、前記対向
電極と電気導通した導電性形成体が対向基板上に形成さ
れ、前記アレー基板とは非電気導通で配置された構成で
あることを特徴としている。

【００４０】また、請求項１３記載の発明は、請求項１
２に記載の液晶表示装置であって、前記導電性形成体
は、隣接した画素電極間の間隙位置にアレー基板とは非
電気導通で配置された構成であることを特徴としてい
る。

【００４１】前記構成とすることにより、前記導電性形
成体と画素電極との間に斜めの強電界が発生印加されそ
の電界歪みで、前記導電性形成体と画素電極との近傍に
位置する液晶層中の液晶分子は、ｂ−スプレイ配向の状
態となり、周囲より歪みのエネルギーが高くなって、こ
の状態に画素電極と対向電極との間に高電圧を印加する
ことによって更にエネルギーが与えられ、ベンド配向へ
の転移核が発生し、ベンド配向の領域を拡大することが
できる。

【００４２】また、請求項１４記載の発明は、請求項１
２に記載の液晶表示装置であって、前記画素電極は、ア
レー基板上に形成された平坦化膜の上に配置された構成
であることを特徴としている。

【００４３】前記構成とすることにより、更に、スプレ
イ配向からベンド配向への転移が容易にかつ確実に実現
する。

【００４４】また、請求項１５記載の発明は、請求項１
４に記載の液晶表示装置であって、前記平坦化膜の凹凸
の段差が１μｍ以下であることを特徴としている。

【００４５】また、請求項１６記載の発明は、請求項１
４に記載の液晶表示装置であって、前記平坦化膜の凹凸
の段差が０．５μｍ以下であることを特徴としている。

【００４６】このように規制することにより、基板上の
凹凸の段差は１μｍ以下、望ましくは０．５μｍ以下で
あれば、スプレイ配向状態からベンド配向状態への転移
が容易にかつ確実に実現する。

【００４７】また、請求項１７記載の発明は、請求項１
２〜請求項１６に記載の液晶表示装置であって、前記ア
レー基板が複数の画素電極を有し、該画素電極間の距離
が１μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴としてい
る。

【００４８】また、請求項１８記載の発明は、請求項１
２〜請求項１６に記載の液晶表示装置であって、前記ア
レー基板が複数の画素電極を有し、該画素電極間の距離
が１μｍ以上５μｍ以下であることを特徴としている。

【００４９】このように、前記画素電極間の距離を１μ
ｍ以上１０μｍ以下、さらに望ましくは１μｍ以上５μ
ｍ以下に規制することにより、スプレイ配向からベンド
配向への転移をより良好に成長させることを実現し得
る。

【００５０】また、請求項１９記載の発明は、請求項１
２に記載の液晶表示装置であって、前記導電性形成体
は、絶縁体で被覆されていることを特徴としている。

【００５１】前記構成とすることにより、前記導電性形
成体は、アレー基板とは非電気導通性の関係にあるの
で、画素電極と対向電極とが電気的に接触するようなこ
とはなく、性能に優れた液晶表示装置とすることができ
る。

【００５２】また、請求項２０記載の発明は、請求項１
２に記載の液晶表示装置であって、前記導電性形成体の
高さは、前記アレー基板と対向基板との間の間隔より小
さいことを特徴としている。

【００５３】また、請求項２１記載の発明は、請求項１
２に記載の液晶表示装置であって、前記導電性形成体は
前記アレー基板と対向基板との間の間隔を一定に保つス
ペーサであることを特徴としている。

【００５４】前記構成とすることにより、通常のスペー
サが必要なく、スペーサレス工法プロセスとすることが
でき、製造工程の簡略化を図ることができる。また、均
一な表示を示し、表示性能に優れた液晶表示装置とする
ことができる。

【００５５】また、請求項２２記載の発明は、請求項１
２〜請求項２１に記載の液晶表示装置であって、前記画
素電極と対向電極間に電圧を印加して液晶層をベンド配
向へ転移させ、転移後の状態で表示を行うことを特徴と
している。

【００５６】（３）第３の発明群 請求項２３記載の発明は、電極を有する一対の基板と、
前記一対の基板間に挟持された液晶層とを有し、該液晶
層中の液晶分子をベンド配向させて表示をさせる液晶表
示装置であって、少なくとも一方の基板の電極表面上
に、前記一対の基板間の間隔より小さい径の導電性粒子
が少なくとも１個配置されてなることを特徴としてい
る。

【００５７】また、請求項２４記載の発明は、請求項２
３に記載の液晶表示装置であって、少なくとも一方の基
板の電極表面上に、前記導電性粒子が配向膜の下に配置
されてなることを特徴としている。

【００５８】また、請求項２５記載の発明は、請求項２
３に記載の液晶表示装置であって、少なくとも一方の基
板の電極表面上に、前記導電性粒子が配向膜と混成分散
配置されてなることを特徴としている。

【００５９】前記構成とすることにより、前記導電性粒
子で起きる電界集中により、導電性粒子近辺で配向変化
が起こり、該導電性粒子を基点としてベンド配向の転移
核が発生し、引き続き印加される高電圧の印加でそのベ
ンド配向領域を拡大することができる。このようにし
て、転移を確実にしかも速く起こし、表示欠陥のない液
晶セルからなる高速応答で広視野高画質のＯＣＢ表示モ
ードの液晶表示装置を得ることができる。

【００６０】また、請求項２６記載の発明は、請求項２
３〜請求項２５に記載の液晶表示装置であって、前記一
対の基板のうちの一方の基板には、画素毎に画素電極、
スイッチング素子が形成されていることを特徴としてい
る。

【００６１】また、請求項２７記載の発明は、請求項２
６に記載の液晶表示装置であって、前記画素電極は、ス
イッチング素子あるいは配線上を平坦に被覆する平坦化
膜上に形成されていることを特徴としている。前記構成
とすることにより、ベンド配向へ更に容易に転移する。

【００６２】また、請求項２８記載の発明は、請求項２
３〜請求項２７に記載の液晶表示装置であって、前記電
極間に電圧を印加して液晶層をベンド配向へ転移させ、
転移後の状態で表示を行うことを特徴としている。

【００６３】また、請求項２９記載の発明は、請求項２
３〜請求項２７に記載の液晶表示装置であって、前記導
電性粒子は、導電性薄膜を表面にコートした樹脂粒子あ
るいは無機材料粒子であることを特徴としている。

【００６４】また、請求項３０記載の発明は、請求項２
３〜請求項２７に記載の液晶表示装置であって、前記導
電性粒子の径は、基板間隔の１００分の１以上、２分の
１以下であることを特徴としている。

【００６５】このように規制するのは、前記導電性粒子
の径が基板間隔の１００分の１より小さければ転移促進
効果が小さく、２分の１より大きければ、前記一対の基
板が電気的に接触する可能性があるためである。

【００６６】また、請求項３１記載の発明は、電極を有
する一対の基板と、前記一対の基板間に挟持された液晶
層とを有し、該液晶層中の液晶分子をベンド配向させて
表示をさせる液晶表示装置の製造方法であって、少なく
とも一方の基板の電極表面上に、基板間隔より小さい径
の導電性粒子を分散固着する分散工程と、前記電極上に
配向膜材料を塗布焼成する配向膜形成工程と、を含むこ
とを特徴としている。

【００６７】また、請求項３２記載の発明は、電極を有
する一対の基板と、前記一対の基板間に挟持された液晶
層とを有し、該液晶層中の液晶分子をベンド配向させて
表示をさせる液晶表示装置の製造方法であって、少なく
とも一方の基板の電極表面上に、基板間隔より小さい径
の導電性粒子と配向膜材料とが混合分散された材料を塗
布焼成して、前記導電性粒子を混成分散配置する配向膜
形成工程を含むことを特徴としている。

【００６８】このような方法とすることにより、例え
ば、突起を設けるためのフォトリソプロセスが不要であ
り、製造方法の簡略化を図ることができるとともに低コ
スト化を図ることができる。そして、転移を確実にしか
も速く起こし、表示欠陥のない液晶セルからなる高速応
答で広視野高画質のＯＣＢ表示モードの液晶表示装置を
得ることができる。

【００６９】（４）第４の発明群 請求項３３記載の発明は、電極を有する一対の基板と、
前記一対の基板の間に挟持された液晶層とを有し、該液
晶層をスプレイ配向させた液晶表示装置であって、前記
電極表面上に形成された配向膜表面が凹凸構造を有する
ことを特徴としている。

【００７０】また、請求項３４記載の発明は、請求項３
３に記載の液晶表示装置であって、前記凹凸構造は、配
向膜の膜厚の異なる領域によって形成された構成である
ことを特徴としている。

【００７１】また、請求項３５記載の発明は、請求項３
３に記載の液晶表示装置であって、前記配向膜は凸版印
刷法によって形成された構成であることを特徴としてい
る。

【００７２】前記構成とすることにより、前記液晶層中
の液晶分子は、配向膜の膜厚の異なる領域によって、プ
レチィルト角が疑似的に大きくなる状態となるため、ス
プレイ−ベンド転移の初期化処理時に速やかなベンド配
向への移行がなされる。

【００７３】また、請求項３６記載の発明は、請求項３
３に記載の液晶表示装置であって、一対の基板のうちの
一方の基板は、画素電極が形成されたアレー基板であ
り、該アレー基板上に平坦化膜が形成され、該平坦化膜
が凹凸構造を有することを特徴としている。

【００７４】前記構成とすることにより、前記液晶層中
の液晶分子は、結果的に平坦化膜の凹凸形状を反映した
配向膜表面に対して、種々のプレチィルト角を有する配
向状態となるため、スプレイ−ベンド転移の初期化処理
時に速やかなベンド配向への移行がなされる。

【００７５】また、請求項３７記載の発明は、請求項３
３に記載の液晶表示装置であって、前記基板は反射性基
板であり、該基板の反射面が凹凸構造を有することを特
徴としている。

【００７６】前記構成とすることにより、前記液晶層中
の液晶分子は、結果的に反射面の凹凸形状を反映した配
向膜表面に対して、種々のプレチィルト角を有する配向
状態となるため、スプレイ−ベンド転移の初期化処理時
に速やかなベンド配向への移行がなされる。

【００７７】また、請求項３８記載の発明は、請求項３
３〜請求項３７に記載の液晶表示装置であって、前記電
極間に電圧を印加して液晶層をベンド配向へ転移させ、
転移後の状態で表示を行うことを特徴としている。

【００７８】また、請求項３９記載の発明は、電極を有
する一対の基板と、前記一対の基板の間に挟持された液
晶層とを有し、該液晶層をスプレイ配向させ、前記電極
表面上に形成された配向膜表面が凹凸構造を有する液晶
表示装置の製造方法であって、前記電極表面に、ＵＶア
ッシャー、あるいはオゾンアッシャー、あるいはＵＶ／
オゾンアッシャー等を用いて凹凸構造を形成する工程を
含むことを特徴としている。

【００７９】また、請求項４０記載の発明は、電極を有
する一対の基板と、前記一対の基板の間に挟持された液
晶層とを有し、該液晶層をスプレイ配向させ、前記電極
表面上に形成された配向膜表面が凹凸構造を有する液晶
表示装置の製造方法であって、前記電極表面上に形成す
る配向膜の印刷用ワニスに予め、粉体あるいは微粒子を
分散する分散工程と、前記ワニスを前記電極表面に塗布
焼成して配向膜を形成する配向膜形成工程と、を含むこ
とを特徴としている。

【００８０】前記方法とすることにより、例えば、突起
を設けるためのフォトリソプロセスが不要であり、製造
方法の簡略化を図ることができるとともに低コスト化を
図ることができる。また、前記液晶層中の液晶分子は、
結果的に種々の液晶ダイレクタを有する配向状態を取る
が、基本的には基板に垂直方向の表面配向ダイレクタを
有する状態となるため、この部分を核としてスプレイ−
ベンド転移の初期化処理時に速やかなベンド配向への移
行がなされる液晶表示装置を得ることができる。

【００８１】（５）第５の発明群 請求項４１記載の発明は、電極を有する一対の基板と、
前記一対の基板間に挟持され、スプレイ配向した液晶層
とを有する液晶表示装置であって、前記一対の基板間に
複数のスペーサが配置され、該スペーサは、少なくとも
一方の基板に、前記液晶層中の液晶分子のプレチルト角
を大きくするような接着剤により固着され、該接着剤は
前記基板上に広がった構成であることを特徴としてい
る。

【００８２】また、請求項４２記載の発明は、請求項４
１に記載の液晶表示装置であって、前記接着剤は、前記
スペーサを中心にして該スペーサの略直径寸法以上に広
がった構成であることを特徴としている。

【００８３】また、請求項４３記載の発明は、請求項４
１に記載の液晶表示装置であって、前記接着剤は、前記
スペーサを中心にして該スペーサの片側方向に略半径寸
法以上に広がった構成であることを特徴としている。

【００８４】前記構成とすることにより、スペーサ部位
毎に液晶分子は、前記一対の基板のうちの少なくとも一
方の基板が、他方の基板とは異なる領域によって、プレ
チィルト角が疑似的に大きくなる片側ＨＡＮ配向、また
はＨＡＮ配向となるため、スプレイ−ベンド転移の初期
化処理時に速やかなベンド配向への移行がなされる。

【００８５】また、請求項４４記載の発明は、請求項４
１〜請求項４３に記載の液晶表示装置であって、前記接
着剤の成分としては、フッ素系配向材料、フッ素系材
料、あるいは、長鎖アルキル材料が含有されていること
を特徴としている。

【００８６】また、請求項４５記載の発明は、請求項４
１〜請求項４４に記載の液晶表示装置であって、前記電
極間に電圧を印加することにより、前記液晶層をスプレ
イ配向からベンド配向に転移させて表示を行うことを特
徴としている。

【００８７】また、請求項４６記載の発明は、電極を有
する一対の基板と、前記一対の基板間に挟持され、スプ
レイ配向した液晶層とを有する液晶表示装置の製造方法
であって、前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基
板上に、前記液晶層中の液晶分子のプレチルト角を大き
くするような接着剤を付着させたスペーサを散布するス
ペーサ散布工程と、前記基板を静置して、前記接着剤に
広がりをもたせる基板静置工程と、前記一対の基板を貼
り合わせて液晶セルを形成する液晶セル形成工程と、を
備えることを特徴としている。

【００８８】また、請求項４７記載の発明は、請求項４
６に記載の液晶表示装置の製造方法であって、前記基板
静置工程において、前記基板を水平にして静置し、前記
接着剤を前記スペーサを中心にして該スペーサの略直径
寸法以上の広がりをもたせることを特徴としている。

【００８９】また、請求項４８記載の発明は、請求項４
６に記載の液晶表示装置の製造方法であって、前記基板
静置工程において、前記基板を垂直にして静置し、前記
接着剤を前記スペーサを中心にして片側方向に該スペー
サの略半径寸法以上の広がりをもたせることを特徴とし
ている。

【００９０】前記方法とすることにより、スペーサ部位
毎に液晶分子は、前記一対の基板のうちの少なくとも一
方の基板が、他方の基板とは異なる領域によって、プレ
チィルト角が疑似的に大きくなる片側ＨＡＮ配向となる
ため、スプレイ−ベンド転移の初期化処理時に速やかな
ベンド配向への移行がなされるＯＣＢ型の液晶表示装置
を得ることができる。

【００９１】また、請求項４９に記載の発明は、電極を
有する一対の基板と、前記一対の基板間に挟持され、ス
プレイ配向した液晶層とを有する液晶表示装置の製造方
法であって、前記一対の基板のうちの少なくとも一方の
基板上に、前記液晶層中の液晶分子のプレチルト角を大
きくするような接着剤を付着させたスペーサを散布する
スペーサ散布工程と、前記一対の基板を貼り合わせ、該
一対の基板上において前記接着剤に広がりをもたせる基
板静置工程と、を備えることを特徴としている。

【００９２】前記方法とすることにより、スペーサ部位
毎に液晶分子は、プレチィルト角が疑似的に大きくなる
ＨＡＮ配向となるため、スプレイ−ベンド転移の初期化
処理時に速やかなベンド配向への移行がなされるＯＣＢ
型の液晶表示装置を得ることができる。

【００９３】

【発明の実施の形態】（１）第１の発明群における実施
の形態 以下、本発明の第１の発明群について図面に基づいて説
明する。

【００９４】[実施の形態１]図１は本発明の実施の形態
１に係る液晶表示装置の構成概念図を示し、図１（ａ）
は、液晶表示装置の画素単位の構成概念断面図、図１
（ｂ）は同じく液晶表示装置の画素単位の構成概念平面
図、図１（ｃ）は、図１（ａ）を横から見た時の液晶分
子のベンド配向状態と配向処理方向を模式的に図示した
ものである。

【００９５】本実施の形態の液晶表示装置は、図示して
いない２枚の偏光板および光学補償用の位相補償板を一
方にあるいは両方に配置したアクティブマトリックス型
の液晶セル１２４を有する。

【００９６】前記液晶セル１２４は、互いに対向する対
向基板１０５とアレー基板１０６とを有し、該アレー基
板１０６にはＴＦＴからなるスイッチング素子１２３、
ソース配線電極１８１等が配置されている。また、前記
スイッチング素子１２３、ソース配線電極１８１等の上
には、例えば透明なアクリル系有機ポリマーなどの透明
絶縁膜材料からなる平坦化膜１００が約３μｍの厚さで
積層されている。

【００９７】前記平坦化膜１００面上には、各画素単位
にＩＴＯなどからなる画素電極１２８…が隣接間隔約３
μｍおいて複数配置されている。また、前記スイッチン
グ素子１２３のドレイン電極と画素電極１２８とは、平
坦化膜１００に設けた導通口１１０を通じて導通させて
いる。

【００９８】また、前記対向基板１０５上には対向電極
１２７が形成され、該対向電極１２７と前記画素電極１
２８の面上には、例えば日産化学工業（株）社製のポリ
アミック酸タイプのポリイミド配向膜材料を塗布焼成さ
せ、配向膜１２９・１９１が形成されている。

【００９９】また、前記配向膜１２９・１９１間には、
アレー基板１０６と対向基板１０５との間隔を一定に保
つための径約５μｍのスペーサ（図示せず）、および正
の誘電率異方性のネマティック液晶材料からなる液晶層
１２２が挿入配置されている。

【０１００】そして、前記配向膜１２９・１９１は、そ
の表面上の液晶分子のプレチルト角が正負逆の値約５〜
６度を持つように、互いにほぼ平行方向になるよう同一
方向に（図１（ｂ）に示す矢印の方向であり、ソ−ス配
線電極１８１方向に沿って）平行配向処理されている。

【０１０１】これによって、図示せぬが、液晶層１２２
はいわゆる無電圧印加状態で液晶分子が斜めに広がった
配向領域からなるいわゆるスプレイ配向の液晶セル１２
４が形成される。

【０１０２】このように構成された液晶表示装置で、通
常の表示の前に、ゲート配線電極１２６を通常の走査状
態か、あるいは殆ど全てオンさせた状態にして、対向電
極１２７と画素電極１２８との間に例えば高電圧−１５
Ｖパルスを繰り返し印加する。

【０１０３】そして、前記平坦化膜１００による平坦化
構成によって、極めて狭い間隔で画素電極１２８…を形
成することができ、該画素電極１２８…間には電界歪み
が発生印加される。或いは、画素電極１２８とゲート配
線電極１２６との間に電界歪みが発生する。これによっ
て、画素領域内の図示していないスプレイ配向から、画
素電極１２８のソース配線電極あるいはゲート配線電極
側の辺部では、ｂ−スプレイ配向１１２への配向変化が
起こり、これからベンド配向１１３への転移核が発生し
その領域を拡大する。

【０１０４】そして、ｔ−スプレイ配向１１１の領域も
すべてベンド配向１１３の領域へ最終的には移行し、画
素領域全体を約０．５秒でベンド配向領域に変化させる
ことができた。

【０１０５】また、ＴＦＴパネル全体では約３秒で速か
に転移完了させることができ、転移を確実にしかも速く
起こし、表示欠陥のないアクティブマトリックス型の液
晶セルからなる高速応答で広視野高画質のＯＣＢ表示モ
ードの液晶表示装置を得ることができた。

【０１０６】また、前記隣接する狭い画素電極間隔に発
生する電界歪みで、画素電極辺部の付近の液晶分子は基
板面に水平状態に配向され、いわゆるｂ−スプレイ配向
１１２となり、周囲より歪みのエネルギーが高くなっ
て、この状態に、上下電極間に高電圧が印加されること
によって更にエネルギーが与えられ、前記画素電極際に
おいて転移核が発生し、ベンド配向１１３の領域が拡大
したものと考えられる。

【０１０７】また、前記平坦化膜１００により、画素電
極１２８そのもの、または画素電極間全体に渡ってその
表面の凹凸を低減することによって、スプレイ配向から
ベンド配向への転移を容易にかつ確実に実現することが
できる。

【０１０８】ここで、図２に示すような実験を行った。
図２は平坦化膜上に凸部を形成して転移実験をした場合
の概略図であり、図２（ａ）は、液晶表示装置の画素単
位の構成概念断面図、図２（ｂ）は同じく液晶表示装置
の画素単位の構成概念平面図である。

【０１０９】ここで、図２（ａ）に示すように、前記平
坦化膜１００上に凸部１００ａ・１００ｂ・１００ｃ・
１００ｄを形成し、平坦化膜の平坦性とスプレイ配向か
らベンド転移への転移との関係を求める実験を行った。
尚、前記凸部１００ａの高さは１μｍ、凸部１００ｂの
高さは０．５μｍ、凸部１００ｃは０．５μｍ、凸部１
００ｄは２μｍとした。

【０１１０】このように構成された液晶表示装置で、前
記と同様にして、通常の表示の前に、ゲート配線電極１
２６を通常の走査状態か、あるいは殆ど全てオンさせた
状態にして、対向電極１２７と画素電極１２８との間に
例えば高電圧−１５Ｖパルスを繰り返し印加する。そし
て、画素領域内にベンド配向１１３の領域を拡大させ
た。

【０１１１】その結果、図２（ｂ）に示すように、画素
電極１２８のソース配線電極あるいはゲート配線電極側
の辺部から発生したベンド配向領域１１３は、凸部１０
０ａ、凸部１００ｂ、凸部１００ｃを乗り越えて拡大す
るが、凸部１００ｄを乗り越えて拡大することはでき
ず、凸部１００ｄで止まることが確認された。この実験
結果より、この前記平坦化膜１００による平坦化は完全
である必要がなく、実用上は、平坦化膜１００の段差が
１μｍ以下、望ましくは０．５μｍ以下であれば良いこ
とが分かる。

【０１１２】また、前記平坦化膜により基板を平坦化す
ることで、前記画素電極間の距離を縮めることができ
る。これは、通常の構成では、例えば、画素電極−ソー
ス電極、ソース電極一画素電極の双方の合わせマージン
を十分に取る必要があるため、画素電極間の距離は２０
μｍ程度と大きいものであった。しかし、本発明によっ
て、画素電極間の距離は、画素電極一画素電極間の合わ
せマージンのみを考慮するだけで済むため、この距離を
半分以下の１０μｍ以下にすることができる。このよう
に、画素電極間の距離を短くすることにより、画素間へ
の転移がより良好に成長し、画素間を跨いで成長するこ
とを実現することができる。尚、この距離は１μｍ以上
１０μｍ以下が望ましく、さらに望ましくは１μｍ以上
５μｍ以下であれば、尚良い。

【０１１３】また、図３に示すような構成とすることも
できる。即ち、前記画素電極１２８上、より具体的に
は、画素電極１２８の一端に、ＩＴＯで被覆された樹脂
等からなる導電性突起１２８ａを形成することによっ
て、前記突起１２８ａ周辺で転移核の発生が更に容易と
なる。そして、発生した転移核と転移核との間が平坦で
あれば、或いは、転移核の拡大する方向が平坦であれ
ば、容易にベンド領域が拡大することとなる。

【０１１４】以上のように、凹凸を低減すること、及び
画素電極間の距離を縮めることによって転移を液晶セル
全体に渡って容易に、かつ確実とすることができた。

【０１１５】（２）第２の発明群における実施の形態 以下、本発明の第２の発明群について図面に基づいて説
明する。

【０１１６】[実施の形態２]図４は本発明の実施の形態
２に係る液晶表示装置の構成概念図であり、図４（ａ）
は、液晶表示装置の画素単位の構成概念断面図、図４
（ｂ）は同じく液晶表示装置の画素単位の構成概念平面
図である。

【０１１７】図４（ａ）に示すように、本発明の実施の
形態２に係る液晶表示装置は、図示していない２枚の偏
光板および光学補償用の位相補償板を一方にあるいは両
方に配置したアクティブマトリックス型の液晶セル１３
４を有する。

【０１１８】前記液晶セル１３４は対向する対向基板１
０５、アレー基板１０６を有し、該アレー基板１０６に
はＴＦＴからなるスイッチング素子１３３、ソース配線
電極１８１等を配置している。前記スイッチング素子１
３３、配線電極１８１等の上には、例えば透明なアクリ
ル系有機ポリマーなどの透明絶縁膜材料からなる平坦化
膜１００が約３μｍの厚さで積層されている。

【０１１９】前記平坦化膜１００面上の各画素単位にＩ
ＴＯからなる画素電極１３８…を、隣接間隔約８μｍお
いて複数配置している。前記スイッチング素子１３３の
ドレイン電極と画素電極１３８とは平坦化膜１００に設
けた導通口１１０を通じて導通させている。

【０１２０】また、前記対向基板１０５上にはＩＴＯか
らなる対向電極１２７が形成されている。そして、前記
対向電極１２７と電気的に導通させた幅７μｍの柱状の
導電性形成体１４１を、前記隣接する該画素電極１３８
…間の間隙位置の上方に配置している。尚、前記導電性
形成体１４１は、画素電極１３８…領域（画素電極１３
８…の上方位置）に配置されていても良い。

【０１２１】前記導電性形成体１４１の柱状長さは、前
記基板１０５・１０６間の間隔を一定に保つためのスペ
ーサ径（５μｍ）より短い約３μｍで形成されており、
導電性形成体１４１は、アレー基板１０５とは非電気導
通で配置形成されている。即ち、導電性形成体１４１は
画素電極１３８…間の間隙に位置しているが、アレー基
板１０５側には接触せず非電気導通性の関係にある。

【０１２２】前記導電性形成体１４１の非電気導通性を
更に向上させるためには、導電性形成体１４１の少なく
とも先端部にＳｉＯ₂、ＳｉＮｘ等の電気絶縁体を被覆
すれば良い。勿論、導電性形成体１４１全体を電気絶縁
体で被覆していても良い。また、前記導電性形成体１４
１そのものは、対向電極を構成するカラーフィルタ、Ｉ
ＴＯ等のプロセス等で形成することができる。

【０１２３】こうして作製した対向電極１２７、導電性
形成体１４１面上および前記画素電極１３８面上に、例
えば日産化学工業（株）社製のポリアミック酸タイプの
ポリイミド配向膜材料を塗布焼成し、配向膜１２９、１
９１が形成されている。

【０１２４】また、前記配向膜１２９・１９１は、その
表面上の液晶分子のプレチルト角が正負逆の値約５〜６
度を持つように、互いにほぼ平行方向になるよう同一方
向（図４（ｂ）の矢印に示すように、ソ−ス配線電極１
８１方向）に沿って平行配向処理されている。

【０１２５】そして、正の誘電率異方性のネマティック
液晶材料からなる液晶層１３２が、前記基板１０５・１
０６間に挿入配置されている。

【０１２６】このようにして、液晶層１３２はいわゆる
無電圧印加状態で液晶分子が斜めに広がった配向領域か
らなるいわゆるスプレイ配向の液晶セル１３４が形成さ
れる。

【０１２７】前記で、通常の表示の前に、ゲート配線電
極１３６を通常の走査状態か、あるいは殆ど全てオンさ
せた状態にして、対向電極１３７と画素電極１３８間に
例えば高電圧−１５Ｖパルスを繰り返し印加する。この
とき、前記対向電極１２７と電気的に接続された導電性
形成体１４１と極めて近い画素電極１３８の辺部との間
に斜めの強電界が発生印加される。これによって、画素
領域内のスプレイ配向から、導電性形成体１４１の近く
の画素電極１３８の辺部ではｂ−スプレイ配向１１２へ
の配向変化が起こり、これからベンド配向１１３の転移
核が発生しその領域を拡大する。

【０１２８】また、図示せぬが、形成されるｔ−スプレ
イ配向領域もすべてベンド配向１１３へ最終的には移行
し、画素領域全体を約０．２秒でベンド配向領域に変化
し、ＴＦＴパネル全体では約１秒で速かに転移完了で
き、転移を確実にしかも速く起こし、表示欠陥のないア
クティブマトリックス型の液晶セルからなる高速応答で
広視野高画質のＯＣＢ表示モードの液晶表示装置を得る
ことができた。

【０１２９】これは、前記導電性形成体１４１と極めて
近い画素電極１３８際との間に斜めの強電界が発生印加
されその電界歪みで、その付近の液晶分子は基板面に水
平状態に配向され、いわゆるｂ−スプレイ配向１１２の
状態となり、周囲より歪みのエネルギーが高くなって、
この状態に、上下電極間に高電圧が印加されることによ
って更にエネルギーが与えられ前記画素電極際において
ベンド配向への転移核が発生し、ベンド配向１１３の領
域が拡大したものと考えられる。

【０１３０】尚、図５に示すように、前記導電性形成体
１４１の幅は、画素電極間Ｗ１の間隔より大きくても良
く、従って、導電性形成体１４１は、画素電極１２８に
一部またがっていても良い。また、図示せぬが、前記導
電性形成体１４１は、更に、小さくても良い。

【０１３１】また、画素開口率の点から画素電極間隔は
１０μｍ以下であれば良く、更に１μｍ以上５μｍ以下
がより望ましい。

【０１３２】また、前記導電性形成体１４１の形状は、
特に限定されるものではなく、柱状でも台形状等でも良
い。また、導電性形成体１４１の位置は、ソース配線１
８１上に位置するようにしているが、ゲート配線１２６
上でも良いのは勿論である。

【０１３３】また、本実施の形態では、導電性形成体１
４１の長さは、基板１０５・１０６間の間隔を一定に保
つためのスペーサ径（図示せぬ）より短い長さに形成し
ているが、図６に示すように、導電性形成体１４２の如
く、対向する基板１０５・１０６間の間隔を一定に保つ
ためのスペーサとするような構成とすることもできる。

【０１３４】即ち、導電性形成体１４２は、基板１０５
・１０６の間隔を一定に保つ通常のスペーサとほぼ同程
度の長さにして作製される。

【０１３５】この場合、導電性形成体１４２は画素電極
１３８…間に位置されるため、電気的に絶縁を保つため
に、該導電性形成体１４２の幅は画素電極間の間隔Ｗ２
より狭いことが必要だが、スペーサ導電性形成体１４２
の少なくとも先端部に電気絶縁体が被覆されていれば良
く、その場合には、導電性形成体１４２の幅は、画素電
極１３８…間の間隔Ｗ２より大きくて良い。また、導電
性形成体の形状は限定されるものではない。

【０１３６】よって、前記のようにして作成された液晶
表示装置は、通常のスペーサが必要なく、スペーサレス
工法プロセスとすることができ、製造工程の簡略化を図
ることができ。また、更に均一な表示の液晶表示装置と
することができる。

【０１３７】このようにして、転移を確実にしかも速く
起こし、表示欠陥のないアクティブマトリックス型の液
晶セルからなる高速応答で広視野高画質のＯＣＢ表示モ
ードの液晶表示装置を得ることができる。

【０１３８】また、本実施の形態では、スイッチング素
子や配線電極などを被覆する平坦化膜の上に画素電極を
形成し、隣接画素電極間の位置に、対向電極と導通した
導電性形成体を配置させたが、前記アレー基板１０６に
平坦化膜無しに通常の画素電極を形成配置し、その隣接
画素電極間隔位置に、対向電極と導通した導電性形成体
を配置させても、同様な転移がし易い効果を得ることが
できた。

【０１３９】更に、他の液晶表示装置においては、例え
ば、基板をプラスチックから形成したり、基板の一方を
反射性基板から形成したり、シリコンで形成しても良
い。

【０１４０】[第１および第２の発明群に関するその他
の事項] 前記平坦化膜材料はシリカ系等の透明な無機薄膜材料
でも良い。

【０１４１】前記配向膜材料は所定のプレチルト角が
出れば良く、ポリイミド系材料等を用いることができ、
また、その配向処理も光配向のようなノンラビング配向
処理方法でも良い。

【０１４２】前記では、ソース配線電極方向に平行に
配向処理したが、ゲート配線電極方向に平行に配向処理
してもよく、更に、配線電極線に対して斜め方向に配向
処理してもよく、その方向は光学視野角特性に関係し自
由に選択できる。

【０１４３】前記液晶表示装置としては、ＯＣＢモー
ドだけでなく、液晶層の相転移を速めるどのようなモー
ドの液晶表示装置でも構わない。

【０１４４】（３）第３の発明群における実施の形態 以下、本発明の第３の発明群について図面に基づいて説
明する。

【０１４５】[実施の形態３−１]図７は本発明の実施の
形態３−１に係る液晶表示装置の構成概念図を示す。図
７（ａ）に示すように、本実施の形態の液晶表示装置
は、図示していない２枚の偏光板および光学補償用の位
相補償板を一方にあるいは両方に配置した液晶セル２２
４を有する。

【０１４６】前記液晶セル２２４は、対向する基板２０
５・２０６を有し、基板２０５には対向電極２１７、基
板２０６には画素電極２７１を配置し、前記電極２１７
・２７１上には例えば径１．５μｍ程度のＡｕ薄膜を表
面にコートしたポリマー樹脂粒子からなる導電性粒子２
８０…を少なくとも１個以上の複数個を分散し配置して
いる。

【０１４７】また、前記対向電極２１７と前記画素電極
２７１の面上および導電性粒子２８０…を被覆するよう
に配向膜２９０・２９１が形成されている。

【０１４８】前記配向膜２９０・２９１の間には、図示
しないが基板間隔を一定に保つための径約５μｍのスペ
ーサ、および正の誘電率異方性のネマティック液晶材料
からなる液晶層２２２が挿入配置されている。そして、
前記液晶層２２２がいわゆる無電圧印加状態で液晶分子
が斜めに広がった配向領域からなるいわゆるスプレイ配
向を形成するように、配向膜２９０・２９１はその表面
上の液晶分子のプレチルト角が正負逆の値約５〜６度を
持つように、互いにほぼ平行方向になるよう同一方向
（紙面上、左右方向）に平行配向処理されている。

【０１４９】尚、前記導電性粒子２８０…の占める面積
は、配向膜２９０・２９１の面積より遙かに小さいの
で、液晶層全体の配向には影響は殆ど無い。従って、液
晶層２２２はいわゆる無電圧印加状態で液晶分子が斜め
に広がった配向領域からなるいわゆるスプレイ配向２２
１の液晶セル２２４が形成されている。

【０１５０】次に、前記液晶表示装置の製造方法につい
て説明する。

【０１５１】図８は本発明の実施の形態２−１に係る液
晶表示装置の製造方法を示す概念図である。

【０１５２】まず、基板２０６に画素電極２７１を形成
する。

【０１５３】次に、図８（ａ）に示すように、径１．５
μｍ程度のＡｕ薄膜を表面にコートしたポリマー樹脂粒
子からなり、その表面に熱可塑性あるいは熱硬化性接着
剤を若干付着させた導電性粒子２８０を、前記電極２７
１上にエアーあるいは不活性ガスにより画素単位に少な
くとも１個以上複数個程度載るように分散配置する。

【０１５４】次に、前記基板２０６に熱を加え画素電極
２７１と導電性粒子２８０を接着固着する。

【０１５５】次に、図８（ｂ）に示すように、画素電極
２７１の面上および導電性粒子２８０を被覆して、例え
ば日産化学工業（株）社製のポリアミック酸タイプのポ
リイミド配向膜材料ワニスをスピナーあるいは印刷機で
塗布し、これを焼成して配向膜２９１を形成した。

【０１５６】また、図示せぬが、基板２０５に対しても
前記と同様にして作製した。

【０１５７】次に、液晶層がいわゆる無電圧印加状態で
液晶分子が斜めに広がった配向領域からなるいわゆるス
プレイ配向を形成するように、前記配向膜２９０・２９
１を、その表面上の液晶分子のプレチルト角が正負逆の
値約５〜６度を持つように、互いにほぼ平行方向になる
よう同一方向に平行配向処理した。

【０１５８】次に、前記基板２０５・２０６の間隔を一
定に保つために、径約５μｍのスペーサ、および正の誘
電率異方性のネマティック液晶材料からなる液晶層を両
基板２０５・２０６間に挿入配置した。

【０１５９】このようにして構成された液晶表示装置の
動作について説明する。

【０１６０】図７（ｂ）の液晶表示装置の画素単位の構
成概念断面図で、通常の表示の前に、対向電極２１７と
画素電極２７１との間に、例えば高電圧±１５Ｖパルス
を連続的にあるいは数十ｍｓから数百ｍｓ間隔で間欠的
に繰り返し印加する。これによって、対向電極２１７お
よび画素電極２７１上に配置された導電性粒子２８０・
２８０で起きる電界集中により、画素領域内の図示して
いないスプレイ配向から、導電性粒子２８０・２８０近
辺で配向変化が起こり、導電性粒子２８０・２８０を基
点としてベンド配向２１３による転移核が発生し、引き
続き印加される高電圧の印加でそのベンド配向領域を拡
大した。

【０１６１】そして、画素領域全体を約０．５秒でベン
ド配向領域に変化させることができ、パネル全体では約
２秒で速かに転移完了させることができた。転移完了
後、通常の表示駆動回路に接続し、転移を確実にしかも
速く起こし、表示欠陥のない液晶セルからなる高速応答
で広視野高画質のＯＣＢ表示モードの液晶表示装置を得
ることができた。

【０１６２】尚、本実施の形態では、対向する基板２０
５・２０６上に導電性粒子２８０・２８０を固着した
が、一方の基板に対してのみ固着しても良い。

【０１６３】[実施の形態３−２]図９は本発明の実施の
形態３−２に係る液晶表示装置の構成概念図である。

【０１６４】図９（ａ）に示すように、図示していない
２枚の偏光板および光学補償用の位相補償板を一方にあ
るいは両方に配置したアクティブマトリックス型の液晶
セル２３４を有する。

【０１６５】前記液晶セル２３４は、対向する対向基板
２０５、アレー基板２０６を有し、該アレー基板２０６
には画素単位にＴＦＴからなるスイッチング素子２４
３、ゲート、ソース配線電極（図示せず）等を配置して
いる。また、前記スイッチング素子２４３にはＩＴＯか
らなる画素電極２７１が接続されている。また、前記対
向基板２０５上にはＩＴＯからなる対向電極２１７が形
成されている。

【０１６６】また、前記対向電極２１７および画素電極
２７１面上には、配向膜２９０・２９１が形成され、該
配向膜２９０・２９１には、導電性粒子２８０…が混成
分散されている。前記導電性粒子２８０…は、約１．５
μｍ径のＡｕ薄膜を表面にコートしたポリマー樹脂粒子
からなる。

【０１６７】尚、殆どの導電性粒子２８０…は電極２１
７・２７１に電気接触している。また、前記両基板２０
５・２０６上に導電性粒子２８０…を混成分散したが、
一方の基板電極上のみでも良い。

【０１６８】また、前記配向膜２９０・２９１はその表
面上の液晶分子のプレチルト角が正負逆の値約５〜６度
を持つように、互いにほぼ平行方向になるよう同一方向
に平行配向処理されている。

【０１６９】また、正の誘電率異方性のネマティック液
晶材料からなる液晶層２２２が、前記対向基板２０５と
アレー基板２０６との間に挿入配置されており、液晶層
２２２はいわゆる無電圧印加状態で液晶分子が斜めに広
がった配向領域からなるいわゆるスプレイ配向２２１の
液晶セル２３４が形成されている。

【０１７０】次に、前記液晶表示装置の製造方法につい
て説明する。

【０１７１】図１０は本発明の実施の形態３−２に係る
液晶表示装置の製造方法を示す概念図である。

【０１７２】図１０（ａ）に示すように、アレー基板２
０６に配線電極（図示せぬ）やスイッチング素子２４
３、画素電極２７１を形成する。

【０１７３】次に、基板間隔より小さい径、例えば径
１．５μｍ程度のＡｕ球の導電性粒子２８０と、例えば
日産化学工業（株）社製のポリアミック酸タイプのポリ
イミド配向膜材料ワニスを混合分散する。

【０１７４】次に、図１０（ｂ）に示すように、前記配
向膜材料と導電性粒子を混合分散した材料を、基板２０
６の画素電極２４３の面上に、スピナーあるいは印刷機
で塗布し、これを焼成して導電性粒子２８０が分散配置
された配向膜２９１を形成する。

【０１７５】また、図示せぬが、基板２０５に対しても
前記同様に作製した。

【０１７６】次に、液晶層がいわゆる無電圧印加状態で
液晶分子が斜めに広がった配向領域からなるいわゆるス
プレイ配向を形成するように、配向膜２９０・２９１は
その表面上の液晶分子のプレチルト角が正負逆の値約５
〜６度を持つように、互いにほぼ平行方向になるよう同
一方向に平行配向処理する。

【０１７７】次に、図示しないが基板間隔を一定に保つ
ため、径約５μｍのスペーサ、および正の誘電率異方性
のネマティック液晶材料からなる液晶層を両基板間に挿
入配置した。

【０１７８】前記導電性粒子の占める面積は配向膜面積
より遙かに小さいので、液晶層全体の配向には影響は殆
ど無い。従って、液晶層はいわゆる無電圧印加状態で液
晶分子が斜めに広がった配向領域からなるいわゆるスプ
レイ配向の液晶セルが形成された。

【０１７９】このようにして構成された液晶表示装置の
動作について説明する。

【０１８０】図９（ｂ）のアクティブマトリックス型の
液晶表示装置の画素単位の構成概念断面図で、通常の表
示の前に、ゲート電極を通常の走査状態か、あるいは殆
ど全てオンさせた状態にして、対向電極２１７と画素電
極２７１間に例えば高電圧−１５Ｖパルスを連続的にあ
るいは数十ｍｓから数百ｍｓ間隔で間欠的に繰り返し印
加する。これは対向電極への電圧中心から−１５Ｖパル
スを印加することで実施できる。また、前記パルス電圧
にバイアス電圧を重畳しても良い。

【０１８１】前記電圧印加により、電極２１７・２７１
上に接触した導電性粒子２８０…の周囲で起きる電界集
中により、画素領域内の図示していないスプレイ配向か
ら、導電性粒子２８０…近辺で配向変化が起こり、これ
からベンド配向２１３による転移核が発生し、引き続き
印加される高電圧の印加でそのベンド配向領域を拡大
し、画素領域全体を約０．５秒でベンド配向領域に変化
させることができ、パネル全体では約１秒で速かに転移
完了させることができた。

【０１８２】転移完了後、通常の表示駆動回路に切り換
え、転移を確実にしかも速く起こし、表示欠陥のない液
晶セルからなる高速応答で広視野高画質のＯＣＢ表示モ
ードのアクティブマトリックス型の液晶表示装置を得る
ことができた。

【０１８３】これは、前記導電性粒子と対向電極との間
に特に強い電界集中が起きてその電界歪みで、付近のス
プレイ配向した液晶分子は周囲より歪みのエネルギーが
高くなって、この状態に上下電極間に高電圧が印加され
ることによって更にエネルギーが与えられて導電性粒子
２８０…を基点としてベンド配向２１３への転移核が発
生し、ベンド配向の領域が拡大したものと考えられる。

【０１８４】このようにして、対向する基板間の液晶層
全体をスプレイ配向からベンド配向へ確実で速かに転移
させ、表示欠陥のないアクティブマトリックス型の液晶
セルからなる高速応答で広視野高画質のＯＣＢ表示モー
ドの液晶表示装置を得ることができた。

【０１８５】[第３の発明群に関するその他の事項] 実施の形態３−２のアクティブマトリックス型の液晶
表示装置では、アレー基板２０６表面上のほぼ同じ高さ
に画素電極２７１やスイッチング素子２４３が形成され
たが、画素電極２７１が、スイッチング素子２４３ある
いは配線上を平坦に被覆する平坦化膜の上に形成配置さ
れる構成の高開口率のアクティブマトリックス型の液晶
表示装置でも良い。これは、前記第１の発明群のところ
で述べたように、平坦化構成の平坦化膜の上に画素電極
を形成し、該画素電極上に導電性粒子が配置される構成
である。

【０１８６】前記実施の形態では、基板としてガラス
を用いているが、例えば、基板をプラスチックから形成
しても良く、基板の一方を反射性基板から形成しても良
く、更には、シリコンで形成しても良い。

【０１８７】前記実施の形態では、導電性粒子として
Ａｕ薄膜を表面にコートしたポリマー樹脂粒子や、Ａｕ
球粒子としたが、その他、Ａｇ、Ｎｉ、Ｐｄ等の金属性
粒子、あるいはＮｉ、ＩＴＯ薄膜などを表面にコートし
たポリマー樹脂粒子、あるいはガラス、酸化アルミニウ
ム、酸化チタン等の無機材料粒子でも良い。更には、図
１１に示すような形状の酸化亜鉛ウィスカー２２０…を
導電性粒子として用いることができ、形状等は限定され
るものではない。

【０１８８】前記の導電性粒子の径は、組立時の両基
板間隔の値より小さい値が必要で、前記導電性粒子を両
基板に配置する時にはその径は両基板間隔の値の２分の
１より小さい値であれば良い。これによって基板両電極
間の電気接触を回避できる。

【０１８９】粒子径は小さいほど印加電圧が大きい値
が必要である。基板間隔の約１００分の１より大きい径
の導電性粒子であれば良い。また、その分散配置の個数
は画素毎に１個以上であれば良いが、複数個以上でもよ
い。

【０１９０】（４）第４の発明群における実施の形態 図１２は、代表的なＯＣＢモード型液晶表示装置に電圧
を０→Ｖ１→Ｖ２→Ｖ３→Ｖ４→Ｖ５（０＜Ｖ１＜Ｖ２
＜Ｖ３＜Ｖ４＜Ｖ５）と順次増加させて加えて行った時
の、液晶層内の液晶ダイレクタの動きの印加電圧による
相違を模式的に（おおよその傾向として）現わしたもの
である。

【０１９１】尚、この場合、左右（本図では左右だが、
実際の使用状態は表と裏側）両配向膜界面での液晶プレ
チルト角（電圧無印加時での液晶プレチルト角）の初期
値は同一にしてある。

【０１９２】以下、本図をもとに、この配向の変化の内
容を説明する。

【０１９３】図１２の（ａ）は、電圧無印加時の液晶の
配向状態（スプレイ状態）を現わしている。この場合に
は当然セル中央の液晶ダイレクタ３１１ａは基板に水平
である。

【０１９４】いま、図１２（ａ）の状態の液晶表示装置
に閾値以上の電圧Ｖ１を印加すると、動きを拘束する配
向膜から離れているため、一番動き易いセル中央の液晶
分子が最初に図１２（ｂ）に示す様に傾き、それに伴い
一方（図では左側）の配向膜界面での液晶プレチルト角
は増大し、他方（図では右側）の配向膜界面での液晶プ
レチルト角は減少する。そしてこの時、基板に水平な液
晶ダイレクタ３１１ａが存在する位置は低プレチルトの
配向膜界面に近づく。

【０１９５】図１２の（ｃ）及び（ｄ）は、更に電圧が
加わった（高くなった）場合であり、図示の左側の高プ
レチルト配向膜界面でのプレチルト角は更に大きくなっ
ており、図の右側の低プレチルト配向膜界面でのプレチ
ルト角は更に小さくなっている。更に電圧を上げた図１
２（ｄ）においては、基板に水平なダイレクタ方位を有
する液晶分子は殆ど低プレチルト配向膜界面近傍に存在
することとなっている。

【０１９６】図１２（ｅ）は、電圧Ｖ４の印加によるベ
ンド転移直前の配向状態を表わし、図１２（ｆ）は電圧
Ｖ５印加によりベンド配向となった時点での配向状態を
表わしている。図１２（ｅ）においても配向膜に平行な
ダイレクタ方位を有する液晶分子は存在するが、図１２
（ｆ）においてはそれを有する液晶分子は存在しない。

【０１９７】一旦、図１２（ｆ）の配向状態となった液
晶表示装置は、図１２（ｇ）に示される配向状態（定常
状態）に速やかに移行する。

【０１９８】以上の転移メカニズムより、速やかなスプ
レイ−ベンド転移がなされるためには、液晶層中央付近
で液晶ダイレクタ方位が配向膜（基板）に垂直（直交）
になっていることと、一方の配向膜界面でのプレチルト
角が小さくなっていることが重要であることが判る。逆
に言うならば、かかる如くすることにより速やかなスプ
レイ−ベンド転移がなされることになる。

【０１９９】しかしながら前述したように、数Ｖ程度の
電圧印加では、この初期化処理に分単位の時間が必要で
ある。

【０２００】反面、２０Ｖ等の高電圧で印加する様にす
るためには、別途の回路が必要となり、液晶表示装置の
コストアップ、信頼性の低下、表示異常等につながった
りするため好ましくない。

【０２０１】即ち、このため、本発明群はこのスプレイ
−ベンド転移を速やかに起こさせるべく、ＯＣＢモード
の液晶表示装置において、該液晶表示装置中に封入され
ている液晶層中の液晶分子が接触する配向膜界面が、凹
凸構造を有することを特徴としている。

【０２０２】以下、本発明を、その実施の形態に基づい
て説明する。

【０２０３】[実施の形態４−１]図１３は本発明の実施
の形態４−１に係る液晶表示装置の断面構成を概念的に
示したものであり、スプレイ−ベンド転移時間の実験に
用いたテストセルである。

【０２０４】本実施の形態に係る液晶表示装置の製造方
法であるが、まず、透明電極３０２・３０７を有する２
枚のガラス基板３０１・３０８上に日産化学工業（株）
製配向膜塗料ＳＥ−７４９２（固形成分６％）を凸版印
刷法にて塗布し、１８０℃の恒温層中で１時間硬化させ
て配向膜３０６・３０６を形成した。

【０２０５】前記配向膜３０６・３０６の塗布に用いた
凸版印刷版は、スクリーン線数１００ライン（２．５４
ｍｍ／１００ライン）、網点ピッチ０．２５４ｍｍ、３
０％網点直径０．１５７φｍｍ、網点深度０．０８４ｍ
ｍ、網点角度３０°の設計であり、一般的な材質の樹脂
凸版を用いた。これにより、厚さ約０．１μｍの配向膜
で高さ０．７〜０．８μｍの凸構造が形成できた。

【０２０６】その後、レーヨン製ラビング布を用いて各
配向膜３０６・３０６をラビング処理し、（株）日本触
媒製スペーサ及びストラクトボンドＸＮ−２１−Ｓ（三
井東圧化学（株）製シール樹脂の商品名）を用いて、前
記基板３０１・３０８の基板間隔が６．５μｍとなるよ
うに貼り合せ、液晶セルを作製した。

【０２０７】このとき、ラビング方向は図１３の矢印に
示す如く両基板３０１・３０８とも同一方向とした。

【０２０８】次にメルクジャパン（株）製液晶ＭＪ９６
４３５を真空注入法にて前記液晶セル内に注入し、封止
樹脂３５２Ａ（日本ロックタイト（株）製ＵＶ硬化型樹
脂製）を用いて封止した。

【０２０９】次に、その偏光軸が配向膜のラビング処理
方向と４５°の角度をなし、かつ、お互いの偏光軸方向
が直交するように偏光板を上下から貼合し、テストセル
を作製した。このテストセルをＡとする。また、比較と
して、テストセルＡと同じ構造かつ製造方法ではある
が、配向材料をスピンコート法で塗布したものをテスト
セルＲ１、一般的に使用されるスクリーン線数３００ラ
インの樹脂凸版で塗布したものをテストセルＲ２とす
る。

【０２１０】これらのテストセルＡ、Ｒ１、Ｒ２に４５
Ｈｚ、７Ｖ矩形波を印加したときに、全電極領域がスプ
レイ配向からベンド配向へと転移するに要する時間を観
察した。

【０２１１】表１に、テストセルＡ、Ｒ１、Ｒ２に４５
Ｈｚ、７Ｖ矩形波を印加したときに全電極領域がスプレ
イ配向からベンド配向へと転移するに要する時間を示
す。

【表１】

【０２１２】表１より明らかなように、テストセルＲ
１、Ｒ２は転移時間が２０〜３０秒であるのに対し、本
発明に係るテストセルＡは５秒以内と速やかに転移す
る。

【０２１３】この理由であるが、液晶分子が配向膜厚の
異なる領域によってプレチィルト角を疑似的に大きくさ
せるように作用し、つまり配向膜厚の段差部分に出来た
傾き角の量だけ、スプレイの配向状態に非対称性が発生
し、電界との相乗効果により、液晶ダイレクタがテスト
セル基板面、そして配向膜面に対して直交となり易くな
る。そしてこのため、液晶ダイレクタの変位が極めてス
ムーズに進行するため、高速なスプレイ−ベンド転移が
実現される。

【０２１４】また、テストセルＲ２とテストセルＡの比
較から明らかなように、樹脂凸版のスクリーン線数が大
きくなると転移時間を早める効果が失われる。

【０２１５】この理由であるが、樹脂凸版のスクリーン
線数が大きくなると実質的に配向膜の段差が発生し難く
なり、テストセルＲ２の如くスピンコート法による塗膜
の状態（段差がない状態）に近づくためである。

【０２１６】また、同様の電圧印加テストで４５Ｈｚ、
５Ｖ矩形波を印加したときの転移時間の変化を表２に示
す。

【表２】

【０２１７】表２より明らかなように、テストセルＲ
１、Ｒ２は転移時間が約４００秒で未転移部分が残存
し、これ以上転移しない状況であるのに対し、本発明の
テストセルＡは４０秒以内と速やかに転移する。

【０２１８】[実施の形態４−２]図１４は本発明の実施
の形態４−２に係る液晶表示装置の断面構成を概念的に
示したものである。

【０２１９】本実施の形態に係る液晶表示装置のスプレ
イ−ベンド転移時間の実験に用いたテストセルは、二点
を除いてその機械的部分の構成、構造、セル作製方法、
使用材料等は先の実施の形態４−１と同じである。一点
目は、ＵＶアッシャー、あるいはオゾンアッシャー、あ
るいはＵＶ／オゾンアッシャー等を用いて電極３１０・
３１１を粗し、該電極３１０・３１１上に配向膜３１２
・３１３を形成して配向膜３１２・３１３に凹凸構造を
有するようにしたこと、二点目は配向膜形成にスピンコ
ート法を用いていることである。このテストセルをＢと
する。

【０２２０】また、比較として、先のテストセルＲ１を
用いた。これらのテストセルＢ、Ｒ１に４５Ｈｚ、７Ｖ
矩形波を印加したときに、全電極領域がスプレイ配向か
らベンド配向へと転移するに要する時間を観察した。

【０２２１】表３に、テストセルＢ、Ｒ１に４５Ｈｚ、
７Ｖ矩形波を印加したときに全電極領域がスプレイ配向
からベンド配向へと転移するに要する時間を示す。

【表３】

【０２２２】表３より明らかなようにテストセルＲ１は
転移時間が２０〜３０秒であるのに対し、本発明に係る
液晶表示装置のテストセルＢは３秒以内と速やかに転移
する。

【０２２３】この理由であるが、図１４に示すように、
液晶層３１４中の液晶分子が基板内面電極３１０・３１
１の表面凹凸形状に対応した配向膜３１２・３１３表面
に配向する際、スプレイ状態として種々の液晶ダイレク
タを有する配向状態を取ることになる。その結果、スプ
レイの配向状態に大きな非対称性が発生し、電界との相
乗効果により、液晶ダイレクタがテストセル基板面、そ
して配向膜面に対して直交となり易くなる。そしてこの
ため、液晶ダイレクタの変位が極めてスムーズに進行す
るため、高速なスプレイ−ベンド転移が実現される。

【０２２４】[実施の形態４−３]本実施の形態に係る液
晶表示装置のスプレイ−ベンド転移時間の実験に用いた
テストセルは、二点を除いてその機械的部分の構成、構
造、セル作製方法、使用材料等は先のテストセルＢと同
じである。一点目は、図１５に示すように、使用する基
板が画素電極やスイッチング素子（図示せぬ）を有する
アレー基板３１６であり、該アレー基板３１６および対
向電極（図示せぬ）を有する対向基板３１５上に平坦化
膜３１８・３１７を形成し、該平坦化膜３１８・３１７
が凹凸構造を有すること、二点目はテストセルＲ２と同
様に、スクリーン線数３００ラインの樹脂凸版を用いて
いることである。

【０２２５】なお、前記平坦化膜３１７・３１８表面に
凹凸構造を形成させるには、前述のＵＶアッシャー、あ
るいはオゾンアッシャー、あるいはＵＶ／オゾンアッシ
ャー等を用いた。このテストセルをＣとする。

【０２２６】また、比較として、先のテストセルＲ１を
用いた。

【０２２７】これらのテストセルＣ、Ｒ１に４５Ｈｚ、
７Ｖ矩形波を印加したときに、全電極領域がスプレイ配
向からベンド配向へと転移するに要する時間を観察し
た。

【０２２８】表４に、テストセルＣ、Ｒ１に４５Ｈｚ、
７Ｖ矩形波を印加したときに全電極領域がスプレイ配向
からベンド配向へと転移するに要する時間を示す。

【表４】

【０２２９】表４より明らかなようにテストセルＲ１は
転移時間が２０〜３０秒であるのに対し、テストセルＣ
は３秒以内と速やかに転移する。

【０２３０】[実施の形態４−４]本実施の形態に係る液
晶表示装置のスプレイ−ベンド転移時間の実験に用いた
テストセルは、二点を除いてその機械的部分の構成、構
造、セル作製方法、使用材料等は先のテストセルＢと同
じである。一点目は、使用するアレー基板自身に凹凸構
造を有するようにし、該基板上に平坦化膜を形成するこ
と、二点目はテストセルＲ２と同様に、スクリーン線数
３００ラインの樹脂凸版を用いていることである。

【０２３１】なお、前記基板表面に凹凸構造を形成させ
るには、前述のＵＶアッシャー、あるいはオゾンアッシ
ャー、あるいはＵＶ／オゾンアッシャー等を用いた。こ
のテストセルをＤとする。

【０２３２】また、比較として、先のテストセルＲ１を
用いた。これらのテストセルＣ、Ｒ１に４５Ｈｚ、７Ｖ
矩形波を印加したときに、全電極領域がスプレイ配向か
らベンド配向へと転移するに要する時間を観察した。

【０２３３】表５に、テストセルＤ、Ｒ１に４５Ｈｚ、
７Ｖ矩形波を印加したときに全電極領域がスプレイ配向
からベンド配向へと転移するに要する時間を示す。

【表５】

【０２３４】表５より明らかなように、Ｒ１は転移時間
が２０〜３０秒であるのに対し、本発明に係るテストセ
ルＤは３秒以内と速やかに転移する。

【０２３５】[実施の形態４−５]本実施に形態に係る液
晶表示装置のスプレイ−ベンド転移時間の実験に用いた
テストセルは、一点を除いてその機械的部分の構成、構
造、セル作製方法、使用材料等は先のテストセルＡと同
じである。唯一異なる点とは、配向膜材料中に粉体、微
粒子等を分散させたものを印刷法やスピンコート法を用
いて配向膜を形成することである。より具体的には、配
向膜材料中に散布スペーサを３ｗｔ％程度分散し、スク
リーン線数３００ラインの樹脂凸版を用いて印刷法によ
りテストセルを作製した。このテストセルをＥとする。

【０２３６】また、比較として、先のテストセルＲ１を
用いた。これらのテストセルＥ、Ｒ１に４５Ｈｚ、７Ｖ
矩形波を印加したときに、全電極領域がスプレイ配向か
らベンド配向へと転移するに要する時間を観察した。

【０２３７】表６に、テストセルＥ、Ｒ１に４５Ｈｚ、
７Ｖ矩形波を印加したときに全電極領域がスプレイ配向
からベンド配向へと転移するに要する時間を示す。

【表６】

【０２３８】表６より明らかなようにテストセルＲ１は
転移時間が２０〜３０秒であるのに対し、テストセルＥ
は２秒以内と速やかに転移する。

【０２３９】この理由であるが、図１６に示すように、
液晶層３１４中の液晶分子が配向膜を有する散布用途ス
ペーサ３１０表面に沿って配向し、基板３０８に対して
垂直方向に液晶ダイレクタを有する領域を作るようにな
る。この領域に電界をかけると、本領域を核として電界
との相乗効果により、液晶ダイレクタがテストセル基板
面、そして配向膜面に対して直交となり易くなる。そし
てこのため、液晶ダイレクタの変位が極めてスムーズに
進行するため、高速なスプレイ−ベンド転移が実現され
る。

【０２４０】以上より明らかなように、本発明群の液晶
表示装置は、従来のＯＣＢモードの諸特性を全く犠牲に
することなく、高速で確実なスプレイ−ベンド配向転移
を達成することが可能であり、その実用価値は極めて大
きい。

【０２４１】[第４の発明群に関するその他の事項]第４
の発明群について説明してきたが、本発明は上記のもの
に限定されないのは勿論である。即ち、例えば以下のよ
うにしてもよい。

【０２４２】液晶表示装置としては、ＯＣＢモードだ
けでなく、液晶層の相転移を速めるどのようなモードの
液晶表示装置でも構わない。また、反射型あるいは透過
型を問わず、どのようなモードの液晶表示装置でも構わ
ない。

【０２４３】反射型用途に用いる場合は、反射板自身
が視野角拡大、白色化、反射輝度向上等の目的のため、
その表面にある特殊なパターンの凹凸形状を有している
が、このような凹凸形状を利用しても良い。

【０２４４】凹凸形状は画素全面に作製する必要はな
く、画素の一部分に存在さえすれば、この部分より発生
したベンド状態が画素全面に拡大する。よって、ＴＦＴ
作製時に数枚のマスクを用いて凹凸形状を作製しても良
く、またこのような部分的凹凸形状作製はＴＦＴ作製時
に限らず、どのような工程で行っても良い。

【０２４５】配向膜表面に凹凸形状を作製する方法
で、前述した配向膜材料中に粉体、微粒子等を分散させ
たものを印刷法やスピンコート法を用いて行う方法以外
に、配向膜印刷後、直ぐにスペーサ散布、仮硬化後、更
に配向材料の上塗り等をする方法を用いても同様の結果
が得られる。また湿式散布機で、スペーサを分散した配
向材料をそのまま吹き付けても良い。

【０２４６】（５）第５の発明群における実施の形態 以下、本発明の第５の発明群について説明する。本発明
はスプレイ−ベンド転移を速やかに、各画素毎に確実に
起こさせるべく、ＯＣＢモードの液晶表示装置の中に封
入している液晶分子が、接触する接着剤付きスペーサの
接着部位にて「ＨＡＮ配向」を有することを特徴として
いる。

【０２４７】以下、本発明を、その実施の形態に基づい
て説明する。

【０２４８】[実施の形態５−１]図１７は本発明の実施
の形態５−１に係る液晶表示装置のテストセルの断面構
成を概念的に示す図であり、スプレイ−ベンド転移時間
の実験に用いたテストセルの概略断面図である。

【０２４９】本実施の形態に係る液晶表示装置の製造方
法について説明すると、まず、透明電極４０２・４０７
をそれぞれ有する２枚のガラス基板４０１・４０８上
に、日産化学工業（株）製配向膜塗料ＳＥ−７４９２
（固形成分６％）をスピンナー法にて塗布し、１８０℃
の恒温層中で１時間硬化させて配向膜４０３・４０６を
形成した。

【０２５０】その後、前記配向膜４０３・４０６を、レ
ーヨン製ラビング布を用いて各画素毎にラビング処理を
し、前記ガラス基板４０８上に、（株）日本触媒製スペ
ーサ４０５（２〜３μｍビーズＧＰＺ−６０に２５重量
％の接着剤４１０をコーティングしたもの）を散布し、
１８０℃の恒温層中で水平置きで１０分処理し、前記基
板４０８上にスペーサ４０５を固着させ、前記接着剤４
１０はスペーサ４１０の直径寸法程度の広がりを有して
いる。

【０２５１】前記接着剤４１０の材質については、その
接着剤４１０の表面で液晶を垂直、ハイチルトに配向さ
せるような性能を有すれば良く、例えば、接着剤の分子
構造の中にフッ素等を導入して液晶層中の液晶の垂直配
向を強めるようにされている。また、フッ素系配向材料
やフッ素系材料、長鎖アルキル材料系の材料を接着剤に
混合するようにしても良い。

【０２５２】次に、シール樹脂としてストラクトボンド
ＸＮ−２１−Ｓ（三井東圧化学（株）製シール樹脂の商
品名）を用いて前記ガラス基板４０１・４０８の基板間
隔が６．５μｍとなるように貼り合せ、液晶セルを作製
した。

【０２５３】このとき、図１７での上側、下側のラビン
グ方向は図１８に示す如く両基板とも同一方向とした。

【０２５４】次に、メルクジャパン（株）製液晶ＭＪ９
６４３５を真空注入法にて前記液晶セル内に注入し、封
止樹脂３５２Ａ（日本ロックタイト（株）製ＵＶ硬化型
樹脂製）を用いて封止した。

【０２５５】次に、その偏光軸が配向膜のラビング処理
方向と４５°の角度をなし、かつ、お互いの偏光軸方向
が直交するように偏光板（図示せぬ）を上下から貼合
し、テストセルを作製した。このテストセルをＡとす
る。

【０２５６】一方、比較のため、前記実施の形態５−１
と同じ構造かつ同じ製造方法ではあるが、接着剤をコー
ティングしていないＧＰＺ−６０を使用してテストセル
を作製した。このテストセルをＲとする。

【０２５７】これらのテストセルＡ、Ｒに４５Ｈｚ、７
Ｖ矩形波を印加したときに、全電極領域がスプレイ配向
からベンド配向へと転移するに要する時間を観察した。

【０２５８】表７に、テストセルＡ、Ｒに４５Ｈｚ、７
Ｖ矩形波を印加したときに全電極領域がスプレイ配向か
らベンド配向へと転移するに要する時間を示す。

【表７】

【０２５９】表７より明らかなように、テストセルＲは
転移時間が２０〜３０秒であるのに対し、テストセルＡ
は４秒以内で速やかに転移する。

【０２６０】この理由であるが、図１７の状態で、液晶
層中の液晶分子が、前記接着剤による配向膜とは異なる
領域によってプレチィルト角が疑似的に大きくなり、つ
まり擬似的な片側ＨＡＮ配向によってスプレイの配向状
態に非対称性が発生し、電界との相乗効果により、液晶
ダイレクタがテストセル基板面、そして配向膜面に対し
て直交となり易くなる。そしてこのため、液晶ダイレク
タの変位が極めてスムーズに進行するため、高速なスプ
レイ−ベンド転移が実現される。

【０２６１】また、同様の電圧印加テストで４５Ｈｚ、
５Ｖ矩形波を印加したときの転移時間の変化を表８に示
す。

【表８】

【０２６２】表８より明らかなように、テストセルＲは
転移時間が約４００秒で未転移部分が残存し、これ以上
転移しない状況であるのに対し、テストセルＡは３０秒
以内と、決して速くはないが、確実に転移する。

【０２６３】[実施の形態５−２]本実施の形態に係る液
晶表示装置のスプレイ−ベンド転移時間の実験に用いた
テストセルは、一点を除いてその機械的部分の構成、構
造、セル作製方法、使用材料等は前記実施の形態５−１
と同じである。その一点とは、１８０℃の恒温層中で水
平置きではなく、垂直置きで１０分処理して基板４０８
にスペーサ４０５を固着し、図１９に示すように、前記
接着剤４１１をスペーサ４０５の片側に該スペーサ４０
５の半径寸法程度の広がりを持たせたことである。この
テストセルをＢとする。

【０２６４】また、比較として、前記実施の形態４−１
のテストセルＡを用いた。これらのテストセルＡ、Ｂに
４５Ｈｚ、７Ｖ矩形波を印加したときに、全電極領域が
スプレイ配向からベンド配向へと転移するに要する時間
を観察した。

【０２６５】表９に、テストセルＡ、Ｂに４５Ｈｚ、７
Ｖ矩形波を印加したときに全電極領域がスプレイ配向か
らベンド配向へと転移するに要する時間を示す。

【表９】

【０２６６】表９より明らかなようにテストセルＡ、Ｂ
ともに転移時間が４秒以内で同等である。この理由であ
るが、水平置きで、スペーサと基板の接点に対して均等
に接着剤を広げた場合も、垂直置きで接着剤を不均等に
広げた場合においても、片側ＨＡＮ配向の面積はほぼ同
等であることになる。よって、この場合においても、ス
ムーズなスプレイ−ベンド転移が実現される。

【０２６７】[実施の形態５−３]図２０は本発明の実施
の形態５−３に係る液晶表示装置のテストセルの断面構
成を概念的に示す図である。

【０２６８】本実施の形態の液晶表示装置のスプレイ−
ベンド転移時間の実験に用いたテストセルは、二点を除
いてその機械的部分の構成、構造、セル作製方法、使用
材料等は前記実施例Ａと同じである。一点目は、スペー
サ４１５として径が５μｍのものをギャップ形成を兼ね
て使用している、二点目は上下基板４０１・４０８を重
ね合わせ、上下基板４０１・４０８をスペーサ４１５に
接触させながら接着剤４１０を上下基板４０１・４０８
に広げたことである。この様にして作製したテストセル
をＣとする。

【０２６９】比較として、前記実施の形態５−１のテス
トセルＡを用いた。これらのテストセルＣ、Ａに４５Ｈ
ｚ、７Ｖ矩形波を印加したときに、全電極領域がスプレ
イ配向からベンド配向へと転移するに要する時間を観察
した。

【０２７０】表１０に、実施例のテストセルＣ、Ａに４
５Ｈｚ、７Ｖ矩形波を印加したときに全電極領域がスプ
レイ配向からベンド配向へと転移するに要する時間を示
す。

【表１０】

【０２７１】表１０より明らかなように、テストセルＡ
は、転移時間が４秒以内であるのに対し、テストセルＣ
は２秒以内と、更に速やかに転移する。

【０２７２】この理由は、前記実施の形態５−１、５−
２では擬似的な片側ＨＡＮ配向であったが、本実施の形
態では擬似的な上下ＨＡＮ配向になっており、スプレイ
−ベンド転移が更に加速されたためである。

【０２７３】また、本実施の形態の液晶表示装置は、ス
ペーサによる基板間のギャップ形成と同時に疑似ＨＡＮ
構成を形成することができるものであり、製造工程の簡
略化を図ることができ、低コストプロセスとすることが
できる。

【０２７４】以上より明らかなように、第５の発明群の
液晶表示装置は、従来のＯＣＢモードの諸特性を全く犠
牲にすることなく、高速で確実なスプレイ−ベンド配向
転移を達成することが可能であり、その実用価値は極め
て大きい。

【０２７５】[第５の発明群に関するその他の事項]以
上、本発明の第５の発明群を幾つかの実施の形態に基づ
いて説明してきたが、何も前記のものに限定されないの
は勿論である。

【０２７６】即ち、例えば以下のようにしてもよい。

【０２７７】本発明群では、接着剤の広がりはスペー
サの直径寸法程度としたが、直径寸法より小さくても良
く、また、逆に、直径寸法以上に広がっていても良く、
より接着剤が広がっている方がＨＡＮ配向の領域は拡大
され、より配向転移し易くなる。

【０２７８】液晶表示装置としては、ＯＣＢモードだ
けでなく、液晶層の相転移を速めるどのようなモードの
液晶表示装置でも構わない。また、反射型あるいは透過
型を問わず、どのようなモードの液晶表示装置でも構わ
ない。

【０２７９】予め配向処理された基板面の配向機能の
一部を弱く、あるいは消去することで本発明におけるベ
ンド転移の高速化が達成される。従って、この様な構成
を達成出来る工法であれば、どの様な方法を利用しても
良い。

【０２８０】フォトリソグラフィー法により、レジス
トなどに柱状の形状を作した基板を用いて作製した場合
においても、これらの密集部分より同様のベンド転移が
発生する。よって、形成した形状自身がラビングを阻害
するような構成、配置であっても良い。

【０２８１】

【発明の効果】以上に説明したように、本発明の構成に
よれば、本発明の課題を十分に達成することができる。

【０２８２】即ち、一対の基板と、前記一対の基板間に
挟持された液晶層とを有し、該液晶層に電圧を印加しな
い状態の液晶の配向状態を配向状態１、表示に用いる配
向状態を配向状態２とし、配向状態１と配向状態２とが
異なる液晶表示装置であって、前記液晶層と前記一対の
基板のうちの少なくとも一方の基板との界面を平坦化し
た構成とすることにより、転移を確実にしかも速く起こ
し、表示欠陥のない、高速応答で広視野高画質の液晶表
示装置を得ることができる。

【０２８３】また、画素電極を有するアレー基板と対向
電極を有する対向基板との間に液晶層を挟持し、該液晶
層をベンド配向させて表示をさせるアクティブマトリッ
クス型の液晶表示装置であって、前記対向電極と電気導
通した導電性形成体が対向基板上に形成され、前記アレ
ー基板とは非電気導通で配置した構成とすることによ
り、前記導電性形成体と画素電極との間に斜めの強電界
が発生印加され、その電界歪みで、前記導電性形成体と
画素電極との近傍に位置する液晶層中の液晶分子は、周
囲より歪みのエネルギーが高くなり、この状態に画素電
極と対向電極との間に高電圧を印加することによって、
ベンド配向への転移核が発生し、ベンド配向の領域を拡
大することができる。

【０２８４】また、電極を有する一対の基板と、前記一
対の基板間に挟持された液晶層とを有し、該液晶層中の
液晶分子をベンド配向させて表示をさせる液晶表示装置
であって、少なくとも一方の基板の電極表面上に、前記
一対の基板間の間隔より小さい径の導電性粒子を少なく
とも１個配置することにより、前記導電性粒子で起きる
電界集中により、ベンド配向の転移核が発生し、引き続
き印加される高電圧の印加でそのベンド配向領域を拡大
することができる。

【０２８５】また、電極を有する一対の基板と、前記一
対の基板の間に挟持された液晶層とを有し、該液晶層を
スプレイ配向させた液晶表示装置であって、前記電極表
面上に形成された配向膜表面が凹凸構造を有することに
より、前記液晶層中の液晶分子は、配向膜の膜厚の異な
る領域によって、プレチィルト角が疑似的に大きくなる
状態となるため、スプレイ−ベンド転移の初期化処理時
に速やかなベンド配向への移行がなされる。

【０２８６】また、電極を有する一対の基板と、前記一
対の基板間に挟持され、スプレイ配向した液晶層とを有
する液晶表示装置であって、前記一対の基板間に複数の
スペーサが配置され、該スペーサは、少なくとも一方の
基板に、前記液晶層中の液晶分子のプレチルト角を大き
くするような接着剤により固着され、該接着剤は前記基
板上に広がった構成とすることにより、スペーサ部位毎
に液晶分子は、前記一対の基板のうちの少なくとも一方
の基板が、他方の基板とは異なる領域によって、プレチ
ィルト角が疑似的に大きくなるので、スプレイ−ベンド
転移の初期化処理時に速やかにベンド配向への移行がな
される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置の構
成概念図である。

【図２】平坦化膜上に凸部を形成して転移実験をした場
合の概略図である。

【図３】画素電極の一端領域を該画素電極の平均高さよ
り高く構成した場合の概略図である。

【図４】本発明の実施の形態２に係る液晶表示装置の構
成概念図である。

【図５】本発明の実施の形態２に係る液晶表示装置の他
の例を示す構成概念図である。

【図６】本発明の実施の形態２に係る液晶表示装置の他
の例を示す構成概念図である。

【図７】本発明の実施の形態３−１に係る液晶表示装置
の構成概念図である。

【図８】本発明の実施の形態３−１に係る液晶表示装置
の製造方法を示す概念図である。

【図９】本発明の実施の形態３−２に係る液晶表示装置
の構成概念図である。

【図１０】本発明の実施の形態３−２に係る液晶表示装
置の製造方法を示す概念図である。

【図１１】導電性粒子として酸化亜鉛を使用した場合の
構成概念図である。

【図１２】ＯＣＢモード型液晶表示装置におけるスプレ
イ配向からベンド配向への液晶ダイレクタの動きを説明
するための概念図である。

【図１３】本発明の実施の形態４−１に係る液晶表示装
置に用いたテストセルの断面構成を概念的に示す図であ
る。

【図１４】本発明の実施の形態４−２に係る液晶表示装
置に用いたテストセルの断面構成を概念的に示す図であ
る。

【図１５】本発明の実施の形態４−３に係る液晶表示装
置に用いたテストセルの断面構成を概念的に示す図であ
る。

【図１６】本発明の実施の形態４−５に係る液晶表示装
置のテストセルの断面図とスペーサ周辺のスプレイ配向
状態を概念的に示す図である。

【図１７】本発明の実施の形態５−１に係る液晶表示装
置のテストセルの断面構成を概念的に示す図である。

【図１８】図１７の液晶表示装置のラビング方向を示す
概念図である。

【図１９】本発明の実施の形態５−２に係る液晶表示装
置のテストセルの断面構成を概念的に示す図である。

【図２０】本発明の実施の形態５−３に係る液晶表示装
置のテストセルの断面構成を概念的に示す図である。

【図２１】従来の液晶表示装置の構成概念図である。

【符号の説明】

１・２ 偏光板 ３ 位相補償板 ５ 対向基板 ６ アレー基板 １１ スプレイ配向 １２ 液晶層 １３ ベンド配向 １４ 液晶セル １７ 対向電極 １８ 画素電極 １９ 配向膜 １００ 平坦化膜 １００ａ・１００ｂ・１００ｃ・１００ｄ 凸部 １０５ 対向基板 １０６ アレー基板 １１０ 導通口 １１１ ｔ−スプレイ配向 １１２ スプレイ配向 １１３ ベンド配向 １２２ 液晶層 １２３ スイッチング素子 １２４ 液晶セル １２６ ゲート配線電極 １２７ 対向電極 １２８ 画素電極 １２８ａ 導電性突起 １２９・１９１ 配向膜 １３２ 液晶層 １３３ スイッチング素子 １３４ 液晶セル １３８ 画素電極 １４１ 導電性形成体 １４２ 導電性形成体 １８１ ソース配線電極 ２０５・２０６ 基板 ２１７ 対向電極 ２２０ 酸化亜鉛ウィスカー ２２１ スプレイ配向 ２２２ 液晶層 ２２４ 液晶セル ２３４ 液晶セル ２４３ スイッチング素子 ２７１ 画素電極 ２８０ 導電性粒子 ２９０・２９１ 配向膜 ３０１・３０８ ガラス基板 ３０２・３０７ 透明電極 ３０６ 配向膜 ３１０ スペーサ ３１１ 電極 ３１１ａ 液晶ダイレクタ ３１２・３１３ 配向膜 ３１４ 液晶層 ３１５ 対向基板 ３１６ アレー基板 ３１７・３１８ 平坦化膜 ４０１・４０８ ガラス基板 ４０２・４０７ 透明電極 ４０３・４０６ 配向膜 ４０５ スペーサ ４１０ 接着剤 ４１１ 接着剤 ４１５ スペーサ Ｃ プレチルト角

フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願2000−40595(P2000−40595) (32)優先日 平成12年２月18日(2000．2．18) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (72)発明者 中尾 健次 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 石原 將市 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 上村 強 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H088 GA02 HA02 HA03 HA04 HA08 HA16 HA18 JA09 KA26 KA30 MA02 MA07 MA10 2H089 HA15 NA09 QA16 RA07 SA17 TA05 TA06 TA09 2H090 HA08 HB04X HB08X HB13X HC14 HD03 HD14 LA01 LA02 LA04 LA06 LA09 MA02 MA10 MA15 MA16 MB03

Claims (49)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の基板と、前記一対の基板間に挟持
   された液晶層とを有し、該液晶層に電圧を印加しない状
   態の液晶の配向状態を配向状態１、表示に用いる配向状
   態を配向状態２とし、配向状態１と配向状態２とが異な
   る液晶表示装置であって、 前記液晶層と前記一対の基板のうちの少なくとも一方の
   基板との界面を平坦化した構成であることを特徴とする
   液晶表示装置。
2. 【請求項２】 前記一対の基板のうちの一方の基板がア
   クティブマトリクス基板であることを特徴とする請求項
   １に記載の液晶表示装置。
3. 【請求項３】 前記界面を樹脂層よりなる平坦化膜によ
   り平坦化した構成であることを特徴とする請求項１に記
   載の液晶表示装置。
4. 【請求項４】 前記平坦化膜の少なくとも一部の上に電
   極を形成したことを特徴とする請求項３に記載の液晶表
   示装置。
5. 【請求項５】 前記配向状態１がスプレイ配向状態、前
   記配向状態２がベンド配向状態であることを特徴とする
   請求項１に記載の液晶表示装置。
6. 【請求項６】 前記基板上の凹凸の段差が１μｍ以下で
   あることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
7. 【請求項７】 前記基板上の凹凸の段差が０．５μｍ以
   下であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装
   置。
8. 【請求項８】 前記アクティブマトリクス基板が複数の
   画素電極を有し、該画素電極間の距離が１μｍ以上１０
   μｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載の液晶
   表示装置。
9. 【請求項９】 前記アクティブマトリクス基板が複数の
   画素電極を有し、該画素電極間の距離が１μｍ以上５μ
   ｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載の液晶表
   示装置。
10. 【請求項１０】 前記画素電極の少なくとも一部領域が
    該画素電極の平均高さより高いことを特徴とする請求項
    ８または請求項９に記載の液晶表示装置。
11. 【請求項１１】 前記画素電極と前記一対の基板のうち
    の他方の基板に形成された対向電極間に電圧を印加して
    液晶層をベンド配向へ転移させ、転移後の状態で表示を
    行うことを特徴とする請求項８または請求項９に記載の
    液晶表示装置。
12. 【請求項１２】 画素電極を有するアレー基板と対向電
    極を有する対向基板との間に液晶層を挟持し、該液晶層
    をベンド配向させて表示をさせるアクティブマトリック
    ス型の液晶表示装置であって、 前記対向電極と電気導通した導電性形成体が対向基板上
    に形成され、前記アレー基板とは非電気導通で配置され
    て構成されていることを特徴とする液晶表示装置。
13. 【請求項１３】 前記導電性形成体は、隣接した画素電
    極間の間隙位置にアレー基板とは非電気導通で配置され
    た構成であることを特徴とする請求項１２に記載の液晶
    表示装置。
14. 【請求項１４】 前記画素電極は、アレー基板上に形成
    された平坦化膜の上に配置された構成であることを特徴
    とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
15. 【請求項１５】 前記平坦化膜の凹凸の段差が１μｍ以
    下であることを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示
    装置。
16. 【請求項１６】 前記平坦化膜の凹凸の段差が０．５μ
    ｍ以下であることを特徴とする請求項１４に記載の液晶
    表示装置。
17. 【請求項１７】 前記アレー基板が複数の画素電極を有
    し、該画素電極間の距離が１μｍ以上１０μｍ以下であ
    ることを特徴とする請求項１２〜請求項１６に記載の液
    晶表示装置。
18. 【請求項１８】 前記アレー基板が複数の画素電極を有
    し、該画素電極間の距離が１μｍ以上５μｍ以下である
    ことを特徴とする請求項１２〜請求項１６に記載の液晶
    表示装置。
19. 【請求項１９】 前記導電性形成体は、絶縁体で被覆さ
    れていることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示
    装置。
20. 【請求項２０】 前記導電性形成体の高さは、前記アレ
    ー基板と対向基板との間の間隔より小さいことを特徴と
    する請求項１２に記載の液晶表示装置。
21. 【請求項２１】 前記導電性形成体は、前記アレー基板
    と対向基板との間の間隔を一定に保つスペーサであるこ
    とを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
22. 【請求項２２】 前記画素電極と対向電極間に電圧を印
    加して液晶層をベンド配向へ転移させ、転移後の状態で
    表示を行うことを特徴とする請求項１２〜請求項２１に
    記載の液晶表示装置。
23. 【請求項２３】 電極を有する一対の基板と、前記一対
    の基板間に挟持された液晶層とを有し、該液晶層をベン
    ド配向させて表示をさせる液晶表示装置であって、 少なくとも一方の基板の電極表面上に、前記一対の基板
    間の間隔より小さい径の導電性粒子が少なくとも１個配
    置されてなることを特徴とする液晶表示装置。
24. 【請求項２４】 少なくとも一方の基板の電極表面上
    に、前記導電性粒子が配向膜の下に配置されてなること
    を特徴とする請求項２３に記載の液晶表示装置。
25. 【請求項２５】 少なくとも一方の基板の電極表面上
    に、前記導電性粒子が配向膜と混成分散配置されてなる
    ことを特徴とする請求項２３に記載の液晶表示装置。
26. 【請求項２６】 前記一対の基板のうちの一方の基板に
    は、画素毎に画素電極、スイッチング素子が形成されて
    いることを特徴とする請求項２３〜請求項２５に記載の
    液晶表示装置。
27. 【請求項２７】 前記画素電極は、スイッチング素子あ
    るいは配線上を平坦に被覆する平坦化膜上に形成されて
    いることを特徴とする請求項２６に記載の液晶表示装
    置。
28. 【請求項２８】 前記電極間に電圧を印加して液晶層を
    ベンド配向へ転移させ、転移後の状態で表示を行うこと
    を特徴とする請求項２３〜請求項２７に記載の液晶表示
    装置。
29. 【請求項２９】 前記導電性粒子は、導電性薄膜を表面
    にコートした樹脂粒子あるいは無機材料粒子であること
    を特徴とする請求項２３〜請求項２７に記載の液晶表示
    装置。
30. 【請求項３０】 前記導電性粒子の径は、基板間隔の１
    ００分の１以上、２分の１以下であることを特徴とする
    請求項２３〜請求項２７に記載の液晶表示装置。
31. 【請求項３１】 電極を有する一対の基板と、前記一対
    の基板間に挟持された液晶層とを有し、該液晶層をベン
    ド配向させて表示をさせる液晶表示装置の製造方法であ
    って、 少なくとも一方の基板の電極表面上に、基板間隔より小
    さい径の導電性粒子を分散固着する分散工程と、 前記電極上に配向膜材料を塗布焼成する配向膜形成工程
    と、を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
32. 【請求項３２】 電極を有する一対の基板と、前記一対
    の基板間に挟持された液晶層とを有し、該液晶層をベン
    ド配向させて表示をさせる液晶表示装置の製造方法であ
    って、 少なくとも一方の基板の電極表面上に、基板間隔より小
    さい径の導電性粒子と配向膜材料とが混合分散された材
    料を塗布焼成して、前記導電性粒子を混成分散配置する
    配向膜形成工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の
    製造方法。
33. 【請求項３３】 電極を有する一対の基板と、前記一対
    の基板の間に挟持された液晶層とを有し、該液晶層をス
    プレイ配向させた液晶表示装置であって、 前記電極表面上に形成された配向膜表面が凹凸構造を有
    することを特徴とする液晶表示装置。
34. 【請求項３４】 前記凹凸構造は、配向膜の膜厚を変え
    ることによって形成された構成であることを特徴とする
    請求項３３に記載の液晶表示装置。
35. 【請求項３５】 前記配向膜は凸版印刷法によって形成
    された構成であることを特徴とする請求項３３に記載の
    液晶表示装置。
36. 【請求項３６】 一対の基板のうちの一方の基板は、画
    素電極が形成されたアレー基板であり、該アレー基板上
    に平坦化膜が形成され、該平坦化膜が凹凸構造を有する
    ことを特徴とする請求項３３に記載の液晶表示装置。
37. 【請求項３７】 前記基板は反射性基板であり、該基板
    の反射面が凹凸構造を有することを特徴とする請求項３
    ３に記載の液晶表示装置。
38. 【請求項３８】 前記電極間に電圧を印加して液晶層を
    ベンド配向へ転移させ、転移後の状態で表示を行うこと
    を特徴とする請求項３３〜請求項３７に記載の液晶表示
    装置。
39. 【請求項３９】 電極を有する一対の基板と、前記一対
    の基板の間に挟持された液晶層とを有し、該液晶層をス
    プレイ配向させ、前記電極表面上に形成された配向膜表
    面が凹凸構造を有する液晶表示装置の製造方法であっ
    て、 前記電極表面に、ＵＶアッシャー、あるいはオゾンアッ
    シャー、あるいはＵＶ／オゾンアッシャー等を用いて凹
    凸構造を形成する工程を含むことを特徴とする液晶表示
    装置の製造方法。
40. 【請求項４０】 電極を有する一対の基板と、前記一対
    の基板の間に挟持された液晶層とを有し、該液晶層をス
    プレイ配向させ、前記電極表面上に形成された配向膜表
    面が凹凸構造を有する液晶表示装置の製造方法であっ
    て、 前記電極表面上に形成する配向膜の印刷用ワニスに予
    め、粉体あるいは微粒子を分散する分散工程と、 前記ワニスを前記電極表面に塗布焼成して配向膜を形成
    する配向膜形成工程と、を含むことを特徴とする液晶表
    示装置の製造方法。
41. 【請求項４１】 電極を有する一対の基板と、前記一対
    の基板間に挟持され、スプレイ配向した液晶層とを有す
    る液晶表示装置であって、 前記一対の基板間に複数のスペーサが配置され、該スペ
    ーサは、少なくとも一方の基板に、前記液晶層中の液晶
    分子のプレチルト角を大きくするような接着剤により固
    着され、該接着剤は前記基板上に広がった構成であるこ
    とを特徴とする液晶表示装置。
42. 【請求項４２】 前記接着剤は、前記スペーサを中心に
    して該スペーサの略直径寸法以上に広がった構成である
    ことを特徴とする請求項４１記載の液晶表示装置。
43. 【請求項４３】 前記接着剤は、前記スペーサを中心に
    して該スペーサの片側方向に略半径寸法以上に広がった
    構成であることを特徴とする請求項４１記載の液晶表示
    装置。
44. 【請求項４４】 前記接着剤の成分としては、フッ素系
    配向材料、フッ素系材料、あるいは、長鎖アルキル材料
    が含有されていることを特徴とする請求項４１〜請求項
    ４３に記載の液晶表示装置。
45. 【請求項４５】 前記電極間に電圧を印加することによ
    り、前記液晶層をスプレイ配向からベンド配向に転移さ
    せて表示を行うことを特徴とする請求項４１〜請求項４
    ４に記載の液晶表示装置。
46. 【請求項４６】 電極を有する一対の基板と、前記一対
    の基板間に挟持され、スプレイ配向ｆした液晶層とを有
    する液晶表示装置の製造方法であって、 前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板上に、前
    記液晶層中の液晶分子のプレチルト角を大きくするよう
    な接着剤を付着させたスペーサを散布するスペーサ散布
    工程と、 前記基板を静置して、前記接着剤に広がりをもたせる基
    板静置工程と、 前記一対の基板を貼り合わせて液晶セルを形成する液晶
    セル形成工程と、を備えることを特徴とする液晶表示装
    置の製造方法。
47. 【請求項４７】 前記基板静置工程において、前記基板
    を水平にして静置し、前記接着剤を前記スペーサを中心
    にして該スペーサの略直径寸法以上の広がりをもたせる
    ことを特徴とする請求項４６に記載の液晶表示装置の製
    造方法。
48. 【請求項４８】 前記基板静置工程において、前記基板
    を垂直にして静置し、前記接着剤を前記スペーサを中心
    にして片側方向に該スペーサの略半径寸法以上の広がり
    をもたせることを特徴とする請求項４６に記載の液晶表
    示装置の製造方法。
49. 【請求項４９】 電極を有する一対の基板と、前記一対
    の基板間に挟持され、スプレイ配向した液晶層とを有す
    る液晶表示装置の製造方法であって、 前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板上に、前
    記液晶層中の液晶分子のプレチルト角を大きくするよう
    な接着剤を付着させたスペーサを散布するスペーサ散布
    工程と、 前記一対の基板を貼り合わせ、該一対の基板上において
    前記接着剤に広がりをもたせる基板静置工程と、を備え
    ることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。