CN203021676U - 一种提升单晶硅生长速度的导流筒 - Google Patents
一种提升单晶硅生长速度的导流筒 Download PDFInfo
- Publication number
- CN203021676U CN203021676U CN 201220718121 CN201220718121U CN203021676U CN 203021676 U CN203021676 U CN 203021676U CN 201220718121 CN201220718121 CN 201220718121 CN 201220718121 U CN201220718121 U CN 201220718121U CN 203021676 U CN203021676 U CN 203021676U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- flow guide
- guide tube
- heat
- monocrystalline silicon
- radiation reflecting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
一种提升单晶硅生长速度的导流筒,包括内导流筒、外导流筒,内导流筒与外导流筒之间设有隔热碳毡,所述内导流筒的外侧、外导流筒的内侧铺设有热辐射反射层。所述内导流筒的外侧、外导流筒的内侧构成一密封的腔体,隔热碳毡位于密封的腔体内。本实用新型一种提升单晶硅生长速度的导流筒,将硅棒和加热器辐射到导流筒上的热量均能及时传递走,加速了晶棒的冷却,实现拉晶速度的显著提高。提升生产效率的同时,降低能耗。另外,热辐射反射层由内、外导流筒将其封闭,杜绝了杂质对拉晶的影响。
Description
技术领域
本实用新型一种提升单晶硅生长速度的导流筒,涉及光伏领域。
背景技术
随着光伏市场竞争的日趋激烈,降低能耗、节省成本、提高生产效率成为技术发展的核心。目前单晶硅生长技术主要有两种:区熔法和直拉法,其中直拉法是目前普遍采用的方法。在直拉法生产单晶硅时,要将多晶硅料置于石英坩埚中,经过高温加热使其熔化,然后籽晶由顶部下降至熔化的多晶硅中,通过控制液面的温度梯度,使熔化的多晶硅在籽晶周围重新结晶,生成排列整齐的单晶硅棒。由于硅熔液中热量的传递以及单晶硅结晶时释放出的热量,使得单晶硅棒温度相对较高,如不能及时将热量传递出去,会减慢单晶硅的生长速度。另外,加热器产生的热量,也会通过导流筒不断辐射到单晶硅棒,以上情况均会大幅降低单晶硅的生长速度,增加能耗、增加成本,同时还会降低生产效率。专利CN201010112330.1涉及一种单晶炉装置,其导流筒在行业通用的基础上在内导流筒内侧增加了以提高晶棒冷却效果提高拉晶速度为目的的反射板,通过将晶棒表面的辐射热向上反射,达到提高晶棒冷却的效果,由此能够实现拉晶速度的提高,但存在长时间高温状态发生变形、表面变乌的现象,降低反射效果。目前国产反射板的纯度不够高,拉晶过程中难免有杂质掉入硅液中,致使断线现象增加,影响产量及成品率。另外,由于碳毡的影响,加热器的辐射热不能较好的辐射出去,提升生长速度的效果不是非常显著。
发明内容
为解决上述技术问题,本实用新型提供一种提升单晶硅生长速度的导流筒,将硅棒和加热器辐射到导流筒上的热量均能及时传递走,加速了晶棒的冷却,实现拉晶速度的显著提高。提升生产效率的同时,降低能耗。另外,热辐射反射层由内、外导流筒将其封闭,杜绝了杂质对拉晶的影响。
本实用新型的上述目的是通过这样的技术方案来实现的:一种提升单晶硅生长速度的导流筒,包括内导流筒、外导流筒,内导流筒与外导流筒之间设有隔热碳毡,所述内导流筒的外侧、外导流筒的内侧铺设有热辐射反射层。所述内导流筒的外侧、外导流筒的内侧构成一密封的腔体,隔热碳毡位于密封的腔体内。
所述热辐射反射层的厚度为:0~10mm,其表面为镜面。
所述热辐射反射层为高纯石墨纸或者高纯钼片。
本实用新型一种提升单晶硅生长速度的导流筒,在单晶生长过程中,单晶硅棒中的热量以及晶体生长过程中产生的结晶潜热主要以辐射的方式往外传递,通过在内导流筒外壁铺设一层热辐射反射层,可将晶棒中辐射出的热量快速的反射出去,从而提高单晶硅生长速度。
由于加热器在持续加热,加热器产生的热量也会源源不断的辐射到单晶硅棒内,通过在外导流筒的内壁铺设一层热辐射反射层,可有效的将加热器辐射到单晶硅棒的热量反射出去,从而提高单晶硅生长速度。
所述热辐射反射层由内、外导流筒将其封闭,避免了辐射反射层变质或老化产生杂质对拉晶的影响。
附图说明
图1为本实用新型导流筒剖面视图。
具体实施方式
一种提升单晶硅生长速度的导流筒,包括内导流筒1、外导流筒2,内导流筒1与外导流筒2之间设有隔热碳毡4。所述内导流筒1的外侧、外导流筒2的内侧铺设有热辐射反射层3,所述内导流筒1的外侧、外导流筒2的内侧构成一密封的腔体,隔热碳毡4位于密封的腔体内。所述热辐射反射层3的厚度为:0~10mm,其表面为镜面。所述热辐射反射层3为高纯石墨纸或者高纯钼片。
将热辐射反射层3分别设置在内导流筒1的外侧和外导流筒2的内侧,与内、外导流筒壁紧密接触,利用其良好的热辐射反射性,将硅棒和加热器辐射到导流筒上的热量及时反射走,极大的增加硅棒纵向温度梯度,相比常规导流筒,可使得单晶生长速度大幅提升,并大大降低能耗。热辐射反射层3由内、外导流筒将其封闭,避免了辐射反射层变质或老化产生杂质对拉晶的影响。
Claims (4)
1.一种提升单晶硅生长速度的导流筒,包括内导流筒(1)、外导流筒(2),内导流筒(1)与外导流筒(2)之间设有隔热碳毡(4),其特征在于,所述内导流筒(1)的外侧、外导流筒(2)的内侧铺设有热辐射反射层(3)。
2.根据权利要求1所述一种提升单晶硅生长速度的导流筒,其特征在于,所述内导流筒(1)的外侧、外导流筒(2)的内侧构成一密封的腔体,隔热碳毡(4)位于密封的腔体内。
3.根据权利要求1所述一种提升单晶硅生长速度的导流筒,其特征在于,所述热辐射反射层(3)的厚度为:0~10mm,其表面为镜面。
4.根据权利要求1或3所述一种提升单晶硅生长速度的导流筒,其特征在于,所述热辐射反射层(3)为高纯石墨纸或者高纯钼片。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201220718121 CN203021676U (zh) | 2012-12-24 | 2012-12-24 | 一种提升单晶硅生长速度的导流筒 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201220718121 CN203021676U (zh) | 2012-12-24 | 2012-12-24 | 一种提升单晶硅生长速度的导流筒 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN203021676U true CN203021676U (zh) | 2013-06-26 |
Family
ID=48645671
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 201220718121 Expired - Fee Related CN203021676U (zh) | 2012-12-24 | 2012-12-24 | 一种提升单晶硅生长速度的导流筒 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN203021676U (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105239150A (zh) * | 2015-09-10 | 2016-01-13 | 上海超硅半导体有限公司 | 单晶硅生长炉用导流筒及其应用 |
CN107761162A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-03-06 | 扬中市惠丰包装有限公司 | 一种用于直拉单晶炉节电型热屏蔽结构 |
CN111270301A (zh) * | 2018-12-04 | 2020-06-12 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种晶体生长炉的导流筒和晶体生长炉 |
-
2012
- 2012-12-24 CN CN 201220718121 patent/CN203021676U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105239150A (zh) * | 2015-09-10 | 2016-01-13 | 上海超硅半导体有限公司 | 单晶硅生长炉用导流筒及其应用 |
CN107761162A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-03-06 | 扬中市惠丰包装有限公司 | 一种用于直拉单晶炉节电型热屏蔽结构 |
CN111270301A (zh) * | 2018-12-04 | 2020-06-12 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种晶体生长炉的导流筒和晶体生长炉 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN202558970U (zh) | 一种类单晶硅铸锭炉 | |
CN104313682A (zh) | 一种快速提高直拉硅单晶生长速度的热场结构 | |
CN203021676U (zh) | 一种提升单晶硅生长速度的导流筒 | |
CN102352530A (zh) | 用于直拉硅单晶炉的热屏装置 | |
CN103882510A (zh) | 一种提升单晶硅生长速度的导流筒 | |
CN204342915U (zh) | 一种快速提高直拉硅单晶生长速度的热场结构 | |
CN104195634A (zh) | 大尺寸硅锭多晶铸锭炉新型热场结构 | |
CN208667897U (zh) | 一种可提升拉速的单晶硅连续生产结晶的单晶炉 | |
CN207294942U (zh) | 一种带石墨和水冷复合热屏的高效单晶生长炉 | |
CN106894082B (zh) | 单晶硅生长炉 | |
CN106676628A (zh) | 一种<100>晶向小晶粒铸造多晶硅的制备方法 | |
CN102108545A (zh) | 一种适用于90炉的大投料的热场系统 | |
CN202116690U (zh) | 一种硅单晶炉的热场系统 | |
CN202898592U (zh) | 一种用于单晶炉的导流筒 | |
CN207130360U (zh) | 一种加热器 | |
CN103466630B (zh) | 提高除杂效果的多晶硅定向凝固方法及其装置 | |
CN103695998B (zh) | 低热量损失的泡生炉热场系统 | |
CN201217710Y (zh) | 一种降低单晶硅炉能耗的装置 | |
CN206902281U (zh) | 一种单晶炉 | |
CN201908152U (zh) | 一种改进的直拉单晶炉 | |
CN209227096U (zh) | 单晶炉热屏结构 | |
CN201864791U (zh) | 一种800型硅单晶炉的石墨导流筒 | |
CN203613301U (zh) | 拉制大直径n型单晶的导流筒 | |
CN202849589U (zh) | 一种单晶炉装置 | |
CN101935870A (zh) | 一种单晶炉的石墨热场 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C53 | Correction of patent for invention or patent application | ||
CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Fu Qiang Inventor after: Zhang Chongchao Inventor after: Liu Daijun Inventor after: Huang Hua Inventor before: Liu Daijun Inventor before: Huang Hua |
|
COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: INVENTOR; FROM: LIU DAIJUN HUANG HUA TO: FU QIANG ZHANG CHONGCHAO LIU DAIJUN HUANG HUA |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20130626 Termination date: 20181224 |