JP2001265531A

JP2001265531A - タッチパネルシステムおよび電子機器

Info

Publication number: JP2001265531A
Application number: JP2000080772A
Authority: JP
Inventors: Kuniyuki Sato; 訓之佐藤
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 2000-03-22
Filing date: 2000-03-22
Publication date: 2001-09-28

Abstract

(57)【要約】【課題】タッチパネル上のｘｙ座標を求める演算の処
理速度を高速化する。【解決手段】アナログスイッチ１２〜１６の切り換え
を行って、各抵抗膜３，４における基準となる電位を測
定する。基準電位の値はＲＡＭ５２に記憶する。そし
て、アナログスイッチ１２〜１６の切り換えを行って、
タッチパネル２上の押圧がなされた位置の座標情報とな
る電位を測定する。ＲＡＭ５２に記憶されている基準と
なる電位を用い、座標情報となる電位から、タッチパネ
ル２上の押圧がなされた位置のｘｙ座標を演算により求
める。１度測定された基準となる電位は、複数回のｘｙ
座標の演算に用いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、タッチパネルシ
ステム、および、このタッチパネルシステムを備えた電
子機器に関する。

【０００２】

【従来の技術】抵抗膜接触型のタッチパネルは、抵抗値
の特性が線形である２枚の抵抗膜を絶縁樹脂等のマイク
ロスペーサを介して対向させ、通常の状態ではこれら２
枚の抵抗膜は接触せず、指あるいはペン先等で押圧され
たときに押圧位置で２枚の抵抗膜が接触する構造になっ
ている。そして、一方の抵抗膜に所定電圧を印加し、押
圧による２枚の抵抗膜の接触点における抵抗分圧値を読
みとることにより、１次元の座標位置を特定することが
できる。これをＸ座標軸方向、Ｙ座標方向について順次
切り替えて測定することで、２次元的な座標位置を特定
することができる。

【０００３】２枚の抵抗膜への電圧印加と離間は、通
常、アナログスイッチ等の半導体デバイスを用いること
が多いのであるが、例えば、代表的なアナログスイッチ
である４０６６では、オン抵抗が数百Ωと高く、かつ、
２〜３倍のバラツキを持っている。また、このオン抵抗
は温度依存性を持っており、経年的な変動も無視できな
い。これに対し、近年ではオン抵抗を十数Ωに抑えたア
ナログスイッチも用いられているが、高価であり、入手
性も決してよくはない。

【０００４】これに対して、特開平11-353100号公報に
開示の技術では、２枚の抵抗膜への電圧印加と離間に用
いるアナログスイッチ等の切替手段のオン抵抗がかなり
のバラツキを有しており、また温度環境、経年変化によ
るバラツキを有したとしても、調整等の操作をすること
なく常に正確な押圧位置を算出することができる抵抗膜
接触型のタッチパネルの制御装置を提案している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
11-353100号公報に開示の技術では、Ｙ軸座標方向の基
準電位情報、および、Ｘ軸座標方向の基準電位情報の取
得処理を、抵抗膜の膜面が押圧されたときの押圧点の２
次元座標位置を特定するときに毎回実行する場合、その
都度、２枚の抵抗膜への電圧印加と離間に用いるアナロ
グスイッチ等の切替手段のオン抵抗バラツキ、温度環
境、経年変化によるバラツキを除去できる一方、多大な
処理時間が必要になるという不具合がある。

【０００６】この発明の目的は、アナログスイッチ等の
スイッチのオン抵抗バラツキ、温度環境、経年変化によ
るバラツキを除去でき、しかも、タッチパネル上のｘｙ
座標を求める演算の処理速度を高速化することである。

【０００７】この発明の別の目的は、さらに、ｘｙ座標
軸上における押圧位置の座標を正確に特定することであ
る。

【０００８】この発明の別の目的は、さらに、アナログ
スイッチなどのスイッチのオン抵抗の経年変化に対し、
時間という概念で対応することができるようにすること
である。

【０００９】この発明の別の目的は、キャリブレーショ
ン動作実行時には、アナログスイッチなどのスイッチの
オン抵抗バラツキ、温度環境、経年変化に起因するバラ
ツキに対処した値を使用し、通常時には、タッチパネル
の押圧位置のｘｙ座標を特定する処理時間を大幅に短縮
できるようにすることである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、線形特性の抵抗値を有する１対の抵抗膜を重ね合わ
せたパネルで、パネル面に対して押圧がされたときは前
記両抵抗膜が接触し押圧されていないときは接触となる
ことが可能なタッチパネルと、前記一方の抵抗膜には前
記パネル面のｘ座標方向に通電し、また、前記他方の抵
抗膜には前記パネル面のｙ座標方向に通電する電源と、
この前記各抵抗膜への前記通電の態様を切り換えるスイ
ッチと、前記各抵抗膜の所定位置での電位を測定する電
圧センサと、前記切り換えを行って前記各抵抗膜におけ
る基準となる電位を前記電圧センサで測定する基準電位
測定手段と、この基準電位の値を記憶する記憶手段と、
前記切り換えを行って前記押圧がなされた位置の座標情
報となる電位を前記電圧センサで測定する座標測定手段
と、前記記憶手段に記憶されている基準となる電位を用
い前記座標測定手段で測定された前記座標情報となる電
位から前記押圧がなされた位置の前記パネル面上でのｘ
ｙ座標を演算により求める座標演算手段と、を備えてい
て、前記座標演算手段は、前記基準電位測定手段で１度
測定された前記基準となる電位を複数回の前記ｘｙ座標
の演算に用いるものであるタッチパネルシステムであ
る。

【００１１】したがって、アナログスイッチ等のスイッ
チのオン抵抗バラツキ、温度環境、経年変化によるバラ
ツキを除去できる。また、１度測定された基準となる電
位を複数回のｘｙ座標の演算に用いるようにしているの
で、毎回のｘｙ座標の演算ごとに新たに基準となる電位
を求める場合に比べ、ｘｙ座標の演算の処理速度が高速
である。

【００１２】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
のタッチパネルシステムにおいて、前記基準電位測定手
段および前記記憶手段は、前記ｘｙ座標の演算を可能と
するように本タッチパネルシステムの電源がＯＮになっ
て後次に当該電源がＯＦＦになるまでの間で前記基準と
なる電位の測定およびその値の前記記憶を行う回数を１
回に設定している。

【００１３】したがって、ｘｙ座標の演算の処理速度を
大幅に高速化することができる。

【００１４】請求項３に記載の発明は、請求項２に記載
のタッチパネルシステムにおいて、前記基準電位測定手
段および前記記憶手段は、前記電源がＯＮになった後に
前記基準となる電位の測定およびその値の前記記憶を行
って後次に当該電源がＯＦＦになる前であっても、所定
の条件が達成されたときは前記基準となる電位の測定お
よびその値の前記記憶を再度行うものである。

【００１５】したがって、所定の条件が達成されたとき
に、アナログスイッチなどで構成されるスイッチのオン
抵抗に起因する電圧降下を算出し直し、これを除去する
ことによって、ｘｙ座標軸上における押圧位置の座標を
正確に特定することができる。

【００１６】請求項４に記載の発明は、請求項３に記載
のタッチパネルシステムにおいて、前記押圧がなされた
ことを検出する押圧検出手段と、この検出した押圧の回
数をカウントするカウンタと、を備え、前記基準電位測
定手段および前記記憶手段は、前記カウント値が予め設
定された所定の回数に達するまたは超えることを前記所
定の条件の達成としている。したがって、タッチパネル
の押圧の回数が所定の回数に達した、または、超えたと
きは、アナログスイッチなどで構成されるスイッチのオ
ン抵抗に起因する電圧降下を算出し直し、これを除去す
ることによってｘｙ座標軸上における押圧位置の座標を
正確に特定することができる。

【００１７】請求項５に記載の発明は、請求項３に記載
のタッチパネルシステムにおいて、所定の時点から計時
を行うタイマを備え、前記基準電位測定手段および前記
記憶手段は、前記タイマの計時時間が予め設定された所
定の時間に達するまたは超えることを前記所定の条件の
達成としている。

【００１８】したがって、所定の時点からの経過時間が
予め設定された所定の時間に達した、または、超えたと
きは、アナログスイッチなどで構成されるスイッチのオ
ン抵抗に起因する電圧降下を算出し直し、これを除去す
ることによってｘｙ座標軸上における押圧位置の座標を
正確に特定することができる。また、アナログスイッチ
などのスイッチのオン抵抗の経年変化に対し、時間とい
う概念で対応することができる。

【００１９】請求項６に記載の発明は、請求項１または
２に記載のタッチパネルシステムにおいて、前記タッチ
パネルが重ね合わされて配置されて画像を表示するディ
スプレイと、所定の補正値を用いて前記タッチパネルの
押圧位置と前記ディスプレイに表示された位置とが一致
するように前記座標演算手段で求めたｘｙ座標を補正す
るキャリブレーション手段と、を備えている。したがっ
て、キャリブレーション動作実行時には、アナログスイ
ッチなどのスイッチのオン抵抗バラツキ、温度環境、経
年変化に起因するバラツキに対する処置である基準電位
測定手段で求めた値を使用し、通常時には、タッチパネ
ルの押圧位置のｘｙ座標を特定する処理時間を大幅に短
縮することが可能となる。

【００２０】請求項７に記載の発明は、請求項１〜６の
いずれかの一に記載されたタッチパネルシステムを備え
た電子機器である。したがって、請求項１〜６のいずれ
かの一に記載された発明と同様の作用、効果を奏する。

【００２１】

【発明の実施の形態】この発明の一実施の形態について
説明する。

【００２２】図１は、この発明の一実施の形態であるタ
ッチパネルシステム１の全体構成を示すブロック図であ
る。このタッチパネルシステム１は、抵抗膜接触型のタ
ッチパネル２を備えている。このタッチパネル２は、図
示しない透明な絶縁物であるマイクロスペーサを介して
抵抗値の特性が線形（直線性）である２枚の抵抗膜であ
る上部透明抵抗膜３と下部透明抵抗膜４とが重ね合わさ
れて構成されたパネルであり、そのパネル面を指やペン
先等で押圧しない状態では、両抵抗膜３と４は接触せ
ず、押圧された状態では、その押圧された箇所の抵抗膜
３と４の重ね合わされた部分が接触するように構成され
ている。上部透明抵抗膜３には左右両端にＸ座標軸方向
の電極として電極５および電極６を有し、下部透明抵抗
膜４には上下両端にＹ座標軸方向の電極として電極７お
よび電極８を有している。電極５および電極６間の上部
透明抵抗膜３は内部抵抗Ｒ₂を有しており、電極７およ
び電極８間の下部透明抵抗膜４には内部抵抗Ｒ₃を有し
ている。

【００２３】電極５は、タッチパネル制御装置１０に内
蔵されている直流電源１１とアナログスイッチ１２を介
して接続されると同時に、それと並列である検出抵抗１
８およびアナログスイッチ１６を介しても接続されてい
る。電極７は、直流電源１１とアナログスイッチ１３を
介して接続されており、電極６および電極８は、直流電
源１１の接地（ＧＮＤ）端子とアナログスイッチ１４，
１５を介してそれぞれ接続されている。

【００２４】記憶演算部３０は、各種演算を行ないタッ
チパネルシステム１の各部を集中的に制御するＣＰＵ５
１と、各種制御プログラムなどの固定データを記憶した
ＲＯＭ５３と、ＣＰＵ５１の作業エリアとなるＲＡＭ５
２とが、バスライン５４で接続されている。この記憶演
算部３０のＩ／Ｏポート３１〜３５からはアナログスイ
ッチ１２〜１６にイネーブル信号を出力することがで
き、このイネーブル信号でアナログスイッチ１２〜１６
の接点を開閉制御することができる。

【００２５】Ｉ／Ｏポート３１，３３をイネーブル（Ｌ
レベル）にするとアナログスイッチ１２，１４の接点が
閉じ、上部透明抵抗膜３にはＸ座標軸方向に電圧が印加
される。また、Ｉ／Ｏポート３２，３４をイネーブル
（Ｌレベル）にするとアナログスイッチ１３，１５の接
点が閉じ、下部透明抵抗膜４にはＹ座標軸方向に電圧が
印加される。また、Ｉ／Ｏポート３５をイネーブル（Ｌ
レベル）に、Ｉ／Ｏポート３１をディスエーブル（Ｈレ
ベル）にするとアナログスイッチ１２の接点が開放さ
れ、アナログスイッチ１６の接点が閉じることで、直流
電源１１の電圧が検出抵抗１８を介して上部透明抵抗膜
３上の電極５に印加される。

【００２６】各電極５〜８の各々は、タッチパネル制御
装置１０が有する電圧センサであるボルテージフォロワ
回路２０〜２３に１対１で接続されている。ボルテージ
フォロワ回路２０〜２３は、各抵抗膜３，４の所定位置
での電位、この例では各電極５〜８の電位を、電位検出
回路４０へほぼ無限大に近い高インピーダンスで出力す
る。

【００２７】電位検出回路４０は、４つのボルテージフ
ォロワ回路２０〜２３の出力からいずれか１つを選択す
るマルチプレクサ４１と、マルチプレクサ４１から出力
されるアナログ値の電圧をＡ／Ｄ変換する８ビット分解
能のＡ／Ｄ変換器４２とから構成されている。

【００２８】記憶演算部３０は、Ｉ／Ｏポート３６，３
７から２ビットの切替信号をマルチプレクサ４１に出力
し、表１のように設定することにより、４つのボルテー
ジフォロワ回路２０〜２３の出力からいずれかを選択し
て、該当する電極の電位をＡ／Ｄ変換器４２によりディ
ジタル変換して８ビットの電位情報を取得する。

【００２９】

【表１】

【００３０】ＣＰＵ５１は、電位検出回路４０から出力
される８ビットのディジタル電位情報は、バスライン５
４を介してＲＡＭ５２に書き込む。ＣＰＵ５１は、ＲＯ
Ｍ５３に格納されているプログラムに基づいて後述する
処理を行い、Ｘ座標軸およびＹ座標軸の各座標位置を特
定してタッチパネル２における押圧された位置の座標を
算出する。

【００３１】ＣＰＵ５１が行うＩ／Ｏポート３１〜３７
に対する設定は、Ｉ／Ｏポート３１をＬＳＢとする８ビ
ットの処理コマンドで行う。ただし、Ｉ／Ｏポート３７
の設定は７ビット目に相当するため、ＭＳＢは常に０と
する（例えば、Ｉ／Ｏポート３１、３３をイネーブル
（Ｌレベル）、Ｉ／Ｏポート３２、３４、３５をディス
エーブル（Ｈレベル）として、ボルテージフォロワ回路
２０を選択するときのＩ／Ｏポート設定コマンドは、Ｍ
ＳＢから０００１１０１０となり、１Ａｈとなる。）。

【００３２】このタッチパネルシステム１は、例えば、
図２に例示する複写機６１などの電子機器に操作パネル
として搭載されている。複写機６１は、原稿の画像を読
み取るイメージスキャナ６２と、この読み取った画像の
印刷を用紙上に行うプリンタ６３と、タッチパネルシス
テム１と、マイコンなどで構成され複写機６１を集中的
に制御するメイン制御部６４とから構成されている。そ
して、タッチパネル２は、ディスプレイであるＬＣＤパ
ネル９上に配置されていて、ＬＣＤパネル９は、この電
子機器の操作メニュー画面を表示し、ユーザが操作メニ
ュー画面内のボタン押下したことをタッチパネル２によ
って検出している。

【００３３】ＬＣＤパネル９へのデータ表示について説
明すると、まず、ＣＰＵ５１はＲＯＭ５３から表示情報
を取り込み、ＬＣＤコントローラ５５へと送出する。Ｌ
ＣＤコントローラ５５は、この表示情報からビットマッ
プを形成して表示メモリ５６に格納し、これを周期的に
読み出すことによりＬＣＤパネル９に画像を表示する。

【００３４】次に、記憶演算部３０による、タッチパネ
ル２の押圧位置の座標を検出する動作を、図３〜６を参
照して説明する。タッチパネル２の押圧位置の座標を検
出する動作は、．電極基準電位（オフセット）測定動作．押圧検出動作．Ｘ座標測定動作．Ｙ座標測定動作から構成される。

【００３５】最初に電極基準電位（オフセット）測定動
作について、図３を参照して説明する。この電極基準電
位測定動作は、基準電位測定手段を実現するものであ
る。図３に示すように、まず、ＣＰＵ５１は、Ｉ／Ｏポ
ート設定コマンドを１Ａｈに設定する（ステップＳ
１）。これにより、アナログスイッチ１２，１４の接点
が閉じ、アナログスイッチ１３，１５，１６の接点が開
放され、上部透明抵抗膜３に直流電源１１からＸ座標軸
方向の電圧が印加される。また、マルチプレクサ４１の
入力としてボルテージフォロワ回路２０が選択され、電
極５のアナログ値の電位が、Ａ／Ｄ変換器４２によって
８ビットのディジタル電位情報としてバスライン５４に
出力される。

【００３６】ＣＰＵ５１は、アナログスイッチ１２〜１
６の接点切替に必要な時間待った後（ステップＳ２）、
Ｘ座標基準電位情報取得処理（ステップＳ３）を行う。
このＸ座標基準電位情報取得処理の詳細は図４に示すサ
ブルーチンのフローチャートのとおりである。すなわ
ち、図４に示すように、バスライン５４に出力された前
記電位情報を所定回数サンプリングし（ステップＳ１
１）、得られたデータを平均化して（ステップＳ１
２）、その平均値をＸ座標基準電位情報（ＯＦＦＳＥＴ
＿Ｘ₊）としてＲＡＭ５２に格納する（ステップＳ１
３）。ステップＳ１３により、記憶手段を実現してい
る。

【００３７】図３に示すように、Ｘ座標基準電位情報取
得処理（ステップＳ３）後、ＣＰＵ５１は、Ｉ／Ｏポー
ト設定コマンドを５Ａｈに設定する（ステップＳ４）。
これにより、マルチプレクサ４１の入力としてボルテー
ジフォロワ回路２１が選択され、電極６のアナログ値の
電位が、Ａ／Ｄ変換器４２によって８ビットのディジタ
ル電位情報としてバスライン５４に出力される。

【００３８】そして、ＣＰＵ５１は、Ｘ座標基準電位情
報取得処理（ステップＳ５）を行う。このＸ座標基準電
位情報取得処理の詳細は、前記同様、図４に示すとおり
である。すなわち、バスライン５４の電位情報を所定回
数サンプリングし（ステップＳ１１）、得られたデータ
を平均化し（ステップＳ１２）、その平均値をＸ座標基
準電位情報（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ_-）としてＲＡＭ５２に
格納する（ステップＳ１３）。

【００３９】Ｙ座標軸方向についても同様に基準電位情
報を取得する。すなわち、ＣＰＵ５１は、Ｉ／Ｏポート
設定コマンドを３５ｈに設定する（ステップＳ６）。こ
れにより、アナログスイッチ１３，１５の接点が閉じ、
アナログスイッチ１２，１４，１６の接点が開放され、
下部透明抵抗膜４に直流電源１１からＹ座標軸方向の電
圧が印加される。また、マルチプレクサ４１の入力とし
てボルテージフォロワ回路２２が選択され、電極７のア
ナログ値の電位が、Ａ／Ｄ変換器４２によって８ビット
のディジタル電位情報としてバスライン５４に出力され
る。

【００４０】ＣＰＵ５１は、アナログスイッチ１２〜１
６の接点切替に必要な時間待った後で（ステップＳ
７）、Ｙ座標基準電位情報取得処理（ステップＳ８）を
行う。このＹ座標基準電位情報取得処理の詳細は、Ｘ座
標基準電位情報取得処理と同様、図４に示すとおりであ
る。すなわち、バスライン５４に出力された前記電位情
報を所定回数サンプリングし（ステップＳ１１）、得ら
れたデータを平均化して（ステップＳ１２）、その平均
値をＹ座標基準電位情報（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ₊）として
ＲＡＭ５２に格納する（ステップ１３）。

【００４１】次に、ＣＰＵ５１は、Ｉ／Ｏポート設定コ
マンドを７５ｈに設定する。（ステップＳ９）これによ
り、マルチプレクサ４１の入力としてボルテージフォロ
ワ回路２３が選択され、電極８のアナログ値の電位が、
Ａ／Ｄ変換器４２によって８ビットのディジタル電位情
報としてバスライン５４に出力される。

【００４２】そして、ＣＰＵ５１は、アナログスイッチ
１２〜１６の接点切替に必要な時間待った後で（ステッ
プＳ７）、Ｙ座標基準電位情報取得処理（ステップＳ
８）を行う。このＹ座標基準電位情報取得処理の詳細
は、Ｘ座標基準電位情報取得処理と同様、図４に示すと
おりである。すなわち、バスライン５４の電位情報を所
定回数サンプリングし（ステップＳ１１）、得られたデ
ータを平均化することにより（ステップＳ１２）、Ｙ座
標基準電位情報（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ_-）としてＲＡＭ５
２に格納する（ステップＳ１３）。以上のステップＳ１
〜Ｓ１０，Ｓ１１〜Ｓ１３の繰り返しにより、電極基準
電位測定動作はなされる。

【００４３】次に、押圧検出動作について、図５を参照
して説明する。この押圧検出動作は押圧検出手段を実現
するものである。

【００４４】すなわち、図５に示すように、ＣＰＵ５１
は、Ｉ／Ｏポート設定コマンドを０７ｈに設定する（ス
テップＳ２１）。これにより、アナログスイッチ１５，
１６の接点が閉じ、アナログスイッチ１２〜１４の接点
が開放される。また、マルチプレクサ４１の入力として
ボルテージフォロワ回路２０が選択され、電極７のアナ
ログ値の電位が、Ａ／Ｄ変換器４２によって８ビットの
ディジタル電位情報としてバスライン５４に出力され
る。タッチパネル２が押圧されない状態では、上部透明
抵抗膜３上の電圧はその座標位置に関わらず直流電源１
１の出力する電圧となっている。つまり、バスライン５
４に出力されるディジタル電位情報は、常に“２５５”
である。そして、ＣＰＵ５１は、アナログスイッチ１２
〜１６の接点切替に必要な時間待った後で（ステップＳ
２２）、バスライン５４に出力される前記ディジタル電
位情報を所定のタイミングでポーリングする（ステップ
Ｓ２３）。以上のステップＳ２１〜Ｓ２３の繰り返しに
より、押圧検出動作はなされる。

【００４５】そして、タッチパネル２上を指やペン先等
で押圧すると、押圧した箇所において重ね合わせた上部
透明抵抗膜３と下部透明抵抗膜４とが接触する。このと
き、電極８は直流電源１１の接地（ＧＮＤ）端子と接続
されているため、電極５から押圧点の位置までの距離に
対応する上部透明抵抗膜３の内部抵抗値Ｒ₂に対する分
圧抵抗値と、押圧点の位置から電極８までの距離に対応
する下部透明抵抗膜４の内部抵抗値Ｒ₃に対する分圧抵
抗値との合成インピーダンスを介して接地される。ここ
で、検出抵抗１８の値を内部抵抗値Ｒ₂、Ｒ₃と比較して
十分大きくすることで、この合成インピーダンスは無視
でき、バスライン５４に出力されるディジタル電位情報
は、ほぼ“０”となる。そして、ＣＰＵ５１は、ポーリ
ングしているバスライン５４に出力されるディジタル電
位情報が“２５５”から“０”に変化したことを検出し
て、タッチパネル２の押圧があったことを判断できる。

【００４６】次に、Ｘ座標測定動作について、図６を参
照して説明する。このＸ座標測定動作は座標測定手段を
実現するものである。

【００４７】まず、ＣＰＵ５１は、Ｉ／Ｏポート設定コ
マンドを７Ａｈに設定する（ステップＳ３１）。これに
より、アナログスイッチ１２，１４の接点が閉じ、アナ
ログスイッチ１３，１５，１６の接点が開放され、上部
透明抵抗膜３にＸ座標軸方向の電圧が印加される。ま
た、マルチプレクサ４１の入力としてボルテージフォロ
ワ回路２３が選択され、電極８のアナログ値の電位が、
Ａ／Ｄ変換器４２によって８ビットのディジタル電位情
報としてバスライン５４に出力される。

【００４８】タッチパネル２上を指やペン先等で押圧す
ると、押圧した箇所において重ね合わせた上部透明抵抗
膜３と下部透明抵抗膜４とが接触する。このとき直流電
源１１から電圧が印加されている上部透明抵抗膜３と直
交する下部透明抵抗膜４の電極７，８に、漏れ電流によ
る電位が検出される。すなわち、電極５，６間における
押圧点の位置が、上部透明抵抗膜３の内部抵抗値Ｒ₂に
対する抵抗分圧値として検出できる。このとき、押圧点
の位置から電極８までの距離に対応する下部透明抵抗膜
４の内部抵抗値Ｒ₃に対する分圧抵抗値は、ボルテ−ジ
フォロワ回路２３の入力インピ−ダンスが非常に高いこ
とより無視することができる。

【００４９】ＣＰＵ５１は、アナログスイッチ１２〜１
６の接点切替に必要な時間待った後（ステップＳ３
２）、Ｘ座標電位情報取得処理（ステップＳ３３）を行
う。このＸ座標基準電位情報取得処理の詳細は、図４に
示すとおりである。すなわち、バスライン５４の電位情
報を所定回数サンプリングし（ステップＳ１１）、得ら
れたデータを平均化して（ステップＳ１２）、その平均
値をＸ座標電位情報（ＤＡＴＡ＿Ｘ）としてＲＡＭ５２
に格納する。（ステップＳ１３）。

【００５０】最後に、Ｙ座標測定動作について、図７を
参照して説明する。このＹ座標測定動作は座標測定手段
を実現するものである。

【００５１】図７に示すように、まず、ＣＰＵ５１は、
Ｉ／Ｏポート設定コマンドを５５ｈに設定する（ステッ
プＳ４１）。これにより、アナログスイッチ１３，１５
の接点が閉じ、アナログスイッチ１２，１４，１６の接
点が開放され、下部透明抵抗膜４にＹ座標軸方向の電圧
が印加される。また、マルチプレクサ４１の入力として
ボルテージフォロワ回路２１が選択され、電極６のアナ
ログ値の電位が、Ａ／Ｄ変換器４２によって８ビットの
ディジタル電位情報としてバスライン５４に出力され
る。

【００５２】前記したＸ座標測定動作と同様に、今度は
直流電源１１から電圧が印加されている下部透明抵抗膜
４と直交する上部透明抵抗膜３の電極５，６に、漏れ電
流による電位が検出される。すなわち、電極７，８間の
距離に対する押圧点の位置が、下部透明抵抗膜４の内部
抵抗値Ｒ₃に対する抵抗分圧値として検出できる。

【００５３】ＣＰＵ５１は、アナログスイッチ１２〜１
６の接点切替に必要な時間待った後（ステップＳ４
２）、Ｙ座標電位情報取得処理（ステップＳ３３）を行
う。このＹ座標電位情報取得処理の詳細は、図４に示す
とおりである。すなわち、バスライン５４の電位情報を
所定回数サンプリングし（ステップＳ１１）、得られた
データを平均化し（ステップＳ１２）、その平均値をＹ
座標電位情報（ＤＡＴＡ＿Ｙ）としてＲＡＭ５２に格納
する。（ステップＳ１３）。

【００５４】ここで、図６、図７に示す処理により、Ｘ
座標電位情報（ＤＡＴＡ＿Ｘ）、Ｙ座標電位情報（ＤＡ
ＴＡ＿Ｙ）をタッチパネル２の押圧位置のｘｙ座標に変
換する手段について、図８を参照して説明する。かかる
処理は、座標演算手段を実現するものである。図８は、
上部透明抵抗膜３、タッチパネル制御装置１０を含むＸ
座標軸上の回路構成を模式的に示すブロック図である。
図８において、Ａ点はアナログスイッチ１２の電源１１
側の端子、Ｂ点は電極５、Ｃ点はタッチパネル２上のＸ
座標軸上の押圧点、Ｄ点は電極６、Ｅ点はアナログスイ
ッチ１４の電源１１の接地（ＧＮＤ）端子である。

【００５５】まず、アナログスイッチ１２のオン抵抗を
ｒ₁₂、アナログスイッチ１４のオン抵抗をｒ₁₄、上部透
明抵抗膜３の内部抵抗をＲ₂とし、電極５，６間の距離
Ｌ₂に対する（電極６を基準としたときの）押圧点（Ｃ
点）の距離Ｌ_Xを算出する。すなわち、図８において、
電源１１から見たときの回路合成インピーダンスは、ｒ
₁₂＋Ｒ₂＋ｒ₁₄となり、アナログスイッチ１２，１４の
オン抵抗ｒ₁₂，ｒ₁₄による電圧降下が，タッチパネル２
の押圧位置のＸ座標の特定に対する誤差となる。

【００５６】さて、記憶演算部３０は、既に説明したよ
うに、電極基準電位測定動作においてＸ座標基準電位情
報ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ₊，ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ_-を（ステップ
Ｓ３，Ｓ１０）、Ｘ座標測定動作においてディジタル電
位情報Ｘ＿ＤＡＴＡを（ステップ４３）、それぞれ検出
して、ＲＡＭ５２に格納した。Ａ／Ｄ変換器４２のＡ／
Ｄ変換の基準電圧Ｖ_refを電源１１の電圧としたとき、
Ａ点の電位のディジタル値は“２５５”であり、Ｅ点の
電位のディジタル値は“０”となる。更にＢ点の電位の
デジタル値はＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ₊、Ｃ点の電位のデジタ
ル値はＸ＿ＤＡＴＡ、Ｄ点の電位のデジタル値はＯＦＦ
ＳＥＴ＿Ｘ_-となる。

【００５７】アナログスイッチ１２，１４のオン抵抗ｒ
₁₂、ｒ₁₄による電圧降下分を除去すると、求める距離Ｌ
_Xは次式で与えられる。

【００５８】Ｌ_X＝Ｌ₂×（Ｘ＿ＤＡＴＡ−ＯＦＦＳＥＴ
＿Ｘ_-）／（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ₊−ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ_-）同様に、アナログスイッチ１３のオン抵抗をｒ₁₃、アナ
ログスイッチ１５のオン抵抗をｒ₁₅、下部透明抵抗膜４
の内部抵抗をＲ₃とし、電極７，８間の距離Ｌ₃に対する
（電極８を基準としたときの）押圧点の距離Ｌ_Yは次式
で与えられる。

【００５９】Ｌ_Y＝Ｌ₃×（Ｙ＿ＤＡＴＡ−ＯＦＦＳＥＴ
＿Ｙ_-）／（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ₊−ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ_-）このようなタッチパネルシステム１によれば、前記した
ような電極基準電位測定動作を実行することにより、タ
ッチパネル２への電圧印加状態と離間状態に用いるアナ
ログスイッチ１２〜１６のオン抵抗が、かなりのバラツ
キを有していても、また、温度環境、経年変化に起因し
てバラツキを有していた場合であっても、調整等の操作
をすることなく常に押圧位置を算出可能である。

【００６０】しかしながら、ユーザがタッチパネル２上
のある特定点を押圧してから、次の〜の一連の処理
が必要であり、各々の処理にはアナログスイッチ１２〜
１６の切り替え処理、アナロスイッチ１２〜１６の切り
替えによるチャタリング除去（ステップＳ２，Ｓ７，Ｓ
２２，Ｓ３２，Ｓ４２の所定時間待機する処理）、電位
情報を複数回取得する平均化処理（ステップＳ１２）に
かなりの時間を要することになる。

【００６１】Ｘ座標基準電位情報（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ
₊）を取得する処理Ｘ座標基準電位情報（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ_-）を取得す
る処理Ｙ座標基準電位情報（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ₊）を取得す
る処理Ｙ座標基準電位情報（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ_-）を取得す
る処理Ｘ座標電位情報（ＤＡＴＡ＿Ｘ）を取得する処理Ｙ座標電位情報（ＤＡＴＡ＿Ｙ）を取得する処理タッチパネル２の押圧位置のｘｙ座標を特定する処理

【００６２】ところで、アナログスイッチ１２〜１６の
オン抵抗、温度環境は、１日あるいは１週間といった程
度の期間で急激に変化することはない。

【００６３】そこで、前記〜の電極基準電位測定動
作（図３の処理）で１度測定してＲＡＭ５２に記憶し
た、Ｘ座標基準電位情報（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ₊），Ｘ座
標基準電位情報（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ_-），Ｙ座標基準電
位情報（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ₊），Ｙ座標基準電位情報
（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ_-）は、タッチパネル２の押圧位置
のｘｙ座標を特定する処理を複数回行うのに用いる。す
なわち、図３の処理後、ユーザがタッチパネル２上のあ
る特定点を押圧した場合、前記のＸ座標電位情報（Ｄ
ＡＴＡ＿Ｘ）取得処理、および、Ｙ座標電位情報（Ｄ
ＡＴＡ＿Ｙ）取得処理を行い、タッチパネル２の押圧位
置のｘｙ座標を特定する処理を複数回行うのに、ＲＡＭ
５２に格納した同一の各基準電位情報を用いる。

【００６４】これにより、アナログスイッチ１２〜１６
のオン抵抗バラツキ、温度環境、経年変化に起因するバ
ラツキに対する処置である電極基準電位（オフセット）
測定動作を使用し、かつ処理時間を大幅に短縮すること
が可能となる。

【００６５】具体的には、複写機６１にメイン電源スイ
ッチが投入されて、タッチパネル２の押圧位置のｘｙ座
標の演算が可能となるようにタッチパネルシステム１の
電源がＯＮになった後、次に当該電源がＯＦＦになるま
での間で、前記〜の電極基準電位測定動作（図３の
処理）、および、その値をＲＡＭ５２に記憶する回数
を、タッチパネルシステム１の電源が投入された際の１
回だけに設定している。

【００６６】よって、複写機６１の各電子部品から発生
するノイズが、電極基準電位（オフセット）測定動作
（図３の処理）に影響を及ぼすことがなく、精度の良い
電極基準電位（オフセット）測定動作が可能となる。

【００６７】この場合に、タッチパネルシステム１の電
源がＯＮになった後に電極基準電位（オフセット）の測
定（図３の処理）、および、それらの値のＲＡＭ５２へ
の記憶を行って後、次にタッチパネルシステム１の電源
がＯＦＦになる前であっても、所定の条件が達成された
ときは、電極基準電位（オフセット）測定動作（図３の
処理）、および、その値をＲＡＭ５２に記憶する動作を
再度行う。

【００６８】これにより、アナログスイッチ１２〜１６
のオン抵抗に起因する電圧降下を算出し直し、これを除
去することによってｘｙ座標軸上における押圧位置の座
標を正確に特定することができる。

【００６９】かかる場合にタッチパネルシステム１が行
う具体的な処理について、図９のフローチャートを参照
して説明する。図９に示すように、まず、タッチパネル
システム１の電源がＯＮになると、ＲＡＭ５２などのデ
バイスの初期化処理を行う（ステップＳ５１）。そし
て、電極基準電位測定動作（図３の処理）を前記のとお
り行ない（ステップＳ５２）、ｘ座標測定処理（図６の
処理）を行って（ステップＳ５３）、押圧検出動作（図
５の処理）によりタッチパネル２の押圧が検出されたか
否かを判断し（ステップＳ５４）、あるときは（ステッ
プＳ５４のＹ）、ｘ座標測定処理で得られたＸ座標電位
情報（ＤＡＴＡ＿Ｘ）をＲＡＭ５２に格納する（ステッ
プＳ５５）。そして、ｙ座標測定処理（図７の処理）を
行って（ステップＳ５６）、得られたｙ座標電位情報
（ＤＡＴＡ＿Ｙ）をＲＡＭ５２に格納する（ステップＳ
５７）。そして、電極基準電位測定動作（ステップＳ５
２）でＲＡＭ５２に格納した各基準電位情報をＣＰＵ５
１がＲＡＭ５２から読み込み（ステップＳ５８）、タッ
チパネル２の押圧位置のｘｙ座標を演算する（ステップ
Ｓ５９）。

【００７０】タッチパネル２の押圧が検出されなかった
ときは（ステップＳ５４のＮ）、前記の所定の条件が達
成されたか否かを判断する（ステップＳ６０）。

【００７１】所定の条件としては、例えば、タッチパネ
ル２上を指やペン先等で押圧した累積回数が予め設定さ
れた所定の回数に達すること、または、超えること、と
することができる。この場合は、記憶演算部３０には所
定の図示しないカウンタを用意し、このカウンタでタッ
チパネル２上を押圧した累積回数をカウントするように
すればよい。タッチパネル２上の押圧があったか否か
は、前記のように押圧検出動作（図５の処理）で検出す
ることができるので、Ｘ座標測定処理（ステップＳ５
３）状態にハードウェアを設定し、電極８のアナログ値
の電位を８ビットのディジタル値の電位情報として所定
のサンプリング時間でポーリングする制御を実行してい
るときに検出する。ＣＰＵ５１は、ステップＳ５４にお
いて、タッチパネル２の押圧がなされたことを検出した
場合（ステップＳ５４のＹ）、すなわちポーリング中の
Ｘ座標電位情報（Ｘ＿ＤＡＴＡ）の変化があった場合
は、記憶演算部３０の図示しないカウンタの値をインク
リメントする。

【００７２】また、所定の条件としては、例えば、所定
の時点からの経過時間が予め設定された所定の時間に達
すること、または、超えること、とすることができる。
この場合は、所定の時点、例えば、タッチパネルシステ
ム１電源がＯＮとなった時点から計時を行う図示しない
タイマを記憶演算部３０に用意する。そして、このタイ
マは、予め設定された所定の時間に達したとき割り込み
を発生するように構成されている。

【００７３】このような所定の条件が成立したときは
（ステップＳ６０のＹ）、ステップＳ５１に戻る。これ
により、再度初期化がなされて（ステップＳ５１）、前
記の図示しないカウンタやタイマもリセットされる。そ
して、電極基準電位測定動作（図３の処理）が再度行な
われ、ＲＡＭ５２に格納される（ステップＳ５２）。所
定の条件が成立していないときは（ステップＳ６０の
Ｙ）、ステップＳ６０の判断に戻る。

【００７４】図９に示すような処理を行うことにより、
タッチパネルシステム１への電源が長時間ＯＦＦにされ
ずに、アナログスイッチ１２〜１６のバラツキが発生し
そうなときには、電極基準電位測定動作（ステップＳ５
２）を再度行って、新たに測定した、Ｘ座標基準電位情
報（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ₊），Ｘ座標基準電位情報（ＯＦ
ＦＳＥＴ＿Ｘ_-），Ｙ座標基準電位情報（ＯＦＦＳＥＴ
＿Ｙ₊），Ｙ座標基準電位情報（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ_-）を
ＲＡＭ５２に格納して用いることで、アナログスイッチ
１２〜１６のオン抵抗に起因する電圧降下を算出し直
し、これを除去することによって、タッチパネル２上の
押圧位置のｘｙ座標を正確に特定することができる。

【００７５】さらに、本方式では、タッチパネル制御装
置１０の制御のタスク内部で実現可能であり、割り込み
等の面倒な処理を必要としない。

【００７６】そのうえ、所定の条件としては、所定の時
点からの経過時間が予め設定された所定の時間に達する
こと、または、超えること、であるとする場合には、ア
ナログスイッチ１２〜１６のオン抵抗の経年変化に対
し、時間という概念で対応できるメリットもある。

【００７７】次に、タッチパネル２とＬＣＤパネル９と
のキャリブレーション動作について説明する。分解能を
ＶＧＡサイズ（６４０dot×４８０dot）であるＬＣＤパ
ネル９上の点ａ（０，０）に×印を表示し、ユーザの×
印押圧によりＡ点のｘｙ座標Ａ（ｘ_A，ｙ_A）を得る。次
に、ＬＣＤパネル９上の点ｂ（６３９，４７９）に×印
を表示し、ユーザの×印押圧によりＢ点のｘｙ座標Ｂ
（ｘ_B，ｙ_B）を得る。このデータは、キャリブレーショ
ン動作を行う為の補正用データとして、ＮＶ−ＲＡＭ５
７に保存する。そして、ＬＣＤパネル９上の点ｐ（ｘ_p,
ｙ_p）を押圧した場合、キャリブレーション補正処理後
の押圧位置のｘｙ座標Ｐ（Ｘ，Ｙ）は次式で求められ
る。

【００７８】Ｘ＝６３９×（Ｘ_P−Ｘ_A）／（Ｘ_B−Ｘ_A）Ｙ＝４７９×（Ｙ_P−Ｙ_A）／（Ｙ_B−Ｙ_A）ただし、Ｘ_p＝（ｘ_p−ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ_-）／（ＯＦＦＳＥＴ＿
Ｘ₊−ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ_-）Ｘ_A＝（ｘ_A−ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ_-）／（ＯＦＦＳＥＴ＿
Ｘ₊−ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ_-）Ｘ_B＝（ｘ_B−ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ_-）／（ＯＦＦＳＥＴ＿
Ｘ₊−ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ_-）Ｙ_p＝（ｙ_p−ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ_-）／（ＯＦＦＳＥＴ＿
Ｙ₊−ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ_-）Ｙ_A＝（ｙ_A−ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ_-）／（ＯＦＦＳＥＴ＿
Ｙ₊−ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ_-）Ｙ_B＝（ｙ_B−ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ_-）／（ＯＦＦＳＥＴ＿
Ｙ₊−ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ_-）である。

【００７９】前記のように、キャリブレーション動作実
行時には、Ｘ座標基準電位情報（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ₊）を取得す
る処理Ｘ座標基準電位情報（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ_-）を取得す
る処理Ｙ座標基準電位情報（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ₊）を取得す
る処理Ｙ座標基準電位情報（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ_-）を取得す
る処理を実行し、各基準電位情報をＲＡＭ５２に格納する。そ
の後、ユーザがタッチパネル２上のキャリブレーション
所定点を押圧した場合、Ｘ座標電位情報（ＤＡＴＡ＿Ｘ）を取得する処理Ｙ座標電位情報（ＤＡＴＡ＿Ｙ）を取得する処理を行い、ＲＡＭ５２に格納した各基準電位情報を用いて
補正処理を行い、押圧位置のｘｙ座標を特定するように
する（キャリブレーション動作時の押圧点の特定処理
は、前記したｘｙ座標を特定する処理と同一である）。
これにより、キャリブレーション手段を実現している。

【００８０】このように、キャリブレーション動作実行
時には、アナログスイッチ１２〜１６のオン抵抗バラツ
キ、温度環境、経年変化に起因するバラツキに対する処
置である前記〜の電極基準電位（オフセット）測定
動作で求めた値を使用し、通常時には、タッチパネル２
の押圧位置のｘｙ座標を特定する処理時間を大幅に短縮
することが可能となる。

【００８１】なお、前記の例では、タッチパネルシステ
ム１を搭載した電子機器の例として、複写機６１の例で
説明したが、タッチパネルシステム１を搭載した電子機
器は、複写機６１に限定されるものではなく、プリン
タ、ファクシミリ装置など、各種の電子機器にタッチパ
ネルシステム１を搭載することができる。

【００８２】

【発明の効果】請求項１に記載の発明は、アナログスイ
ッチ等のスイッチのオン抵抗バラツキ、温度環境、経年
変化によるバラツキを除去できる。また、１度測定され
た基準となる電位を複数回のｘｙ座標の演算に用いるよ
うにしているので、毎回のｘｙ座標の演算ごとに新たに
基準となる電位を求める場合に比べ、ｘｙ座標の演算の
処理速度が高速である。

【００８３】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
のタッチパネルシステムにおいて、ｘｙ座標の演算の処
理速度を大幅に高速化することができる。

【００８４】請求項３に記載の発明は、請求項２に記載
のタッチパネルシステムにおいて、所定の条件が達成さ
れたときに、アナログスイッチなどで構成されるスイッ
チのオン抵抗に起因する電圧降下を算出し直し、これを
除去することによってｘｙ座標軸上における押圧位置の
座標を正確に特定することができる。

【００８５】請求項４に記載の発明は、請求項３に記載
のタッチパネルシステムにおいて、タッチパネルの押圧
の回数が所定の回数に達した、または、超えたときは、
アナログスイッチなどで構成されるスイッチのオン抵抗
に起因する電圧降下を算出し直し、これを除去すること
によってｘｙ座標軸上における押圧位置の座標を正確に
特定することができる。

【００８６】請求項５に記載の発明は、請求項３に記載
のタッチパネルシステムにおいて、所定の時点からの経
過時間が予め設定された所定の時間に達した、または、
超えたときは、アナログスイッチなどで構成されるスイ
ッチのオン抵抗に起因する電圧降下を算出し直し、これ
を除去することによってｘｙ座標軸上における押圧位置
の座標を正確に特定することができる。また、アナログ
スイッチなどのスイッチのオン抵抗の経年変化に対し、
時間という概念で対応することができる。

【００８７】請求項６に記載の発明は、請求項１または
２に記載のタッチパネルシステムにおいて、キャリブレ
ーション動作実行時には、アナログスイッチなどのスイ
ッチのオン抵抗バラツキ、温度環境、経年変化に起因す
るバラツキに対する処置である基準電位測定手段で求め
た値を使用し、通常時には、タッチパネルの押圧位置の
ｘｙ座標を特定する処理時間を大幅に短縮することが可
能となる。

【００８８】請求項７に記載の発明は、請求項１〜６の
いずれかの一に記載された発明と同様の作用、効果を奏
する。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施の形態であるタッチパネルシ
ステムの電気的な接続を示すブロック図である。

【図２】前記タッチパネルシステムを備えた複写機の概
略構成を示すブロック図である。

【図３】前記タッチパネルシステムが行う電極基準電位
測定動作の処理を説明するフローチャートである。

【図４】前記電極基準電位測定動作中のｘ座標基準電位
情報取得、ｙ座標基準電位情報取得の処理の詳細を説明
するフローチャートである。

【図５】前記タッチパネルシステムが行う押圧検出動作
の処理を説明するフローチャートである。

【図６】前記タッチパネルシステムが行うｘ座標測定動
作の処理を説明するフローチャートである。

【図７】前記タッチパネルシステムが行うｙ座標測定動
作の処理を説明するフローチャートである。

【図８】前記タッチパネルシステムの上部透明抵抗膜、
タッチパネル制御装置を含むＸ座標軸上の回路構成を模
式的に示すブロック図である。

【図９】前記タッチパネルシステムがタッチパネル上の
押圧位置のｘｙ座標を求めるための一連の処理を説明す
るフローチャートである。

【符号の説明】

１タッチパネルシステム２タッチパネル３抵抗膜４抵抗膜１１電源１２スイッチ１３スイッチ１４スイッチ１５スイッチ１６スイッチ２０電圧センサ２１電圧センサ２２電圧センサ２３電圧センサ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】線形特性の抵抗値を示す１対の抵抗膜を
重ね合わせたパネルで、パネル面に対して押圧がされた
ときは前記両抵抗膜が接触し押圧されていないときは接
触となることが可能なタッチパネルと、前記一方の抵抗膜には前記パネル面のｘ座標方向に通電
し、また、前記他方の抵抗膜には前記パネル面のｙ座標
方向に通電する電源と、この前記各抵抗膜への前記通電の態様を切り換えるスイ
ッチと、前記各抵抗膜の所定位置での電位を測定する電圧センサ
と、前記切り換えを行って前記各抵抗膜における基準となる
電位を前記電圧センサで測定する基準電位測定手段と、この基準電位の値を記憶する記憶手段と、前記切り換えを行って前記押圧がなされた位置の座標情
報となる電位を前記電圧センサで測定する座標測定手段
と、前記記憶手段に記憶されている基準となる電位を用い前
記座標測定手段で測定された前記座標情報となる電位か
ら前記押圧がなされた位置の前記パネル面上でのｘｙ座
標を演算により求める座標演算手段と、を備えていて、前記座標演算手段は、前記基準電位測定手段で１度測定
された前記基準となる電位を複数回の前記ｘｙ座標の演
算に用いるものであるタッチパネルシステム。
【請求項２】前記基準電位測定手段および前記記憶手
段は、前記ｘｙ座標の演算を可能とするように本タッチ
パネルシステムの電源がＯＮになって後次に当該電源が
ＯＦＦになるまでの間で前記基準となる電位の測定およ
びその値の前記記憶を行う回数を１回に設定している請
求項１に記載のタッチパネルシステム。
【請求項３】前記基準電位測定手段および前記記憶手
段は、前記電源がＯＮになった後に前記基準となる電位
の測定およびその値の前記記憶を行って後次に当該電源
がＯＦＦになる前であっても、所定の条件が達成された
ときは前記基準となる電位の測定およびその値の前記記
憶を再度行うものである請求項２に記載のタッチパネル
システム。
【請求項４】前記押圧がなされたことを検出する押圧
検出手段と、この検出した押圧の回数をカウントするカウンタと、を
備え、前記基準電位測定手段および前記記憶手段は、前記カウ
ント値が予め設定された所定の回数に達するまたは超え
ることを前記所定の条件の達成としている請求項３に記
載のタッチパネルシステム。
【請求項５】所定の時点から計時を行うタイマを備
え、前記基準電位測定手段および前記記憶手段は、前記タイ
マの計時時間が予め設定された所定の時間に達するまた
は超えることを前記所定の条件の達成としている請求項
３に記載のタッチパネルシステム。
【請求項６】前記タッチパネルが重ね合わされて配置
されて画像を表示するディスプレイと、所定の補正値を用いて前記タッチパネルの押圧位置と前
記ディスプレイに表示された位置とが一致するように前
記座標演算手段で求めたｘｙ座標を補正するキャリブレ
ーション手段と、を備えている請求項１または２に記載
のタッチパネルシステム。
【請求項７】請求項１〜６のいずれかの一に記載され
たタッチパネルシステムを備えた電子機器。