JP2001270797A - シリコン単結晶製造装置 - Google Patents
シリコン単結晶製造装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の
製造において、単結晶の冷却効果を高め、引き上げ速度
を上げて生産性を向上させると共に、装置構造が簡素
で、安全性およびハンドリング性に優れるシリコン単結
晶製造装置を提供する。 【解決手段】 引き上げ中のシリコン単結晶を取り囲
み、上部が環状のリムで、その下部が下に向かう程縮径
された輻射熱反射体と、該輻射熱反射体の外側を断熱材
を挟んで取り囲む輻射熱遮蔽体を有し、該輻射熱反射体
と該輻射熱遮蔽体は少なくとも２箇所の接続部で一体化
し、接続部以外では互いに接触していないシリコン単結
晶製造装置である。
製造において、単結晶の冷却効果を高め、引き上げ速度
を上げて生産性を向上させると共に、装置構造が簡素
で、安全性およびハンドリング性に優れるシリコン単結
晶製造装置を提供する。 【解決手段】 引き上げ中のシリコン単結晶を取り囲
み、上部が環状のリムで、その下部が下に向かう程縮径
された輻射熱反射体と、該輻射熱反射体の外側を断熱材
を挟んで取り囲む輻射熱遮蔽体を有し、該輻射熱反射体
と該輻射熱遮蔽体は少なくとも２箇所の接続部で一体化
し、接続部以外では互いに接触していないシリコン単結
晶製造装置である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チョクラルスキー
法によるシリコン単結晶の製造装置に関する。
法によるシリコン単結晶の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】チョクラルスキー法によるシリコン単結
晶の引き上げにおいては、生産性を向上させるため、引
き上げ速度を高めることが、課題の１つとなっている。
引き上げ速度を上げるためには、単結晶と融液の固液界
面での熱バランスから、原理的には固液界面近傍の垂直
方向の結晶温度勾配を大きくすることが有効である。
晶の引き上げにおいては、生産性を向上させるため、引
き上げ速度を高めることが、課題の１つとなっている。
引き上げ速度を上げるためには、単結晶と融液の固液界
面での熱バランスから、原理的には固液界面近傍の垂直
方向の結晶温度勾配を大きくすることが有効である。
【０００３】そのため、従来より様々な方法が提案され
てきた。例えば、特公平５-３５７１５号公報において
は、上部に環状リム部をもち、その下部は内側面は上端
から下端側に向かうに従って縮径された逆円錐台形環状
で、該内面側と外面側の間に融液面に近づくに従って一
部又は全体に亘って厚さを大きくした断熱材を有する熱
遮蔽体により、加熱部やルツボ等の高温部から結晶への
輻射入熱を抑制し、結晶の成長方向の温度勾配を大きく
して引き上げ速度を高めている（図４参照のこと）。
てきた。例えば、特公平５-３５７１５号公報において
は、上部に環状リム部をもち、その下部は内側面は上端
から下端側に向かうに従って縮径された逆円錐台形環状
で、該内面側と外面側の間に融液面に近づくに従って一
部又は全体に亘って厚さを大きくした断熱材を有する熱
遮蔽体により、加熱部やルツボ等の高温部から結晶への
輻射入熱を抑制し、結晶の成長方向の温度勾配を大きく
して引き上げ速度を高めている（図４参照のこと）。
【０００４】また、水冷筒を擁して結晶を効果的に冷却
する装置にて、結晶の成長方向の温度勾配を大きくして
引き上げ速度を高めている特開昭６３-２５６５９３号
公報、特開平１１-９２２７２号公報、等に記載されて
いるような技術もある。
する装置にて、結晶の成長方向の温度勾配を大きくして
引き上げ速度を高めている特開昭６３-２５６５９３号
公報、特開平１１-９２２７２号公報、等に記載されて
いるような技術もある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特公平
５-３５７１５号公報については、高温部から結晶への
輻射入熱を抑制しているが、結晶からの積極的な輻射抜
熱を促進する方策が講じられていないため、引き上げ速
度向上効果が小さい問題があった。また、水冷筒を使用
する方法は、引き上げ速度向上効果が大きいものの、装
置が複雑となることや、高価な安全対策を施す必要があ
ることおよびハンドリングが難しくなる等の問題があっ
た。
５-３５７１５号公報については、高温部から結晶への
輻射入熱を抑制しているが、結晶からの積極的な輻射抜
熱を促進する方策が講じられていないため、引き上げ速
度向上効果が小さい問題があった。また、水冷筒を使用
する方法は、引き上げ速度向上効果が大きいものの、装
置が複雑となることや、高価な安全対策を施す必要があ
ることおよびハンドリングが難しくなる等の問題があっ
た。
【０００６】即ち、本発明が解決しようとする課題は、
チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造におい
て、単結晶の引き上げ速度を上げて生産性を向上させる
と共に、装置構造が簡素で、安全性、およびハンドリン
グ性に優れるシリコン単結晶製造装置を提供することで
ある。
チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造におい
て、単結晶の引き上げ速度を上げて生産性を向上させる
と共に、装置構造が簡素で、安全性、およびハンドリン
グ性に優れるシリコン単結晶製造装置を提供することで
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の問題を解決するた
めの装置としては、第一に、チョクラルスキー法による
シリコン単結晶の製造装置であって、引き上げ中のシリ
コン単結晶の周りを取り囲み、上部が環状のリム部で、
その下部が下に向かう程縮径された輻射熱反射体と、該
輻射熱反射体の外側を、加熱ヒーター、ルツボおよびシ
リコン融液の表面から該輻射熱反射体への直接の熱輻射
を遮るようにして、断熱材を挟んで取り囲む、輻射熱遮
蔽体とを有し、該輻射熱反射体と該輻射熱遮蔽体は、少
なくとも２箇所の接続部で一体化し、該接続部以外は互
いに接触していないことを特徴とするシリコン単結晶製
造装置である。
めの装置としては、第一に、チョクラルスキー法による
シリコン単結晶の製造装置であって、引き上げ中のシリ
コン単結晶の周りを取り囲み、上部が環状のリム部で、
その下部が下に向かう程縮径された輻射熱反射体と、該
輻射熱反射体の外側を、加熱ヒーター、ルツボおよびシ
リコン融液の表面から該輻射熱反射体への直接の熱輻射
を遮るようにして、断熱材を挟んで取り囲む、輻射熱遮
蔽体とを有し、該輻射熱反射体と該輻射熱遮蔽体は、少
なくとも２箇所の接続部で一体化し、該接続部以外は互
いに接触していないことを特徴とするシリコン単結晶製
造装置である。
【０００８】すなわち、輻射熱反射体の外側の断熱材と
輻射熱遮蔽体とで、加熱ヒーターやルツボおよびシリコ
ン融液等の高温部からシリコン単結晶への輻射入熱を抑
制する。加えて、輻射熱反射体により、その表面で、シ
リコン単結晶から放射される輻射熱を反射して上方にあ
る炉体の水冷壁へ逃がすことでシリコン単結晶からの輻
射抜熱を促進する。
輻射熱遮蔽体とで、加熱ヒーターやルツボおよびシリコ
ン融液等の高温部からシリコン単結晶への輻射入熱を抑
制する。加えて、輻射熱反射体により、その表面で、シ
リコン単結晶から放射される輻射熱を反射して上方にあ
る炉体の水冷壁へ逃がすことでシリコン単結晶からの輻
射抜熱を促進する。
【０００９】このとき、輻射熱遮蔽体と輻射熱反射体の
間には断熱材が挟まれているため、高温部からの輻射を
受けて自らも高温になった輻射熱遮蔽体から、輻射熱反
射体への輻射伝熱は抑制される。更に、輻射熱反射体と
輻射熱遮蔽体は、接続部以外は離れているので、輻射熱
遮蔽体から輻射熱反射体への伝導伝熱はほとんどない。
従って、輻射熱反射体の表面温度は、従来法である単純
に断熱材を輻射熱遮蔽体で囲んで断熱を強化した場合の
遮蔽体の結晶側表面温度に比べて、より低下する。従っ
て、シリコン単結晶から輻射熱反射体への輻射抜熱がよ
り促進され、結晶の成長方向温度勾配は大きくなり、引
き上げ速度は上がる。
間には断熱材が挟まれているため、高温部からの輻射を
受けて自らも高温になった輻射熱遮蔽体から、輻射熱反
射体への輻射伝熱は抑制される。更に、輻射熱反射体と
輻射熱遮蔽体は、接続部以外は離れているので、輻射熱
遮蔽体から輻射熱反射体への伝導伝熱はほとんどない。
従って、輻射熱反射体の表面温度は、従来法である単純
に断熱材を輻射熱遮蔽体で囲んで断熱を強化した場合の
遮蔽体の結晶側表面温度に比べて、より低下する。従っ
て、シリコン単結晶から輻射熱反射体への輻射抜熱がよ
り促進され、結晶の成長方向温度勾配は大きくなり、引
き上げ速度は上がる。
【００１０】装置の第二としては、第一の装置に加え
て、該輻射熱反射体と該輻射熱遮蔽体の材質が、黒鉛あ
るいはＣ／Ｃコンポジット（Carbon Carbon Composit
e；カーボン／カーボン複合材料）製であることを特徴
とするシリコン単結晶製造装置である。
て、該輻射熱反射体と該輻射熱遮蔽体の材質が、黒鉛あ
るいはＣ／Ｃコンポジット（Carbon Carbon Composit
e；カーボン／カーボン複合材料）製であることを特徴
とするシリコン単結晶製造装置である。
【００１１】これは、輻射熱反射体と輻射熱遮蔽体の耐
熱性を高め、装置の寿命を向上させると共に、結晶が金
属汚染されることを抑制する。
熱性を高め、装置の寿命を向上させると共に、結晶が金
属汚染されることを抑制する。
【００１２】装置の第三としては、第二の装置に加え
て、該輻射熱反射体の縮径部の結晶に面している表面
が、輻射率が０．５以下の素材で被覆されてなることを
特徴とするシリコン単結晶製造装置である。
て、該輻射熱反射体の縮径部の結晶に面している表面
が、輻射率が０．５以下の素材で被覆されてなることを
特徴とするシリコン単結晶製造装置である。
【００１３】これは、黒鉛あるいはＣ／Ｃコンポジット
製輻射熱反射体の表面輻射率が、通常０．７〜０．９程
度であり、反射率がそれほど高くないので、より反射効
果を高めるために、輻射率を低下させる素材で反射体表
面を被覆するものである。但し、輻射率０．６程度では
母材とあまり変わらず、反射効果が薄いことが判ったた
め、ＳｉＣ等、輻射率０．５以下の素材で被覆すること
が好ましい。これにより、シリコン単結晶から輻射熱反
射体を経由して、上方の炉体水冷壁面への輻射抜熱がよ
り促進され、シリコン結晶の引き上げ速度は更に上が
る。
製輻射熱反射体の表面輻射率が、通常０．７〜０．９程
度であり、反射率がそれほど高くないので、より反射効
果を高めるために、輻射率を低下させる素材で反射体表
面を被覆するものである。但し、輻射率０．６程度では
母材とあまり変わらず、反射効果が薄いことが判ったた
め、ＳｉＣ等、輻射率０．５以下の素材で被覆すること
が好ましい。これにより、シリコン単結晶から輻射熱反
射体を経由して、上方の炉体水冷壁面への輻射抜熱がよ
り促進され、シリコン結晶の引き上げ速度は更に上が
る。
【００１４】装置の第四としては、第一の装置に加え、
該輻射熱反射体の縮径部の最下部が、縮径部全高さの少
なくとも１０分の１以上で、水平面に対して４０〜５０
°の角度の傾斜断面を持つことを特徴とするシリコン単
結晶製造装置である。
該輻射熱反射体の縮径部の最下部が、縮径部全高さの少
なくとも１０分の１以上で、水平面に対して４０〜５０
°の角度の傾斜断面を持つことを特徴とするシリコン単
結晶製造装置である。
【００１５】これも、黒鉛あるいはＣ／Ｃコンポジット
製輻射熱反射体の表面輻射率が、通常０．７〜０．９程
度であり、反射率がそれほど高くないという同様の理由
から、最下部については、水平面に対して４０〜５０°
の角度を付け、単結晶からの輻射熱を上部の炉体水冷壁
面へ反射する効果をより高めて、更に結晶の冷却効果を
向上させている。引き上げ速度向上には、結晶下部の冷
却が最も有効なことから、輻射熱反射体最下部に４０〜
５０°の角度をつけている。
製輻射熱反射体の表面輻射率が、通常０．７〜０．９程
度であり、反射率がそれほど高くないという同様の理由
から、最下部については、水平面に対して４０〜５０°
の角度を付け、単結晶からの輻射熱を上部の炉体水冷壁
面へ反射する効果をより高めて、更に結晶の冷却効果を
向上させている。引き上げ速度向上には、結晶下部の冷
却が最も有効なことから、輻射熱反射体最下部に４０〜
５０°の角度をつけている。
【００１６】また、第三の装置と第四の装置は両者を組
み合わせることで、より輻射熱反射体の反射効果が高ま
り、引き上げ速度は更に上がる。
み合わせることで、より輻射熱反射体の反射効果が高ま
り、引き上げ速度は更に上がる。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の一形態の装置断面を図１
に示す。同図において、最外周は炉体水冷壁１で覆われ
ている。中央部には、昇降および回転可能な黒鉛製ルツ
ボ２で支えられた石英ルツボ３が配置され、その中にシ
リコン融液４が入っている。黒鉛ルツボ２の外側には加
熱装置（加熱ヒーター）５が設置され、シリコン融液を
加熱保温している。炉体水冷壁１の上方中央部には、昇
降および回転が可能な単結晶引上手段が設けられてお
り、先端部に種結晶が取り付けられ、融液と接触させて
回転上昇しながら結晶６を引き上げるようになってい
る。
に示す。同図において、最外周は炉体水冷壁１で覆われ
ている。中央部には、昇降および回転可能な黒鉛製ルツ
ボ２で支えられた石英ルツボ３が配置され、その中にシ
リコン融液４が入っている。黒鉛ルツボ２の外側には加
熱装置（加熱ヒーター）５が設置され、シリコン融液を
加熱保温している。炉体水冷壁１の上方中央部には、昇
降および回転が可能な単結晶引上手段が設けられてお
り、先端部に種結晶が取り付けられ、融液と接触させて
回転上昇しながら結晶６を引き上げるようになってい
る。
【００１８】本発明装置の特徴は、シリコン単結晶６の
周りを、上部が環状のリム部７ａで、その下部が下に向
かう程縮径された黒鉛あるいはＣ／Ｃコンポジット製の
輻射熱反射体７で取り囲み、更に該輻射熱反射体７の外
側を、加熱ヒーター５、ルツボ２，３およびシリコン融
液４の表面から該輻射熱反射体７への直接の熱輻射を遮
るようにして、炭素系断熱材８を挟んで取り囲む、黒鉛
あるいはＣ／Ｃコンポジット製の輻射熱遮蔽体９を有
し、該輻射熱反射体７と該輻射熱遮蔽体９は少なくとも
２箇所の接続部を持って一体化し、該接続部以外は互い
に接触していないことである。
周りを、上部が環状のリム部７ａで、その下部が下に向
かう程縮径された黒鉛あるいはＣ／Ｃコンポジット製の
輻射熱反射体７で取り囲み、更に該輻射熱反射体７の外
側を、加熱ヒーター５、ルツボ２，３およびシリコン融
液４の表面から該輻射熱反射体７への直接の熱輻射を遮
るようにして、炭素系断熱材８を挟んで取り囲む、黒鉛
あるいはＣ／Ｃコンポジット製の輻射熱遮蔽体９を有
し、該輻射熱反射体７と該輻射熱遮蔽体９は少なくとも
２箇所の接続部を持って一体化し、該接続部以外は互い
に接触していないことである。
【００１９】図示したように、輻射熱反射体７と輻射熱
遮蔽体９は直接接触させず、両リム部に隙間を設け、反
射体７に遮蔽体９をボルトで周方向に数カ所だけ吊った
構造としている。反射体７と遮蔽体９の隙間は、離れ過
ぎるとその隙間からＳｉＯガス等が入り込むため、離間
距離は２０ｍｍ以下が好ましい。反射体７と遮蔽体９
は、ボルトで接続された僅かな面積で、且つ単結晶と融
液の界面から離れた部分でのみ接触しているため、遮蔽
体９から反射体７への伝導伝熱の影響は、特に固液界面
に近い部分ではほとんど無視できる。従って、高温部か
ら反射体への輻射入熱を抑制する断熱材と遮蔽体の効果
と合わせて、反射体の温度上昇を抑えて、結晶冷却効果
は向上する。ところで、反射体７と遮蔽体９を一体化す
る方法は、上部リム部のボルト接続に限らず、反射体の
縮径部と遮蔽体の垂直部にピン孔を開けてピンで吊る方
法等、反射体７と遮蔽体９を直接接触させず且つ接続部
の面積が小さい方法であればよい。これにより、熱遮蔽
体、断熱材、熱反射体が一体化して、ハンドリングが良
好となる。また、装置構造も水冷筒等を使用した場合と
比べて簡素で、且つ装置は安価である。
遮蔽体９は直接接触させず、両リム部に隙間を設け、反
射体７に遮蔽体９をボルトで周方向に数カ所だけ吊った
構造としている。反射体７と遮蔽体９の隙間は、離れ過
ぎるとその隙間からＳｉＯガス等が入り込むため、離間
距離は２０ｍｍ以下が好ましい。反射体７と遮蔽体９
は、ボルトで接続された僅かな面積で、且つ単結晶と融
液の界面から離れた部分でのみ接触しているため、遮蔽
体９から反射体７への伝導伝熱の影響は、特に固液界面
に近い部分ではほとんど無視できる。従って、高温部か
ら反射体への輻射入熱を抑制する断熱材と遮蔽体の効果
と合わせて、反射体の温度上昇を抑えて、結晶冷却効果
は向上する。ところで、反射体７と遮蔽体９を一体化す
る方法は、上部リム部のボルト接続に限らず、反射体の
縮径部と遮蔽体の垂直部にピン孔を開けてピンで吊る方
法等、反射体７と遮蔽体９を直接接触させず且つ接続部
の面積が小さい方法であればよい。これにより、熱遮蔽
体、断熱材、熱反射体が一体化して、ハンドリングが良
好となる。また、装置構造も水冷筒等を使用した場合と
比べて簡素で、且つ装置は安価である。
【００２０】図２は、輻射熱反射体７のシリコン単結晶
側表面に、カーボンをＣＶＩ(Chemical Vapor Impregna
tion)含浸させて被覆し、表面の輻射率を０．５以下に
した輻射熱反射体表面１０を示している。被覆材として
は輻射率を０．５以下にできるものであればよいが、上
記の他にはＳｉＣ等、熱膨張率が母材と近いものが、剥
離等のトラブルを防止する面から好ましい。
側表面に、カーボンをＣＶＩ(Chemical Vapor Impregna
tion)含浸させて被覆し、表面の輻射率を０．５以下に
した輻射熱反射体表面１０を示している。被覆材として
は輻射率を０．５以下にできるものであればよいが、上
記の他にはＳｉＣ等、熱膨張率が母材と近いものが、剥
離等のトラブルを防止する面から好ましい。
【００２１】図３は、輻射熱反射体７の下部が水平面に
対して４０〜５０°の角度の垂直断面を持つ輻射熱反射
体下部１１を示している。４０〜５０°の角度をもつ熱
反射体下部１１は、熱反射体全体の高さの１０分の１よ
り小さいと効果は小さいため、１０分の１以上が必要で
ある。また、ルツボや加熱ヒーター等の炉内構造の制約
があるため、４０〜５０°の熱反射体下部１１を大きく
すれば断熱材の厚みが薄くなり、熱遮蔽効果が弱まるた
め、２分の１以下が好ましい。
対して４０〜５０°の角度の垂直断面を持つ輻射熱反射
体下部１１を示している。４０〜５０°の角度をもつ熱
反射体下部１１は、熱反射体全体の高さの１０分の１よ
り小さいと効果は小さいため、１０分の１以上が必要で
ある。また、ルツボや加熱ヒーター等の炉内構造の制約
があるため、４０〜５０°の熱反射体下部１１を大きく
すれば断熱材の厚みが薄くなり、熱遮蔽効果が弱まるた
め、２分の１以下が好ましい。
【００２２】
【実施例】図１に示す装置を使用し、輻射熱反射体７と
輻射熱遮蔽体９は黒鉛製、断熱材８は炭素系断熱材と
し、実施例１では、輻射熱反射体７の下部を上部の延長
で縮径した第一の装置を用いたもの、実施例２では、図
２に示すように、輻射熱反射体７のシリコン単結晶側表
面をカーボンのＣＶＩ含浸で表面輻射率を０．４とした
もの、実施例３では、図３に示すように、輻射熱反射体
７の下部３分の１を水平面に対して４５°としたもの、
および実施例４では、輻射熱反射体のシリコン単結晶側
表面をカーボンのＣＶＩ含浸で輻射率０．４に被覆し、
且つ輻射熱反射体７の下部３分の１を水平面に対して４
５°としたもの、でそれぞれシリコン単結晶を引き上げ
た。
輻射熱遮蔽体９は黒鉛製、断熱材８は炭素系断熱材と
し、実施例１では、輻射熱反射体７の下部を上部の延長
で縮径した第一の装置を用いたもの、実施例２では、図
２に示すように、輻射熱反射体７のシリコン単結晶側表
面をカーボンのＣＶＩ含浸で表面輻射率を０．４とした
もの、実施例３では、図３に示すように、輻射熱反射体
７の下部３分の１を水平面に対して４５°としたもの、
および実施例４では、輻射熱反射体のシリコン単結晶側
表面をカーボンのＣＶＩ含浸で輻射率０．４に被覆し、
且つ輻射熱反射体７の下部３分の１を水平面に対して４
５°としたもの、でそれぞれシリコン単結晶を引き上げ
た。
【００２３】また、比較のために、実施例５では、図４
に示す、内部に炭素系断熱材を含む黒鉛製熱遮蔽板を使
用した従来の装置で比較例として同様の引き上げを行っ
た。その結果の引き上げ速度を比較例を１とした相対比
で表１に示す。
に示す、内部に炭素系断熱材を含む黒鉛製熱遮蔽板を使
用した従来の装置で比較例として同様の引き上げを行っ
た。その結果の引き上げ速度を比較例を１とした相対比
で表１に示す。
【００２４】本発明では、従来法での引き上げ速度に比
べて１．２倍以上の引き上げ速度向上効果があることが
判る。特に、輻射熱反射体表面を輻射率０．４とし、且
つ反射体下部を水平面に対して４５°としたものは効果
が高く、従来の１．４倍の引き上げ速度で結晶成長可能
である。
べて１．２倍以上の引き上げ速度向上効果があることが
判る。特に、輻射熱反射体表面を輻射率０．４とし、且
つ反射体下部を水平面に対して４５°としたものは効果
が高く、従来の１．４倍の引き上げ速度で結晶成長可能
である。
【００２５】
【表１】
【００２６】
【発明の効果】以上のように、本発明装置では、チョク
ラルスキー法によるシリコン単結晶の製造において、単
結晶の引き上げ速度を上げて生産性を向上させると共
に、装置構造が簡素で、安全性およびハンドリング性に
優れるシリコン単結晶の製造を可能とする。
ラルスキー法によるシリコン単結晶の製造において、単
結晶の引き上げ速度を上げて生産性を向上させると共
に、装置構造が簡素で、安全性およびハンドリング性に
優れるシリコン単結晶の製造を可能とする。
【図１】 本発明の第一の装置を示す縦断面図である。
【図２】 本発明の第二の装置を示す縦断面図である。
【図３】 本発明の第三の装置を示す縦断面図である。
【図４】 従来のチョクラルスキー法によるシリコン単
結晶引上装置の縦断面図である。
結晶引上装置の縦断面図である。
１…炉体水冷壁、 ２…黒鉛製ルツボ、３
…石英ルツボ、 ４…シリコン融液、５…
加熱装置、 ６…シリコン単結晶、７…
輻射熱反射体、 ７ａ…輻射熱反射体の上部
の環状のリム部、８…断熱材、 ９…
輻射熱遮蔽体、１０…表面を輻射率０．５以下に被覆し
た輻射熱反射体、１１…水平面に対して４０〜５０°の
角度をもつ輻射熱反射体下部。
…石英ルツボ、 ４…シリコン融液、５…
加熱装置、 ６…シリコン単結晶、７…
輻射熱反射体、 ７ａ…輻射熱反射体の上部
の環状のリム部、８…断熱材、 ９…
輻射熱遮蔽体、１０…表面を輻射率０．５以下に被覆し
た輻射熱反射体、１１…水平面に対して４０〜５０°の
角度をもつ輻射熱反射体下部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岸田 豊 千葉県富津市新富20−１ 新日本製鐵株式 会社技術開発本部内 (72)発明者 大橋 渡 千葉県富津市新富20−１ 新日本製鐵株式 会社技術開発本部内 (72)発明者 大久保 正道 山口県光市大字島田3434 ニッテツ電子株 式会社内 Ｆターム(参考） 4G077 AA02 BA04 CF10 EG19 5F053 AA13 AA22 BB13 BB60 DD01 FF04 GG01 RR05 RR20
Claims (4)
- 【請求項１】 チョクラルスキー法によるシリコン単結
晶の製造装置であって、 引き上げ中のシリコン単結晶の周りを取り囲み、上部が
環状のリム部で、その下部が下に向かう程縮径された輻
射熱反射体と、 該輻射熱反射体の外側を、加熱ヒーター、ルツボおよび
シリコン融液の表面から該輻射熱反射体への直接の熱輻
射を遮るようにして、断熱材を挟んで取り囲む、輻射熱
遮蔽体とを有し、 該輻射熱反射体と該輻射熱遮蔽体は、少なくとも２箇所
の接続部で一体化し、該接続部以外は互いに接触してい
ないことを特徴とするシリコン単結晶製造装置。 - 【請求項２】 該輻射熱反射体と該輻射熱遮蔽体の材質
が、黒鉛あるいはＣ／Ｃコンポジット製である請求項１
に記載のシリコン単結晶製造装置。 - 【請求項３】 該輻射熱反射体の縮径部の結晶に面して
いる表面が、輻射率が０．５以下の素材で被覆されてな
ることを特徴とする請求項２に記載のシリコン単結晶製
造装置。 - 【請求項４】 該輻射熱反射体の縮径部の最下部が、縮
径部全高さの少なくとも１０分の１以上で、水平面に対
して４０〜５０°の角度の傾斜断面を持つ請求項１〜３
の何れか１項に記載のシリコン単結晶製造装置。
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