JP2001284443A - 半導体基板の保管搬送容器、半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体基板の保管搬送容器、半導体装置の製造方法Info
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 内部の空気を清澄な状態にすることができる
半導体基板の保管搬送容器を提供する。 【解決手段】 半導体基板１１は、半導体基板１１を保
持可能なスロットを複数個有する半導体基板キャリア１
２に装着されて保管搬送容器１０内に収納される。保管
搬送容器１０には有機物を吸着することができる１つ又
は複数の着脱可能な吸着体１７が半導体基板キャリア１
２の空きスロットに装着されている。半導体基板１１を
装着した半導体基板キャリア１２をベースプレート１６
上に載置した後、半導体基板キャリア１２を覆うように
カバー１３を配置する。カバー１３とベースプレート１
６は固定され、保管搬送容器１０は完全に密閉される。
吸着体１７は、表面に活性炭又はイオン交換樹脂などの
吸着剤がコーティングされたシリコンウエハや、表面に
Ｓｉ−Ｆ結合を有するシリコンウエハなどからなるもの
である。
半導体基板の保管搬送容器を提供する。 【解決手段】 半導体基板１１は、半導体基板１１を保
持可能なスロットを複数個有する半導体基板キャリア１
２に装着されて保管搬送容器１０内に収納される。保管
搬送容器１０には有機物を吸着することができる１つ又
は複数の着脱可能な吸着体１７が半導体基板キャリア１
２の空きスロットに装着されている。半導体基板１１を
装着した半導体基板キャリア１２をベースプレート１６
上に載置した後、半導体基板キャリア１２を覆うように
カバー１３を配置する。カバー１３とベースプレート１
６は固定され、保管搬送容器１０は完全に密閉される。
吸着体１７は、表面に活性炭又はイオン交換樹脂などの
吸着剤がコーティングされたシリコンウエハや、表面に
Ｓｉ−Ｆ結合を有するシリコンウエハなどからなるもの
である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板の保管
搬送容器、半導体装置の製造方法に係り、特に、半導体
装置の製造工程において使用され、内部の空気を清澄な
状態にすることができる半導体基板の保管搬送容器、及
びこの保管搬送容器を用いた半導体装置の製造方法に関
するものである。
搬送容器、半導体装置の製造方法に係り、特に、半導体
装置の製造工程において使用され、内部の空気を清澄な
状態にすることができる半導体基板の保管搬送容器、及
びこの保管搬送容器を用いた半導体装置の製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の製造工程において、
ウエハ、ガラスプレート等の半導体基板上に、ゲート酸
化膜を成膜する工程、ゲート電極用のポリシリコン膜を
成膜する工程、あるいはコンタクトホールを形成する工
程の前などにおいて、各工程の作業待ちの半導体基板の
表面に、クリーンルーム雰囲気中に浮遊する有機物が付
着することを防止するために、半導体基板を保管できる
とともに搬送することができる保管搬送容器が使用され
ている。
ウエハ、ガラスプレート等の半導体基板上に、ゲート酸
化膜を成膜する工程、ゲート電極用のポリシリコン膜を
成膜する工程、あるいはコンタクトホールを形成する工
程の前などにおいて、各工程の作業待ちの半導体基板の
表面に、クリーンルーム雰囲気中に浮遊する有機物が付
着することを防止するために、半導体基板を保管できる
とともに搬送することができる保管搬送容器が使用され
ている。
【０００３】図５に、従来の半導体基板の保管搬送容器
１００に半導体基板１０１を収納した状態の概略断面構
造を示し、この保管搬送容器の構造と半導体基板の収納
方法について説明する。
１００に半導体基板１０１を収納した状態の概略断面構
造を示し、この保管搬送容器の構造と半導体基板の収納
方法について説明する。
【０００４】図５において、符号１０１は半導体基板、
符号１０２は半導体基板キャリア、符号１０３はカバ
ー、符号１０４はリテイナー、符号１０５はシール材、
符号１０６はベースプレートを示している。
符号１０２は半導体基板キャリア、符号１０３はカバ
ー、符号１０４はリテイナー、符号１０５はシール材、
符号１０６はベースプレートを示している。
【０００５】図５に示すように、半導体基板の保管搬送
容器１００は、半導体基板１０１を保持可能な半導体基
板キャリア１０２と、半導体基板キャリア１０２を載置
するベースプレート１０６と、半導体基板キャリア１０
２を覆うようにベースプレート１０６上に配置されるカ
バー１０３とを主体として構成されている。
容器１００は、半導体基板１０１を保持可能な半導体基
板キャリア１０２と、半導体基板キャリア１０２を載置
するベースプレート１０６と、半導体基板キャリア１０
２を覆うようにベースプレート１０６上に配置されるカ
バー１０３とを主体として構成されている。
【０００６】図５に示すように、複数の半導体基板１０
１は、１枚の半導体基板１０１を保持可能な図示は省略
しているスロットを複数個有する半導体基板キャリア１
０２に装着されて保管搬送容器１００内に収納される。
半導体基板１０１を装着した半導体基板キャリア１０２
をベースプレート１０６上に載置した後、ベースプレー
ト１０６上に、半導体基板キャリア１０２を覆うように
カバー１０３を配置する。このとき、半導体基板１０１
は、カバー１０３の内壁に設けられたリテイナー１０４
により固定される。また、カバー１０３とベースプレー
ト１０６は、図示は省略している固定具により固定され
る。ベースプレート１０６とカバー１０３との間にはシ
ール材１０５が設けられていて、保管搬送容器１００は
完全に密閉される構造となっている。以上のようにし
て、半導体基板１０１を保管搬送容器１００内に収納
し、外部の雰囲気から隔絶することができる。
１は、１枚の半導体基板１０１を保持可能な図示は省略
しているスロットを複数個有する半導体基板キャリア１
０２に装着されて保管搬送容器１００内に収納される。
半導体基板１０１を装着した半導体基板キャリア１０２
をベースプレート１０６上に載置した後、ベースプレー
ト１０６上に、半導体基板キャリア１０２を覆うように
カバー１０３を配置する。このとき、半導体基板１０１
は、カバー１０３の内壁に設けられたリテイナー１０４
により固定される。また、カバー１０３とベースプレー
ト１０６は、図示は省略している固定具により固定され
る。ベースプレート１０６とカバー１０３との間にはシ
ール材１０５が設けられていて、保管搬送容器１００は
完全に密閉される構造となっている。以上のようにし
て、半導体基板１０１を保管搬送容器１００内に収納
し、外部の雰囲気から隔絶することができる。
【０００７】なお、半導体基板１０１を保管搬送容器１
００から取り出す際には、カバー１０３とベースプレー
ト１０６を固定している固定具を取り外し、カバー１０
３をベースプレート１０６から取り外すことにより、半
導体基板キャリア１０２を取り出し、半導体基板キャリ
ア１０２から半導体基板１０１を取り出せばよい。
００から取り出す際には、カバー１０３とベースプレー
ト１０６を固定している固定具を取り外し、カバー１０
３をベースプレート１０６から取り外すことにより、半
導体基板キャリア１０２を取り出し、半導体基板キャリ
ア１０２から半導体基板１０１を取り出せばよい。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記の保管搬送容器１
００に保管されている半導体基板１０１に有機物が付着
することを防止するために、一般に、保管搬送容器１０
０の各部材は有機ガスを発生しない材料から構成されて
いる。しかしながら、保管搬送容器１００内に半導体基
板１０１を収納する際に、クリーンルーム雰囲気中に浮
遊している微量の有機物や、半導体基板１０１の裏面や
半導体基板１０１の表面のゲート酸化領域以外の領域な
どに付着していた有機物が、保管搬送容器１００内に流
入し、これらの有機物は半導体基板１０１の活性領域上
に容易に吸着するため、製造される半導体装置の歩留ま
りや信頼性（例えば、ゲート酸化膜初期耐圧や、コンタ
クト抵抗）を劣化させる恐れがある。
００に保管されている半導体基板１０１に有機物が付着
することを防止するために、一般に、保管搬送容器１０
０の各部材は有機ガスを発生しない材料から構成されて
いる。しかしながら、保管搬送容器１００内に半導体基
板１０１を収納する際に、クリーンルーム雰囲気中に浮
遊している微量の有機物や、半導体基板１０１の裏面や
半導体基板１０１の表面のゲート酸化領域以外の領域な
どに付着していた有機物が、保管搬送容器１００内に流
入し、これらの有機物は半導体基板１０１の活性領域上
に容易に吸着するため、製造される半導体装置の歩留ま
りや信頼性（例えば、ゲート酸化膜初期耐圧や、コンタ
クト抵抗）を劣化させる恐れがある。
【０００９】そこで、本発明は上記課題を解決し、内部
の空気を清澄な状態にすることができる半導体基板の保
管搬送容器を提供することを目的とする。また、半導体
装置の製造工程において、この保管搬送容器を使用する
ことにより、歩留まりや信頼性を向上することができる
半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
の空気を清澄な状態にすることができる半導体基板の保
管搬送容器を提供することを目的とする。また、半導体
装置の製造工程において、この保管搬送容器を使用する
ことにより、歩留まりや信頼性を向上することができる
半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者が上記課題を解
決するべく、研究を行った結果、半導体装置の製造工程
において使用され、半導体基板を保管又は搬送するため
の開閉式の密閉容器であって、有機物を吸着可能な少な
くとも１つの吸着体を内蔵し、該吸着体が着脱可能とさ
れたことを特徴とする半導体基板の保管搬送容器を発明
するに到った。
決するべく、研究を行った結果、半導体装置の製造工程
において使用され、半導体基板を保管又は搬送するため
の開閉式の密閉容器であって、有機物を吸着可能な少な
くとも１つの吸着体を内蔵し、該吸着体が着脱可能とさ
れたことを特徴とする半導体基板の保管搬送容器を発明
するに到った。
【００１１】本発明の半導体基板の保管搬送容器は、内
部に有機物を吸着可能な吸着体を内蔵したものであるの
で、半導体基板を保管搬送容器内に収納する際に、保管
搬送容器内に有機物が流入しても、保管搬送容器内に内
蔵された吸着体により有機物を吸着除去することがで
き、内部の空気を清澄な状態にすることができるもので
ある。また、吸着体を着脱可能とすることにより、吸着
体への有機物の吸着量が飽和になる前に、吸着体を新し
いものに交換することができるので、常に、保管搬送容
器内を清澄な状態にすることができる。
部に有機物を吸着可能な吸着体を内蔵したものであるの
で、半導体基板を保管搬送容器内に収納する際に、保管
搬送容器内に有機物が流入しても、保管搬送容器内に内
蔵された吸着体により有機物を吸着除去することがで
き、内部の空気を清澄な状態にすることができるもので
ある。また、吸着体を着脱可能とすることにより、吸着
体への有機物の吸着量が飽和になる前に、吸着体を新し
いものに交換することができるので、常に、保管搬送容
器内を清澄な状態にすることができる。
【００１２】また、本発明の保管搬送容器は、１枚の半
導体基板を保持可能なスロットを複数個有する半導体基
板キャリアを内蔵し、複数の半導体基板を該半導体基板
キャリアに保持させて収納することを特徴とする。
導体基板を保持可能なスロットを複数個有する半導体基
板キャリアを内蔵し、複数の半導体基板を該半導体基板
キャリアに保持させて収納することを特徴とする。
【００１３】本発明の保管搬送容器において、前記吸着
体がシリコンウエハの表面上に、活性炭又はイオン交換
樹脂などからなる吸着剤がコーティングされてなるもの
であることが望ましい。また、前記吸着体が、表面にＳ
ｉ−Ｆ結合を有するシリコンウエハからなるものである
ことがより望ましい。
体がシリコンウエハの表面上に、活性炭又はイオン交換
樹脂などからなる吸着剤がコーティングされてなるもの
であることが望ましい。また、前記吸着体が、表面にＳ
ｉ−Ｆ結合を有するシリコンウエハからなるものである
ことがより望ましい。
【００１４】吸着体がシリコンウエハの表面上に活性炭
又はイオン交換樹脂などからなる吸着剤がコーティング
されたもの、あるいは表面にＳｉ−Ｆ結合を有するシリ
コンウエハからなるものであることが望ましく、吸着体
をこのような構造とすることにより、吸着体を半導体基
板キャリアの空きスロットに装着することができる。
又はイオン交換樹脂などからなる吸着剤がコーティング
されたもの、あるいは表面にＳｉ−Ｆ結合を有するシリ
コンウエハからなるものであることが望ましく、吸着体
をこのような構造とすることにより、吸着体を半導体基
板キャリアの空きスロットに装着することができる。
【００１５】シリコンウエハの表面上にコーティングさ
れた活性炭あるいはイオン交換樹脂などの吸着剤は、Ｃ
＝Ｏ結合やＣ−Ｏ結合などの極性結合を有し、フタル酸
ジオクチル（以下、ＤＯＰと称する。）やフタル酸ジブ
チル（以下、ＤＢＯと称する。）等の極性結合を有する
有機物を選択的に吸着することができるとともに、室温
下ではいったん吸着した有機物を脱離しないという特性
を有している。また、表面にＳｉ−Ｆ結合を有するシリ
コンウエハも、Ｓｉ−Ｆ結合が極性を有するため、ＤＯ
ＰやＤＢＰ等の極性結合を有する有機物を選択的に吸着
することができるとともに、室温下ではいったん吸着し
た有機物を脱離しないという特性を有している。
れた活性炭あるいはイオン交換樹脂などの吸着剤は、Ｃ
＝Ｏ結合やＣ−Ｏ結合などの極性結合を有し、フタル酸
ジオクチル（以下、ＤＯＰと称する。）やフタル酸ジブ
チル（以下、ＤＢＯと称する。）等の極性結合を有する
有機物を選択的に吸着することができるとともに、室温
下ではいったん吸着した有機物を脱離しないという特性
を有している。また、表面にＳｉ−Ｆ結合を有するシリ
コンウエハも、Ｓｉ−Ｆ結合が極性を有するため、ＤＯ
ＰやＤＢＰ等の極性結合を有する有機物を選択的に吸着
することができるとともに、室温下ではいったん吸着し
た有機物を脱離しないという特性を有している。
【００１６】特に、表面にＳｉ−Ｆ結合を有するシリコ
ンウエハは、Ｓｉ−Ｆ結合の極性が大きいため、ＤＯＰ
やＤＢＰ等の極性結合を有する有機物を強固に吸着する
ことができるため、吸着性能が高く、吸着体として有効
である。また、表面にＳｉ−Ｆ結合を有するシリコンウ
エハは、半導体装置の製造に用いられるシリコンウエハ
をフッ酸溶液で処理した後、純水でリンスしないことに
より作製することができ、半導体装置の製造ラインにお
いて容易に供給することができる点からも優れている。
ンウエハは、Ｓｉ−Ｆ結合の極性が大きいため、ＤＯＰ
やＤＢＰ等の極性結合を有する有機物を強固に吸着する
ことができるため、吸着性能が高く、吸着体として有効
である。また、表面にＳｉ−Ｆ結合を有するシリコンウ
エハは、半導体装置の製造に用いられるシリコンウエハ
をフッ酸溶液で処理した後、純水でリンスしないことに
より作製することができ、半導体装置の製造ラインにお
いて容易に供給することができる点からも優れている。
【００１７】また、前記吸着体が活性炭又はイオン交換
樹脂からなってもよく、この場合にも内部の空気を清澄
な状態にすることができる。
樹脂からなってもよく、この場合にも内部の空気を清澄
な状態にすることができる。
【００１８】また、半導体装置を製造する工程におい
て、作業待ちの半導体基板を、本発明の上記の半導体基
板の保管搬送容器に保管することにより、保管中に半導
体基板表面に有機物が付着することを防止することがで
きるので、歩留まりや信頼性を向上することができる半
導体装置の製造方法を提供することができる。
て、作業待ちの半導体基板を、本発明の上記の半導体基
板の保管搬送容器に保管することにより、保管中に半導
体基板表面に有機物が付着することを防止することがで
きるので、歩留まりや信頼性を向上することができる半
導体装置の製造方法を提供することができる。
【００１９】特に、半導体装置の製造方法において、ゲ
ート酸化膜を成膜する工程、ポリシリコン膜を成膜する
工程、及びコンタクトホールを形成する工程の作業待ち
の半導体基板を本発明の保管搬送容器内に保管すること
が望ましく、これらの工程の作業待ち時間の間に本発明
の保管搬送容器に保管することにより、保管中に半導体
基板表面に有機物が付着することを防止することがで
き、歩留まりや信頼性を向上することができる。
ート酸化膜を成膜する工程、ポリシリコン膜を成膜する
工程、及びコンタクトホールを形成する工程の作業待ち
の半導体基板を本発明の保管搬送容器内に保管すること
が望ましく、これらの工程の作業待ち時間の間に本発明
の保管搬送容器に保管することにより、保管中に半導体
基板表面に有機物が付着することを防止することがで
き、歩留まりや信頼性を向上することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】次に、本発明に係る実施形態につ
いて詳細に説明する。
いて詳細に説明する。
【００２１】第１実施形態 図１に、本発明に係る第１実施形態の半導体基板の保管
搬送容器１０に半導体基板１１を収納した状態の概略断
面構造を示し、この保管搬送容器の構造と半導体基板の
収納方法について説明する。
搬送容器１０に半導体基板１１を収納した状態の概略断
面構造を示し、この保管搬送容器の構造と半導体基板の
収納方法について説明する。
【００２２】図１において、符号１１は半導体基板、符
号１２は半導体基板キャリア、符号１３はカバー、符号
１４はリテイナー、符号１５はシール材、符号１６はベ
ースプレート、符号１７は吸着体を示している。
号１２は半導体基板キャリア、符号１３はカバー、符号
１４はリテイナー、符号１５はシール材、符号１６はベ
ースプレート、符号１７は吸着体を示している。
【００２３】図１に示すように、半導体基板の保管搬送
容器１０は、半導体基板１１を保持可能な半導体基板キ
ャリア１２と、半導体基板キャリア１２を載置するベー
スプレート１６と、半導体基板キャリア１２を覆うよう
にベースプレート１６上に配置されるカバー１３とを主
体として構成されている。
容器１０は、半導体基板１１を保持可能な半導体基板キ
ャリア１２と、半導体基板キャリア１２を載置するベー
スプレート１６と、半導体基板キャリア１２を覆うよう
にベースプレート１６上に配置されるカバー１３とを主
体として構成されている。
【００２４】図１に示すように、ウエハやガラスプレー
トなどからなる複数の半導体基板１１は、１枚の半導体
基板１１を保持可能な図示は省略しているスロットを複
数個有する半導体基板キャリア１２に装着されて保管搬
送容器１０内に収納される。本実施形態において、図１
に示すように、有機物を吸着することができる１つ又は
複数の着脱可能な吸着体１７が半導体基板キャリア１２
の空きスロットに装着されている。半導体基板１１を装
着した半導体基板キャリア１２をベースプレート１６上
に載置した後、ベースプレート１６上に、半導体基板キ
ャリア１２を覆うようにカバー１３を配置する。このと
き、半導体基板１１及び吸着体１７は、カバー１３の内
壁に設けられたリテイナー１４により固定される。ま
た、カバー１３とベースプレート１６は、図示は省略し
ている固定具により固定される。ベースプレート１６と
カバー１３との間にはシール材１５が設けられていて、
保管搬送容器１０は完全に密閉される構造となってい
る。以上のようにして、半導体基板１１を保管搬送容器
１０内に収納し、外部の雰囲気から隔絶することができ
る。
トなどからなる複数の半導体基板１１は、１枚の半導体
基板１１を保持可能な図示は省略しているスロットを複
数個有する半導体基板キャリア１２に装着されて保管搬
送容器１０内に収納される。本実施形態において、図１
に示すように、有機物を吸着することができる１つ又は
複数の着脱可能な吸着体１７が半導体基板キャリア１２
の空きスロットに装着されている。半導体基板１１を装
着した半導体基板キャリア１２をベースプレート１６上
に載置した後、ベースプレート１６上に、半導体基板キ
ャリア１２を覆うようにカバー１３を配置する。このと
き、半導体基板１１及び吸着体１７は、カバー１３の内
壁に設けられたリテイナー１４により固定される。ま
た、カバー１３とベースプレート１６は、図示は省略し
ている固定具により固定される。ベースプレート１６と
カバー１３との間にはシール材１５が設けられていて、
保管搬送容器１０は完全に密閉される構造となってい
る。以上のようにして、半導体基板１１を保管搬送容器
１０内に収納し、外部の雰囲気から隔絶することができ
る。
【００２５】なお、半導体基板１１を保管搬送容器１０
から取り出す際には、カバー１３とベースプレート１６
を固定している固定具を取り外し、カバー１３をベース
プレート１６から取り外すことにより、半導体基板キャ
リア１２を取り出し、半導体基板キャリア１２から半導
体基板１１を取り出せばよい。
から取り出す際には、カバー１３とベースプレート１６
を固定している固定具を取り外し、カバー１３をベース
プレート１６から取り外すことにより、半導体基板キャ
リア１２を取り出し、半導体基板キャリア１２から半導
体基板１１を取り出せばよい。
【００２６】保管搬送容器１０に半導体基板１１を収納
する際に、クリーンルーム雰囲気中に浮遊している微量
の有機物や、半導体基板１１の裏面や半導体基板１１の
表面のゲート酸化領域以外の領域などに付着していた有
機物が保管搬送容器１０内に流入するが、保管搬送容器
１０内に流入した有機物は、保管搬送容器１０内（半導
体基板キャリア１２内）に内蔵された吸着体１７に吸着
され、除去される。吸着体１７は、有機物の吸着量が飽
和になる前に着脱され、新しい吸着体１７に交換され
る。
する際に、クリーンルーム雰囲気中に浮遊している微量
の有機物や、半導体基板１１の裏面や半導体基板１１の
表面のゲート酸化領域以外の領域などに付着していた有
機物が保管搬送容器１０内に流入するが、保管搬送容器
１０内に流入した有機物は、保管搬送容器１０内（半導
体基板キャリア１２内）に内蔵された吸着体１７に吸着
され、除去される。吸着体１７は、有機物の吸着量が飽
和になる前に着脱され、新しい吸着体１７に交換され
る。
【００２７】ここで、本実施形態の吸着体１７の構造を
詳しく説明する。吸着体１７は、表面に活性炭あるいは
イオン交換樹脂などの吸着剤がコーティングされたシリ
コンウエハや、表面にＳｉ−Ｆ結合を有するシリコンウ
エハなどからなるものである。
詳しく説明する。吸着体１７は、表面に活性炭あるいは
イオン交換樹脂などの吸着剤がコーティングされたシリ
コンウエハや、表面にＳｉ−Ｆ結合を有するシリコンウ
エハなどからなるものである。
【００２８】シリコンウエハ上にコーティングされた活
性炭あるいはイオン交換樹脂などの吸着剤は、Ｃ＝Ｏ結
合やＣ−Ｏ結合などの極性結合を有し、フタル酸ジオク
チル（以下、ＤＯＰと称する。）やフタル酸ジブチル
（以下、ＤＢＯと称する。）等の極性結合を有する有機
物を選択的に吸着することができるとともに、室温では
いったん吸着した有機物を脱離しないという特性を有し
ている。また、表面にＳｉ−Ｆ結合を有するシリコンウ
エハも、Ｓｉ−Ｆ結合が極性を有するため、ＤＯＰやＤ
ＢＰ等の極性結合を有する有機物を選択的に吸着するこ
とができるとともに、室温ではいったん吸着した有機物
を脱離しないという特性を有している。
性炭あるいはイオン交換樹脂などの吸着剤は、Ｃ＝Ｏ結
合やＣ−Ｏ結合などの極性結合を有し、フタル酸ジオク
チル（以下、ＤＯＰと称する。）やフタル酸ジブチル
（以下、ＤＢＯと称する。）等の極性結合を有する有機
物を選択的に吸着することができるとともに、室温では
いったん吸着した有機物を脱離しないという特性を有し
ている。また、表面にＳｉ−Ｆ結合を有するシリコンウ
エハも、Ｓｉ−Ｆ結合が極性を有するため、ＤＯＰやＤ
ＢＰ等の極性結合を有する有機物を選択的に吸着するこ
とができるとともに、室温ではいったん吸着した有機物
を脱離しないという特性を有している。
【００２９】特に、表面にＳｉ−Ｆ結合を有するシリコ
ンウエハは、Ｓｉ−Ｆ結合の極性が大きいため、ＤＯＰ
やＤＢＰ等の極性結合を有する有機物を強固に吸着する
ことができるため、吸着性能が高く、吸着体１７として
有効である。また、表面にＳｉ−Ｆ結合を有するシリコ
ンウエハは、半導体装置の製造に用いられるシリコンウ
エハをフッ酸溶液で処理した後、純水でリンスしないこ
とにより作製することができ、半導体装置の製造ライン
において容易に供給することができる点からも優れてい
る。
ンウエハは、Ｓｉ−Ｆ結合の極性が大きいため、ＤＯＰ
やＤＢＰ等の極性結合を有する有機物を強固に吸着する
ことができるため、吸着性能が高く、吸着体１７として
有効である。また、表面にＳｉ−Ｆ結合を有するシリコ
ンウエハは、半導体装置の製造に用いられるシリコンウ
エハをフッ酸溶液で処理した後、純水でリンスしないこ
とにより作製することができ、半導体装置の製造ライン
において容易に供給することができる点からも優れてい
る。
【００３０】本実施形態の半導体基板の保管搬送容器１
０は、内部に有機物を吸着可能な吸着体１７を内蔵した
ものであるので、半導体基板１１を保管搬送容器１０内
に収納する際に、保管搬送容器１０内に有機物が流入し
ても、保管搬送容器１０内に内蔵された吸着体１７によ
り有機物を吸着除去することができ、内部の空気を清澄
な状態にすることができるものである。
０は、内部に有機物を吸着可能な吸着体１７を内蔵した
ものであるので、半導体基板１１を保管搬送容器１０内
に収納する際に、保管搬送容器１０内に有機物が流入し
ても、保管搬送容器１０内に内蔵された吸着体１７によ
り有機物を吸着除去することができ、内部の空気を清澄
な状態にすることができるものである。
【００３１】第２実施形態 図２に、本発明に係る第２実施形態の半導体基板の保管
搬送容器２０に半導体基板１１を収納した状態の概略断
面構造を示し、この保管搬送容器の構造と半導体基板の
収納方法を説明する。
搬送容器２０に半導体基板１１を収納した状態の概略断
面構造を示し、この保管搬送容器の構造と半導体基板の
収納方法を説明する。
【００３２】図２において、第１実施形態の保管搬送容
器１０と同じ構成要素には同じ参照符号を付している。
器１０と同じ構成要素には同じ参照符号を付している。
【００３３】図２に示すように、半導体基板の保管搬送
容器１０は、半導体基板１１を保持可能な半導体基板キ
ャリア１２と、半導体基板キャリア１２を載置するベー
スプレート１６と、半導体基板キャリア１２を覆うよう
にベースプレート１６上に配置されるカバー１３とを主
体として構成されている。
容器１０は、半導体基板１１を保持可能な半導体基板キ
ャリア１２と、半導体基板キャリア１２を載置するベー
スプレート１６と、半導体基板キャリア１２を覆うよう
にベースプレート１６上に配置されるカバー１３とを主
体として構成されている。
【００３４】本実施形態において、保管搬送容器２０の
内壁近傍に設けられた図示は省略しているスロットに、
有機物を吸着することができる１つ又は複数の着脱可能
な吸着体２７が装着されている。
内壁近傍に設けられた図示は省略しているスロットに、
有機物を吸着することができる１つ又は複数の着脱可能
な吸着体２７が装着されている。
【００３５】図２に示すように、複数の半導体基板１１
は、１枚の半導体基板１１を保持可能な図示は省略して
いるスロットを複数個有する半導体基板キャリア１２に
装着されて保管搬送容器１０内に収納される。半導体基
板１１を装着した半導体基板キャリア１２をベースプレ
ート１６上に載置した後、ベースプレート１６上に、半
導体基板キャリア１２を覆うようにカバー１３を配置す
る。このとき、半導体基板１１は、カバー１３の内壁に
設けられたリテイナー１４により固定される。また、カ
バー１３とベースプレート１６は、図示は省略している
固定具により固定される。ベースプレート１６とカバー
１３との間にはシール材１５が設けられていて、保管搬
送容器１０は完全に密閉される構造となっている。以上
のようにして、半導体基板１１を保管搬送容器１０内に
収納し、外部の雰囲気から隔絶することができる。
は、１枚の半導体基板１１を保持可能な図示は省略して
いるスロットを複数個有する半導体基板キャリア１２に
装着されて保管搬送容器１０内に収納される。半導体基
板１１を装着した半導体基板キャリア１２をベースプレ
ート１６上に載置した後、ベースプレート１６上に、半
導体基板キャリア１２を覆うようにカバー１３を配置す
る。このとき、半導体基板１１は、カバー１３の内壁に
設けられたリテイナー１４により固定される。また、カ
バー１３とベースプレート１６は、図示は省略している
固定具により固定される。ベースプレート１６とカバー
１３との間にはシール材１５が設けられていて、保管搬
送容器１０は完全に密閉される構造となっている。以上
のようにして、半導体基板１１を保管搬送容器１０内に
収納し、外部の雰囲気から隔絶することができる。
【００３６】なお、半導体基板１１を保管搬送容器１０
から取り出す際には、カバー１３とベースプレート１６
を固定している固定具を取り外し、カバー１３をベース
プレート１６から取り外すことにより、半導体基板キャ
リア１２を取り出し、半導体基板キャリア１２から半導
体基板１１を取り出せばよい。
から取り出す際には、カバー１３とベースプレート１６
を固定している固定具を取り外し、カバー１３をベース
プレート１６から取り外すことにより、半導体基板キャ
リア１２を取り出し、半導体基板キャリア１２から半導
体基板１１を取り出せばよい。
【００３７】保管搬送容器２０に半導体基板１１を収納
する際に、クリーンルーム雰囲気中に浮遊する微量の有
機物や半導体基板１１の裏面などに付着していた有機物
が保管搬送容器２０内に流入するが、保管搬送容器２０
内に流入した有機物は吸着体２７に吸着され、除去され
る。吸着体２７は、有機物の吸着量が飽和になる前に着
脱され、新しい吸着体２７に交換される。
する際に、クリーンルーム雰囲気中に浮遊する微量の有
機物や半導体基板１１の裏面などに付着していた有機物
が保管搬送容器２０内に流入するが、保管搬送容器２０
内に流入した有機物は吸着体２７に吸着され、除去され
る。吸着体２７は、有機物の吸着量が飽和になる前に着
脱され、新しい吸着体２７に交換される。
【００３８】ここで、吸着体２７の構造を説明する。吸
着体２７は、活性炭やイオン交換樹脂などからなるもの
である。吸着体２７は、Ｃ＝Ｏ結合やＣ−Ｏ結合などの
極性結合を有し、ＤＯＰやＤＢＯ等の極性結合を有する
有機物を選択的に吸着することができるとともに、室温
ではいったん吸着した有機物を脱離しないという特性を
有している。
着体２７は、活性炭やイオン交換樹脂などからなるもの
である。吸着体２７は、Ｃ＝Ｏ結合やＣ−Ｏ結合などの
極性結合を有し、ＤＯＰやＤＢＯ等の極性結合を有する
有機物を選択的に吸着することができるとともに、室温
ではいったん吸着した有機物を脱離しないという特性を
有している。
【００３９】本実施形態の半導体基板の保管搬送容器２
０は、内部に有機物を吸着可能な吸着体２７を内蔵した
ものであるので、半導体基板１１を保管搬送容器２０内
に収納する際に、保管搬送容器２０内に有機物が流入し
ても、保管搬送容器２０内に内蔵された吸着体２７によ
り有機物を吸着除去することができ、内部の空気を清澄
な状態にすることができるものである。
０は、内部に有機物を吸着可能な吸着体２７を内蔵した
ものであるので、半導体基板１１を保管搬送容器２０内
に収納する際に、保管搬送容器２０内に有機物が流入し
ても、保管搬送容器２０内に内蔵された吸着体２７によ
り有機物を吸着除去することができ、内部の空気を清澄
な状態にすることができるものである。
【００４０】第３実施形態 第１、第２実施形態の保管搬送容器１０又は２０のいず
れかを使用した半導体装置の製造方法を説明する。
れかを使用した半導体装置の製造方法を説明する。
【００４１】図３に、本実施形態の半導体装置の製造方
法を示すフローチャートを示し、この図に基づいて説明
する。図３は半導体装置の製造工程において、コンタク
トホールを形成するまでの工程を示すフローチャートで
ある。コンタクトホールを形成した後の工程は公知のも
のと同様であるので、説明は省略する。
法を示すフローチャートを示し、この図に基づいて説明
する。図３は半導体装置の製造工程において、コンタク
トホールを形成するまでの工程を示すフローチャートで
ある。コンタクトホールを形成した後の工程は公知のも
のと同様であるので、説明は省略する。
【００４２】まず、ウエハやガラスプレートなどからな
る半導体基板１１上に素子分離酸化膜形成し（工程Ｓ
１）、次いで、半導体基板１１上に犠牲酸化膜を形成
し、ウエル領域を形成するために半導体基板１１に不純
物を注入した後、犠牲酸化膜をエッチング除去する（工
程Ｓ２）。その後、半導体基板１１の洗浄を行う（工程
Ｓ３）。このとき、パーティクルを除去するためのＳＣ
１洗浄と金属などを除去するためのＳＣ２洗浄を行う。
る半導体基板１１上に素子分離酸化膜形成し（工程Ｓ
１）、次いで、半導体基板１１上に犠牲酸化膜を形成
し、ウエル領域を形成するために半導体基板１１に不純
物を注入した後、犠牲酸化膜をエッチング除去する（工
程Ｓ２）。その後、半導体基板１１の洗浄を行う（工程
Ｓ３）。このとき、パーティクルを除去するためのＳＣ
１洗浄と金属などを除去するためのＳＣ２洗浄を行う。
【００４３】半導体基板１１の洗浄後、半導体基板１１
上にゲート酸化膜の形成を開始するまでの作業待ち時間
の間に、前記の保管搬送容器１０又は２０内に半導体基
板１１を保管する（工程Ｓ４）。
上にゲート酸化膜の形成を開始するまでの作業待ち時間
の間に、前記の保管搬送容器１０又は２０内に半導体基
板１１を保管する（工程Ｓ４）。
【００４４】その後、ゲート酸化炉が空き次第、保管搬
送容器１０又は２０から半導体基板１１を取り出し、半
導体基板１１をゲート酸化炉内に設置し、ゲート酸化膜
の形成を行う（工程Ｓ５）。
送容器１０又は２０から半導体基板１１を取り出し、半
導体基板１１をゲート酸化炉内に設置し、ゲート酸化膜
の形成を行う（工程Ｓ５）。
【００４５】半導体基板１１上にゲート酸化膜を形成し
た後、半導体基板１１上にゲート電極形成用のポリシリ
コン膜の形成を行うまでの作業待ち時間の間に、前記の
保管搬送容器１０又は２０内に半導体基板１１を保管す
る（工程Ｓ６）。ポリシリコン膜を形成する炉が空き次
第、保管搬送容器１０又は２０から半導体基板１１を取
り出し、半導体基板１１をポリシリコン膜を形成する炉
に設置し、ポリシリコン膜の形成を行う（工程Ｓ７）。
た後、半導体基板１１上にゲート電極形成用のポリシリ
コン膜の形成を行うまでの作業待ち時間の間に、前記の
保管搬送容器１０又は２０内に半導体基板１１を保管す
る（工程Ｓ６）。ポリシリコン膜を形成する炉が空き次
第、保管搬送容器１０又は２０から半導体基板１１を取
り出し、半導体基板１１をポリシリコン膜を形成する炉
に設置し、ポリシリコン膜の形成を行う（工程Ｓ７）。
【００４６】半導体基板１１上にポリシリコン膜を形成
した後、ポリシリコン膜をパターニングすることにより
ゲート電極を形成する（工程Ｓ８）。その後、半導体基
板１１上にソース・ドレイン領域を形成し（工程Ｓ
９）、次いで層間絶縁膜を形成する（工程Ｓ１０）。
した後、ポリシリコン膜をパターニングすることにより
ゲート電極を形成する（工程Ｓ８）。その後、半導体基
板１１上にソース・ドレイン領域を形成し（工程Ｓ
９）、次いで層間絶縁膜を形成する（工程Ｓ１０）。
【００４７】半導体基板１１上に層間絶縁膜を形成した
後、コンタクトホールの形成を行うまでの作業待ち時間
の間に、前記の保管搬送容器１０又は２０内に半導体基
板１１を保管する（工程Ｓ１１）。コンタクトホールを
形成する装置が空き次第、保管搬送容器１０又は２０か
ら半導体基板１１を取り出し、コンタクトホールの形成
を行う（工程Ｓ１２）。
後、コンタクトホールの形成を行うまでの作業待ち時間
の間に、前記の保管搬送容器１０又は２０内に半導体基
板１１を保管する（工程Ｓ１１）。コンタクトホールを
形成する装置が空き次第、保管搬送容器１０又は２０か
ら半導体基板１１を取り出し、コンタクトホールの形成
を行う（工程Ｓ１２）。
【００４８】本実施形態によれば、半導体装置を製造す
る工程において、作業待ちの半導体基板を、本発明の半
導体基板の保管搬送容器に保管することにより、保管中
に半導体基板表面に有機物が付着することを防止するこ
とができるので、歩留まりや信頼性を向上することがで
きる半導体装置の製造方法を提供することができる。
る工程において、作業待ちの半導体基板を、本発明の半
導体基板の保管搬送容器に保管することにより、保管中
に半導体基板表面に有機物が付着することを防止するこ
とができるので、歩留まりや信頼性を向上することがで
きる半導体装置の製造方法を提供することができる。
【００４９】特に、半導体装置の製造方法において、ゲ
ート酸化膜を成膜する工程、ポリシリコン膜を成膜する
工程、及びコンタクトホールを形成する工程の作業待ち
の半導体基板を本発明の保管搬送容器内に保管すること
が望ましく、これらの工程の作業待ち時間に本発明の保
管搬送容器に保管することにより、保管中に半導体基板
表面に有機物が付着することを防止することができ、歩
留まりや信頼性を向上することができる。
ート酸化膜を成膜する工程、ポリシリコン膜を成膜する
工程、及びコンタクトホールを形成する工程の作業待ち
の半導体基板を本発明の保管搬送容器内に保管すること
が望ましく、これらの工程の作業待ち時間に本発明の保
管搬送容器に保管することにより、保管中に半導体基板
表面に有機物が付着することを防止することができ、歩
留まりや信頼性を向上することができる。
【００５０】
【実施例】（実施例１） 吸着体として、表面にＳｉ−
Ｆ結合が形成されたシリコンウエハを内蔵した本発明の
保管搬送容器内に、半導体装置の製造に用いられるシリ
コンウエハを２４時間保管した後、加熱脱着式ＧＣ−Ｍ
Ｓによりシリコンウエハに付着した有機物総量を測定し
た結果、付着有機物総量は０．１×１０-5ｇ／ｍ2未満
であった。
Ｆ結合が形成されたシリコンウエハを内蔵した本発明の
保管搬送容器内に、半導体装置の製造に用いられるシリ
コンウエハを２４時間保管した後、加熱脱着式ＧＣ−Ｍ
Ｓによりシリコンウエハに付着した有機物総量を測定し
た結果、付着有機物総量は０．１×１０-5ｇ／ｍ2未満
であった。
【００５１】比較のため、従来の保管搬送容器内に、半
導体装置の製造に用いられるシリコンウエハを２４時間
保管した後、同様に付着有機物総量を測定した結果、付
着有機物総量は１．０×１０-5ｇ／ｍ2であった。
導体装置の製造に用いられるシリコンウエハを２４時間
保管した後、同様に付着有機物総量を測定した結果、付
着有機物総量は１．０×１０-5ｇ／ｍ2であった。
【００５２】本発明の保管搬送容器に保管されたシリコ
ンウエハに付着した有機物総量は、従来の保管搬送容器
に保管されたシリコンウエハに付着した有機物総量の１
０分の１未満であることから、本発明の保管搬送容器
は、内部の空気を清澄な状態にすることができるもので
あることが示唆される。
ンウエハに付着した有機物総量は、従来の保管搬送容器
に保管されたシリコンウエハに付着した有機物総量の１
０分の１未満であることから、本発明の保管搬送容器
は、内部の空気を清澄な状態にすることができるもので
あることが示唆される。
【００５３】（実施例２）半導体基板としてシリコンウ
エハを用い、シリコンウエハ上に面積３０×１０ -6ｍ2
のｎチャンネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタのキャパ
シタを１００チップ作製した。ゲート酸化膜の膜厚を４
ｎｍとした。
エハを用い、シリコンウエハ上に面積３０×１０ -6ｍ2
のｎチャンネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタのキャパ
シタを１００チップ作製した。ゲート酸化膜の膜厚を４
ｎｍとした。
【００５４】このキャパシタの製造工程において、ゲー
ト酸化膜を形成する工程及びゲート電極形成用のポリシ
リコン膜の形成を行う工程の作業待ち時間の間に、吸着
体として表面にＳｉ−Ｆ結合が形成されたシリコンウエ
ハを内蔵した本発明の保管搬送容器内に製造途中のシリ
コンウエハを保管した。作製されたチップにゲートリー
ク電流を測定して、１．０Ａ／ｍ2の電流が流れる時の
ゲート電圧を電界強度に変換してヒストグラムとしたも
のを図４(a)に示す。図４(a)は、ゲート酸化膜初期耐圧
ヒストグラムを示す図である。
ト酸化膜を形成する工程及びゲート電極形成用のポリシ
リコン膜の形成を行う工程の作業待ち時間の間に、吸着
体として表面にＳｉ−Ｆ結合が形成されたシリコンウエ
ハを内蔵した本発明の保管搬送容器内に製造途中のシリ
コンウエハを保管した。作製されたチップにゲートリー
ク電流を測定して、１．０Ａ／ｍ2の電流が流れる時の
ゲート電圧を電界強度に変換してヒストグラムとしたも
のを図４(a)に示す。図４(a)は、ゲート酸化膜初期耐圧
ヒストグラムを示す図である。
【００５５】比較のため、ゲート酸化膜を形成する工程
及びゲート電極形成用のポリシリコン膜の形成を行う工
程の作業待ち時間の間に、従来の保管搬送容器に保管
し、保管条件以外の条件は上記の条件と同一にして、ｎ
チャンネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタのキャパシタ
のチップを作製した。作製されたチップのゲート酸化膜
初期耐圧ヒストグラムを図４(b)に示す。
及びゲート電極形成用のポリシリコン膜の形成を行う工
程の作業待ち時間の間に、従来の保管搬送容器に保管
し、保管条件以外の条件は上記の条件と同一にして、ｎ
チャンネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタのキャパシタ
のチップを作製した。作製されたチップのゲート酸化膜
初期耐圧ヒストグラムを図４(b)に示す。
【００５６】図４(a)に示すように、本発明の保管搬送
容器を使用した場合、１００チップ全てが６０Ｖ／ｍ2
の印加電界強度に集中しているのに対し、図４(b)に示
すように、従来の保管搬送容器を使用した場合には７０
チップのみが６０Ｖ／ｍ2、残り３０チップはそれ以下
の電界強度に分布している。
容器を使用した場合、１００チップ全てが６０Ｖ／ｍ2
の印加電界強度に集中しているのに対し、図４(b)に示
すように、従来の保管搬送容器を使用した場合には７０
チップのみが６０Ｖ／ｍ2、残り３０チップはそれ以下
の電界強度に分布している。
【００５７】作業待ち時間の間に従来の保管搬送容器に
保管されたシリコンウエハには有機物が付着され、作製
されたチップのゲート酸化膜初期耐圧が悪化したのに対
し、作業待ち時間の間に、本発明の保管搬送容器に保管
されたシリコンウエハには有機物が付着されず、作製さ
れたチップのゲート酸化膜初期耐圧の悪化が防止された
ことが示唆される。
保管されたシリコンウエハには有機物が付着され、作製
されたチップのゲート酸化膜初期耐圧が悪化したのに対
し、作業待ち時間の間に、本発明の保管搬送容器に保管
されたシリコンウエハには有機物が付着されず、作製さ
れたチップのゲート酸化膜初期耐圧の悪化が防止された
ことが示唆される。
【００５８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体基
板の保管搬送容器は、内部に有機物を吸着可能な吸着体
を内蔵したものであるので、半導体基板を保管搬送容器
内に収納する際に、保管搬送容器内に有機物が流入して
も、保管搬送容器内に内蔵された吸着体により有機物を
吸着除去することができ、内部の空気を清澄な状態にす
ることができるものである。また、吸着体を着脱可能と
することにより、吸着体への有機物の吸着量が飽和にな
る前に吸着体を新しいものに交換することができ、常に
内部の空気を清澄な状態にすることができる。
板の保管搬送容器は、内部に有機物を吸着可能な吸着体
を内蔵したものであるので、半導体基板を保管搬送容器
内に収納する際に、保管搬送容器内に有機物が流入して
も、保管搬送容器内に内蔵された吸着体により有機物を
吸着除去することができ、内部の空気を清澄な状態にす
ることができるものである。また、吸着体を着脱可能と
することにより、吸着体への有機物の吸着量が飽和にな
る前に吸着体を新しいものに交換することができ、常に
内部の空気を清澄な状態にすることができる。
【００５９】また、半導体装置を製造する工程におい
て、作業待ちの半導体基板を、本発明の上記の半導体基
板の保管搬送容器に保管することにより、保管中に半導
体基板表面に有機物が付着することを防止することがで
きるので、歩留まりや信頼性を向上することができる半
導体装置の製造方法を提供することができる。
て、作業待ちの半導体基板を、本発明の上記の半導体基
板の保管搬送容器に保管することにより、保管中に半導
体基板表面に有機物が付着することを防止することがで
きるので、歩留まりや信頼性を向上することができる半
導体装置の製造方法を提供することができる。
【００６０】特に、半導体装置の製造方法において、ゲ
ート酸化膜を成膜する工程、ポリシリコン膜を成膜する
工程、及びコンタクトホールを形成する工程の作業待ち
の半導体基板を本発明の保管搬送容器内に保管すること
が望ましく、これらの工程の作業待ち時間に本発明の保
管搬送容器に保管することにより、保管中に半導体基板
表面に有機物が付着することを防止することができ、歩
留まりや信頼性を向上することができる。
ート酸化膜を成膜する工程、ポリシリコン膜を成膜する
工程、及びコンタクトホールを形成する工程の作業待ち
の半導体基板を本発明の保管搬送容器内に保管すること
が望ましく、これらの工程の作業待ち時間に本発明の保
管搬送容器に保管することにより、保管中に半導体基板
表面に有機物が付着することを防止することができ、歩
留まりや信頼性を向上することができる。
【図１】 図１は、本発明に係る第１実施形態の半導体
基板の保管搬送容器に半導体基板を収納した状態を示す
概略断面図である。
基板の保管搬送容器に半導体基板を収納した状態を示す
概略断面図である。
【図２】 図２は、本発明に係る第２実施形態の半導体
装置の保管搬送容器に半導体基板を収納した状態を示す
概略断面図である。
装置の保管搬送容器に半導体基板を収納した状態を示す
概略断面図である。
【図３】 図３は、本発明に係る第３実施形態の半導体
装置の製造方法において、コンタクトホールを形成する
までのフローチャートである。
装置の製造方法において、コンタクトホールを形成する
までのフローチャートである。
【図４】 図４(a)、(b)は、本発明による保管搬送容器
を使用して製造されたチップ及び従来の保管搬送容器を
使用して製造されたチップのゲート酸化膜初期耐圧ヒス
トグラムを示す図である。
を使用して製造されたチップ及び従来の保管搬送容器を
使用して製造されたチップのゲート酸化膜初期耐圧ヒス
トグラムを示す図である。
【図５】 図５は、従来の半導体基板の保管搬送容器に
半導体基板を収納した状態を示す概略断面図である。
半導体基板を収納した状態を示す概略断面図である。
１０、２０ 保管搬送容器 １１ 半導体基板 １２ 半導体基板キャリア １３ カバー １４ リテイナー １５ シール材 １６ ベースプレート １７、２７ 吸着体
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体装置の製造工程において使用さ
れ、半導体基板を保管又は搬送するための開閉式の密閉
容器であって、 有機物を吸着可能な少なくとも１つの吸着体を内蔵し、
該吸着体が着脱可能とされたことを特徴とする半導体基
板の保管搬送容器。 - 【請求項２】 １枚の半導体基板を保持可能なスロット
を複数個有する半導体基板キャリアを内蔵し、複数の半
導体基板を該半導体基板キャリアに保持させて収納する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体基板の保管搬送
容器。 - 【請求項３】 前記吸着体がシリコンウエハの表面上に
吸着剤がコーティングされてなるものであることを特徴
とする請求項２記載の半導体基板の保管搬送容器。 - 【請求項４】 前記吸着剤が活性炭又はイオン交換樹脂
であることを特徴とする請求項３記載の半導体基板の保
管搬送容器。 - 【請求項５】 前記吸着体が、表面にＳｉ−Ｆ結合を有
するシリコンウエハからなることを特徴とする請求項２
記載の半導体基板の保管搬送容器。 - 【請求項６】 前記吸着体が、前記半導体基板キャリア
の空きスロットに装着されたことを特徴とする請求項２
から請求項５までのいずれか１項記載の半導体基板の保
管搬送容器。 - 【請求項７】 前記吸着体が活性炭又はイオン交換樹脂
からなることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の
半導体基板の保管搬送容器。 - 【請求項８】 半導体装置を製造する工程において、作
業待ちの半導体基板を、請求項１から請求項７までのい
ずれか１項記載の半導体基板の保管搬送容器内に保管す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 ゲート酸化膜を成膜する工程、ポリシリ
コン膜を成膜する工程、及びコンタクトホールを形成す
る工程の作業待ちの半導体基板を前記半導体基板の保管
搬送容器内に保管することを特徴とする請求項８記載の
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000100942A JP2001284443A (ja) | 2000-04-03 | 2000-04-03 | 半導体基板の保管搬送容器、半導体装置の製造方法 |
| US09/823,058 US20010027028A1 (en) | 2000-04-03 | 2001-03-30 | Stock/transfer vessel for semiconductor substrate and method of manufacturing semiconductor device |
| US10/435,909 US20030194844A1 (en) | 2000-04-03 | 2003-05-12 | Stock/transfer vessel for semiconductor substrate and method of manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000100942A JP2001284443A (ja) | 2000-04-03 | 2000-04-03 | 半導体基板の保管搬送容器、半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001284443A true JP2001284443A (ja) | 2001-10-12 |
Family
ID=18615080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000100942A Withdrawn JP2001284443A (ja) | 2000-04-03 | 2000-04-03 | 半導体基板の保管搬送容器、半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20010027028A1 (ja) |
| JP (1) | JP2001284443A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009503900A (ja) * | 2005-08-02 | 2009-01-29 | インテグリス・インコーポレーテッド | 捕獲基板のためのシステムおよび方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6875282B2 (en) * | 2001-05-17 | 2005-04-05 | Ebara Corporation | Substrate transport container |
| TWM276316U (en) * | 2004-08-17 | 2005-09-21 | Tzu-Lung Fu | Device having a function of absorbing gas |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5346518A (en) * | 1993-03-23 | 1994-09-13 | International Business Machines Corporation | Vapor drain system |
| US6020035A (en) * | 1996-10-29 | 2000-02-01 | Applied Materials, Inc. | Film to tie up loose fluorine in the chamber after a clean process |
| US6093947A (en) * | 1998-08-19 | 2000-07-25 | International Business Machines Corporation | Recessed-gate MOSFET with out-diffused source/drain extension |
-
2000
- 2000-04-03 JP JP2000100942A patent/JP2001284443A/ja not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-03-30 US US09/823,058 patent/US20010027028A1/en not_active Abandoned
-
2003
- 2003-05-12 US US10/435,909 patent/US20030194844A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009503900A (ja) * | 2005-08-02 | 2009-01-29 | インテグリス・インコーポレーテッド | 捕獲基板のためのシステムおよび方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030194844A1 (en) | 2003-10-16 |
| US20010027028A1 (en) | 2001-10-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070605 |