JP2001257502A - 高周波用開閉器およびその接続構造 - Google Patents

高周波用開閉器およびその接続構造

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JP2001257502A
JP2001257502A JP2000064840A JP2000064840A JP2001257502A JP 2001257502 A JP2001257502 A JP 2001257502A JP 2000064840 A JP2000064840 A JP 2000064840A JP 2000064840 A JP2000064840 A JP 2000064840A JP 2001257502 A JP2001257502 A JP 2001257502A
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microstrip
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Masaaki Yano
匡亮 矢野
Toshiya Momochi
俊也 百地
Tatsuo Shinoura
達生 篠浦
Mitsuhiro Kawai
光弘 河合
Atsushi Shishido
淳 宍戸
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Omron Corp
SPC Electronics Corp
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Omron Corp
SPC Electronics Corp
Omron Tateisi Electronics Co
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  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 部品点数,組立工数が少なく、接続作業が容
易であるとともに、インターフェイスにおいて特性イン
ピーダンスの整合が容易で、アイソレーションの劣化が
ない高周波用開閉器およびその接続構造を提供すること
にある。 【解決手段】 ベース11にケース20を組み付けてな
るハウジングの外側に突出する高周波用接点端子15,
16,17の帯状端子部15a,16a,17aを、マ
イクロストリップライン構造とした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は高周波用開閉器およ
びその接続構造、特に、高周波用電磁リレー,スイッチ
のインターフェイスに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、高周波用電磁リレーとしては、例
えば、実開平2−20259号公報に開示のものがあ
る。すなわち、シールドケース30内に並設した複数本
の固定接点ピン12,13,14に可動接触片44,4
5を交互に接離させ、高周波回路を開閉するものであ
る。そして、前記電磁リレーの内部においては特性イン
ピーダンスの整合性が図られ、所望の高周波特性を確保
している。
【0003】前記高周波用電磁リレーはプリント基板に
実装することを前提としている。このため、インターフ
ェイス部分である固定端子の端子部は、スルーホールあ
るいは表面実装を前提とするピン形状となっていた。こ
の結果、取り扱う周波数がより一層高くなると、高周波
特性を維持するために同軸ケーブルを利用して接続する
方法が用いられている。例えば、図7に示すように、リ
レー1のハウジングの底面から突出する高周波用固定端
子の端子部2a,2b,2cに同軸ケーブル3の芯線3
a,3b,3cをそれぞれハンダ付けしていた。なお、
4a,4bはコイル端子、5はグランド端子である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
インターフェイスによれば、固定端子の端子部2a,2
b,2cに同軸ケーブル3の芯線3a,3b,3cをそ
れぞれハンダ付けする必要がある。このため、従来例に
よれば、部品点数,組立工程が増大するとともに、接続
作業に手間がかかる。特に、同軸ケーブル3の芯線3
a,3b,3cと固定端子2の端子部2a,2b,2c
とは点接触で接続される。このため、接触信頼性が低い
とともに、接続作業に熟練を要し、組立作業の自動化が
困難である。
【0005】また、前記リレー1内部で特性インピーダ
ンスの整合が取れていても、固定端子の端子部2a,2
b,2cが単にハウジングの底面から露出しただけの構
造であり、同軸線路構造を形成していない。このため、
高周波線路としての整合が取りにくく、インサーション
ロスあるいはリターンロスが大きい。
【0006】さらに、固定端子の端子部2a,2b,2
cが平行に突出し、かつ、接近しているので、固定端子
の端子部2a,2b,2c間で相互に高周波信号同士の
結合が生じ、アイソレーションが劣化するという問題点
があった。
【0007】本発明は、前記問題点に鑑み、部品点数,
組立工数が少なく、接続作業が容易であるとともに、イ
ンターフェイスにおいて特性インピーダンスの整合が容
易で、アイソレーションが劣化しない高周波用開閉器お
よびその接続構造を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる高周波用
開閉器は、前記目的を達成すべく、ベースにケースを組
み付けてなるハウジングの外側に突出する高周波用接点
端子の帯状端子部を、マイクロストリップライン構造と
してある。なお、ここでマイクロストリップライン構造
とは、帯状の導体板を誘電体を介して平行に対向させた
構造をいい、誘電体には合成樹脂,空気が含まれる。し
たがって、本発明によれば、ハウジングの外部周辺にお
いても所望の高周波特性を確保できる。
【0009】前記ケースの側面から側方に突出したベー
スの突出部の上面に前記帯状端子部を露出させるととも
に、前記ベースの突出部の少なくとも下面にグランドパ
ターンを形成した構成としてある。このため、高周波用
開閉器のハウジング外においても所望の高周波特性を確
保できるだけでなく、従来例のような同軸ケーブルを必
要としない。この結果、部品点数,組立工数が少なく、
接続作業に手間がかからない。特に、露出する端子部が
帯状であるので、外部回路等に面接触させて接続でき
る。このため、接触信頼性が高いとともに、接続作業に
熟練を必要とせず、組立作業の自動化が容易になる。
【0010】また、前記帯状端子部が、異なる方向に延
在していてもよい。これによれば、端子部間で高周波信
号同士の結合が生じず、アイソレーションが劣化しな
い。
【0011】さらに、前記帯状端子部の少なくとも片側
に所定間隔をもってグランド端子の端子部を同一平面上
に並設した構成としてもよい。これによれば、隣り合う
帯状端子部がグランド端子の端子部でシールドされ、よ
り一層優れた高周波特性が得られる。
【0012】そして、前記高周波用開閉器は、前記ベー
スの突出部の端面にマイクロストリップ基板の端面を対
向させ、前記高周波用端子の帯状端子部を、前記マイク
ロストリップ基板の上面に形成した高周波用信号線に電
気接続してもよい。これによれば、ハウジングの外部周
辺においても特性インピーダンスを整合でき、インサー
ションロスあるいはリターンロスの発生を回避できる。
【0013】本発明にかかる高周波用開閉器の接続構造
は、ベースにケースを組み付けてなるハウジングの側面
の下方縁部近傍から側方に突出した高周波用開閉器の帯
状端子部を、マイクロストリップ基板の上面に形成した
高周波用信号線に位置決めして電気接続した構成として
ある。本発明によれば、帯状端子部をマイクロストリッ
プ基板の高周波用信号線に電気接続することにより、ハ
ウジングから突出する端子部がマイクロストリップライ
ン構造となる。このため、所望の高周波特性を確保でき
るとともに、従来例のような同軸ケーブルを必要としな
い。この結果、部品点数,組立工数の増大を抑制できる
とともに、接続作業に手間がかからない。特に、ハウジ
ングの側面から側方に突出する帯状端子部をマイクロス
トリップ基板に設けた高周波用信号線に面接触で電気接
続できる。このため、接触信頼性が高いとともに、接続
作業に熟練を必要とせず、組立作業の自動化が容易とな
る。
【0014】さらに、本発明にかかる高周波用開閉器の
接続構造は、ベースにケースを組み付けてなるハウジン
グの側面の下方縁部から高周波用接点端子の帯状端子部
を側方に、かつ、前記ベースの底面と面一となるように
突出させた高周波用開閉器を、マイクロストリップ基板
に載置するとともに、前記帯状端子部を前記マイクロス
トリップ基板の上面に形成した高周波用信号線に位置決
めし、電気接続してもよい。本発明によれば、マイクロ
ストリップ基板に載置するので、開閉器のハウジングに
マイクロストリップ基板を突き合わせる必要がない。こ
のため、前述の効果に加え、床面積の小さい装置が得ら
れる。
【0015】また、前記帯状端子部の少なくとも片側に
所定間隔をもってグランド端子の端子部を並設してもよ
い。これによれば、前述の効果に加え、前記帯状端子部
をグランド端子がシールドするので、より一層優れた高
周波特性を得られるという効果がある。
【0016】
【発明の実施の形態】本発明にかかる実施形態を図1な
いし図6の添付図面に従って説明する。第1実施形態
は、図1および図2に示すように、高周波用電磁リレー
に適用した場合である。そして、前記電磁リレー10
は、ベース11と、箱形ケース20とからなるハウジン
グ内に内部構成部品を組み込んだものである。なお、説
明の便宜上、内部構成部品のうち、動作説明に必要な部
品のみを説明し、他の部品の説明は省略する。
【0017】前記ベース11は、絶縁体としの機能をも
有する板状誘電体11aからなるものである。前記ベー
ス11は、その上面の中央に3本の固定接点ピン12,
13,14を所定間隔で並設してある(図2)。そし
て、前記固定接点ピン12,13,14の基部から固定
端子15,16,17がプリント印刷でそれぞれ外方に
延在している。これらの固定端子15,16,17はそ
れぞれ異なる方向に、かつ、その端子部15a,16
a,17aがベース11の周辺縁部11bまで延在して
いる。さらに、前記ベース11の上面のうち、前記固定
端子15,16,17を除いた部分に、グランドパター
ン18が前記固定端子15,16,17に非接触状態で
形成されている。さらに、図示しない可動ブロックに保
持された可動接触片22,23が交互に接離可能に配置
されている。さらに、前記固定接点ピン12,13,1
4および可動接触片22,23を囲むように平面長方形
の枠状シールドケース24が前記ベース11上面に配置
され、前記グランドパターン18に電気接続されてい
る。ついで、前記シールドケース24の近傍にコイルブ
ロック25が並設されている。また、前記ベース11
は、その下面全面にグランドプレート19が設けられて
いる。
【0018】したがって、前記コイルブロック25の励
磁,消磁に基づき、図示しない駆動機構を介して前記可
動接触片22,23が前記シールドケース24内で板厚
方向に往復移動する。この結果、前記可動接触片22,
23が固定接点ピン12,13および固定接点ピン1
3,14にそれぞれ交互に接離し、回路を開閉する。
【0019】前記電磁リレー10は、図1に示すよう
に、マイクロストリップ基板30,31,32に接続さ
れる。前記マイクロストリップ基板30,31,32
は、板状誘電体30a,31a,32aの上面に高周波
信号線30b,31b,32bをプリント印刷するとと
もに、その下面全面にグランドパターン30c,31
c,32cをそれぞれ設けたものである。
【0020】したがって、前記リレー10のベース11
の端面に前記マイクロストリップ基板30,31,32
の端面をそれぞれ突き合わせ、帯状ジャンパー線33で
それぞれ電気接続される。なお、図1においては、説明
の便宜上、ベース11とマイクロストリップ基板30,
31,32との間に若干の隙間を設けた配置が示されて
いる。しかし、両者の間には隙間が実際はほとんど発生
していない。また、前記リレー10は別体のマイクロス
トリップ基板に接続する場合に限らず、例えば、1枚の
マイクロストリップ基板に設けた略方形の孔に前記リレ
10ーのベース11を落とし込み、前述と同様に電気的
接続してもよい。本実施形態によれば、固定接点ピン1
2,13,14に接続され、かつ、前記ケース20から
はみ出している帯状端子部15a,16a,17aがマ
イクロストリップライン構造となっている。さらに、接
続する高周波信号線もマイクロストリップ基板30,3
1,32に設けられているので、リレー10の内部は勿
論のこと、リレー10の外部においても優れた高周波特
性を確保できるという利点がある。
【0021】第2実施形態は、図3に示すように、浅底
の箱形ベース11の対向する側面の下方縁部にリブ11
cを側方にそれぞれ突設した場合である。そして、この
リブ11cの上面に固定接点端子15,16,17の端
子部15a,16a,17aを所定間隔で配置してあ
る。さらに、前記ベース11の下面全面にグランドパタ
ーン19が設けられている。また、前記リブ11cを突
設した側面に隣り合う側面から一対のコイル端子26
a,26bが側方に突出している。なお、本実施形態に
かかる固定接点端子15,16,17は前記ベース11
の底面において所定間隔で配置されているため、相互に
干渉することが少なく、アイソレーションの劣化を防止
できる。マイクロストリップ基板との接続構造は、前述
の第1実施形態と同様であるので、説明を省略する。
【0022】本実施形態によれば、前記ベース11の上
面にグランドパターンを形成しなくともよい。このた
め、図1に示す第1実施形態と比較すると、製造が容易
であるという利点がある。
【0023】第3実施形態は、図4に示すように、前述
の第2実施形態とほぼ同様である。異なる点は、ベース
11に一対のリブを突設せず、固定接点端子15,1
6,17の端子部15a,16a,17aを側方に直接
突出させた点である。そして、外部回路に接続する場合
には、例えば、前記ベース11の側面の下方縁部にマイ
クロストリップ基板34の端面を突き合わせる。さら
に、前記端子部15a,16a,17aを、マイクロス
トリップ基板34の上面に所定間隔で平行に並設した高
周波信号線34b,34c,34dにそれぞれ位置決め
してハンダ付けする。一方、前記ベース11の下面に設
けたグランドパターン19を前記マイクロストリップ基
板34の裏面全面に設けたグランドパターン34eに図
示しないジャンパー線を介して接続する。なお、コイル
端子26a,26bは図示しないリード線を介して外部
回路に接続されている。また、前記グランドパターン1
9,34e同士の電気接続は前述の方法に限らず、例え
ば、共通の筐体に設けた導体に載置して接続してもよ
い。
【0024】本実施形態によれば、前記マイクロストリ
ップ基板34に接続する場合でもジャンパー線などを必
要とせず、マイクロストリップライン構造を容易に形成
できるという利点がある。
【0025】第4実施形態は、図5に示すように、第3
実施形態とほぼ同様である。異なる点は、ベース11の
底面に設けた固定接点端子15,16,17を囲むよう
にグランドパターン18を配置した点と、その帯状グラ
ンド端子部18aを固定接点端子15,16,17の端
子部15a,16a,17aの両側に同一平面上に並設
した点である。なお、グランド端子部18aがマイクロ
ストリップ基板34に設けたグランド線34fに接続さ
れている点を除き、他の接続は前述の第3実施形態とほ
ぼ同様であるので、接続方法の説明を省略する。
【0026】本実施形態によれば、固定接点端子15,
16,17の周囲がグランドパターン18で囲まれてい
いるとともに、その端子部15a,16a,17aの両
側にグランドパターン18のグランド端子部18aがそ
れぞれ配置されている。このため、より一層高い高周波
特性が得られるという利点がある。
【0027】第5実施形態にかかる高周波用電磁リレー
は、図6に示すように、前述の第4実施形態とほぼ同様
である。そして、異なる点は、前記ベース11の底面に
グランドパターンが設けられておらず、かつ、端子部1
5a,16a,17aおよびグランド端子部18aがベ
ース11の底面と面一になっている点である。
【0028】そして、本実施形態にかかる電磁リレー1
0は、マイクロストリップ基板34を利用して外部回路
に接続される。すなわち、前記マイクロストリップ基板
34は、板状誘電体34aの上面に高周波信号線34
b,34c,34dおよびグランド線34fを交互、か
つ、平行にプリント配線してある。一方、前記基板34
の裏面全面にはグランドパターン34eが設けられてい
る。したがって、前記基板34の上面にリレー10のベ
ース11を載置する。そして、固定接点端子15,1
6,17の端子部15a,16a,17aおよびグラン
ドパターン18の端子部18aを、基板34の高周波信
号線34b,34c,34dおよびグランド線34fに
それぞれ位置決めする。これにより、ベース11から突
出する端子部15a,16a,17aはマイクロストリ
ップライン構造となり、所望の高周波特性を確保でき
る。
【0029】本実施形態によれば、基板34の上面にリ
レー10を載置して表面実装できる。このため、基板3
4に落とし込み用孔を設ける必要がなく、生産工数を低
減できるとともに、床面積の小さい装置が得られるとい
う利点がある。
【0030】なお、前述の実施形態では、高周波用電磁
リレーに適用する場合について説明したが、必ずしもこ
れに限らず、例えば、高周波用スイッチに適用してもよ
い。
【0031】
【発明の効果】本発明によれば、ハウジングの側面から
突出する高周波用接点端子の端子部もマイクロストリッ
プライン構造となる。このため、ハウジングの外部周辺
においても所望の高周波特性を確保できるという効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明にかかる第1実施形態の接続状態を示
す斜視図である。
【図2】 図1に示した電磁リレーの分解斜視図であ
る。
【図3】 本発明にかかる第2実施形態を示す部分破断
斜視図である。
【図4】 本発明にかかる第3実施形態の接続構造を説
明するための部分破断斜視図である。
【図5】 本発明にかかる第4実施形態の接続構造を説
明するための部分破断斜視図である。
【図6】 本発明にかかる第5実施形態の接続構造を説
明するための斜視図である。
【図7】 従来例にかかる電磁リレーの接続状態を示す
斜視図である。
【符号の説明】
10…高周波用電磁リレー、11…ベース、11a…板
状誘電体、12,13,14…固定接点ピン、15,1
6,17…固定接点端子、15a,16a,17a…端
子部、18…グランドパターン、18a…グランド端子
部、19…グランドパターン、20…ケース、30,3
1,32,34…マイクロストリップ基板、30a,3
1a,32a,34a…板状誘電体、30b,31b,
32b,34b,34c,34d…高周波用信号線、3
4e…グランドパターン、34f…グランド線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 百地 俊也 東京都調布市柴崎2丁目1番地3 島田理 化工業株式会社内 (72)発明者 篠浦 達生 京都府京都市右京区花園土堂町10番地 オ ムロン株式会社内 (72)発明者 河合 光弘 京都府京都市右京区花園土堂町10番地 オ ムロン株式会社内 (72)発明者 宍戸 淳 京都府京都市右京区花園土堂町10番地 オ ムロン株式会社内 Fターム(参考) 5J012 AA07 5J014 CA42

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ベースにケースを組み付けてなるハウジ
    ングの外側に突出する高周波用接点端子の帯状端子部
    を、マイクロストリップライン構造としたことを特徴と
    する高周波用開閉器。
  2. 【請求項2】 前記ケースの側面から側方に突出したベ
    ースの突出部の上面に前記帯状端子部を露出させるとと
    もに、前記ベースの突出部の少なくとも下面にグランド
    パターンを形成したことを特徴とする請求項1に記載の
    高周波用開閉器。
  3. 【請求項3】 前記帯状端子部が、異なる方向に延在し
    ていることを特徴とする請求項1または2に記載の高周
    波用開閉器。
  4. 【請求項4】 前記帯状端子部の少なくとも片側に所定
    間隔をもってグランド端子の端子部を同一平面上に並設
    したことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項
    に記載の高周波用開閉器。
  5. 【請求項5】 前記ベースの突出部の端面にマイクロス
    トリップ基板の端面を対向させ、前記高周波用端子の帯
    状端子部を、前記マイクロストリップ基板の上面に形成
    した高周波用信号線に電気接続することを特徴とする請
    求項1ないし4のいずれか1項に記載の高周波用開閉
    器。
  6. 【請求項6】 ベースにケースを組み付けてなるハウジ
    ングの側面の下方縁部近傍から側方に突出した高周波用
    開閉器の帯状端子部を、マイクロストリップ基板の上面
    に形成した高周波用信号線に位置決めして電気接続した
    ことを特徴とする高周波用開閉器の接続構造。
  7. 【請求項7】 ベースにケースを組み付けてなるハウジ
    ングの側面の下方縁部から高周波用接点端子の帯状端子
    部を側方に、かつ、前記ベースの底面と面一となるよう
    に突出させた高周波用開閉器を、マイクロストリップ基
    板に載置するとともに、前記帯状端子部を前記マイクロ
    ストリップ基板の上面に形成した高周波用信号線に位置
    決めして電気接続したことを特徴とする高周波用開閉器
    の接続構造。
  8. 【請求項8】 前記帯状端子部の少なくとも片側に所定
    間隔をもってグランド端子の端子部を同一平面上に並設
    したことを特徴とする請求項6または7に記載の高周波
    用開閉器の接続構造。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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