JP2001247489A - 主として分枝状二量体へのプロピレンの選択的二量化方法 - Google Patents
主として分枝状二量体へのプロピレンの選択的二量化方法Info
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Abstract
的二量化方法を提供する。 【解決手段】 主として分枝状二量体へのプロピレンの
選択的二量化方法において、少なくとも1つのハロゲン
化アルミニウム(物質B)と、少なくとも1つのハロゲ
ン化第4アンモニウムおよび/または少なくとも1つの
ハロゲン化第4ホスホニウム(物質A)とを接触させる
ことにより生じた、イオン特質を有する非水性媒質中に
少なくとも一部溶解された、官能基を有する少なくとも
1つの第三ホスフィンと混合されたかあるいは錯形成さ
れた少なくとも1つのニッケル化合物を含む触媒組成物
に、プロピレンを接触させることを特徴とする、プロピ
レンの選択的二量化方法である。
Description
量体へのプロピレンの選択的二量化方法に関する。本発
明は、オレフィンの二量化、共二量化およびオリゴマー
化において使用される触媒組成物に関する。本発明は、
より詳しくは、少なくとも1つのハロゲン化第4アンモ
ニウムおよび/または少なくとも1つのハロゲン化第4
ホスホニウムと、少なくとも1つのハロゲン化アルミニ
ウムと、場合によっては少なくとも1つのアルミニウム
有機金属化合物とのイオン特質を有する液体混合物中
に、官能基を有する第三ホスフィンまたはホスフィット
と混合されるかあるいは錯形成される少なくとも1つの
ニッケル化合物を溶解させることによって生じる組成物
に関する。
には、オレフィンの二量化の触媒作用におけるニッケル
有機金属錯体の溶媒として、ハロゲン化第四アルミニウ
ムおよびハロゲン化第四アンモニウムから形成された、
イオン特質を有する液体の使用が記載されている。脂肪
族炭化水素、特にオレフィンの二量化により生じた物質
と非混和性であるそのような媒質を使用することによっ
て、均一触媒の優れた使用が可能になる。フランス特許
FR−B−2659871には、ハロゲン化第四アンモ
ニウムおよび/またはハロゲン化第四ホスホニウムを、
ジハロゲン化アルキルアルミニウムと、さらに場合によ
ってはトリハロゲン化アルミニウムと接触させることに
より生じる、イオン特質を有する液体組成物が記載され
ている。この同じ特許には、遷移金属錯体、特にニッケ
ル・炭素結合を含まないニッケル錯体の溶媒として、こ
れら媒質を使用することが記載されている。該ニッケル
錯体は、オレフィンのオリゴマー化触媒に変換される。
以下において、これら媒質は、適切な温度で液体状であ
るので、「融解塩」と呼ばれる。
りかつ最も安定であるニッケル触媒が、トリハロゲン化
アルミニウムの1当量以上と、場合によってはジハロゲ
ン化アルキルアルミニウムの任意量と、ハロゲン化アン
モニウムおよび/またはハロゲン化ホスホニウムのモル
当量からなる「融解塩」中において得られることが証明
された。該融解塩中に溶解されるニッケル錯体が、高い
触媒活性度を示すので、この配合が特に有益であること
が明らかになった。
00に記載されている条件において、G.Wikeらによって
Ind.Eng.Chem.,1970年、62、No.12、34頁と、ニッケル
による接触二量化の際にプロピレンの分子の連鎖モード
に関して燐原子によって保たれる置換基の作用を示すイ
ギリス特許GB−B−1058680とに記載されてい
る「ホスフィン効果」は、経時的に急速に消滅すること
が明らかになった。この未解明の現象は、所望の選択率
の取得を可能にしないので、不利な結果をもたらす。
とによって、この問題を克服することが可能になり、ま
たより安定した高い活性度を有しかつ最も分枝状である
異性体への高い選択率を有する触媒を生じることがフラ
ンス特許FR−B−2710280において証明されて
いる。しかしながら、芳香族炭化水素は、該生成物から
なる有機相中に連続的に取り込まれる。このことは、該
芳香族炭化水素を分離して、これを反応器に再循環する
ことが必要であることを意味する。
使用すること、あるいは「融解塩」中に可溶性である第
三ホスフィンで形成されるニッケル錯体を使用すること
によって、最も分枝状である異性体の経時的に安定した
高い選択率と、高い活性度とを有する触媒が生じること
が見出された。
レンの選択的二量化方法であり、この方法においては、
イオン特質を有する非水性媒質(「融解塩」型媒質)中
に少なくとも一部溶解された、官能基を有する少なくと
も1つの第三ホスフィンと混合されたかあるいは錯形成
された少なくとも1つのニッケル化合物を含む触媒組成
物が使用される。該非水性媒質は、少なくとも1つのハ
ロゲン化アルミニウム(物質B)と、少なくとも1つの
ハロゲン化第四アンモニウムおよび/または少なくとも
1つのハロゲン化第四ホスホニウム(物質A)とを接触
させることにより生じる。さらに「融解塩」型媒質は、
少なくとも1つのアルミニウム有機金属化合物(物質
C)を含んでもよい。
第三ホスフィンあるいは官能基を有する少なくとも1つ
のホスフィット(亜燐酸塩)と混合されるかあるいは錯
形成されるニッケル化合物が溶解される「融解塩」型媒
質は、 a) 少なくとも1つのハロゲン化、より詳しくは塩化
および/または臭化第四アンモニウムおよび/または第
四ホスホニウム(物質A)と、 b) 少なくとも1つのハロゲン化アルミニウム(物質
B)と、 c) 場合によっては少なくとも1つのアルミニウム有
機金属化合物(物質C)との混合によって構成される。
化第四アンモニウムおよび/またはハロゲン化第四ホス
ホニウム(物質A)は、好ましくは・一般式NR1 R
2 R3 R4 X(ただしNH 4Xを除く)、PR
1R2 R3 R4 X、R1 R2 N=CR3 R
4 X およびR1 R2P=CR3 R4 X(式
中、Xは、ClまたはBrであり、R1 、R2、R3
およびR4 は、同一または異なって各々水素または
例えば炭素原子数1〜12を含む、飽和または不飽和ア
ルキル基、シクロアルキル基または芳香族基、アリール
基またはアラルキル基のような炭素原子数1〜12を有
する炭化水素残基であり、好ましくは置換基R1 、R
2 、R3 およびR4 のうちの1つだけが水素であ
る)のうちの1つの式で表されるか、・あるいはさらに
は下記一般式:
1、2または3個有する窒素含有または燐含有複素環
が、4〜10個の原子からなり、X、R1 およびR2
が、上記のように定義される)のうちの1つの式で表
される。
物、N−ブチルピリジニウム塩化物、エチルピリジニウ
ム臭化物、3−ブチル−1−メチルイミダゾリウム塩化
物、ジエチルピラゾリウム塩化物、ピリジニウム塩酸
塩、トリメチルフェニルアンモニウム塩化物、3−エチ
ル−1−メチルイミダゾリウム塩化物が挙げられる。こ
れらの塩は、単独でまたは混合物状で使用されてよい。
ゲン化アルミニウムは、主として塩化アルミニウムおよ
び臭化アルミニウムである。
るアルミニウム有機金属化合物は、一般式AlR xX
3 − x(式中、Rは、炭素原子数2〜8を有す
る、直鎖状または分枝状アルキル残基であり、Xは、塩
素または臭素であり、xは、1、2または3である)で
表される。例として、セスキ塩化イソブチルアルミニウ
ム、セスキ塩化エチルアルミニウム、ジクロロイソブチ
ルアルミニウム、ジクロロエチルアルミニウムおよびク
ロロジエチルアルミニウムが使用されてよい。
般にA:Bモル比1:0.5〜1:3、好ましくは1:
1〜1:2において使用される。物質Cは、物質Bとの
モル比大きくとも100:1、好ましくは0.005:
1〜10:1において使用される。しかしながら、成分
およびその割合は、ニッケル化合物および官能性第三ホ
スフィンの導入が行われる温度において、混合物が液体
であるようなものであることが必要である。ただし、二
量化の接触反応は、触媒組成物の融解温度より低い温度
あるいは高い温度で行われ得る。
ル化合物は、例えば塩化物、臭化物、硫酸塩、カルボキ
シレート(例えば2−エチルヘキサノエート)、フェノ
ラートおよびアセチルアセトネートである。さらにホス
フィンを含むか、あるいはホスフィンを含まないニッケ
ル有機金属錯体が使用されてもよい。これらニッケル錯
体は、官能性第三ホスフィンとの混合物状で使用され
る。さらに官能基を有する第三ホスフィンと既に錯形成
されたニッケル錯体を使用してもよい。
いは該ニッケル化合物と錯形成)した形態で使用される
官能性ホスフィンは、一般式PR’ 1R’ 2R’
3およびR’ 1R’ 2P−R’−PR’ 1R’
2(式中、R’ 1、R’ 2およびR’ 3は、同一ま
たは異なって、炭素原子数1〜10を有するアルキル
基、シクロアルキル基、アリール基またはアラルキル基
であり、該基のうちの少なくとも1つの基が、アミン
基、環式アミン基、窒素含有複素環基、エステル基、酸
基、アルコール基、第四アンモニウム基、第四ホスホニ
ウム基、スルホニウム基、スルホネート基およびホスホ
ネート基のような官能基を有し、R’は、炭素原子数1
〜6を有する脂肪族二価残基である)で表される。
はイミダゾール置換基を含む化合物、および、ピリジニ
ウム置換基またはイミダゾリウム置換基を有するその第
四級化誘導体から選ばれてよい。該誘導体は、この後に
示される式(1)〜式(7)で表される。
として、式(1)の2−ジシクロペンチルホスフィノエ
チル−4−ピリジン、式(2)の2−ジシクロペンチル
ホスフィノエチル−2−ピリジン、式(1b)の2−ジ
イソブチルホスフィノエチル−4−ピリジン、式(4)
の2−ジイソプロピルホスフィノエチル−4−ピリジ
ン、および式(3)(式中、Rは、炭素原子数1〜10
を有するアルキル基であり、Xは、弱配位性アニオンで
ある)で表される第四級化誘導体が使用されてよい。弱
配位性アニオンの例として、テトラフルオロホウ酸アニ
オン、ヘキサフルオロ燐酸アニオン、テトラクロロアル
ミン酸アニオン、ヘキサフルオロアンチモン酸アニオ
ン、酢酸アニオンおよびトリフルオロ酢酸アニオンのよ
うなカルボキシレート・アニオン、トリフルオロスルホ
ネート・アニオン、並びにN(CF 3SO 2) 2 −
アニオンおよびC(CF 3SO 2) 3 − アニ
オンが挙げられる。第四級化誘導体は、例えば式(3
a)の2−ジシクロペンチルホスフィノエチル−N−エ
チルピリジニウムテトラフルオロホウ酸塩、あるいは式
(3b)の2−ジシクロペンチルホスフィノエチル−N
−エチルピリジニウム塩化物であってもよい。
ィンとして、例えば式(5)の2−ジシクロペンチルホ
スフィノエチル−N−イミダゾール、式(7)の2−ジ
イソプロピルホスフィノエチル−N−イミダゾール、式
(7b)の2−ジイソブチルホスフィノエチル−N−イ
ミダゾール、および式(6)(式中、Rは、炭素原子数
1〜10を有するアルキル基であり、Xは、式(6a)
の2−ジシクロペンチルホスフィノエチル−1−メチル
イミダゾリウムテトラフルオロホウ酸塩のような(上記
で定義されているように)弱配位性アニオンである)の
第四級化誘導体が使用されてよい。
用可能なニッケル化合物の例として、下記錯体: [N
iCl 2・1.5P(2−ジシクロペンチルエチル−
4−ピリジン)] 2、[NiCl 2・2P(2−ジ
シクロペンチルエチル−N−エチルピリジニウムテトラ
フルオロホウ酸塩)] 2、[Ni 2Cl 4・(2
−ジシクロペンチルホスフィノエチル−N−エチルピリ
ジニウムテトラフルオロホウ酸塩) 3、1.5CH
2Cl 2]、官能性第三ホスフィンの少なくとも1当
量と混合されているNiCl 2・2ピリジン、2−ジ
シクロペンチルホスフィノエチル−4−ピリジンの少な
くとも1当量と混合されているニッケルクロライド、2
−ジシクロペンチルホスフィノエチル−4−ピリジンの
少なくとも1当量と混合されているニッケルアセテー
ト、2−ジシクロペンチルホスフィノエチル−4−ピリ
ジンの少なくとも1当量と混合されているニッケルオク
トエート(2−エチルヘキサノエート)、および2−ジ
シクロペンチルホスフィノエチル−4−ピリジン−π−
アリル−ニッケルクロライドが挙げられる。
物は、任意の順序で混合されてよい。
の形成まで撹拌することによって行われてよい。この混
合は、二量化またはオリゴマー化反応器の外部で行われ
てよいし、好ましくはこの反応器内で行われてよい。
ンは、純品で使用されてもよいし、あるいは接触クラッ
キングまたは水蒸気クラッキングのような石油精製方法
により生じたC3「留分」中に見出されるようなアルカ
ン中に希釈されていてもよい。
の接触二量化反応は、1つまたは複数の反応段階を用い
て、閉鎖系で、半開放系で、あるいは連続して行われて
よい。激しい撹拌によって、単数または複数反応体と触
媒混合物との良好な接触が確実に行われねばならない。
反応温度は、−40〜+70℃、好ましくは−20〜+
50℃であってよい。操作は、媒質の融解温度以上また
は該融解温度以下で行われてよい。分散された固体の状
態は、反応の好適な実施を限定するものではない。反応
により生じた熱は、当業者に公知のあらゆる手段によっ
て除去されてよい。圧力は、常圧〜20MPa、好まし
くは常圧〜5MPaであってよい。反応物質、および反
応しなかった単数または複数の反応体は、デカンテーシ
ョンによって触媒系から簡単に分離され、ついで分別さ
れる。
が、何らその範囲を限定するものではない。
ル−3−メチルイミダゾリウム塩化物 17.5g
(0.1モル)と、昇華されたアルミニウム塩化物 1
6.3g(0.122モル)と、ジクロロエチルアルミ
ニウム 1.6g(0.0126モル)とを、周囲温度
で混合した。こうして液体を得た。
(2−ジシクロペンチルエチル−4−ピリジン)] 2
錯体の調製]アルゴン雰囲気下に維持したSchlenk管型
容器内に、NiCl 2・6H 2O 2.37gと、
無水メタノール 10mlとを導入した。ニッケル塩の
溶解後、ペンタン 20mlを添加した。2つの相を撹
拌して、式(1)の第三ホスフィン 5.33g(20
ミリモル)を添加した。2時間の撹拌後、赤色不溶物を
濾過した。それを5.82g得た。元素分析は、式[N
iCl 2・1.5P(2−ジシクロペンチルエチル−
4−ピリジン)] 2の錯体に一致した(M=1085
g、Ni 10.7重量%)。
ピリジンの第四級化]Schlenk管型容器内に、実施例2
に記載された錯体3.72gを入れ、ジクロロメタンを
添加した。次いでジクロロメタン中にテトラフルオロホ
ウ酸オキソニウム溶液を一滴ずつ添加した(Et 3O
+ BF 4 − の2.14g)。撹拌を4時間続け
た。該時間の経過後に、赤色溶液を得た。溶媒を蒸発さ
せ、エーテル 20mlを添加した。得られた赤色結晶
質固体を濾取した。それを4.56g得た。元素分析
は、式Ni 2Cl 4(P−N+ EtBF
4 ー ) 3・1.5CH 2Cl 2(式中、P−N
は、式(1)の配位子である)の錯体に一致した。
定センサと、充分な撹拌を確実に行うための下部(容積
20ml)における磁石棒と、冷却液体の流通を可能に
する2重ジャケットとを具備したガラス製反応器の空気
および湿気をパージし、該反応器を純度99%のプロピ
レンの常圧下に維持した。該反応器に、実施例2で調製
した錯体 0.03ミリモルを導入し(Niの0.06
ミリモル)、ついで温度を10℃に低下し、上記で調製
した液体組成物5ml(実施例1)と、ヘプタン7ml
とを注入器によって注入した。撹拌を続行した。直ぐに
プロピレンの吸収が認められた。撹拌されなかった上部
が、液体で満たされている場合、炭化水素相の大部分を
抜き出した。7時間の経過後に反応を停止した(5回の
抜き出し)。その時、Niの1グラム当たり生成物17
5kgを生成した。種々のフラクションの分析により、
これらフラクションが、二量体の77%で構成されるこ
とが証明された。すべてのフラクション中において実質
上同一である二量体組成物は、2,3−ジメチルブテン
67%と、メチルペンテン29%とを有していた。残部
は、n−ヘキセンであった。
的のために調製された融解塩を使用し、ニッケル(2−
エチルヘキサノエート)オクトエート 0.05ミリモ
ルと、2−ジシクロペンチルホスフィノエチル−4−ピ
リジン 0.5ミリモルとを導入するという点を除い
て、実施例4におけるように操作した。反応時間は7時
間15分とした。この時間の経過後に、5つのフラクシ
ョンを抜き出し、Niの1グラム当たり生成物220k
gを生成した。二量体の選択率は、78%であった。
2,3−ジメチルブテンの選択率は、第1フラクション
では66%であり、最終フラクションでは63%であっ
た。
的のために調製された融解塩を使用し、実施例3で調製
された錯体45mgを導入するという点を除いて、実施
例4におけるように操作した。反応時間は、7時間15
分とした。この時間の経過後に、5つのフラクションを
抜き出し、Niの1グラム当たり生成物117kgを生
成した。二量体の選択率は、74〜79%であった。
2,3−ジメチルブテンの選択率は、65%であった。
この選択率は、種々のフラクションにおいて一定であっ
た。
化]実施例1におけるように調製された融解塩を使用
し、錯体NiCl 2・2P(シクロヘキシル) 3
の0.05ミリモルを導入するという点を除いて、実
施例4におけるように操作した。反応時間は、8時間3
0分とした。この時間の経過後に、10のフラクション
を抜き出した。Niの1グラム当たり生成物137kg
を生成した。二量体の選択率は83%であった。2,3
−ジメチルブテンの選択率は、第1フラクションでは7
0%であった。この選択率は、第3フラクションでは3
5%に低下し、第6フラクションでは10%に低下し
た。該選択率は、第10フラクションでは6%であっ
た。
Claims (19)
- 【請求項1】 主として分枝状二量体へのプロピレンの
選択的二量化方法において、少なくとも1つのハロゲン
化アルミニウム(物質B)と、少なくとも1つのハロゲ
ン化第4アンモニウムおよび/または少なくとも1つの
ハロゲン化第4ホスホニウム(物質A)とを接触させる
ことにより生じた、イオン特質を有する非水性媒質中に
少なくとも一部溶解された、官能基を有する少なくとも
1つの第三ホスフィンと混合されたかあるいは錯形成さ
れた少なくとも1つのニッケル化合物を含む触媒組成物
に、プロピレンを接触させることを特徴とする、プロピ
レンの選択的二量化方法。 - 【請求項2】 ニッケル化合物が、塩化物、臭化物、硫
酸塩、カルボキシレート、フェノラートおよびアセチル
アセトネートから選ばれることを特徴とする、請求項1
記載の方法。 - 【請求項3】 官能基を有する第三ホスフィンが、一般
式PR’ 1R’ 2R’ 3または式R’ 1R’ 2
P−R’−PR’ 1R’ 2(式中、R’ 1R’
2およびR’ 3は、同一または異なって、炭素原子数
1〜10を有するアルキル基、シクロアルキル基、アリ
ール基またはアラルキル基であり、該基のうちの少なく
とも1つの基が、アミン基、環式アミン基、窒素含有複
素環基、エステル基、酸基、アルコール基、第四アンモ
ニウム基、第四ホスホニウム基、スルホニウム基、スル
ホネート基およびホスホネート基から選ばれる官能基を
有し、R’は、炭素原子数1〜6を有する脂肪族二価残
基である)で表されることを特徴とする、請求項1また
は2記載の方法。 - 【請求項4】 官能性第三ホスフィンが、ピリジン置換
基またはイミダゾール置換基を含むホスフィン、並びに
ピリジニウム置換基またはイミダゾリウム置換基を有す
るその第四級化誘導体から選ばれることを特徴とする、
請求項3記載の方法。 - 【請求項5】 ピリジン置換基またはイミダゾール置換
基を有する官能性第三ホスフィンが、2−ジシクロペン
チルホスフィノエチル−4−ピリジン、2−ジシクロペ
ンチルホスフィノエチル−2−ピリジン、2−ジイソブ
チルホスフィノエチル−4−ピリジン、2−ジイソプロ
ピルホスフィノエチル−4−ピリジン、2−ジシクロペ
ンチルホスフィノエチル−N−イミダゾール、2−ジイ
ソプロピルホスフィノエチル−N−イミダゾールおよび
2−ジイソブチルホスフィノエチル−N−イミダゾール
から選ばれることを特徴とする、請求項4記載の方法。 - 【請求項6】 ピリジニウム置換基またはイミダゾリウ
ム置換基を有する官能性第三ホスフィンが、式(3)ま
たは式(6) 【化1】 (式中、Rは、炭素原子数1〜10を有するアルキル基
であり、Xは、弱配位性アニオンである)で表される第
四級化誘導体であることを特徴とする、請求項4記載の
方法。 - 【請求項7】 弱配位性アニオンが、テトラフルオロホ
ウ酸アニオン、ヘキサフルオロ燐酸アニオン、テトラク
ロロアルミン酸アニオン、ヘキサフルオロアンチモン酸
アニオン、酢酸アニオンおよびトリフルオロ酢酸アニオ
ンのようなカルボキシレート・アニオン、トリフルオロ
スルホネート・アニオン、並びにN(CF 3SO
2) 2 − アニオンおよびC(CF 3SO 2)
3 − アニオンから選ばれることを特徴とする、請求
項6記載の方法。 - 【請求項8】 ピリジニウム置換基またはイミダゾリウ
ム置換基を有する官能性第三ホスフィンが、2−ジシク
ロペンチルホスフィノエチル−N−エチルピリジニウム
テトラフルオロホウ酸塩、2−ジシクロペンチルホスフ
ィノエチル−N−エチルピリジニウム塩化物、および2
−ジシクロペンチルホスフィノエチル−1−メチルイミ
ダゾリウムテトラフルオロホウ酸塩から選ばれることを
特徴とする、請求項6または7記載の方法。 - 【請求項9】 官能基を有する少なくとも1つの第三ホ
スフィンと混合されるか、あるいは錯形成されるニッケ
ル化合物が、下記錯体: [NiCl 2・1.5P
(2−ジシクロペンチルエチル−4−ピリジン)]
2、[NiCl 2・2P(2−ジシクロペンチルエチ
ル−N−エチルピリジニウムテトラフルオロホウ酸
塩)] 2、[Ni 2Cl 4・(2−ジシクロペン
チルホスフィノエチル−N−エチルピリジニウムテトラ
フルオロホウ酸塩) 3、1.5CH 2Cl 2]、官
能性第三ホスフィンの少なくとも1当量と混合されてい
るNiCl 2・2ピリジン、2−ジシクロペンチルホ
スフィノエチル−4−ピリジンの少なくとも1当量と混
合されているニッケルクロライド、2−ジシクロペンチ
ルホスフィノエチル−4−ピリジンの少なくとも1当量
と混合されているニッケルアセテート、2−ジシクロペ
ンチルホスフィノエチル−4−ピリジンの少なくとも1
当量と混合されているニッケルオクトエート(2−エチ
ルヘキサノエート)、および2−ジシクロペンチルホス
フィノエチル−4−ピリジン−π−アリル−ニッケルク
ロライドから選ばれることを特徴とする、請求項1〜8
のうちのいずれか1項記載の方法。 - 【請求項10】 物質Aとして使用可能なハロゲン化第
四アンモニウムまたはハロゲン化第四ホスホニウムが、
一般式NR1 R2 R3 R4 X(ただしNH 4
Xを除く)、PR1 R2 R3 R4 X、R1 R
2 N=CR 3 R4 XおよびR1 R2 P=CR
3 R4 X(式中、Xは、ClまたはBrであり、R
1 、R2 、R3 およびR4 は、同一または異な
って各々水素または炭素原子数1〜12を有する炭化水
素残基である)のうちの1つの式で表されるか、あるい
はさらには下記一般式: 【化2】 (式中、窒素原子および/または燐原子を1、2または
3個有する窒素含有または燐含有複素環は、4〜10個
の原子からなる。X、R1 およびR2 は、上記のよ
うに定義される)のうちの1つの式で表されることを特
徴とする、請求項1〜9のうちのいずれか1項記載の方
法。 - 【請求項11】 ハロゲン化第四アンモニウムあるいは
ハロゲン化第四ホスホニウムが、テトラブチルホスホニ
ウム塩化物、N−ブチルピリジニウム塩化物、エチルピ
リジニウム臭化物、3−ブチル−1−メチルイミダゾリ
ウム塩化物、ジエチルピラゾリウム塩化物、ピリジニウ
ム塩酸塩、トリメチルフェニルアンモニウム塩化物また
は3−エチル−1−メチルイミダゾリウム塩化物である
ことを特徴とする、請求項10記載の方法。 - 【請求項12】 物質Bとして使用されるハロゲン化ア
ルミニウムが、塩化アルミニウムまたは臭化アルミニウ
ムであることを特徴とする、請求項1〜11のうちのい
ずれか1項記載の方法。 - 【請求項13】 物質Aおよび物質Bが、A:Bモル比
1:0.5〜1:3において使用されることを特徴とす
る、請求項1〜12のうちのいずれか1項記載の方法。 - 【請求項14】 さらにイオン特質を有する非水性媒質
が、少なくとも1つのアルミニウム有機金属化合物から
なる物質Cを含むことを特徴とする、請求項1〜13の
うちのいずれか1項記載の方法。 - 【請求項15】 物質Cとして場合によっては使用され
るアルミニウム有機金属化合物が、一般式AlR xX
3 − x(式中、Rは、炭素原子数2〜8を有す
る、直鎖状または分枝状アルキル残基であり、Xは、塩
素または臭素であり、xは、1、2または3である)で
表されることを特徴とする、請求項14記載の方法。 - 【請求項16】 物質Cが、セスキ塩化イソブチルアル
ミニウム、セスキ塩化エチルアルミニウム、ジクロロイ
ソブチルアルミニウム、ジクロロエチルアルミニウムま
たはクロロジエチルアルミニウムであることを特徴とす
る、請求項14または15記載の方法。 - 【請求項17】 物質Cが、物質Bとのモル比大きくと
も100:1において使用されることを特徴とする、請
求項14〜16のうちのいずれか1項記載の方法。 - 【請求項18】 反応が、1つまたは複数の反応段階を
伴って、撹拌下に温度−40〜+70℃で閉鎖系で、半
開放系で、あるいは連続して行われることを特徴とす
る、請求項1〜17のうちのいずれか1項記載の方法。 - 【請求項19】 プロピレンが、石油精製プロセスによ
り生じたC3「留分」中に含まれることを特徴とする、
請求項1〜18のうちのいずれか1項記載の方法。
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