JP2001256662A - 光ピックアップ装置 - Google Patents

光ピックアップ装置

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JP2001256662A JP2000065786A JP2000065786A JP2001256662A JP 2001256662 A JP2001256662 A JP 2001256662A JP 2000065786 A JP2000065786 A JP 2000065786A JP 2000065786 A JP2000065786 A JP 2000065786A JP 2001256662 A JP2001256662 A JP 2001256662A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 周囲温度が変化した場合に、半導体レーザの
波長変動や構成部品の膨張収縮によってフォーカス誤差
信号のオフセットが生じるのを防ぐ。 【解決手段】 半導体レーザ1の波長変動によるフォー
カスオフセット量と、ステム7や光学部品2の膨張収縮
によるフォーカスオフセット量が互いに相殺して両者の
和が許容範囲内になるように、各構成部品の材料を選択
する。または、光検出器6において、分割線の両側の受
光部に入射する光量の変化が許容範囲内になるように、
分割線を傾斜させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクドライ
ブに用いられる光ピックアップ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の光ピックアップ装置として、例え
ば特開平9−312033号公報には図5に示すような
集積型の光ピックアップ装置が開示されている。
【0003】この光ピックアップ装置は、レーザ光を出
射する光源である半導体レーザ101と、半導体レーザ
101から出射された光を分離する偏光ビームスプリッ
ター102と、半導体レーザからの光を反射するミラー
103と、半導体レーザ光の直線偏光状態を円偏光に変
換する1/4波長板104と、光ディスクからの反射光
を光検出器106に導く2つの領域からなる回折格子1
05と、光検出器106とから構成されている。
【0004】回折格子105は、図6に示すように2つ
の領域1、2からなる。また、光検出器106は、光デ
ィスクからの光を検出する中心の垂直線が光軸と一致す
るように配置され、分割線が光ディスクのトラック方向
と平行および直交する図7に示すような田の字型の4分
割受光素子106aと、その側に分離して配置された2
分割受光素子106bとが1枚のステム上に配置されて
いる。
【0005】各構成部品は一体的に構成されており、半
導体レーザ101と光検出器106とがハウジング内に
収められ、ハウジング上に中心が半導体レーザ101の
光軸と一致するように配置された偏光ビームスプリッタ
ー102と、偏光ビームスプリッター102の偏光分離
面と平行で、かつ、反射光が光検出器106に垂直に入
射するようなミラー103が配置されている。そして、
偏光ビームスプリッター102の光出射面に、1/4波
長板104がその光学軸を半導体レーザ101の偏光方
向に対して45゜傾けるように設けられ、偏光ビームス
プリッター102の反射ミラー103面によって光が反
射される方向に対向する面に回折格子105が設けられ
ている。
【0006】この光ピックアップ装置において、半導体
レーザ101から出射した光は、偏光ビームスプリッタ
ー102を透過し、1/4波長板104によって直線偏
光が円偏光に変換されて出射される。そして、対物レン
ズやコリメートレンズ等からなる光学系を透過して記録
媒体である光ディスク上に集光される。
【0007】光ディスクによって反射された光は、再び
1/4波長板104を透過して、この光ピックアップ装
置に入射する。1/4波長板104を透過した光は、半
導体レーザ101から出射された光の偏光方向とは直交
する直線偏光に変換されており、偏光ビームスプリッタ
ー102によって反射された後、回折格子105に入射
する。
【0008】回折格子105を透過した光(0次回折
光)は、反射ミラー103で反射された後、図7に示し
た田の字型の4分割受光素子106aに到達する。一
方、図6に示した領域1または領域2で回折された一次
回折光は、合焦時には図7に示した2分割受光素子10
6bの中心分割線上に集光する。また、光ディスクが遠
ざかるときには2分割受光素子106bの中心分割線か
ら受光部E側またはF側に移動し、光ディスクが近づく
ときには2分割受光素子106bの中心分割線から受光
部F側またはE側に移動する。
【0009】RF(情報再生)信号は田の字型の4分割
受光素子106aから出力される信号の総和から検出さ
れ、トラッキングエラー信号は田の字型の4分割受光素
子106aのうち、対角に配置された受光部の和信号
(A+D、B+D)から位相差法により検出される。ま
た、フォーカスエラー信号は2分割受光素子106の差
信号(E−D)からフーコー法により検出される。
【0010】ところで、この光ピックアップ装置の周囲
温度が変化した場合、半導体レーザの発振波長が変動し
て、回折素子で回折された1次回折光の回折角が変化す
る。このため、2分割受光素子の中心分割線にほぼ沿う
ように集光点がシフトし、フォーカスエラー信号に若干
のオフセットが発生する。このオフセットは、2分割受
光素子の中心分割線を傾斜させることによって抑制可能
なことが一般に知られている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、周囲温
度の変化に伴って半導体レーザの波長変動が生じると共
に、光ピックアップ装置を構成するステムや光学部品も
温度変化により膨張収縮するため、光検出器の配置方法
によってはフォーカスエラー信号にオフセットが発生す
る。
【0012】例えば、上記特開平9−312033号公
報に記載の光ピックアップ装置の場合、半導体レーザと
光検出器は同一ステム上に配置され、半導体レーザの発
光点と光検出器上に集光された光の集光点を結んだ方向
に対して、2分割受光素子の中心分割線が略垂直となる
ように配置されている。このため、周囲温度が変化した
場合に、ステムの膨張収縮により半導体レーザと光検出
器の相対的な距離が変化し、2分割受光素子上で回折素
子の1次回折光が受光部E側またはF側にシフトする。
よって、光ピックアップ装置の周囲温度が変化すること
により、フォーカスエラー信号にオフセットが発生して
しまう。また、偏光ビームスプリッターも温度変化によ
って膨張収縮するため、偏光ビームスプリッターの位置
やミラーの位置が変化して、フォーカスエラー信号にオ
フセットが発生してしまう。
【0013】このように、従来の光ピックアップ装置で
は、周囲の温度変化に対して波長変動により発生するフ
ォーカスオフセットは2分割光検出器の中心分割線を傾
斜させることで抑制できるものの、光学部品やステムの
膨張収縮によってフォーカスエラー信号にオフセットが
発生するため、周囲の温度が変化すると正常な情報の記
録再生が困難になるという問題があった。
【0014】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、周囲の温度が変化しても
情報の記録再生を正常に行うことができる光ピックアッ
プ装置を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明の光ピックアップ
装置は、光源と、該光源と同一のパッケージ内に配置さ
れ、光源から出射されて光磁気記録媒体に反射された光
を検出する光検出器と、該光磁気記録媒体からの反射光
の一部を分離して該光検出器の方向に導くビームスプリ
ッターと、該光磁気記録媒体のトラック方向に対して略
垂直な方向の分割線によって少なくとも第1の領域と第
2の領域とに分割され、各領域に入射してきた該光磁気
記録媒体からの反射光を分割して所定の方向に導く光分
割手段とを備えた光ピックアップ装置において、該光検
出器は、該光磁気記録媒体のトラック方向に略垂直な方
向の分割線によって第1の受光部と第2の受光部とに分
割され、かつ、該光分割部材の第1の領域から導かれて
きた光を受光する受光手段を有し、該第1の受光部およ
び該第2の受光部は、該光源と同一のステム上に配置さ
れていると共に、該光源の発光点と該光分割手段を透過
した光が該光検出器上で集光する点とを結んだ方向であ
る第1の方向と、該第1の受光部と該第2の受光部との
分割線の方向である第2の方向とが略垂直に配置され、
周囲の温度変化に対する該光源の波長変動によって該受
光手段上の集光点が該第1の方向に移動する移動量と、
周囲の温度変化に対する構成部品の膨張収縮によって該
受光手段上の集光点が該第1の方向に移動する移動量と
の和が許容範囲内になるように、構成部品の材料が選択
されており、そのことにより上記目的が達成される。
【0016】本発明の光ピックアップ装置は、光源と、
該光源と同一のパッケージ内に配置され、光源から出射
されて光磁気記録媒体に反射反射された光を検出する光
検出器と、該光磁気記録媒体からの反射光の一部を分離
して該光検出器の方向に導くビームスプリッターと、該
光磁気記録媒体のトラック方向に対して略垂直な方向の
分割線によって少なくとも第1の領域と第2の領域とに
分割され、各領域に入射してきた該光磁気記録媒体から
の反射光を分割して所定の方向に導く光分割手段とを備
えた光ピックアップ装置において、該光検出器は、該光
磁気記録媒体のトラック方向に略垂直な方向の分割線に
よって第1の受光部と第2の受光部とに分割され、か
つ、該光分割部材の第1の領域から導かれてきた光を受
光する受光手段を有し、該第1の受光部および該第2の
受光部は、該光源と同一のステム上に配置され、周囲の
温度変化に対する該光源の波長変動および構成部品の膨
張収縮によって、該受光手段上の集光点が、該光源の発
光点と該光分割手段を透過した光が該光検出器上で集光
する点とを結んだ方向である第1の方向に移動したとき
に、該第1の受光部および該第2の受光部に入射する光
量の変化が許容範囲内になるように、該第1の受光部と
該第2の受光部との分割線の方向である第2の方向が該
第1の方向と垂直な方向から傾斜して配置されており、
そのことにより上記目的が達成される。
【0017】以下に、本発明の作用について説明する。
【0018】本発明にあっては、光源と光検出器とが同
一パッケージに配置されて同一ステム上に配置された集
積型光ピックアップ装置において、半導体レーザの発光
点と光検出器上に集光された光の集光点(後述する実施
形態では、回折素子を透過した光が図3に示す受光部6
e〜6jに入射する点)を結んだ方向である第1の方向
に対して、第1の受光部および第2の受光部の分割線の
方向である第2の方向が略垂直に配置されている。この
ため、光ピックアップ装置の周囲温度の変化によって光
源からの出射光の波長変動や構成部品の膨張収縮が生じ
て、受光手段上の集光点が第1の方向に移動すると、分
割線両側の第1の受光部および第2の受光部に受光され
る光量が変化してオフセットが生じる。
【0019】そこで、本発明では、光ピックアップ装置
の周囲温度の変化に対する光源の波長変動だけではな
く、光ピックアップ装置の周囲温度の変化に対する構成
部品の膨張収縮についても考慮している。光ピックアッ
プ装置の周囲温度の変化に対する光源の波長変動によっ
て受光手段上の集光点が第1の方向に移動する移動量
(後述する実施形態では、フォーカス誤差信号用のビー
ムの移動量)と、光ピックアップ装置の周囲温度が変化
に対する構成部品の膨張収縮によって受光手段上の集光
点が第1の方向に移動する移動量が相殺し合って、両者
の和が許容範囲内になるように、各構成部品の材料を選
択して、オフセットを抑制する。
【0020】または、光ピックアップ装置の周囲の温度
が変化に対する光源の波長変動や構成部品の膨張収縮に
よって、受光手段上の集光点が第1の方向に移動したと
きに、第1の受光部に入射する光量と第2の受光部に入
射する光量の変化が許容範囲内になるように、第2の方
向を第1の方向と垂直な方向から傾斜させて、オフセッ
トを抑制する。
【0021】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて、図面を参照しながら説明する。
【0022】図1は本発明の一実施形態である光ピック
アップ装置の概略構成を示す断面図である。この光ピッ
クアップ装置は、光源である半導体レーザ1と、半導体
レーザ1から出射される光を光磁気記録媒体11に集光
する集光手段であるコリメートレンズ9および対物レン
ズ10とを有している。そして、半導体レーザ1からコ
リメートレンズ9に至る光路上には、光磁気記録媒体1
1からの反射光の一部を分離するビームスプリッター2
が配置されている。さらに、半導体レーザ1と同一のス
テム7上には、ビームスプリッター2で分離された光磁
気記録媒体11からの反射光を検出する光検出器6が設
けられている。
【0023】ビームスプリッター2は、等方性光学材料
からなる第1の部材14と、異方性光学材料からなる第
2の部材13とから構成され、第1の部材14と第2の
部材13とが接する第1の面16と、それに隣接する第
2の面15と、第1の面16と対向する第3の面17
と、第2の面15と対向する第4の面とを有する。そし
て、半導体レーザ1からの光は第1の部材14のみを通
過してコリメートレンズ9に至る。また、光磁気記録媒
体11からの反射光は、第1の部材14および第2の部
材13を通過して光検出器6に到達するようになってい
る。
【0024】ビームスプリッター2から光検出器6に至
る光路上には、ビームスプリッター2で分離された光磁
気記録媒体11からの反射光の一部を回折させて制御信
号を生成する第1の回折素子5が形成された透光性基板
3が配置されている。この透光性基板3には、第1の回
折素子が形成されている面上であって、半導体レーザ1
から放射された光が通過する部分に、半導体レーザ1か
らの光を2つのトラッキング用ビームと、1つの情報再
生用ビームの計3つのビームに分離する第2の回折素子
4が形成されている。
【0025】さらに、半導体レーザ1と光検出器6とが
配置されたステム7にはキャップ8が被せられており、
そのキャップ8に上記光透過性基板3とビームスプリッ
ター2とが取り付けられている。キャップ8の光通過領
域には、気密封止のためにガラス板19が取り付けられ
ている。
【0026】この光ピックアップ装置において、半導体
レーザ1から出射したS偏光の光は、第2の回折素子4
に入射により、2つのトラッキング用ビームと1つの情
報再生用ビームの計3つのビームに分割される。この第
2の回折素子4は、第1の回折素子5と同一面となるよ
うに光透過性基板3に形成されており、その格子ピッチ
が一定の直線格子である。
【0027】第2の回折素子4で3つのビームに分割さ
れた半導体レーザ光は、ビームスプリッター2の第2の
面15から第1の部材14に入射し、第3の面17と第
1の面16とで反射された後、第4の面18から出射し
てコリメートレンズ9および対物レンズ10によって光
磁気記録媒体11上に集光される。第1の面16の偏光
特性は、例えばS偏光の反射率が70%(透過率30
%)、P偏光の反射率が0%(透過率100%)に設定
されており、半導体レーザ1からの光はその70%が光
磁気記録媒体11に照射される。
【0028】光磁気記録媒体11で反射された光は、記
録された磁化の方向に応じて、その偏光面が回転する。
そして、再び対物レンズ10およびコリメータレンズ9
を通過して、ビームスプリッター2の第4の面から第1
の部材14に入射し、第1の面16を通過して第2の部
材13に入射する。上述したように第1の面16の偏光
特性を設定すると、光磁気記録媒体11からの反射光が
第1の面16を通過する際に、S偏光が30%しか通過
せず、P偏光が100%透過するため、見掛け上、偏光
の回転量が増加する。
【0029】第2の部材13は光学異方性を有するた
め、この第2の部材13内で光磁気記録媒体11からの
反射光は直交する2つの偏光成分に分離され、各々異な
る方向に進行する。そして、偏光分離された反射光が第
1の回折素子5に入射し、その一部が回折される。光磁
気記録媒体11からは3つのビームが反射してくるの
で、偏光分離によって合計6つのビームが第1の回折素
子5に入射する。
【0030】第1の回折素子5は、例えば図2に示すよ
うな形状であり、光磁気記録媒体11上のトラック方向
と略垂直な方向に延びた分割線5dと、トラック方向と
略平行な方向に延びた分割線5eにより分割された3つ
の領域5a、5b、5cを有している。そして、各々直
交する2つの成分に分離された光は、例えば常光は実線
で示すように入射し、異常光は破線で示すように入射す
る。第1の回折素子5の3つの領域5a、5b、5cは
それぞれ格子間隔が異なるので、各領域に入射した光は
光検出器6の異なる部分に照射される。
【0031】光検出器6は、例えば図3に示すような受
光部6a、6b、6c、6d、6e、6f、6g、6
h、6iを有している。受光部6cと6dとの分割線
はトラック方向と略垂直な方向に延びており、半導体レ
ーザ1の発光点とビームスプリッター2を透過した光が
光検出器6上で集光する点とを結んだ方向である第1の
方向(図ではy方向)と略垂直な方向に配置されてい
る。そして、上記異常光はハッチング有りの部分に入射
し、常光はハッチング無しの部分に入射する。
【0032】第1の回折素子5の領域5aに入射して回
折された情報再生用光ビームは、図3に示す光検出器の
受光部6aに、領域5bに入射して回折された情報再生
用光ビームは受光部6bに、領域5cに入射して回折さ
れた情報再生用光ビームは受光部6cと6dの分割線
上に各々入射して検出される。また、第1の回折素子5
を0次光として透過した情報再生用光ビームは、受光部
6fおよび6iに入射して検出される。さらに、第1の
回折素子を0次光として透過した2つのトラッキング用
ビームは、各々受光部6e、6g、6h、6jに入射し
て検出される。
【0033】従って、受光部6cの出力信号と受光部6
dの出力信号の差を演算することによりナイフエッジ法
に基づくフォーカス誤差信号が得られ、受光部6eと6
gの出力信号の和と、受光部6hと6jの出力信号の和
との差を演算することにより3ビーム法に基づくラジア
ル誤差信号が得られる。また、受光部6aの出力信号と
受光部6bの出力信号の差を演算することにより、いわ
ゆるプッシュプル信号が得られ、これは、例えば光磁気
記録媒体11上に形成されたトラック溝を蛇行させて記
録しているアドレス信号の検出に用いることができる。
さらに、光磁気信号は、受光部6fの出力信号と受光部
6iの出力信号の差を演算することにより検出すること
ができる。
【0034】ところで、半導体レーザ1から放射された
光が光磁気記録媒体11上で合焦しているときには、第
1の回折素子5の領域5cで回折されたフォーカス誤差
信号用の光ビームは、受光部6cと6dの分割線上に
一点状に集光される。このときの温度をT0、この温度
0における半導体レーザの発振波長をλ0、図4に示す
半導体レーザ1の発光点と受光部6c、6dの分割線
との距離Lをl0、ビームスプリッター2の第1の面1
6と第3の面17との距離Mをm0として、光ピックア
ップ装置の周囲温度がT=T0±ΔTとなった場合にお
けるフォーカス誤差信号用の光ビームの移動について説
明する。
【0035】(1)光ピックアップ装置の周囲温度がT
=T0+ΔTとなった場合 (a)光ピックアップ装置の周囲温度がT=T0+ΔT
となり、半導体レーザ1の発振波長がλ=λ0+Δλと
なると、第1の回折素子5における回折角が大きくな
る。図3の場合、フォーカス誤差信号用のビームが+z
方向にシフトすると共にデフォーカスし、集光スポット
が見掛け上+y方向にシフトする。また、第1の回折素
子5によりy方向にも回折させる場合には、回折角の変
化によってもy方向へのシフトが生じる。例えばΔλ=
20nmとすると、+y方向に約0.13μmだけシフ
トする。
【0036】(b)光ピックアップ装置の周囲温度がT
=T0+ΔTとなると、半導体レーザ1と光検出器6が
配置されているステム7は光検出器6を基準にy方向に
膨張し、L=l0+Δlとなる。よって、半導体レーザ
1の発光点が−y方向にΔlだけシフトすることにな
り、その結果、フォーカス誤差信号用のビームが受光部
6dの側にΔlだけシフトする。
【0037】(c)光ピックアップ装置の周囲温度がT
=T0+ΔTとなると、ビームスプリッター2を構成す
る第1の部材14も膨張し、M=m0+ΔMとなる。そ
の結果、フォーカス誤差信号用のビームが受光部6cの
側にΔMだけシフトする。
【0038】(2)光ピックアップ装置の周囲温度がT
=T0−ΔTとなった場合 (a)光ピックアップ装置の周囲温度がT=T0−ΔT
となり、半導体レーザ1の発振波長がλ=λ0−Δλと
なると、第1の回折素子5における回折角が小さくな
る。図3の場合、フォーカス誤差信号用のビームが−z
方向にシフトすると共にデフォーカスし、集光スポット
が見掛け上−y方向にシフトする。また、第1の回折素
子5によりy方向にも回折させる場合には、回折角の変
化によってもy方向へのシフトが生じる。例えばΔλ=
20nmとすると、−y方向に約0.13μmだけシフ
トする。
【0039】(b)光ピックアップ装置の周囲温度がT
=T0−ΔTとなると、半導体レーザ1と光検出器6が
配置されているステム7は光検出器6を基準にy方向に
収縮し、L=l0−Δlとなる。よって、半導体レーザ
1の発光点が+y方向にΔlだけシフトすることにな
り、その結果、フォーカス誤差信号用のビームが受光部
6cの側にΔlだけシフトする。
【0040】(c)光ピックアップ装置の周囲温度がT
=T0−ΔTとなると、ビームスプリッター2を構成す
る第1の部材14も膨張し、M=m0−ΔMとなる。そ
の結果、フォーカス誤差信号用のビームが受光部6dの
側にΔMだけシフトする。
【0041】上記(1)および(2)のいずれの場合で
も、(a)〜(c)は全てフォーカスオフセットとな
り、フォーカスサーボ信号に悪影響を及ぼす。そこで、
本発明では、温度変化に伴う半導体レーザの波長変動、
光学素子やステム材料の膨張や収縮を考慮することによ
り、上記(a)〜(c)で発生するフォーカスオフセッ
トをキャンセルすることができる。または、受光部6c
と6dの分割線を傾斜させることにより、上記(a)
〜(c)で発生するフォーカスオフセットをキャンセル
することができる。
【0042】なお、本実施形態においては、ステムとビ
ームスプリッターの第1の光学部材の材料について膨張
収縮を考慮している。これは、他の構成部品の膨張収縮
は第1の方向に対する集光スポットの移動量に殆ど影響
を与えないためである。また、y方向への膨張収縮を考
えて材料を選択しているが、これによってx方向やz方
向への膨張収縮に問題は生じない。
【0043】温度変化に伴う半導体レーザの波長変動、
および光学素子やステム材料の膨張や収縮は、ほぼ線形
に変化する。このため、ΔTが異なっても材料や分割線
の傾斜量を変化させなくてもよい。また、温度変化が無
い場合にはフォーカスオフセットが0になるように設定
しているので、周囲温度の変化が生じない場合にも問題
は生じない。
【0044】以下に、具体的な数値例を挙げてさらに詳
しく説明する。
【0045】(実施形態1)本実施形態では、図1に示
した半導体レーザ1としてシャープ社製の半導体レーザ
LTT22MC(発振波長780nm)を用い、ビーム
スプリッター2の第1の部材14の材料としてSCHO
TT社製の光学材料であるLF5(n=1.5722、
線膨張係数9.1×10-6/℃)を用い、第2の部材1
3の材料として複屈折材料であるLi247(ne=
1.548、no=1.604)を用い、ステム7の材
料としては錫を含む銅(線膨張係数17.0×10-6
℃)を用いる。
【0046】この光ピックアップ装置においては、半導
体レーザ1の発光点と、受光部6cと6dの分割線と
の距離Lが1.615mm、半導体レーザ1の発光点
と、光透過性基板3の距離が1.731mm、ビームス
プリッター2の第1の面16と第3の面17との距離M
が1.5mm、光透過性基板3の厚みが0.4mm、ビ
ームスプリッター2の厚みが1.4mm、光透過性基板
3と光検出記6の距離が2.71mmとなるように設定
されている。
【0047】この光ピックアップ装置の周囲温度が室温
から35℃上昇すると、半導体レーザ1の発振波長は7
80nmから約8.2nm長くなる。このとき、第1の
回折素子5における回折角が変動し、フォーカス誤差信
号用ビームの集光スポットが+z方向に1.580μ
m、+y方向に0.060μmだけ移動する。このとき
発生するフォーカスオフセット量をシミュレーションす
ると、−0.070μmとなる。
【0048】また、光ピックアップ装置の周囲温度が室
温から35℃上昇すると、ステム7は0.893μm膨
張する。このとき発生するフォーカスオフセット量をシ
ミュレーションすると、+0.615μmとなる。
【0049】さらに、光ピックアップ装置の周囲温度が
室温から35℃上昇すると、ビームスプリッター2の第
1の部材14は0.478μm膨張する。このとき発生
するフォーカスオフセット量をシミュレーションする
と、−0.325μmとなる。
【0050】上記半導体レーザの波長変動や各構成部品
の膨張収縮は、温度変化によって同時に発生する。これ
ら3つを同時にシミュレーションすると、トータルのフ
ォーカスオフセット量は+0.208μmとなる。そこ
で、各温度に対して受光部6c、6dの出力が等しくな
るように、光検出器6の受光部6cと6dの分割線の
傾斜角度を設定する。
【0051】上記半導体レーザ1、ビームスプリッター
2およびステム7を用いた場合、光検出器6の受光部6
cと6dの分割線をy方向と垂直な方向から−0.1
57゜傾けることで、発生するフォーカスオフセットを
許容値である0.1μm以下に抑制することができる。
【0052】(実施形態2)本実施形態では、図1に示
した半導体レーザ1としてシャープ社製の半導体レーザ
LTT22MC(発振波長780nm)を用い、ビーム
スプリッター2の第1の部材14の材料としてSCHO
TT社製の光学材料であるLF5(n=1.5722、
線膨張係数9.1×10-6/℃)を用い、第2の部材1
3の材料として複屈折材料であるLi247(ne=
1.548、no=1.604)を用い、ステム7の材
料としては軟鉄(線膨張係数13.6×10-6/℃)を
用いる。
【0053】この光ピックアップ装置の周囲温度が室温
から35℃上昇すると、半導体レーザ1の発振波長は7
80nmから約8.2nm長くなる。このとき、第1の
回折素子5における回折角が変動し、フォーカス誤差信
号用ビームの集光スポットが+z方向に1.580μ
m、+y方向に0.060μmだけ移動する。このとき
発生するフォーカスオフセット量をシミュレーションす
ると、−0.070μmとなる。
【0054】また、光ピックアップ装置の周囲温度が室
温から35℃上昇すると、ステム7は0.714μm膨
張する。このとき発生するフォーカスオフセット量をシ
ミュレーションすると、+0.500μmとなる。
【0055】さらに、光ピックアップ装置の周囲温度が
室温から35℃上昇すると、ビームスプリッター2の第
1の部材14は0.478μm膨張する。このとき発生
するフォーカスオフセット量をシミュレーションする
と、−0.325μmとなる。
【0056】上記半導体レーザの波長変動や各構成部品
の膨張収縮は、温度変化によって同時に発生する。これ
ら3つを同時にシミュレーションすると、トータルのフ
ォーカスオフセット量は+0.088μmとなる。よっ
て、上記半導体レーザ1、ビームスプリッター2および
ステム7を用いることにより、発生するフォーカスオフ
セットを許容値である0.1μm以下に抑制することが
できる。
【0057】なお、本発明は、光源と光検出器が同一ス
テム上に配置され、光源の発光点と光検出器上に集光さ
れた光の集光点を結んだ第1の方向に対して、2つの受
光部の分割線が略垂直となるように配置され、さらに、
回折素子による回折方向が分割線と垂直である構成の光
ピックアップ装置であれば、いずれも適用可能であり、
例えば図5に示した従来の光ピックアップ装置にも適用
可能である。
【0058】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
光ピックアップ装置の周囲温度の変化による光源からの
出射光の波長変動だけではなく、ステムやビームスプリ
ッター等の構成部品の膨張収縮についても考慮して各構
成部品の材料を選択し、光ピックアップ装置の周囲温度
の変化による光源からの出射光の波長変動が生じたり、
ステムやビームスプリッター等の構成部品の膨張収縮が
生じても、分割線両側の第1の受光部に入射する光量と
第2の受光部に入射する光量との差の変化が許容範囲と
なるようにしている。
【0059】または、第1の受光部および第2の受光部
の分割線を傾斜させて、光ピックアップ装置の周囲温度
が変化して光源からの出射光の波長変動が生じたり、ス
テムやビームスプリッター等の構成部品の膨張収縮が生
じても、分割線両側の第1の受光部および第2の受光部
に入射する光量の変化が許容範囲となるようにしてい
る。
【0060】従って、光ピックアップ装置の周囲温度が
変化しても、正確なフォーカス誤差信号を得ることがで
きると共に、良好な情報再生信号を得ることができ、光
ピックアップ装置の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態である光ピックアップ装置
の概略構成を示す断面模式図である。
【図2】本発明の一実施形態である光ピックアップ装置
における第1の回折素子の概略構成を示す平面図であ
る。
【図3】本発明の一実施形態である光ピックアップ装置
における光検出器の概略構成を示す平面図である。
【図4】本発明の一実施形態である光ピックアップ装置
における光源と光検出器との配置を示す平面図である。
【図5】従来の光ピックアップ装置の概略構成を示す断
面模式図である。
【図6】従来の光ピックアップ装置における第1の回折
素子の概略構成を示す平面図である。
【図7】従来の光ピックアップ装置における光検出器の
概略構成を示す平面図である。
【符号の説明】
1、101 半導体レーザ 2、102 ビームスプリッター 3 光透過性基板 4 第2の回折素子 5 第1の回折素子 5a、5b、5c 第1の回折素子の領域 5d、5e 第1の回折素子の分割線 6、106 光検出器 6a、6b、6c、6d、6e、6f、6g、6h、6
i、A、B、C、D、E、F 受光部 7 ステム 8 キャップ 9 コリメートレンズ 10 対物レンズ 11 光磁気記録媒体 12 パッケージ 13 ビームスプリッターの第2の部材 14 ビームスプリッターの第1の部材 15 ビームスプリッターの第2の面 16 ビームスプリッターの第1の面 17 ビームスプリッターの第3の面 18 ビームスプリッターの第4の面 19 キャップガラス 103 ミラー 104 1/4波長板 105 回折格子 106a 4分割受光素子 106b 2分割受光素子 第1の受光部と第2の受光部の分割線

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光源と、 該光源と同一のパッケージ内に配置され、光源から出射
    されて光磁気記録媒体に反射された光を検出する光検出
    器と、 該光磁気記録媒体からの反射光の一部を分離して該光検
    出器の方向に導くビームスプリッターと、 該光磁気記録媒体のトラック方向に対して略垂直な方向
    の分割線によって少なくとも第1の領域と第2の領域と
    に分割され、各領域に入射してきた該光磁気記録媒体か
    らの反射光を分割して所定の方向に導く光分割手段とを
    備えた光ピックアップ装置において、 該光検出器は、該光磁気記録媒体のトラック方向に略垂
    直な方向の分割線によって第1の受光部と第2の受光部
    とに分割され、かつ、該光分割部材の第1の領域から導
    かれてきた光を受光する受光手段を有し、 該第1の受光部および該第2の受光部は、該光源と同一
    のステム上に配置されていると共に、該光源の発光点と
    該光分割手段を透過した光が該光検出器上で集光する点
    とを結んだ方向である第1の方向と、該第1の受光部と
    該第2の受光部との分割線の方向である第2の方向とが
    略垂直に配置され、 周囲の温度変化に対する該光源の波長変動によって該受
    光手段上の集光点が該第1の方向に移動する移動量と、
    周囲の温度変化に対する構成部品の膨張収縮によって該
    受光手段上の集光点が該第1の方向に移動する移動量と
    の和が許容範囲内になるように、構成部品の材料が選択
    されている光ピックアップ装置。
  2. 【請求項2】 光源と、 該光源と同一のパッケージ内に配置され、光源から出射
    されて光磁気記録媒体に反射反射された光を検出する光
    検出器と、 該光磁気記録媒体からの反射光の一部を分離して該光検
    出器の方向に導くビームスプリッターと、 該光磁気記録媒体のトラック方向に対して略垂直な方向
    の分割線によって少なくとも第1の領域と第2の領域と
    に分割され、各領域に入射してきた該光磁気記録媒体か
    らの反射光を分割して所定の方向に導く光分割手段とを
    備えた光ピックアップ装置において、 該光検出器は、該光磁気記録媒体のトラック方向に略垂
    直な方向の分割線によって第1の受光部と第2の受光部
    とに分割され、かつ、該光分割部材の第1の領域から導
    かれてきた光を受光する受光手段を有し、 該第1の受光部および該第2の受光部は、該光源と同一
    のステム上に配置され、 周囲の温度変化に対する該光源の波長変動および構成部
    品の膨張収縮によって、該受光手段上の集光点が、該光
    源の発光点と該光分割手段を透過した光が該光検出器上
    で集光する点とを結んだ方向である第1の方向に移動し
    たときに、該第1の受光部および該第2の受光部に入射
    する光量の変化が許容範囲内になるように、該第1の受
    光部と該第2の受光部との分割線の方向である第2の方
    向を該第1の方向と垂直な方向から傾斜して配置されて
    いる光ピックアップ装置。
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