JPH11353100A - 抵抗膜接触型タッチパネル制御装置及び制御方法 - Google Patents
抵抗膜接触型タッチパネル制御装置及び制御方法Info
- Publication number
- JPH11353100A JPH11353100A JP16094998A JP16094998A JPH11353100A JP H11353100 A JPH11353100 A JP H11353100A JP 16094998 A JP16094998 A JP 16094998A JP 16094998 A JP16094998 A JP 16094998A JP H11353100 A JPH11353100 A JP H11353100A
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- JP
- Japan
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- switching means
- coordinate axis
- electrode
- axis direction
- potential
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アナログスイッチのオン抵抗の調整や補正を
行うことなく常に正確な押圧位置を算出すること。 【解決手段】 各電極に接続され、各電極のアナログ値
の電位を検出する電極電位検出手段と、電極電位検出手
段が検出したアナログ値の電位をディジタル電位に変換
してディジタル値の電位情報を出力するアナログ／ディ
ジタル変換手段と、アナログ／ディジタル変換手段より
得られるディジタル値の電位情報に基づいて所定の押圧
座標特定演算を行い、抵抗膜接触型タッチパネルのパネ
ル上の押圧点の座標位置を特定する記憶演算手段を有す
る。
行うことなく常に正確な押圧位置を算出すること。 【解決手段】 各電極に接続され、各電極のアナログ値
の電位を検出する電極電位検出手段と、電極電位検出手
段が検出したアナログ値の電位をディジタル電位に変換
してディジタル値の電位情報を出力するアナログ／ディ
ジタル変換手段と、アナログ／ディジタル変換手段より
得られるディジタル値の電位情報に基づいて所定の押圧
座標特定演算を行い、抵抗膜接触型タッチパネルのパネ
ル上の押圧点の座標位置を特定する記憶演算手段を有す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＯＡ機器やＡＶ機
器に用いられる抵抗膜接触型タッチパネルの押圧位置の
検出制御を行う制御装置に関し、特に、一対の抵抗膜に
印加する電圧印加電源の切り換えを行う切換手段の接触
抵抗値およびその経年変化や温度変化に影響されずに、
正確な押圧位置の特定を行うことができる抵抗膜接触型
タッチパネル制御装置に関する。
器に用いられる抵抗膜接触型タッチパネルの押圧位置の
検出制御を行う制御装置に関し、特に、一対の抵抗膜に
印加する電圧印加電源の切り換えを行う切換手段の接触
抵抗値およびその経年変化や温度変化に影響されずに、
正確な押圧位置の特定を行うことができる抵抗膜接触型
タッチパネル制御装置に関する。
【０００２】また本発明は、抵抗膜接触型タッチパネル
の押圧位置の検出制御を行う抵抗膜接触型タッチパネル
制御装置の制御方法に関し、特に、一対の抵抗膜と電圧
印加電源との間に複数のスイッチを設け、この複数のス
イッチの切換状態によって、各座標の押圧位置検出及び
押圧イベント検出を行う抵抗膜接触型タッチパネル制御
装置の制御方法に関する。
の押圧位置の検出制御を行う抵抗膜接触型タッチパネル
制御装置の制御方法に関し、特に、一対の抵抗膜と電圧
印加電源との間に複数のスイッチを設け、この複数のス
イッチの切換状態によって、各座標の押圧位置検出及び
押圧イベント検出を行う抵抗膜接触型タッチパネル制御
装置の制御方法に関する。
【０００３】
【従来の技術】従来この種の抵抗膜接触型タッチパネル
制御装置では、一般的に、抵抗膜接触型タッチパネル
は、抵抗値の特性が線形である一対の抵抗膜を絶縁樹脂
等のマイクロスペーサを介して対向させ、通常の状態で
は一対の抵抗膜が接触せず、指あるいはペン先等で押圧
されたときに押圧位置で一対の抵抗膜が接触するような
構造になっており、一方の抵抗膜に所定電圧を印加し、
この押圧による一対の抵抗膜の接触点における抵抗分圧
値を読み取ることにより１次元の座標位置を特定してお
り、これをＸ座標軸方向、Ｙ座標軸方向について順次切
り換えて測定することで、２次元的な座標位置を特定し
ている。
制御装置では、一般的に、抵抗膜接触型タッチパネル
は、抵抗値の特性が線形である一対の抵抗膜を絶縁樹脂
等のマイクロスペーサを介して対向させ、通常の状態で
は一対の抵抗膜が接触せず、指あるいはペン先等で押圧
されたときに押圧位置で一対の抵抗膜が接触するような
構造になっており、一方の抵抗膜に所定電圧を印加し、
この押圧による一対の抵抗膜の接触点における抵抗分圧
値を読み取ることにより１次元の座標位置を特定してお
り、これをＸ座標軸方向、Ｙ座標軸方向について順次切
り換えて測定することで、２次元的な座標位置を特定し
ている。
【０００４】このような抵抗膜接触型タッチパネル制御
装置の具体例としては、例えば、特開平８−２７２５１
４号公報に示すようなものがある（以後、従来技術と言
う）。
装置の具体例としては、例えば、特開平８−２７２５１
４号公報に示すようなものがある（以後、従来技術と言
う）。
【０００５】すなわち、従来技術は、上下層に抵抗層を
設けたアナログタッチパネルを有し、この上下層の接触
時のオン抵抗値による電圧降下から電圧データを抽出
し、この電圧データを基に制御されるアナログタッチパ
ネル制御装置において、記憶装置を備え、一定の時間毎
に電圧データを抽出して、これらを位置参照データとし
て記憶装置に記憶しておき、次に押下される押下位置
を、この押下位置の電圧データと位置参照データを基に
検出している。また、位置参照データの抽出及び記憶
を、装置の電源起動時に自動的に行っている。
設けたアナログタッチパネルを有し、この上下層の接触
時のオン抵抗値による電圧降下から電圧データを抽出
し、この電圧データを基に制御されるアナログタッチパ
ネル制御装置において、記憶装置を備え、一定の時間毎
に電圧データを抽出して、これらを位置参照データとし
て記憶装置に記憶しておき、次に押下される押下位置
を、この押下位置の電圧データと位置参照データを基に
検出している。また、位置参照データの抽出及び記憶
を、装置の電源起動時に自動的に行っている。
【０００６】ここでアナログタッチパネルは、具体的に
は、Ｘ軸方向の電圧データ入力端子であるＸアナログ、
Ｙ軸方向の電圧データ入力端子であるＹアナログ、Ｙ軸
方向の電圧データ入力時にＸ軸方向に＋５Ｖのバイアス
をかけるＸバイアス、Ｘ軸方向電圧データ入力時にＹ軸
方向に＋５ＶのバイアスをかけるＹバイアスの４本の信
号ラインによりアナログ制御回路と接続されている。ア
ナログ制御回路は、アナログタッチパネルから得られた
Ｘ軸方向、及びＹ軸方向の電圧データを増幅するための
アンプや、同方向のスキャンの切り替えを行うためのア
ナログスイッチ等から構成され、アナログ／デジタルコ
ンバータに接続されている。
は、Ｘ軸方向の電圧データ入力端子であるＸアナログ、
Ｙ軸方向の電圧データ入力端子であるＹアナログ、Ｙ軸
方向の電圧データ入力時にＸ軸方向に＋５Ｖのバイアス
をかけるＸバイアス、Ｘ軸方向電圧データ入力時にＹ軸
方向に＋５ＶのバイアスをかけるＹバイアスの４本の信
号ラインによりアナログ制御回路と接続されている。ア
ナログ制御回路は、アナログタッチパネルから得られた
Ｘ軸方向、及びＹ軸方向の電圧データを増幅するための
アンプや、同方向のスキャンの切り替えを行うためのア
ナログスイッチ等から構成され、アナログ／デジタルコ
ンバータに接続されている。
【０００７】アナログ／デジタルコンバータは、Ｘ軸方
向、及びＹ軸方向のアナログ電圧データをディジタル値
に変換するものであり、中央処理装置に接続されてい
る。中央処理装置は、システム全体を制御し、アナログ
タッチパネルのスキャン制御、アナログタッチパネルの
押下位置の検出、接続されている記憶装置の制御等の機
能を有している。記憶装置には、アナログタッチパネル
の押下位置の補正時に参照する位置参照データ（後述す
る）等が記憶される。これにより、一定の時間毎に、ア
ナログタッチパネルの所定位置の電圧データを抽出し
て、これらを位置参照データとして記憶装置に記憶して
おき、次に押下される押下位置を、この押下位置の電圧
データに各位置参照データのずれ量を加算することによ
り検出する。これにより、アナログタッチパネルにおけ
る正確な位置データが得られると記載されている。
向、及びＹ軸方向のアナログ電圧データをディジタル値
に変換するものであり、中央処理装置に接続されてい
る。中央処理装置は、システム全体を制御し、アナログ
タッチパネルのスキャン制御、アナログタッチパネルの
押下位置の検出、接続されている記憶装置の制御等の機
能を有している。記憶装置には、アナログタッチパネル
の押下位置の補正時に参照する位置参照データ（後述す
る）等が記憶される。これにより、一定の時間毎に、ア
ナログタッチパネルの所定位置の電圧データを抽出し
て、これらを位置参照データとして記憶装置に記憶して
おき、次に押下される押下位置を、この押下位置の電圧
データに各位置参照データのずれ量を加算することによ
り検出する。これにより、アナログタッチパネルにおけ
る正確な位置データが得られると記載されている。
【０００８】また、位置参照データの抽出及び記憶を、
装置の電源起動時に自動的に行うので、使用者の使い勝
手が向上する。また、位置参照データの抽出及び記憶
を、装置使用時に手動にて行うことにより、自動的に補
正する時よりも、多数の位置参照データを抽出できるた
め、より正確に位置検出できることが記載されている。
装置の電源起動時に自動的に行うので、使用者の使い勝
手が向上する。また、位置参照データの抽出及び記憶
を、装置使用時に手動にて行うことにより、自動的に補
正する時よりも、多数の位置参照データを抽出できるた
め、より正確に位置検出できることが記載されている。
【０００９】一方、押圧のイベント検出にはさまざまな
方法があり、例えば上記どちらかの座標軸方向の押圧座
標位置測定を実行できる状態に常にアナログスイッチを
設定しておき、タッチパネル押圧と同時に押圧座標位置
測定を行う制御方法が一般的である。
方法があり、例えば上記どちらかの座標軸方向の押圧座
標位置測定を実行できる状態に常にアナログスイッチを
設定しておき、タッチパネル押圧と同時に押圧座標位置
測定を行う制御方法が一般的である。
【００１０】それに対し、耐ノイズ性を考慮し、各座標
軸方向の押圧座標位置測定と異なるアナログスイッチ設
定により、押圧のイベント検出を行う制御方法も提案さ
れている。
軸方向の押圧座標位置測定と異なるアナログスイッチ設
定により、押圧のイベント検出を行う制御方法も提案さ
れている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来技術では、一対の抵抗膜への電圧印加状態と離
間状態の検出を、半導体デバイス（特に、アナログスイ
ッチ）を用いて検出することが主流であるが、アナログ
スイッチについて考えてみると、そのオン抵抗が数１０
０Ωと高く、かつ２〜３倍のバラツキを持っており、そ
の結果、正確な押圧位置を算出するためには、調整等の
操作を要してしまうといった問題点があった。例えば、
代表的なアナログスイッチである４０６６を例にとって
考えてみると、オン抵抗が数１００Ωと高く、かつ２〜
３倍のバラツキを持っている。
うな従来技術では、一対の抵抗膜への電圧印加状態と離
間状態の検出を、半導体デバイス（特に、アナログスイ
ッチ）を用いて検出することが主流であるが、アナログ
スイッチについて考えてみると、そのオン抵抗が数１０
０Ωと高く、かつ２〜３倍のバラツキを持っており、そ
の結果、正確な押圧位置を算出するためには、調整等の
操作を要してしまうといった問題点があった。例えば、
代表的なアナログスイッチである４０６６を例にとって
考えてみると、オン抵抗が数１００Ωと高く、かつ２〜
３倍のバラツキを持っている。
【００１２】また、アナログスイッチのオン抵抗は温度
依存性を持っており、正確な押圧位置を算出するために
は、従来技術では、温度依存性を補正するような温度補
正手段を講ずる必要があるといった問題点もあった。
依存性を持っており、正確な押圧位置を算出するために
は、従来技術では、温度依存性を補正するような温度補
正手段を講ずる必要があるといった問題点もあった。
【００１３】更に加えて、アナログスイッチのオン抵抗
は経年的な変動も無視できないため、長期間にわたって
正確な押圧位置を算出するためには、従来技術では、オ
ン抵抗の経年的な変動を補正するような調整手段を講ず
る必要があるといった問題点もあった。
は経年的な変動も無視できないため、長期間にわたって
正確な押圧位置を算出するためには、従来技術では、オ
ン抵抗の経年的な変動を補正するような調整手段を講ず
る必要があるといった問題点もあった。
【００１４】また、近年ではオン抵抗を十数Ωと低く抑
えたアナログスイッチも製品化されているが、デバイス
の値段が高価でありかつ入手性も決してよくはないとい
った問題点があった。
えたアナログスイッチも製品化されているが、デバイス
の値段が高価でありかつ入手性も決してよくはないとい
った問題点があった。
【００１５】一方、従来技術の制御方法では、抵抗膜接
触型タッチパネルの２次元座標押圧位置特定を実行する
場合、耐ノイズ性を考慮した押圧イベント発生検出動作
にアナログスイッチを設定しておき、押圧を検出して
後、Ｘ座標軸押圧座標位置検出動作及びＹ座標軸押圧座
標位置検出動作を経て、抵抗膜接触型タッチパネルの２
次元座標押圧位置を特定しているが、これらの一連の処
理を完了するまでの間には、アナログスイッチ切換時間
の待機を含めて少なからず時間が経過してしまうため、
ユーザの押下動作と押圧座標位置検出完了のタイミング
がずれてしまう可能性があり、その結果、ユーザが意図
しない２次元座標押圧位置を特定してしまう可能性があ
るといった問題点があった。
触型タッチパネルの２次元座標押圧位置特定を実行する
場合、耐ノイズ性を考慮した押圧イベント発生検出動作
にアナログスイッチを設定しておき、押圧を検出して
後、Ｘ座標軸押圧座標位置検出動作及びＹ座標軸押圧座
標位置検出動作を経て、抵抗膜接触型タッチパネルの２
次元座標押圧位置を特定しているが、これらの一連の処
理を完了するまでの間には、アナログスイッチ切換時間
の待機を含めて少なからず時間が経過してしまうため、
ユーザの押下動作と押圧座標位置検出完了のタイミング
がずれてしまう可能性があり、その結果、ユーザが意図
しない２次元座標押圧位置を特定してしまう可能性があ
るといった問題点があった。
【００１６】また従来技術の制御方法では、電極基準電
位（オフセット）測定動作時にシステムの駆動系等の動
作よりノイズが発生した場合、正確な電極基準電位（オ
フセット）測定ができないだけでなく、起こり得ないオ
ン抵抗の電圧降下に相当する基準電位情報をＲＡＭに格
納してしまう可能性があるといった問題点もあった。
位（オフセット）測定動作時にシステムの駆動系等の動
作よりノイズが発生した場合、正確な電極基準電位（オ
フセット）測定ができないだけでなく、起こり得ないオ
ン抵抗の電圧降下に相当する基準電位情報をＲＡＭに格
納してしまう可能性があるといった問題点もあった。
【００１７】本発明は、このような従来の問題点を解決
することを課題としており、第１に、一対の抵抗膜への
電圧印加状態と離間状態に用いるアナログスイッチ等の
切換手段のオン抵抗が、かなりのバラツキを有してお
り、また温度環境、経年変化に起因してバラツキを有し
ていた場合であっても、調整等の操作をすることなく常
に正確な押圧位置を算出することができる抵抗膜接触型
タッチパネル制御装置を提供すること、上記切換手段の
オン抵抗のバラツキを補正した上で、さらに押圧位置の
検出位置精度を向上させることができる抵抗膜接触型タ
ッチパネル制御装置を提供すること、更に加えて、押圧
イベント発生検出を押下位置座標によらず一定とし、か
つ耐ノイズ性に優れた誤動作のない抵抗膜接触型タッチ
パネル制御装置を提供することを目的としている。
することを課題としており、第１に、一対の抵抗膜への
電圧印加状態と離間状態に用いるアナログスイッチ等の
切換手段のオン抵抗が、かなりのバラツキを有してお
り、また温度環境、経年変化に起因してバラツキを有し
ていた場合であっても、調整等の操作をすることなく常
に正確な押圧位置を算出することができる抵抗膜接触型
タッチパネル制御装置を提供すること、上記切換手段の
オン抵抗のバラツキを補正した上で、さらに押圧位置の
検出位置精度を向上させることができる抵抗膜接触型タ
ッチパネル制御装置を提供すること、更に加えて、押圧
イベント発生検出を押下位置座標によらず一定とし、か
つ耐ノイズ性に優れた誤動作のない抵抗膜接触型タッチ
パネル制御装置を提供することを目的としている。
【００１８】第２に、万が一各座標軸押圧座標位置検出
動作中にユーザの指が離されてしまった場合であって
も、ユーザが意図しない２次元座標押圧位置を抵抗膜接
触型タッチパネル制御装置が特定してしまうようなケー
スを回避して正確な２次元座標押圧位置を検出できる抵
抗膜接触型タッチパネル制御装置の制御方法なことはな
い制御方式を提供すること、電極基準電位（オフセッ
ト）測定動作時にシステムの駆動系等の動作よりノイズ
が発生した場合であっても電極基準電位（オフセット）
測定動作が抵抗膜接触型タッチパネルの２次元座標押圧
位置特定に対して悪影響を及ぼすようなケースを回避で
きる制御方式を提案することを目的とする。
動作中にユーザの指が離されてしまった場合であって
も、ユーザが意図しない２次元座標押圧位置を抵抗膜接
触型タッチパネル制御装置が特定してしまうようなケー
スを回避して正確な２次元座標押圧位置を検出できる抵
抗膜接触型タッチパネル制御装置の制御方法なことはな
い制御方式を提供すること、電極基準電位（オフセッ
ト）測定動作時にシステムの駆動系等の動作よりノイズ
が発生した場合であっても電極基準電位（オフセット）
測定動作が抵抗膜接触型タッチパネルの２次元座標押圧
位置特定に対して悪影響を及ぼすようなケースを回避で
きる制御方式を提案することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
成された請求項１に記載の発明は、線形特性の抵抗値を
有する一対の抵抗膜をスペーサを介して重ね合わせ、当
該一方の抵抗膜のＸ座標軸方向の両端に電極を各々設け
ると共に、当該他方の抵抗膜のＹ座標軸方向の両端に電
極を各々設け、抵抗膜面が押圧されない状態では当該一
対の抵抗膜が接触せず、押圧されたときに当該一方の抵
抗膜と当該他方の抵抗膜とが当該押圧点において接触す
るように構成して当該押圧点の２次元座標位置を特定す
る抵抗膜接触型タッチパネルと、前記Ｘ座標軸方向の一
方の電極及び前記Ｙ座標軸方向の一方の電極に電圧を供
給する電圧印加電源と、前記電圧印加電源を前記Ｘ座標
軸方向の一方の電極に接続または離間する第１の切換手
段と、前記電圧印加電源を前記Ｙ座標軸方向の一方の電
極に接続または離間する第２の切換手段と、前記Ｘ座標
軸方向の他方の電極を接地電位に接続または離間する第
３の切換手段と、前記Ｙ座標軸方向の他方の電極を接地
電位に接続または離間する第４の切換手段と、前記各電
極に接続され、当該各電極のアナログ値の電位を検出す
る電極電位検出手段と、前記電極電位検出手段が検出し
た前記アナログ値の電位をディジタル電位に変換してデ
ィジタル値の電位情報を出力するアナログ／ディジタル
変換手段とを備えた抵抗膜接触型タッチパネル制御装置
であって、前記アナログ／ディジタル変換手段より得ら
れる前記ディジタル値の電位情報に基づいて所定の押圧
座標特定演算を行い、前記抵抗膜接触型タッチパネルの
パネル上の押圧点の座標位置を特定する記憶演算手段を
有している。
成された請求項１に記載の発明は、線形特性の抵抗値を
有する一対の抵抗膜をスペーサを介して重ね合わせ、当
該一方の抵抗膜のＸ座標軸方向の両端に電極を各々設け
ると共に、当該他方の抵抗膜のＹ座標軸方向の両端に電
極を各々設け、抵抗膜面が押圧されない状態では当該一
対の抵抗膜が接触せず、押圧されたときに当該一方の抵
抗膜と当該他方の抵抗膜とが当該押圧点において接触す
るように構成して当該押圧点の２次元座標位置を特定す
る抵抗膜接触型タッチパネルと、前記Ｘ座標軸方向の一
方の電極及び前記Ｙ座標軸方向の一方の電極に電圧を供
給する電圧印加電源と、前記電圧印加電源を前記Ｘ座標
軸方向の一方の電極に接続または離間する第１の切換手
段と、前記電圧印加電源を前記Ｙ座標軸方向の一方の電
極に接続または離間する第２の切換手段と、前記Ｘ座標
軸方向の他方の電極を接地電位に接続または離間する第
３の切換手段と、前記Ｙ座標軸方向の他方の電極を接地
電位に接続または離間する第４の切換手段と、前記各電
極に接続され、当該各電極のアナログ値の電位を検出す
る電極電位検出手段と、前記電極電位検出手段が検出し
た前記アナログ値の電位をディジタル電位に変換してデ
ィジタル値の電位情報を出力するアナログ／ディジタル
変換手段とを備えた抵抗膜接触型タッチパネル制御装置
であって、前記アナログ／ディジタル変換手段より得ら
れる前記ディジタル値の電位情報に基づいて所定の押圧
座標特定演算を行い、前記抵抗膜接触型タッチパネルの
パネル上の押圧点の座標位置を特定する記憶演算手段を
有している。
【００２０】前記記憶演算手段は、前記第１切換手段と
前記第３切換手段とを接続状態に設定する制御、及び前
記第２切換手段と前記第４切換手段を離間状態に設定す
る制御を実行することにより、前記Ｘ座標軸方向の両電
極の基準電位を前記電極電位検出手段及び前記アナログ
／ディジタル変換手段を制御して基準電位情報として記
憶する。
前記第３切換手段とを接続状態に設定する制御、及び前
記第２切換手段と前記第４切換手段を離間状態に設定す
る制御を実行することにより、前記Ｘ座標軸方向の両電
極の基準電位を前記電極電位検出手段及び前記アナログ
／ディジタル変換手段を制御して基準電位情報として記
憶する。
【００２１】また前記記憶演算手段は、前記第２切換手
段と前記第４切換手段とを接続状態に設定する制御、及
び前記第１切換手段と前記第３切換手段を離間状態に設
定する制御を実行することにより、前記Ｙ座標軸方向の
両電極の基準電位を前記電極電位検出手段及び前記アナ
ログ／ディジタル変換手段を制御して前記基準電位情報
として記憶する。
段と前記第４切換手段とを接続状態に設定する制御、及
び前記第１切換手段と前記第３切換手段を離間状態に設
定する制御を実行することにより、前記Ｙ座標軸方向の
両電極の基準電位を前記電極電位検出手段及び前記アナ
ログ／ディジタル変換手段を制御して前記基準電位情報
として記憶する。
【００２２】また前記記憶演算手段は、前記抵抗膜の膜
面が押圧されたときの押圧点の２次元座標位置を特定す
る場合、前記第２切換手段と前記第４切換手段とを接続
状態に設定する制御、前記第１切換手段と前記第３切換
手段を離間状態に設定する制御、及び前記Ｘ座標軸方向
のいずれかの一方の電極に接続された前記電極電位検出
手段及び前記アナログ／ディジタル変換手段を制御して
生成した電位情報を検出する制御とを実行することによ
り、記憶した前記Ｙ座標軸方向の前記基準電位情報に基
づいて前記押圧座標特定演算を実行してＹ座標軸方向の
座標位置を特定している。
面が押圧されたときの押圧点の２次元座標位置を特定す
る場合、前記第２切換手段と前記第４切換手段とを接続
状態に設定する制御、前記第１切換手段と前記第３切換
手段を離間状態に設定する制御、及び前記Ｘ座標軸方向
のいずれかの一方の電極に接続された前記電極電位検出
手段及び前記アナログ／ディジタル変換手段を制御して
生成した電位情報を検出する制御とを実行することによ
り、記憶した前記Ｙ座標軸方向の前記基準電位情報に基
づいて前記押圧座標特定演算を実行してＹ座標軸方向の
座標位置を特定している。
【００２３】また前記記憶演算手段は、前記第１切換手
段と前記第３切換手段とを接続状態に設定する制御、前
記第２切換手段と前記第４切換手段を離間状態に設定す
る制御、及び前記Ｙ座標軸方向のいずれかの一方の電極
に接続された前記電極電位検出手段及び前記アナログ／
ディジタル変換手段を制御して生成した電位情報を検出
する制御を実行することにより、記憶した前記Ｘ座標軸
方向の前記基準電位情報に基づいて前記押圧座標特定演
算を実行して前記Ｘ座標軸方向の座標位置を特定してい
る。
段と前記第３切換手段とを接続状態に設定する制御、前
記第２切換手段と前記第４切換手段を離間状態に設定す
る制御、及び前記Ｙ座標軸方向のいずれかの一方の電極
に接続された前記電極電位検出手段及び前記アナログ／
ディジタル変換手段を制御して生成した電位情報を検出
する制御を実行することにより、記憶した前記Ｘ座標軸
方向の前記基準電位情報に基づいて前記押圧座標特定演
算を実行して前記Ｘ座標軸方向の座標位置を特定してい
る。
【００２４】請求項１に記載の発明によれば、抵抗膜接
触型タッチパネル制御装置の押圧位置を特定する方法に
おいて、Ｘ座標軸及びＹ座標軸上において、アナログス
イッチのオン抵抗による電圧降下を算出し、これを除去
することによって各座標軸上における押圧座標位置を正
確に特定する。このようにして求めた各座標軸上の押圧
座標位置特定により、アナログスイッチのオン抵抗固有
のバラツキ、あるいは温度環境、経年変化によるバラツ
キに関わらず、抵抗膜接触型タッチパネルの２次元押圧
座標位置を正確に特定できる。すなわち、一対の抵抗膜
への電圧印加状態と離間状態に用いるアナログスイッチ
等の切換手段のオン抵抗が、かなりのバラツキを有して
おり、また温度環境、経年変化に起因してバラツキを有
していた場合であっても、調整等の操作をすることなく
常に正確な押圧位置を算出することができるようにな
り、上記切換手段のオン抵抗のバラツキを補正した上
で、さらに押圧位置の検出位置精度を向上させることが
できるようになり、抵抗膜接触型タッチパネル制御装置
を提供すること、更に加えて、押圧イベント発生検出を
押下位置座標によらず一定とし、かつ耐ノイズ性に優れ
た誤動作のない抵抗膜接触型タッチパネル制御装置を実
現できる。
触型タッチパネル制御装置の押圧位置を特定する方法に
おいて、Ｘ座標軸及びＹ座標軸上において、アナログス
イッチのオン抵抗による電圧降下を算出し、これを除去
することによって各座標軸上における押圧座標位置を正
確に特定する。このようにして求めた各座標軸上の押圧
座標位置特定により、アナログスイッチのオン抵抗固有
のバラツキ、あるいは温度環境、経年変化によるバラツ
キに関わらず、抵抗膜接触型タッチパネルの２次元押圧
座標位置を正確に特定できる。すなわち、一対の抵抗膜
への電圧印加状態と離間状態に用いるアナログスイッチ
等の切換手段のオン抵抗が、かなりのバラツキを有して
おり、また温度環境、経年変化に起因してバラツキを有
していた場合であっても、調整等の操作をすることなく
常に正確な押圧位置を算出することができるようにな
り、上記切換手段のオン抵抗のバラツキを補正した上
で、さらに押圧位置の検出位置精度を向上させることが
できるようになり、抵抗膜接触型タッチパネル制御装置
を提供すること、更に加えて、押圧イベント発生検出を
押下位置座標によらず一定とし、かつ耐ノイズ性に優れ
た誤動作のない抵抗膜接触型タッチパネル制御装置を実
現できる。
【００２５】また請求項２に記載の発明は、請求項１に
記載の抵抗膜接触型タッチパネル制御装置において、ア
ナログ電圧を一定時間だけ保持電圧として保持する電圧
保持手段を有している。
記載の抵抗膜接触型タッチパネル制御装置において、ア
ナログ電圧を一定時間だけ保持電圧として保持する電圧
保持手段を有している。
【００２６】前記記憶演算手段は、前記抵抗膜の膜面が
押圧されたときの押圧点の２次元座標位置特定を行う場
合、前記第２切換手段と前記第４切換手段とを接続状態
に設定する制御、及び前記第１切換手段と前記第３切換
手段を離間状態に設定する制御を実行することにより、
前記Ｙ座標軸方向の両電極の基準電位を前記電圧保持手
段を制御して保持する。
押圧されたときの押圧点の２次元座標位置特定を行う場
合、前記第２切換手段と前記第４切換手段とを接続状態
に設定する制御、及び前記第１切換手段と前記第３切換
手段を離間状態に設定する制御を実行することにより、
前記Ｙ座標軸方向の両電極の基準電位を前記電圧保持手
段を制御して保持する。
【００２７】また前記記憶演算手段は、当該電圧保持手
段の保持電圧を前記アナログ／ディジタル変換手段の基
準電圧に設定した後、前記第２切換手段と前記第４切換
手段とを接続状態に設定する制御、及び前記第１切換手
段と前記第３切換手段を離間状態に設定する制御を実行
することにより、前記Ｘ座標軸方向のいずれかの一方の
電極に接続された前記電極電位検出手段及び前記アナロ
グ／ディジタル変換手段を制御して生成した電位情報を
検出してＹ座標軸方向の座標位置を特定し、前記第２切
換手段と前記第４切換手段とを接続状態に設定する制
御、及び前記第１切換手段と前記第３切換手段を離間状
態に設定する制御を実行することにより、前記Ｙ座標軸
方向の両電極の基準電位を前記電圧保持手段を制御して
保持する。
段の保持電圧を前記アナログ／ディジタル変換手段の基
準電圧に設定した後、前記第２切換手段と前記第４切換
手段とを接続状態に設定する制御、及び前記第１切換手
段と前記第３切換手段を離間状態に設定する制御を実行
することにより、前記Ｘ座標軸方向のいずれかの一方の
電極に接続された前記電極電位検出手段及び前記アナロ
グ／ディジタル変換手段を制御して生成した電位情報を
検出してＹ座標軸方向の座標位置を特定し、前記第２切
換手段と前記第４切換手段とを接続状態に設定する制
御、及び前記第１切換手段と前記第３切換手段を離間状
態に設定する制御を実行することにより、前記Ｙ座標軸
方向の両電極の基準電位を前記電圧保持手段を制御して
保持する。
【００２８】このとき前記記憶演算手段は、当該電圧保
持手段の保持電圧を前記アナログ／ディジタル変換手段
の基準電圧とする制御を実行した後、前記第１切換手段
と前記第３切換手段とを接続状態に設定する制御、前記
第２切換手段と前記第４切換手段を離間状態に設定する
制御、及び前記Ｙ座標軸方向のいずれかの一方の電極に
接続された前記電極電位検出手段及び前記アナログ／デ
ィジタル変換手段を制御して生成した電位情報を検出し
てＸ座標軸方向の座標位置を特定することにより、前記
押圧点の２次元座標位置を決定する。
持手段の保持電圧を前記アナログ／ディジタル変換手段
の基準電圧とする制御を実行した後、前記第１切換手段
と前記第３切換手段とを接続状態に設定する制御、前記
第２切換手段と前記第４切換手段を離間状態に設定する
制御、及び前記Ｙ座標軸方向のいずれかの一方の電極に
接続された前記電極電位検出手段及び前記アナログ／デ
ィジタル変換手段を制御して生成した電位情報を検出し
てＸ座標軸方向の座標位置を特定することにより、前記
押圧点の２次元座標位置を決定する。
【００２９】請求項２に記載の発明によれば、請求項１
に記載の効果に加えて、アナログ／ディジタルコンバー
タのダイナミックレンジをフルに使用でき、抵抗膜接触
型タッチパネルの２次元押圧座標位置特定において、ア
ナログスイッチのオン抵抗固有のバラツキ、あるいは温
度変化、経年変化によるバラツキに関わらず、抵抗膜接
触型タッチパネルの２次元押圧座標位置を正確に特定で
き、さらにその検出位置精度をアップすることが可能と
なる。
に記載の効果に加えて、アナログ／ディジタルコンバー
タのダイナミックレンジをフルに使用でき、抵抗膜接触
型タッチパネルの２次元押圧座標位置特定において、ア
ナログスイッチのオン抵抗固有のバラツキ、あるいは温
度変化、経年変化によるバラツキに関わらず、抵抗膜接
触型タッチパネルの２次元押圧座標位置を正確に特定で
き、さらにその検出位置精度をアップすることが可能と
なる。
【００３０】また請求項３に記載の発明は、請求項１ま
たは請求項２に記載の抵抗膜接触型タッチパネル制御装
置において、前記電圧印加電源を、前記Ｘ座標軸方向の
前記第１切換手段と同方向の電極に抵抗素子を介して接
続または離間する第５の切換手段を有している。
たは請求項２に記載の抵抗膜接触型タッチパネル制御装
置において、前記電圧印加電源を、前記Ｘ座標軸方向の
前記第１切換手段と同方向の電極に抵抗素子を介して接
続または離間する第５の切換手段を有している。
【００３１】また前記第４切換手段と前記第５切換手段
とを接続状態に設定する制御、及び前記第１切換手段と
前記第２切換手段と前記第３切換手段を離間状態とする
制御とを実行することにより、前記Ｘ座標軸方向の前記
電圧印加電源側の電極に接続された前記電極電位検出手
段及び前記アナログ／ディジタル変換手段を制御して生
成した電位情報を検出、または前記Ｙ座標軸方向の前記
電圧印加電源側の電極に接続された前記電極電位検出手
段及び前記アナログ／ディジタル変換手段を制御して生
成した電位情報を検出し、当該電位情報の特定の値以下
への変化を前記抵抗膜面の押圧と判断する。
とを接続状態に設定する制御、及び前記第１切換手段と
前記第２切換手段と前記第３切換手段を離間状態とする
制御とを実行することにより、前記Ｘ座標軸方向の前記
電圧印加電源側の電極に接続された前記電極電位検出手
段及び前記アナログ／ディジタル変換手段を制御して生
成した電位情報を検出、または前記Ｙ座標軸方向の前記
電圧印加電源側の電極に接続された前記電極電位検出手
段及び前記アナログ／ディジタル変換手段を制御して生
成した電位情報を検出し、当該電位情報の特定の値以下
への変化を前記抵抗膜面の押圧と判断する。
【００３２】請求項３に記載の発明によれば、請求項１
または請求項２に記載の効果に加えて、抵抗膜接触型タ
ッチパネルが押圧されていない状態では押圧検出のディ
ジタル電位を最大とすることができ、かつ押圧イベント
発生は抵抗膜接触型タッチパネルの押下位置座標に関わ
らず一定で、押圧検出のディジタル電位をほぼ０とする
ことができるため、耐ノイズ性に優れた誤動作のない抵
抗膜接触型タッチパネルの制御装置の押圧イベント発生
検出が可能となる。
または請求項２に記載の効果に加えて、抵抗膜接触型タ
ッチパネルが押圧されていない状態では押圧検出のディ
ジタル電位を最大とすることができ、かつ押圧イベント
発生は抵抗膜接触型タッチパネルの押下位置座標に関わ
らず一定で、押圧検出のディジタル電位をほぼ０とする
ことができるため、耐ノイズ性に優れた誤動作のない抵
抗膜接触型タッチパネルの制御装置の押圧イベント発生
検出が可能となる。
【００３３】また請求項４に記載の発明は、線形特性の
抵抗値を有する一対の抵抗膜をスペーサを介して重ね合
わせ、一方の抵抗膜にはＸ座標軸方向の両端に、他方の
抵抗膜にはＹ座標軸方向の両端にそれぞれ電極を設け、
抵抗膜面が押圧されない状態では前記一対の抵抗膜は接
触せず、押圧されたときに前記一対の抵抗膜が押圧点で
接触する抵抗膜接触型タッチパネルのパネル上の押圧点
の２次元座標位置を特定する抵抗膜接触型タッチパネル
と、前記各座標軸方向の一方の電極に電圧を供給する電
圧印加電源と、前記電圧印加電源を前記Ｘ座標軸方向の
一方の電極に接続状態または離間状態とする第１の切換
手段と、前記電圧印加電源を前記Ｙ座標軸方向の一方の
電極に接続状態または離間状態とする第２の切換手段
と、前記Ｘ座標軸方向の他方の電極を接地接続状態また
は離間状態とする第３の切換手段と、前記Ｙ座標軸方向
の他方の電極を接地接続状態または離間状態とする第４
の切換手段と、前記第１切換手段と同方向の電極に抵抗
素子を介して接続状態または離間状態とする第５の切換
手段と、前記各電極に接続され、当該各電極の電位を検
出する電極電位検出手段と、前記電極電位検出手段が検
出したアナログ値の電位をディジタル値の電位に変換す
るアナログ／ディジタル変換手段とを備えた抵抗膜接触
型タッチパネル制御装置の制御方法であって、前記アナ
ログ／ディジタル変換手段より得られるディジタル値の
電位情報に基づいて押圧座標特定演算を行い、前記抵抗
膜接触型タッチパネルのパネル上の押圧点の座標位置を
特定する記憶演算手段を有している。
抵抗値を有する一対の抵抗膜をスペーサを介して重ね合
わせ、一方の抵抗膜にはＸ座標軸方向の両端に、他方の
抵抗膜にはＹ座標軸方向の両端にそれぞれ電極を設け、
抵抗膜面が押圧されない状態では前記一対の抵抗膜は接
触せず、押圧されたときに前記一対の抵抗膜が押圧点で
接触する抵抗膜接触型タッチパネルのパネル上の押圧点
の２次元座標位置を特定する抵抗膜接触型タッチパネル
と、前記各座標軸方向の一方の電極に電圧を供給する電
圧印加電源と、前記電圧印加電源を前記Ｘ座標軸方向の
一方の電極に接続状態または離間状態とする第１の切換
手段と、前記電圧印加電源を前記Ｙ座標軸方向の一方の
電極に接続状態または離間状態とする第２の切換手段
と、前記Ｘ座標軸方向の他方の電極を接地接続状態また
は離間状態とする第３の切換手段と、前記Ｙ座標軸方向
の他方の電極を接地接続状態または離間状態とする第４
の切換手段と、前記第１切換手段と同方向の電極に抵抗
素子を介して接続状態または離間状態とする第５の切換
手段と、前記各電極に接続され、当該各電極の電位を検
出する電極電位検出手段と、前記電極電位検出手段が検
出したアナログ値の電位をディジタル値の電位に変換す
るアナログ／ディジタル変換手段とを備えた抵抗膜接触
型タッチパネル制御装置の制御方法であって、前記アナ
ログ／ディジタル変換手段より得られるディジタル値の
電位情報に基づいて押圧座標特定演算を行い、前記抵抗
膜接触型タッチパネルのパネル上の押圧点の座標位置を
特定する記憶演算手段を有している。
【００３４】前記記憶演算手段は、前記第４切換手段と
前記第５切換手段とを接続状態に設定する制御、及び前
記第１切換手段と前記第２切換手段と前記第３切換手段
を離間状態に設定する制御を実行することにより、前記
Ｘ座標軸方向または前記Ｙ座標軸方向のいずれかの一方
の前記電圧印加電源側の電極に接続された前記電極電位
検出手段及び前記アナログ／ディジタル変換手段を制御
して電位情報を検出し、当該電位情報の特定の値以下へ
の変位を前記抵抗膜面の押圧と判断している。
前記第５切換手段とを接続状態に設定する制御、及び前
記第１切換手段と前記第２切換手段と前記第３切換手段
を離間状態に設定する制御を実行することにより、前記
Ｘ座標軸方向または前記Ｙ座標軸方向のいずれかの一方
の前記電圧印加電源側の電極に接続された前記電極電位
検出手段及び前記アナログ／ディジタル変換手段を制御
して電位情報を検出し、当該電位情報の特定の値以下へ
の変位を前記抵抗膜面の押圧と判断している。
【００３５】また前記記憶演算手段は、抵抗膜面が押圧
されたときの押圧点の２次元座標位置特定を実行する場
合、前記記憶演算手段は、前記第２切換手段と前記第４
切換手段とを接続状態に設定する制御、前記第１切換手
段と前記第３切換手段を離間状態に設定する制御、及び
前記Ｘ座標軸方向のいずれかの一方の電極に接続された
前記電極電位検出手段及び前記アナログ／ディジタル変
換手段を制御して電位情報を検出することにより、Ｙ座
標軸方向の座標位置を特定し、また、前記第１切換手段
と前記第３切換手段とを接続状態に設定する制御、前記
第２切換手段と前記第４切換手段を離間状態に設定する
制御、前記Ｙ座標軸方向のいずれかの一方の電極に接続
された前記電極電位検出手段及び前記アナログ／ディジ
タル変換手段を制御して電位情報を検出することによ
り、Ｘ座標軸方向の座標位置を特定している。
されたときの押圧点の２次元座標位置特定を実行する場
合、前記記憶演算手段は、前記第２切換手段と前記第４
切換手段とを接続状態に設定する制御、前記第１切換手
段と前記第３切換手段を離間状態に設定する制御、及び
前記Ｘ座標軸方向のいずれかの一方の電極に接続された
前記電極電位検出手段及び前記アナログ／ディジタル変
換手段を制御して電位情報を検出することにより、Ｙ座
標軸方向の座標位置を特定し、また、前記第１切換手段
と前記第３切換手段とを接続状態に設定する制御、前記
第２切換手段と前記第４切換手段を離間状態に設定する
制御、前記Ｙ座標軸方向のいずれかの一方の電極に接続
された前記電極電位検出手段及び前記アナログ／ディジ
タル変換手段を制御して電位情報を検出することによ
り、Ｘ座標軸方向の座標位置を特定している。
【００３６】更に加えて前記記憶演算手段は、前記Ｙ座
標軸方向の座標位置の特定及び前記Ｘ座標軸方向の座標
位置の特定に基づいて前記抵抗膜接触型タッチパネルの
パネル上の押圧点の２次元座標位置を特定した後、再度
前記第４切換手段と前記第５切換手段とを接続状態に設
定する制御、及び前記第１切換手段と前記第２切換手段
と前記第３切換手段を離間状態に設定する制御を実行す
ることにより、前記Ｘ座標軸方向の前記電圧印加電源側
の電極に接続された前記電極電位検出手段及び前記アナ
ログ／ディジタル変換手段を制御して電位情報を検出
し、押圧維持状態の確認結果により前記抵抗膜接触型タ
ッチパネルのパネル上の押圧点の２次元座標位置の特定
結果を有効とする。
標軸方向の座標位置の特定及び前記Ｘ座標軸方向の座標
位置の特定に基づいて前記抵抗膜接触型タッチパネルの
パネル上の押圧点の２次元座標位置を特定した後、再度
前記第４切換手段と前記第５切換手段とを接続状態に設
定する制御、及び前記第１切換手段と前記第２切換手段
と前記第３切換手段を離間状態に設定する制御を実行す
ることにより、前記Ｘ座標軸方向の前記電圧印加電源側
の電極に接続された前記電極電位検出手段及び前記アナ
ログ／ディジタル変換手段を制御して電位情報を検出
し、押圧維持状態の確認結果により前記抵抗膜接触型タ
ッチパネルのパネル上の押圧点の２次元座標位置の特定
結果を有効とする。
【００３７】請求項４に記載の発明によれば、抵抗膜接
触型タッチパネルの２次元座標押圧位置を算出した後
で、再び押圧検出動作を実行し、押圧の維持を確認して
から２次元座標押圧位置特定を有効とする。この結果、
万が一各座標軸押圧座標位置検出動作中にユーザの指が
離されてしまったとしても、ユーザが意図しない２次元
座標押圧位置を特定してしまうことはない。その結果、
抵抗膜接触型タッチパネルの２次元座標押圧位置特定に
おいて、押圧を検出してから、Ｘ座標軸押圧座標位置検
出動作、Ｙ座標軸押圧座標位置検出動作を経て抵抗膜接
触型タッチパネル１の２次元座標押圧位置を特定するま
での間に、アナログスイッチ切換時間の待機を含め、少
なからず時間が経過していることに起因するユーザが意
図しない２次元座標押圧位置を特定してしまうようなケ
ースを回避できるようになる。
触型タッチパネルの２次元座標押圧位置を算出した後
で、再び押圧検出動作を実行し、押圧の維持を確認して
から２次元座標押圧位置特定を有効とする。この結果、
万が一各座標軸押圧座標位置検出動作中にユーザの指が
離されてしまったとしても、ユーザが意図しない２次元
座標押圧位置を特定してしまうことはない。その結果、
抵抗膜接触型タッチパネルの２次元座標押圧位置特定に
おいて、押圧を検出してから、Ｘ座標軸押圧座標位置検
出動作、Ｙ座標軸押圧座標位置検出動作を経て抵抗膜接
触型タッチパネル１の２次元座標押圧位置を特定するま
での間に、アナログスイッチ切換時間の待機を含め、少
なからず時間が経過していることに起因するユーザが意
図しない２次元座標押圧位置を特定してしまうようなケ
ースを回避できるようになる。
【００３８】すなわち、万が一各座標軸押圧座標位置検
出動作中にユーザの指が離されてしまった場合であって
も、ユーザが意図しない２次元座標押圧位置を抵抗膜接
触型タッチパネル制御装置が特定してしまうようなケー
スを回避して正確な２次元座標押圧位置を検出できるよ
うになり、電極基準電位（オフセット）測定動作時にシ
ステムの駆動系等の動作よりノイズが発生した場合であ
っても電極基準電位（オフセット）測定動作が抵抗膜接
触型タッチパネルの２次元座標押圧位置特定に対して悪
影響を及ぼすようなケースを回避できる制御方式を実現
できるようになる。
出動作中にユーザの指が離されてしまった場合であって
も、ユーザが意図しない２次元座標押圧位置を抵抗膜接
触型タッチパネル制御装置が特定してしまうようなケー
スを回避して正確な２次元座標押圧位置を検出できるよ
うになり、電極基準電位（オフセット）測定動作時にシ
ステムの駆動系等の動作よりノイズが発生した場合であ
っても電極基準電位（オフセット）測定動作が抵抗膜接
触型タッチパネルの２次元座標押圧位置特定に対して悪
影響を及ぼすようなケースを回避できる制御方式を実現
できるようになる。
【００３９】また請求項５に記載の発明は、請求項４に
記載の抵抗膜接触型タッチパネル制御装置の制御方法に
おいて、前記記憶演算手段は、前記第１切換手段と前記
第３切換手段とを接続状態に設定する制御、及び前記第
２切換手段と前記第４切換手段を離間状態に設定する制
御を実行することにより、前記Ｘ座標軸方向の両電極の
基準電位を、前記電極電位検出手段及び前記アナログ／
ディジタル変換手段を制御して前記基準電位情報として
記憶している。
記載の抵抗膜接触型タッチパネル制御装置の制御方法に
おいて、前記記憶演算手段は、前記第１切換手段と前記
第３切換手段とを接続状態に設定する制御、及び前記第
２切換手段と前記第４切換手段を離間状態に設定する制
御を実行することにより、前記Ｘ座標軸方向の両電極の
基準電位を、前記電極電位検出手段及び前記アナログ／
ディジタル変換手段を制御して前記基準電位情報として
記憶している。
【００４０】また前記記憶演算手段は、前記第２切換手
段と前記第４切換手段とを接続状態に設定する制御、及
び前記第１切換手段と前記第３切換手段を離間状態に設
定する制御を実行することにより、前記Ｙ座標軸方向の
両電極の基準電位を、前記電極電位検出手段及び前記ア
ナログ／ディジタル変換手段を制御して前記基準電位情
報として記憶している。
段と前記第４切換手段とを接続状態に設定する制御、及
び前記第１切換手段と前記第３切換手段を離間状態に設
定する制御を実行することにより、前記Ｙ座標軸方向の
両電極の基準電位を、前記電極電位検出手段及び前記ア
ナログ／ディジタル変換手段を制御して前記基準電位情
報として記憶している。
【００４１】また、前記抵抗膜面が押圧されたときの押
圧点の２次元座標位置特定を実行する場合、前記記憶演
算手段は、前記第２切換手段と前記第４切換手段とを接
続状態に設定する制御、前記第１切換手段と前記第３切
換手段を離間状態に設定する制御、及び前記Ｘ座標軸方
向のいずれかの一方の電極に接続された前記電極電位検
出手段及び前記アナログ／ディジタル変換手段を制御し
て電位情報を検出し、記憶した前記Ｙ座標軸方向の前記
基準電位情報に基づいて前記押圧座標特定演算を実行し
てＹ座標軸方向の座標位置を特定している。
圧点の２次元座標位置特定を実行する場合、前記記憶演
算手段は、前記第２切換手段と前記第４切換手段とを接
続状態に設定する制御、前記第１切換手段と前記第３切
換手段を離間状態に設定する制御、及び前記Ｘ座標軸方
向のいずれかの一方の電極に接続された前記電極電位検
出手段及び前記アナログ／ディジタル変換手段を制御し
て電位情報を検出し、記憶した前記Ｙ座標軸方向の前記
基準電位情報に基づいて前記押圧座標特定演算を実行し
てＹ座標軸方向の座標位置を特定している。
【００４２】また前記記憶演算手段は、前記第１切換手
段と前記第３切換手段とを接続状態に設定する制御、前
記第２切換手段と前記第４切換手段を離間状態に設定す
る制御、及び前記Ｙ座標軸方向のいずれかの一方の電極
に接続された前記電極電位検出手段及び前記アナログ／
ディジタル変換手段を制御して電位情報を検出し、記憶
した前記Ｘ座標慈雨方向の前記基準電位情報に基づいて
前記押圧座標特定演算を実行してＸ座標軸方向の座標位
置を特定している。
段と前記第３切換手段とを接続状態に設定する制御、前
記第２切換手段と前記第４切換手段を離間状態に設定す
る制御、及び前記Ｙ座標軸方向のいずれかの一方の電極
に接続された前記電極電位検出手段及び前記アナログ／
ディジタル変換手段を制御して電位情報を検出し、記憶
した前記Ｘ座標慈雨方向の前記基準電位情報に基づいて
前記押圧座標特定演算を実行してＸ座標軸方向の座標位
置を特定している。
【００４３】これにより、押圧点の２次元座標位置を決
定し、更に加えて、取得した前記基準電位情報を所定の
閾値と比較し、前記決定した押圧点の２次元座標位置に
ついて矛盾が発生した場合に前記基準電位情報を初期値
に置き換える。
定し、更に加えて、取得した前記基準電位情報を所定の
閾値と比較し、前記決定した押圧点の２次元座標位置に
ついて矛盾が発生した場合に前記基準電位情報を初期値
に置き換える。
【００４４】請求項５に記載の発明によれば、請求項４
に記載の効果に加えて、検出結果と閾値を比較し、矛盾
が発生した場合は初期値に置き換えることにより、電極
基準電位（オフセット）測定動作が抵抗膜接触型タッチ
パネルの２次元座標押圧位置特定に対し、副作用を及ぼ
してしまうことを回避できる。その結果、電極基準電位
（オフセット）測定動作時、システムの駆動系等の動作
によりノイズが発生した場合、正確な電極基準電圧（オ
フセット）測定ができないようなケースを回避できるよ
うになり、起こり得ないオン抵抗の電圧降下に相当する
基準電位情報をＲＡＭに格納してしまうようなケースを
回避できるようになる。
に記載の効果に加えて、検出結果と閾値を比較し、矛盾
が発生した場合は初期値に置き換えることにより、電極
基準電位（オフセット）測定動作が抵抗膜接触型タッチ
パネルの２次元座標押圧位置特定に対し、副作用を及ぼ
してしまうことを回避できる。その結果、電極基準電位
（オフセット）測定動作時、システムの駆動系等の動作
によりノイズが発生した場合、正確な電極基準電圧（オ
フセット）測定ができないようなケースを回避できるよ
うになり、起こり得ないオン抵抗の電圧降下に相当する
基準電位情報をＲＡＭに格納してしまうようなケースを
回避できるようになる。
【００４５】
【発明の実施の形態】（第１実施形態）本発明に係る抵
抗膜接触型タッチパネル制御装置１０について、以下に
図面を参照して説明する。
抗膜接触型タッチパネル制御装置１０について、以下に
図面を参照して説明する。
【００４６】図１は、請求項１に記載する発明の抵抗膜
接触型タッチパネル制御装置１０の一実施形態の一実施
形態を説明するためのブロック図である。
接触型タッチパネル制御装置１０の一実施形態の一実施
形態を説明するためのブロック図である。
【００４７】本実施形態の抵抗膜接触型タッチパネル制
御装置１０は、ディスプレイ等のＯＡ機器やＡＶ機器に
用いられるマンマシーンインタフェースとしての抵抗膜
接触型タッチパネル１の押圧位置の検出制御を行うもの
であって、一対の抵抗膜２，３に印加する電圧印加電源
１１の切り換えを行う切換手段の接触抵抗値およびその
経年変化や温度変化に影響されずに、正確な押圧位置の
特定を行う制御機能を有し、抵抗膜接触型タッチパネル
１、電圧印加電源１１、第１切換手段１２、第２切換手
段１３、第３切換手段１４、第４切換手段１５、電極電
位検出手段、アナログ／ディジタル変換手段４２、記憶
演算手段３０を中心とするハードウェア構成となってい
る。
御装置１０は、ディスプレイ等のＯＡ機器やＡＶ機器に
用いられるマンマシーンインタフェースとしての抵抗膜
接触型タッチパネル１の押圧位置の検出制御を行うもの
であって、一対の抵抗膜２，３に印加する電圧印加電源
１１の切り換えを行う切換手段の接触抵抗値およびその
経年変化や温度変化に影響されずに、正確な押圧位置の
特定を行う制御機能を有し、抵抗膜接触型タッチパネル
１、電圧印加電源１１、第１切換手段１２、第２切換手
段１３、第３切換手段１４、第４切換手段１５、電極電
位検出手段、アナログ／ディジタル変換手段４２、記憶
演算手段３０を中心とするハードウェア構成となってい
る。
【００４８】抵抗膜接触型タッチパネル１は、線形特性
の抵抗値を有する一対の抵抗膜２，３をスペーサを介し
て重ね合わせ、この一方の抵抗膜２（以後、上部透明抵
抗膜２と言う）のＸ座標軸方向の両端に電極を各々設け
ると共に、他方の抵抗膜３（以後、下部透明抵抗膜３と
言う）のＹ座標軸方向の両端に電極を各々設け、抵抗膜
面が押圧されない状態では上部透明抵抗膜２と下部透明
抵抗膜３とが接触せず、押圧されたときに上部透明抵抗
膜２と下部透明抵抗膜３とがこのときの押圧点において
接触するように構成されることにより、この押圧点の２
次元座標位置（Ｘ座標、Ｙ座標）を特定する機能を有し
ている。
の抵抗値を有する一対の抵抗膜２，３をスペーサを介し
て重ね合わせ、この一方の抵抗膜２（以後、上部透明抵
抗膜２と言う）のＸ座標軸方向の両端に電極を各々設け
ると共に、他方の抵抗膜３（以後、下部透明抵抗膜３と
言う）のＹ座標軸方向の両端に電極を各々設け、抵抗膜
面が押圧されない状態では上部透明抵抗膜２と下部透明
抵抗膜３とが接触せず、押圧されたときに上部透明抵抗
膜２と下部透明抵抗膜３とがこのときの押圧点において
接触するように構成されることにより、この押圧点の２
次元座標位置（Ｘ座標、Ｙ座標）を特定する機能を有し
ている。
【００４９】電圧印加電源１１は、Ｘ座標軸方向の一方
の電極及びＹ座標軸方向の一方の電極に電圧を供給する
機能を有し、具体的には、直流電源ＰＳＵ（以後、直流
電源ＰＳＵ１１と言う）で実現されている。
の電極及びＹ座標軸方向の一方の電極に電圧を供給する
機能を有し、具体的には、直流電源ＰＳＵ（以後、直流
電源ＰＳＵ１１と言う）で実現されている。
【００５０】第１切換手段１２は、直流電源ＰＳＵ１１
をＸ座標軸方向の一方の電極に接続または離間する機能
を有し、具体的には、アナログスイッチ（以後、アナロ
グスイッチ１２と言う）で実現されている。
をＸ座標軸方向の一方の電極に接続または離間する機能
を有し、具体的には、アナログスイッチ（以後、アナロ
グスイッチ１２と言う）で実現されている。
【００５１】第２切換手段１３は、直流電源ＰＳＵ１１
をＹ座標軸方向の一方の電極に接続または離間する機能
を有し、具体的には、アナログスイッチ（以後、アナロ
グスイッチ１３と言う）で実現されている。
をＹ座標軸方向の一方の電極に接続または離間する機能
を有し、具体的には、アナログスイッチ（以後、アナロ
グスイッチ１３と言う）で実現されている。
【００５２】第３切換手段１４は、Ｘ座標軸方向の他方
の電極を接地電位に接続または離間する機能を有し、具
体的には、アナログスイッチ（以後、アナログスイッチ
１４と言う）で実現されている。
の電極を接地電位に接続または離間する機能を有し、具
体的には、アナログスイッチ（以後、アナログスイッチ
１４と言う）で実現されている。
【００５３】第４切換手段１５は、Ｙ座標軸方向の他方
の電極を接地電位に接続または離間する機能を有し、具
体的には、アナログスイッチ（以後、アナログスイッチ
１５と言う）で実現されている。
の電極を接地電位に接続または離間する機能を有し、具
体的には、アナログスイッチ（以後、アナログスイッチ
１５と言う）で実現されている。
【００５４】電極電位検出手段は、各電極に接続され、
前述の各電極のアナログ値の電位を検出する機能を有
し、具体的には、電位検出回路４０及びマルチプレクサ
４１（図１中のＭＰＸ）（以後、電極電位検出手段を電
位検出回路４０及びマルチプレクサ４１と言う）で実現
されている。
前述の各電極のアナログ値の電位を検出する機能を有
し、具体的には、電位検出回路４０及びマルチプレクサ
４１（図１中のＭＰＸ）（以後、電極電位検出手段を電
位検出回路４０及びマルチプレクサ４１と言う）で実現
されている。
【００５５】アナログ／ディジタル変換手段４２は、電
位検出回路４０及びマルチプレクサ４１が検出したアナ
ログ値の電位をディジタル電位に変換してディジタル値
の電位情報を出力する機能を有し、具体的には、アナロ
グ／ディジタルコンバータ（以後、アナログ／ディジタ
ルコンバータ４２と言う）で実現されている。
位検出回路４０及びマルチプレクサ４１が検出したアナ
ログ値の電位をディジタル電位に変換してディジタル値
の電位情報を出力する機能を有し、具体的には、アナロ
グ／ディジタルコンバータ（以後、アナログ／ディジタ
ルコンバータ４２と言う）で実現されている。
【００５６】記憶演算手段３０は、アナログ／ディジタ
ルコンバータ４２より得られるディジタル値の電位情報
に基づいて所定の押圧座標特定演算を行い、抵抗膜接触
型タッチパネル１のパネル上の押圧点の座標位置を特定
する機能を有し、具体的には、記憶演算部（以後、記憶
演算部３０と言う）で実現されている。
ルコンバータ４２より得られるディジタル値の電位情報
に基づいて所定の押圧座標特定演算を行い、抵抗膜接触
型タッチパネル１のパネル上の押圧点の座標位置を特定
する機能を有し、具体的には、記憶演算部（以後、記憶
演算部３０と言う）で実現されている。
【００５７】更に加えて、本実施形態の記憶演算部３０
は、アナログスイッチ１２とアナログスイッチ１４とを
接続状態に設定する制御、及びアナログスイッチ１３と
アナログスイッチ１５を離間状態に設定する制御を実行
する機能を有している。これにより、Ｘ座標軸方向の両
電極の基準電位を電位検出回路４０及びマルチプレクサ
４１及びアナログ／ディジタルコンバータ４２を制御し
て基準電位情報として記憶することができる。
は、アナログスイッチ１２とアナログスイッチ１４とを
接続状態に設定する制御、及びアナログスイッチ１３と
アナログスイッチ１５を離間状態に設定する制御を実行
する機能を有している。これにより、Ｘ座標軸方向の両
電極の基準電位を電位検出回路４０及びマルチプレクサ
４１及びアナログ／ディジタルコンバータ４２を制御し
て基準電位情報として記憶することができる。
【００５８】また記憶演算部３０は、アナログスイッチ
１３とアナログスイッチ１５とを接続状態に設定する制
御、及びアナログスイッチ１２とアナログスイッチ１４
を離間状態に設定する制御を実行する機能を有してい
る。
１３とアナログスイッチ１５とを接続状態に設定する制
御、及びアナログスイッチ１２とアナログスイッチ１４
を離間状態に設定する制御を実行する機能を有してい
る。
【００５９】これにより、Ｙ座標軸方向の両電極の基準
電位を電位検出回路４０及びマルチプレクサ４１及びア
ナログ／ディジタルコンバータ４２を制御して基準電位
情報として記憶することができる。
電位を電位検出回路４０及びマルチプレクサ４１及びア
ナログ／ディジタルコンバータ４２を制御して基準電位
情報として記憶することができる。
【００６０】また記憶演算部３０は、抵抗膜の膜面が押
圧されたときの押圧点の２次元座標位置を特定する場
合、アナログスイッチ１３とアナログスイッチ１５とを
接続状態に設定する制御、アナログスイッチ１２とアナ
ログスイッチ１４を離間状態に設定する制御、及びＸ座
標軸方向のいずれかの一方の電極に接続された電位検出
回路４０及びマルチプレクサ４１及びアナログ／ディジ
タルコンバータ４２を制御して生成した電位情報を検出
する制御とを実行する機能を有している。
圧されたときの押圧点の２次元座標位置を特定する場
合、アナログスイッチ１３とアナログスイッチ１５とを
接続状態に設定する制御、アナログスイッチ１２とアナ
ログスイッチ１４を離間状態に設定する制御、及びＸ座
標軸方向のいずれかの一方の電極に接続された電位検出
回路４０及びマルチプレクサ４１及びアナログ／ディジ
タルコンバータ４２を制御して生成した電位情報を検出
する制御とを実行する機能を有している。
【００６１】これにより、記憶したＹ座標軸方向の基準
電位情報に基づいて押圧座標特定演算を実行してＹ座標
軸方向の座標位置を特定することができる。
電位情報に基づいて押圧座標特定演算を実行してＹ座標
軸方向の座標位置を特定することができる。
【００６２】また記憶演算部３０は、アナログスイッチ
１２とアナログスイッチ１４とを接続状態に設定する制
御、アナログスイッチ１３とアナログスイッチ１５を離
間状態に設定する制御、及びＹ座標軸方向のいずれかの
一方の電極に接続された電位検出回路４０及びマルチプ
レクサ４１及びアナログ／ディジタルコンバータ４２を
制御して生成した電位情報を検出する制御を実行するこ
とができる。
１２とアナログスイッチ１４とを接続状態に設定する制
御、アナログスイッチ１３とアナログスイッチ１５を離
間状態に設定する制御、及びＹ座標軸方向のいずれかの
一方の電極に接続された電位検出回路４０及びマルチプ
レクサ４１及びアナログ／ディジタルコンバータ４２を
制御して生成した電位情報を検出する制御を実行するこ
とができる。
【００６３】その結果、記憶したＸ座標軸方向の基準電
位情報に基づいて押圧座標特定演算を実行してＸ座標軸
方向の座標位置を特定することができる。
位情報に基づいて押圧座標特定演算を実行してＸ座標軸
方向の座標位置を特定することができる。
【００６４】更に詳しく、第１実施形態の抵抗膜接触型
タッチパネル制御装置１０を説明する。
タッチパネル制御装置１０を説明する。
【００６５】図１において、抵抗膜接触型タッチパネル
１は、図示しない透明な絶縁物のマイクロスペーサを介
して抵抗値の特性が線形（直線性）である一対の抵抗膜
である上部透明抵抗膜２と下部透明抵抗膜３とが重ね合
わされて構成されており、指やペン先等で押圧しない状
態では両抵抗膜が接触せず、押圧された状態でその押圧
された箇所の重ね合わされた抵抗膜どうしが接触するよ
うに構成されている。
１は、図示しない透明な絶縁物のマイクロスペーサを介
して抵抗値の特性が線形（直線性）である一対の抵抗膜
である上部透明抵抗膜２と下部透明抵抗膜３とが重ね合
わされて構成されており、指やペン先等で押圧しない状
態では両抵抗膜が接触せず、押圧された状態でその押圧
された箇所の重ね合わされた抵抗膜どうしが接触するよ
うに構成されている。
【００６６】上部透明抵抗膜２は左右両端にＸ座標軸方
向の電極として電極４及び電極５を有し、また下部透明
抵抗膜３は上下両端にＹ座標軸方向の電極として電極６
及び電極７を有している。電極４及び電極５間には内部
抵抗Ｒ2を有しており、電極６及び電極７間には内部抵
抗Ｒ3を有している。
向の電極として電極４及び電極５を有し、また下部透明
抵抗膜３は上下両端にＹ座標軸方向の電極として電極６
及び電極７を有している。電極４及び電極５間には内部
抵抗Ｒ2を有しており、電極６及び電極７間には内部抵
抗Ｒ3を有している。
【００６７】電極４及び電極６は、抵抗膜接触型タッチ
パネル制御装置１０が有する直流電源ＰＳＵ１１とアナ
ログスイッチ１２，１３を介してそれぞれ接続され、電
極５及び電極７は、直流電源ＰＳＵ１１の接地電源ＧＮ
Ｄとアナログスイッチ１４，１５を介してそれぞれ接続
されている。アナログスイッチ１２〜１５はイネーブル
状態信号により接点が開閉し、記憶演算部３０のＩ／Ｏ
ポート３１〜３４により制御される。
パネル制御装置１０が有する直流電源ＰＳＵ１１とアナ
ログスイッチ１２，１３を介してそれぞれ接続され、電
極５及び電極７は、直流電源ＰＳＵ１１の接地電源ＧＮ
Ｄとアナログスイッチ１４，１５を介してそれぞれ接続
されている。アナログスイッチ１２〜１５はイネーブル
状態信号により接点が開閉し、記憶演算部３０のＩ／Ｏ
ポート３１〜３４により制御される。
【００６８】Ｉ／Ｏポート３１，３３をイネーブル状態
にするとアナログスイッチ１２，１４の接点が閉じ、上
部透明抵抗膜２にはＸ座標軸方向に電圧が印加される。
また、Ｉ／Ｏポート３２，３４をイネーブル状態にする
とアナログスイッチ１３，１５の接点が閉じ、下部透明
抵抗膜３にはＹ座標軸方向に電圧が印加される。
にするとアナログスイッチ１２，１４の接点が閉じ、上
部透明抵抗膜２にはＸ座標軸方向に電圧が印加される。
また、Ｉ／Ｏポート３２，３４をイネーブル状態にする
とアナログスイッチ１３，１５の接点が閉じ、下部透明
抵抗膜３にはＹ座標軸方向に電圧が印加される。
【００６９】なお、アナログスイッチ１２，１４及びア
ナログスイッチ１３，１５は各々連動して開閉するよう
に、記憶演算部３０のＩ／Ｏポートと接続してもよい。
この場合、使用するＩ／Ｏポートは２つで済むといった
メリットがある。
ナログスイッチ１３，１５は各々連動して開閉するよう
に、記憶演算部３０のＩ／Ｏポートと接続してもよい。
この場合、使用するＩ／Ｏポートは２つで済むといった
メリットがある。
【００７０】各電極４〜７はさらに、抵抗膜接触型タッ
チパネル制御装置１０が有するボルテージフォロワ回路
２０〜２３に接続されている。
チパネル制御装置１０が有するボルテージフォロワ回路
２０〜２３に接続されている。
【００７１】ボルテージフォロワ回路２０〜２３の各々
は、各電極４〜７の電位を電位検出回路４０へほぼ無限
大に近い高インピーダンスで出力する。
は、各電極４〜７の電位を電位検出回路４０へほぼ無限
大に近い高インピーダンスで出力する。
【００７２】電位検出回路４０は、４つのボルテージフ
ォロワ回路２０〜２３の出力からいずれか１つを選択す
るマルチプレクサ４１と、マルチプレクサ４１から出力
されるアナログ値の電位をディジタル変換する８ビット
分解能のアナログ／ディジタルコンバータ４２から構成
されている。
ォロワ回路２０〜２３の出力からいずれか１つを選択す
るマルチプレクサ４１と、マルチプレクサ４１から出力
されるアナログ値の電位をディジタル変換する８ビット
分解能のアナログ／ディジタルコンバータ４２から構成
されている。
【００７３】記憶演算部３０は、マルチプレクサ４１に
接続された２ビットの切換信号をＩ／Ｏポート３５，３
６から出力し、４つのボルテージフォロワ回路２０〜２
３の出力からいずれかを選択し、該当する電極の電位を
アナログ／ディジタルコンバータ４２によりディジタル
変換して８ビットの電位情報を得る。
接続された２ビットの切換信号をＩ／Ｏポート３５，３
６から出力し、４つのボルテージフォロワ回路２０〜２
３の出力からいずれかを選択し、該当する電極の電位を
アナログ／ディジタルコンバータ４２によりディジタル
変換して８ビットの電位情報を得る。
【００７４】記憶演算部３０は、主にＣＰＵ５１、ＲＡ
Ｍ５２、ＲＯＭ５３、データバス５４、アドレスバス
（図示せず）、Ｉ／Ｏポート３１〜３６を中心とするハ
ードウェア構成となっている。
Ｍ５２、ＲＯＭ５３、データバス５４、アドレスバス
（図示せず）、Ｉ／Ｏポート３１〜３６を中心とするハ
ードウェア構成となっている。
【００７５】電位検出回路４０から出力される８ビット
のディジタル値の電位情報は、データバス５４を介して
ＲＡＭ５２に書き込まれる。ＣＰＵ５１は、ＲＯＭ５３
に蓄積されているプログラムに基づいて後述する処理
（制御方法の処理）を行い、Ｘ座標軸及びＹ座標軸の各
座標位置を特定して抵抗膜接触型タッチパネル１の押圧
座標位置を算出する。
のディジタル値の電位情報は、データバス５４を介して
ＲＡＭ５２に書き込まれる。ＣＰＵ５１は、ＲＯＭ５３
に蓄積されているプログラムに基づいて後述する処理
（制御方法の処理）を行い、Ｘ座標軸及びＹ座標軸の各
座標位置を特定して抵抗膜接触型タッチパネル１の押圧
座標位置を算出する。
【００７６】次に、抵抗膜接触型タッチパネル制御装置
１０の押圧座標位置検出動作を図２〜図４を用いて説明
する。
１０の押圧座標位置検出動作を図２〜図４を用いて説明
する。
【００７７】図２は、図１の抵抗膜接触型タッチパネル
制御装置１０の押圧位置を特定する動作のうち、電極基
準電位（オフセット）測定動作を説明するためのフロー
チャートであり、図３は、図１の抵抗膜接触型タッチパ
ネル制御装置１０の押圧位置を特定する動作のうち、Ｘ
座標軸押圧座標位置検出動作を説明するためのフローチ
ャートであり、図４は、図１の抵抗膜接触型タッチパネ
ル制御装置１０の押圧位置を特定する動作のうち、Ｙ座
標軸押圧座標位置検出動作を説明するためのフローチャ
ートである。
制御装置１０の押圧位置を特定する動作のうち、電極基
準電位（オフセット）測定動作を説明するためのフロー
チャートであり、図３は、図１の抵抗膜接触型タッチパ
ネル制御装置１０の押圧位置を特定する動作のうち、Ｘ
座標軸押圧座標位置検出動作を説明するためのフローチ
ャートであり、図４は、図１の抵抗膜接触型タッチパネ
ル制御装置１０の押圧位置を特定する動作のうち、Ｙ座
標軸押圧座標位置検出動作を説明するためのフローチャ
ートである。
【００７８】押圧座標位置検出動作は、（Ａ）電極基準
電位（オフセット）測定動作、（Ｂ）Ｘ座標軸押圧座標
位置検出動作、（Ｃ）Ｙ座標軸押圧座標位置検出動作、
の３種類の動作を中心に構成されている。
電位（オフセット）測定動作、（Ｂ）Ｘ座標軸押圧座標
位置検出動作、（Ｃ）Ｙ座標軸押圧座標位置検出動作、
の３種類の動作を中心に構成されている。
【００７９】最初に電極基準電位（オフセット）測定動
作について、図２を用いて説明する。
作について、図２を用いて説明する。
【００８０】ＣＰＵ５１は、Ｉ／Ｏポート３１，３３を
イネーブル（Ｅｎａｂｌｅ）状態（ステップＳ１，Ｓ
２）に、Ｉ／Ｏポート３２，３４をディスエーブル（Ｄ
ｉｓａｂｌｅ）状態（ステップＳ３，Ｓ４）に設定す
る。これにより、アナログスイッチ１２，１４の接点が
閉じ、アナログスイッチ１３，１５の接点が開放され、
上部透明抵抗膜２に直流電源ＰＳＵ１１からＸ座標軸方
向の電圧が印加される。
イネーブル（Ｅｎａｂｌｅ）状態（ステップＳ１，Ｓ
２）に、Ｉ／Ｏポート３２，３４をディスエーブル（Ｄ
ｉｓａｂｌｅ）状態（ステップＳ３，Ｓ４）に設定す
る。これにより、アナログスイッチ１２，１４の接点が
閉じ、アナログスイッチ１３，１５の接点が開放され、
上部透明抵抗膜２に直流電源ＰＳＵ１１からＸ座標軸方
向の電圧が印加される。
【００８１】この状態で、Ｉ／Ｏポート３５，３６から
出力される切換信号により、マルチプレクサ４１の入力
をボルテージフォロワ回路２０に接続する制御を実行す
る（ステップＳ５）。
出力される切換信号により、マルチプレクサ４１の入力
をボルテージフォロワ回路２０に接続する制御を実行す
る（ステップＳ５）。
【００８２】そして、アナログ／ディジタルコンバータ
４２を制御することにより、電極４のアナログ値の電位
を８ビットのディジタル値の基準電位情報（ＯＦＦＳＥ
Ｔ＿Ｘ+）としてＲＡＭ５２に格納する制御を実行する
（ステップＳ６）。
４２を制御することにより、電極４のアナログ値の電位
を８ビットのディジタル値の基準電位情報（ＯＦＦＳＥ
Ｔ＿Ｘ+）としてＲＡＭ５２に格納する制御を実行する
（ステップＳ６）。
【００８３】次に、ＣＰＵ５１は、Ｉ／Ｏポート３５，
３６から出力される切換信号により、マルチプレクサ４
１の入力をボルテージフォロワ回路２１に接続し（ステ
ップＳ７）、アナログ／ディジタルコンバータ４２を制
御することにより、電極５のアナログ値の電位を８ビッ
トのディジタル値の基準電位情報（ＯＦＦＳＥＴ＿
Ｘ -）としてＲＡＭ５２に格納する制御を実行する（ス
テップＳ８）。
３６から出力される切換信号により、マルチプレクサ４
１の入力をボルテージフォロワ回路２１に接続し（ステ
ップＳ７）、アナログ／ディジタルコンバータ４２を制
御することにより、電極５のアナログ値の電位を８ビッ
トのディジタル値の基準電位情報（ＯＦＦＳＥＴ＿
Ｘ -）としてＲＡＭ５２に格納する制御を実行する（ス
テップＳ８）。
【００８４】さらに、ＣＰＵ５１は、Ｉ／Ｏポート３
２，３４をイネーブル状態（ステップＳ９，Ｓ１０）
に、Ｉ／Ｏポート３１，３３をディスエーブル状態（ス
テップＳ１１，Ｓ１２）に設定する。
２，３４をイネーブル状態（ステップＳ９，Ｓ１０）
に、Ｉ／Ｏポート３１，３３をディスエーブル状態（ス
テップＳ１１，Ｓ１２）に設定する。
【００８５】これにより、アナログスイッチ１３，１５
の接点が閉じ、アナログスイッチ１２，１４の接点が開
放され、下部透明抵抗膜３に直流電源ＰＳＵ１１からＹ
座標軸方向の電圧が印加される。
の接点が閉じ、アナログスイッチ１２，１４の接点が開
放され、下部透明抵抗膜３に直流電源ＰＳＵ１１からＹ
座標軸方向の電圧が印加される。
【００８６】この状態で、Ｉ／Ｏポート３５，３６から
出力される切換信号により、マルチプレクサ４１の入力
をボルテージフォロワ回路２２に接続する制御を実行す
る（ステップＳ１３）。
出力される切換信号により、マルチプレクサ４１の入力
をボルテージフォロワ回路２２に接続する制御を実行す
る（ステップＳ１３）。
【００８７】そして、アナログ／ディジタルコンバータ
４２を制御することにより、電極６のアナログ値の電位
を、８ビットのディジタル値の基準電位情報（ＯＦＦＳ
ＥＴ＿Ｙ+）としてＲＡＭ５２に格納する制御を実行す
る（ステップＳ１４）。
４２を制御することにより、電極６のアナログ値の電位
を、８ビットのディジタル値の基準電位情報（ＯＦＦＳ
ＥＴ＿Ｙ+）としてＲＡＭ５２に格納する制御を実行す
る（ステップＳ１４）。
【００８８】次に、ＣＰＵ５１は、Ｉ／Ｏポート３５，
３６から出力される切換信号により、マルチプレクサ４
１の入力をボルテージフォロワ回路２３に接続（ステッ
プＳ１５）し、アナログ／ディジタルコンバータ４２を
制御することにより、電極７のアナログ値の電位を８ビ
ットのディジタル値の基準電位情報（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ
-）としてＲＡＭ５２に格納する制御を実行する（ステ
ップＳ１６）。
３６から出力される切換信号により、マルチプレクサ４
１の入力をボルテージフォロワ回路２３に接続（ステッ
プＳ１５）し、アナログ／ディジタルコンバータ４２を
制御することにより、電極７のアナログ値の電位を８ビ
ットのディジタル値の基準電位情報（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ
-）としてＲＡＭ５２に格納する制御を実行する（ステ
ップＳ１６）。
【００８９】次に、Ｘ座標軸押圧座標位置検出動作につ
いて、図３を用いて説明する。
いて、図３を用いて説明する。
【００９０】ＣＰＵ５１は、Ｉ／Ｏポート３１，３３を
イネーブル状態（ステップＳ２１，Ｓ２２）に、Ｉ／Ｏ
ポート３２，３４をディスエーブル状態（ステップＳ２
３，２４）に設定する。これにより、アナログスイッチ
１２，１４の接点が閉じられ、アナログスイッチ１３，
１５の接点が開放され、上部透明抵抗膜２にＸ座標軸方
向の電圧が印加される。
イネーブル状態（ステップＳ２１，Ｓ２２）に、Ｉ／Ｏ
ポート３２，３４をディスエーブル状態（ステップＳ２
３，２４）に設定する。これにより、アナログスイッチ
１２，１４の接点が閉じられ、アナログスイッチ１３，
１５の接点が開放され、上部透明抵抗膜２にＸ座標軸方
向の電圧が印加される。
【００９１】ＣＰＵ５１は、この状態で、Ｉ／Ｏポート
３５，３６から出力される切換信号によりマルチプレク
サ４１の入力をボルテージフォロワ回路２３に接続する
制御を実行する（ステップＳ２５）。そして、アナログ
／ディジタルコンバータ４２を制御することにより、電
極７のアナログ値の電位を、８ビットのディジタル値の
電位情報として所定のサンプリング時間でポーリングす
る制御を実行する（ステップＳ２６）。
３５，３６から出力される切換信号によりマルチプレク
サ４１の入力をボルテージフォロワ回路２３に接続する
制御を実行する（ステップＳ２５）。そして、アナログ
／ディジタルコンバータ４２を制御することにより、電
極７のアナログ値の電位を、８ビットのディジタル値の
電位情報として所定のサンプリング時間でポーリングす
る制御を実行する（ステップＳ２６）。
【００９２】抵抗膜接触型タッチパネル１上を指やペン
先等で押圧すると、押圧した箇所において重ね合わせた
上部透明抵抗膜２と下部透明抵抗膜３とが接触する。こ
のとき直流電源ＰＳＵ１１から電圧が印加されている上
部透明抵抗膜２と直交する下部透明抵抗膜３の電極６，
７に、漏れ電流による電位が検出される。
先等で押圧すると、押圧した箇所において重ね合わせた
上部透明抵抗膜２と下部透明抵抗膜３とが接触する。こ
のとき直流電源ＰＳＵ１１から電圧が印加されている上
部透明抵抗膜２と直交する下部透明抵抗膜３の電極６，
７に、漏れ電流による電位が検出される。
【００９３】すなわち、電極４と電極５との間の距離に
対する押圧点の位置が、上部透明抵抗膜２の内部抵抗値
Ｒ2に対する抵抗分圧値として検出できる。このとき、
押圧点の位置から電極７までの距離に対応する下部透明
抵抗膜３の内部抵抗値Ｒ3に対する分圧抵抗値は、ボル
テージフォロワ回路２３の入力インピーダンスが非常に
高いことにより無視することができる。
対する押圧点の位置が、上部透明抵抗膜２の内部抵抗値
Ｒ2に対する抵抗分圧値として検出できる。このとき、
押圧点の位置から電極７までの距離に対応する下部透明
抵抗膜３の内部抵抗値Ｒ3に対する分圧抵抗値は、ボル
テージフォロワ回路２３の入力インピーダンスが非常に
高いことにより無視することができる。
【００９４】抵抗膜接触型タッチパネル１が生成する押
圧のイベント発生は、電極７の電位情報をポーリングし
ている際（ステップＳ２６）の電位情報変化により検出
可能である（ステップＳ２７）。
圧のイベント発生は、電極７の電位情報をポーリングし
ている際（ステップＳ２６）の電位情報変化により検出
可能である（ステップＳ２７）。
【００９５】ＣＰＵ５１は、抵抗膜接触型タッチパネル
１が生成する押圧のイベント発生を検出した場合（ステ
ップＳ２７のＹＥＳ）、電極７の電位情報を所定回数サ
ンプリングし（ステップＳ２８）、得られたデータを平
均化することにより、Ｘ座標軸押圧座標位置の８ビット
のディジタル値の電位情報（Ｘ＿ＤＡＴＡ）をＲＡＭ５
２に格納する制御を実行する（ステップＳ２９）。
１が生成する押圧のイベント発生を検出した場合（ステ
ップＳ２７のＹＥＳ）、電極７の電位情報を所定回数サ
ンプリングし（ステップＳ２８）、得られたデータを平
均化することにより、Ｘ座標軸押圧座標位置の８ビット
のディジタル値の電位情報（Ｘ＿ＤＡＴＡ）をＲＡＭ５
２に格納する制御を実行する（ステップＳ２９）。
【００９６】最後に、Ｙ座標軸押圧座標位置検出動作に
ついて、図４を用いて説明する。
ついて、図４を用いて説明する。
【００９７】ＣＰＵ５１は、Ｉ／Ｏポート３２，３４を
イネーブル状態（ステップＳ３１，Ｓ３２）に、Ｉ／Ｏ
ポート３１，３３をディスエーブル状態（ステップＳ３
３，３４）に設定する。
イネーブル状態（ステップＳ３１，Ｓ３２）に、Ｉ／Ｏ
ポート３１，３３をディスエーブル状態（ステップＳ３
３，３４）に設定する。
【００９８】これにより、アナログスイッチ１３，１５
の接点が閉じられ、アナログスイッチ１２，１４の接点
が開放され、下部透明抵抗膜３にＹ座標軸方向の電圧が
印加される。
の接点が閉じられ、アナログスイッチ１２，１４の接点
が開放され、下部透明抵抗膜３にＹ座標軸方向の電圧が
印加される。
【００９９】この状態で、ＣＰＵ５１は、Ｉ／Ｏポート
３５，３６から出力される切換信号によりマルチプレク
サ４１の入力をボルテージフォロワ回路２１に接続する
制御を実行する（ステップＳ３５）。
３５，３６から出力される切換信号によりマルチプレク
サ４１の入力をボルテージフォロワ回路２１に接続する
制御を実行する（ステップＳ３５）。
【０１００】そしてＣＰＵ５１は、アナログ／ディジタ
ルコンバータ４２を制御することにより、電極５のアナ
ログ値の電位を８ビットのディジタル値の電位情報とし
て所定回数サンプリングする制御を実行する（ステップ
Ｓ３６）。
ルコンバータ４２を制御することにより、電極５のアナ
ログ値の電位を８ビットのディジタル値の電位情報とし
て所定回数サンプリングする制御を実行する（ステップ
Ｓ３６）。
【０１０１】上述したＸ座標軸押圧座標位置検出動作と
同様に、今度は、直流電源ＰＳＵ１１から電圧が印加さ
れている下部透明抵抗膜３と直交する上部透明抵抗膜２
の電極４，５に、漏れ電流による電位が検出される。
同様に、今度は、直流電源ＰＳＵ１１から電圧が印加さ
れている下部透明抵抗膜３と直交する上部透明抵抗膜２
の電極４，５に、漏れ電流による電位が検出される。
【０１０２】すなわち、電極６と電極７との間の距離に
対する押圧点の位置が、下部透明抵抗膜３の内部抵抗値
Ｒ3に対する抵抗分圧値として検出できる。
対する押圧点の位置が、下部透明抵抗膜３の内部抵抗値
Ｒ3に対する抵抗分圧値として検出できる。
【０１０３】ＣＰＵ５１は、このようにして、得られた
ディジタル値の電位情報を平均化することにより、Ｙ座
標軸押圧座標位置の８ビットのディジタル値の電位情報
（Ｙ＿ＤＡＴＡ）をＲＡＭ５２に格納する制御を実行す
る（ステップＳ３７）。
ディジタル値の電位情報を平均化することにより、Ｙ座
標軸押圧座標位置の８ビットのディジタル値の電位情報
（Ｙ＿ＤＡＴＡ）をＲＡＭ５２に格納する制御を実行す
る（ステップＳ３７）。
【０１０４】ここで、各座標軸押圧座標への変換方法に
ついて、図５を用いて説明する。
ついて、図５を用いて説明する。
【０１０５】図５は、上部透明抵抗膜２、抵抗膜接触型
タッチパネル制御装置１０を含むＸ座標軸上の回路模式
図である。
タッチパネル制御装置１０を含むＸ座標軸上の回路模式
図である。
【０１０６】図５において、Ａ点はアナログスイッチ１
２の直流電源ＰＳＵ１１のプラス（＋）側端子、Ｂ点は
電極４、Ｃ点は抵抗膜接触型タッチパネル１上のＸ座標
軸上の押圧点、Ｄ点は電極５、Ｅ点はアナログスイッチ
１４の直流電源ＰＳＵ１１のマイナス（−）側（ＧＮ
Ｄ）端子である。
２の直流電源ＰＳＵ１１のプラス（＋）側端子、Ｂ点は
電極４、Ｃ点は抵抗膜接触型タッチパネル１上のＸ座標
軸上の押圧点、Ｄ点は電極５、Ｅ点はアナログスイッチ
１４の直流電源ＰＳＵ１１のマイナス（−）側（ＧＮ
Ｄ）端子である。
【０１０７】ここで、アナログスイッチ１２のオン抵抗
をｒ12、アナログスイッチ１４のオン抵抗をｒ14、上部
透明抵抗膜２の内部抵抗をＲ2とし、電極４と電極５と
の間の距離Ｌ2に対する（電極５を基準としたときの）
押圧点（Ｃ点）の距離ＬXを算出する処理を説明する。
をｒ12、アナログスイッチ１４のオン抵抗をｒ14、上部
透明抵抗膜２の内部抵抗をＲ2とし、電極４と電極５と
の間の距離Ｌ2に対する（電極５を基準としたときの）
押圧点（Ｃ点）の距離ＬXを算出する処理を説明する。
【０１０８】図５において、直流電源ＰＳＵ１１から見
たときの回路合成インピーダンスは、ｒ12＋Ｒ2＋ｒ14
となり、アナログスイッチ１２，１４のオン抵抗ｒ12，
ｒ14による電圧降下が抵抗膜接触型タッチパネル１のＸ
座標軸押圧位置特定に対する誤差となる。
たときの回路合成インピーダンスは、ｒ12＋Ｒ2＋ｒ14
となり、アナログスイッチ１２，１４のオン抵抗ｒ12，
ｒ14による電圧降下が抵抗膜接触型タッチパネル１のＸ
座標軸押圧位置特定に対する誤差となる。
【０１０９】さて、記憶演算部３０は、すでに説明した
ように、押圧座標位置検出動作の電極基準電位（オフセ
ット）測定動作において、ディジタル値の基準電位情報
ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ+，ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ-を（ステップＳ
６，８）、Ｘ座標軸押圧座標位置検出動作においてディ
ジタル値の電位情報Ｘ＿ＤＡＴＡを（ステップＳ２
９）、それぞれ検出してＲＡＭ５２に格納した。
ように、押圧座標位置検出動作の電極基準電位（オフセ
ット）測定動作において、ディジタル値の基準電位情報
ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ+，ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ-を（ステップＳ
６，８）、Ｘ座標軸押圧座標位置検出動作においてディ
ジタル値の電位情報Ｘ＿ＤＡＴＡを（ステップＳ２
９）、それぞれ検出してＲＡＭ５２に格納した。
【０１１０】アナログ／ディジタルコンバータ４２のＡ
／Ｄ基準電圧（Ｖref）を直流電源ＰＳＵ１１の電圧と
したとき、８ビット表現において、Ａ点のディジタル電
位は２５５であり、Ｅ点のディジタル電位は０となる。
さらにＢ点のディジタル電位はＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ+，Ｃ
点のディジタル電位はＸ＿ＤＡＴＡ，Ｄ点のディジタル
電位はＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ-となる。
／Ｄ基準電圧（Ｖref）を直流電源ＰＳＵ１１の電圧と
したとき、８ビット表現において、Ａ点のディジタル電
位は２５５であり、Ｅ点のディジタル電位は０となる。
さらにＢ点のディジタル電位はＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ+，Ｃ
点のディジタル電位はＸ＿ＤＡＴＡ，Ｄ点のディジタル
電位はＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ-となる。
【０１１１】ここで、アナログスイッチ１２，１４のオ
ン抵抗ｒ12、ｒ14による電圧降下を除去すると、求める
距離ＬXは次式で与えられる。
ン抵抗ｒ12、ｒ14による電圧降下を除去すると、求める
距離ＬXは次式で与えられる。
【０１１２】ＬX＝Ｌ2×（Ｘ＿ＤＡＴＡ−ＯＦＦＳＥＴ
＿Ｘ-）／（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ+−ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ-）
同様に、アナログスイッチ１３のオン抵抗をＲ13、アナ
ログスイッチ１５のオン抵抗をｒ15、下部透明抵抗膜３
の内部抵抗をＲ3とすると、電極６と電極７との間の距
離Ｌ3に対する（電極７を基準としたときの）押圧点の
距離ＬYは次式で与えられる。
＿Ｘ-）／（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ+−ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ-）
同様に、アナログスイッチ１３のオン抵抗をＲ13、アナ
ログスイッチ１５のオン抵抗をｒ15、下部透明抵抗膜３
の内部抵抗をＲ3とすると、電極６と電極７との間の距
離Ｌ3に対する（電極７を基準としたときの）押圧点の
距離ＬYは次式で与えられる。
【０１１３】ＬY＝Ｌ3×（Ｙ＿ＤＡＴＡ−ＯＦＦＳＥＴ
＿Ｙ-）／（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ+−ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ-）
すなわち、Ｘ座標軸上において、アナログスイッチ１
２，１４のオン抵抗に起因する電圧降下を算出し、これ
を除去することによって、Ｘ座標軸上における押圧座標
位置を正確に特定できる。また、Ｙ座標軸上において、
アナログスイッチ１３，１５のオン抵抗に起因する電圧
降下を算出し、これを除去することによってＹ座標軸上
における押圧座標位置を正確に特定できる。
＿Ｙ-）／（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ+−ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ-）
すなわち、Ｘ座標軸上において、アナログスイッチ１
２，１４のオン抵抗に起因する電圧降下を算出し、これ
を除去することによって、Ｘ座標軸上における押圧座標
位置を正確に特定できる。また、Ｙ座標軸上において、
アナログスイッチ１３，１５のオン抵抗に起因する電圧
降下を算出し、これを除去することによってＹ座標軸上
における押圧座標位置を正確に特定できる。
【０１１４】このようにして求めた各座標軸上の押圧座
標位置特定により、アナログスイッチ１２〜１５のオン
抵抗固有のバラツキ、あるいは温度環境、経年変化によ
るバラツキに関わらず抵抗膜接触型タッチパネル１の２
次元押圧座標位置を正確に特定できる。
標位置特定により、アナログスイッチ１２〜１５のオン
抵抗固有のバラツキ、あるいは温度環境、経年変化によ
るバラツキに関わらず抵抗膜接触型タッチパネル１の２
次元押圧座標位置を正確に特定できる。
【０１１５】以上説明したように、このような諸機能を
備えた第１実施形態の抵抗膜接触型タッチパネル制御装
置１０によれば、抵抗膜接触型タッチパネル制御装置１
０の押圧位置を特定する方法において、Ｘ座標軸及びＹ
座標軸上において、アナログスイッチのオン抵抗に起因
する電圧降下を算出し、これを除去することによって各
座標軸上における押圧座標位置を正確に特定する。この
ようにして求めた各座標軸上の押圧座標位置特定によ
り、アナログスイッチのオン抵抗固有のバラツキ、ある
いは温度環境、経年変化によるバラツキに関わらず、抵
抗膜接触型タッチパネル１の２次元押圧座標位置を正確
に特定できる。すなわち、上部透明抵抗膜２と下部透明
抵抗膜３とへの電圧印加状態と離間状態に用いるアナロ
グスイッチ等切換手段のオン抵抗が、かなりのバラツキ
を有しており、また温度環境、経年変化に起因してバラ
ツキを有していた場合であっても、調整等の操作をする
ことなく常に正確な押圧位置を算出することができるよ
うになり、上記切換手段のオン抵抗のバラツキを補正し
た上で、さらに押圧位置の検出位置精度を向上させるこ
とができるようになる。
備えた第１実施形態の抵抗膜接触型タッチパネル制御装
置１０によれば、抵抗膜接触型タッチパネル制御装置１
０の押圧位置を特定する方法において、Ｘ座標軸及びＹ
座標軸上において、アナログスイッチのオン抵抗に起因
する電圧降下を算出し、これを除去することによって各
座標軸上における押圧座標位置を正確に特定する。この
ようにして求めた各座標軸上の押圧座標位置特定によ
り、アナログスイッチのオン抵抗固有のバラツキ、ある
いは温度環境、経年変化によるバラツキに関わらず、抵
抗膜接触型タッチパネル１の２次元押圧座標位置を正確
に特定できる。すなわち、上部透明抵抗膜２と下部透明
抵抗膜３とへの電圧印加状態と離間状態に用いるアナロ
グスイッチ等切換手段のオン抵抗が、かなりのバラツキ
を有しており、また温度環境、経年変化に起因してバラ
ツキを有していた場合であっても、調整等の操作をする
ことなく常に正確な押圧位置を算出することができるよ
うになり、上記切換手段のオン抵抗のバラツキを補正し
た上で、さらに押圧位置の検出位置精度を向上させるこ
とができるようになる。
【０１１６】更に加えて、押圧イベント発生検出を押下
位置座標によらず一定とし、かつ耐ノイズ性に優れた誤
動作のない抵抗膜接触型タッチパネル制御装置１０を実
現できる。
位置座標によらず一定とし、かつ耐ノイズ性に優れた誤
動作のない抵抗膜接触型タッチパネル制御装置１０を実
現できる。
【０１１７】（第２実施形態）次に、請求項２に記載す
る発明の抵抗膜接触型タッチパネル制御装置１０の一実
施形態について図６〜図８を用いて説明する。
る発明の抵抗膜接触型タッチパネル制御装置１０の一実
施形態について図６〜図８を用いて説明する。
【０１１８】図６は、請求項２に記載する発明の抵抗膜
接触型タッチパネル制御装置１０の一実施形態における
電位検出回路４０及び記憶演算部３０の応用例であり、
図７は、請求項２に記載する発明の抵抗膜接触型タッチ
パネル制御装置１０の一実施形態が実行する押圧位置を
特定する動作のうち、Ｘ座標軸押圧座標位置検出動作を
説明するためのフローチャートであり、図８は、請求項
２に記載する発明の抵抗膜接触型タッチパネル制御装置
１０の一実施形態が実行する押圧位置を特定する動作の
うち、Ｙ座標軸押圧座標位置検出動作を説明するための
フローチャートである。なお、第１実施形態において既
に記述したものと同一の部分については、同一符号を付
し、重複した説明は省略する。
接触型タッチパネル制御装置１０の一実施形態における
電位検出回路４０及び記憶演算部３０の応用例であり、
図７は、請求項２に記載する発明の抵抗膜接触型タッチ
パネル制御装置１０の一実施形態が実行する押圧位置を
特定する動作のうち、Ｘ座標軸押圧座標位置検出動作を
説明するためのフローチャートであり、図８は、請求項
２に記載する発明の抵抗膜接触型タッチパネル制御装置
１０の一実施形態が実行する押圧位置を特定する動作の
うち、Ｙ座標軸押圧座標位置検出動作を説明するための
フローチャートである。なお、第１実施形態において既
に記述したものと同一の部分については、同一符号を付
し、重複した説明は省略する。
【０１１９】第２実施形態の抵抗膜接触型タッチパネル
制御装置１０は、第１実施形態の抵抗膜接触型タッチパ
ネル制御装置１０の構成に加えて、アナログ電圧を一定
時間だけ保持電圧として保持する電圧保持手段４３（具
体的には、サンプル／ホールド回路。以後、サンプル／
ホールド回路４３と言う）を有している点に特徴を有し
ている。
制御装置１０は、第１実施形態の抵抗膜接触型タッチパ
ネル制御装置１０の構成に加えて、アナログ電圧を一定
時間だけ保持電圧として保持する電圧保持手段４３（具
体的には、サンプル／ホールド回路。以後、サンプル／
ホールド回路４３と言う）を有している点に特徴を有し
ている。
【０１２０】前述の記憶演算部３０は、抵抗膜の膜面が
押圧されたときの押圧点の２次元座標位置特定を行う場
合、アナログスイッチ１３とアナログスイッチ１５とを
接続状態に設定する制御、及びアナログスイッチ１２と
アナログスイッチ１４を離間状態に設定する制御を実行
する。
押圧されたときの押圧点の２次元座標位置特定を行う場
合、アナログスイッチ１３とアナログスイッチ１５とを
接続状態に設定する制御、及びアナログスイッチ１２と
アナログスイッチ１４を離間状態に設定する制御を実行
する。
【０１２１】続いて記憶演算部３０は、Ｙ座標軸方向の
両電極６，７の基準電位をサンプル／ホールド回路４３
を制御して保持し、このときのサンプル／ホールド回路
４３の保持電圧をアナログ／ディジタルコンバータ４２
の基準電圧に設定した後、アナログスイッチ１３とアナ
ログスイッチ１５とを接続状態に設定する制御、及びア
ナログスイッチ１２とアナログスイッチ１４を離間状態
に設定する制御を実行する。
両電極６，７の基準電位をサンプル／ホールド回路４３
を制御して保持し、このときのサンプル／ホールド回路
４３の保持電圧をアナログ／ディジタルコンバータ４２
の基準電圧に設定した後、アナログスイッチ１３とアナ
ログスイッチ１５とを接続状態に設定する制御、及びア
ナログスイッチ１２とアナログスイッチ１４を離間状態
に設定する制御を実行する。
【０１２２】続いて記憶演算部３０は、Ｘ座標軸方向の
いずれかの一方の電極４（５）に接続された電位検出回
路４０とマルチプレクサ４１、及びアナログ／ディジタ
ルコンバータ４２を制御して生成した電位情報を検出し
てＹ座標軸方向の座標位置を特定し、また、アナログス
イッチ１３とアナログスイッチ１５とを接続状態に設定
する制御、及びアナログスイッチ１２とアナログスイッ
チ１４を離間状態に設定する制御を実行する。
いずれかの一方の電極４（５）に接続された電位検出回
路４０とマルチプレクサ４１、及びアナログ／ディジタ
ルコンバータ４２を制御して生成した電位情報を検出し
てＹ座標軸方向の座標位置を特定し、また、アナログス
イッチ１３とアナログスイッチ１５とを接続状態に設定
する制御、及びアナログスイッチ１２とアナログスイッ
チ１４を離間状態に設定する制御を実行する。
【０１２３】続いて記憶演算部３０は、Ｙ座標軸方向の
両電極６，７の基準電位をサンプル／ホールド回路４３
を制御して保持し、このときのサンプル／ホールド回路
４３の保持電圧をアナログ／ディジタルコンバータ４２
の基準電圧とする制御を実行した後、アナログスイッチ
１２とアナログスイッチ１４とを接続状態に設定する制
御、アナログスイッチ１３とアナログスイッチ１５を離
間状態に設定する制御、及びＹ座標軸方向のいずれかの
一方の電極６（７）に接続された電位検出回路４０とマ
ルチプレクサ４１、及びアナログ／ディジタルコンバー
タ４２を制御して生成した電位情報を検出してＸ座標軸
方向の座標位置を特定する。
両電極６，７の基準電位をサンプル／ホールド回路４３
を制御して保持し、このときのサンプル／ホールド回路
４３の保持電圧をアナログ／ディジタルコンバータ４２
の基準電圧とする制御を実行した後、アナログスイッチ
１２とアナログスイッチ１４とを接続状態に設定する制
御、アナログスイッチ１３とアナログスイッチ１５を離
間状態に設定する制御、及びＹ座標軸方向のいずれかの
一方の電極６（７）に接続された電位検出回路４０とマ
ルチプレクサ４１、及びアナログ／ディジタルコンバー
タ４２を制御して生成した電位情報を検出してＸ座標軸
方向の座標位置を特定する。
【０１２４】これにより、押圧点の２次元座標位置（Ｘ
座標とＹ座標）を決定することができる。
座標とＹ座標）を決定することができる。
【０１２５】更に詳しく、第２実施形態の抵抗膜接触型
タッチパネル制御装置１０を説明する。
タッチパネル制御装置１０を説明する。
【０１２６】図６は、請求項２に記載する発明の抵抗膜
接触型タッチパネル制御装置１０の一実施形態における
電位検出回路４０及び記憶演算部３０の応用例である。
接触型タッチパネル制御装置１０の一実施形態における
電位検出回路４０及び記憶演算部３０の応用例である。
【０１２７】図６において、マルチプレクサ（ＭＰＸ）
４１は、４入力２出力構成となっており、前述のＣＰＵ
５１のＩ／Ｏポート３５〜３７から出力される３ビット
の切換信号によって、４つのボルテージフォロワ回路２
０〜２３の出力から２つを選択することが可能である。
４１は、４入力２出力構成となっており、前述のＣＰＵ
５１のＩ／Ｏポート３５〜３７から出力される３ビット
の切換信号によって、４つのボルテージフォロワ回路２
０〜２３の出力から２つを選択することが可能である。
【０１２８】マルチプレクサ４１の２つの出力のうち一
方は、アナログ／ディジタルコンバータ４２のアナログ
入力端子と、アナログスイッチ１６を介してサンプル／
ホールド回路４３とに接続されている。マルチプレクサ
４１の２つの出力のうち他方は、アナログ／ディジタル
コンバータ４２のＡ／Ｄ基準電圧のＧＮＤ端子ＡＧＮＤ
及びサンプル／ホールド回路４３のＧＮＤ端子に接続さ
れている。
方は、アナログ／ディジタルコンバータ４２のアナログ
入力端子と、アナログスイッチ１６を介してサンプル／
ホールド回路４３とに接続されている。マルチプレクサ
４１の２つの出力のうち他方は、アナログ／ディジタル
コンバータ４２のＡ／Ｄ基準電圧のＧＮＤ端子ＡＧＮＤ
及びサンプル／ホールド回路４３のＧＮＤ端子に接続さ
れている。
【０１２９】アナログスイッチ１６は、イネーブル状態
信号を受けたときにその接点が開閉し、また記憶演算部
３０（ＣＰＵ５１）のＩ／Ｏポート３８からの制御信号
により制御される。
信号を受けたときにその接点が開閉し、また記憶演算部
３０（ＣＰＵ５１）のＩ／Ｏポート３８からの制御信号
により制御される。
【０１３０】また、サンプル／ホールド回路４３の出力
は、アナログ／ディジタルコンバータ４２のＡ／Ｄ基準
電圧Ｖref端子に接続されている。
は、アナログ／ディジタルコンバータ４２のＡ／Ｄ基準
電圧Ｖref端子に接続されている。
【０１３１】なお、その他の機能構成は、第１実施形態
の抵抗膜接触型タッチパネル制御装置１０と同様である
ので、同一符号を付し、重複した説明は省略する。
の抵抗膜接触型タッチパネル制御装置１０と同様である
ので、同一符号を付し、重複した説明は省略する。
【０１３２】次に、第２実施形態の抵抗膜接触型タッチ
パネル制御装置１０における抵抗膜接触型タッチパネル
制御装置１０の押圧座標位置検出動作を図７を用いて説
明する。
パネル制御装置１０における抵抗膜接触型タッチパネル
制御装置１０の押圧座標位置検出動作を図７を用いて説
明する。
【０１３３】図７は、請求項２に記載する発明の抵抗膜
接触型タッチパネル制御装置１０の一実施形態が実行す
る押圧位置を特定する動作のうち、Ｘ座標軸押圧座標位
置検出動作を説明するためのフローチャートである。
接触型タッチパネル制御装置１０の一実施形態が実行す
る押圧位置を特定する動作のうち、Ｘ座標軸押圧座標位
置検出動作を説明するためのフローチャートである。
【０１３４】押圧座標位置検出動作は、（Ａ）Ｘ座標軸
押圧座標位置検出動作、（Ｂ）Ｙ座標軸押圧座標位置検
出動作、を中心に構成されている。
押圧座標位置検出動作、（Ｂ）Ｙ座標軸押圧座標位置検
出動作、を中心に構成されている。
【０１３５】最初に、Ｘ座標軸押圧座標位置検出動作に
ついて、図７を用いて説明する。
ついて、図７を用いて説明する。
【０１３６】まず、ＣＰＵ５１は、Ｉ／Ｏポート３１，
３３をイネーブル状態（ステップＳ４１，Ｓ４２）に、
Ｉ／Ｏポート３２，３４をディスエーブル状態（ステッ
プＳ４３，Ｓ４４）に設定する。
３３をイネーブル状態（ステップＳ４１，Ｓ４２）に、
Ｉ／Ｏポート３２，３４をディスエーブル状態（ステッ
プＳ４３，Ｓ４４）に設定する。
【０１３７】これにより、アナログスイッチ１２，１４
の接点が閉じ、アナログスイッチ１３，１５の接点が開
放され、上部透明抵抗膜２に直流電源ＰＳＵ１１からＸ
座標軸方向の電圧が印加される。
の接点が閉じ、アナログスイッチ１３，１５の接点が開
放され、上部透明抵抗膜２に直流電源ＰＳＵ１１からＸ
座標軸方向の電圧が印加される。
【０１３８】この状態で、ＣＰＵ５１は、Ｉ／Ｏポート
３５，３６，３７から出力される切換信号によりマルチ
プレクサ４１の入力のうち、アナログ／ディジタルコン
バータ４２側をボルテージフォロワ回路２０に、他方を
ボルテージフォロワ回路２１に接続する制御を実行する
（ステップＳ４５）。
３５，３６，３７から出力される切換信号によりマルチ
プレクサ４１の入力のうち、アナログ／ディジタルコン
バータ４２側をボルテージフォロワ回路２０に、他方を
ボルテージフォロワ回路２１に接続する制御を実行する
（ステップＳ４５）。
【０１３９】この状態で、ＣＰＵ５１は、Ｉ／Ｏポート
３８をイネーブル状態（ステップＳ４６）に設定し、ア
ナログスイッチ１６の接点をいったん閉じた後、再びＩ
／Ｏポート３８をディスエーブル状態（ステップＳ４
７）に設定し、アナログスイッチ１６の接点を開放する
制御を実行する。
３８をイネーブル状態（ステップＳ４６）に設定し、ア
ナログスイッチ１６の接点をいったん閉じた後、再びＩ
／Ｏポート３８をディスエーブル状態（ステップＳ４
７）に設定し、アナログスイッチ１６の接点を開放する
制御を実行する。
【０１４０】これにより、電極５に対する電極４の電位
がサンプル／ホールド回路４３により、ホールドされ
る。
がサンプル／ホールド回路４３により、ホールドされ
る。
【０１４１】さらに、ＣＰＵ５１は、Ｉ／Ｏポート３
５，３６，３７から出力される切換信号により、マルチ
プレクサ４１の入力のうち、アナログ／ディジタルコン
バータ４２側をボルテージフォロワ回路２３に接続変更
する制御を実行する（ステップＳ４８）。
５，３６，３７から出力される切換信号により、マルチ
プレクサ４１の入力のうち、アナログ／ディジタルコン
バータ４２側をボルテージフォロワ回路２３に接続変更
する制御を実行する（ステップＳ４８）。
【０１４２】そして、ＣＰＵ５１は、アナログ／ディジ
タルコンバータ４２を制御することにより、電極７のア
ナログ値の電位を８ビットのディジタル値の電位情報と
して、所定のサンプリング時間でポーリングする制御を
実行する（ステップＳ４９）。
タルコンバータ４２を制御することにより、電極７のア
ナログ値の電位を８ビットのディジタル値の電位情報と
して、所定のサンプリング時間でポーリングする制御を
実行する（ステップＳ４９）。
【０１４３】またＣＰＵ５１は、電位情報変化により抵
抗膜接触型タッチパネル１が生成する押圧のイベント発
生を検出した場合（ステップＳ５０）、電極７の電位情
報を所定回数サンプリングし（ステップＳ５１）、得ら
れたデータを平均化することにより、Ｘ座標軸押圧座標
位置の８ビットのディジタル値の電位情報（Ｘ＿ＤＡＴ
Ａ）をＲＡＭ５２に格納する制御を実行する（ステップ
Ｓ５２）。
抗膜接触型タッチパネル１が生成する押圧のイベント発
生を検出した場合（ステップＳ５０）、電極７の電位情
報を所定回数サンプリングし（ステップＳ５１）、得ら
れたデータを平均化することにより、Ｘ座標軸押圧座標
位置の８ビットのディジタル値の電位情報（Ｘ＿ＤＡＴ
Ａ）をＲＡＭ５２に格納する制御を実行する（ステップ
Ｓ５２）。
【０１４４】次に、Ｙ座標軸押圧座標位置検出動作につ
いて、図８を用いて説明する。図８は、請求項２に記載
する発明の抵抗膜接触型タッチパネル制御装置１０の一
実施形態が実行する押圧位置を特定する動作のうち、Ｙ
座標軸押圧座標位置検出動作を説明するためのフローチ
ャートである。
いて、図８を用いて説明する。図８は、請求項２に記載
する発明の抵抗膜接触型タッチパネル制御装置１０の一
実施形態が実行する押圧位置を特定する動作のうち、Ｙ
座標軸押圧座標位置検出動作を説明するためのフローチ
ャートである。
【０１４５】まず、ＣＰＵ５１は、Ｉ／Ｏポート３２，
３４をイネーブル状態（ステップＳ６１，Ｓ６２）に、
Ｉ／Ｏポート３１，３３をディスエーブル状態（ステッ
プＳ６３，Ｓ６４）に設定する。
３４をイネーブル状態（ステップＳ６１，Ｓ６２）に、
Ｉ／Ｏポート３１，３３をディスエーブル状態（ステッ
プＳ６３，Ｓ６４）に設定する。
【０１４６】これにより、アナログスイッチ１３，１５
の接点が閉じられ、アナログスイッチ１２，１４の接点
が開放され、下部透明抵抗膜３に直流電源ＰＳＵ１１か
らＹ座標軸方向の電圧が印加される。
の接点が閉じられ、アナログスイッチ１２，１４の接点
が開放され、下部透明抵抗膜３に直流電源ＰＳＵ１１か
らＹ座標軸方向の電圧が印加される。
【０１４７】この状態で、ＣＰＵ５１は、Ｉ／Ｏポート
３５，３６，３７から出力される切換信号によりマルチ
プレクサ４１の入力のうち、アナログ／ディジタルコン
バータ４２側をボルテージフォロワ回路２２に、他方を
ボルテージフォロワ回路２３に接続する制御を実行する
（ステップＳ６５）。
３５，３６，３７から出力される切換信号によりマルチ
プレクサ４１の入力のうち、アナログ／ディジタルコン
バータ４２側をボルテージフォロワ回路２２に、他方を
ボルテージフォロワ回路２３に接続する制御を実行する
（ステップＳ６５）。
【０１４８】この状態で、ＣＰＵ５１は、Ｉ／Ｏポート
３８をイネーブル状態（ステップＳ６６）に設定し、ア
ナログスイッチ１６の接点をいったん閉じた後、再びＩ
／Ｏポート３８をディスエーブル状態（ステップＳ６
７）に設定し、アナログスイッチ１６の接点を開放する
制御を実行する。
３８をイネーブル状態（ステップＳ６６）に設定し、ア
ナログスイッチ１６の接点をいったん閉じた後、再びＩ
／Ｏポート３８をディスエーブル状態（ステップＳ６
７）に設定し、アナログスイッチ１６の接点を開放する
制御を実行する。
【０１４９】これにより、電極７に対する電極６の電位
がサンプル／ホールド回路４３によりサンプルされ、ホ
ールドされる。
がサンプル／ホールド回路４３によりサンプルされ、ホ
ールドされる。
【０１５０】さらに、ＣＰＵ５１は、Ｉ／Ｏポート３
５，３６，３７から出力される切換信号によりマルチプ
レクサ４１の入力のうち、アナログ／ディジタルコンバ
ータ４２側をボルテージフォロワ回路２１に接続変更す
る制御を実行する（ステップＳ６８）。そして、ＣＰＵ
５１は、アナログ／ディジタルコンバータ４２を制御す
ることにより、電極５のアナログ値の電位を８ビットの
ディジタル値の電位情報として所定回数サンプリングし
（ステップＳ６９）、得られたデータを平均化すること
により、Ｙ座標軸押圧座標位置の８ビットのディジタル
値の電位情報（Ｙ＿ＤＡＴＡ）をＲＡＭ５２に格納する
制御を実行する（ステップＳ７０）。
５，３６，３７から出力される切換信号によりマルチプ
レクサ４１の入力のうち、アナログ／ディジタルコンバ
ータ４２側をボルテージフォロワ回路２１に接続変更す
る制御を実行する（ステップＳ６８）。そして、ＣＰＵ
５１は、アナログ／ディジタルコンバータ４２を制御す
ることにより、電極５のアナログ値の電位を８ビットの
ディジタル値の電位情報として所定回数サンプリングし
（ステップＳ６９）、得られたデータを平均化すること
により、Ｙ座標軸押圧座標位置の８ビットのディジタル
値の電位情報（Ｙ＿ＤＡＴＡ）をＲＡＭ５２に格納する
制御を実行する（ステップＳ７０）。
【０１５１】ここで、各座標軸押圧座標への変換方法に
ついて、図５を用いて説明する。
ついて、図５を用いて説明する。
【０１５２】図５において、直流電源ＰＳＵ１１から見
たときの回路合成インピーダンスはｒ12＋Ｒ2＋ｒ14で
あり、第１実施形態では、アナログ／ディジタルコンバ
ータ４２のＡ／Ｄ基準電圧Ｖrefを直流電源ＰＳＵ１１
の電圧としていたため、アナログスイッチ１２，１４の
オン抵抗ｒ12、ｒ14に起因する電圧降下が抵抗膜接触型
タッチパネル１のＸ座標軸押圧位置特定に対する誤差と
なっていた。そのため第１実施形態では、アナログスイ
ッチ１２〜１５のオン抵抗に起因する電圧降下をそれぞ
れ算出し、これを除去することによって各座標軸上にお
ける押圧座標位置を正確に特定することを特徴としてい
た。
たときの回路合成インピーダンスはｒ12＋Ｒ2＋ｒ14で
あり、第１実施形態では、アナログ／ディジタルコンバ
ータ４２のＡ／Ｄ基準電圧Ｖrefを直流電源ＰＳＵ１１
の電圧としていたため、アナログスイッチ１２，１４の
オン抵抗ｒ12、ｒ14に起因する電圧降下が抵抗膜接触型
タッチパネル１のＸ座標軸押圧位置特定に対する誤差と
なっていた。そのため第１実施形態では、アナログスイ
ッチ１２〜１５のオン抵抗に起因する電圧降下をそれぞ
れ算出し、これを除去することによって各座標軸上にお
ける押圧座標位置を正確に特定することを特徴としてい
た。
【０１５３】一方第２実施形態では、アナログ／ディジ
タルコンバータ４２のＡ／Ｄ基準電圧ＶrefをＤ点に対
するＢ点の電位とすることにより、Ｂ点のディジタル電
位は２５５となり、Ｄ点のディジタル電位は０とできる
点に特徴を有している。
タルコンバータ４２のＡ／Ｄ基準電圧ＶrefをＤ点に対
するＢ点の電位とすることにより、Ｂ点のディジタル電
位は２５５となり、Ｄ点のディジタル電位は０とできる
点に特徴を有している。
【０１５４】これにより、電極４と電極５との間の距離
Ｌ2に対する（電極５を基準としたときの）押圧点（Ｃ
点）の距離ＬX、電極６と電極７との間の距離Ｌ3に対す
る（電極７を基準としたときの）押圧点（Ｃ点）の距離
ＬYは次式で与えられる。
Ｌ2に対する（電極５を基準としたときの）押圧点（Ｃ
点）の距離ＬX、電極６と電極７との間の距離Ｌ3に対す
る（電極７を基準としたときの）押圧点（Ｃ点）の距離
ＬYは次式で与えられる。
【０１５５】ＬX＝Ｌ2×Ｘ＿ＤＡＴＡ／２５６ ＬY＝Ｌ3×Ｙ＿ＤＡＴＡ／２５６ すなわち、アナログ／ディジタルコンバータ４２のダイ
ナミックレンジをフルに使用でき、低鼓膜接触型タッチ
パネル１の２次元押圧座標位置特定において、アナログ
スイッチ１２〜１５のオン抵抗固有のバラツキ、あるい
は温度環境、経年変化によるバラツキに関わらず抵抗膜
接触型タッチパネル１の２次元押圧座標位置を正確に特
定でき、さらにその検出位置精度をアップすることが可
能になる。
ナミックレンジをフルに使用でき、低鼓膜接触型タッチ
パネル１の２次元押圧座標位置特定において、アナログ
スイッチ１２〜１５のオン抵抗固有のバラツキ、あるい
は温度環境、経年変化によるバラツキに関わらず抵抗膜
接触型タッチパネル１の２次元押圧座標位置を正確に特
定でき、さらにその検出位置精度をアップすることが可
能になる。
【０１５６】以上説明したように、第２実施形態の抵抗
膜接触型タッチパネル制御装置１０によれば、第１実施
形態に記載の効果に加えて、アナログ／ディジタルコン
バータのダイナミックレンジをフルに使用でき、抵抗膜
接触型タッチパネル１の２次元押圧座標位置特定におい
て、アナログスイッチのオン抵抗固有のバラツキ、ある
いは温度変化、経年変化によるバラツキに関わらず、抵
抗膜接触型タッチパネル１の２次元押圧座標位置を正確
に特定でき、さらにその検出位置精度をアップすること
が可能となる。
膜接触型タッチパネル制御装置１０によれば、第１実施
形態に記載の効果に加えて、アナログ／ディジタルコン
バータのダイナミックレンジをフルに使用でき、抵抗膜
接触型タッチパネル１の２次元押圧座標位置特定におい
て、アナログスイッチのオン抵抗固有のバラツキ、ある
いは温度変化、経年変化によるバラツキに関わらず、抵
抗膜接触型タッチパネル１の２次元押圧座標位置を正確
に特定でき、さらにその検出位置精度をアップすること
が可能となる。
【０１５７】（第３実施形態）続いて、抵抗膜接触型タ
ッチパネル制御装置１０の第３実施形態について、図
９、図１０を用いて説明する。なお、第１実施形態また
は第２実施形態において既に記述したものと同一の部分
については、同一符号を付し、重複した説明は省略す
る。
ッチパネル制御装置１０の第３実施形態について、図
９、図１０を用いて説明する。なお、第１実施形態また
は第２実施形態において既に記述したものと同一の部分
については、同一符号を付し、重複した説明は省略す
る。
【０１５８】図９は、請求項３に記載する発明の抵抗膜
接触型タッチパネル制御装置１０の一実施形態を説明す
るためのブロック図である。
接触型タッチパネル制御装置１０の一実施形態を説明す
るためのブロック図である。
【０１５９】第３実施形態の抵抗膜接触型タッチパネル
制御装置１０は、第１実施形態の抵抗膜接触型タッチパ
ネル制御装置１０の構成に加えて、直流電源ＰＳＵ１１
を、Ｘ座標軸方向のアナログスイッチ１２と同方向の電
極に抵抗素子を介して接続または離間する第５切換手段
１７（具体的には、アナログスイッチ。以後、アナログ
スイッチ１７と言う）を有している点に特徴を有してい
る。
制御装置１０は、第１実施形態の抵抗膜接触型タッチパ
ネル制御装置１０の構成に加えて、直流電源ＰＳＵ１１
を、Ｘ座標軸方向のアナログスイッチ１２と同方向の電
極に抵抗素子を介して接続または離間する第５切換手段
１７（具体的には、アナログスイッチ。以後、アナログ
スイッチ１７と言う）を有している点に特徴を有してい
る。
【０１６０】このとき、ＣＰＵ５１は、アナログスイッ
チ１５とアナログスイッチ１７とを接続状態に設定する
制御、及びアナログスイッチ１２とアナログスイッチ１
３とアナログスイッチ１４を離間状態とする制御とを実
行する。
チ１５とアナログスイッチ１７とを接続状態に設定する
制御、及びアナログスイッチ１２とアナログスイッチ１
３とアナログスイッチ１４を離間状態とする制御とを実
行する。
【０１６１】これによりＣＰＵ５１は、Ｘ座標軸方向の
直流電源ＰＳＵ１１側の電極に接続された電位検出回路
４０及びマルチプレクサ４１及びアナログ／ディジタル
コンバータ４２を制御して生成した電位情報を検出、ま
たはＹ座標軸方向の直流電源ＰＳＵ１１側の電極に接続
された電位検出回路４０及びマルチプレクサ４１及びア
ナログ／ディジタルコンバータ４２を制御して生成した
電位情報を検出し、この電位情報の特定の値以下への変
化を抵抗膜面の押圧と判断する。
直流電源ＰＳＵ１１側の電極に接続された電位検出回路
４０及びマルチプレクサ４１及びアナログ／ディジタル
コンバータ４２を制御して生成した電位情報を検出、ま
たはＹ座標軸方向の直流電源ＰＳＵ１１側の電極に接続
された電位検出回路４０及びマルチプレクサ４１及びア
ナログ／ディジタルコンバータ４２を制御して生成した
電位情報を検出し、この電位情報の特定の値以下への変
化を抵抗膜面の押圧と判断する。
【０１６２】図９において、電極４は直流電源ＰＳＵ１
１とアナログスイッチ１２を介して接続されると同時に
それと並列に検出抵抗１８、アナログスイッチ１７を介
して接続されている。
１とアナログスイッチ１２を介して接続されると同時に
それと並列に検出抵抗１８、アナログスイッチ１７を介
して接続されている。
【０１６３】アナログスイッチ１７は、イネーブル状態
信号により接点が開閉し、記憶演算部３０のＩ／Ｏポー
ト３９により制御される。なお、その他の構成は図１と
同様であるので、それらの説明は省略する。
信号により接点が開閉し、記憶演算部３０のＩ／Ｏポー
ト３９により制御される。なお、その他の構成は図１と
同様であるので、それらの説明は省略する。
【０１６４】続いて、抵抗膜接点型タッチパネル１の制
御装置の押圧イベント発生検出動作を、図１０を用いて
説明する。図１０は、図９の抵抗膜接触型タッチパネル
制御装置１０の押圧イベント発生検出動作を説明するた
めのフローチャートである。
御装置の押圧イベント発生検出動作を、図１０を用いて
説明する。図１０は、図９の抵抗膜接触型タッチパネル
制御装置１０の押圧イベント発生検出動作を説明するた
めのフローチャートである。
【０１６５】まず、ＣＰＵ５１は、Ｉ／Ｏポート３４，
３９をイネーブル状態（ステップＳ８１，Ｓ８２）に、
Ｉ／Ｏポート３１〜３３をディスエーブル状態（ステッ
プＳ８３〜８５）に設定する。
３９をイネーブル状態（ステップＳ８１，Ｓ８２）に、
Ｉ／Ｏポート３１〜３３をディスエーブル状態（ステッ
プＳ８３〜８５）に設定する。
【０１６６】これにより、アナログスイッチ１５，１７
の接点が閉じ、アナログスイッチ１２〜１４の接点が開
放される。
の接点が閉じ、アナログスイッチ１２〜１４の接点が開
放される。
【０１６７】そしてＣＰＵ５１は、Ｉ／Ｏポート３５，
３６から出力される切換信号によりマルチプレクサ４１
の入力をボルテージフォロワ回路２０に接続し（ステッ
プＳ８６）、アナログ／ディジタルコンバータ４２を制
御することにより、電極４のアナログ値の電位を８ビッ
トのディジタル値の電位情報として所定のサンプリング
時間でポーリングする制御を実行する（ステップＳ８
７）。
３６から出力される切換信号によりマルチプレクサ４１
の入力をボルテージフォロワ回路２０に接続し（ステッ
プＳ８６）、アナログ／ディジタルコンバータ４２を制
御することにより、電極４のアナログ値の電位を８ビッ
トのディジタル値の電位情報として所定のサンプリング
時間でポーリングする制御を実行する（ステップＳ８
７）。
【０１６８】この時、上部透明抵抗膜２上の電圧は、図
５におけるＥ点と直流電源ＰＳＵ１１の接地電源ＧＮＤ
間が開放された状態であり、Ａ〜Ｅ点の全てにおいて直
流電源ＰＳＵ１１の電圧となっている。つまり、アナロ
グ／ディジタルコンバータ４２により検出される電極４
のディジタル電位は、上部透明抵抗膜２上の押圧座標位
置に関わらず常に２５５である。
５におけるＥ点と直流電源ＰＳＵ１１の接地電源ＧＮＤ
間が開放された状態であり、Ａ〜Ｅ点の全てにおいて直
流電源ＰＳＵ１１の電圧となっている。つまり、アナロ
グ／ディジタルコンバータ４２により検出される電極４
のディジタル電位は、上部透明抵抗膜２上の押圧座標位
置に関わらず常に２５５である。
【０１６９】さて、この状態で抵抗膜接触型タッチパネ
ル１上を指やペン先等で押圧すると、押圧した箇所にお
いて重ね合わされた上部透明抵抗膜２と下部透明抵抗膜
３とが接触する。
ル１上を指やペン先等で押圧すると、押圧した箇所にお
いて重ね合わされた上部透明抵抗膜２と下部透明抵抗膜
３とが接触する。
【０１７０】このとき、電極７は直流電源ＰＳＵ１１の
接地電源ＧＮＤと接続されているため、電極４から押圧
点の位置までの距離に対応する上部透明抵抗膜２の内部
抵抗値Ｒ2に対する分圧抵抗値と、押圧点の位置から電
極７までの距離に対応する下部透明抵抗膜３の内部抵抗
値Ｒ3に対する分圧抵抗値との合成インピーダンスを介
して接地される。
接地電源ＧＮＤと接続されているため、電極４から押圧
点の位置までの距離に対応する上部透明抵抗膜２の内部
抵抗値Ｒ2に対する分圧抵抗値と、押圧点の位置から電
極７までの距離に対応する下部透明抵抗膜３の内部抵抗
値Ｒ3に対する分圧抵抗値との合成インピーダンスを介
して接地される。
【０１７１】ここで、検出抵抗１８の値をＲ2，Ｒ3と比
較して十分大きくすることでこの合成インピーダンスは
無視でき、ＣＰＵ５１は、アナログ／ディジタルコンバ
ータ４２のディジタル値の電位情報が２５５から０に変
化したことを検出して、抵抗膜接触型タッチパネル１の
押圧イベント発生と判断できる（ステップＳ８８）。
較して十分大きくすることでこの合成インピーダンスは
無視でき、ＣＰＵ５１は、アナログ／ディジタルコンバ
ータ４２のディジタル値の電位情報が２５５から０に変
化したことを検出して、抵抗膜接触型タッチパネル１の
押圧イベント発生と判断できる（ステップＳ８８）。
【０１７２】抵抗膜接触型タッチパネル１が生成する押
圧のイベント発生をＸ座標軸押圧座標位置検出動作の電
極７の電位情報変化により検出する場合（図３のステッ
プＳ２７）、抵抗膜接触型タッチパネル１の押下位置座
標によって絶対的な電位が変動し、特に電極５側かつ電
極７側はほとんどＧＮＤ電位であるため抵抗膜接触型タ
ッチパネルが押圧されていなくても、ノイズによる押圧
イベント発生を誤検知する危険があった。
圧のイベント発生をＸ座標軸押圧座標位置検出動作の電
極７の電位情報変化により検出する場合（図３のステッ
プＳ２７）、抵抗膜接触型タッチパネル１の押下位置座
標によって絶対的な電位が変動し、特に電極５側かつ電
極７側はほとんどＧＮＤ電位であるため抵抗膜接触型タ
ッチパネルが押圧されていなくても、ノイズによる押圧
イベント発生を誤検知する危険があった。
【０１７３】しかしながら、第３実施形態においては、
抵抗膜接触型タッチパネル１が押圧されていない状態で
は押圧検出のディジタル電位を２５５とすることがで
き、かつ押圧イベント発生は抵抗膜接触型タッチパネル
の押下位置座標によらず一定で、押圧検出のディジタル
電位をほぼ０とすることができるため、耐ノイズ性に優
れた誤動作のない抵抗膜接触型タッチパネル制御装置１
０の押圧イベント発生検出が可能となる。
抵抗膜接触型タッチパネル１が押圧されていない状態で
は押圧検出のディジタル電位を２５５とすることがで
き、かつ押圧イベント発生は抵抗膜接触型タッチパネル
の押下位置座標によらず一定で、押圧検出のディジタル
電位をほぼ０とすることができるため、耐ノイズ性に優
れた誤動作のない抵抗膜接触型タッチパネル制御装置１
０の押圧イベント発生検出が可能となる。
【０１７４】以上説明したように、第３実施形態によれ
ば、第１実施形態または第２実施形態に記載の効果に加
えて、抵抗膜接触型タッチパネル１が押圧されていない
状態では押圧検出のディジタル電位を最大とすることが
でき、かつ押圧イベント発生は抵抗膜接触型タッチパネ
ル１の押下位置座標に関わらず一定で、押圧検出のディ
ジタル電位をほぼ０とすることができるため、耐ノイズ
性に優れた誤動作のない抵抗膜接触型タッチパネル制御
装置１０の押圧イベント発生検出が可能となる。
ば、第１実施形態または第２実施形態に記載の効果に加
えて、抵抗膜接触型タッチパネル１が押圧されていない
状態では押圧検出のディジタル電位を最大とすることが
でき、かつ押圧イベント発生は抵抗膜接触型タッチパネ
ル１の押下位置座標に関わらず一定で、押圧検出のディ
ジタル電位をほぼ０とすることができるため、耐ノイズ
性に優れた誤動作のない抵抗膜接触型タッチパネル制御
装置１０の押圧イベント発生検出が可能となる。
【０１７５】（第４実施形態）第４実施形態は、抵抗膜
接触型タッチパネル１の押圧位置の検出制御を行う抵抗
膜接触型タッチパネル制御装置１０の制御方法に関し、
特に、上部透明抵抗膜２と下部透明抵抗膜３とと直流電
源ＰＳＵ１１との間に複数のスイッチを設け、この複数
のスイッチの切換状態によって、各座標の押圧位置検出
及び押圧イベント検出を行う抵抗膜接触型タッチパネル
制御装置１０の制御方法である。
接触型タッチパネル１の押圧位置の検出制御を行う抵抗
膜接触型タッチパネル制御装置１０の制御方法に関し、
特に、上部透明抵抗膜２と下部透明抵抗膜３とと直流電
源ＰＳＵ１１との間に複数のスイッチを設け、この複数
のスイッチの切換状態によって、各座標の押圧位置検出
及び押圧イベント検出を行う抵抗膜接触型タッチパネル
制御装置１０の制御方法である。
【０１７６】抵抗膜接触型タッチパネル１は、線形特性
の抵抗値を有する上部透明抵抗膜２と下部透明抵抗膜３
とをスペーサを介して重ね合わせ、一方の抵抗膜にはＸ
座標軸方向の両端に、他方の抵抗膜（下部透明抵抗膜）
３にはＹ座標軸方向の両端にそれぞれ電極を設け、抵抗
膜面が押圧されない状態では上部透明抵抗膜２と下部透
明抵抗膜３とは接触せず、押圧されたときに上部透明抵
抗膜２と下部透明抵抗膜３とが押圧点で接触する機能を
有している。
の抵抗値を有する上部透明抵抗膜２と下部透明抵抗膜３
とをスペーサを介して重ね合わせ、一方の抵抗膜にはＸ
座標軸方向の両端に、他方の抵抗膜（下部透明抵抗膜）
３にはＹ座標軸方向の両端にそれぞれ電極を設け、抵抗
膜面が押圧されない状態では上部透明抵抗膜２と下部透
明抵抗膜３とは接触せず、押圧されたときに上部透明抵
抗膜２と下部透明抵抗膜３とが押圧点で接触する機能を
有している。
【０１７７】直流電源ＰＳＵ１１は、各座標軸方向の一
方の電極に電圧を供給する機能を有している。
方の電極に電圧を供給する機能を有している。
【０１７８】アナログスイッチ１２は、直流電源ＰＳＵ
１１をＸ座標軸方向の一方の電極に接続状態または離間
状態とする機能を有している。アナログスイッチ１３
は、直流電源ＰＳＵ１１をＹ座標軸方向の一方の電極に
接続状態または離間状態とする機能を有している。アナ
ログスイッチ１４は、Ｘ座標軸方向の他方の電極を接地
接続状態または離間状態とする機能を有している。アナ
ログスイッチ１５は、Ｙ座標軸方向の他方の電極を接地
接続状態または離間状態とする機能を有している。
１１をＸ座標軸方向の一方の電極に接続状態または離間
状態とする機能を有している。アナログスイッチ１３
は、直流電源ＰＳＵ１１をＹ座標軸方向の一方の電極に
接続状態または離間状態とする機能を有している。アナ
ログスイッチ１４は、Ｘ座標軸方向の他方の電極を接地
接続状態または離間状態とする機能を有している。アナ
ログスイッチ１５は、Ｙ座標軸方向の他方の電極を接地
接続状態または離間状態とする機能を有している。
【０１７９】電位検出回路４０及びマルチプレクサ４１
は、各電極に接続され、これらの各電極の電位を検出す
る機能を有している。
は、各電極に接続され、これらの各電極の電位を検出す
る機能を有している。
【０１８０】アナログ／ディジタルコンバータ４２は、
電位検出回路４０及びマルチプレクサ４１が検出したア
ナログ値の電位をディジタル値の電位に変換する機能を
有している。
電位検出回路４０及びマルチプレクサ４１が検出したア
ナログ値の電位をディジタル値の電位に変換する機能を
有している。
【０１８１】更に加えて第５切換手段１６は、アナログ
スイッチ１２と同方向の電極に検出抵抗１８を介して接
続状態または離間状態とする機能を有し、具体的には、
アナログスイッチ（以後、アナログスイッチ１６と言
う）で実現されている。
スイッチ１２と同方向の電極に検出抵抗１８を介して接
続状態または離間状態とする機能を有し、具体的には、
アナログスイッチ（以後、アナログスイッチ１６と言
う）で実現されている。
【０１８２】記憶演算部３０は、アナログスイッチ１５
とアナログスイッチ１６とを接続状態に設定する制御、
及びアナログスイッチ１２とアナログスイッチ１３とア
ナログスイッチ１４を離間状態に設定する制御を実行す
る。
とアナログスイッチ１６とを接続状態に設定する制御、
及びアナログスイッチ１２とアナログスイッチ１３とア
ナログスイッチ１４を離間状態に設定する制御を実行す
る。
【０１８３】これにより、記憶演算部３０は、Ｘ座標軸
方向またはＹ座標軸方向のいずれかの一方の直流電源Ｐ
ＳＵ１１側の電極に接続された電位検出回路４０及びマ
ルチプレクサ４１及びアナログ／ディジタルコンバータ
４２を制御して電位情報を検出し、当該電位情報の特定
の値以下への変位を抵抗膜面の押圧と判断することがで
きる。
方向またはＹ座標軸方向のいずれかの一方の直流電源Ｐ
ＳＵ１１側の電極に接続された電位検出回路４０及びマ
ルチプレクサ４１及びアナログ／ディジタルコンバータ
４２を制御して電位情報を検出し、当該電位情報の特定
の値以下への変位を抵抗膜面の押圧と判断することがで
きる。
【０１８４】また記憶演算部３０は、抵抗膜面が押圧さ
れたときの押圧点の２次元座標位置特定を実行する場
合、記憶演算部３０は、アナログスイッチ１３とアナロ
グスイッチ１５とを接続状態に設定する制御、アナログ
スイッチ１２とアナログスイッチ１４を離間状態に設定
する制御、及びＸ座標軸方向のいずれかの一方の電極４
（５）に接続された電位検出回路４０及びマルチプレク
サ４１及びアナログ／ディジタルコンバータ４２を制御
して電位情報を検出する。
れたときの押圧点の２次元座標位置特定を実行する場
合、記憶演算部３０は、アナログスイッチ１３とアナロ
グスイッチ１５とを接続状態に設定する制御、アナログ
スイッチ１２とアナログスイッチ１４を離間状態に設定
する制御、及びＸ座標軸方向のいずれかの一方の電極４
（５）に接続された電位検出回路４０及びマルチプレク
サ４１及びアナログ／ディジタルコンバータ４２を制御
して電位情報を検出する。
【０１８５】これにより、記憶演算部３０は、Ｙ座標軸
方向の座標位置を特定することができる。
方向の座標位置を特定することができる。
【０１８６】また記憶演算部３０は、アナログスイッチ
１２とアナログスイッチ１４とを接続状態に設定する制
御、アナログスイッチ１３とアナログスイッチ１５を離
間状態に設定する制御、Ｙ座標軸方向のいずれかの一方
の電極６（７）に接続された電位検出回路４０及びマル
チプレクサ４１及びアナログ／ディジタルコンバータ４
２を制御して電位情報を検出する。
１２とアナログスイッチ１４とを接続状態に設定する制
御、アナログスイッチ１３とアナログスイッチ１５を離
間状態に設定する制御、Ｙ座標軸方向のいずれかの一方
の電極６（７）に接続された電位検出回路４０及びマル
チプレクサ４１及びアナログ／ディジタルコンバータ４
２を制御して電位情報を検出する。
【０１８７】これにより、Ｘ座標軸方向の座標位置を特
定することができる。
定することができる。
【０１８８】更に加えて記憶演算部３０は、Ｙ座標軸方
向の座標位置の特定及びＸ座標軸方向の座標位置の特定
に基づいて抵抗膜接触型タッチパネル１のパネル上の押
圧点の２次元座標位置を特定した後、再度アナログスイ
ッチ１５とアナログスイッチ１６とを接続状態に設定す
る制御、及びアナログスイッチ１２とアナログスイッチ
１３とアナログスイッチ１４を離間状態に設定する制御
を実行する。
向の座標位置の特定及びＸ座標軸方向の座標位置の特定
に基づいて抵抗膜接触型タッチパネル１のパネル上の押
圧点の２次元座標位置を特定した後、再度アナログスイ
ッチ１５とアナログスイッチ１６とを接続状態に設定す
る制御、及びアナログスイッチ１２とアナログスイッチ
１３とアナログスイッチ１４を離間状態に設定する制御
を実行する。
【０１８９】これにより、記憶演算部３０は、Ｘ座標軸
方向の直流電源ＰＳＵ１１側の電極に接続された電位検
出回路４０及びマルチプレクサ４１及びアナログ／ディ
ジタルコンバータ４２を制御して電位情報を検出し、押
圧維持状態の確認結果により抵抗膜接触型タッチパネル
１のパネル上の押圧点の２次元座標位置の特定結果を有
効とすることができる。
方向の直流電源ＰＳＵ１１側の電極に接続された電位検
出回路４０及びマルチプレクサ４１及びアナログ／ディ
ジタルコンバータ４２を制御して電位情報を検出し、押
圧維持状態の確認結果により抵抗膜接触型タッチパネル
１のパネル上の押圧点の２次元座標位置の特定結果を有
効とすることができる。
【０１９０】更に詳しく、第４実施形態の抵抗膜接触型
タッチパネル制御装置１０について、以下に図面を参照
して説明する。
タッチパネル制御装置１０について、以下に図面を参照
して説明する。
【０１９１】図１１は、請求項４に記載する発明の抵抗
膜接触型タッチパネル制御装置１０の一実施形態を説明
するためのブロック図である。
膜接触型タッチパネル制御装置１０の一実施形態を説明
するためのブロック図である。
【０１９２】図１１において、抵抗膜接触型タッチパネ
ル１は図示しない透明な絶縁物のマイクロスペーサを介
して抵抗値の特性が線形（直線性）である２枚の抵抗膜
である上部透明抵抗膜２と下部透明抵抗膜３とが重ね合
わされて構成され、指やペン先等で押圧しない状態では
両抵抗膜が接触せず、押圧された状態でその押圧された
箇所の重ね合わされた抵抗膜が接触するように構成され
ている。
ル１は図示しない透明な絶縁物のマイクロスペーサを介
して抵抗値の特性が線形（直線性）である２枚の抵抗膜
である上部透明抵抗膜２と下部透明抵抗膜３とが重ね合
わされて構成され、指やペン先等で押圧しない状態では
両抵抗膜が接触せず、押圧された状態でその押圧された
箇所の重ね合わされた抵抗膜が接触するように構成され
ている。
【０１９３】上部透明抵抗膜２は、左右両端にＸ座標軸
方向の電極として電極４及び電極５を有し、下部透明抵
抗膜３は上下両端にＹ座標軸方向の電極として電極６及
び電極７を有している。電極４及び電極５間には内部抵
抗Ｒ2を有しており、電極６及び電極７間には内部抵抗
Ｒ3を有している。
方向の電極として電極４及び電極５を有し、下部透明抵
抗膜３は上下両端にＹ座標軸方向の電極として電極６及
び電極７を有している。電極４及び電極５間には内部抵
抗Ｒ2を有しており、電極６及び電極７間には内部抵抗
Ｒ3を有している。
【０１９４】電極４は、抵抗膜接触型タッチパネル制御
装置１０が有する直流電源ＰＳＵ１１とアナログスイッ
チ１２を介して接続されると同時に、それと並列に検出
抵抗１８、アナログスイッチ１６を介して接続されてい
る。
装置１０が有する直流電源ＰＳＵ１１とアナログスイッ
チ１２を介して接続されると同時に、それと並列に検出
抵抗１８、アナログスイッチ１６を介して接続されてい
る。
【０１９５】電極６は、直流電源ＰＳＵ１１とアナログ
スイッチ１３を介して接続されており、電極５及び電極
７は、直流電源ＰＳＵ１１の接地電源ＧＮＤとアナログ
スイッチ１４，１５を介してそれぞれ接続されている。
アナログスイッチ１２〜１６はイネーブル状態信号によ
り接点が開閉し、記憶演算部３０のＩ／Ｏポート３１〜
３５により制御される。
スイッチ１３を介して接続されており、電極５及び電極
７は、直流電源ＰＳＵ１１の接地電源ＧＮＤとアナログ
スイッチ１４，１５を介してそれぞれ接続されている。
アナログスイッチ１２〜１６はイネーブル状態信号によ
り接点が開閉し、記憶演算部３０のＩ／Ｏポート３１〜
３５により制御される。
【０１９６】Ｉ／Ｏポート３１，３３をイネーブル状態
（Ｌレベル）にすると、アナログスイッチ１２，１４の
接点が閉じ、上部透明抵抗膜２にはＸ座標軸方向に電圧
が印加される。
（Ｌレベル）にすると、アナログスイッチ１２，１４の
接点が閉じ、上部透明抵抗膜２にはＸ座標軸方向に電圧
が印加される。
【０１９７】また、Ｉ／Ｏポート３２，３４をイネーブ
ル状態（Ｌレベル）にすると、アナログスイッチ１３，
１５の接点が閉じ、下部透明抵抗膜３にはＹ座標軸方向
に電圧が印加される。
ル状態（Ｌレベル）にすると、アナログスイッチ１３，
１５の接点が閉じ、下部透明抵抗膜３にはＹ座標軸方向
に電圧が印加される。
【０１９８】また、Ｉ／Ｏポート３５をイネーブル状態
（Ｌレベル）に、Ｉ／Ｏポート３１をディスエーブル状
態（Ｈレベル）にすると、アナログスイッチ１２の接点
が開放され、アナログスイッチ１６の接点が閉じる。
（Ｌレベル）に、Ｉ／Ｏポート３１をディスエーブル状
態（Ｈレベル）にすると、アナログスイッチ１２の接点
が開放され、アナログスイッチ１６の接点が閉じる。
【０１９９】これにより、直流電源ＰＳＵ１１の電圧が
検出抵抗１８を介して上部透明抵抗膜２上の電極４に印
加される。
検出抵抗１８を介して上部透明抵抗膜２上の電極４に印
加される。
【０２００】各電極４〜７はさらに、抵抗膜接触型タッ
チパネル制御装置１０が有するボルテージフォロワ回路
２０〜２３に接続されている。ボルテージフォロワ回路
２０〜２３は、各電極４〜７の電位を電位検出回路４０
へほぼ無限大に近い高インピーダンスで出力する。
チパネル制御装置１０が有するボルテージフォロワ回路
２０〜２３に接続されている。ボルテージフォロワ回路
２０〜２３は、各電極４〜７の電位を電位検出回路４０
へほぼ無限大に近い高インピーダンスで出力する。
【０２０１】電位検出回路４０は、４つのボルテージフ
ォロワ回路２０〜２３の出力からいずれか１つを選択す
るマルチプレクサ４１とマルチプレクサ４１から出力さ
れるアナログ値の電位をディジタル変換する８ビット分
解能のアナログ／ディジタルコンバータ４２から構成さ
れている。
ォロワ回路２０〜２３の出力からいずれか１つを選択す
るマルチプレクサ４１とマルチプレクサ４１から出力さ
れるアナログ値の電位をディジタル変換する８ビット分
解能のアナログ／ディジタルコンバータ４２から構成さ
れている。
【０２０２】記憶演算部３０は、マルチプレクサ４１に
接続された２ビットの切換信号をＩ／Ｏポート３６，３
７から出力し、下表のように設定することにより４つの
ボルテージフォロワ回路２０〜２３の出力からいずれか
を選択して、該当する電極の電位をアナログ／ディジタ
ルコンバータ４２によりディジタル変換して８ビットの
電位情報が得られる。
接続された２ビットの切換信号をＩ／Ｏポート３６，３
７から出力し、下表のように設定することにより４つの
ボルテージフォロワ回路２０〜２３の出力からいずれか
を選択して、該当する電極の電位をアナログ／ディジタ
ルコンバータ４２によりディジタル変換して８ビットの
電位情報が得られる。
【０２０３】
【表１】
【０２０４】このような記憶演算部３０は、主にＣＰＵ
５１、ＲＡＭ５２、ＲＯＭ５３、データバス５４、アド
レスバス（図示せず）、Ｉ／Ｏポート３１〜３７で構成
されており、電位検出回路４０から出力される８ビット
のディジタル値の電位情報は、データバス５４を介して
ＲＡＭ５２に書き込まれる。ＣＰＵ５１は、ＲＯＭ５３
に蓄積されているプログラムに基づいて後述する処理を
行い、Ｘ座標軸及びＹ座標軸の各座標位置を特定して抵
抗膜接触型タッチパネル１の押圧座標位置を算出する。
５１、ＲＡＭ５２、ＲＯＭ５３、データバス５４、アド
レスバス（図示せず）、Ｉ／Ｏポート３１〜３７で構成
されており、電位検出回路４０から出力される８ビット
のディジタル値の電位情報は、データバス５４を介して
ＲＡＭ５２に書き込まれる。ＣＰＵ５１は、ＲＯＭ５３
に蓄積されているプログラムに基づいて後述する処理を
行い、Ｘ座標軸及びＹ座標軸の各座標位置を特定して抵
抗膜接触型タッチパネル１の押圧座標位置を算出する。
【０２０５】ＣＰＵ５１が行うＩ／Ｏポート３１〜３７
に対する設定は、Ｉ／Ｏポート３１をＬＳＢ（Ｌｅａｓ
ｔ Ｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔ Ｂｉｔ）とする８ビット
の処理コマンドで行う。ただし、Ｉ／Ｏポート３７は７
ビット目に相当するため、ＭＳＢ（Ｍｏｓｔ Ｓｉｇｎ
ｉｆｉｃａｎｔ Ｂｉｔ）は常に０とする。
に対する設定は、Ｉ／Ｏポート３１をＬＳＢ（Ｌｅａｓ
ｔ Ｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔ Ｂｉｔ）とする８ビット
の処理コマンドで行う。ただし、Ｉ／Ｏポート３７は７
ビット目に相当するため、ＭＳＢ（Ｍｏｓｔ Ｓｉｇｎ
ｉｆｉｃａｎｔ Ｂｉｔ）は常に０とする。
【０２０６】例えば、Ｉ／Ｏポート３１，３３をイネー
ブル状態（Ｌレベル）、Ｉ／Ｏポート３２，３４，３５
をディスエーブル状態（Ｈレベル）として、ボルテージ
フォロワ回路２０を選択するときのＩ／Ｏポート設定コ
マンドは、ＭＳＢから０００１１０１０となり、１Ａｈ
（１６進の１Ａ）となる。
ブル状態（Ｌレベル）、Ｉ／Ｏポート３２，３４，３５
をディスエーブル状態（Ｈレベル）として、ボルテージ
フォロワ回路２０を選択するときのＩ／Ｏポート設定コ
マンドは、ＭＳＢから０００１１０１０となり、１Ａｈ
（１６進の１Ａ）となる。
【０２０７】次に、抵抗膜接触型タッチパネル制御装置
１０の押圧座標位置検出動作にかかる制御方法を図１２
〜図１４を用いて説明する。
１０の押圧座標位置検出動作にかかる制御方法を図１２
〜図１４を用いて説明する。
【０２０８】押圧座標位置検出動作は、（Ａ）電極基準
電位（オフセット）測定動作、（Ｂ）押圧検出動作、
（Ｃ）Ｘ座標軸押圧座標位置検出動作、（Ｄ）Ｙ座標軸
押圧座標位置検出動作、を中心に構成されている。
電位（オフセット）測定動作、（Ｂ）押圧検出動作、
（Ｃ）Ｘ座標軸押圧座標位置検出動作、（Ｄ）Ｙ座標軸
押圧座標位置検出動作、を中心に構成されている。
【０２０９】最初に、電極基準電位（オフセット）測定
動作について、図１２を用いて説明する。図１２は、図
１１の抵抗膜接触型タッチパネル制御装置１０で実行さ
れる制御方法における押圧位置を特定する動作のうち、
電極基準電位（オフセット）測定動作ルーチンを説明す
るためのフローチャートである。
動作について、図１２を用いて説明する。図１２は、図
１１の抵抗膜接触型タッチパネル制御装置１０で実行さ
れる制御方法における押圧位置を特定する動作のうち、
電極基準電位（オフセット）測定動作ルーチンを説明す
るためのフローチャートである。
【０２１０】ＣＰＵ５１は、Ｉ／Ｏポート設定コマンド
を１Ａｈに設定する制御を実行する（ステップＴ１）。
を１Ａｈに設定する制御を実行する（ステップＴ１）。
【０２１１】これにより、アナログスイッチ１２，１４
の接点が閉じ、アナログスイッチ１３，１５，１６の接
点が開放され、上部透明抵抗膜２に直流電源ＰＳＵ１１
からＸ座標軸方向の電圧が印加される。
の接点が閉じ、アナログスイッチ１３，１５，１６の接
点が開放され、上部透明抵抗膜２に直流電源ＰＳＵ１１
からＸ座標軸方向の電圧が印加される。
【０２１２】またこのとき、マルチプレクサ４１の入力
としてボルテージフォロワ回路２０が選択され、電極４
のアナログ値の電位が、アナログ／ディジタルコンバー
タ４２によって８ビットのディジタル値の電位情報とし
てデータバス５４に出力される。
としてボルテージフォロワ回路２０が選択され、電極４
のアナログ値の電位が、アナログ／ディジタルコンバー
タ４２によって８ビットのディジタル値の電位情報とし
てデータバス５４に出力される。
【０２１３】ＣＰＵ５１は、アナログスイッチ１２〜１
６の接点切換に必要な時間待った後（ステップＴ２）、
処理Ａを実行する。
６の接点切換に必要な時間待った後（ステップＴ２）、
処理Ａを実行する。
【０２１４】処理ＡにおいてＣＰＵ５１は、データバス
５４の電位情報を所定回数サンプリングし（ステップＴ
１１）、得られたデータを平均化することにより（ステ
ップＴ１２）、Ｘ座標基準電位情報（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ
+）としてＲＡＭ５２に格納する制御を実行する（ステ
ップＴ１３）。
５４の電位情報を所定回数サンプリングし（ステップＴ
１１）、得られたデータを平均化することにより（ステ
ップＴ１２）、Ｘ座標基準電位情報（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ
+）としてＲＡＭ５２に格納する制御を実行する（ステ
ップＴ１３）。
【０２１５】次に、ＣＰＵ５１は、Ｉ／Ｏポート設定コ
マンドを５Ａｈに設定する制御を実行する（ステップＴ
３）。
マンドを５Ａｈに設定する制御を実行する（ステップＴ
３）。
【０２１６】これにより、マルチプレクサ４１の入力と
してボルテージフォロワ回路２１が選択され、電極５の
アナログ値の電位が、アナログ／ディジタルコンバータ
４２によって８ビットのディジタル値の電位情報として
データバス５４に出力される。
してボルテージフォロワ回路２１が選択され、電極５の
アナログ値の電位が、アナログ／ディジタルコンバータ
４２によって８ビットのディジタル値の電位情報として
データバス５４に出力される。
【０２１７】ＣＰＵ５１は、処理Ａの実行時に、データ
バス５４の電位情報を所定回数サンプリングし（ステッ
プＴ１１）、得られたデータを平均化することにより
（ステップＴ１２）、Ｘ座標基準電位情報（ＯＦＦＳＥ
Ｔ＿Ｘ-）としてＲＡＭ５２に格納する制御を実行する
（ステップＴ１３）。
バス５４の電位情報を所定回数サンプリングし（ステッ
プＴ１１）、得られたデータを平均化することにより
（ステップＴ１２）、Ｘ座標基準電位情報（ＯＦＦＳＥ
Ｔ＿Ｘ-）としてＲＡＭ５２に格納する制御を実行する
（ステップＴ１３）。
【０２１８】Ｙ座標軸方向についても同様であり、ＣＰ
Ｕ５１は、Ｉ／Ｏポート設定コマンドを３５ｈに設定す
る制御を実行する（ステップＴ４）。
Ｕ５１は、Ｉ／Ｏポート設定コマンドを３５ｈに設定す
る制御を実行する（ステップＴ４）。
【０２１９】これにより、アナログスイッチ１３，１５
の接点が閉じ、アナログスイッチ１２，１４，１６の接
点が開放され、下部透明抵抗膜３に直流電源ＰＳＵ１１
からＹ座標軸方向の電圧が印加される。
の接点が閉じ、アナログスイッチ１２，１４，１６の接
点が開放され、下部透明抵抗膜３に直流電源ＰＳＵ１１
からＹ座標軸方向の電圧が印加される。
【０２２０】また、マルチプレクサ４１の入力としてボ
ルテージフォロワ回路２２が選択され、電極６のアナロ
グ値の電位が、アナログ／ディジタルコンバータ４２に
よって８ビットのディジタル値の電位情報としてデータ
バス５４に出力される。
ルテージフォロワ回路２２が選択され、電極６のアナロ
グ値の電位が、アナログ／ディジタルコンバータ４２に
よって８ビットのディジタル値の電位情報としてデータ
バス５４に出力される。
【０２２１】続いてＣＰＵ５１は、アナログスイッチ１
２〜１６の接点切換に必要な時間待った後（ステップＴ
５）に処理Ａを実行する。
２〜１６の接点切換に必要な時間待った後（ステップＴ
５）に処理Ａを実行する。
【０２２２】処理ＡにおいてＣＰＵ５１は、データバス
５４の電位情報を所定回数サンプリングし（ステップＴ
１１）、得られたデータを平均化することにより（ステ
ップＴ１２）、Ｙ座標基準電位情報（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ
+）としてＲＡＭ５２に格納する制御を実行する（ステ
ップＴ１３）。
５４の電位情報を所定回数サンプリングし（ステップＴ
１１）、得られたデータを平均化することにより（ステ
ップＴ１２）、Ｙ座標基準電位情報（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ
+）としてＲＡＭ５２に格納する制御を実行する（ステ
ップＴ１３）。
【０２２３】次に、ＣＰＵ５１は、Ｉ／Ｏポート設定コ
マンドを７５ｈに設定する制御を実行する（ステップＴ
６）。
マンドを７５ｈに設定する制御を実行する（ステップＴ
６）。
【０２２４】これにより、マルチプレクサ４１の入力と
してボルテージフォロワ回路２３が選択され、電極７の
アナログ値の電位が、アナログ／ディジタルコンバータ
４２によって８ビットのディジタル値の電位情報として
データバス５４に出力される。
してボルテージフォロワ回路２３が選択され、電極７の
アナログ値の電位が、アナログ／ディジタルコンバータ
４２によって８ビットのディジタル値の電位情報として
データバス５４に出力される。
【０２２５】処理ＡにおいてＣＰＵ５１は、データバス
５４の電位情報を所定回数サンプリングし（ステップＴ
１１）、得られたデータを平均化することにより（ステ
ップＴ１２）、Ｙ座標基準電位情報（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ
-）としてＲＡＭ５２に格納する制御を実行する（ステ
ップＴ１３）。
５４の電位情報を所定回数サンプリングし（ステップＴ
１１）、得られたデータを平均化することにより（ステ
ップＴ１２）、Ｙ座標基準電位情報（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ
-）としてＲＡＭ５２に格納する制御を実行する（ステ
ップＴ１３）。
【０２２６】次に、押圧検出動作について、図１３を用
いて説明する。図１３は、図１１の抵抗膜接触型タッチ
パネル制御装置１０で実行される制御方法における押圧
検出動作ルーチンの一実施形態を説明するためのフロー
チャートである。
いて説明する。図１３は、図１１の抵抗膜接触型タッチ
パネル制御装置１０で実行される制御方法における押圧
検出動作ルーチンの一実施形態を説明するためのフロー
チャートである。
【０２２７】ＣＰＵ５１は、Ｉ／Ｏポート設定コマンド
を７ｈに設定する制御を実行する（ステップＴ２１）。
を７ｈに設定する制御を実行する（ステップＴ２１）。
【０２２８】これにより、アナログスイッチ１５，１６
の接点が閉じ、アナログスイッチ１２〜１４の接点が開
放される。
の接点が閉じ、アナログスイッチ１２〜１４の接点が開
放される。
【０２２９】また、マルチプレクサ４１の入力としてボ
ルテージフォロワ回路２０が選択され、電極６のアナロ
グ値の電位が、アナログ／ディジタルコンバータ４２に
よって８ビットのディジタル値の電位情報としてデータ
バス５４に出力される。
ルテージフォロワ回路２０が選択され、電極６のアナロ
グ値の電位が、アナログ／ディジタルコンバータ４２に
よって８ビットのディジタル値の電位情報としてデータ
バス５４に出力される。
【０２３０】抵抗膜接触型タッチパネル１が押圧されな
い状態では、上部透明抵抗膜２上の電圧は、その座標位
置に関わらず直流電源ＰＳＵ１１の電圧となっている。
つまり、データバス５４に出力されるディジタル値の電
位情報は、常に２５５である。
い状態では、上部透明抵抗膜２上の電圧は、その座標位
置に関わらず直流電源ＰＳＵ１１の電圧となっている。
つまり、データバス５４に出力されるディジタル値の電
位情報は、常に２５５である。
【０２３１】ＣＰＵ５１は、アナログスイッチ１２〜１
６の接点切換に必要な時間待った後で（ステップＴ２
２）、データバス５４に出力されるディジタル値の電位
情報を所定のタイミングでポーリングする。
６の接点切換に必要な時間待った後で（ステップＴ２
２）、データバス５４に出力されるディジタル値の電位
情報を所定のタイミングでポーリングする。
【０２３２】すなわち、抵抗膜接触型タッチパネル１上
を指やペン先等で押圧すると、押圧した箇所において重
ね合わされた上部透明抵抗膜２と下部透明抵抗膜３とが
接触する。このとき、電極７は直流電源ＰＳＵ１１の接
地電源ＧＮＤと接続されているため、電極４から押圧点
の位置までの距離に対応する上部透明抵抗膜２の内部抵
抗値Ｒ2に対する分圧抵抗値と、押圧点の位置から電極
７までの距離に対応する下部透明抵抗膜３の内部抵抗値
Ｒ3に対する分圧抵抗値との合成インピーダンスを介し
て接地される。
を指やペン先等で押圧すると、押圧した箇所において重
ね合わされた上部透明抵抗膜２と下部透明抵抗膜３とが
接触する。このとき、電極７は直流電源ＰＳＵ１１の接
地電源ＧＮＤと接続されているため、電極４から押圧点
の位置までの距離に対応する上部透明抵抗膜２の内部抵
抗値Ｒ2に対する分圧抵抗値と、押圧点の位置から電極
７までの距離に対応する下部透明抵抗膜３の内部抵抗値
Ｒ3に対する分圧抵抗値との合成インピーダンスを介し
て接地される。
【０２３３】ここで、検出抵抗１８の値をＲ2，Ｒ3と比
較して十分大きくすることでこの合成インピーダンスは
無視でき、データバス５４に出力されるディジタル値の
電位情報は、ほぼ０となる。
較して十分大きくすることでこの合成インピーダンスは
無視でき、データバス５４に出力されるディジタル値の
電位情報は、ほぼ０となる。
【０２３４】ＣＰＵ５１は、ポーリングしているデータ
バス５４に出力されるディジタル値の電位情報が２５５
から０に変化したことを検出して、抵抗膜接触型タッチ
パネル１の押圧と判断できる。
バス５４に出力されるディジタル値の電位情報が２５５
から０に変化したことを検出して、抵抗膜接触型タッチ
パネル１の押圧と判断できる。
【０２３５】次に、Ｘ座標軸押圧座標位置検出動作につ
いて、図１４を用いて説明する。図１４は、図１１の抵
抗膜接触型タッチパネル制御装置１０で実行される制御
方法における押圧位置を特定する動作のうち、Ｘ座標軸
押圧座標位置検出動作ルーチンの一実施形態を説明する
ためのフローチャートである。
いて、図１４を用いて説明する。図１４は、図１１の抵
抗膜接触型タッチパネル制御装置１０で実行される制御
方法における押圧位置を特定する動作のうち、Ｘ座標軸
押圧座標位置検出動作ルーチンの一実施形態を説明する
ためのフローチャートである。
【０２３６】ＣＰＵ５１は、Ｉ／Ｏポート設定コマンド
を７Ａｈに設定する制御を実行する（ステップＴ３
１）。
を７Ａｈに設定する制御を実行する（ステップＴ３
１）。
【０２３７】これにより、アナログスイッチ１２，１４
の接点が閉じ、アナログスイッチ１３，１５，１６の接
点が開放され、上部透明抵抗膜２にＸ座標軸方向の電圧
が印加される。
の接点が閉じ、アナログスイッチ１３，１５，１６の接
点が開放され、上部透明抵抗膜２にＸ座標軸方向の電圧
が印加される。
【０２３８】また、マルチプレクサ４１の入力としてボ
ルテージフォロワ回路２３が選択され、電極７のアナロ
グ値の電位が、アナログ／ディジタルコンバータ４２に
よって８ビットのディジタル値の電位情報としてデータ
バス５４に出力される。
ルテージフォロワ回路２３が選択され、電極７のアナロ
グ値の電位が、アナログ／ディジタルコンバータ４２に
よって８ビットのディジタル値の電位情報としてデータ
バス５４に出力される。
【０２３９】すなわち、抵抗膜接触型タッチパネル１上
を指やペン先等で押圧すると、押圧した箇所において重
ね合わせた上部透明抵抗膜２と下部透明抵抗膜３とが接
触する。このとき直流電源ＰＳＵ１１から電圧が印加さ
れている上部透明抵抗膜２と直交する下部透明抵抗膜３
の電極６，７に、漏れ電流による電位が検出される。
を指やペン先等で押圧すると、押圧した箇所において重
ね合わせた上部透明抵抗膜２と下部透明抵抗膜３とが接
触する。このとき直流電源ＰＳＵ１１から電圧が印加さ
れている上部透明抵抗膜２と直交する下部透明抵抗膜３
の電極６，７に、漏れ電流による電位が検出される。
【０２４０】すなわち、電極４と電極５との間の距離に
対する押圧点の位置が、上部透明抵抗膜２の内部抵抗値
Ｒ2に対する抵抗分圧値として検出できる。このとき、
押圧点の位置から電極７までの距離に対応する下部透明
抵抗膜３の内部抵抗値Ｒ3に対する分圧抵抗値は、ボル
テージフォロワ回路２３の入力インピーダンスが非常に
高いことにより無視することができる。
対する押圧点の位置が、上部透明抵抗膜２の内部抵抗値
Ｒ2に対する抵抗分圧値として検出できる。このとき、
押圧点の位置から電極７までの距離に対応する下部透明
抵抗膜３の内部抵抗値Ｒ3に対する分圧抵抗値は、ボル
テージフォロワ回路２３の入力インピーダンスが非常に
高いことにより無視することができる。
【０２４１】ＣＰＵ５１は、アナログスイッチ１２〜１
６の接点切換に必要な時間待った後で（ステップＴ３
２）、処理Ａに進んで（図１２参照）、データバス５４
の電位情報を所定回数サンプリングし（ステップＴ１
１）、得られたデータを平均化することにより（ステッ
プＴ１２）、Ｘ座標電位情報（Ｘ＿ＤＡＴＡ）としてＲ
ＡＭ５２に格納する制御を実行する（ステップＴ１
３）。
６の接点切換に必要な時間待った後で（ステップＴ３
２）、処理Ａに進んで（図１２参照）、データバス５４
の電位情報を所定回数サンプリングし（ステップＴ１
１）、得られたデータを平均化することにより（ステッ
プＴ１２）、Ｘ座標電位情報（Ｘ＿ＤＡＴＡ）としてＲ
ＡＭ５２に格納する制御を実行する（ステップＴ１
３）。
【０２４２】次に、Ｙ座標軸押圧座標位置検出動作につ
いて、図１５を用いて説明する。図１５は、図１１の抵
抗膜接触型タッチパネル制御装置１０で実行される制御
方法における押圧位置を特定する動作のうち、Ｙ座標軸
押圧座標位置検出動作ルーチンを説明するためのフロー
チャートである。
いて、図１５を用いて説明する。図１５は、図１１の抵
抗膜接触型タッチパネル制御装置１０で実行される制御
方法における押圧位置を特定する動作のうち、Ｙ座標軸
押圧座標位置検出動作ルーチンを説明するためのフロー
チャートである。
【０２４３】ＣＰＵ５１は、Ｉ／Ｏポート設定コマンド
を５５ｈに設定する制御を実行する（ステップＴ４
１）。
を５５ｈに設定する制御を実行する（ステップＴ４
１）。
【０２４４】これにより、アナログスイッチ１３，１５
の接点が閉じ、アナログスイッチ１２，１４，１６の接
点が開放され、下部透明抵抗膜３にＹ座標軸方向の電圧
が印加される。また、マルチプレクサ４１の入力として
ボルテージフォロワ回路２１が選択され、電極５のアナ
ログ値の電位が、アナログ／ディジタルコンバータ４２
によって８ビットのディジタル値の電位情報としてデー
タバス５４に出力される。
の接点が閉じ、アナログスイッチ１２，１４，１６の接
点が開放され、下部透明抵抗膜３にＹ座標軸方向の電圧
が印加される。また、マルチプレクサ４１の入力として
ボルテージフォロワ回路２１が選択され、電極５のアナ
ログ値の電位が、アナログ／ディジタルコンバータ４２
によって８ビットのディジタル値の電位情報としてデー
タバス５４に出力される。
【０２４５】上述したＸ座標軸押圧座標位置検出動作と
同様に、今度は、直流電源ＰＳＵ１１から電圧が印加さ
れている下部透明抵抗膜３と直交する上部透明抵抗膜２
の電極４，５に、漏れ電流による電位が検出される。
同様に、今度は、直流電源ＰＳＵ１１から電圧が印加さ
れている下部透明抵抗膜３と直交する上部透明抵抗膜２
の電極４，５に、漏れ電流による電位が検出される。
【０２４６】すなわち、電極６と電極７との間の距離に
対する押圧点の位置が、下部透明抵抗膜３の内部抵抗値
Ｒ3に対する抵抗分圧値として検出できる。
対する押圧点の位置が、下部透明抵抗膜３の内部抵抗値
Ｒ3に対する抵抗分圧値として検出できる。
【０２４７】ＣＰＵ５１は、アナログスイッチ１２〜１
６の接点切換に必要な時間待った後で（ステップＴ４
２）、処理Ａに進んで、データバス５４の電位情報を所
定回数サンプリングし（ステップＴ１１）、得られたデ
ータを平均化することにより（ステップＴ１２）、Ｙ座
標電位情報（Ｙ＿ＤＡＴＡ）としてＲＡＭ５２に格納す
る制御を実行する（ステップＴ１３）。
６の接点切換に必要な時間待った後で（ステップＴ４
２）、処理Ａに進んで、データバス５４の電位情報を所
定回数サンプリングし（ステップＴ１１）、得られたデ
ータを平均化することにより（ステップＴ１２）、Ｙ座
標電位情報（Ｙ＿ＤＡＴＡ）としてＲＡＭ５２に格納す
る制御を実行する（ステップＴ１３）。
【０２４８】ここで、各座標軸押圧座標への変換方法に
ついて、図１６を用いて説明する。図１６は、図１１の
抵抗膜接触型タッチパネル制御装置１０における上部透
明抵抗膜２、抵抗膜接触型タッチパネル制御装置１０を
含むＸ座標軸上の回路模式図である。
ついて、図１６を用いて説明する。図１６は、図１１の
抵抗膜接触型タッチパネル制御装置１０における上部透
明抵抗膜２、抵抗膜接触型タッチパネル制御装置１０を
含むＸ座標軸上の回路模式図である。
【０２４９】図１６において、Ａ点はアナログスイッチ
１２の直流電源ＰＳＵ１１側端子、Ｂ点は電極４、Ｃ点
は抵抗膜接触型タッチパネル１上のＸ座標軸上の押圧
点、Ｄ点は電極５、Ｅ点はアナログスイッチ１４の直流
電源ＰＳＵ１１側（ＧＮＤ）端子である。
１２の直流電源ＰＳＵ１１側端子、Ｂ点は電極４、Ｃ点
は抵抗膜接触型タッチパネル１上のＸ座標軸上の押圧
点、Ｄ点は電極５、Ｅ点はアナログスイッチ１４の直流
電源ＰＳＵ１１側（ＧＮＤ）端子である。
【０２５０】アナログスイッチ１２のオン抵抗をｒ12、
アナログスイッチ１４のオン抵抗をｒ14、上部透明抵抗
膜２の内部抵抗をＲ2とし、電極４と電極５との間の距
離Ｌ2に対する（電極５を基準としたときの）押圧点
（Ｃ点）の距離ＬXを算出する。
アナログスイッチ１４のオン抵抗をｒ14、上部透明抵抗
膜２の内部抵抗をＲ2とし、電極４と電極５との間の距
離Ｌ2に対する（電極５を基準としたときの）押圧点
（Ｃ点）の距離ＬXを算出する。
【０２５１】図１６において、直流電源ＰＳＵ１１から
見たときの回路合成インピーダンスは、ｒ12＋Ｒ2＋ｒ
14となり、アナログスイッチ１２，１４のオン抵抗
ｒ12，ｒ1 4に起因する電圧降下が抵抗膜接触型タッチパ
ネル１のＸ座標軸押圧位置特定に対する誤差となる。
見たときの回路合成インピーダンスは、ｒ12＋Ｒ2＋ｒ
14となり、アナログスイッチ１２，１４のオン抵抗
ｒ12，ｒ1 4に起因する電圧降下が抵抗膜接触型タッチパ
ネル１のＸ座標軸押圧位置特定に対する誤差となる。
【０２５２】さて、記憶演算部３０はすでに説明したよ
うに、押圧座標位置検出動作の電極基準電位（オフセッ
ト）測定モードにおいてＸ座標基準電位情報ＯＦＦＳＥ
Ｔ＿Ｘ+，ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ-を（ステップＴ１３）、Ｘ
座標軸押圧座標位置検出モードにおいてディジタル値の
電位情報Ｘ＿ＤＡＴＡを（ステップＴ１３）、それぞれ
検出してＲＡＭ５２に格納した。アナログ／ディジタル
コンバータ４２のＡ／Ｄ基準電圧Ｖｒｅｆを直流電源Ｐ
ＳＵ１１の電圧としたとき、Ａ点のディジタル電位は２
５５であり、Ｅ点のディジタル電位は０となる。
うに、押圧座標位置検出動作の電極基準電位（オフセッ
ト）測定モードにおいてＸ座標基準電位情報ＯＦＦＳＥ
Ｔ＿Ｘ+，ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ-を（ステップＴ１３）、Ｘ
座標軸押圧座標位置検出モードにおいてディジタル値の
電位情報Ｘ＿ＤＡＴＡを（ステップＴ１３）、それぞれ
検出してＲＡＭ５２に格納した。アナログ／ディジタル
コンバータ４２のＡ／Ｄ基準電圧Ｖｒｅｆを直流電源Ｐ
ＳＵ１１の電圧としたとき、Ａ点のディジタル電位は２
５５であり、Ｅ点のディジタル電位は０となる。
【０２５３】さらにＢ点のディジタル電位はＯＦＦＳＥ
Ｔ＿Ｘ+，Ｃ点のディジタル電位はＸ＿ＤＡＴＡ、Ｄ点
のディジタル電位はＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ-となる。
Ｔ＿Ｘ+，Ｃ点のディジタル電位はＸ＿ＤＡＴＡ、Ｄ点
のディジタル電位はＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ-となる。
【０２５４】アナログスイッチ１２，１４のオン抵抗ｒ
１2，ｒ14に起因する電圧降下を除去すると、求める距
離ＬXは次式で与えられる。
１2，ｒ14に起因する電圧降下を除去すると、求める距
離ＬXは次式で与えられる。
【０２５５】ＬX＝Ｌ2×（Ｘ＿ＤＡＴＡ−ＯＦＦＳＥＴ
＿Ｘ-）／（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ+−ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ-） 同様に、アナログスイッチ１３のオン抵抗をＲ13、アナ
ログスイッチ１５のオン抵抗をｒ15、下部透明抵抗膜３
の内部抵抗をＲ3とし、電極６と電極７との間の距離Ｌ3
に対する（電極７を基準としたときの）押圧点の距離Ｌ
Yは次式で与えられる。
＿Ｘ-）／（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ+−ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ-） 同様に、アナログスイッチ１３のオン抵抗をＲ13、アナ
ログスイッチ１５のオン抵抗をｒ15、下部透明抵抗膜３
の内部抵抗をＲ3とし、電極６と電極７との間の距離Ｌ3
に対する（電極７を基準としたときの）押圧点の距離Ｌ
Yは次式で与えられる。
【０２５６】ＬY＝Ｌ3×（Ｙ＿ＤＡＴＡ−ＯＦＦＳＥＴ
＿Ｙ-）／（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ+−ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ-）
＿Ｙ-）／（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ+−ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ-）
【０２５７】図１７は、図１１の抵抗膜接触型タッチパ
ネル制御装置１０で実行される制御方法における押圧位
置を特定する動作のメインルーチンを説明するためのフ
ローチャートである。
ネル制御装置１０で実行される制御方法における押圧位
置を特定する動作のメインルーチンを説明するためのフ
ローチャートである。
【０２５８】ＣＰＵ５１は、ＲＯＭ５３に蓄積されてい
るプログラムに基づいて、電極基準電位（オフセット）
測定動作を実行し、座標基準電位情報ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ
+，ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ-，ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ+，ＯＦＦＳ
ＥＴ＿Ｙ-をＲＡＭ５２に格納する（ステップＴ６
１）。
るプログラムに基づいて、電極基準電位（オフセット）
測定動作を実行し、座標基準電位情報ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ
+，ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ-，ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ+，ＯＦＦＳ
ＥＴ＿Ｙ-をＲＡＭ５２に格納する（ステップＴ６
１）。
【０２５９】ＣＰＵ５１は、次に押圧検出動作を実行し
（ステップＴ６２）、一定のポーリング間隔で（ステッ
プＴ６３）データバス５４から電位情報を検出し（ステ
ップＴ６４）、電位情報の変化を検出するまでこの処理
を繰り返す（ステップＴ６５のＮＯ）。
（ステップＴ６２）、一定のポーリング間隔で（ステッ
プＴ６３）データバス５４から電位情報を検出し（ステ
ップＴ６４）、電位情報の変化を検出するまでこの処理
を繰り返す（ステップＴ６５のＮＯ）。
【０２６０】ＣＰＵ５１は、電位情報の変化を検出する
と（ステップＴ６５のＹＥＳ）、その変化が２５５から
０への変化であった場合は（ステップＴ６６のＹＥ
Ｓ）、Ｘ座標軸押圧座標位置検出動作（ステップＴ６
７）、Ｙ座標軸押圧座標位置検出動作（ステップＴ６
８）を順次実行し、電位情報Ｘ＿ＤＡＴＡ，Ｙ＿ＤＡＴ
Ａを取得する。
と（ステップＴ６５のＹＥＳ）、その変化が２５５から
０への変化であった場合は（ステップＴ６６のＹＥ
Ｓ）、Ｘ座標軸押圧座標位置検出動作（ステップＴ６
７）、Ｙ座標軸押圧座標位置検出動作（ステップＴ６
８）を順次実行し、電位情報Ｘ＿ＤＡＴＡ，Ｙ＿ＤＡＴ
Ａを取得する。
【０２６１】ＣＰＵ５１は、得られた座標基準電位情報
ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ+，ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ-，ＯＦＦＳＥＴ
＿Ｙ+，ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ-、電位情報Ｘ＿ＤＡＴＡ，Ｙ
＿ＤＡＴＡにより、上述した計算式に基づいてアナログ
スイッチ１２〜１５のオン抵抗に起因する電圧降下を除
去し、抵抗膜接触型タッチパネル１の２次元座標押圧位
置を算出できる。
ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ+，ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ-，ＯＦＦＳＥＴ
＿Ｙ+，ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ-、電位情報Ｘ＿ＤＡＴＡ，Ｙ
＿ＤＡＴＡにより、上述した計算式に基づいてアナログ
スイッチ１２〜１５のオン抵抗に起因する電圧降下を除
去し、抵抗膜接触型タッチパネル１の２次元座標押圧位
置を算出できる。
【０２６２】しかしながら、押圧検出動作において電位
情報の変化（抵抗膜接触型タッチパネル１の押圧）を検
出してから、Ｘ座標軸押圧座標位置検出動作、Ｙ座標軸
押圧座標位置検出動作を経て抵抗膜接触型タッチパネル
１の２次元座標押圧位置を特定するまでの間には、アナ
ログスイッチ１２〜１６の切換時間の待機を含め、少な
からず時間が経過している。
情報の変化（抵抗膜接触型タッチパネル１の押圧）を検
出してから、Ｘ座標軸押圧座標位置検出動作、Ｙ座標軸
押圧座標位置検出動作を経て抵抗膜接触型タッチパネル
１の２次元座標押圧位置を特定するまでの間には、アナ
ログスイッチ１２〜１６の切換時間の待機を含め、少な
からず時間が経過している。
【０２６３】例えば、押圧検出動作時には確かに抵抗膜
接触型タッチパネル１は押圧されていたとしても、Ｙ座
標軸押圧座標位置検出動作時にはユーザがペン又は指を
離し、押圧されていない可能性がある。
接触型タッチパネル１は押圧されていたとしても、Ｙ座
標軸押圧座標位置検出動作時にはユーザがペン又は指を
離し、押圧されていない可能性がある。
【０２６４】この場合、Ｘ座標軸押圧座標位置は正確に
特定できてもＹ座標軸押圧座標位置検出動作で電極５の
アナログ値の電位はすでに変化してしまい、ユーザが意
図しない２次元座標押圧位置を特定してしまう。
特定できてもＹ座標軸押圧座標位置検出動作で電極５の
アナログ値の電位はすでに変化してしまい、ユーザが意
図しない２次元座標押圧位置を特定してしまう。
【０２６５】第４実施形態の制御方法は上記不具合を鑑
みてなされたものであり、以下のフローを実行すること
により、正確な抵抗膜接触型タッチパネル１の２次元座
標押圧位置特定を可能とする。
みてなされたものであり、以下のフローを実行すること
により、正確な抵抗膜接触型タッチパネル１の２次元座
標押圧位置特定を可能とする。
【０２６６】ＣＰＵ５１は、上記処理により抵抗膜接触
型タッチパネル１の２次元座標押圧位置を算出した後
で、再び押圧検出動作を実行し（ステップＴ６９）、デ
ータバス５４から電位情報を検出した結果、得られた電
位情報が０のままであった場合（ステップＴ７０のＹＥ
Ｓ）に抵抗膜接触型タッチパネル１の２次元座標押圧位
置特定を有効とする制御を実行する（ステップＴ７
１）。
型タッチパネル１の２次元座標押圧位置を算出した後
で、再び押圧検出動作を実行し（ステップＴ６９）、デ
ータバス５４から電位情報を検出した結果、得られた電
位情報が０のままであった場合（ステップＴ７０のＹＥ
Ｓ）に抵抗膜接触型タッチパネル１の２次元座標押圧位
置特定を有効とする制御を実行する（ステップＴ７
１）。
【０２６７】ＣＰＵ５１は、もし得られた電位情報が２
５５であった場合（ステップＴ７０のＮＯ）は、算出し
た２次元座標押圧位置を無効とし、再び一定のポーリン
グ間隔で（ステップＴ６３）データバス５４から電位情
報を検出し（ステップＴ６４）、電位情報の変化を検出
するまでこの処理を繰り返し（ステップＴ６５のＮ
Ｏ），ユーザによる再押圧を待つ。
５５であった場合（ステップＴ７０のＮＯ）は、算出し
た２次元座標押圧位置を無効とし、再び一定のポーリン
グ間隔で（ステップＴ６３）データバス５４から電位情
報を検出し（ステップＴ６４）、電位情報の変化を検出
するまでこの処理を繰り返し（ステップＴ６５のＮ
Ｏ），ユーザによる再押圧を待つ。
【０２６８】この処理により、万が一各座標軸押圧座標
位置検出動作中にユーザの指が離されてしまったとして
も、ユーザが意図しない２次元座標押圧位置を特定して
しまうことはない。
位置検出動作中にユーザの指が離されてしまったとして
も、ユーザが意図しない２次元座標押圧位置を特定して
しまうことはない。
【０２６９】また、ＣＰＵ５１は、抵抗膜接触型タッチ
パネル１の２次元座標押圧位置特定を有効とした（ステ
ップＴ７１）後、再び一定のポーリング間隔で（ステッ
プＴ６３）データバス５４から電位情報を検出し（ステ
ップＴ６４）、電位情報の変化を検出するまでこの処理
を繰り返す（ステップＴ６５のＮＯ）のであるが、この
とき抵抗膜接触型タッチパネル１は押圧されたままであ
る。
パネル１の２次元座標押圧位置特定を有効とした（ステ
ップＴ７１）後、再び一定のポーリング間隔で（ステッ
プＴ６３）データバス５４から電位情報を検出し（ステ
ップＴ６４）、電位情報の変化を検出するまでこの処理
を繰り返す（ステップＴ６５のＮＯ）のであるが、この
とき抵抗膜接触型タッチパネル１は押圧されたままであ
る。
【０２７０】このため、ユーザが抵抗膜接触型タッチパ
ネル１からペン又は指を離したとき、電位情報の変化を
検出する制御を実行する（ステップＴ６５のＹＥＳ）。
ネル１からペン又は指を離したとき、電位情報の変化を
検出する制御を実行する（ステップＴ６５のＹＥＳ）。
【０２７１】この場合、電位情報の変化は０から２５５
への変化であるため（ステップＴ６６のＮＯ）、ＣＰＵ
５１は抵抗膜接触型タッチパネル１からの離間と判断
し、再び一定のポーリング間隔で（ステップＴ６３）デ
ータバス５４から電位情報を検出し（ステップＴ６
４）、電位情報の変化を検出するまでこの処理を繰り返
し（ステップＴ６５のＮＯ）、ユーザによる次の押圧を
待つ。
への変化であるため（ステップＴ６６のＮＯ）、ＣＰＵ
５１は抵抗膜接触型タッチパネル１からの離間と判断
し、再び一定のポーリング間隔で（ステップＴ６３）デ
ータバス５４から電位情報を検出し（ステップＴ６
４）、電位情報の変化を検出するまでこの処理を繰り返
し（ステップＴ６５のＮＯ）、ユーザによる次の押圧を
待つ。
【０２７２】以上説明したように、第４実施形態によれ
ば、抵抗膜接触型タッチパネル１の２次元座標押圧位置
を算出した後で、再び押圧検出動作を実行し、押圧の維
持を確認してから２次元座標押圧位置特定を有効とす
る。この結果、万が一各座標軸押圧座標位置検出動作中
にユーザの指が離されてしまったとしても、ユーザが意
図しない２次元座標押圧位置を特定してしまうことはな
い。その結果、抵抗膜接触型タッチパネル１の２次元座
標押圧位置特定において、押圧を検出してから、Ｘ座標
軸押圧座標位置検出動作、Ｙ座標軸押圧座標位置検出動
作を経て抵抗膜接触型タッチパネル１１の２次元座標押
圧位置を特定するまでの間に、アナログスイッチ切換時
間の待機を含め、少なからず時間が経過していることに
起因するユーザが意図しない２次元座標押圧位置を特定
してしまうようなケースを回避できるようになる。
ば、抵抗膜接触型タッチパネル１の２次元座標押圧位置
を算出した後で、再び押圧検出動作を実行し、押圧の維
持を確認してから２次元座標押圧位置特定を有効とす
る。この結果、万が一各座標軸押圧座標位置検出動作中
にユーザの指が離されてしまったとしても、ユーザが意
図しない２次元座標押圧位置を特定してしまうことはな
い。その結果、抵抗膜接触型タッチパネル１の２次元座
標押圧位置特定において、押圧を検出してから、Ｘ座標
軸押圧座標位置検出動作、Ｙ座標軸押圧座標位置検出動
作を経て抵抗膜接触型タッチパネル１１の２次元座標押
圧位置を特定するまでの間に、アナログスイッチ切換時
間の待機を含め、少なからず時間が経過していることに
起因するユーザが意図しない２次元座標押圧位置を特定
してしまうようなケースを回避できるようになる。
【０２７３】すなわち、万が一各座標軸押圧座標位置検
出動作中にユーザの指が離されてしまった場合であって
も、ユーザが意図しない２次元座標押圧位置を抵抗膜接
触型タッチパネル制御装置１０が特定してしまうような
ケースを回避して正確な２次元座標押圧位置を検出でき
るようになり、電極基準電位（オフセット）測定動作時
にシステムの駆動系等の動作よりノイズが発生した場合
であっても電極基準電位（オフセット）測定動作が抵抗
膜接触型タッチパネル１の２次元座標押圧位置特定に対
して悪影響を及ぼすようなケースを回避できる制御方式
を実現できるようになる。
出動作中にユーザの指が離されてしまった場合であって
も、ユーザが意図しない２次元座標押圧位置を抵抗膜接
触型タッチパネル制御装置１０が特定してしまうような
ケースを回避して正確な２次元座標押圧位置を検出でき
るようになり、電極基準電位（オフセット）測定動作時
にシステムの駆動系等の動作よりノイズが発生した場合
であっても電極基準電位（オフセット）測定動作が抵抗
膜接触型タッチパネル１の２次元座標押圧位置特定に対
して悪影響を及ぼすようなケースを回避できる制御方式
を実現できるようになる。
【０２７４】（第５実施形態）図１８は、請求項５に記
載する発明の抵抗膜接触型タッチパネル制御装置１０で
実行される制御方法における押圧位置を特定する動作の
うち、電極基準電位（オフセット）測定動作ルーチンを
説明するためのフローチャートである。なお、第４実施
形態において既に記述したものと同一の部分について
は、同一符号を付し、重複した説明は省略する。
載する発明の抵抗膜接触型タッチパネル制御装置１０で
実行される制御方法における押圧位置を特定する動作の
うち、電極基準電位（オフセット）測定動作ルーチンを
説明するためのフローチャートである。なお、第４実施
形態において既に記述したものと同一の部分について
は、同一符号を付し、重複した説明は省略する。
【０２７５】第４実施形態の制御方法に加えて、第５実
施形態では、記憶演算部３０に機能を付加している。
施形態では、記憶演算部３０に機能を付加している。
【０２７６】すなわち、記憶演算部３０は、アナログス
イッチ１２とアナログスイッチ１４とを接続状態に設定
する制御、及びアナログスイッチ１３とアナログスイッ
チ１５を離間状態に設定する制御を実行する。
イッチ１２とアナログスイッチ１４とを接続状態に設定
する制御、及びアナログスイッチ１３とアナログスイッ
チ１５を離間状態に設定する制御を実行する。
【０２７７】更に加えて記憶演算部３０は、Ｘ座標軸方
向の両電極の基準電位を、電位検出回路４０及びマルチ
プレクサ４１及びアナログ／ディジタルコンバータ４２
を制御して基準電位情報として記憶し、またアナログス
イッチ１３とアナログスイッチ１５とを接続状態に設定
する制御、及びアナログスイッチ１２とアナログスイッ
チ１４を離間状態に設定する制御を実行する。
向の両電極の基準電位を、電位検出回路４０及びマルチ
プレクサ４１及びアナログ／ディジタルコンバータ４２
を制御して基準電位情報として記憶し、またアナログス
イッチ１３とアナログスイッチ１５とを接続状態に設定
する制御、及びアナログスイッチ１２とアナログスイッ
チ１４を離間状態に設定する制御を実行する。
【０２７８】これにより、記憶演算部３０は、Ｙ座標軸
方向の両電極６，７の基準電位を、電位検出回路４０及
びマルチプレクサ４１及びアナログ／ディジタルコンバ
ータ４２を制御して基準電位情報として記憶する。
方向の両電極６，７の基準電位を、電位検出回路４０及
びマルチプレクサ４１及びアナログ／ディジタルコンバ
ータ４２を制御して基準電位情報として記憶する。
【０２７９】更に加えて、抵抗膜面が押圧されたときの
押圧点の２次元座標位置特定を実行する場合、記憶演算
部３０は、アナログスイッチ１３とアナログスイッチ１
５とを接続状態に設定する制御、アナログスイッチ１２
とアナログスイッチ１４を離間状態に設定する制御、及
びＸ座標軸方向のいずれかの一方の電極４（５）に接続
された電位検出回路４０及びマルチプレクサ４１及びア
ナログ／ディジタルコンバータ４２を制御して電位情報
を検出し、記憶したＹ座標軸方向の基準電位情報に基づ
いて押圧座標特定演算を実行してＹ座標軸方向の座標位
置を特定している。
押圧点の２次元座標位置特定を実行する場合、記憶演算
部３０は、アナログスイッチ１３とアナログスイッチ１
５とを接続状態に設定する制御、アナログスイッチ１２
とアナログスイッチ１４を離間状態に設定する制御、及
びＸ座標軸方向のいずれかの一方の電極４（５）に接続
された電位検出回路４０及びマルチプレクサ４１及びア
ナログ／ディジタルコンバータ４２を制御して電位情報
を検出し、記憶したＹ座標軸方向の基準電位情報に基づ
いて押圧座標特定演算を実行してＹ座標軸方向の座標位
置を特定している。
【０２８０】また記憶演算部３０は、アナログスイッチ
１２とアナログスイッチ１４とを接続状態に設定する制
御、アナログスイッチ１３とアナログスイッチ１５を離
間状態に設定する制御、及びＹ座標軸方向のいずれかの
一方の電極６（７）に接続された電位検出回路４０及び
マルチプレクサ４１及びアナログ／ディジタルコンバー
タ４２を制御して電位情報を検出し、記憶したＸ座標慈
雨方向の基準電位情報に基づいて押圧座標特定演算を実
行してＸ座標軸方向の座標位置を特定する。
１２とアナログスイッチ１４とを接続状態に設定する制
御、アナログスイッチ１３とアナログスイッチ１５を離
間状態に設定する制御、及びＹ座標軸方向のいずれかの
一方の電極６（７）に接続された電位検出回路４０及び
マルチプレクサ４１及びアナログ／ディジタルコンバー
タ４２を制御して電位情報を検出し、記憶したＸ座標慈
雨方向の基準電位情報に基づいて押圧座標特定演算を実
行してＸ座標軸方向の座標位置を特定する。
【０２８１】これにより、押圧点の２次元座標位置を決
定し、更に加えて、取得した基準電位情報を所定の閾値
と比較し、決定した押圧点の２次元座標位置について矛
盾が発生した場合に基準電位情報を初期値に置き換える
ようにしている。
定し、更に加えて、取得した基準電位情報を所定の閾値
と比較し、決定した押圧点の２次元座標位置について矛
盾が発生した場合に基準電位情報を初期値に置き換える
ようにしている。
【０２８２】更に詳しく、第５実施形態の制御方法を、
図１８を用いて説明する。
図１８を用いて説明する。
【０２８３】ＣＰＵ５１は、Ｉ／Ｏポート設定コマンド
を１Ａｈに設定する制御を実行する（ステップＴ１０
１）。
を１Ａｈに設定する制御を実行する（ステップＴ１０
１）。
【０２８４】これにより、アナログスイッチ１２，１４
の接点が閉じ、アナログスイッチ１３，１５，１６の接
点が開放され、上部透明抵抗膜２に直流電源ＰＳＵ１１
からＸ座標軸方向の電圧が印加される。また、マルチプ
レクサ４１の入力としてボルテージフォロワ回路２０が
選択され、電極４のアナログ値の電位が、アナログ／デ
ィジタルコンバータ４２によって８ビットのディジタル
値の電位情報としてデータバス５４に出力される。
の接点が閉じ、アナログスイッチ１３，１５，１６の接
点が開放され、上部透明抵抗膜２に直流電源ＰＳＵ１１
からＸ座標軸方向の電圧が印加される。また、マルチプ
レクサ４１の入力としてボルテージフォロワ回路２０が
選択され、電極４のアナログ値の電位が、アナログ／デ
ィジタルコンバータ４２によって８ビットのディジタル
値の電位情報としてデータバス５４に出力される。
【０２８５】図１９は、図１８の制御方法における処理
Ａを説明するためのフローチャートである。
Ａを説明するためのフローチャートである。
【０２８６】ＣＰＵ５１は、アナログスイッチ１２〜１
６の接点切換に必要な時間待った後（ステップＴ１０
２）に処理Ａ（図１９）を実行し、データバス５４の電
位情報を所定回数サンプリングし（ステップＴ８１）、
得られたデータを平均化することにより（ステップＴ８
２）、Ｘ座標基準電位情報（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ+）を得
る。
６の接点切換に必要な時間待った後（ステップＴ１０
２）に処理Ａ（図１９）を実行し、データバス５４の電
位情報を所定回数サンプリングし（ステップＴ８１）、
得られたデータを平均化することにより（ステップＴ８
２）、Ｘ座標基準電位情報（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ+）を得
る。
【０２８７】さて、電極基準電位（オフセット）測定動
作時、（図示しない）システムの駆動系等の動作により
ノイズが発生した場合、正確な電極基準電位（オフセッ
ト）測定ができないだけでなく、起こり得ないオン抵抗
１２〜１５の電圧降下に相当する基準電位情報をＲＡＭ
５２に格納してしまう可能性がある。この場合、抵抗膜
接触型タッチパネル１の２次元座標押圧位置特定におい
て、電極基準電位（オフセット）測定動作が逆に副作用
を及ぼしてしまう。
作時、（図示しない）システムの駆動系等の動作により
ノイズが発生した場合、正確な電極基準電位（オフセッ
ト）測定ができないだけでなく、起こり得ないオン抵抗
１２〜１５の電圧降下に相当する基準電位情報をＲＡＭ
５２に格納してしまう可能性がある。この場合、抵抗膜
接触型タッチパネル１の２次元座標押圧位置特定におい
て、電極基準電位（オフセット）測定動作が逆に副作用
を及ぼしてしまう。
【０２８８】第５実施形態の制御方法は上記不具合を鑑
みてなされたものであり、以下のフローを実行すること
により、万が一ノイズの発生により正確な電極基準電位
（オフセット）測定ができなかった場合でも、その副作
用を最小限に抑えることができる。
みてなされたものであり、以下のフローを実行すること
により、万が一ノイズの発生により正確な電極基準電位
（オフセット）測定ができなかった場合でも、その副作
用を最小限に抑えることができる。
【０２８９】ＣＰＵ５１は、上記処理によりＯＦＦＳＥ
Ｔ＿Ｘ+を得た後、この値を所定の閾値と比較する。そ
の結果、ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ+が閾値以上であった場合
（ステップＴ８３のＹＥＳ）、この値を有効とし、この
ままＸ座標基準電位情報としてＲＡＭ５２に格納する制
御を実行する（ステップＴ８５）。
Ｔ＿Ｘ+を得た後、この値を所定の閾値と比較する。そ
の結果、ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ+が閾値以上であった場合
（ステップＴ８３のＹＥＳ）、この値を有効とし、この
ままＸ座標基準電位情報としてＲＡＭ５２に格納する制
御を実行する（ステップＴ８５）。
【０２９０】もし、ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ+が閾値以下であ
った場合（ステップＴ８３のＮＯ）、ＣＰＵ５１はこの
値を無効とし、Ｘ座標基準電位情報を２５５として（ス
テップＴ８４）、ＲＡＭ５２に格納する制御を実行する
（ステップＴ８５）。
った場合（ステップＴ８３のＮＯ）、ＣＰＵ５１はこの
値を無効とし、Ｘ座標基準電位情報を２５５として（ス
テップＴ８４）、ＲＡＭ５２に格納する制御を実行する
（ステップＴ８５）。
【０２９１】この処理により、結果的にアナログスイッ
チ１２〜１５のオン抵抗に起因する電圧降下を除去でき
ないことになるが、電極基準電位（オフセット）測定動
作が抵抗膜接触型タッチパネル１の２次元座標押圧位置
特定に対し、副作用を及ぼしてしまうことを回避でき
る。
チ１２〜１５のオン抵抗に起因する電圧降下を除去でき
ないことになるが、電極基準電位（オフセット）測定動
作が抵抗膜接触型タッチパネル１の２次元座標押圧位置
特定に対し、副作用を及ぼしてしまうことを回避でき
る。
【０２９２】次に、ＣＰＵ５１は、Ｉ／Ｏポート設定コ
マンドを５Ａｈに設定する制御を実行する（ステップＴ
１０３）。これにより、マルチプレクサ４１の入力とし
てボルテージフォロワ回路２１が選択され、電極５のア
ナログ値の電位が、アナログ／ディジタルコンバータ４
２によって８ビットのディジタル値の電位情報としてデ
ータバス５４に出力される。
マンドを５Ａｈに設定する制御を実行する（ステップＴ
１０３）。これにより、マルチプレクサ４１の入力とし
てボルテージフォロワ回路２１が選択され、電極５のア
ナログ値の電位が、アナログ／ディジタルコンバータ４
２によって８ビットのディジタル値の電位情報としてデ
ータバス５４に出力される。
【０２９３】図２０は、図１８の制御方法における処理
Ｂを説明するためのフローチャートである。
Ｂを説明するためのフローチャートである。
【０２９４】ＣＰＵ５１は、処理Ｂ（図２０）を実行す
る際、データバス５４の電位情報を所定回数サンプリン
グし（ステップＴ９１）、得られたデータを平均化する
ことにより（ステップＴ９２）、Ｘ座標基準電位情報
（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ-）を得た後、この値を所定の閾値
と比較する（ステップＴ９３）。
る際、データバス５４の電位情報を所定回数サンプリン
グし（ステップＴ９１）、得られたデータを平均化する
ことにより（ステップＴ９２）、Ｘ座標基準電位情報
（ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ-）を得た後、この値を所定の閾値
と比較する（ステップＴ９３）。
【０２９５】その結果ＣＰＵ５１は、ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ
-が閾値以下であった場合（ステップＴ９３のＹＥ
Ｓ）、この値を有効とし、このままＸ座標基準電位情報
としてＲＡＭ５２に格納する制御を実行する（ステップ
Ｔ９５）。
-が閾値以下であった場合（ステップＴ９３のＹＥ
Ｓ）、この値を有効とし、このままＸ座標基準電位情報
としてＲＡＭ５２に格納する制御を実行する（ステップ
Ｔ９５）。
【０２９６】ＣＰＵ５１は、もし、ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ-
が閾値以下であった場合（ステップＴ９３のＮＯ）、こ
の値を無効とし、Ｘ座標基準電位情報を０として（ステ
ップＴ９４）、ＲＡＭ５２に格納する制御を実行する
（ステップＴ９５）。
が閾値以下であった場合（ステップＴ９３のＮＯ）、こ
の値を無効とし、Ｘ座標基準電位情報を０として（ステ
ップＴ９４）、ＲＡＭ５２に格納する制御を実行する
（ステップＴ９５）。
【０２９７】以上説明したように、第５実施形態によれ
ば、第４実施形態に記載の効果に加えて、検出結果と閾
値を比較し、矛盾が発生した場合は初期値に置き換え
る。
ば、第４実施形態に記載の効果に加えて、検出結果と閾
値を比較し、矛盾が発生した場合は初期値に置き換え
る。
【０２９８】これにより、電極基準電位（オフセット）
測定動作が抵抗膜接触型タッチパネル１の２次元座標押
圧位置特定に対し、副作用を及ぼしてしまうことを回避
できる。その結果、電極基準電位（オフセット）測定動
作時、システムの駆動系等の動作によりノイズが発生し
た場合、正確な電極基準電圧（オフセット）測定ができ
ないようなケースを回避できるようになり、起こり得な
いオン抵抗の電圧降下に相当する基準電位情報をＲＡＭ
に格納してしまうようなケースを回避できるようにな
る。
測定動作が抵抗膜接触型タッチパネル１の２次元座標押
圧位置特定に対し、副作用を及ぼしてしまうことを回避
できる。その結果、電極基準電位（オフセット）測定動
作時、システムの駆動系等の動作によりノイズが発生し
た場合、正確な電極基準電圧（オフセット）測定ができ
ないようなケースを回避できるようになり、起こり得な
いオン抵抗の電圧降下に相当する基準電位情報をＲＡＭ
に格納してしまうようなケースを回避できるようにな
る。
【０２９９】
【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、抵抗膜
接触型タッチパネル制御装置の押圧位置を特定する方法
において、Ｘ座標軸及びＹ座標軸上において、アナログ
スイッチのオン抵抗による電圧降下を算出し、これを除
去することによって各座標軸上における押圧座標位置を
正確に特定する。このようにして求めた各座標軸上の押
圧座標位置特定により、アナログスイッチのオン抵抗固
有のバラツキ、あるいは温度環境、経年変化によるバラ
ツキに関わらず、抵抗膜接触型タッチパネルの２次元押
圧座標位置を正確に特定できる。すなわち、一対の抵抗
膜への電圧印加状態と離間状態に用いるアナログスイッ
チ等の切換手段のオン抵抗が、かなりのバラツキを有し
ており、また温度環境、経年変化に起因してバラツキを
有していた場合であっても、調整等の操作をすることな
く常に正確な押圧位置を算出することができるようにな
り、上記切換手段のオン抵抗のバラツキを補正した上
で、さらに押圧位置の検出位置精度を向上させることが
できるようになり、抵抗膜接触型タッチパネル制御装置
を提供すること、更に加えて、押圧イベント発生検出を
押下位置座標によらず一定とし、かつ耐ノイズ性に優れ
た誤動作のない抵抗膜接触型タッチパネル制御装置を実
現できる。
接触型タッチパネル制御装置の押圧位置を特定する方法
において、Ｘ座標軸及びＹ座標軸上において、アナログ
スイッチのオン抵抗による電圧降下を算出し、これを除
去することによって各座標軸上における押圧座標位置を
正確に特定する。このようにして求めた各座標軸上の押
圧座標位置特定により、アナログスイッチのオン抵抗固
有のバラツキ、あるいは温度環境、経年変化によるバラ
ツキに関わらず、抵抗膜接触型タッチパネルの２次元押
圧座標位置を正確に特定できる。すなわち、一対の抵抗
膜への電圧印加状態と離間状態に用いるアナログスイッ
チ等の切換手段のオン抵抗が、かなりのバラツキを有し
ており、また温度環境、経年変化に起因してバラツキを
有していた場合であっても、調整等の操作をすることな
く常に正確な押圧位置を算出することができるようにな
り、上記切換手段のオン抵抗のバラツキを補正した上
で、さらに押圧位置の検出位置精度を向上させることが
できるようになり、抵抗膜接触型タッチパネル制御装置
を提供すること、更に加えて、押圧イベント発生検出を
押下位置座標によらず一定とし、かつ耐ノイズ性に優れ
た誤動作のない抵抗膜接触型タッチパネル制御装置を実
現できる。
【０３００】請求項２に記載の発明によれば、請求項１
に記載の効果に加えて、アナログ／ディジタルコンバー
タのダイナミックレンジをフルに使用でき、抵抗膜接触
型タッチパネルの２次元押圧座標位置特定において、ア
ナログスイッチのオン抵抗固有のバラツキ、あるいは温
度変化、経年変化によるバラツキに関わらず、抵抗膜接
触型タッチパネルの２次元押圧座標位置を正確に特定で
き、さらにその検出位置精度をアップすることが可能と
なる。
に記載の効果に加えて、アナログ／ディジタルコンバー
タのダイナミックレンジをフルに使用でき、抵抗膜接触
型タッチパネルの２次元押圧座標位置特定において、ア
ナログスイッチのオン抵抗固有のバラツキ、あるいは温
度変化、経年変化によるバラツキに関わらず、抵抗膜接
触型タッチパネルの２次元押圧座標位置を正確に特定で
き、さらにその検出位置精度をアップすることが可能と
なる。
【０３０１】請求項３に記載の発明によれば、請求項１
または請求項２に記載の効果に加えて、抵抗膜接触型タ
ッチパネルが押圧されていない状態では押圧検出のディ
ジタル電位を最大とすることができ、かつ押圧イベント
発生は抵抗膜接触型タッチパネルの押下位置座標に関わ
らず一定で、押圧検出のディジタル電位をほぼ０とする
ことができるため、耐ノイズ性に優れた誤動作のない抵
抗膜接触型タッチパネルの制御装置の押圧イベント発生
検出が可能となる。
または請求項２に記載の効果に加えて、抵抗膜接触型タ
ッチパネルが押圧されていない状態では押圧検出のディ
ジタル電位を最大とすることができ、かつ押圧イベント
発生は抵抗膜接触型タッチパネルの押下位置座標に関わ
らず一定で、押圧検出のディジタル電位をほぼ０とする
ことができるため、耐ノイズ性に優れた誤動作のない抵
抗膜接触型タッチパネルの制御装置の押圧イベント発生
検出が可能となる。
【０３０２】請求項４に記載の発明によれば、抵抗膜接
触型タッチパネルの２次元座標押圧位置を算出した後
で、再び押圧検出動作を実行し、押圧の維持を確認して
から２次元座標押圧位置特定を有効とする。この結果、
万が一各座標軸押圧座標位置検出動作中にユーザの指が
離されてしまったとしても、ユーザが意図しない２次元
座標押圧位置を特定してしまうことはない。その結果、
抵抗膜接触型タッチパネルの２次元座標押圧位置特定に
おいて、押圧を検出してから、Ｘ座標軸押圧座標位置検
出動作、Ｙ座標軸押圧座標位置検出動作を経て抵抗膜接
触型タッチパネル１の２次元座標押圧位置を特定するま
での間に、アナログスイッチ切換時間の待機を含め、少
なからず時間が経過していることに起因するユーザが意
図しない２次元座標押圧位置を特定してしまうようなケ
ースを回避できるようになる。
触型タッチパネルの２次元座標押圧位置を算出した後
で、再び押圧検出動作を実行し、押圧の維持を確認して
から２次元座標押圧位置特定を有効とする。この結果、
万が一各座標軸押圧座標位置検出動作中にユーザの指が
離されてしまったとしても、ユーザが意図しない２次元
座標押圧位置を特定してしまうことはない。その結果、
抵抗膜接触型タッチパネルの２次元座標押圧位置特定に
おいて、押圧を検出してから、Ｘ座標軸押圧座標位置検
出動作、Ｙ座標軸押圧座標位置検出動作を経て抵抗膜接
触型タッチパネル１の２次元座標押圧位置を特定するま
での間に、アナログスイッチ切換時間の待機を含め、少
なからず時間が経過していることに起因するユーザが意
図しない２次元座標押圧位置を特定してしまうようなケ
ースを回避できるようになる。
【０３０３】すなわち、万が一各座標軸押圧座標位置検
出動作中にユーザの指が離されてしまった場合であって
も、ユーザが意図しない２次元座標押圧位置を抵抗膜接
触型タッチパネル制御装置が特定してしまうようなケー
スを回避して正確な２次元座標押圧位置を検出できるよ
うになり、電極基準電位（オフセット）測定動作時にシ
ステムの駆動系等の動作よりノイズが発生した場合であ
っても電極基準電位（オフセット）測定動作が抵抗膜接
触型タッチパネルの２次元座標押圧位置特定に対して悪
影響を及ぼすようなケースを回避できる制御方式を実現
できるようになる。
出動作中にユーザの指が離されてしまった場合であって
も、ユーザが意図しない２次元座標押圧位置を抵抗膜接
触型タッチパネル制御装置が特定してしまうようなケー
スを回避して正確な２次元座標押圧位置を検出できるよ
うになり、電極基準電位（オフセット）測定動作時にシ
ステムの駆動系等の動作よりノイズが発生した場合であ
っても電極基準電位（オフセット）測定動作が抵抗膜接
触型タッチパネルの２次元座標押圧位置特定に対して悪
影響を及ぼすようなケースを回避できる制御方式を実現
できるようになる。
【０３０４】請求項５に記載の発明によれば、請求項４
に記載の効果に加えて、検出結果と閾値を比較し、矛盾
が発生した場合は初期値に置き換えることにより、電極
基準電位（オフセット）測定動作が抵抗膜接触型タッチ
パネルの２次元座標押圧位置特定に対し、副作用を及ぼ
してしまうことを回避できる。その結果、電極基準電位
（オフセット）測定動作時、システムの駆動系等の動作
によりノイズが発生した場合、正確な電極基準電圧（オ
フセット）測定ができないようなケースを回避できるよ
うになり、起こり得ないオン抵抗の電圧降下に相当する
基準電位情報をＲＡＭに格納してしまうようなケースを
回避できるようになる。
に記載の効果に加えて、検出結果と閾値を比較し、矛盾
が発生した場合は初期値に置き換えることにより、電極
基準電位（オフセット）測定動作が抵抗膜接触型タッチ
パネルの２次元座標押圧位置特定に対し、副作用を及ぼ
してしまうことを回避できる。その結果、電極基準電位
（オフセット）測定動作時、システムの駆動系等の動作
によりノイズが発生した場合、正確な電極基準電圧（オ
フセット）測定ができないようなケースを回避できるよ
うになり、起こり得ないオン抵抗の電圧降下に相当する
基準電位情報をＲＡＭに格納してしまうようなケースを
回避できるようになる。
【図１】請求項１に記載する発明の抵抗膜接触型タッチ
パネル制御装置の一実施形態を説明するためのブロック
図である。
パネル制御装置の一実施形態を説明するためのブロック
図である。
【図２】図１の抵抗膜接触型タッチパネル制御装置の押
圧位置を特定する動作のうち、電極基準電位（オフセッ
ト）測定動作を説明するためのフローチャートである。
圧位置を特定する動作のうち、電極基準電位（オフセッ
ト）測定動作を説明するためのフローチャートである。
【図３】図１の抵抗膜接触型タッチパネル制御装置の押
圧位置を特定する動作のうち、Ｘ座標軸押圧座標位置検
出動作を説明するためのフローチャートである。
圧位置を特定する動作のうち、Ｘ座標軸押圧座標位置検
出動作を説明するためのフローチャートである。
【図４】図１の抵抗膜接触型タッチパネル制御装置の押
圧位置を特定する動作のうち、Ｙ座標軸押圧座標位置検
出動作を説明するためのフローチャートである。
圧位置を特定する動作のうち、Ｙ座標軸押圧座標位置検
出動作を説明するためのフローチャートである。
【図５】図１の抵抗膜接触型タッチパネル制御装置の上
部透明抵抗膜、タッチパネル制御装置を含むＸ座標軸上
の回路模式図である。
部透明抵抗膜、タッチパネル制御装置を含むＸ座標軸上
の回路模式図である。
【図６】請求項２に記載する発明の抵抗膜接触型タッチ
パネル制御装置の一実施形態における電位検出回路及び
記憶演算部の応用例である。
パネル制御装置の一実施形態における電位検出回路及び
記憶演算部の応用例である。
【図７】請求項２に記載する発明の抵抗膜接触型タッチ
パネル制御装置の一実施形態が実行する押圧位置を特定
する動作のうち、Ｘ座標軸押圧座標位置検出動作を説明
するためのフローチャートである。
パネル制御装置の一実施形態が実行する押圧位置を特定
する動作のうち、Ｘ座標軸押圧座標位置検出動作を説明
するためのフローチャートである。
【図８】請求項２に記載する発明の抵抗膜接触型タッチ
パネル制御装置の一実施形態が実行する押圧位置を特定
する動作のうち、Ｙ座標軸押圧座標位置検出動作を説明
するためのフローチャートである。
パネル制御装置の一実施形態が実行する押圧位置を特定
する動作のうち、Ｙ座標軸押圧座標位置検出動作を説明
するためのフローチャートである。
【図９】請求項３に記載する発明の抵抗膜接触型タッチ
パネル制御装置の一実施形態を説明するためのブロック
図である。
パネル制御装置の一実施形態を説明するためのブロック
図である。
【図１０】図９の抵抗膜接触型タッチパネル制御装置の
押圧イベント発生検出動作を説明するためのフローチャ
ートである。
押圧イベント発生検出動作を説明するためのフローチャ
ートである。
【図１１】請求項４に記載する発明の抵抗膜接触型タッ
チパネル制御装置の一実施形態を説明するためのブロッ
ク図である。
チパネル制御装置の一実施形態を説明するためのブロッ
ク図である。
【図１２】図１１の抵抗膜接触型タッチパネル制御装置
で実行される制御方法における押圧位置を特定する動作
のうち、電極基準電位（オフセット）測定動作ルーチン
を説明するためのフローチャートである。
で実行される制御方法における押圧位置を特定する動作
のうち、電極基準電位（オフセット）測定動作ルーチン
を説明するためのフローチャートである。
【図１３】図１１の抵抗膜接触型タッチパネル制御装置
で実行される制御方法における押圧検出動作ルーチンの
一実施形態を説明するためのフローチャートである。
で実行される制御方法における押圧検出動作ルーチンの
一実施形態を説明するためのフローチャートである。
【図１４】図１１の抵抗膜接触型タッチパネル制御装置
で実行される制御方法における押圧位置を特定する動作
のうち、Ｘ座標軸押圧座標位置検出動作ルーチンの一実
施形態を説明するためのフローチャートである。
で実行される制御方法における押圧位置を特定する動作
のうち、Ｘ座標軸押圧座標位置検出動作ルーチンの一実
施形態を説明するためのフローチャートである。
【図１５】図１１の抵抗膜接触型タッチパネル制御装置
で実行される制御方法における押圧位置を特定する動作
のうち、Ｙ座標軸押圧座標位置検出動作ルーチンを説明
するためのフローチャートである。
で実行される制御方法における押圧位置を特定する動作
のうち、Ｙ座標軸押圧座標位置検出動作ルーチンを説明
するためのフローチャートである。
【図１６】図１１の抵抗膜接触型タッチパネル制御装置
における上部透明抵抗膜、タッチパネル制御装置を含む
Ｘ座標軸上の回路模式図である。
における上部透明抵抗膜、タッチパネル制御装置を含む
Ｘ座標軸上の回路模式図である。
【図１７】図１１の抵抗膜接触型タッチパネル制御装置
で実行される制御方法における押圧位置を特定する動作
のメインルーチンを説明するためのフローチャートであ
る。
で実行される制御方法における押圧位置を特定する動作
のメインルーチンを説明するためのフローチャートであ
る。
【図１８】請求項５に記載する発明の抵抗膜接触型タッ
チパネル制御装置で実行される制御方法における押圧位
置を特定する動作のうち、電極基準電位（オフセット）
測定動作ルーチンを説明するためのフローチャートであ
る。
チパネル制御装置で実行される制御方法における押圧位
置を特定する動作のうち、電極基準電位（オフセット）
測定動作ルーチンを説明するためのフローチャートであ
る。
【図１９】図１８の制御方法における処理Ａを説明する
ためのフローチャートである。
ためのフローチャートである。
【図２０】図１８の制御方法における処理Ｂを説明する
ためのフローチャートである。
ためのフローチャートである。
１…抵抗膜接触型タッチパネル ２…上部透明抵抗膜（一対の抵抗膜の一方） ３…下部透明抵抗膜（一対の抵抗膜の他方） ４〜７…電極 １０…タッチパネル制御装置 １１…電圧印加電源 １２…第１の切換手段（アナログスイッチ） １３…第２の切換手段（アナログスイッチ） １４…第３の切換手段（アナログスイッチ） １５…第４の切換手段（アナログスイッチ） １６，１７…第５の切換手段（アナログスイッチ） １８…検出抵抗 ２０〜２３…ボルテージフォロワ回路 ３０…記憶演算手段（記憶演算部） ３１〜３９…Ｉ／Ｏポート ４０…電極電位検出手段（電位検出回路） ４１…電極電位検出手段（マルチプレクサ） ４２…アナログ／ディジタル変換手段（アナログ／ディ
ジタルコンバータ） ４３…電圧保持手段（サンプル／ホールド回路） ５１…記憶演算手段（ＣＰＵ） ５２…記憶演算手段（ＲＡＭ） ５３…記憶演算手段（ＲＯＭ） ５４…記憶演算手段（データバス）
ジタルコンバータ） ４３…電圧保持手段（サンプル／ホールド回路） ５１…記憶演算手段（ＣＰＵ） ５２…記憶演算手段（ＲＡＭ） ５３…記憶演算手段（ＲＯＭ） ５４…記憶演算手段（データバス）
Claims (5)
- 【請求項１】 線形特性の抵抗値を有する一対の抵抗膜
をスペーサを介して重ね合わせ、当該一方の抵抗膜のＸ
座標軸方向の両端に電極を各々設けると共に、当該他方
の抵抗膜のＹ座標軸方向の両端に電極を各々設け、抵抗
膜面が押圧されない状態では当該一対の抵抗膜が接触せ
ず、押圧されたときに当該一方の抵抗膜と当該他方の抵
抗膜とが当該押圧点において接触するように構成して当
該押圧点の２次元座標位置を特定する抵抗膜接触型タッ
チパネルと、前記Ｘ座標軸方向の一方の電極及び前記Ｙ
座標軸方向の一方の電極に電圧を供給する電圧印加電源
と、前記電圧印加電源を前記Ｘ座標軸方向の一方の電極
に接続または離間する第１の切換手段と、前記電圧印加
電源を前記Ｙ座標軸方向の一方の電極に接続または離間
する第２の切換手段と、前記Ｘ座標軸方向の他方の電極
を接地電位に接続または離間する第３の切換手段と、前
記Ｙ座標軸方向の他方の電極を接地電位に接続または離
間する第４の切換手段と、前記各電極に接続され、当該
各電極のアナログ値の電位を検出する電極電位検出手段
と、前記電極電位検出手段が検出した前記アナログ値の
電位をディジタル電位に変換してディジタル値の電位情
報を出力するアナログ／ディジタル変換手段とを備えた
抵抗膜接触型タッチパネル制御装置であって、 前記アナログ／ディジタル変換手段より得られる前記デ
ィジタル値の電位情報に基づいて所定の押圧座標特定演
算を行い、前記抵抗膜接触型タッチパネルのパネル上の
押圧点の座標位置を特定する記憶演算手段を有し、 前記記憶演算手段は、 前記第１切換手段と前記第３切換手段とを接続状態に設
定する制御、及び前記第２切換手段と前記第４切換手段
を離間状態に設定する制御を実行することにより、前記
Ｘ座標軸方向の両電極の基準電位を前記電極電位検出手
段及び前記アナログ／ディジタル変換手段を制御して基
準電位情報として記憶し、 また前記第２切換手段と前記第４切換手段とを接続状態
に設定する制御、及び前記第１切換手段と前記第３切換
手段を離間状態に設定する制御を実行することにより、
前記Ｙ座標軸方向の両電極の基準電位を前記電極電位検
出手段及び前記アナログ／ディジタル変換手段を制御し
て前記基準電位情報として記憶し、 前記抵抗膜の膜面が押圧されたときの押圧点の２次元座
標位置を特定する場合、前記第２切換手段と前記第４切
換手段とを接続状態に設定する制御、前記第１切換手段
と前記第３切換手段を離間状態に設定する制御、及び前
記Ｘ座標軸方向のいずれかの一方の電極に接続された前
記電極電位検出手段及び前記アナログ／ディジタル変換
手段を制御して生成した電位情報を検出する制御とを実
行することにより、記憶した前記Ｙ座標軸方向の前記基
準電位情報に基づいて前記押圧座標特定演算を実行して
Ｙ座標軸方向の座標位置を特定し、前記第１切換手段と
前記第３切換手段とを接続状態に設定する制御、前記第
２切換手段と前記第４切換手段を離間状態に設定する制
御、及び前記Ｙ座標軸方向のいずれかの一方の電極に接
続された前記電極電位検出手段及び前記アナログ／ディ
ジタル変換手段を制御して生成した電位情報を検出する
制御を実行することにより、記憶した前記Ｘ座標軸方向
の前記基準電位情報に基づいて前記押圧座標特定演算を
実行して前記Ｘ座標軸方向の座標位置を特定することを
特徴とする抵抗膜接触型タッチパネル制御装置。 - 【請求項２】 アナログ電圧を一定時間だけ保持電圧と
して保持する電圧保持手段を有し、 前記記憶演算手段は、 前記抵抗膜の膜面が押圧されたときの押圧点の２次元座
標位置特定を行う場合、前記第２切換手段と前記第４切
換手段とを接続状態に設定する制御、及び前記第１切換
手段と前記第３切換手段を離間状態に設定する制御を実
行することにより、前記Ｙ座標軸方向の両電極の基準電
位を前記電圧保持手段を制御して保持し、当該電圧保持
手段の保持電圧を前記アナログ／ディジタル変換手段の
基準電圧に設定した後、前記第２切換手段と前記第４切
換手段とを接続状態に設定する制御、及び前記第１切換
手段と前記第３切換手段を離間状態に設定する制御を実
行することにより、前記Ｘ座標軸方向のいずれかの一方
の電極に接続された前記電極電位検出手段及び前記アナ
ログ／ディジタル変換手段を制御して生成した電位情報
を検出してＹ座標軸方向の座標位置を特定し、また、前
記第２切換手段と前記第４切換手段とを接続状態に設定
する制御、及び前記第１切換手段と前記第３切換手段を
離間状態に設定する制御を実行することにより、前記Ｙ
座標軸方向の両電極の基準電位を前記電圧保持手段を制
御して保持し、当該電圧保持手段の保持電圧を前記アナ
ログ／ディジタル変換手段の基準電圧とする制御を実行
した後、前記第１切換手段と前記第３切換手段とを接続
状態に設定する制御、前記第２切換手段と前記第４切換
手段を離間状態に設定する制御、及び前記Ｙ座標軸方向
のいずれかの一方の電極に接続された前記電極電位検出
手段及び前記アナログ／ディジタル変換手段を制御して
生成した電位情報を検出してＸ座標軸方向の座標位置を
特定することにより、前記押圧点の２次元座標位置を決
定することを特徴とする請求項１に記載の抵抗膜接触型
タッチパネル制御装置。 - 【請求項３】 前記電圧印加電源を、前記Ｘ座標軸方向
の前記第１切換手段と同方向の電極に抵抗素子を介して
接続または離間する第５の切換手段を有し、前記第４切
換手段と前記第５切換手段とを接続状態に設定する制
御、及び前記第１切換手段と前記第２切換手段と前記第
３切換手段を離間状態とする制御とを実行することによ
り、前記Ｘ座標軸方向の前記電圧印加電源側の電極に接
続された前記電極電位検出手段及び前記アナログ／ディ
ジタル変換手段を制御して生成した電位情報を検出、ま
たは前記Ｙ座標軸方向の前記電圧印加電源側の電極に接
続された前記電極電位検出手段及び前記アナログ／ディ
ジタル変換手段を制御して生成した電位情報を検出し、
当該電位情報の特定の値以下への変化を前記抵抗膜面の
押圧と判断することを特徴とする請求項１または請求項
２に記載の抵抗膜接触型タッチパネル制御装置。 - 【請求項４】 線形特性の抵抗値を有する一対の抵抗膜
をスペーサを介して重ね合わせ、一方の抵抗膜にはＸ座
標軸方向の両端に、他方の抵抗膜にはＹ座標軸方向の両
端にそれぞれ電極を設け、抵抗膜面が押圧されない状態
では前記一対の抵抗膜は接触せず、押圧されたときに前
記一対の抵抗膜が押圧点で接触する抵抗膜接触型タッチ
パネルのパネル上の押圧点の２次元座標位置を特定する
抵抗膜接触型タッチパネルと、前記各座標軸方向の一方
の電極に電圧を供給する電圧印加電源と、 前記電圧印加電源を前記Ｘ座標軸方向の一方の電極に接
続状態または離間状態とする第１の切換手段と、前記電
圧印加電源を前記Ｙ座標軸方向の一方の電極に接続状態
または離間状態とする第２の切換手段と、前記Ｘ座標軸
方向の他方の電極を接地接続状態または離間状態とする
第３の切換手段と、前記Ｙ座標軸方向の他方の電極を接
地接続状態または離間状態とする第４の切換手段と、前
記第１切換手段と同方向の電極に抵抗素子を介して接続
状態または離間状態とする第５の切換手段と、前記各電
極に接続され、当該各電極の電位を検出する電極電位検
出手段と、前記電極電位検出手段が検出したアナログ値
の電位をディジタル値の電位に変換するアナログ／ディ
ジタル変換手段とを備えた抵抗膜接触型タッチパネル制
御装置の制御方法であって、 前記アナログ／ディジタル変換手段より得られるディジ
タル値の電位情報に基づいて押圧座標特定演算を行い、
前記抵抗膜接触型タッチパネルのパネル上の押圧点の座
標位置を特定する記憶演算手段を有し、 前記記憶演算手段は、 前記第４切換手段と前記第５切換手段とを接続状態に設
定する制御、及び前記第１切換手段と前記第２切換手段
と前記第３切換手段を離間状態に設定する制御を実行す
ることにより、前記Ｘ座標軸方向または前記Ｙ座標軸方
向のいずれかの一方の前記電圧印加電源側の電極に接続
された前記電極電位検出手段及び前記アナログ／ディジ
タル変換手段を制御して電位情報を検出し、当該電位情
報の特定の値以下への変位を前記抵抗膜面の押圧と判断
し、 抵抗膜面が押圧されたときの押圧点の２次元座標位置特
定を実行する場合、前記記憶演算手段は、前記第２切換
手段と前記第４切換手段とを接続状態に設定する制御、
前記第１切換手段と前記第３切換手段を離間状態に設定
する制御、及び前記Ｘ座標軸方向のいずれかの一方の電
極に接続された前記電極電位検出手段及び前記アナログ
／ディジタル変換手段を制御して電位情報を検出するこ
とにより、Ｙ座標軸方向の座標位置を特定し、また、前
記第１切換手段と前記第３切換手段とを接続状態に設定
する制御、前記第２切換手段と前記第４切換手段を離間
状態に設定する制御、前記Ｙ座標軸方向のいずれかの一
方の電極に接続された前記電極電位検出手段及び前記ア
ナログ／ディジタル変換手段を制御して電位情報を検出
することにより、Ｘ座標軸方向の座標位置を特定し、 更に加えて前記記憶演算手段は、 前記Ｙ座標軸方向の座標位置の特定及び前記Ｘ座標軸方
向の座標位置の特定に基づいて前記抵抗膜接触型タッチ
パネルのパネル上の押圧点の２次元座標位置を特定した
後、再度前記第４切換手段と前記第５切換手段とを接続
状態に設定する制御、及び前記第１切換手段と前記第２
切換手段と前記第３切換手段を離間状態に設定する制御
を実行することにより、前記Ｘ座標軸方向の前記電圧印
加電源側の電極に接続された前記電極電位検出手段及び
前記アナログ／ディジタル変換手段を制御して電位情報
を検出し、押圧維持状態の確認結果により前記抵抗膜接
触型タッチパネルのパネル上の押圧点の２次元座標位置
の特定結果を有効とすることを特徴とする抵抗膜接触型
タッチパネル制御装置の制御方法。 - 【請求項５】 前記記憶演算手段は、 前記第１切換手段と前記第３切換手段とを接続状態に設
定する制御、及び前記第２切換手段と前記第４切換手段
を離間状態に設定する制御を実行することにより、前記
Ｘ座標軸方向の両電極の基準電位を、前記電極電位検出
手段及び前記アナログ／ディジタル変換手段を制御して
前記基準電位情報として記憶し、また前記第２切換手段
と前記第４切換手段とを接続状態に設定する制御、及び
前記第１切換手段と前記第３切換手段を離間状態に設定
する制御を実行することにより、前記Ｙ座標軸方向の両
電極の基準電位を、前記電極電位検出手段及び前記アナ
ログ／ディジタル変換手段を制御して前記基準電位情報
として記憶し、 前記抵抗膜面が押圧されたときの押圧点の２次元座標位
置特定を実行する場合、前記記憶演算手段は、前記第２
切換手段と前記第４切換手段とを接続状態に設定する制
御、前記第１切換手段と前記第３切換手段を離間状態に
設定する制御、及び前記Ｘ座標軸方向のいずれかの一方
の電極に接続された前記電極電位検出手段及び前記アナ
ログ／ディジタル変換手段を制御して電位情報を検出
し、記憶した前記Ｙ座標軸方向の前記基準電位情報に基
づいて前記押圧座標特定演算を実行してＹ座標軸方向の
座標位置を特定し、また、前記第１切換手段と前記第３
切換手段とを接続状態に設定する制御、前記第２切換手
段と前記第４切換手段を離間状態に設定する制御、及び
前記Ｙ座標軸方向のいずれかの一方の電極に接続された
前記電極電位検出手段及び前記アナログ／ディジタル変
換手段を制御して電位情報を検出し、記憶した前記Ｘ座
標慈雨方向の前記基準電位情報に基づいて前記押圧座標
特定演算を実行してＸ座標軸方向の座標位置を特定する
ことにより、押圧点の２次元座標位置を決定し、 更に加えて、取得した前記基準電位情報を所定の閾値と
比較し、前記決定した押圧点の２次元座標位置について
矛盾が発生した場合に前記基準電位情報を初期値に置き
換えることを特徴とする請求項４に記載の抵抗膜接触型
タッチパネル制御装置の制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16094998A JPH11353100A (ja) | 1998-06-09 | 1998-06-09 | 抵抗膜接触型タッチパネル制御装置及び制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16094998A JPH11353100A (ja) | 1998-06-09 | 1998-06-09 | 抵抗膜接触型タッチパネル制御装置及び制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11353100A true JPH11353100A (ja) | 1999-12-24 |
Family
ID=15725697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16094998A Withdrawn JPH11353100A (ja) | 1998-06-09 | 1998-06-09 | 抵抗膜接触型タッチパネル制御装置及び制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11353100A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002069124A1 (en) * | 2001-02-28 | 2002-09-06 | A. Touch Co.,Ltd. | Pressure sensing structure and method in touch panel |
| KR100389018B1 (ko) * | 2001-03-03 | 2003-06-25 | 아이티엠 주식회사 | 터치패널에 가해진 압력 정도에 따라 세분화된 압력저항을검출하는 방법 |
| JP2004093442A (ja) * | 2002-09-02 | 2004-03-25 | Polymatech Co Ltd | アナログスイッチの出力値補正方法、コンピュータプログラム及びアナログスイッチ |
| JP2007299074A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Kyocera Corp | タッチ位置取得装置 |
| US8243031B2 (en) | 2006-04-17 | 2012-08-14 | Kyocera Corporation | Touch panel control device, picture-drawing device, display function-equipped coordinate input device, and touch position acquisition device |
-
1998
- 1998-06-09 JP JP16094998A patent/JPH11353100A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002069124A1 (en) * | 2001-02-28 | 2002-09-06 | A. Touch Co.,Ltd. | Pressure sensing structure and method in touch panel |
| KR100389018B1 (ko) * | 2001-03-03 | 2003-06-25 | 아이티엠 주식회사 | 터치패널에 가해진 압력 정도에 따라 세분화된 압력저항을검출하는 방법 |
| JP2004093442A (ja) * | 2002-09-02 | 2004-03-25 | Polymatech Co Ltd | アナログスイッチの出力値補正方法、コンピュータプログラム及びアナログスイッチ |
| US8243031B2 (en) | 2006-04-17 | 2012-08-14 | Kyocera Corporation | Touch panel control device, picture-drawing device, display function-equipped coordinate input device, and touch position acquisition device |
| JP2007299074A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Kyocera Corp | タッチ位置取得装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050906 |