JP2001258041A - 電子ビーム位置検出装置及び陰極線管 - Google Patents
電子ビーム位置検出装置及び陰極線管Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】電子ビームが蛍光体面の所望の最適位置に衝突
しているか否かを高精度にて検出するための簡素な構造
の電子ビーム位置検出装置を提供する。 【解決手段】陰極線管内の過走査領域に配置され、電子
ビームの入射に応じて電気信号を出力する電子ビーム位
置検出装置１は、（Ａ）電子ビーム位置検出のための開
口部１１を有するインデックス電極部１０、（Ｂ）開口
部１１を通過した電子ビームを遮蔽するためのシールド
部１４、及び、（Ｃ）インデックス電極部１０をシール
ド部１４に固定するための支持体１７から成る。
しているか否かを高精度にて検出するための簡素な構造
の電子ビーム位置検出装置を提供する。 【解決手段】陰極線管内の過走査領域に配置され、電子
ビームの入射に応じて電気信号を出力する電子ビーム位
置検出装置１は、（Ａ）電子ビーム位置検出のための開
口部１１を有するインデックス電極部１０、（Ｂ）開口
部１１を通過した電子ビームを遮蔽するためのシールド
部１４、及び、（Ｃ）インデックス電極部１０をシール
ド部１４に固定するための支持体１７から成る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビーム位置検
出装置、及び、かかる電子ビーム位置検出装置を備えた
陰極線管に関する。
出装置、及び、かかる電子ビーム位置検出装置を備えた
陰極線管に関する。
【０００２】
【従来の技術】テレビジョン受像機やコンピュータ用の
モニタ装置等の画像表示装置においては、陰極線管（Ｃ
ＲＴ）が広く使用されている。陰極線管においては、陰
極線管の内部（以下、単に管内と呼ぶ場合がある）に備
えられた電子銃から蛍光体面に向けて電子ビームが射出
され、電子ビームの走査に基づき画像表示が行われる。
陰極線管としては、単一の電子銃を備えた陰極線管が一
般的であるが、近年、複数の電子銃を備えた複電子銃方
式の陰極線管が開発されている。このような複電子銃方
式の陰極線管においては、複数の電子銃から射出された
複数の電子ビームによって、複数の分割画面が得られる
と共に、これらの複数の分割画面を繋ぎ合わせることに
より単一の画面が形成され、画像表示が行われる。複電
子銃方式の陰極線管に関連する技術については、例え
ば、実公昭３９−２５６４１号公報、特公昭４２−４９
２８号公報、あるいは、特開昭５０−１７１６７号公報
に開示されている。このような複電子銃方式の陰極線管
には、単一の電子銃を用いた陰極線管よりも、陰極線管
の奥行きの短縮化を図りつつ、大画面化を図ることがで
きる等の利点がある。
モニタ装置等の画像表示装置においては、陰極線管（Ｃ
ＲＴ）が広く使用されている。陰極線管においては、陰
極線管の内部（以下、単に管内と呼ぶ場合がある）に備
えられた電子銃から蛍光体面に向けて電子ビームが射出
され、電子ビームの走査に基づき画像表示が行われる。
陰極線管としては、単一の電子銃を備えた陰極線管が一
般的であるが、近年、複数の電子銃を備えた複電子銃方
式の陰極線管が開発されている。このような複電子銃方
式の陰極線管においては、複数の電子銃から射出された
複数の電子ビームによって、複数の分割画面が得られる
と共に、これらの複数の分割画面を繋ぎ合わせることに
より単一の画面が形成され、画像表示が行われる。複電
子銃方式の陰極線管に関連する技術については、例え
ば、実公昭３９−２５６４１号公報、特公昭４２−４９
２８号公報、あるいは、特開昭５０−１７１６７号公報
に開示されている。このような複電子銃方式の陰極線管
には、単一の電子銃を用いた陰極線管よりも、陰極線管
の奥行きの短縮化を図りつつ、大画面化を図ることがで
きる等の利点がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、陰極線管に
おいては、電子ビームが適切に走査されているかを検出
することが、良好なる画像を得る上で好ましい。特に、
複電子銃方式の陰極線管においては、複数の分割画面を
繋ぎ合わせて単一の画面を表示させるが、出来る限り分
割画面の繋ぎ目部分を目立たないようにすることが望ま
しい。しかしながら、従来の技術では、複数の分割画面
の繋ぎ目部分を目立たないようにすることは不充分であ
り、かならずしも画面全体で良好な画像を得ることがで
きないという問題点がある。
おいては、電子ビームが適切に走査されているかを検出
することが、良好なる画像を得る上で好ましい。特に、
複電子銃方式の陰極線管においては、複数の分割画面を
繋ぎ合わせて単一の画面を表示させるが、出来る限り分
割画面の繋ぎ目部分を目立たないようにすることが望ま
しい。しかしながら、従来の技術では、複数の分割画面
の繋ぎ目部分を目立たないようにすることは不充分であ
り、かならずしも画面全体で良好な画像を得ることがで
きないという問題点がある。
【０００４】また、陰極線管にあっては、例えば、使用
環境の違いにより地磁気等の影響の受け方が異なり、画
像に歪み等が生じるため、繋ぎ目部分の表示に関しても
悪影響を受ける。然るに、従来の複電子銃方式の陰極線
管においては、このような使用環境を考慮した繋ぎ目部
分の表示制御が充分なされているとは云い難い。また、
偏向ヨークの温度特性、陰極線管駆動回路や偏向回路等
の各種回路の経時変動によっても画像表示性能が劣化、
変化する。しかしながら、従来の複電子銃方式の陰極線
管においては、このような経時変動を考慮した繋ぎ目部
分の表示制御についても充分な考慮がなされていない。
このように、従来の技術では、使用環境や経時変動等を
考慮して、複数の分割画面をどのように表示制御して適
切に繋ぎ合わせるかについての技術が不充分であり、複
数の分割画面の繋ぎ目部分を常時鑑賞に耐え得る程度に
見えなくするような保証が無い。
環境の違いにより地磁気等の影響の受け方が異なり、画
像に歪み等が生じるため、繋ぎ目部分の表示に関しても
悪影響を受ける。然るに、従来の複電子銃方式の陰極線
管においては、このような使用環境を考慮した繋ぎ目部
分の表示制御が充分なされているとは云い難い。また、
偏向ヨークの温度特性、陰極線管駆動回路や偏向回路等
の各種回路の経時変動によっても画像表示性能が劣化、
変化する。しかしながら、従来の複電子銃方式の陰極線
管においては、このような経時変動を考慮した繋ぎ目部
分の表示制御についても充分な考慮がなされていない。
このように、従来の技術では、使用環境や経時変動等を
考慮して、複数の分割画面をどのように表示制御して適
切に繋ぎ合わせるかについての技術が不充分であり、複
数の分割画面の繋ぎ目部分を常時鑑賞に耐え得る程度に
見えなくするような保証が無い。
【０００５】複数の分割画面の繋ぎ目部分の適切な表示
を行うためには、蛍光体面に衝突する電子ビームの位置
を常に正確に把握していなければならない。しかしなが
ら、従来の技術において、蛍光体面に衝突する電子ビー
ムの位置を常に高精度にて把握するための簡素であっ
て、しかも、有効な手段は知られていない。
を行うためには、蛍光体面に衝突する電子ビームの位置
を常に正確に把握していなければならない。しかしなが
ら、従来の技術において、蛍光体面に衝突する電子ビー
ムの位置を常に高精度にて把握するための簡素であっ
て、しかも、有効な手段は知られていない。
【０００６】従って、本発明の目的は、電子ビームが蛍
光体面の所望の最適位置に衝突しているか否かを高精度
にて検出するための簡素な構造の電子ビーム位置検出装
置、及び、かかる電子ビーム位置検出装置を組み込んだ
陰極線管を提供することにある。
光体面の所望の最適位置に衝突しているか否かを高精度
にて検出するための簡素な構造の電子ビーム位置検出装
置、及び、かかる電子ビーム位置検出装置を組み込んだ
陰極線管を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、陰極線管
内の過走査領域に配置され、電子ビームの入射に応じて
電気信号を出力する電子ビーム位置検出装置であって、
（Ａ）電子ビーム位置検出のための開口部を有するイン
デックス電極部、（Ｂ）開口部を通過した電子ビームを
遮蔽するためのシールド部、及び、（Ｃ）インデックス
電極部をシールド部に固定するための支持体、から成る
ことを特徴とする本発明の電子ビーム位置検出装置によ
って達成することができる。ここで、過走査領域とは、
電子ビームの走査領域において、有効画面を形成する電
子ビームの走査領域の外側の領域を意味する。以下にお
いても同様である。尚、支持体を介して１つの支持体に
複数のインデックス電極部を固定した構造とすることも
できる。
内の過走査領域に配置され、電子ビームの入射に応じて
電気信号を出力する電子ビーム位置検出装置であって、
（Ａ）電子ビーム位置検出のための開口部を有するイン
デックス電極部、（Ｂ）開口部を通過した電子ビームを
遮蔽するためのシールド部、及び、（Ｃ）インデックス
電極部をシールド部に固定するための支持体、から成る
ことを特徴とする本発明の電子ビーム位置検出装置によ
って達成することができる。ここで、過走査領域とは、
電子ビームの走査領域において、有効画面を形成する電
子ビームの走査領域の外側の領域を意味する。以下にお
いても同様である。尚、支持体を介して１つの支持体に
複数のインデックス電極部を固定した構造とすることも
できる。
【０００８】上記の目的は、更に、陰極線管内の過走査
領域に配置され、電子ビームの入射に応じて電気信号を
出力する電子ビーム位置検出装置を備えた陰極線管であ
って、（Ａ）電子ビーム位置検出のための開口部を有す
るインデックス電極部、（Ｂ）開口部を通過した電子ビ
ームを遮蔽するためのシールド部、及び、（Ｃ）インデ
ックス電極部をシールド部に固定するための支持体、か
ら成る電子ビーム位置検出装置を備えていることを特徴
とする本発明の陰極線管によって達成することができ
る。尚、陰極線管内に配設するインデックス電極部の数
は１つに限定されず、複数とすることもできる。また、
尚、支持体を介して１つの支持体に複数のインデックス
電極部を固定した構造とすることもできる。
領域に配置され、電子ビームの入射に応じて電気信号を
出力する電子ビーム位置検出装置を備えた陰極線管であ
って、（Ａ）電子ビーム位置検出のための開口部を有す
るインデックス電極部、（Ｂ）開口部を通過した電子ビ
ームを遮蔽するためのシールド部、及び、（Ｃ）インデ
ックス電極部をシールド部に固定するための支持体、か
ら成る電子ビーム位置検出装置を備えていることを特徴
とする本発明の陰極線管によって達成することができ
る。尚、陰極線管内に配設するインデックス電極部の数
は１つに限定されず、複数とすることもできる。また、
尚、支持体を介して１つの支持体に複数のインデックス
電極部を固定した構造とすることもできる。
【０００９】本発明の陰極線管にあっては、インデック
ス電極部が電子銃側に配され、シールド部が蛍光体層側
に配されている。
ス電極部が電子銃側に配され、シールド部が蛍光体層側
に配されている。
【００１０】本発明の電子ビーム位置検出装置あるいは
陰極線管においては、インデックス電極部には電気信号
取り出し部が設けられ、シールド部には高電圧（例え
ば、アノード電圧）が印加され、支持体は絶縁材料から
成り、インデックス電極部は、抵抗体を介してシールド
部に電気的に接続されている構成（便宜上、第１の構成
と呼ぶ）とすることができる。
陰極線管においては、インデックス電極部には電気信号
取り出し部が設けられ、シールド部には高電圧（例え
ば、アノード電圧）が印加され、支持体は絶縁材料から
成り、インデックス電極部は、抵抗体を介してシールド
部に電気的に接続されている構成（便宜上、第１の構成
と呼ぶ）とすることができる。
【００１１】あるいは又、本発明の電子ビーム位置検出
装置あるいは陰極線管においては、インデックス電極部
には電気信号取り出し部が設けられ、シールド部には高
電圧（例えば、アノード電圧）が印加され、インデック
ス電極部は、抵抗体として機能する支持体を介してシー
ルド部に電気的に接続されている構成（便宜上、第２の
構成と呼ぶ）とすることができる。
装置あるいは陰極線管においては、インデックス電極部
には電気信号取り出し部が設けられ、シールド部には高
電圧（例えば、アノード電圧）が印加され、インデック
ス電極部は、抵抗体として機能する支持体を介してシー
ルド部に電気的に接続されている構成（便宜上、第２の
構成と呼ぶ）とすることができる。
【００１２】更には、本発明の電子ビーム位置検出装置
あるいは陰極線管においては、インデックス電極部には
高電圧（例えば、アノード電圧）が印加され、シールド
部には電気信号取り出し部が設けられ、支持体は絶縁材
料から成り、インデックス電極部は、抵抗体を介してシ
ールド部に電気的に接続されている構成（便宜上、第３
の構成と呼ぶ）とすることもできる。
あるいは陰極線管においては、インデックス電極部には
高電圧（例えば、アノード電圧）が印加され、シールド
部には電気信号取り出し部が設けられ、支持体は絶縁材
料から成り、インデックス電極部は、抵抗体を介してシ
ールド部に電気的に接続されている構成（便宜上、第３
の構成と呼ぶ）とすることもできる。
【００１３】あるいは又、本発明の電子ビーム位置検出
装置あるいは陰極線管においては、インデックス電極部
には高電圧（例えば、アノード電圧）が印加され、シー
ルド部には電気信号取り出し部が設けられ、インデック
ス電極部は、抵抗体として機能する支持体を介してシー
ルド部に電気的に接続されている構成（便宜上、第４の
構成と呼ぶ）とすることができる。
装置あるいは陰極線管においては、インデックス電極部
には高電圧（例えば、アノード電圧）が印加され、シー
ルド部には電気信号取り出し部が設けられ、インデック
ス電極部は、抵抗体として機能する支持体を介してシー
ルド部に電気的に接続されている構成（便宜上、第４の
構成と呼ぶ）とすることができる。
【００１４】本発明の第１の構成若しくは第２の構成に
係る陰極線管においては、インデックス電極部から出力
される信号は、電子ビームがインデックス電極部に衝突
したときのインデックス電極部の電位に基づく電気信
号、及び、電子ビームがインデックス電極部に設けられ
た開口部を通過したときのインデックス電極部の電位に
基づく電気信号とすることができる。この場合、電気信
号取り出し部は、陰極線管を構成する外囲器の一部を利
用したキャパシタに接続され、該キャパシタを介して電
気信号を陰極線管の外部（管外）に取り出し得る構造と
することが好ましい。
係る陰極線管においては、インデックス電極部から出力
される信号は、電子ビームがインデックス電極部に衝突
したときのインデックス電極部の電位に基づく電気信
号、及び、電子ビームがインデックス電極部に設けられ
た開口部を通過したときのインデックス電極部の電位に
基づく電気信号とすることができる。この場合、電気信
号取り出し部は、陰極線管を構成する外囲器の一部を利
用したキャパシタに接続され、該キャパシタを介して電
気信号を陰極線管の外部（管外）に取り出し得る構造と
することが好ましい。
【００１５】あるいは又、本発明の第３の構成若しくは
第４の構成に係る陰極線管においては、シールド部から
出力される信号は、電子ビームがインデックス電極部に
衝突したときのシールド部の電位に基づく電気信号、及
び、電子ビームがインデックス電極部に設けられた開口
部を通過し、シールド部に衝突したときのシールド部の
電位に基づく電気信号とすることができる。この場合、
電気信号取り出し部は、陰極線管を構成する外囲器の一
部を利用したキャパシタに接続され、該キャパシタを介
して電気信号を陰極線管の外部（管外）に取り出し得る
構造とすることが好ましい。
第４の構成に係る陰極線管においては、シールド部から
出力される信号は、電子ビームがインデックス電極部に
衝突したときのシールド部の電位に基づく電気信号、及
び、電子ビームがインデックス電極部に設けられた開口
部を通過し、シールド部に衝突したときのシールド部の
電位に基づく電気信号とすることができる。この場合、
電気信号取り出し部は、陰極線管を構成する外囲器の一
部を利用したキャパシタに接続され、該キャパシタを介
して電気信号を陰極線管の外部（管外）に取り出し得る
構造とすることが好ましい。
【００１６】本発明の電子ビーム位置検出装置あるいは
陰極線管においては、インデックス電極部の表面に蛍光
体層が形成された構成することもできる。この場合に
は、抵抗体は不要であり、インデックス電極部やシール
ド部に高電圧を印加する必要もない。インデックス電極
部から出力される信号は光に基づく信号であり、電子ビ
ームがインデックス電極部に衝突したとき、インデック
ス電極部の表面に形成された蛍光体層の発光が生じ、電
子ビームがインデックス電極部に設けられた開口部を通
過し、シールド部に衝突したときには発光が生じない。
かかる発光を、陰極線管の管外に設けられた光検出器を
用いて検出することで、インデックス電極部における電
子ビームの衝突位置を検出することができる。あるいは
又、シールド部の表面に蛍光体層が形成された構成する
こともできる。この場合には、抵抗体は不要であり、イ
ンデックス電極部やシールド部に高電圧を印加する必要
もない。シールド部から出力される信号は光に基づく信
号であり、電子ビームがインデックス電極部に設けられ
た開口部を通過し、シールド部に衝突したとき、シール
ド部の表面に形成された蛍光体層の発光が生じる。一
方、インデックス電極部に電子ビームが衝突したときに
は発光が生じない。かかる発光を、陰極線管の管外に設
けられた光検出器を用いて検出することで、インデック
ス電極部における電子ビームの衝突位置を検出すること
ができる。
陰極線管においては、インデックス電極部の表面に蛍光
体層が形成された構成することもできる。この場合に
は、抵抗体は不要であり、インデックス電極部やシール
ド部に高電圧を印加する必要もない。インデックス電極
部から出力される信号は光に基づく信号であり、電子ビ
ームがインデックス電極部に衝突したとき、インデック
ス電極部の表面に形成された蛍光体層の発光が生じ、電
子ビームがインデックス電極部に設けられた開口部を通
過し、シールド部に衝突したときには発光が生じない。
かかる発光を、陰極線管の管外に設けられた光検出器を
用いて検出することで、インデックス電極部における電
子ビームの衝突位置を検出することができる。あるいは
又、シールド部の表面に蛍光体層が形成された構成する
こともできる。この場合には、抵抗体は不要であり、イ
ンデックス電極部やシールド部に高電圧を印加する必要
もない。シールド部から出力される信号は光に基づく信
号であり、電子ビームがインデックス電極部に設けられ
た開口部を通過し、シールド部に衝突したとき、シール
ド部の表面に形成された蛍光体層の発光が生じる。一
方、インデックス電極部に電子ビームが衝突したときに
は発光が生じない。かかる発光を、陰極線管の管外に設
けられた光検出器を用いて検出することで、インデック
ス電極部における電子ビームの衝突位置を検出すること
ができる。
【００１７】本発明における陰極線管は、単一の電子銃
を備えた陰極線管であってもよいし、複数の電子銃を備
えた複電子銃方式の陰極線管であってもよい。例えば、
陰極線管における電子銃の構造、色選別機構の構造は如
何なる構造とすることもできる。尚、複数の電子銃を備
えた複電子銃方式の陰極線管にあっては、複数の電子銃
を有し、該複数の電子銃から射出された電子ビームによ
って有効画面及び有効画面外の過走査領域の走査を行
い、複数の電子ビームの走査によって得られる複数の分
割画面を繋ぎ合わせることにより単一の画面を形成して
画像表示を行い、過走査領域は、複数の電子ビームの走
査によって得られる複数の分割画面を繋ぎ合わせる画面
領域に対応した陰極線管内の領域に位置する。
を備えた陰極線管であってもよいし、複数の電子銃を備
えた複電子銃方式の陰極線管であってもよい。例えば、
陰極線管における電子銃の構造、色選別機構の構造は如
何なる構造とすることもできる。尚、複数の電子銃を備
えた複電子銃方式の陰極線管にあっては、複数の電子銃
を有し、該複数の電子銃から射出された電子ビームによ
って有効画面及び有効画面外の過走査領域の走査を行
い、複数の電子ビームの走査によって得られる複数の分
割画面を繋ぎ合わせることにより単一の画面を形成して
画像表示を行い、過走査領域は、複数の電子ビームの走
査によって得られる複数の分割画面を繋ぎ合わせる画面
領域に対応した陰極線管内の領域に位置する。
【００１８】本発明の第１の構成若しくは第２の構成に
係る陰極線管においては、インデックス電極部を構成す
る材料は導電性を有していることが必要とされる。ま
た、本発明の第２の構成に係る陰極線管においては、シ
ールド部を構成する材料も導電性を有していることが必
要とされる。本発明の第１の構成に係る陰極線管におい
ては、シールド部を構成する材料は導電性を有していて
もよいし、不導電性であってもよいが、導電性を有する
ことがチャージアップの防止といった観点から好まし
い。本発明の第３の構成若しくは第４の構成に係る陰極
線管においては、シールド部を構成する材料は導電性を
有していることが必要とされる。また、本発明の第４の
構成に係る陰極線管においては、インデックス電極部を
構成する材料も導電性を有していることが必要とされ
る。本発明の第３の構成に係る陰極線管においては、イ
ンデックス電極部を構成する材料は導電性を有していて
もよいし、不導電性であってもよいが、導電性を有する
ことがチャージアップの防止といった観点から好まし
い。導電性を有する材料として、例えば、ステンレス鋼
等の金属材料あるいは合金材料、金属化合物材料を挙げ
ることができる。不導電の材料からインデックス電極部
やシールド部を構成する場合、かかる材料として、セラ
ミックスやガラスを挙げることができる。
係る陰極線管においては、インデックス電極部を構成す
る材料は導電性を有していることが必要とされる。ま
た、本発明の第２の構成に係る陰極線管においては、シ
ールド部を構成する材料も導電性を有していることが必
要とされる。本発明の第１の構成に係る陰極線管におい
ては、シールド部を構成する材料は導電性を有していて
もよいし、不導電性であってもよいが、導電性を有する
ことがチャージアップの防止といった観点から好まし
い。本発明の第３の構成若しくは第４の構成に係る陰極
線管においては、シールド部を構成する材料は導電性を
有していることが必要とされる。また、本発明の第４の
構成に係る陰極線管においては、インデックス電極部を
構成する材料も導電性を有していることが必要とされ
る。本発明の第３の構成に係る陰極線管においては、イ
ンデックス電極部を構成する材料は導電性を有していて
もよいし、不導電性であってもよいが、導電性を有する
ことがチャージアップの防止といった観点から好まし
い。導電性を有する材料として、例えば、ステンレス鋼
等の金属材料あるいは合金材料、金属化合物材料を挙げ
ることができる。不導電の材料からインデックス電極部
やシールド部を構成する場合、かかる材料として、セラ
ミックスやガラスを挙げることができる。
【００１９】支持体を構成する絶縁材料として、セラミ
ックスやガラスを挙げることができる。また、抵抗体と
して機能する支持体を構成する材料として、導電性を有
するセラミックスを挙げることができる。抵抗体は、固
体抵抗器であってもよいし、セラミックスを主成分とす
る各種ペーストから形成された抵抗体薄膜が絶縁材料表
面に形成されたものとすることもできる。抵抗体あるい
は抵抗体として機能する支持体の抵抗値は、例えば、１
×１０2Ω乃至１×１０4Ωとすればよい。
ックスやガラスを挙げることができる。また、抵抗体と
して機能する支持体を構成する材料として、導電性を有
するセラミックスを挙げることができる。抵抗体は、固
体抵抗器であってもよいし、セラミックスを主成分とす
る各種ペーストから形成された抵抗体薄膜が絶縁材料表
面に形成されたものとすることもできる。抵抗体あるい
は抵抗体として機能する支持体の抵抗値は、例えば、１
×１０2Ω乃至１×１０4Ωとすればよい。
【００２０】インデックス電極部に設けられた電子ビー
ム位置検出のための開口部の平面形状は、電子ビームの
掃引方向（ライン走査方向と呼ぶ）に沿った開口部の長
さが、電子ビームの掃引方向と直角の方向（フィールド
走査方向と呼ぶ）に沿って変化し、更には、電子ビーム
のフィールド走査方向に沿った長さが、電子ビームのラ
イン走査方向に沿って変化するような平面形状ならば、
本質的には任意の平面形状とすることができる。インデ
ックス電極部に入射する電子ビームの強度は一定である
ことが好ましい。インデックス電極部の外形形状も本質
的には任意の形状とすることができるが、ライン走査方
向に長辺を有する矩形形状であることが好ましい。イン
デックス電極部には、浮遊容量減少のために、また、イ
ンデックス電極部に入射する電子ビームの測定基準点と
しても機能する、第２の開口部を設けてもよい。シール
ド部の外形形状も本質的には任意の形状とすることがで
きるが、ライン走査方向に長辺を有する矩形形状である
ことが好ましい。シールド部の外形形状は、インデック
ス電極部の外形形状よりも大きいことが、電子ビームの
確実なる遮蔽といった観点から好ましい。シールド部の
外形形状を矩形とする場合、シールド部の外縁を電子ビ
ームが入射する方向に向かって鈍角に折り曲げておいて
もよい。
ム位置検出のための開口部の平面形状は、電子ビームの
掃引方向（ライン走査方向と呼ぶ）に沿った開口部の長
さが、電子ビームの掃引方向と直角の方向（フィールド
走査方向と呼ぶ）に沿って変化し、更には、電子ビーム
のフィールド走査方向に沿った長さが、電子ビームのラ
イン走査方向に沿って変化するような平面形状ならば、
本質的には任意の平面形状とすることができる。インデ
ックス電極部に入射する電子ビームの強度は一定である
ことが好ましい。インデックス電極部の外形形状も本質
的には任意の形状とすることができるが、ライン走査方
向に長辺を有する矩形形状であることが好ましい。イン
デックス電極部には、浮遊容量減少のために、また、イ
ンデックス電極部に入射する電子ビームの測定基準点と
しても機能する、第２の開口部を設けてもよい。シール
ド部の外形形状も本質的には任意の形状とすることがで
きるが、ライン走査方向に長辺を有する矩形形状である
ことが好ましい。シールド部の外形形状は、インデック
ス電極部の外形形状よりも大きいことが、電子ビームの
確実なる遮蔽といった観点から好ましい。シールド部の
外形形状を矩形とする場合、シールド部の外縁を電子ビ
ームが入射する方向に向かって鈍角に折り曲げておいて
もよい。
【００２１】本発明においては、インデックス電極部と
シールド部と支持体といった簡素な構造にて電子ビーム
位置検出装置を構成することができる。
シールド部と支持体といった簡素な構造にて電子ビーム
位置検出装置を構成することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、発明の実
施の形態に基づき本発明を説明する。
施の形態に基づき本発明を説明する。
【００２３】（実施の形態１）実施の形態１は、本発明
の電子ビーム位置検出装置に関する。第１の構成に係る
本発明の電子ビーム位置検出装置の模式的な平面図を図
１の（Ａ）に示し、模式的な側面図を図１の（Ｂ）に示
し、模式的な正面図を図１の（Ｃ）に示し、模式的な斜
視図を図２に示す。この電子ビーム位置検出装置１は、
電子ビーム位置検出のための開口部１１を有するインデ
ックス電極部１０と、開口部１１を通過した電子ビーム
を遮蔽するためのシールド部１４と、インデックス電極
部１０をシールド部１４に固定するための支持体１７か
ら構成されている。インデックス電極部１０には電気信
号取り出し部１３が設けられている。インデックス電極
部１０及びシールド部１４はステンレス鋼材から作製さ
れ、支持体１７はセラミックスから作製されている。イ
ンデックス電極部１０及びシールド部１４の外形形状は
長辺がライン走査方向あるいはフィールド走査方向と平
行な矩形であり、シールド部１４の外形形状は、インデ
ックス電極部１０の外形形状よりも大きい。インデック
ス電極部１０への支持体１７の取り付け、シールド部１
４への支持体１７の取り付けは、例えば、ロウ付け法に
基づき行えばよい。抵抗体を構成する抵抗器１８とし
て、抵抗値１×１０3Ωの固体抵抗器を用いる。抵抗器
１８の一端はインデックス電極部１０に溶接にて取り付
けられ、他端はシールド部１４に溶接にて取り付けられ
ている。尚、図１の（Ｂ）にのみ抵抗器１８を図示し
た。電子ビーム位置検出装置１の陰極線管内部への取り
付け、電子ビーム位置検出装置の動作については、後述
する。シールド部１４には高電圧（アノード電圧ＨV）
が印加される。
の電子ビーム位置検出装置に関する。第１の構成に係る
本発明の電子ビーム位置検出装置の模式的な平面図を図
１の（Ａ）に示し、模式的な側面図を図１の（Ｂ）に示
し、模式的な正面図を図１の（Ｃ）に示し、模式的な斜
視図を図２に示す。この電子ビーム位置検出装置１は、
電子ビーム位置検出のための開口部１１を有するインデ
ックス電極部１０と、開口部１１を通過した電子ビーム
を遮蔽するためのシールド部１４と、インデックス電極
部１０をシールド部１４に固定するための支持体１７か
ら構成されている。インデックス電極部１０には電気信
号取り出し部１３が設けられている。インデックス電極
部１０及びシールド部１４はステンレス鋼材から作製さ
れ、支持体１７はセラミックスから作製されている。イ
ンデックス電極部１０及びシールド部１４の外形形状は
長辺がライン走査方向あるいはフィールド走査方向と平
行な矩形であり、シールド部１４の外形形状は、インデ
ックス電極部１０の外形形状よりも大きい。インデック
ス電極部１０への支持体１７の取り付け、シールド部１
４への支持体１７の取り付けは、例えば、ロウ付け法に
基づき行えばよい。抵抗体を構成する抵抗器１８とし
て、抵抗値１×１０3Ωの固体抵抗器を用いる。抵抗器
１８の一端はインデックス電極部１０に溶接にて取り付
けられ、他端はシールド部１４に溶接にて取り付けられ
ている。尚、図１の（Ｂ）にのみ抵抗器１８を図示し
た。電子ビーム位置検出装置１の陰極線管内部への取り
付け、電子ビーム位置検出装置の動作については、後述
する。シールド部１４には高電圧（アノード電圧ＨV）
が印加される。
【００２４】図１の（Ａ）に示すように、インデックス
電極部１０には、ライン走査方向あるいはフィールド走
査方向に対して斜め方向に形成された帯状の開口部１１
が、複数設けられている。更には、インデックス電極部
１０には、浮遊容量減少のために、また、インデックス
電極部に入射する電子ビームの測定基準点としても機能
する、第２の開口部１２が設けられている。第２の開口
部１２の外形形状は矩形であり、その長辺はフィールド
走査方向あるいはフィールド走査方向と平行である。
電極部１０には、ライン走査方向あるいはフィールド走
査方向に対して斜め方向に形成された帯状の開口部１１
が、複数設けられている。更には、インデックス電極部
１０には、浮遊容量減少のために、また、インデックス
電極部に入射する電子ビームの測定基準点としても機能
する、第２の開口部１２が設けられている。第２の開口
部１２の外形形状は矩形であり、その長辺はフィールド
走査方向あるいはフィールド走査方向と平行である。
【００２５】図１及び図２に示した電子ビーム位置検出
装置の変形例を図３の（Ａ）、（Ｂ）に示す。図３の
（Ａ）に模式的な部分的斜視図を示す変形例において
は、インデックス電極部１０の端部が略「Ｌ」字形に折
り曲げられ、インデックス電極部１０の端部１０Ａは、
絶縁材料から成る支持体１７及びビス１９によってシー
ルド部１４に固定されている。あるいは又、インデック
ス電極部１０、シールド部１４及び支持体１７に貫通孔
を開け、金属製のピンを貫通孔に挿入して、ピンをかし
めればよい。図３の（Ｂ）に模式的な正面図を示す変形
例においては、図１及び図２に示した電子ビーム位置検
出装置の長手方向の２辺を含むシールド部の外縁１５が
電子ビームが入射する方向に向かって鈍角に折り曲げら
れている。
装置の変形例を図３の（Ａ）、（Ｂ）に示す。図３の
（Ａ）に模式的な部分的斜視図を示す変形例において
は、インデックス電極部１０の端部が略「Ｌ」字形に折
り曲げられ、インデックス電極部１０の端部１０Ａは、
絶縁材料から成る支持体１７及びビス１９によってシー
ルド部１４に固定されている。あるいは又、インデック
ス電極部１０、シールド部１４及び支持体１７に貫通孔
を開け、金属製のピンを貫通孔に挿入して、ピンをかし
めればよい。図３の（Ｂ）に模式的な正面図を示す変形
例においては、図１及び図２に示した電子ビーム位置検
出装置の長手方向の２辺を含むシールド部の外縁１５が
電子ビームが入射する方向に向かって鈍角に折り曲げら
れている。
【００２６】尚、以上に説明した電子ビーム位置検出装
置において、支持体１７を、例えばセラミックスから作
製された、抵抗体として機能する支持体と交換すれば、
抵抗器１８が不要となり、本発明の第２の構成に係る電
子ビーム位置検出装置を得ることができる。
置において、支持体１７を、例えばセラミックスから作
製された、抵抗体として機能する支持体と交換すれば、
抵抗器１８が不要となり、本発明の第２の構成に係る電
子ビーム位置検出装置を得ることができる。
【００２７】本発明の第３の構成に係る本発明の電子ビ
ーム位置検出装置の模式的な平面図を図４の（Ａ）に示
し、模式的な側面図を図４の（Ｂ）に示し、模式的な正
面図を図４の（Ｃ）に示し、模式的な斜視図を図５に示
す。この電子ビーム位置検出装置１Ａも、電子ビーム位
置検出のための開口部１１を有するインデックス電極部
１０と、開口部１１を通過した電子ビームを遮蔽するた
めのシールド部１４と、インデックス電極部１０をシー
ルド部１４に固定するための支持体１７から構成されて
いる。第１の構成あるいは第２の構成と異なり、この電
子ビーム位置検出装置１Ａにおいては、シールド部１４
に電気信号取り出し部１６が設けられている。そして、
インデックス電極部１０に高電圧（アノード電圧ＨV）
が印加される。その他の構造は、本発明の第１の構成に
係る本発明の電子ビーム位置検出装置と同様とすること
ができる。
ーム位置検出装置の模式的な平面図を図４の（Ａ）に示
し、模式的な側面図を図４の（Ｂ）に示し、模式的な正
面図を図４の（Ｃ）に示し、模式的な斜視図を図５に示
す。この電子ビーム位置検出装置１Ａも、電子ビーム位
置検出のための開口部１１を有するインデックス電極部
１０と、開口部１１を通過した電子ビームを遮蔽するた
めのシールド部１４と、インデックス電極部１０をシー
ルド部１４に固定するための支持体１７から構成されて
いる。第１の構成あるいは第２の構成と異なり、この電
子ビーム位置検出装置１Ａにおいては、シールド部１４
に電気信号取り出し部１６が設けられている。そして、
インデックス電極部１０に高電圧（アノード電圧ＨV）
が印加される。その他の構造は、本発明の第１の構成に
係る本発明の電子ビーム位置検出装置と同様とすること
ができる。
【００２８】尚、図４及び図５に示した電子ビーム位置
検出装置１Ａを、図３の（Ａ）に示したと同様に変形す
ることができる。即ち、インデックス電極部１０の端部
が略「Ｌ」字形に折り曲げられ、インデックス電極部１
０の端部が、絶縁材料から成る支持体１７及びビス１
９、あるいは金属製のピンによってシールド部１４に固
定されている構造とすることができる。あるいは又、図
３の（Ｃ）に示した変形例と同様に、電子ビーム位置検
出装置の長手方向の２辺を含むシールド部の外縁が電子
ビームが入射する方向に向かって鈍角に折り曲げられて
いる構造とすることもできる。
検出装置１Ａを、図３の（Ａ）に示したと同様に変形す
ることができる。即ち、インデックス電極部１０の端部
が略「Ｌ」字形に折り曲げられ、インデックス電極部１
０の端部が、絶縁材料から成る支持体１７及びビス１
９、あるいは金属製のピンによってシールド部１４に固
定されている構造とすることができる。あるいは又、図
３の（Ｃ）に示した変形例と同様に、電子ビーム位置検
出装置の長手方向の２辺を含むシールド部の外縁が電子
ビームが入射する方向に向かって鈍角に折り曲げられて
いる構造とすることもできる。
【００２９】図４及び図５に示した電子ビーム位置検出
装置において、支持体１７を、例えばセラミックスから
作製された、抵抗体として機能する支持体と交換すれ
ば、抵抗器１８が不要となり、本発明の第４の構成に係
る電子ビーム位置検出装置を得ることができる。
装置において、支持体１７を、例えばセラミックスから
作製された、抵抗体として機能する支持体と交換すれ
ば、抵抗器１８が不要となり、本発明の第４の構成に係
る電子ビーム位置検出装置を得ることができる。
【００３０】図６の（Ａ）〜（Ｃ）、図７の（Ａ）〜
（Ｃ）に、開口部１１の形状の変形例を示す。図６の
（Ａ）に示す開口部１１の形状は、逆二等辺三角形状で
ある。図６の（Ｂ）に示す例では、開口部１１の形状
は、略直角三角形状であり、斜辺ではない一辺がインデ
ックス電極部１０の長手方向と平行であり、斜辺ではな
い他辺がインデックス電極部１０の短手方向と平行であ
る。図６の（Ｃ）、図７の（Ａ）及び図７の（Ｂ）に示
す開口部１１においては、それぞれ、その形状が、菱
形、円形及び楕円形状である。図６の（Ｃ）、図７の
（Ａ）及び図７の（Ｂ）に示す例では、個々の開口部１
１の形状が、インデックス電極部１０の長手方向、ある
いは短手方向に対して対称な形状となっているため、電
子ビームの位置情報を得るためには、１つの開口部１１
に対して複数本（例えば、３本）の電子ビームを通過さ
せる必要がある。図７の（Ｃ）には、図６の（Ａ）に示
した開口部１１に加えて、管内に発生する浮遊容量を低
減するために、また、インデックス電極部に入射する電
子ビームの測定基準点としても機能する第２の開口部１
２が設けられている。第２の開口部１２は、位置検出に
使用しないインデックス電極部１０の領域に設けられて
いる。第２の開口部１２を設けることによって、電極が
アノード電圧ＨVが保たれている内部導電膜（後述す
る）及びシールド部１４等とインデックス電極部１０と
によって生じる浮遊容量を減少させ、検出信号の高周波
特性を改善させることができる。
（Ｃ）に、開口部１１の形状の変形例を示す。図６の
（Ａ）に示す開口部１１の形状は、逆二等辺三角形状で
ある。図６の（Ｂ）に示す例では、開口部１１の形状
は、略直角三角形状であり、斜辺ではない一辺がインデ
ックス電極部１０の長手方向と平行であり、斜辺ではな
い他辺がインデックス電極部１０の短手方向と平行であ
る。図６の（Ｃ）、図７の（Ａ）及び図７の（Ｂ）に示
す開口部１１においては、それぞれ、その形状が、菱
形、円形及び楕円形状である。図６の（Ｃ）、図７の
（Ａ）及び図７の（Ｂ）に示す例では、個々の開口部１
１の形状が、インデックス電極部１０の長手方向、ある
いは短手方向に対して対称な形状となっているため、電
子ビームの位置情報を得るためには、１つの開口部１１
に対して複数本（例えば、３本）の電子ビームを通過さ
せる必要がある。図７の（Ｃ）には、図６の（Ａ）に示
した開口部１１に加えて、管内に発生する浮遊容量を低
減するために、また、インデックス電極部に入射する電
子ビームの測定基準点としても機能する第２の開口部１
２が設けられている。第２の開口部１２は、位置検出に
使用しないインデックス電極部１０の領域に設けられて
いる。第２の開口部１２を設けることによって、電極が
アノード電圧ＨVが保たれている内部導電膜（後述す
る）及びシールド部１４等とインデックス電極部１０と
によって生じる浮遊容量を減少させ、検出信号の高周波
特性を改善させることができる。
【００３１】図１〜図７では、１つのインデックス電極
部１０に４つあるいは５つの開口部１１を設けた例につ
いて示したが、インデックス電極部１０に設ける開口部
１１の個数は、これらに限定するものではなく、これよ
りも多い数又は少ない数とすることができる。但し、画
像の歪みがより複雑で高次の成分を含むときには、開口
部１１の個数を増やして、検出精度を高めることが必要
になると考えられる。また、複数の開口部１１の間隔
は、必ずしも等間隔でなくともよい。
部１０に４つあるいは５つの開口部１１を設けた例につ
いて示したが、インデックス電極部１０に設ける開口部
１１の個数は、これらに限定するものではなく、これよ
りも多い数又は少ない数とすることができる。但し、画
像の歪みがより複雑で高次の成分を含むときには、開口
部１１の個数を増やして、検出精度を高めることが必要
になると考えられる。また、複数の開口部１１の間隔
は、必ずしも等間隔でなくともよい。
【００３２】（実施の形態２）実施の形態２は、本発明
の電子ビーム位置検出装置（より具体的には、図１に示
した本発明の第１の構成に係る電子ビーム位置検出装置
１）を組み込んだ、単一の電子銃を備えた陰極線管に関
する。
の電子ビーム位置検出装置（より具体的には、図１に示
した本発明の第１の構成に係る電子ビーム位置検出装置
１）を組み込んだ、単一の電子銃を備えた陰極線管に関
する。
【００３３】実施の形態２の陰極線管の概略を図８に示
す。図８の（Ｂ）は陰極線管の正面図であり、図８の
（Ａ）は、図８の（Ｂ）における線Ａ−Ａに沿った模式
的な構成図である。実施の形態２の陰極線管は、管内内
側に蛍光体面２１が形成されたパネル部２０と、このパ
ネル部２０に一体化されたファンネル部３０とを備えて
いる。ファンネル部３０の後端部には電子銃４１を内蔵
した細長い形状のネック部４０が取り付けられている。
実施の形態２の陰極線管にあっては、パネル部２０、フ
ァンネル部３０及びネック部４０により、全体的に１つ
の漏斗形状の外観が形成される。以下、陰極線管を形作
る全体的な形状部分を外囲器と呼ぶ。パネル部２０及び
ファンネル部３０は各々の開口部同士が互いに融着され
ており、内部は高真空状態を維持することが可能になっ
ている。蛍光体面２１には、蛍光体層から成る、例えば
縞状のパターン（図示せず）が形成されている。
す。図８の（Ｂ）は陰極線管の正面図であり、図８の
（Ａ）は、図８の（Ｂ）における線Ａ−Ａに沿った模式
的な構成図である。実施の形態２の陰極線管は、管内内
側に蛍光体面２１が形成されたパネル部２０と、このパ
ネル部２０に一体化されたファンネル部３０とを備えて
いる。ファンネル部３０の後端部には電子銃４１を内蔵
した細長い形状のネック部４０が取り付けられている。
実施の形態２の陰極線管にあっては、パネル部２０、フ
ァンネル部３０及びネック部４０により、全体的に１つ
の漏斗形状の外観が形成される。以下、陰極線管を形作
る全体的な形状部分を外囲器と呼ぶ。パネル部２０及び
ファンネル部３０は各々の開口部同士が互いに融着され
ており、内部は高真空状態を維持することが可能になっ
ている。蛍光体面２１には、蛍光体層から成る、例えば
縞状のパターン（図示せず）が形成されている。
【００３４】陰極線管の内部には、蛍光体面２１に対向
するように、金属製の薄板から成る色選別機構２２が配
置されている。色選別機構２２は、方式の違いによりア
パーチャグリル方式、シャドウマスク方式があるが、い
ずれの方式の色選別機構をも使用可能である。色選別機
構２２の外周はフレーム２３によって支持されており、
フレーム２３は、支持ばね（図示せず）によってパネル
部２０の内面に取り付けられている。
するように、金属製の薄板から成る色選別機構２２が配
置されている。色選別機構２２は、方式の違いによりア
パーチャグリル方式、シャドウマスク方式があるが、い
ずれの方式の色選別機構をも使用可能である。色選別機
構２２の外周はフレーム２３によって支持されており、
フレーム２３は、支持ばね（図示せず）によってパネル
部２０の内面に取り付けられている。
【００３５】ファンネル部３０には、アノード電圧ＨV
を加えるためのアノード部（図示せず）が設けられてい
る。ファンネル部３０からネック部４０にかけての外周
部分には、それぞれ、電子銃４１から射出された各電子
ビームＥＢを偏向させるための偏向ヨーク３１と、電子
銃４１から射出された３原色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）用の電子ビ
ームのコンバーゼンス（集中）を行うためのコンバーゼ
ンスヨーク４２が取り付けられている。ネック部４０か
らパネル部２０の蛍光体面２１に至る内周面は、導電性
の内部導電膜３２によって覆われている。内部導電膜３
２は、アノード部に電気的に接続されており、アノード
電圧ＨVに保たれている。また、ファンネル部３０の外
周面は、導電性の外部導電膜（図示せず）によって覆わ
れている。
を加えるためのアノード部（図示せず）が設けられてい
る。ファンネル部３０からネック部４０にかけての外周
部分には、それぞれ、電子銃４１から射出された各電子
ビームＥＢを偏向させるための偏向ヨーク３１と、電子
銃４１から射出された３原色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）用の電子ビ
ームのコンバーゼンス（集中）を行うためのコンバーゼ
ンスヨーク４２が取り付けられている。ネック部４０か
らパネル部２０の蛍光体面２１に至る内周面は、導電性
の内部導電膜３２によって覆われている。内部導電膜３
２は、アノード部に電気的に接続されており、アノード
電圧ＨVに保たれている。また、ファンネル部３０の外
周面は、導電性の外部導電膜（図示せず）によって覆わ
れている。
【００３６】電子銃４１は、図示しないが、赤（Ｒ）、
緑（Ｇ）及び青（Ｂ）用の３本のカソード（熱陰極）を
備えた熱陰極構体の前部に複数の電極（グリッド）を配
列した構成を有しており、各電極においてカソードから
放射された電子ビームＥＢの制御や加速を行う。電子銃
４１から射出された３原色用の各電子ビームは、それぞ
れ色選別機構２２等を通過して蛍光体面２１の対応する
色の蛍光体層に衝突し、蛍光体層を発光させる。
緑（Ｇ）及び青（Ｂ）用の３本のカソード（熱陰極）を
備えた熱陰極構体の前部に複数の電極（グリッド）を配
列した構成を有しており、各電極においてカソードから
放射された電子ビームＥＢの制御や加速を行う。電子銃
４１から射出された３原色用の各電子ビームは、それぞ
れ色選別機構２２等を通過して蛍光体面２１の対応する
色の蛍光体層に衝突し、蛍光体層を発光させる。
【００３７】実施の形態２の陰極線管においては、電子
銃４１からの電子ビームＥＢの掃引方向（ライン走査方
向）を、水平方向、左から右（図８のＸ方向）に向かう
方向とし、電子ビームＥＢの掃引方向と直角の方向（フ
ィールド走査方向）を、垂直方向、上から下に向かう方
向（図８のＹ方向）とする。
銃４１からの電子ビームＥＢの掃引方向（ライン走査方
向）を、水平方向、左から右（図８のＸ方向）に向かう
方向とし、電子ビームＥＢの掃引方向と直角の方向（フ
ィールド走査方向）を、垂直方向、上から下に向かう方
向（図８のＹ方向）とする。
【００３８】実施の形態２の陰極線管の管内において、
電子ビームＥＢの過走査領域（オーバ・スキャン領域）
には、図１及び図２に示した電子ビーム位置検出装置１
が、蛍光体面２１に対向する位置であって、正面から見
たとき陰極線管の左端部に設けられている。尚、インデ
ックス電極部１０が電子銃側に位置し、シールド部１４
が蛍光体面側に位置する。電子ビーム位置検出装置１に
は、シールド部１４が備えられているので、過走査領域
を過走査した電子ビームＥＢが蛍光体面２１に到達して
不用意に蛍光体層を発光させることはない。尚、過走査
領域とは、電子ビームＥＢの走査領域において、有効画
面を形成する電子ビームＥＢの走査領域の外側の領域を
指す。シールド部１４は、例えば、色選別機構２２を支
持するフレーム２３に取り付けられている。尚、インデ
ックス電極部１０の短手方向はライン走査方向（Ｘ方
向）と一致しており、長手方向はフィールド走査方向
（Ｙ方向）と一致している。シールド部１４（より具体
的には、シールド部１４に溶接にて取り付けられた抵抗
器１８の他端）は、フレーム２３を介して内部導電膜３
２に電気的に接続されており、アノード電圧ＨVとなっ
ている。
電子ビームＥＢの過走査領域（オーバ・スキャン領域）
には、図１及び図２に示した電子ビーム位置検出装置１
が、蛍光体面２１に対向する位置であって、正面から見
たとき陰極線管の左端部に設けられている。尚、インデ
ックス電極部１０が電子銃側に位置し、シールド部１４
が蛍光体面側に位置する。電子ビーム位置検出装置１に
は、シールド部１４が備えられているので、過走査領域
を過走査した電子ビームＥＢが蛍光体面２１に到達して
不用意に蛍光体層を発光させることはない。尚、過走査
領域とは、電子ビームＥＢの走査領域において、有効画
面を形成する電子ビームＥＢの走査領域の外側の領域を
指す。シールド部１４は、例えば、色選別機構２２を支
持するフレーム２３に取り付けられている。尚、インデ
ックス電極部１０の短手方向はライン走査方向（Ｘ方
向）と一致しており、長手方向はフィールド走査方向
（Ｙ方向）と一致している。シールド部１４（より具体
的には、シールド部１４に溶接にて取り付けられた抵抗
器１８の他端）は、フレーム２３を介して内部導電膜３
２に電気的に接続されており、アノード電圧ＨVとなっ
ている。
【００３９】インデックス電極部１０には、例えば、図
６の（Ａ）に示したように、長手方向に逆二等辺三角形
状の開口部１１が等間隔に複数設けられている。このイ
ンデックス電極部１０は、電子ビームＥＢの入射に応じ
た電気信号（検出信号）を出力する。具体的には、イン
デックス電極部１０に設けられた電気信号取り出し部１
３にはスプリング（図示せず）が取り付けられ、陰極線
管を構成する外囲器の一部（具体的には、ファンネル部
３０の一部）を利用したキャパシタ５０の管内側の電極
５１にスプリングの一端が接触している。キャパシタ５
０は、部分的に（例えば、円形状に）内部導電膜３２及
び外部導電膜によって被覆されていない領域をファンネ
ル部３０に設け、この領域の更に内部領域に、例えば、
円形状の電極５１，５２をファンネル部３０を介して対
向配置することによって形成することができる。
６の（Ａ）に示したように、長手方向に逆二等辺三角形
状の開口部１１が等間隔に複数設けられている。このイ
ンデックス電極部１０は、電子ビームＥＢの入射に応じ
た電気信号（検出信号）を出力する。具体的には、イン
デックス電極部１０に設けられた電気信号取り出し部１
３にはスプリング（図示せず）が取り付けられ、陰極線
管を構成する外囲器の一部（具体的には、ファンネル部
３０の一部）を利用したキャパシタ５０の管内側の電極
５１にスプリングの一端が接触している。キャパシタ５
０は、部分的に（例えば、円形状に）内部導電膜３２及
び外部導電膜によって被覆されていない領域をファンネ
ル部３０に設け、この領域の更に内部領域に、例えば、
円形状の電極５１，５２をファンネル部３０を介して対
向配置することによって形成することができる。
【００４０】インデックス電極部１０からキャパシタ５
０を介して出力された電気信号（検出信号）は、陰極線
管の外部（以下、単に管外と呼ぶ場合がある）の画像補
正用の処理回路に入力され、主として、電子ビームＥＢ
における走査位置の制御に利用される。尚、インデック
ス電極部１０を用いた電子ビームＥＢの走査位置の検出
動作については、後に図１２を参照して詳述する。
０を介して出力された電気信号（検出信号）は、陰極線
管の外部（以下、単に管外と呼ぶ場合がある）の画像補
正用の処理回路に入力され、主として、電子ビームＥＢ
における走査位置の制御に利用される。尚、インデック
ス電極部１０を用いた電子ビームＥＢの走査位置の検出
動作については、後に図１２を参照して詳述する。
【００４１】電子ビーム位置検出装置１等によって形成
される回路の等価回路を図９に示す。キャパシタ５０
（図９では符号Ｃfで示す）を構成する管外側の電極５
２は、信号増幅用の増幅器ＡＭＰに接続されている。キ
ャパシタ５０の電極５２とアンプＡＭＰとの間には、ア
ンプＡＭＰの入力抵抗Ｒi及び入力容量Ｃiが接続されて
いる。入力抵抗Ｒi及び入力容量Ｃiの一端は、接地され
ている。尚、管内において、インデックス電極部１０
と、アノード電圧ＨVに保たれたシールド部１４及び内
部導電膜３２等との間には、浮遊容量Ｃsが存在する。
図９に示す等価回路図においては、インデックス電極部
１０に入射する電子ビームＥＢを、完全な電流源ＩBと
して表している。尚、インデックス電極部１０に入射す
る電子ビームＥＢの電流値が一定となるように制御す
る。図９に示した等価回路図では、電流源ＩB、抵抗Ｒ
（抵抗器１８）、浮遊容量Ｃs、入力抵抗Ｒi及び入力容
量Ｃiがこの順番で並列接続されると共に、浮遊容量Ｃs
と入力抵抗Ｒiとの間にキャパシタ５０（Ｃf）が接続さ
れた構成となっている。キャパシタ５０（Ｃf）のプラ
ス側の電極は、電流源ＩB、抵抗Ｒ（抵抗器１８）、及
び浮遊容量Ｃsのプラス側に接続されている。キャパシ
タ５０（Ｃf）のマイナス側の電極は、入力抵抗Ｒi及び
入力容量Ｃiのプラス側に接続されていると共に、アン
プＡＭＰに接続されている。
される回路の等価回路を図９に示す。キャパシタ５０
（図９では符号Ｃfで示す）を構成する管外側の電極５
２は、信号増幅用の増幅器ＡＭＰに接続されている。キ
ャパシタ５０の電極５２とアンプＡＭＰとの間には、ア
ンプＡＭＰの入力抵抗Ｒi及び入力容量Ｃiが接続されて
いる。入力抵抗Ｒi及び入力容量Ｃiの一端は、接地され
ている。尚、管内において、インデックス電極部１０
と、アノード電圧ＨVに保たれたシールド部１４及び内
部導電膜３２等との間には、浮遊容量Ｃsが存在する。
図９に示す等価回路図においては、インデックス電極部
１０に入射する電子ビームＥＢを、完全な電流源ＩBと
して表している。尚、インデックス電極部１０に入射す
る電子ビームＥＢの電流値が一定となるように制御す
る。図９に示した等価回路図では、電流源ＩB、抵抗Ｒ
（抵抗器１８）、浮遊容量Ｃs、入力抵抗Ｒi及び入力容
量Ｃiがこの順番で並列接続されると共に、浮遊容量Ｃs
と入力抵抗Ｒiとの間にキャパシタ５０（Ｃf）が接続さ
れた構成となっている。キャパシタ５０（Ｃf）のプラ
ス側の電極は、電流源ＩB、抵抗Ｒ（抵抗器１８）、及
び浮遊容量Ｃsのプラス側に接続されている。キャパシ
タ５０（Ｃf）のマイナス側の電極は、入力抵抗Ｒi及び
入力容量Ｃiのプラス側に接続されていると共に、アン
プＡＭＰに接続されている。
【００４２】過走査した電子ビームＥＢがインデックス
電極部１０に入射して衝突すると、インデックス電極部
１０の電位が、アノード電圧ＨVからＩB×Ｒ（ボルト）
だけ電圧降下する。実施の形態２においては、この電圧
降下した信号が、電気信号（検出信号）としてキャパシ
タ５０を経由して管外に導かれる。尚、ＩBは、電子ビ
ームＥＢの流れによって生ずる電流値である。ところ
で、陰極線管は、電子ビームＥＢを走査して機能させる
ものであり、実施の形態２においては、管内の特定部位
に設置したインデックス電極部１０に電子ビームが入射
することによって発生する信号は間欠的な信号である。
従って、インデックス電極部１０からの検出信号につい
ては、直流結合で信号の伝送を行う必要はなく、キャパ
シタ５０経由の交流結合による伝送路で信号を導出し、
管外の画像補正用の処理回路に供給することができる。
電極部１０に入射して衝突すると、インデックス電極部
１０の電位が、アノード電圧ＨVからＩB×Ｒ（ボルト）
だけ電圧降下する。実施の形態２においては、この電圧
降下した信号が、電気信号（検出信号）としてキャパシ
タ５０を経由して管外に導かれる。尚、ＩBは、電子ビ
ームＥＢの流れによって生ずる電流値である。ところ
で、陰極線管は、電子ビームＥＢを走査して機能させる
ものであり、実施の形態２においては、管内の特定部位
に設置したインデックス電極部１０に電子ビームが入射
することによって発生する信号は間欠的な信号である。
従って、インデックス電極部１０からの検出信号につい
ては、直流結合で信号の伝送を行う必要はなく、キャパ
シタ５０経由の交流結合による伝送路で信号を導出し、
管外の画像補正用の処理回路に供給することができる。
【００４３】ここで、キャパシタ５０の静電容量につい
て検討してみる。キャパシタ５０は、その誘電体とし
て、陰極線管を形作る外囲器の１つであるファンネル部
３０を構成するガラス材料を用いている。ファンネル部
３０に用いられているガラス材料の比誘電率εは、通
常、６前後である。キャパシタ５０を構成する誘電体と
してのガラスの厚さを５ｍｍ、電極５１，５２の各々の
面積を４ｃｍ2とすると、真空の誘電率ε0は８．８５×
１０-12［Ｃ／Ｖｍ］であるから、Ｃ＝ε・ε0Ｓ／ｄよ
り、キャパシタ５０（Ｃf）の静電容量は４．２５ｐＦ
となる。後述するようにこの程度の小容量でも、管外の
画像補正用の処理回路で処理するのには充分である。
て検討してみる。キャパシタ５０は、その誘電体とし
て、陰極線管を形作る外囲器の１つであるファンネル部
３０を構成するガラス材料を用いている。ファンネル部
３０に用いられているガラス材料の比誘電率εは、通
常、６前後である。キャパシタ５０を構成する誘電体と
してのガラスの厚さを５ｍｍ、電極５１，５２の各々の
面積を４ｃｍ2とすると、真空の誘電率ε0は８．８５×
１０-12［Ｃ／Ｖｍ］であるから、Ｃ＝ε・ε0Ｓ／ｄよ
り、キャパシタ５０（Ｃf）の静電容量は４．２５ｐＦ
となる。後述するようにこの程度の小容量でも、管外の
画像補正用の処理回路で処理するのには充分である。
【００４４】次に、図１０を参照して、インデックス電
極部１０からの検出信号の信号経路における回路の特性
について説明する。図１０は、図９に示した等価回路の
周波数特性を示す特性図である。図１０において、縦軸
はゲイン（ｄＢ）を示し、横軸は周波数（Ｈｚ）を示
す。図１０の特性図は、図９に示した等価回路における
各回路素子において、具体的な特性値として、抵抗Ｒ
（抵抗器１８）の抵抗値を１ｋΩ、浮遊容量Ｃsの容量
値を１０ｐＦ、キャパシタ５０（Ｃf）の容量値を５ｐ
Ｆ、入力抵抗Ｒiの抵抗値を１０ＭΩ、入力容量Ｃiの容
量値を１ｐＦとした場合に得られた周波数特性である。
図１０に示す特性図から、以下のことが明らかである。
先ず、インデックス電極部１０に発生する信号電圧ＶIN
（図１０では、実線及び四角印で表す）は、数ＭＨｚ以
上の高周波数帯域で減衰し始めるが、これは容量Ｃsに
よるシャント効果による。次に、アンプＡＭＰに入力さ
れる出力電圧ＶOUT（図１０では、点線及び丸印で表
す）の低域特性は、キャパシタ５０（Ｃf）と入力抵抗
Ｒiで構成されるハイパスフィルタの遮断周波数に支配
されている。また中域（１０ｋＨｚ）以上では、出力電
圧ＶOUTとインデックス電極部１０に発生する信号電圧
ＶINの比は、キャパシタ５０（Ｃf）と入力容量Ｃiによ
る分圧比に支配されている。この具体例では、数ｋＨｚ
から１０ＭＨｚ位までは、ほぼ平坦な周波数特性で信号
検出が可能であるといえる。通常の陰極線管における走
査周波数は、数ｋＨｚから数１００ｋＨｚの範囲にある
ので、信号検出用の回路としてはこの周波数特性で充分
である。
極部１０からの検出信号の信号経路における回路の特性
について説明する。図１０は、図９に示した等価回路の
周波数特性を示す特性図である。図１０において、縦軸
はゲイン（ｄＢ）を示し、横軸は周波数（Ｈｚ）を示
す。図１０の特性図は、図９に示した等価回路における
各回路素子において、具体的な特性値として、抵抗Ｒ
（抵抗器１８）の抵抗値を１ｋΩ、浮遊容量Ｃsの容量
値を１０ｐＦ、キャパシタ５０（Ｃf）の容量値を５ｐ
Ｆ、入力抵抗Ｒiの抵抗値を１０ＭΩ、入力容量Ｃiの容
量値を１ｐＦとした場合に得られた周波数特性である。
図１０に示す特性図から、以下のことが明らかである。
先ず、インデックス電極部１０に発生する信号電圧ＶIN
（図１０では、実線及び四角印で表す）は、数ＭＨｚ以
上の高周波数帯域で減衰し始めるが、これは容量Ｃsに
よるシャント効果による。次に、アンプＡＭＰに入力さ
れる出力電圧ＶOUT（図１０では、点線及び丸印で表
す）の低域特性は、キャパシタ５０（Ｃf）と入力抵抗
Ｒiで構成されるハイパスフィルタの遮断周波数に支配
されている。また中域（１０ｋＨｚ）以上では、出力電
圧ＶOUTとインデックス電極部１０に発生する信号電圧
ＶINの比は、キャパシタ５０（Ｃf）と入力容量Ｃiによ
る分圧比に支配されている。この具体例では、数ｋＨｚ
から１０ＭＨｚ位までは、ほぼ平坦な周波数特性で信号
検出が可能であるといえる。通常の陰極線管における走
査周波数は、数ｋＨｚから数１００ｋＨｚの範囲にある
ので、信号検出用の回路としてはこの周波数特性で充分
である。
【００４５】実施の形態２に係る陰極線管の信号処理回
路を示すブロック図を図１１に示す。実施の形態２に係
る陰極線管には、入力された映像信号ＳVをアナログ／
デジタル（以下、「Ａ／Ｄ」と記す）変換するＡ／Ｄ変
換器１０１と、Ａ／Ｄ変換器１０１によってＡ／Ｄ変換
された映像信号ＳVを格納するメモリ１０２と、メモリ
１０２に格納された映像信号ＳVが信号が入力され、か
かる信号をデジタル／アナログ（以下、「Ｄ／Ａ」と記
す）変換するＤ／Ａ変換器１０３と、Ｄ／Ａ変換器１０
３から出力された映像信号に対して、輝度変調を行う変
調器１０４と、変調器１０４から出力された輝度変調後
の映像信号を増幅するビデオアンプＶＡＭＰとが備えら
れている。
路を示すブロック図を図１１に示す。実施の形態２に係
る陰極線管には、入力された映像信号ＳVをアナログ／
デジタル（以下、「Ａ／Ｄ」と記す）変換するＡ／Ｄ変
換器１０１と、Ａ／Ｄ変換器１０１によってＡ／Ｄ変換
された映像信号ＳVを格納するメモリ１０２と、メモリ
１０２に格納された映像信号ＳVが信号が入力され、か
かる信号をデジタル／アナログ（以下、「Ｄ／Ａ」と記
す）変換するＤ／Ａ変換器１０３と、Ｄ／Ａ変換器１０
３から出力された映像信号に対して、輝度変調を行う変
調器１０４と、変調器１０４から出力された輝度変調後
の映像信号を増幅するビデオアンプＶＡＭＰとが備えら
れている。
【００４６】陰極線管には、更に、アンプＡＭＰから出
力されたインデックス信号Ｓ1が入力され、コンバーゼ
ンス・偏向補正信号Ｓ2を出力するインデックス信号処
理回路１０５と、同期信号ＳSに基づいて、Ａ／Ｄ変換
器１０１、メモリ１０２、Ｄ／Ａ変換器１０３及びイン
デックス信号処理回路１０５にタイミング信号を出力す
るタイミングジェネレータ１０６と、インデックス信号
処理回路１０５からのコンバーゼンス・偏向補正信号Ｓ
2に基づいてコンバーゼンスヨーク４２を制御し、更に
は、インデックス信号処理回路１０５からのコンバーゼ
ンス・偏向補正信号Ｓ2に基づいて偏向ヨーク３１を制
御するコンバーゼンス・偏向回路１０７とを備えてい
る。
力されたインデックス信号Ｓ1が入力され、コンバーゼ
ンス・偏向補正信号Ｓ2を出力するインデックス信号処
理回路１０５と、同期信号ＳSに基づいて、Ａ／Ｄ変換
器１０１、メモリ１０２、Ｄ／Ａ変換器１０３及びイン
デックス信号処理回路１０５にタイミング信号を出力す
るタイミングジェネレータ１０６と、インデックス信号
処理回路１０５からのコンバーゼンス・偏向補正信号Ｓ
2に基づいてコンバーゼンスヨーク４２を制御し、更に
は、インデックス信号処理回路１０５からのコンバーゼ
ンス・偏向補正信号Ｓ2に基づいて偏向ヨーク３１を制
御するコンバーゼンス・偏向回路１０７とを備えてい
る。
【００４７】インデックス信号Ｓ1は、インデックス電
極部１０からの電気信号（検出信号）に対応する信号で
ある。インデックス信号Ｓ1を用いた画像補正方法につ
いては後に詳述する。
極部１０からの電気信号（検出信号）に対応する信号で
ある。インデックス信号Ｓ1を用いた画像補正方法につ
いては後に詳述する。
【００４８】メモリ１０２は、例えば、ラインメモリ又
はフィールドメモリによって構成されており、入力され
た映像信号を、例えば、ライン単位又はフィールド単位
毎に格納する。メモリ１０２における信号の読み出し及
び書き込み動作は、図示しないメモリコントローラによ
って制御される。
はフィールドメモリによって構成されており、入力され
た映像信号を、例えば、ライン単位又はフィールド単位
毎に格納する。メモリ１０２における信号の読み出し及
び書き込み動作は、図示しないメモリコントローラによ
って制御される。
【００４９】次に、上記の構成の陰極線管の動作につい
て説明する。
て説明する。
【００５０】Ａ／Ｄ変換器１０１は、入力された映像信
号ＳVをＡ／Ｄ変換する。Ａ／Ｄ変換器１０１によって
ディジタル化された映像信号は、図示しないメモリコン
トローラの制御に基づいて、例えば、ライン単位又はフ
ィールド単位毎にメモリ１０２に格納される。メモリ１
０２に書き込まれた１Ｈ分（１Ｈは、１水平走査期間）
の映像信号は、図示しないメモリコントローラの制御に
よって読み出されて、Ｄ／Ａ変換器１０３に入力され
る。Ｄ／Ａ変換器１０３は、信号をアナログ信号に変換
して変調器１０４に出力する。変調器１０４は、入力さ
れた映像信号に対して、輝度変調を行った信号をビデオ
アンプＶＡＭＰに出力する。ビデオアンプＶＡＭＰに入
力された信号は、所定レベルまで増幅され、電子銃４１
の内部に配置されたカソード（図示せず）に対して、カ
ソード駆動電圧として与えられる。これにより、電子銃
４１から電子ビームＥＢが射出される。尚、実施の形態
２における陰極線管は、カラー表示用であり、実際に
は、電子銃４１には、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色用のカソードが
設けられ、電子銃４１からは、それぞれ３原色用の電子
ビームが射出される。各色用の電子ビームは、各色毎に
独立にビーム電流が制御され、輝度と色度が調整され
る。
号ＳVをＡ／Ｄ変換する。Ａ／Ｄ変換器１０１によって
ディジタル化された映像信号は、図示しないメモリコン
トローラの制御に基づいて、例えば、ライン単位又はフ
ィールド単位毎にメモリ１０２に格納される。メモリ１
０２に書き込まれた１Ｈ分（１Ｈは、１水平走査期間）
の映像信号は、図示しないメモリコントローラの制御に
よって読み出されて、Ｄ／Ａ変換器１０３に入力され
る。Ｄ／Ａ変換器１０３は、信号をアナログ信号に変換
して変調器１０４に出力する。変調器１０４は、入力さ
れた映像信号に対して、輝度変調を行った信号をビデオ
アンプＶＡＭＰに出力する。ビデオアンプＶＡＭＰに入
力された信号は、所定レベルまで増幅され、電子銃４１
の内部に配置されたカソード（図示せず）に対して、カ
ソード駆動電圧として与えられる。これにより、電子銃
４１から電子ビームＥＢが射出される。尚、実施の形態
２における陰極線管は、カラー表示用であり、実際に
は、電子銃４１には、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色用のカソードが
設けられ、電子銃４１からは、それぞれ３原色用の電子
ビームが射出される。各色用の電子ビームは、各色毎に
独立にビーム電流が制御され、輝度と色度が調整され
る。
【００５１】電子銃４１から射出された各色用の電子ビ
ームＥＢは、それぞれコンバーゼンスヨーク４２の電磁
的な作用によりコンバーゼンスが行われると共に、偏向
ヨーク３１の電磁的な作用により偏向される。これによ
って、電子ビームＥＢは蛍光体面２１の全面を走査し、
パネル部２０の表面では画面内に所望の画像が表示さ
れ、更には、過走査領域を走査する。尚、過走査領域を
走査する電子ビームＥＢとしては、３原色用の電子ビー
ムの内のいずれか１本の電子ビームとしてもよいし、３
本の電子ビーム全てとしてもよい。
ームＥＢは、それぞれコンバーゼンスヨーク４２の電磁
的な作用によりコンバーゼンスが行われると共に、偏向
ヨーク３１の電磁的な作用により偏向される。これによ
って、電子ビームＥＢは蛍光体面２１の全面を走査し、
パネル部２０の表面では画面内に所望の画像が表示さ
れ、更には、過走査領域を走査する。尚、過走査領域を
走査する電子ビームＥＢとしては、３原色用の電子ビー
ムの内のいずれか１本の電子ビームとしてもよいし、３
本の電子ビーム全てとしてもよい。
【００５２】電子ビームＥＢが、過走査領域を走査し、
インデックス電極部１０に入射すると、インデックス電
極部１０において電圧降下が生じ、この電圧降下に応じ
た電気信号が、電気信号（検出信号）としてファンネル
部３０に設けられたキャパシタ５０を経由して管外に導
かれる。そして、アンプＡＭＰからインデックス信号Ｓ
1が出力される。インデックス信号処理回路１０５は、
インデックス信号Ｓ1に基づいて、コンバーゼンス・偏
向補正信号Ｓ2を出力する。コンバーゼンス・偏向回路
１０７は、コンバーゼンス・偏向補正信号Ｓ2に基づい
て、偏向電流を出力してコンバーゼンスヨーク４２を制
御する。また、コンバーゼンス・偏向回路１０７は、コ
ンバーゼンス・偏向補正信号Ｓ2に基づいて、偏向電流
を出力して偏向ヨーク３１を制御する。
インデックス電極部１０に入射すると、インデックス電
極部１０において電圧降下が生じ、この電圧降下に応じ
た電気信号が、電気信号（検出信号）としてファンネル
部３０に設けられたキャパシタ５０を経由して管外に導
かれる。そして、アンプＡＭＰからインデックス信号Ｓ
1が出力される。インデックス信号処理回路１０５は、
インデックス信号Ｓ1に基づいて、コンバーゼンス・偏
向補正信号Ｓ2を出力する。コンバーゼンス・偏向回路
１０７は、コンバーゼンス・偏向補正信号Ｓ2に基づい
て、偏向電流を出力してコンバーゼンスヨーク４２を制
御する。また、コンバーゼンス・偏向回路１０７は、コ
ンバーゼンス・偏向補正信号Ｓ2に基づいて、偏向電流
を出力して偏向ヨーク３１を制御する。
【００５３】次に、図１２を参照してインデックス信号
Ｓ1に基づいた電子ビームの位置検出、更には、画像補
正方法についてより詳細に説明する。
Ｓ1に基づいた電子ビームの位置検出、更には、画像補
正方法についてより詳細に説明する。
【００５４】図１２には、インデックス電極部１０から
出力される検出信号に基づいたインデックス信号Ｓ1の
波形の一例を示す。インデックス電極部１０に開口部１
１が設けられているので、水平方向（ライン走査方向）
と共に垂直方向（フィールド走査方向）における電子ビ
ームＥＢの走査位置の検出が可能となる。実施の形態２
の陰極線管においては、電子ビームＥＢに関しては、ラ
イン走査が画面の左から右に行われ、フィールド走査が
上から下（図８のＹ方向）に行われる。尚、図１２にお
いては、ライン走査方向は、紙面の下から上に向かう方
向であり、フィールド走査方向は、紙面の左から右に向
かう方向である。
出力される検出信号に基づいたインデックス信号Ｓ1の
波形の一例を示す。インデックス電極部１０に開口部１
１が設けられているので、水平方向（ライン走査方向）
と共に垂直方向（フィールド走査方向）における電子ビ
ームＥＢの走査位置の検出が可能となる。実施の形態２
の陰極線管においては、電子ビームＥＢに関しては、ラ
イン走査が画面の左から右に行われ、フィールド走査が
上から下（図８のＹ方向）に行われる。尚、図１２にお
いては、ライン走査方向は、紙面の下から上に向かう方
向であり、フィールド走査方向は、紙面の左から右に向
かう方向である。
【００５５】図１２の（Ａ）において、点線で表示する
電子ビームの軌跡ＢYは、画像補正前の電子ビームＥＢ
の水平方向の走査開始点の軌跡（走査開始点軌跡と呼
ぶ）を示す。図１２の例では、画像補正前の電子ビーム
ＥＢの走査開始点軌跡ＢYが、水平方向の中央部が縮め
られると共に、水平方向の上下部が引き延ばされている
ような糸巻き型（ピンクッション型）となっている。実
施の形態２では、電子ビームＥＢの位置を検出するため
に、インデックス電極部１０が設けられた過走査領域に
おいて、水平方向（ライン走査方向）に、位置検出用の
複数の電子ビームＢ1〜Ｂ5を、少なくとも開口部１１の
数に対応した数だけ通過させる。かかる電子ビームＢ1
〜Ｂ5の強度を一定とする。以下の説明では、適正な画
像補正がなされているときには、例えば、図示した電子
ビームＢ’1〜Ｂ’5のように、複数の開口部１１のほぼ
真中に電子ビームが通過するものとして説明する。尚、
位置検出用としてインデックス電極部１０を通過させる
電子ビームの本数は、開口部１１の数と同数に限定され
るものではない。
電子ビームの軌跡ＢYは、画像補正前の電子ビームＥＢ
の水平方向の走査開始点の軌跡（走査開始点軌跡と呼
ぶ）を示す。図１２の例では、画像補正前の電子ビーム
ＥＢの走査開始点軌跡ＢYが、水平方向の中央部が縮め
られると共に、水平方向の上下部が引き延ばされている
ような糸巻き型（ピンクッション型）となっている。実
施の形態２では、電子ビームＥＢの位置を検出するため
に、インデックス電極部１０が設けられた過走査領域に
おいて、水平方向（ライン走査方向）に、位置検出用の
複数の電子ビームＢ1〜Ｂ5を、少なくとも開口部１１の
数に対応した数だけ通過させる。かかる電子ビームＢ1
〜Ｂ5の強度を一定とする。以下の説明では、適正な画
像補正がなされているときには、例えば、図示した電子
ビームＢ’1〜Ｂ’5のように、複数の開口部１１のほぼ
真中に電子ビームが通過するものとして説明する。尚、
位置検出用としてインデックス電極部１０を通過させる
電子ビームの本数は、開口部１１の数と同数に限定され
るものではない。
【００５６】位置検出用の電子ビームＢ1〜Ｂ5がインデ
ックス電極部１０に設けられた開口部１１を通過する
と、図１２の（Ｂ）に示すように、２つのパルス信号を
有する電気信号（検出信号）が出力される。２つのパル
ス信号は、開口部１１の両端部を電子ビームＢ1〜Ｂ5が
通過することによって出力される信号である。電子ビー
ムＢ1〜Ｂ5の走査開始時刻（Ｔ＝０）から、最初のパル
ス信号のエッジ部分までの時間（ＴH1〜ＴH5）は、水平
偏向の振幅と画面歪みの状況を表わしており、これらの
時間が予め決められた一定時間ＴH0になるように、電子
ビームＥＢの偏向制御を行うことで、水平偏向は完全に
補正される。
ックス電極部１０に設けられた開口部１１を通過する
と、図１２の（Ｂ）に示すように、２つのパルス信号を
有する電気信号（検出信号）が出力される。２つのパル
ス信号は、開口部１１の両端部を電子ビームＢ1〜Ｂ5が
通過することによって出力される信号である。電子ビー
ムＢ1〜Ｂ5の走査開始時刻（Ｔ＝０）から、最初のパル
ス信号のエッジ部分までの時間（ＴH1〜ＴH5）は、水平
偏向の振幅と画面歪みの状況を表わしており、これらの
時間が予め決められた一定時間ＴH0になるように、電子
ビームＥＢの偏向制御を行うことで、水平偏向は完全に
補正される。
【００５７】図１２の（Ｃ）には、水平偏向が補正され
た後に出力される検出信号を示す。上述のように、イン
デックス電極部１０において、開口部１１が設けられた
部分を電子ビームＢ1〜Ｂ5が通過すると、２つのパルス
信号が出力されるが、このとき出力されるパルス信号の
パルス間隔（ＴV1〜ＴV5）は、開口部１１に対する上下
方向（垂直方向であり、図１２においては紙面左右方
向）の位置に対応する。従って、このパルス間隔（ＴV1
〜ＴV5）が所定の時間ＴV0となるように、電子ビームＥ
Ｂの偏向制御を行い、垂直振幅と直線性を調整すること
で、垂直偏向も完全に補正することができる。
た後に出力される検出信号を示す。上述のように、イン
デックス電極部１０において、開口部１１が設けられた
部分を電子ビームＢ1〜Ｂ5が通過すると、２つのパルス
信号が出力されるが、このとき出力されるパルス信号の
パルス間隔（ＴV1〜ＴV5）は、開口部１１に対する上下
方向（垂直方向であり、図１２においては紙面左右方
向）の位置に対応する。従って、このパルス間隔（ＴV1
〜ＴV5）が所定の時間ＴV0となるように、電子ビームＥ
Ｂの偏向制御を行い、垂直振幅と直線性を調整すること
で、垂直偏向も完全に補正することができる。
【００５８】水平偏向及び垂直偏向の双方とも補正され
ると、図１２の（Ｄ）に示すように、走査開始時刻（Ｔ
＝０）から、最初のパルス信号のエッジ部分までの時間
が一定時間ＴH0で、２つのパルス間隔が所定の時間ＴV0
である検出信号が出力される。このとき、図１２の
（Ｅ）に示すように、インデックス電極部１０におい
て、複数の開口部１１のほぼ真中部分を、理想状態の電
子ビームＢ’1〜Ｂ’5が通過することになる。尚、図１
２の（Ｅ）に点線で示す軌跡Ｂ’Yは、適正な画像補正
がなされたときの電子ビームＥＢの水平方向の走査開始
点軌跡である。
ると、図１２の（Ｄ）に示すように、走査開始時刻（Ｔ
＝０）から、最初のパルス信号のエッジ部分までの時間
が一定時間ＴH0で、２つのパルス間隔が所定の時間ＴV0
である検出信号が出力される。このとき、図１２の
（Ｅ）に示すように、インデックス電極部１０におい
て、複数の開口部１１のほぼ真中部分を、理想状態の電
子ビームＢ’1〜Ｂ’5が通過することになる。尚、図１
２の（Ｅ）に点線で示す軌跡Ｂ’Yは、適正な画像補正
がなされたときの電子ビームＥＢの水平方向の走査開始
点軌跡である。
【００５９】インデックス電極部１０から出力される検
出信号のパルス間隔の解析は、実際には、インデックス
信号処理回路１０５（図１１参照）が、アンプＡＭＰを
介して取得したインデックス電極部１０からの検出信号
に相当するインデックス信号Ｓ1を解析することにより
行われる。インデックス信号処理回路１０５は、インデ
ックス信号Ｓ1の解析に基づいて、コンバーゼンス・偏
向補正信号Ｓ2を出力する。コンバーゼンス・偏向回路
１０７は、コンバーゼンス・偏向補正信号Ｓ2に基づい
て偏向ヨーク３１を制御する。これにより、電子ビーム
ＥＢの走査位置の制御が行われ、画面歪み等が補正され
るように画像補正がなされる。
出信号のパルス間隔の解析は、実際には、インデックス
信号処理回路１０５（図１１参照）が、アンプＡＭＰを
介して取得したインデックス電極部１０からの検出信号
に相当するインデックス信号Ｓ1を解析することにより
行われる。インデックス信号処理回路１０５は、インデ
ックス信号Ｓ1の解析に基づいて、コンバーゼンス・偏
向補正信号Ｓ2を出力する。コンバーゼンス・偏向回路
１０７は、コンバーゼンス・偏向補正信号Ｓ2に基づい
て偏向ヨーク３１を制御する。これにより、電子ビーム
ＥＢの走査位置の制御が行われ、画面歪み等が補正され
るように画像補正がなされる。
【００６０】実施の形態２の陰極線管は、カラー表示用
であり、調整すべき電子ビームＥＢをＲ，Ｇ，Ｂの各色
用の電子ビームとしたが、コンバーゼンス・偏向回路１
０７の制御を行い、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色毎に電子ビームの
調整を行えば、コンバーセンスの補正をも自動化でき
る。以上のような自動制御を、水平偏向走査毎に繰り返
しつつ垂直偏向走査と共に行うことで、例えば、図１２
の（Ａ）に示した走査開始点軌跡ＢYのような糸巻き型
の画面歪みの補正を自動的に行うことができる。
であり、調整すべき電子ビームＥＢをＲ，Ｇ，Ｂの各色
用の電子ビームとしたが、コンバーゼンス・偏向回路１
０７の制御を行い、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色毎に電子ビームの
調整を行えば、コンバーセンスの補正をも自動化でき
る。以上のような自動制御を、水平偏向走査毎に繰り返
しつつ垂直偏向走査と共に行うことで、例えば、図１２
の（Ａ）に示した走査開始点軌跡ＢYのような糸巻き型
の画面歪みの補正を自動的に行うことができる。
【００６１】（実施の形態３）実施の形態２では、矩形
のインデックス電極部１０及びシールド部１４の短辺
を、電子ビームＥＢのライン走査方向と一致させた。こ
れに対して、実施の形態３においては、矩形のインデッ
クス電極部１０及びシールド部１４の長辺を、電子ビー
ムＥＢのライン走査方向と一致させる。このような構成
は、図１３に陰極線管の模式的な正面図を示すように、
例えば、陰極線管の下方に電子ビーム位置検出装置１を
配置することによって得ることができる。実施の形態３
においては、図１に示した開口部１１を有する電子ビー
ム位置検出装置１を用いる。電子ビーム位置検出装置１
の配置を除き、陰極線管の構造は実施の形態２にて説明
した陰極線管の構造と同様とすることができるので、詳
細な説明は省略する。
のインデックス電極部１０及びシールド部１４の短辺
を、電子ビームＥＢのライン走査方向と一致させた。こ
れに対して、実施の形態３においては、矩形のインデッ
クス電極部１０及びシールド部１４の長辺を、電子ビー
ムＥＢのライン走査方向と一致させる。このような構成
は、図１３に陰極線管の模式的な正面図を示すように、
例えば、陰極線管の下方に電子ビーム位置検出装置１を
配置することによって得ることができる。実施の形態３
においては、図１に示した開口部１１を有する電子ビー
ム位置検出装置１を用いる。電子ビーム位置検出装置１
の配置を除き、陰極線管の構造は実施の形態２にて説明
した陰極線管の構造と同様とすることができるので、詳
細な説明は省略する。
【００６２】図１４に、かかる電子ビーム位置検出装置
の模式的な平面図、及び、インデックス電極部１０から
出力された検出信号に基づいたインデックス信号Ｓ1の
波形の一例を示す。尚、図１４において、紙面の左側が
画面の左側に相当し、紙面の右側が画面の右側に相当す
る。実施の形態３におけるインデックス電極部１０は、
その長手方向が電子ビームＥＢのライン走査方向（Ｘ方
向）に対して垂直となるように設けられた長方形状の第
２の開口部１２と、電子ビームＥＢのライン走査方向
（図１３のＸ方向）に対して斜めになるように設けられ
た細長形状の開口部１１を有している。開口部１１と第
２の開口部１２とは、交互に複数配置されている。開口
部１１は等間隔で配置されており、第２の開口部１２も
等間隔で配置されている。
の模式的な平面図、及び、インデックス電極部１０から
出力された検出信号に基づいたインデックス信号Ｓ1の
波形の一例を示す。尚、図１４において、紙面の左側が
画面の左側に相当し、紙面の右側が画面の右側に相当す
る。実施の形態３におけるインデックス電極部１０は、
その長手方向が電子ビームＥＢのライン走査方向（Ｘ方
向）に対して垂直となるように設けられた長方形状の第
２の開口部１２と、電子ビームＥＢのライン走査方向
（図１３のＸ方向）に対して斜めになるように設けられ
た細長形状の開口部１１を有している。開口部１１と第
２の開口部１２とは、交互に複数配置されている。開口
部１１は等間隔で配置されており、第２の開口部１２も
等間隔で配置されている。
【００６３】インデックス電極部１０において、図１４
の（Ａ）に示すように、ライン走査方向に位置検出用の
２つの電子ビームＥＢ1，ＥＢ2が通過したとすると、そ
れぞれ、図１４の（Ｂ）及び（Ｃ）に示す検出信号が出
力される。図１４の（Ｂ）及び（Ｃ）において、両端部
に示した期間ＴT，ＴBに基づき電子ビームＥＢのライン
走査の振幅と位置を検出することができる。また、電子
ビームＥＢが、第２の開口部１２を通過し、次の第２の
開口部１２を通過するまでに要する期間Ｔ1，Ｔ2，
Ｔ3，Ｔ4の不揃いは、電子ビームのライン走査の直線性
の良否を表わしている。更には、電子ビームＥＢ1が開
口部１１を通過するときに発生するパルス信号（図１４
の（Ｂ）においてパルスＰ11〜Ｐ14で示す）、及び、電
子ビームＥＢ2が開口部１１を通過するときに発生する
パルス信号（図１４の（Ｃ）においてパルスＰ21〜Ｐ24
で示す）の位置は、フィールド走査の振幅の情報を表わ
している。
の（Ａ）に示すように、ライン走査方向に位置検出用の
２つの電子ビームＥＢ1，ＥＢ2が通過したとすると、そ
れぞれ、図１４の（Ｂ）及び（Ｃ）に示す検出信号が出
力される。図１４の（Ｂ）及び（Ｃ）において、両端部
に示した期間ＴT，ＴBに基づき電子ビームＥＢのライン
走査の振幅と位置を検出することができる。また、電子
ビームＥＢが、第２の開口部１２を通過し、次の第２の
開口部１２を通過するまでに要する期間Ｔ1，Ｔ2，
Ｔ3，Ｔ4の不揃いは、電子ビームのライン走査の直線性
の良否を表わしている。更には、電子ビームＥＢ1が開
口部１１を通過するときに発生するパルス信号（図１４
の（Ｂ）においてパルスＰ11〜Ｐ14で示す）、及び、電
子ビームＥＢ2が開口部１１を通過するときに発生する
パルス信号（図１４の（Ｃ）においてパルスＰ21〜Ｐ24
で示す）の位置は、フィールド走査の振幅の情報を表わ
している。
【００６４】図１４の（Ｄ）に示すように、糸巻き型の
画面歪みがある電子ビームＥＢ3（点線で示す）が通過
したときにインデックス電極部１０から出力される検出
信号（電子ビームＥＢ3が開口部１１を通過するときに
発生するパルス信号であり、パルスＰ31〜Ｐ34で示す）
を、図１４の（Ｅ）に示す。また、インデックス電極部
１０の長手方向のほぼ中心部分を通過する電子ビームＥ
Ｂ4があったときにインデックス電極部１０から出力さ
れる検出信号（電子ビームＥＢ4が開口部１１を通過す
るときに発生するパルス信号であり、パルスＰ41〜Ｐ44
で示す）を、図１４の（Ｆ）に示す。更には、樽型の画
面歪みがある電子ビームＥＢ5（一点鎖線で示す）が通
過したときにインデックス電極部１０から出力される検
出信号（電子ビームＥＢ5が開口部１１を通過するとき
に発生するパルス信号であり、パルスＰ51〜Ｐ54で示
す）を、図１４の（Ｇ）に示す。図１４の（Ｅ）、
（Ｆ）、（Ｇ）から判るように、インデックス電極部１
０からは、通過する電子ビームＥＢの走査位置及び走査
タイミングの違いに応じて異なる波形の検出信号が出力
される。従って、例えば、電子ビームＥＢが各開口部１
１、第２の開口部１２を通過するときのパルス信号列の
位相を観測・解析すれば、インデックス電極部１０上の
各電子ビームＥＢの軌道を推定することができる。
画面歪みがある電子ビームＥＢ3（点線で示す）が通過
したときにインデックス電極部１０から出力される検出
信号（電子ビームＥＢ3が開口部１１を通過するときに
発生するパルス信号であり、パルスＰ31〜Ｐ34で示す）
を、図１４の（Ｅ）に示す。また、インデックス電極部
１０の長手方向のほぼ中心部分を通過する電子ビームＥ
Ｂ4があったときにインデックス電極部１０から出力さ
れる検出信号（電子ビームＥＢ4が開口部１１を通過す
るときに発生するパルス信号であり、パルスＰ41〜Ｐ44
で示す）を、図１４の（Ｆ）に示す。更には、樽型の画
面歪みがある電子ビームＥＢ5（一点鎖線で示す）が通
過したときにインデックス電極部１０から出力される検
出信号（電子ビームＥＢ5が開口部１１を通過するとき
に発生するパルス信号であり、パルスＰ51〜Ｐ54で示
す）を、図１４の（Ｇ）に示す。図１４の（Ｅ）、
（Ｆ）、（Ｇ）から判るように、インデックス電極部１
０からは、通過する電子ビームＥＢの走査位置及び走査
タイミングの違いに応じて異なる波形の検出信号が出力
される。従って、例えば、電子ビームＥＢが各開口部１
１、第２の開口部１２を通過するときのパルス信号列の
位相を観測・解析すれば、インデックス電極部１０上の
各電子ビームＥＢの軌道を推定することができる。
【００６５】パルス信号列の位相の解析は、実際には、
インデックス信号処理回路１０５（図１１参照）が、ア
ンプＡＭＰを介して取得したインデックス電極部１０か
らの検出信号に相当するインデックス信号Ｓ1を解析す
ることにより行われる。インデックス信号処理回路１０
５は、インデックス信号Ｓ1の解析に基づいて、コンバ
ーゼンス・偏向補正信号Ｓ2を出力する。コンバーゼン
ス・偏向回路１０７は、コンバーゼンス・偏向補正信号
Ｓ2に基づいて偏向ヨーク３１を制御する。これによ
り、各電子ビームＥＢの走査位置の制御が行われ、画面
歪み等が補正されるように画像補正がなされる。
インデックス信号処理回路１０５（図１１参照）が、ア
ンプＡＭＰを介して取得したインデックス電極部１０か
らの検出信号に相当するインデックス信号Ｓ1を解析す
ることにより行われる。インデックス信号処理回路１０
５は、インデックス信号Ｓ1の解析に基づいて、コンバ
ーゼンス・偏向補正信号Ｓ2を出力する。コンバーゼン
ス・偏向回路１０７は、コンバーゼンス・偏向補正信号
Ｓ2に基づいて偏向ヨーク３１を制御する。これによ
り、各電子ビームＥＢの走査位置の制御が行われ、画面
歪み等が補正されるように画像補正がなされる。
【００６６】尚、図１４では、インデックス電極部１０
に４つの開口部１１、５つの第２の開口部１２を設けた
例について示したが、設ける開口部１１，第２の開口部
１２の個数は、これらに限定されるものではなく、これ
よりも多い又は少ない構成であってもよい。但し、画像
の歪みがより複雑で高次の成分を含むときには、開口部
の個数を増やして検出精度を高めることが必要になると
考えられる。また、開口部１１や第２の開口部１２を等
間隔に設けたが、開口部１１や第２の開口部１２の間隔
は、必ずしも等間隔でなくともよい。
に４つの開口部１１、５つの第２の開口部１２を設けた
例について示したが、設ける開口部１１，第２の開口部
１２の個数は、これらに限定されるものではなく、これ
よりも多い又は少ない構成であってもよい。但し、画像
の歪みがより複雑で高次の成分を含むときには、開口部
の個数を増やして検出精度を高めることが必要になると
考えられる。また、開口部１１や第２の開口部１２を等
間隔に設けたが、開口部１１や第２の開口部１２の間隔
は、必ずしも等間隔でなくともよい。
【００６７】（実施の形態４）実施の形態４は、本発明
の電子ビーム位置検出装置（より具体的には、図１に示
した本発明の第１の構成に係る電子ビーム位置検出装置
１）を組み込んだ、複数（具体的には２本）の電子銃を
備えた複電子銃方式の陰極線管に関する。
の電子ビーム位置検出装置（より具体的には、図１に示
した本発明の第１の構成に係る電子ビーム位置検出装置
１）を組み込んだ、複数（具体的には２本）の電子銃を
備えた複電子銃方式の陰極線管に関する。
【００６８】尚、実施の形態４の陰極線管においては、
電子ビーム位置検出装置から出力された電気信号に基づ
いて、複数の分割画面が適正に繋ぎ合わされて表示され
るように画像の表示制御を行う制御手段を備えている。
ここで、制御手段は、電子ビームの偏向制御を行うこと
により画像の表示制御を行う。あるいは又、制御手段
は、複数の分割画面の位置的な制御と共に、隣接する分
割画面の繋ぎ目部分の輝度の変調制御を行う。更には、
制御手段は、変調制御として、繋ぎ目部分の両端部で輝
度変化を示す導関数が零になるような制御を行う構成す
ることもできる。
電子ビーム位置検出装置から出力された電気信号に基づ
いて、複数の分割画面が適正に繋ぎ合わされて表示され
るように画像の表示制御を行う制御手段を備えている。
ここで、制御手段は、電子ビームの偏向制御を行うこと
により画像の表示制御を行う。あるいは又、制御手段
は、複数の分割画面の位置的な制御と共に、隣接する分
割画面の繋ぎ目部分の輝度の変調制御を行う。更には、
制御手段は、変調制御として、繋ぎ目部分の両端部で輝
度変化を示す導関数が零になるような制御を行う構成す
ることもできる。
【００６９】また、実施の形態４の陰極線管において
は、陰極線管の管内において、隣接する分割画面の繋ぎ
目側における電子ビームの過走査領域に設けられた電子
ビーム位置検出装置から、電子ビームの入射に応じて電
気信号を出力し、電子ビーム位置検出装置から出力され
た電気信号に基づいて、複数の分割画面が適正に繋ぎ合
わされて表示されるように画像の表示制御を行う。尚、
この際、電子ビーム位置検出装置に入射する電子ビーム
の強度を一定とする。
は、陰極線管の管内において、隣接する分割画面の繋ぎ
目側における電子ビームの過走査領域に設けられた電子
ビーム位置検出装置から、電子ビームの入射に応じて電
気信号を出力し、電子ビーム位置検出装置から出力され
た電気信号に基づいて、複数の分割画面が適正に繋ぎ合
わされて表示されるように画像の表示制御を行う。尚、
この際、電子ビーム位置検出装置に入射する電子ビーム
の強度を一定とする。
【００７０】実施の形態４の陰極線管の概略を図１５及
び図１６に示す。図１６は陰極線管の正面図であり、図
１５は、図１６における線Ａ−Ａに沿った模式的な構成
図である。実施の形態４の陰極線管も、管内内側に蛍光
体面２１が形成されたパネル部２０と、このパネル部２
０に一体化されたファンネル部３０とを備えている。フ
ァンネル部３０の後端部の左右にはそれぞれ電子銃４１
Ｌ，４１Ｒを内蔵した細長い形状の２つのネック部４０
Ｌ，４０Ｒが取り付けられている。この陰極線管にあっ
ては、パネル部２０、ファンネル部３０及びネック部４
０Ｌ，４０Ｒにより、全体的に２つの漏斗形状の外観が
形成される。パネル部２０及びファンネル部３０は各々
の開口部同士が互いに融着されており、内部は高真空状
態を維持することが可能になっている。蛍光体面２１に
は、蛍光体層から成る、例えば縞状のパターン（図示せ
ず）が形成されている。
び図１６に示す。図１６は陰極線管の正面図であり、図
１５は、図１６における線Ａ−Ａに沿った模式的な構成
図である。実施の形態４の陰極線管も、管内内側に蛍光
体面２１が形成されたパネル部２０と、このパネル部２
０に一体化されたファンネル部３０とを備えている。フ
ァンネル部３０の後端部の左右にはそれぞれ電子銃４１
Ｌ，４１Ｒを内蔵した細長い形状の２つのネック部４０
Ｌ，４０Ｒが取り付けられている。この陰極線管にあっ
ては、パネル部２０、ファンネル部３０及びネック部４
０Ｌ，４０Ｒにより、全体的に２つの漏斗形状の外観が
形成される。パネル部２０及びファンネル部３０は各々
の開口部同士が互いに融着されており、内部は高真空状
態を維持することが可能になっている。蛍光体面２１に
は、蛍光体層から成る、例えば縞状のパターン（図示せ
ず）が形成されている。
【００７１】陰極線管の内部には、実施の形態２にて説
明した陰極線管と同様に、蛍光体面２１に対向するよう
に、金属製の薄板から成る色選別機構２２が配置されて
いる。色選別機構２２は、方式の違いによりアパーチャ
グリル方式、シャドウマスク方式があるが、いずれの方
式の色選別機構をも使用可能である。色選別機構２２の
外周はフレーム２３によって支持されており、支持ばね
（図示せず）によってパネル部２０の内面に取り付けら
れている。
明した陰極線管と同様に、蛍光体面２１に対向するよう
に、金属製の薄板から成る色選別機構２２が配置されて
いる。色選別機構２２は、方式の違いによりアパーチャ
グリル方式、シャドウマスク方式があるが、いずれの方
式の色選別機構をも使用可能である。色選別機構２２の
外周はフレーム２３によって支持されており、支持ばね
（図示せず）によってパネル部２０の内面に取り付けら
れている。
【００７２】ファンネル部３０には、アノード電圧ＨV
を加えるためのアノード部（図示せず）が設けられてい
る。ファンネル部３０から各ネック部４０Ｌ，４０Ｒに
かけての外周部分には、それぞれ、電子銃４１Ｌ，４１
Ｒから射出された各電子ビームＥＢL，ＥＢRを偏向させ
るための偏向ヨーク３１Ｌ，３１Ｒと、各電子銃４１
Ｌ，４１Ｒから射出された３原色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）用の電
子ビームのコンバーゼンス（集中）を行うためのコンバ
ーゼンスヨーク４２Ｌ，４２Ｒが取り付けられている。
ネック部４０からパネル部２０の蛍光体面２１に至る内
周面は、導電性の内部導電膜３２によって覆われてい
る。内部導電膜３２は、アノード部に電気的に接続され
ており、アノード電圧ＨVに保たれている。また、ファ
ンネル部３０の外周面は、導電性の外部導電膜（図示せ
ず）によって覆われている。電子銃４１Ｌ，４１Ｒの構
造は、実施の形態２と同様とすることができる。
を加えるためのアノード部（図示せず）が設けられてい
る。ファンネル部３０から各ネック部４０Ｌ，４０Ｒに
かけての外周部分には、それぞれ、電子銃４１Ｌ，４１
Ｒから射出された各電子ビームＥＢL，ＥＢRを偏向させ
るための偏向ヨーク３１Ｌ，３１Ｒと、各電子銃４１
Ｌ，４１Ｒから射出された３原色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）用の電
子ビームのコンバーゼンス（集中）を行うためのコンバ
ーゼンスヨーク４２Ｌ，４２Ｒが取り付けられている。
ネック部４０からパネル部２０の蛍光体面２１に至る内
周面は、導電性の内部導電膜３２によって覆われてい
る。内部導電膜３２は、アノード部に電気的に接続され
ており、アノード電圧ＨVに保たれている。また、ファ
ンネル部３０の外周面は、導電性の外部導電膜（図示せ
ず）によって覆われている。電子銃４１Ｌ，４１Ｒの構
造は、実施の形態２と同様とすることができる。
【００７３】尚、実施の形態４の陰極線管においては、
左側に配置された電子銃４１Ｌからの電子ビームＥＢL
によって画面の約左半分を描画し、右側に配置された電
子銃４１Ｒからの電子ビームＥＢRによって画面の約右
半分を描画する。そして、これによって形成される左右
の分割画面の端部を部分的に重ねて繋ぎ合わせることに
より、全体として単一の画面が形成され、画像表示を行
う。従って、全体として形成された画面の中央部分が、
左右の分割画面がオーバラップする（重複する）領域Ｏ
Ｌとなる。例えば、公称３６インチの陰極線管において
は、重複領域ＯＬの幅は５０ｍｍ前後である。重複領域
ＯＬにおける蛍光体面２１は、各電子ビームＥＢL，Ｅ
ＢRによって共有される。
左側に配置された電子銃４１Ｌからの電子ビームＥＢL
によって画面の約左半分を描画し、右側に配置された電
子銃４１Ｒからの電子ビームＥＢRによって画面の約右
半分を描画する。そして、これによって形成される左右
の分割画面の端部を部分的に重ねて繋ぎ合わせることに
より、全体として単一の画面が形成され、画像表示を行
う。従って、全体として形成された画面の中央部分が、
左右の分割画面がオーバラップする（重複する）領域Ｏ
Ｌとなる。例えば、公称３６インチの陰極線管において
は、重複領域ＯＬの幅は５０ｍｍ前後である。重複領域
ＯＬにおける蛍光体面２１は、各電子ビームＥＢL，Ｅ
ＢRによって共有される。
【００７４】実施の形態４の陰極線管においては、電子
銃４１Ｌからの電子ビームＥＢLの掃引方向（ライン走
査方向）を、水平方向、右から左（図１５及び図１６の
ＸL方向）に向かう方向とし、電子ビームＥＢLの掃引方
向と直角の方向（フィールド走査方向）を、垂直方向、
上から下に向かう方向（図１６のＹ方向）とする。ま
た、電子銃４１Ｒからの電子ビームＥＢRの電子ビーム
ＥＢRのライン走査方向を、水平方向、左から右（図１
５及び図１６のＸR方向）に向かう方向とし、電子ビー
ムＥＢRのフィールド走査方向を、垂直方向、上から下
に向かう方向（図１６のＹ方向）とする。従って、実施
の形態４の陰極線管にあっては、全体として、各電子ビ
ームＥＢL，ＥＢRによるライン走査が、水平方向、画面
中央部分から外側に向けて互いに反対方向に行われ、フ
ィールド走査が、一般的な陰極線管と同様に、上から下
に行われる。
銃４１Ｌからの電子ビームＥＢLの掃引方向（ライン走
査方向）を、水平方向、右から左（図１５及び図１６の
ＸL方向）に向かう方向とし、電子ビームＥＢLの掃引方
向と直角の方向（フィールド走査方向）を、垂直方向、
上から下に向かう方向（図１６のＹ方向）とする。ま
た、電子銃４１Ｒからの電子ビームＥＢRの電子ビーム
ＥＢRのライン走査方向を、水平方向、左から右（図１
５及び図１６のＸR方向）に向かう方向とし、電子ビー
ムＥＢRのフィールド走査方向を、垂直方向、上から下
に向かう方向（図１６のＹ方向）とする。従って、実施
の形態４の陰極線管にあっては、全体として、各電子ビ
ームＥＢL，ＥＢRによるライン走査が、水平方向、画面
中央部分から外側に向けて互いに反対方向に行われ、フ
ィールド走査が、一般的な陰極線管と同様に、上から下
に行われる。
【００７５】陰極線管の管内において、隣接する左右の
分割画面の繋ぎ目側（実施の形態４の陰極線管において
は、画面全体の中央側）における電子ビームＥＢL，Ｅ
ＢRの過走査領域（オーバ・スキャン領域）ＯＳには、
図１に示した電子ビーム位置検出装置１が、蛍光体面２
１に対向する位置に設けられている。尚、インデックス
電極部１０が電子銃側に位置し、シールド部１４が蛍光
体面側に位置する。電子ビーム位置検出装置１には、シ
ールド部１４が備えられているので、過走査領域ＯＳを
過走査した電子ビームＥＢL，ＥＢRが蛍光体面２１に到
達して不用意に蛍光体層を発光させることはない。シー
ルド部１４は、例えば、色選別機構２２を支持するフレ
ーム２３に取り付けられている。尚、インデックス電極
部１０の長手方向は、フィールド走査方向と一致してい
る。シールド部１４は、フレーム２３を介して内部導電
膜３２に電気的に接続されており、アノード電圧ＨVと
なっている。
分割画面の繋ぎ目側（実施の形態４の陰極線管において
は、画面全体の中央側）における電子ビームＥＢL，Ｅ
ＢRの過走査領域（オーバ・スキャン領域）ＯＳには、
図１に示した電子ビーム位置検出装置１が、蛍光体面２
１に対向する位置に設けられている。尚、インデックス
電極部１０が電子銃側に位置し、シールド部１４が蛍光
体面側に位置する。電子ビーム位置検出装置１には、シ
ールド部１４が備えられているので、過走査領域ＯＳを
過走査した電子ビームＥＢL，ＥＢRが蛍光体面２１に到
達して不用意に蛍光体層を発光させることはない。シー
ルド部１４は、例えば、色選別機構２２を支持するフレ
ーム２３に取り付けられている。尚、インデックス電極
部１０の長手方向は、フィールド走査方向と一致してい
る。シールド部１４は、フレーム２３を介して内部導電
膜３２に電気的に接続されており、アノード電圧ＨVと
なっている。
【００７６】インデックス電極部１０には、例えば、図
６の（Ａ）に示したように、長手方向に逆三角形状の開
口部１１が等間隔に複数設けられている。このインデッ
クス電極部１０は、各電子ビームＥＢL，ＥＢRの入射に
応じた電気的な検出信号を出力する。具体的には、イン
デックス電極部１０に設けられた電気信号取り出し部１
３にリード線（図示せず）の一端が取り付けられ、陰極
線管を構成する外囲器の一部（具体的には、ファンネル
部３０の一部）を利用したキャパシタ５０の管内側の電
極５１にリード線の他端が取り付けられている。キャパ
シタ５０は、実施の形態２と同様の構成とすればよい。
６の（Ａ）に示したように、長手方向に逆三角形状の開
口部１１が等間隔に複数設けられている。このインデッ
クス電極部１０は、各電子ビームＥＢL，ＥＢRの入射に
応じた電気的な検出信号を出力する。具体的には、イン
デックス電極部１０に設けられた電気信号取り出し部１
３にリード線（図示せず）の一端が取り付けられ、陰極
線管を構成する外囲器の一部（具体的には、ファンネル
部３０の一部）を利用したキャパシタ５０の管内側の電
極５１にリード線の他端が取り付けられている。キャパ
シタ５０は、実施の形態２と同様の構成とすればよい。
【００７７】インデックス電極部１０からキャパシタ５
０を介して出力された電気信号（検出信号）は、陰極線
管の管外の画像補正用の処理回路に入力され、主とし
て、各電子ビームＥＢL，ＥＢRの繋ぎ目部分における走
査位置の制御に利用される。
０を介して出力された電気信号（検出信号）は、陰極線
管の管外の画像補正用の処理回路に入力され、主とし
て、各電子ビームＥＢL，ＥＢRの繋ぎ目部分における走
査位置の制御に利用される。
【００７８】尚、過走査領域とは、電子ビームＥＢL，
ＥＢRの各々の走査領域において、有効画面を形成する
電子ビームＥＢL，ＥＢRの各々の走査領域の外側の領域
を指す。即ち、過走査領域は、２つの電子ビームＥ
ＢL，ＥＢRの走査によって得られる２つの分割画面を繋
ぎ合わせる画面領域（重複領域ＯＬ）に対応した陰極線
管内の領域に位置する。図１５においては、領域ＳＷL
が、電子ビームＥＢLの水平方向における蛍光体面２１
上の有効走査領域であり、領域ＳＷRが、電子ビームＥ
ＢRの水平方向における蛍光体面２１上の有効走査領域
である。
ＥＢRの各々の走査領域において、有効画面を形成する
電子ビームＥＢL，ＥＢRの各々の走査領域の外側の領域
を指す。即ち、過走査領域は、２つの電子ビームＥ
ＢL，ＥＢRの走査によって得られる２つの分割画面を繋
ぎ合わせる画面領域（重複領域ＯＬ）に対応した陰極線
管内の領域に位置する。図１５においては、領域ＳＷL
が、電子ビームＥＢLの水平方向における蛍光体面２１
上の有効走査領域であり、領域ＳＷRが、電子ビームＥ
ＢRの水平方向における蛍光体面２１上の有効走査領域
である。
【００７９】電子ビーム位置検出装置１等によって形成
される回路の等価回路は、図９に示したとおりであり、
詳細な説明は省略する。
される回路の等価回路は、図９に示したとおりであり、
詳細な説明は省略する。
【００８０】実施の形態４に係る陰極線管の信号処理回
路を示すブロック図を図１７に示す。この信号処理回路
は、２系列の信号処理回路を有するが、実質的には、実
施の形態２で説明した信号処理回路と同様とすることが
できる。即ち、実施の形態４に係る陰極線管には、入力
された映像信号ＳVをＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換器１０
１と、Ａ／Ｄ変換器１０１によってＡ／Ｄ変換された映
像信号ＳVを格納するメモリ１０２と、メモリ１０２に
格納された映像信号ＳVのうち、画面の約左半分を描画
するために必要な信号が入力されると共に、入力された
画面の約左半分を描画するための信号をＤ／Ａ変換する
Ｄ／Ａ変換器１０３Ｌと、メモリ１０２に格納された映
像信号ＳVのうち、画面の約右半分を描画するために必
要な信号が入力されると共に、入力された画面の約右半
分を描画するための信号をＤ／Ａ変換するＤ／Ａ変換器
１０３Ｒと、Ｄ／Ａ変換器１０３Ｌから出力された映像
信号に対して、変調信号Ｓ3Lに基づく輝度変調を行う変
調器１０４Ｌと、Ｄ／Ａ変換器１０３Ｒから出力された
映像信号に対して、変調信号Ｓ3Rに基づく輝度変調を行
う変調器１０４Ｒと、それぞれ変調器１０４Ｌ，１０４
Ｒから出力された輝度変調後の映像信号を増幅するビデ
オアンプＶＡＭＰL，ＶＡＭＰRとが備えられている。
路を示すブロック図を図１７に示す。この信号処理回路
は、２系列の信号処理回路を有するが、実質的には、実
施の形態２で説明した信号処理回路と同様とすることが
できる。即ち、実施の形態４に係る陰極線管には、入力
された映像信号ＳVをＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換器１０
１と、Ａ／Ｄ変換器１０１によってＡ／Ｄ変換された映
像信号ＳVを格納するメモリ１０２と、メモリ１０２に
格納された映像信号ＳVのうち、画面の約左半分を描画
するために必要な信号が入力されると共に、入力された
画面の約左半分を描画するための信号をＤ／Ａ変換する
Ｄ／Ａ変換器１０３Ｌと、メモリ１０２に格納された映
像信号ＳVのうち、画面の約右半分を描画するために必
要な信号が入力されると共に、入力された画面の約右半
分を描画するための信号をＤ／Ａ変換するＤ／Ａ変換器
１０３Ｒと、Ｄ／Ａ変換器１０３Ｌから出力された映像
信号に対して、変調信号Ｓ3Lに基づく輝度変調を行う変
調器１０４Ｌと、Ｄ／Ａ変換器１０３Ｒから出力された
映像信号に対して、変調信号Ｓ3Rに基づく輝度変調を行
う変調器１０４Ｒと、それぞれ変調器１０４Ｌ，１０４
Ｒから出力された輝度変調後の映像信号を増幅するビデ
オアンプＶＡＭＰL，ＶＡＭＰRとが備えられている。
【００８１】陰極線管には、更に、アンプＡＭＰから出
力されたインデックス信号Ｓ1が入力され、変調信号Ｓ
3L，Ｓ3R及びコンバーゼンス・偏向補正信号Ｓ2を出力
するインデックス信号処理回路１０５と、同期信号ＳS
に基づいて、Ａ／Ｄ変換器１０１、メモリ１０２、Ｄ／
Ａ変換器１０３Ｌ，１０３Ｒ及びインデックス信号処理
回路１０５にタイミング信号を出力するタイミングジェ
ネレータ１０６と、インデックス信号処理回路１０５か
らのコンバーゼンス・偏向補正信号Ｓ2に基づいてコン
バーゼンスヨーク４２Ｌ，４２Ｒを制御し、更には、イ
ンデックス信号処理回路１０５からのコンバーゼンス・
偏向補正信号Ｓ2に基づいて偏向ヨーク３１Ｌ，３１Ｒ
を制御するコンバーゼンス・偏向回路１０７とを備えて
いる。
力されたインデックス信号Ｓ1が入力され、変調信号Ｓ
3L，Ｓ3R及びコンバーゼンス・偏向補正信号Ｓ2を出力
するインデックス信号処理回路１０５と、同期信号ＳS
に基づいて、Ａ／Ｄ変換器１０１、メモリ１０２、Ｄ／
Ａ変換器１０３Ｌ，１０３Ｒ及びインデックス信号処理
回路１０５にタイミング信号を出力するタイミングジェ
ネレータ１０６と、インデックス信号処理回路１０５か
らのコンバーゼンス・偏向補正信号Ｓ2に基づいてコン
バーゼンスヨーク４２Ｌ，４２Ｒを制御し、更には、イ
ンデックス信号処理回路１０５からのコンバーゼンス・
偏向補正信号Ｓ2に基づいて偏向ヨーク３１Ｌ，３１Ｒ
を制御するコンバーゼンス・偏向回路１０７とを備えて
いる。
【００８２】尚、偏向ヨーク３１Ｌ，３１Ｒ、コンバー
ゼンスヨーク４２Ｌ，４２Ｒ、インデックス信号処理回
路１０５、コンバーゼンス・偏向回路１０７が、制御手
段の一具体例に対応する。
ゼンスヨーク４２Ｌ，４２Ｒ、インデックス信号処理回
路１０５、コンバーゼンス・偏向回路１０７が、制御手
段の一具体例に対応する。
【００８３】インデックス信号Ｓ1は、インデックス電
極部１０からの検出信号に対応する信号である。インデ
ックス信号Ｓ1を用いた画像補正方法については後に詳
述する。変調信号Ｓ3L，Ｓ3Rは、左右の分割画面の繋ぎ
目における輝度の制御を行うための信号である。変調信
号Ｓ3L，Ｓ3Rを用いた画像補正方法についても後に詳述
する。
極部１０からの検出信号に対応する信号である。インデ
ックス信号Ｓ1を用いた画像補正方法については後に詳
述する。変調信号Ｓ3L，Ｓ3Rは、左右の分割画面の繋ぎ
目における輝度の制御を行うための信号である。変調信
号Ｓ3L，Ｓ3Rを用いた画像補正方法についても後に詳述
する。
【００８４】メモリ１０２は、例えば、ラインメモリ又
はフィールドメモリによって構成され、入力された映像
信号を、例えば、ライン単位又はフィールド単位毎に格
納するようになっている。メモリ１０２における信号の
読み出し及び書き込み動作は、図示しないメモリコント
ローラによって制御される。
はフィールドメモリによって構成され、入力された映像
信号を、例えば、ライン単位又はフィールド単位毎に格
納するようになっている。メモリ１０２における信号の
読み出し及び書き込み動作は、図示しないメモリコント
ローラによって制御される。
【００８５】次に、上記のような構成の実施の形態４の
陰極線管の動作について説明する。
陰極線管の動作について説明する。
【００８６】Ａ／Ｄ変換器１０１は、入力された映像信
号ＳVをＡ／Ｄ変換する。Ａ／Ｄ変換器１０１によって
ディジタル化された映像信号は、図示しないメモリコン
トローラの制御に基づいて、例えば、ライン単位又はフ
ィールド単位毎にメモリ１０２に格納される。
号ＳVをＡ／Ｄ変換する。Ａ／Ｄ変換器１０１によって
ディジタル化された映像信号は、図示しないメモリコン
トローラの制御に基づいて、例えば、ライン単位又はフ
ィールド単位毎にメモリ１０２に格納される。
【００８７】ここでは、一例として、各電子ビームＥＢ
L，ＥＢRによって、Ｈ／２（１Ｈは、１水平走査期間）
毎の左右の分割画面を、画面中央部分から画面外側に向
けて互いに反対方向に水平走査する場合について説明す
る。メモリ１０２に書き込まれた１Ｈ分の映像信号は、
図示しないメモリコントローラの制御によってＨ／２分
割される。分割された信号のうち、左画面用の信号は、
図示しないメモリコントローラの制御によって書き込み
時とは逆方向に読み出されて、Ｄ／Ａ変換器１０３Ｌに
入力される。分割された信号のうち、右画面用の信号
は、図示しないメモリコントローラの制御によって書き
込み時と同方向に読み出されて、Ｄ／Ａ変換器１０３Ｒ
に入力される。Ｄ／Ａ変換器１０３Ｌは、逆読み出しさ
れたＨ／２の左画面用の信号をアナログ信号に変換して
変調器１０４Ｌに出力する。Ｄ／Ａ変換器１０３Ｒは、
書き込み時と同方向に読み出しされたＨ／２の右画面用
の信号をアナログ信号に変換して変調器１０４Ｒに出力
する。
L，ＥＢRによって、Ｈ／２（１Ｈは、１水平走査期間）
毎の左右の分割画面を、画面中央部分から画面外側に向
けて互いに反対方向に水平走査する場合について説明す
る。メモリ１０２に書き込まれた１Ｈ分の映像信号は、
図示しないメモリコントローラの制御によってＨ／２分
割される。分割された信号のうち、左画面用の信号は、
図示しないメモリコントローラの制御によって書き込み
時とは逆方向に読み出されて、Ｄ／Ａ変換器１０３Ｌに
入力される。分割された信号のうち、右画面用の信号
は、図示しないメモリコントローラの制御によって書き
込み時と同方向に読み出されて、Ｄ／Ａ変換器１０３Ｒ
に入力される。Ｄ／Ａ変換器１０３Ｌは、逆読み出しさ
れたＨ／２の左画面用の信号をアナログ信号に変換して
変調器１０４Ｌに出力する。Ｄ／Ａ変換器１０３Ｒは、
書き込み時と同方向に読み出しされたＨ／２の右画面用
の信号をアナログ信号に変換して変調器１０４Ｒに出力
する。
【００８８】各変調器１０４Ｌ，１０４Ｒは、入力され
た映像信号に対して、それぞれ変調信号Ｓ3L，Ｓ3Rに基
づいて輝度変調を行った信号をビデオアンプＶＡＭ
ＰL，ＶＡＭＰRに出力する。各ビデオアンプＶＡＭ
ＰL，ＶＡＭＰRに入力された信号は、それぞれ所定レベ
ルまで増幅され、各電子銃４１Ｌ，４１Ｒの内部に配置
されたカソード（図示せず）に対して、カソード駆動電
圧として与えられる。これにより、各電子銃４１Ｌ，４
１Ｒから各電子ビームＥＢL，ＥＢRが射出される。尚、
実施の形態４における陰極線管は、カラー表示用であ
り、実際には、各電子銃４１Ｌ，４１Ｒには、Ｒ，Ｇ，
Ｂの各色用のカソードが設けられ、各電子銃４１Ｌ，４
１Ｒからは、それぞれ３原色用の各電子ビームが射出さ
れる。各色用の電子ビームは、各色毎に独立にビーム電
流が制御され、輝度と色度が調整される。
た映像信号に対して、それぞれ変調信号Ｓ3L，Ｓ3Rに基
づいて輝度変調を行った信号をビデオアンプＶＡＭ
ＰL，ＶＡＭＰRに出力する。各ビデオアンプＶＡＭ
ＰL，ＶＡＭＰRに入力された信号は、それぞれ所定レベ
ルまで増幅され、各電子銃４１Ｌ，４１Ｒの内部に配置
されたカソード（図示せず）に対して、カソード駆動電
圧として与えられる。これにより、各電子銃４１Ｌ，４
１Ｒから各電子ビームＥＢL，ＥＢRが射出される。尚、
実施の形態４における陰極線管は、カラー表示用であ
り、実際には、各電子銃４１Ｌ，４１Ｒには、Ｒ，Ｇ，
Ｂの各色用のカソードが設けられ、各電子銃４１Ｌ，４
１Ｒからは、それぞれ３原色用の各電子ビームが射出さ
れる。各色用の電子ビームは、各色毎に独立にビーム電
流が制御され、輝度と色度が調整される。
【００８９】電子銃４１Ｌ，４１Ｒから射出された各色
用の電子ビームＥＢL，ＥＢRは、それぞれコンバーゼン
スヨーク４２Ｌ，４２Ｒの電磁的な作用によりコンバー
ゼンスが行われると共に、偏向ヨーク３１Ｌ，３１Ｒの
電磁的な作用により偏向される。これによって、電子ビ
ームＥＢL，ＥＢRは蛍光体面２１の全面を走査し、パネ
ル部２０の表面では画面（図１６参照）内に所望の画像
が表示される。このとき、電子ビームＥＢLによって、
画面の約左半分が描画されると共に、電子ビームＥＢR
によって、画面の約右半分が描画され、これによって形
成される左右の分割画面の端部が部分的に重ねて繋ぎ合
わされ、全体として単一の画面が形成される。
用の電子ビームＥＢL，ＥＢRは、それぞれコンバーゼン
スヨーク４２Ｌ，４２Ｒの電磁的な作用によりコンバー
ゼンスが行われると共に、偏向ヨーク３１Ｌ，３１Ｒの
電磁的な作用により偏向される。これによって、電子ビ
ームＥＢL，ＥＢRは蛍光体面２１の全面を走査し、パネ
ル部２０の表面では画面（図１６参照）内に所望の画像
が表示される。このとき、電子ビームＥＢLによって、
画面の約左半分が描画されると共に、電子ビームＥＢR
によって、画面の約右半分が描画され、これによって形
成される左右の分割画面の端部が部分的に重ねて繋ぎ合
わされ、全体として単一の画面が形成される。
【００９０】電子ビームＥＢL，ＥＢRが、過走査領域Ｏ
Ｓを走査し、インデックス電極部１０に入射すると、イ
ンデックス電極部１０において電圧降下が生じ、この電
圧降下に応じた電気信号が、検出信号としてファンネル
部３０に設けられたキャパシタ５０を経由して管外に導
かれる。そして、アンプＡＭＰからインデックス信号Ｓ
1が出力される。インデックス信号処理回路１０５は、
インデックス信号Ｓ1に基づいて、輝度制御を行うため
の変調信号Ｓ3L，Ｓ3Rを生成して出力する。また、イン
デックス信号処理回路１０５は、インデックス信号Ｓ1
に基づいて、コンバーゼンス・偏向補正信号Ｓ2を出力
する。コンバーゼンス・偏向回路１０７は、コンバーゼ
ンス・偏向補正信号Ｓ2に基づいて、偏向電流Ｓ5L，Ｓ
5Rを出力してコンバーゼンスヨーク４２Ｌ，４２Ｒを制
御する。コンバーゼンス・偏向回路１０７は、更に、コ
ンバーゼンス・偏向補正信号Ｓ2に基づいて、偏向電流
Ｓ4L，Ｓ4Rを出力して偏向ヨーク３１Ｌ，３１Ｒを制御
する。これにより、各電子ビームＥＢL，ＥＢRの走査位
置の制御が行われ、左右の分割画面が適正に繋ぎ合わさ
れて表示されるよう画面歪み等が補正される。
Ｓを走査し、インデックス電極部１０に入射すると、イ
ンデックス電極部１０において電圧降下が生じ、この電
圧降下に応じた電気信号が、検出信号としてファンネル
部３０に設けられたキャパシタ５０を経由して管外に導
かれる。そして、アンプＡＭＰからインデックス信号Ｓ
1が出力される。インデックス信号処理回路１０５は、
インデックス信号Ｓ1に基づいて、輝度制御を行うため
の変調信号Ｓ3L，Ｓ3Rを生成して出力する。また、イン
デックス信号処理回路１０５は、インデックス信号Ｓ1
に基づいて、コンバーゼンス・偏向補正信号Ｓ2を出力
する。コンバーゼンス・偏向回路１０７は、コンバーゼ
ンス・偏向補正信号Ｓ2に基づいて、偏向電流Ｓ5L，Ｓ
5Rを出力してコンバーゼンスヨーク４２Ｌ，４２Ｒを制
御する。コンバーゼンス・偏向回路１０７は、更に、コ
ンバーゼンス・偏向補正信号Ｓ2に基づいて、偏向電流
Ｓ4L，Ｓ4Rを出力して偏向ヨーク３１Ｌ，３１Ｒを制御
する。これにより、各電子ビームＥＢL，ＥＢRの走査位
置の制御が行われ、左右の分割画面が適正に繋ぎ合わさ
れて表示されるよう画面歪み等が補正される。
【００９１】インデックス電極部１０から出力される検
出信号に基づいたインデックス信号Ｓ1の波形の一例
は、図１２に示したとおりである。インデックス電極部
１０に開口部１１が設けられているので、水平方向（ラ
イン走査方向）と共に垂直方向（フィールド走査方向）
における電子ビームＥＢL，ＥＢRの走査位置の検出が可
能となる。また、インデックス電極部１０から出力され
る検出信号のパルス間隔の解析も、実施の形態２にて説
明したと同様とすればよく、電子ビームＥＢL，ＥＢRの
走査位置の制御が行われ、左右の分割画面が補正される
ことにより、左右の分割画面が適正に繋ぎ合わされて表
示される。尚、実施の形態４においては、インデックス
電極部１０は、１つしか設けられていないので、電子ビ
ームＥＢ L，ＥＢRの走査位置を完全に同時に検出するこ
とはできない。従って、左右の分割画面を同時に補正す
ることはできないが、例えば、ライン走査毎又はフィー
ルド走査毎に電子ビームＥＢL，ＥＢRの走査位置を交互
に検出して左右の分割画面を交互に補正することで、左
右の分割画面を補正することができる。
出信号に基づいたインデックス信号Ｓ1の波形の一例
は、図１２に示したとおりである。インデックス電極部
１０に開口部１１が設けられているので、水平方向（ラ
イン走査方向）と共に垂直方向（フィールド走査方向）
における電子ビームＥＢL，ＥＢRの走査位置の検出が可
能となる。また、インデックス電極部１０から出力され
る検出信号のパルス間隔の解析も、実施の形態２にて説
明したと同様とすればよく、電子ビームＥＢL，ＥＢRの
走査位置の制御が行われ、左右の分割画面が補正される
ことにより、左右の分割画面が適正に繋ぎ合わされて表
示される。尚、実施の形態４においては、インデックス
電極部１０は、１つしか設けられていないので、電子ビ
ームＥＢ L，ＥＢRの走査位置を完全に同時に検出するこ
とはできない。従って、左右の分割画面を同時に補正す
ることはできないが、例えば、ライン走査毎又はフィー
ルド走査毎に電子ビームＥＢL，ＥＢRの走査位置を交互
に検出して左右の分割画面を交互に補正することで、左
右の分割画面を補正することができる。
【００９２】更に、インデックス電極部１０を複数設け
ることで、電子ビームＥＢL，ＥＢRの走査位置を各々独
立に検出することも可能である。左右の電子ビームＥＢ
L，ＥＢRの各々の走査位置を独立に検出可能にしたこの
ような電子ビーム位置検出装置の構造を、図１８に示
す。図１８の（Ａ）には、インデックス電極部１０等が
２組、組み合わされた状態を模式的に示し、図１８の
（Ｂ）には、かかる電子ビーム位置検出装置の模式的な
正面図を示す。左右の分割画面の繋ぎ目側において、電
子ビームＥＢLの過走査領域にインデックス電極部１０
Ｌを配置し、電子ビームＥＢRの過走査領域にインデッ
クス電極部１０Ｒを配置する。インデックス電極部１０
Ｌ，１１Ｒの基本的な構造は図１に示したインデックス
電極部１０と同様である。電子ビームＥＢL，ＥＢRの各
々を遮蔽するための遮蔽板１４Ａが、インデックス電極
部１０Ｌとインデックス電極部１０Ｒとの間に設けられ
ている。インデックス電極部１０Ｌ，１０Ｒは、シール
ド部１４の中央部に設けられた遮蔽板１４Ａの左右に配
置されている。図１８の（Ｂ）では、インデックス電極
部１０Ｌ，１０Ｒを蛍光体面２１に対して平行に配置し
た例について示しているが、インデックス電極部１０
Ｌ，１０Ｒを蛍光体面２１に対して斜めに配置してもよ
い。即ち、インデックス電極部１０Ｌ，１０Ｒに対する
電子ビームＥＢL，ＥＢRの入射角が小さくなるように、
インデックス電極部１０Ｌ，１０Ｒを配置してもよい。
ることで、電子ビームＥＢL，ＥＢRの走査位置を各々独
立に検出することも可能である。左右の電子ビームＥＢ
L，ＥＢRの各々の走査位置を独立に検出可能にしたこの
ような電子ビーム位置検出装置の構造を、図１８に示
す。図１８の（Ａ）には、インデックス電極部１０等が
２組、組み合わされた状態を模式的に示し、図１８の
（Ｂ）には、かかる電子ビーム位置検出装置の模式的な
正面図を示す。左右の分割画面の繋ぎ目側において、電
子ビームＥＢLの過走査領域にインデックス電極部１０
Ｌを配置し、電子ビームＥＢRの過走査領域にインデッ
クス電極部１０Ｒを配置する。インデックス電極部１０
Ｌ，１１Ｒの基本的な構造は図１に示したインデックス
電極部１０と同様である。電子ビームＥＢL，ＥＢRの各
々を遮蔽するための遮蔽板１４Ａが、インデックス電極
部１０Ｌとインデックス電極部１０Ｒとの間に設けられ
ている。インデックス電極部１０Ｌ，１０Ｒは、シール
ド部１４の中央部に設けられた遮蔽板１４Ａの左右に配
置されている。図１８の（Ｂ）では、インデックス電極
部１０Ｌ，１０Ｒを蛍光体面２１に対して平行に配置し
た例について示しているが、インデックス電極部１０
Ｌ，１０Ｒを蛍光体面２１に対して斜めに配置してもよ
い。即ち、インデックス電極部１０Ｌ，１０Ｒに対する
電子ビームＥＢL，ＥＢRの入射角が小さくなるように、
インデックス電極部１０Ｌ，１０Ｒを配置してもよい。
【００９３】インデックス電極部１０Ｌ，１１Ｒの検出
信号を導出するための周辺回路の構成も、基本的には、
インデックス電極部１０の検出信号を導出するための周
辺回路の構成と同様とすることができる。即ち、図１８
の（Ａ）に示すように、インデックス電極部１０Ｒに
は、アノード電圧ＨVが供給される抵抗器１８Ｒとキャ
パシタ５０Ｒのプラス側の電極が接続されている。キャ
パシタ５０Ｒのマイナス側の電極は、アンプＡＭＰRに
接続されている。また、インデックス電極部１０Ｌに
は、アノード電圧ＨVが供給される抵抗器１８Ｌとキャ
パシタ５０Ｌのプラス側の電極が接続されている。キャ
パシタ５０Ｌのマイナス側の電極は、アンプＡＭＰLに
接続されている。キャパシタ５０Ｒ，５０Ｌは、図１５
に示したキャパシタ５０と同様に、ファンネル部３０の
一部を利用して形成されている。インデックス電極部１
０Ｒ，１０Ｌに、それぞれ電子ビームＥＢR，ＥＢLが入
射すると、それぞれのインデックス電極部１０Ｒ，１０
Ｌにおいて独立して電圧降下が生じ、この電圧降下に応
じた信号が、独立した検出信号としてそれぞれキャパシ
タ５０Ｒ，５０Ｌを経由して管外に導かれる。管外に導
かれたそれぞれの電極からの検出信号は、それぞれアン
プＡＭＰR，ＡＭＰLを介して独立したインデックス信号
Ｓ1R，Ｓ1Lとして出力される。これらの独立したインデ
ックス信号Ｓ1R，Ｓ1Lを管外の処理回路で別々に処理す
ることにより、電子ビームＥＢL，ＥＢRの走査位置を各
々独立に且つ同時に検出することが可能になると共に、
左右の分割画面を同時に補正することが可能になる。
信号を導出するための周辺回路の構成も、基本的には、
インデックス電極部１０の検出信号を導出するための周
辺回路の構成と同様とすることができる。即ち、図１８
の（Ａ）に示すように、インデックス電極部１０Ｒに
は、アノード電圧ＨVが供給される抵抗器１８Ｒとキャ
パシタ５０Ｒのプラス側の電極が接続されている。キャ
パシタ５０Ｒのマイナス側の電極は、アンプＡＭＰRに
接続されている。また、インデックス電極部１０Ｌに
は、アノード電圧ＨVが供給される抵抗器１８Ｌとキャ
パシタ５０Ｌのプラス側の電極が接続されている。キャ
パシタ５０Ｌのマイナス側の電極は、アンプＡＭＰLに
接続されている。キャパシタ５０Ｒ，５０Ｌは、図１５
に示したキャパシタ５０と同様に、ファンネル部３０の
一部を利用して形成されている。インデックス電極部１
０Ｒ，１０Ｌに、それぞれ電子ビームＥＢR，ＥＢLが入
射すると、それぞれのインデックス電極部１０Ｒ，１０
Ｌにおいて独立して電圧降下が生じ、この電圧降下に応
じた信号が、独立した検出信号としてそれぞれキャパシ
タ５０Ｒ，５０Ｌを経由して管外に導かれる。管外に導
かれたそれぞれの電極からの検出信号は、それぞれアン
プＡＭＰR，ＡＭＰLを介して独立したインデックス信号
Ｓ1R，Ｓ1Lとして出力される。これらの独立したインデ
ックス信号Ｓ1R，Ｓ1Lを管外の処理回路で別々に処理す
ることにより、電子ビームＥＢL，ＥＢRの走査位置を各
々独立に且つ同時に検出することが可能になると共に、
左右の分割画面を同時に補正することが可能になる。
【００９４】次に、図１９〜図２２を参照して輝度の変
調制御について説明する。
調制御について説明する。
【００９５】上述した画像補正では、電子ビームＥ
ＢL，ＥＢRの走査位置の制御によって、左右の分割画面
が適正に繋ぎ合わされるように画像の位置的な補正を行
ったが、更に、左右の分割画面の重複領域ＯＬにおける
輝度を調整するために、重複領域ＯＬに相当する映像信
号に対して、信号変調処理を行う。図１９は、映像信号
に対する変調の概略を示す説明図であり、各分割画面の
位置と変調信号の波形との関係を３次元的に表してい
る。図１９において、参照番号６１で示す部分が左側の
分割画面に相当し、参照番号６２で示す部分が右側の分
割画面に相当する。各分割画面６１，６２の繋ぎ目側の
過走査領域ＯＳにおいては、上述のように、それぞれ各
電子ビームＥＢL，ＥＢRがインデックス電極部１０を走
査することにより、検出信号が出力される。図１９で
は、各電子ビームＥＢL，ＥＢRの過走査領域ＯＳにおけ
る走査用の駆動信号であるインデックスドライブ信号Ｓ
0L，Ｓ0Rの波形を同時に示す。
ＢL，ＥＢRの走査位置の制御によって、左右の分割画面
が適正に繋ぎ合わされるように画像の位置的な補正を行
ったが、更に、左右の分割画面の重複領域ＯＬにおける
輝度を調整するために、重複領域ＯＬに相当する映像信
号に対して、信号変調処理を行う。図１９は、映像信号
に対する変調の概略を示す説明図であり、各分割画面の
位置と変調信号の波形との関係を３次元的に表してい
る。図１９において、参照番号６１で示す部分が左側の
分割画面に相当し、参照番号６２で示す部分が右側の分
割画面に相当する。各分割画面６１，６２の繋ぎ目側の
過走査領域ＯＳにおいては、上述のように、それぞれ各
電子ビームＥＢL，ＥＢRがインデックス電極部１０を走
査することにより、検出信号が出力される。図１９で
は、各電子ビームＥＢL，ＥＢRの過走査領域ＯＳにおけ
る走査用の駆動信号であるインデックスドライブ信号Ｓ
0L，Ｓ0Rの波形を同時に示す。
【００９６】ここで、図１９の変調波形６０Ｌ，６０Ｒ
で示すように、各分割画面６１，６２において、重複領
域ＯＬの始点Ｐ1L，Ｐ1Rから出画を開始し、徐々に出画
振幅を増加させ、終点Ｐ2L，Ｐ2Rで出画量が最大になる
ように映像信号の電圧の変調を行い、それ以降、即ち、
重複領域ＯＬ以外の領域では画面端までその変調量を維
持する。このような変調を各分割画面６１，６２で同時
に行い、重複領域ＯＬでは、どこでも両画面の輝度の和
が一定になるように制御すれば、両画面の繋ぎ目を目立
たなくすることができる。
で示すように、各分割画面６１，６２において、重複領
域ＯＬの始点Ｐ1L，Ｐ1Rから出画を開始し、徐々に出画
振幅を増加させ、終点Ｐ2L，Ｐ2Rで出画量が最大になる
ように映像信号の電圧の変調を行い、それ以降、即ち、
重複領域ＯＬ以外の領域では画面端までその変調量を維
持する。このような変調を各分割画面６１，６２で同時
に行い、重複領域ＯＬでは、どこでも両画面の輝度の和
が一定になるように制御すれば、両画面の繋ぎ目を目立
たなくすることができる。
【００９７】重複領域ＯＬにおける変調方法について更
に詳しく考察する。一般に、陰極線管の輝度は電子銃４
１Ｌ，４１Ｒ（図１５参照）のカソード電流ＩKに比例
する。カソード電流ＩKと電子銃４１Ｌ，４１Ｒのカソ
ードに印加するカソードドライブ電圧ＶKとの関係は次
の式（１）で示される。式（１）において、γ（ガン
マ）は陰極線管特有の定数であり、例えば、２．６前後
の値になる。このように、カソードドライブ電圧ＶKと
カソード電流ＩKとには非直線性の関係があるので、Ｄ
／Ａ変換器１０３Ｌ，１０３Ｒ（図１７参照）から出力
された映像信号に対して変調を行う場合には、その変調
電圧は、ガンマ特性を考慮したものでなければならな
い。
に詳しく考察する。一般に、陰極線管の輝度は電子銃４
１Ｌ，４１Ｒ（図１５参照）のカソード電流ＩKに比例
する。カソード電流ＩKと電子銃４１Ｌ，４１Ｒのカソ
ードに印加するカソードドライブ電圧ＶKとの関係は次
の式（１）で示される。式（１）において、γ（ガン
マ）は陰極線管特有の定数であり、例えば、２．６前後
の値になる。このように、カソードドライブ電圧ＶKと
カソード電流ＩKとには非直線性の関係があるので、Ｄ
／Ａ変換器１０３Ｌ，１０３Ｒ（図１７参照）から出力
された映像信号に対して変調を行う場合には、その変調
電圧は、ガンマ特性を考慮したものでなければならな
い。
【００９８】［数１］ ｌｏｇ（ＩK）∽γ・ｌｏｇ（ＶK） （１）
【００９９】輝度に相当するカソード電流ＩKと、変調
電圧の波形との関係の一例を図２０に示す。図２０の横
軸は、重複領域ＯＬにおける位置を示しており、重複領
域ＯＬの始点Ｐ1L，Ｐ1Rを原点とし、終点Ｐ2L，Ｐ2Rを
１．０に規格化している。図２０の縦軸は、変調量（電
圧）を示している。図２０に示すように、例えば、各分
割画面６１，６２で輝度（カソード電流ＩK）の傾斜を
直線状にするためには、その変調波形６０は上側に凸の
曲線となる。ここで、変調波形６０は、図１９に示した
変調波形６０Ｌ，６０Ｒの重複領域ＯＬにおける波形に
対応する変調波形であり、上述の式（１）に基づく以下
の式（２）から求められる変調波形である。式（２）
は、カソード電流ＩKを変数にした関数となっており、
式（２）において、ＩK＝ｘとした式が以下の式（３）
である。尚、式（２）及び式（３）中、「ｙ」は変調量
である。図２０の変調波形６０は、式（３）によって表
される。このような変調を各分割画面６１，６２で同時
に行うことで、結果として、重複領域ＯＬにおける輝度
の和を一定にすることができる。
電圧の波形との関係の一例を図２０に示す。図２０の横
軸は、重複領域ＯＬにおける位置を示しており、重複領
域ＯＬの始点Ｐ1L，Ｐ1Rを原点とし、終点Ｐ2L，Ｐ2Rを
１．０に規格化している。図２０の縦軸は、変調量（電
圧）を示している。図２０に示すように、例えば、各分
割画面６１，６２で輝度（カソード電流ＩK）の傾斜を
直線状にするためには、その変調波形６０は上側に凸の
曲線となる。ここで、変調波形６０は、図１９に示した
変調波形６０Ｌ，６０Ｒの重複領域ＯＬにおける波形に
対応する変調波形であり、上述の式（１）に基づく以下
の式（２）から求められる変調波形である。式（２）
は、カソード電流ＩKを変数にした関数となっており、
式（２）において、ＩK＝ｘとした式が以下の式（３）
である。尚、式（２）及び式（３）中、「ｙ」は変調量
である。図２０の変調波形６０は、式（３）によって表
される。このような変調を各分割画面６１，６２で同時
に行うことで、結果として、重複領域ＯＬにおける輝度
の和を一定にすることができる。
【０１００】［数２］ ｌｏｇ（ｙ）＝（１／γ）ｌｏｇ（ＩK） （２）
【０１０１】［数３］ ｌｏｇ（ｙ）＝（１／γ）ｌｏｇ（ｘ） （３）
【０１０２】図２１は、輝度に相当するカソード電流Ｉ
Kと、変調電圧の波形との関係の他の例を示した図であ
る。図２０では、各分割画面６１，６２で輝度の傾斜を
直線状となるようにしたが、重複領域ＯＬの両端（始点
Ｐ1L，Ｐ1R、及び、終点Ｐ2L，Ｐ2R）における輝度（カ
ソード電流ＩK）の変化の導関数（微係数）がゼロにな
る関数（例えば、コサイン関数）になるような変調も可
能である。図２１に示すの例では、輝度に相当するカソ
ード電流ＩKが｛１／２（１−ｃｏｓπｘ）｝で表され
る関数となっている。従って、図２１の変調波形６０’
は、以下の式（４）によって表される。このような輝度
変調を行った方が、重複領域ＯＬにおける見た目の輝度
変化がより自然になると共に、左右の分割画面の重ね合
せの位置的なエラーに対して、余裕度が大きくなる。
Kと、変調電圧の波形との関係の他の例を示した図であ
る。図２０では、各分割画面６１，６２で輝度の傾斜を
直線状となるようにしたが、重複領域ＯＬの両端（始点
Ｐ1L，Ｐ1R、及び、終点Ｐ2L，Ｐ2R）における輝度（カ
ソード電流ＩK）の変化の導関数（微係数）がゼロにな
る関数（例えば、コサイン関数）になるような変調も可
能である。図２１に示すの例では、輝度に相当するカソ
ード電流ＩKが｛１／２（１−ｃｏｓπｘ）｝で表され
る関数となっている。従って、図２１の変調波形６０’
は、以下の式（４）によって表される。このような輝度
変調を行った方が、重複領域ＯＬにおける見た目の輝度
変化がより自然になると共に、左右の分割画面の重ね合
せの位置的なエラーに対して、余裕度が大きくなる。
【０１０３】 ［数４］ ｌｏｇ（ｙ）＝（１／γ）ｌｏｇ｛１／２（１−ｃｏｓπｘ）｝ （４）
【０１０４】尚、図２１に示したような輝度変化の導関
数（微係数）がゼロになるような関数は、無数に考えら
れ、例えば、パラボラ（２次）曲線を合成したような関
数とすることもできる。
数（微係数）がゼロになるような関数は、無数に考えら
れ、例えば、パラボラ（２次）曲線を合成したような関
数とすることもできる。
【０１０５】上述の変調制御は、実際には、インデック
ス信号処理回路１０５（図１５参照）が、インデックス
電極部１０からのインデックス信号Ｓ1とタイミングジ
ェネレータ１０６からのタイミング信号とに基づいて、
各電子ビームＥＢL，ＥＢRについて、重複領域ＯＬの始
点Ｐ1L，Ｐ1Rを走査するタイミングの判断を行い、重複
領域ＯＬの始点Ｐ1L，Ｐ1Rからメモリ１０２で分割され
た左右の映像信号の変調が行われるように、変調信号Ｓ
3R，Ｓ3Lを変調器１０４Ｌ，１０４Ｒに出力することに
より制御される。変調器１０４Ｌ，１０４Ｒは、インデ
ックス信号処理回路１０５からの変調信号Ｓ3R，Ｓ3Lに
基づいて、左右の映像信号の変調を行う。変調された左
右の映像信号は、各ビデオアンプＶＡＭＰL，ＶＡＭＰR
に入力され、それぞれ所定レベルまで増幅され、各電子
銃４１Ｌ，４１Ｒの内部に配置された図示しないカソー
ドに対して、カソード駆動電圧として与えられる。これ
により、各電子銃４１Ｌ，４１Ｒから変調制御された電
子ビームＥＢL，ＥＢRが射出される。
ス信号処理回路１０５（図１５参照）が、インデックス
電極部１０からのインデックス信号Ｓ1とタイミングジ
ェネレータ１０６からのタイミング信号とに基づいて、
各電子ビームＥＢL，ＥＢRについて、重複領域ＯＬの始
点Ｐ1L，Ｐ1Rを走査するタイミングの判断を行い、重複
領域ＯＬの始点Ｐ1L，Ｐ1Rからメモリ１０２で分割され
た左右の映像信号の変調が行われるように、変調信号Ｓ
3R，Ｓ3Lを変調器１０４Ｌ，１０４Ｒに出力することに
より制御される。変調器１０４Ｌ，１０４Ｒは、インデ
ックス信号処理回路１０５からの変調信号Ｓ3R，Ｓ3Lに
基づいて、左右の映像信号の変調を行う。変調された左
右の映像信号は、各ビデオアンプＶＡＭＰL，ＶＡＭＰR
に入力され、それぞれ所定レベルまで増幅され、各電子
銃４１Ｌ，４１Ｒの内部に配置された図示しないカソー
ドに対して、カソード駆動電圧として与えられる。これ
により、各電子銃４１Ｌ，４１Ｒから変調制御された電
子ビームＥＢL，ＥＢRが射出される。
【０１０６】電子ビームの走査位置と輝度の変調制御の
タイミングとの関係を図２２に示す。尚、図２２では、
右側の電子ビームＥＢRについて示しているが、左側の
電子ビームＥＢLについても同様である。図１２を参照
して説明したように、過走査領域ＯＳにおいて、インデ
ックス電極部１０上を位置検出用の複数の電子ビームＢ
1，Ｂ2・・・が走査するようになっている。図２２にお
いて、期間Ｔiは、図１９に示したインデックスドライ
ブ信号Ｓ0Rに基づいて、位置検出用の複数の電子ビーム
Ｂ1，Ｂ2・・・が出力されている期間である。尚、図２
２において、電子ビームＢ1，Ｂ2・・・の帰線Ｂ0も同
時に示す。電子ビームが過走査領域ＯＳから重複領域Ｏ
Ｌに移行すると、始点Ｐ1Rから映像信号ＳVに基づく走
査が行われる。インデックス信号処理回路１０５から
は、始点Ｐ1Rに同期するように変調信号Ｓ3Rが出力され
る。
タイミングとの関係を図２２に示す。尚、図２２では、
右側の電子ビームＥＢRについて示しているが、左側の
電子ビームＥＢLについても同様である。図１２を参照
して説明したように、過走査領域ＯＳにおいて、インデ
ックス電極部１０上を位置検出用の複数の電子ビームＢ
1，Ｂ2・・・が走査するようになっている。図２２にお
いて、期間Ｔiは、図１９に示したインデックスドライ
ブ信号Ｓ0Rに基づいて、位置検出用の複数の電子ビーム
Ｂ1，Ｂ2・・・が出力されている期間である。尚、図２
２において、電子ビームＢ1，Ｂ2・・・の帰線Ｂ0も同
時に示す。電子ビームが過走査領域ＯＳから重複領域Ｏ
Ｌに移行すると、始点Ｐ1Rから映像信号ＳVに基づく走
査が行われる。インデックス信号処理回路１０５から
は、始点Ｐ1Rに同期するように変調信号Ｓ3Rが出力され
る。
【０１０７】尚、上述したインデックス信号Ｓ1に基づ
く各電子ビームＥＢL，ＥＢRの位置の制御及び輝度の変
調制御を伴う画像補正を行う時期については任意に設定
することが可能であり、例えば、陰極線管の起動時に行
ったり、あるいは、定期的な期間を置いて間欠的に行っ
たり、更には、常時行うようにすることが選択可能であ
る。また、各電子ビームＥＢL，ＥＢRの制御を交互に行
うようにしてもよい。更には、電子ビームＥＢL，ＥＢR
の補正結果を、各電子ビームＥＢL，ＥＢRの次回のフィ
ールド走査時において反映させるような、所謂フイード
バックループ構成とすれば、陰極線管の動作中にインデ
ックスの設置位置や向きが変えられたとしても、地磁気
等の外部環境の変化による画面歪み等を自動的に補正す
ることができる。また、各処理回路が経時変化すること
により走査画面が変動するような場合にも、自動的に変
動を吸収して適正な画像を表示することが可能となる。
尚、各処理回路の動作が安定しており、設置位置も不変
であるならば、陰極線管の起動時にのみ補正を行うだけ
でも充分である。このように、地磁気等の外部環境の変
化や各処理回路の経時変動が表示画像に及ぼす影響が位
置的にも輝度的にも自動的に補正され、左右の分割画面
が適正に繋ぎ合わされて表示される。
く各電子ビームＥＢL，ＥＢRの位置の制御及び輝度の変
調制御を伴う画像補正を行う時期については任意に設定
することが可能であり、例えば、陰極線管の起動時に行
ったり、あるいは、定期的な期間を置いて間欠的に行っ
たり、更には、常時行うようにすることが選択可能であ
る。また、各電子ビームＥＢL，ＥＢRの制御を交互に行
うようにしてもよい。更には、電子ビームＥＢL，ＥＢR
の補正結果を、各電子ビームＥＢL，ＥＢRの次回のフィ
ールド走査時において反映させるような、所謂フイード
バックループ構成とすれば、陰極線管の動作中にインデ
ックスの設置位置や向きが変えられたとしても、地磁気
等の外部環境の変化による画面歪み等を自動的に補正す
ることができる。また、各処理回路が経時変化すること
により走査画面が変動するような場合にも、自動的に変
動を吸収して適正な画像を表示することが可能となる。
尚、各処理回路の動作が安定しており、設置位置も不変
であるならば、陰極線管の起動時にのみ補正を行うだけ
でも充分である。このように、地磁気等の外部環境の変
化や各処理回路の経時変動が表示画像に及ぼす影響が位
置的にも輝度的にも自動的に補正され、左右の分割画面
が適正に繋ぎ合わされて表示される。
【０１０８】以上に説明したように、実施の形態４によ
れば、管内において、隣接する左右の分割画面の繋ぎ目
側における電子ビームＥＢL，ＥＢRの過走査領域ＯＳ
に、電子ビームＥＢL，ＥＢRの入射に応じて電気的な検
出信号を出力するインデックス電極部１０を設けるよう
にしたので、簡単な構造、構成でありながら、電子ビー
ムＥＢL，ＥＢRの走査位置を容易に検出することができ
る。また、インデックス電極部１０から出力された検出
信号に基づいて、電子ビームＥＢL，ＥＢRの走査位置の
制御を行うようにしたので、検出した走査位置に基づい
て、画面走査の振幅、画面歪み及びミスコンバーゼンス
等の画像表示の補正を自動的に行うことが可能になる。
更に、実施の形態４によれば、インデックス電極部１０
に開口部１１を設けているので、ライン走査方向と共に
フィールド走査方向における電子ビームＥＢの走査位置
の検出ができ、陰極線管の水平方向と共に垂直方向にお
ける画像補正を行うことが可能になる。
れば、管内において、隣接する左右の分割画面の繋ぎ目
側における電子ビームＥＢL，ＥＢRの過走査領域ＯＳ
に、電子ビームＥＢL，ＥＢRの入射に応じて電気的な検
出信号を出力するインデックス電極部１０を設けるよう
にしたので、簡単な構造、構成でありながら、電子ビー
ムＥＢL，ＥＢRの走査位置を容易に検出することができ
る。また、インデックス電極部１０から出力された検出
信号に基づいて、電子ビームＥＢL，ＥＢRの走査位置の
制御を行うようにしたので、検出した走査位置に基づい
て、画面走査の振幅、画面歪み及びミスコンバーゼンス
等の画像表示の補正を自動的に行うことが可能になる。
更に、実施の形態４によれば、インデックス電極部１０
に開口部１１を設けているので、ライン走査方向と共に
フィールド走査方向における電子ビームＥＢの走査位置
の検出ができ、陰極線管の水平方向と共に垂直方向にお
ける画像補正を行うことが可能になる。
【０１０９】従って、実施の形態４によれば、インデッ
クス電極部１０から出力された電気信号（検出信号）に
基づいて、左右の分割画面が位置的に適正に繋ぎ合わさ
れるように画像の表示制御を行うことができる。また、
実施の形態４によれば、インデックス電極部１０から出
力された検出信号に基づいて、繋ぎ目部分の輝度の変調
制御を行うようにしたので、繋ぎ目部分における輝度の
変化が目立たなくなるように画像の表示制御を行うこと
ができる。このように、実施の形態４によれば、位置的
にも輝度的にも繋ぎ目部分が目立たないように左右の分
割画面を繋ぎ合わせて良好に画像表示を行うことができ
る。更に、実施の形態４の陰極線管は、２つの電子銃４
１Ｌ，４１Ｒを用いて画像表示を行うので、単一の電子
銃を用いた陰極線管よりも電子銃から蛍光体面までの距
離を短くすることができ、奥行きの短縮化を図ることが
できる。従って、フォーカス特性の良い（像倍率が小さ
い）画像表示を行うことができる。また、２つの電子銃
４１Ｌ，４１Ｒを備えているので、大画面にも拘わら
ず、容易に高輝度化できると共に、小型化を図ることが
できる。
クス電極部１０から出力された電気信号（検出信号）に
基づいて、左右の分割画面が位置的に適正に繋ぎ合わさ
れるように画像の表示制御を行うことができる。また、
実施の形態４によれば、インデックス電極部１０から出
力された検出信号に基づいて、繋ぎ目部分の輝度の変調
制御を行うようにしたので、繋ぎ目部分における輝度の
変化が目立たなくなるように画像の表示制御を行うこと
ができる。このように、実施の形態４によれば、位置的
にも輝度的にも繋ぎ目部分が目立たないように左右の分
割画面を繋ぎ合わせて良好に画像表示を行うことができ
る。更に、実施の形態４の陰極線管は、２つの電子銃４
１Ｌ，４１Ｒを用いて画像表示を行うので、単一の電子
銃を用いた陰極線管よりも電子銃から蛍光体面までの距
離を短くすることができ、奥行きの短縮化を図ることが
できる。従って、フォーカス特性の良い（像倍率が小さ
い）画像表示を行うことができる。また、２つの電子銃
４１Ｌ，４１Ｒを備えているので、大画面にも拘わら
ず、容易に高輝度化できると共に、小型化を図ることが
できる。
【０１１０】（実施の形態５）実施の形態４では、各電
子ビームＥＢL，ＥＢRによるライン走査を水平方向に行
い、フィールド走査を、上から下に行った。一方、実施
の形態５では、各電子ビームＥＢL，ＥＢRによるライン
走査を上から下（図１６のＹ方向）に向けて行い、フィ
ールド走査を、水平方向に画面中央部分から外側に向け
て互いに反対方向（図１６のＸR，ＸL方向）に行う。こ
のように、実施の形態５では、実施の形態４に対して、
各電子ビームＥＢL，ＥＢRによるライン走査及びフィー
ルド走査をちょうど９０度回転させた形となっている。
子ビームＥＢL，ＥＢRによるライン走査を水平方向に行
い、フィールド走査を、上から下に行った。一方、実施
の形態５では、各電子ビームＥＢL，ＥＢRによるライン
走査を上から下（図１６のＹ方向）に向けて行い、フィ
ールド走査を、水平方向に画面中央部分から外側に向け
て互いに反対方向（図１６のＸR，ＸL方向）に行う。こ
のように、実施の形態５では、実施の形態４に対して、
各電子ビームＥＢL，ＥＢRによるライン走査及びフィー
ルド走査をちょうど９０度回転させた形となっている。
【０１１１】実施の形態５の陰極線管では、Ａ／Ｄ変換
器１０１（図１５参照）によってディジタル化された映
像信号ＳVは、図示しないメモリコントローラの制御に
基づいて、例えば、フィールド単位毎にメモリ１０２に
格納される。メモリ１０２に格納された１フィールド単
位の映像信号は、図示しないメモリコントローラの制御
によって、左右の画面用に約２分割される。１フィール
ド単位で格納された各映像信号は、各画面側で、Ｈ／２
（１Ｈは、１水平走査期間）毎に分割される。実施の形
態５の陰極線管では、このＨ／２毎に分割された信号に
よって上から下に（Ｙ方向に）ライン走査を行い、水平
方向に画面中央部分から外側に向けて（ＸR方向及びＸL
方向に）フィールド走査を行い、１フィールドの画像を
有効画面内に形成する。
器１０１（図１５参照）によってディジタル化された映
像信号ＳVは、図示しないメモリコントローラの制御に
基づいて、例えば、フィールド単位毎にメモリ１０２に
格納される。メモリ１０２に格納された１フィールド単
位の映像信号は、図示しないメモリコントローラの制御
によって、左右の画面用に約２分割される。１フィール
ド単位で格納された各映像信号は、各画面側で、Ｈ／２
（１Ｈは、１水平走査期間）毎に分割される。実施の形
態５の陰極線管では、このＨ／２毎に分割された信号に
よって上から下に（Ｙ方向に）ライン走査を行い、水平
方向に画面中央部分から外側に向けて（ＸR方向及びＸL
方向に）フィールド走査を行い、１フィールドの画像を
有効画面内に形成する。
【０１１２】電子ビーム位置検出装置としては、図１に
示した電子ビーム位置検出装置を用いる。電子ビーム位
置検出装置の模式的な平面図、及び、インデックス電極
部１０から出力された検出信号に基づいたインデックス
信号Ｓ1の波形の一例は、図１４に示したと同様であ
る。インデックス電極部１０からは、通過する電子ビー
ムＥＢL，ＥＢRの走査位置及び走査タイミングの違いに
応じて異なる波形の検出信号が出力される。従って、例
えば、電子ビームＥＢL，ＥＢRが各開口部１１、第２の
開口部１２を通過するときのパルス信号列の位相を観測
・解析すれば、インデックス電極部１０上の各電子ビー
ムＥＢL，ＥＢRの軌道を推定することができる。パルス
信号列の位相の解析は、実施の形態４と同様に、インデ
ックス信号処理回路１０５（図１５参照）が、アンプＡ
ＭＰを介して取得したインデックス電極部１０からの検
出信号に相当するインデックス信号Ｓ1を解析すること
により行えばよい。インデックス信号処理回路１０５
は、インデックス信号Ｓ1の解析に基づいて、コンバー
ゼンス・偏向補正信号Ｓ2を出力する。コンバーゼンス
・偏向回路１０７は、コンバーゼンス・偏向補正信号Ｓ
2に基づいて偏向ヨーク３１Ｌ，３１Ｒを制御する。こ
れにより、各電子ビームＥＢL，ＥＢRの走査位置の制御
が行われ、画面歪み等が補正されるように画像補正がな
される。
示した電子ビーム位置検出装置を用いる。電子ビーム位
置検出装置の模式的な平面図、及び、インデックス電極
部１０から出力された検出信号に基づいたインデックス
信号Ｓ1の波形の一例は、図１４に示したと同様であ
る。インデックス電極部１０からは、通過する電子ビー
ムＥＢL，ＥＢRの走査位置及び走査タイミングの違いに
応じて異なる波形の検出信号が出力される。従って、例
えば、電子ビームＥＢL，ＥＢRが各開口部１１、第２の
開口部１２を通過するときのパルス信号列の位相を観測
・解析すれば、インデックス電極部１０上の各電子ビー
ムＥＢL，ＥＢRの軌道を推定することができる。パルス
信号列の位相の解析は、実施の形態４と同様に、インデ
ックス信号処理回路１０５（図１５参照）が、アンプＡ
ＭＰを介して取得したインデックス電極部１０からの検
出信号に相当するインデックス信号Ｓ1を解析すること
により行えばよい。インデックス信号処理回路１０５
は、インデックス信号Ｓ1の解析に基づいて、コンバー
ゼンス・偏向補正信号Ｓ2を出力する。コンバーゼンス
・偏向回路１０７は、コンバーゼンス・偏向補正信号Ｓ
2に基づいて偏向ヨーク３１Ｌ，３１Ｒを制御する。こ
れにより、各電子ビームＥＢL，ＥＢRの走査位置の制御
が行われ、画面歪み等が補正されるように画像補正がな
される。
【０１１３】実施の形態５では、このような画像補正が
左右の分割画面の双方で行われることにより、左右の分
割画面が適正に繋ぎ合わされて表示される。尚、インデ
ックス電極部１０は、１つしか設けられていないので、
電子ビームＥＢL，ＥＢRの走査位置を完全に同時に検出
することはできない。従って、左右の分割画面を同時に
補正することはできないが、例えば、ライン走査毎又は
フィールド走査毎に電子ビームＥＢL，ＥＢRの走査位置
を交互に検出して左右の分割画面を交互に補正すること
で、左右の分割画面を補正することができる。
左右の分割画面の双方で行われることにより、左右の分
割画面が適正に繋ぎ合わされて表示される。尚、インデ
ックス電極部１０は、１つしか設けられていないので、
電子ビームＥＢL，ＥＢRの走査位置を完全に同時に検出
することはできない。従って、左右の分割画面を同時に
補正することはできないが、例えば、ライン走査毎又は
フィールド走査毎に電子ビームＥＢL，ＥＢRの走査位置
を交互に検出して左右の分割画面を交互に補正すること
で、左右の分割画面を補正することができる。
【０１１４】また、以上の説明では、１つのインデック
ス電極部１０によって、電子ビームＥＢL，ＥＢRの各々
の走査位置を検出するようにしたが、図１８に示したと
同様に、インデックス電極部１０を複数設けることで、
電子ビームＥＢL，ＥＢRの走査位置を各々独立に検出す
ることも可能である。インデックス電極部１０を複数設
けることで、電子ビームＥＢL，ＥＢRの走査位置を各々
独立に且つ同時に検出することが可能になると共に、左
右の分割画面を同時に補正することが可能になる。
ス電極部１０によって、電子ビームＥＢL，ＥＢRの各々
の走査位置を検出するようにしたが、図１８に示したと
同様に、インデックス電極部１０を複数設けることで、
電子ビームＥＢL，ＥＢRの走査位置を各々独立に検出す
ることも可能である。インデックス電極部１０を複数設
けることで、電子ビームＥＢL，ＥＢRの走査位置を各々
独立に且つ同時に検出することが可能になると共に、左
右の分割画面を同時に補正することが可能になる。
【０１１５】以上に説明したように、実施の形態５によ
れば、例えば、各電子ビームＥＢL，ＥＢRによるライン
走査を陰極線管の上から下に向けて行い、フィールド走
査を、陰極線管の水平方向に画面中央部分から外側に向
けて互いに反対方向に行うような場合においても、繋ぎ
目部分が目立たないように左右の分割画面を繋ぎ合わせ
て良好に画像表示を行うことができる。
れば、例えば、各電子ビームＥＢL，ＥＢRによるライン
走査を陰極線管の上から下に向けて行い、フィールド走
査を、陰極線管の水平方向に画面中央部分から外側に向
けて互いに反対方向に行うような場合においても、繋ぎ
目部分が目立たないように左右の分割画面を繋ぎ合わせ
て良好に画像表示を行うことができる。
【０１１６】（実施の形態６）実施の形態１〜実施の形
態５では、隣接する分割画面の繋ぎ目側における過走査
領域ＯＳに、各電子ビームＥＢL，ＥＢRの入射に応じて
電気的な検出信号を発生させるインデックス電極部１０
を備えた電子ビーム位置検出装置を管内に配設した。一
方、実施の形態６では、電子ビームの入射に応じて光を
発する電子ビーム位置検出装置１Ｂを管内に配設する。
態５では、隣接する分割画面の繋ぎ目側における過走査
領域ＯＳに、各電子ビームＥＢL，ＥＢRの入射に応じて
電気的な検出信号を発生させるインデックス電極部１０
を備えた電子ビーム位置検出装置を管内に配設した。一
方、実施の形態６では、電子ビームの入射に応じて光を
発する電子ビーム位置検出装置１Ｂを管内に配設する。
【０１１７】この電子ビーム位置検出装置１Ｂは、電子
ビーム位置検出のための開口部を有するインデックス電
極部、開口部を通過した電子ビームを遮蔽するためのシ
ールド部、及び、インデックス電極部をシールド部に固
定するための支持体から成る。即ち、実施の形態６にお
ける基本的な電子ビーム位置検出装置１Ｂの構造は、実
施の形態１にて説明した電子ビーム位置検出装置１と同
じ構造を有する。実施の形態６における電子ビーム位置
検出装置１Ｂが、実施の形態１の電子ビーム位置検出装
置１Ａと相違する点は、インデックス電極部の表面に、
電子ビームの衝突によって発光する蛍光体層が設けられ
ている点にある。蛍光体層は、例えば、短残光特性の蛍
光体から構成することが望ましく、蛍光体として、例え
ば、Ｐ３７（ＺｎＳ：Ａｇ，Ｎｉ）、Ｐ４６（Ｙ3Ａｌ5
Ｏ12：Ｃｅ）、Ｐ４７（Ｙ2ＳｉＯ5：Ｃｅ）等を挙げる
ことができる。尚、開口部１１の形状は、図１、図６、
図７に示した形状とすることができる。また、実施の形
態６に係る陰極線管は、図２３に模式的に示すように、
ファンネル部３０における電子ビーム位置検出装置１Ｂ
に対応する領域に、インデックス電極部から発せられた
光を通過させるための光学的に透明な検出用の窓７０が
設けられている。また、ファンネル部３０の外側（管
外）において、検出用の窓７０に対応する位置には、光
検出器７１が配置されている。実施の形態６の電子ビー
ム位置検出装置においては、インデックス電極部やシー
ルド部を高電圧に接続する必要はないし、抵抗体を具備
する必要もない。
ビーム位置検出のための開口部を有するインデックス電
極部、開口部を通過した電子ビームを遮蔽するためのシ
ールド部、及び、インデックス電極部をシールド部に固
定するための支持体から成る。即ち、実施の形態６にお
ける基本的な電子ビーム位置検出装置１Ｂの構造は、実
施の形態１にて説明した電子ビーム位置検出装置１と同
じ構造を有する。実施の形態６における電子ビーム位置
検出装置１Ｂが、実施の形態１の電子ビーム位置検出装
置１Ａと相違する点は、インデックス電極部の表面に、
電子ビームの衝突によって発光する蛍光体層が設けられ
ている点にある。蛍光体層は、例えば、短残光特性の蛍
光体から構成することが望ましく、蛍光体として、例え
ば、Ｐ３７（ＺｎＳ：Ａｇ，Ｎｉ）、Ｐ４６（Ｙ3Ａｌ5
Ｏ12：Ｃｅ）、Ｐ４７（Ｙ2ＳｉＯ5：Ｃｅ）等を挙げる
ことができる。尚、開口部１１の形状は、図１、図６、
図７に示した形状とすることができる。また、実施の形
態６に係る陰極線管は、図２３に模式的に示すように、
ファンネル部３０における電子ビーム位置検出装置１Ｂ
に対応する領域に、インデックス電極部から発せられた
光を通過させるための光学的に透明な検出用の窓７０が
設けられている。また、ファンネル部３０の外側（管
外）において、検出用の窓７０に対応する位置には、光
検出器７１が配置されている。実施の形態６の電子ビー
ム位置検出装置においては、インデックス電極部やシー
ルド部を高電圧に接続する必要はないし、抵抗体を具備
する必要もない。
【０１１８】光検出器７１は、インデックス電極部から
発せられた光を検出し、検出した光を電気的な信号に変
換して出力する。光検出器７１に接続されたアンプ（図
示せず）は、光検出器７１から出力された信号を増幅し
てインデックス信号Ｓ1として出力する。アンプから出
力されたインデックス信号Ｓ1は、実施の形態４あるい
は実施の形態５と同様に、インデックス信号処理回路１
０５（図１５参照）に入力され、各電子ビームＥＢL，
ＥＢRの繋ぎ目部分における走査位置の制御等に利用さ
れる。インデックス信号Ｓ1を用いた画像補正方法は、
実施の形態４あるいは実施の形態５と同様とすることが
できる。
発せられた光を検出し、検出した光を電気的な信号に変
換して出力する。光検出器７１に接続されたアンプ（図
示せず）は、光検出器７１から出力された信号を増幅し
てインデックス信号Ｓ1として出力する。アンプから出
力されたインデックス信号Ｓ1は、実施の形態４あるい
は実施の形態５と同様に、インデックス信号処理回路１
０５（図１５参照）に入力され、各電子ビームＥＢL，
ＥＢRの繋ぎ目部分における走査位置の制御等に利用さ
れる。インデックス信号Ｓ1を用いた画像補正方法は、
実施の形態４あるいは実施の形態５と同様とすることが
できる。
【０１１９】尚、実施の形態６においても、図１８に示
したと同様に、インデックス電極部１０を複数設けるこ
とで、電子ビームＥＢL，ＥＢRの走査位置を各々独立に
検出することも可能である。インデックス電極部１０を
複数設けることで、電子ビームＥＢL，ＥＢRの走査位置
を各々独立に且つ同時に検出することが可能になると共
に、左右の分割画面を同時に補正することが可能にな
る。また、実施の形態２あるいは実施の形態３と同様
に、単一の電子銃を備えた陰極線管に、実施の形態６の
電子ビーム位置検出装置を適用することもできる。
したと同様に、インデックス電極部１０を複数設けるこ
とで、電子ビームＥＢL，ＥＢRの走査位置を各々独立に
検出することも可能である。インデックス電極部１０を
複数設けることで、電子ビームＥＢL，ＥＢRの走査位置
を各々独立に且つ同時に検出することが可能になると共
に、左右の分割画面を同時に補正することが可能にな
る。また、実施の形態２あるいは実施の形態３と同様
に、単一の電子銃を備えた陰極線管に、実施の形態６の
電子ビーム位置検出装置を適用することもできる。
【０１２０】実施の形態６によれば、管内において、隣
接する左右の分割画面の繋ぎ目側における電子ビームＥ
ＢL，ＥＢRの過走査領域ＯＳに、電子ビームＥＢL，Ｅ
ＢRの入射に応じて発光するインデックス電極部を設け
ると共に、インデックス電極部から発せられた光を光検
出器７１において検出し、光検出器７１からの信号をア
ンプを介してインデックス信号Ｓ1として出力するよう
にしたので、実施の形態４あるいは実施の形態５と同様
に、インデックス信号Ｓ1に基づいた各電子ビームＥ
ＢL，ＥＢRの制御が可能となり、位置的にも輝度的にも
繋ぎ目部分が目立たないように左右の分割画面を繋ぎ合
わせて良好に画像表示を行うことができる。また、実施
の形態６によれば、光学的に電子ビームＥＢL，ＥＢRの
入射に応じた信号を検出するので、実施の形態２〜実施
の形態５のように電気的な検出信号を出力する方式に比
べて、インデックス信号Ｓ1の高周波特性が優れている
という利点がある。
接する左右の分割画面の繋ぎ目側における電子ビームＥ
ＢL，ＥＢRの過走査領域ＯＳに、電子ビームＥＢL，Ｅ
ＢRの入射に応じて発光するインデックス電極部を設け
ると共に、インデックス電極部から発せられた光を光検
出器７１において検出し、光検出器７１からの信号をア
ンプを介してインデックス信号Ｓ1として出力するよう
にしたので、実施の形態４あるいは実施の形態５と同様
に、インデックス信号Ｓ1に基づいた各電子ビームＥ
ＢL，ＥＢRの制御が可能となり、位置的にも輝度的にも
繋ぎ目部分が目立たないように左右の分割画面を繋ぎ合
わせて良好に画像表示を行うことができる。また、実施
の形態６によれば、光学的に電子ビームＥＢL，ＥＢRの
入射に応じた信号を検出するので、実施の形態２〜実施
の形態５のように電気的な検出信号を出力する方式に比
べて、インデックス信号Ｓ1の高周波特性が優れている
という利点がある。
【０１２１】以上、本発明を、発明の実施の形態に基づ
き説明したが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。実施の形態２〜実施の形態５においては、専ら、第
１の構成に係る電子ビーム位置検出装置を用いたが、第
２の構成、第３の構成あるいは第４の構成に係る電子ビ
ーム位置検出装置を用いることもできる。電子ビーム位
置検出装置の支持体の構造、形状、開口部や第２の開口
部の形状も例示であり、適宜、変更することができる。
また、例えば、各実施の形態では、カラー表示可能な陰
極線管について説明したが、本発明は、モノクロ表示を
行う陰極線管にも適用することが可能である。この場
合、上述のコンバーゼンス・偏向回路１０７等を構成か
ら省くことができる。実施の形態４〜実施の形態６で
は、２つの電子銃を備え、２つの走査画面を繋ぎ合わせ
ることにより単一の画面を形成するようにした陰極線管
について説明したが、３つ以上の電子銃を備え、１つの
画面を３つ以上の走査画面を合成して形成するようにし
た陰極線管にも適用することが可能である。また、実施
の形態４〜実施の形態６では、分割画面を部分的に重複
させて１つの画面を得るようにしたが、重複領域を設け
ずに、単に分割画面の端部を線状に繋ぎ合わせることに
より１つの画面を得るようにしてもよい。
き説明したが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。実施の形態２〜実施の形態５においては、専ら、第
１の構成に係る電子ビーム位置検出装置を用いたが、第
２の構成、第３の構成あるいは第４の構成に係る電子ビ
ーム位置検出装置を用いることもできる。電子ビーム位
置検出装置の支持体の構造、形状、開口部や第２の開口
部の形状も例示であり、適宜、変更することができる。
また、例えば、各実施の形態では、カラー表示可能な陰
極線管について説明したが、本発明は、モノクロ表示を
行う陰極線管にも適用することが可能である。この場
合、上述のコンバーゼンス・偏向回路１０７等を構成か
ら省くことができる。実施の形態４〜実施の形態６で
は、２つの電子銃を備え、２つの走査画面を繋ぎ合わせ
ることにより単一の画面を形成するようにした陰極線管
について説明したが、３つ以上の電子銃を備え、１つの
画面を３つ以上の走査画面を合成して形成するようにし
た陰極線管にも適用することが可能である。また、実施
の形態４〜実施の形態６では、分割画面を部分的に重複
させて１つの画面を得るようにしたが、重複領域を設け
ずに、単に分割画面の端部を線状に繋ぎ合わせることに
より１つの画面を得るようにしてもよい。
【０１２２】また、実施の形態４では、図１６に示した
ように、各電子ビームＥＢL，ＥＢRによるライン走査
が、画面中央部分から外側に向けて互いに反対方向に行
われ、フィールド走査が、一般的な陰極線管のように、
上から下に行われる例について示したが、各電子ビーム
ＥＢL，ＥＢRの走査方向はこれに限らず、例えば、ライ
ン走査を画面外側から画面中央部分に向けて行うように
することも可能である。また、実施の形態５では、各電
子ビームＥＢL，ＥＢRによるフィールド走査を画面中央
部分から外側に向けて互いに反対方向に行うようにした
が、このフィールド走査についても、例えば、フィール
ド走査を画面外側から画面中央部分に向けて行うように
することも可能である。
ように、各電子ビームＥＢL，ＥＢRによるライン走査
が、画面中央部分から外側に向けて互いに反対方向に行
われ、フィールド走査が、一般的な陰極線管のように、
上から下に行われる例について示したが、各電子ビーム
ＥＢL，ＥＢRの走査方向はこれに限らず、例えば、ライ
ン走査を画面外側から画面中央部分に向けて行うように
することも可能である。また、実施の形態５では、各電
子ビームＥＢL，ＥＢRによるフィールド走査を画面中央
部分から外側に向けて互いに反対方向に行うようにした
が、このフィールド走査についても、例えば、フィール
ド走査を画面外側から画面中央部分に向けて行うように
することも可能である。
【０１２３】
【発明の効果】本発明の電子ビーム位置検出装置は、簡
素な構造にも拘わらず、高い精度で電子ビームの位置を
検出することができるし、陰極線管の管内への組み込み
を容易に、しかも、高い自由度をもって行うことができ
る。また、電子ビーム位置検出装置を安価に製造するこ
とができる。更には、シールド部を備えているので、イ
ンデックス電極部に設けられた開口部を通過した電子ビ
ームはシールド部に確実に衝突する。その結果、本来、
画面の形成に寄与しない電子ビーム（過走査領域を走査
する電子ビーム）が陰極線管のパネル部等に衝突し、表
示画面の品質低下を誘発するといった現象の発生を確実
に防止することができる。
素な構造にも拘わらず、高い精度で電子ビームの位置を
検出することができるし、陰極線管の管内への組み込み
を容易に、しかも、高い自由度をもって行うことができ
る。また、電子ビーム位置検出装置を安価に製造するこ
とができる。更には、シールド部を備えているので、イ
ンデックス電極部に設けられた開口部を通過した電子ビ
ームはシールド部に確実に衝突する。その結果、本来、
画面の形成に寄与しない電子ビーム（過走査領域を走査
する電子ビーム）が陰極線管のパネル部等に衝突し、表
示画面の品質低下を誘発するといった現象の発生を確実
に防止することができる。
【０１２４】しかも、電子ビーム位置検出装置のインデ
ックス電極部には開口部が設けられているので、ライン
走査方向及びフィールド走査方向における電子ビームの
走査位置の検出が可能となり、ライン走査方向及びフィ
ールド走査方向における画像表示の補正を行うことが可
能となる。
ックス電極部には開口部が設けられているので、ライン
走査方向及びフィールド走査方向における電子ビームの
走査位置の検出が可能となり、ライン走査方向及びフィ
ールド走査方向における画像表示の補正を行うことが可
能となる。
【０１２５】また、本発明を複数の電子銃を備えた複電
子銃方式の陰極線管に適用すれば、陰極線管の管内にお
いて、隣接する分割画面の繋ぎ目側における電子ビーム
の過走査領域に設けられた電子ビーム位置検出装置か
ら、電子ビームの入射に応じて光に基づく信号又は電気
信号を出力し、この光に基づく信号又は電気信号に基づ
いて、複数の分割画面が適正に繋ぎ合わされて表示され
るよう画像の表示制御を行うので、繋ぎ目部分が目立た
ないように複数の分割画面を繋ぎ合わせて良好に画像表
示を行うことができる。更には、複数の分割画面の位置
的な制御と共に、隣接する分割画面の繋ぎ目部分の輝度
の変調制御を行えば、輝度的に繋ぎ目部分が目立たない
ようにして良好に画像表示を行うことができる。
子銃方式の陰極線管に適用すれば、陰極線管の管内にお
いて、隣接する分割画面の繋ぎ目側における電子ビーム
の過走査領域に設けられた電子ビーム位置検出装置か
ら、電子ビームの入射に応じて光に基づく信号又は電気
信号を出力し、この光に基づく信号又は電気信号に基づ
いて、複数の分割画面が適正に繋ぎ合わされて表示され
るよう画像の表示制御を行うので、繋ぎ目部分が目立た
ないように複数の分割画面を繋ぎ合わせて良好に画像表
示を行うことができる。更には、複数の分割画面の位置
的な制御と共に、隣接する分割画面の繋ぎ目部分の輝度
の変調制御を行えば、輝度的に繋ぎ目部分が目立たない
ようにして良好に画像表示を行うことができる。
【図１】発明の実施の形態１における電子ビーム位置検
出装置の一部を切り欠いた模式的な平面図、模式的な側
面図、及び、模式的な正面図である。
出装置の一部を切り欠いた模式的な平面図、模式的な側
面図、及び、模式的な正面図である。
【図２】図１に示した発明の実施の形態１における電子
ビーム位置検出装置の模式的な斜視図である。
ビーム位置検出装置の模式的な斜視図である。
【図３】発明の実施の形態１における電子ビーム位置検
出装置の変形例の模式的な部分的斜視図、及び、別の変
形例の模式的な正面図である。
出装置の変形例の模式的な部分的斜視図、及び、別の変
形例の模式的な正面図である。
【図４】発明の実施の形態１における電子ビーム位置検
出装置の更に別の変形例の模式的な平面図、模式的な側
面図、及び、模式的な正面図である。
出装置の更に別の変形例の模式的な平面図、模式的な側
面図、及び、模式的な正面図である。
【図５】図４に示した発明の実施の形態１における電子
ビーム位置検出装置の更に別の変形例の模式的な斜視図
である。
ビーム位置検出装置の更に別の変形例の模式的な斜視図
である。
【図６】電子ビーム位置検出装置に設けられた開口部の
変形例を示す模式的な平面図である。
変形例を示す模式的な平面図である。
【図７】電子ビーム位置検出装置に設けられた開口部の
変形例を示す模式的な平面図である。
変形例を示す模式的な平面図である。
【図８】発明の実施の形態２の陰極線管の概略を示す構
成図、及び、模式的な正面図である。
成図、及び、模式的な正面図である。
【図９】電子ビーム位置検出装置等によって形成される
回路の等価回路に示す図である。
回路の等価回路に示す図である。
【図１０】図９に示した等価回路の周波数特性を示す特
性図である。
性図である。
【図１１】発明の実施の形態２に係る陰極線管の信号処
理回路を示すブロック図である。
理回路を示すブロック図である。
【図１２】インデックス電極部から出力される検出信号
の波形の一例を示す図である。
の波形の一例を示す図である。
【図１３】発明の実施の形態３の陰極線管の模式的な正
面図である。
面図である。
【図１４】発明の実施の形態３における電子ビーム位置
検出装置の模式的な平面図、及び、インデックス電極部
から出力される検出信号の波形の一例を示す図である。
検出装置の模式的な平面図、及び、インデックス電極部
から出力される検出信号の波形の一例を示す図である。
【図１５】発明の実施の形態４の陰極線管の概略を示す
構成図である。
構成図である。
【図１６】図１５に示した発明の実施の形態４の陰極線
管の模式的な正面図である。
管の模式的な正面図である。
【図１７】発明の実施の形態４に係る陰極線管の信号処
理回路を示すブロック図である。
理回路を示すブロック図である。
【図１８】インデックス電極部等が２組、組み合わされ
た構造の電子ビーム位置検出装置も模式図、及び、かか
る電子ビーム位置検出装置の模式的な正面図である。
た構造の電子ビーム位置検出装置も模式図、及び、かか
る電子ビーム位置検出装置の模式的な正面図である。
【図１９】実施の形態４の陰極線管における各分割画面
の位置と輝度の変調信号の波形との関係を３次元的に表
した説明図である。
の位置と輝度の変調信号の波形との関係を３次元的に表
した説明図である。
【図２０】図１５に示した陰極線管において、輝度に相
当するカソード電流と変調電圧の波形との関係の一例を
示した説明図である。
当するカソード電流と変調電圧の波形との関係の一例を
示した説明図である。
【図２１】図１５に示した陰極線管において、輝度に相
当するカソード電流と変調電圧の波形との関係の他の例
を示した説明図である。
当するカソード電流と変調電圧の波形との関係の他の例
を示した説明図である。
【図２２】図１５に示した陰極線管において、電子ビー
ムの走査位置と輝度の変調制御のタイミングとの関係を
示した説明図である。
ムの走査位置と輝度の変調制御のタイミングとの関係を
示した説明図である。
【図２３】発明の実施の形態４の陰極線管の概略を示す
構成図である。
構成図である。
１，１Ａ，１Ｂ・・・電子ビーム位置検出装置、１０・
・・インデックス電極部、１１・・・開口部、１２・・
・第２の開口部、１３，１６・・・電気信号取り出し
部、１４・・・シールド部、１４Ａ・・・遮蔽板、１５
・・・外縁、１７・・・支持体、１８・・・抵抗器、１
９・・・ビス、２０・・・パネル部、２１・・・蛍光体
面、２２・・・色選別機構、２３・・・フレーム、３０
・・・ファンネル部、３１，３１Ｒ，３１Ｌ・・・偏向
ヨーク、３２・・・内部導電膜、４０，４０Ｒ，４０Ｌ
・・・ネック部、４１，４１Ｒ，４１Ｌ・・・電子銃、
４２，４２Ｒ，４２Ｌ・・・コンバーゼンスヨーク、５
０・・・キャパシタ、５１，５２・・・電極、７０・・
・窓、７１・・・光検出器、１０１・・・Ａ／Ｄ変換
器、１０２・・・メモリ、１０３，１０３Ｒ，１０３Ｌ
・・・Ｄ／Ａ変換器、１０４，１０４Ｒ，１０４Ｌ・・
・変調器、１０５・・・インデックス信号処理回路、１
０６・・・タイミングジェネレータ、１０７・・・コン
バーゼンス・偏向回路、ＡＭＰ・・・増幅器、ＶＡＭ
Ｐ，ＶＡＭＰR，ＶＡＭＰL・・・ビデオアンプ、ＳV・
・・映像信号、ＳS・・・同期信号、Ｓ1・・・インデッ
クス信号、Ｓ2・・・コンバーゼンス・偏向補正信号、
Ｓ3・・・変調信号
・・インデックス電極部、１１・・・開口部、１２・・
・第２の開口部、１３，１６・・・電気信号取り出し
部、１４・・・シールド部、１４Ａ・・・遮蔽板、１５
・・・外縁、１７・・・支持体、１８・・・抵抗器、１
９・・・ビス、２０・・・パネル部、２１・・・蛍光体
面、２２・・・色選別機構、２３・・・フレーム、３０
・・・ファンネル部、３１，３１Ｒ，３１Ｌ・・・偏向
ヨーク、３２・・・内部導電膜、４０，４０Ｒ，４０Ｌ
・・・ネック部、４１，４１Ｒ，４１Ｌ・・・電子銃、
４２，４２Ｒ，４２Ｌ・・・コンバーゼンスヨーク、５
０・・・キャパシタ、５１，５２・・・電極、７０・・
・窓、７１・・・光検出器、１０１・・・Ａ／Ｄ変換
器、１０２・・・メモリ、１０３，１０３Ｒ，１０３Ｌ
・・・Ｄ／Ａ変換器、１０４，１０４Ｒ，１０４Ｌ・・
・変調器、１０５・・・インデックス信号処理回路、１
０６・・・タイミングジェネレータ、１０７・・・コン
バーゼンス・偏向回路、ＡＭＰ・・・増幅器、ＶＡＭ
Ｐ，ＶＡＭＰR，ＶＡＭＰL・・・ビデオアンプ、ＳV・
・・映像信号、ＳS・・・同期信号、Ｓ1・・・インデッ
クス信号、Ｓ2・・・コンバーゼンス・偏向補正信号、
Ｓ3・・・変調信号
フロントページの続き Ｆターム(参考） 5C060 AA15 BA02 BA07 BB01 BD03 BD05 BE02 BE07 CA07 CE03 FA03 FB03 FB08 FC01 FD04 FE09 HB10 HB24 HB26 HB27 JA04
Claims (16)
- 【請求項１】陰極線管内の過走査領域に配置され、電子
ビームの入射に応じて信号を出力する電子ビーム位置検
出装置であって、 （Ａ）電子ビーム位置検出のための開口部を有するイン
デックス電極部、 （Ｂ）開口部を通過した電子ビームを遮蔽するためのシ
ールド部、及び、 （Ｃ）インデックス電極部をシールド部に固定するため
の支持体、 から成ることを特徴とする電子ビーム位置検出装置。 - 【請求項２】インデックス電極部には電気信号取り出し
部が設けられ、 シールド部には高電圧が印加され、 支持体は絶縁材料から成り、 インデックス電極部は、抵抗体を介してシールド部に電
気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載
の電子ビーム位置検出装置。 - 【請求項３】インデックス電極部には電気信号取り出し
部が設けられ、 シールド部には高電圧が印加され、 インデックス電極部は、抵抗体として機能する支持体を
介してシールド部に電気的に接続されていることを特徴
とする請求項１に記載の電子ビーム位置検出装置。 - 【請求項４】インデックス電極部には高電圧が印加さ
れ、 シールド部には電気信号取り出し部が設けられ、 支持体は絶縁材料から成り、 インデックス電極部は、抵抗体を介してシールド部に電
気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載
の電子ビーム位置検出装置。 - 【請求項５】インデックス電極部には高電圧が印加さ
れ、 シールド部には電気信号取り出し部が設けられ、 インデックス電極部は、抵抗体として機能する支持体を
介してシールド部に電気的に接続されていることを特徴
とする請求項１に記載の電子ビーム位置検出装置。 - 【請求項６】陰極線管内の過走査領域に配置され、電子
ビームの入射に応じて信号を出力する電子ビーム位置検
出装置を備えた陰極線管であって、 （Ａ）電子ビーム位置検出のための開口部を有するイン
デックス電極部、 （Ｂ）開口部を通過した電子ビームを遮蔽するためのシ
ールド部、及び、 （Ｃ）インデックス電極部をシールド部に固定するため
の支持体、から成る電子ビーム位置検出装置を備えてい
ることを特徴とする陰極線管。 - 【請求項７】インデックス電極部は電子銃側に配され、
シールド部は蛍光体層側に配されていることを特徴とす
る請求項６に記載の陰極線管。 - 【請求項８】インデックス電極部には電気信号取り出し
部が設けられ、 シールド部には高電圧が印加され、 支持体は絶縁材料から成り、 インデックス電極部は、抵抗体を介してシールド部に電
気的に接続されていることを特徴とする請求項６に記載
の陰極線管。 - 【請求項９】インデックス電極部には電気信号取り出し
部が設けられ、 シールド部には高電圧が印加され、 インデックス電極部は、抵抗体として機能する支持体を
介してシールド部に電気的に接続されていることを特徴
とする請求項６に記載の陰極線管。 - 【請求項１０】インデックス電極部から出力される信号
は、電子ビームがインデックス電極部に衝突したときの
インデックス電極部の電位に基づく電気信号、及び、電
子ビームがインデックス電極部に設けられた開口部を通
過したときのインデックス電極部の電位に基づく電気信
号であることを特徴とする請求項８又は請求項９に記載
の陰極線管。 - 【請求項１１】電気信号取り出し部は、陰極線管を構成
する外囲器の一部を利用したキャパシタに接続され、該
キャパシタを介して電気信号を陰極線管の外部に取り出
し得ることを特徴とする請求項１０に記載の陰極線管。 - 【請求項１２】インデックス電極部には高電圧が印加さ
れ、 シールド部には電気信号取り出し部が設けられ、 支持体は絶縁材料から成り、 インデックス電極部は、抵抗体を介してシールド部に電
気的に接続されていることを特徴とする請求項６に記載
の陰極線管。 - 【請求項１３】インデックス電極部には高電圧が印加さ
れ、 シールド部には電気信号取り出し部が設けられ、 インデックス電極部は、抵抗体として機能する支持体を
介してシールド部に電気的に接続されていることを特徴
とする請求項６に記載の陰極線管。 - 【請求項１４】シールド部から出力される信号は、電子
ビームがインデックス電極部に衝突したときのシールド
部の電位に基づく電気信号、及び、電子ビームがインデ
ックス電極部に設けられた開口部を通過し、シールド部
に衝突したときのシールド部の電位に基づく電気信号で
あることを特徴とする請求項１２又は請求項１３に記載
の陰極線管。 - 【請求項１５】電気信号取り出し部は、陰極線管を構成
する外囲器の一部を利用したキャパシタに接続され、該
キャパシタを介して電気信号を陰極線管の外部に取り出
し得ることを特徴とする請求項１４に記載の陰極線管。 - 【請求項１６】陰極線管は、複数の電子銃を有し、該複
数の電子銃から射出された電子ビームによって有効画面
及び有効画面外の過走査領域の走査を行い、複数の電子
ビームの走査によって得られる複数の分割画面を繋ぎ合
わせることにより単一の画面を形成して画像表示を行う
陰極線管であり、 過走査領域は、複数の電子ビームの走査によって得られ
る複数の分割画面を繋ぎ合わせる画面領域に対応した陰
極線管内の領域に位置することを特徴とする請求項６に
記載の陰極線管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000067642A JP2001258041A (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | 電子ビーム位置検出装置及び陰極線管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000067642A JP2001258041A (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | 電子ビーム位置検出装置及び陰極線管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001258041A true JP2001258041A (ja) | 2001-09-21 |
Family
ID=18586798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000067642A Pending JP2001258041A (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | 電子ビーム位置検出装置及び陰極線管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001258041A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210016618A (ko) | 2018-06-13 | 2021-02-16 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 액정 패널 및 액정 표시 장치 |
-
2000
- 2000-03-10 JP JP2000067642A patent/JP2001258041A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210016618A (ko) | 2018-06-13 | 2021-02-16 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 액정 패널 및 액정 표시 장치 |
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