JP2001247306A - イオン性金属錯体の合成法及び精製法 - Google Patents

イオン性金属錯体の合成法及び精製法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 リチウム電池、リチウムイオン電池、電気二
重層キャパシタ等の電気化学ディバイス用、ポリオレフ
ィン等の重合触媒、色剤及び画像記録材料の原料また、
有機合成用触媒として利用されるイオン性金属錯体の安
価で生産性の高い合成法および精製法を提供する。 【解決手段】 一般式(1)で示される化合物をシュウ
酸とホウ酸を非水溶媒中で反応させる。 【化1】 (An+は、金属イオン、プロトン、またはオニウムイオ
ンを表し、nは、1〜3を表す。)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、リチウム電池、リ
チウムイオン電池、電気二重層キャパシタ等の電気化学
ディバイス用、ポリオレフィン等の重合触媒、色剤及び
画像記録材料の原料、または有機合成用触媒等として利
用されるイオン性金属錯体の合成法およびその精製法に
関する。
【0002】
【従来の技術および発明が解決しようとする問題点】従
来、PF6 -、BF4 -、AsF6 -のようなルイス酸とFイ
オンの結合したイオン性錯体がその溶解性、イオン解離
性という特性のため、電気化学ディバイス用支持電解
質、ポリオレフィン等の重合触媒、色剤及び画像記録材
料の原料、または有機合成用触媒等の用途に使用されて
きた。
【0003】このように応用範囲が多種多様化している
中で、それぞれの用途に対する最適なイオン性錯体が探
索されており、その性質として安定性、耐熱性、耐加水
分解性、低毒性、リサイクル性等が求められている。こ
うした要望の中で新しいイオン性錯体としてビス(オキ
サラト)ホウ酸イオンが提案された。その合成法は特開
平9−192493号公報に記載されているようにシュ
ウ酸と三酸化二ホウ素の反応、シュウ酸とホウ酸トリメ
チルの反応、また、シュウ酸とトリメトキシボロキシン
の反応等が知られている。しかし、いずれの反応におい
ても、生成する水を連続的に分離しながら進行させるた
め、装置、操作が煩雑な上に反応時間が長いという生産
性の上での問題点を有する。しかも、反応を完全に進行
させることが困難で未反応の原料が微量に残存するた
め、応用面で悪影響を及ぼすこともある。
【0004】
【問題点を解決するための具体的手段】本発明者らは、
かかる従来技術の問題点に鑑み鋭意検討の結果、このイ
オン性金属錯体の合成法及びその精製法を見出し本発明
に到達したものである。
【0005】すなわち本発明は、一般式(1)で示され
るイオン性金属錯体の合成において、シュウ酸とホウ酸
を非水溶媒中で反応させるイオン性金属錯体の合成法で
あり、
【0006】
【化2】
【0007】(ただし、An+は、金属イオン、プロト
ン、またはオニウムイオンを表し、nは、1〜3を表
す。)、さらに該合成法において、プロトンを他のカチ
オンと交換反応させるイオン性金属錯体の合成法であ
り、用いる非水溶媒の誘電率が、2以上で、ホウ酸に対
して、2倍モル以上のシュウ酸を反応させるイオン性金
属錯体の合成法及びイオン性金属錯体中の不純物を除去
するために誘電率2〜10の非水溶媒で洗浄することを
特徴とするイオン性金属錯体の精製法を提供するもので
ある。
【0008】以下に、本発明をより詳細に説明する。
【0009】ここで、本発明の一般式(1)で示される
化合物のAn+としては、例えば、リチウムイオン、ナト
リウムイオン、カリウムイオン、マグネシウムイオン、
カルシウムイオン、バリウムイオン、セシウムイオン、
銀イオン、亜鉛イオン、銅イオン、コバルトイオン、鉄
イオン、ニッケルイオン、マンガンイオン、チタンイオ
ン、鉛イオン、クロムイオン、バナジウムイオン、ルテ
ニウムイオン、イットリウムイオン、ランタノイドイオ
ン、アクチノイドイオン、テトラブチルアンモニウムイ
オン、テトラエチルアンモニウムイオン、テトラメチル
アンモニウムイオン、トリエチルメチルアンモニウムイ
オン、トリエチルアンモニウムイオン、ピリジニウムイ
オン、イミダゾリウムイオン、プロトン、テトラエチル
ホスホニウムイオン、テトラメチルホスホニウムイオ
ン、テトラフェニルホスホニウムイオン、トリフェニル
スルホニウムイオン、トリエチルスルホニウムイオン、
等が挙げられる。
【0010】電気化学的なディバイス等の用途を考慮し
た場合、リチウムイオン、テトラアルキルアンモニウム
イオン、プロトンが好ましい。An+のカチオンの価数ま
たはアニオンの数を示すnは、カチオンの種類により必
然的に決まってくるが、1から3のカチオンを選ぶこと
がが好ましい。nが3より大きい場合、結晶格子エネル
ギーが大きくなるため、溶媒に溶解することが困難にな
る。そのため溶解度を必要とする場合は、nは小さい方
がよく、1がより好ましい。
【0011】本発明の合成法は、従来の方法の原料より
安価なホウ酸をB源として使用するものであり、配位子
としては従来と同様のシュウ酸を原料として使用する。
これらの原料を非水溶媒中で反応させ、まず(2)式で
示した構造を有するビス(オキサラト)ホウ酸を合成す
る。
【0012】
【化3】
【0013】ここで用いられる非水溶媒は、原料となる
化合物を極微量でも溶解するもので、系内の化合物と反
応を起こさないものが良く、好ましくは比誘電率が、2
以上のものが良い。ここで全く溶解力のない溶媒を使用
した場合、反応が非常に遅くなるため好ましくない。わ
ずかでも溶解度があれば、目的のイオン性金属錯体の溶
解度が非常に大きいため、反応は速やかに進行する。例
えば、カーボネート類、エステル類、エーテル類、ラク
トン類、ニトリル類、アミド類、スルホン類、アルコー
ル類、芳香族類等が使用でき、単一の溶媒だけでなく、
二種類以上の混合溶媒でもよい。具体例としては、プロ
ピレンカーボネート、エチレンカーボネート、ジエチル
カーボネート、ジメチルカーボネート、メチルエチルカ
ーボネート、ジメトキシエタン、アセトニトリル、プロ
ピオニトリル、テトラヒドロフラン、2−メチルテトラ
ヒドロフラン、ジオキサン、ニトロメタン、N,N−ジ
メチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、スルホラ
ン、γ−ブチロラクトン、トルエン、エタノール、メタ
ノール、等を挙げることができる。
【0014】ホウ酸とシュウ酸の反応の量比は、モル比
でホウ酸1に対して2以上、好ましくは3以上のシュウ
酸を使用する。特にシュウ酸を3以上使用した場合は従
来法のように反応で生成してくる水を除去することな
く、反応が非常に速く完全に進行するため、装置も簡単
で、生産性も高い。シュウ酸の量が2より少ない場合
は、反応が遅くしかも途中で停止して、ホウ酸が不純物
として残存するため、生成した水の除去またはホウ酸の
除去が必要となってくるため、操作が非常に煩雑にな
る。
【0015】反応温度については、−80〜100℃、
好ましくは0〜80℃の範囲で反応を行う。これは−8
0℃より低い温度では反応が十分に進行せず、100℃
以上では溶媒、原料の分解が起こる場合がある。また、
十分な反応速度を得て、なおかつ全く分解を起こさない
ためには0〜80℃の範囲が最適である。
【0016】以上のようにして得られたカチオンが、プ
ロトンであるビス(オキサラト)ホウ酸を溶媒を除去す
ることにより単離することは可能であるが、単離する前
に十分に系内の水を除去しておく必要がある。系内に水
が残存する場合、ビス(オキサラト)ホウ酸の加水分解
が起こり、ホウ酸やその他B−OHを含有する化合物が
生成する。そのため、プロトン以外のカチオンが必要な
場合は溶媒を除去する前にカチオン交換しておくことが
好ましい。プロトン以外のカチオンの場合、ビス(オキ
サラト)ホウ酸は、大量の水が存在する場合においても
加水分解することなく、溶媒を除去することが可能であ
る。このカチオンを交換する方法については特に限定す
るものではないが、目的のカチオンを有する水酸化物、
炭酸塩、ハロゲン化物、アルコキシド、カルボン酸塩等
と反応させる方法や、イオン交換樹脂を使用する方法等
が例として挙げられる。
【0017】本発明の方法に限らず他の方法においても
原料のシュウ酸が残存する場合があるが、シュウ酸が残
存すると最後に乾燥する際、変色が起こったり、種々の
用途に使用する際、悪影響を及ぼすことが懸念される。
そこで不純物となるシュウ酸を除去するために、本発明
では、反応溶媒を80℃以下の温度で濾過等で除去した
後に、誘電率2〜10の非水溶媒で洗浄することにより
目的物のロスを最小限にくい止め、選択的にシュウ酸を
除去できる。用いる非水溶媒は、その誘電率が2より小
さい場合は、シュウ酸が全く溶解しないため、効果がな
く、誘電率が10より大きい場合は、目的物の溶解度が
高いため、収率低下を引き起こすため好ましくない。こ
こで使用される洗浄用の溶媒として、例えば、ジエチル
エーテル、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネー
ト、テトラヒドロフラン、1,2−ジメトキシエタン、
ジメトキシメタン、2−メチルテトラヒドロフラン、
1,3−ジオキソラン、酢酸メチル、等が挙げられる。
また、単一の溶媒だけでなく、二種類以上の混合溶媒で
もよい。
【0018】
【実施例】以下実施例により本発明を具体的に説明する
が、本発明はかかる実施例により限定されるものではな
い。
【0019】実施例1 シュウ酸7.03gを50mlのアセトニトリルに室温
で溶解した。次にホウ酸1.32gをこの溶液にゆっく
りと添加した。その後、室温で30分撹拌して完全に溶
解させた。この時点で反応の進行を11B−NMRによ
り、調べたところ、既に反応は終了して、ホウ酸はすべ
てビス(オキサラト)ホウ酸に変換されていた。こうし
て得られた反応液に0.79gの炭酸リチウムを添加し
た。炭酸ガスの発生が止まったところで、30℃、10
-1Paの減圧条件でアセトニトリルを除去し、白色の固
体が得られた。この固体を50mlのジエチルエーテル
で2回洗浄、ろ過して残った固体を100℃、10-1
aの減圧条件で24時間乾燥することにより、ビス(オ
キサラト)ホウ酸リチウム3.74g(収率:91%)
を得た。化合物は、元素分析、IR、及びNMRにより
確認された。
【0020】
【化4】
【0021】ビス(オキサラト)ホウ酸リチウムのNM
Rスペクトルについて以下に示す。11 B−NMR(B(OCH33基準、溶媒CD3CN) −11.2ppm(s)13 C−NMR(溶媒D2O) 162.9ppm
【0022】実施例2 シュウ酸3.83gを50mlのアセトニトリルに室温
で溶解した。次にホウ酸1.32gをこの溶液にゆっく
りと添加した。その後、室温で30分撹拌したが完全に
溶解しなかった。そこで60℃で5時間撹拌したが完全
に溶解しなかった。未溶解分をろ別し、分析したところ
この未溶解分はホウ酸であることを確認した。ろ液の分
析をしたところ、約2%の未反応ホウ酸が残存してい
た。こうして得られた反応液に0.79gの炭酸リチウ
ムを添加した。炭酸ガスの発生が止まったところで、未
反応炭酸リチウムをろ別して、ろ液を30℃、10-1
aの減圧条件でアセトニトリルを除去することにより、
白色の固体が得られた。この固体を50mlのジエチル
エーテルで2回洗浄、ろ過して残った固体を100℃、
10-1Paの減圧条件で24時間乾燥することにより、
ビス(オキサラト)ホウ酸リチウム2.25g(収率:
55%)を得た。
【0023】実施例3 シュウ酸7.03gを50mlのアセトニトリルに室温
で溶解した。次にホウ酸1.32gをこの溶液にゆっく
りと添加した。その後、室温で30分撹拌して完全に溶
解させた。この時点で反応の進行を11B−NMRによ
り、調べたところ、既に反応は終了して、ホウ酸はすべ
てビス(オキサラト)ホウ酸に変換されていた。こうし
て得られた反応液を30℃、10-1Paの減圧条件でア
セトニトリルを除去したところ、白色の固体が得られ
た。次にジエチルエーテル70mlに溶解して、0.7
9gの炭酸リチウムを添加した。徐々に炭酸ガスを発生
すると同時に結晶が析出し始めた。ガス発生が止まった
ところで、この結晶を分離して、100℃、10-1Pa
の減圧条件で24時間乾燥することにより、ビス(オキ
サラト)ホウ酸リチウム3.49g(収率:85%)を
得た。この化合物中には、5%のホウ酸が含有されてい
た。
【0024】実施例4 シュウ酸7.03gを50mlのアセトニトリルに室温
で溶解した。次にホウ酸1.32gをこの溶液にゆっく
りと添加した。その後、室温で30分撹拌して完全に溶
解させた。この時点で反応の進行を11B−NMRによ
り、調べたところ、既に反応は終了して、ホウ酸はすべ
てビス(オキサラト)ホウ酸に変換されていた。こうし
て得られた反応液に31.31gの水酸化テトラエチル
アンモニウム水溶液を添加した。30℃、10-1Paの
減圧条件でアセトニトリルを除去し、さらに80℃、1
-1Paの減圧条件で水も除去した。次に、30mlの
ジメチルカーボネートで2回洗浄した後、100℃、1
-1Paの減圧条件で24時間乾燥することにより、ビ
ス(オキサラト)ホウ酸テトラエチルアンモニウム5.
81g(収率:86%)を得た。化合物は、元素分析、
IR、及びNMRにより確認された。
【0025】比較例1 シュウ酸14.0gと三酸化二ホウ酸2.6gを450
mlのトルエンに懸濁した状態で反応の生成水を系外に
分離しながら、還流下で6時間撹拌した。続いて冷却し
た反応混合物をろ過し、固体残さをアセトニトリルに溶
解し、2.78gの炭酸リチウムを添加した。炭酸ガス
の発生が止まったところで、30℃、10-1Paの減圧
条件でアセトニトリルを除去し、白色の固体が得られ
た。さらに100℃、10-1Paの減圧条件で乾燥した
ところ、黄色に変色し、少量の固体が昇華してきた。こ
の昇華物はシュウ酸であった。以上のようにしてビス
(オキサラト)ホウ酸リチウム9.94g(収率:66
%)を得た。この化合物中には加水分解により生じたと
推測されるホウ酸が8%含有されていた。
【0026】
【発明の効果】本発明は、リチウム電池、リチウムイオ
ン電池、電気二重層キャパシタ等の電気化学ディバイス
用、ポリオレフィン等の重合触媒、色剤及び画像記録材
料の原料また、有機合成用触媒として利用されるイオン
性金属錯体の安価で生産性の高い合成法および高純度の
化合物を得るための精製法を提供できるものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 幹弘 埼玉県川越市今福中台2805番地 セントラ ル硝子株式会社化学研究所内 (72)発明者 杉本 博美 埼玉県川越市今福中台2805番地 セントラ ル硝子株式会社化学研究所内 Fターム(参考) 5H024 AA12 BB03 BB11 FF11 5H029 AM07 CJ11 CJ12

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般式(1)で示されるイオン性金属錯
    体の合成において、シュウ酸とホウ酸を非水溶媒中で反
    応させることを特徴とするイオン性金属錯体の合成法。 【化1】 ただし、An+は、金属イオン、プロトン、またはオニウ
    ムイオンを表し、nは、1〜3を表す。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の合成法において、プロト
    ンを他のカチオンと交換反応させることを特徴とするイ
    オン性金属錯体の合成法。
  3. 【請求項3】 An+が、Liイオン、または4級アルキ
    ルアンモニウムイオンであることを特徴とする請求項1
    または請求項2に記載のイオン性金属錯体の合成法。
  4. 【請求項4】 非水溶媒の誘電率が、2以上であること
    を特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載のイ
    オン性金属錯体の合成法。
  5. 【請求項5】 ホウ酸に対して、2倍モル以上のシュウ
    酸を反応させることを特徴とする請求項1記載〜請求項
    4のいずれかに記載のイオン性金属錯体の合成法。
  6. 【請求項6】 イオン性金属錯体中の不純物を除去する
    ために誘電率2〜10の非水溶媒で洗浄することを特徴
    とするイオン性金属錯体の精製法。
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