JP2001279445A - 化学的気相成長法による炭化珪素膜の体積抵抗率の制御方法 - Google Patents
化学的気相成長法による炭化珪素膜の体積抵抗率の制御方法Info
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- JP2001279445A JP2001279445A JP2000090500A JP2000090500A JP2001279445A JP 2001279445 A JP2001279445 A JP 2001279445A JP 2000090500 A JP2000090500 A JP 2000090500A JP 2000090500 A JP2000090500 A JP 2000090500A JP 2001279445 A JP2001279445 A JP 2001279445A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】化学的気相成長法によって得られる高純度であ
って、かつ緻密質の炭化珪素体において、炭化珪素膜の
体積抵抗率を、広い範囲で容易に制御する。 【解決手段】基体上に化学的気相成長法によって炭化珪
素膜を成膜するのに際して、炭化珪素膜の成膜速度を制
御することによって炭化珪素膜の体積抵抗率を制御す
る。炭化珪素膜の体積抵抗率は、成膜速度に応じて１０
4 倍もの広い範囲で容易に制御できる。
って、かつ緻密質の炭化珪素体において、炭化珪素膜の
体積抵抗率を、広い範囲で容易に制御する。 【解決手段】基体上に化学的気相成長法によって炭化珪
素膜を成膜するのに際して、炭化珪素膜の成膜速度を制
御することによって炭化珪素膜の体積抵抗率を制御す
る。炭化珪素膜の体積抵抗率は、成膜速度に応じて１０
4 倍もの広い範囲で容易に制御できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化学的気相成長法
による炭化珪素膜の体積抵抗率の制御方法に関するもの
である。
による炭化珪素膜の体積抵抗率の制御方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】黒鉛等の基材の表面に、化学的気相成長
法によって炭化珪素膜を製造する方法は、例えば特開平
１０−２５６１０８号公報に記載されている。こうした
炭化珪素膜は、緻密質であって、高い耐蝕性を示す傾向
がある。
法によって炭化珪素膜を製造する方法は、例えば特開平
１０−２５６１０８号公報に記載されている。こうした
炭化珪素膜は、緻密質であって、高い耐蝕性を示す傾向
がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、炭化珪素
膜の電気抵抗率を向上させ、高抵抗の炭化珪素膜を得る
必要に迫られていた。なぜなら、例えば半導体製造装置
の分野において、高抵抗炭化珪素膜を形成するという要
求があったからである。しかし、通常、ドーピングを行
わない化学的気相成長法で得られるような、高純度であ
って、かつ緻密質の炭化珪素体は、体積抵抗率をある程
度以上上昇させる手段がなく、体積抵抗率の上昇制御は
困難と考えられていた。炭化珪素膜の体積抵抗率は、炭
化珪素膜の純度、ドーピング材、気孔率といった構造的
要因によってほぼ決定されるというのが常識的である。
膜の電気抵抗率を向上させ、高抵抗の炭化珪素膜を得る
必要に迫られていた。なぜなら、例えば半導体製造装置
の分野において、高抵抗炭化珪素膜を形成するという要
求があったからである。しかし、通常、ドーピングを行
わない化学的気相成長法で得られるような、高純度であ
って、かつ緻密質の炭化珪素体は、体積抵抗率をある程
度以上上昇させる手段がなく、体積抵抗率の上昇制御は
困難と考えられていた。炭化珪素膜の体積抵抗率は、炭
化珪素膜の純度、ドーピング材、気孔率といった構造的
要因によってほぼ決定されるというのが常識的である。
【０００４】例えば、炭化珪素それ自体は、幾つかの結
晶相を有している。しかし、文献（「ＳｉＣ半導体材
料、デバイスとコンダクター材料」松渡弘元他、１９９
４年「まてりあ」３３巻、６号、７２０−７２４頁）に
よると、結晶相の相違による体積抵抗率の変化は、各結
晶相におけるキャリア移動度から計算すると、高くとも
２倍程度である。
晶相を有している。しかし、文献（「ＳｉＣ半導体材
料、デバイスとコンダクター材料」松渡弘元他、１９９
４年「まてりあ」３３巻、６号、７２０−７２４頁）に
よると、結晶相の相違による体積抵抗率の変化は、各結
晶相におけるキャリア移動度から計算すると、高くとも
２倍程度である。
【０００５】本発明の課題は、化学的気相成長法によっ
て得られる高純度であって、かつ緻密質の炭化珪素体に
おいて、その体積抵抗率を広い範囲で容易に制御する方
法を提供することである。
て得られる高純度であって、かつ緻密質の炭化珪素体に
おいて、その体積抵抗率を広い範囲で容易に制御する方
法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、基体上に化学
的気相成長法によって炭化珪素膜を成膜するのに際し
て、炭化珪素膜の成膜速度を制御することによって前記
炭化珪素膜の体積抵抗率を制御することを特徴とする方
法に係るものである。
的気相成長法によって炭化珪素膜を成膜するのに際し
て、炭化珪素膜の成膜速度を制御することによって前記
炭化珪素膜の体積抵抗率を制御することを特徴とする方
法に係るものである。
【０００７】本発明者は、化学的気相成長法によって得
られる高純度であって、かつ緻密質の炭化珪素体におい
て、炭化珪素膜の体積抵抗率が予想を超えて大きく成膜
速度に依存することを発見し、本発明に到達した。
られる高純度であって、かつ緻密質の炭化珪素体におい
て、炭化珪素膜の体積抵抗率が予想を超えて大きく成膜
速度に依存することを発見し、本発明に到達した。
【０００８】こうした成膜速度の変化による体積抵抗率
の変化は、１０4 倍ものオーダーに達しており、従って
炭化珪素膜の体積抵抗率の制御方法として有用であっ
た。例えば、炭化珪素膜の結晶相の変化による体積抵抗
率の変化が前述のように僅かであることを考えると、こ
うした成膜上の要因による制御は極めて有用である。
の変化は、１０4 倍ものオーダーに達しており、従って
炭化珪素膜の体積抵抗率の制御方法として有用であっ
た。例えば、炭化珪素膜の結晶相の変化による体積抵抗
率の変化が前述のように僅かであることを考えると、こ
うした成膜上の要因による制御は極めて有用である。
【０００９】本発明においては、成膜速度を１００μｍ
／時間以下に制御することによって、炭化珪素膜の室温
での体積抵抗率を１×１０5 Ω・ｃｍ以上に制御が可能
であった。成膜速度の下限は特にない。１００−１０μ
ｍ／時間の範囲内では、室温での体積抵抗率は、１×１
０5 −１×１０6 Ω・ｃｍ程度であった。このような急
激な高抵抗化は、本発明によって初めて可能となったも
のである。
／時間以下に制御することによって、炭化珪素膜の室温
での体積抵抗率を１×１０5 Ω・ｃｍ以上に制御が可能
であった。成膜速度の下限は特にない。１００−１０μ
ｍ／時間の範囲内では、室温での体積抵抗率は、１×１
０5 −１×１０6 Ω・ｃｍ程度であった。このような急
激な高抵抗化は、本発明によって初めて可能となったも
のである。
【００１０】また、成膜速度を１００μｍ／時間以上、
１６０μｍ／時間以下に制御することによって、炭化珪
素膜の室温での体積抵抗率を１×１０2 Ω・ｃｍ以上、
１×１０5 Ω・ｃｍ以下に制御できる。
１６０μｍ／時間以下に制御することによって、炭化珪
素膜の室温での体積抵抗率を１×１０2 Ω・ｃｍ以上、
１×１０5 Ω・ｃｍ以下に制御できる。
【００１１】また、成膜速度を１６０μｍ／時間以上に
制御することによって、前記炭化珪素膜の室温での体積
抵抗率を１×１０2 Ω・ｃｍ以下に制御できる。成膜速
度の上限は特にないが、粗大粒子が多数生成して表面状
態が粗くなるのを避けるという観点から、１７０μｍ／
時間以下が好ましく、これによって炭化珪素膜の室温で
の体積抵抗率を１×１０2 −１×１０0 Ω・ｃｍに制御
できる。
制御することによって、前記炭化珪素膜の室温での体積
抵抗率を１×１０2 Ω・ｃｍ以下に制御できる。成膜速
度の上限は特にないが、粗大粒子が多数生成して表面状
態が粗くなるのを避けるという観点から、１７０μｍ／
時間以下が好ましく、これによって炭化珪素膜の室温で
の体積抵抗率を１×１０2 −１×１０0 Ω・ｃｍに制御
できる。
【００１２】また、成膜速度を１００μｍ／時間以下に
制御することによって、炭化珪素膜の２００℃での体積
抵抗率を１×１０3 Ω・ｃｍ以上に制御できる。
制御することによって、炭化珪素膜の２００℃での体積
抵抗率を１×１０3 Ω・ｃｍ以上に制御できる。
【００１３】本発明の炭化珪素膜の主たる結晶相は、３
Ｃ結晶相、６Ｈ結晶相であることが好ましい。
Ｃ結晶相、６Ｈ結晶相であることが好ましい。
【００１４】好ましくは、炭化珪素膜の純度が９９．９
９％以上であり、特に好ましくは９９．９９９９％以上
である。好ましくは、炭化珪素膜の相対密度が、０．１
％のオーダーで見て、理論密度と同じ完全緻密体であ
る。
９％以上であり、特に好ましくは９９．９９９９％以上
である。好ましくは、炭化珪素膜の相対密度が、０．１
％のオーダーで見て、理論密度と同じ完全緻密体であ
る。
【００１５】本発明の炭化珪素膜の膜厚は、５０μｍ以
上であることが好ましく、これによって基体の表面を、
その全面にわたって、安定して被覆できる。炭化珪素膜
の厚さは、更には１００μｍ以上であることが好まし
い。また、主として経済的な理由から、炭化珪素体の膜
厚は、８０００μｍ以下であることが好ましい。
上であることが好ましく、これによって基体の表面を、
その全面にわたって、安定して被覆できる。炭化珪素膜
の厚さは、更には１００μｍ以上であることが好まし
い。また、主として経済的な理由から、炭化珪素体の膜
厚は、８０００μｍ以下であることが好ましい。
【００１６】炭化珪素膜を構成する炭化珪素結晶の平均
粒径は、５μｍ以下であることが好ましい。結晶の平均
粒径を小さくすることによって、一層炭化珪素体の電気
抵抗値が上昇する。この理由は明確ではないが、炭化珪
素結晶の粒界がキャリアトラップとなっている可能性が
ある。
粒径は、５μｍ以下であることが好ましい。結晶の平均
粒径を小さくすることによって、一層炭化珪素体の電気
抵抗値が上昇する。この理由は明確ではないが、炭化珪
素結晶の粒界がキャリアトラップとなっている可能性が
ある。
【００１７】基体の材質は限定されないが、以下のもの
が特に好ましい。 （１）Ｓｉ−ＳｉＣ複合材料 炭化珪素と金属シリコンとの混合焼結体。金属シリコン
は炭化珪素の空洞内に含浸されている。 （２）炭化珪素を主成分とする焼結体。例えば、（ａ）
炭化珪素の組成比率が９０％以上であり、かつ相対密度
が９０％以上である焼結体。（ｂ）炭化珪素の組成比率
が９０％以上であり、かつ相対密度が５６％〜９０％で
ある多孔質焼結体。 （３）窒化珪素、窒化アルミニウム等の絶縁性セラミッ
クス。 （４）黒鉛（カーボン）
が特に好ましい。 （１）Ｓｉ−ＳｉＣ複合材料 炭化珪素と金属シリコンとの混合焼結体。金属シリコン
は炭化珪素の空洞内に含浸されている。 （２）炭化珪素を主成分とする焼結体。例えば、（ａ）
炭化珪素の組成比率が９０％以上であり、かつ相対密度
が９０％以上である焼結体。（ｂ）炭化珪素の組成比率
が９０％以上であり、かつ相対密度が５６％〜９０％で
ある多孔質焼結体。 （３）窒化珪素、窒化アルミニウム等の絶縁性セラミッ
クス。 （４）黒鉛（カーボン）
【００１８】化学的気相成長法によって、本発明の炭化
珪素膜を生成させる場合には、好ましい条件は以下のと
おりである。
珪素膜を生成させる場合には、好ましい条件は以下のと
おりである。
【００１９】炉内に基体を設置する。成膜温度におい
て、炉内にしばらく水素を流し続けた後に、水素と炭素
源化合物とをしばらく流し、次いで炭素源化合物を停止
して水素と珪素源化合物とを炉内に短時間導入する。次
いで、水素と珪素源化合物と炭素源化合物とを炉内に導
入し、炭化珪素膜を形成する。珪素源化合物としては、
ＳｉＣｌ4 、ＳｉＨＣｌ3 、ＳｉＣｌ2 Ｈ2 、ＳｉＨ4
を使用でき、炭素源化合物としてはＣＨ4 、Ｃ2 Ｈ6 、
Ｃ3 Ｈ8 を使用できる。成膜温度は、装置にもよるが低
くする方が良く、例えば１２００−１２８０℃とするこ
とができる。
て、炉内にしばらく水素を流し続けた後に、水素と炭素
源化合物とをしばらく流し、次いで炭素源化合物を停止
して水素と珪素源化合物とを炉内に短時間導入する。次
いで、水素と珪素源化合物と炭素源化合物とを炉内に導
入し、炭化珪素膜を形成する。珪素源化合物としては、
ＳｉＣｌ4 、ＳｉＨＣｌ3 、ＳｉＣｌ2 Ｈ2 、ＳｉＨ4
を使用でき、炭素源化合物としてはＣＨ4 、Ｃ2 Ｈ6 、
Ｃ3 Ｈ8 を使用できる。成膜温度は、装置にもよるが低
くする方が良く、例えば１２００−１２８０℃とするこ
とができる。
【００２０】成膜速度を制御するためには、以下の方法
がある。 （１）原料導入部と基体との距離を制御することによ
り、成膜速度を制御する。原料導入部と基体との距離を
大きくすることによって、成膜速度が遅くなり、この距
離を小さくすることによって、成膜速度が速くなる。 （２）原料導入量を制御することにより、成膜速度を制
御する。原料導入量を多くすることによって、成膜速度
が速くなり、原料導入量を少なくすることによって、成
膜速度が遅くなる。 （３）成膜温度を制御することにより、成膜速度を制御
する。成膜温度を高くすることによって、成膜速度が速
くなり、成膜温度を低くすることによって、成膜速度が
遅くなる。 （４）炉内圧力を制御することにより、成膜速度を制御
する。炉内圧力を高くすることによって、成膜速度が速
くなり、炉内圧力を低くすることによって、成膜速度が
遅くなる。
がある。 （１）原料導入部と基体との距離を制御することによ
り、成膜速度を制御する。原料導入部と基体との距離を
大きくすることによって、成膜速度が遅くなり、この距
離を小さくすることによって、成膜速度が速くなる。 （２）原料導入量を制御することにより、成膜速度を制
御する。原料導入量を多くすることによって、成膜速度
が速くなり、原料導入量を少なくすることによって、成
膜速度が遅くなる。 （３）成膜温度を制御することにより、成膜速度を制御
する。成膜温度を高くすることによって、成膜速度が速
くなり、成膜温度を低くすることによって、成膜速度が
遅くなる。 （４）炉内圧力を制御することにより、成膜速度を制御
する。炉内圧力を高くすることによって、成膜速度が速
くなり、炉内圧力を低くすることによって、成膜速度が
遅くなる。
【００２１】本発明によって製造される炭化珪素膜と基
体との積層構造体は、各種の製品に対して適用すること
ができる。こうした製品として、ガスタービン用の燃焼
器、静翼、動翼、熱交換器、燃焼ガス通路部品を例示で
きる。また、電磁波透過体にも適用できる。これには、
電磁波透過窓、高周波電極装置、高周波プラズマを発生
させるためのチューブ、高周波プラズマを発生させるた
めのドームを例示できる。また、半導体ウエハーを設置
するためのサセプターの基材として使用できる。こうし
たサセプターとしては、セラミック静電チャック、セラ
ミックスヒーター、高周波電極装置を例示することがで
きる。この他、ダミーウエハー、シャドーリング、半導
体ウエハーを支持するためのリフトピン、シャワー板等
の各半導体製造用装置用の基材として、使用することが
できる。
体との積層構造体は、各種の製品に対して適用すること
ができる。こうした製品として、ガスタービン用の燃焼
器、静翼、動翼、熱交換器、燃焼ガス通路部品を例示で
きる。また、電磁波透過体にも適用できる。これには、
電磁波透過窓、高周波電極装置、高周波プラズマを発生
させるためのチューブ、高周波プラズマを発生させるた
めのドームを例示できる。また、半導体ウエハーを設置
するためのサセプターの基材として使用できる。こうし
たサセプターとしては、セラミック静電チャック、セラ
ミックスヒーター、高周波電極装置を例示することがで
きる。この他、ダミーウエハー、シャドーリング、半導
体ウエハーを支持するためのリフトピン、シャワー板等
の各半導体製造用装置用の基材として、使用することが
できる。
【００２２】
【実施例】化学的気相成長法によって、Ｓｉ−ＳｉＣ複
合材料からなる平板形状の基体の表面に炭化珪素膜を生
成させた。Ｓｉ−ＳｉＣ複合材料を製造する際には、６
０重量％の炭化珪素粗粒と、３０重量％の炭化珪素微粒
と、１０重量％の炭素粉末とを混合して成形体を得、こ
の成形体の上に、金属珪素を主成分とする別の成形体を
載せ、１４００℃で熱処理することによって、珪素金属
を溶融させつつ、粉末焼結させた。
合材料からなる平板形状の基体の表面に炭化珪素膜を生
成させた。Ｓｉ−ＳｉＣ複合材料を製造する際には、６
０重量％の炭化珪素粗粒と、３０重量％の炭化珪素微粒
と、１０重量％の炭素粉末とを混合して成形体を得、こ
の成形体の上に、金属珪素を主成分とする別の成形体を
載せ、１４００℃で熱処理することによって、珪素金属
を溶融させつつ、粉末焼結させた。
【００２３】基体の形状は、縦１００ｍｍ×横２００ｍ
ｍ×厚さ１０ｍｍの平板状とした。基体の一方の主面を
♯８００以上の砥石で研磨し、その中心線平均表面粗さ
Ｒａを３μｍ未満にした。基体を化学的気相成長炉内に
収容し、設置した。この際、基材の一方の主面と他方の
主面とが、反応性ガスの噴出方向に対して平行となるよ
うにした。言い換えると、平板状の基体の側面が噴出口
に対向するように、基体を設置した。
ｍ×厚さ１０ｍｍの平板状とした。基体の一方の主面を
♯８００以上の砥石で研磨し、その中心線平均表面粗さ
Ｒａを３μｍ未満にした。基体を化学的気相成長炉内に
収容し、設置した。この際、基材の一方の主面と他方の
主面とが、反応性ガスの噴出方向に対して平行となるよ
うにした。言い換えると、平板状の基体の側面が噴出口
に対向するように、基体を設置した。
【００２４】炉内を真空引きし、アルゴンガスによって
置換した。室温から成膜温度（１２８０℃）まで昇温す
る間は、キャリアガスとしてアルゴンを供給した。次い
で、成膜温度に到達した時点で、最初に水素を１０分間
−１時間単独で流し、次いで水素とメタンとを１−１０
分間流した。次いで、メタンを停止し、水素と四塩化珪
素とを５−１０分間流した。次いで、水素と四塩化珪素
とメタンとを１５−８０時間流すことによって、膜厚約
３−４ｍｍの炭化珪素膜を形成した。
置換した。室温から成膜温度（１２８０℃）まで昇温す
る間は、キャリアガスとしてアルゴンを供給した。次い
で、成膜温度に到達した時点で、最初に水素を１０分間
−１時間単独で流し、次いで水素とメタンとを１−１０
分間流した。次いで、メタンを停止し、水素と四塩化珪
素とを５−１０分間流した。次いで、水素と四塩化珪素
とメタンとを１５−８０時間流すことによって、膜厚約
３−４ｍｍの炭化珪素膜を形成した。
【００２５】成膜速度は、以下のようにして制御した。 （１）原料導入部と基体との距離を１００ｍｍ、２００
ｍｍ、３００ｍｍの中から選んだ。 （２）原料導入量を、２．２リットル／分、４．４リッ
トル／分、８．８リットル／分から選んだ。ただし、こ
の原料供給量は、ＳｉＣｌ4 （ｍｏｌ）／ＣＨ4（ｍｏ
ｌ）＝１．３かつＨ2 （ｍｏｌ）／ＳｉＣｌ4 （ｍｏ
ｌ）＝３．５−４．５のときのＳｉＣｌ4 の導入量であ
る。 （３）成膜温度を１１６０℃、１２００℃、１２８０
℃、１３２０℃、１４００℃、１４４０℃の中から選択
した。 （４）炉内圧力を１００Ｔｏｒｒ、２００Ｔｏｒｒ、３
００Ｔｏｒｒの中から選択した。
ｍｍ、３００ｍｍの中から選んだ。 （２）原料導入量を、２．２リットル／分、４．４リッ
トル／分、８．８リットル／分から選んだ。ただし、こ
の原料供給量は、ＳｉＣｌ4 （ｍｏｌ）／ＣＨ4（ｍｏ
ｌ）＝１．３かつＨ2 （ｍｏｌ）／ＳｉＣｌ4 （ｍｏ
ｌ）＝３．５−４．５のときのＳｉＣｌ4 の導入量であ
る。 （３）成膜温度を１１６０℃、１２００℃、１２８０
℃、１３２０℃、１４００℃、１４４０℃の中から選択
した。 （４）炉内圧力を１００Ｔｏｒｒ、２００Ｔｏｒｒ、３
００Ｔｏｒｒの中から選択した。
【００２６】各炭化珪素膜を形成する際に、成膜速度を
表１、表２に示すように変更した。
表１、表２に示すように変更した。
【００２７】各炭化珪素膜の純度は９９．９９９９％以
上である。また、各炭化珪素膜の気孔率は９９．９％以
上であり、緻密体であった。
上である。また、各炭化珪素膜の気孔率は９９．９％以
上であり、緻密体であった。
【００２８】各炭化珪素膜から、それぞれ寸法２×４×
４０ｍｍの板状の試験片を切り出した。各試験片に、ア
ルメル線を４個所に巻付け、アルメル線を電流計および
電圧計に接続し、四端子法によって各炭化珪素膜の電気
抵抗率を測定した。試験片とアルメル線の導通を確実に
するため、カーボンペーストをアルメル線と試験片の表
面との間に塗布した。４本のアルメル線のうち、外側の
２本の線（電流端子）に一定の電流を流し、その時の内
側の２本の線（電圧端子）間の電圧を測定した。測定
は、２０℃に保たれた室内で行った。この時の体積抵抗
率を次の式で計算した。この結果を表１、表２に示す。
４０ｍｍの板状の試験片を切り出した。各試験片に、ア
ルメル線を４個所に巻付け、アルメル線を電流計および
電圧計に接続し、四端子法によって各炭化珪素膜の電気
抵抗率を測定した。試験片とアルメル線の導通を確実に
するため、カーボンペーストをアルメル線と試験片の表
面との間に塗布した。４本のアルメル線のうち、外側の
２本の線（電流端子）に一定の電流を流し、その時の内
側の２本の線（電圧端子）間の電圧を測定した。測定
は、２０℃に保たれた室内で行った。この時の体積抵抗
率を次の式で計算した。この結果を表１、表２に示す。
【数１】体積抵抗率＝（試験片の幅×厚み×電圧）／
（電圧端子間距離×電流）
（電圧端子間距離×電流）
【００２９】ただし、表１、表２において、体積抵抗率
は略記法によって記載してある。ここで「Ｅ」は、１０
の乗数であることを示す記号である。従って、例えば
「１．１Ｅ＋０１」は「１．１×１０+1」を示す。
は略記法によって記載してある。ここで「Ｅ」は、１０
の乗数であることを示す記号である。従って、例えば
「１．１Ｅ＋０１」は「１．１×１０+1」を示す。
【００３０】
【表１】
【００３１】
【表２】
【００３２】また、図１には室温での成膜速度と体積抵
抗率との関係を示し、図２には、２００℃での成膜速度
と体積抵抗率との関係を示す。
抗率との関係を示し、図２には、２００℃での成膜速度
と体積抵抗率との関係を示す。
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、化
学的気相成長法によって得られる高純度であって、かつ
緻密質の炭化珪素体において、炭化珪素膜の体積抵抗率
を、広い範囲で容易に制御できる。
学的気相成長法によって得られる高純度であって、かつ
緻密質の炭化珪素体において、炭化珪素膜の体積抵抗率
を、広い範囲で容易に制御できる。
【図１】室温での成膜速度と体積抵抗率との関係を示す
グラフである。
グラフである。
【図２】２００℃での成膜速度と体積抵抗率との関係を
示すグラフである。
示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 廣道 愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日 本碍子株式会社内 Ｆターム(参考） 4K030 AA03 AA05 AA06 AA09 BA27 BA29 BA37 CA05 CA17 FA10 JA10 JA12 LA11 5F045 EK09 EM09
Claims (8)
- 【請求項１】基体上に化学的気相成長法によって炭化珪
素膜を成膜するのに際して、前記炭化珪素膜の成膜速度
を制御することによって前記炭化珪素膜の体積抵抗率を
制御することを特徴とする方法。 - 【請求項２】前記成膜速度を１００μｍ／時間以下に制
御することによって、前記炭化珪素膜の室温での体積抵
抗率を１×１０5 Ω・ｃｍ以上に制御することを特徴と
する、請求項１記載の方法。 - 【請求項３】前記成膜速度を１００μｍ／時間以上、１
６０μｍ／時間以下に制御することによって、前記炭化
珪素膜の室温での体積抵抗率を１×１０2 Ω・ｃｍ以
上、１×１０5 Ω・ｃｍ以下に制御することを特徴とす
る、請求項１記載の方法。 - 【請求項４】前記成膜速度を１６０μｍ／時間以上に制
御することによって、前記炭化珪素膜の室温での体積抵
抗率を１×１０2 Ω・ｃｍ以下に制御することを特徴と
する、請求項１記載の方法。 - 【請求項５】前記成膜速度を１００μｍ／時間以下に制
御することによって、前記炭化珪素膜の２００℃での体
積抵抗率を１×１０3 Ω・ｃｍ以上に制御することを特
徴とする、請求項１記載の方法。 - 【請求項６】前記炭化珪素膜の原料ガスとして、ＳｉＣ
ｌ4 、ＳｉＨＣｌ3 、ＳｉＣｌ2 Ｈ2 およびＳｉＨ4 か
らなる群より選ばれた珪素源化合物と、ＣＨ4 、Ｃ2 Ｈ
6 およびＣ3 Ｈ8 からなる群より選ばれた炭素源化合物
とを使用することを特徴とする、請求項１−５のいずれ
か一つの請求項に記載の方法。 - 【請求項７】前記炭化珪素膜を１２００−１４００℃で
成膜することを特徴とする、請求項６記載の方法。 - 【請求項８】前記炭化珪素膜の純度が９９．９９％以上
であることを特徴とする、請求項１−７のいずれか一つ
の請求項に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000090500A JP2001279445A (ja) | 2000-03-29 | 2000-03-29 | 化学的気相成長法による炭化珪素膜の体積抵抗率の制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000090500A JP2001279445A (ja) | 2000-03-29 | 2000-03-29 | 化学的気相成長法による炭化珪素膜の体積抵抗率の制御方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001279445A true JP2001279445A (ja) | 2001-10-10 |
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ID=18606102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000090500A Pending JP2001279445A (ja) | 2000-03-29 | 2000-03-29 | 化学的気相成長法による炭化珪素膜の体積抵抗率の制御方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001279445A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2007139015A1 (ja) * | 2006-05-31 | 2009-10-08 | コニカミノルタオプト株式会社 | 成膜方法、金型及び金型の製造方法 |
-
2000
- 2000-03-29 JP JP2000090500A patent/JP2001279445A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2007139015A1 (ja) * | 2006-05-31 | 2009-10-08 | コニカミノルタオプト株式会社 | 成膜方法、金型及び金型の製造方法 |
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