JP2001267447A - セラミックス回路基板及び半導体装置 - Google Patents
セラミックス回路基板及び半導体装置Info
- Publication number
- JP2001267447A JP2001267447A JP2000070619A JP2000070619A JP2001267447A JP 2001267447 A JP2001267447 A JP 2001267447A JP 2000070619 A JP2000070619 A JP 2000070619A JP 2000070619 A JP2000070619 A JP 2000070619A JP 2001267447 A JP2001267447 A JP 2001267447A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- metal plate
- ceramic
- aluminum
- ceramic substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8312—Aligning
- H01L2224/83136—Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members
- H01L2224/83138—Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members the guiding structures being at least partially left in the finished device
- H01L2224/8314—Guiding structures outside the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 セラミックス基板にアルミニウム板を直接接
合させたセラミックス回路基板においては、冷熱サイク
ルが付加された場合、熱応力や残留応力によって基板に
クラックが発生する恐れがあった。 【解決手段】 セラミックス基板と、前記セラミックス
基板の表面に直接接合され、主としてアルミニウムから
なる金属板とを具備するセラミックス回路基板におい
て、前記金属板の外周縁部内側に、金属板の実装面とな
る部分の厚さの１／６以上５／６以下、かつ金属板の外
周縁部から１．０ｍｍ以下の範囲の薄肉部を設けたも
の。
合させたセラミックス回路基板においては、冷熱サイク
ルが付加された場合、熱応力や残留応力によって基板に
クラックが発生する恐れがあった。 【解決手段】 セラミックス基板と、前記セラミックス
基板の表面に直接接合され、主としてアルミニウムから
なる金属板とを具備するセラミックス回路基板におい
て、前記金属板の外周縁部内側に、金属板の実装面とな
る部分の厚さの１／６以上５／６以下、かつ金属板の外
周縁部から１．０ｍｍ以下の範囲の薄肉部を設けたも
の。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体実装用基板と
して有用なセラミックス回路基板に係り、特にセラミッ
クス基板上に主としてアルミニウムからなる金属板を直
接接合してなるセラミックス回路基板に関する。また、
本発明はセラミックス回路基板に半導体素子を接合して
なる半導体装置に関する。
して有用なセラミックス回路基板に係り、特にセラミッ
クス基板上に主としてアルミニウムからなる金属板を直
接接合してなるセラミックス回路基板に関する。また、
本発明はセラミックス回路基板に半導体素子を接合して
なる半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、パワーモジュールのような大電力
電子部品の実装に使用する基板としては、セラミックス
基板の表面に銅板を接合した銅張りセラミックス回路基
板が使用されていた。
電子部品の実装に使用する基板としては、セラミックス
基板の表面に銅板を接合した銅張りセラミックス回路基
板が使用されていた。
【０００３】このセラミックス回路基板は、アルミナや
窒化アルミニウム等のセラミックス基板に、銅が直接接
合又はろう接等されて作製されている。
窒化アルミニウム等のセラミックス基板に、銅が直接接
合又はろう接等されて作製されている。
【０００４】直接接合基板は、特開昭５２−３７９１４
号公報に開示されるように、酸素を含有する銅板を使用
するか、無酸素銅板を使用して酸化性雰囲気中で加熱す
ることによって無酸素銅板の表面に酸化銅を発生させて
から、銅板とアルミナ基板を重ねて不活性雰囲気中で加
熱し、銅板とアルミナ基板との界面に銅とアルミニウム
との複合酸化物を生成させ銅板とアルミナ基板とを接合
する。
号公報に開示されるように、酸素を含有する銅板を使用
するか、無酸素銅板を使用して酸化性雰囲気中で加熱す
ることによって無酸素銅板の表面に酸化銅を発生させて
から、銅板とアルミナ基板を重ねて不活性雰囲気中で加
熱し、銅板とアルミナ基板との界面に銅とアルミニウム
との複合酸化物を生成させ銅板とアルミナ基板とを接合
する。
【０００５】銅／窒化アルミニウム直接接合基板の場合
には、例えば特開平３−９３６８７号公報に開示するよ
うに、予め空気中において、約１０００℃の温度で窒化
アルミニウム基板を処理し、表面に酸化物を生成させて
から、この酸化物層を介して銅板と窒化アルミニウム基
板とを接合する。このような酸化物層を利用した接合方
法は、酸化物そのものが必ずしも熱伝導率がよいわけで
はないことから金属接合セラミックス基板の熱伝導を悪
くしてしまう。
には、例えば特開平３−９３６８７号公報に開示するよ
うに、予め空気中において、約１０００℃の温度で窒化
アルミニウム基板を処理し、表面に酸化物を生成させて
から、この酸化物層を介して銅板と窒化アルミニウム基
板とを接合する。このような酸化物層を利用した接合方
法は、酸化物そのものが必ずしも熱伝導率がよいわけで
はないことから金属接合セラミックス基板の熱伝導を悪
くしてしまう。
【０００６】また、銅をアルミナ、窒化アルミニウムに
ろう接する場合は、銅板とセラミックス回路基板との間
に低融点のろう材又は融点を下げる為の合金元素、セラ
ミックスとの濡れを良くする為の合金元素を添加したろ
う材を介在させて接合する。上述したような銅／セラミ
ックス回路基板は広く使用されるにもかかわらず、製造
上及び実用上幾つかの問題点がある。その中で最も重大
な問題点は、電子部品の実装及び使用時にセラミックス
基板の内部にクラックが発生し、基板の表裏間が電気的
に導通することによる故障である。
ろう接する場合は、銅板とセラミックス回路基板との間
に低融点のろう材又は融点を下げる為の合金元素、セラ
ミックスとの濡れを良くする為の合金元素を添加したろ
う材を介在させて接合する。上述したような銅／セラミ
ックス回路基板は広く使用されるにもかかわらず、製造
上及び実用上幾つかの問題点がある。その中で最も重大
な問題点は、電子部品の実装及び使用時にセラミックス
基板の内部にクラックが発生し、基板の表裏間が電気的
に導通することによる故障である。
【０００７】このようなクラックの発生は、銅の熱膨張
係数がセラミックスの熱膨張係数より約一桁大きいこと
に起因している。つまり、これらを接合する際、１００
０℃近くまで加熱するため、接合温度から室温に冷却す
る際に熱膨張係数の違いによりセラミックス回路基板の
内部に多大の熱応力が発生してしまうからである。
係数がセラミックスの熱膨張係数より約一桁大きいこと
に起因している。つまり、これらを接合する際、１００
０℃近くまで加熱するため、接合温度から室温に冷却す
る際に熱膨張係数の違いによりセラミックス回路基板の
内部に多大の熱応力が発生してしまうからである。
【０００８】また、使用時の発熱や冷却により、セラミ
ックス回路基板の温度が変化し、変動熱応力が発生し、
この熱応力によってセラミックス基板にクラックが発生
することがある。
ックス回路基板の温度が変化し、変動熱応力が発生し、
この熱応力によってセラミックス基板にクラックが発生
することがある。
【０００９】現在、上記したような銅に代わって、セラ
ミックスの熱膨張係数に比較的近い熱膨張係数を有する
アルミニウムが接合に用いられるようになっている。ま
た、アルミニウムは融点が低いため銅に比べて低い温度
で接合でき、冷却の際の収縮によるクラック発生を少な
くすることができる。さらに、前述のようにアルミニウ
ムは銅よりも軟質金属であるため、使用時の発熱や冷却
に伴う熱膨張に対してアルミニウム板そのものが柔軟に
対応でき、セラミック基板にクラックを発生させる応力
を低減することも可能である。
ミックスの熱膨張係数に比較的近い熱膨張係数を有する
アルミニウムが接合に用いられるようになっている。ま
た、アルミニウムは融点が低いため銅に比べて低い温度
で接合でき、冷却の際の収縮によるクラック発生を少な
くすることができる。さらに、前述のようにアルミニウ
ムは銅よりも軟質金属であるため、使用時の発熱や冷却
に伴う熱膨張に対してアルミニウム板そのものが柔軟に
対応でき、セラミック基板にクラックを発生させる応力
を低減することも可能である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
電気自動車用パワーモジュールの開発により、より一層
冷熱サイクル耐量に優れた回路基板の開発が求められて
いる。例えば、電気自動車のように温度変化が激しく振
動が大きい使用条件の場合、回路基板の冷熱サイクル耐
量が５００回以上であることが要求される。現在使用さ
れている銅／セラミックス回路基板では、このような要
求に対応することは不可能であり、また、比較的クラッ
ク発生の少ないといわれる、通常のアルミニウム／セラ
ミックス回路基板においても、このような冷熱サイクル
に耐えることは難しい。
電気自動車用パワーモジュールの開発により、より一層
冷熱サイクル耐量に優れた回路基板の開発が求められて
いる。例えば、電気自動車のように温度変化が激しく振
動が大きい使用条件の場合、回路基板の冷熱サイクル耐
量が５００回以上であることが要求される。現在使用さ
れている銅／セラミックス回路基板では、このような要
求に対応することは不可能であり、また、比較的クラッ
ク発生の少ないといわれる、通常のアルミニウム／セラ
ミックス回路基板においても、このような冷熱サイクル
に耐えることは難しい。
【００１１】また、セラミックス回路基板の金属板部分
にはＳｉペレット等の半導体素子が接合されて用いられ
るが、接合の際にハンダ中にハンダ巣が形成されると、
熱伝導が阻害され熱が蓄積されてしまったり、冷熱サイ
クルの際に半導体素子とセラミックス回路基板が剥離し
たりする等の問題が発生する。
にはＳｉペレット等の半導体素子が接合されて用いられ
るが、接合の際にハンダ中にハンダ巣が形成されると、
熱伝導が阻害され熱が蓄積されてしまったり、冷熱サイ
クルの際に半導体素子とセラミックス回路基板が剥離し
たりする等の問題が発生する。
【００１２】本発明の目的は、主としてアルミニウムか
らなる金属板を接合したセラミックス回路基板におい
て、これまでのものよりも冷熱サイクル耐量を向上さ
せ、より過酷な環境下の使用でもクラックの発生を起こ
さず、信頼性のあるセラミックス回路基板を提供するこ
とを目的とするものである。
らなる金属板を接合したセラミックス回路基板におい
て、これまでのものよりも冷熱サイクル耐量を向上さ
せ、より過酷な環境下の使用でもクラックの発生を起こ
さず、信頼性のあるセラミックス回路基板を提供するこ
とを目的とするものである。
【００１３】また、本発明の他の目的は、セラミックス
回路基板の金属板部分に半導体素子を確実に接合し、熱
抵抗不良や剥離等の問題の発生を抑制した半導体装置の
提供を目的としている。
回路基板の金属板部分に半導体素子を確実に接合し、熱
抵抗不良や剥離等の問題の発生を抑制した半導体装置の
提供を目的としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明のセラミックス回
路基板は、セラミックス基板と、前記セラミックス基板
の表面に直接接合され、主としてアルミニウムからなる
金属板とを具備するセラミックス回路基板において、前
記金属板は外周縁部内側に薄肉部を有することを特徴と
するものである。
路基板は、セラミックス基板と、前記セラミックス基板
の表面に直接接合され、主としてアルミニウムからなる
金属板とを具備するセラミックス回路基板において、前
記金属板は外周縁部内側に薄肉部を有することを特徴と
するものである。
【００１５】前記薄肉部は、その厚さが前記金属板の実
装部の厚さの１／６以上５／６以下であり、かつ前記主
としてアルミニウムからなる金属板の外周縁部から１．
０ｍｍ以下の範囲に設けられていることが好ましい。
装部の厚さの１／６以上５／６以下であり、かつ前記主
としてアルミニウムからなる金属板の外周縁部から１．
０ｍｍ以下の範囲に設けられていることが好ましい。
【００１６】また、本発明のセラミックス回路基板は、
セラミックス基板と、前記セラミックス基板の表面に直
接接合され、主としてアルミニウムからなる金属板とを
具備するセラミックス回路基板において、前記金属板
は、前記セラミックス基板との接合面の反対側の面の外
周縁部内側に設けられる複数の孔を有することを特徴と
するものである。
セラミックス基板と、前記セラミックス基板の表面に直
接接合され、主としてアルミニウムからなる金属板とを
具備するセラミックス回路基板において、前記金属板
は、前記セラミックス基板との接合面の反対側の面の外
周縁部内側に設けられる複数の孔を有することを特徴と
するものである。
【００１７】前記複数の孔は、前記金属板の外周縁部に
沿って所定の間隔で直線状に形成されていることが好ま
しい。さらに、前記複数の孔は、その直径が０．３ｍｍ
以上１．０ｍｍ以下、隣接する各孔との距離が０．３ｍ
ｍ以上１．０ｍｍ以下であり、かつ孔の縁部が前記金属
板の外周縁部から０．３ｍｍ以上離れた部分に設けられ
ていることが好ましい。
沿って所定の間隔で直線状に形成されていることが好ま
しい。さらに、前記複数の孔は、その直径が０．３ｍｍ
以上１．０ｍｍ以下、隣接する各孔との距離が０．３ｍ
ｍ以上１．０ｍｍ以下であり、かつ孔の縁部が前記金属
板の外周縁部から０．３ｍｍ以上離れた部分に設けられ
ていることが好ましい。
【００１８】また、本発明のセラミックス回路基板は、
セラミックス基板と、前記セラミックス基板の表面に接
合され、主としてアルミニウムからなる金属板とを具備
するセラミックス回路基板において、前記金属板は、前
記セラミックス基板との接合面の反対側の面の外周縁部
内側に設けられ、外周縁部に沿って複数の不連続な溝を
有することを特徴とするものである。
セラミックス基板と、前記セラミックス基板の表面に接
合され、主としてアルミニウムからなる金属板とを具備
するセラミックス回路基板において、前記金属板は、前
記セラミックス基板との接合面の反対側の面の外周縁部
内側に設けられ、外周縁部に沿って複数の不連続な溝を
有することを特徴とするものである。
【００１９】前記不連続な溝は、その深さが前記金属板
の実装面となる部分の厚さの１／６以上５／６以下、幅
が０．０５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であり、かつ溝の縁
部が前記金属板の外周縁部から０．３ｍｍ以上離れた部
分に設けられていることが好ましい。
の実装面となる部分の厚さの１／６以上５／６以下、幅
が０．０５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であり、かつ溝の縁
部が前記金属板の外周縁部から０．３ｍｍ以上離れた部
分に設けられていることが好ましい。
【００２０】さらに、前記主としてアルミニウムからな
る金属板には、例えばＡｌ−Ｓｉ合金板等を用いること
ができる。
る金属板には、例えばＡｌ−Ｓｉ合金板等を用いること
ができる。
【００２１】本発明の半導体装置は、セラミックス基板
と、前記セラミックス基板の表面に直接接合され、主と
してアルミニウムからなる金属板と、前記金属板上に接
合された半導体素子とを具備する半導体装置において、
前記金属板の主面における半導体素子が接合される部分
には、複数の溝が設けられていることを特徴とするもの
である。
と、前記セラミックス基板の表面に直接接合され、主と
してアルミニウムからなる金属板と、前記金属板上に接
合された半導体素子とを具備する半導体装置において、
前記金属板の主面における半導体素子が接合される部分
には、複数の溝が設けられていることを特徴とするもの
である。
【００２２】前記複数の溝は、深さが金属回路板の実装
面となる部分の厚さの１／６以上５／６以下、幅が０．
０５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下、隣接する溝との間隔が
０．０５ｍｍ以上５．０ｍｍ以下、かつ長さが前記半導
体素子よりも長いことを特徴とするものである。
面となる部分の厚さの１／６以上５／６以下、幅が０．
０５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下、隣接する溝との間隔が
０．０５ｍｍ以上５．０ｍｍ以下、かつ長さが前記半導
体素子よりも長いことを特徴とするものである。
【００２３】上記した本発明の半導体装置において、前
記セラミックス基板はアルミナ、窒化アルミニウム及び
窒化ケイ素からなる群から選ばれた少なくとも１種の材
料から主としてなることが好ましい。また、前記主とし
てアルミニウムからなる金属板には、例えばＡｌ−Ｓｉ
合金板等を用いることができる。
記セラミックス基板はアルミナ、窒化アルミニウム及び
窒化ケイ素からなる群から選ばれた少なくとも１種の材
料から主としてなることが好ましい。また、前記主とし
てアルミニウムからなる金属板には、例えばＡｌ−Ｓｉ
合金板等を用いることができる。
【００２４】本発明のセラミックス回路基板では、主と
してアルミニウムからなる金属板の外周縁部内側に薄肉
部を設けることで、金属板とセラミックス基板との熱膨
張率の差により発生する応力を緩和し、冷熱サイクル等
によるクラックの発生を抑制することが可能となる。ま
た、薄肉部の厚さを前記金属板の実装面となる部分の厚
さの１／６以上５／６以下とし、かつ前記主としてアル
ミニウムからなる金属板の外周縁部から１．０ｍｍ以下
の範囲に設けることで、クラックの発生をさらに抑制す
ることができる。
してアルミニウムからなる金属板の外周縁部内側に薄肉
部を設けることで、金属板とセラミックス基板との熱膨
張率の差により発生する応力を緩和し、冷熱サイクル等
によるクラックの発生を抑制することが可能となる。ま
た、薄肉部の厚さを前記金属板の実装面となる部分の厚
さの１／６以上５／６以下とし、かつ前記主としてアル
ミニウムからなる金属板の外周縁部から１．０ｍｍ以下
の範囲に設けることで、クラックの発生をさらに抑制す
ることができる。
【００２５】本発明のセラミックス回路基板では、主と
してアルミニウムからなる金属板の外周縁部内側に複数
の孔を設けることで、金属板とセラミックス基板との熱
膨張率の差により発生する応力を緩和し、冷熱サイクル
等によるクラックの発生を抑制することが可能となる。
してアルミニウムからなる金属板の外周縁部内側に複数
の孔を設けることで、金属板とセラミックス基板との熱
膨張率の差により発生する応力を緩和し、冷熱サイクル
等によるクラックの発生を抑制することが可能となる。
【００２６】また、複数の孔を前記金属板の外周縁部に
沿って所定の間隔で直線状に形成し、その直径を０．３
ｍｍ以上１．０ｍｍ以下、隣接する各孔との距離を０．
３ｍｍ以上１．０ｍｍ以下、かつ孔の縁部を前記金属板
の外周縁部から０．３ｍｍ以上離れた部分に設けること
でクラックの発生をさらに抑制することができる。
沿って所定の間隔で直線状に形成し、その直径を０．３
ｍｍ以上１．０ｍｍ以下、隣接する各孔との距離を０．
３ｍｍ以上１．０ｍｍ以下、かつ孔の縁部を前記金属板
の外周縁部から０．３ｍｍ以上離れた部分に設けること
でクラックの発生をさらに抑制することができる。
【００２７】本発明のセラミックス回路基板では、金属
板のセラミックス基板が接合されていない面の外周縁部
内側に、外周縁部に沿って複数の不連続な溝を形成する
ことで、金属板とセラミックス基板との熱膨張率の差に
より発生する応力を緩和し、より冷熱サイクル等による
クラックの発生を抑制することが可能となる。
板のセラミックス基板が接合されていない面の外周縁部
内側に、外周縁部に沿って複数の不連続な溝を形成する
ことで、金属板とセラミックス基板との熱膨張率の差に
より発生する応力を緩和し、より冷熱サイクル等による
クラックの発生を抑制することが可能となる。
【００２８】また、不連続な溝の深さを前記金属板の実
装面となる部分の厚さの１／６以上５／６以下、幅を
０．０５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下、かつ溝の縁部を前記
金属板の外周縁部から０．３ｍｍ以上離れた部分に設け
ることで、クラックの発生をさらに抑制することができ
る。
装面となる部分の厚さの１／６以上５／６以下、幅を
０．０５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下、かつ溝の縁部を前記
金属板の外周縁部から０．３ｍｍ以上離れた部分に設け
ることで、クラックの発生をさらに抑制することができ
る。
【００２９】本発明の半導体装置は、セラミックス基板
と、前記セラミックス基板の表面に直接接合され、主と
してアルミニウムからなる金属板と、前記金属板上に接
合された半導体素子とを具備する半導体装置において、
前記金属板の主面における半導体素子が接合される部分
に複数の溝が設けることによって、ハンダの際に、ハン
ダ層にハンダ巣が形成されるのを抑制し熱伝導が阻害さ
れるのを防ぎ、また、半導体素子と金属板との熱応力の
差による剥離を抑制することができる。
と、前記セラミックス基板の表面に直接接合され、主と
してアルミニウムからなる金属板と、前記金属板上に接
合された半導体素子とを具備する半導体装置において、
前記金属板の主面における半導体素子が接合される部分
に複数の溝が設けることによって、ハンダの際に、ハン
ダ層にハンダ巣が形成されるのを抑制し熱伝導が阻害さ
れるのを防ぎ、また、半導体素子と金属板との熱応力の
差による剥離を抑制することができる。
【００３０】複数の溝の深さを金属回路板の実装面とな
る部分の厚さの１／６以上５／６以下、幅を０．０５ｍ
ｍ以上１．０ｍｍ以下、隣接する溝との間隔を０．０５
ｍｍ以上５．０ｍｍ以下、かつ長さを前記Ｓｉペレット
よりも長くすることによって、より一層ハンダ層にハン
ダ巣が形成されるのを抑制し熱伝導が阻害されるのを防
ぎ、また、Ｓｉペレットと金属板との剥離を抑制するこ
とができる。
る部分の厚さの１／６以上５／６以下、幅を０．０５ｍ
ｍ以上１．０ｍｍ以下、隣接する溝との間隔を０．０５
ｍｍ以上５．０ｍｍ以下、かつ長さを前記Ｓｉペレット
よりも長くすることによって、より一層ハンダ層にハン
ダ巣が形成されるのを抑制し熱伝導が阻害されるのを防
ぎ、また、Ｓｉペレットと金属板との剥離を抑制するこ
とができる。
【００３１】これら上記した本発明のセラミックス回路
基板においては、アルミナ、窒化アルミニウム及び窒化
ケイ素からなる群から選ばれた少なくとも１種の材料か
ら主としてなるなるものをセラミックス基板として用い
ることで、セラミックス回路基板に必要とされる強度、
熱伝導性等の特性を向上させることができる。
基板においては、アルミナ、窒化アルミニウム及び窒化
ケイ素からなる群から選ばれた少なくとも１種の材料か
ら主としてなるなるものをセラミックス基板として用い
ることで、セラミックス回路基板に必要とされる強度、
熱伝導性等の特性を向上させることができる。
【００３２】さらに、主としてアルミニウムからなる金
属板をＡｌ−Ｓｉ合金板とすることにより、アルミニウ
ム板と各種セラミックスとの接合強度を向上させること
が可能となる。従って、前述の形状を改良したアルミニ
ウム板に適用することにより更にセラミックス板にクラ
ックが発生するのを抑制することが可能となる。
属板をＡｌ−Ｓｉ合金板とすることにより、アルミニウ
ム板と各種セラミックスとの接合強度を向上させること
が可能となる。従って、前述の形状を改良したアルミニ
ウム板に適用することにより更にセラミックス板にクラ
ックが発生するのを抑制することが可能となる。
【００３３】
【発明の実施の形態】図１は、本発明のセラミックス回
路基板の一例を示したものである。
路基板の一例を示したものである。
【００３４】本発明のセラミックス回路基板１は、例え
ばセラミックス基板２にアルミニウム板３を接合したも
のである。このときアルミニウム板３の外周縁部を３ａ
とした場合、外周縁部内側を薄肉部３ｂとしたものであ
る。ここで、外周縁部内側とは、外周縁部から中央方向
に向う一定距離の部分のことである。
ばセラミックス基板２にアルミニウム板３を接合したも
のである。このときアルミニウム板３の外周縁部を３ａ
とした場合、外周縁部内側を薄肉部３ｂとしたものであ
る。ここで、外周縁部内側とは、外周縁部から中央方向
に向う一定距離の部分のことである。
【００３５】例えば、アルミニウム板をセラミックス板
に直接接合する際、アルミニウム板の融点以上に加熱す
るが、アルミニウム板の外周縁部内側に薄肉部を設ける
ことによって、アルミニウム板外周縁部に発生する応力
を、アルミニウム板の薄肉部の塑性変形により吸収し、
セラミックス板にクラックが発生するのを抑制すること
が可能となる。また、アルミニウム板とセラミックス板
の接合時だけでなく、これらを接合した後の使用の際に
も、冷熱サイクルにより熱応力が発生するが、この場合
にもアルミニウム板外周縁部に発生する応力を、アルミ
ニウム板の薄肉部の塑性変形により吸収し、セラミック
ス板にクラックが発生するのを抑制することが可能とな
る。
に直接接合する際、アルミニウム板の融点以上に加熱す
るが、アルミニウム板の外周縁部内側に薄肉部を設ける
ことによって、アルミニウム板外周縁部に発生する応力
を、アルミニウム板の薄肉部の塑性変形により吸収し、
セラミックス板にクラックが発生するのを抑制すること
が可能となる。また、アルミニウム板とセラミックス板
の接合時だけでなく、これらを接合した後の使用の際に
も、冷熱サイクルにより熱応力が発生するが、この場合
にもアルミニウム板外周縁部に発生する応力を、アルミ
ニウム板の薄肉部の塑性変形により吸収し、セラミック
ス板にクラックが発生するのを抑制することが可能とな
る。
【００３６】薄肉部３ｂの形状としては、例えば図２に
示すように、アルミニウム板のセラミックス板と接合し
ていない面を削り、段差を設けることが挙げられる。こ
のような薄肉部３ｂの形成方法としては、機械的に加工
する方法の他に、エッチング等により加工する方法が挙
げられる。薄肉部３ｂは、セラミックス板とアルミニウ
ム板とを接合した後に形成してもよいが、セラミックス
板と接合する前に形成することによって、接合時の応力
によりセラミックス板にクラックが発生することを抑制
できるため、より効果的である。
示すように、アルミニウム板のセラミックス板と接合し
ていない面を削り、段差を設けることが挙げられる。こ
のような薄肉部３ｂの形成方法としては、機械的に加工
する方法の他に、エッチング等により加工する方法が挙
げられる。薄肉部３ｂは、セラミックス板とアルミニウ
ム板とを接合した後に形成してもよいが、セラミックス
板と接合する前に形成することによって、接合時の応力
によりセラミックス板にクラックが発生することを抑制
できるため、より効果的である。
【００３７】このような薄肉部３ｂの形成範囲として
は、例えばアルミニウム板の外周縁部からの長さをＷ、
薄肉部の厚さをＴとすると、Ｗは０．３ｍｍ以上１．０
ｍｍ以下、Ｔはアルミニウム板の実装面の厚さの１／６
以上５／６以下であることが好ましい。この薄肉部の外
周縁部からの長さＷが０．３ｍｍ未満であると、応力緩
和効果が十分に得られずクラック発生の原因となる。ま
た、１．０ｍｍを超えた部分に形成されたものは、応力
緩和効果が十分でなく、かつ実装面積も減少させてしま
う。薄肉部３ｂの厚さＴはアルミニウム板の実装面の厚
さの１／６未満であると、アルミニウム板の強度を低下
させる恐れがあり、５／６を超えると応力緩和効果が認
められなくなる。
は、例えばアルミニウム板の外周縁部からの長さをＷ、
薄肉部の厚さをＴとすると、Ｗは０．３ｍｍ以上１．０
ｍｍ以下、Ｔはアルミニウム板の実装面の厚さの１／６
以上５／６以下であることが好ましい。この薄肉部の外
周縁部からの長さＷが０．３ｍｍ未満であると、応力緩
和効果が十分に得られずクラック発生の原因となる。ま
た、１．０ｍｍを超えた部分に形成されたものは、応力
緩和効果が十分でなく、かつ実装面積も減少させてしま
う。薄肉部３ｂの厚さＴはアルミニウム板の実装面の厚
さの１／６未満であると、アルミニウム板の強度を低下
させる恐れがあり、５／６を超えると応力緩和効果が認
められなくなる。
【００３８】次に、本発明の他のセラミックス回路基板
の一例を図３に示す。
の一例を図３に示す。
【００３９】本発明のセラミックス回路基板４は、図３
に示されるように、例えばアルミニウム板３のセラミッ
クス基板２との接合面と反対面側の外周縁部内側に複数
の孔５が形成されているものである。
に示されるように、例えばアルミニウム板３のセラミッ
クス基板２との接合面と反対面側の外周縁部内側に複数
の孔５が形成されているものである。
【００４０】上述した本発明のセラミックス回路基板の
好ましい形態としては、前記複数の孔５が例えばアルミ
ニウム板３の外周縁部にそって直線状に形成されている
ものである。この孔の横断形状は図４に示されるよう
な、円形状であっても、また図５に示されるような矩形
状であってもよい。このような複数の孔は、エッチング
により形成してもよいし、金型を用いたプレス加工によ
り形成してもよい。このように、複数の孔を直線状に形
成することによって、アルミニウム板の外周縁部への応
力集中を効率的に緩和させることができる。
好ましい形態としては、前記複数の孔５が例えばアルミ
ニウム板３の外周縁部にそって直線状に形成されている
ものである。この孔の横断形状は図４に示されるよう
な、円形状であっても、また図５に示されるような矩形
状であってもよい。このような複数の孔は、エッチング
により形成してもよいし、金型を用いたプレス加工によ
り形成してもよい。このように、複数の孔を直線状に形
成することによって、アルミニウム板の外周縁部への応
力集中を効率的に緩和させることができる。
【００４１】このような孔の大きさとしては、図４に示
されるように孔が円の場合は、孔の直径をＤとしたと
き、Ｄが０．３ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であることが好
ましい。また、孔と孔との間隔をＬとしたとき、Ｌは
０．３ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であることが好ましい。
さらに、金属板の外周縁部から孔までの距離をＺとした
とき、Ｚは０．３ｍｍ以上であることが好ましい。
されるように孔が円の場合は、孔の直径をＤとしたと
き、Ｄが０．３ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であることが好
ましい。また、孔と孔との間隔をＬとしたとき、Ｌは
０．３ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であることが好ましい。
さらに、金属板の外周縁部から孔までの距離をＺとした
とき、Ｚは０．３ｍｍ以上であることが好ましい。
【００４２】孔の直径が０．３ｍｍ未満では十分に応力
を緩和することができず、また１．０ｍｍを超えるとア
ルミニウム板の強度低下をもたらすとともに、実装面積
の低下を招いてしまう。また、孔と孔との間隔はあまり
大きすぎると、応力の緩和効果を十分に得られないおそ
れがあり、小さすぎると孔を加工するときにアルミニウ
ム板の変形等を招いてしまう場合がある。また、金属板
の外周縁部から孔の外周縁部までの距離Ｚが０．３ｍｍ
未満であると応力緩和効果が十分でなくなる恐れがあ
る。
を緩和することができず、また１．０ｍｍを超えるとア
ルミニウム板の強度低下をもたらすとともに、実装面積
の低下を招いてしまう。また、孔と孔との間隔はあまり
大きすぎると、応力の緩和効果を十分に得られないおそ
れがあり、小さすぎると孔を加工するときにアルミニウ
ム板の変形等を招いてしまう場合がある。また、金属板
の外周縁部から孔の外周縁部までの距離Ｚが０．３ｍｍ
未満であると応力緩和効果が十分でなくなる恐れがあ
る。
【００４３】上述した複数の孔は図６や図７に示される
ような非貫通孔５ａであってもよいし、また図８に示す
ように貫通孔５ｂであってもよい。例えば、非貫通孔５
ａはプレス加工等により容易に形成することができるた
め、製造工数の削減等に有効である。また、貫通孔５ｂ
はＤＢＡ法を適用する場合に、接合に寄与せずにガス化
した酸素などの排出孔としても機能させることができ
る。
ような非貫通孔５ａであってもよいし、また図８に示す
ように貫通孔５ｂであってもよい。例えば、非貫通孔５
ａはプレス加工等により容易に形成することができるた
め、製造工数の削減等に有効である。また、貫通孔５ｂ
はＤＢＡ法を適用する場合に、接合に寄与せずにガス化
した酸素などの排出孔としても機能させることができ
る。
【００４４】ここで複数の孔を非貫通孔５ａとする場
合、その深さ方向の形状は図６に示すようにほぼ均一形
状であってもよいし、また図７に示すように逆円錐状で
あってもよい。
合、その深さ方向の形状は図６に示すようにほぼ均一形
状であってもよいし、また図７に示すように逆円錐状で
あってもよい。
【００４５】次に、本発明のセラミックス回路基板の他
の例について説明する。
の例について説明する。
【００４６】本発明のセラミックス回路基板６は、図９
に示されるように、アルミニウム板３のセラミックス基
板２との接合面と反対面側の外周縁部内側に不連続な溝
７が形成されているものである。このような不連続な溝
７を設けることによってアルミニウム板３の外周縁部に
発生する応力を効率的に緩和させることができる。ここ
で外周縁部内側とは、図９に示すように、金属板の外周
縁部から中央方向に向かった部分のことである。本発明
のセラミックス回路基板においては、不連続な溝は直線
状に形成されていることが好ましい。このように不連続
な溝を直線状に形成することによって、より効率的に応
力集中を緩和することができる。
に示されるように、アルミニウム板３のセラミックス基
板２との接合面と反対面側の外周縁部内側に不連続な溝
７が形成されているものである。このような不連続な溝
７を設けることによってアルミニウム板３の外周縁部に
発生する応力を効率的に緩和させることができる。ここ
で外周縁部内側とは、図９に示すように、金属板の外周
縁部から中央方向に向かった部分のことである。本発明
のセラミックス回路基板においては、不連続な溝は直線
状に形成されていることが好ましい。このように不連続
な溝を直線状に形成することによって、より効率的に応
力集中を緩和することができる。
【００４７】図１０は本発明のセラミックス回路基板６
の一部分を拡大したものである。ここで、Ｗは単体溝の
幅を、Ｅは単体溝の長さを、Ｚは単体溝の外周縁部から
の距離を表している。
の一部分を拡大したものである。ここで、Ｗは単体溝の
幅を、Ｅは単体溝の長さを、Ｚは単体溝の外周縁部から
の距離を表している。
【００４８】不連続な溝を構成する各単体溝の形状、す
なわち単体溝の幅Ｗ、長さＥ及び外周縁部からの距離Ｚ
としては、幅Ｗが０．０５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下、長
さＥが２０ｍｍ以下、かつ外周縁部からの距離Ｚが０．
３ｍｍ以上であることが好ましい。
なわち単体溝の幅Ｗ、長さＥ及び外周縁部からの距離Ｚ
としては、幅Ｗが０．０５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下、長
さＥが２０ｍｍ以下、かつ外周縁部からの距離Ｚが０．
３ｍｍ以上であることが好ましい。
【００４９】幅Ｗが０．０５ｍｍ未満の場合は、十分に
応力を緩和することができず、１．０ｍｍを超える場合
は、アルミニウム板の強度低下を招くとともに、実装面
積の低下を招くことになる。また、各単体溝の長さＥが
２０ｍｍを超えると、溝非形成領域の減少に伴ってアル
ミニウム板の変形を十分に抑制できないおそれがある。
また、外周縁部からの距離Ｚが０．３ｍｍ未満である
と、十分な応力緩和効果が得られなくなる恐れがある。
応力を緩和することができず、１．０ｍｍを超える場合
は、アルミニウム板の強度低下を招くとともに、実装面
積の低下を招くことになる。また、各単体溝の長さＥが
２０ｍｍを超えると、溝非形成領域の減少に伴ってアル
ミニウム板の変形を十分に抑制できないおそれがある。
また、外周縁部からの距離Ｚが０．３ｍｍ未満である
と、十分な応力緩和効果が得られなくなる恐れがある。
【００５０】また、不連続な溝７の縦断面形状は図１１
に示すように、深さ方向にほぼ均一でもよいし、図１２
に示すように逆三角形状であってもよい。但し、その深
さＨはアルミニウム板の実装面の厚さの１／６以上５／
６以下であることが好ましい。深さＨがアルミニウム板
の実装面の厚さの１／６未満の場合、応力の分散効果が
不十分となるおそれがあり、またアルミニウム板の実装
面の厚さの５／６を超える場合、アルミニウム板の強度
低下等を招きやすくなる。
に示すように、深さ方向にほぼ均一でもよいし、図１２
に示すように逆三角形状であってもよい。但し、その深
さＨはアルミニウム板の実装面の厚さの１／６以上５／
６以下であることが好ましい。深さＨがアルミニウム板
の実装面の厚さの１／６未満の場合、応力の分散効果が
不十分となるおそれがあり、またアルミニウム板の実装
面の厚さの５／６を超える場合、アルミニウム板の強度
低下等を招きやすくなる。
【００５１】さらに本発明のセラミックス回路基板に用
いられるセラミックス基板としては、主としてアルミ
ナ、窒化アルミニウム及び窒化ケイ素からなる群から選
ばれた少なくとも１種の材料からなるものであることが
好ましい。
いられるセラミックス基板としては、主としてアルミ
ナ、窒化アルミニウム及び窒化ケイ素からなる群から選
ばれた少なくとも１種の材料からなるものであることが
好ましい。
【００５２】次に本発明の半導体装置の一実施形態につ
いて説明する。
いて説明する。
【００５３】図１３は本発明の半導体装置の外観を示し
た図である。また、図１４は本発明の半導体装置の断面
形状を示した図である。
た図である。また、図１４は本発明の半導体装置の断面
形状を示した図である。
【００５４】本発明の半導体装置８は図１３に示すよう
に、窒化アルミニウム等のセラミックス基板２に接合さ
れたアルミニウム板３と、前記アルミニウム板３のセラ
ミックス基板２が接合されていない面にハンダ層９を介
して接合された半導体素子１０からなる半導体装置８に
おいて、前記アルミニウム板３の半導体素子１０が接合
された面に複数の溝１１を設けたものである。
に、窒化アルミニウム等のセラミックス基板２に接合さ
れたアルミニウム板３と、前記アルミニウム板３のセラ
ミックス基板２が接合されていない面にハンダ層９を介
して接合された半導体素子１０からなる半導体装置８に
おいて、前記アルミニウム板３の半導体素子１０が接合
された面に複数の溝１１を設けたものである。
【００５５】ここで、Ｈはアルミニウム板に形成される
溝の深さを、Ｗは溝の幅を、Ｌは溝と溝との距離を示し
ている。
溝の深さを、Ｗは溝の幅を、Ｌは溝と溝との距離を示し
ている。
【００５６】従来、アルミニウム板に半導体素子をハン
ダ付けする際、ハンダ部分にガスが巻き込まれてハンダ
巣を形成してしまうことがあった。このハンダ部分に存
在するハンダ巣は熱抵抗不良の原因となるため、除去す
ることが好ましい。
ダ付けする際、ハンダ部分にガスが巻き込まれてハンダ
巣を形成してしまうことがあった。このハンダ部分に存
在するハンダ巣は熱抵抗不良の原因となるため、除去す
ることが好ましい。
【００５７】本発明の半導体装置では、このようにアル
ミニウム板３のハンダ層９が形成される面に溝１１を設
けることによって、この溝１１よりハンダ巣を形成する
原因となるガスを排出してハンダ巣の発生を抑制し、か
りにハンダ巣が発生したとしても、溝１１を設けたこと
によって、溝１１より大きなハンダ巣が形成されるのを
抑制することができる。従って、本発明の半導体装置で
は、ハンダ巣による熱抵抗不良を抑制し、各半導体装置
における熱抵抗等のバラツキを抑えることができる。
ミニウム板３のハンダ層９が形成される面に溝１１を設
けることによって、この溝１１よりハンダ巣を形成する
原因となるガスを排出してハンダ巣の発生を抑制し、か
りにハンダ巣が発生したとしても、溝１１を設けたこと
によって、溝１１より大きなハンダ巣が形成されるのを
抑制することができる。従って、本発明の半導体装置で
は、ハンダ巣による熱抵抗不良を抑制し、各半導体装置
における熱抵抗等のバラツキを抑えることができる。
【００５８】このようなアルミニウム板に形成される溝
の深さＨはアルミニウム板の厚さの１／６以上５／６以
下、幅Ｗは０．０５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下、隣接する
溝との距離Ｌは０．０５ｍｍ以上５．０ｍｍ以下である
ことが好ましい。
の深さＨはアルミニウム板の厚さの１／６以上５／６以
下、幅Ｗは０．０５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下、隣接する
溝との距離Ｌは０．０５ｍｍ以上５．０ｍｍ以下である
ことが好ましい。
【００５９】溝の深さがアルミニウム板の厚さの１／６
未満であるとガス排出効果が低くなりハンダ巣が形成さ
れやすくなる、またアルミニウム板の厚さの５／６を超
えると、アルミニウム板の強度低下を招いてしまう。ま
た、幅Ｗを０．０５ｍｍ未満とするとガス排出効果が低
くなり、ハンダ巣が形成されやすくなる、また幅Ｗが
１．０ｍｍを超えるとガス排出効果が低くなるととも
に、アルミニウム板の強度低下を招いてしまう。さら
に、このような溝と溝との間隔Ｌは、０．０５ｍｍ未満
であると基板の強度低下を起こしてしまい、間隔Ｌが
５．０ｍｍを超えるとガス排出効果が低くなり、ハンダ
巣が形成されやすくなってしまう。
未満であるとガス排出効果が低くなりハンダ巣が形成さ
れやすくなる、またアルミニウム板の厚さの５／６を超
えると、アルミニウム板の強度低下を招いてしまう。ま
た、幅Ｗを０．０５ｍｍ未満とするとガス排出効果が低
くなり、ハンダ巣が形成されやすくなる、また幅Ｗが
１．０ｍｍを超えるとガス排出効果が低くなるととも
に、アルミニウム板の強度低下を招いてしまう。さら
に、このような溝と溝との間隔Ｌは、０．０５ｍｍ未満
であると基板の強度低下を起こしてしまい、間隔Ｌが
５．０ｍｍを超えるとガス排出効果が低くなり、ハンダ
巣が形成されやすくなってしまう。
【００６０】さらに本発明の半導体装置に用いられるセ
ラミックス基板としては、アルミナ、窒化アルミニウム
及び窒化ケイ素等から選ばれる少なくとも１種の材料か
ら主としてなるものであることが好ましい。また、主と
してアルミニウム板からなる金属板は、アルミニウムが
５０ｗｔ％以上であれば特に限定されるものではなく、
純度９９％以上の高純度アルミニウム、Ａｌ−Ｍｇ合
金、Ａｌ−Ｍｎ合金、Ａｌ−Ｓｉ合金など各種Ａｌ合金
板が適用可能である。その中でも、Ａｌ−Ｓｉ合金は各
種セラミックスと共晶接合しやすいことから特にＡｌ−
Ｓｉ合金板を用いることが好ましい。Ｓｉ含有量は、
０．００１〜４０ｗｔ％が好ましく、例えばアルミナや
窒化アルミニウムのように主成分としてＳｉを含まない
セラミックスにおいては、アルミニウム板中のＳｉ量は
５〜３０ｗｔ％が好ましく、窒化ケイ素のように主成分
としてＳｉを含んでいるセラミックスにおいてはアルミ
ニウム板中のＳｉ量は０．０１〜１５ｗｔ％が好まし
い。
ラミックス基板としては、アルミナ、窒化アルミニウム
及び窒化ケイ素等から選ばれる少なくとも１種の材料か
ら主としてなるものであることが好ましい。また、主と
してアルミニウム板からなる金属板は、アルミニウムが
５０ｗｔ％以上であれば特に限定されるものではなく、
純度９９％以上の高純度アルミニウム、Ａｌ−Ｍｇ合
金、Ａｌ−Ｍｎ合金、Ａｌ−Ｓｉ合金など各種Ａｌ合金
板が適用可能である。その中でも、Ａｌ−Ｓｉ合金は各
種セラミックスと共晶接合しやすいことから特にＡｌ−
Ｓｉ合金板を用いることが好ましい。Ｓｉ含有量は、
０．００１〜４０ｗｔ％が好ましく、例えばアルミナや
窒化アルミニウムのように主成分としてＳｉを含まない
セラミックスにおいては、アルミニウム板中のＳｉ量は
５〜３０ｗｔ％が好ましく、窒化ケイ素のように主成分
としてＳｉを含んでいるセラミックスにおいてはアルミ
ニウム板中のＳｉ量は０．０１〜１５ｗｔ％が好まし
い。
【００６１】以下、本発明の半導体装置の作製法につい
て、一例を示す。
て、一例を示す。
【００６２】例えば窒化アルミニウムからなるセラミッ
クス基板にＤＢＡ法によりアルミニウム板を接合する。
さらに、接合されたアルミニウム板のセラミックス基板
を接合していない面のＳｉペレット等の半導体素子を接
合しようとする部分に、エッチング等の方法により半導
体素子の長さよりも長い複数の溝を形成する。この溝を
形成した面にハンダを用いて半導体素子を接合する。こ
のように予め溝を設けた部分にハンダを用いて半導体素
子を接合することによって、ハンダ部分に発生するハン
ダ巣の除去、又は成長を抑制し熱抵抗不良となるのを抑
制することができる。
クス基板にＤＢＡ法によりアルミニウム板を接合する。
さらに、接合されたアルミニウム板のセラミックス基板
を接合していない面のＳｉペレット等の半導体素子を接
合しようとする部分に、エッチング等の方法により半導
体素子の長さよりも長い複数の溝を形成する。この溝を
形成した面にハンダを用いて半導体素子を接合する。こ
のように予め溝を設けた部分にハンダを用いて半導体素
子を接合することによって、ハンダ部分に発生するハン
ダ巣の除去、又は成長を抑制し熱抵抗不良となるのを抑
制することができる。
【００６３】本発明のセラミックス回路基板において
は、エッチングやプレス加工によりあらかじめ溝を設け
たアルミニウム板をセラミックス基板に直接接合しても
よいし、アルミニウムを溶融させ、これをセラミックス
基板に塗布し、その後エッチング等により溝を形成し、
半導体素子をハンダで接合してもよい。
は、エッチングやプレス加工によりあらかじめ溝を設け
たアルミニウム板をセラミックス基板に直接接合しても
よいし、アルミニウムを溶融させ、これをセラミックス
基板に塗布し、その後エッチング等により溝を形成し、
半導体素子をハンダで接合してもよい。
【００６４】
【実施例】次に本発明の具体例及びその評価について述
べる。
べる。
【００６５】実施例１〜３、比較例１ 実施例１ 厚さ０．５ｍｍ、純度９９％以上のアルミニウム板を用
意し、エッチングによりこのアルミニウム板の外周縁部
より１ｍｍまでの部分の厚さを０．２５ｍｍとした。そ
の後、このアルミニウム板を厚さ０．７ｍｍの窒化アル
ミニウム基板に直接接合してセラミックス回路基板を作
製した。
意し、エッチングによりこのアルミニウム板の外周縁部
より１ｍｍまでの部分の厚さを０．２５ｍｍとした。そ
の後、このアルミニウム板を厚さ０．７ｍｍの窒化アル
ミニウム基板に直接接合してセラミックス回路基板を作
製した。
【００６６】実施例２ 厚さ０．５ｍｍ、純度９９％以上のアルミニウム板を用
意し、エッチングによりこのアルミニウム板の外周縁部
内側に複数の孔を設けた。孔の直径は０．５ｍｍ、各孔
の間隔は、０．５ｍｍ、かつ孔の縁部が外周縁部より
０．５ｍｍとなるようにした。このアルミニウム板を厚
さ０．７ｍｍの窒化アルミニウム基板に直接接合してセ
ラミックス回路基板を作製した。
意し、エッチングによりこのアルミニウム板の外周縁部
内側に複数の孔を設けた。孔の直径は０．５ｍｍ、各孔
の間隔は、０．５ｍｍ、かつ孔の縁部が外周縁部より
０．５ｍｍとなるようにした。このアルミニウム板を厚
さ０．７ｍｍの窒化アルミニウム基板に直接接合してセ
ラミックス回路基板を作製した。
【００６７】実施例３ 厚さ０．５ｍｍ、純度９９％以上のアルミニウム板を用
意し、エッチングによりこのアルミニウム板の外周縁部
内側に複数の溝を設けた。溝の深さは０．２５ｍｍ、溝
の幅は０．０５ｍｍ、かつ溝の縁部が外周縁部より０．
５ｍｍとなるようにした。このアルミニウム板を厚さ
０．７ｍｍの窒化アルミニウム基板に直接接合してセラ
ミックス回路基板を作製した。
意し、エッチングによりこのアルミニウム板の外周縁部
内側に複数の溝を設けた。溝の深さは０．２５ｍｍ、溝
の幅は０．０５ｍｍ、かつ溝の縁部が外周縁部より０．
５ｍｍとなるようにした。このアルミニウム板を厚さ
０．７ｍｍの窒化アルミニウム基板に直接接合してセラ
ミックス回路基板を作製した。
【００６８】比較例１ 厚さ０．５ｍｍ、純度９９％以上のアルミニウム板を用
意し、このアルミニウム板を厚さ０．７ｍｍの窒化アル
ミニウム基板に直接接合してセラミックス回路基板を作
製した。
意し、このアルミニウム板を厚さ０．７ｍｍの窒化アル
ミニウム基板に直接接合してセラミックス回路基板を作
製した。
【００６９】上記のようにして作製した実施例１〜３及
び比較例１のセラミックス回路基板に対して冷熱サイク
ル試験（ＴＣＴ：２３３Ｋ×３０分→ＲＴ×１０分→３
９８Ｋ×３０分→ＲＴ×１０分を１サイクルとする。Ｒ
Ｔは室温。）を施し、この熱サイクル付加時における応
力分布を測定した。
び比較例１のセラミックス回路基板に対して冷熱サイク
ル試験（ＴＣＴ：２３３Ｋ×３０分→ＲＴ×１０分→３
９８Ｋ×３０分→ＲＴ×１０分を１サイクルとする。Ｒ
Ｔは室温。）を施し、この熱サイクル付加時における応
力分布を測定した。
【００７０】各実施例と比較例の結果を図１５、１６及
び１７に示す。
び１７に示す。
【００７１】各図から明らかなように、アルミニウム板
の外周縁部内側に薄肉部、孔又は溝を設けたものは、い
ずれも外周縁部に発生した応力を緩和し、アルミニウム
板の外周縁部付近の応力は、低くなっていることがわか
る。
の外周縁部内側に薄肉部、孔又は溝を設けたものは、い
ずれも外周縁部に発生した応力を緩和し、アルミニウム
板の外周縁部付近の応力は、低くなっていることがわか
る。
【００７２】これに対して、アルミニウム板に何も加工
をしなかったものは、アルミニウム板の外周縁部に大き
な応力が生じており、クラック等の発生の恐れがあるこ
とがわかった。
をしなかったものは、アルミニウム板の外周縁部に大き
な応力が生じており、クラック等の発生の恐れがあるこ
とがわかった。
【００７３】実施例４〜７、比較例２ 実施例４〜７ 厚さ０．５ｍｍ、縦３ｃｍ×横３ｃｍ、純度９９％以上
のアルミニウム板を用意し、図１８に示すように、この
アルミニウム板の中央部に複数の溝を設けた。溝の深さ
（Ｈ）、幅（Ｗ）、長さ（Ｅ）及び間隔（Ｌ）は表１に
示すように調整した。また、溝は、溝方向と垂直な方向
の両縁部から５ｍｍの部分には設けなかった。
のアルミニウム板を用意し、図１８に示すように、この
アルミニウム板の中央部に複数の溝を設けた。溝の深さ
（Ｈ）、幅（Ｗ）、長さ（Ｅ）及び間隔（Ｌ）は表１に
示すように調整した。また、溝は、溝方向と垂直な方向
の両縁部から５ｍｍの部分には設けなかった。
【００７４】さらに、アルミニウム板の溝を設けていな
い面に窒化アルミニウム基板を直接接合し、また溝を設
けた面の中央部にハンダを用いてＳｉペレットを接合し
半導体装置を作製した。
い面に窒化アルミニウム基板を直接接合し、また溝を設
けた面の中央部にハンダを用いてＳｉペレットを接合し
半導体装置を作製した。
【００７５】Ｓｉペレットは厚さ０．５ｍｍ、縦２ｃｍ
×横２ｃｍのものを用いた。
×横２ｃｍのものを用いた。
【００７６】比較例２ 厚さ０．５ｍｍ、縦３ｃｍ×横３ｃｍ、純度９９％以上
のアルミニウム板を用い、このアルミニウム板の一方の
面に溝加工を施さないまま、ハンダを用いてＳｉペレッ
トを接合し、他方の面に窒化アルミニウム基板を直接接
合により接合し半導体装置を作製した。Ｓｉペレット
は、実施例４〜７で用いたものと同様のものを用いた。
のアルミニウム板を用い、このアルミニウム板の一方の
面に溝加工を施さないまま、ハンダを用いてＳｉペレッ
トを接合し、他方の面に窒化アルミニウム基板を直接接
合により接合し半導体装置を作製した。Ｓｉペレット
は、実施例４〜７で用いたものと同様のものを用いた。
【００７７】このようにして作製された実施例４〜７及
び比較例２の半導体装置の熱抵抗を測定した。
び比較例２の半導体装置の熱抵抗を測定した。
【００７８】実施例４〜７及び比較例２における熱抵抗
の評価結果を表１に示す。
の評価結果を表１に示す。
【００７９】
【表１】 表１から明らかなように、実施例４〜７のようにＳｉペ
レットとの接合面に溝を設けたものは、いずれも熱抵抗
不良が抑制されていることがわかった。特に、溝の深
さ、幅、長さ、間隔を、本発明における好ましい値とし
たものは、熱抵抗不良が大幅に抑制されていることがわ
かった。
レットとの接合面に溝を設けたものは、いずれも熱抵抗
不良が抑制されていることがわかった。特に、溝の深
さ、幅、長さ、間隔を、本発明における好ましい値とし
たものは、熱抵抗不良が大幅に抑制されていることがわ
かった。
【００８０】これに対して、アルミニウム板のＳｉペレ
ットとの接合面に溝を設けず、Ｓｉペレットとアルミニ
ウム板とを接合した比較例２では、熱抵抗不良が発生し
ていることがわかった。
ットとの接合面に溝を設けず、Ｓｉペレットとアルミニ
ウム板とを接合した比較例２では、熱抵抗不良が発生し
ていることがわかった。
【００８１】以上の結果より、本発明のようにアルミニ
ウム板のＳｉペレット接合面に複数の溝を設けることに
よって、ハンダ巣の生成又は成長を抑制し、熱抵抗不良
を大幅に抑制することができることが確認された。
ウム板のＳｉペレット接合面に複数の溝を設けることに
よって、ハンダ巣の生成又は成長を抑制し、熱抵抗不良
を大幅に抑制することができることが確認された。
【００８２】実施例８〜１０ 実施例１のアルミニウム板をＡｌ−１０ｗｔ％Ｓｉ板に
変えたものを実施例８、実施例１の窒化アルミニウム基
板を窒化ケイ素基板に変えたものを実施例９、実施例１
のアルミニウム板をＡｌ−１０ｗｔ％Ｓｉ板に変えさら
に窒化アルミニウム基板を窒化ケイ素基板に変えたもの
を実施例１０とした。
変えたものを実施例８、実施例１の窒化アルミニウム基
板を窒化ケイ素基板に変えたものを実施例９、実施例１
のアルミニウム板をＡｌ−１０ｗｔ％Ｓｉ板に変えさら
に窒化アルミニウム基板を窒化ケイ素基板に変えたもの
を実施例１０とした。
【００８３】このようなセラミックス回路基板に対し、
アルミニウム板のピール強度並びに冷熱サイクル試験
（ＴＣＴ）として、２３３Ｋ×３０分→ＲＴ×１０分→
３９８Ｋ×３０分→ＲＴ×１０分を１サイクルとした通
常より厳しい条件にて、１０００サイクルおよび２００
０サイクル行った場合のセラミックス基板へのクラック
の有無を確認した。
アルミニウム板のピール強度並びに冷熱サイクル試験
（ＴＣＴ）として、２３３Ｋ×３０分→ＲＴ×１０分→
３９８Ｋ×３０分→ＲＴ×１０分を１サイクルとした通
常より厳しい条件にて、１０００サイクルおよび２００
０サイクル行った場合のセラミックス基板へのクラック
の有無を確認した。
【００８４】また、比較のため比較例１のセラミックス
回路基板についても同様の測定を行った。その結果を表
２に示す。
回路基板についても同様の測定を行った。その結果を表
２に示す。
【００８５】
【表２】 表２に示されるように、アルミニウム板にＳｉを含有さ
せた場合のほうがピール強度が向上していることがわか
る。
せた場合のほうがピール強度が向上していることがわか
る。
【００８６】また、ＴＣＴ試験結果を見ても、本発明の
実施例のものは試験条件が２３３Ｋ×３０分→ＲＴ×１
０分→３９８Ｋ×３０分→ＲＴ×１０分と通常よりも厳
しい条件にもかかわらず、１０００サイクルまではセラ
ミックス基板へのクラックの発生は確認されなかった。
実施例のものは試験条件が２３３Ｋ×３０分→ＲＴ×１
０分→３９８Ｋ×３０分→ＲＴ×１０分と通常よりも厳
しい条件にもかかわらず、１０００サイクルまではセラ
ミックス基板へのクラックの発生は確認されなかった。
【００８７】それに対し、比較例のものは若干の剥がれ
が確認された。これはアルミニウム板の外周部に薄肉部
がないため応力緩和がなされていないためであるといえ
る。なお、ＴＣＴ試験の「ややあり」との表記は若干の
割れ現象が確認されたものを示すものである。
が確認された。これはアルミニウム板の外周部に薄肉部
がないため応力緩和がなされていないためであるといえ
る。なお、ＴＣＴ試験の「ややあり」との表記は若干の
割れ現象が確認されたものを示すものである。
【００８８】さらに、窒化アルミニウム基板と窒化ケイ
素基板とを比較すると、窒化ケイ素基板（実施例９およ
び１０）を用いたものの方が優れたＴＣＴ試験特性を示
すことが分かった。
素基板とを比較すると、窒化ケイ素基板（実施例９およ
び１０）を用いたものの方が優れたＴＣＴ試験特性を示
すことが分かった。
【００８９】
【発明の効果】本発明のセラミックス回路基板は、冷熱
サイクルが付加された場合等に、主としてアルミニウム
からなる金属板に生じる熱応力や残留応力を分散させる
ことによって金属板の外周縁部への応力集中を抑制し、
セラミックス回路基板にクラックが発生することを抑制
することができる。
サイクルが付加された場合等に、主としてアルミニウム
からなる金属板に生じる熱応力や残留応力を分散させる
ことによって金属板の外周縁部への応力集中を抑制し、
セラミックス回路基板にクラックが発生することを抑制
することができる。
【００９０】また、本発明の半導体装置は、セラミック
ス回路基板に半導体素子を接合する際に用いたハンダに
ハンダ巣が形成されるのを抑制し、熱抵抗不良や剥離等
を抑制することができる。
ス回路基板に半導体素子を接合する際に用いたハンダに
ハンダ巣が形成されるのを抑制し、熱抵抗不良や剥離等
を抑制することができる。
【図１】 金属板の外周縁部内側に薄肉部を設けた場合
の一例を示す外観図。
の一例を示す外観図。
【図２】 金属板の外周縁部内側に薄肉部を設けた場合
の一例を示す断面図。
の一例を示す断面図。
【図３】 金属板の外周縁部内側に孔を設けた場合の一
例を示す外観図。
例を示す外観図。
【図４】 図３の一部分を拡大した平面図。
【図５】 孔の形状を矩形とした場合の一例を示す平面
図。
図。
【図６】 金属板の外周縁部内側に孔を設けた場合の一
例を示す断面図。
例を示す断面図。
【図７】 孔の深さ方向の形状の他の例を示す断面図。
【図８】 孔を貫通孔とした場合の一例を示す断面図。
【図９】 金属板の外周縁部内側に不連続な溝を設けた
場合の一例を示す外観図。
場合の一例を示す外観図。
【図１０】 図９の一部分を拡大した平面図。
【図１１】 溝の断面形状の一例を示す断面図。
【図１２】 溝の断面形状の他の例を示す断面図。
【図１３】 本発明の半導体装置の一例を示す外観図。
【図１４】 本発明の半導体装置の一例を示す断面図。
【図１５】 冷熱サイクル試験実施後の実施例１の応力
分布を表す図。
分布を表す図。
【図１６】 冷熱サイクル試験実施後の実施例２の応力
分布を表す図。
分布を表す図。
【図１７】 冷熱サイクル試験実施後の実施例３の応力
分布を表す図。
分布を表す図。
【図１８】 実施例４〜７に用いたアルミニウム板の一
例を示した概略図。
例を示した概略図。
１……セラミックス回路基板 ２……セラミックス基板 ３……アルミニウム板 ３ａ……外周縁部 ３ｂ……薄肉部 ５……孔 ７……溝 ９……ハンダ層 １０……半導体素子 １１……溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 五代儀 靖 神奈川県横浜市鶴見区末広町２丁目４番地 株式会社東芝京浜事業所内 Ｆターム(参考） 5F047 AA02 AA14 AB01 AB06 BA01
Claims (13)
- 【請求項１】 セラミックス基板と、前記セラミックス
基板の表面に直接接合され、主としてアルミニウムから
なる金属板とを具備するセラミックス回路基板におい
て、 前記金属板は外周縁部内側に薄肉部を有することを特徴
とするセラミックス回路基板。 - 【請求項２】 前記薄肉部は、その厚さが前記金属板の
実装部の厚さの１／６以上５／６以下であり、かつ前記
金属板の外周縁部から１．０ｍｍ以下の範囲に設けられ
ていることを特徴とする請求項１記載のセラミックス回
路基板。 - 【請求項３】 セラミックス基板と、前記セラミックス
基板の表面に直接接合され、主としてアルミニウムから
なる金属板とを具備するセラミックス回路基板におい
て、 前記金属板は、前記セラミックス基板との接合面の反対
側の面の外周縁部内側に設けられる複数の孔を有するこ
とを特徴とするセラミックス回路基板。 - 【請求項４】 前記複数の孔は、前記金属板の外周縁部
に沿って所定の間隔で直線状に形成されていることを特
徴とする請求項３記載のセラミックス回路基板。 - 【請求項５】 前記複数の孔は、その直径が０．３ｍｍ
以上１．０ｍｍ以下、隣接する各孔との距離が０．３ｍ
ｍ以上１．０ｍｍ以下であり、かつ孔の縁部が前記金属
板の外周縁部から０．３ｍｍ以上離れた部分に設けられ
ていることを特徴とする請求項３又は４記載のセラミッ
クス回路基板。 - 【請求項６】 セラミックス基板と、前記セラミックス
基板の表面に直接接合され、主としてアルミニウムから
なる金属板とを具備するセラミックス回路基板におい
て、 前記金属板は、前記セラミックス基板との接合面の反対
側の面の外周縁部内側に設けられ、外周縁部に沿って複
数の不連続な溝を有することを特徴とするセラミックス
回路基板。 - 【請求項７】 前記不連続な溝は、その深さが前記金属
板の実装面となる部分の厚さの１／６以上５／６以下、
幅が０．０５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であり、かつ溝の
縁部が前記金属板の外周縁部から０．３ｍｍ以上離れた
部分に設けられていることを特徴とする請求項６記載の
セラミックス回路基板。 - 【請求項８】 前記セラミックス基板はアルミナ、窒化
アルミニウム及び窒化ケイ素からなる群から選ばれた少
なくとも１種の材料から主としてなることを特徴とする
請求項１乃至７のいずれか１項記載のセラミックス回路
基板。 - 【請求項９】 前記主としてアルミニウムからなる金属
板は、Ａｌ−Ｓｉ合金板であることを特徴とする請求項
１乃至８のいずれか１項記載のセラミックス回路基板。 - 【請求項１０】 セラミックス基板と、前記セラミック
ス基板の表面に直接接合され、主としてアルミニウムか
らなる金属板と、前記金属板上に接合された半導体素子
とを具備する半導体装置において、 前記金属板の主面における半導体素子が接合される部分
には、複数の溝が設けられていることを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項１１】 前記複数の溝は、深さが金属回路板の
実装面となる部分の厚さの１／６以上５／６以下、幅が
０．０５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下、隣接する溝との間隔
が０．０５ｍｍ以上５．０ｍｍ以下、かつ長さが前記半
導体素子よりも長いことを特徴とする請求項１０記載の
半導体装置。 - 【請求項１２】 前記セラミックス基板はアルミナ、窒
化アルミニウム及び窒化ケイ素からなる群から選ばれた
少なくとも１種の材料から主としてなることを特徴とす
る請求項１０又は１１記載の半導体装置。 - 【請求項１３】 前記主としてアルミニウムからなる金
属板は、Ａｌ−Ｓｉ合金板であることを特徴とする請求
項１０乃至１２のいずれか１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000070619A JP4427154B2 (ja) | 2000-03-14 | 2000-03-14 | セラミックス回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000070619A JP4427154B2 (ja) | 2000-03-14 | 2000-03-14 | セラミックス回路基板 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009029248A Division JP5039070B2 (ja) | 2009-02-12 | 2009-02-12 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001267447A true JP2001267447A (ja) | 2001-09-28 |
| JP4427154B2 JP4427154B2 (ja) | 2010-03-03 |
Family
ID=18589327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000070619A Expired - Fee Related JP4427154B2 (ja) | 2000-03-14 | 2000-03-14 | セラミックス回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4427154B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006295158A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg | 材料結合式で配設された端子要素を有するパワー半導体モジュール |
| CN102315179A (zh) * | 2011-09-03 | 2012-01-11 | 江苏宏微科技有限公司 | 覆金属陶瓷基板其及制作方法 |
| US8446727B2 (en) | 2008-05-08 | 2013-05-21 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Electronic component |
| CN104465536A (zh) * | 2014-11-04 | 2015-03-25 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 陶瓷衬板 |
| JP2017195290A (ja) * | 2016-04-21 | 2017-10-26 | スタンレー電気株式会社 | 基板構造 |
| WO2017222235A1 (ko) * | 2016-06-21 | 2017-12-28 | 주식회사 아모센스 | 세라믹 기판 및 그 제조방법 |
| CN112352310A (zh) * | 2019-01-16 | 2021-02-09 | 富士电机株式会社 | 半导体装置 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6459986A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Toshiba Corp | Ceramic circuit board |
| JPH05136290A (ja) * | 1991-11-11 | 1993-06-01 | Toshiba Corp | セラミツクス回路基板 |
| JPH05152461A (ja) * | 1991-11-26 | 1993-06-18 | Toshiba Corp | セラミツクス回路基板 |
| JPH07193358A (ja) * | 1992-12-17 | 1995-07-28 | Dowa Mining Co Ltd | セラミックス電子回路基板の製造方法 |
| JPH07202063A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Toshiba Corp | セラミックス回路基板 |
| JPH07221265A (ja) * | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パワー半導体モジュール |
| JPH1093211A (ja) * | 1996-09-17 | 1998-04-10 | Toshiba Corp | 窒化けい素回路基板 |
-
2000
- 2000-03-14 JP JP2000070619A patent/JP4427154B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6459986A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Toshiba Corp | Ceramic circuit board |
| JPH05136290A (ja) * | 1991-11-11 | 1993-06-01 | Toshiba Corp | セラミツクス回路基板 |
| JPH05152461A (ja) * | 1991-11-26 | 1993-06-18 | Toshiba Corp | セラミツクス回路基板 |
| JPH07193358A (ja) * | 1992-12-17 | 1995-07-28 | Dowa Mining Co Ltd | セラミックス電子回路基板の製造方法 |
| JPH07202063A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Toshiba Corp | セラミックス回路基板 |
| JPH07221265A (ja) * | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パワー半導体モジュール |
| JPH1093211A (ja) * | 1996-09-17 | 1998-04-10 | Toshiba Corp | 窒化けい素回路基板 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006295158A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg | 材料結合式で配設された端子要素を有するパワー半導体モジュール |
| US8446727B2 (en) | 2008-05-08 | 2013-05-21 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Electronic component |
| CN102315179A (zh) * | 2011-09-03 | 2012-01-11 | 江苏宏微科技有限公司 | 覆金属陶瓷基板其及制作方法 |
| CN104465536A (zh) * | 2014-11-04 | 2015-03-25 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 陶瓷衬板 |
| JP2017195290A (ja) * | 2016-04-21 | 2017-10-26 | スタンレー電気株式会社 | 基板構造 |
| WO2017222235A1 (ko) * | 2016-06-21 | 2017-12-28 | 주식회사 아모센스 | 세라믹 기판 및 그 제조방법 |
| CN109417854A (zh) * | 2016-06-21 | 2019-03-01 | 阿莫善斯有限公司 | 陶瓷基板及其制造方法 |
| JP2019520297A (ja) * | 2016-06-21 | 2019-07-18 | アモセンス・カンパニー・リミテッドＡｍｏｓｅｎｓｅ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | セラミック基板及びその製造方法 |
| CN109417854B (zh) * | 2016-06-21 | 2021-04-27 | 阿莫善斯有限公司 | 陶瓷基板及其制造方法 |
| US11291113B2 (en) | 2016-06-21 | 2022-03-29 | Amosense Co. Ltd. | Ceramic substrate and manufacturing method therefor |
| JP7079736B2 (ja) | 2016-06-21 | 2022-06-02 | アモセンス・カンパニー・リミテッド | セラミック基板及びその製造方法 |
| CN112352310A (zh) * | 2019-01-16 | 2021-02-09 | 富士电机株式会社 | 半导体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4427154B2 (ja) | 2010-03-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4241397B2 (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JP2001168482A (ja) | セラミックス回路基板 | |
| JPH07202063A (ja) | セラミックス回路基板 | |
| KR100374379B1 (ko) | 기판 | |
| JP2005011922A (ja) | ヒートシンクを備えた両面銅貼り基板、およびこれを用いた半導体装置 | |
| JP2911644B2 (ja) | 回路基板 | |
| JP4104429B2 (ja) | モジュール構造体とそれを用いたモジュール | |
| JP2001267447A (ja) | セラミックス回路基板及び半導体装置 | |
| JPH05347469A (ja) | セラミックス回路基板 | |
| JP4124040B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH09283656A (ja) | セラミックス回路基板 | |
| JPH08250823A (ja) | セラミックス回路基板 | |
| JPH11121889A (ja) | 回路基板 | |
| JP6031784B2 (ja) | パワーモジュール用基板及びその製造方法 | |
| JPH08102570A (ja) | セラミックス回路基板 | |
| JPH05152461A (ja) | セラミツクス回路基板 | |
| JP4557398B2 (ja) | 電子素子 | |
| JP5039070B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3192911B2 (ja) | セラミックス回路基板 | |
| JPH10247763A (ja) | 回路基板及びその製造方法 | |
| JPH05136286A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2000101203A (ja) | セラミックス回路基板とそれを用いたパワーモジュール | |
| JP2001135789A (ja) | 積層セラミック基板及びこれを用いたパワーモジュール用基板 | |
| JP2001024296A (ja) | セラミック回路基板 | |
| KR102621334B1 (ko) | 마스킹 공정을 단순화한 세라믹 방열기판 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070302 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20070815 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081208 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081216 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090212 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091117 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091214 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4427154 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121218 Year of fee payment: 3 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090212 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131218 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |