JP2001244776A - 弾性表面波フィルタ - Google Patents
弾性表面波フィルタInfo
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- JP2001244776A JP2001244776A JP2000051777A JP2000051777A JP2001244776A JP 2001244776 A JP2001244776 A JP 2001244776A JP 2000051777 A JP2000051777 A JP 2000051777A JP 2000051777 A JP2000051777 A JP 2000051777A JP 2001244776 A JP2001244776 A JP 2001244776A
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- wave filter
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造上の困難を生じることなく、電磁誘導に
より招かれる所望帯域外減衰特性の劣化を従来以上に減
少させる電極構造を有した弾性表面波フィルタを提供す
る。 【解決手段】 圧電基板１上で入力側シールド電極１２
ａは入力トランスデューサ６のバスバー９を介して接地
されている。また出力トランスデューサ７に隣接するも
う一方のシールド電極１２ｂは出力トランスデューサの
バスバー１１を介して接地されている。２つのシールド
電極１２ａ及び１２ｂにより電磁誘導は効果的に抑制さ
れる。
より招かれる所望帯域外減衰特性の劣化を従来以上に減
少させる電極構造を有した弾性表面波フィルタを提供す
る。 【解決手段】 圧電基板１上で入力側シールド電極１２
ａは入力トランスデューサ６のバスバー９を介して接地
されている。また出力トランスデューサ７に隣接するも
う一方のシールド電極１２ｂは出力トランスデューサの
バスバー１１を介して接地されている。２つのシールド
電極１２ａ及び１２ｂにより電磁誘導は効果的に抑制さ
れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は入力トランスデュー
サと出力トランスデューサの間に生じる電磁誘導を抑圧
し、所望帯域外での高減衰量を得る弾性表面波フィルタ
に関するものである。
サと出力トランスデューサの間に生じる電磁誘導を抑圧
し、所望帯域外での高減衰量を得る弾性表面波フィルタ
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の従来の弾性表面波フィルタ
の電極構成を示す模式図である。弾性表面波フィルタ
は、圧電基板１上に櫛歯状電極からなるトランスデュー
サを２組対向する位置に設け、一方を入力用トランスデ
ューサ６、他方を出力用トランスデューサ７として機能
させる。
の電極構成を示す模式図である。弾性表面波フィルタ
は、圧電基板１上に櫛歯状電極からなるトランスデュー
サを２組対向する位置に設け、一方を入力用トランスデ
ューサ６、他方を出力用トランスデューサ７として機能
させる。
【０００３】入力トランスデューサ６はバスバー８、９
から金属ワイヤー１３、１４などを介して入力端子２、
３に接続され、出力トランスデューサ７も同様にバスバ
ー１０、１１から金属ワイヤー１５、１６などを介して
出力端子４、５に接続されフィルタを構成する。
から金属ワイヤー１３、１４などを介して入力端子２、
３に接続され、出力トランスデューサ７も同様にバスバ
ー１０、１１から金属ワイヤー１５、１６などを介して
出力端子４、５に接続されフィルタを構成する。
【０００４】ここで、弾性表面波フィルタにおいて問題
となる現象として入力トランスデューサへの電磁誘導現
象が挙げられ、フィルタの周波数特性で特に所望帯域外
減衰特性の劣化を招くことがよく知られている。この対
策として有用なものが入力トランスデューサ６と出力ト
ランスデューサ７で挟まれる位置に設けたシールド電極
１２ある。このシールド電極１２により電磁波を減衰さ
せることができる。
となる現象として入力トランスデューサへの電磁誘導現
象が挙げられ、フィルタの周波数特性で特に所望帯域外
減衰特性の劣化を招くことがよく知られている。この対
策として有用なものが入力トランスデューサ６と出力ト
ランスデューサ７で挟まれる位置に設けたシールド電極
１２ある。このシールド電極１２により電磁波を減衰さ
せることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、近年の移動体
通信に用いられる中間周波数段フィルタ等では、上記し
た従来のフィルタ以上の減衰特性を有する弾性表面波フ
ィルタが望まれている。
通信に用いられる中間周波数段フィルタ等では、上記し
た従来のフィルタ以上の減衰特性を有する弾性表面波フ
ィルタが望まれている。
【０００６】本発明は上記問題に鑑み、製造上の困難を
生じることなく、電磁誘導により招かれる所望帯域外減
衰特性の劣化を従来以上に減少させる電極構造を有した
弾性表面波フィルタを提供することを目的とする。
生じることなく、電磁誘導により招かれる所望帯域外減
衰特性の劣化を従来以上に減少させる電極構造を有した
弾性表面波フィルタを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の弾性表面波フィルタは、表面弾性波を伝播
する圧電基板と、前記圧電基板上に設けられ第１の接地
バスバーを有する入力トランスデューサと、前記圧電基
板上の前記入力トランスデューサと対向する位置に設け
られ、第２の接地バスバーを有する出力トランスデュー
サと、前記圧電基板上の前記２つのトランスデューサに
挟まれた領域内で前記入力トランスデューサに隣接して
設けられ、前記第１の接地バスバーに接続された第１の
シールド電極と、 前記圧電基板上の前記２つのトラン
スデューサに挟まれた領域内で前記出力トランスデュー
サに隣接して設けられ、前記第２の接地バスバーに接続
された第２のシールド電極とを具備する。
め、本発明の弾性表面波フィルタは、表面弾性波を伝播
する圧電基板と、前記圧電基板上に設けられ第１の接地
バスバーを有する入力トランスデューサと、前記圧電基
板上の前記入力トランスデューサと対向する位置に設け
られ、第２の接地バスバーを有する出力トランスデュー
サと、前記圧電基板上の前記２つのトランスデューサに
挟まれた領域内で前記入力トランスデューサに隣接して
設けられ、前記第１の接地バスバーに接続された第１の
シールド電極と、 前記圧電基板上の前記２つのトラン
スデューサに挟まれた領域内で前記出力トランスデュー
サに隣接して設けられ、前記第２の接地バスバーに接続
された第２のシールド電極とを具備する。
【０００８】本発明の一実施例においては、前記第１及
び第２のシールド電極は前記接地バスバーを介さずに直
接接地され、その接地点は前記圧電基板に対して互いに
反対側に設けられる。
び第２のシールド電極は前記接地バスバーを介さずに直
接接地され、その接地点は前記圧電基板に対して互いに
反対側に設けられる。
【０００９】前記入力トランスデューサ及び出力トラン
スデューサは、前記圧電基板を伝播する弾性表面波の波
長の略１／８及び略３／８の組み合わせにより構成し、
かつ前記電極指の間隔は前記波長の略１／８である。
スデューサは、前記圧電基板を伝播する弾性表面波の波
長の略１／８及び略３／８の組み合わせにより構成し、
かつ前記電極指の間隔は前記波長の略１／８である。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態について説明する。図１（ａ）は本発明
による弾性表面波フィルタの電極構成を示すための平面
図であり、図１（ｂ）はこの弾性表面波フィルタが動作
したときに生じる磁力線を示すための側面図である。
明の実施の形態について説明する。図１（ａ）は本発明
による弾性表面波フィルタの電極構成を示すための平面
図であり、図１（ｂ）はこの弾性表面波フィルタが動作
したときに生じる磁力線を示すための側面図である。
【００１１】図１（ａ）において、符号１は例えばＳＴ
−水晶、ＬｉＴａＯ３、ＬｉＮａＯ ３等の圧電基板、符
号６は入力トランスデューサ、符号７は出力トランスデ
ューサを示している。本発明の弾性表面波フィルタが従
来技術と相違する点は、従来の電極構造がシールド電極
を単独で接地しているのに対し、本発明ではシールド電
極が２つ設けられ、それぞれ接地されることである。つ
まり、入力側のシールド電極１２ａは入力トランスデュ
ーサ６のバスバー９と電気的に接続され、バスバー９を
介して接地されている。また出力トランスデューサ７に
隣接するもう一方のシールド電極１２ｂは出力トランス
デューサのバスバー１１と電気的に接続され、バスバー
１１を介して接地されている。
−水晶、ＬｉＴａＯ３、ＬｉＮａＯ ３等の圧電基板、符
号６は入力トランスデューサ、符号７は出力トランスデ
ューサを示している。本発明の弾性表面波フィルタが従
来技術と相違する点は、従来の電極構造がシールド電極
を単独で接地しているのに対し、本発明ではシールド電
極が２つ設けられ、それぞれ接地されることである。つ
まり、入力側のシールド電極１２ａは入力トランスデュ
ーサ６のバスバー９と電気的に接続され、バスバー９を
介して接地されている。また出力トランスデューサ７に
隣接するもう一方のシールド電極１２ｂは出力トランス
デューサのバスバー１１と電気的に接続され、バスバー
１１を介して接地されている。
【００１２】以下、本発明の一実施例に係る弾性表面波
フィルタについて詳細に説明する。図２は実験に用いた
トランスデューサの電極構造を示したもので、特公昭６
２−３１８６０に明記されている弾性表面波トランスデ
ューサである。トランスデューサの電極指の幅が弾性表
面波の波長λの略１／８と略３／８との組み合わせによ
り構成されており、電気的反射波と音響的反射波とを相
殺する機能を有している。
フィルタについて詳細に説明する。図２は実験に用いた
トランスデューサの電極構造を示したもので、特公昭６
２−３１８６０に明記されている弾性表面波トランスデ
ューサである。トランスデューサの電極指の幅が弾性表
面波の波長λの略１／８と略３／８との組み合わせによ
り構成されており、電気的反射波と音響的反射波とを相
殺する機能を有している。
【００１３】実験では、圧電基板にＳＴ−水晶を用い、
周波数は２４０ＭＨｚ帯、トランスデューサの電極指本
数は入力１２７８本、出力１１２８本とし、電極交差幅
は２５λ程度である。入力トランスデューサ６と出力ト
ランスデューサ７間の距離は図１のように１０λに設定
されている。この間に２つのシールド電極１２ａ及び１
２ｂを設け、一方を入力トランスデューサ６のバスバー
９に接続して接地し、他の一方を出力トランスデューサ
７のバスバー１１に接続して接地している。
周波数は２４０ＭＨｚ帯、トランスデューサの電極指本
数は入力１２７８本、出力１１２８本とし、電極交差幅
は２５λ程度である。入力トランスデューサ６と出力ト
ランスデューサ７間の距離は図１のように１０λに設定
されている。この間に２つのシールド電極１２ａ及び１
２ｂを設け、一方を入力トランスデューサ６のバスバー
９に接続して接地し、他の一方を出力トランスデューサ
７のバスバー１１に接続して接地している。
【００１４】シールド電極を２分割して、入力側、出力
側、それぞれのバスバーに接続させることにより、電磁
的結合をより効果的に相殺する作用が働くと推定され
る。つまり、本発明の弾性表面波フィルタの入力２及び
３に高周波入力信号が供給されると、容量性負荷として
の入力トランスデューサ６に電流が流れ、図１（ｂ）の
ような磁力線が発生する。入力トランスデューサ６によ
り発生した弾性表面波は出力トランスデューサ７に伝播
し、出力端子４及び５に出力電圧が発生する。ここで出
力負荷が接続されていると、出力トランスデューサ７に
電流が流れ図１（ｂ）のような磁力線が発生する。この
結果、シールド電極１２ａ及び１２ｂ内に示されるよう
な対象な向きの電流が発生する。これによりトランスデ
ューサ６及び７間の電磁誘導は従来のシールド電極より
抑制されるものと推測される。
側、それぞれのバスバーに接続させることにより、電磁
的結合をより効果的に相殺する作用が働くと推定され
る。つまり、本発明の弾性表面波フィルタの入力２及び
３に高周波入力信号が供給されると、容量性負荷として
の入力トランスデューサ６に電流が流れ、図１（ｂ）の
ような磁力線が発生する。入力トランスデューサ６によ
り発生した弾性表面波は出力トランスデューサ７に伝播
し、出力端子４及び５に出力電圧が発生する。ここで出
力負荷が接続されていると、出力トランスデューサ７に
電流が流れ図１（ｂ）のような磁力線が発生する。この
結果、シールド電極１２ａ及び１２ｂ内に示されるよう
な対象な向きの電流が発生する。これによりトランスデ
ューサ６及び７間の電磁誘導は従来のシールド電極より
抑制されるものと推測される。
【００１５】次に実際の実験結果を示す。図３（ａ）は
図５に示した従来の弾性表面波フィルタの周波数特性を
示し、図３（ｂ）は図１に示した本発明による弾性表面
波フィルタの周波数特性を示したものである。中心周波
数（ＣＥＮＴＥＲ）は２４３．９５０ＭＨｚ、周波数帯
域幅（ＳＰＡＮ）は４．０００ＭＨｚ、縦軸の１目盛は
１０ｄＢである。
図５に示した従来の弾性表面波フィルタの周波数特性を
示し、図３（ｂ）は図１に示した本発明による弾性表面
波フィルタの周波数特性を示したものである。中心周波
数（ＣＥＮＴＥＲ）は２４３．９５０ＭＨｚ、周波数帯
域幅（ＳＰＡＮ）は４．０００ＭＨｚ、縦軸の１目盛は
１０ｄＢである。
【００１６】メインレスポンスの両側に発生する落ち込
み、即ちトラップＲＬ、ＲＨを見ると、図３（ａ）の従
来例では高周波側でのＲＨに盛り上がりが見られ、トラ
ップの減衰量が少なくなっている。この劣化の原因とし
て最も考えられるものに電磁誘導による電磁波の結合が
上げられる。これに対して本発明の構造では、図３
（ｂ）に示すように高周波側のトラップＲＨの減衰量も
５ｄＢ以上改善し、さらに特性の対称性も良くなってい
ることが分かる。
み、即ちトラップＲＬ、ＲＨを見ると、図３（ａ）の従
来例では高周波側でのＲＨに盛り上がりが見られ、トラ
ップの減衰量が少なくなっている。この劣化の原因とし
て最も考えられるものに電磁誘導による電磁波の結合が
上げられる。これに対して本発明の構造では、図３
（ｂ）に示すように高周波側のトラップＲＨの減衰量も
５ｄＢ以上改善し、さらに特性の対称性も良くなってい
ることが分かる。
【００１７】本発明によるフィルタの用途としては移動
体通信に用いられる中間波段フィルタ等があげられる。
これらの用途では所望帯域外減衰量として３０〜４０ｄ
Ｂを要求されることが多く、これらの市場の要求を満た
す場合、本発明は有用な手段であると期待できる。
体通信に用いられる中間波段フィルタ等があげられる。
これらの用途では所望帯域外減衰量として３０〜４０ｄ
Ｂを要求されることが多く、これらの市場の要求を満た
す場合、本発明は有用な手段であると期待できる。
【００１８】図４は本発明の他の実施例に係る弾性表面
波フィルタの電極構成を示す模式図である。前述の実験
では図１のように入力側、出力側ともに、バスバーを介
してシールド電極を接地したが、図４に示すように２つ
の入力端子２及び３を共に圧電基板１に対して一方の側
に設け、また２つの出力端子４及び５を共に圧電基板１
に対して他方の側に設け、シールド電極１２ａ及び１２
ｂから各々金属ワイヤー１４及び１６により接地端子へ
直接接続してもよいことは明白である。この場合、電磁
ループの経由からして、電磁誘導の抑圧効果はさらに増
すと推察される。
波フィルタの電極構成を示す模式図である。前述の実験
では図１のように入力側、出力側ともに、バスバーを介
してシールド電極を接地したが、図４に示すように２つ
の入力端子２及び３を共に圧電基板１に対して一方の側
に設け、また２つの出力端子４及び５を共に圧電基板１
に対して他方の側に設け、シールド電極１２ａ及び１２
ｂから各々金属ワイヤー１４及び１６により接地端子へ
直接接続してもよいことは明白である。この場合、電磁
ループの経由からして、電磁誘導の抑圧効果はさらに増
すと推察される。
【００１９】
【発明の効果】本発明により、電磁誘導によって引き起
こされる所望周波数帯域外の減衰特性の劣化を改善し、
高減衰量で対称性が高く、しかも製造上の困難を生じる
ことのないフィルタを実現することができる。
こされる所望周波数帯域外の減衰特性の劣化を改善し、
高減衰量で対称性が高く、しかも製造上の困難を生じる
ことのないフィルタを実現することができる。
【図１】図１は本発明の一実施例に係る弾性表面波フィ
ルタの電極構成を示す平面図及び側面図。
ルタの電極構成を示す平面図及び側面図。
【図２】図２は本発明の弾性表面波フィルタの実験に用
いたトランスデューサの電極構造を示す図。
いたトランスデューサの電極構造を示す図。
【図３】図３は従来の弾性表面波フィルタ及び本発明に
よる弾性表面波フィルタの周波数特性を示す図。
よる弾性表面波フィルタの周波数特性を示す図。
【図４】図４は本発明の他の実施例に係る弾性表面波フ
ィルタの電極構成を示す模式図。
ィルタの電極構成を示す模式図。
【図５】図５は従来の弾性表面波フィルタの電極構成を
示す模式図。
示す模式図。
１…圧電基板 ６…入力トランスデューサ ７…出力トランスデューサ ８，９，１０，１１…バスバー １２、１２ａ、１２ｂ…シールド電極 １３，１４，１５，１６…金属ワイヤー ２，３…入力端子 ４、５…出力端子
Claims (4)
- 【請求項１】表面弾性波を伝播する圧電基板と、 前記圧電基板上に設けられ、第１の接地バスバーを有す
る入力トランスデューサと、 前記圧電基板上の前記入力トランスデューサと対向する
位置に設けられ、第２の接地バスバーを有する出力トラ
ンスデューサと、 前記圧電基板上の前記２つのトランスデューサに挟まれ
た領域内で前記入力トランスデューサに隣接して設けら
れ、前記第１の接地バスバーに接続された第１のシール
ド電極と、 前記圧電基板上の前記２つのトランスデューサに挟まれ
た領域内で前記出力トランスデューサに隣接して設けら
れ、前記第２の接地バスバーに接続された第２のシール
ド電極と、を具備することを特徴とする弾性表面波フィ
ルタ。 - 【請求項２】前記第１及び第２のシールド電極上で接地
電位との接続がなされ、その接続点は前記圧電基板に対
して互いに反対側に設けられることを特徴とする請求項
１記載の弾性表面波フィルタ。 - 【請求項３】前記入力トランスデューサ及び出力トラン
スデューサが、前記圧電基板を伝播する弾性表面波の波
長の略１／８及び略３／８の組み合わせにより構成し、
かつ前記電極指の間隔が前記波長の略１／８であること
を特徴とする請求項１または２記載の弾性表面波フィル
タ。 - 【請求項４】 前記接地電位との接続はボンディングワ
イヤによりなされることを特徴とする請求項２記載の弾
性表面波フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000051777A JP2001244776A (ja) | 2000-02-28 | 2000-02-28 | 弾性表面波フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000051777A JP2001244776A (ja) | 2000-02-28 | 2000-02-28 | 弾性表面波フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001244776A true JP2001244776A (ja) | 2001-09-07 |
Family
ID=18573389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000051777A Pending JP2001244776A (ja) | 2000-02-28 | 2000-02-28 | 弾性表面波フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001244776A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2005011114A1 (ja) * | 2003-07-29 | 2006-09-14 | 松下電器産業株式会社 | 弾性表面波デバイス |
| CN114421923A (zh) * | 2022-01-11 | 2022-04-29 | 无锡市好达电子股份有限公司 | 一种高性能的声表面波滤波器 |
-
2000
- 2000-02-28 JP JP2000051777A patent/JP2001244776A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2005011114A1 (ja) * | 2003-07-29 | 2006-09-14 | 松下電器産業株式会社 | 弾性表面波デバイス |
| JP4525594B2 (ja) * | 2003-07-29 | 2010-08-18 | パナソニック株式会社 | 弾性表面波デバイス |
| CN114421923A (zh) * | 2022-01-11 | 2022-04-29 | 无锡市好达电子股份有限公司 | 一种高性能的声表面波滤波器 |
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