JP2001242395A - デジタル・マイクロミラー・デバイスと非接触の端部結合型隠れヒンジ構造のための方法 - Google Patents
デジタル・マイクロミラー・デバイスと非接触の端部結合型隠れヒンジ構造のための方法Info
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- B81B3/0035—Constitution or structural means for controlling the movement of the flexible or deformable elements
- B81B3/0051—For defining the movement, i.e. structures that guide or limit the movement of an element
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- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00912—Treatments or methods for avoiding stiction of flexible or moving parts of MEMS
- B81C1/0096—For avoiding stiction when the device is in use, i.e. after manufacture has been completed
- B81C1/00976—Control methods for avoiding stiction, e.g. controlling the bias voltage
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
- G02B26/0841—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting element being moved or deformed by electrostatic means
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- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/04—Optical MEMS
- B81B2201/042—Micromirrors, not used as optical switches
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の素子に見られていたミラーの“固着”
問題が解決され、結果として、絶妙な非活性化コーティ
ングと高コストの密閉パッケージへの要求を緩和するこ
とにより、製造過程が簡素化される。 【解決手段】 新たなＤＭＤ素子および非接触、端部結
合、隠れヒンジ構造の方法が開示されている。この新技
術により、ミラーあるいは下部のヨークと、ＣＭＯＳ基
板表面上の着地パッドとの間の物理的な接触が不要とな
る。この新たなＤＭＤ構造では、素子表面上の適度な高
さ位置に、ミラーが所望の角度の領域に回転した際に、
ミラー２０またはヨーク２２の連続した端部と近接する
ように、捕獲電極２４が設けられる。この捕獲電極２４
とミラーアセンブリは、これらの間に極めて高い静電引
力を生み出し、ミラーがほか区電極の平面に近づいた際
にはミラーを止めるように、バイアスされる。ミラーア
センブリのパルス波形を調整することにより、ミラーは
確実に減衰され、ミラーアセンブリが所望の回転角で停
止した際のＤＭＤミラーの振動を防ぐことができる。
問題が解決され、結果として、絶妙な非活性化コーティ
ングと高コストの密閉パッケージへの要求を緩和するこ
とにより、製造過程が簡素化される。 【解決手段】 新たなＤＭＤ素子および非接触、端部結
合、隠れヒンジ構造の方法が開示されている。この新技
術により、ミラーあるいは下部のヨークと、ＣＭＯＳ基
板表面上の着地パッドとの間の物理的な接触が不要とな
る。この新たなＤＭＤ構造では、素子表面上の適度な高
さ位置に、ミラーが所望の角度の領域に回転した際に、
ミラー２０またはヨーク２２の連続した端部と近接する
ように、捕獲電極２４が設けられる。この捕獲電極２４
とミラーアセンブリは、これらの間に極めて高い静電引
力を生み出し、ミラーがほか区電極の平面に近づいた際
にはミラーを止めるように、バイアスされる。ミラーア
センブリのパルス波形を調整することにより、ミラーは
確実に減衰され、ミラーアセンブリが所望の回転角で停
止した際のＤＭＤミラーの振動を防ぐことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、空間光変調器に関
し、特に、新しい非接触の端部結合型隠れヒンジ構造を
用いたデジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）
空間光変調器に関する。
し、特に、新しい非接触の端部結合型隠れヒンジ構造を
用いたデジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）
空間光変調器に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１は、従来の隠れヒンジデジタル・マ
イクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）を、３つの金属層に
分けて示すものであり、これら３層は、どちらかといえ
ば標準的なＳＲＡＭメモリセル上に構成されている。図
１ａは、メモリセル上にあり、ヨークアドレスパッド
１、バイアス/リセットバス２、着地位置３Ｘ、および
下部のＳＲＡＭメモリセルへの接続部１３からなる第一
金属層２００を示す。図１ｂは、ミラーアドレス電極
４、電極支持ポスト５、トーションヒンジ６、ヒンジ支
持ポスト、ヨーク８、およびヨーク接触チップ９からな
る金属構造の第２層３００を示す。この第２金属層３０
０アセンブリは、第１金属層２００の上に位置し、電極
支持ポスト５とヒンジポスト７によって支持されてい
る。図１Ｃは、高反射率ミラー１０とその支持ポスト１
１からなる第３金属層４００を示す。上記と同様に、ミ
ラーアセンブリ４００は、第２金属層３００の上に位置
し、ヨーク８の中央にある電極支持ポスト１１によって
支持されている。動作の際には、ヒンジ支持ポスト７に
よりヨークアセンブリ８に一体化するバイアス/リセッ
トバス２に対し、バイアス電圧が印加される。ヨークア
ドレスパッド１とミラーアドレス電極４が、パルス稼働
され、アドレスパッドとミラーアセンブリ間に電場を形
成するバイアス電圧が印加される。この電場は、下のメ
モリセルの２値状態に応じて、ヨーク/ミラーアセンブ
リを一方向または他方向に傾けさせる静電力を発生させ
るものである。図示したように、ヨークとミラーアセン
ブリは一緒に回転するが、静電力は、２つの領域１２
(斜線で網掛けで図示)、すなわち、第１層のヨークアド
レスパッド１と第２層のヨーク８の間と、第２層のミラ
ーアドレス電極４と第３層のミラー１０との間に確立さ
れる。ヨーク８は、その着地チップ９が下部の金属層２
００の着地点３に接触するまで回転する。その回転角
は、ヨーク構造と、下部の金属層２００上の第２金属層
３００の高さの関数である。長くて、薄く、狭幅のトー
ションヒンジ６は、ヨーク８とミラー１０をヒンジサポ
ートポスト７から支持し、より厚みのあるヨーク８が平
坦となるように、これらに働くトルクを有する。最後
に、着地点３からミラー／ヨークアセンブリをはずし自
由にするために、リセットパルスがバイアス／リセット
バス２に印加される。
イクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）を、３つの金属層に
分けて示すものであり、これら３層は、どちらかといえ
ば標準的なＳＲＡＭメモリセル上に構成されている。図
１ａは、メモリセル上にあり、ヨークアドレスパッド
１、バイアス/リセットバス２、着地位置３Ｘ、および
下部のＳＲＡＭメモリセルへの接続部１３からなる第一
金属層２００を示す。図１ｂは、ミラーアドレス電極
４、電極支持ポスト５、トーションヒンジ６、ヒンジ支
持ポスト、ヨーク８、およびヨーク接触チップ９からな
る金属構造の第２層３００を示す。この第２金属層３０
０アセンブリは、第１金属層２００の上に位置し、電極
支持ポスト５とヒンジポスト７によって支持されてい
る。図１Ｃは、高反射率ミラー１０とその支持ポスト１
１からなる第３金属層４００を示す。上記と同様に、ミ
ラーアセンブリ４００は、第２金属層３００の上に位置
し、ヨーク８の中央にある電極支持ポスト１１によって
支持されている。動作の際には、ヒンジ支持ポスト７に
よりヨークアセンブリ８に一体化するバイアス/リセッ
トバス２に対し、バイアス電圧が印加される。ヨークア
ドレスパッド１とミラーアドレス電極４が、パルス稼働
され、アドレスパッドとミラーアセンブリ間に電場を形
成するバイアス電圧が印加される。この電場は、下のメ
モリセルの２値状態に応じて、ヨーク/ミラーアセンブ
リを一方向または他方向に傾けさせる静電力を発生させ
るものである。図示したように、ヨークとミラーアセン
ブリは一緒に回転するが、静電力は、２つの領域１２
(斜線で網掛けで図示)、すなわち、第１層のヨークアド
レスパッド１と第２層のヨーク８の間と、第２層のミラ
ーアドレス電極４と第３層のミラー１０との間に確立さ
れる。ヨーク８は、その着地チップ９が下部の金属層２
００の着地点３に接触するまで回転する。その回転角
は、ヨーク構造と、下部の金属層２００上の第２金属層
３００の高さの関数である。長くて、薄く、狭幅のトー
ションヒンジ６は、ヨーク８とミラー１０をヒンジサポ
ートポスト７から支持し、より厚みのあるヨーク８が平
坦となるように、これらに働くトルクを有する。最後
に、着地点３からミラー／ヨークアセンブリをはずし自
由にするために、リセットパルスがバイアス／リセット
バス２に印加される。
【０００３】図２は、上記のＳＲＡＭメモリを含む従来
のＤＭＤの４層の３次元構造を示す。これらは、ＣＭＯ
Ｓ ＳＲＡＭメモリ層１００、アドレスおよび着地パッ
ド層２００、ヨークおよびヒンジ層３００、およびミラ
ー層４００からなる。図によると、この従来のＤＭＤ素
子は、ヒンジに平行な対角軸に関して対照となっている
ため、動作中は、ミラーアセンブリはＳＲＡＭメモリセ
ル１４の２値状態（０または１）によって、順方向また
は逆方向に傾くことが分かる。通常のＤＭＤの構造で
は、ミラーは、±１０°の範囲で傾くようになってい
る。
のＤＭＤの４層の３次元構造を示す。これらは、ＣＭＯ
Ｓ ＳＲＡＭメモリ層１００、アドレスおよび着地パッ
ド層２００、ヨークおよびヒンジ層３００、およびミラ
ー層４００からなる。図によると、この従来のＤＭＤ素
子は、ヒンジに平行な対角軸に関して対照となっている
ため、動作中は、ミラーアセンブリはＳＲＡＭメモリセ
ル１４の２値状態（０または１）によって、順方向また
は逆方向に傾くことが分かる。通常のＤＭＤの構造で
は、ミラーは、±１０°の範囲で傾くようになってい
る。
【０００４】図３は、従来の隠れヒンジＤＭＤの３つの
ミラーのピクセル配列と、その他のピクセルの下部構造
の３次元切断図である。本図に含まれるのは、以下の、
ヨークアドレスパッド１、バイアス／リセットバス２、
ヨーク着地点３、ミラーアドレス電極４、電極支持ポス
ト５、トーションヒンジ６、ヒンジ支持ポスト７、ヨー
ク８、ヨーク着地チップ９、反射ミラー１０、ミラー支
持ポスト１１、ＳＲＡＭメモリセル１４への接続点１３
である。正方形状ミラーは、±１０°のオーダーで傾
き、４００から６００ナノメータの色波長をもつ可視光
に対して高反射率をもっている。ミラー相互間の間隔
は、通常、１ミクロンより小さい幅である。
ミラーのピクセル配列と、その他のピクセルの下部構造
の３次元切断図である。本図に含まれるのは、以下の、
ヨークアドレスパッド１、バイアス／リセットバス２、
ヨーク着地点３、ミラーアドレス電極４、電極支持ポス
ト５、トーションヒンジ６、ヒンジ支持ポスト７、ヨー
ク８、ヨーク着地チップ９、反射ミラー１０、ミラー支
持ポスト１１、ＳＲＡＭメモリセル１４への接続点１３
である。正方形状ミラーは、±１０°のオーダーで傾
き、４００から６００ナノメータの色波長をもつ可視光
に対して高反射率をもっている。ミラー相互間の間隔
は、通常、１ミクロンより小さい幅である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図４は、ミラー１０を
有する２つのＤＭＤセルを示すものであり、下部の構造
が見通せるようにミラーは透明にして示す。一方のミラ
ーは、−１０°回転するように示され、他方のミラー
は、＋１０°回転するように示され、各々は下部のメモ
リセル１４での“０”と“１”の２値状態を表している
。本図は、付属する反射ミラー１０をもつヨーク８が
トーションヒンジ６を中心にしてどのように回転し、ヨ
ーク着地チップ９が下部の着地パッド３に接触（着地）
するに到るか明確に示している。このヨーク着地チップ
９と着地パッド部３との間の機械的な接触が、本発明を
特徴付けるものとなっている。従来のＤＭＤの問題は、
ミラーの固着問題であり、着地チップが素子の応答に伴
いパッドから上昇するのが遅れ、ある場合に着地パッド
に恒久的にくっついてしまう状態である。この固着問題
には、いくつかの原因が考えられるが、パッケージ中の
湿分や、着地チップの金属性着地パッドへのこすり付き
や、素子のパッケージへの取り付けと光学ガラスカバー
のパッケージへの取り付けのための製造過程で用いられ
るエポキシシール材の成分気化が挙げられる。この“固
着”問題は、金属表面が滑りやすくなるように表面に潤
滑あるいは不活性化層を設け、また、拘束表面接触から
開放するように、共鳴解除手法を用いてピクセルにエネ
ルギーを与えることが行われてきた。最近は、スプリン
グチップをミラーのチップに加え、この固着問題の解決
を図ろうとしている。また、ゲッター材料を加え、パッ
ケージ中の湿分を吸収することもよく行われる。これら
の解決策は、確かに効果的ではあるものの、保護膜の長
期的な劣化という問題がつきまとっており、これによ
り、密封パッケージと、窓取り付けに先立つ複雑な製造
工程を必要とする技術が採用されていた。しかし、この
技術は、高い製品コスト、複雑な製品構造、および製品
出荷の困難さを増す結果となる恐れがあった。
有する２つのＤＭＤセルを示すものであり、下部の構造
が見通せるようにミラーは透明にして示す。一方のミラ
ーは、−１０°回転するように示され、他方のミラー
は、＋１０°回転するように示され、各々は下部のメモ
リセル１４での“０”と“１”の２値状態を表している
。本図は、付属する反射ミラー１０をもつヨーク８が
トーションヒンジ６を中心にしてどのように回転し、ヨ
ーク着地チップ９が下部の着地パッド３に接触（着地）
するに到るか明確に示している。このヨーク着地チップ
９と着地パッド部３との間の機械的な接触が、本発明を
特徴付けるものとなっている。従来のＤＭＤの問題は、
ミラーの固着問題であり、着地チップが素子の応答に伴
いパッドから上昇するのが遅れ、ある場合に着地パッド
に恒久的にくっついてしまう状態である。この固着問題
には、いくつかの原因が考えられるが、パッケージ中の
湿分や、着地チップの金属性着地パッドへのこすり付き
や、素子のパッケージへの取り付けと光学ガラスカバー
のパッケージへの取り付けのための製造過程で用いられ
るエポキシシール材の成分気化が挙げられる。この“固
着”問題は、金属表面が滑りやすくなるように表面に潤
滑あるいは不活性化層を設け、また、拘束表面接触から
開放するように、共鳴解除手法を用いてピクセルにエネ
ルギーを与えることが行われてきた。最近は、スプリン
グチップをミラーのチップに加え、この固着問題の解決
を図ろうとしている。また、ゲッター材料を加え、パッ
ケージ中の湿分を吸収することもよく行われる。これら
の解決策は、確かに効果的ではあるものの、保護膜の長
期的な劣化という問題がつきまとっており、これによ
り、密封パッケージと、窓取り付けに先立つ複雑な製造
工程を必要とする技術が採用されていた。しかし、この
技術は、高い製品コスト、複雑な製品構造、および製品
出荷の困難さを増す結果となる恐れがあった。
【０００６】従って、下部のメモリ基板表面と物理的に
接触することなく、素子あるいはピクセル配列の長さに
渡って、信頼性高く、予期したように与えられた角度に
回転し、以って、この接触・固着を打ち破る際のすべて
の障害を回避するＤＭＤを実装することが望ましい。固
着問題を解決することにより、ミラー配列の性能をより
予測可能とし、また、頻発する素子不良、すなわち、ミ
ラー固着を減らすことができる。 接触をなくすことに
より、第１電極レベル上の粒子状物質により高い不活性
状態を与えることができ、特殊な光吸収黒色金属層を可
能にし、また、二酸化珪素（ＳｉＯ2）のような従来の
ＣＭＯＳの電気的な不活性層の利用を可能とする。本発
明は、このニーズに応じたものである。
接触することなく、素子あるいはピクセル配列の長さに
渡って、信頼性高く、予期したように与えられた角度に
回転し、以って、この接触・固着を打ち破る際のすべて
の障害を回避するＤＭＤを実装することが望ましい。固
着問題を解決することにより、ミラー配列の性能をより
予測可能とし、また、頻発する素子不良、すなわち、ミ
ラー固着を減らすことができる。 接触をなくすことに
より、第１電極レベル上の粒子状物質により高い不活性
状態を与えることができ、特殊な光吸収黒色金属層を可
能にし、また、二酸化珪素（ＳｉＯ2）のような従来の
ＣＭＯＳの電気的な不活性層の利用を可能とする。本発
明は、このニーズに応じたものである。
【０００７】一般的な種類の従来技術による代表的な構
造は、米国特許番号５，５３５，０４７（発明者ホーン
ベック）に開示されており、また、出版物として（１）
ラリー ジェイ ホーンベック著、“高輝度、高解像度
応用のためのデジタル光処理” 電子画像処理、ＥＩ
‘９７、プロジェクションディスプレイＩＩＩ、ＩＳ＆
ＴおよびＳＰＩＥ共催、１９９７年２月１０日〜１２
日、カリフォルニア州サンノゼ開催と、（２）ラリー
ジェイ ホーンベック著、“デジタル光処理およびＭＥ
ＭＳ：明るい未来への時宜を得た集約”マイクロマシン
およびマイクロ製造’９５、ＳＰＩＥ 応用科学および
工業シリーズ、１９９５年１０月２３日〜２４日、テキ
サス州オースチン開催の講演論文集がある。
造は、米国特許番号５，５３５，０４７（発明者ホーン
ベック）に開示されており、また、出版物として（１）
ラリー ジェイ ホーンベック著、“高輝度、高解像度
応用のためのデジタル光処理” 電子画像処理、ＥＩ
‘９７、プロジェクションディスプレイＩＩＩ、ＩＳ＆
ＴおよびＳＰＩＥ共催、１９９７年２月１０日〜１２
日、カリフォルニア州サンノゼ開催と、（２）ラリー
ジェイ ホーンベック著、“デジタル光処理およびＭＥ
ＭＳ：明るい未来への時宜を得た集約”マイクロマシン
およびマイクロ製造’９５、ＳＰＩＥ 応用科学および
工業シリーズ、１９９５年１０月２３日〜２４日、テキ
サス州オースチン開催の講演論文集がある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】新しいＤＭＤ素子と非接
触端結合隠れヒンジ構造の方法を開示する。この手法
は、ミラーあるいは下部ヨークと、ＣＭＯＳ基板表面上
の着地パッド間の物理的な接触を必要としないものであ
る。その結果、従来の素子での固着ミラーの問題を解決
し、微妙な不活性化層コーティングと高価な密封パッケ
ージに対する要求を緩和することができる。
触端結合隠れヒンジ構造の方法を開示する。この手法
は、ミラーあるいは下部ヨークと、ＣＭＯＳ基板表面上
の着地パッド間の物理的な接触を必要としないものであ
る。その結果、従来の素子での固着ミラーの問題を解決
し、微妙な不活性化層コーティングと高価な密封パッケ
ージに対する要求を緩和することができる。
【０００９】本方式は、多かれ少なかれ、デジタル動作
を依然として維持する従来のＤＭＤ構造を用いるが、所
望の回転位置のおよその位置にピクセルを偏向させ、Ｄ
ＭＤミラーを所望の回転角度で止める端結合容量性静電
力を用いて、ピクセルを捕獲するために、対角あるいは
直交軸に沿って回転するように改造された構造を用いる
ものである。
を依然として維持する従来のＤＭＤ構造を用いるが、所
望の回転位置のおよその位置にピクセルを偏向させ、Ｄ
ＭＤミラーを所望の回転角度で止める端結合容量性静電
力を用いて、ピクセルを捕獲するために、対角あるいは
直交軸に沿って回転するように改造された構造を用いる
ものである。
【００１０】従来のＤＭＤでは、回転角は、ＤＭＤの上
部構造を形成するために用いられる有機材料層の厚みに
よって、単純に決定されていた。素子の製造過程では、
捕獲(位置決め)電極は、素子表面上の適度な高さ位置に
形成され、それが所望の角度の領域に回転した際に、回
転するミラーあるいはヨークの連続した端部に概ね接近
するようになっている。この停止電極は、ミラーアセン
ブリが捕獲電極の平面に入った際に、ミラーアセンブリ
に対して極めて高い静電引力を及ぼすようにパルス駆動
される。捕獲電極のパルス波形を調整することにより、
安定した動作を提供し、所望の回転角の周りでＤＭＤミ
ラーが振動しないようにするため、ミラーを確実に押さ
えつけることができる。この方式は、接触または着地Ｄ
ＭＤピクセル構造によって、固着を防ぎ、製造工程での
着地面の不活性化を不要とし、着地面接触および／また
は不活性化劣化に起因する長期間に及ぶ劣化を防ぎ、湿
分への感度を下げ、以って密閉パッケージを不要とし、
回転角を決定するための機械的な停止機構ではなく静電
力の捕獲により固定回転角度を与えるものである。ま
た、平坦状態に解除・復帰する際に、ミラーを均一にリ
ースする特性を提供し、単一の電圧変化によりすべての
ミラーを平坦状態にする“高速解除”機能を可能とす
る。
部構造を形成するために用いられる有機材料層の厚みに
よって、単純に決定されていた。素子の製造過程では、
捕獲(位置決め)電極は、素子表面上の適度な高さ位置に
形成され、それが所望の角度の領域に回転した際に、回
転するミラーあるいはヨークの連続した端部に概ね接近
するようになっている。この停止電極は、ミラーアセン
ブリが捕獲電極の平面に入った際に、ミラーアセンブリ
に対して極めて高い静電引力を及ぼすようにパルス駆動
される。捕獲電極のパルス波形を調整することにより、
安定した動作を提供し、所望の回転角の周りでＤＭＤミ
ラーが振動しないようにするため、ミラーを確実に押さ
えつけることができる。この方式は、接触または着地Ｄ
ＭＤピクセル構造によって、固着を防ぎ、製造工程での
着地面の不活性化を不要とし、着地面接触および／また
は不活性化劣化に起因する長期間に及ぶ劣化を防ぎ、湿
分への感度を下げ、以って密閉パッケージを不要とし、
回転角を決定するための機械的な停止機構ではなく静電
力の捕獲により固定回転角度を与えるものである。ま
た、平坦状態に解除・復帰する際に、ミラーを均一にリ
ースする特性を提供し、単一の電圧変化によりすべての
ミラーを平坦状態にする“高速解除”機能を可能とす
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明は、ＤＭＤミラーまたはヨ
ークの端部に印加される、強力な静電場領域の高い引力
を用いて、下部の素子基板と物理的に接触することな
く、ミラーアセンブリの回転を止め、結果として、ミラ
ーの固着を防ぎ、固着したミラーの接触の解除について
の、従来技術で説明した問題を解決する。この手法は、
基板床面との接触を避けて、ピクセル配列全体にわた
り、信頼性高く予期したように与えられた角度にミラー
を回転できるようにしながら、デジタル動作を保持す
る。
ークの端部に印加される、強力な静電場領域の高い引力
を用いて、下部の素子基板と物理的に接触することな
く、ミラーアセンブリの回転を止め、結果として、ミラ
ーの固着を防ぎ、固着したミラーの接触の解除について
の、従来技術で説明した問題を解決する。この手法は、
基板床面との接触を避けて、ピクセル配列全体にわた
り、信頼性高く予期したように与えられた角度にミラー
を回転できるようにしながら、デジタル動作を保持す
る。
【００１２】図５は、本発明の新たな端部結合ＤＭＤの
構成の図である。従来の隠れヒンジＤＭＤと同様に、本
素子は、ミラー支持ポスト２１によりヨーク２２に取り
付けられたミラー２０と、ミラーアドレス電極２３とヨ
ークアドレス電極２５からなる。しかし、ミラーアドレ
ス電極２３と同じ製造プロセス位置に、新たに捕獲電極
２４が付け加えられている。動作中はミラー２０とミラ
ーアドレス電極２３の間と、ヨーク２２とヨークアドレ
ス電極２５の間に働く静電力により発生する引力のため
に、ミラーが回転し、ヨーク２２の端部と付け加えられ
た捕獲電極２４の間の強い引力をもつ静電力によって所
望の角度で止まる。これは、素子の下部基板レベルにあ
る固定着地パッドにヨーク２２が接触するまでミラーア
センブリが回転を続ける、従来の隠れヒンジＤＭＤとは
異なるものである。回転角は、従来のＤＭＤの場合と同
様に、ＤＭＤ構造を形成するために用いられる有機材の
スペーサ層の一つの厚みによって単純に定められる。本
実施例では、捕獲電極２４は、ヨーク２２に隣接して示
されているが、他の構成では、捕獲電極２４は、ミラー
２０に隣接して設けることも可能である。
構成の図である。従来の隠れヒンジＤＭＤと同様に、本
素子は、ミラー支持ポスト２１によりヨーク２２に取り
付けられたミラー２０と、ミラーアドレス電極２３とヨ
ークアドレス電極２５からなる。しかし、ミラーアドレ
ス電極２３と同じ製造プロセス位置に、新たに捕獲電極
２４が付け加えられている。動作中はミラー２０とミラ
ーアドレス電極２３の間と、ヨーク２２とヨークアドレ
ス電極２５の間に働く静電力により発生する引力のため
に、ミラーが回転し、ヨーク２２の端部と付け加えられ
た捕獲電極２４の間の強い引力をもつ静電力によって所
望の角度で止まる。これは、素子の下部基板レベルにあ
る固定着地パッドにヨーク２２が接触するまでミラーア
センブリが回転を続ける、従来の隠れヒンジＤＭＤとは
異なるものである。回転角は、従来のＤＭＤの場合と同
様に、ＤＭＤ構造を形成するために用いられる有機材の
スペーサ層の一つの厚みによって単純に定められる。本
実施例では、捕獲電極２４は、ヨーク２２に隣接して示
されているが、他の構成では、捕獲電極２４は、ミラー
２０に隣接して設けることも可能である。
【００１３】図６は、ミラー２０を透明に（破線で示す
ように）描いた、新たな端部結合ＤＭＤ構造の透視図で
ある。本図では、また、トーションヒンジ２６も合わせ
て示している。これは、回転するミラーの上端部（右
側）での弱い引力に比べ、回転するミラーの下端部（左
側）での強い引力を図示するものであり、ここでは、ヨ
ーク２２と捕獲電極２４は極めて近接している。この引
力は、ヨークの端部と捕獲電極の端部との間の静電容量
と距離の関数となる。これは、ヨークと捕獲電極の端面
の面積と、両者間の距離に大いに依存しており、この距
離は、二次関数的にｆ＝１／ｄ2として表わされる。本
構成では、ミラーは、捕獲電極２４に隣接し極めて近く
にあるミラーまたはヨークの端部全体に位置する直交軸
に沿って回転する。
ように）描いた、新たな端部結合ＤＭＤ構造の透視図で
ある。本図では、また、トーションヒンジ２６も合わせ
て示している。これは、回転するミラーの上端部（右
側）での弱い引力に比べ、回転するミラーの下端部（左
側）での強い引力を図示するものであり、ここでは、ヨ
ーク２２と捕獲電極２４は極めて近接している。この引
力は、ヨークの端部と捕獲電極の端部との間の静電容量
と距離の関数となる。これは、ヨークと捕獲電極の端面
の面積と、両者間の距離に大いに依存しており、この距
離は、二次関数的にｆ＝１／ｄ2として表わされる。本
構成では、ミラーは、捕獲電極２４に隣接し極めて近く
にあるミラーまたはヨークの端部全体に位置する直交軸
に沿って回転する。
【００１４】図７ａは、新たな端部結合ＤＭＤ構造の典
型的な寸法を示す。公称寸法は、新たな端部結合技術を
良好に実現し、従来のＤＭＤの製造に用いられる寸法の
典型例である。また、回転するミラー構造を停止させる
動作を与えるために必要な典型的な電圧も示されてい
る。この場合は、素子の側部にある捕獲電極２４では、
ミラー停止は＋５Ｖにバイアスされることが望ましく、
一方、素子の反対側にある捕獲電極は０Ｖに維持され
る。そして、図７ｂに示すように、波高が０Ｖから−１
０Ｖへ、次に−５Ｖへステップ状に変化するパルス波形
がミラーアセンブリに与えられる。動作中は、より低い
電圧―５Ｖを用いて、所望の回転角度での安定状態にミ
ラーアセンブリを維持する一方、下方向への回転を阻止
または停止させるために、より高い−１０Ｖの電圧が必
要となる。これらは、モデルデータに基づき、最適なパ
ルス波形が決定されるような典型的な電圧範囲を示すも
のである。
型的な寸法を示す。公称寸法は、新たな端部結合技術を
良好に実現し、従来のＤＭＤの製造に用いられる寸法の
典型例である。また、回転するミラー構造を停止させる
動作を与えるために必要な典型的な電圧も示されてい
る。この場合は、素子の側部にある捕獲電極２４では、
ミラー停止は＋５Ｖにバイアスされることが望ましく、
一方、素子の反対側にある捕獲電極は０Ｖに維持され
る。そして、図７ｂに示すように、波高が０Ｖから−１
０Ｖへ、次に−５Ｖへステップ状に変化するパルス波形
がミラーアセンブリに与えられる。動作中は、より低い
電圧―５Ｖを用いて、所望の回転角度での安定状態にミ
ラーアセンブリを維持する一方、下方向への回転を阻止
または停止させるために、より高い−１０Ｖの電圧が必
要となる。これらは、モデルデータに基づき、最適なパ
ルス波形が決定されるような典型的な電圧範囲を示すも
のである。
【００１５】図７ｃは、捕獲電極２４に対するミラーア
センブリの回転動作を図示するものである。回転軸は、
ヨーク２２の重心に位置する。ミラーアセンブリは、不
図示のミラーアドレス電極とヨークアドレス電極のバイ
アス条件に依存して、正方向または反対方向の所望の角
度に回転する。近接して整列したヨーク２２と捕獲電極
２４との間には、２μ以下の物理的な空隙が存在し、本
参考例は、捕獲電極とアドレス電極の適度なバイアスを
もったこの空隙が、必要な停止動作を提供することを示
している。動作中は、ヨーク２２と捕獲電極２４の端部
は、互いに極めて近接しあうため、これら二者間で引き
合う力はヒンジ力を上回り、回転が停止し、鋭利な端部
に沿った強い電場集中によって生じる静電留め動作によ
って所望の角度に固定される。
センブリの回転動作を図示するものである。回転軸は、
ヨーク２２の重心に位置する。ミラーアセンブリは、不
図示のミラーアドレス電極とヨークアドレス電極のバイ
アス条件に依存して、正方向または反対方向の所望の角
度に回転する。近接して整列したヨーク２２と捕獲電極
２４との間には、２μ以下の物理的な空隙が存在し、本
参考例は、捕獲電極とアドレス電極の適度なバイアスを
もったこの空隙が、必要な停止動作を提供することを示
している。動作中は、ヨーク２２と捕獲電極２４の端部
は、互いに極めて近接しあうため、これら二者間で引き
合う力はヒンジ力を上回り、回転が停止し、鋭利な端部
に沿った強い電場集中によって生じる静電留め動作によ
って所望の角度に固定される。
【００１６】図８ａおよび８ｂは、各々、ヨークと捕獲
電極で作る平面でのピクセル構造についての、対角配置
および直交配置を示す。両図は、ヨーク２２、２つのミ
ラーアドレス電極２３（回転軸の両側に一つづつ）、２
つの捕獲電極２４（回転軸の両側に一つづつ）、および
トーションヒンジ２６からなる各配置を示す。ミラー２
０は、（破線で）対角配置および直交配置でのミラー位
置を示す。２つのヨークアドレス電極２５は図示してい
ないが、これらは、図５に示したように、下部基板面上
に位置している。ヨーク２２および捕獲電極２４の端部
に沿った長さは、互いに極めて等しく、ミラーアセンブ
リの回転中に最大の停止力を及ぼすようになっている。
結果として、この非接触、端部結合技術は、図８ａの対
角配置でのヨークレベルでのみ利用に限定されるもので
はあるが、図８ｂの直交配置でのヨークもしくはミラー
レベルの両方に利用可能である。対角配置では、ミラー
の端部は、捕獲電極の面に対して傾くため、これは正し
いものとなる。多くのＤＭＤでは、多様な隠れヒンジの
形があり、そこでは、できるだけ高いミラー充てん比を
もたらすように、全ての下部構造がミラーによって覆わ
れ、ミラー相互間の空隙は極めて狭くして、以って、ヨ
ーク配列を有効活用するものとなっている。図８ａの対
角配置は、従来のＤＭＤで用いられる既存の暗視野シュ
ミット系を最大限利用できる。一方、図８ｂの直交配置
は、光学系に対して何らかの変更を求めるものとなる
が、図示したように、ヨーク２２と捕獲電極２４との間
の相互作用の及ぶ相対的な面積あるいは体積を大きく増
加させるという利点をもたらすものであり、トルク特性
および停止能力の改善につながるものである。
電極で作る平面でのピクセル構造についての、対角配置
および直交配置を示す。両図は、ヨーク２２、２つのミ
ラーアドレス電極２３（回転軸の両側に一つづつ）、２
つの捕獲電極２４（回転軸の両側に一つづつ）、および
トーションヒンジ２６からなる各配置を示す。ミラー２
０は、（破線で）対角配置および直交配置でのミラー位
置を示す。２つのヨークアドレス電極２５は図示してい
ないが、これらは、図５に示したように、下部基板面上
に位置している。ヨーク２２および捕獲電極２４の端部
に沿った長さは、互いに極めて等しく、ミラーアセンブ
リの回転中に最大の停止力を及ぼすようになっている。
結果として、この非接触、端部結合技術は、図８ａの対
角配置でのヨークレベルでのみ利用に限定されるもので
はあるが、図８ｂの直交配置でのヨークもしくはミラー
レベルの両方に利用可能である。対角配置では、ミラー
の端部は、捕獲電極の面に対して傾くため、これは正し
いものとなる。多くのＤＭＤでは、多様な隠れヒンジの
形があり、そこでは、できるだけ高いミラー充てん比を
もたらすように、全ての下部構造がミラーによって覆わ
れ、ミラー相互間の空隙は極めて狭くして、以って、ヨ
ーク配列を有効活用するものとなっている。図８ａの対
角配置は、従来のＤＭＤで用いられる既存の暗視野シュ
ミット系を最大限利用できる。一方、図８ｂの直交配置
は、光学系に対して何らかの変更を求めるものとなる
が、図示したように、ヨーク２２と捕獲電極２４との間
の相互作用の及ぶ相対的な面積あるいは体積を大きく増
加させるという利点をもたらすものであり、トルク特性
および停止能力の改善につながるものである。
【００１７】図９ａは、新たな端部結合ＤＭＤのモデリ
ングデータを示し、回転ミラーの強い電場集中領域での
高い引力の様子を、ミラーの他端の捕獲電極の領域周辺
での弱い引力と対比させて図示したものである。このモ
デリングデータは、ヨーク２２と捕獲電極２４が互いに
近接した際に成立する静的条件を図示したものである。
このモデリングの結果、ミラー／ヨーク電圧が切られた
（０Ｖ）際には、時には、ミラーおよびヨークアドレス
電極２３および２５によって、ミラーが回転を始めるこ
とを示している。これは、着地パッドからミラーとヨー
クを解除するきっかけを与えるために、高エネルギーの
共鳴パルスを必要とした従来のＤＭＤに大きな改善をも
たらすことを表している。ミラーは、所望の回転位置の
近傍に偏向すると端部結合容量性静電ポテンシャルは累
積し、モデリングデータの電界力線で示される力成分
は、垂直方向（回転トルク）から水平方向（ラッチトル
ク）に移行し、ある時点で、ミラー回転力に関するこれ
らの力は、所望の角度でミラーが固定されるようにな
る。
ングデータを示し、回転ミラーの強い電場集中領域での
高い引力の様子を、ミラーの他端の捕獲電極の領域周辺
での弱い引力と対比させて図示したものである。このモ
デリングデータは、ヨーク２２と捕獲電極２４が互いに
近接した際に成立する静的条件を図示したものである。
このモデリングの結果、ミラー／ヨーク電圧が切られた
（０Ｖ）際には、時には、ミラーおよびヨークアドレス
電極２３および２５によって、ミラーが回転を始めるこ
とを示している。これは、着地パッドからミラーとヨー
クを解除するきっかけを与えるために、高エネルギーの
共鳴パルスを必要とした従来のＤＭＤに大きな改善をも
たらすことを表している。ミラーは、所望の回転位置の
近傍に偏向すると端部結合容量性静電ポテンシャルは累
積し、モデリングデータの電界力線で示される力成分
は、垂直方向（回転トルク）から水平方向（ラッチトル
ク）に移行し、ある時点で、ミラー回転力に関するこれ
らの力は、所望の角度でミラーが固定されるようにな
る。
【００１８】図９ｂは、捕獲電極とヨーク周辺の高強度
領域の拡大図である。本図は、ミラーアセンブリは、最
終的には、静的に所望の角度に留まり固定されることを
示しているが、動作に適度な制動を必要とする動的な動
きが含まれている。
領域の拡大図である。本図は、ミラーアセンブリは、最
終的には、静的に所望の角度に留まり固定されることを
示しているが、動作に適度な制動を必要とする動的な動
きが含まれている。
【００１９】図１０は、モデリングデータに基づき、復
帰トルクとミラートルクの関係をグラフ化したものであ
る。この図は、本モデルでは１２°である所望の角度に
対して、ミラー上のトルクが迅速に反転させられること
を示している。結果として、適切なバイアスを捕獲電極
に与え、ミラーパルス波形を調整することにより、ミラ
ー回転を所望の傾き角度で停止させ、さらに、確実に減
衰させた状態で動作させ、所望の角度に固定させるまで
にミラーの振動を最小限にとどめることができる。
帰トルクとミラートルクの関係をグラフ化したものであ
る。この図は、本モデルでは１２°である所望の角度に
対して、ミラー上のトルクが迅速に反転させられること
を示している。結果として、適切なバイアスを捕獲電極
に与え、ミラーパルス波形を調整することにより、ミラ
ー回転を所望の傾き角度で停止させ、さらに、確実に減
衰させた状態で動作させ、所望の角度に固定させるまで
にミラーの振動を最小限にとどめることができる。
【００２０】図１１は、ミラーアセンブリの回転動作
と、それがどのように捕獲電極の近傍に停止するかの状
況を表す図である。ミラーアセンブリの回転および捕獲
を起こす様々なベクトル力を示してある。図１１ａは、
０°回転でのミラーアセンブリの状態を示し、各静電力
は以下の通りである。Ｆ1は、ミラー２０とミラーアド
レス電極２３との間の力、Ｆ2は、ヨーク２２とヨーク
アドレス電極２５との間の力、Ｆ3は、ヨーク２２と捕
獲電極２４との間の力である。
と、それがどのように捕獲電極の近傍に停止するかの状
況を表す図である。ミラーアセンブリの回転および捕獲
を起こす様々なベクトル力を示してある。図１１ａは、
０°回転でのミラーアセンブリの状態を示し、各静電力
は以下の通りである。Ｆ1は、ミラー２０とミラーアド
レス電極２３との間の力、Ｆ2は、ヨーク２２とヨーク
アドレス電極２５との間の力、Ｆ3は、ヨーク２２と捕
獲電極２４との間の力である。
【００２１】図１１ｂは、６°回転を例として、様々な
電極に印加される電圧波形が、ミラーアセンブリを回転
開始させるようなものである際の条件を示したものであ
る。ここで、力Ｆ1、Ｆ2およびＦ3は、ミラーアセンブ
リの動的状態を設定できるように全て十分大きなもので
ある。
電極に印加される電圧波形が、ミラーアセンブリを回転
開始させるようなものである際の条件を示したものであ
る。ここで、力Ｆ1、Ｆ2およびＦ3は、ミラーアセンブ
リの動的状態を設定できるように全て十分大きなもので
ある。
【００２２】図１１ｃは、本例では１２°とした所望の
角度にミラーアセンブリが回転した状態を示す。この場
合は、ヨーク２２と捕獲電極２４の間の極めて大きな接
線方向の静電力Ｆ3が、全ての力が平衡状態となってミ
ラーアセンブリを捕獲し保持しているような状態を示し
ている。実際には、幾分かのオーバーシュートが発生す
る恐れがあるものの、最終目的は、回転させすぎること
なく、確実に減衰させる形でこの状態に到らしめること
である。
角度にミラーアセンブリが回転した状態を示す。この場
合は、ヨーク２２と捕獲電極２４の間の極めて大きな接
線方向の静電力Ｆ3が、全ての力が平衡状態となってミ
ラーアセンブリを捕獲し保持しているような状態を示し
ている。実際には、幾分かのオーバーシュートが発生す
る恐れがあるものの、最終目的は、回転させすぎること
なく、確実に減衰させる形でこの状態に到らしめること
である。
【００２３】図１１ｄは、ミラーアセンブリがわずかに
減衰不足で、所望の回転角度を超えてしまった場合を示
している。この場合は、図示したように、水平方向ベク
トルＦ３xと垂直方向ベクトルＦ３yを生成するように、
ヨーク２２と捕獲電極２４との間の力Ｆ3は、負の方向
に回転する。図１０で説明したように、Ｆ1＋Ｆ2＝Ｆ3
の条件が成立した時に、これらの逆方向の力は、ミラー
アセンブリを反転させ反対方向に動かし、そこでヨーク
２２は捕獲電極２４によって捕獲される。
減衰不足で、所望の回転角度を超えてしまった場合を示
している。この場合は、図示したように、水平方向ベク
トルＦ３xと垂直方向ベクトルＦ３yを生成するように、
ヨーク２２と捕獲電極２４との間の力Ｆ3は、負の方向
に回転する。図１０で説明したように、Ｆ1＋Ｆ2＝Ｆ3
の条件が成立した時に、これらの逆方向の力は、ミラー
アセンブリを反転させ反対方向に動かし、そこでヨーク
２２は捕獲電極２４によって捕獲される。
【００２４】最後に、不適切なタイミングもしくは不適
切な大きさの駆動電圧によってミラーが停止できないよ
うなミラー回転力が働く突発的な事象の場合には、ミラ
ーは、回転を続け、ミラーは従来の非破壊的な方法で着
地することになる。
切な大きさの駆動電圧によってミラーが停止できないよ
うなミラー回転力が働く突発的な事象の場合には、ミラ
ーは、回転を続け、ミラーは従来の非破壊的な方法で着
地することになる。
【００２５】ＤＭＤ投影ディスプレイは、本発明の非接
触、端部結合、隠れヒンジＤＭＤ構造の恩恵を、いわゆ
る高性能、高信頼および低コストという課題について大
きく受ける。これは、基本的には、ＤＭＤの長寿命化と
素子のパッケージ化の低コスト化に拠るところである。
触、端部結合、隠れヒンジＤＭＤ構造の恩恵を、いわゆ
る高性能、高信頼および低コストという課題について大
きく受ける。これは、基本的には、ＤＭＤの長寿命化と
素子のパッケージ化の低コスト化に拠るところである。
【００２６】本発明の非接触、端部結合、隠れヒンジＤ
ＭＤ構造の恩恵を受けるプロジェクタの２つの実施例
を、図１２に示す。図１２ａは、単一ＤＭＤの実施例の
概要図であり、光源３０、第１および第２の集光光学系
３１および３２、回転色ホイールおよびモータ３３、お
よび本発明のＤＭＤ３４、投影レンズ３５及び投影スク
リーン３６から構成される。本構成は、カラーフィール
ド順次モードでＤＭＤを動作させ、これにより、カラー
フィルタ分割回転ホイール３３により、白光源３１から
赤緑青の光線が順次生成され、ＤＭＤ３４の表面のミラ
ー配列に投影される。この構成は、単一の１６．７ｍ秒
のＴＶフィールド時間中に３つの（赤、緑、青）フィー
ルドを順次読み込むために、１カラーフィールド当り
５．６ｍ秒の高速度でＤＭＤ３４を駆動する。この種類
のプロジェクタは、通常、会議室やホームシアターなど
の中間輝度の応用に用いられる。
ＭＤ構造の恩恵を受けるプロジェクタの２つの実施例
を、図１２に示す。図１２ａは、単一ＤＭＤの実施例の
概要図であり、光源３０、第１および第２の集光光学系
３１および３２、回転色ホイールおよびモータ３３、お
よび本発明のＤＭＤ３４、投影レンズ３５及び投影スク
リーン３６から構成される。本構成は、カラーフィール
ド順次モードでＤＭＤを動作させ、これにより、カラー
フィルタ分割回転ホイール３３により、白光源３１から
赤緑青の光線が順次生成され、ＤＭＤ３４の表面のミラ
ー配列に投影される。この構成は、単一の１６．７ｍ秒
のＴＶフィールド時間中に３つの（赤、緑、青）フィー
ルドを順次読み込むために、１カラーフィールド当り
５．６ｍ秒の高速度でＤＭＤ３４を駆動する。この種類
のプロジェクタは、通常、会議室やホームシアターなど
の中間輝度の応用に用いられる。
【００２７】図１２ｂは、本発明の非接触、端部結合、
隠れヒンジＤＭＤ構造を用いた３次元ＤＭＤプロジェク
タの第２の実施例を示す。本実施例は、各々が赤、緑、
青の３原色に専用に割り当てられた３つのＤＭＤ３４を
用いている。本例では、フィールド時間は１６．７ｍ秒
であり、これは、ＤＭＤが長時間セル中に電荷を保持す
るのに必要な時間である。本実施例のプロジェクタは、
白光源／リフレクタ３０、集光レンズ３２、全反射（Ｔ
ＩＲ）プリズム３６、色分割／合成プリズム３７、本発
明の３つのＤＭＤ３４、投影レンズ３５及び投影スクリ
ーン（図示せず）から構成されている。この種類のプロ
ジェクタは、通常、大規模な会議施設や映画館などの高
輝度応用に用いられる。
隠れヒンジＤＭＤ構造を用いた３次元ＤＭＤプロジェク
タの第２の実施例を示す。本実施例は、各々が赤、緑、
青の３原色に専用に割り当てられた３つのＤＭＤ３４を
用いている。本例では、フィールド時間は１６．７ｍ秒
であり、これは、ＤＭＤが長時間セル中に電荷を保持す
るのに必要な時間である。本実施例のプロジェクタは、
白光源／リフレクタ３０、集光レンズ３２、全反射（Ｔ
ＩＲ）プリズム３６、色分割／合成プリズム３７、本発
明の３つのＤＭＤ３４、投影レンズ３５及び投影スクリ
ーン（図示せず）から構成されている。この種類のプロ
ジェクタは、通常、大規模な会議施設や映画館などの高
輝度応用に用いられる。
【００２８】
【発明の効果】従来の隠れヒンジＤＭＤ構成に対する、
本方式から受ける恩恵には次のようなものがある。 １．基本的に従来の隠れヒンジ構造を用いたＤＭＤの製
造とアドレスの両者を可能とするが、回転角を定義する
ための、ミラーあるいはヨークを着地する必要が避けら
れる。 ２．所望の回転角にピクセルの中心位置決めを行うため
の静電的に結合した端部結合ポテンシャル井戸方式によ
り、回転角についてＤＭＤの回転を限定するための方法
および構造を提供できる。 ３．硬い着地表面と接触しないことにより起こる、ＤＭ
Ｄミラーの回転振動を減衰させる方式を、本質的に提供
できる。 ４．ＤＭＤ表面の不活性化を必要としない。 ５．固着したミラーを解除する共鳴解除パルスを必要と
しない。 ６．湿分に対して影響を全く受けないようにでき、ＤＭ
Ｄのための密封パッケージを不要とし、これにより製造
工程全体の簡略化が可能となる。 ７．静電力の影響や、不適切な電圧駆動時間、あるいは
不適切な駆動電圧値による、過度のストレスが素子に与
えらた場合にも、非破壊の着地方式を提供できる。 ８．従来のＤＭＤでは起こりがちだった、着地チップと
ミラーの支点の間のねじりによるミラーの歪を防止でき
る。 ９．同期したアドレスを可能とする固定機構が提供でき
る。
本方式から受ける恩恵には次のようなものがある。 １．基本的に従来の隠れヒンジ構造を用いたＤＭＤの製
造とアドレスの両者を可能とするが、回転角を定義する
ための、ミラーあるいはヨークを着地する必要が避けら
れる。 ２．所望の回転角にピクセルの中心位置決めを行うため
の静電的に結合した端部結合ポテンシャル井戸方式によ
り、回転角についてＤＭＤの回転を限定するための方法
および構造を提供できる。 ３．硬い着地表面と接触しないことにより起こる、ＤＭ
Ｄミラーの回転振動を減衰させる方式を、本質的に提供
できる。 ４．ＤＭＤ表面の不活性化を必要としない。 ５．固着したミラーを解除する共鳴解除パルスを必要と
しない。 ６．湿分に対して影響を全く受けないようにでき、ＤＭ
Ｄのための密封パッケージを不要とし、これにより製造
工程全体の簡略化が可能となる。 ７．静電力の影響や、不適切な電圧駆動時間、あるいは
不適切な駆動電圧値による、過度のストレスが素子に与
えらた場合にも、非破壊の着地方式を提供できる。 ８．従来のＤＭＤでは起こりがちだった、着地チップと
ミラーの支点の間のねじりによるミラーの歪を防止でき
る。 ９．同期したアドレスを可能とする固定機構が提供でき
る。
【００２９】これらの恩恵は、下記の非接触、端部結
合、隠れヒンジＤＭＤの主要な利点から得られるもので
ある。 １．接触あるいは着地ＤＭＤピクセル構成により、固着
を防げる。 ２．製造工程中での着地面の不活性化を必要としない。 ３．着地面の接触もしくは不活性化の劣化による、長期
間の劣化が防げる。 ４．湿分への感度を緩和し、以って、密封パッケージを
必要としない。 ５．力学的な手段ではなく、静電気によって回転角度を
固定させる。 ６．ミラーの解除についてより一様な応答を提供する。 ７．素子バイアスのオン／オフにより、より高速な解除
機能を提供する。 ８．コントラストを犠牲にしやすいＤＭＤ内部構造によ
る光散乱効果を緩和させるために不活性化された暗色金
属によって、下部構造を構成できる。
合、隠れヒンジＤＭＤの主要な利点から得られるもので
ある。 １．接触あるいは着地ＤＭＤピクセル構成により、固着
を防げる。 ２．製造工程中での着地面の不活性化を必要としない。 ３．着地面の接触もしくは不活性化の劣化による、長期
間の劣化が防げる。 ４．湿分への感度を緩和し、以って、密封パッケージを
必要としない。 ５．力学的な手段ではなく、静電気によって回転角度を
固定させる。 ６．ミラーの解除についてより一様な応答を提供する。 ７．素子バイアスのオン／オフにより、より高速な解除
機能を提供する。 ８．コントラストを犠牲にしやすいＤＭＤ内部構造によ
る光散乱効果を緩和させるために不活性化された暗色金
属によって、下部構造を構成できる。
【００３０】本発明は、２つの実施例、すなわち、ｉ）
ヨークの端部固定およびｉｉ）ミラーの固定に沿って説
明してきたが、本発明は様々な方法で変形が可能であ
り、上記で詳説したもの以外の実施例を想定すること
も、当業者にとって明白である。このように、添付のク
レームによって、本発明の趣旨とその範囲に含まれる本
発明のすべての変形をカバーしようとするものである。
ヨークの端部固定およびｉｉ）ミラーの固定に沿って説
明してきたが、本発明は様々な方法で変形が可能であ
り、上記で詳説したもの以外の実施例を想定すること
も、当業者にとって明白である。このように、添付のク
レームによって、本発明の趣旨とその範囲に含まれる本
発明のすべての変形をカバーしようとするものである。
【００３１】以上の説明に関して、さらに以下の項を開
示する。 （１）基板と、前記基板により支持されたミラーアセン
ブリであり、ヨークと、ミラーと、前記ヨークとミラー
に接続したミラー支持ポストとからなるミラーアセンブ
リと、前記基板上に実装されたアドレス回路と、前記ア
ドレス回路に電気的に接続され、前記基板により支持さ
れた少なくとも２つのミラーアドレス電極であり、前記
ミラーアセンブリを偏向させることが可能なミラーアド
レス電極と、前記アドレス回路に電気的に接続され、前
記基板により支持された少なくとも２つのヨークアドレ
ス電極であり、前記ミラーアセンブリを偏向させること
が可能なヨークアドレス電極と、前記基板によって支持
され、前記ミラーアセンブリと接触せずに前記ミラーア
センブリの偏向を停止することが可能な少なくとも２つ
の捕獲電極とからなることを特徴とするマイクロミラ
ー。 （２）第１項記載のマイクロミラーにおいて、前記少な
くとも２つのアドレス電極は、前記アドレス回路に電気
的に接続され、前記基板により支持された少なくとも２
つのミラーアドレス電極であり、前記ミラーアセンブリ
を偏向させることが可能なミラーアドレス電極からなる
ことを特徴とするマイクロミラー。 （３）第１項記載のマイクロミラーにおいて、前記少な
くとも２つのアドレス電極は、前記アドレス回路に電気
的に接続され、前記基板により支持された少なくとも２
つのヨークアドレス電極であり、前記ミラーアセンブリ
を偏向させることが可能なヨークアドレス電極からなる
ことを特徴とするマイクロミラー。 （４）第１項記載のマイクロミラーにおいて、前記少な
くとも２つのアドレス電極は、前記アドレス回路に電気
的に接続され、前記基板により支持された少なくとも２
つのミラーアドレス電極であり、前記ミラーアセンブリ
を偏向させることが可能なミラーアドレス電極と、前記
アドレス回路に電気的に接続され、前記基板により支持
された少なくとも２つのヨークアドレス電極であり、前
記ミラーアセンブリを偏向させることが可能なヨークア
ドレス電極からなることを特徴とするマイクロミラー。
示する。 （１）基板と、前記基板により支持されたミラーアセン
ブリであり、ヨークと、ミラーと、前記ヨークとミラー
に接続したミラー支持ポストとからなるミラーアセンブ
リと、前記基板上に実装されたアドレス回路と、前記ア
ドレス回路に電気的に接続され、前記基板により支持さ
れた少なくとも２つのミラーアドレス電極であり、前記
ミラーアセンブリを偏向させることが可能なミラーアド
レス電極と、前記アドレス回路に電気的に接続され、前
記基板により支持された少なくとも２つのヨークアドレ
ス電極であり、前記ミラーアセンブリを偏向させること
が可能なヨークアドレス電極と、前記基板によって支持
され、前記ミラーアセンブリと接触せずに前記ミラーア
センブリの偏向を停止することが可能な少なくとも２つ
の捕獲電極とからなることを特徴とするマイクロミラ
ー。 （２）第１項記載のマイクロミラーにおいて、前記少な
くとも２つのアドレス電極は、前記アドレス回路に電気
的に接続され、前記基板により支持された少なくとも２
つのミラーアドレス電極であり、前記ミラーアセンブリ
を偏向させることが可能なミラーアドレス電極からなる
ことを特徴とするマイクロミラー。 （３）第１項記載のマイクロミラーにおいて、前記少な
くとも２つのアドレス電極は、前記アドレス回路に電気
的に接続され、前記基板により支持された少なくとも２
つのヨークアドレス電極であり、前記ミラーアセンブリ
を偏向させることが可能なヨークアドレス電極からなる
ことを特徴とするマイクロミラー。 （４）第１項記載のマイクロミラーにおいて、前記少な
くとも２つのアドレス電極は、前記アドレス回路に電気
的に接続され、前記基板により支持された少なくとも２
つのミラーアドレス電極であり、前記ミラーアセンブリ
を偏向させることが可能なミラーアドレス電極と、前記
アドレス回路に電気的に接続され、前記基板により支持
された少なくとも２つのヨークアドレス電極であり、前
記ミラーアセンブリを偏向させることが可能なヨークア
ドレス電極からなることを特徴とするマイクロミラー。
【００３２】（５）第１項記載のマイクロミラーにおい
て、前記捕獲電極は、ｄｃレベルにバイアスされ、前記
ミラーアセンブリは、パルス波形によってバイアスさ
れ、前記ミラーアセンブリは、前記メモリセルの２値状
態によって、正方向または負方向に傾斜し、前記ミラー
アセンブリの回転は、前記捕獲電極に近接して配置され
た時に、停止し、前記ミラーアセンブリは、バイアス条
件が変化するまで、所望の傾斜角度に固定され続けるこ
とを特徴とするマイクロミラー。 （６）第１項記載のマイクロミラーにおいて、前記ミラ
ーアセンブリの回転振動は、前記バイアスされたパルス
波形によって減衰されることを特徴とするマイクロミラ
ー。 （７）第１項記載のマイクロミラーにおいて、前記ミラ
ーアセンブリの端部は、前記ミラーアセンブリの回転を
所望の角度で停止するために、前期捕獲電極の端部と整
列することを特徴とするマイクロミラー。 （８）第１項記載のマイクロミラーにおいて、前記ヨー
クの端部は、前記ミラーアセンブリの回転を所望の角度
で停止するために、前期捕獲電極の端部と整列すること
を特徴とするマイクロミラー。 （９）第１項記載のマイクロミラーにおいて、前記ミラ
ーの端部は、前記ミラーアセンブリの回転を所望の角度
で停止するために、前期捕獲電極の端部と整列すること
を特徴とするマイクロミラー。
て、前記捕獲電極は、ｄｃレベルにバイアスされ、前記
ミラーアセンブリは、パルス波形によってバイアスさ
れ、前記ミラーアセンブリは、前記メモリセルの２値状
態によって、正方向または負方向に傾斜し、前記ミラー
アセンブリの回転は、前記捕獲電極に近接して配置され
た時に、停止し、前記ミラーアセンブリは、バイアス条
件が変化するまで、所望の傾斜角度に固定され続けるこ
とを特徴とするマイクロミラー。 （６）第１項記載のマイクロミラーにおいて、前記ミラ
ーアセンブリの回転振動は、前記バイアスされたパルス
波形によって減衰されることを特徴とするマイクロミラ
ー。 （７）第１項記載のマイクロミラーにおいて、前記ミラ
ーアセンブリの端部は、前記ミラーアセンブリの回転を
所望の角度で停止するために、前期捕獲電極の端部と整
列することを特徴とするマイクロミラー。 （８）第１項記載のマイクロミラーにおいて、前記ヨー
クの端部は、前記ミラーアセンブリの回転を所望の角度
で停止するために、前期捕獲電極の端部と整列すること
を特徴とするマイクロミラー。 （９）第１項記載のマイクロミラーにおいて、前記ミラ
ーの端部は、前記ミラーアセンブリの回転を所望の角度
で停止するために、前期捕獲電極の端部と整列すること
を特徴とするマイクロミラー。
【００３３】（１０）新たなＤＭＤ素子および非接触、
端部結合、隠れヒンジ構造の方法が開示され、これによ
り、ミラーあるいは下部のヨークと、ＣＭＯＳ基板表面
上の着地パッドとの間の物理的な接触が不要となる。こ
れにより、従来の素子に見られていたミラーの“固着”
問題が解決され、結果として、微妙な非活性化コーティ
ングと高コストの密閉パッケージへの要求を緩和するこ
とにより、製造過程が簡素化される。この新たなＤＭＤ
構造では、素子表面上の適度な高さ位置に、ミラーが所
望の角度の領域に回転した際に、ミラー２０またはヨー
ク２２の連続した端部と近接するように、捕獲電極２４
が設けられる。この捕獲電極２４とミラーアセンブリ
は、これらの間に極めて高い静電引力を生み出し、ミラ
ーがほか区電極の平面に近づいた際にはミラーを止める
ように、バイアスされる。ミラーアセンブリのパルス波
形を調整することにより、ミラーは確実に減衰され、ミ
ラーアセンブリが所望の回転角で停止した際のＤＭＤミ
ラーの振動を防ぐことができる。
端部結合、隠れヒンジ構造の方法が開示され、これによ
り、ミラーあるいは下部のヨークと、ＣＭＯＳ基板表面
上の着地パッドとの間の物理的な接触が不要となる。こ
れにより、従来の素子に見られていたミラーの“固着”
問題が解決され、結果として、微妙な非活性化コーティ
ングと高コストの密閉パッケージへの要求を緩和するこ
とにより、製造過程が簡素化される。この新たなＤＭＤ
構造では、素子表面上の適度な高さ位置に、ミラーが所
望の角度の領域に回転した際に、ミラー２０またはヨー
ク２２の連続した端部と近接するように、捕獲電極２４
が設けられる。この捕獲電極２４とミラーアセンブリ
は、これらの間に極めて高い静電引力を生み出し、ミラ
ーがほか区電極の平面に近づいた際にはミラーを止める
ように、バイアスされる。ミラーアセンブリのパルス波
形を調整することにより、ミラーは確実に減衰され、ミ
ラーアセンブリが所望の回転角で停止した際のＤＭＤミ
ラーの振動を防ぐことができる。
【図１】図１は、従来の隠れヒンジデジタル・マイクロ
ミラー・デバイス（ＤＭＤ)の層構造を示す。
ミラー・デバイス（ＤＭＤ)の層構造を示す。
【図２】図２は、ＳＲＡＭメモリ層の上部の従来の隠れ
ヒンジデジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）
の層構造の分解図である。
ヒンジデジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）
の層構造の分解図である。
【図３】図３は、３つのミラーと下部構造を示す、従来
の隠れヒンジＤＭＤピクセル配列の三次元切断図であ
る。
の隠れヒンジＤＭＤピクセル配列の三次元切断図であ
る。
【図４】図４は、着地したヨークチップをもつ２つの
（±１０°）傾斜したＤＭＤミラーの動作を示す。
（±１０°）傾斜したＤＭＤミラーの動作を示す。
【図５】図５は、本発明の新しい端部結合ＤＭＤミラー
構造の図解である。
構造の図解である。
【図６】図６は、本発明の新しい端部結合ＤＭＤミラー
構造の透視図である。
構造の透視図である。
【図７】図７ａは、参考例に用いられる新たな端部結合
ＤＭＤミラー構造の典型的な寸法を示し、図７ｂは、パ
ルス波形を示し、そして図７ｃは、新たな端部結合ＤＭ
Ｄミラーの回転動作を示す。
ＤＭＤミラー構造の典型的な寸法を示し、図７ｂは、パ
ルス波形を示し、そして図７ｃは、新たな端部結合ＤＭ
Ｄミラーの回転動作を示す。
【図８】図８ａおよび図８ｂは、非接触端部結合構造の
対角状および直交状配置を示す。
対角状および直交状配置を示す。
【図９】図９ａは、回転ミラーの電場集中領域での、高
いひきつけ力を示す、新たな端部結合ＤＭＤのモデリン
グデータを示し、図９ｂは、図８ａの電場集中領域の拡
大図を示す。
いひきつけ力を示す、新たな端部結合ＤＭＤのモデリン
グデータを示し、図９ｂは、図８ａの電場集中領域の拡
大図を示す。
【図１０】図１０は、復帰トルクと、新たな端部結合Ｄ
ＭＤのミラートルクの関係を示すモデリングデータであ
る。
ＭＤのミラートルクの関係を示すモデリングデータであ
る。
【図１１】図１１ａから図１１ｄは、ミラーアセンブリ
の回転と捕獲に作用するベクトル力を示す図である。
の回転と捕獲に作用するベクトル力を示す図である。
【図１２】図１２ａは、本発明の非接触、端部結合ＤＭ
Ｄを用いたデジタル投影ディスプレイの概略図であり、
図１２ｂは、本発明の非接触、端部結合ＤＭＤを用い
た、高輝度デジタル投影ディスプレイの概略図である。
Ｄを用いたデジタル投影ディスプレイの概略図であり、
図１２ｂは、本発明の非接触、端部結合ＤＭＤを用い
た、高輝度デジタル投影ディスプレイの概略図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 基板と、 前記基板により支持されたミラーアセンブリであり、ヨ
ークと、ミラーと、前記ヨークとミラーに接続したミラ
ー支持ポストとからなるミラーアセンブリと、 前記基板上に実装されたアドレス回路と、 前記アドレス回路に電気的に接続され、前記基板により
支持された少なくとも２つのミラーアドレス電極であ
り、前記ミラーアセンブリを偏向させることが可能なミ
ラーアドレス電極と、 前記アドレス回路に電気的に接続され、前記基板により
支持された少なくとも２つのヨークアドレス電極であ
り、前記ミラーアセンブリを偏向させることが可能なヨ
ークアドレス電極と、 前記基板によって支持され、前記ミラーアセンブリと接
触せずに前記ミラーアセンブリの偏向を停止することが
可能な少なくとも２つの捕獲電極とからなることを特徴
とするマイクロミラー。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US173285 | 1993-12-22 | ||
| US17328599P | 1999-12-28 | 1999-12-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001242395A true JP2001242395A (ja) | 2001-09-07 |
Family
ID=22631326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000398010A Abandoned JP2001242395A (ja) | 1999-12-28 | 2000-12-27 | デジタル・マイクロミラー・デバイスと非接触の端部結合型隠れヒンジ構造のための方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6583921B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001242395A (ja) |
| KR (1) | KR100725200B1 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006126825A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-05-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | 微小電気機械式変調素子及び微小電気機械式変調素子アレイ並びに画像形成装置 |
| US7164522B2 (en) | 2003-09-22 | 2007-01-16 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Spatial light modulator, spatial light modulator array, and exposure apparatus |
| JP2007015067A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Fujifilm Holdings Corp | 微小薄膜可動素子及び微小薄膜可動素子アレイ並びに画像形成装置 |
| JP2007534004A (ja) * | 2003-09-05 | 2007-11-22 | エツセ・イ・エンメ・２ マルチメデイア ソシエタ ペル アチオニ | 複数のｄｍｄ装置を使用したビデオプロジェクタ用投光システム |
| JP2009169286A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Casio Comput Co Ltd | 投影装置、投影制御方法及びプログラム |
| WO2017104566A1 (ja) * | 2015-12-18 | 2017-06-22 | 日本精機株式会社 | 表示装置 |
| JP2021152659A (ja) * | 2017-01-20 | 2021-09-30 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials, Incorporated | 非ブレーズドｄｍｄを伴う解像度強化型のデジタルリソグラフィ |
Families Citing this family (51)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002006395A (ja) * | 2000-06-26 | 2002-01-09 | Canon Inc | 画像表示装置 |
| US6873450B2 (en) * | 2000-08-11 | 2005-03-29 | Reflectivity, Inc | Micromirrors with mechanisms for enhancing coupling of the micromirrors with electrostatic fields |
| US6396620B1 (en) * | 2000-10-30 | 2002-05-28 | Mcnc | Electrostatically actuated electromagnetic radiation shutter |
| US6974517B2 (en) * | 2001-06-13 | 2005-12-13 | Raytheon Company | Lid with window hermetically sealed to frame, and a method of making it |
| US6657759B2 (en) * | 2001-07-03 | 2003-12-02 | Pts Corporation | Bistable micromirror with contactless stops |
| AU2002332452A1 (en) * | 2001-08-02 | 2003-02-17 | Santur Corporation | Mems mirror |
| US6745449B2 (en) * | 2001-11-06 | 2004-06-08 | Raytheon Company | Method and apparatus for making a lid with an optically transmissive window |
| US20030128175A1 (en) * | 2002-01-09 | 2003-07-10 | International Business Machines Corporation | Stereoscopic display system and method |
| US6667837B1 (en) | 2002-01-30 | 2003-12-23 | Raytheon Company | Method and apparatus for configuring an aperture edge |
| US7088486B2 (en) * | 2002-01-31 | 2006-08-08 | Texas Instruments Incorporated | Yokeless hidden hinge micromirror device with double binge layer |
| US6891240B2 (en) * | 2002-04-30 | 2005-05-10 | Xerox Corporation | Electrode design and positioning for controlled movement of a moveable electrode and associated support structure |
| US7256467B2 (en) * | 2002-06-04 | 2007-08-14 | Silecs Oy | Materials and methods for forming hybrid organic-inorganic anti-stiction materials for micro-electromechanical systems |
| US6988338B1 (en) | 2002-10-10 | 2006-01-24 | Raytheon Company | Lid with a thermally protected window |
| US7187484B2 (en) * | 2002-12-30 | 2007-03-06 | Texas Instruments Incorporated | Digital micromirror device with simplified drive electronics for use as temporal light modulator |
| US7394140B2 (en) * | 2003-05-13 | 2008-07-01 | Texas Instruments Incorporated | Micromirror array device with electrostatically deflectable mirror plates |
| US6891657B2 (en) * | 2003-05-20 | 2005-05-10 | Texas Instruments Incorporated | Damped control of a micromechanical device |
| US6987601B2 (en) * | 2003-05-20 | 2006-01-17 | Texas Instruments Incorporated | Damped control of a micromechanical device |
| US6985278B2 (en) * | 2003-05-20 | 2006-01-10 | Texas Instruments Incorporated | Damped control of a micromechanical device |
| TWI251712B (en) * | 2003-08-15 | 2006-03-21 | Prime View Int Corp Ltd | Interference display plate |
| TW593127B (en) | 2003-08-18 | 2004-06-21 | Prime View Int Co Ltd | Interference display plate and manufacturing method thereof |
| JP2006099071A (ja) * | 2004-09-01 | 2006-04-13 | Konica Minolta Opto Inc | 画像投影装置 |
| US8124434B2 (en) | 2004-09-27 | 2012-02-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and system for packaging a display |
| US7573547B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-08-11 | Idc, Llc | System and method for protecting micro-structure of display array using spacers in gap within display device |
| US7184202B2 (en) | 2004-09-27 | 2007-02-27 | Idc, Llc | Method and system for packaging a MEMS device |
| US7668415B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-02-23 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for providing electronic circuitry on a backplate |
| US7701631B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-04-20 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Device having patterned spacers for backplates and method of making the same |
| US7424198B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-09-09 | Idc, Llc | Method and device for packaging a substrate |
| KR100707185B1 (ko) * | 2005-03-16 | 2007-04-13 | 삼성전자주식회사 | 복층 플레이트 구조의 액츄에이터 |
| US7468572B2 (en) * | 2005-03-28 | 2008-12-23 | Maurice Thomas | Versatile digitally controlled micro-mechanical actuator |
| US7019887B1 (en) | 2005-04-08 | 2006-03-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Light modulator device |
| US20060245028A1 (en) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Sriram Ramamoorthi | Light modulator device |
| US20060238852A1 (en) * | 2005-04-22 | 2006-10-26 | Texas Instruments Incorporated | A non-contacting electrostatically-driven mems device |
| US7359122B2 (en) * | 2005-06-09 | 2008-04-15 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Prism assembly |
| WO2007120887A2 (en) | 2006-04-13 | 2007-10-25 | Qualcomm Mems Technologies, Inc | Packaging a mems device using a frame |
| US7362495B2 (en) * | 2006-04-24 | 2008-04-22 | Texas Instruments Incorporated | Electrostatic fins for a MEMS device |
| CA2747245C (en) * | 2006-07-27 | 2013-12-10 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Mirror control device |
| SG142292A1 (en) * | 2006-11-07 | 2008-05-28 | Agency Science Tech & Res | Device and method to realize a light processor |
| US8345241B1 (en) | 2006-12-19 | 2013-01-01 | J. A. Woollam Co., Inc. | Application of digital light processor in imaging ellipsometer and the like systems |
| WO2008082506A1 (en) * | 2006-12-19 | 2008-07-10 | J.A. Woollam Co., Inc. | Application of digital light processor in scanning spectrometer and imaging ellipsometer and the like systems |
| US8749782B1 (en) | 2006-12-19 | 2014-06-10 | J.A. Woollam Co., Inc. | DLP base small spot investigation system |
| KR100868759B1 (ko) * | 2007-01-25 | 2008-11-17 | 삼성전기주식회사 | 멤스 디바이스 및 이의 제조방법 |
| US7871165B2 (en) * | 2007-11-30 | 2011-01-18 | Eastman Kodak Company | Stereo projection apparatus using polarized solid state light sources |
| EP2133715A1 (de) * | 2008-06-11 | 2009-12-16 | Pantec Biosolutions AG | Vorrichtung und Verfahren zum Ablenken einer elektromagnetischen Strahlung, insbesondere eines Laserstrahls |
| EP2304481A2 (en) * | 2008-06-11 | 2011-04-06 | Pantec Biosolutions AG | Apparatus and method for the deflection of electromagnetic radiation, in particular of a laser beam |
| US8379392B2 (en) | 2009-10-23 | 2013-02-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Light-based sealing and device packaging |
| EP2447755B1 (en) | 2010-10-26 | 2019-05-01 | Lumentum Operations LLC | A pivotable MEMS device |
| CN104317050A (zh) * | 2014-11-12 | 2015-01-28 | 成都艾塔科技有限公司 | 新型数字微镜器件 |
| JP2016139015A (ja) * | 2015-01-28 | 2016-08-04 | セイコーエプソン株式会社 | ミラーデバイス、ミラーデバイスの製造方法、及び画像表示装置 |
| JP6550866B2 (ja) * | 2015-04-01 | 2019-07-31 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
| US11475805B2 (en) * | 2018-09-27 | 2022-10-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Switchable displays with movable pixel units |
| DE102020208290A1 (de) | 2020-07-02 | 2022-01-05 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Mikromechanische Vorrichtung |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5726718A (en) * | 1994-09-30 | 1998-03-10 | Texas Instruments Incorporated | Error diffusion filter for DMD display |
| US6250763B1 (en) * | 1995-05-11 | 2001-06-26 | Digital Projection Limited | Projection device |
| US6147790A (en) * | 1998-06-02 | 2000-11-14 | Texas Instruments Incorporated | Spring-ring micromechanical device |
-
2000
- 2000-12-21 US US09/745,330 patent/US6583921B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-27 JP JP2000398010A patent/JP2001242395A/ja not_active Abandoned
- 2000-12-27 KR KR1020000082598A patent/KR100725200B1/ko active IP Right Grant
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007534004A (ja) * | 2003-09-05 | 2007-11-22 | エツセ・イ・エンメ・２ マルチメデイア ソシエタ ペル アチオニ | 複数のｄｍｄ装置を使用したビデオプロジェクタ用投光システム |
| US7164522B2 (en) | 2003-09-22 | 2007-01-16 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Spatial light modulator, spatial light modulator array, and exposure apparatus |
| JP2006126825A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-05-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | 微小電気機械式変調素子及び微小電気機械式変調素子アレイ並びに画像形成装置 |
| JP4695956B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2011-06-08 | 富士フイルム株式会社 | 微小電気機械式変調素子及び微小電気機械式変調素子アレイ並びに画像形成装置 |
| JP2007015067A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Fujifilm Holdings Corp | 微小薄膜可動素子及び微小薄膜可動素子アレイ並びに画像形成装置 |
| US7646134B2 (en) | 2005-07-08 | 2010-01-12 | Fujifilm Corporation | Small thin film-movable element, small thin film-movable element array and image forming apparatus |
| JP2009169286A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Casio Comput Co Ltd | 投影装置、投影制御方法及びプログラム |
| WO2017104566A1 (ja) * | 2015-12-18 | 2017-06-22 | 日本精機株式会社 | 表示装置 |
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