JP2009503900A - 捕獲基板のためのシステムおよび方法 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (65)
- 電子基板の電子部品処理用の環境から分子種を除去する方法であって、
電子基板と同一の表面積を有さない捕獲基板を設けるステップと、
捕獲基板を環境に曝露するステップと、
環境から捕獲基板に分子種を移送し、それによって環境から分子種を除去するステップとを含む、分子種を除去する方法。 - 電子基板が、シリコンウェハである、請求項1に記載の方法。
- シリコンウェハが、電子部品処理を施される未処理の単結晶シリコンウェハである、請求項2に記載の方法。
- 捕獲基板の表面積が、シリコンウェハより大きい、請求項2に記載の方法。
- 捕獲基板の表面積が、シリコンウェハの表面積の少なくとも約10倍である、請求項4に記載の方法。
- 捕獲基板の表面積が、シリコンウェハの表面積の少なくとも約25倍である、請求項4に記載の方法。
- 捕獲基板の表面積が、シリコンウェハの表面積の少なくとも約100倍である、請求項4に記載の方法。
- 捕獲基板が、シリコンを含む、請求項1に記載の方法。
- 捕獲基板が、低いkの誘電体を含む、請求項1に記載の方法。
- 捕獲基板が銅を含み、捕獲基板を曝露するステップが、銅を環境に曝露するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 捕獲基板が、電子基板の表面特性を模倣する表面を有する、請求項1に記載の方法。
- 環境が、移送コンテナ内にある、請求項1に記載の方法。
- 環境が、フロントオープン一体型ポッド内にある、請求項12に記載の方法。
- フロントオープン一体型ポッドが、少なくとも26枚のウェハ形状の基板を保持するように構成される、請求項13に記載の方法。
- 分子種が、汚染物質である、請求項1に記載の方法。
- 分子種の移送によって、汚染物質の環境を浄化する、請求項15に記載の方法。
- 環境が、流れている流体を含む、請求項1に記載の方法。
- 環境が、実質的に静止している、請求項1に記載の方法。
- 捕獲基板に移送される分子種の特性を識別し、それによって分子種を検出するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 分子種の特性を識別するステップが、捕獲基板から分子種を脱離するステップを含む、請求項19に記載の方法。
- 電子基板の電子部品処理用の環境から分子種を除去しかつ検出する方法であって、
電子基板と同一の表面積を有さない捕獲基板を設けるステップと、
捕獲基板を環境に曝露するステップと、
環境から捕獲基板に分子種を移送するステップと、
捕獲基板に移送される分子種の特性を識別し、それによって分子種を検出するステップとを含む、分子種を除去しかつ検出する方法。 - 分子種の特性を識別するステップが、捕獲基板から分子種を脱離するステップを含む、請求項21に記載の方法。
- 電子基板が、シリコンウェハである、請求項21に記載の方法。
- シリコンウェハが、電子部品処理を施される未処理の単結晶シリコンウェハである、請求項23に記載の方法。
- 捕獲基板の表面積が、シリコンウェハより大きい、請求項23に記載の方法。
- 捕獲基板の表面積が、シリコンウェハの表面積の少なくとも約10倍である、請求項23に記載の方法。
- 捕獲基板の表面積が、シリコンウェハの表面積の少なくとも約25倍である、請求項23に記載の方法。
- 捕獲基板の表面積が、シリコンウェハの表面積の少なくとも約100倍である、請求項23に記載の方法。
- 捕獲基板が、シリコンを含む、請求項21に記載の方法。
- 捕獲基板が、低いkの誘電体を含む、請求項21に記載の方法。
- 捕獲基板が銅を含み、捕獲基板を曝露するステップが、銅を環境に曝露するステップを含む、請求項21に記載の方法。
- 捕獲基板が、電子基板の表面特性を模倣する表面を有する、請求項21に記載の方法。
- 環境が、移送コンテナ内にある、請求項21に記載の方法。
- 環境が、フロントオープン一体型ポッド内にある、請求項33に記載の方法。
- フロントオープン一体型ポッドが、少なくとも26枚のウェハ形状の基板を保持するように構成される、請求項33に記載の方法。
- 分子種が、汚染物質である、請求項21に記載の方法。
- 分子種の移送によって、汚染物質の環境を浄化する、請求項36に記載の方法。
- 環境が、流れている流体を含む、請求項21に記載の方法。
- 環境が、実質的に静止している、請求項21に記載の方法。
- 電子基板の電子部品製作用の環境における分子種の存在を診断するためのシステムであって、
環境を包囲する移送コンテナと、
移送コンテナ内に収容される捕獲基板とを含み、捕獲基板が、電子基板と同一の表面積を有さないシステム。 - ミニエンバイロメントに位置する熱脱離デバイスをさらに含み、熱脱離デバイスは、捕獲基板が熱脱離デバイスに実装される場合に、捕獲基板から少なくとも1つの分子種を除去するように構成される、請求項40に記載のシステム。
- 電子基板が、シリコンウェハである、請求項40に記載のシステム。
- シリコンウェハが、電子部品処理を施される未処理の単結晶シリコンウェハである、請求項42に記載のシステム。
- 捕獲基板の表面積が、シリコンウェハより大きい、請求項42に記載のシステム。
- 捕獲基板の表面積が、シリコンウェハの表面積の少なくとも約10倍である、請求項42に記載のシステム。
- 捕獲基板の表面積が、シリコンウェハの表面積の少なくとも約25倍である、請求項42に記載のシステム。
- 捕獲基板の表面積が、シリコンウェハの表面積の少なくとも約100倍である、請求項42に記載のシステム。
- 捕獲基板が、シリコンを含む、請求項40に記載のシステム。
- 捕獲基板が、低いkの誘電体を含む、請求項40に記載のシステム。
- 捕獲基板が、銅を含む、請求項40に記載のシステム。
- 捕獲基板が、電子基板の表面特性を模倣する表面を有する、請求項40に記載のシステム。
- 移送コンテナが、フロントオープン一体型ポッドである、請求項40に記載のシステム。
- フロントオープン一体型ポッドが、少なくとも26枚のウェハ形状の基板を保持するように構成される、請求項52に記載のシステム。
- フロントオープン一体型ポッドが、電子部品処理を施される1から25枚のウェハを保持する、請求項52に記載のシステム。
- 少なくとも2つのミニエンバイロメントの間で稼動する移送コンテナにおける分子種の存在を決定する方法であって、
a)第1のミニエンバイロメントから移送コンテナに捕獲基板を装填するステップを含み、移送コンテナが、また、第1のミニエンバイロメントから装填される少なくとも1枚の電子基板を保持し、前記方法がさらに、
b)第1のミニエンバイロメントから第2のミニエンバイロメントに移送コンテナを運搬するステップと、
c)移送コンテナから捕獲基板を除去するステップと、
d)捕獲基板を解析して、分子種の存在を決定するステップとを含む、分子種の存在を決定する方法。 - e)捕獲基板から少なくとも1つの分子種の存在を実質的に除去するステップと、
f)第2のミニエンバイロメントから移送コンテナに捕獲基板を装填するステップとをさらに含み、移送コンテナが、また、第2のミニエンバイロメントから装填される少なくとも1枚の電子基板を保持し、方法がさらに、
g)第2のミニエンバイロメントから第3のミニエンバイロメントに移送コンテナを運搬するステップと、
h)移送コンテナから捕獲基板を除去するステップと、
i)少なくとも1つの分子種の存在に関して捕獲基板を解析するステップとを含む、請求項55に記載の方法。 - 電子基板がシリコンウェハであり、捕獲基板が、シリコンウェハより大きい表面積を有するシリコン表面を含む、請求項55に記載の方法。
- 移送コンテナが、フロントオープン一体型ポッドである、請求項55に記載の方法。
- フロントオープン一体型ポッドが、少なくとも26枚のウェハ形状の基板を保持するように構成される、請求項58に記載の方法。
- 捕獲基板を解析するステップが、捕獲基板から少なくとも1つの分子種を脱離するステップを含む、請求項55に記載の方法。
- 電子部品製作工程において稼動する移送コンテナにおける分子種の存在を決定する方法であって、
a)複数のステップを有する電子部品製作工程において、少なくとも1つの処理ステップを終了するステップと、
b)捕獲基板を移送コンテナに装填するステップとを含み、移送コンテナが、また、少なくとも1つの処理ステップ中に処理される少なくとも1枚の電子基板を保持し、前記方法がさらに、
c)移送コンテナから次の処理ステップを行う位置まで運搬するステップと、
d)移送コンテナから捕獲基板および少なくとも1枚の電子基板を除去するステップと、
e)捕獲基板を解析して、分子種の存在を決定するステップと、
f)任意に、少なくとも1つの次の処理ステップを終了し、ステップb)、c)、d)およびe)を反復するステップとを含む、分子種の存在を決定する方法。 - 電子基板がシリコンウェハであり、捕獲基板が、シリコンウェハより大きい表面積を有するシリコン表面を含む、請求項61に記載の方法。
- 移送コンテナが、フロントオープン一体型ポッドである、請求項61に記載の方法。
- フロントオープン一体型ポッドは、少なくとも26枚のウェハ形状の基板を保持するように構成される、請求項63に記載の方法。
- 捕獲基板を解析するステップは、捕獲基板から少なくとも1つの分子種を脱離するステップを含む、請求項61に記載の方法。
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