JP2001244591A - Wiring board and manufacturing method thereof - Google Patents

Wiring board and manufacturing method thereof

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JP2001244591A
JP2001244591A JP2001029144A JP2001029144A JP2001244591A JP 2001244591 A JP2001244591 A JP 2001244591A JP 2001029144 A JP2001029144 A JP 2001029144A JP 2001029144 A JP2001029144 A JP 2001029144A JP 2001244591 A JP2001244591 A JP 2001244591A
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insulating layer
wiring
layer
metal
wiring layer
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JP2001029144A
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Japanese (ja)
Inventor
Rokuro Kanbe
六郎 神戸
Toru Matsuura
松浦  徹
Yasunori Aoi
保典 青井
Koji Nishiura
光二 西浦
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Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring board together with its manufacturing method where a via connecting wiring layers is formed without a laborious plating process. SOLUTION: A wiring board 100 comprising, at its center, a metal plate 101, and first and second insulating layers 103 and 105 are formed on its upper and lower surfaces 101a and 101b while an in-hole insulating layer 107 is provided in a through hole 101h. A metal pillar 109 penetrates the first and second insulating layers 103 and 105 as well as the in-hole insulating layer 107. The metal pillar 109 has a pre-molded copper wire embedded in each insulating layer, connecting first and second wiring layers 111 and 112. The first wiring layer 111 has a first via 113 comprising copper wire erected, which is embedded in a first inter-layer insulating layer 115 formed on the first insulating layer 103 and the first wiring layer 111. The first via 113 connects the first wiring layer 111 to a third wiring layer 117. Vias 114, 119, and 120 comprise a wire as well.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板及びその
製造方法に関し、さらに詳しくは、絶縁層を介して配置
された複数の配線層等の間をワイヤ等で接続した配線基
板及びその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wiring board and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a wiring board in which a plurality of wiring layers and the like arranged via an insulating layer are connected by wires and the like, and a method of manufacturing the same. About.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、樹脂製配線基板においては、
コア基板としてガラス−エポキシ樹脂複合材料(以下、
ガラスエポキシともいう)等の複合材料を用い、銅等の
配線層と、樹脂あるいは複合材料からなる絶縁層とを交
互に積層した配線基板が知られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a resin wiring board,
Glass-epoxy resin composite material (hereinafter, referred to as core substrate)
A wiring board using a composite material such as glass epoxy) and alternately stacking wiring layers made of copper or the like and insulating layers made of a resin or a composite material is known.

【0003】例えば、図18に示す配線基板20は、ガ
ラスエポキシからなるコア基板1を有する。このコア基
板1には、その上下面1a,1bの間を貫通する貫通孔
2が形成されている。この貫通孔2のその内周及び上下
面周縁には、銅からなり上下面を接続するスルーホール
導体3が形成されており、コア基板1の上面1a側の配
線と下面1b側の配線とを電気的に接続している。ま
た、このコア基板1の上面1a側および下面1b側に
は、それぞれ、配線層と絶縁層が交互に形成されてい
る。本例では、配線層が5a,5b,6a,6bの各2
層、絶縁層が7a,7b,8a,8bの各2層ずつ形成
されている。さらに、絶縁層をそれぞれ貫通して各配線
層の間を接続するビア(ビア配線)9a,9b,10
a,10bも形成されている。
For example, a wiring board 20 shown in FIG. 18 has a core board 1 made of glass epoxy. The core substrate 1 is formed with a through hole 2 penetrating between the upper and lower surfaces 1a and 1b. A through-hole conductor 3 made of copper and connecting the upper and lower surfaces is formed on the inner periphery and the upper and lower surfaces of the through hole 2. Electrically connected. On the upper surface 1a side and the lower surface 1b side of the core substrate 1, wiring layers and insulating layers are alternately formed, respectively. In this example, each of the wiring layers is 5a, 5b, 6a, and 6b.
The layers and the insulating layers are each formed of two layers 7a, 7b, 8a and 8b. Further, vias (via wirings) 9a, 9b, 10 penetrating through the insulating layers and connecting between the wiring layers, respectively.
a, 10b are also formed.

【0004】このような配線基板20を形成するには、
まず、既に硬化させたガラスエポキシからなるコア基板
1にドリル等で穿孔して貫通孔2を形成し、その後、銅
メッキ及びエッチングによって所定パターンのスルーホ
ール導体3を形成する。さらに、樹脂ペーストを塗布
し、所定位置にビア用の貫通孔を開口させ、その後に硬
化させて絶縁層7a,8aとする。ついで、ビア用貫通
孔内に銅メッキによりビア9a,10aを形成し、絶縁
層7a,8a,の表面を整面する。その後、絶縁層7
a,8aの表面上にサブトラクディブ法等の周知の方法
によりメッキによって配線層5a,6aを形成する。さ
らに、同様にして絶縁層7b,8b、ビア9b,10b
および配線層5b,6bを形成する。
[0004] To form such a wiring board 20,
First, a through-hole 2 is formed by drilling a core substrate 1 made of already cured glass epoxy with a drill or the like, and then a through-hole conductor 3 having a predetermined pattern is formed by copper plating and etching. Further, a resin paste is applied, a through hole for a via is opened at a predetermined position, and then cured to form insulating layers 7a and 8a. Next, vias 9a and 10a are formed in the via holes by copper plating, and the surfaces of the insulating layers 7a and 8a are adjusted. Then, the insulating layer 7
Wiring layers 5a and 6a are formed on the surfaces of a and 8a by plating using a known method such as a subtractive method. Further, similarly, insulating layers 7b, 8b, vias 9b, 10b
And the wiring layers 5b and 6b are formed.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】このような配線基板2
0においては、上述したように、配線基板の強度を保持
するため、コア基板1には、ガラスクロス等にエポキシ
等の樹脂を含浸させたガラス−エポキシ樹脂複合材料等
の複合材料を用いることが多い。しかし、コア基板1に
貫通孔2を形成するときに、ガラス繊維と含浸されて既
に硬化した樹脂との間に微細なクラックが発生し、スル
ーホール導体3を形成するときのメッキや洗浄工程等に
おいて、クラック内に水分が侵入することがある。この
ため、マイグレーション等の発生による絶縁抵抗の低下
を引き起こすことがあり、甚だしい場合には、近接して
いるスルーホール導体3間で電気的にショートすること
もある。従って、ある程度の絶縁距離を稼ぐため、スル
ーホール導体3相互、従って、貫通孔2相互の間隔を比
較的大きくしておく必要があった。
SUMMARY OF THE INVENTION Such a wiring board 2
0, as described above, in order to maintain the strength of the wiring board, a composite material such as a glass-epoxy resin composite material in which a resin such as epoxy is impregnated in glass cloth or the like is used for the core substrate 1. Many. However, when the through hole 2 is formed in the core substrate 1, fine cracks occur between the glass fiber and the resin that has been impregnated and already hardened, and a plating or cleaning step when forming the through-hole conductor 3 is performed. In some cases, moisture may enter the crack. For this reason, the insulation resistance may be reduced due to the occurrence of migration or the like. In severe cases, an electrical short circuit may occur between the adjacent through-hole conductors 3. Therefore, in order to obtain a certain insulation distance, it is necessary to make the distance between the through-hole conductors 3 and therefore the distance between the through-holes 2 relatively large.

【0006】また、スルーホール導体3を形成するとき
には、貫通孔2内周に確実にメッキを施す必要がある
が、スルーホール導体3相互の間隔を狭くし、スルーホ
ール導体3の径(貫通孔2の径)を小さくしようとする
と、貫通孔2内にメッキを施すのが困難になり、歩留ま
りが低下する。さらに、スルーホール導体3を形成する
には、上記説明では省略したメッキレジストの形成や、
メッキによるスルーホール導体の形成や洗浄、エッチン
グ等の工程を経る必要があり、工程が面倒である。ま
た、メッキや洗浄、エッチング等のための装置や化学薬
品を処理するための装置を要し、費用も掛かる。
When the through-hole conductor 3 is formed, it is necessary to reliably plate the inner periphery of the through-hole 2. When the diameter of the through hole 2 is reduced, it becomes difficult to perform plating in the through hole 2 and the yield is reduced. Further, in order to form the through-hole conductor 3, a plating resist omitted in the above description,
It is necessary to go through steps such as formation of a through-hole conductor by plating, cleaning, etching, and the like, which is troublesome. Further, an apparatus for plating, cleaning, etching, and the like, and an apparatus for processing chemicals are required, which is expensive.

【0007】同様に、配線層間を接続するビア(例えば
9a)についても、配線層を微細配線にするのに伴い、
ビアの径を小さくする必要があるが、ビアの径を小さく
すると、ビア用貫通孔内に確実にメッキを施すことが困
難になってくる。また、メッキのために多くの工程や装
置が必要なことは、ビアを形成する場合にも同様であ
る。
[0007] Similarly, vias (for example, 9a) connecting between wiring layers are required as the wiring layers are made finer.
It is necessary to reduce the diameter of the via. However, when the diameter of the via is reduced, it becomes difficult to reliably perform plating in the via through hole. The fact that many steps and devices are required for plating is also the same when forming vias.

【0008】また、メッキで形成したスルーホール導体
やビアは、予め成形された金属板やワイヤに比較して、
導電率が低いため若干抵抗が高くなる。また、強度も低
いため、銅等の金属製の配線層と、樹脂製あるいは複合
材料製のコア基板や絶縁層との熱膨張率の違いから、ビ
ア等に応力が掛かった場合に、スルーホール導体やビア
にクラックが生じて、破断することも考えられる。
[0008] Further, the through-hole conductors and vias formed by plating are compared with preformed metal plates and wires.
The resistance is slightly higher due to low conductivity. In addition, since the strength is low, when stress is applied to vias and the like due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the wiring layer made of metal such as copper and the core substrate or insulating layer made of resin or composite material, the through hole It is also conceivable that a conductor or via cracks and breaks.

【0009】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであって、その目的は、配線基板の強度を保ちつ
つ、上下方向の配線間の接続を行い、かつ絶縁抵抗の低
下を引き起こさない、信頼性の高い配線基板及びその製
造方法を提供することにある。また、他の目的は、面倒
なメッキ工程を用いることなく配線層間を接続するビア
を形成した配線基板及びその製造方法を提供することに
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to make connections between wirings in the vertical direction while maintaining the strength of a wiring board and not to cause a decrease in insulation resistance. And a highly reliable wiring board and a method of manufacturing the same. Another object of the present invention is to provide a wiring board having vias connecting between wiring layers without using a complicated plating process, and a method of manufacturing the same.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段、作用および効果】ま
、上面及び下面を有し、複数の貫通孔を備えるコア基
板と、該貫通孔内に充填されてなる孔内絶縁層と、上記
コア基板の上面に形成された第1絶縁層と、上記コア基
板の下面に形成された第2絶縁層と、上記第1絶縁層の
上面に形成された複数の第1配線層と、上記第2絶縁層
の下面に形成された複数の第2配線層と、上記第1絶縁
層と孔内絶縁層と第2絶縁層とを貫通し、上記複数の第
1配線層のうちのいずれかと上記複数の第2配線層のう
ちのいずれかとを接続する金属柱であって、予め成形さ
れ、上記第1絶縁層、第2絶縁層および孔内絶縁層内に
埋め込まれてなる層間用金属柱と、を有することを特徴
とする配線基板とするものが好ましい
In order to solve the problem, action and effect] or not a
A core substrate having an upper surface and a lower surface and having a plurality of through holes, an in-hole insulating layer filled in the through holes, a first insulating layer formed on an upper surface of the core substrate, A second insulating layer formed on the lower surface of the core substrate; a plurality of first wiring layers formed on the upper surface of the first insulating layer; and a plurality of second wiring layers formed on the lower surface of the second insulating layer And a metal penetrating the first insulating layer, the in-hole insulating layer, and the second insulating layer, and connecting any one of the plurality of first wiring layers and any one of the plurality of second wiring layers. It is preferable that the wiring board be a pillar, which is formed in advance and has an interlayer metal pillar embedded in the first insulating layer, the second insulating layer, and the in-hole insulating layer. .

【0011】このようにすると、貫通孔の内周面にスル
ーホール導体を形成せず、貫通孔内を通る層間用金属柱
と貫通孔との間には、孔内絶縁層が介在している。この
孔内絶縁層は、層間用金属柱とコア基板との間や隣接す
る層間用金属柱同士の絶縁を保つ。さらに、孔内絶縁層
を貫通する層間用金属柱は、予め成形されたものを用い
ており、メッキ工程を経ない。このため、従来の配線基
板にように、コア基板に生じたクラックに水分が侵入し
て絶縁抵抗が低下することがないので、信頼性の高い配
線基板とすることができる。また、第1、第2絶縁層や
孔内絶縁層が、その中に層間用金属柱を埋め込んで絶縁
を保っているので、金属柱同士(従ってコア基板の貫通
孔同士)の間隔を小さくして、高密度配線の配線基板と
することが出来る。
In this case, the through-hole conductor is not formed on the inner peripheral surface of the through-hole, and the insulating layer in the hole is interposed between the interlayer metal pillar passing through the through-hole and the through-hole. . The insulating layer in the hole maintains insulation between the metal pillars for interlayer and the core substrate or between adjacent metal pillars for interlayer. Further, the metal pillar for interlayer penetrating through the insulating layer in the hole is formed in advance and does not go through a plating step. Therefore, unlike a conventional wiring board, moisture does not penetrate into cracks generated in the core substrate and insulation resistance does not decrease, so that a highly reliable wiring board can be obtained. Further, since the first and second insulating layers and the in-hole insulating layer bury the interlayer metal pillars therein to maintain insulation, the distance between the metal pillars (thus, the through holes of the core substrate) is reduced. Thus, a wiring board with high-density wiring can be obtained.

【0012】しかも、第1絶縁層と第2絶縁層とでコア
基板を挟んだ構造となっているので、コア基板の材質や
厚さの選択により、配線基板全体の曲げ強度等の強度や
剛性も調節することが出来る。さらに、層間用金属柱
は、予め成形されたものであるので、メッキで形成され
たスルーホール導体等に比して、緻密で導電率が高い。
また、引張り応力や繰り返し屈曲応力などに対する耐久
性が高いため、応力によるクラックで破断することがな
い。
Further, since the core substrate is sandwiched between the first insulating layer and the second insulating layer, the strength and rigidity such as the bending strength of the entire wiring substrate can be determined by selecting the material and thickness of the core substrate. Can also be adjusted. Further, since the metal pillar for interlayer is formed in advance, it is denser and has higher conductivity than through-hole conductors formed by plating.
In addition, since it has high durability against tensile stress, repeated bending stress, and the like, it does not break due to cracks due to stress.

【0013】ここで、コア基板は、孔内絶縁層によって
層間用金属柱と絶縁されているので、熱膨張率や熱伝導
率、曲げ強度、曲げ剛性等を勘案して選択すればよく、
その材質としては、絶縁性(非導電性)のものだけでな
く、導電性のものでも良い。従って、アルミナ、ムライ
ト、窒化アルミニウム等のセラミックやガラス、エポキ
シ樹脂、ポリイミド樹脂、BT樹脂等の樹脂、あるい
は、これらの樹脂とガラス繊維やポリエステル繊維等の
ポリマー繊維、金属繊維、カーボン繊維との複合材料
(例えば、ガラスエポキシ)、これらの樹脂とセラミッ
ク粉末との複合材料などが挙げられる。さらに、銅、銅
合金、アルミニウム、アルミニウム合金等の金属でもよ
い。さらに、片面あるいは両面のみが金属からなるもの
も挙げられる。例えば、ガラスエポキシ等からなる絶縁
板の片面あるいは両面に、銅板等の金属板を貼り付け
た、片面あるいは両面銅張り絶縁板のような、金属板と
絶縁板との層状複合材でもよい。
Since the core substrate is insulated from the interlayer metal pillar by the insulating layer in the hole, the core substrate may be selected in consideration of the coefficient of thermal expansion, thermal conductivity, bending strength, bending rigidity, and the like.
The material may be not only an insulating (non-conductive) material but also a conductive material. Therefore, ceramics and glass such as alumina, mullite, aluminum nitride, etc., resins such as epoxy resin, polyimide resin and BT resin, or composites of these resins with polymer fibers such as glass fibers and polyester fibers, metal fibers and carbon fibers Materials (for example, glass epoxy), composite materials of these resins and ceramic powder, and the like are included. Further, metals such as copper, copper alloy, aluminum, and aluminum alloy may be used. Further, there may be mentioned one in which only one or both surfaces are made of metal. For example, a layered composite material of a metal plate and an insulating plate, such as a single-sided or double-sided copper-clad insulating plate, in which a metal plate such as a copper plate is attached to one or both surfaces of an insulating plate made of glass epoxy or the like, may be used.

【0014】さらに、孔内絶縁層の材質としては、耐熱
性や吸湿性等を考慮して選択すればよいが、エポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂、BT樹脂等の樹脂が挙げられる。
なお、樹脂の中には、シリカ等の無機物やプラスチック
粉末の充填剤等を含んでいても良い。また、樹脂とセラ
ミック粉末の複合材料を用いても良い。また、第1、第
2絶縁層の材質についても、耐熱性や吸湿性等を考慮し
て選択すればよいが、具体的には、エポキシ樹脂、ポリ
イミド樹脂、BT樹脂等の樹脂や、ガラスーエポキシ樹
脂複合材料、ガラス−BT樹脂複合材料、ポリエステル
繊維−エポキシ樹脂複合材料等の樹脂とガラス繊維やポ
リマー繊維との複合材料、樹脂とセラミック粉末の複合
材料などが挙げられる。
Further, the material of the insulating layer in the hole may be selected in consideration of heat resistance, hygroscopicity and the like, and examples thereof include resins such as epoxy resin, polyimide resin and BT resin.
The resin may contain an inorganic substance such as silica, a filler of a plastic powder, and the like. Further, a composite material of a resin and a ceramic powder may be used. Also, the material of the first and second insulating layers may be selected in consideration of heat resistance, hygroscopicity, and the like. Specifically, resins such as epoxy resin, polyimide resin, and BT resin; Examples include a composite material of a resin such as an epoxy resin composite material, a glass-BT resin composite material, a polyester fiber-epoxy resin composite material and a glass fiber or a polymer fiber, and a composite material of a resin and a ceramic powder.

【0015】また、層間用金属柱の材質は、導電性が高
く、適度な剛性を有しているものがよく、例えば、銅、
金、銀、アルミニウム等が挙げられる。また具体的に
は、ワイヤボンディングに用いるワイヤ(ボンディング
ワイヤ)を用いると、入手が容易で好ましい。また、第
1及び第2配線層の材質も、導電性等を考慮して選択す
ればよいが、銅、銀、金、ニッケル等が挙げられる。な
お、本明細書において、上面、下面の表現を用いている
が、各面を区別するために便宜的に用いたものであっ
て、例えば、本発明の配線基板の使用等における上下方
向を定めたものではない。また、ある層の上面あるいは
下面に別の層などを形成する場合に、上面上、下面上等
の表現をすることがあるが、例えば、下面上とは、ある
層の下面の図中下側を指す。
The material of the metal pillar for interlayer is preferably one having high conductivity and appropriate rigidity.
Gold, silver, aluminum and the like. More specifically, it is preferable to use a wire (bonding wire) used for wire bonding because it is easily available. The material of the first and second wiring layers may be selected in consideration of conductivity and the like, and examples thereof include copper, silver, gold, and nickel. In this specification, the terms “upper surface” and “lower surface” are used. Not something. Further, when another layer or the like is formed on the upper surface or the lower surface of a certain layer, the upper surface, the lower surface, and the like may be expressed. Point to.

【0016】ついで、上記配線基板であって、前記コア
基板は、少なくとも上面及び下面のいずれかが金属から
なる金属表面コア基板であることを特徴とする配線基板
とするのも好ましい
Next, in the above wiring board, the core board is a metal surface core board in which at least one of an upper surface and a lower surface is made of metal.
Is also preferable .

【0017】このようにすると、コア基板の少なくとも
上面及び下面のいずれかが金属からなるので、金属表面
コア基板の上下に形成する第1,第2配線層の間でのシ
ールド効果が得られ、信号配線等に雑音が入り込むのを
防ぐことができる。また、コア基板の少なくとも上面及
び下面のいずれかが金属からなるので、配線基板全体の
熱伝導性が良くなり、例えば、集積回路チップ等からの
発熱を、素早く配線基板全体に逃がすことができるな
ど、放熱性を向上させることができる。
With this configuration , at least one of the upper surface and the lower surface of the core substrate is made of metal, so that a shielding effect can be obtained between the first and second wiring layers formed above and below the metal surface core substrate, Noise can be prevented from entering signal wiring and the like. Further, since at least one of the upper surface and the lower surface of the core substrate is made of metal, the thermal conductivity of the entire wiring substrate is improved, and, for example, heat generated from an integrated circuit chip or the like can be quickly released to the entire wiring substrate. In addition, heat dissipation can be improved.

【0018】ここで、金属表面コア基板の上面及び下面
を構成する金属としては、導電性が高く、適度な剛性を
有し、加工が容易なものがよく、具体的には、銅、黄
銅、青銅、銀、アルミニウム、アルミニウム合金等が挙
げられる。かかる金属表面コア基板としては、コア基板
全体が、金属製のものが挙げられる他、片面あるいは両
面のみが金属からなるものも挙げられる。例えば、エポ
キシ等の樹脂板や、ガラスエポキシ等の複合材料、セラ
ミック等からなる絶縁板の片面あるいは両面に、銅板等
の金属板を貼り付けた、片面あるいは両面銅張り絶縁板
のような、金属板と絶縁板との層状複合材でもよい。
Here, as the metal constituting the upper and lower surfaces of the metal surface core substrate, those having high conductivity, appropriate rigidity, and easy to process are preferable. Specifically, copper, brass, Bronze, silver, aluminum, aluminum alloy and the like can be mentioned. Examples of such a metal surface core substrate include those in which the entire core substrate is made of metal, and those in which only one or both surfaces are made of metal. For example, a metal plate such as a copper plate or the like is attached to one or both sides of an insulating plate made of a resin material such as epoxy, a composite material such as glass epoxy, ceramic, or the like. It may be a layered composite of a board and an insulating board.

【0019】さらに、上記配線基板であって、前記第1
絶縁層を貫通し、前記複数の第1配線層のうちのいずれ
かと前記金属表面コア基板の金属からなる上面とを接続
する金属柱であって、予め成形され、上記第1絶縁層内
に埋め込まれてなる第1コア用金属柱、および、前記第
2絶縁層を貫通し、前記複数の第2配線層のうちのいず
れかと前記金属表面コア基板の金属からなる下面とを接
続する金属柱であって、予め成形され、上記第2絶縁層
内に埋め込まれてなる第2コア用金属柱、の少なくとも
いずれかを有することを特徴とする配線基板とするのが
好ましい
Further, in the above wiring board, the first
A metal pillar penetrating an insulating layer and connecting any one of the plurality of first wiring layers to an upper surface made of metal of the metal surface core substrate, which is formed in advance and embedded in the first insulating layer. A first metal pillar for a core, and a metal pillar penetrating through the second insulating layer and connecting any one of the plurality of second wiring layers to a lower surface made of metal of the metal surface core substrate. The wiring board is characterized by having at least one of a second core metal pillar formed in advance and embedded in the second insulating layer.
Preferred .

【0020】即ち、この配線基板では、銅板のようにコ
ア基板全体が金属からなり、その上面及び下面の少なく
ともいずれかにコア用金属柱が設けられたもの、両面銅
張り絶縁板のように両面(上面及び下面)が金属からな
り、その上下面の少なくともいずれかにコア用金属柱が
形成されたもの、および、片面銅張り絶縁板のようにコ
ア基板の上面および下面のいずれかが金属からなり、そ
の金属からなる面にコア用金属柱が形成されたものが含
まれる。
That is, in this wiring board, the entire core board is made of metal, such as a copper plate, and a metal pillar for the core is provided on at least one of the upper and lower surfaces thereof. (Upper and lower surfaces) are made of metal and at least one of the upper and lower surfaces is provided with a core metal column, and one of the upper and lower surfaces of the core substrate is made of metal such as a single-sided copper-clad insulating plate. And those in which a core metal column is formed on a surface made of the metal.

【0021】このようにすると、金属表面コア基板の金
属からなる上面又は下面が、第1または第2コア用金属
柱を介して、第1または第2配線層と接続している。こ
のため、コア基板の上面又は下面も、第1、第2配線層
と同じく、電源電位層やグランド電位層、あるいは信号
配線として利用することができる。特に、金属表面コア
基板の上面や下面を電源電位あるいはグランド電位にし
て用いる場合、即ち、コア基板の上面や下面をパワープ
レーンあるいはグランドプレーンとして用いる場合に
は、配線層をパワープレーン等として用いる場合に比較
して、面積が大きく取れるため、必要な位置から容易に
電源やグランドの電位を取り出すことができる。また、
容易に電源やグランド配線と接続することが出きる。そ
の上、金属表面コア基板の金属の厚さは、配線層に比較
して厚くできるので、プレーン内で生じる抵抗やインダ
クタンスを小さくでき、配線基板の電気的特性を向上さ
せることができる。
With this configuration, the upper surface or the lower surface made of the metal of the metal surface core substrate is connected to the first or second wiring layer via the first or second core metal pillar. For this reason, the upper surface or the lower surface of the core substrate can be used as a power supply potential layer, a ground potential layer, or a signal wiring, like the first and second wiring layers. In particular, when the upper surface or the lower surface of the metal surface core substrate is used at the power supply potential or the ground potential, that is, when the upper surface or the lower surface of the core substrate is used as the power plane or the ground plane, the wiring layer is used as the power plane or the like. Since the area can be increased as compared with the above, the potential of the power supply or the ground can be easily taken out from a required position. Also,
It can be easily connected to power supply and ground wiring. In addition, the metal of the metal surface core substrate can be made thicker than the wiring layer, so that the resistance and inductance generated in the plane can be reduced, and the electrical characteristics of the wiring substrate can be improved.

【0022】特に、金属表面コア基板として、ガラスエ
ポキシ等の絶縁板の上下面を金属の薄板で挟んだ構造の
ものを使用した場合には、金属表面コア基板の上面と下
面とで、例えば上面はグランド、下面は電源というよう
に、別の電位になるようにすることができる。この場合
には、金属表面コア基板は、コンデンサとしての役割を
も果たすことが出来る。
In particular, when a metal surface core substrate having a structure in which upper and lower surfaces of an insulating plate made of glass epoxy or the like are sandwiched between thin metal plates is used, the upper surface and the lower surface of the metal surface core substrate may be, for example, an upper surface. Can be different potentials, such as a ground and a power supply on the lower surface. In this case, the metal surface core substrate can also serve as a capacitor.

【0023】ここで、第1コア用金属柱および第2コア
用金属柱の材質は、層間用金属柱と同様な材質が好まし
い。即ち、導電性が高く、適度な剛性を有しているもの
がよく、例えば、銅、銅合金、金、銀、アルミニウム、
アルミニウム合金等が挙げられる。また具体的には、ワ
イヤボンディングに用いるワイヤ(ボンディングワイ
ヤ)を用いると、入手が容易で好ましい。
The material of the first core metal pillar and the second core metal pillar is preferably the same as the material of the interlayer metal pillar. That is, those having high conductivity and moderate rigidity are good, for example, copper, copper alloy, gold, silver, aluminum,
Aluminum alloy and the like can be mentioned. More specifically, it is preferable to use a wire (bonding wire) used for wire bonding because it is easily available.

【0024】ついで、上面及び下面を有し、複数の貫通
孔を備えるコア基板と、底板と該底板の上面のうち上記
コア基板の貫通孔に対応した位置に立設された層間用金
属柱とを備える金属柱立設体とを、上記コア基板の下面
と上記底板の上面とを向き合わせて上記貫通孔内を上記
層間用金属柱が貫通するようにして組み合わせ、かつ、
少なくとも上記コア基板の下面と上記底板の上面との間
およびコア基板の上面上に未硬化絶縁物を配置する工程
と、加熱して上記未硬化絶縁物を硬化させ、コア基板の
下面側の第2絶縁層および上面側の第1絶縁層を形成す
る工程と、上記底板を除去し、上記第1絶縁層の上面お
よび第2絶縁層の下面を、それぞれ整面し、上記層間用
金属柱の上端部及び下端部をそれぞれ露出させる工程
と、上記第1絶縁層の上面上および第2絶縁層の下面上
に、上記露出させた層間用金属柱とそれぞれ接続する第
1配線層および第2配線層を形成する工程と、を有する
配線基板の製造方法とするものが好ましい
Next, a core substrate having an upper surface and a lower surface and having a plurality of through holes, a bottom plate, and an interlayer metal column erected at a position corresponding to the through hole of the core substrate on the upper surface of the bottom plate. And a metal pillar standing body comprising a combination of the lower surface of the core substrate and the upper surface of the bottom plate facing each other so that the interlayer metal pillar penetrates the through hole.
A step of disposing an uncured insulator between at least the lower surface of the core substrate and the upper surface of the bottom plate and on the upper surface of the core substrate; (2) forming an insulating layer and a first insulating layer on the upper surface side, removing the bottom plate, leveling the upper surface of the first insulating layer and the lower surface of the second insulating layer, respectively, A step of exposing an upper end portion and a lower end portion, respectively, and a first wiring layer and a second wiring respectively connected to the exposed interlayer metal pillar on the upper surface of the first insulating layer and the lower surface of the second insulating layer. that the method of manufacturing a wiring board having a step of forming a layer, are preferred.

【0025】このようにすると、コア基板の貫通孔内を
層間用金属柱が貫通するように組み合わせ、その後、未
硬化絶縁物を硬化させるので、層間用金属柱のまわりを
取り囲むようにして孔内絶縁層や第1、第2絶縁層が形
成される。このため、層間用金属柱に接する孔内絶縁層
や第1、第2絶縁層にクラックを生じることもなく、メ
ッキ液等を用いることもないので、信頼性の高い配線基
板とすることができる。 また、従来のスルーホール導
体のように、メッキによらず上下を導通する層間用金属
柱を形成することが出来るので、工程が簡単になる。ま
た、予め成形された層間用金属柱を第1、第2及び孔内
絶縁層内に埋め込むので、メッキで形成されたスルーホ
ール導体と異なり、導電性が高くなる。また、応力に対
する耐久性も高くなるので、応力による破断を生じなく
なる。
With this arrangement, the metal pillar for interlayer is assembled so as to penetrate through the through hole of the core substrate, and then the uncured insulating material is cured, so that the inside of the hole is surrounded by the metal pillar for interlayer. An insulating layer and first and second insulating layers are formed. Therefore, no crack is generated in the in-hole insulating layer or the first and second insulating layers in contact with the interlayer metal pillars, and no plating solution or the like is used, so that a highly reliable wiring board can be obtained. . Further, as in the case of a conventional through-hole conductor, a metal pillar for interlayer which can conduct vertically can be formed irrespective of plating, so that the process is simplified. In addition, since the interlayer metal pillars formed in advance are buried in the first, second, and in-hole insulating layers, the conductivity is increased unlike through-hole conductors formed by plating. Also, the durability against stress is increased, so that breakage due to stress does not occur.

【0026】ここで、未硬化絶縁物は、未硬化樹脂を含
んでいるものであり、未硬化樹脂のみであってもよい
が、一部にガラス繊維やポリエステル等のポリマー繊維
を含んだものでも良い。ここで、未硬化樹脂としては、
エポキシ、ポリイミド、BTその他の熱硬化性樹脂の未
硬化状態のものが挙げられる。なお、未硬化樹脂中に
は、シリカ等の無機物やプラスチック粉末等の充填剤を
含んでいても良い。具体的に言えば、エポキシ樹脂ペー
スト等の樹脂ペーストの他、エポキシ樹脂等の樹脂ペー
ストを半硬化状態としたプリプレグや、ガラス不織布等
の繊維にエポキシ樹脂等の樹脂ペースト含浸させ半硬化
状態としたプリプレグ等が挙げられる。
Here, the uncured insulating material contains an uncured resin, and may be only an uncured resin, or may be a material partially containing a glass fiber or a polymer fiber such as polyester. good. Here, as the uncured resin,
Epoxy, polyimide, BT and other thermosetting resins in an uncured state may be used. The uncured resin may contain a filler such as an inorganic substance such as silica or a plastic powder. Specifically, in addition to a resin paste such as an epoxy resin paste, a prepreg having a resin paste such as an epoxy resin in a semi-cured state, or a resin such as a glass non-woven fabric impregnated with a resin paste such as an epoxy resin to have a semi-cured state. Prepreg and the like.

【0027】また、底板の材質は、層間用金属柱の材質
や金属柱立設体の形成方法等を考慮して選択するが、
銅、黄銅、アルミニウム等の金属板、あるいはガラスエ
ポキシ等の樹脂基板表面に、銅層などを貼付けあるいは
メッキして形成したものなどが挙げられる。また、整面
の手法としては、研削砥石による平面研削やバフ研磨等
が挙げられる。
The material of the bottom plate is selected in consideration of the material of the metal pillar for interlayer, the method of forming the metal pillar standing body, and the like.
Examples thereof include a metal plate made of copper, brass, aluminum, or the like, or a resin substrate made of glass epoxy or the like, which is formed by attaching or plating a copper layer or the like. Further, examples of the method of adjusting the surface include surface grinding with a grinding wheel, buffing, and the like.

【0028】さらに、金属柱立設体としては、底板の表
面の所定位置にワイヤボンディング法によりワイヤを立
設して金属体としたものが挙げられる。即ち、上記配線
基板の製造方法において、前記金属柱立設体は、ワイヤ
ボンディング法により、ワイヤの一端を前記底板の表面
の所定位置に固着し、かつ該ワイヤを立設して金属体と
してなる金属柱立設体であることを特徴とすると良い。
このようにすると、所望の位置に所望の高さの金属柱を
容易に形成できる。このため、少数ロットの製品の製作
や、設計の変更や試作品の製作に容易に対応することも
出来る。なお、このようにした場合には、底板は、金属
板であっても、ガラスエポキシ等の樹脂基板表面に、銅
層などを貼付けあるいはメッキして形成したものでもよ
い。
Further, as the metal pillar standing body, there is a metal pillar formed by erecting a wire at a predetermined position on the surface of the bottom plate by a wire bonding method. That is, in the manufacturing method of the wiring substrate, the metal pillar stand設体is by wire bonding method, fixed at one end of the wire to a predetermined position of the surface of the bottom plate, and comprising a metal body erected the wire It is good to be characterized by being a metal pillar standing body.
In this case, a metal pillar having a desired height can be easily formed at a desired position. For this reason, it is possible to easily cope with the production of a small number of products, a change in design, and the production of a prototype. In this case, the bottom plate may be a metal plate or may be formed by attaching or plating a copper layer or the like on the surface of a resin substrate such as glass epoxy.

【0029】さらに、金属柱立設体としては、金属板を
一方の面からエッチング加工し、金属柱と他方の面近傍
の部分を残すようにして形成したものも挙げられる。即
ち、上記記載の配線基板の製造方法において、前記金属
柱立設体は、立設体用金属板を一方の面からエッチング
加工し、金属柱と他方の面近傍の部分を残して成形して
なる金属柱立設体であることを特徴とすると良い。
Further, as the metal column standing body, a metal plate formed by etching a metal plate from one surface to leave a portion near the metal column and the other surface may be used. That is, in the method for manufacturing a wiring board described above , the metal pillar standing body is formed by etching the standing body metal plate from one surface and leaving the metal pillar and a portion near the other surface. It is good to be characterized by being a metal pillar standing body.

【0030】このようにすると、多くの金属柱が立設さ
れた金属柱立設体が一挙に形成できる。このため、多数
の金属柱を必要とするものにおいて、安価に製造出来
る。また、金属柱と底板とが一体となっているので、金
属柱の脱落を生じることがない。さらに、金属柱立設体
の形成手法としては、底板に金属ワイヤあるいは金属柱
をロウ材を介して溶接する方法も挙げられる。
By doing so, a metal pillar standing body having many metal pillars standing can be formed at once. For this reason, in the case where a large number of metal columns are required, it can be manufactured at low cost. Further, since the metal column and the bottom plate are integrated, the metal column does not fall off. Further, as a method of forming the metal pillar standing body, a method of welding a metal wire or a metal pillar to the bottom plate via a brazing material can be cited.

【0031】また、未硬化絶縁物の配置方法としては、
樹脂ペーストを用いる場合には、スプレー法、静電スプ
レー法、カーテンコート法、ダイコート法、スピンコー
ト法等により、樹脂ペーストを金属柱立設体の底板上面
やコア基板の上下面等に塗布する方法が挙げられる。即
ち、上記配線基板の製造方法において、前記未硬化絶縁
物を配置する工程は、樹脂ペーストを前記底板の上面及
び前記コア基板の下面の少なくともいずれかに塗布し、
金属柱立設体とコア基板とを重ね、さらに、コア基板の
上面に樹脂ペーストを塗布する工程であることを特徴と
すると良い。このようにすると、金属柱や貫通孔の配置
に拘わらず、確実に未硬化絶縁物を配置でき、金属柱に
対応させた位置に予め貫通孔を形成したプリプレグを用
意しておく等の作業が不要となる。
The method of arranging the uncured insulator is as follows.
When a resin paste is used, the resin paste is applied to the upper surface of the bottom plate of the metal column standing body, the upper and lower surfaces of the core substrate, and the like by a spray method, an electrostatic spray method, a curtain coating method, a die coating method, a spin coating method, or the like. Method. That is, in the manufacturing method of the wiring substrate, placing the uncured insulating material, applying a resin paste to at least one of the lower surface of the upper surface and the core substrate of the bottom plate,
The method may be characterized in that the metal pillar standing body and the core substrate are overlapped, and a resin paste is applied to the upper surface of the core substrate. In this way, regardless of the arrangement of the metal columns and the through holes, the uncured insulator can be reliably arranged, and operations such as preparing a prepreg having a through hole formed in advance at a position corresponding to the metal columns can be performed. It becomes unnecessary.

【0032】また、未硬化絶縁物の配置方法として、予
め層間用金属柱に対応する位置に貫通孔(金属柱用貫通
孔)を空けたプリプレグを用意し、この貫通孔に層間用
金属柱が貫通するようにして、プリプレグを底板の上面
に重ね、あるいはプリプレグをコア基板の上面に重ねる
方法が挙げられる。即ち、上記配線基板の製造方法にお
いて、前記未硬化絶縁物を配置する工程は、前記金属柱
立設体と、予め前記層間用金属柱に対応する位置に金属
柱用貫通孔を空けた第2プリプレグと、前記コア基板
と、予め前記層間用金属柱に対応する位置に金属柱用貫
通孔を空けた第1プリプレグと、を重ねる工程であるこ
とを特徴とすると良い。
As a method of arranging the uncured insulator, a prepreg having a through hole (through hole for a metal pillar) previously prepared at a position corresponding to the metal pillar for an interlayer is prepared, and the metal pillar for an interlayer is provided in the through hole. There is a method in which the prepreg is stacked on the upper surface of the bottom plate or the prepreg is stacked on the upper surface of the core substrate so as to penetrate. That is, in the manufacturing method of the wiring substrate, the step of placing the uncured insulating material, and the metal pillars standing設体second spaced metal posts through holes at positions corresponding to the advance of the interlayer metal pillar The method may be characterized in that it is a step of laminating a prepreg, the core substrate, and a first prepreg in which a through hole for a metal pillar is previously opened at a position corresponding to the metal pillar for an interlayer.

【0033】このようにすれば、金属柱立設体やコア基
板とプリプレグとを重ねて、プリプレグを硬化させるだ
けで、容易に第1及び第2絶縁層を形成できる。なお、
プリプレグを硬化させるには、単に加熱するだけでも良
いが、真空熱プレスによって、プレスしつつ加熱するの
が望ましい。コア基板の貫通孔や金属柱用貫通孔にも確
実に樹脂が流動して、これらの貫通孔を確実に埋めるこ
とが出来るからである。
In this way, the first and second insulating layers can be easily formed only by stacking the prepreg on the metal pillar standing body or the core substrate and curing the prepreg. In addition,
In order to cure the prepreg, it is sufficient to simply heat, but it is preferable to heat while pressing by a vacuum hot press. This is because the resin reliably flows into the through holes of the core substrate and the through holes for the metal pillars, and these through holes can be reliably filled.

【0034】なお、加熱によりプリプレグの樹脂が流動
してコア基板の貫通孔内に充填されるので、孔内絶縁層
も形成される。即ち、使用するプリプレグが樹脂を半硬
化させたものである場合には、孔内絶縁層も第1及び第
2絶縁層も樹脂製の絶縁層となる。一方、プリプレグ
に、繊維(ガラス不織布等)に樹脂ペーストを含浸させ
て半硬化状態としたものを用いた場合には、樹脂のみが
流動してコア基板の貫通穴内に充填されるので、孔内絶
縁層は樹脂製となり、第1及び第2絶縁層は樹脂とガラ
ス繊維等の繊維との複合材製となる。この場合、第1及
び第2絶縁層がガラス繊維等で強化されるので、配線基
板全体の強度を向上させることもできる。
Since the resin of the prepreg flows by heating and fills the through holes of the core substrate, an in-hole insulating layer is also formed. That is, when the prepreg to be used is obtained by semi-curing a resin, both the in-hole insulating layer and the first and second insulating layers are resin insulating layers. On the other hand, when the prepreg is made of a fiber (a glass nonwoven fabric or the like) impregnated with a resin paste to be in a semi-cured state, only the resin flows and fills the through holes of the core substrate. The insulating layer is made of resin, and the first and second insulating layers are made of a composite material of resin and fiber such as glass fiber. In this case, since the first and second insulating layers are reinforced with glass fibers or the like, the strength of the entire wiring board can be improved.

【0035】その他、第1、第2プリプレグをコア基板
や金属柱立設体と重ねる前に、予め、あるいは重ねる途
中で、コア基板の貫通穴内に、樹脂ペーストを充填する
ようにしても良い。このようにすれば、さらに確実に貫
通孔内に樹脂が充填されて、孔内絶縁層を確実に形成す
ることができる。
In addition, a resin paste may be filled in the through holes of the core substrate before or during the overlapping of the first and second prepregs with the core substrate or the metal pillar standing body. By doing so, the resin is more reliably filled in the through-hole, and the in-hole insulating layer can be reliably formed.

【0036】なお、場合によっては、これらを組み合わ
せる方法でも良い。即ち、金属立設体の底板とコア基板
との間には、プリプレグを挟み、コア基板の上面には、
樹脂ペーストを塗布しても良い。また、この逆に、底板
の上面に樹脂ペーストを塗布しコア基板を重ね、コア基
板の上面にはプリプレグを重ねてもよい。
In some cases, these methods may be combined. That is, a prepreg is sandwiched between the bottom plate of the metal standing body and the core substrate, and the upper surface of the core substrate is
A resin paste may be applied. Conversely, a resin paste may be applied to the upper surface of the bottom plate, the core substrate may be stacked, and the prepreg may be stacked on the upper surface of the core substrate.

【0037】さらに、上記配線基板の製造方法であっ
て、前記コア基板は、少なくとも前記上面及び下面のい
すれかが金属からなり、金属からなる上面に形成された
第1コア用金属柱および金属からなる下面に形成された
第2コア用金属柱の少なくともいずれかを有する金属表
面コア基板であり、前記層間用金属柱の上下端部を露出
させる工程において、上記金属表面コア基板に形成され
た上記第1コア用金属柱および第2コア用金属柱の頂部
をも露出させ、前記第1、第2配線層を形成する工程に
おいて、上記露出させた第1、第2コア用金属柱と接続
する第1、第2配線層をも形成する、ことを特徴とする
配線基板の製造方法とするのが好ましい
Further, in the above-mentioned method for manufacturing a wiring board, the core substrate may be formed of a metal at least one of the upper surface and the lower surface, and the first core metal column and the metal formed on the metal upper surface. A metal surface core substrate having at least one of a second core metal pillar formed on a lower surface made of a metal core core substrate, wherein in the step of exposing upper and lower ends of the interlayer metal pillar, the metal surface core substrate is formed on the metal surface core substrate. In the step of exposing the tops of the first core metal pillar and the second core metal pillar, and forming the first and second wiring layers, the first and second core metal pillars are connected to the exposed first and second core metal pillars. It is preferable to provide a method for manufacturing a wiring board, wherein first and second wiring layers are also formed.

【0038】この配線基板では、コア基板は、少なくと
も上面及び下面のいずれかが金属からなり、この金属表
面コア基板には、第1コア用金属柱および第2コア用金
属柱の少なくともいずれかが形成されている。しかも、
層間用金属柱の上下端部を露出させる工程において、金
属表面コア基板に形成された第1コア用金属柱および第
2コア用金属柱の頂部をも露出させる。さらに、第1、
第2配線層を形成する工程において、この露出させた第
1、第2コア用金属柱と接続する第1、第2配線層をも
形成する。
In this wiring board , at least one of the upper surface and the lower surface of the core substrate is made of a metal. Is formed. Moreover,
In the step of exposing the upper and lower ends of the interlayer metal pillar, the tops of the first core metal pillar and the second core metal pillar formed on the metal surface core substrate are also exposed. In addition, the first,
In the step of forming the second wiring layer, first and second wiring layers connected to the exposed first and second core metal columns are also formed.

【0039】即ち、金属表面コア基板上面に第1コア用
金属柱が形成されている場合には、層間用金属柱の上下
端部を露出させる工程において、この第1コア用金属柱
の頂部を露出させ、さらに、第1、第2配線層を形成す
る工程において、これと接続する第1配線層を形成す
る。同様に、金属表面コア基板下面に第2コア用金属柱
が形成されている場合には、この第2コア用金属柱の頂
部を露出させ、さらに、これと接続する第2配線層を形
成する。さらに、金属表面コア基板上面に第1コア用金
属柱が、下面に第2コア用金属柱が形成されている場合
には、これら第1、第2コア用金属柱の頂部をそれぞれ
露出させ、さらに、これとそれぞれ接続する第1、第2
配線層を形成する。
That is, when the first core metal pillar is formed on the upper surface of the metal surface core substrate, in the step of exposing the upper and lower ends of the interlayer metal pillar, the top of the first core metal pillar is removed. In the step of exposing and further forming the first and second wiring layers, a first wiring layer connected thereto is formed. Similarly, when the metal pillar for the second core is formed on the lower surface of the metal surface core substrate, the top of the metal pillar for the second core is exposed, and further, a second wiring layer connected to the metal pillar is formed. . Further, when the first core metal pillar is formed on the upper surface of the metal surface core substrate and the second core metal pillar is formed on the lower surface, the tops of the first and second core metal pillars are respectively exposed, In addition, the first and the second
Form a wiring layer.

【0040】従って、金属表面コア基板の少なくとも上
面及び下面のいずれかは、第1、第2コア用金属柱によ
って、第1、第2配線層と接続するので、金属表面コア
基板の上面や下面が、グランド電位層や電源電位層、あ
るいは信号配線として利用できるようなる。しかも、第
1、第2コア用金属柱は、予め金属表面コア基板の上面
や下面に形成されているものを用い、これらのコア用金
属柱も第1、第2絶縁層内に埋め込むので、メッキ工程
を経ないで形成でき、工程が簡単になる。
Therefore, at least one of the upper surface and the lower surface of the metal surface core substrate is connected to the first and second wiring layers by the first and second core metal pillars. Can be used as a ground potential layer, a power supply potential layer, or a signal wiring. In addition, since the first and second core metal pillars are formed in advance on the upper and lower surfaces of the metal surface core substrate, these core metal pillars are embedded in the first and second insulating layers. It can be formed without a plating process, and the process is simplified.

【0041】なお、第1、第2コア用金属柱の形成方法
としては、金属表面コア基板の上面及び下面の所定位置
に、ワイヤボンディング法によりワイヤを立設したもの
が挙げられる。即ち、上記配線基板の製造方法におい
て、前記第1コア用金属柱および第2コア用金属柱は、
ワイヤボンディング法により、ワイヤの一端を前記金属
表面コア基板の上面及び下面の所定位置に固着し、かつ
該ワイヤを立設して形成したことを特徴とすると良い。
このようにすると、所望の位置に所望の高さの第1,第
2金属柱を容易に形成できる。このため、少数ロットの
製品の製作や、設計の変更や試作品の製作に容易に対応
することも出来る。
As a method of forming the first and second core metal columns, a method in which wires are erected at predetermined positions on the upper surface and the lower surface of the metal surface core substrate by a wire bonding method may be used. That is, in the manufacturing method of the wiring substrate, the metal column for the first core and the second core metal pillar,
It is preferable that one end of the wire is fixed to predetermined positions on the upper surface and the lower surface of the metal surface core substrate by a wire bonding method, and the wire is formed upright.
By doing so, the first and second metal columns having a desired height can be easily formed at desired positions. For this reason, it is possible to easily cope with the production of a small number of products, a change in design, and the production of a prototype.

【0042】さらに、第1、第2コア用金属柱の形成方
法としては、金属板を一方あるいは両方の面からエッチ
ング加工し、第1、第2コア用金属柱の少なくともいず
れかと金属からなる金属表面コア基板の部分を残すよう
にして形成したものも挙げられる。即ち、上記配線基板
の製造方法において、前記第1コア用金属柱および第2
コア用金属柱の少なくともいずれかを有する金属表面コ
ア基板は、コア用金属板を一方または両方の面からエッ
チング加工し、第1コア用金属柱及び第2コア用金属柱
の少なくともいずれかと金属からなる金属表面コア基板
の部分を残して成形してなる金属柱立設体であることを
特徴とすると良い。
Further, as a method of forming the first and second core metal pillars, a metal plate is etched from one or both surfaces, and at least one of the first and second core metal pillars is formed of metal. There is also one formed so as to leave the surface core substrate portion. That is, in the manufacturing method of the wiring board, the first core metal columns and the second
The metal surface core substrate having at least one of the metal pillars for the core is formed by etching the metal plate for the core from one or both surfaces, and forming the metal plate for the first core and the metal pillar for the second core from at least one of the metal and the metal. It is good to be characterized in that it is a metal pillar standing body formed by leaving a part of the metal surface core substrate.

【0043】このようにすると、多くの第1,第2金属
柱が立設された金属表面コア基板が一挙に形成できる。
このため、多数の第1、第2コア用金属柱を必要とする
ものにおいて、安価に製造出来る。また、第1、第2コ
ア用金属柱と金属表面コア基板とが一体となっているの
で、第1,第2コア用金属柱の脱落を生じることがな
い。さらに、第1,第2コア用金属柱を有する金属表面
コア基板の形成手法としては、金属表面コア基板の金属
表面に金属ワイヤあるいは第1,第2コア用金属柱をロ
ウ材を介して溶接する方法も挙げられる。また、金属表
面コア基板の上面等に、メッキによって第1、第2コア
用金属柱を形成しても良い。
By doing so, a metal surface core substrate on which many first and second metal columns are erected can be formed at once.
For this reason, in the case where a large number of first and second core metal pillars are required, it can be manufactured at low cost. Further, since the first and second core metal columns and the metal surface core substrate are integrated, the first and second core metal columns do not fall off. Further, as a method of forming the metal surface core substrate having the first and second core metal columns, a metal wire or the first and second core metal columns are welded to the metal surface of the metal surface core substrate via a brazing material. There is also a method of doing. Further, the first and second core metal columns may be formed on the upper surface of the metal surface core substrate by plating.

【0044】さらに請求項1に記載の解決手段は、下部
配線層と、上部配線層と、上記下部配線層と上部配線層
との間に介在する層間絶縁層と、上記下部配線層と上部
配線層とを接続するビアであって、予め成形されたワイ
ヤからなり、上記層間絶縁層内に埋め込まれてなるビア
と、を有する配線基板である。
Further, according to a first aspect of the present invention, there is provided a lower wiring layer, an upper wiring layer, an interlayer insulating layer interposed between the lower wiring layer and the upper wiring layer, and the lower wiring layer and the upper wiring. A wiring board having vias for connecting layers with each other, the vias being formed of wires formed in advance and embedded in the interlayer insulating layer.

【0045】本発明によれば、ビアが予め成形されたワ
イヤで出来ているので、ビアをメッキ等で形成する場合
に比較して、ビアの導電性を高くできる。また、強度が
高いため、上部配線層や下部配線層と層間絶縁層との熱
膨張率の違いなどによって生じる応力がビアに掛かって
も、ビアにクラックが入ることがない。また、導電性や
強度を考慮してビアの径を変えるのに、ワイヤの径を変
えれば足りる。
According to the present invention, since the via is made of a preformed wire, the conductivity of the via can be made higher than when the via is formed by plating or the like. Further, since the strength is high, the via does not crack even if stress is applied to the via due to a difference in thermal expansion coefficient between the upper wiring layer or the lower wiring layer and the interlayer insulating layer. Also, in order to change the diameter of the via in consideration of conductivity and strength, it is sufficient to change the diameter of the wire.

【0046】ここで、ビアを構成するワイヤの材質とし
ては、銅、銅合金銀、金、アルミニウム、アルミニウム
合金等が挙げられ、下部及び上部配線層の材質を考慮し
て選択するとよい。また、下部配線層、上部配線層の材
質には、銅、銀、金、ニッケル等が挙げられる。さら
に、層間絶縁層の材質としては、エポキシ、ポリイミ
ド、BT等の樹脂や、これらの樹脂とガラス繊維やポリ
マー繊維等との複合材料等を用いることができる。
Here, examples of the material of the wire forming the via include copper, copper alloy silver, gold, aluminum, and aluminum alloy, and the material may be selected in consideration of the material of the lower and upper wiring layers. The material of the lower wiring layer and the upper wiring layer includes copper, silver, gold, nickel and the like. Further, as the material of the interlayer insulating layer, resins such as epoxy, polyimide, and BT, and composite materials of these resins with glass fibers, polymer fibers, and the like can be used.

【0047】さらに、請求項2に記載の解決手段は、下
部絶縁層上に形成された下部配線層の上面の所定位置
に、ワイヤボンディング法により、ワイヤの一端を固着
し、かつ該ワイヤを所定高さに立設したビアを形成する
工程と、上記ビアを立設したまま、上記下部絶縁層の上
面および下部配線層の上面に未硬化絶縁物を配置する工
程と、加熱して上記未硬化絶縁物を硬化させて、層間絶
縁層とする工程と、該層間絶縁層の上面を整面し、上記
ビアの頂部を露出させる工程と、上記層間絶縁層の上面
に、上記露出したビアと接続する上部配線層を形成する
工程と、を有する配線基板の製造方法である。
Further, according to a second aspect of the present invention, one end of a wire is fixed to a predetermined position on an upper surface of a lower wiring layer formed on a lower insulating layer by a wire bonding method, and the wire is fixed to a predetermined position. Forming a via standing upright, placing an uncured insulator on the upper surface of the lower insulating layer and the upper surface of the lower wiring layer with the via standing, and heating the uncured insulator. Curing the insulator to form an interlayer insulating layer, leveling the upper surface of the interlayer insulating layer to expose the top of the via, and connecting the exposed via to the upper surface of the interlayer insulating layer. Forming an upper wiring layer to be formed.

【0048】本発明によれば、ワイヤボンディング法に
より予め成形されたワイヤを用いたビアを形成すること
が出来る。ワイヤは予め成形されているので、従来のよ
うにメッキ等で形成する工程が不要であり、様々な薬品
を使用するメッキ液やメッキ装置、洗浄装置等が不要と
なるので、安価に形成できる。また、予め成形されたワ
イヤを用いるので、ビアの導電性が高く、かつ強度が高
い。
According to the present invention, a via using a wire formed in advance by a wire bonding method can be formed. Since the wire is formed in advance, the step of forming the wire by plating or the like as in the related art is not required, and a plating solution using various chemicals, a plating device, a cleaning device, and the like are not required, so that the wire can be formed at low cost. In addition, since a preformed wire is used, the via has high conductivity and high strength.

【0049】ここで、下部配線層の上面の所定部位に、
ワイヤボンディング法によりワイヤを立設する方法とし
ては、公知の技法によればよく、例えば、熱圧着や超音
波圧着によってワイヤの一端を下部配線層に固着する。
Here, at a predetermined position on the upper surface of the lower wiring layer,
As a method for erecting the wire by the wire bonding method, a known technique may be used. For example, one end of the wire is fixed to the lower wiring layer by thermocompression bonding or ultrasonic compression bonding.

【0050】また、未硬化絶縁物を配置する方法として
は、樹脂ペーストを用いる場合には、スプレー法、カレ
ンダー法、スピンコート法等により、下部絶縁層および
下部配線層上に樹脂ペーストを塗布する方法が挙げられ
る。即ち、請求項2に記載の配線基板の製造方法におい
て、前記未硬化絶縁物を配置する工程は、樹脂ペースト
を前記下部絶縁層及び下部配線層の上面に塗布する工程
であることを特徴とすると良い。このようにすると、立
設したビアの配置に拘わらず、確実に未硬化絶縁物を配
置でき、予めプリプレグに貫通孔を形成しておく等の作
業が不要となる。
When a resin paste is used as a method for disposing the uncured insulator, the resin paste is applied onto the lower insulating layer and the lower wiring layer by a spray method, a calendar method, a spin coating method, or the like. Method. That is, in the method for manufacturing a wiring board according to claim 2, the step of disposing the uncured insulator is a step of applying a resin paste to the upper surfaces of the lower insulating layer and the lower wiring layer. good. In this case, the uncured insulator can be reliably disposed regardless of the arrangement of the standing vias, and the work of forming a through-hole in the prepreg in advance becomes unnecessary.

【0051】また、未硬化絶縁物の配置方法として、予
め立設したビアに対応する位置に貫通孔(ビア用貫通
孔)を空けたプリプレグを用意し、この貫通孔をビアが
貫通するようにして、プリプレグを下部絶縁層および下
部配線層の上面に重ねる方法が挙げられる。即ち、請求
項2に記載の配線基板の製造方法において、前記未硬化
絶縁物を配置する工程は、予め前記立設したビアに対応
する位置にビア用貫通孔を空けたプリプレグを前記下部
絶縁層および下部配線層の上面に重ねることを特徴とす
ると良い。
As a method for arranging the uncured insulator, a prepreg having a through hole (via through hole) at a position corresponding to a via which has been set up in advance is prepared, and the via is passed through the through hole. Then, there is a method of stacking a prepreg on the upper surfaces of the lower insulating layer and the lower wiring layer. That is, in the method of manufacturing a wiring board according to claim 2, the step of arranging the uncured insulator includes: forming a prepreg having a through-hole for a via at a position corresponding to the erected via in advance; In addition, it is preferable to overlap with the upper surface of the lower wiring layer.

【0052】即ち、請求項3に記載のごとく、下部絶縁
層上に形成された下部配線層の上面の所定位置に、ワイ
ヤボンディング法により、ワイヤの一端を固着し、かつ
該ワイヤを所定高さに立設したビアを形成する工程と、
上記ビアを立設したまま、予め上記立設したビアに対応
する位置にビア用貫通孔を空けたプリプレグを上記下部
絶縁層の上面および下部配線層の上面に重ねる工程と、
加熱して上記プリプレグを硬化させて、層間絶縁層とす
る工程と、該層間絶縁層の上面を整面し、上記ビアの頂
部を露出させる工程と、上記層間絶縁層の上面に、上記
露出したビアと接続する上部配線層を形成する工程と、
を有する配線基板の製造方法とすると良い。
That is, one end of the wire is fixed to a predetermined position on the upper surface of the lower wiring layer formed on the lower insulating layer by a wire bonding method, and the wire is fixed at a predetermined height. Forming a via standing in the
A step of superimposing a prepreg having a through hole for a via at a position corresponding to the via standing in advance on the upper surface of the lower insulating layer and the upper surface of the lower wiring layer while the via is standing,
Heating and curing the prepreg to form an interlayer insulating layer, leveling the upper surface of the interlayer insulating layer, exposing the top of the via, and exposing the upper surface of the interlayer insulating layer to the upper surface of the interlayer insulating layer. Forming an upper wiring layer connected to the via;
And a method of manufacturing a wiring board having the following.

【0053】このようにすれば、上記請求項2に記載の
発明で得られる作用及び効果に加え、下部絶縁層および
下部配線層とプリプレグとを重ねて、プリプレグを硬化
させるだけで、容易に層間絶縁層を形成できる。なお、
プリプレグには、前述したように、樹脂ペーストを半硬
化状態としたものや、ガラス不織布等の繊維に樹脂ペー
ストを含浸させて半硬化状態としたものなどがあるま
た、プリプレグを硬化させるには、単に加熱するだけで
も良いが、真空熱プレスによって、プレスしつつ加熱す
るのが望ましい。ビア用貫通孔にも樹脂が流動して、こ
れらの貫通孔を確実に埋めることが出来るからである。
In this way, in addition to the functions and effects obtained by the second aspect of the present invention, the lower insulating layer and the lower wiring layer are stacked on the prepreg, and the prepreg is cured, and the interlayer is easily formed. An insulating layer can be formed. In addition,
As described above, prepregs include those in which a resin paste is in a semi-cured state, those in which a resin such as a glass nonwoven fabric is impregnated with a resin paste to be in a semi-cured state, and the like. Although heating may be performed simply, it is desirable to heat while pressing by a vacuum hot press. This is because the resin also flows into the via-holes and can reliably fill these through-holes.

【0054】さらに、請求項4に記載の解決手段は、上
面を有し、ビアを立設するためのビア立設用パッドをこ
の上面に有するベース基板と、上部配線層と、上記ビア
立設用パッドと上部配線層との間に介在するパッド配線
間絶縁層と、上記ビア立設用パッドと上部配線層とを接
続するビアであって、予め成形されたワイヤからなり、
上記パッド配線間絶縁層内に埋め込まれてなるビアと、
を有する配線基板である。
Further, according to a fourth aspect of the present invention, there is provided a base substrate having an upper surface and a via erecting pad for erecting a via on the upper surface; an upper wiring layer; A pad wiring interposed between the pad and the upper wiring layer, and a via for connecting the via standing pad and the upper wiring layer, comprising a preformed wire,
A via embedded in the insulating layer between pad wirings,
It is a wiring board having.

【0055】本発明によれば、ビアが予め成形されたワ
イヤで出来ているので、ビアをメッキ等で形成する場合
に比較して、ビアの導電性を高くできる。また、強度が
高いため、上部配線層とベース基板やパッド配線間絶縁
層との熱膨張率の違いなどによって生じる応力がビアに
掛かっても、ビアにクラックが入ることがない。また、
導電性や強度を考慮してビアの径を変えるのに、ワイヤ
の径を変えれば足りる。
According to the present invention, since the via is made of a preformed wire, the conductivity of the via can be made higher than when the via is formed by plating or the like. Further, since the strength is high, the via does not crack even if stress is applied to the via due to a difference in thermal expansion coefficient between the upper wiring layer and the base substrate or the insulating layer between pad wirings. Also,
To change the diameter of the via in consideration of conductivity and strength, it is sufficient to change the diameter of the wire.

【0056】ここで、ビアを構成するワイヤの材質とし
ては、銅、銅合金、銀、金、アルミニウム、アルミニウ
ム合金等が挙げられ、ビア立設用パッド及び上部配線層
の材質を考慮して選択するとよい。上部配線層の材質に
は、銅、銀、金、ニッケル等が挙げられる。また、ビア
立設用パッドの材質も、銅、銀、金、ニッケル等が挙げ
られるが、さらに、タングステンやモリブデン等を基材
とし、表面に銅、銀、金、ニッケル等からなる層を形成
しても良い。さらに、パッド配線間絶縁層の材質として
は、エポキシ、ポリイミド、BT等の樹脂や、これらの
樹脂とガラス繊維やポリマー繊維等との複合材料等を用
いることができる。
Here, the material of the wire forming the via includes copper, copper alloy, silver, gold, aluminum, aluminum alloy and the like, and is selected in consideration of the material of the via standing pad and the upper wiring layer. Good to do. Examples of the material of the upper wiring layer include copper, silver, gold, nickel, and the like. Also, the material of the via-standing pad may be copper, silver, gold, nickel or the like. You may. Further, as a material of the insulating layer between pad wirings, a resin such as epoxy, polyimide, or BT, or a composite material of these resins with glass fiber, polymer fiber, or the like can be used.

【0057】また、ベース基板の材質としては、その上
面にビア立設用パッドを形成でき、パッド配線間絶縁層
等を形成する際の加熱等に耐えられる耐熱性を有するも
のの中から適宜選択すればよい。具体的には、アルミ
ナ、窒化アルミニウム等のセラミックからなる基板や、
ガラスエポキシ等の複合材料からなる基板等が挙げられ
る。特に、セラミック製のベース基板を用いると、配線
基板全体の剛性が向上するので、好ましい。なお、この
ベース基板内にも、配線が形成されたものを用いると、
さらに、高密度配線を実現することが出来る。
The material of the base substrate may be appropriately selected from those having heat resistance capable of forming a via-standing pad on the upper surface thereof and resisting heating or the like when forming an insulating layer between pad wirings. I just need. Specifically, a substrate made of ceramics such as alumina and aluminum nitride,
Substrates made of a composite material such as glass epoxy are exemplified. In particular, it is preferable to use a ceramic base substrate because the rigidity of the entire wiring substrate is improved. In addition, when a wiring board is used in this base substrate,
Further, high-density wiring can be realized.

【0058】さらに、請求項5に記載の解決手段は、ベ
ース基板の上面に形成されたビア立設用パッドに、ワイ
ヤボンディング法により、ワイヤの一端を固着し、かつ
該ワイヤを所定高さに立設したビアを形成する工程と、
上記ビアを立設したまま、上記ベース基板の上面に未硬
化絶縁物を配置する工程と、加熱して上記未硬化絶縁物
を硬化させ、パッド配線間絶縁層とする工程と、該パッ
ド配線間絶縁層の上面を整面し、上記ビアの頂部を露出
させる工程と、上記パッド配線間絶縁層の上面に、上記
露出したビアと接続する上部配線層を形成する工程と、
を有する配線基板の製造方法である。
Further, according to a fifth aspect of the present invention, one end of a wire is fixed to a via-standing pad formed on an upper surface of a base substrate by a wire bonding method, and the wire is set at a predetermined height. Forming an erect via,
Placing the uncured insulator on the upper surface of the base substrate with the vias standing; heating and curing the uncured insulator to form an insulating layer between pad wirings; Leveling the upper surface of the insulating layer, exposing the top of the via, and forming an upper wiring layer connected to the exposed via on the upper surface of the inter-pad wiring insulating layer;
This is a method for manufacturing a wiring board having:

【0059】本発明によれば、ワイヤボンディング法に
より予め成形されたワイヤを用いたビアを形成すること
が出来る。ワイヤは予め成形されているので、従来のよ
うにメッキ等で形成する工程が不要であり、様々な薬品
を使用するメッキ液やメッキ装置、洗浄装置等が不要と
なるので、安価に形成できる。また、予め成形されたワ
イヤを用いるので、ビアの導電性が高く、かつ強度が高
い。
According to the present invention, a via using a wire formed in advance by a wire bonding method can be formed. Since the wire is formed in advance, the step of forming the wire by plating or the like as in the related art is not required, and a plating solution using various chemicals, a plating device, a cleaning device, and the like are not required, so that the wire can be formed at low cost. In addition, since a preformed wire is used, the via has high conductivity and high strength.

【0060】ここで、ビア立設用パッドに、ワイヤボン
ディング法によりワイヤを立設する方法としては、既に
公知の技法によって形成すればよく、例えば、熱圧着や
超音波圧着によってワイヤの一端をビア立設用パッドに
固着する。
Here, as a method of erecting a wire on the via erecting pad by a wire bonding method, it is sufficient to form the wire by a known technique. For example, one end of the wire may be formed by thermocompression or ultrasonic compression. Adhere to the standing pad.

【0061】また、未硬化絶縁物を配置する方法として
は、樹脂ペーストを用いる場合には、スプレー法、カレ
ンダー法、スピンコート法等により、ベース基板上に樹
脂ペーストを塗布する方法が挙げられる。即ち、請求項
5に記載の配線基板の製造方法において、前記未硬化絶
縁物を配置する工程は、樹脂ペーストを前記ベース基板
の上面に塗布する工程であることを特徴とすると良い。
このようにすると、立設したワイヤの配置に拘わらず、
確実に未硬化絶縁物を配置でき、予めプリプレグに貫通
孔を形成しておく等の作業が不要となる。
As a method of disposing the uncured insulator, when a resin paste is used, a method of applying the resin paste on the base substrate by a spray method, a calendar method, a spin coating method, or the like can be mentioned. That is, in the method of manufacturing a wiring board according to claim 5, the step of disposing the uncured insulator may be a step of applying a resin paste to the upper surface of the base substrate.
In this way, regardless of the arrangement of the standing wires,
The uncured insulator can be reliably disposed, and the work of forming a through-hole in the prepreg in advance becomes unnecessary.

【0062】また、未硬化絶縁物の配置方法として、予
め立設したビアに対応する位置に貫通孔(ビア用貫通
孔)を空けたプリプレグを用意し、この貫通孔をビアが
貫通するようにして、プリプレグをベース基板の上面に
重ねる方法が挙げられる。即ち、請求項5に記載の配線
基板の製造方法において、前記未硬化絶縁物を配置する
工程は、予め前記立設したビアに対応する位置にビア用
貫通孔を空けたプリプレグを前記ベース基板の上面に重
ねることを特徴とすると良い。
As a method of arranging the uncured insulator, a prepreg having a through-hole (through-hole for via) provided at a position corresponding to a via which has been set up in advance is prepared so that the via penetrates the through-hole. Then, there is a method in which a prepreg is overlaid on the upper surface of the base substrate. That is, in the method of manufacturing a wiring board according to claim 5, the step of arranging the uncured insulating material includes a step of forming a prepreg having a through hole for a via at a position corresponding to the erected via in advance. It is good to be characterized by overlapping on the upper surface.

【0063】即ち、請求項6に記載のごとく、ベース基
板の上面に形成されたビア立設用パッドに、ワイヤボン
ディング法により、ワイヤの一端を固着し、かつ該ワイ
ヤを所定高さに立設したビアを形成する工程と、上記ビ
アを立設したまま、予め上記立設したビアに対応する位
置にビア用貫通孔を空けたプリプレグを上記ベース基板
の上面に重ねる未硬化絶縁物を配置する工程と、加熱し
て上記プリプレグ未硬化絶縁物を硬化させ、パッド配線
間絶縁層とする工程と、該パッド配線間絶縁層の上面を
整面し、上記ビアの頂部を露出させる工程と、上記パッ
ド配線間絶縁層の上面に、上記露出したビアと接続する
上部配線層を形成する工程と、を有する配線基板の製造
方法とすると良い。
That is, one end of the wire is fixed to a via-standing pad formed on the upper surface of the base substrate by a wire bonding method, and the wire is erected at a predetermined height. Forming a via that has been formed, and disposing an uncured insulator in which a prepreg having a via hole formed in advance at a position corresponding to the via that has been erected is placed on the upper surface of the base substrate while the via is erected. A step of heating and curing the prepreg uncured insulating material to form an insulating layer between pad wirings, a step of adjusting the upper surface of the insulating layer between pad wirings, and exposing a top part of the via, Preferably, a method for manufacturing a wiring board, comprising: forming an upper wiring layer connected to the exposed via on the upper surface of the pad wiring insulating layer.

【0064】このようにすれば、上記請求項5に記載の
発明で得られる作用及び効果に加え、ベース基板とプリ
プレグとを重ねて、プリプレグを硬化させるだけで、容
易にパッド配線間絶縁層を形成できる。なお、プリプレ
グには、前述したように、樹脂ペーストを半硬化状態と
したものや、ガラス不織布等の繊維に樹脂ペーストを含
浸させて半硬化状態としたものなどがある。また、プリ
プレグを硬化させるには、単に加熱するだけでも良い
が、真空熱プレスによって、プレスしつつ加熱するのが
望ましい。ビア用貫通孔にも樹脂が流動して、これらの
貫通孔を確実に埋めることが出来るからである。
In this way, in addition to the functions and effects obtained by the fifth aspect of the present invention, the insulating layer between pad wirings can be easily formed only by laminating the base substrate and the prepreg and curing the prepreg. Can be formed. As described above, the prepreg includes a prepreg in which a resin paste is in a semi-cured state, and a prepreg in which fibers such as a glass nonwoven fabric are impregnated with a resin paste to be in a semi-cured state. In order to cure the prepreg, it is sufficient to simply heat it, but it is desirable to heat it while pressing it by a vacuum hot press. This is because the resin also flows into the via-holes and can reliably fill these through-holes.

【0065】[0065]

【発明の実施の形態】(実施形態1)本発明の第1の実
施の形態を、図面と共に説明する。図1は、本実施形態
に掛かる配線基板100の構造を説明するための部分拡
大断面図である。この配線基板100は、コア基板であ
る金属板101を中心として、図中上下方向に、それぞ
れ3層の絶縁層を有し、またそれぞれ3層の配線層を備
えている。金属板101は、銅からなり、上面101a
と下面101bの間を貫通する貫通孔101hが所定位
置に形成されている。また、金属板101の上面101
aおよび下面101bには、それぞれエポキシ樹脂から
なる第1絶縁層103および第2絶縁層105が形成さ
れており、さらに、貫通孔101h内には、孔内絶縁層
107としてエポキシ樹脂が充填されている。
(Embodiment 1) A first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a partially enlarged cross-sectional view for explaining a structure of a wiring board 100 according to the present embodiment. The wiring board 100 has three insulating layers in the vertical direction in the figure with respect to the metal plate 101 as a core substrate, and has three wiring layers. The metal plate 101 is made of copper and has an upper surface 101a.
A through hole 101h penetrating between the lower surface 101b and the lower surface 101b is formed at a predetermined position. Also, the upper surface 101 of the metal plate 101
A first insulating layer 103 and a second insulating layer 105 made of an epoxy resin are formed on the lower surface 101a and the lower surface 101b, respectively. I have.

【0066】また、銅からなる層間用金属柱109が、
貫通孔101hの中心、即ち、孔内絶縁層107の中心
を貫き、さらに第1および第2絶縁層103,105を
も貫いて形成されている。またこの層間用金属柱109
は、予め成形された銅ワイヤを各絶縁層内に埋め込んだ
ものであり、第1絶縁層103の上面103a上に形成
された複数の第1配線層111と、第2絶縁層105の
下面105b上に形成された複数の第2配線層112と
の間を接続している。なお、これらの配線層はいずれも
銅からなる。
The interlayer metal pillar 109 made of copper is
It is formed so as to penetrate the center of the through hole 101h, that is, the center of the in-hole insulating layer 107, and further penetrate the first and second insulating layers 103 and 105. Also, the metal pillar 109 for the interlayer
A plurality of first wiring layers 111 formed on the upper surface 103a of the first insulating layer 103 and lower surfaces 105b of the second insulating layer 105 A connection is made between a plurality of second wiring layers 112 formed thereon. Each of these wiring layers is made of copper.

【0067】さらに、この第1配線層111の所定位置
には、銅ワイヤからなる第1ビア113が立設されてお
り、第1絶縁層103および第1配線層111上に形成
されたエポキシ樹脂からなる第1層間絶縁層115内に
埋め込まれている。また、この第1ビア113は、第1
配線層111と、第1層間絶縁層115の上面115a
上に形成された銅からなる第3配線層117と、を接続
している。同様に、第2配線層112の所定位置には、
銅ワイヤからなる第2ビア114が立設されており、第
2絶縁層105および第2配線層112上に形成された
第2層間絶縁層116内に埋め込まれている。また、こ
の第2ビア114は、第1配線層112と、第2層間絶
縁層116の下面116b上に形成された第4配線層1
18と、を接続している。
Further, a first via 113 made of a copper wire is provided upright at a predetermined position of the first wiring layer 111, and an epoxy resin formed on the first insulating layer 103 and the first wiring layer 111 is formed. Embedded in the first interlayer insulating layer 115 made of. In addition, the first via 113
Wiring layer 111 and upper surface 115 a of first interlayer insulating layer 115
The third wiring layer 117 made of copper formed thereon is connected. Similarly, at a predetermined position of the second wiring layer 112,
A second via 114 made of a copper wire is provided upright, and is buried in a second interlayer insulating layer 116 formed on the second insulating layer 105 and the second wiring layer 112. The second via 114 is formed between the first wiring layer 112 and the fourth wiring layer 1 formed on the lower surface 116 b of the second interlayer insulating layer 116.
18 is connected.

【0068】さらに同様に、第3配線層117の所定位
置には、第3ビア119が立設されており、第1層間絶
縁層115の上面115a上に形成された第3層間絶縁
層121内に埋め込まれている。また、この第3ビア1
17は、第3配線層117と、第3層間絶縁層121の
上面121a上に形成された第5配線層123と、を接
続している。また同様に、第4配線層118の所定位置
には、第4ビア120が立設されており、第2層間絶縁
層116の下面116b上に形成された第4層間絶縁層
122内に埋め込まれている。また、この第4ビア12
0は、第4配線層118と、第4層間絶縁層122の下
面122b上に形成された第6配線層124と、を接続
している。
Similarly, a third via 119 is provided upright at a predetermined position of the third wiring layer 117, and is formed in the third interlayer insulating layer 121 formed on the upper surface 115 a of the first interlayer insulating layer 115. Embedded in Also, the third via 1
Reference numeral 17 connects the third wiring layer 117 to the fifth wiring layer 123 formed on the upper surface 121a of the third interlayer insulating layer 121. Similarly, a fourth via 120 is provided upright at a predetermined position of the fourth wiring layer 118, and is embedded in the fourth interlayer insulating layer 122 formed on the lower surface 116 b of the second interlayer insulating layer 116. ing. Also, the fourth via 12
Numeral 0 connects the fourth wiring layer 118 to the sixth wiring layer 124 formed on the lower surface 122b of the fourth interlayer insulating layer 122.

【0069】かかる配線基板100においては、中心の
コア基板として金属板101を用いており、従来のよう
にガラス−エポキシ樹脂複合材料等をコア基板としてい
ないので、貫通孔101hを穿孔したときにクラックを
生じない。また、層間用金属柱109は、予め成形され
た銅ワイヤであり、メッキによって貫通孔内に形成され
たものではないので、メッキ液や洗浄液が貫通孔101
hに触れることもない。従って、貫通孔101h(従っ
て、層間用金属柱109)の間隔を小さくしても、絶縁
抵抗が低下することはない。
In such a wiring board 100, the metal plate 101 is used as the central core board, and the glass-epoxy resin composite material or the like is not used as the core board as in the prior art. Does not occur. The interlayer metal pillar 109 is a copper wire formed in advance and is not formed in the through hole by plating.
I don't touch h. Therefore, even if the distance between the through-holes 101h (therefore, the interlayer metal pillars 109) is reduced, the insulation resistance does not decrease.

【0070】さらに、層間用金属柱109は、予め成形
された銅ワイヤであるので、例えば、同様な寸法の層間
用金属柱をメッキによって形成した場合に比較して、導
電率も高く、第1配線層111と第2配線層112とを
低抵抗で接続することができる。さらに、銅ワイヤであ
るため、緻密で強度も高い。従って、金属板101と第
1、第2絶縁層103,105等との熱膨張率の違いに
起因する応力等が層間用金属柱109に掛かっても、ク
ラックを生じて破断することがないため、信頼性の高い
配線基板100とすることができる。
Furthermore, since the interlayer metal pillar 109 is a copper wire formed in advance, the conductivity is higher than that of, for example, a case where the interlayer metal pillar of the same size is formed by plating, and the first metal pillar 109 has the first conductivity. The wiring layer 111 and the second wiring layer 112 can be connected with low resistance. Furthermore, since it is a copper wire, it is dense and has high strength. Therefore, even if a stress or the like due to a difference in the coefficient of thermal expansion between the metal plate 101 and the first and second insulating layers 103 and 105 is applied to the interlayer metal pillar 109, a crack is not generated and it is not broken. Thus, the wiring board 100 having high reliability can be obtained.

【0071】また、この配線基板100は、例えば、第
1配線層111を下部配線層とし、第3配線層117を
上部配線層とすると、この間に形成された第1層間絶縁
層115内には、第1配線層(下部配線層)111と第
3配線層(上部配線層)117とを接続し、ワイヤから
なる第1ビア113が埋め込まれた状態で形成されてい
る。
In this wiring board 100, for example, when the first wiring layer 111 is a lower wiring layer and the third wiring layer 117 is an upper wiring layer, the first interlayer insulating layer 115 formed therebetween has The first wiring layer (lower wiring layer) 111 and the third wiring layer (upper wiring layer) 117 are connected to each other, and the first via layer 113 made of a wire is embedded therein.

【0072】ビア113も、予め成形された銅ワイヤか
らなるので、例えば、同様な寸法のビアをメッキによっ
て形成した場合に比較して、導電率も高くなり、第1配
線層111と第3配線層117とを低抵抗で接続するこ
とができる。さらに、銅ワイヤは、緻密で強度も高い。
従って、第1、第3配線層111,117等と、第1層
間絶縁層115等との熱膨張率の違いに起因する応力等
がビア113に掛かっても、クラックを生じて破断する
ことがないため、信頼性の高い配線基板100とするこ
とができる。なお、同様な関係は、第2〜第4ビア11
4,119,120についても言えることである。
Since the via 113 is also made of a copper wire formed in advance, the conductivity is higher than when, for example, a via of similar dimensions is formed by plating, and the first wiring layer 111 and the third wiring are formed. The layer 117 can be connected with low resistance. Further, copper wires are dense and have high strength.
Therefore, even if stress or the like due to a difference in the coefficient of thermal expansion between the first and third wiring layers 111 and 117 and the first interlayer insulating layer 115 and the like is applied to the via 113, a crack may occur and break. Therefore, the wiring board 100 can have high reliability. Note that a similar relationship is established between the second to fourth vias 11.
This is also true for 4,119,120.

【0073】ついで、この配線基板100の製造方法に
ついて説明する。図2〜図4は、配線基板100の製造
工程を説明する説明図である。まず、銅からなる金属板
101を用意し、図2(a) に示すように、所定位置に貫
通孔101hを穿孔する。別途、銅からなる底板Hを用
意し、この上面Haのうち、貫通孔101hに対応する
位置に、ワイヤボンディング法により、銅からなるワイ
ヤの一端を固着し、さらに所定長さに切断して立設し
て、層間用金属柱W0を備える金属柱立設体Sを形成す
る(図2(b) 参照)。本例では、銅線の先端をトーチで
溶融させてボール状とし、キャピラリで底板H上に圧着
しつつ加熱して、底板上面Haに金属柱W0を固着した
ため、図2(b) に示すように、固着部分W0hは、径大
のネイルヘッド(釘頭)状の形状となる。
Next, a method of manufacturing the wiring board 100 will be described. FIG. 2 to FIG. 4 are explanatory diagrams illustrating the manufacturing process of the wiring board 100. First, a metal plate 101 made of copper is prepared, and a through hole 101h is formed at a predetermined position as shown in FIG. Separately, a bottom plate H made of copper is prepared, one end of a wire made of copper is fixed to a position corresponding to the through hole 101h on the upper surface Ha by a wire bonding method, and further cut into a predetermined length to stand. The metal pillar standing body S including the interlayer metal pillar W0 is formed (see FIG. 2B). In this example, the tip of the copper wire was melted with a torch into a ball shape, and heated while being pressed against the bottom plate H with a capillary to fix the metal column W0 on the bottom plate upper surface Ha, as shown in FIG. 2 (b). In addition, the fixed portion W0h has a nail head (nail head) shape having a large diameter.

【0074】なお、金属板101の上下面101a、1
01bおよび貫通孔101h内、さらに層間用金属柱W
0の表面は、後で形成する第1、第2絶縁層及び孔内絶
縁層との密着性を向上させるため、表面を粗化しておく
のが良く、具体的には、公知の手法である、黒化処理、
マイクロエッチング、あるいは針状Ni−Cuメッキ等
の手法が挙げられる。本例では、図示しないが、黒化処
理を用いた。
Note that the upper and lower surfaces 101a, 1
01b and the through-hole 101h, and the metal pillar W for interlayer
The surface of 0 is preferably roughened in order to improve the adhesion to the first and second insulating layers and the in-hole insulating layer to be formed later, and is a known method. , Blackening treatment,
Techniques such as micro-etching and needle-like Ni-Cu plating are mentioned. In this example, although not shown, a blackening process was used.

【0075】ついで、金属板101と金属柱立設体Sの
2者を組み合わせる。即ち、まず金属柱立設体Sの底板
上面Haに、エポキシ樹脂ペーストをスピンコート法に
より塗布し、さらに、この上に金属板101の下面10
1bと底板上面Haとが向き合うようにして金属板10
1を載せる。このとき、貫通孔101h内を層間用金属
柱W0が貫通するように配置する。さらに、金属板10
1の上面に、スピンコート法により同じエポキシ樹脂ペ
ーストを塗布する。
Next, the metal plate 101 and the metal pillar standing body S are combined. That is, first, an epoxy resin paste is applied to the bottom plate upper surface Ha of the metal pillar standing body S by spin coating, and further, the lower surface 10 of the metal plate 101 is further coated thereon.
1b and the bottom plate upper surface Ha so that they face each other.
Put 1 on. At this time, the metal pillars W0 for interlayer are arranged so as to pass through the through holes 101h. Further, the metal plate 10
The same epoxy resin paste is applied to the upper surface of 1 by spin coating.

【0076】このようにすると、貫通孔101h内にも
エポキシ樹脂ペーストが充填される。その後、加熱して
エポキシ樹脂を硬化させることで、図2(c) に示すよう
に、金属板下面101bと底板上面Haとの間には、第
2絶縁層105’が形成され、同様に、金属板上面10
1aには、第1絶縁層103’が形成される。また、貫
通孔101h内には、孔内絶縁層107が形成される。
このようにすることにより、底板Hに立設された層間用
金属柱W0は第1、第2絶縁層103’,105’およ
び孔内絶縁層107内に埋め込まれた状態となる。
In this manner, the through-hole 101h is filled with the epoxy resin paste. Then, by heating and curing the epoxy resin, a second insulating layer 105 'is formed between the lower surface 101b of the metal plate and the upper surface Ha of the metal plate, as shown in FIG. 2 (c). Metal plate upper surface 10
1a, a first insulating layer 103 'is formed. In the through-hole 101h, an in-hole insulating layer 107 is formed.
By doing so, the metal pillar W0 for the interlayer standing upright on the bottom plate H is buried in the first and second insulating layers 103 'and 105' and the in-hole insulating layer 107.

【0077】その後、底板Hをエッチングにより溶解し
て除去し、さらに、第1絶縁層103’の上面および第
2絶縁層105’下面を所定の厚さに研磨して整面する
と共に、層間用金属柱W0の上下端面をそれぞれ露出さ
せる。これにより、図2(d)に示すように、金属板10
1の上下に第1絶縁層103および第2絶縁層105が
形成される。また、第1、第2絶縁層103,105お
よび孔内絶縁層107を貫通し、端面109a,bがそ
れぞれ第1絶縁層上面103aおよび第2絶縁層下面1
05bから露出した層間用金属柱109が形成される。
このように、以上の工程においては、メッキ法を用いる
ことも無く、また、樹脂層にドリル等によって穿孔する
こともないので、従来のように、コア基板として用いた
ガラス−エポキシ樹脂複合材料等にクラックが生じ、こ
のクラック内にメッキ液や洗浄液が浸透する心配がな
い。
Thereafter, the bottom plate H is dissolved and removed by etching, and the upper surface of the first insulating layer 103 'and the lower surface of the second insulating layer 105' are polished to a predetermined thickness to form a surface. The upper and lower end surfaces of the metal pillar W0 are respectively exposed. As a result, as shown in FIG.
A first insulating layer 103 and a second insulating layer 105 are formed above and below the first insulating layer 103. Further, the end surfaces 109a and 109b penetrate the first and second insulating layers 103 and 105 and the in-hole insulating layer 107, respectively, and have the first insulating layer upper surface 103a and the second insulating layer lower surface 1 respectively.
Interlayer metal pillars 109 exposed from 05b are formed.
As described above, in the above steps, the plating method is not used, and the resin layer is not perforated with a drill or the like, so that the glass-epoxy resin composite material used as the core substrate as in the related art is used. Cracks are generated, and there is no fear that a plating solution or a cleaning solution permeates into the cracks.

【0078】さらに、第1絶縁層上面103a上及び第
2絶縁層下面105b上に、サブトラクティブ法により
第1、第2配線層111,112を形成する。即ち、図
3(a) に示すように、無電解メッキおよび電解メッキに
より、第1絶縁層上面103a上および第2絶縁層下面
105b上の全面に、それぞれ銅層C1,C2を形成す
る。この銅層C1,C2は、後述する第1、第2配線層
を形成するためのもので、層間用金属柱109と銅層C
1,C2とは、端面109a,bでそれぞれ接続・導通
している。
Further, the first and second wiring layers 111 and 112 are formed on the first insulating layer upper surface 103a and the second insulating layer lower surface 105b by a subtractive method. That is, as shown in FIG. 3A, copper layers C1 and C2 are formed on the entire surface of the first insulating layer upper surface 103a and the second insulating layer lower surface 105b by electroless plating and electrolytic plating, respectively. The copper layers C1 and C2 are for forming first and second wiring layers to be described later.
1 and C2 are connected and conductive at end faces 109a and 109b, respectively.

【0079】なお、銅層C1,C2(第1、第2配線層
111,112)を形成するのに先立ち、整面された第
1絶縁層上面103aおよび第2絶縁層上面105bを
粗化処理し、銅層C1,C2(第1,第2配線層11
1,112)との密着性を向上させるのが好ましい。具
体的には、公知の手法として、過マンガン酸カリウムや
過マンガン酸ナトリウム等の酸化剤を用いて粗化処理す
る方法が挙げられる。本例では、図示しないが、過マン
ガン酸ナトリウムで粗化処理をした。
Prior to forming the copper layers C1 and C2 (the first and second wiring layers 111 and 112), the first and second insulating layer upper surfaces 103a and 105b are roughened. And copper layers C1 and C2 (first and second wiring layers 11).
1,112) is preferably improved. Specifically, a known method includes a method of performing a roughening treatment using an oxidizing agent such as potassium permanganate or sodium permanganate. In this example, although not shown, roughening treatment was performed with sodium permanganate.

【0080】ついで、この銅層C1,C2上に、それぞ
れ所定パターンのエッチングレジストD1,D2を形成
する。具体的には、フォトレジストを銅層C1,C2上
に全面に塗布し、露光・現像してエッチングレジストD
1,D2を形成する。
Next, etching resists D1 and D2 having a predetermined pattern are formed on the copper layers C1 and C2, respectively. Specifically, a photoresist is applied on the entire surface of the copper layers C1 and C2, and is exposed and developed to form an etching resist D.
1 and D2 are formed.

【0081】その後、露出した銅層C1,C2をエッチ
ングにより除去し、さらにエッチングレジストD1,D
2も除去することにより、図3(b) に示すように、第
1、第2絶縁層103,105上に第1、第2配線層1
11,112をそれぞれ形成する。第1配線層111と
第2配線層112とは、層間用金属柱109を介して電
気的に接続している。
Thereafter, the exposed copper layers C1 and C2 are removed by etching, and the etching resists D1 and D2 are further removed.
2B, the first and second wiring layers 1 and 2 are formed on the first and second insulating layers 103 and 105, as shown in FIG.
11 and 112 are respectively formed. The first wiring layer 111 and the second wiring layer 112 are electrically connected via an interlayer metal pillar 109.

【0082】さらに、第1配線層111の上面111a
の所定位置および第2配線層112の下面112bの所
定位置に、ワイヤボンディング法により銅からなるワイ
ヤを用いて、それぞれ第1ビア113および第2ビア1
14を形成する。即ち、銅からなるワイヤの一端を固着
し、さらに所定長さに切断して立設し、ビアとする。本
例では、銅線の先端をトーチで溶融させてボール状と
し、キャピラリで第1、第2配線層111,112上に
圧着しつつ加熱してワイヤを固着したため、図3(c) に
示すように、ビアの固着部分113h,114hは、ネ
イルヘッド状の形状となる。その後、第1、第2配線層
111,112の表面、およびビア113,114の表
面を、前記したのと同様に粗化処理すると良い。本例で
は、黒化処理を行った。
Further, the upper surface 111a of the first wiring layer 111
The first via 113 and the second via 1 are respectively formed at predetermined positions on the lower surface 112b of the second wiring layer 112 by using a wire made of copper by a wire bonding method.
14 is formed. That is, one end of a wire made of copper is fixed, and further cut to a predetermined length to be erected to form a via. In this example, the tip of the copper wire was melted with a torch to form a ball, and the wire was fixed by heating while pressing on the first and second wiring layers 111 and 112 with a capillary. As described above, the fixed portions 113h and 114h of the vias have a nail head shape. After that, the surfaces of the first and second wiring layers 111 and 112 and the surfaces of the vias 113 and 114 are preferably roughened in the same manner as described above. In this example, a blackening process was performed.

【0083】ついで、第1絶縁層上面103aおよび第
1配線層上面111a上に、また、第2絶縁層下面10
5bおよび第2配線層下面112b上に、カレンダーコ
ート法により、エポキシ樹脂ペーストを塗布し、第1、
第2ビア113,114を立設したまま樹脂ペーストで
埋めるようにする。さらに、加熱して、エポキシ樹脂ペ
ーストを硬化させ、第1層間絶縁層115’及び第2層
間絶縁層116’を形成する。このように、ビア(第
1、第2ビア)を形成するのに、ワイヤを用いたので、
ビア製造工程において、メッキや洗浄工程を経る必要が
無く、細い径の貫通孔内にメッキによってビアを形成す
る場合よりも、確実にビアが形成できる。
Then, on the first insulating layer upper surface 103a and the first wiring layer upper surface 111a, and on the second insulating layer lower surface
5b and the second wiring layer lower surface 112b, an epoxy resin paste is applied by a calendar coat method,
The second vias 113 and 114 are filled with a resin paste while standing upright. Further, the epoxy resin paste is cured by heating to form a first interlayer insulating layer 115 'and a second interlayer insulating layer 116'. As described above, since wires are used to form vias (first and second vias),
In the via manufacturing process, there is no need to go through a plating or cleaning process, and the via can be formed more reliably than in the case where the via is formed in the through hole having a small diameter by plating.

【0084】この第1、第2層間絶縁層115’,11
6’の表面を所定厚さに研磨し、図4(a) に示すよう
に、平坦に整面する。これにより、第1層間絶縁層11
5、第2層間絶縁層116が形成される。このとき、各
ビアの頂部、即ち、第1ビア113の上端113aおよ
び第2ビア114の下端114bが、それぞれ第1層間
絶縁層上面115aおよび第2層間絶縁層下面116b
から露出するようにする。さらに、第1、第2配線層1
11,112を形成したのと同様に、第1、第2層間絶
縁層の上下面115a,116bの表面をそれぞれ粗化
した上で、サブトラクティブ法により、第1層間絶縁層
上面115a上および第2層間絶縁層下面116b上
に、第3配線層117および第4配線層118を形成す
る。これにより、例えば、下部配線層となる第1配線層
111と、上部配線層となる第3配線層117とが、第
1層間絶縁層115を挟んで形成されており、この2つ
の配線層を第1ビア113が接続した構造となる。
The first and second interlayer insulating layers 115 ', 11
The surface of 6 'is polished to a predetermined thickness, and is flattened as shown in FIG. Thereby, the first interlayer insulating layer 11
5. A second interlayer insulating layer 116 is formed. At this time, the top of each via, that is, the upper end 113a of the first via 113 and the lower end 114b of the second via 114 are connected to the first interlayer insulating layer upper surface 115a and the second interlayer insulating layer lower surface 116b, respectively.
To be exposed. Further, the first and second wiring layers 1
Similarly to the case where the first and second interlayer insulating layers 11 and 112 are formed, the surfaces of the upper and lower surfaces 115a and 116b of the first and second interlayer insulating layers are respectively roughened, and then the first interlayer insulating layer upper surface 115a and the second interlayer insulating layer are formed by a subtractive method. A third wiring layer 117 and a fourth wiring layer 118 are formed on the lower surface 116b of the two-layer insulating layer. Thus, for example, the first wiring layer 111 serving as a lower wiring layer and the third wiring layer 117 serving as an upper wiring layer are formed with the first interlayer insulating layer 115 interposed therebetween. The structure is such that the first via 113 is connected.

【0085】同様にして、第3配線層上面117a及び
第4配線層下面118bに、ワイヤボンディング法によ
り第3、第4ビア119,120を形成し、各配線層お
よびビアを黒化処理する。その後、さらに、第1層間絶
縁層上面115aおよび第3配線層上面117a上に、
また、第2層間絶縁層下面116bおよび第4配線層下
面118b上に、エポキシ樹脂を塗布し硬化させて、第
3、第4層間絶縁層121’,122’を形成する(図
4(b)参照)。なお、第3、第4ビアを形成する位置
は、その下方又は上方に第1または第2ビア113,1
14がある位置でも良いし、無い位置でも良い。例え
ば、第1ビアと第3ビアが積み重ねられて形成された場
合には、いわゆるスタックドビアの構造となる。即ち、
本発明では、スタックドビアを容易に形成することがで
きる。
Similarly, third and fourth vias 119 and 120 are formed on the upper surface 117a of the third wiring layer and the lower surface 118b of the fourth wiring layer 118 by a wire bonding method, and the respective wiring layers and vias are blackened. Thereafter, further, on the first interlayer insulating layer upper surface 115a and the third wiring layer upper surface 117a,
Further, an epoxy resin is applied and cured on the second interlayer insulating layer lower surface 116b and the fourth wiring layer lower surface 118b to form the third and fourth interlayer insulating layers 121 'and 122' (FIG. 4B). reference). The third and fourth vias are formed below or above the first or second vias 113 and 1.
14 may or may not be located. For example, when the first via and the third via are formed by being stacked, a so-called stacked via structure is obtained. That is,
According to the present invention, a stacked via can be easily formed.

【0086】ついで、第3、第4層間絶縁層121’、
122’の表面を研磨して整面し、所定厚さの第3、第
4層間絶縁層121,122とし、さらに、その表面1
21a,122bから第3、第4ビアの頂部119a,
120bを露出させる(図4(c)参照)。
Next, the third and fourth interlayer insulating layers 121 ',
The surface of 122 ′ is polished and leveled to form third and fourth interlayer insulating layers 121 and 122 having a predetermined thickness.
21a, 122b to the top 119a, of the third and fourth vias.
120b is exposed (see FIG. 4C).

【0087】その後、前記した第1層間絶縁層等と同様
に、第3,第4絶縁層121,122の表面を粗化した
上で、サブトラクティブ法により、第3層間絶縁層上面
121aおよび第4層間絶縁層下面122b上に、それ
ぞれ第5,第6配線層123、124を形成し、図1に
示す配線基板100を完成した。なお、本実施形態で
は、例えば、下部配線層となる第3配線層117と、上
部配線層となる第5配線層123とが、第3層間絶縁層
121を挟んで形成されており、この2つの配線層を第
3ビア119が接続した構造となっている。
Then, similarly to the above-described first interlayer insulating layer and the like, the surfaces of the third and fourth insulating layers 121 and 122 are roughened, and the third interlayer insulating layer upper surface 121a and the second interlayer insulating layer 121 and 122 are formed by a subtractive method. The fifth and sixth wiring layers 123 and 124 were formed on the lower surface 122b of the four interlayer insulating layers, respectively, to complete the wiring board 100 shown in FIG. In the present embodiment, for example, a third wiring layer 117 serving as a lower wiring layer and a fifth wiring layer 123 serving as an upper wiring layer are formed with the third interlayer insulating layer 121 interposed therebetween. It has a structure in which one wiring layer is connected to a third via 119.

【0088】上記実施形態1においては、第1〜第6配
線層を、いずれもサブトラクティブ法によって形成した
例を示したが、セミアディティブ法やフルアディティブ
法等いずれの方法を用いて各配線層を形成しても良い。
即ち、例えば、セミアディティブ法によれば、一旦、絶
縁層(例えば第1絶縁層103)上全面に無電解メッキ
層を形成し、ついで所定パターンのメッキレジストを形
成する。さらに、無電解メッキ層を電極として電解メッ
キを施して露出部に電解メッキ層を立ち上げる。その
後、メッキレジストを除去し、エッチングにより露出し
た無電解メッキ層を除去することで独立パターンの配線
層(例えば、第1配線層111)を形成する。
In the first embodiment, the first to sixth wiring layers are formed by the subtractive method. However, each wiring layer is formed by any method such as the semi-additive method and the full-additive method. May be formed.
That is, for example, according to the semi-additive method, an electroless plating layer is formed on the entire surface of the insulating layer (for example, the first insulating layer 103), and then a plating resist having a predetermined pattern is formed. Further, electrolytic plating is performed using the electroless plated layer as an electrode to raise the electrolytic plated layer on the exposed portion. Thereafter, the plating resist is removed, and the electroless plating layer exposed by the etching is removed to form a wiring layer having an independent pattern (for example, the first wiring layer 111).

【0089】(実施形態2)つぎに、本発明の第2の実
施の形態を図5〜図7と共に説明する。本実施形態にお
ける配線基板200は、上記実施形態1において説明し
た配線基板100(図1参照)と同様な構造を有してい
るが、その製造方法や材質において異なる部分があるの
で、異なる部分を中心に説明し、同様な部分については
省略する。
(Embodiment 2) Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The wiring board 200 according to the present embodiment has a structure similar to that of the wiring board 100 (see FIG. 1) described in the first embodiment. The description will be centered, and similar parts will be omitted.

【0090】図5(a) に示す金属板201は、実施形態
1で使用したものと同様なものであり、上下面201
a,bの間を貫通する貫通孔201hが形成された銅板
である。一方、図5(b) に示す金属柱立設体S’は、実
施形態1で底板H上にワイヤボンディングによってワイ
ヤからなる層間用金属柱を形成したのとは異なり、底板
H’と層間用金属柱W0’とが、一体の部材から形成さ
れている。具体的には、金属柱立設体S’は、厚い銅板
を片面(図中上面)から、層間用金属柱W0’部分を残
しつつ、エッチングすることによって、形成したもので
ある。このようにすると、複数の層間用金属柱W0’を
同時に形成することができるので、多数の層間用金属柱
W0’を形成する場合に容易に金属柱立設体S’を形成
することができる。
The metal plate 201 shown in FIG. 5A is the same as that used in the first embodiment,
It is a copper plate in which a through hole 201h penetrating between a and b is formed. On the other hand, the metal pillar standing body S ′ shown in FIG. 5B is different from the first embodiment in that the interlayer metal pillars made of wires are formed on the bottom plate H by wire bonding. The metal column W0 'is formed from an integral member. Specifically, the metal pillar standing body S 'is formed by etching a thick copper plate from one surface (the upper surface in the figure) while leaving the interlayer metal pillar W0'. In this way, a plurality of interlayer metal pillars W0 'can be formed at the same time, so that when a large number of interlayer metal pillars W0' are formed, the metal pillar standing body S 'can be easily formed. .

【0091】なお、実施形態1と同様に、金属板201
及び層間用金属柱W0’の表面には、粗化処理として黒
化処理がなされている。また、以降の工程においても、
ビアや配線層に黒化処理を施すことも、実施形態1と同
様である。
Note that, as in the first embodiment, the metal plate 201
The surface of the interlayer metal pillar W0 'is subjected to a blackening treatment as a roughening treatment. In the subsequent steps,
Blackening the via and the wiring layer is the same as in the first embodiment.

【0092】ついで、図5(c) に示すように、この金属
板201と金属柱立設体S’とを組み合わせる。本実施
形態では、予め、層間用金属柱W0’に対応した位置に
貫通孔(金属柱用貫通孔)P1h,P2hをそれぞれ穿
孔した板状の第1、第2プリプレグP1,P2を用い
る。即ち、まず、底板H’の上面Ha’上に第2プリプ
レグP2を重ねる。このとき貫通孔P2hを層間用金属
柱W0’が貫通するようにする。ついで、金属板201
を第2プリプレグP2上に重ね、さらに、第1プレプレ
グP1を重ねる。このとき、貫通孔201hおよびP1
hを層間用金属柱W0’が貫通するようにする。
Next, as shown in FIG. 5 (c), the metal plate 201 and the metal pillar standing body S 'are combined. In this embodiment, plate-shaped first and second prepregs P1 and P2 in which through-holes (through-holes for metal pillars) P1h and P2h are drilled in advance at positions corresponding to the metal pillars W0 'for interlayer use, respectively. That is, first, the second prepreg P2 is overlaid on the upper surface Ha 'of the bottom plate H'. At this time, the interlayer metal pillar W0 'is made to penetrate the through hole P2h. Then, the metal plate 201
On the second prepreg P2, and further, the first prepreg P1. At this time, the through hole 201h and P1
h is formed so that the metal pillar for interlayer W0 'penetrates.

【0093】なお、第1、第2プリプレグP1,P2
は、いずれもガラス不織布にエポキシ樹脂ペーストを含
浸させて半硬化状態としたものであり、板状の形状を有
し、加熱によってエポキシ樹脂が軟化し、その後硬化し
てガラス繊維とエポキシ樹脂との複合材となるものであ
る。
The first and second prepregs P1 and P2
Are made by impregnating a glass non-woven fabric with an epoxy resin paste into a semi-cured state, have a plate-like shape, and the epoxy resin is softened by heating, and then cured to form a glass fiber and an epoxy resin. It becomes a composite material.

【0094】このようにして組み合わせた後、図中上下
方向から真空中でプレスしつつ加熱する。すると、第
1、第2プリプレグP1,P2中のエポキシ樹脂が軟化
・流動して、貫通孔201h内、および貫通孔P1h、
P2h内に充填され、その後硬化する。これにより、貫
通孔201h内には、エポキシ樹脂からなる孔内絶縁層
207が形成され、一方、金属板201の上下には、ガ
ラス−エポキシ樹脂複合材料からなる第1、第2絶縁層
203,205が形成される。また、金属柱W0’は、
孔内絶縁層207及び第1,第2絶縁層203,205
に埋め込まれた状態となる。
After assembling in this manner, heating is performed while pressing in vacuum from above and below in the figure. Then, the epoxy resin in the first and second prepregs P1 and P2 softens and flows, and the inside of the through-hole 201h and the through-hole P1h,
Filled in P2h, then cured. As a result, in-hole insulating layers 207 made of epoxy resin are formed in the through-holes 201h. 205 is formed. Also, the metal column W0 '
In-hole insulating layer 207 and first and second insulating layers 203 and 205
It will be embedded in the.

【0095】第1、第2プリプレグP1,P2を用いる
と、予め貫通孔P1h、P2hを形成しておく必要があ
るが、実施態様1で説明した樹脂ペーストを用いる場合
に比して、単に重ねるだけで済むので、工程が容易にな
る。また、絶縁層の厚さを所定の値に制御するのが容易
である利点もある。さらに、配線基板の強度や熱膨張率
を考慮すると、ガラス繊維等と樹脂とを複合化したもの
(複合材)を用いるのが好ましい。ガラス繊維等が含ま
れたプリプレグを用いた場合には、このような複合材を
用いた絶縁層を容易に形成できる点でも都合がよい。
When the first and second prepregs P1 and P2 are used, the through holes P1h and P2h need to be formed in advance. However, compared to the case where the resin paste described in the first embodiment is used, they are simply overlapped. , The process becomes easier. Another advantage is that it is easy to control the thickness of the insulating layer to a predetermined value. Further, in consideration of the strength and coefficient of thermal expansion of the wiring board, it is preferable to use a composite of glass fiber or the like and a resin (composite material). When a prepreg containing glass fiber or the like is used, it is convenient in that an insulating layer using such a composite material can be easily formed.

【0096】なお、プリプレグに貫通孔(例えばP1
h)を穿孔する際に、ガラス繊維とエポキシ樹脂との間
にクラックが発生するように考えられる。しかし、たと
えクラックが発生していたとしても、実際には、その後
の加熱処理により、エポキシ樹脂は軟化してガラス繊維
と密着するので、プリプレグの状態で貫通孔を穿孔する
ことによるクラック等の問題は生じない。
The prepreg has through holes (for example, P1
When perforating h), it is considered that a crack is generated between the glass fiber and the epoxy resin. However, even if cracks have occurred, the epoxy resin is actually softened by the subsequent heat treatment and adheres to the glass fibers. Therefore, problems such as cracks caused by drilling through holes in a prepreg state are caused. Does not occur.

【0097】その後、前記実施形態1と同様に、底板
H’を除去し、第1絶縁層203の上面203aおよび
第2絶縁層205の下面205bを研磨して整面し、層
間用金属柱209の上下面209a,bをそれぞれ露出
させる(図5(d)参照)。
Then, as in the first embodiment, the bottom plate H ′ is removed, and the upper surface 203 a of the first insulating layer 203 and the lower surface 205 b of the second insulating layer 205 are polished and leveled. The upper and lower surfaces 209a and 209b are exposed (see FIG. 5D).

【0098】ついで、前記実施形態1と同様に、第1絶
縁層上面203aおよび第2絶縁層下面205b上に、
第1、第2配線層211,212を形成する(図6(a)
参照)。なお、第1、第2配線層を、サブトラクティブ
法の他、セミアディティブ法やフルアディティブ法等を
用いて形成しても良いこと、整面された第1、第2絶縁
層の上下面203a,205bを粗化しておくことも、
実施形態1と同様である。さらに、後述する絶縁層の表
面(上下面)を粗化しておくのも同様である。
Next, as in the first embodiment, the first insulating layer upper surface 203a and the second insulating layer lower surface 205b are
First and second wiring layers 211 and 212 are formed (FIG. 6A).
reference). Note that the first and second wiring layers may be formed by using a semi-additive method, a full-additive method, or the like in addition to the subtractive method. , 205b may be roughened,
This is the same as in the first embodiment. Further, the same applies to roughening the surface (upper and lower surfaces) of an insulating layer described later.

【0099】さらに、図6(b) に示すように、この第
1,第2配線層211,212の所定位置に、ワイヤボ
ンディング法により、銅ワイヤからなる第1、第2ビア
213,214を形成する。この第1、第2ビア21
1,212の形成方法は、実施形態1と同様な方法によ
る。別途、予め第1、第2ビア211,212に対応す
る位置にそれぞれ貫通孔(ビア用貫通孔)P3h、P4
hを空けた第3,第4プリプレグP3,P4を用意して
おく。この第3プリプレグP3を、第1ビア211が貫
通孔P3h内に挿入されるようにして、第1配線層21
1の上面211a上に配置し、同様に、第4プリプレグ
P4を、第2ビア212が、貫通孔P4h内に挿入され
るようにして、第2配線層212の下面212b上に配
置する。なお、これらのプリプレグP3,P4も、上記
プリプレグと同様に、板状で、ガラス不織布にエポキシ
樹脂を含浸させて半硬化状態としたものである。
Further, as shown in FIG. 6B, first and second vias 213 and 214 made of copper wires are formed at predetermined positions of the first and second wiring layers 211 and 212 by a wire bonding method. Form. The first and second vias 21
The method for forming 1 and 212 is the same as in the first embodiment. Separately, through-holes (via through-holes) P3h and P4 are provided in advance at positions corresponding to the first and second vias 211 and 212, respectively.
The third and fourth prepregs P3 and P4 with h are prepared. The third prepreg P3 is inserted into the first wiring layer 21 such that the first via 211 is inserted into the through hole P3h.
Similarly, the fourth prepreg P4 is arranged on the lower surface 212b of the second wiring layer 212 such that the second via 212 is inserted into the through hole P4h. In addition, these prepregs P3 and P4 are also plate-like, and are made into a semi-cured state by impregnating a glass nonwoven fabric with an epoxy resin, similarly to the above-mentioned prepreg.

【0100】その後、第3,第4プリプレグP3,P4
を上下から真空中でプレスしつつ加熱する。すると、プ
リプレグ内のエポキシ樹脂が軟化・流動して、貫通孔P
3h、P4h内を埋め、さらに、エポキシ樹脂の流動及
びガラス繊維の変形により、第1、第2配線層211,
212間の第1、第2絶縁層の上下面203a,205
bが露出した部分にも、エポキシ樹脂やガラス繊維が埋
められて、硬化する。これにより、第1絶縁層203お
よび第1配線層211上に、ガラス−エポキシ樹脂複合
材料からなる第1層間絶縁層215が形成される。ま
た、第2絶縁層205および第2配線層212上に、ガ
ラス−エポキシ樹脂複合材料からなる第2層間絶縁層2
16が形成される。また、第1、第2ビア213,21
4は、第1、第2層間絶縁層215,216に埋め込ま
れた状態となる。なお、プリプレグを用いる利点は、上
記プリプレグP1,P2の場合と同様である。
Thereafter, the third and fourth prepregs P3 and P4
Is heated while being pressed from above and below in a vacuum. Then, the epoxy resin in the prepreg softens and flows, and the through-hole P
3h and P4h, and the first and second wiring layers 211 and 211 are formed by flowing epoxy resin and deforming glass fibers.
Upper and lower surfaces 203a, 205 of the first and second insulating layers between 212
Epoxy resin or glass fiber is also buried in the portion where b is exposed, and is hardened. Thus, the first interlayer insulating layer 215 made of the glass-epoxy resin composite material is formed on the first insulating layer 203 and the first wiring layer 211. Further, a second interlayer insulating layer 2 made of a glass-epoxy resin composite material is formed on the second insulating layer 205 and the second wiring layer 212.
16 are formed. Also, the first and second vias 213 and 21
4 is embedded in the first and second interlayer insulating layers 215 and 216. The advantages of using the prepreg are the same as those of the prepregs P1 and P2.

【0101】その後、前記実施形態1と同様に、第1層
間絶縁層215の上面215aおよび第2層間絶縁層2
16の下面216bを研磨して整面し、第1ビア213
の上面213aおよび第2ビア214の下面214bを
それぞれ露出させる。ついで、第1層間絶縁層上面21
5aおよび第2層間絶縁層下面216b上に、サブトラ
クティブ法により、第3、第4配線層217,218を
形成する(図6(c) 参照)。なお、第3、第4配線層2
17,218を、サブトラクティブ法の他、セミアディ
ティブ法やフルアディティブ法等を用いて形成しても良
いことも、実施形態1と同様である。
Thereafter, as in the first embodiment, the upper surface 215a of the first interlayer insulating layer 215 and the second interlayer insulating layer 2
16, the lower surface 216b of the first via 213 is polished and leveled.
And the lower surface 214b of the second via 214 are exposed. Next, the first interlayer insulating layer upper surface 21
Third and fourth wiring layers 217 and 218 are formed on the lower surface 5a and the second interlayer insulating layer lower surface 216b by a subtractive method (see FIG. 6C). The third and fourth wiring layers 2
17, 18, 218 may be formed by using a semi-additive method, a full-additive method, or the like in addition to the subtractive method.

【0102】以降は、上記と同様にして、ワイヤボンデ
ィング法、プリプレグおよびサブトラクティブ法を用い
て、第3,第4ビア219,220、第3,第4層間絶
縁層221,222及び第5,第6配線層223,22
4を形成することで、実施形態1(図1参照)と同様な
構造の配線基板200が完成する(図7参照)。本実施
形態の配線基板200が、実施形態1の配線基板100
と異なる点は、第1、第2絶縁層203,205や第1
〜第4絶縁層215,216,221,222が、エポ
キシ樹脂ではなくて、ガラス不織布とエポキシ樹脂とが
複合されたガラス−エポキシ樹脂複合材料で構成されて
いる点である。
Thereafter, in the same manner as described above, the third and fourth vias 219 and 220, the third and fourth interlayer insulating layers 221 and 222 and the fifth and fourth vias 219 and 220 are formed by using a wire bonding method, a prepreg and a subtractive method. Sixth wiring layers 223, 22
By forming No. 4, a wiring board 200 having the same structure as that of the first embodiment (see FIG. 1) is completed (see FIG. 7). The wiring board 200 of the present embodiment is different from the wiring board 100 of the first embodiment.
The difference from the first and second insulating layers 203 and 205 and the first
The fourth to fourth insulating layers 215, 216, 221, 222 are made of a glass-epoxy resin composite material in which a glass nonwoven fabric and an epoxy resin are composited, instead of an epoxy resin.

【0103】なお、本実施形態では、いずれの絶縁層を
形成するのにもプリプレグを用いた例を示したが、例え
ば、第1、第2絶縁層の形成には、第1、第2プリプレ
グP1,P2を用い、第1、第2層間絶縁層の形成に
は、樹脂ペーストを用いてもよく、この逆でも良い。ま
た、第1絶縁層の形成にはプリプレグを用い、第2絶縁
層の形成には樹脂ペーストを用いるなど、適宜組み合わ
せても良い。なお、硬化収縮量や熱膨張率をできるだけ
一致させて、配線基板の反り・曲がりを防止するため
に、第1絶縁層と第2絶縁層、あるいは第1層間絶縁層
と第2層間絶縁層というように、対になって形成される
絶縁層には、同じ材質のものを用いるようにすると良
い。
In this embodiment, an example is shown in which a prepreg is used to form any of the insulating layers. However, for example, the first and second prepregs are used to form the first and second insulating layers. A resin paste may be used for forming the first and second interlayer insulating layers using P1 and P2, and vice versa. Alternatively, a prepreg may be used for forming the first insulating layer, and a resin paste may be used for forming the second insulating layer. The first and second insulating layers or the first and second interlayer insulating layers are used to prevent the wiring board from warping or bending by making the curing shrinkage and the coefficient of thermal expansion match as much as possible. As described above, it is preferable to use the same material for the insulating layers formed in pairs.

【0104】(実施形態3)つぎに、本発明の第3の実
施の形態を説明する。本実施形態における配線基板(図
示しない)は、上記実施形態1および2において説明し
た配線基板100,200(図1、図5参照)と同様な
構造を有しており、同様な手法で形成する。しかし、実
施形態1,2でコア基板に用いた銅からなる金属板10
1,201に代えて、コア基板にアルミナセラミック
(アルミナ約92%)からなるセラミック板を用いた点
で異なる。このように、本実施形態の配線基板は、剛性
の高いセラミック板をコア基板として用いたので、配線
基板全体の剛性が高くなり、曲げ等の応力に対して、変
形しにくくなる。従って、例えば、配線基板に集積回路
チップ等を取り付けた場合にも、撓み変形等によって、
フリップチップ接続部分が破断する等の不具合を生じに
くく、接続信頼性を高くすることが出来る。
(Embodiment 3) Next, a third embodiment of the present invention will be described. The wiring board (not shown) in the present embodiment has the same structure as the wiring boards 100 and 200 (see FIGS. 1 and 5) described in the first and second embodiments, and is formed by the same method. . However, the metal plate 10 made of copper used for the core substrate in the first and second embodiments.
The difference is that a ceramic plate made of alumina ceramic (about 92% alumina) is used for the core substrate in place of 1,201. As described above, since the wiring board of the present embodiment uses a ceramic plate having high rigidity as the core substrate, the rigidity of the entire wiring board is increased, and the wiring board is less likely to be deformed by stress such as bending. Therefore, for example, even when an integrated circuit chip or the like is attached to a wiring board,
Inconveniences such as breakage of the flip chip connection portion are less likely to occur, and connection reliability can be improved.

【0105】なお、コア基板としてセラミック板を用い
たので、実施形態1,2と異なり、コア基板に粗化処理
(黒化処理等)は出来ないことは言うまでもない。ま
た、本実施形態では、コア基板としてアルミナ製セラミ
ック板を用いたが、その他のセラミック、例えば、ムラ
イト、窒化アルミニウム、ガラスセラミック等を用いて
もよい。また、ガラス板を用いてもよいし、エポキシ樹
脂板等の樹脂板やガラスエポキシ等の複合材料を用いて
も良い。なお、エポキシ樹脂板やガラスエポキシ等の複
合材料をコア基板に用いる場合には、配線基板の剛性
は、セラミック板を用いた場合に比して低下するが、各
絶縁層とコア基板の熱膨張率が近似した値となるので、
熱応力が層間用金属柱やビア等に掛かりにくくなる利点
がある。
It is needless to say that, unlike the first and second embodiments, the core substrate cannot be subjected to a roughening process (a blackening process or the like) because a ceramic plate is used as the core substrate. In this embodiment, an alumina ceramic plate is used as the core substrate. However, other ceramics, such as mullite, aluminum nitride, and glass ceramic, may be used. Further, a glass plate may be used, a resin plate such as an epoxy resin plate, or a composite material such as glass epoxy may be used. Note that when a composite material such as an epoxy resin plate or glass epoxy is used for the core substrate, the rigidity of the wiring substrate is lower than when a ceramic plate is used, but the thermal expansion of each insulating layer and the core substrate is reduced. Since the rate is an approximate value,
This is advantageous in that thermal stress is less likely to be applied to the interlayer metal pillars and vias.

【0106】(実施形態4)ついで、本発明の第4の実
施の形態について、図8〜図10と共に説明する。図8
に示す本実施形態における配線基板400は、上記実施
形態1において説明した配線基板100(図1参照)と
同様な構造を有しており、同様な手法で形成する。この
ため、各部分を表す名称や記号(番号)も、実施形態1
と変わらない部分については、同じとして説明する。
(Embodiment 4) Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG.
Has the same structure as the wiring board 100 (see FIG. 1) described in the first embodiment, and is formed by the same method. For this reason, the names and symbols (numbers) representing the respective parts are also described in the first embodiment.
Portions that do not change are described as the same.

【0107】ただし、本実施形態においては、コア基板
である金属板101の上下面101a,101b上に、
それぞれ銅ワイヤからなる第1、第2コア用金属柱40
2,403が形成されている。さらに、図8において、
左右2つずつ形成された第1、第2配線層111,11
2のうち、図中左側に形成された第1,第2配線層11
1A,112Aと、第1、第2コア用金属柱402,4
03とがそれぞれ接続している点で、実施形態1と異な
る。ここで、以下では、図中左側に形成された第1配線
層を、左側第1配線層111A、右側に形成された第1
配線層を右側第1配線層111Bのように、左側、右側
の名称、およびA、Bの記号で区別することとする。こ
のため、本実施形態においては、第5,第6配線層12
3,124の内、図中左側に形成された左側第5,第6
配線層123A,124Aは、金属板101と導通する
ことになる。一方、図中右側第5,第6配線層123
B,124Bは、実施形態1と同様に、金属板101と
は絶縁している。
However, in this embodiment, the upper and lower surfaces 101a and 101b of the metal plate 101 as the core substrate are
First and second core metal columns 40 each made of copper wire
2,403 are formed. Further, in FIG.
First and second wiring layers 111 and 11 formed two each on the left and right
2, the first and second wiring layers 11 formed on the left side in FIG.
1A, 112A and first and second core metal columns 402, 4
03 is different from the first embodiment in that they are connected to each other. Here, in the following, the first wiring layer formed on the left side in the figure is replaced with the first wiring layer 111A on the left side and the first wiring layer formed on the right side.
The wiring layers are distinguished from each other by the names on the left and right sides and the symbols A and B, as in the first wiring layer 111B on the right side. For this reason, in the present embodiment, the fifth and sixth wiring layers 12
5, 124 of the left side formed on the left side in FIG.
The wiring layers 123A and 124A conduct with the metal plate 101. On the other hand, the fifth and sixth wiring layers 123 on the right side in FIG.
B and 124B are insulated from the metal plate 101 as in the first embodiment.

【0108】このように構成した本実施形態の配線基板
400では、金属板101が、配線基板400の全面に
わたって、共通の電位を持つこととなる。従って、金属
板101が、左側第5配線層123Aあるいは左側第6
配線層124Aを通じて、例えば、グランド電位とされ
た場合、即ち、金属板101が接地された場合、グラン
ド電位が要求される他の位置において、図8に示したよ
うに、第1、第2コア用金属柱402,403を用いる
ことで、容易にグランド電位を取り出すことができる。
また逆に、任意の場所で接続して、容易に金属板101
をグランド電位とすることができる。しかも、金属板1
01は、配線層111等に比較して容易に厚く形成でき
るので、自己インダクタンスも小さく、抵抗も小さなノ
イズの生じにくいグランドプレーンとして活用すること
が出来る。なお、金属板101を、信号配線として用い
ることももちろん可能である。
In the wiring board 400 of the present embodiment thus configured, the metal plate 101 has a common potential over the entire surface of the wiring board 400. Therefore, the metal plate 101 can be connected to the left fifth wiring layer 123A or the left sixth wiring layer 123A.
For example, when the ground potential is set through the wiring layer 124A, that is, when the metal plate 101 is grounded, the first and second cores are provided at other positions where the ground potential is required, as shown in FIG. By using the metal pillars 402 and 403 for use, the ground potential can be easily taken out.
Conversely, the connection can be made at any place and the metal plate 101 can be easily connected.
Can be set to the ground potential. Moreover, the metal plate 1
Since 01 can be easily formed thicker than the wiring layer 111 and the like, it can be used as a ground plane which has a small self-inductance and a small resistance and hardly generates noise. Note that the metal plate 101 can be used as a signal wiring.

【0109】また、第1、第2コア用金属柱402,4
03は、いずれも互いに接続している左側第1、第2配
線層111A,112Aに接続しており、しかも、第2
コア用金属柱403は、2つ接続している。これは、金
属板101と一連の配線(配線層123A−111A−
112A−124A)との接続抵抗を小さくするためで
ある。従って、必要に応じて、第1、第2コア用金属柱
の数は増減すればよい。
Further, the first and second core metal columns 402, 4
03 is connected to the first and second wiring layers 111A and 112A on the left side, both of which are connected to each other.
The two core metal pillars 403 are connected. This is because the metal plate 101 and a series of wirings (wiring layers 123A-111A-
112A-124A). Therefore, the number of the first and second core metal columns may be increased or decreased as necessary.

【0110】つぎに、配線基板400の製造方法につい
て、実施形態1の配線基板100と異なる部分を中心に
説明する。本実施形態においては、図9(a) に示すよう
に、実施形態1と同様な金属板101の上下面101
a,101bに、それぞれ第1,第2コア用金属柱40
2,403を形成する。このコア用金属柱は、いずれ
も、銅ワイヤを公知のワイヤボンディング法により、上
下面101a,101bの所定位置に立設したものであ
る。なお、各コア用金属柱の高さは、後述するように、
第1、第2絶縁層103,105の厚さより高く、かつ
第2絶縁層105’の厚さよりも低くしておくと良い。
第1,第2コア用金属柱402,403の形成方法とし
ては、上記ワイヤボンディング法による他、実施形態2
において、金属柱立設体S’を形成したのと同様にし
て、エッチングにより、金属板上下面101a,101
bに、金属板101と一体のコア用金属柱402,40
3を形成しても良い。
Next, a description will be given of a method of manufacturing the wiring board 400, focusing on parts different from the wiring board 100 of the first embodiment. In the present embodiment, as shown in FIG. 9A, the upper and lower surfaces 101 of the metal plate 101 are the same as in the first embodiment.
a and 101b, the first and second core metal columns 40, respectively.
2,403 are formed. In each of the core metal columns, a copper wire is erected at a predetermined position on the upper and lower surfaces 101a and 101b by a known wire bonding method. The height of each core metal column is, as described later,
It is preferable that the thickness be higher than the thickness of the first and second insulating layers 103 and 105 and lower than the thickness of the second insulating layer 105 ′.
The method of forming the first and second core metal pillars 402 and 403 is the same as that of the above-described wire bonding method, and the second embodiment.
In the same manner as above, the metal plate upper and lower surfaces 101a and 101
b, metal pillars 402, 40 for the core integrated with the metal plate 101;
3 may be formed.

【0111】ついで、実施形態1と同様に、図9(b)に
示す金属柱立設体Sを用い、図9(c)に示すように、金
属板101と金属柱立設体Sとを組み合わせ、絶縁層1
03’、105’を形成する。ただし、図9(c) におい
ては、第1,第2コア用金属柱402,403が形成さ
れている点で異なる。
Next, similarly to the first embodiment, the metal pillar standing body S shown in FIG. 9B is used, and the metal plate 101 and the metal pillar standing body S are connected as shown in FIG. 9C. Combination, insulation layer 1
03 'and 105' are formed. However, FIG. 9C is different in that first and second core metal columns 402 and 403 are formed.

【0112】さらに、実施形態1と同様に、底板Hを除
去し、第1絶縁層103’の上面および第2絶縁層10
5’の下面を整面し、層間用金属柱109の上下端部を
露出させる。このとき、第1、第2コア用金属柱40
2,403の上下端部402a,403bも露出させる
(図9(d)参照)。
Further, similarly to the first embodiment, the bottom plate H is removed, and the upper surface of the first insulating layer 103 'and the second insulating layer 10' are removed.
The lower surface of 5 ′ is trimmed to expose the upper and lower ends of the interlayer metal pillar 109. At this time, the first and second core metal columns 40
The upper and lower ends 402a and 403b of the 2,403 are also exposed (see FIG. 9D).

【0113】ついで、実施形態1と同様にして、第1絶
縁層上面103a上及び第2絶縁層下面105b上に、
サブトラクティブ法により第1、第2配線層111,1
12を形成する。即ち、図10(a) に示すように、第1
絶縁層上面103a上および第2絶縁層下面105b上
の全面に、それぞれ銅層C1,C2を形成する。つい
で、この銅層C1,C2上に、それぞれ所定パターンの
エッチングレジストD1,D2を形成する。
Next, in the same manner as in Embodiment 1, on the first insulating layer upper surface 103a and on the second insulating layer lower surface 105b,
The first and second wiring layers 111 and 1 are formed by a subtractive method.
12 is formed. That is, as shown in FIG.
Copper layers C1 and C2 are formed on the entire upper surface of the insulating layer upper surface 103a and the lower surface of the second insulating layer 105b, respectively. Next, etching resists D1 and D2 having a predetermined pattern are formed on the copper layers C1 and C2, respectively.

【0114】その後、露出した銅層C1,C2をエッチ
ングにより除去し、さらにエッチングレジストD1,D
2も除去することにより、図10(b) に示すように、第
1、第2絶縁層103,105上に第1、第2配線層1
11,112をそれぞれ形成する。第1配線層111と
第2配線層112とは、層間用金属柱109を介して電
気的に接続している。また、第1、第2コア用金属柱4
02,403もそれぞれ、左側第1、第2配線層111
A,112Aと電気的に接続する。従って、金属板10
1が、左側第1、第2配線層111A,112Aと接続
することになる。一方、右側第1、第2配線層111
B,112Bは、金属板101とは絶縁されている。
Thereafter, the exposed copper layers C1 and C2 are removed by etching, and the etching resists D1 and D2 are further removed.
2 is also removed to form the first and second wiring layers 1 on the first and second insulating layers 103 and 105, as shown in FIG.
11 and 112 are respectively formed. The first wiring layer 111 and the second wiring layer 112 are electrically connected via an interlayer metal pillar 109. In addition, the first and second core metal columns 4
02 and 403 are also left first and second wiring layers 111, respectively.
A, 112A. Therefore, the metal plate 10
1 is connected to the first and second wiring layers 111A and 112A on the left side. On the other hand, the first and second wiring layers 111 on the right side
B and 112B are insulated from the metal plate 101.

【0115】さらに、実施形態1と同様に、第1配線層
111の上面111aの所定位置および第2配線層11
2の下面112bの所定位置に、ワイヤボンディング法
により銅からなるワイヤを用いて、それぞれ第1ビア1
13および第2ビア114を形成する。ついで、第1絶
縁層上面103aおよび第1配線層上面111a上に、
また、第2絶縁層下面105bおよび第2配線層下面1
12b上に、カレンダーコート法により、エポキシ樹脂
ペーストを塗布し、第1、第2ビア113,114を立
設したまま樹脂ペーストで埋めるようにする。さらに、
加熱して、エポキシ樹脂ペーストを硬化させ、第1層間
絶縁層115’及び第2層間絶縁層116’を形成する
(図10(c)参照)。以降は、実施形態1と同様な工程
を経て、図8に示す配線基板400が完成する。
Further, as in the first embodiment, a predetermined position on the upper surface 111a of the first wiring layer 111 and the second wiring layer 11
2 at predetermined positions on the lower surface 112b of each of the first vias 1 by using a wire made of copper by a wire bonding method.
13 and the second via 114 are formed. Then, on the first insulating layer upper surface 103a and the first wiring layer upper surface 111a,
Also, the second insulating layer lower surface 105b and the second wiring layer lower surface 1
An epoxy resin paste is applied on 12b by a calendar coat method, and the first and second vias 113 and 114 are filled with the resin paste while standing. further,
The epoxy resin paste is cured by heating to form a first interlayer insulating layer 115 'and a second interlayer insulating layer 116' (see FIG. 10C). Thereafter, through the same steps as in the first embodiment, the wiring board 400 shown in FIG. 8 is completed.

【0116】本実施形態によれば、金属板101と、左
側第1,第2配線層111A,112Aとを接続する第
1,第2コア用金属柱402,403にも、ワイヤを用
いているので、メッキや洗浄工程を経る必要が無く、容
易に配線基板400を形成することができる。また、細
い径の第1,第2コア用金属柱402,403でも、確
実に形成することができる。
According to the present embodiment, wires are also used for the first and second core metal columns 402 and 403 connecting the metal plate 101 and the first and second wiring layers 111A and 112A on the left side. Therefore, there is no need to go through a plating or cleaning step, and the wiring substrate 400 can be easily formed. Further, even the first and second core metal pillars 402 and 403 having a small diameter can be reliably formed.

【0117】(実施形態5)つぎに、本発明の第5の実
施の形態を、図11〜図13と共に説明する。図11に
示す本実施形態における配線基板500は、上記実施形
態1および4において説明した配線基板100,400
(図1、図8参照)と同様な構造を有しており、同様な
手法で形成する。このため、各部分を表す名称や記号
(番号)も、実施形態1と変わらない部分については、
同じとして説明する。
(Embodiment 5) Next, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The wiring board 500 in the present embodiment shown in FIG. 11 is the same as the wiring boards 100 and 400 described in the first and fourth embodiments.
(See FIGS. 1 and 8), and is formed by a similar method. For this reason, the names and symbols (numbers) representing the respective parts are the same as those in the first embodiment.
The description is the same.

【0118】ただし、本実施形態では、上記実施形態
1,4でコア基板に用いた銅からなる金属板101に代
えて、コア基板501にガラス−エポキシ樹脂複合材料
(JIS:FR−4)からなる絶縁板501Sの両面に
銅からなる薄板501T、501Uを貼り合わせた、両
面銅張り絶縁板を用いた点で異なる。また、銅薄板50
1Tは、図11中、左右2つの第1配線層111のう
ち、左側第1配線層111Aに、第1コア用金属柱50
2を介して接続しており、一方、銅薄板501Uは、左
右2つの第2配線層112のうち、右側第2配線層11
2Bに、第2コア用金属柱503を介して接続している
点でも異なる。このため、本実施形態においては、第
5,第6配線層123,124のうち、左側第5,第6
配線層123A,124Aは、銅薄板501Tと導通し
ており、一方、右側第5,第6配線層123B,124
Bは、銅薄板501Uと導通している。
However, in the present embodiment, a glass-epoxy resin composite material (JIS: FR-4) is used for the core substrate 501 instead of the metal plate 101 made of copper used for the core substrate in the first and fourth embodiments. A difference is that a double-sided copper-clad insulating plate is used in which thin plates 501T and 501U made of copper are bonded to both surfaces of an insulating plate 501S. In addition, copper thin plate 50
1T is the first core metal pillar 50 in the left first wiring layer 111A of the two left and right first wiring layers 111 in FIG.
2, the copper thin plate 501U is connected to the right second wiring layer 11 of the two left and right second wiring layers 112.
2B via a second core metal column 503. For this reason, in the present embodiment, of the fifth and sixth wiring layers 123 and 124, the fifth and sixth wiring layers on the left are used.
The wiring layers 123A and 124A are electrically connected to the copper thin plate 501T, while the fifth and sixth wiring layers 123B and 124 on the right side.
B is electrically connected to the thin copper plate 501U.

【0119】このように構成した本実施形態の配線基板
500では、コア基板501の2つの銅薄板501T,
Uが、それぞれ配線基板500の全面にわたって、共通
の電位を持つこととなる。従って、銅薄板501Tが、
左側第5配線層123Aあるいは左側第6配線層124
Aを通じて、例えば、グランド電位とされた場合、即
ち、銅薄板501Tが接地され、グランドプレーンとさ
れた場合、グランド電位が要求される他の位置におい
て、図11に示したように、第1コア用金属柱502を
用いることで、容易にグランド電位を取り出すことがで
きる。同様に、銅薄板501Uが、右側第6配線層12
3Bあるいは右側第6配線層124Bを通じて、例え
ば、電源電位とされた場合、即ち、銅薄板501Uがパ
ワープレーンとされた場合、電源電位が要求される他の
位置において、図11に示したように、第2コア用金属
柱503を用いることで、容易に電源電位を取り出すこ
とができる。しかも、銅薄板501T,Uは、配線層1
11等に比較して面積を大きく取れ、容易に厚く形成で
きるので、自己インダクタンスも小さく、抵抗も小さな
ノイズの生じにくいグランドプレーン、パワープレーン
として活用することが出来る。
In the wiring board 500 of the present embodiment thus configured, the two copper thin plates 501T, 501T,
U have a common potential over the entire surface of the wiring substrate 500. Therefore, the thin copper plate 501T is
Left fifth wiring layer 123A or left sixth wiring layer 124
A, for example, when the ground potential is set, that is, when the copper thin plate 501T is grounded and set as the ground plane, the first core is placed at another position where the ground potential is required, as shown in FIG. By using the metal column 502 for use, the ground potential can be easily taken out. Similarly, the copper thin plate 501U is connected to the right sixth wiring layer 12
For example, when the power supply potential is set to the power supply potential through 3B or the right sixth wiring layer 124B, that is, when the copper thin plate 501U is set to the power plane, as shown in FIG. By using the second core metal pillar 503, the power supply potential can be easily taken out. In addition, the copper thin plates 501T, U are
Since it can be formed to have a large area as compared with 11 or the like and can be easily formed to be thick, it can be used as a ground plane and a power plane which have a small self-inductance and a small resistance and are less likely to generate noise.

【0120】さらに、銅薄板501Tと501Uとを異
なる電位、例えば、上述したように、グランドプレーン
とパワープレーンとした場合、銅薄板501Tと501
Uとは、絶縁層501Sを誘電体層とするコンデンサを
形成する。従って、このコンデンサにより、電源やグラ
ンド電位に侵入したノイズを効率的に除去することも可
能となる。なお、銅薄板501T,Uを、それぞれある
いは一方のみ信号配線として用いることももちろん可能
である。
Further, when the copper thin plates 501T and 501U have different potentials, for example, as described above, the ground plane and the power plane, the copper thin plates 501T and 501U
U forms a capacitor having the insulating layer 501S as a dielectric layer. Therefore, this capacitor also makes it possible to efficiently remove noise that has entered the power supply or the ground potential. It is of course possible to use the copper thin plates 501T and U alone or only one of them as signal wiring.

【0121】また、図11においては、第1、第2コア
用金属柱502,503は、1つずつ形成されている
が、銅薄板501T,Uと第1、第2配線層111,1
12との接続抵抗を小さくするために、多数のコア用金
属柱を形成して接続して良いことはもちろんである。従
って、必要に応じて、第1、第2コア用金属柱502,
503の数は増減すればよい。
In FIG. 11, the first and second core metal pillars 502 and 503 are formed one by one. However, the copper thin plates 501T and U and the first and second wiring layers 111 and 1 are formed.
Of course, in order to reduce the connection resistance with the core 12, a large number of core metal pillars may be formed and connected. Therefore, if necessary, the first and second core metal columns 502,
The number of 503 may be increased or decreased.

【0122】つぎに、配線基板500の製造方法につい
て、実施形態1および4の配線基板100、400と異
なる部分を中心に説明する。本実施形態においては、図
12(a) に示すように、コア基板501は、ガラス−エ
ポキシ樹脂複合材料からなる絶縁板501Sの両面に銅
薄板501T,Uを貼り付けた両面銅張り絶縁板であ
り、実施形態1と同様に貫通孔501hが穿孔されてい
る。コア基板501の上下面501a,501bには、
それぞれ第1,第2コア用金属柱502,503を形成
する。これらのコア用金属柱は、いずれも、銅ワイヤを
公知のワイヤボンディング法により、上下面501a,
501bの所定位置に立設したものである。なお、各コ
ア用金属柱の高さは、後述するように、第1、第2絶縁
層103,105の厚さより高く、かつ整面前の第2絶
縁層105’の厚さよりも低くしておくと良い。
Next, a method of manufacturing the wiring board 500 will be described focusing on parts different from the wiring boards 100 and 400 of the first and fourth embodiments. In this embodiment, as shown in FIG. 12A, the core substrate 501 is a double-sided copper-clad insulating plate in which copper thin plates 501T and U are attached to both surfaces of an insulating plate 501S made of a glass-epoxy resin composite material. In addition, a through hole 501h is perforated as in the first embodiment. On the upper and lower surfaces 501a and 501b of the core substrate 501,
First and second core metal columns 502 and 503 are formed, respectively. Each of these metal pillars for the core is formed by bonding a copper wire to the upper and lower surfaces 501a, 501a by a known wire bonding method.
It is erected at a predetermined position 501b. Note that the height of each core metal column is higher than the thickness of the first and second insulating layers 103 and 105 and lower than the thickness of the second insulating layer 105 'before surface adjustment, as described later. And good.

【0123】ついで、実施形態1,4と同様に、図12
(b) に示す金属柱立設体Sを用い、図12(c) に示すよ
うに、コア基板501と金属柱立設体Sとを組み合わ
せ、絶縁層103’、105’を形成する。ただし、図
12(c) においては、第1,第2コア用金属柱502、
503が形成されている点で異なる。
Next, similarly to Embodiments 1 and 4, FIG.
Using the metal pillar standing body S shown in FIG. 12B, the core substrate 501 and the metal pillar standing body S are combined to form insulating layers 103 'and 105' as shown in FIG. 12C. However, in FIG. 12C, the first and second core metal columns 502,
503 is formed.

【0124】さらに、実施形態1,4と同様に、底板H
を除去し、第1絶縁層103’の上面および第2絶縁層
105’の下面を整面し、層間用金属柱109の上下端
部を露出させる。このとき、第1、第2コア用金属柱5
02,503の上下端部502a,503bも露出させ
る。
Further, similarly to the first and fourth embodiments, the bottom plate H
Is removed, the upper surface of the first insulating layer 103 ′ and the lower surface of the second insulating layer 105 ′ are leveled, and the upper and lower ends of the interlayer metal pillar 109 are exposed. At this time, the first and second core metal columns 5
Also, upper and lower end portions 502a and 503b of 02, 503 are exposed.

【0125】ついで、実施形態1と同様にして、第1絶
縁層上面103a上及び第2絶縁層下面105b上に、
サブトラクティブ法により第1、第2配線層111,1
12を形成する。即ち、図13(a) に示すように、第1
絶縁層上面103a上および第2絶縁層下面105b上
の全面に、それぞれ銅層C1,C2を形成する。つい
で、この銅層C1,C2上に、それぞれ所定パターンの
エッチングレジストD1,D2を形成する。
Then, in the same manner as in Embodiment 1, on the first insulating layer upper surface 103a and on the second insulating layer lower surface 105b,
The first and second wiring layers 111 and 1 are formed by a subtractive method.
12 is formed. That is, as shown in FIG.
Copper layers C1 and C2 are formed on the entire upper surface of the insulating layer upper surface 103a and the lower surface of the second insulating layer 105b, respectively. Next, etching resists D1 and D2 having a predetermined pattern are formed on the copper layers C1 and C2, respectively.

【0126】その後、露出した銅層C1,C2をエッチ
ングにより除去し、さらにエッチングレジストD1,D
2も除去することにより、図13(b) に示すように、第
1、第2絶縁層103,105上に第1、第2配線層1
11,112をそれぞれ形成する。第1配線層111と
第2配線層112とは、層間用金属柱109を介して電
気的に接続している。また、第1、第2コア用金属柱5
02,503もそれぞれ、左側第1配線層111A、お
よび、右側第2配線層112Bと電気的に接続する。従
って、銅薄板501Tが、左側第1配線層111Aと、
銅薄板501Uが、右側第2配線層112Bと接続する
ことになる。
After that, the exposed copper layers C1 and C2 are removed by etching, and the etching resists D1 and D2 are further removed.
13B, the first and second wiring layers 1 and 2 are formed on the first and second insulating layers 103 and 105, as shown in FIG.
11 and 112 are respectively formed. The first wiring layer 111 and the second wiring layer 112 are electrically connected via an interlayer metal pillar 109. In addition, the first and second core metal columns 5
02 and 503 are also electrically connected to the left first wiring layer 111A and the right second wiring layer 112B, respectively. Therefore, the thin copper plate 501T is formed with the left first wiring layer 111A,
The thin copper plate 501U is connected to the right second wiring layer 112B.

【0127】さらに、第1配線層111の上面111a
の所定位置および第2配線層112の下面112bの所
定位置に、ワイヤボンディング法により銅からなるワイ
ヤを用いて、それぞれ第1ビア113および第2ビア1
14を形成する。ついで、第1絶縁層上面103aおよ
び第1配線層上面111a上に、また、第2絶縁層下面
105bおよび第2配線層下面112b上に、カレンダ
ーコート法により、エポキシ樹脂ペーストを塗布し、第
1、第2ビア113,114を立設したまま樹脂ペース
トで埋めるようにする。さらに、加熱して、エポキシ樹
脂ペーストを硬化させ、第1層間絶縁層115’及び第
2層間絶縁層116’を形成する(図13(c)参照)。
以降は、実施形態1と同様な工程を経て、図12に示す
配線基板500が完成する。
Further, the upper surface 111a of the first wiring layer 111
The first via 113 and the second via 1 are respectively formed at predetermined positions on the lower surface 112b of the second wiring layer 112 by using a wire made of copper by a wire bonding method.
14 is formed. Next, an epoxy resin paste is applied on the first insulating layer upper surface 103a and the first wiring layer upper surface 111a, and on the second insulating layer lower surface 105b and the second wiring layer lower surface 112b by a calendar coating method. The second vias 113 and 114 are filled with the resin paste while standing. Further, the epoxy resin paste is cured by heating to form a first interlayer insulating layer 115 'and a second interlayer insulating layer 116' (see FIG. 13C).
Thereafter, through the same steps as in the first embodiment, the wiring substrate 500 shown in FIG. 12 is completed.

【0128】本実施形態によれば、銅薄板501T,U
と、第1,第2配線層111,112とを接続する第
1,第2コア用金属柱502,503をも、ワイヤを用
いているので、メッキや洗浄工程を経る必要が無く、容
易に配線基板を形成することができる。また、細い径の
第1,第2コア用金属柱502,503でも、確実に形
成することができる。
According to this embodiment, the copper thin plates 501T, U
Also, since the first and second core metal columns 502 and 503 connecting the first and second wiring layers 111 and 112 are also made of wires, there is no need to go through a plating or cleaning step, so that they can be easily performed. A wiring board can be formed. Further, even the first and second core metal columns 502 and 503 having a small diameter can be reliably formed.

【0129】本実施形態では、コア基板501としてガ
ラス−エポキシ樹脂複合材料を絶縁板501Aとした両
面銅張り絶縁板を用いたが、絶縁板501Sに、ガラス
−BT樹脂複合材料等の複合材料や、エポキシ樹脂板等
の樹脂板、さらには、アルミナ、ムライト、窒化アルミ
ニウム等のセラミックを用いてもよい。なお、エポキシ
樹脂板やガラスエポキシ等の複合材料を絶縁板501S
に用いる場合には、各絶縁層とコア基板の熱膨張率が近
似した値となるので、熱応力が各金属柱やビア等に掛か
りにくくなる。一方、セラミックを絶縁板501Sに用
いる場合には、配線基板500の剛性を高くできる。さ
らに、両面銅張り絶縁板でなく、片面銅張り絶縁板を用
いても良い。なお、この場合には、コア用金属柱も銅板
の張られた側に形成することは、言うまでもない。
In this embodiment, a double-sided copper-clad insulating plate using a glass-epoxy resin composite material as an insulating plate 501A is used as the core substrate 501. However, a composite material such as a glass-BT resin composite material or the like is used for the insulating plate 501S. And a resin plate such as an epoxy resin plate, or a ceramic such as alumina, mullite or aluminum nitride. Note that a composite material such as an epoxy resin plate or glass epoxy is used as the insulating plate 501S.
In this case, the thermal expansion coefficient of each insulating layer and the core substrate is an approximate value, so that thermal stress is less likely to be applied to each metal pillar, via, or the like. On the other hand, when ceramic is used for the insulating plate 501S, the rigidity of the wiring board 500 can be increased. Further, instead of a double-sided copper-clad insulating plate, a single-sided copper-clad insulating plate may be used. In this case, it goes without saying that the core metal pillar is also formed on the side where the copper plate is stretched.

【0130】(実施形態6)つぎに、本発明の第6の実
施の形態を、図14,15と共に説明する。上記実施形
態1〜5においては、いずれも図中上下方向に略対称に
絶縁層や配線層が形成された配線基板を示したが、本実
施形態においては、非対称の場合の例として、ベース基
板の一方の面にのみ、配線層や絶縁層を形成するものを
示す。図14に示す本実施形態における配線基板600
は、セラミック製配線基板650をベース基板とし、そ
の上面650a上に、2層の絶縁層615,621、3
層の配線層611,617,623、およびこれらを接
続する2段のビア613,619を有している。
(Embodiment 6) Next, a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In each of the first to fifth embodiments, the wiring board in which the insulating layer and the wiring layer are formed substantially symmetrically in the vertical direction in the figure is shown. Shows a wiring layer and an insulating layer formed only on one surface of the substrate. Wiring board 600 according to the present embodiment shown in FIG.
Is based on a ceramic wiring substrate 650 as a base substrate, and two insulating layers 615, 621, 3
It has wiring layers 611, 617, and 623, and two-stage vias 613 and 619 connecting them.

【0131】ベース基板650の絶縁層651,652
…は、アルミナを主成分とするアルミナセラミックから
なり、その基板内部に形成され、絶縁層651,652
を貫通するビア661,662、および内部配線層67
1は、いずれもタングステンを主成分とし、同時焼成に
よって形成されたものである。また、ベース基板650
の上面650aは、研磨によって平滑化されており、そ
の上には、第1配線層611が形成されている。この第
1配線層611は、Ti/Mo/Cuの順に積層された
スパッタリング層の上に、Cuメッキが施されたもので
ある。
The insulating layers 651 and 652 of the base substrate 650
Are made of an alumina ceramic containing alumina as a main component, are formed inside the substrate, and have insulating layers 651, 652.
Vias 661 and 662 penetrating through and internal wiring layer 67
No. 1 has tungsten as a main component and is formed by simultaneous firing. In addition, the base substrate 650
Is smoothed by polishing, and a first wiring layer 611 is formed thereon. The first wiring layer 611 is obtained by subjecting a sputtering layer laminated in the order of Ti / Mo / Cu to Cu plating.

【0132】さらに、この第1配線層611上の所定位
置には、ワイヤボンディング法により、銅ワイヤからな
る第1ビア613が形成され、エポキシ樹脂からなる第
1層間絶縁層615に、この第1ビア613が埋め込ま
れている。また、第1層間絶縁層615上面には、Cu
メッキからなる第2配線層617が形成され、第1ビア
613を介して第1配線層611と接続している。さら
に、第2配線層617の所定位置には、ワイヤボンディ
ング法により、銅ワイヤからなる第2ビア619が形成
され、エポキシ樹脂からなる第2層間絶縁層621に、
この第2ビア619が埋め込まれている。また、第2層
間絶縁層621上面には、Cuメッキからなる第3配線
層623が形成され、第2ビア619を介して第2配線
層617と接続している。
Further, a first via 613 made of a copper wire is formed at a predetermined position on the first wiring layer 611 by a wire bonding method, and the first via 613 made of an epoxy resin is formed in the first interlayer insulating layer 615. Via 613 is embedded. Further, on the upper surface of the first interlayer insulating layer 615, Cu
A second wiring layer 617 made of plating is formed, and is connected to the first wiring layer 611 via the first via 613. Further, a second via 619 made of a copper wire is formed at a predetermined position of the second wiring layer 617 by a wire bonding method, and the second via 619 made of an epoxy resin is formed in the second interlayer insulating layer 621.
This second via 619 is buried. A third wiring layer 623 made of Cu plating is formed on the upper surface of the second interlayer insulating layer 621, and is connected to the second wiring layer 617 via the second via 619.

【0133】従って、第1配線層611と第2配線層6
17との間について着目すると、第1配線層611は下
部配線層となり、第2配線層617は上部配線層とな
る。また、この間には第1層間絶縁層615が形成され
ており、ワイヤからなり第1層間絶縁層615に埋め込
まれた第1ビア613は、下部配線層と上部配線層とを
接続していることになる。なお、同様な関係は、第2配
線層617と第3配線層623との間でも言えることで
ある。
Therefore, the first wiring layer 611 and the second wiring layer 6
Focusing on the area between the first and second wiring layers, the first wiring layer 611 becomes a lower wiring layer, and the second wiring layer 617 becomes an upper wiring layer. In addition, a first interlayer insulating layer 615 is formed therebetween, and a first via 613 made of a wire and embedded in the first interlayer insulating layer 615 connects the lower wiring layer and the upper wiring layer. become. Note that the same relationship can be applied between the second wiring layer 617 and the third wiring layer 623.

【0134】ついで、この配線基板600の製造方法に
ついて簡単に説明する。まず、図15(a)に示すよう
に、公知の手法により、上記した内部構造を有するアル
ミナセラミック製の配線基板からなるベース基板650
を形成し、上面650aを研磨により平滑化する。つい
で、ベース基板上面650aの略全面に、Ti層、Mo
層、Cu層(いずれも図示しない)を、スパッタリング
によりこの順に堆積させる。その後、フォトレジストを
塗布し、露光現像して、所定パターン開口を形成し、T
i/Mo/Cu層を共通電極として、Cu電解メッキを
施す。これにより、開口部分にCuメッキ層が形成され
る。その後、フォトレジストを除去し、露出する各スパ
ッタ層をエッチングにより除去することで、Ti/Mo
/Cu/Cuメッキの層構成からなる第1配線層611
を形成した。なお、第1配線層611の層構成や材質に
ついては、その他のものでも良いことはもちろんであ
り、例えば、Ti/Mo/Cuスパッタ層+Ni/Au
メッキの層構成や、サブトラクティブ法やセミアディテ
ィブ法により、無電解Cuメッキ+電解Cuメッキの層
構成を有する第1配線層を形成しても良い。
Next, a method of manufacturing the wiring board 600 will be briefly described. First, as shown in FIG. 15A, a base substrate 650 made of an alumina ceramic wiring board having the above-described internal structure is formed by a known method.
Is formed, and the upper surface 650a is smoothed by polishing. Then, a Ti layer and a Mo layer are formed on substantially the entire upper surface 650a of the base substrate.
A layer and a Cu layer (both not shown) are deposited in this order by sputtering. Thereafter, a photoresist is applied, exposed and developed to form a predetermined pattern opening.
Cu electrolytic plating is performed using the i / Mo / Cu layer as a common electrode. Thereby, a Cu plating layer is formed in the opening. Thereafter, the photoresist is removed, and the exposed sputtered layers are removed by etching, so that Ti / Mo is removed.
Wiring layer 611 having layer structure of / Cu / Cu plating
Was formed. The layer structure and material of the first wiring layer 611 may be other materials, such as a Ti / Mo / Cu sputter layer + Ni / Au.
A first wiring layer having a layer configuration of electroless Cu plating + electrolytic Cu plating may be formed by a plating layer configuration, a subtractive method, or a semi-additive method.

【0135】ついで、前記実施形態1において、第1、
第2ビア113,114や第1、第2層間絶縁層11
5,116を形成したのと同様にして、第1ビア613
や第1層間絶縁層615を形成する。まず、第1配線層
611の上面の所定位置に、ワイヤボンディング法によ
り銅からなるワイヤを用いて、第1ビア613を形成す
る。即ち、銅からなるワイヤの一端を固着し、さらに所
定長さに切断して立設し、第1ビア613とする。
Next, in the first embodiment, the first,
The second vias 113 and 114 and the first and second interlayer insulating layers 11
5, 116 in the same manner as the formation of the first via 613.
Then, a first interlayer insulating layer 615 is formed. First, a first via 613 is formed at a predetermined position on the upper surface of the first wiring layer 611 by using a wire made of copper by a wire bonding method. That is, one end of a wire made of copper is fixed, cut to a predetermined length, and erected to form a first via 613.

【0136】その後、ベース基板上面650a上および
第1配線層上面611a上に、カレンダーコート法によ
り、エポキシ樹脂ペーストを塗布し、第1ビア613を
立設したまま樹脂ペーストで埋めるようにする。さら
に、加熱して、エポキシ樹脂ペーストを硬化させ、第1
層間絶縁層615’を形成する。このように、ビア(第
1ビア)を形成するのに、ワイヤを用いたので、ビア製
造工程において、メッキや洗浄工程を経る必要が無く、
細い径の貫通孔内にメッキによってビアを形成する場合
よりも、確実にビアが形成できる。
After that, an epoxy resin paste is applied on the upper surface 650a of the base substrate and the upper surface 611a of the first wiring layer by a calendar coating method, and the first via 613 is filled with the resin paste while standing upright. Further, by heating, the epoxy resin paste is hardened,
An interlayer insulating layer 615 'is formed. As described above, since the wire is used to form the via (first via), it is not necessary to go through a plating or cleaning step in the via manufacturing process.
The via can be formed more reliably than when the via is formed in the through hole having a small diameter by plating.

【0137】この第1層間絶縁層615’の表面を所定
厚さに研磨し、図15(c) に示すように、平坦に整面
し、第1層間絶縁層615を形成する。このとき、第1
ビア613の上端613aが、第1層間絶縁層上面61
5aから露出するようにする。さらに、実施形態1にお
いて、第1、第2配線層111,112を形成したのと
同様に、第1層間絶縁層の上面615aを粗化した上
で、サブトラクティブ法により、第1層間絶縁層上面6
15a上に、第2配線層617を形成する。これによ
り、下部配線層となる第1配線層611と、上部配線層
となる第2配線層617とが、第1層間絶縁層615を
挟んで形成されており、この2つの配線層を第1ビア6
13が接続した構造となる。
The surface of the first interlayer insulating layer 615 'is polished to a predetermined thickness, and is flattened to form a first interlayer insulating layer 615 as shown in FIG. At this time, the first
The upper end 613a of the via 613 is located on the first interlayer insulating layer upper surface 61.
Expose from 5a. Further, in the same manner as in the first embodiment, the upper surface 615a of the first interlayer insulating layer is roughened and the first interlayer insulating layer is formed by a subtractive method, similarly to the formation of the first and second wiring layers 111 and 112. Upper surface 6
The second wiring layer 617 is formed on 15a. Thus, the first wiring layer 611 serving as a lower wiring layer and the second wiring layer 617 serving as an upper wiring layer are formed with the first interlayer insulating layer 615 interposed therebetween. Via 6
13 are connected.

【0138】その後は、実施形態1において、第3、第
4ビア119,120、第3、第4層間絶縁層121,
122、および第5,第6配線層123、124を形成
したのと同様にして、第2ビア619、第2層間絶縁層
621、および第3配線層623を形成して、配線基板
600を完成させる。これにより、下部配線層となる第
2配線層617と、上部配線層となる第3配線層623
とが、第2層間絶縁層621を挟んで形成されており、
この2つの配線層を第2ビア619が接続した構造とな
る。
Thereafter, in the first embodiment, the third and fourth vias 119 and 120, the third and fourth interlayer insulating layers 121,
122, the second via 619, the second interlayer insulating layer 621, and the third wiring layer 623 are formed in the same manner as the formation of the fifth and sixth wiring layers 123 and 124, thereby completing the wiring substrate 600. Let it. As a result, the second wiring layer 617 serving as a lower wiring layer and the third wiring layer 623 serving as an upper wiring layer
Are formed with the second interlayer insulating layer 621 interposed therebetween.
A structure in which the two wiring layers are connected to the second via 619 is obtained.

【0139】なお、第2ビア619を形成する位置が、
その下方に第1ビア613がある位置でも良いし、無い
位置でも良いことも実施形態1と同様である。従って、
第1ビアと第2ビアを積み重ねて、いわゆるスタックド
ビアの構造を容易に形成できる。本実施形態の配線基板
600は、剛性の高いセラミック配線基板をベース基板
650として用いたので、配線基板600全体の剛性が
高くなり、曲げ等の応力に対して、変形しにくくなる。
従って、例えば、配線基板600に集積回路チップ等を
取り付けた場合にも、撓み変形等によって、フリップチ
ップ接続部分が破断する等の不具合を生じにくく、接続
信頼性を高くすることが出来る。さらに、ベース基板6
50としてセラミック配線基板を用いたので、複雑で高
密度な配線を実現することが出来る。
The position where the second via 619 is formed is
As in the first embodiment, the first via 613 may be located at a position below or below the first via 613. Therefore,
By stacking the first via and the second via, a so-called stacked via structure can be easily formed. Since the wiring board 600 of the present embodiment uses a high-rigidity ceramic wiring board as the base substrate 650, the rigidity of the entire wiring board 600 is increased, and the wiring board 600 is not easily deformed by stress such as bending.
Therefore, for example, even when an integrated circuit chip or the like is attached to the wiring substrate 600, a problem such as breakage of a flip chip connection portion due to bending deformation or the like hardly occurs, and connection reliability can be increased. Further, the base substrate 6
Since a ceramic wiring board is used as 50, complicated and high-density wiring can be realized.

【0140】(実施形態7)つぎに、本発明の第7の実
施の形態を、図16、図17と共に説明する。本実施形
態は、上記実施形態6に近似しており、その製造方法も
似ている。ただし、実施形態6においては、ベース基板
650として、セラミック製配線基板を用い、ベース基
板上面に650aに配線層611を形成し、その上に第
1ビア613を形成した。一方、本実施形態において
は、上下を接続するビアが多数形成された単層のセラミ
ック製配線基板を用い、ビアの上部に形成されたパッド
上に第1ビアが形成されている点で異なる。
(Seventh Embodiment) Next, a seventh embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. This embodiment is similar to the sixth embodiment, and its manufacturing method is also similar. However, in the sixth embodiment, a ceramic wiring substrate is used as the base substrate 650, the wiring layer 611 is formed on the upper surface of the base substrate 650a, and the first via 613 is formed thereon. On the other hand, the present embodiment is different from the first embodiment in that a single-layer ceramic wiring board in which a number of vias for connecting upper and lower sides are formed is used, and a first via is formed on a pad formed above the via.

【0141】即ち、図16に示す本実施形態における配
線基板700は、セラミック製配線基板750をベース
基板とし、その上面750a上に、2層の絶縁層71
5,721、2層の配線層717,723、および2段
のビア713,719を有している。ベース基板750
は、アルミナを主成分とするアルミナセラミックからな
る単層の絶縁層751を有する。この絶縁層の上下面7
50a,750bを貫通するビア761、および上下面
750a,bでビア761を覆うビア立設用パッド77
1およびパッド772は、いずれもタングステンを主成
分とし、同時焼成によって形成されたものである。な
お、ビア立設用パッド771上面には、Ni/Cuメッ
キ層(図示しない)が、この順に形成され、パッド77
2上面には、Ni/Auメッキ層(図示しない)が、こ
の順に形成されている。ただし、ビア立設用パッド77
1の上面にも、Ni/Cuメッキ層に代えてNi/Au
メッキ層を形成しても良い。
That is, the wiring substrate 700 of this embodiment shown in FIG. 16 uses a ceramic wiring substrate 750 as a base substrate, and has two insulating layers 71 on its upper surface 750a.
5, 721, two wiring layers 717 and 723, and two stages of vias 713 and 719. Base substrate 750
Has a single-layer insulating layer 751 made of alumina ceramic containing alumina as a main component. Upper and lower surfaces 7 of this insulating layer
Via 761 penetrating through holes 50a and 750b, and via-standing pad 77 covering via 761 with upper and lower surfaces 750a and 750b
Each of the pad 1 and the pad 772 has tungsten as a main component and is formed by simultaneous firing. Note that a Ni / Cu plating layer (not shown) is formed on the upper surface of the via standing pad 771 in this order.
On the upper surface 2, a Ni / Au plating layer (not shown) is formed in this order. However, via 77
1 is also replaced by Ni / Au instead of the Ni / Cu plating layer.
A plating layer may be formed.

【0142】さらに、ビア立設用パッド771上の所定
位置には、ワイヤボンディング法により、銅ワイヤから
なる第1ビア713が形成され、エポキシ樹脂からなる
パッド配線間絶縁層715に、この第1ビア713が埋
め込まれている。また、パッド配線間絶縁層715上面
には、Cuメッキからなる第2配線層717が形成さ
れ、第1ビア713を介してビア立設用パッド771と
接続している。さらに、第2配線層717の所定位置に
は、ワイヤボンディング法により、銅ワイヤからなる第
2ビア719が形成され、エポキシ樹脂からなる第2層
間絶縁層721に、この第2ビア719が埋め込まれて
いる。また、第2層間絶縁層721上面には、Cuメッ
キからなる第3配線層723が形成され、第2ビア71
9を介して第2配線層717と接続している。
Further, a first via 713 made of a copper wire is formed at a predetermined position on the via erecting pad 771 by a wire bonding method. Via 713 is embedded. A second wiring layer 717 made of Cu plating is formed on the upper surface of the inter-pad wiring insulating layer 715, and is connected to the via standing pad 771 via the first via 713. Further, a second via 719 made of a copper wire is formed at a predetermined position of the second wiring layer 717 by a wire bonding method, and the second via 719 is embedded in a second interlayer insulating layer 721 made of an epoxy resin. ing. A third wiring layer 723 made of Cu plating is formed on the upper surface of the second interlayer insulating layer 721, and the second via 71
9 and is connected to the second wiring layer 717.

【0143】従って、ビア立設用パッド771と第2配
線層717との間について着目すると、第2配線層71
7は上部配線層となる。また、ビア立設用パッド771
と第2配線層717との間にはパッド配線間絶縁層71
5が形成されており、ワイヤからなりパッド配線間絶縁
層715に埋め込まれた第1ビア713は、ビア立設用
パッド717と第2配線層(上部配線層)717とを接
続していることになる。
Therefore, when attention is paid to the area between the via standing pad 771 and the second wiring layer 717, the second wiring layer 71
Reference numeral 7 denotes an upper wiring layer. In addition, via-standing pads 771
Between the second wiring layer 717 and the pad wiring insulating layer 71
5, the first via 713 made of a wire and embedded in the inter-pad wiring insulating layer 715 connects the via standing pad 717 and the second wiring layer (upper wiring layer) 717 become.

【0144】ついで、この配線基板700の製造方法に
ついて簡単に説明する。まず、公知の手法により、図1
7(a) に示すような上記した内部構造を有するアルミナ
セラミック製の配線基板を形成し、ビア立設用パッド7
71上面にはNi/Cuメッキ層を形成しておく。ビア
立設用パッド771の上面にCu層を設けておくのは、
後述する銅ワイヤのボンディングにおいて、接続性を向
上させるためである。
Next, a method of manufacturing the wiring board 700 will be briefly described. First, FIG.
A wiring board made of alumina ceramic having the above internal structure as shown in FIG.
A Ni / Cu plating layer is formed on the upper surface of the substrate 71. The reason why the Cu layer is provided on the upper surface of the via standing pad 771 is as follows.
This is for improving the connectivity in the bonding of the copper wire described later.

【0145】ついで、上記実施形態1において、第1、
第2ビア113,114や第1、第2層間絶縁層11
5,116を形成したのと同様にして、第1ビア713
や第1層間絶縁層715を形成する。まず、ビア立設用
パッド771の上面に、ワイヤボンディング法により銅
からなるワイヤを用いて、第1ビア713を形成する。
即ち、銅からなるワイヤの一端を固着し、さらに所定長
さに切断して立設し、第1ビア713とする。
Next, in the first embodiment, the first,
The second vias 113 and 114 and the first and second interlayer insulating layers 11
5, via the first via 713
Then, a first interlayer insulating layer 715 is formed. First, the first via 713 is formed on the upper surface of the via standing pad 771 by using a wire made of copper by a wire bonding method.
That is, one end of a wire made of copper is fixed, cut to a predetermined length, and erected to form a first via 713.

【0146】その後、ベース基板上面750a上および
ビア立設用パッド771上に、カレンダーコート法によ
り、エポキシ樹脂ペーストを塗布し、第1ビア713を
立設したまま樹脂ペーストで埋めるようにする。さら
に、加熱して、エポキシ樹脂ペーストを硬化させ、パッ
ド配線間絶縁層715’を形成する。このように、ビア
(第1ビア)を形成するのに、ワイヤを用いたので、ビ
ア製造工程において、メッキや洗浄工程を経る必要が無
く、細い径の貫通孔内にメッキによってビアを形成する
場合よりも、確実にビアが形成できる。
Thereafter, an epoxy resin paste is applied on the upper surface 750a of the base substrate and the pads 771 for standing the vias by a calendar coat method, and is filled with the resin paste while the first vias 713 are standing. Further, by heating, the epoxy resin paste is cured to form a pad wiring insulating layer 715 '. As described above, since the wire is used to form the via (first via), it is not necessary to go through a plating or cleaning step in the via manufacturing process, and the via is formed by plating in the through hole having a small diameter. A via can be formed more reliably than in the case.

【0147】このパッド配線間絶縁層715’の表面を
所定厚さに研磨し、図17(c) に示すように、平坦に整
面し、パッド配線間絶縁層715を形成する。このと
き、第1ビア713の上端713aが、パッド配線間絶
縁層上面715aから露出するようにする。さらに、実
施形態1において、第1、第2配線層111,112を
形成したのと同様に、パッド配線間絶縁層の上面715
aを粗化した上で、サブトラクティブ法により、パッド
配線間絶縁層上面715a上に、第2配線層717を形
成する。これにより、ビア立設用パッド771と、上部
配線層となる第2配線層717とが、パッド配線間絶縁
層715を挟んで形成されており、ビア立設用パッドと
上部配線層とを第1ビア713が接続した構造となる。
The surface of the pad-wiring insulating layer 715 'is polished to a predetermined thickness, and is flattened as shown in FIG. 17C to form the pad-wiring insulating layer 715. At this time, the upper end 713a of the first via 713 is exposed from the upper surface 715a of the inter-pad wiring insulating layer. Further, the upper surface 715 of the insulating layer between pad wirings is formed in the same manner as the first and second wiring layers 111 and 112 in the first embodiment.
After roughening a, a second wiring layer 717 is formed on the upper surface 715a of the inter-pad wiring insulating layer by a subtractive method. As a result, the via erecting pad 771 and the second wiring layer 717 serving as an upper wiring layer are formed with the inter-pad wiring insulating layer 715 interposed therebetween, and the via erecting pad and the upper wiring layer are separated from each other. This has a structure in which one via 713 is connected.

【0148】その後は、実施形態1において、第3、第
4ビア119,120、第3、第4層間絶縁層121,
122、および第5,第6配線層123、124を形成
したのと同様にして、第2ビア719、層間絶縁層72
1、および第3配線層723を形成して、配線基板70
0を完成させる。これにより、下部配線層となる第2配
線層717と、上部配線層となる第3配線層723と
が、層間絶縁層721を挟んで形成されており、この2
つの配線層を第2ビア719が接続した構造となる。
Thereafter, in the first embodiment, the third and fourth vias 119 and 120, the third and fourth interlayer insulating layers 121,
122 and the fifth and sixth wiring layers 123 and 124 in the same manner as the formation of the second via 719 and the interlayer insulating layer 72.
1 and the third wiring layer 723 are formed, and the wiring board 70 is formed.
Complete 0. Thus, the second wiring layer 717 serving as a lower wiring layer and the third wiring layer 723 serving as an upper wiring layer are formed with the interlayer insulating layer 721 interposed therebetween.
One wiring layer is connected to the second via 719.

【0149】なお、第2ビア719を形成する位置が、
その下方に第1ビア713がある位置でも良いし、無い
位置でも良いことも実施形態1、6と同様である。従っ
て、第1ビアと第2ビアを積み重ねて、いわゆるスタッ
クドビアの構造を容易に形成できる。本実施形態の配線
基板700は、剛性の高いセラミック配線基板をベース
基板750として用いたので、配線基板700全体の剛
性が高くなり、曲げ等の応力に対して、変形しにくくな
る。従って、例えば、配線基板700に集積回路チップ
等を取り付けた場合にも、撓み変形等によって、フリッ
プチップ接続部分が破断する等の不具合を生じにくく、
接続信頼性を高くすることが出来る。
The position where the second via 719 is formed is
As in the first and sixth embodiments, the first via 713 may or may not be located therebelow. Therefore, the so-called stacked via structure can be easily formed by stacking the first via and the second via. Since the wiring substrate 700 of the present embodiment uses a ceramic wiring substrate having high rigidity as the base substrate 750, the rigidity of the entire wiring substrate 700 is increased, and the wiring substrate 700 is not easily deformed by stress such as bending. Therefore, for example, even when an integrated circuit chip or the like is attached to the wiring substrate 700, a problem such as breakage of a flip chip connection portion due to bending deformation or the like hardly occurs,
Connection reliability can be improved.

【0150】上記実施形態4〜7においては、各絶縁層
を形成するのに、エポキシ樹脂ペーストを塗布して形成
した例を示したが、実施形態2において示したように、
ガラス不織布にエポキシ樹脂を含浸させたガラスエポキ
シのような複合材料を用いて、各絶縁層を形成しても良
いことは言うまでもない。なお、この場合には、実施形
態2に示したように、各金属柱やビアの位置に合わせ
て、予め貫通孔を形成しておくと良い。
In the fourth to seventh embodiments, the respective insulating layers are formed by applying an epoxy resin paste. However, as described in the second embodiment,
It goes without saying that each insulating layer may be formed using a composite material such as glass epoxy in which a glass nonwoven fabric is impregnated with an epoxy resin. In this case, as described in the second embodiment, it is preferable to form through holes in advance in accordance with the positions of the metal columns and vias.

【0151】以上においては、本発明を実施形態1〜7
に即して説明したが、本発明は、上記実施形態に限定さ
れるものではなく、本発明の範囲を逸脱しない限り、適
宜変更して適用することができることは言うまでもな
い。
In the above, the present invention is described with reference to Embodiments 1 to 7.
However, it is needless to say that the present invention is not limited to the above embodiment, and can be appropriately modified and applied without departing from the scope of the present invention.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施形態1にかかる配線基板の部分拡大断面図
である。
FIG. 1 is a partially enlarged cross-sectional view of a wiring board according to a first embodiment.

【図2】実施形態1にかかる配線基板の製造方法のう
ち、層間用金属柱を露出させる工程までを説明する説明
図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram illustrating a process of exposing an interlayer metal pillar in the method of manufacturing a wiring board according to the first embodiment;

【図3】実施形態1にかかる配線基板の製造方法のう
ち、第1、第2ビアを埋め込む工程までを説明する説明
図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram illustrating a process of embedding first and second vias in the method of manufacturing a wiring board according to the first embodiment;

【図4】実施形態1にかかる配線基板の製造方法のう
ち、第3、第4ビアを露出させる工程までを説明する説
明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram illustrating a process of exposing third and fourth vias in the method of manufacturing a wiring board according to the first embodiment;

【図5】実施形態2にかかる配線基板の製造方法のう
ち、層間用金属柱を露出させる工程までを説明する説明
図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram illustrating a process of exposing an interlayer metal pillar in the method of manufacturing a wiring board according to the second exemplary embodiment;

【図6】実施形態2にかかる配線基板の製造方法のう
ち、第3、第4配線層を形成する工程までを説明する説
明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram illustrating a process of forming a third and a fourth wiring layer in the method of manufacturing a wiring substrate according to the second embodiment.

【図7】実施形態2にかかる配線基板の部分拡大断面図
である。
FIG. 7 is a partially enlarged cross-sectional view of the wiring board according to the second exemplary embodiment.

【図8】実施形態4にかかる配線基板の部分拡大断面図
である。
FIG. 8 is a partially enlarged sectional view of a wiring board according to a fourth embodiment;

【図9】実施形態4にかかる配線基板の製造方法のう
ち、層間用金属柱およびコア用金属柱を露出させる工程
までを説明する説明図である。
FIG. 9 is an explanatory diagram illustrating a process of exposing a metal pillar for an interlayer and a metal pillar for a core in the method of manufacturing a wiring board according to the fourth embodiment;

【図10】実施形態4にかかる配線基板の製造方法のう
ち、第1、第2ビアを埋め込む工程までを説明する説明
図である。
FIG. 10 is an explanatory diagram for explaining a process of embedding first and second vias in the method of manufacturing a wiring board according to the fourth embodiment;

【図11】実施形態5にかかる配線基板の部分拡大断面
図である。
FIG. 11 is a partially enlarged cross-sectional view of a wiring board according to a fifth exemplary embodiment.

【図12】実施形態5にかかる配線基板の製造方法のう
ち、層間用金属柱およびコア用金属柱を露出させる工程
までを説明する説明図である。
FIG. 12 is an explanatory diagram illustrating a process of exposing a metal pillar for an interlayer and a metal pillar for a core in the method of manufacturing a wiring board according to the fifth embodiment;

【図13】実施形態5にかかる配線基板の製造方法のう
ち、第1、第2ビアを埋め込む工程までを説明する説明
図である。
FIG. 13 is an explanatory diagram illustrating a process of embedding first and second vias in the method of manufacturing a wiring board according to the fifth embodiment;

【図14】実施形態6にかかる配線基板の部分拡大断面
図である。
FIG. 14 is a partially enlarged cross-sectional view of a wiring board according to a sixth embodiment.

【図15】実施形態6にかかる配線基板の製造方法のう
ち、第2配線層を形成する工程までを説明する説明図で
ある。
FIG. 15 is an explanatory diagram illustrating a process up to a step of forming a second wiring layer in the method of manufacturing a wiring board according to the sixth embodiment;

【図16】実施形態7にかかる配線基板の部分拡大断面
図である。
FIG. 16 is a partially enlarged sectional view of a wiring board according to a seventh embodiment;

【図17】実施形態7にかかる配線基板の製造方法のう
ち、第2配線層を形成する工程までを説明する説明図で
ある。
FIG. 17 is an explanatory diagram for explaining the steps up to the step of forming the second wiring layer in the method of manufacturing the wiring board according to the seventh embodiment;

【図18】従来の配線基板の構造を説明するための部分
拡大断面図である。
FIG. 18 is a partially enlarged cross-sectional view illustrating a structure of a conventional wiring board.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100、200,300,400,500,600,7
00 配線基板 101,201 金属板 101h,201h 貫通孔 103,203 第1絶縁層 105,205 第2絶縁層 107,207 孔内絶縁層 109,209 層間用金属柱 111,211 第1配線層 112,212 第2配線層 113,213 第1ビア 114,214 第2ビア 115,215 第1層間絶縁層 116,216 第2層間絶縁層 117,217 第3配線層 118,218 第4配線層 119,219 第3ビア 120,220 第4ビア 121,221 第3層間絶縁層 122,222 第4層間絶縁層 123,223 第5配線層 124,224 第6配線層 402,403、502,503 コア用金属柱 501 コア基板 650,750 ベース基板 771 ビア立設用パッド
100, 200, 300, 400, 500, 600, 7
00 Wiring board 101, 201 Metal plate 101h, 201h Through hole 103, 203 First insulating layer 105, 205 Second insulating layer 107, 207 In-hole insulating layer 109, 209 Interlayer metal pillar 111, 211 First wiring layer 112, 212 Second wiring layer 113,213 First via 114,214 Second via 115,215 First interlayer insulating layer 116,216 Second interlayer insulating layer 117,217 Third wiring layer 118,218 Fourth wiring layer 119,219 Third via 120, 220 Fourth via 121, 221 Third interlayer insulating layer 122, 222 Fourth interlayer insulating layer 123, 223 Fifth wiring layer 124, 224 Sixth wiring layer 402, 403, 502, 503 Metal pillar for core 501 Core substrate 650, 750 Base substrate 771 Via standing pad

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 青井 保典 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内 (72)発明者 西浦 光二 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yasunori Aoi 14-18 Takatsuji-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi Prefecture Inside Nihon Tokusui Tougyo Co., Ltd. No. 18 Japan Special Ceramics Co., Ltd.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】下部配線層と、 上部配線層と、 上記下部配線層と上部配線層との間に介在する層間絶縁
層と、 上記下部配線層と上部配線層とを接続するビアであっ
て、予め成形されたワイヤからなり、上記層間絶縁層内
に埋め込まれてなるビアと、を有する配線基板。
A lower wiring layer, an upper wiring layer, an interlayer insulating layer interposed between the lower wiring layer and the upper wiring layer, and a via connecting the lower wiring layer and the upper wiring layer. And a via made of a wire formed in advance and embedded in the interlayer insulating layer.
【請求項2】下部絶縁層上に形成された下部配線層の上
面の所定位置に、ワイヤボンディング法により、ワイヤ
の一端を固着し、かつ該ワイヤを所定高さに立設したビ
アを形成する工程と、 上記ビアを立設したまま、上記下部絶縁層の上面および
下部配線層の上面に未硬化絶縁物を配置する工程と、 加熱して上記未硬化絶縁物を硬化させて、層間絶縁層と
する工程と、 該層間絶縁層の上面を整面し、上記ビアの頂部を露出さ
せる工程と、 上記層間絶縁層の上面に、上記露出したビアと接続する
上部配線層を形成する工程と、を有する配線基板の製造
方法。
2. A via is formed at a predetermined position on an upper surface of a lower wiring layer formed on a lower insulating layer by wire bonding, with one end of the wire fixed and the wire standing upright at a predetermined height. A step of disposing an uncured insulator on the upper surface of the lower insulating layer and the upper surface of the lower wiring layer with the vias standing; heating the cured uncured insulator to form an interlayer insulating layer; A step of trimming the upper surface of the interlayer insulating layer and exposing the top of the via; and a step of forming an upper wiring layer connected to the exposed via on the upper surface of the interlayer insulating layer; A method for manufacturing a wiring board having:
【請求項3】下部絶縁層上に形成された下部配線層の上
面の所定位置に、ワイヤボンディング法により、ワイヤ
の一端を固着し、かつ該ワイヤを所定高さに立設したビ
アを形成する工程と、 上記ビアを立設したまま、予め上記立設したビアに対応
する位置にビア用貫通孔を空けたプリプレグを上記下部
絶縁層の上面および下部配線層の上面に重ねる工程と、 加熱して上記プリプレグを硬化させて、層間絶縁層とす
る工程と、 該層間絶縁層の上面を整面し、上記ビアの頂部を露出さ
せる工程と、 上記層間絶縁層の上面に、上記露出したビアと接続する
上部配線層を形成する工程と、を有する配線基板の製造
方法。
3. A via is formed at a predetermined position on an upper surface of a lower wiring layer formed on a lower insulating layer by wire bonding, with one end of the wire fixed and the wire standing upright at a predetermined height. A step of stacking a prepreg having a through hole for a via in advance at a position corresponding to the via which has been erected on the upper surface of the lower insulating layer and the upper surface of the lower wiring layer while the via is erected; Curing the prepreg to form an interlayer insulating layer, leveling the upper surface of the interlayer insulating layer and exposing the top of the via, and forming the exposed via on the upper surface of the interlayer insulating layer. Forming an upper wiring layer to be connected.
【請求項4】上面を有し、ビアを立設するためのビア立
設用パッドをこの上面に有するベース基板と、 上部配線層と、 上記ビア立設用パッドと上部配線層との間に介在するパ
ッド配線間絶縁層と、 上記ビア立設用パッドと上部配線層とを接続するビアで
あって、予め成形されたワイヤからなり、上記パッド配
線間絶縁層内に埋め込まれてなるビアと、を有する配線
基板。
4. A base substrate having an upper surface and a via erecting pad for erecting a via on the upper surface, an upper wiring layer, and between the via erecting pad and the upper wiring layer. An intervening pad-wiring insulating layer, a via connecting the via-erecting pad and the upper wiring layer, the via being made of a preformed wire, and embedded in the pad-wiring insulating layer. And a wiring board having the same.
【請求項5】ベース基板の上面に形成されたビア立設用
パッドに、ワイヤボンディング法により、ワイヤの一端
を固着し、かつ該ワイヤを所定高さに立設したビアを形
成する工程と、 上記ビアを立設したまま、上記ベース基板の上面に未硬
化絶縁物を配置する工程と、 加熱して上記未硬化絶縁物を硬化させ、パッド配線間絶
縁層とする工程と、 該パッド配線間絶縁層の上面を整面し、上記ビアの頂部
を露出させる工程と、 上記パッド配線間絶縁層の上面に、上記露出したビアと
接続する上部配線層を形成する工程と、を有する配線基
板の製造方法。
5. A step of fixing one end of a wire to a via-standing pad formed on an upper surface of a base substrate by a wire bonding method, and forming a via with the wire standing at a predetermined height. A step of disposing an uncured insulator on the upper surface of the base substrate with the vias standing; a step of curing the uncured insulator by heating to form an insulating layer between pad wirings; A step of trimming an upper surface of an insulating layer to expose a top portion of the via; and a step of forming an upper wiring layer connected to the exposed via on the upper surface of the insulating layer between pad wirings. Production method.
【請求項6】ベース基板の上面に形成されたビア立設用
パッドに、ワイヤボンディング法により、ワイヤの一端
を固着し、かつ該ワイヤを所定高さに立設したビアを形
成する工程と、 上記ビアを立設したまま、予め上記立設したビアに対応
する位置にビア用貫通孔を空けたプリプレグを上記ベー
ス基板の上面に重ねる工程と、 加熱して上記プリプレグを硬化させ、パッド配線間絶縁
層とする工程と、 該パッド配線間絶縁層の上面を整面し、上記ビアの頂部
を露出させる工程と、 上記パッド配線間絶縁層の上面に、上記露出したビアと
接続する上部配線層を形成する工程と、を有する配線基
板の製造方法。
6. A step of fixing one end of a wire to a via-standing pad formed on an upper surface of a base substrate by a wire bonding method, and forming a via with the wire standing at a predetermined height. A step of superposing a prepreg having a through hole for a via at a position corresponding to the via erected beforehand on the upper surface of the base substrate while the via is erected; heating the prepreg to cure the prepreg; Forming an insulating layer; adjusting the upper surface of the inter-pad wiring insulating layer to expose the top of the via; and forming an upper wiring layer connected to the exposed via on the upper surface of the inter-pad wiring insulating layer. Forming a wiring board.
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