JP2001264818A - 液晶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 疑似ドット反転駆動を行なう液晶パネルにお
いて、ＴＦＴアレイ製作時の各層間のアライメントのず
れに起因して隣接画素の薄膜トランジスタの充電能力に
差異が生じ、その結果発生するフリッカや縦横のすじを
防止する。 【解決手段】 隣接する２本の映像信号線若しくは走査
信号線に囲まれ、該信号線方向に相隣り合う２個のＴＦ
Ｔのソース電極等が互いに異なる映像信号線等に接続さ
れている液晶表示パネルとする。この下で、隣接する画
素に接続された２つのＴＦＴのソース電極と、ドレイン
電極の配値順序を交互にして、ずれに伴うＴＦＴ各層の
重なり寸法、面積の変化量を等しくあるいは同じにす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶装置に関し、特
に疑似ドット反転を行う液晶表示装置の表示特性等の改
善に関する。

【０００２】

【従来の技術】スイッチング素子として薄膜トランジス
タ（以下、ＴＦＴとも記す）を用いたアクティブマトリ
クス方式の液晶表示装置は、ノート型パソコンをはじ
め、デスクトップ型パソコン用の大型モニタ、携帯型情
報端末、デジタルビデオカメラの表示パネル、液晶テレ
ビ等、幅広い分野に使用されている。

【０００３】ところで、液晶表示装置は、例えば図１の
（１、１）と（１、２）に概念的に示す様に、各画素毎
に液晶層の上下に在る電極に所定の電圧を与えて液晶分
子４０の配向状態を変化させ、これにより各画素の光透
過率を変化させ、その結果映像を表示するものである。
本図において、９０、９１は各々上部と下部の基板に形
成された電極であり、９３は偏光板である。９４は偏光
板や反射板等である。ところでこの電極への電圧の印加
であるが、（１、１）と（１、２）に示す様に、画素が
光を通過させる（あるいは光を通過させない）状態では
常に電界の方向が同じ、即ち上下いずれかの電極を常に
正あるいは負とするいわゆる直流駆動は、液晶層中の正
あるいは負の不純物イオンが負あるいは正の電極に引き
寄せられて画素電極と共通電極間の電界の分布が変化
し、その結果液晶分子に正しい電界を加えるのが困難と
なり、その結果綺麗な映像の表示に支障が生じたりす
る。

【０００４】また、液晶材料の電気分解や劣化が生じた
りすることもある。本図の（１、２）に、不純物のイオ
ン４５が上下の電極に吸引されていく様子を概念的に示
す。

【０００５】このため、図１の（２、１）と（２、２）
に示す様に、画素が光を通過させる（あるいは光を通過
させない）状態では、電界の方向そして液晶分子の配列
の方向が所定の間隔毎に逆となる、即ち上下の電極の正
負を所定の間隔毎に逆とするいわゆる交流駆動を行うの
が一般的である。このための画素の回路の例を（３、
１）と（３、２）に示す。

【０００６】さて、この交流駆動の内最も簡単なもの
は、表示面全体である表示周期の光が通過する（あるい
は光が通過しない）状態の画素は全て上側の電極が正
（下側の電極は負）になっており、次の表示周期では逆
に負になっているもの、すなわち表示面全体を対象にし
て同一極性の信号を印加し、更に各表示周期毎に極性を
反転させるいわゆるフレーム反転駆動である。

【０００７】しかし、実際の液晶パネルにはスイッチン
グ素子としてのＴＦＴ等があるためパネルは非対称であ
り、そのため表示輝度は印加電圧の正負により若干異な
る。その結果、表示面全体を対象として同一極性の信号
を書き込むフレーム反転駆動では、フレームの正負での
輝度差がフリッカとして見えてしまう。なお念のため記
すならば、図１に示す液晶装置の画素の構造や液晶分子
の動き、あるいは反転のための回路等は、あくまでも一
例あるいは概念的なものであり、他にも種々のタイプが
ある。ただし、フレーム反転駆動、電界による液晶分子
の動きや傾きで光の通過を制御する等の基本的な事項は
同様である。

【０００８】フリッカを解消するため、正負が逆にされ
た画素を平面的に交互に配置し、輝度を平均化する方法
がある。これには、映像信号線毎に極性を変える映像信
号線反転駆動、走査信号線毎に極性反転を行う走査信号
線反転駆動、映像信号線反転駆動と走査信号線反転駆動
を組み合わせ、画面内で縦横に隣接する画素毎に印加さ
れる電界の極性を反転させるドット反転駆動が挙げられ
る。

【０００９】それらの内、ドット反転駆動は正負極性の
画素を市松状に配置しているので、フリッカが目立ちに
くく、輝度分布も均一な表示が得られるという特長があ
る。この一方で、その駆動波形は行列の双方に対して極
性が反転されているため、駆動ＩＣに信号電圧を転送す
る際や画素に映像信号を充電する際の電圧反転回数が多
くなり、その結果消費電力が大きくなったり、駆動ＩＣ
への充電負荷が増加するという短所がある。その対策と
して、電気信号としては映像信号線反転駆動あるいは走
査信号線反転駆動を行いながら、画面上の極性パターン
としてはドット反転表示を得る、擬似ドット反転駆動が
特開平４−２２３４２８号公報に開示されている。これ
は、本来のドット反転より簡便な駆動波形で、ドット反
転と同様に均一性の高い表示を行おうとするものであ
る。

【００１０】図２の（１）と（２）は、上記公報に開示
されている擬似ドット反転駆動をなす液晶表示装置用の
２種の等価回路である。いずれにおいても、複数本の映
像信号線２とそれに交差する走査信号線３の交点付近
に、ＴＦＴ１がソース電極とゲート電極を接続する形で
配置され、ＴＦＴ１のドレイン電極は、液晶層４とこれ
に並列な蓄積容量５に接続されている。

【００１１】図２の（１）では、映像信号線２に沿って
上下に隣り合う画素のＴＦＴ１は、そのソース電極が互
いに異なる映像信号線２に接続されている。この液晶パ
ネルを映像信号線反転駆動すると、各画素に印加される
電圧の極性は図３に示すように画素毎に正負反転したも
のとなり、ドット反転表示を行うことができる。

【００１２】一方、図２の（２）はもう一つの方法を説
明するもので、走査信号線３に沿って左右に隣り合う画
素のＴＦＴ１は、そのゲート電極が互いに異なる走査信
号線３に接続されている。この液晶パネルでは、走査信
号線反転駆動により各画素に印加される電圧の極性を画
素毎に正負反転させて、ドット反転表示を行うことがで
きる。

【００１３】このように、隣接する２本の映像信号線に
囲まれた領域内の隣り合うＴＦＴのソース電極が互いに
異なる映像信号線に接続されている液晶表示パネルにお
いて、映像信号線反転駆動を行う、あるいは隣接する２
本の走査信号線に囲まれた領域内の隣り合うＴＦＴのゲ
ート電極が互いに異なる映像信号線に接続されている液
晶表示パネルにおいて、走査信号線反転駆動を行うこと
により、ドット反転表示を行うことができる。

【００１４】なお、いずれの場合も、各画素の電圧が交
流となるように、次のフレーム期間には印加電圧の極性
がそれぞれの画素で反転される。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、液晶表示パ
ネルを作製する際には基板上に金属膜、半導体層、絶縁
層等の層を複数回堆積（形成）し、更に各堆積毎や一定
の材料の堆積後等に通常は総計で５〜８回のフォトリソ
グラフィ工程を行って各層のパターニング（堆積した所
定の材料の層の不必要な部分や領域をドライエッチング
等で取り去り、必要な部分のみ残す処理）を行い、ＴＦ
Ｔや画素等を形成している。このフォトリソグラフィ工
程を行うときには、基板とフォトマスクとの間でアライ
メントを行うが、基板あるいは表示面の寸法等の条件に
もよるが、どうしても１μｍ程度から数μｍ程度のアラ
イメントのズレが発生してしまう。

【００１６】図４及び図５は、従来のＴＦＴにおけるこ
のズレの影響を説明するための図である。なお、以降の
平面図では絶縁膜、保護膜の明白な境界の図示は省略す
ることもある。ＴＦＴの製造工程では、ソース電極とド
レイン電極は同一層の金属を同時にパターニングして形
成するのが一般的であるが、これらの図では判り易い様
にソース電極及びドレイン電極が走査信号線に対して平
行方向にのみズレが生じた場合を例にとっている。なお
また、直交する方向のずれの場合には、ゲート電極の形
状、寸法にもよるが、そう問題は生じない。

【００１７】両図において、ゲート電極１１、ソース電
極７、７１、７２、ドレイン電極８、８１、８２並びに
チャネル保護膜１４から構成されているＴＦＴ１は、映
像信号線２と走査信号線３の交点近傍に形成されてお
り、ゲート電極１１は走査信号線に接続され、ソース電
極１２は映像信号線に接続されている。また、ドレイン
電極８、８１、８２は画素電極６に接続されている。更
に、画素電極の寸法は相対的にもっと大きいが、本発明
の趣旨に直結しないため、相対的に狭く、小さく示して
ある。

【００１８】図４の下部に、このＴＦＴの部分の断面を
示す。本図において、９は基板であり、８９はドレイン
電極のコンタクトホールであり、７９はソース電極のコ
ンタクトホールであり、１４１はゲート絶縁膜である。
この断面図で明瞭に判るように、ソース電極、ドレイン
電極を形成する金属膜８２、７２は、チャネル保護膜１
４２を介して半導体層１５と向き合い、この基板面に直
交する上面から見て重なる部分（本図にて点々と斜線で
示す部分）に容量が形成されている。

【００１９】図５で、ＴＦＴのチャネル保護膜１４とソ
ース電極とが重なり合っている電極面積をＳｓ、チャネ
ル保護膜１４とドレイン電極とが重なり合っている電極
面積をＳｄとする。本図の（１）に示したアライメント
のズレが発生していないＴＦＴではＳｓ＝Ｓｄである。
本図の（２）のようにソース電極７１とチャネル保護膜
１４のオーバーラップ領域が増える方向（図では右）に
ズレが生じた場合にはＳｓ＞Ｓｄとなり、（３）のよう
にソース電極７２とチャネル保護膜１４のオーバーラッ
プ領域が減る方向（図では左）にズレが生じた場合に
は、これとは逆にＳｓ＜Ｓｄとなる。即ち、ズレの方向
によりＴＦＴの能力に差が発生することになる。

【００２０】図４は、図２の（１）の等価回路構成を用
いて映像信号線反転駆動による擬似ドット反転駆動を行
うためのＴＦＴ構成において、ＴＦＴのソース電極とド
レイン電極が走査信号線に対して右方向にずれたときの
様子を示すものである。

【００２１】本図において、２本の映像信号線に挟まれ
て上下に隣り合うＴＦＴのソース電極は、互いに異なる
映像信号線に接続されている。すなわち、２本の隣接す
る映像信号線２１，２２に挟まれた２個のＴＦＴのう
ち、一方のＴＦＴ１０１はソース電極７１を映像信号線
２１に接続し、他方のＴＦＴ１０２はソース電極７２を
これとは異なる映像信号線２２に接続した構成になって
いる。

【００２２】この構造においては、ソース電極とドレイ
ン電極の右方向へのズレが、上部のＴＦＴ１０１に対し
てはソース電極７１とチャネル保護膜のオーバーラップ
領域を増加するのに対し、下方のＴＦＴ１０２に対して
はソース電極７２とチャネル保護膜のオーバーラップ領
域を減少させる。従って、映像信号線２１に接続されて
いるＴＦＴ１０１においてはＳｓ＞Ｓｄであるが、映像
信号線２２に接続されているＴＦＴ１０２では逆にＳｓ
＜Ｓｄとなっている。

【００２３】このように、製造時のアラインメントのず
れにより走査信号線毎にＴＦＴのソース電極−ゲート電
極間容量やドレイン電極−ゲート電極間容量が異なるの
で、隣接した画素の充電能力に差が生じ、どうしてもフ
リッカーや縦筋・横筋などの表示ムラが発生することと
なる。

【００２４】以上の不都合は、何もチャネル保護膜型の
ボトムゲート型の薄膜トランジスタに限らず生じる。図
６に他の型の薄膜トランジスタの場合を示す。本図の
（１）は、トップゲート型の薄膜トランジスタの場合で
ある。本（１）において、ゲート電極１１と、ソース電
極７及びドレイン電極８間の距離ＬＳＧ、ＬＤＧに相違
が生じている。また、ＬＤＤ領域１５１とソース電極の
コンタクトホール７９、ドレイン電極のコンタクトホー
ル８９間、ＬＳＬＤＤ、ＬＤＬＤＤにも相違が生じてい
る。なお、本（１）において、ゲート絶縁膜１４１とチ
ャネル保護膜１４２が形成されているが、これはケース
により後者がなくても良い。

【００２５】本図の（２）においてはチャネルエッチ型
のボトムゲート型の薄膜トランジスタであり、ソース電
極７と半導体層１５の重なり部が、ドレイン電極８と半
導体層の重なり部分より大となっている。

【００２６】図６の（３）においては、同じくチャネル
エッチ型のボトムゲート型の薄膜トランジスタにおい
て、ゲート電極１１と半導体層１５とのアライメントず
れまで生じている場合である。なお、薄膜トランジスタ
としては以上の他、例えばゲート電極のチャネル方向長
さ（幅）が半導体層のそれより小なもの等もあるが、い
ずれの形式のものでも上述の不都合の発生が避けられな
い。

【００２７】更に、薄膜トランジスタに限らず、ダイオ
ードにおいても同様のことが生じうる。これを図７を用
いて示す。本図の（１）は、ダイオードを用いた液晶表
示装置の１画素の平面図である。本図において、１１１
がダイオードであり、６は画素電極であり、２は対向側
の電極であり３は第１の電極である。また、６０は画素
電極に接続された金属層（端部）である。なお、１４、
１５は絶縁膜や半導体層である。

【００２８】なお、参考までに駆動方法を記すならば、
走査線にダイオードの走査信号を入力する。オン信号を
入力されたダイオードはオンとなり、画素電極６はダイ
オードのオン電圧と同電位になる。この際映像信号線に
印加された映像信号と画素電位の差が液晶層に保持され
る。次の走査線を走査している時には、ダイオードがオ
フされ、オン時に印加された電圧を保持する。そして、
これにより表示等がなされることになる。

【００２９】さて、画素電極の端部６０を本図の（２）
に示す様に第１の電極９９が完全に覆っていれば、アラ
イメントのズレは無関係である。しかし、現実には
（３）に示す様に半分しか覆っていないため、○で示す
部分の容量に変動が生じる。

【００３０】このため、特に疑似ドット反転駆動をなす
液晶表示パネルにおいて、各層間のアライメントにズレ
が生じたときでも、液晶表示パネル面内全てで薄膜トラ
ンジスタが均一な充電能力を有することとなる技術の開
発が望まれていた。

【００３１】

【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
め、本発明では、アライメントのずれが生じたときに液
晶パネル内の全ＴＦＴ等で各部の重なりが変化しない、
最悪でも必ずＳｓ＝α・Ｓｄとするべく、ソース電極と
ドレイン電極やこれらの外縁線が走査信号線または映像
信号線の方向になるよう工夫を凝らしている。また、配
置や形状にも工夫を凝らしている。

【００３２】以上の他、疑似ドット変換におけるカラー
表示性能等の向上にも工夫を凝らしている。

【００３３】具体的には、以下のごとくしている。

【００３４】１の発明（ａｓｐｅｃｔ）においては、ガ
ラス基板やパネル上に画素の寸法（タイプ、装置の用途
等にもよるが、大凡４０〜１００μｍ）やその間のブラ
ックマトリクスの幅等に対応した間隔を置いて、多数の
映像信号線と多数の走査信号線が規格等に従って配設さ
れ、更に両信号線で四周を囲まれた領域にいわば碁盤の
目の様に画素が配置され、しかも各画素の上下左右のい
ずれかの角部やその近くには、ＴＦＴ（ケースによりダ
イオード等）が形成されている液晶装置において、ＴＦ
Ｔの半導体部、ソース電極、ゲート電極、ドレイン電極
はそれらの外縁部が映像信号線、走査信号線の方向と同
じ（一方に並行そして他方に直交）である。また、各電
極の形状も角型特に長方形（含む、正方形。ケースによ
りＬ型等）である。

【００３５】更に、半導体部 ゲート電極、ドレイン電
極、ソース電極の位置寸法を工夫して、これらを特にフ
ォトリソグラフィで形成する際、多少のマスクのアライ
メント（設置）のズレが生じても、基板上方（表示面に
直交する方向。ユーザが製品としての表示面を見る側）
より見た場合、ゲート電極と半導体層の重なる部分は不
変、更にゲート電極とドレイン電極の重なる部分とゲー
ト電極とソース電極の重なる部分の少くも一方は（好ま
しくは両方とも。実用上は原則両方とも）不変となる様
にしている。あるいは、ずれの方向の如何によっては、
変化する場合でも上下方向若しくは左右方向に（原則と
して）隣接した２個のＴＦＴをとってきた場合、ゲート
電極と他の２つの電極との重なり部が同様に変化する様
にしている。

【００３６】これらのため、ゲート電極とドレイン電極
あるいはソース電極間のゲート絶縁膜やチャネル保護膜
等を介しての容量のアライメントの常識的な範囲内のず
れ（画素、ＴＦＴ等の寸法にもよるが、２〜３μｍ程
度、ケースによっては６μｍ。）による変動は自動的に
補償されることとなる。

【００３７】同じく、ゲート電極とドレイン電極あるい
はゲート電極とソース電極間の距離、半導体層のゲート
電極直下部端やＬＤＤ領域端部とドレイン電極あるいは
ソース電極、更にはそれら電極のためのコンタクトホー
ル間の距離のずれによる容量の変動も補償されることと
なる。

【００３８】なお、ＴＦＴが２個一組でずれに対しての
補償をなす場合には、更にこれらのソース電極（Ｓ）と
ドレイン電極（Ｄ）の図上、上下方向あるいは左右方向
の配置もＳＤＳＤあるいはＤＳＤＳとなる様に考慮して
いる。なおまたこの場合には、ＴＦＴの種類あるいは型
はボトムゲート、更にはチャネルエッジ型、トップゲー
ト等を問わないのは勿論である。

【００３９】更には、ＴＦＴのソース電極やドレイン電
極の個数を少くも一方は複数とし、１個のＴＦＴをとっ
て来た場合、複数（そして多くの場合多数）ある（製造
上からは２個が普通）方の電極は、そのうちの２個が他
方の（少数）電極の上下方向若しくは左右方向の両端に
各１個在るだけでなく、基板側下方あるいは上方の半導
体部の端部が当該上下端の電極の幅の中央部近くにあ
る。これにより、アライメントのずれによる重なり部分
の変化を補償するようにしている。

【００４０】なお、１個のＴＦＴにソース電極、ドレイ
ン電極が多数在る場合、これらの配列は上下あるいは左
右方向に交互となっているのは好ましいであろう。

【００４１】更に、ソース電極若しくはドレイン電極を
いわゆるＬ型とし、基板側上方あるいは下方にある半導
体部（層）にこのＬ型部がはまり混んで重なり合う様に
している。

【００４２】また、ＴＦＴ、特にゲート電極部の形成位
置を工夫して画素部の面積、ひいては開口率、明度の向
上を図っている。

【００４３】以上の他、ダイオードにおいても配列等に
工夫を凝らして、アライメントのズレの補償を図ってい
る。

【００４４】次に、良好な性能を長期に渡って維持する
べく、各画素は所定の表示周期毎に、例えば表示特性の
面からは１表示周期毎に正と負が反転する様にしてい
る。同じく、所定数毎に、たとえば１本の走査（信号）
線あるいは映像（信号）線毎に正負が反転する様にして
いる。特に正と負に対応した画素が上下、左右に相隣接
して並び、しかも回路が比較的簡単で済む、いわゆる疑
似ドット反転を採用している。なおこの場合、上述のア
ライメントのズレを補償するべくＴＦＴの配列、配置、
特に上下若しくは左右方向の２個一組でのソース電極、
ドレイン電極の並列及び各信号線との接続に工夫を凝ら
している。

【００４５】また、疑似ドット反転において、カラー表
示のため３原色の各画素がいわゆるモザイクで配列する
と、斜め方向に各色彩毎に正の画素からなる線と負の画
素からなる線が交互に線状に配列されることとなるた
め、プロの目から見ると難が生じる懸念がある。このた
め、いわゆるスプライトとして各原色の帯毎で正と負の
画素が（上下方向に）交互に配列され、しかも同一の色
彩で相隣接する帯では、正と負の画素が（上下方向に）
１つずれ、これにより、プロの目にも適う色彩の表示と
している。

【００４６】また、用途についても、液晶をスイッチン
グ素子で駆動する機器にも拡張している。

【００４７】

【発明の実施の形態】以下、本発明をその実施の形態に
基づいて説明する。

【００４８】（第１の実施の形態）本実施の形態は、図
２の（１）に示した擬似ドット反転を行う液晶表示パネ
ルにおける映像信号線に沿って隣り合う２画素の平面配
列の改善に関する。

【００４９】図８に、本実施の形態の要部を示す。本図
において第１及び第２のボトムゲート型のＴＦＴ１０
１，１０２は第１及び第２の映像信号線２１，２２とそ
れに交差する走査信号線３の交差点近傍に形成され、Ｔ
ＦＴのゲート電極１１は走査信号線３に接続され、ソー
ス電極７１、７２は映像信号線２１，２２に接続され、
ドレイン電極８１、８２は画素電極６１、６２に接続さ
れている。そして、この画素電極は、対向する基板上に
形成されている共通電極との間で液晶を挟持している。
また、通常画素電極は走査信号線若しくは別途形成する
蓄積容量配線との間で蓄積容量を形成し、ＴＦＴのリー
ク電流に起因した電圧保持期間における液晶層の書込み
電圧低下に対する補償を行っている。ただし、煩雑とな
ること、自明であることのため、蓄積容量及び蓄積容量
配線の図示は省略してある。

【００５０】この液晶表示パネルにおいては、スイッチ
ング素子としてのＴＦＴのソース電極とドレイン電極を
結ぶチャネル方向を映像信号線２１、２２に直交する方
向に配置している点に特徴がある。その結果、本図では
２個のＴＦＴは映像信号線の方向に見て（上から下に向
かって）８１、７１、８２、７２の順にそれらのソース
電極とドレイン電極が交互に配置されている。

【００５１】本図において、アライメントのズレが発生
して２個のＴＦＴのソース電極とドレイン電極が走査信
号線３に対して平行にズレた場合を考える。この場合、
従来のＴＦＴと異なり、いずれのＴＦＴにおいてもその
チャネル保護膜とソース電極７１、７２及びドレイン電
極８１、８２が重なり合う部分の面積Ｓｓ及びＳｄが不
変である。このため、走査信号線毎での各画素への充電
能力が異なることがない。

【００５２】アライメントのズレが走査信号線に対して
垂直の方向にも生じることが考えられるが、この場合に
おいても、２個のＴＦＴのチャネル保護膜とソース電極
及びドレイン電極とが重なり合った面積Ｓｓ及びＳｄの
比は等しくなる。

【００５３】なお、図８においては映像信号線の方向に
図上（上から下に向かって）ドレイン電極とソース電極
が配置されているが、これは逆の順（ＳＤＳＤ）に配置
しても良いのは勿論である。また、電極の形状もズレに
対する補償と生産等を考慮した長方形やこれに近い形、
平行部からなる限り、多少太い、細長い等の形状に不問
であるのは勿論である。更にまた、発明の趣旨に直結せ
ず、煩雑ともなるのでわざわざは示していないが、画素
の部分にはブラックマトリクス、配向膜、カラーフィル
ター、偏光板等が必要に応じて装備されているのは勿論
である。なおこのことは、後に説明する他の実施の形態
でも同様である。

【００５４】（第２の実施の形態）本実施の形態は、Ｔ
ＦＴのソース電極とドレイン電極を走査信号線の方向に
順に配置していることに特徴がある。

【００５５】図９に本実施の形態を示す。本実施の形態
も、図８に示す先の実施の形態と同じく、ボトムゲート
型のＴＦＴを使用し擬似ドット反転を行う液晶表示パネ
ルを対象としている。

【００５６】先の実施の形態では、映像信号線の方向に
見て（図上、上から下に向かって）８１、７１、８２、
７２の順にドレイン電極とソース電極が配置されていた
が、本実施の形態では走査信号線の方向に見て（左から
右に向かって）７１、８１、７２、８２の順にソース電
極とドレイン電極が配置されている。

【００５７】図４では、ＴＦＴのソース電極とドレイン
電極の位置が走査信号線３に対して平行にズレた場合で
ある。ＴＦＴのチャネル保護膜１４と２個のＴＦＴのソ
ース電極及びドレイン電極が重なり合う電極面積Ｓｓ及
びＳｄは、いずれもアラインメントずれのため異なって
いる。しかしながら、従来構成のＴＦＴとは異なり、Ｓ
ｓ及びＳｄの変化量は２個のＴＦＴの、そしてパネル内
の全ＴＦＴで等しくなっている。従って、走査信号線毎
に画素への充電能力が異なることはない。

【００５８】なお、本図に示す構造の場合には、走査信
号線に対して垂直なアライメントのズレは影響がないの
は勿論である。

【００５９】なお、本実施の形態の場合、図上下方のＴ
ＦＴのドレイン電極とソース電極は多少不自然な形状と
なるが、これは特に（実用上）問題はない。ただし、画
素の寸法等に補償措置を高じる様にしていても良いのは
勿論である。

【００６０】（第３の実施の形態）本実施の形態では、
走査信号線に沿って隣り合うＴＦＴのゲート電極は互い
に異なる走査信号線に接続されている点に特徴がある。

【００６１】図１０に、本実施の形態の液晶表示パネル
を示す。本実施の形態も、図２の（２）に示す擬似ドッ
ト反転駆動を行う液晶表示パネルを対象としたものであ
り、図１０に示すのは、このパネルにおける走査信号線
に沿って隣り合う２画素を示したものである。第１及び
第２のＴＦＴ１０１，１０２は各々、ゲート電極１１、
ソース電極、ドレイン電極及びチャネル保護膜１４を具
備している。なお、蓄積容量と蓄積容量配線の図示は省
略してある。

【００６２】そして、第１のＴＦＴ１０１のソース電極
７１は、第１の映像信号線２１に、ゲート電極１１は第
１の走査信号線３１に接続され、ドレイン電極８１は画
素電極６に接続されている。第２のＴＦＴ１０２のソー
ス電極７２、ゲート電極１４は各々第２の映像信号線２
２、第２の走査信号線３２に接続され、ドレイン電極８
２は画素電極に接続されている。

【００６３】その結果、図１０において、２個のＴＦＴ
のソース電極とドレイン電極は映像信号線の方向に（上
から下に向かって）、７１、８１、７２、８２の順に配
置される。

【００６４】この構成においても、第１の実施の形態と
同様に、各層のアライメントにズレが発生しても、ＴＦ
Ｔ毎に充電能力が異なることがなく、良好な映像表示が
可能である。

【００６５】（第４の実施の形態）本実施の形態の特徴
は、ＴＦＴのソース電極とドレイン電極を走査信号線の
方向に順に配置している点にある。

【００６６】図１１に、本実施の形態を示す。本実施の
形態も先の第３の実施の形態と同様に、図２の（２）に
示す擬似ドット反転駆動を行う液晶表示パネルに関す
る。

【００６７】図１０に示す先の実施の形態では映像信号
線の方向に見て、上から下に向かって７１、８１、７
２、８２の順にソース電極とドレイン電極が配置されて
いたが、図１１に示す本実施の形態では走査信号線の方
向に見て、左から右に向かって７１、８１、７２、８２
の順にソース電極とドレイン電極が配置されている。

【００６８】この構成においても、先の実施の形態と同
様の理由で、各層のアライメントにズレが発生しても、
ＴＦＴ毎に充電能力が異なることがなく、良好な映像表
示が可能である。

【００６９】（第５の実施の形態）本実施の形態は、Ｔ
ＦＴを走査信号線上に形成するものである。

【００７０】図１２に、本実施の形態を示す。図８に示
す第１の実施の形態（図１）では画素内に形成されてい
たＴＦＴ１を走査信号線３外に配置している。しかも、
本実施の形態のようにＴＦＴを走査信号線の上に形成し
ても、ＴＦＴのソース電極とドレイン電極を映像信号線
の方向に、第１の実施の形態に示した順に配置すること
が可能であり、これにより、第１の実施例に記載したの
と同様の効果を得られる。さらに、このような構成にす
ることによって画素の面積を大きく設計することが可能
であり、液晶表示パネルの開口率を高めて明るい表示を
行うことができる。

【００７１】なお、ＴＦＴを走査信号線上に配置するの
は、他の実施の形態でも可能である。他の実施の形態に
適用しても、アラインメントずれにもかかわらずＴＦＴ
の充電能力に差がなく均一な表示が行えるとともに、開
口率が高まるため明るい表示となる。

【００７２】（第６の実施の形態）本実施の形態は、横
電界方式の液晶パネルに関する。

【００７３】以上の各実施の形態は、画素電極とこれに
対向する共通電極が異なる基板上に形成されている場合
であったが、図１１に示すような画素電極と共通電極が
同一基板上に形成されている、たとえばＩＰＳ（ｉｎ−
ｐｌａｎｅ ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）のような横電界方
式、その他ＦＦＳはＨＳ方式の液晶表示パネルにおいて
も、同様の効果が得られる。

【００７４】以下、図１３を参照しつつ本実施の形態を
簡単に説明する。本図の（１）は、上部から見た図であ
り、上下の２つの画素のＴＦＴ１０１、１０２のソース
電極７１、７２は図７に示すのと同様に、相隣接する映
像信号線７１、７２に接続されている。また、９２は同
一（反ユーザ側、下部の）基板に形成された共通電極で
ある。６は、画素電極であり、各画素においてＴＦＴ１
０１、１０２のドレイン電極８１、８２に接続されてい
る。

【００７５】ただし、横電界方式、その他ＦＦＳやＨＳ
方式の液晶の原理や構造はいわゆる周知技術であるた
め、その説明は省略する。

【００７６】（第７の実施の形態）本実施の形態は、Ｔ
ＦＴとしてチャネルエッチ型を使用するものである。

【００７７】以上の実施の形態は全て、ＴＦＴがチャネ
ル保護型の場合であったが、その他ＦＦＳやＨＳ方式、
ＴＦＴはこれに限らずチャネルエッチ型でもよい。チャ
ネルエッチ型のＴＦＴを用いた場合を図１４の（１）〜
（５）に示す。これらは、それぞれ図６〜図１０に対応
するものであり、チャネル保護膜に換えて、半導体層１
５をパターニングしている。

【００７８】本発明のＴＦＴの構成により、チャネルエ
ッチ型の場合にも、チャネル保護型の場合と同様に、半
導体層１５とソース電極７１、７２及びドレイン電極８
１、８２とが重なり合った面積が画素間で異なることが
なくなり、良好な映像の表示が可能となる。

【００７９】（第８の実施の形態）本実施の形態は、Ｔ
ＦＴとしてソース電極あるいはドレイン電極の少くも一
方が複数あるいわゆるコの字型のＴＦＴに関する。

【００８０】図１５から図２０に、本実施の形態の上下
若しくは左右方向の２個がいわば組となったＴＦＴでの
ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、映像信号線、
画素信号線との配置あるいは基板上方から見ＴＦＴの容
量に関係する部分の重なり具合の関係を示す。

【００８１】図１５では、隣接する２本の映像信号線間
で、２個のＴＦＴはそのソース電極が互いに異なる映像
信号線に接続され、左右に配置されている。図１６で
は、隣接する２本の走査信号線間で、２個のＴＦＴはそ
のゲート電極が異なる走査信号線に接続され、上下に配
置されている。図１５においては隣接する２本の映像信
号線内でソース電極が互いに異なる走査信号線に接続さ
れた各ＴＦＴには、図１６においては隣接する２本の走
査信号線内でゲート電極が互いに異なる走査信号線に接
続された各ＴＦＴには、ソース電極７が２個あり、この
２個のソース電極がそれらの中央にドレイン電極８をい
わば挟み込んでいる。このため、縦置き、横置きの向慮
が不必要となっている。

【００８２】なお、両図において、ソース電極とゲート
電極の数及び位置関係が逆になっていても良いのは勿論
である。なおまた、図１６等において、１５はチャネル
エッチ型のＴＦＴの半導体層であるが、チャネル保護型
のＴＦＴならばチャネル保護膜となる。

【００８３】図１７から図２０においては、ソース電
極、ドレイン電極とも各２個あり、これらが左右あるい
は上下方向に等間隔で配列されている。更に、半導体層
あるいはその上部の絶縁膜１４は細長い直方形であり、
その短辺（左右）方向に多少のアライメントのずれが生
じても、ソース電極、ドレイン電極との重なり部の面積
は変化しない。また、その上下あるいは左右の短辺部は
これまた左右あるいは上下方向に細長いソース電極ある
いはドレイン電極の中央部当たりまであり、このため、
長辺（上下）方向に多少のアライメントずれがあって
も、２個のＴＦＴの特性は不変、若しくは、同じ様に変
化する。

【００８４】なお、本実施の形態では、ソース電極とド
レイン電極は１個のＴＦＴに最大２つであるが、これよ
り多数であっても良いのは勿論である。更にこの場合、
端部の電極を除き、必ずしも等間隔や交互配置でなくて
も良いのも勿論である。

【００８５】なおまた、図１７と図１８では、左右に配
置された２個のＴＦＴのソース電極は異なるソース線に
接続されており、図１９と図２０では上下に配置された
２個のＴＦＴのゲート電極は異なるゲート配線に接続さ
れている。ただし、このことの意義については内容が重
複するため、その説明は省略する。

【００８６】（第９の実施の形態）本実施の形態は、Ｔ
ＦＴがいわゆるＬ型の場合である。

【００８７】図２１に、本実施の形態の上下若しくは左
右に並んだ２個がいわば１組をなすＴＦＴの配置例を幾
つか示す。図で判る様に、本実施の形態では、上下又は
左右に配置された２個のＴＦＴは共にドレイン電極８が
Ｌ型であり、ソース電極は隣接した異なる映像信号線に
接続されている。平面が四角の半導体層１４は、ドレイ
ン電極８のＬ型部、ソース電極７と完全に重なってい
る。

【００８８】本図の（１）は、２個かＴＦＴが左右に配
置されている場合である。（２）は上下に配置されてい
る場合であり、（３）はゲート上にＴＦＴを形成した場
合である。これら（１）、（２）、（３）いずれにおい
ても、従来ならば容量に関係するはずの丸で囲んだ部
分、あるいはその部分の各部の重なり面積ははアライメ
ントのずれに無関係に一定となっている。

【００８９】（第１０の実施の形態）本実施の形態は、
ダイオードに関する。

【００９０】本実施の形態を、図２２の（２）に示す。

【００９１】既述の理由により、図２２の（１）に示す
ＴＦＴの配列であれば、アライメントのズレでダイオー
ドの容量差が生じる。しかし、図２２の（２）に示す配
列であれば、上下方向のズレに無関係、左右方向のズレ
で同様の変化するためズレに強くなる。

【００９２】（第１１の実施の形態）本実施の形態は、
第１及び第２の実施の形態に記載した液晶表示パネルの
駆動方法に関する。

【００９３】図２３の（１）と（２）は本実施の形態の
回路を示す。

【００９４】液晶表示パネルに配置されている映像信号
線２に印加する映像信号電圧を、図２３の（１）に示す
ように走査信号線３の方向に正、負、正、負、…と極性
を反転させることで、隣り合う２つの画素には必ず極性
の異なる電圧が書き込まれる。これにより、液晶表示パ
ネル全体では図３に示したようになり、擬似ドット反転
駆動を行うことができる。

【００９５】映像信号線２に印加する信号の極性は、図
２３の（２）に示すように走査信号線の方向３に負、
正、負、正、…としても良い。

【００９６】各実施の形態において、画素電圧交流化の
ために、映像信号線２に印加する映像信号電圧の極性を
フレーム毎に反転させ、図２３の（１）と（２）の２つ
の信号パターンをフレーム毎に切り替える様にしてい
る。これにより、液晶表示パネルの上下左右に隣り合う
２つの画素に書き込まれる映像信号電圧の極性が異な
り、かつ各画素には１フレーム毎に極性が反転され交流
電圧が印加される。従って、輝度むらやフリッカのない
ドット反転表示を、ＤＣ電圧の影響による表示の劣化な
く行うことができる。

【００９７】なお、１表示周期あるいは所定数の表示周
期毎に各画素の極性を反転させる回路構成はいわゆる周
知技術かつ容易であり、更に疑似ドット反転の場合も同
様である（一番簡単には、各映像信号線、走査信号線等
の＋、−のスイッチを１表示周期毎等に切り換えれば良
い）。このため、その回路等の説明は省略する。なお参
考までに、第１１と第１２の実施の形での＋、−の印加
のための回路を図２４に概念的に示す。ただし、実際に
は各画素毎に映像についての情報も極性切換部に入力さ
れたりするが、煩雑となるため、これは図示していな
い。

【００９８】（第１２の実施の形態）本実施の形態は、
先の第３及び第４の実施の形態の液晶表示パネルの駆動
方法に関する。

【００９９】図２３の（３）と（４）に本実施の形態の
回路を示す。

【０１００】映像信号線２に印加する映像信号電圧の極
性を、ある走査線が走査されている水平走査期間には図
２３の（３）、次の走査線が走査されている水平走査期
間には図２３の（４）、更に次の期間には図２３の
（３）というように交互に切り替える（映像信号電圧の
極性を水平走査期間毎に正、負、正、負、…と反転させ
る）。これによって、液晶表示パネル内の隣り合う２つ
の画素には図３に示したように、必ず異なる極性の電圧
が書き込まれ擬似ドット反転駆動を行うことができる。

【０１０１】（第１３の実施の形態）本実施の形態は、
疑似ドット反転表示におけるカラー表示特性の改善に関
する。カラー表示パネルの３原色の配列がモザイクの場
合、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各原色は斜め方向
にこの順で繰り返して入れるされるため、赤を例にとる
と、正（＋）での表示の列と負（−）での表示の列とが
交互に並列されることとなる。このため、色彩にうるさ
い人や専門的な職業家のそのための使用では問題となり
うる。しかし、ストライプでの配列ならば、縦（あるい
は横）方向の赤い帯は１画素毎に正と負の表示が繰り返
され、更に３列隔てた隣の赤い帯では１画素ずれて正と
負の表示が繰り返される。このため、より好ましい赤の
表示となる。

【０１０２】この技術内容を図２５に示す。本図の
（１）は、疑似ドット変換における各画素の＋と−の分
布の様子を示す。このため基本的には図３と同じであ
り、○は＋又は−であり、各画素では１表示周期で反転
する。本図の（２）は、画素の配列がモザイクの場合の
赤い画素の＋、−の配置を示す。この場合、右に示す様
に赤い画素が斜め方向に＋の組と−の組とが交互に配列
されている。本図の（３）は、同じく上下方向のストラ
イプの場合である。

【０１０３】（第１４の実施の形態）本実施の形態は、
液晶論理素子の場合である。

【０１０４】近年、図２６に示す様に、入射光６５に対
してその演算結果を通過光６６として出力する光論理素
子６７が開発されている。これは、光コンピューターへ
の応用に際して高い信頼性、性能が要求される。この場
合にも、上述の実施の形態で説明した技術を組み合わせ
て、十分に要求を満たす信頼性、性能が得られた。

【０１０５】以上、本発明をその幾つかの次子の形態に
基づいて説明してきたが、本発明は何もこれらに限定さ
れないのは勿論である。すなわち、例えば以下の様にし
ても良い。

【０１０６】１）液晶の種類、半導体材料の種類等は他
のもの、例えば半導体材料ならばＳｉ−Ｃ−Ｇｅ、Ｓｉ
−Ｇｅとしている。

【０１０７】２）半導体素子、画素の大きさは不問であ
る。

【０１０８】３）液晶とＴＦＴ若しくはダイオードを使
用する限り、液晶表示装置、液晶光論理素子以外の製
品、物、例えばゴーグル等での液晶シャッター、写真機
での液晶絞り機構としている。

【０１０９】４）画素の形状は長方形であったり、その
寸法は５０μｍ程度、ＴＦＴもチャネル方向長さが１０
μｍ程度等、他の寸法、形状等としている。

【０１１０】５）液晶表示装置としては、反射型や兼
（両）用型としている。

【０１１１】

【発明の効果】以上の説明で判る様に、本発明によれば
スイッチング素子として薄膜トランジスタを用いたアク
ティブマトリクス型液晶表示パネルにおいて、擬似ドッ
ト反転駆動を行う際に、製造の制約から生じるパネル内
の各画素用の薄膜トランジスタの性能差をなくすことが
できる。このため、液晶表示パネルにて良好な映像が表
示される。

【０１１２】また、カラー表示の一層の良好性に寄与す
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 画素内における交流の印加の様子とその利点
を示す図である。

【図２】 従来の液晶の駆動にＴＦＴを使用した場合の
等価回路図である。

【図３】 ドット反転駆動における各画素毎の充電極性
を示す図である。

【図４】 従来例の画素のスイッチング素子としてのＴ
ＦＴの平面と断面の図である。

【図５】 アライメントのズレを説明するための図であ
る。

【図６】 各種（型）の薄膜トランジスタにおけるアラ
イメントのずれの態様をしめす図である。

【図７】 ダイオードにおけるアライメントのずれの発
生を示す図である。

【図８】 本発明の第１の実施の形態の液晶パネル上で
のＴＦＴの配列を示す図である。

【図９】 本発明の第２の実施の形態の液晶パネルの平
面図である。

【図１０】 本発明の第３の実施の形態の液晶パネルの
ＴＦＴの配列を示す平面図である。

【図１１】 本発明の第４の実施の形態の液晶パネルの
ＴＦＴの配列を示す平面図である。

【図１２】 本発明の第５の実施の形態の液晶パネルの
ＴＦＴの配列を示す平面図である。

【図１３】 本発明の第６の実施の形態としての横電界
方式での液晶パネルのＴＦＴの配列を示す図である。

【図１４】 本発明の第７の実施の形態としてのチャネ
ルエッチ型のＴＦＴを用いた各種液晶パネルの平面図で
ある。

【図１５】 本発明の第８の実施の形態の１を示す図で
ある。

【図１６】 本発明の第８の実施の形態の１を示す図で
ある。

【図１７】 本発明の第８の実施の形態の１を示す図で
ある。

【図１８】 本発明の第８の実施の形態の１を示す図で
ある。

【図１９】 本発明の第８の実施の形態の１を示す図で
ある。

【図２０】 本発明の第８の実施の形態の１を示す図で
ある。

【図２１】 本発明の第９の実施の形態の１を示す図で
ある。

【図２２】 本発明の第１１及び第１２の実施の形態の
液晶表示パネルの回路図である。

【図２３】 上記２つの実施の形態での電圧印加の様子
を示す図である。

【図２４】 疑似ドット変換における信号線への電圧の
印加の原理を概念的に示す図である。

【図２５】 本発明の第１３の実施の形態の技術内容を
示す図である。

【図２６】 本発明の第１４の実施の形態としての光論
理素子を示した図である。

【符号の説明】

１，１０１，１０２ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） １１１ ダイオード ２，２１，２２ 映像信号線 ３，３１，３２ 走査信号線 ４０ 液晶分子 ４ 液晶層 ４５ 不純物イオン ５ 蓄積容量 ６ 画素電極 ６０，６１，６２ 画素電極 ７，７１，７２ ソース電極 ８，８１，８２ ドレイン電極 １１ ゲート電極 １４ チャネル保護膜 １５ 半導体層 ９ 基板 ９０ 上部基板（上部電極） ９１ 下部基板（下部電極） ９２ 対向電極 ９３ 偏光板 ９４ 偏光板、反射板

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｄ 21/336 ６１６Ｔ (72)発明者 浅田 智 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 熊川 克彦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 田窪 米治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (41)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に各複数の走査信号線と映像信号
   線が相直交して配設され、更に走査信号線と映像信号線
   で囲まれた１の区画には該区画に相応した半導体層の光
   の透過状態を制御するスイッチング素子としての薄膜ト
   ランジスタを有し、更に両信号線、薄膜トランジスタの
   形成にパターニングを使用した液晶装置であって、 上記相隣接する２本の映像信号線間に在る２個の薄膜ト
   ランジスタは、各々のソース電極は互に異なる映像信号
   線に接続され、 更に、それらのゲート電極、ソース電極、ドレイン電極
   は、それら各電極のパターニングによる形成時にアライ
   メントずれが生じたとしても、ゲート電極とドレイン電
   極間の容量とゲート電極とソース電極間の容量の少くも
   一方は、一定若しくは２個のトランジスタ間で同じに変
   化する形状、構造のアライメントずれ対応型の電極であ
   ることを特徴とする液晶装置。
2. 【請求項２】 基板上に各複数の走査信号線と映像信号
   線が相直交して配設され、更に走査信号線と映像信号線
   で囲まれた１の区画には該区画に相応した半導体層の光
   の透過状態を制御するスイッチング素子としての薄膜ト
   ランジスタを有し、更に両信号線、薄膜トランジスタの
   形成にパターニングを使用した液晶装置であって、 上記相隣接する２本の走査信号線間に在る２個の薄膜ト
   ランジスタは、各々のゲート電極は互に異なる走査信号
   線に接続され、 更に、それらのゲート電極、ソース電極、ドレイン電極
   は、それら各電極のパターニングによる形成時にアライ
   メントずれが生じたとしても、ゲート電極とドレイン電
   極間の容量とゲート電極とソース電極間の容量の少くも
   一方は、一定若しくは２個のトランジスタ間で同じに変
   化する形状、構造のアライメントずれ対応型の電極であ
   ることを特徴とする液晶装置。
3. 【請求項３】 上記２個の薄膜トランジスタは、 アライメントずれによるゲート電極とドレイン電極間の
   容量、ゲート電極とソース電極間の容量の少くも一方の
   変化への補償手段として、アライメントのずれに対する
   ゲート電極とドレイン電極、ゲート電極とソース電極の
   少くも一方の重なり面積の変化が一定若しくは同じであ
   る様に形成された重なり面積の補償型の薄膜トランジス
   タであることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
4. 【請求項４】 上記２個の薄膜トランジスタは、 アライメントずれによるゲート電極とドレイン電極間の
   容量、ゲート電極とソース電極間の容量の少くも一方の
   変化への補償手段として、アライメントのずれに対する
   ゲート電極とドレイン電極、ゲート電極とソース電極の
   少くも一方の重なり面積の変化が一定若しくは同じであ
   る様に形成された重なり面積の補償型の薄膜トランジス
   タであることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
5. 【請求項５】 上記２個の薄膜トランジスタは、 アライメントずれによるゲート電極とドレイン電極間の
   容量、ゲート電極とソース電極間の容量の少くも一方の
   変化への補償手段として、アライメントのずれに対する
   半導体層とドレイン電極、半導体層とソース電極の少く
   も一方の重なり面積の変化が一定若しくは同じである様
   に形成された重なり面積の補償型の薄膜トランジスタで
   あることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
6. 【請求項６】 上記２個の薄膜トランジスタは、 アライメントずれによるゲート電極とドレイン電極間の
   容量、ゲート電極とソース電極間の容量の少くも一方の
   変化への補償手段として、アライメントのずれに対する
   半導体層とドレイン電極、半導体層とソース電極の少く
   も一方の重なり面積の変化が一定若しくは同じである様
   に形成された重なり面積の補償型の薄膜トランジスタで
   あることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
7. 【請求項７】 上記２個の薄膜トランジスタは、 アライメントずれによるゲート電極とドレイン電極間の
   容量、ゲート電極とソース電極間の容量の少くも一方の
   変化への補償手段として、アライメントのずれに対する
   チャネル保護膜とドレイン電極、チャネル保護膜とソー
   ス電極の少くも一方の重なり面積の変化が一定若しくは
   同じである様に形成された重なり面積の補償型の薄膜ト
   ランジスタであることを特徴とする請求項１に記載の液
   晶装置。
8. 【請求項８】 上記２個の薄膜トランジスタは、 アライメントずれによるゲート電極とドレイン電極間の
   容量、ゲート電極とソース電極間の容量の少くも一方の
   変化への補償手段として、アライメントのずれに対する
   チャネル保護膜とドレイン電極、チャネル保護膜とソー
   ス電極の少くも一方の重なり面積の変化が一定若しくは
   同じである様に形成された重なり面積の補償型の薄膜ト
   ランジスタであることを特徴とする請求項２に記載の液
   晶装置。
9. 【請求項９】 上記２個の薄膜トランジスタは更に、 第１の薄膜トランジスタの第１の映像信号線に接続され
   たソース電極をＳ１とし、ドレイン電極をＤ１とし、第
   ２の薄膜トランジスタの第２の映像信号線に接続された
   ソース電極をＳ２とし、ドレイン電極をＤ２としたと
   き、これら４個の電極は上記映像信号線の方向にＳ１，
   Ｄ１，Ｓ２，Ｄ２若しくはＤ１，Ｓ１，Ｄ２，Ｓ２の順
   に配置されていることを特徴とする請求項１、請求項
   ３、請求項５若しくは請求項７に記載の液晶装置。
10. 【請求項１０】 上記２個の薄膜トランジスタは更に、 第１の薄膜トランジスタの第１の映像信号線に接続され
    たソース電極をＳ１とし、ドレイン電極をＤ１とし、第
    ２の薄膜トランジスタの第２の映像信号線に接続された
    ソース電極をＳ２とし、ドレイン電極をＤ２としたと
    き、これら４個の電極は走査信号線の方向にＳ１，Ｄ
    １，Ｓ２，Ｄ２若しくはＤ１，Ｓ１，Ｄ２，Ｓ２の順に
    配置されていることを特徴とする請求項１、請求項３、
    請求項５若しくは請求項７に記載の液晶装置。
11. 【請求項１１】 上記２個の薄膜トランジスタは更に、 第１の薄膜トランジスタの第１の走査信号線に接続され
    たソース電極をＳ１とし、ドレイン電極をＤ１とし、第
    ２の薄膜トランジスタの第２の走査信号線に接続された
    ソース電極をＳ２とし、ドレイン電極をＤ２としたと
    き、これら４個の電極は上記走査信号線の方向にＳ１，
    Ｄ１，Ｓ２，Ｄ２若しくはＤ１，Ｓ１，Ｄ２，Ｓ２の順
    に配置されていることを特徴とする請求項２、請求項
    ４、請求項６若しくは請求項８に記載の液晶装置。
12. 【請求項１２】 上記２個の薄膜トランジスタは更に、 第１の薄膜トランジスタの第１の走査信号線に接続され
    たソース電極をＳ１とし、ドレイン電極をＤ１とし、第
    ２の薄膜トランジスタの第２の走査信号線に接続された
    ソース電極をＳ２とし、ドレイン電極をＤ２としたと
    き、これら４個の電極は上記映像信号線の方向にＳ１，
    Ｄ１，Ｓ２，Ｄ２若しくはＤ１，Ｓ１，Ｄ２，Ｓ２の順
    に配置されていることを特徴とする請求項２、請求項
    ４、請求項６若しくは請求項８に記載の液晶装置。
13. 【請求項１３】 上記２個の薄膜トランジスタは更に、 ソース電極若しくはドレイン電極は、その一方が他方よ
    り１つ多くあり、 同じくこれらの電極は、走査信号線に並行かつ交互に配
    置され、 同じくこれらの電極は半導体層、チャネル保護膜の少く
    も１に対して、それらの両端が基板上面より見て走査信
    号線方向に食み出し、 １つ多い方の電極は、映像信号線方向の両端にある２つ
    が上記半導体層、チャネル保護膜の少くも１に対し、基
    板上面より見て映像信号線方向に相反する方向で食み出
    していることを特徴とする請求項１、請求項３若しくは
    請求項５に記載の液晶装置。
14. 【請求項１４】 上記２個の薄膜トランジスタは更に、 ソース電極若しくはドレイン電極は、その一方が他方よ
    り１つ多くあり、 同じくこれらの電極は、走査信号線に並行かつ交互に配
    置され、 同じくこれらの電極は半導体層、チャネル保護膜の少く
    も１に対して、それらの両端が基板上面より見て走査信
    号線方向に食み出し、 １つ多い方の電極は、映像信号線方向の両端にある２つ
    が半導体層、チャネル保護膜の少くも１に対し基板上面
    より見て映像信号線方向に相反する方向で食み出してい
    ることを特徴とする請求項２、請求項４若しくは請求項
    ６に記載の液晶装置。
15. 【請求項１５】 上記２個の薄膜トランジスタは更に、 ソース電極とドレイン電極は同数かつ各複数あり、 同じくこれらの電極は、走査信号線に並行かつ交互に配
    置され、 同じくこれらの電極は半導体層、チャネル保護膜の少く
    も１に対して、それらの両端が基板上面より見て走査信
    号線方向に食み出し、 その上更に、映像信号線方向の両端にあるソース電極と
    ドレイン電極が各々半導体層、チャネル保護膜の少くも
    １に対し基板上面より見て映像信号線方向に相反する方
    向で食み出していることを特徴とする請求項１に記載の
    液晶装置。
16. 【請求項１６】 上記２個の薄膜トランジスタは更に、 ソース電極とドレイン電極は同数かつ各複数あり、 同じくこれらの電極は、映像信号線に並行かつ交互に配
    置され、 同じくこれらの電極は、半導体層、チャネル保護膜の少
    くも１に対して、両端が各々ゲート絶縁膜、チャネル保
    護膜の少くも１映像信号線方向に食み出し、 その上更に、走査信号線方向の両端にあるソース電極と
    ドレイン電極が各々半導体層、チャネル保護膜の少くも
    １に対し基板上面より見て走査信号線方向に相反する方
    向で食み出していることを特徴とする請求項１に記載の
    液晶装置。
17. 【請求項１７】 上記２個の薄膜トランジスタは更に、 ソース電極とドレイン電極は同数かつ各複数あり、 同じくこれらの電極は、走査信号線に並行かつ交互に配
    置され、 同じくこれらの電極は、半導体層、チャネル保護膜の少
    くも１に対して、両端が各々基板上面より見て走査信号
    線方向に食み出し、 その上更に、映像信号線方向の両端にあるソース電極と
    ドレイン電極が各々半導体層、ゲート絶縁膜、チャネル
    保護膜の少くも１に対し基板上面より見て走査信号線方
    向に相反する方向で食み出していることを特徴とする請
    求項２に記載の液晶装置。
18. 【請求項１８】 上記２個の薄膜トランジスタは更に、 ソース電極とドレイン電極は同数かつ各複数あり、 同じくこれらの電極は、映像信号線に並行かつ交互に配
    置され、 同じくこれらの電極は、半導体層、チャネル保護膜の少
    くも１に対して、両端が基板上面より見て走査信号線方
    向に食み出し、 その上更に、走査信号線方向の両端にあるソース電極と
    ドレイン電極が各々半導体層、チャネル保護膜の少くも
    １に対し基板上面より見て走査信号線方向に相反する方
    向で食み出していることを特徴とする請求項２に記載の
    液晶装置。
19. 【請求項１９】 上記２個の薄膜トランジスタは更に、 ２つの薄膜半導体のドレイン電極は、基板上面より見て
    ゲート電極との重なり部分が走査信号線に対していずれ
    も同じ方向に形成されていることを特徴とする請求項１
    に記載の液晶装置。
20. 【請求項２０】 相隣りあう２本の映像信号線に互いに
    極性が逆である映像信号電圧を印加する疑似ドット反転
    実現手段を有していることを特徴とする請求項１、請求
    項３、請求項５、請求項７、請求項１５、請求項１６若
    しくは請求項１９に記載の液晶装置。
21. 【請求項２１】 相隣りあう２本の映像信号線に互いに
    極性が逆である映像信号電圧を印加する疑似ドット反転
    実現手段を有していることを特徴とする請求項９に記載
    の液晶装置。
22. 【請求項２２】 相隣りあう２本の映像信号線に互いに
    極性が逆である映像信号電圧を印加する疑似ドット反転
    実現手段を有していることを特徴とする請求項１０に記
    載の液晶装置。
23. 【請求項２３】 相隣りあう２本の映像信号線に互いに
    極性が逆である映像信号電圧を印加する疑似ドット反転
    実現手段を有していることを特徴とする請求項１３に記
    載の液晶装置。
24. 【請求項２４】 それぞれの映像信号線に印加される映
    像信号電圧極性を、所定数のフレーム毎に、フレーム全
    面を対象として反転させるフレーム極性反転手段を有し
    ていることを特徴とする請求項２０に記載の液晶装置。
25. 【請求項２５】 それぞれの映像信号線に印加される映
    像信号電圧極性を、所定数のフレーム毎に、フレーム全
    面を対象として反転させるフレーム極性反転手段を有し
    ていることを特徴とする請求項２１に記載の液晶装置。
26. 【請求項２６】 それぞれの映像信号線に印加される映
    像信号電圧極性を、所定数のフレーム毎に、フレーム全
    面を対象として反転させるフレーム極性反転手段を有し
    ていることを特徴とする請求項２２に記載の液晶装置。
27. 【請求項２７】 それぞれの映像信号線に印加される映
    像信号電圧極性を、所定数のフレーム毎に、フレーム全
    面を対象として反転させるフレーム極性反転手段を有し
    ていることを特徴とする請求項２３に記載の液晶装置。
28. 【請求項２８】 映像信号線に同一走査期間には同じ極
    性の映像信号電圧を印加し、更にその電圧極性を所定の
    水平走査期間毎に反転させる疑似ドット反転実現手段を
    有していることを特徴とする請求項２、請求項４、請求
    項６、請求項７、請求項８若しくは請求項１８に記載の
    液晶装置。
29. 【請求項２９】 映像信号線に同一走査期間には同じ極
    性の映像信号電圧を印加し、更にその電圧極性を所定の
    水平走査期間毎に反転させる疑似ドット反転実現手段を
    有していることを特徴とする請求項１１に記載の液晶装
    置。
30. 【請求項３０】 映像信号線に同一走査期間には同じ極
    性の映像信号電圧を印加し、更にその電圧極性を所定の
    水平走査期間毎に反転させる疑似ドット反転実現手段を
    有していることを特徴とする請求項１２に記載の液晶装
    置。
31. 【請求項３１】 映像信号線に同一走査期間には同じ極
    性の映像信号電圧を印加し、更にその電圧極性を所定の
    水平走査期間毎に反転させる疑似ドット反転実現手段を
    有していることを特徴とする請求項１４に記載の液晶装
    置。
32. 【請求項３２】 同一走査信号線に接続されている薄膜
    トランジスタに印加される映像信号電圧の極性を所定の
    フレーム数毎に、フレーム全面を対象として反転させる
    フレーム極性反転手段を有していることを特徴とする請
    求項２８に記載の液晶装置。
33. 【請求項３３】 同一走査信号線に接続されている薄膜
    トランジスタに印加される映像信号電圧の極性を所定の
    フレーム数毎に、フレーム全面を対象として反転させる
    フレーム極性反転手段を有していることを特徴とする請
    求項２９に記載の液晶装置。
34. 【請求項３４】 同一走査信号線に接続されている薄膜
    トランジスタに印加される映像信号電圧の極性を所定の
    フレーム数毎に、フレーム全面を対象として反転させる
    フレーム極性反転手段を有していることを特徴とする請
    求項３０に記載の液晶装置。
35. 【請求項３５】 同一走査信号線に接続されている薄膜
    トランジスタに印加される映像信号電圧の極性を所定の
    フレーム数毎に、フレーム全面を対象として反転させる
    フレーム極性反転手段を有していることを特徴とする請
    求項３１に記載の液晶装置。
36. 【請求項３６】 上記液晶装置は、 原色の各画素が帯状に配列されたカラー液晶表示装置で
    あることを特徴とする請求項２０に記載の液晶装置。
37. 【請求項３７】 上記液晶装置は、 原色の各画素が帯状に配列されたカラー液晶表示装置で
    あることを特徴とする請求項２４に記載の液晶装置。
38. 【請求項３８】 上記液晶装置は、 原色の各画素が帯状に配列されたカラー液晶表示装置で
    あることを特徴とする請求項２８に記載の液晶装置。
39. 【請求項３９】 上記液晶装置は、 原色の各画素が帯状に配列されたカラー液晶表示装置で
    あることを特徴とする請求項３２に記載の液晶装置。
40. 【請求項４０】 一方の基板に走査信号線とダイオード
    と画素電極を有し、他方の基板に映像信号線を有し、上
    記２枚の基板間に液晶層を挟持した液晶装置であって、 上記ダイオード素子は、相隣接する２本の走査信号線間
    に在る２個のダイオード素子は各々のゲート電極は互に
    異なる走査信号線に接続され、 更に、それらの各電極のパターニングによる形成時にア
    ライメントずれが生じたとしても、容量が２個のダイオ
    ード素子間で一定若しくは同じに変化する形状、構造の
    アライメントずれ対応型のダイオード素子であることを
    と特徴とする液晶装置。
41. 【請求項４１】 上記液晶装置は、 原色の各画素が帯状に配列されたカラー液晶表示装置で
    あることを特徴とする請求項４０に記載の液晶装置。