CN102732949A - 一种石墨热场的导流筒结构 - Google Patents

一种石墨热场的导流筒结构 Download PDF

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孙平川
杨江华
王贤福
韩冰
计冰雨
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Abstract

本发明公开了一种石墨热场的导流筒结构，包括导流筒本体，所述的导流筒本体的外壁和内壁上分别设有热辐射反射层。采用上述结构，本发明具有以下优点：1、耐高温、热辐射反射率高、使用寿命长；2、钼层采用斜面反射角度，即增加热辐射的反射率又不影响热屏的绝热效果。

Description

一种石墨热场的导流筒结构
技术领域
本发明涉及石墨热场技术领域，具体涉及一种石墨热场的导流筒结构。
背景技术
切克劳斯基法即CZ直拉单晶法，通过电阻加热，将石英坩埚中的多晶硅料熔化，并保持略高于硅熔点的温度，在惰性气体的保护下，经过引晶、放肩、转肩、等径、收尾、晶体取出等步骤，完成晶体生长。众所周知，硅的熔点是1420℃，如果是在20寸开放式热场装置、投料量105kg，要维持这个温度，每小时需消耗100kw左右的电能。目前世界能源紧张，能源成本所占比重日益增加。如何降低生产能耗，直接关系到企业的生存大计。
传统的石墨热场的热屏外的导流筒上没有反射装置，热辐射反射率低。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，针对现有技术的不足，提供一种热辐射反射率高的石墨热场的导流筒结构。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：一种石墨热场的导流筒结构，包括导流筒本体，所述的导流筒本体的外壁和内壁上分别设有热辐射反射层。
所述的热辐射反射层为钼层。
所述的钼层厚度为0.5-0.6mm。
本发明采用上述结构，具有以下优点：1、耐高温、热辐射反射率高、使用寿命长；2、钼层采用斜面反射角度，即增加热辐射的反射率又不影响热屏的绝热效果。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明；
图1为本发明的结构示意图；
在图1在，1、导流筒本体；2、热辐射反射层。
具体实施方式
如图1所示一种石墨热场的导流筒结构，包括导流筒本体，导流筒本体1的外壁和内壁上分别设有热辐射反射层2。热辐射反射层2为钼层。钼层可为钼片，其厚度为0.5-0.6mm。钼片作为反射层，耐高温、热辐射反射率高、使用寿命长，钼层采用斜面反射角度，即增加热辐射的反射率又不影响热屏的绝热效果。
该石墨热场耐高温、热辐射反射率高、使用寿命长。钼层采用斜面反射角度，即增加热辐射的反射率又不影响热屏的绝热效果，以上技术方案的应用使20寸传统封闭式热场维持1420℃的拉制条件需要每小时消耗电能75~70KW降低至50~45KW/h，节能超过35%；相对原始的开放式热场节能超过55%。同时进一步改变了单晶生长时晶体的纵向温度梯度，相对传统的封闭式热场，拉速增加0.15mm/min。极大提高了设备生产效率，降低生产成本。
上面结合附图对本发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的技术方案进行的各种改进，或未经改进直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种石墨热场的导流筒结构，包括导流筒本体，其特征在于：所述的导流筒本体（1）的外壁和内壁上分别设有热辐射反射层（2）。
2.根据权利要求1所述的一种石墨热场的导流筒结构，其特征在于：所述的热辐射反射层（2）为钼层。
3.根据权利要求1所述的一种石墨热场的导流筒结构，其特征在于：所述的钼层厚度为0.5-0.6mm。
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