JP2001246337A - 微細孔を有する部品の湿式表面処理方法 - Google Patents
微細孔を有する部品の湿式表面処理方法Info
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- JP2001246337A JP2001246337A JP2000064425A JP2000064425A JP2001246337A JP 2001246337 A JP2001246337 A JP 2001246337A JP 2000064425 A JP2000064425 A JP 2000064425A JP 2000064425 A JP2000064425 A JP 2000064425A JP 2001246337 A JP2001246337 A JP 2001246337A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は微細孔が形成された電子部品の洗浄
工程において微細孔内部に残留したポリマー除去液を効
率よく除去する洗浄方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明による電子部品の洗浄方法は、電
子部品をポリマー除去液に接触させることにより微細孔
７の形成工程で生成されたポリマーを除去する工程と、
所定の温度に加熱された電子部品をその温度より沸点の
低い処理液に接触させることにより微細孔内に残留した
ポリマー除去液を除去する工程よりなる。このように所
定の温度に加熱された電子部品をその温度よりも沸点の
低い処理液に接触させることにより図１に示すように、
処理液に気泡が発生し、電子部品表面において処理液の
対流が生じることで微細孔７に残留したポリマー除去液
を短時間で除去することができる。
工程において微細孔内部に残留したポリマー除去液を効
率よく除去する洗浄方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明による電子部品の洗浄方法は、電
子部品をポリマー除去液に接触させることにより微細孔
７の形成工程で生成されたポリマーを除去する工程と、
所定の温度に加熱された電子部品をその温度より沸点の
低い処理液に接触させることにより微細孔内に残留した
ポリマー除去液を除去する工程よりなる。このように所
定の温度に加熱された電子部品をその温度よりも沸点の
低い処理液に接触させることにより図１に示すように、
処理液に気泡が発生し、電子部品表面において処理液の
対流が生じることで微細孔７に残留したポリマー除去液
を短時間で除去することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、微細孔を有する部品を
処理液に接触させることにより洗浄する湿式表面処理方
法に関するものである。
処理液に接触させることにより洗浄する湿式表面処理方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスでは高集積化および動作
の高速化のため、多層配線構造が要求されている。多層
配線構造では上層と下層との間の配線とがバイアホール
を通して接続されている。このバイアホール等の微細孔
は微細孔形成部に対応する開口部を有するマスクを電子
部品表面に形成し、これをエッチングすることにより形
成される。図６に多層配線用の微細孔７が形成された電
子部品の一例を示す。図６に示す電子部品において、１
はＳｉ基板，２はＡｌ層，９は層間膜であり、層間膜９
に形成された微細孔７を介して層間の配線が行われる。
図６に示す微細孔７は層間膜９の表面に微細孔７の形成
部に対応するマスクをレジストにより形成し、これをド
ライエッチンすることにより形成される。この際、反応
ガスやレジスト等の反応生成物により、メタルを含んだ
レジスト変成物からなるポリマー（以下、単にポリマー
と称す）が生成され、微細孔７内に残留する。こうした
ポリマーは、ポリマー除去液により除去している。
の高速化のため、多層配線構造が要求されている。多層
配線構造では上層と下層との間の配線とがバイアホール
を通して接続されている。このバイアホール等の微細孔
は微細孔形成部に対応する開口部を有するマスクを電子
部品表面に形成し、これをエッチングすることにより形
成される。図６に多層配線用の微細孔７が形成された電
子部品の一例を示す。図６に示す電子部品において、１
はＳｉ基板，２はＡｌ層，９は層間膜であり、層間膜９
に形成された微細孔７を介して層間の配線が行われる。
図６に示す微細孔７は層間膜９の表面に微細孔７の形成
部に対応するマスクをレジストにより形成し、これをド
ライエッチンすることにより形成される。この際、反応
ガスやレジスト等の反応生成物により、メタルを含んだ
レジスト変成物からなるポリマー（以下、単にポリマー
と称す）が生成され、微細孔７内に残留する。こうした
ポリマーは、ポリマー除去液により除去している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらポリマー
除去液を用いてポリマーを除去した後の洗浄工程におい
て、図７に示すように微細孔７にエア溜りが発生しポリ
マー除去液が微細孔７から効率的に除去されず底部に残
留する。このように微細孔７の底部に残留するポリマー
除去液により、図８に示すようにＡｌ層２においてサイ
ドエッチングが生じ、所望の孔形状が得られない問題が
あった。本発明は上記のような問題に鑑みてなされ、微
細孔が形成された電子部品の洗浄工程において微細孔内
部に残留した処理液を効率よく除去する洗浄方法を提供
することを目的とする。
除去液を用いてポリマーを除去した後の洗浄工程におい
て、図７に示すように微細孔７にエア溜りが発生しポリ
マー除去液が微細孔７から効率的に除去されず底部に残
留する。このように微細孔７の底部に残留するポリマー
除去液により、図８に示すようにＡｌ層２においてサイ
ドエッチングが生じ、所望の孔形状が得られない問題が
あった。本発明は上記のような問題に鑑みてなされ、微
細孔が形成された電子部品の洗浄工程において微細孔内
部に残留した処理液を効率よく除去する洗浄方法を提供
することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、微細孔を有す
る部品を処理液に接触させることにより洗浄する湿式表
面処理方法において、前記部品を所定の温度に加熱した
後に前記温度よりも沸点の低い処理液に接触させる工程
を含むものである。また、微細孔を有する部品を処理液
に接触させることにより洗浄する湿式表面処理方法にお
いて、前記部品を所定の温度に保持した第１の処理液に
接触させ加熱した後に前記温度よりも沸点の低い第２の
処理液に接触させる工程を含むものである。また、微細
孔を有する部品を処理液に接触させることにより洗浄す
る湿式表面処理方法において、前記部品を所定の温度に
保持した第１の処理液に接触させた後に第３の処理液に
接触させ前記第３の処理液を沸騰させる工程を含むもの
である。また、上記の湿式表面処理方法において、第１
の処理液がポリマー除去液であることを特徴とするもの
である。また、上記の湿式表面処理方法が、部品を第２
あるいは第３の処理液に接触させた後に前記第２あるい
は第３の処理液の温度よりも低い温度の水により洗浄す
る工程を含むものである。
る部品を処理液に接触させることにより洗浄する湿式表
面処理方法において、前記部品を所定の温度に加熱した
後に前記温度よりも沸点の低い処理液に接触させる工程
を含むものである。また、微細孔を有する部品を処理液
に接触させることにより洗浄する湿式表面処理方法にお
いて、前記部品を所定の温度に保持した第１の処理液に
接触させ加熱した後に前記温度よりも沸点の低い第２の
処理液に接触させる工程を含むものである。また、微細
孔を有する部品を処理液に接触させることにより洗浄す
る湿式表面処理方法において、前記部品を所定の温度に
保持した第１の処理液に接触させた後に第３の処理液に
接触させ前記第３の処理液を沸騰させる工程を含むもの
である。また、上記の湿式表面処理方法において、第１
の処理液がポリマー除去液であることを特徴とするもの
である。また、上記の湿式表面処理方法が、部品を第２
あるいは第３の処理液に接触させた後に前記第２あるい
は第３の処理液の温度よりも低い温度の水により洗浄す
る工程を含むものである。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明による電子部品の洗浄方法
は、電子部品をポリマー除去液に接触させることにより
微細孔７の形成工程で生成されたポリマーを除去する工
程と、所定の温度に加熱された電子部品をその温度より
沸点の低い処理液に接触させることにより微細孔内に残
留したポリマー除去液を除去する工程よりなる。このよ
うに所定の温度に加熱された電子部品をその温度よりも
沸点の低い処理液に接触させることにより図１に示すよ
うに、処理液に気泡が発生し、電子部品表面において処
理液の対流が生じることで微細孔７に残留した表面処理
液を短時間で除去することができる。
は、電子部品をポリマー除去液に接触させることにより
微細孔７の形成工程で生成されたポリマーを除去する工
程と、所定の温度に加熱された電子部品をその温度より
沸点の低い処理液に接触させることにより微細孔内に残
留したポリマー除去液を除去する工程よりなる。このよ
うに所定の温度に加熱された電子部品をその温度よりも
沸点の低い処理液に接触させることにより図１に示すよ
うに、処理液に気泡が発生し、電子部品表面において処
理液の対流が生じることで微細孔７に残留した表面処理
液を短時間で除去することができる。
【０００６】以下、本発明による電子部品の洗浄方法を
実施例に基づいて具体的に説明する。 （実施例１）図２は本実施例に用いた微細孔７が形成さ
れた電子部品である。図２に示す電子部品において１は
Ｓｉ基板であり、Ｓｉ基板上１にはＡｌ層２，ＴｉＮ層
３，ＳｉＯ2 層４，６，およびＳＯＧ層５が形成されて
いる。微細孔７はＳｉＯ2 層６にレジストによるマスク
を形成し、ドライエッチングにより形成した。この微細
孔７の径および深さはそれぞれ０．３μｍ，０．７μｍ
である。微細孔７を形成した後、アッシャーにてレジス
トを除去し、この電子部品を図３に示す工程に従い洗浄
した。以下、その詳細を述べる。まず電子部品を６７°
Ｃに保ったポリマー除去液に２０分間浸漬させポリマー
の除去を行った（工程１）。ポリマー除去液としては、
ヒドロキシルアミン系の処理液であるＥＫＣ２６５（林
純薬工業株式会社製）を用いた。次に、電子部品を上記
の処理温度に保持したまま２５℃のメチルアルコール
（沸点：６４．７°Ｃ）に１０分間浸漬した（工程
２）。メチルアルコールを用いたポリマー除去液の除去
処理の後、水温２５°Ｃの純水により洗浄し（工程
３）、スピンドライヤーで乾燥した（工程４）。乾燥
後、微細孔７の断面を観察したところ、Ａｌ層２に生じ
たサイドエッチの大きさは１０ｎｍであった。本実施例
では、微細孔７に残留したポリマー除去液を除去する処
理液としてメチルアルコールを用いたが、アセトン、ジ
エチルエーテルなどを用いてもよい。また、工程２と工
程３の間にイソプロピルアルコールに浸漬させる工程を
追加してもよい。
実施例に基づいて具体的に説明する。 （実施例１）図２は本実施例に用いた微細孔７が形成さ
れた電子部品である。図２に示す電子部品において１は
Ｓｉ基板であり、Ｓｉ基板上１にはＡｌ層２，ＴｉＮ層
３，ＳｉＯ2 層４，６，およびＳＯＧ層５が形成されて
いる。微細孔７はＳｉＯ2 層６にレジストによるマスク
を形成し、ドライエッチングにより形成した。この微細
孔７の径および深さはそれぞれ０．３μｍ，０．７μｍ
である。微細孔７を形成した後、アッシャーにてレジス
トを除去し、この電子部品を図３に示す工程に従い洗浄
した。以下、その詳細を述べる。まず電子部品を６７°
Ｃに保ったポリマー除去液に２０分間浸漬させポリマー
の除去を行った（工程１）。ポリマー除去液としては、
ヒドロキシルアミン系の処理液であるＥＫＣ２６５（林
純薬工業株式会社製）を用いた。次に、電子部品を上記
の処理温度に保持したまま２５℃のメチルアルコール
（沸点：６４．７°Ｃ）に１０分間浸漬した（工程
２）。メチルアルコールを用いたポリマー除去液の除去
処理の後、水温２５°Ｃの純水により洗浄し（工程
３）、スピンドライヤーで乾燥した（工程４）。乾燥
後、微細孔７の断面を観察したところ、Ａｌ層２に生じ
たサイドエッチの大きさは１０ｎｍであった。本実施例
では、微細孔７に残留したポリマー除去液を除去する処
理液としてメチルアルコールを用いたが、アセトン、ジ
エチルエーテルなどを用いてもよい。また、工程２と工
程３の間にイソプロピルアルコールに浸漬させる工程を
追加してもよい。
【０００７】（実施例２）図４に本実施例による洗浄工
程を示し、以下その詳細を説明する。図２に示したもの
と同様の電子部品を、６７°Ｃに保持したＥＫＣ２６５
に２０分間浸漬させポリマーの除去処理を行い（工程
１）、大気中にて９０°Ｃに加熱し（工程２）、液温２
５℃のイソプロピルアルコール（沸点：８２．４°Ｃ）
に１０分間浸漬した（工程３）。次に、２５℃の純水で
洗浄し（工程４）、スピンドライヤーで乾燥させた（工
程５）。以上の洗浄工程を経た電子部品の微細孔の断面
を観察したところ、Ａｌ層２に生じたサイドエッチの大
きさは１０ｎｍであった。本実施例では、微細孔７に残
留したポリマー除去液を除去する処理液としてイソプロ
ピルアルコールを用いたが、実施例１と同様にメチルア
ルコールを用いてもよい。
程を示し、以下その詳細を説明する。図２に示したもの
と同様の電子部品を、６７°Ｃに保持したＥＫＣ２６５
に２０分間浸漬させポリマーの除去処理を行い（工程
１）、大気中にて９０°Ｃに加熱し（工程２）、液温２
５℃のイソプロピルアルコール（沸点：８２．４°Ｃ）
に１０分間浸漬した（工程３）。次に、２５℃の純水で
洗浄し（工程４）、スピンドライヤーで乾燥させた（工
程５）。以上の洗浄工程を経た電子部品の微細孔の断面
を観察したところ、Ａｌ層２に生じたサイドエッチの大
きさは１０ｎｍであった。本実施例では、微細孔７に残
留したポリマー除去液を除去する処理液としてイソプロ
ピルアルコールを用いたが、実施例１と同様にメチルア
ルコールを用いてもよい。
【０００８】（実施例３）図５に本実施例による洗浄工
程を示し、以下その詳細を説明する。図１に示したもの
と同様の電子部品を、６７℃に保持したＥＫＣ２６５に
２０分間浸漬させポリマーの除去処理を行い（工程
１）、２５℃のイソプロピルアルコールに浸漬すると同
時にランプを用い、基板を１００℃に加熱した（工程
２）。その後、基板を水温２５℃の純水で洗浄し（工程
３）、スピンドライヤーにより乾燥した（工程４）。以
上の洗浄工程を経た電子部品の微細孔７の断面を観察し
たところ、Ａｌ層２に生じたサイドエッチの大きさは１
０ｎｍであった。本実施例では、ランプを用い、熱源を
基板に接触させることなく基板の加熱を行ったが、非接
触方式の加熱手段としてレーザ等を用いてもよい。熱源
として用いるランプ、レーザは、可視光、あるいはマイ
クロ波が好ましい。もちろん、ヒータなどの熱源を基板
に接触させて加熱してもよい。また、ポリマー除去液を
除去する処理液としてイソプロピルアルコールの代わり
にメチルアルコールを用いてもよい。
程を示し、以下その詳細を説明する。図１に示したもの
と同様の電子部品を、６７℃に保持したＥＫＣ２６５に
２０分間浸漬させポリマーの除去処理を行い（工程
１）、２５℃のイソプロピルアルコールに浸漬すると同
時にランプを用い、基板を１００℃に加熱した（工程
２）。その後、基板を水温２５℃の純水で洗浄し（工程
３）、スピンドライヤーにより乾燥した（工程４）。以
上の洗浄工程を経た電子部品の微細孔７の断面を観察し
たところ、Ａｌ層２に生じたサイドエッチの大きさは１
０ｎｍであった。本実施例では、ランプを用い、熱源を
基板に接触させることなく基板の加熱を行ったが、非接
触方式の加熱手段としてレーザ等を用いてもよい。熱源
として用いるランプ、レーザは、可視光、あるいはマイ
クロ波が好ましい。もちろん、ヒータなどの熱源を基板
に接触させて加熱してもよい。また、ポリマー除去液を
除去する処理液としてイソプロピルアルコールの代わり
にメチルアルコールを用いてもよい。
【０００９】（実施例４）本実例では実施例１から３に
おいて、電子部品をメチルアルコールあるいはイソプロ
ピルアルコールに浸漬させた後の純水による洗浄工程を
水温５℃にて行った。純水による洗浄工程後、電子部品
の微細孔７の断面を観察したところ、Ａｌ層２に生じた
サイドエッチの大きさは８ｎｍであった。このように純
水による洗浄工程において水温を、ポリマー除去液の除
去処理の処理温度よりも低くして行うことによりポリマ
ー除去液と純水との反応により形成されるエッチャント
によるサイドエッチングを抑制することができる。
おいて、電子部品をメチルアルコールあるいはイソプロ
ピルアルコールに浸漬させた後の純水による洗浄工程を
水温５℃にて行った。純水による洗浄工程後、電子部品
の微細孔７の断面を観察したところ、Ａｌ層２に生じた
サイドエッチの大きさは８ｎｍであった。このように純
水による洗浄工程において水温を、ポリマー除去液の除
去処理の処理温度よりも低くして行うことによりポリマ
ー除去液と純水との反応により形成されるエッチャント
によるサイドエッチングを抑制することができる。
【００１０】（実施例５）上記実施例１〜実施例４で
は、電子部品をＥＫＣ２６５、メチルアルコール、イソ
プロピルアルコールに浸漬させているが、スプレーによ
る液の噴霧やノズルからの液吐出でもよい。
は、電子部品をＥＫＣ２６５、メチルアルコール、イソ
プロピルアルコールに浸漬させているが、スプレーによ
る液の噴霧やノズルからの液吐出でもよい。
【００１１】（比較例）ここで、電子部品をメチルアル
コールあるいはイソプロピルアルコールの処理液に浸漬
させる工程を、電子部品の温度がこれらの処理液の沸点
よりも低い状態で行った場合を比較例として示す。図２
に示したものと同様の電子部品を６７°Ｃに保持したＥ
ＫＣ２６５に浸漬後、２５°Ｃのイソプロピルアルコー
ル（沸点：８２．４°Ｃ）に浸漬した。その後、電子部
品を２５°Ｃの純水により洗浄し、スピンドライヤーで
乾燥させ微細孔の断面を観察したところ、Ａｌ層２に生
じたサイドエッチの大きさは２０ｎｍであった。
コールあるいはイソプロピルアルコールの処理液に浸漬
させる工程を、電子部品の温度がこれらの処理液の沸点
よりも低い状態で行った場合を比較例として示す。図２
に示したものと同様の電子部品を６７°Ｃに保持したＥ
ＫＣ２６５に浸漬後、２５°Ｃのイソプロピルアルコー
ル（沸点：８２．４°Ｃ）に浸漬した。その後、電子部
品を２５°Ｃの純水により洗浄し、スピンドライヤーで
乾燥させ微細孔の断面を観察したところ、Ａｌ層２に生
じたサイドエッチの大きさは２０ｎｍであった。
【００１２】
【発明の効果】本発明による電子部品の洗浄方法は、電
子部品をポリマー除去液に接触させることにより微細孔
の形成工程で生成されたポリマーを除去する工程と、所
定の温度に加熱された電子部品をその温度より沸点の低
い処理液に接触させることにより微細孔内に残留したポ
リマー除去液を除去する工程とを含むので、微細孔内に
残留したポリマー除去液を短時間で微細孔内から除去
し、サイドエッチングによる微細孔の変形を抑制するこ
とができる。
子部品をポリマー除去液に接触させることにより微細孔
の形成工程で生成されたポリマーを除去する工程と、所
定の温度に加熱された電子部品をその温度より沸点の低
い処理液に接触させることにより微細孔内に残留したポ
リマー除去液を除去する工程とを含むので、微細孔内に
残留したポリマー除去液を短時間で微細孔内から除去
し、サイドエッチングによる微細孔の変形を抑制するこ
とができる。
【図１】 本発明による電子部品の洗浄方法を示す図で
ある。
ある。
【図２】 微細孔が形成された電子部品の一例である。
【図３】 実施例１による洗浄方法の工程を示す図であ
る。
る。
【図４】 実施例２による洗浄方法の工程を示す図であ
る。
る。
【図５】 実施例３による洗浄方法の工程を示す図であ
る。
る。
【図６】 微細孔が形成された電子部品の一例である。
【図７】 従来の電子部品の洗浄方法により生じる問題
を説明するための説明図である。
を説明するための説明図である。
【図８】 サイドエッチングにより変形した微細孔を示
す電子部品の断面図である。
す電子部品の断面図である。
【符号の説明】 １ Ｓｉ基板、２ Ａｌ層、３ ＴｉＮ層、４，６ Ｓ
ｉＯ2 層、５ ＳＯＧ層、７ 微細孔、９ 層間膜。
ｉＯ2 層、５ ＳＯＧ層、７ 微細孔、９ 層間膜。
Claims (5)
- 【請求項１】 微細孔を有する部品を処理液に接触させ
ることにより洗浄する湿式表面処理方法において、前記
部品を所定の温度に加熱した後に前記温度よりも沸点の
低い処理液に接触させる工程を含むことを特徴とする湿
式表面処理方法。 - 【請求項２】 微細孔を有する部品を処理液に接触させ
ることにより洗浄する湿式表面処理方法において、前記
部品を所定の温度に保持した第１の処理液に接触させ加
熱した後に前記温度よりも沸点の低い第２の処理液に接
触させる工程を含むことを特徴とする湿式表面処理方
法。 - 【請求項３】 微細孔を有する部品を処理液に接触させ
ることにより洗浄する湿式表面処理方法において、前記
部品を所定の温度に保持した第１の処理液に接触させた
後に第３の処理液に接触させ前記第３の処理液を沸騰さ
せる工程を含むことを特徴とする湿式表面処理方法。 - 【請求項４】 請求項２または３のいずれかに記載の湿
式表面処理方法において、第１の処理液がポリマー除去
液であることを特徴とする湿式表面処理方法。 - 【請求項５】 請求項２〜４のいずれかに記載の湿式表
面処理方法が、部品を第２あるいは第３の処理液に接触
させた後に前記第２あるいは前記第３の処理液の温度よ
りも低い温度の水により洗浄する工程を含むことを特徴
とする湿式表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000064425A JP2001246337A (ja) | 2000-03-09 | 2000-03-09 | 微細孔を有する部品の湿式表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000064425A JP2001246337A (ja) | 2000-03-09 | 2000-03-09 | 微細孔を有する部品の湿式表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001246337A true JP2001246337A (ja) | 2001-09-11 |
Family
ID=18584133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000064425A Pending JP2001246337A (ja) | 2000-03-09 | 2000-03-09 | 微細孔を有する部品の湿式表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001246337A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009055834A3 (en) * | 2007-10-27 | 2009-06-11 | Hyperflo Llc | Cyclic nucleation process |
| WO2016158410A1 (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-06 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
2000
- 2000-03-09 JP JP2000064425A patent/JP2001246337A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009055834A3 (en) * | 2007-10-27 | 2009-06-11 | Hyperflo Llc | Cyclic nucleation process |
| WO2016158410A1 (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-06 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2016186971A (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-27 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| KR20170116120A (ko) * | 2015-03-27 | 2017-10-18 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR101976968B1 (ko) | 2015-03-27 | 2019-05-09 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US10549322B2 (en) | 2015-03-27 | 2020-02-04 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
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