JP2001261644A - ヘキサヒドロイソインドリン・酸付加塩およびその使用方法 - Google Patents

ヘキサヒドロイソインドリン・酸付加塩およびその使用方法

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JP2001261644A JP2000080736A JP2000080736A JP2001261644A JP 2001261644 A JP2001261644 A JP 2001261644A JP 2000080736 A JP2000080736 A JP 2000080736A JP 2000080736 A JP2000080736 A JP 2000080736A JP 2001261644 A JP2001261644 A JP 2001261644A
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孝志 柳
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Abstract

(57)【要約】 【課題】医薬品の製造原料として有用なシス−ヘキサヒ
ドロイソインドリン・酸付加塩およびその使用方法を提
供する。 【解決手段】医薬品、例えば、血糖低下作用を有し、糖
尿病治療剤として有用な、ベンジルコハク酸誘導体の製
造原料として有用な、 【化1】 (式中のXはリン酸または酢酸の酸残基を示し、nは
1、2または3、但し、Xが酢酸の酸残基の場合、nは
1を示す)で表されるシス−ヘキサヒドロイソインドリ
ン・酸付加塩およびその使用方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、医薬品の製造原料
として有用な、一般式
【0002】
【化9】
【0003】(式中のXはリン酸または酢酸の酸残基を
示し、nは1、2または3、但し、Xが酢酸の酸残基の
場合、nは1を示す)で表されるシス−ヘキサヒドロイ
ソインドリン・酸付加塩およびその使用方法に関するも
のである。
【0004】詳しくは、本発明は、医薬品、たとえば、
血糖低下作用を有し、糖尿病治療剤として有用な、式
【0005】
【化10】
【0006】で表されるベンジルコハク酸誘導体または
その薬理学的に許容される塩の製造原料として有用な、
前記一般式(I)で表されるシス−ヘキサヒドロイソイ
ンドリン・酸付加塩に関するものである。
【0007】さらにまた、本発明は、前記一般式(I)
で表されるシス−ヘキサヒドロイソインドリン・酸付加
塩を用いる、医薬品原料として有用な、式
【0008】
【化11】
【0009】で表されるシス−ヘキサヒドロイソインド
リンの製造方法および、同じく前記一般式(I)で表さ
れるシス−ヘキサヒドロイソインドリン・酸付加塩を用
いる、血糖低下作用を有し、糖尿病治療剤として有用
な、前記式(II)で表されるベンジルコハク酸誘導体
またはその薬理学的に許容される塩の製造方法に関する
ものである。
【0010】
【従来の技術】前記式(II)で表されるベンジルコハ
ク酸誘導体およびその薬理学的に許容される塩はインス
リン分泌促進作用および血糖低下作用を有し、糖尿病治
療剤として有用な化合物である(特開平4−35645
9号公報)。
【0011】有機化合物は異性体が存在することが多
く、しかも、異性体により薬理作用が全く異なることも
多いため、医薬品の場合、特に副作用の面から可能な限
り単一の異性体とすることが求められる。さらに、医薬
品においては、安全性確保の面から、全ての不純物につ
いて、ある一定レベル以上含まれる場合はその安全性を
確認することが要求されている。すなわち、当該医薬品
の1日最大投与量が2g以下の場合、0.1%を越えて
存在する不純物については安全性の確認が要求されてい
る。従って、不純物は0.1%以下にすることが望ま
れ、そのために医薬品の出発原料についても、容易に除
去可能な不純物である場合を除き、不純物含量0.1%
以下、すなわち、純度99.9%以上のものが好まし
い。
【0012】単一の異性体を得る方法としては、単一の
異性体原料を使用する方法と、最終物あるいは適当な中
間体で精製する方法とに大別される。そして、最終物あ
るいは中間体で精製する方法は余分の工程、手間を要
し、効率も悪くなるため、原料段階で単一の異性体を使
用する方法が望まれる。
【0013】前記式(II)で表されるベンジルコハク
酸誘導体は、ベンジルコハク酸部分がS配置でヘキサヒ
ドロイソインドリン部分がシスの異性体であるが、その
ほかに、ベンジルコハク酸部分がS配置でヘキサヒドロ
イソインドリン部分がトランスの異性体およびベンジル
コハク酸部分がR配置でヘキサヒドロイソインドリン部
分がシスまたはトランスの異性体などが存在する。
【0014】そして、ベンジルコハク酸部分がS配置で
ヘキサヒドロイソインドリン部分がトランスの異性体が
混在する場合、最終物の前記式(II)で表されるベン
ジルコハク酸誘導体またはその薬理学的に許容される塩
を再結晶により精製しても当該不純物の除去ができな
い。そのため、最終物を製造した後に精製する場合は、
一旦、最終物を精製可能な誘導体に誘導して精製した
後、改めて最終物に変換する方法によらざるを得ず、収
率の低下を余儀なくされていた。従って、できるだけ純
度が高く、不純物生成の少ない原料を使用して製造する
方法が望まれていたが、以下のように、前記式(II)
で表されるベンジルコハク酸誘導体の製造原料となるシ
ス−ヘキサヒドロイソインドリンについては、これまで
高純度のものを入手することが困難であった。
【0015】前記式(II)で表されるベンジルコハク
酸誘導体の製造原料となるシス−ヘキサヒドロイソイン
ドリンの製造方法として、たとえば、シス−1,2,
3,6−テトラヒドロフタルイミドを、水素化リチウム
アルミニウムを用いて還元し、シス−3a,4,7,7
a−テトラヒドロイソインドリンを得た後、酸化白金を
用いて接触還元する方法が報告されている(ジャーナル
・オブ・オルガニック・ケミストリー(J.Org.C
hem.)、20巻、1687−1694頁、1955
年)。しかしながら、この方法ではシス体と同時に約5
%ものトランス体が生成し、医薬品の製造原料として使
用するには純度が不十分なものしか得られない。
【0016】また、高純度のシス−ヘキサヒドロイソイ
ンドリンを製造する方法としてもいくつかの方法が報告
されている。たとえば、シス−1,2,3,6−テトラ
ヒドロフタルイミドを、パラジウム存在下接触還元して
シス−ヘキサヒドロフタルイミドを得た後、水素化リチ
ウムアルミニウムを用いて還元する方法(WO94/0
3437号公報)、シス−ヘキサヒドロフタルイミド
を、ボラン試薬を用いて還元する方法(特開平10−2
87648号公報)、イソインドリンを、ルテニウム、
ロジウムまたはパラジウム存在下に接触還元する方法
(特開平11−71349号公報)などが報告されてい
る。
【0017】これらの方法は、高純度のシス−ヘキサヒ
ドロイソインドリンを製造する方法として開発されたも
のであるが、それでもなお、少量のトランス体の副生、
混入が避けられず、医薬品原料としては純度が不十分な
ものしか得られないか、あるいはまた、純度は高いもの
の、特別の装置あるいは高価な試薬を必要とし、あるい
は操作に危険を伴うなど、何れも、純度、コストあるい
は安全性などの面で少なからず問題を抱えるものであ
る。
【0018】たとえば、ルテニウム、ロジウムまたはパ
ラジウムなどの触媒を使用する上記特開平11−713
49号公報記載の方法では、トランス体の副生は約0.
1〜0.5%と少ないものの、別の不純物の2−メチル
シクロヘキシルメチルアミンが約0.3〜4%も副生
し、シス−ヘキサヒドロイソインドリンの純度としては
96〜99.3%程度と不十分であり、しかも、蒸留精
製しても副生した不純物が除去されず、純度は全く向上
しない。
【0019】上記のように、これまで報告されているシ
ス−ヘキサヒドロイソインドリンの製造方法は、シス−
ヘキサヒドロイソインドリンの純度が医薬品の製造原料
としては不十分なものであるか、あるいは製造方法自体
が工業的方法として問題のあるものである。従って、簡
単な操作で、容易に、医薬品の製造原料として好適な、
高純度のシス−ヘキサヒドロイソインドリンを得る方法
が求められていた。
【0020】シス−ヘキサヒドロイソインドリン・酸付
加塩について、これまで、塩酸塩およびピクリン酸塩が
報告されている(上記J.Org.Chem.、20
巻、1687−1694頁(1955年);特開平10
−287648号公報)。しかしながら、本発明の前記
式(I)で表されるシス−ヘキサヒドロイソインドリン
・酸付加塩のような、リン酸塩または酢酸塩については
全く報告されておらず、しかも、本発明の前記式(I)
で表されるシス−ヘキサヒドロイソインドリン・酸付加
塩が良好な結晶性を有し、精製効率が優れていることを
示唆する記載も一切ない。
【0021】
【発明が解決しようとする課題】血糖低下作用を有し、
糖尿病治療剤として有用な、前記式(II)で表される
ベンジルコハク酸誘導体の製造原料となるシス−ヘキサ
ヒドロイソインドリンの製造方法としてこれまで報告さ
れている方法は、トランス体が少なからず副生して医薬
品の製造原料としては純度が不十分なものしか得られな
いか、あるいはまた、純度は高いものの、特別の装置あ
るいは高価な試薬を必要とし、また、操作に危険を伴う
など、何れも、純度、コストあるいは安全性などの面
で、医薬品原料の製造方法としてあるいは工業的方法と
して問題のあるものであった。
【0022】また、ヘキサヒドロイソインドリンは液体
で、蒸留することも可能であるが、シス体とトランス体
の沸点は非常に近接しており、蒸留によってシス体とト
ランス体を分離することは困難であり、蒸留精製により
シス−ヘキサヒドロイソインドリンの純度を上げること
は不可能である。
【0023】たとえば、前記特開平11−71349号
公報によれば、副生物のトランス体および2−メチルシ
クロヘキシルメチルアミンの含有率は、反応終了後の反
応液と、常法に従い後処理を行い、蒸留した精製物とで
全く差がなく、蒸留しても不純物が全く減少しない。
【0024】本発明で解決しようとする課題は、医薬
品、たとえば、血糖低下作用を有し、糖尿病治療剤とし
て有用な、前記式(II)で表されるベンジルコハク酸
誘導体またはその薬理学的に許容できる塩等の製造原料
として極めて有用な、高純度のシス−ヘキサヒドロイソ
インドリンの製造方法を提供することであり、さらに
は、医薬品として有用な、高純度の前記式(II)で表
されるベンジルコハク酸誘導体またはその薬理学的に許
容できる塩の製造方法を提供することである。
【0025】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、医薬品、
たとえば、血糖低下作用を有し、糖尿病治療剤として有
用な前記式(II)で表されるベンジルコハク酸誘導体
の製造原料として有用な、高純度のシス−ヘキサヒドロ
イソインドリンを簡単に、しかも効率よく得る方法を開
発すべく鋭意研究を行った結果、各種シス−ヘキサヒド
ロイソインドリン・酸付加塩の中で、本発明の前記一般
式(I)で表されるシス−ヘキサヒドロイソインドリン
・酸付加塩が極めて良好な結晶性を有しており、これを
適当な溶媒中で晶析させ、必要に応じ適当な溶媒で再結
晶することによりトランス体等の不純物をほぼ完全に除
去することができ、このシス−ヘキサヒドロイソインド
リン・酸付加塩を用いることにより、医薬品原料として
有用な、極めて高純度の、前記式(III)で表される
シス−ヘキサヒドロイソインドリンを効率よく得ること
ができるという知見を得た。
【0026】本発明者らはさらに、このシス−ヘキサヒ
ドロイソインドリン・酸付加塩を用いることにより、医
薬品として有用な、高純度の前記式(II)で表される
ベンジルコハク酸誘導体およびその薬理学的に許容され
る塩を簡便な方法で効率よく製造することができるとい
う知見を得、本発明を成すに至った。
【0027】すなわち、本発明者らは、蒸留精製など通
常の方法では除去不能な不純物、たとえばトランス−ヘ
キサヒドロイソインドリンを少量、たとえば0.1〜5
%程度含むシス−ヘキサヒドロイソインドリンを適当な
不活性有機溶媒に溶解し、これにリン酸または酢酸を加
えて晶析させ、必要に応じ再結晶することにより、不純
物をほぼ完全に除去することができ、純度99.9%以
上のものを容易に、しかも高収率で得ることができるこ
とを見いだした。
【0028】そして、上記のようにして得られる、高純
度の前記一般式(I)で表されるシス−ヘキサヒドロイ
ソインドリン・酸付加塩を用い、適当な塩基性物質で処
理して付加酸を離脱し、常法に従い処理することによ
り、医薬品原料として有用な、極めて高純度の前記式
(III)で表されるシス−ヘキサヒドロイソインドリ
ンを得ることができ、また、同じく、このシス−ヘキサ
ヒドロイソインドリン・酸付加塩を用いることにより、
医薬品として有用な、高純度の前記式(II)で表され
るベンジルコハク酸誘導体およびその薬理学的に許容さ
れる塩を簡便な方法で効率よく製造することができるこ
とを見いだした。
【0029】本発明の前記一般式(I)で表されるシス
−ヘキサヒドロイソインドリン・酸付加塩は新規な酸付
加塩であり、シス−ヘキサヒドロイソインドリン・酸付
加塩の中で卓越して良好な結晶性を有している。
【0030】たとえば、塩酸、硫酸、硼酸などの鉱酸の
酸付加塩は結晶として得ることはできるが精製能が悪
く、トランス体などの不純物の除去効力が低い。また、
有機酸付加塩の中で、L−リンゴ酸、L−乳酸、クエン
酸、マロン酸、メタンスルホン酸、安息香酸などの酸付
加塩は結晶として得ることもできず、コハク酸の酸付加
塩は結晶として得ることはできるが、潮解性が高く再結
晶自体困難であり、精製する事ができない。さらに、有
機酸付加塩の、L−酒石酸、蓚酸、マレイン酸、フマル
酸、p−トルエンスルホン酸などの酸付加塩は結晶とし
て得ることはできるものの、鉱酸の酸付加塩と同様に精
製能が悪く、トランス体などの不純物の除去効力が低
い。
【0031】上記のように、各種シス−ヘキサヒドロイ
ソインドリン・酸付加塩の殆どは結晶として得られない
か、あるいは精製能が悪く、トランス体などの不純物の
除去効力が低いという中で、本発明の前記一般式(I)
で表される酸付加塩のみが特異的に良好な特性を有して
おり、これを適当な不活性有機溶媒中で晶析させ、必要
に応じ再結晶することにより、トランス体などの不純物
を効率よく除去できるという優れた作用・効果を発揮す
ることは驚くべきことである。
【0032】このように、本発明の前記一般式(I)で
表されるシス−ヘキサヒドロイソインドリン・酸付加塩
は、トランス体などの不純物を効率よく除去することが
できるという優れた作用・効果を発揮するものであり、
医薬品原料として有用な高純度のシス−ヘキサヒドロイ
ソインドリンの製造において、さらに、医薬品として有
用な高純度の前記式(II)で表されるベンジルコハク
酸誘導体およびその薬理学的に許容される塩の製造原料
として極めて有用な化合物である。
【0033】前述したとおり、シス−ヘキサヒドロイソ
インドリンとトランス−ヘキサヒドロイソインドリンの
沸点は非常に近接しているため、蒸留精製でトランス体
を除去することは不可能である。また、シス−ヘキサヒ
ドロイソインドリン・酸付加塩の殆どは結晶として得ら
れないか、あるいは精製能が悪い。
【0034】これに対し、本発明の前記一般式(I)で
表されるシス−ヘキサヒドロイソインドリン・酸付加塩
は、これを適当な不活性有機溶媒中で晶析させ、必要に
応じ再結晶することにより、トランス体その他の不純物
を効率よく、しかもほぼ完全に除去する事ができる。た
とえば、トランス体その他の不純物の含有率が約1%以
下の場合は、不活性有機溶媒中で、晶析させるだけで不
純物含有率を0.01%以下にまで減少させることがで
き、しかも、80数%〜90数%の高収率で得ることが
できる。また、不純物を3〜5%程度含有している場合
でも、晶析後、再結晶を1〜2回繰り返すことにより純
度99.9%以上のものを70〜80%程度の収率で得
ることができる。
【0035】このように、本発明の前記一般式(I)で
表されるシス−ヘキサヒドロイソインドリン・酸付加塩
は、極めて良好な結晶性を有しており、適当な不活性有
機溶媒中で晶析させ、必要に応じ再結晶することによ
り、蒸留精製では除去不能な、トランス−ヘキサヒドロ
イソインドリンその他の不純物をほぼ完全に、しかも効
率よく除去できるものである。
【0036】本発明の前記一般式(I)で表されるシス
−ヘキサヒドロイソインドリン・酸付加塩の中では、一
般式
【0037】
【化12】
【0038】(式中のnは1、2または3を示す)で表
されるシス−ヘキサヒドロイソインドリンのリン酸付加
塩が好ましく、中でも式
【0039】
【化13】
【0040】で表されるシス−ヘキサヒドロイソインド
リン・リン酸塩が最も好ましい。
【0041】本発明の前記一般式(I)で表されるシス
−ヘキサヒドロイソインドリン・酸付加塩は、公知の酸
付加塩の製造方法に従って容易に製造することができ
る。すなわち、トランス−ヘキサヒドロイソインドリン
その他の不純物を少量含むシス−ヘキサヒドロイソイン
ドリンを適当な不活性有機溶媒に溶解し、加熱撹拌下
に、適量のリン酸または酢酸を加え、接種後、冷却下に
撹拌して晶析させ、必要に応じて再結晶して製造する。
【0042】この場合、シス−ヘキサヒドロイソインド
リンに含まれる不純物はできるだけ少ない方が好ましい
事は言うまでもないが、不純物含有率が約5%程度であ
れば十分である。
【0043】上記製造に使用するシス−ヘキサヒドロイ
ソインドリンは、公知の方法、たとえば、前記、特開平
11−71349号公報記載の方法などに従って製造す
ることができる。
【0044】本発明の前記一般式(I)で表されるシス
−ヘキサヒドロイソインドリン・酸付加塩の晶析あるい
は再結晶に使用できる不活性有機溶媒としては、メタノ
ール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール
類、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類、酢
酸エチル、酢酸イソプロピルなどのエステル類、イソプ
ロピルエーテルなどのエーテル類、ヘキサン、シクロヘ
キサン、メチルシクロヘキサン、トルエンなどの炭化水
素類またはそれらの混合溶媒もしくはそれらの溶媒と水
との混合溶媒を挙げることができ、シス−ヘキサヒドロ
イソインドリン酸付加塩の種類に応じ、適宜選択して使
用する。
【0045】たとえば、前記一般式(I)で表されるシ
ス−ヘキサヒドロイソインドリン・酸付加塩で、Xがリ
ン酸の酸残基であり、nが1である、前記式(IAa)
で表されるシス−ヘキサヒドロイソインドリン・リン酸
塩の晶析の場合は、アルコール類またはアルコール類の
混合溶媒が好ましく、中でも、メチルシクロヘキサン/
アルコール混合溶媒が好適であり、メチルシクロヘキサ
ン/変性エタノール混合溶媒が最も好適である。また、
再結晶の場合は、アルコール類と水の混合溶媒が好まし
く、変性エタノール/水混合溶媒が最も好適である。
【0046】また、前記一般式(I)で表されるシス−
ヘキサヒドロイソインドリン・酸付加塩で、Xが酢酸の
酸残基である式
【0047】
【化14】
【0048】で表されるシス−ヘキサヒドロイソインド
リン・酢酸塩の晶析の場合は、エステル類、炭化水素類
またはそれらの混合溶媒が好適であり、特に、メチルシ
クロヘキサン/酢酸エチル混合溶媒が好適である。ま
た、再結晶の場合は、エステル類と炭化水素類の混合溶
媒、特に酢酸エチル/ヘキサン混合溶媒が最も好適であ
る。
【0049】また、上記混合溶媒の混合比率は溶媒の種
類により適宜決定されるが、晶析溶媒のメチルシクロヘ
キサン/エタノール混合溶媒の場合、1:4〜2:1の
混合比が好適であり、メチルシクロヘキサン/酢酸エチ
ル混合溶媒の場合、約2:1の混合比が好適である。再
結晶溶媒の変性エタノール/水混合溶媒の場合80:1
の混合比が好適であり、酢酸エチル/ヘキサン混合溶媒
の場合、2:1の混合比が好適である。また、晶析溶媒
の使用量は、溶媒および酸の種類さらにヘキサヒドロイ
ソインドリンの量などによって異なるが、概ね、ヘキサ
ヒドロイソインドリン100gに対し、500〜100
0mL程度使用すれば十分である。
【0050】本発明の前記一般式(I)で表されるシス
−ヘキサヒドロイソインドリン・酸付加塩を用いて、医
薬品の製造原料として有用な、高純度の前記式(II
I)で表されるシス−ヘキサヒドロイソインドリンを製
造する方法を好適に実施するには、前記一般式(I)で
表されるシス−ヘキサヒドロイソインドリン・酸付加塩
を、適当な不活性有機溶媒、たとえばメチルシクロヘキ
サンと水の混合溶媒中、塩基性物質、たとえば水酸化カ
リウムで処理して付加酸を離脱させ、有機層を分離、洗
浄した後、常法により溶媒を留去し、必要に応じて蒸留
して製造する。
【0051】本製造方法における溶媒としては、シス−
ヘキサヒドロイソインドリンと相互作用を起こさず、比
較的沸点の低い不活性有機溶媒、たとえばヘキサン、シ
クロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの炭化水素類
と水との混合溶媒を挙げることができ、塩基性物質とし
ては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム
などの無機塩基を挙げることができる。
【0052】また、本発明の前記一般式(I)で表され
るシス−ヘキサヒドロイソインドリン・酸付加塩を用い
る、医薬品として有用な、前記式(II)で表されるベ
ンジルコハク酸誘導体およびその薬理学的に許容される
塩の製造方法は、以下のようにして実施することができ
る。
【0053】たとえば、前記一般式(I)で表されるシ
ス−ヘキサヒドロイソインドリン・酸付加塩をそのま
ま、あるいは、上記の方法などにより付加酸を離脱させ
て、前記式(III)で表されるシス−ヘキサヒドロイ
ソインドリンを製した後、塩基性物質の存在下または非
存在下、一般式
【0054】
【化15】
【0055】(式中のRはカルボキシル基の保護基を示
す)で表されるベンジルコハク酸モノエステル誘導体、
たとえば式
【0056】
【化16】
【0057】で表される(3S)−3−メトキシカルボ
ニル−4−フェニル酪酸の反応性官能的誘導体、たとえ
ば酸クロリドと反応させた後、カルボキシル基の保護基
を除去し、必要に応じ中和または塩変換することによ
り、極めて高純度の、前記式(II)で表されるベンジ
ルコハク酸誘導体およびその薬理学的に許容される塩を
製造する事ができる。
【0058】上記製造方法において使用する塩基性物質
は、通常のアミド化反応において使用されるものであれ
ばよく、たとえば、トリエチルアミン、ピリジンなどの
有機塩基および炭酸カリウム、水酸化ナトリウムなどの
無機塩基が挙げられ、使用するベンジルコハク酸モノエ
ステル誘導体の反応性官能的誘導体の種類、反応溶媒な
どの種類に応じて、適宜選択することができる。また、
反応溶媒は、使用する原料と相互作用を起こさない不活
性な溶媒であればよく、たとえば、トルエンなどの炭化
水素類、酢酸エチルなどのエステル類など、それらの混
合溶媒およびそれらと水との混合溶媒を挙げることがで
きる。これらの反応溶媒も、使用するベンジルコハク酸
モノエステル誘導体の反応性官能的誘導体の種類、塩基
性物質などの種類に応じて、適宜選択することができ
る。
【0059】上記のように、本製造方法において、本発
明の前記一般式(I)で表されるシス−ヘキサヒドロイ
ソインドリン・酸付加塩は、そのまま上記一般式(I
V)で表されるベンジルコハク酸モノエステル誘導体の
反応性官能的誘導体との反応に供することができるが、
使用する当該ベンジルコハク酸モノエステル誘導体の反
応性官能的誘導体の種類、反応溶媒および塩基性物質な
どの種類に応じて、あらかじめ適当な不活性溶媒中、塩
基性物質で処理して付加酸を離脱させて、前記式(II
I)で表されるシス−ヘキサヒドロイソインドリンを製
した後、当該反応に供してもよい。
【0060】本発明の前記一般式(I)で表されるシス
−ヘキサヒドロイソインドリン・酸付加塩を用いる、医
薬品として有用な前記式(II)で表されるベンジルコ
ハク酸誘導体およびその薬理学的に許容される塩の上記
製造方法における、もう一方の原料の、前記一般式(I
V)で表されるベンジルコハク酸モノエステル誘導体の
反応性官能的誘導体としては、酸ハロゲン化物、混合酸
無水物、酸無水物、活性エステルなどを挙げることがで
きる。
【0061】このような反応性官能的誘導体は、以下に
述べるような方法などにより前記一般式(IV)で表さ
れるベンジルコハク酸モノエステル誘導体を製し、これ
を常法に従い、反応性官能的誘導体に誘導することによ
り、容易に製造することができる。たとえば、酸ハロゲ
ン化物の中の酸クロリドは、前記一般式(IV)で表さ
れるベンジルコハク酸モノエステル誘導体を不活性有機
溶媒、例えばトルエン中、微量のN,N−ジメチルホル
ムアミド存在下、塩化チオニルと室温下に反応させるこ
とにより容易に製造することができる。
【0062】前記一般式(IV)で表されるベンジルコ
ハク酸モノエステル誘導体として、メチル、エチルなど
の低級アルキル、ベンジルエステルなどのアラルキルそ
の他のカルボキシル基の保護基でカルボキシル基の1個
が保護されたモノエステルを挙げることができる。これ
らの誘導体は一部公知の物質であり、公知の方法あるい
はそれに準じた方法により容易に製造することができ
る。たとえば、前記一般式(IV)で表されるベンジル
コハク酸モノエステル誘導体の中で、Rがメチル基であ
る、前記式(IVA)で表される(3S)−3−メトキ
シカルボニル−4−フェニル酪酸は、アンゲバンテ ヘ
ミ インターナショナル エディション(Angew.
Chem.Int.Ed.)、37巻、1931ページ
(1998年)記載の方法などにより製造することがで
きる。
【0063】また、前記一般式(IV)で表されるベン
ジルコハク酸モノエステル誘導体の中で、Rがベンジル
基である、式
【0064】
【化17】
【0065】で表される(3S)−3−ベンジルオキシ
カルボニル−4−フェニル酪酸は、たとえば、前記特開
平4−356459号公報記載の方法により製造するこ
とができる。
【0066】
【発明の実施の形態】本発明の内容を以下の実施例によ
りさらに詳細に説明する。なお、実施例におけるトラン
ス−ヘキサヒドロイソインドリンの含有率は下記条件に
よるガスクロマトグラフィー分析結果により計算した。
【0067】使用カラム:J&W社 CAM(径0.2
5mm×長30m、膜厚0.25μm) カラム温度:110℃ 注入口温度:150℃ キャリアーガス:ヘリウム 流速:31cm/秒 検出器:水素炎イオン化検出器 検出器温度:200℃ スプリット比:1:100
【0068】
【実施例】実施例1シス−ヘキサヒドロイソインドリン・リン酸塩 トランス−ヘキサヒドロイソインドリン含有率0.25
%のシス−ヘキサヒドロイソインドリン7.83g(6
2.5mmol)をメチルシクロヘキサン/変性エタノ
ール(1:1)混合溶媒56mLに溶解し、65℃加熱
撹拌下に85%リン酸7.20g(62.5mmol)
を滴下し、接種後、冷却下に3時間撹拌した。析出結晶
を濾過後、メチルシクロヘキサン/変性エタノール
(1:1)混合溶媒3.0mLで洗浄してトランス−ヘ
キサヒドロイソインドリン含有率0.02%のシス−ヘ
キサヒドロイソインドリン・リン酸塩13.0gを得
た。
【0069】 元素分析値(%):C815N・H3PO4 理論値 C:43.05 H:8.13 N:6.28 実測値 C:42.87 H:8.17 N:6.371 H−NMR(CD3OD)δ ppm:1.34−1.
62(6H,m),1.64−1.76(2H,m),
2.30−2.44(2H,m),3.06−3.16
(2H,m),3.22−3.34(2H,m)
【0070】実施例2シス−ヘキサヒドロイソインドリン・リン酸塩 トランス−ヘキサヒドロイソインドリン含有率1.93
%のシス−ヘキサヒドロイソインドリン5.00g(3
9.9mmol)をメチルシクロヘキサン20mLおよ
び変性エタノール25mLに溶解し、65℃加熱撹拌下
に85%リン酸4.60g(39.9mmol)を滴下
し、接種後、冷却下に3時間撹拌した。析出結晶を濾過
後、メチルシクロヘキサン/変性エタノール(1:1)
混合溶媒10mLで洗浄してトランス−ヘキサヒドロイ
ソインドリン含有率0.17%のシス−ヘキサヒドロイ
ソインドリン・リン酸塩7.84gを得た。
【0071】上記、トランス−ヘキサヒドロイソインド
リン含有率0.17%のシス−ヘキサヒドロイソインド
リン・リン酸塩5.00gを変性エタノール22mLお
よび水0.28mLに加熱溶解した後、冷却下に一夜撹
拌した。析出結晶を濾過後、変性エタノール5.0mL
で洗浄してトランス−ヘキサヒドロイソインドリン含有
率0.03%のシス−ヘキサヒドロイソインドリン・リ
ン酸塩4.81gを得た。
【0072】実施例3シス−ヘキサヒドロイソインドリン・リン酸塩 実施例1または2と同様にして別途製した、トランス−
ヘキサヒドロイソインドリン含有率0.05%のシス−
ヘキサヒドロイソインドリン・リン酸塩1.22gを変
性エタノール4.9mLおよび水0.065mLの混合
溶媒に加熱溶解した後、冷却下に一夜撹拌した。析出結
晶を濾過後、変性エタノール/水(80:1)混合溶媒
1.0mLで洗浄してトランス−ヘキサヒドロイソイン
ドリンが検出限界以下のシス−ヘキサヒドロイソインド
リン・リン酸塩1.15gを得た。
【0073】実施例4ビス(シス−ヘキサヒドロイソインドリン)・リン酸塩
・二水和物 トランス−ヘキサヒドロイソインドリン含有率0.22
%のシス−ヘキサヒドロイソインドリン2.50g (2
0mmol)をメチルシクロヘキサン8.8mLおよび
イソプロパノール8.8mLの混合溶媒に溶かし、50
℃加熱撹拌下に85%リン酸1.15g (10mmo
l) を滴下し、放冷下に一晩撹拌した。析出した結晶を
ろ取した後、メチルシクロヘキサン/イソプロパノール
(1:1)混合溶液4.0mLで洗浄してトランス−ヘ
キサヒドロイソインドリン含有率0.05%のビス(シ
ス−ヘキサヒドロイソインドリン)・リン酸塩・二水和
物3.14gを得た。
【0074】 元素分析値(%):C16302・H3PO4・2H2O 理論値 C:49.99 H:9.70 N:7.29 実測値 C:49.81 H:9.45 N:7.041 H−NMR(CD3OD)δ ppm:1.34−1.
60(6H,m),1.62−1.74(2H,m),
2.26−2.40(2H,m),3.02−3.14
(2H,m),3.16−3.28(2H,m)
【0075】実施例5シス−ヘキサヒドロイソインドリン・酢酸塩 トランス−ヘキサヒドロイソインドリン含有率0.22
%のシス−ヘキサヒドロイソインドリン2.50g(2
0.0mmol)をメチルシクロヘキサン/酢酸エチル
(2:1)混合溶媒13.2mLに溶解し、70℃加熱
撹拌下に酢酸1.15mL(20.1mmol)を滴下
し、接種後、冷却下に一夜撹拌した。析出結晶を濾過
後、メチルシクロヘキサン/酢酸エチル(2:1)混合
溶媒2.0mLで洗浄してトランス−ヘキサヒドロイソ
インドリン含有率0.01%のシス−ヘキサヒドロイソ
インドリン・酢酸塩3.15gを得た。
【0076】1H−NMR(CD3OD)δ ppm:
1.35−1.75(8H,m),1.90(3H,
s),2.25−2.40(2H,m),3.00−
3.35(4H,m)
【0077】実施例6シス−ヘキサヒドロイソインドリン・酢酸塩 実施例5と同様にして別途製した、トランス−ヘキサヒ
ドロイソインドリン含有率0.09%のシス−ヘキサヒ
ドロイソインドリン・酢酸塩2.37gを酢酸エチル
4.0mLおよびヘキサン2.0mLの混合溶媒に加熱
溶解した後、冷却下に一夜撹拌した。析出結晶を濾過
後、酢酸エチル/ヘキサン(2:1)混合溶媒1.0m
Lで洗浄してトランス−ヘキサヒドロイソインドリン含
有率0.01%のシス−ヘキサヒドロイソインドリン・
酢酸塩2.01gを得た。
【0078】実施例7シス−ヘキサヒドロイソインドリン 実施例3と同様にして別途製した、トランス−ヘキサヒ
ドロイソインドリンが検出限界以下のシス−ヘキサヒド
ロイソインドリン・リン酸塩10.0gにメチルシクロ
ヘキサン30mL、水12mLおよび水酸化カリウム
8.90gを加え、室温下に30分間撹拌後に分液し
た。水層をメチルシクロヘキサン10mLで二回抽出
し、合わせた有機層の溶媒を減圧下に留去した後、減圧
蒸留することによりトランス−ヘキサヒドロイソインド
リンが検出限界以下のシス−ヘキサヒドロイソインドリ
ン4.59gを得た。
【0079】1H−NMR(CDCl3)δ ppm:
1.20−1.70(8H,m),1.92(1H,b
rs),2.00−2.15(2H,m),2.70−
2.85(2H,m),2.85−3.00(2H,
m)
【0080】実施例8ビス[(2S)−2−ベンジル−3−(シス−ヘキサヒ
ドロイソインドリン−2−イルカルボニル)プロピオン
酸]カルシウム・二水和物 (3S)−3−メトキシカルボニル−4−フェニル酪酸
4.98gをトルエン30mLに溶かし、氷冷撹拌下に
N,N−ジメチルホルムアミド0.10mLおよび塩化
チオニル1.95mLを加え、氷冷下に5分間、室温下
に30分間撹拌した。
【0081】上記で得た(3S)−3−メトキシカルボ
ニル−4−フェニル酪酸クロリドのトルエン溶液を、実
施例1または2と同様な方法で別途製した、トランス−
ヘキサヒドロイソインドリン含有率0.02%のシス−
ヘキサヒドロイソインドリン・リン酸塩5.50gおよ
び炭酸カリウム15.5gを水60mLに室温下に溶か
した溶液に、 水冷撹拌下に20分間かけて滴下した。
【0082】滴下後、水冷下に30分間撹拌し、室温下
に30分間撹拌した後、分液した。水層をトルエン20
mLで抽出し、合わせた有機層を飽和炭酸水素ナトリウ
ム水溶液、1mol/L塩酸、飽和食塩水各10mLで
順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。無水硫
酸マグネシウムをろ去後に、溶媒を減圧下に留去して無
色油状物の(2S)−2−ベンジル−3−(シス−ヘキ
サヒドロイソインドリン−2−イルカルボニル)プロピ
オン酸メチル7.38gを得た。
【0083】1H−NMR(CDCl3)δ ppm:
1.20−1.60(8H,m),2.10−2.35
(3H,m),2.55−2.65(1H,m),2.
75−2.85(1H,m),3.00−3.10(1
H,m),3.10−3.45(5H,m),3.60
−3.70(3H,m),7.15−7.30(5H,
m)
【0084】(2S)−2−ベンジル−3−(シス−ヘ
キサヒドロイソインドリン−2−イルカルボニル)プロ
ピオン酸メチル7.38gをイソプロパノール17mL
に溶かし、室温撹拌下に1mol/L水酸化ナトリウム
水溶液26mLを加え、室温下に一晩撹拌した。
【0085】反応液に水60mLを加えた後、塩化カル
シウム1.60gを水10mLに溶かした液を45℃撹
拌下に滴下した。45℃で1時間撹拌後、放冷下に一晩
撹拌して析出した結晶をろ取後、水50mLで洗浄して
白色の結晶6.95g を得た。この結晶5.00gを
メタノール/水より再結晶してビス[(2S)−2−ベ
ンジル−3−(シス−ヘキサヒドロイソインドリン−2
−イルカルボニル)プロピオン酸]カルシウム・二水和
物4.45g を得た。
【0086】1H−NMR(CDCl3)δ ppm:
1.15−1.50(16H,m),1.90−2.4
0(6H,m),2.55−3.10(14H,m),
3.20−3.50(6H,m),7.10−7.30
(10H,m)
【0087】なお、下記類縁物質確認法により、上記で
得られた結晶の不純物含有率を確認したところ、トラン
ス体の含有率は0.01%であった。
【0088】類縁物質確認法 検体100mgを水/メタノール(4/3)混合溶液1
00mLに溶かし試料溶液とする。試料溶液15μLを
秤量し、下記条件で液体クロマトグラフ法により試験を
行い、総ピーク面積に対する各類縁物質ピーク面積の比
率を求める。
【0089】操作条件 検出器:紫外吸光光度計(測定波長:210nm) 使用カラム:SUPELCOSIL ABZ+Plus
(SUPELCO社製、径4.6mm× 長150m
m、シリカゲル粒径5μm) カラム温度:35℃ 流速:1.2mL/分 面積測定範囲:測定開始から30分間 移動相:水66容量にアセトニトリル33容量とn−ア
ミルアルコール1容量を加える。この液をリン酸でpH
2.0に調製する。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式 【化1】 (式中のXはリン酸または酢酸の酸残基を示し、nは
    1、2または3、但し、Xが酢酸の酸残基の場合、nは
    1を示す)で表されるシス−ヘキサヒドロイソインドリ
    ン・酸付加塩。
  2. 【請求項2】一般式 【化2】 (式中のnは1、2または3を示す)で表される請求項
    1記載のシス−ヘキサヒドロイソインドリン・酸付加
    塩。
  3. 【請求項3】式 【化3】 で表される請求項2記載のシス−ヘキサヒドロイソイン
    ドリン・酸付加塩。
  4. 【請求項4】一般式 【化4】 (式中のXはリン酸または酢酸の酸残基を示し、nは
    1、2または3、但し、Xが酢酸の酸残基の場合、nは
    1を示す)で表されるシス−ヘキサヒドロイソインドリ
    ン・酸付加塩を、塩基性物質で処理して付加酸を離脱す
    ることを特徴とする、式 【化5】 で表されるシス−ヘキサヒドロイソインドリンの製造方
    法。
  5. 【請求項5】一般式 【化6】 (式中のXはリン酸または酢酸の酸残基を示し、nは
    1、2または3、但し、Xが酢酸の酸残基の場合、nは
    1を示す)で表されるシス−ヘキサヒドロイソインドリ
    ン・酸付加塩を、塩基性物質の存在下、一般式 【化7】 (式中のRはカルボキシル基の保護基を示す)で表され
    るベンジルコハク酸モノエステル誘導体の反応性官能的
    誘導体と反応させ、カルボキシル基の保護基を除去後、
    必要に応じ中和または塩変換することを特徴とする、式 【化8】 で表されるベンジルコハク酸誘導体またはその薬理学的
    に許容される塩の製造方法。
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