JP2001289929A - 高周波化磁界センサー - Google Patents
高周波化磁界センサーInfo
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- JP2001289929A JP2001289929A JP2000101058A JP2000101058A JP2001289929A JP 2001289929 A JP2001289929 A JP 2001289929A JP 2000101058 A JP2000101058 A JP 2000101058A JP 2000101058 A JP2000101058 A JP 2000101058A JP 2001289929 A JP2001289929 A JP 2001289929A
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- wiring
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサーにおい
て、高周波化と高感度化を実現し、高周波磁界を精度良
く検知する。 【解決手段】高周波電流源３２から電流供給用ケーブル
コネクタ３３、電流供給用ケーブル３４を介し、プロー
ブ先端部の磁気抵抗効果素子への高周波電流を供給す
る。外部磁界により変化したインピーダンスを、インピ
ーダンス変化検知用ケーブル接続コネクタ３５、インピ
ーダンス変化検知用ケーブル３６を介し、インピーダン
ス変化信号として取り出し、その信号を検波回路３７に
供給する。その後検波信号により抽出された信号を接続
ケーブル用コネクタ３８、接続ケーブル３９を介し、増
幅器４０で増幅し、出力信号とする。ここで、磁気セン
サー素子に電流を与える配線３４のＬ成分によるインピ
ーダンスを磁気センサー素子の有するインピーダンスと
の比で０．１以下にし、全てを石英基板３１上に形成し
た。
て、高周波化と高感度化を実現し、高周波磁界を精度良
く検知する。 【解決手段】高周波電流源３２から電流供給用ケーブル
コネクタ３３、電流供給用ケーブル３４を介し、プロー
ブ先端部の磁気抵抗効果素子への高周波電流を供給す
る。外部磁界により変化したインピーダンスを、インピ
ーダンス変化検知用ケーブル接続コネクタ３５、インピ
ーダンス変化検知用ケーブル３６を介し、インピーダン
ス変化信号として取り出し、その信号を検波回路３７に
供給する。その後検波信号により抽出された信号を接続
ケーブル用コネクタ３８、接続ケーブル３９を介し、増
幅器４０で増幅し、出力信号とする。ここで、磁気セン
サー素子に電流を与える配線３４のＬ成分によるインピ
ーダンスを磁気センサー素子の有するインピーダンスと
の比で０．１以下にし、全てを石英基板３１上に形成し
た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、モータ用磁界測定装
置、ナビゲーション用地磁気センサー等の磁界センサー
に関するものである。また、本発明は、電子式複写機、
ＦＡＸ、印刷機、パソコン等の事務機器、家庭用電気機
器、産業機器等、各種電気電子機器からの電磁ノイズを
検知し、また装置内に内在させるプリント配線基板等か
らのノイズを検知し、その対策に用いるＥＭＣ（電磁環
境適合性：Electromagnetic Compatibilty）規制対策や
電磁障害対策用検査機器にも応用可能なものである。
置、ナビゲーション用地磁気センサー等の磁界センサー
に関するものである。また、本発明は、電子式複写機、
ＦＡＸ、印刷機、パソコン等の事務機器、家庭用電気機
器、産業機器等、各種電気電子機器からの電磁ノイズを
検知し、また装置内に内在させるプリント配線基板等か
らのノイズを検知し、その対策に用いるＥＭＣ（電磁環
境適合性：Electromagnetic Compatibilty）規制対策や
電磁障害対策用検査機器にも応用可能なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の磁気センサーとしてＭＲ
センサー、ＭＩ（磁気インピーダンス）センサー、フラ
ックスゲートセンサー、半導体ホール効果センサーが用
いられてきた。このうちＭＲセンサー、ＭＩセンサーは
ＭＲ素子、ＭＩ素子といった磁気抵抗効果素子を用い、
薄膜化でき、小型化が容易なため近年発明、改良がなさ
れてきた。これらの素子を用いたセンサーは、磁気抵抗
効果素子に電流を流し、ＭＲ素子では直流電流を、ＭＩ
素子では高周波電流を主に流している。
センサー、ＭＩ（磁気インピーダンス）センサー、フラ
ックスゲートセンサー、半導体ホール効果センサーが用
いられてきた。このうちＭＲセンサー、ＭＩセンサーは
ＭＲ素子、ＭＩ素子といった磁気抵抗効果素子を用い、
薄膜化でき、小型化が容易なため近年発明、改良がなさ
れてきた。これらの素子を用いたセンサーは、磁気抵抗
効果素子に電流を流し、ＭＲ素子では直流電流を、ＭＩ
素子では高周波電流を主に流している。
【０００３】磁気抵抗効果素子を利用した従来技術とし
ては、例えば特開平６−１７６９３０号公報記載の「磁
気インダクタンス素子」、特開平６−２５３５７３号公
報記載の「電流検出回路」、特開平９−３１８７１９号
公報記載の「磁気センサー回路」等がある。しかしなが
ら、従来の磁気センサーは比較的低周波磁界の検知が目
的であったので、高周波磁界検知に十分対応した回路構
成となっておらず、高周波磁界の検知を精度良く行うこ
とが困難であった。
ては、例えば特開平６−１７６９３０号公報記載の「磁
気インダクタンス素子」、特開平６−２５３５７３号公
報記載の「電流検出回路」、特開平９−３１８７１９号
公報記載の「磁気センサー回路」等がある。しかしなが
ら、従来の磁気センサーは比較的低周波磁界の検知が目
的であったので、高周波磁界検知に十分対応した回路構
成となっておらず、高周波磁界の検知を精度良く行うこ
とが困難であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、磁気抵抗効
果素子を用いた磁気センサーにおいて、接続する信号処
理回路部の高周波化を行い、磁気センサーの高周波化と
高感度化を実現し、高周波磁界を精度良く検知すること
を、その課題とする。
果素子を用いた磁気センサーにおいて、接続する信号処
理回路部の高周波化を行い、磁気センサーの高周波化と
高感度化を実現し、高周波磁界を精度良く検知すること
を、その課題とする。
【０００５】
【課題解決のために講じた手段】上記課題解決のために
講じた手段は、磁気抵抗効果素子を有する磁界センサー
において、磁気抵抗効果素子に電流を与える配線及び磁
気抵抗効果素子から抵抗の変化を検知するための回路部
に接続される配線におけるＬ成分によるインピーダンス
を磁気抵抗効果素子の有するインピーダンスとの比で
０．１以下としたことである。また、磁気抵抗効果素子
を有する磁界センサーにおいて、磁気抵抗効果素子に電
流を与える配線及び磁気抵抗効果素子から抵抗の変化を
検知するための回路部に接続される配線の構造を伝送線
路構造とした。また、磁気抵抗効果素子を有する磁界セ
ンサーにおいて、磁気抵抗効果素子のインピーダンスと
伝送線路のインピーダンスを概ね一致させた。また、ル
ープコイル部分の一部を磁気抵抗効果素子としたループ
コイル、伝送線路部、パッド部を薄膜で構成し、かつ、
信号処理回路部をチップ部品とし一体に構成した。ま
た、ループコイル部分の一部を磁気抵抗効果素子とした
ループコイル、伝送線路部、パッド部を薄膜で構成し、
かつ、信号処理回路部を有する半導体基板上に一体に構
成した。
講じた手段は、磁気抵抗効果素子を有する磁界センサー
において、磁気抵抗効果素子に電流を与える配線及び磁
気抵抗効果素子から抵抗の変化を検知するための回路部
に接続される配線におけるＬ成分によるインピーダンス
を磁気抵抗効果素子の有するインピーダンスとの比で
０．１以下としたことである。また、磁気抵抗効果素子
を有する磁界センサーにおいて、磁気抵抗効果素子に電
流を与える配線及び磁気抵抗効果素子から抵抗の変化を
検知するための回路部に接続される配線の構造を伝送線
路構造とした。また、磁気抵抗効果素子を有する磁界セ
ンサーにおいて、磁気抵抗効果素子のインピーダンスと
伝送線路のインピーダンスを概ね一致させた。また、ル
ープコイル部分の一部を磁気抵抗効果素子としたループ
コイル、伝送線路部、パッド部を薄膜で構成し、かつ、
信号処理回路部をチップ部品とし一体に構成した。ま
た、ループコイル部分の一部を磁気抵抗効果素子とした
ループコイル、伝送線路部、パッド部を薄膜で構成し、
かつ、信号処理回路部を有する半導体基板上に一体に構
成した。
【０００６】
【作用】磁気抵抗効果素子に電流を与える配線を低Ｌ化
することで、駆動電流の高周波化が可能となり、また磁
気抵抗効果素子から抵抗の変化を検知するための回路部
に接続される配線も低Ｌ化されることで、検波性能の向
上につながり、高感度な磁気センサーが実現可能とな
る。また、高感度な高周波電流プローブへの応用も可能
である。また配線を伝送線路構造とすることで、さらに
感度を向上させることができる。また信号処理回路部を
チップ部品、または直接半導体基板上に形成し、センサ
ー部全体を一体に構成することで、更なる小型化が実現
できる。
することで、駆動電流の高周波化が可能となり、また磁
気抵抗効果素子から抵抗の変化を検知するための回路部
に接続される配線も低Ｌ化されることで、検波性能の向
上につながり、高感度な磁気センサーが実現可能とな
る。また、高感度な高周波電流プローブへの応用も可能
である。また配線を伝送線路構造とすることで、さらに
感度を向上させることができる。また信号処理回路部を
チップ部品、または直接半導体基板上に形成し、センサ
ー部全体を一体に構成することで、更なる小型化が実現
できる。
【０００７】次に図面を参照しつつ実施例１を説明す
る。図１乃至図４は、ＭＩセンサーを用いた場合の例で
ある。作製方法としては、まず図１に示すように、石
英、ガラスなどの絶縁基板１上にＦｅ−Ｎｉ薄膜２ａな
どの磁気抵抗効果膜をスパッタにより作製する。この場
合、磁気抵抗効果素子の材料は、金属部材であれば目的
とする磁界強度に応じて適宜選択すれば良い。なお、Ｆ
ｅ−Ｎｉ薄膜はメッキ法によっても作製できる。
る。図１乃至図４は、ＭＩセンサーを用いた場合の例で
ある。作製方法としては、まず図１に示すように、石
英、ガラスなどの絶縁基板１上にＦｅ−Ｎｉ薄膜２ａな
どの磁気抵抗効果膜をスパッタにより作製する。この場
合、磁気抵抗効果素子の材料は、金属部材であれば目的
とする磁界強度に応じて適宜選択すれば良い。なお、Ｆ
ｅ−Ｎｉ薄膜はメッキ法によっても作製できる。
【０００８】次に図２に示す如く、通常の半導体製作工
程のフォトリソを用いて、直線状に磁気抵抗効果素子２
ｂとして機能できる膜厚５μｍ×幅１０μｍ×長さ２０
０μｍの形にする。この寸法は目的によって適宜変更で
きる。その後、図３に示すように、絶縁層としてＳｉＯ
２膜３をスパッタで成膜し、フォトリソ工程で、磁気抵
抗効果素子上にスルーホール４を加工する。なお、フォ
トリソ工程によっては絶縁層を必要としない工程にする
こともできる。また、絶縁層はＳｉ窒化膜などのほかの
材料でもよい。
程のフォトリソを用いて、直線状に磁気抵抗効果素子２
ｂとして機能できる膜厚５μｍ×幅１０μｍ×長さ２０
０μｍの形にする。この寸法は目的によって適宜変更で
きる。その後、図３に示すように、絶縁層としてＳｉＯ
２膜３をスパッタで成膜し、フォトリソ工程で、磁気抵
抗効果素子上にスルーホール４を加工する。なお、フォ
トリソ工程によっては絶縁層を必要としない工程にする
こともできる。また、絶縁層はＳｉ窒化膜などのほかの
材料でもよい。
【０００９】次に図４に示す如く、Ａｌなどの非磁性金
属を磁気抵抗効果素子２ｂに電流を与える配線５ａとパ
ッド部６ａおよび検知用配線５ｂとパッド部６ｂとして
スパッタ等により成膜の後、Ｆｅ−Ｎｉ薄膜と同様にフ
ォトリソにより作製する。なお、非磁性金属はＣｕ，Ａ
ｇ，Ａｕ又はその合金等でもよい。
属を磁気抵抗効果素子２ｂに電流を与える配線５ａとパ
ッド部６ａおよび検知用配線５ｂとパッド部６ｂとして
スパッタ等により成膜の後、Ｆｅ−Ｎｉ薄膜と同様にフ
ォトリソにより作製する。なお、非磁性金属はＣｕ，Ａ
ｇ，Ａｕ又はその合金等でもよい。
【００１０】こうした配線形状としては、直線であるこ
とが低Ｌ化のためには必要である。このため、磁気特性
の劣化を防ぐべく、例えば直線状で形成した磁気抵抗効
果素子の接続用配線の場合には、引回しのための曲がり
や、ループ状に形成することが従来例（図５）では多か
った。本実施例では一配線当り２個所のみの曲がりと、
配線を磁気抵抗効果素子２ｂにできるだけ近接させるた
め、インピーダンス変化検知用配線５ｂと磁気抵抗効果
素子２ｂで形成されるループ面積を低下でき、低Ｌ化を
実現することができた。この配線の低Ｌ化によって、通
電する電流の高周波化が容易に実現できる。すなわち、
図６のような本発明の磁気センサー等価回路において、
配線のインピーダンス２πＬを磁気抵抗効果素子のイン
ピーダンスＺの１０％以下としたことで、今回設定した
駆動用定電流源の仕様範囲で駆動できる高周波電流値の
周波数をより高くすることができ、磁気抵抗効果素子の
Ｚの変化率を増加させることができた。また、検出回路
においても磁気抵抗効果のインピーダンス変化率を検波
する際にも配線を含めたセンサー全体のインピーダンス
の変化率が検波の性能向上につながるため、両方の効果
で高感度化が実現できる。
とが低Ｌ化のためには必要である。このため、磁気特性
の劣化を防ぐべく、例えば直線状で形成した磁気抵抗効
果素子の接続用配線の場合には、引回しのための曲がり
や、ループ状に形成することが従来例（図５）では多か
った。本実施例では一配線当り２個所のみの曲がりと、
配線を磁気抵抗効果素子２ｂにできるだけ近接させるた
め、インピーダンス変化検知用配線５ｂと磁気抵抗効果
素子２ｂで形成されるループ面積を低下でき、低Ｌ化を
実現することができた。この配線の低Ｌ化によって、通
電する電流の高周波化が容易に実現できる。すなわち、
図６のような本発明の磁気センサー等価回路において、
配線のインピーダンス２πＬを磁気抵抗効果素子のイン
ピーダンスＺの１０％以下としたことで、今回設定した
駆動用定電流源の仕様範囲で駆動できる高周波電流値の
周波数をより高くすることができ、磁気抵抗効果素子の
Ｚの変化率を増加させることができた。また、検出回路
においても磁気抵抗効果のインピーダンス変化率を検波
する際にも配線を含めたセンサー全体のインピーダンス
の変化率が検波の性能向上につながるため、両方の効果
で高感度化が実現できる。
【００１１】図７に実施例２を示す。実施例１と同様に
作製したプローブにおいて、磁気抵抗効果素子１２に電
流を与える配線および検知用配線を伝送線路１７とす
る。なお、接続用配線部１８は極力短く構成する。これ
により配線のＬ成分を更に下げることができる。図７の
伝送線路部１７は、平行線路型である。他にマイクロス
トリップ型、トリプレート型、コープレーナ型等の伝送
路でもよい。なお、バイアス用コイル、精度向上のため
のフィードバックコイルをもつセンサーにも適用でき、
コイル部以外の配線を伝送線路として目的以外の部分で
のＬ成分を低くすることで、コイル自体の励磁性能が向
上され、その結果、センサー性能が向上する。
作製したプローブにおいて、磁気抵抗効果素子１２に電
流を与える配線および検知用配線を伝送線路１７とす
る。なお、接続用配線部１８は極力短く構成する。これ
により配線のＬ成分を更に下げることができる。図７の
伝送線路部１７は、平行線路型である。他にマイクロス
トリップ型、トリプレート型、コープレーナ型等の伝送
路でもよい。なお、バイアス用コイル、精度向上のため
のフィードバックコイルをもつセンサーにも適用でき、
コイル部以外の配線を伝送線路として目的以外の部分で
のＬ成分を低くすることで、コイル自体の励磁性能が向
上され、その結果、センサー性能が向上する。
【００１２】図８に実施例３を示す。実施例２と同様に
作製したセンサーにおいて伝送線路２７のインピーダン
スと磁気抵抗効果素子２２のインピーダンスをほぼ一致
させる。これによりセンサー部での反射等を低減でき
て、ノイズを低減することが可能となり、高感度化が実
現できる。
作製したセンサーにおいて伝送線路２７のインピーダン
スと磁気抵抗効果素子２２のインピーダンスをほぼ一致
させる。これによりセンサー部での反射等を低減でき
て、ノイズを低減することが可能となり、高感度化が実
現できる。
【００１３】図９に実施例４を示す。この実施例では、
プローブ先端部（ＭＩセンサー先端部）がすべて石英基
板３１上に形成されており、さらに図６に示した信号処
理回路部を有するチップ部品をハンダ、導電性接着材な
どで接続する。これによりセンサー全体の小型化が可能
となる。
プローブ先端部（ＭＩセンサー先端部）がすべて石英基
板３１上に形成されており、さらに図６に示した信号処
理回路部を有するチップ部品をハンダ、導電性接着材な
どで接続する。これによりセンサー全体の小型化が可能
となる。
【００１４】図６を参酌しつつ簡単にセンサーの機能を
説明すると、まず高周波電流源３２から電流供給用ケー
ブル接続コネクター３３、電流供給用ケーブル３４を介
し、プローブ先端部の磁気抵抗効果素子へ高周波電流を
供給する。外部磁界により変化したインピーダンスを、
インピーダンス変化検知用ケーブル接続コネクター３
５、インピーダンス変化検知用ケーブルを介し、インピ
ーダンス変化信号として取り出し、その信号を検波回路
３７に供給する。その後検波信号により抽出された信号
を接続ケーブル用コネクター３８、接続ケーブル３９を
介し、増幅器４０にて増幅し、出力信号とする。
説明すると、まず高周波電流源３２から電流供給用ケー
ブル接続コネクター３３、電流供給用ケーブル３４を介
し、プローブ先端部の磁気抵抗効果素子へ高周波電流を
供給する。外部磁界により変化したインピーダンスを、
インピーダンス変化検知用ケーブル接続コネクター３
５、インピーダンス変化検知用ケーブルを介し、インピ
ーダンス変化信号として取り出し、その信号を検波回路
３７に供給する。その後検波信号により抽出された信号
を接続ケーブル用コネクター３８、接続ケーブル３９を
介し、増幅器４０にて増幅し、出力信号とする。
【００１５】図１０乃至図１２に実施例５を示す。図１
０に示す如く、予め、図６相当の、高周波電流発生部５
３、信号処理回路部５６をＳｉ、またはＧａＡｓ等の半
導体基板５１上に通常の半導体プロセスにより形成す
る。さらに絶縁層（ＳｉＯ２層）５２を形成した後、磁
気抵抗効果素子５４を含むセンサー先端部を作製する。
そして導電性金属層５５を形成し、磁気抵抗効果素子５
４と高周波電流発生部５３とを高周波電流用接続部５３
ａ、高周波電流用パッド５３ｂを介して接続し、一方磁
気抵抗効果素子５４と信号処理回路部とを、信号処理回
路用接続部５６ａ、インピーダンス変化検知用パッド５
６ｂを介して接続する。
０に示す如く、予め、図６相当の、高周波電流発生部５
３、信号処理回路部５６をＳｉ、またはＧａＡｓ等の半
導体基板５１上に通常の半導体プロセスにより形成す
る。さらに絶縁層（ＳｉＯ２層）５２を形成した後、磁
気抵抗効果素子５４を含むセンサー先端部を作製する。
そして導電性金属層５５を形成し、磁気抵抗効果素子５
４と高周波電流発生部５３とを高周波電流用接続部５３
ａ、高周波電流用パッド５３ｂを介して接続し、一方磁
気抵抗効果素子５４と信号処理回路部とを、信号処理回
路用接続部５６ａ、インピーダンス変化検知用パッド５
６ｂを介して接続する。
【００１６】次に図１１に示す如く、基板上全体にＳｉ
Ｏ２層５７を形成し、その後ＤＣ電源用スルーホール５
８、グラウンド用スルーホール５９、出力用スルーホー
ル６０を形成する。そして図１２に示す如く、それぞれ
のスルーホールにＤＣ電源用コネクター６１ａ、電源グ
ラウンド用コネクター６２ａ、出力用コネクター６３ａ
を配置するように構成する。これによりセンサー全体が
さらに小型化される。
Ｏ２層５７を形成し、その後ＤＣ電源用スルーホール５
８、グラウンド用スルーホール５９、出力用スルーホー
ル６０を形成する。そして図１２に示す如く、それぞれ
のスルーホールにＤＣ電源用コネクター６１ａ、電源グ
ラウンド用コネクター６２ａ、出力用コネクター６３ａ
を配置するように構成する。これによりセンサー全体が
さらに小型化される。
【００１７】
【発明の効果】本発明のプローブによれば、高感度な磁
気センサーを実現できる。そのため、高感度な高周波電
流プローブとしての利用が可能となる。請求項２、請求
項３の構成をとることで、さらに感度を向上させること
ができる。また、請求項４及び請求項５の構成をとれ
ば、小型化が実現できる。
気センサーを実現できる。そのため、高感度な高周波電
流プローブとしての利用が可能となる。請求項２、請求
項３の構成をとることで、さらに感度を向上させること
ができる。また、請求項４及び請求項５の構成をとれ
ば、小型化が実現できる。
【図１】は実施例１のプローブの作製手順１を示す正面
図である。
図である。
【図２】（ａ）は実施例１のプローブの作製手順２を示
す正面図、（ｂ）は平面図である。
す正面図、（ｂ）は平面図である。
【図３】（ａ）は実施例１のプローブの作製手順３を示
す正面図、（ｂ）は平面図である。
す正面図、（ｂ）は平面図である。
【図４】（ａ）は実施例１のプローブの作製手順４を示
す正面図、（ｂ）は平面図である。
す正面図、（ｂ）は平面図である。
【図５】はＭＩセンサーの従来例である。
【図６】は信号処理回路部を含んだセンサーの等価回路
を表すブロック図である。
を表すブロック図である。
【図７】は実施例２のプローブ先端部の平面図である。
【図８】は実施例３のプローブ先端部の平面図である。
【図９】は実施例４のセンサー全体を示す平面図であ
る。
る。
【図１０】（ａ）は実施例５の製作工程１の平面図、
（ｂ）は正面図である。
（ｂ）は正面図である。
【図１１】（ａ）は実施例５の製作工程２の平面図、
（ｂ）は正面図である。
（ｂ）は正面図である。
【図１２】（ａ）は実施例５の製作工程３の平面図、
（ｂ）は正面図である。
（ｂ）は正面図である。
１：ガラス基板 ２ａ：Ｆｅ−Ｎｉ薄膜 ２ｂ，１２，２２，５４：磁気抵抗効果素子 ３：絶縁膜（Ｓｉ０２膜） ４：スルーホール ５ａ：高周波電流用配線 ５ｂ：インピーダンス変化検知用配線 ６ａ，１６ａ，２６ａ：高周波電流用パッド ６ｂ，１６ｂ，２６ｂ：インピーダンス変化検知用パッ
ド １７，２７：伝送線路 １８，２８：接続用配線部 ３１：石英基板 ３２：高周波電流源 ３３：電流供給用ケーブル接続コネクター ３４：電流供給用ケーブル ３５：インピーダンス変化検知用ケーブル接続コネクタ
ー ３６：インピーダンス変化検知用ケーブル ３７：検波回路 ３８：接続ケーブル用コネクター ３９：接続ケーブル ４０：増幅器 ５１：Ｓｉ基板 ５２：ＳｉＯ２層 ５３：高周波電流発生部 ５３ａ：高周波電流用接続部 ５３ｂ：高周波電流用パッド ５５：導電性金属層 ５６：信号処理回路部 ５６ａ：信号処理回路用接続部 ５６ｂ：インピーダンス変化検知用パッド ５６ｃ：ＤＣ電源接続用パッド ５６ｄ：グラウンド接続用パッド ５６ｅ：出力用コネクターパッド ５６ｆ：ＤＣ電源用接続部 ５６ｇ：グラウンド接続用接続部 ５６ｈ：出力用接続部 ５７：ＳｉＯ２層 ５８：ＤＣ電源用スルーホール ５９：グラウンド用スルーホール ６０：出力用スルーホール ６１ａ：ＤＣ電源用コネクター ６１ｂ：ＤＣ電源 ６２ａ：電源グラウンド用コネクター ６２ｂ：電源グラウンド ６３ａ：出力用コネクター ６３ｂ：出力用ケーブル
ド １７，２７：伝送線路 １８，２８：接続用配線部 ３１：石英基板 ３２：高周波電流源 ３３：電流供給用ケーブル接続コネクター ３４：電流供給用ケーブル ３５：インピーダンス変化検知用ケーブル接続コネクタ
ー ３６：インピーダンス変化検知用ケーブル ３７：検波回路 ３８：接続ケーブル用コネクター ３９：接続ケーブル ４０：増幅器 ５１：Ｓｉ基板 ５２：ＳｉＯ２層 ５３：高周波電流発生部 ５３ａ：高周波電流用接続部 ５３ｂ：高周波電流用パッド ５５：導電性金属層 ５６：信号処理回路部 ５６ａ：信号処理回路用接続部 ５６ｂ：インピーダンス変化検知用パッド ５６ｃ：ＤＣ電源接続用パッド ５６ｄ：グラウンド接続用パッド ５６ｅ：出力用コネクターパッド ５６ｆ：ＤＣ電源用接続部 ５６ｇ：グラウンド接続用接続部 ５６ｈ：出力用接続部 ５７：ＳｉＯ２層 ５８：ＤＣ電源用スルーホール ５９：グラウンド用スルーホール ６０：出力用スルーホール ６１ａ：ＤＣ電源用コネクター ６１ｂ：ＤＣ電源 ６２ａ：電源グラウンド用コネクター ６２ｂ：電源グラウンド ６３ａ：出力用コネクター ６３ｂ：出力用ケーブル
Claims (5)
- 【請求項１】磁気抵抗効果素子を有する磁界センサーに
おいて、磁気抵抗効果素子に電流を与える配線及び磁気
抵抗効果素子から抵抗の変化を検知するための回路部に
接続される配線におけるＬ成分によるインピーダンスを
磁気抵抗効果素子の有するインピーダンスとの比で０．
１以下とした高周波化磁界センサー。 - 【請求項２】磁気抵抗効果素子を有する磁界センサーに
おいて、磁気抵抗効果素子に電流を与える配線及び磁気
抵抗効果素子から抵抗の変化を検知するための回路部に
接続される配線の構造を伝送線路構造とした高周波化磁
界センサー。 - 【請求項３】磁気抵抗効果素子を有する磁界センサ−に
おいて、磁気抵抗効果素子のインピーダンスと伝送線路
のインピーダンスを概ね一致させた高周波化磁界センサ
ー。 - 【請求項４】ループコイル部分の一部を磁気抵抗効果素
子としたループコイル、伝送線路部、パッド部を薄膜で
構成し、かつ、信号処理回路部をチップ部品として一体
に構成した請求項１、請求項２又は請求項３の高周波化
磁界センサー。 - 【請求項５】ループコイル部分の一部を磁気抵抗効果素
子としたループコイル、伝送線路部、パッド部を薄膜で
構成し、かつ、信号処理回路部を有する半導体基板上に
一体に構成した請求項１、請求項２又は請求項３の高周
波化磁界センサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000101058A JP2001289929A (ja) | 2000-04-03 | 2000-04-03 | 高周波化磁界センサー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000101058A JP2001289929A (ja) | 2000-04-03 | 2000-04-03 | 高周波化磁界センサー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001289929A true JP2001289929A (ja) | 2001-10-19 |
Family
ID=18615178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000101058A Pending JP2001289929A (ja) | 2000-04-03 | 2000-04-03 | 高周波化磁界センサー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001289929A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7417269B2 (en) | 2002-11-21 | 2008-08-26 | Denso Corporation | Magnetic impedance device, sensor apparatus using the same and method for manufacturing the same |
| JP2008305899A (ja) * | 2007-06-06 | 2008-12-18 | Fujikura Ltd | 磁気デバイスおよびその製造方法 |
-
2000
- 2000-04-03 JP JP2000101058A patent/JP2001289929A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7417269B2 (en) | 2002-11-21 | 2008-08-26 | Denso Corporation | Magnetic impedance device, sensor apparatus using the same and method for manufacturing the same |
| US7582489B2 (en) | 2002-11-21 | 2009-09-01 | Denso Corporation | Method for manufacturing magnetic sensor apparatus |
| JP2008305899A (ja) * | 2007-06-06 | 2008-12-18 | Fujikura Ltd | 磁気デバイスおよびその製造方法 |
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