JP2001244081A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子Info
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Abstract
ネッセンス素子を提供する。 【解決手段】短辺と長辺を有する細長い透明基板101
上に形成される、少なくとも一層の発光性有機層103
を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
陽極102を狭い幅にパターニングし、陽極の幅が発光
領域の幅を決定するように陽極、有機層及び陰極104
を積層することにより、幅の狭い発光領域を有する有機
エレクトロルミネッセンス素子を得ることができる。
Description
有する有機エレクトロルミネッセンス(以下、エレクト
ロルミネッセンスをELと略記する)素子に関する。
膜と陰極薄膜に狭持された構造をとる有機EL素子は、
無機EL素子に比べて印加電圧を大幅に低下させること
ができ、また、バックライト搭載の液晶表示装置と比べ
低消費電力化を図ることができる。そのため、新規材料
の開発・改良、素子構造の最適化等を通して、より高性
能な有機EL素子を得るための開発が活発に進められて
いる。有機EL素子については既にいろいろな発光色の
素子、また高輝度、高効率の素子が開発されており、表
示装置の画素としての利用やバックライト等の光源とし
ての利用が進められている。
術として、特開平10−50124号公報を挙げること
ができる。この公報では、液晶表示装置を前面から照明
するフロントライト、あるいは液晶表示装置を背面から
照明するバックライトの光源として、線状の発光領域を
有する有機EL素子を用いる技術が開示されている。
従来技術に記載されている光源に用いられる有機EL素
子は、液晶表示装置の導光板の厚さ以下の幅と、同導光
板の一辺程度の長さを満たす発光領域を有する必要があ
るという問題点があった。
で、その課題とするところは、製造方法が容易で、かつ
μm以下の発光領域幅も可能な線状の発光領域を有する
有機EL素子を提供する。
成になる有機エレクトロルミネッセンス素子が提供され
る。
性有機薄膜が陽極薄膜と陰極薄膜に狭持されてなる有機
エレクトロルミネッセンス素子において、前記透明基板
の外形が第1の長辺、第2の長辺、第1の短辺及び第2
の短辺で囲まれた長方形であり、前記透明基板の前記第
1の短辺側から前記第2の短辺側にわたり、前記長辺に
平行な方向に延びた前記陽極薄膜が一本の線状にパター
ニングされており、前記陽極薄膜の幅が発光領域の幅を
決定することを特徴とする。
膜の幅が発光領域の幅となるため、幅の狭い線状の発光
領域を有する有機EL素子を構成できるという効果を有
する。
て、前記陽極薄膜の線幅が1mm以下であることを特徴
とする有機EL素子。
を得ることが可能となる。
て、前記陽極薄膜がエッチング法によりパターニングさ
れていることを特徴とする有機EL素子。
ンを形成する蒸着法やスパッタリング法では不可能な陽
極薄膜の幅もエッチング法では可能であるため、幅の狭
い線状の発光領域を有する有機EL素子を構成できると
いう効果を有する。
有機EL素子において、前記透明基板の前記第1の短辺
側に前記陽極薄膜の一部である第1の陽極薄膜端子と前
記陰極薄膜の一部である第1の陰極薄膜端子が並んで配
置されていることを特徴とする有機EL素子。
側に配置された陽極薄膜端子部と陰極薄膜端子部に,有
機EL素子に電流を供給する配線を接続できるため、幅
の狭い発光領域を有する有機EL素子が構成でき、また
有機EL素子に電流を供給する配線を簡易化することが
できるという効果を有する。
て、前記透明基板の前記第1の短辺に対向する前記第2
の短辺側に前記陽極薄膜の一部である第2の陽極薄膜端
子がさらに配置されていることを特徴とする有機EL素
子。
材料で構成される場合が多い陽極薄膜の端子部を透明基
板の両端辺側に配置するため、有機EL素子に注入され
る電流の分布むらに起因する輝度むらの発生を抑制する
効果を有する。
て、前記透明基板の前記第2の短辺側に、前記陰極薄膜
の一部である第2の陰極薄膜端子部が前記第2の陽極薄
膜端子と並んでさらに配置されていることを特徴とする
有機EL素子。
薄膜端子部が透明基板の両端辺側に配置されているた
め、陰極及び陽極薄膜端子部が透明基板の片方の短辺側
にのみ配置されている場合に生じやすい、素子に注入さ
れる電流の分布むらに起因する輝度むらの発生を抑制す
る効果を有する。
有機EL素子において、前記透明基板の前記第1の短辺
側に前記陽極薄膜端子が、前記第2の短辺側に前記陰極
薄膜端子がそれぞれ位置されていることを特徴とする有
機EL素子。
陽極薄膜端子と陰極薄膜端子をそれぞれ配置するため、
線状の有機EL光源を薄型化でき、これを搭載する装置
の小型化、薄型化を図ることができるという効果を有す
る。
る。
の第1の実施形態の平面図であり、図1(b)は図1
(a)のAB断面図である。なお、図1(a)は図を見
易くするために、構成要素を一部省いて描いてある。
m、厚さ0.3mmの透明基板101に陽極102を形
成し、その上に少なくとも一層の発光機能有する有機層
103成膜し、さらに陰極104を形成したものを、透
明或いは半透明の封止基板106で封止処理したもので
ある。
透明基板として一般的なソーダガラスを用いるが、他に
も石英系、多成分系、希土類元素ドープ石英系、希土類
元素ドープ多成分系のガラス材料を用いることができ
る。
れることが多く、本発明においても例外ではない。従っ
て透明或いは半透明な電極が好ましい。本発明では透明
電極としてITO(錫ドープ酸化インジウム)を用いる
が、他にもIZO(亜鉛ドープ酸化インジウム)等を用
いることができる。
0〜300nmの範囲が好ましい。また、その上限は特
に制限はないが、あまり厚いと透過率の低下や剥離など
が生じる可能性があり、また厚さが薄すぎると、電極と
して十分な効果が得られず、製造時の膜強度等の点でも
問題がある。
ングされ、本実施形態における陽極の幅は0.1mmと
するが、この限りではなく、フォトエッチング法の精度
の許容範囲内であればさらに狭い幅も可能である。所望
の線状光を得るためには陽極の線幅は1mm以下とする
ことがより好ましい。
孔輸送層、発光層、電子輸送層と機能分離させるのが望
ましいとされる。本実施形態では正孔輸送層としてN,
N‘−ジフェニル−N,N’−ジナフチル−1,1’−
ビフェニル−4,4’−ジアミンを真空蒸着により膜厚
50nmの薄膜を形成する。また、前記正孔輸送層の上
に、電子輸送性発光材料として一般的に知られているト
リス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体を真
空蒸着により50nmの薄膜を形成する。ただし、有機
層に用いられる有機材料及び有機層の構成についてはこ
の限りではない。
のではなく、形成方法によっても異なるが、通常5〜5
00nm程度、特に10〜300nmとすることが望ま
しい。
子、高分子を問わず、真空蒸着の他に、スパッタリン
グ、スピンコート、ディッピング、インクジェット方式
など様々な成膜手法を選択することができる。
態では、マグネシウムと銀を10:1の割合で真空蒸着
により混合した合金(膜厚200nm)を用いる。ただ
し、陰極及び補助電極の材料としてはこの限りではな
く、アルミニウムやリチウム、カルシウム等の単体金
属、またはそれらを含む2成分、3成分の合金系が挙げ
られる。
或いは半透明材料が挙げられる。本実施形態では一般的
なソーダガラスを用いる。しかしその限りではない。
05は、一般的に透明或いは半透明で、水分や活性ガス
等を通しにくい性質であることが望ましい。本実施形態
では光硬化性のエポキシ樹脂を用いる。しかしこの限り
ではなく、熱硬化性のエポキシ樹脂なども用いることが
できる。
極薄膜端子部107と陰極薄膜端子部108を有し、発
光領域が0.1mm×45mmの線状有機EL光源が得
られる。このような光源は、液晶表示装置を照明するバ
ックライトやフロントライト等の光源として用いること
ができる。
ライトやフロントライトの光源として導光板の端面に配
置する場合、導光板の端面に光を有効に導入するために
は発光領域の幅が狭い方がよい。本実施形態では幅0.
1mmの発光領域が実現できるため好適な線状光源とな
る。
とが可能であるため、本実施形態における有機EL光源
は好適な白色発光の線状光源となり得る。よってフルカ
ラー液晶表示装置のバックライトやフロントライト等の
光源として用いることができる。
端子部が透明基板両端辺側に集中して配置されているた
め、電源からの配線を簡略化でき、装置の小型化、薄型
化が可能となる。
の第2の実施形態の平面図であり、図2(b)は図2
(a)のCD断面図である。なお、図2(a)は図を見
易くするために、構成要素を一部省いて描いてある。
m、厚さ0.3mmの透明基板101に陽極102を形
成し、その上に少なくとも一層の発光機能有する有機層
103成膜し、さらに陰極104を形成したものを、透
明或いは半透明の封止基板106で封止処理したもので
ある。
mの幅にフォトエッチング法によりパターニングする
が、この限りではなく、フォトエッチング法の精度の許
容範囲内であればさらに狭い幅も可能である。
材料、封止基板及び封止基板を接着する接着剤は第1の
実施形態と同じである。
に第1の陽極薄膜端子部201と陰極薄膜端子部202
を有し、さらに透明基板のもう一方の短辺側に第2の陽
極薄膜端子を有する、発光領域が0.1mm×45mm
の線状の有機EL光源が得られる。
電気抵抗の高い材料で構成される陽極において、陽極薄
膜端子部が透明基板の両端辺側に配置されていることか
ら、有機EL素子に注入される電流の分布むらに起因す
る輝度むらの発生を抑制することができる。
うな光源は、液晶表示装置を照明するバックライトやフ
ロントライト等の光源として用いることができる。
の第3の実施形態の平面図であり、図3(b)は図3
(a)のEF断面図である。なお、図3(a)は図を見
易くするために、構成要素を一部省いて描いてある。
m、厚さ0.3mmの透明基板101上に陽極102を
形成し、その上に少なくとも1層の発光機能を有する有
機層103を成膜し、さらに陰極104を形成したもの
を、透明或いは半透明の封止基板106で封止処理した
ものである。
mの幅にフォトエッチング法によりパターニングする
が、この限りではなく、フォトエッチング法の精度の許
容範囲内であればさらに狭い幅も可能である。
材料、封止基板及び封止基板を接着する接着剤は第1の
実施形態と同じである。
に第1の陽極薄膜端子部301と第1の陰極薄膜端子部
302が、また対向するもう一方の短辺側に第2の陽極
薄膜端子部303と第2の陰極薄膜端子部304が設置
してあるため、有機EL素子に注入される電流が均等に
分布する。よって電流の分布むらに起因する有機EL素
子の輝度むらの発生を抑制することができる。
極薄膜端子部と陰極薄膜端子部を有し、発光領域が0.
1mm×45mmの線状の有機EL光源が得られる。
は、液晶表示装置を照明するバックライトやフロントラ
イトなどの光源として用いることができる。
の第4の実施形態の平面図であり、図4(b)は図4
(a)のGH断面図である。なお、図4(a)は図を見
易くするために、構成要素を一部省いて描いてある。
mm、厚さ0.3mmの透明基板101上に陽極102
を形成し、その上に少なくとも1層の発光機能を有する
有機層103を成膜し、さらに陰極104を形成したも
のを、透明或いは半透明の封止基板106で封止処理し
たものである。
mの幅にフォトエッチング法によりパターニングする
が、この限りではなく、フォトエッチング法の精度の許
容範囲内であればさらに狭い幅も可能である。
材料、封止基板及び封止基板を接着する接着剤は第1の
実施形態と同じである。
に陽極薄膜端子部401が、また対向するもう一方の短
辺側に陰極薄膜端子部402が設置してあるため、有機
EL素子が形成されている透明基板の幅をより狭くする
ことができ、光源の小型化、薄型化を図ることができ
る。
m、厚さ0.3mmの透明基板上に発光領域が0.1m
m×45mmの有機EL素子が形成された線状の有機E
L光源が得られる。
は、液晶表示装置を照明するバックライトやフロントラ
イト等の光源として用いることができる。
素子は、短辺と長辺を有する細長い透明基板上に狭い幅
にパターニングされた陽極薄膜の幅が発光領域の幅とな
るため、幅の狭い発光領域を有する。液晶表示装置のバ
ックライトやフロントライト等の光源は導光板の端面に
配置されるため、導光板の端面に光を有効に導入するた
めに幅が狭い発光領域を有する線状の光源である方がよ
い。本発明の有機EL素子を用いた光源は幅0.1mm
以下の発光領域が実現できるため、好適なバックライト
やフロントライト等の光源として用いることができる。
ルミネセンス素子の構造を示す図で、図1(a)は平面
図であり、図1(b)は同図(a)のAB線に沿った断
面図である。
ルミネセンス光源の構造を示す図で、図2(a)は平面
図であり、図2(b)は同図(a)のCD線に沿った断
面図である。
ルミネセンス光源の構造を示す図で、図3(a)は平面
図であり、図3(b)は同図(a)のEF線に沿った断
面図である。
ルミネセンス光源の構造を示す図で、図4(a)は平面
図であり、図4(b)は同図(a)のGH線に沿った断
面図である。
Claims (7)
- 【請求項1】透明基板上に少なくとも1層の発光性有機
薄膜が陽極薄膜と陰極薄膜に狭持されてなる有機エレク
トロルミネッセンス素子において、前記透明基板の外形
が第1の長辺、第2の長辺、第1の短辺及び第2の短辺
で囲まれた長方形であり、前記透明基板の前記第1の短
辺側から前記第2の短辺側にわたり、前記長辺に平行な
方向に延びた前記陽極薄膜が一本の線状にパターニング
されており、前記陽極薄膜の幅が発光領域の幅を決定す
ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素
子。 - 【請求項2】前記陽極薄膜の線幅が1mm以下であるこ
とを特徴とする請求項1記載の有機エレクトロルミネッ
センス素子。 - 【請求項3】前記陽極薄膜がエッチング法によりパター
ニングされていることを特徴とする請求項1記載の有機
エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項4】前記透明基板の前記第1の短辺側に前記陽
極薄膜の一部である第1の陽極薄膜端子と前記陰極薄膜
の一部である第1の陰極薄膜端子が並んで配置されてい
ることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記
載の記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項5】前記透明基板の前記第1の短辺に対向する
前記第2の短辺側に前記陽極薄膜の一部である第2の陽
極薄膜端子がさらに配置されていることを特徴とする請
求項4記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項6】前記透明基板の前記第2の短辺側に、前記
陰極薄膜の一部である第2の陰極薄膜端子部が前記第2
の陽極薄膜端子と並んでさらに配置されていることを特
徴とする請求項5記載の有機エレクトロルミネッセンス
素子。 - 【請求項7】前記透明基板の前記第1の短辺側に前記陽
極薄膜端子が、前記第2の短辺側に前記陰極薄膜端子が
それぞれ位置されていることを特徴とする請求項1乃至
3のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセン
ス素子。
Priority Applications (1)
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JP2000050166A JP3975637B2 (ja) | 2000-02-25 | 2000-02-25 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
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Publications (2)
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JP3975637B2 JP3975637B2 (ja) | 2007-09-12 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003217865A (ja) * | 2002-01-16 | 2003-07-31 | Seiko Epson Corp | 照明装置、照明装置の製造方法、照明装置を用いた表示装置 |
JP2004134282A (ja) * | 2002-10-11 | 2004-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 照明装置及びそれを用いた画像読取装置 |
US7338844B2 (en) | 2003-10-14 | 2008-03-04 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing electro-optical device having a plurality of unit regions arranged in a matrix |
-
2000
- 2000-02-25 JP JP2000050166A patent/JP3975637B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP2004134282A (ja) * | 2002-10-11 | 2004-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 照明装置及びそれを用いた画像読取装置 |
US7338844B2 (en) | 2003-10-14 | 2008-03-04 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing electro-optical device having a plurality of unit regions arranged in a matrix |
US7601943B2 (en) | 2003-10-14 | 2009-10-13 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device having electro-optical elements provided selectively at pixel regions and electronic apparatus |
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