JPH11258528A - コントラスト比を改良するため小さくされたマイクロミラーのミラー・ギャップ - Google Patents

コントラスト比を改良するため小さくされたマイクロミラーのミラー・ギャップ

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JPH11258528A
JPH11258528A JP10334682A JP33468298A JPH11258528A JP H11258528 A JPH11258528 A JP H11258528A JP 10334682 A JP10334682 A JP 10334682A JP 33468298 A JP33468298 A JP 33468298A JP H11258528 A JPH11258528 A JP H11258528A
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mirrors
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JP10334682A
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Duane E Carter
イー．カーター デュアン
James D Huffman
ディ．ハッフマン ジェームズ
Rodney D Miller
ディ．ミラー ロドニー
L Ray Brian
エル．レイ ブライアン
Robert E Myer
イー．メイヤー ロバート
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    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
    • G02B26/0841—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting element being moved or deformed by electrostatic means

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 画像品質の向上。 【解決手段】 半導体基板７０８上につくられるマイク
ロミラー・アレイ。マイクロミラー・アレイ内のマイク
ロミラーは、内部アクティブ領域７０４のミラーに当た
る光を選択的に変調する内部アクティブ領域７０４と、
内部アクティブ領域７０４によって生成される画像の周
りの暗いボーダー部をつくる外部ボーダー領域７０２に
論理的に区分される。隣接するミラーは、各ミラー間の
ギャップによって回転可能となる。アレイの内部アクテ
ィブ領域７０４のミラー間のギャップ７１２は、外部ボ
ーダー領域７０２の少なくとも幾つかのミラー間のギャ
ップ７１０より大きい。外部領域７０２の一層小さなギ
ャップ７１０は、外部領域７０２のミラーを単一方向へ
の回転に制限することによって可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、画像表示装置、特
に空間光変調器に基く表示装置に関連し、更に詳細に
は、デジタル・マイクロミラー・デバイスに基く表示装
置に関連する。
【０００２】
【従来の技術及びその課題】マイクロメカニカル・デバ
イスは典型的に、集積回路製造のために開発されている
光学リソグラフィ、ドーピング、金属スパッタリング、
酸化物堆積、及びプラズマ・エッチングなどの技術を用
いて、半導体ウエハ上につくられる小さな構造体であ
る。
【０００３】デジタル・マイクロミラー・デバイス（Ｄ
ＭＤ）は、マイクロメカニカル・デバイスの一種であ
り、変形可能なマイクロミラー・デバイスと呼ばれるこ
ともある。別の種類のマイクロメカニカル・デバイスに
は、加速度計、圧力及び流量センサ、ギヤ、及びモータ
が含まれる。圧力センサ、流量センサなど、幾つかのマ
イクロメカニカル・デバイス、及びＤＭＤは商業的に実
用されているが、他の種類はまだ商用には実用できてい
ない。
【０００４】デジタル・マイクロミラー・デバイスは光
学表示装置に主に用いられている。表示装置において、
ＤＭＤは、光のビームの部分を表示スクリーンへ選択的
に反射させることによって、デジタル画像データを用い
て光のビームを変調する光変調器である。アナログ・モ
ードのオペレーションは可能であるが、ＤＭＤは、初め
ての真のデジタル・フルカラー画像投射装置の核である
ような、デジタル・バイステーブル・モードのオペレー
ションで典型的に作動する。
【０００５】マイクロミラーは過去１０〜１５年にわた
って急速に発達してきた。初期のデバイスは、下にある
アドレス電極へ電気的に引付けられるとき、アドレス電
極の方へ窪む変形可能な反射性膜を用いる。シュリーレ
ン（Schlieren ）光学系を用いて膜を照射し、膜の窪ん
だ部分によって分散される光から画像をつくる。シュリ
ーレン方式では、膜デバイスによって画像が形成できる
が、形成される画像は非常に暗く、コントラスト比が低
く、殆どの画像表示用途には適さない。
【０００６】その後のマイクロミラー・デバイスは、改
良されたコントラスト比を有する画像をつくるため、暗
視界光学系に結合されるシリコン又はアルミニウムのフ
ラップ又は飛込み台型のカンチレバー・ビームを用いて
いる。フラップ及びカンチレバー・ビーム・デバイス
は、典型的に単一金属層を用いてデバイスの上面反射層
を形成する。この単一金属層は、大きな領域にわたって
変形しやすいが、変形した部分上に当たる光を分散す
る。ねじれビーム・デバイスは薄い金属層を用いて、ヒ
ンジと呼ばれるねじれビームを形成し、より厚い金属層
を用いて、典型的にミラー状の表面を有する堅い部材又
はビームを形成し、ＤＭＤ表面の比較的小さい部分上に
変形を集中させる。ヒンジが変形する間、堅いミラーは
平坦なままであり、デバイスによって分散される光の量
を最小限にし、デバイスのコントラスト比を改良させ
る。
【０００７】最近のマイクロミラー形状は隠れヒンジ設
計と呼ばれ、ねじれビームの上の柱部（pedestal）上に
ミラーをつくることによって、画像コントラスト比を更
に改良させる。高架されたミラーは、ねじれビーム、ね
じれビーム支持体、及びねじれビームとミラー支持体を
接続する堅いヨークを覆い、このデバイスによってつく
られる画像のコントラスト比を更に改良させる。
【０００８】コントラスト比に加え、画像の輝度も消費
者の満足度に大きな影響を与える画像特性の１つであ
る。ディスプレイの選択肢がある場合、消費者は選択肢
の中で最も明るいディスプレイを選びがちである。消費
者の要求を満たすため、ディスプレイ・メーカは常にデ
ィスプレイの輝度を増加させる努力をしてきている。残
念なことに、ディスプレイの輝度を増加させることは、
コントラスト比などの他の画像特性に影響を与える傾向
がある。輝度の増加は更に、しばしば、ディスプレイに
よって分散される光のため、ディスプレイの周りのボー
ダー領域を明るくする傾向もある。ボーダー領域は表示
される画像の部分ではないが、画像品質は大部分が知覚
の問題であり、消費者はより明るいボーダー領域を煩わ
しいと感じることがある。従って、増加されたコントラ
スト比及び画像輝度を提供する一方、ディスプレイのボ
ーダー領域に供給される光の量を減らす表示方法及び装
置が必要とされている。
【０００９】
【課題を達成するための手段及び作用】本発明の目的及
び利点は明らかであり、以下に一部分が示されており、
画像領域の輝度及びコントラストを増加させ、画像領域
に隣接する非画像ボーダー領域の輝度を減少させた画像
を生成することのできるマイクロミラー・デバイスのた
めの方法及び装置を提供する本発明によって達成され得
る。本発明の１つの実施例は、第１の表面上につくられ
る電気的部品を有する基板、マイクロメカニカル光変調
素子のアレイを有するマイクロミラー・アレイを提供
し、マイクロメカニカル光変調素子はそれぞれ、アドレ
ス回路と、基板によって支持され基板から離れて配置さ
れるミラーとを有し、前記各ミラーは隣接するミラーか
らギャップによって離される。アレイは、内部光変調領
域と、内部光変調領域を囲む外部ボーダー領域に論理的
に分離され、隣接するミラー間のギャップは、内部光変
調領域のミラー間よりも外部ボーダー領域の少なくとも
幾つかのミラー間のほうが小さい。本発明の幾つかの実
施例に従って、外部ボーダー領域のミラー間のギャップ
は非常に小さく、隣接するミラーが干渉（interferenc
e）することなく互いに向かって回転することはできな
い。
【００１０】本発明の別の実施例に従って、マイクロメ
カニカル光変調器アレイを形成する方法が提供される。
この方法は、半導体基板上に着地電極／ミラー・バイア
ス構造体、及びアドレス電極を形成し、半導体基板上に
第１のスペーサ層を堆積し、第１のスペーサ層をパター
ニングしてヒンジ支持スペーサビア位置を定め、第１の
スペーサ層上に金属ヒンジ層を堆積し、金属ヒンジ層上
に少なくとも１つのヒンジ・エッチ・マスクを形成し、
金属ヒンジ層及びヒンジ・エッチ・マスク上に金属ヨー
ク層を堆積し、金属ヒンジ層及び金属ヨーク層をパター
ニングして少なくとも１つのヒンジと、ヒンジに取付け
られる少なくとも１つのヒンジ・ヨークを形成し、金属
ヨーク層上に第２のスペーサ層を堆積し、第２のスペー
サ層をパターニングしてミラー支持スペーサビア位置を
定め、第２のスペーサ層上に金属ミラー層を堆積し、金
属ミラー層をパターニングしてマイクロミラーのアレイ
を定め、マイクロミラーのアレイは内部アクティブ領域
及び外部ボーダー領域を形成し、各マイクロミラーは、
隣接するマイクロミラーからミラー・ギャップによって
離され、内部アクティブ領域のマイクロミラー間のミラ
ー・ギャップは、外部ボーダー領域の少なくとも幾つか
のマイクロミラー間のミラー・ギャップより大きく、更
に、第１及び第２のスペーサ層を取り除くことを含む。
【００１１】本発明の更に別の実施例に従って、表示装
置が提供される。表示装置は、光の通路に沿って光ビー
ムを生成する光源と、画像面に向かう第２の光の通路に
沿って光ビームの一部を選択的に反射させる光の通路内
のマイクロミラー・デバイスを有する。マイクロミラー
・デバイスは、基板の第１の表面上につくられる電気的
部品を有する基板と、マイクロメカニカル光変調素子の
アレイとを有し、マイクロメカニカル光変調素子はそれ
ぞれ、アドレス回路と、基板によって支持され基板から
離間したミラーとを含み、各ミラーは隣接するミラーか
らギャップによって離され、アレイは内部光変調領域
と、内部光変調領域を囲む外部ボーダー領域を形成す
る。ミラー・ギャップは、内部光変調領域のミラー間よ
り外部ボーダー領域のミラー間の方が小さい。
【００１２】
【実施例】本発明及びその利点を更によく理解するた
め、添付の図面に関連して以下の説明をここで参照す
る。画像輝度及びコントラスト比を同時に増加させる一
方で、画像ボーダー領域に達する光の量を低減させる、
新しいマイクロミラーのアーキテクチャが開発されてい
る。従って、この新しいアーキテクチャーは投射される
画像の品質を高め、画像領域からボーダー領域の変わり
目を、消費者に好まれるよう、はっきりとシャープにす
る。この新しいアーキテクチャは、付加的な処理工程、
付加的な材料コスト、及びデバイスのイールドに対する
企図されるインパクトなく、これらの商業的な利点を提
供する。先行技術の均一のアレイから離れ、画像を形成
するために用いられるアレイの部分のミラー・ギャップ
を減少させること、及びアレイのボーダー領域のミラー
・ギャップを更に減少させることによって、これらは改
良される。
【００１３】典型的な隠れヒンジＤＭＤ１００は、実際
はＤＭＤセル又は素子の直角のアレイである。このアレ
イは、１０００以上のＤＭＤの行及びＤＭＤの列を有し
得る。図１は、ＤＭＤアレイの下にある機械的な構造を
示すため、幾つかのミラー１０２を取り外したＤＭＤア
レイの一部を示す。図２は、ＤＭＤ構造体の間の関係を
更に詳細に示すため、１つのＤＭＤ素子を拡大した図で
ある。
【００１４】ＤＭＤは、典型的にシリコンである半導体
基板１０４上につくられる。電気的制御回路は典型的
に、標準の集積回路プロセス・フローを用いて半導体基
板１０４の中又は表面上につくられる。この回路は、各
ミラー１０２に関連し典型的にその下にあるメモリ・セ
ルと、下にあるメモリ・セルへのデジタル画像データの
転送を制御するデジタル論理回路とを典型的に含むが、
これに限定されない。バイアスを駆動しミラー上部構造
への信号をリセットする電圧駆動回路もＤＭＤ基板上に
つくられるか、又はＤＭＤの外部にあり得る。幾つかの
設計において、画像を処理する及びフォーマットするロ
ジックも基板１０４に形成される。
【００１５】幾つかのＤＭＤ構成では、幾つかのＤＭＤ
素子が１つのメモリ・セルを共有することのできるスプ
リット・リセット構成を用い、そのため、非常に大きな
アレイを作動させるため必要とされるメモリ・セルの数
を減らし、より多くの場所をＤＭＤ集積回路の電圧駆動
及び画像処理回路に使うことができるようになる。本発
明の開示の目的のため、アドレス回路は、ミラーの回転
の方向を制御するために用いられる直流電圧接続及び共
有メモリ・セルを含む任意の回路を含むことを考慮して
いる。ミラーにバイアス電圧が印加されるときミラー１
０２の位置に影響を与えることなく、下にあるメモリの
内容を変えることができるＤＭＤのバイステーブル・オ
ペレーションによって、スプリット・リセットが可能と
なる。
【００１６】シリコン基板１０４及び必要とされる任意
の金属相互接続層は、その上にＤＭＤ上部構造が形成さ
れ、典型的に堆積された二酸化シリコン層である絶縁層
１０６によって、ＤＭＤ上部構造から絶縁される。ホー
ル又はビア１０８が酸化物層に開けられ、ＤＭＤ上部構
造が、基板１０４に形成される電気的回路と電気的接続
できるようにする。
【００１７】上部構造の第１の層は金属化層で、典型的
に第３の金属化層であり、Ｍ３と呼ばれることもある。
２つの金属化層が、基板上につくられる回路を相互接続
するために典型的に必要とされる。この金属化層は絶縁
層上に堆積され、アドレス電極１１０及びミラー・バイ
アス・コネクション１１２を形成するようにパターニン
グされる。幾つかのマイクロミラー設計では、ミラー・
バイアス・コネクションに電気的に接続される個別の構
造体である着地電極を有する。着地電極はミラー１０２
の回転を制限し、回転するミラー１０２又はヒンジ・ヨ
ーク１１４が、ミラー１０２に比例する電圧電位を有す
るアドレス電極１１０に触れないようにする。ミラー１
０２がアドレス電極１１０に接触すると、その結果の短
絡回路は、ねじれヒンジ１１６を溶かす（fuse）か又は
ミラー１０２をアドレス電極１１０へ溶着（weld）させ
得、いずれの場合もＤＭＤをだめにする。常に同じ電圧
が着地電極及びミラー１０２の両方に印加されるため、
ミラー・バイアス・コネクション及び着地電極は、可能
なときは１つの構造体に結合されることが好ましい。ミ
ラー・バイアス・コネクション１１２は、ミラー１０２
又はヒンジ・ヨーク１１４の回転を機械的に制限する、
着地サイトと呼ばれる領域を典型的に含む。これらの着
地サイトは、ミラー１０２及びヒンジ・ヨーク１１４が
着地サイトに膠着する傾向を減らすように選ばれた材料
で被覆されることもある。
【００１８】ミラー・バイアス／リセット電圧は、ミラ
ー・バイアス／リセット金属化１１２、及び隣接するミ
ラー素子のミラー及びねじれビームの両方を用いる組み
合わせ通路を通り、各ミラー１０２まで伝わる。スプリ
ット・リセットの設計では、ミラーのアレイは、それぞ
れが個別のミラー・バイアス・コネクションを有する多
数のサブアレイに区分される必要がある。図１に示した
着地電極／ミラー・バイアス１１２の構成は、サブアレ
イ間のミラー・バイアス／リセット層を単に絶縁するこ
とによって、ＤＭＤ素子が電気的絶縁された行又は列に
容易に分離されるため、スプリット・リセットの用途に
理想的である。
【００１９】典型的にスペーサビアと呼ばれる支持体の
第１の層は、アドレス電極１１０及びミラー・バイアス
・コネクション１１２を形成する金属層の上につくられ
る。ヒンジ支持スペーサビア１１６及び上側アドレス電
極スペーサビア１１８の両方を含むこれらのスペーサビ
アは、アドレス電極１１０及びミラー・バイアス・コネ
クション１１２上で薄いスペーサ層をスピンさせること
によって典型的に形成される。この薄いスペーサ層は、
典型的に１μｍの厚みのポジティブ・フォトレジストの
層である。フォトレジスト層の堆積後、これは露出さ
れ、パターニングされ、ディープＵＶ硬化によってキュ
アされてスペーサビアが形成されるホールをつくる。こ
のスペーサ層は、製造工程において後に用いられる一層
厚いスペーサ層と同様、製造プロセスの間のみ形成され
るよう用いられ、デバイス・オペレーションの前にデバ
イスから除去されるため、犠牲層と呼ばれることがあ
る。
【００２０】薄い金属層がスペーサ層の上及びホール内
にスパッタリングされる。その後、薄い金属層の上に酸
化物が形成され、パターニングされて、後にヒンジ１２
０を形成する領域の上にエッチ・マスクを形成する。典
型的にアルミニウム合金である金属の一層厚い層が、薄
い金属層及び酸化物エッチ・マスクの上にスパッタリン
グされる。酸化物の別の層が形成され、パターニングさ
れ、ヒンジ・ヨーク１１４、ヒンジ・キャップ１２２、
及び上側アドレス電極１２４を定める。この第２の酸化
物層がパターニングされた後、２つの金属層が同時にエ
ッチングされ、酸化物エッチ・マスクが取り除かれ、厚
く堅いヒンジ・ヨーク１１４、ヒンジ・キャップ１２
２、及び上側アドレス電極１２４、及び薄いフレキシブ
ルねじれビーム１２０が残される。
【００２１】その後、厚いスペーサ層が厚い金属層の上
に堆積され、パターニングされ、ミラー支持スペーサビ
ア１２６が形成されるホールを定める。厚いスペーサ層
は典型的に２μｍの厚みのポジティブ・フォトレジスト
層である。ミラー金属層は典型的にアルミニウム合金で
あり、厚いスペーサ層の表面上及び厚いスペーサ層のホ
ールにスパッタリングされる。その後、この金属層はミ
ラー１０２を形成するようパターニングされ、両方のス
ペーサ層はプラズマ・エッチングを用いて取り除かれ
る。
【００２２】２つのスペーサ層が取り除かれると、ミラ
ーは、ねじれヒンジによって形成される軸の回りを自由
に回転する。アドレス電極１１０と、エア・ギャップ・
コンデンサの２つのプレートを事実上形成する偏向可能
な堅い部材との間の静電引力はミラー構造体を回転する
ために用いられる。マイクロミラー・デバイスの設計に
より、堅い部材は、ねじれビーム・ヒンジ１１４、ビー
ム、ミラー１０２、ヨークとビーム又はミラー１０２の
両方、又は、ねじれビームに直接取付けられるビームで
あり得る。上側アドレス電極１２４も堅い部材を静電的
に引付ける。
【００２３】電圧電位によってつくられる力は、２つの
プレート間の距離の逆数の関数である。静電トルクによ
って堅い部材が回転するとき、ねじれビーム・ヒンジ
は、ねじれビームの角度偏向のほぼ線形の関数である復
元トルクで抵抗する。復元ねじれビーム・トルクが静電
トルクに等しくなるまで、この構造体は回転する。
【００２４】マイクロミラー・デバイスは、一般的に２
つのモードのオペレーションの１つで作動する。オペレ
ーションの第１のモードは、ミラーの所望の偏向に対応
する電圧にアドレス電極がチャージされるアナログ・モ
ードであり、これはビーム・ステアリングと呼ばれるこ
ともある。マイクロミラー・デバイスに当たる光は、ミ
ラーの偏向によって決定される角度でミラーにより反射
される。アドレス電極に印加される電圧に依り、個別の
ミラーによって反射された光の円錐は、投射レンズの口
径の外に、一部が口径の内に、又は全てがレンズの口径
の内に入るように向けられる。反射された光は、画像面
上の位置に対応する各個別のミラーと共に、レンズによ
って画像面上にフォーカスされる。反射された光の円錐
は、口径の完全な内側から、ミラーの暗さ（dims）に対
応する画像位置である、口径の完全な外側へ動かされる
とき、連続的な輝度レベルをつくる。
【００２５】オペレーションの第２のモードはデジタル
モードである。デジタルに作動されるとき、各マイクロ
ミラーは、ねじれビーム軸に沿った２つの方向のいずれ
かへ完全に偏向される。デジタル・オペレーションは、
ミラーが完全に偏向されることを確実にするよう、比較
的大きな電圧を用いる。標準の論理電圧レベルを用いて
アドレス電極を駆動することが利点であるため、典型的
に負の電圧であるバイアス電圧がミラー金属層に印加さ
れ、アドレス電極とミラーとの間の電圧差を増加させ
る。それよりも大きな電圧はデバイスの崩壊（collaps
e）電圧と呼ばれる、充分に大きなミラー・バイアス電
圧を用いることにより、アドレス電圧がない場合でも、
ミラーが最も近い着地電極へ偏向することが確実にな
る。従って、大きなミラー・バイアス電圧を用いること
により、アドレス電圧は、ミラーがわずかに偏向するの
に充分な大きさのみ必要である。
【００２６】マイクロミラー・デバイスを用いて画像を
つくるため、光源に向かって回転したミラーが、マイク
ロミラー・デバイスの表面に垂直の方向に、及び投射レ
ンズの口径の内に光を反射させて、画像面上に明るい画
素をつくるように、光源は回転角度の２倍に等しい角度
に配置される。光源から離れる方へ回転するミラーは、
光を投射レンズから離れる方へ反射させ、対応する画素
を暗くする。ミラーをオン及びオフの時間で急速に回転
させて、画像面に届く光の量を変えるパルス幅変調技術
によって、中間輝度レベルがつくられる。人間の目は、
光のパルスを統合させ、脳はフリッカのない中間輝度レ
ベルを知覚する。
【００２７】フルカラーの画像は、３つの単色画像を生
成する３つのマイクロミラー・デバイスを用いることに
よって、又は回転するカラー・ホイール上に取付けられ
た３色フィルターを通る光のビームによって照射される
１つのマイクロミラー・デバイスを用いて、３つの単色
画像を順に形成することによって生成される。
【００２８】マイクロミラーに基く表示装置の輝度を増
加させるためには、典型的にアーク・ランプである照射
ソースの電力を増加させて投射光学系の効率を高める
か、又はマイクロミラー・デバイスの効率を高めること
が必要である。マイクロミラーの効率は、ミラー表面の
効率と、画像へ光を選択的に反射させることのできるマ
イクロミラー・デバイスの照射表面の割合の両方の関数
である。
【００２９】マイクロミラー・デバイスのアクティブ領
域の主な損失は、ミラー素子間に形成されるギャップに
よる。このようなギャップ３０２の１つを図３に示し、
ヒンジ軸に沿って見た２つのマイクロミラー素子の側面
を示す。図３では、ヒンジ・ヨーク１１４、ミラー・ス
ペーサビア１２６、及びミラー１０２のみを示す。ヒン
ジ１２０、ヒンジ・キャップ１２２、ヒンジ支持体１１
６、アドレス電極１１０、上側アドレス電極１２４、上
側アドレス支持スペーサビア１１８、及び着地電極／ミ
ラー・バイアス部品１１２は図示していない。ミラー・
ギャップ３０２は、第１及び第２のスペーサ層をプラズ
マ・エッチング工程中に取り除くために必要である。
【００３０】オペレーションにおいて、ミラー１０２間
のマイクロミラー・デバイスに当たる光は、ミラー・ギ
ャップ３０２を介して通り、基板及び基板上の金属層に
当たる。ミラーの下の基板及び基板上の金属層に当たる
光は、マイクロミラー・デバイスのオペレーションに対
し３つの点で有害である。第１に、オンに向いたミラー
素子のミラー・ギャップ３０２を介して通る光は、画像
面に向かって反射されている光であることが好ましい。
この光を画像面に反射しないことにより、画像の輝度は
低減する。
【００３１】第２に、ミラー間を通る光は、基板上の金
属化層、ヒンジ・ヨーク１１４、ヒンジ１２０、ヒンジ
・キャップ１２２、ヒンジ支持体１１６、アドレス電極
１１０、上側アドレス電極１２４、上側アドレス支持ス
ペーサビア１１８、ミラー・スペーサビア１２６、着地
電極／ミラー・バイアス部品１１２、及びミラー１０２
のエッジによって典型的に反射される。これらの金属部
品の全てによって分散された後、幾らかの光はミラー・
ギャップを通って戻り、画像面上に投射される。画像面
上に投射される分散光はディスプレイのコントラスト比
を低減させ、その結果ウォッシュ・アウトされた画像に
なり、更に画像の周りのボーダー領域を部分的に照射す
る。
【００３２】ミラー・ギャップ３０２を介して通る光の
第３の影響は、半導体デバイス基板にフォトキャリアを
生成する可能性があることである。ミラー・ギャップ３
０２を介して通るフォトンの殆どは、基板上の回路を相
互接続しミラー上部構造をつくるために用いられる種々
の金属化層によってブロックされる一方、半導体基板に
当たるフォトンはいずれもフォトキャリアを生成し、こ
れらは充分に量が多く、アドレス電極に印加される電荷
を妨害し、誤ったアドレス電極へミラー１０２が回転す
るようになる。
【００３３】コントラスト比及び全体の画像輝度の両方
を改良させる１つの方法は、ミラー・ギャップ３０２を
減少させることである。ねじれビーム設計及び隠れヒン
ジ設計である、以前のマイクロミラー・デバイスは中心
間１７μｍで１６μｍのミラーを用い、１μｍのギャッ
プを残し、それを介して、デバイスを形成するために用
いられる任意の一時スペーサ層をエッチング除去する。
同じく中心間１７μｍで１６．２μｍのミラーを有し
０．８μｍのギャップを残すデバイスをつくると、マイ
クロミラー・デバイスのアクティブ領域が増加する。ア
クティブ領域の増加とミラー・ギャップ３０２の減少
は、画像輝度及び表示装置のコントラスト比の両方を増
加させる。
【００３４】最小のミラー・ギャップ３０２は、リソグ
ラフィ及びエッチング工程制約によるのみならず、主と
して、隣接するミラー間の干渉を避ける必要性によっ
て、定められる。最近の隠れヒンジ・マイクロミラー設
計は、ミラー支持スペーサビアによってミラーから垂直
に変位しているヒンジ軸の回りを回転する。ヒンジ軸は
ミラーの中を通っていないから、ミラーはそれがヒンジ
軸の回りを回転するとき横の方に変位する。隣接するミ
ラー素子が適切に離して配置されていない場合、互いに
向かって回転するとき隣接するミラーが衝突し得る。こ
の特性が、現在の隠れヒンジ・マイクロミラー設計の大
きさを中心間１７μｍで１６．２μｍのミラーに制限し
ている。図４は、適切に離して配置されておらず、両方
のミラーが互いに向かって回転するとき重なりを生じる
２つの隣接するミラーの部分を示す。
【００３５】画像輝度の増加及びコントラスト比の増加
はいずれも、画像自体を改良するだけではなく、画像の
すぐ周りの領域に比較して画像の輝度を増加させること
によって、画像品質のビューアーの知覚も改善する。上
述のように、投射テレビのユーザーは、投射画像の周り
のボーダー領域が非常に暗いことを好む。
【００３６】マイクロミラー画像投射装置の画像表示領
域の周りの非常に暗いボーダー領域を形成するため、２
つの手段がとられている。第１に、図５に示すように、
金属開口部材５００を用い、アクティブ・ミラーを含ま
ないマイクロミラー・デバイスの部分を覆う。例えば、
マイクロミラー・デバイス５０２のエッジは、標準の半
導体パッケージング技術を用いて、セラミック・パッケ
ージ５０６上のボンド・パッドにワイヤ接続されている
ボンド・パッド５０４を典型的に有する。開口部材５０
０は、セラミック・パッケージ５０６のマイクロミラー
・デバイス５０２を保護する一方、光がマイクロミラー
・デバイス５０２に届くようにする、ガラス・ウィンド
ウ５０８に典型的に取付けられる。
【００３７】第２に、マイクロミラーの画像領域の周り
に付加的なマイクロミラーの行及び列を加える。図６は
非常に小さなマイクロミラー・アレイ６００の上面図で
あり、マイクロミラー６０４の内部画像領域６０２を示
し、これはマイクロミラー６０２の外部ボーダー領域６
０６によって囲まれる。商業的に有効なマイクロミラー
・アレイは、図６のアレイ６００よりもずっと大きく、
内部領域６０２だけで１０００を軽く超える行及び列、
及び外部ボーダー領域６０６の各側に沿って５０個の付
加的な行及び列を有することもある。
【００３８】ボーダー領域６０６は、画像を囲み、マイ
クロミラー・デバイスの端部をシールドする開口部材の
みを用いるシステムに対し、２つの利点を提供する。第
１に、オフに向いているボーダー・ミラーは、平坦な金
属開口部材よりも暗い領域を生成する。第２に、ボーダ
ー領域は、アクティブ内部領域６０２と開口部材との間
の整合許容誤差を提供する。
【００３９】オペレーションにおいて、ボーダー領域６
０６のミラー６０４は常にオフ位置に向けられ、ボーダ
ー領域６０６のミラー６０４に当たる光が、アクティブ
内部領域６０２によってつくられる画像から離れて反射
するようにする。外部ボーダー領域６０６のミラー６０
４が決してオンに回転しないということが判っているた
め、マイクロミラー・デバイスの設計者はデバイスに対
し２つの変更をすることができる。第１に、これらのミ
ラー素子は決してオン位置に回転しないため、これら
は、各ミラー下に１つのアドレス電極しか必要としな
い。更に、その単一アドレス電極を適切なバイアス電圧
にハードワイヤ接続することができ、メモリ・セルがア
ドレス電極を駆動する必要がなくなる。駆動回路の部分
がなくなると、基板内及び基板の表面上に、アレイの内
部アクティブ領域のミラーを駆動する回路を製造及びル
ーティングするための付加的な空間ができる。
【００４０】更に重要なことに、ボーダー・ミラーの回
転を制限することにより、内部アクティブ領域で可能で
あるよりも小さなギャップを外部ボーダー領域で使うこ
とができる。図７は、２つの外部ボーダー領域７０２及
び１つの内部アクティブ領域７０４の３つの領域に区分
されたマイクロミラー・アレイ７００の一部の断面図を
示す。外部ボーダー領域７０２のミラー間のギャップ
は、内部アクティブ領域７０４のミラー間のギャップよ
りも小さい。外部ボーダー領域は、内部アクティブ領域
のミラーよりもわずかに大きい（典型的に１６．４μ
ｍ）が、中心間距離が同じ（典型的に１７μｍ）のミラ
ーを有する。代替として、外部ボーダー領域７０４は、
内部アクティブ領域７０４のミラーと同一の大きさで中
心間距離がより小さいミラーを有していてもよい。中心
間距離が同じで、より大きなミラーを用いることは、そ
れがミラー・ギャップによって消費される総表面を減ら
し、アレイの内部及び外部領域の行及び列の数が同じに
なるため、中心間距離を小さくすることよりも好まし
い。
【００４１】図８は、ミラーサイズが大きくされ、いず
れも同じ方向へ回転する２つのマイクロミラーを示す。
図４及び図８の比較は、図８では両方のミラーが逆時計
回りに回転するとき、左のミラーがどのように右のミラ
ーから離れて傾斜するかを示すが、図４では２つのミラ
ーが互いに向かって回転するとき、左のミラーが右のミ
ラーの通路に傾斜することを示す。
【００４２】本発明に従ったデバイスは外部ボーダー領
域７０４のギャップが一層小さいが、２つの領域の間の
ミラー・ギャップがあまりに小さいとき、ボーダー領域
７０２の常にオフになっているミラーと、内部アクティ
ブ領域７０４のオン及びオフの両方に向くミラーとの間
に干渉が起こる。上述の実施例に従って、いずれも中心
間距離１７μｍで、外部ボーダー領域７０２では１６．
４μｍのミラー、内部アクティブ領域７０４では１６．
２μｍのミラーを用いると、外部ボーダー領域７０２と
内部アクティブ領域７０４のミラー間に０．７μｍのギ
ャップがあり、干渉は起こらない。
【００４３】他のミラーサイズは、外部ボーダー領域７
０２と内部アクティブ領域７０４との間の干渉を生じ、
それは除かなくてはならない。１つの実施例に従って、
典型的に内部アクティブ領域７０４のミラーと同じ大き
さである、外部ボーダー領域７０２の一層小さなミラー
の単一の行又は列を用いて、ボーダー・ミラーと内部ア
クティブ領域７０４のミラーとの間の隙間を確保する。
代替例として、内部アクティブ領域７０４及び外部ボー
ダー領域７０２のミラー間の距離を大きくしてもよい。
別の代替例は、外部ボーダー領域の内側にミラー支持ス
ペーサビアに非対称な少なくとも幾つかのミラーをつく
ることである。非対称ミラーは、それらが各方向で異な
って動くため避けるのが典型的であるが、ボーダー領域
のミラーは１方向のみにしか回転しないため、非対称ミ
ラーは外部ボーダー領域では許容され得る。
【００４４】図９は、開示された発明の別の実施例に従
ったマイクロミラー・アレイ９００の上面図である。図
９において、ミラーの内部アクティブ領域７０４は、外
部ボーダー領域７０２で囲まれる。マイクロミラー・ア
レイ９００は、コーナー９０２に向かってオン位置に、
コーナー９０４に向かってオフ位置にミラーが回転する
よう方向づけされる。内部アクティブ領域７０４の上側
及び左側に沿ったミラーは、アレイ９００の外部ボーダ
ー領域７０２のバッファ領域９０６の、隣接する一層大
きなミラーと干渉を起こす可能性がある。干渉を避ける
ため、バッファ領域９０６のミラー素子のミラー又はミ
ラー・スペーシングは、図７の領域７０６で説明された
ように変更される。
【００４５】図１０は、本発明に従って改良されたマイ
クロミラー・デバイス１００２を用いる画像投射装置１
０００の略図である。図１０において、光源１００４か
らの光は、改良されたマイクロミラー・デバイス１００
２上にレンズ１００６でフォーカスされる。１つのレン
ズで示しているが、レンズ１００６は典型的に、光源１
００４からの光をフォーカスし、マイクロミラー・デバ
イス１００２の表面上へ向ける１群のレンズ及びミラー
である。オフ位置に回転するマイクロミラー・デバイス
上のミラーは光を光トラップ１００８へ反射させ、オン
位置に回転されるミラーは光を投射レンズ１０１０に反
射させ、このレンズは簡略化のため１つのレンズで示
す。投射レンズ１０１０は、マイクロミラー・デバイス
１００２によって変調された光を画像面又はスクリーン
１０１２へフォーカスする。マイクロミラー・デバイス
１００２の外部ボーダー領域のミラーは、ボーダー領域
上に当たる光を光トラップ１００８へ向け、ディスプレ
イ１０１４のボーダー領域を非常に暗くし、画像面の内
部画像部分１０１６とのシャープなコントラストをつく
ることを確実にする。
【００４６】このように、改良された画像の輝度及びコ
ントラスト比及び改良された暗さを有するマイクロミラ
ー、及びその方法などの特定の実施例がこれまでに開示
されたが、このような特定の参照例は特許請求の範囲に
記載された限りを除き、本発明の範囲を制限するもので
はない。更に、本発明をある特定の実施例に関連して説
明したが、当業者であれば更なる変更を提案し得ること
を理解されたく、このような全ての変更は添付の特許請
求の範囲内に含まれることを意図している。
【００４７】以上の説明に関して更に次の項を開示す
る。 （１） マイクロミラー・アレイであって、基板の第１
の表面上につくられる電気的部品を有する基板と、マイ
クロメカニカル光変調素子のアレイとを含み、マイクロ
メカニカル光変調素子はそれぞれ、アドレス指定回路、
及び前記基板によって支持され基板から離れて配置され
るミラーを含み、前記各ミラーは隣接するミラーからギ
ャップによって離されており、前記アレイは内部光変調
領域、及び前記内部光変調領域を囲む外部ボーダー領域
を形成し、前記ギャップは、前記内部光変調領域のミラ
ー間よりも、前記外部ボーダー領域の少なくとも幾つか
のミラー間の方が小さいマイクロミラー・アレイ。
【００４８】（２） 第１項に記載のマイクロミラー・
アレイであって、前記ミラーは、前記基板表面に平行な
軸の回りを回転可能であり、前記内部光変調領域の前記
ミラーは、前記軸の回りを２方向に回転可能であり、前
記外部ボーダー領域の前記ミラーは、前記軸の回りを１
方向のみに回転可能であるマイクロミラー・アレイ。 （３） 第１項に記載のマイクロミラー・アレイであっ
て、前記外部ボーダー領域の少なくとも２つの隣接する
ミラー間の前記ギャップは非常に小さく、前記少なくと
も２つの隣接するミラーが干渉することなく個別に回転
できないマイクロミラー・アレイ。 （４） 第１項に記載のマイクロミラー・アレイであっ
て、前記外部ボーダー領域は、前記内部光変調領域の一
部に隣接するバッファ領域を含み、前記バッファ領域
は、前記内部光変調領域のミラー間のギャップと同じく
らいの大きさのギャップによって離されるミラーを含む
マイクロミラー・アレイ。 （５） 第１項に記載のマイクロミラー・アレイであっ
て、前記ミラーは、前記外部ボーダー領域で互いに近接
して配置されるマイクロミラー・アレイ。 （６） 第１項に記載のマイクロミラー・アレイであっ
て、前記外部ボーダー領域の前記ミラーは、前記内部光
変調領域の前記ミラーより大きいマイクロミラー・アレ
イ。
【００４９】（７） 第１項に記載のマイクロミラー・
アレイであって、 前記外部ボーダー領域の前記ミラー
は、前記内部光変調領域の前記ミラーより大きいが、前
記外部ボーダー領域の前記マイクロメカニカル光変調素
子と、前記内部光変調領域の前記マイクロメカニカル変
調素子との距離は等しいマイクロ・ミラー。 （８） 第１項に記載のマイクロミラー・アレイであっ
て、前記内部光変調領域の各変調素子に対し２つのアド
レス電極を更に含み、前記２つのアドレス電極は前記基
板表面上にあり、前記軸の各側の１つの前記アドレス電
極は、前記ミラー素子を前記軸の回りをいずれの方向へ
も回転させることができるマイクロミラー・アレイ。 （９） 第１項に記載のマイクロミラー・アレイであっ
て、前記外部ボーダー領域の各変調素子に対し１つのア
ドレス電極を更に含み、前記軸の一方の側の前記基板表
面上の前記アドレス電極は、前記ミラー素子を前記アド
レス電極に向かって前記軸の回りを回転させることので
きるマイクロミラー・アレイ。
【００５０】（１０） マイクロメカニカル光変調アレ
イを形成する方法であって、前記方法は、半導体基板上
に着地電極／ミラー・バイアス構造体及びアドレス電極
を形成し、前記半導体基板上に第１のスペーサ層を堆積
し、前記第１のスペーサ層をパターニングして、ヒンジ
支持スペーサビア位置を定め、前記第１のスペーサ層上
に金属ヒンジ層を堆積し、前記金属ヒンジ層上に少なく
とも１つのヒンジ・エッチ・マスクを形成し、前記金属
ヒンジ層及び前記ヒンジ・エッチ・マスク上に金属ヨー
ク層を堆積し、前記金属ヒンジ層及び前記金属ヨーク層
をパターニングして、少なくとも１つのヒンジ、及び前
記ヒンジに取付けられる少なくとも１つのヒンジ・ヨー
クを形成し、前記金属ヨーク層上に第２のスペーサ層を
堆積し、前記第２のスペーサ層をパターニングしてミラ
ー支持スペーサビア位置を定め、前記第２のスペーサ層
上に金属ミラー層を堆積し、前記金属ミラーをパターニ
ングしてマイクロミラーのアレイを定め、前記マイクロ
ミラーのアレイは内部アクティブ領域及び外部ボーダー
領域を形成し、前記マイクロミラーは隣接するマイクロ
ミラーからミラー・ギャップによって離され、前記内部
アクティブ領域のマイクロミラー間の前記ミラー・ギャ
ップは、前記外部ボーダー領域の少なくとも幾つかのマ
イクロミラー間の前記ミラー・ギャップより大きく、更
に前記第１及び第２のスペーサ層を取り除くことを含む
方法。 （１１） 第１０項に記載の方法であって、前記金属ミ
ラー層をパターニングする工程は、前記外部ボーダー領
域の少なくとも２つの隣接するマイクロミラー間に小さ
なミラー・ギャップを形成することを更に含み、前記小
さなミラー・ギャップは非常に小さく、前記少なくとも
２つの隣接するマイクロミラーが前記少なくとも１つの
ヒンジによって形成される軸の回りを個別に回転するこ
とができない方法。
【００５１】（１２） 表示装置であって、光の通路に
沿って光のビームを生成する光源と、画像面に向かう第
２の光の通路に沿って前記光のビームの一部を選択的に
反射させるための前記光の通路内のマイクロミラー・デ
バイスとを含み、前記マイクロミラー・デバイスは、基
板の第１の表面上につくられる電気的部品を有する基板
と、マイクロメカニカル光変調素子のアレイとを有し、
マイクロメカニカル光変調素子はそれぞれ、アドレス回
路と、前記基板によって支持されそれから離されて配置
されるミラーとを有し、前記各ミラーは隣接するミラー
からギャップによって離され、前記アレイは内部光変調
領域、及び内部光変調領域を囲む外部ボーダー領域とを
形成し、前記ギャップは、内部光変調領域のミラー間よ
りも外部ボーダー領域のミラー間のほうが小さい表示装
置。 （１３） 第１２項に記載の表示装置であって、前記選
択的に反射された光を受取り、前記画像面上に前記選択
的に反射された光をフォーカスするための前記第２の光
の通路内の投射レンズを更に含む表示装置。 （１４） 第１２項に記載の表示装置であって、画像デ
ータを前記マイクロミラー・デバイスへ供給するコント
ローラを更に含む画像表示装置。 （１５） 第１２項に記載の表示装置であって、前記光
源から前記マイクロミラー・デバイス上へ光をフォーカ
スするためのソース・レンズを更に含む表示装置。
【００５２】（１６） 半導体基板７０８上につくられ
るマイクロミラー・アレイ。マイクロミラー・アレイ内
のマイクロミラーは、内部アクティブ領域７０４のミラ
ーに当たる光を選択的に変調する内部アクティブ領域７
０４と、内部アクティブ領域７０４によって生成される
画像の周りの暗いボーダー部をつくる外部ボーダー領域
７０２に論理的に区分される。隣接するミラーは、各ミ
ラー間のギャップによって回転可能となる。アレイの内
部アクティブ領域７０４のミラー間のギャップ７１２
は、外部ボーダー領域７０２の少なくとも幾つかのミラ
ー間のギャップ７１０より大きい。外部領域７０２の一
層小さなギャップ７１０は、外部領域７０２のミラーを
単一方向への回転に制限することによって可能となる。
【関連出願】以下の特許及び／又は共に譲渡された特許
出願は、参照のためここに組込まれている。 米国特許番号 出願日 登録日 発明の名称 5,061,049 1990年 9月13日 1991年10月29日 空間光変調器及び方法 5,583,688 1993 年12月21日 1996年12月10日 多レベル・デジタル・マイク ロミラー・デバイス
【図面の簡単な説明】
【図１】先行技術のマイクロミラー・アレイの一部の透
視図。
【図２】図１のアレイの１つのマイクロミラー素子の拡
大透視図。
【図３】図１のアレイの２つのマイクロミラー素子の側
面図。
【図４】２つのマイクロミラー素子の側面図であって、
素子が非常に近く、互いに向かって回転するとき起こる
干渉を示す。
【図５】窓及び開口部を有するパッケージ内のマイクロ
ミラー・デバイスの側面図。
【図６】内部アクティブ領域及び外部ボーダー領域を定
める小さなマイクロミラー・アレイの上面図。
【図７】本発明の１つの実施例に従ったマイクロミラー
・アレイの側面図であって、ボーダー領域の減少された
ミラー・ギャップを示す。
【図８】近接に配置された２つのマイクロミラー素子の
側面図であって、マイクロミラーが同じ方向へ回転する
とき干渉がないことを示す。
【図９】内部アクティブ領域、外部ボーダー領域、及び
外部ボーダー領域の中間バッファ部分を定める小さなマ
イクロミラー・アレイの上面図。
【図１０】本発明の１つの実施例に従ったマイクロミラ
ーに基づく投射表示装置の概略図。
【符号の説明】
７００ マイクロミラー・アレイ ７０２ 外部ボーダー領域 ７０４ 内部アクティブ領域 ７０８ 半導体基板 ７１０ 外部ボーダー領域のギャップ ７１２ 内部アクティブ領域のギャップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロドニー ディ．ミラー アメリカ合衆国 テキサス州フリスコ，ネ イパ バレイ 7001 (72)発明者 ブライアン エル．レイ アメリカ合衆国 テキサス州リチャードソ ン，バッキンガム ロード 530，アパー トメント ナンバー 613 (72)発明者 ロバート イー．メイヤー アメリカ合衆国 テキサス州ダラス，アル ト キャロ 7729

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 マイクロミラー・アレイであって、 基板の第１の表面上につくられる電気的部品を有する基
    板と、 マイクロメカニカル光変調素子のアレイとを含み、マイ
    クロメカニカル光変調素子はそれぞれ、アドレス指定回
    路、及び前記基板によって支持され基板から離れて配置
    されるミラーを含み、前記各ミラーは隣接するミラーか
    らギャップによって離されており、前記アレイは内部光
    変調領域、及び前記内部光変調領域を囲む外部ボーダー
    領域を形成し、 前記ギャップは、前記内部光変調領域のミラー間より
    も、前記外部ボーダー領域の少なくとも幾つかのミラー
    間の方が小さいマイクロミラー・アレイ。
  2. 【請求項２】 マイクロメカニカル光変調アレイを形成
    する方法であって、前記方法は、 半導体基板上に着地電極／ミラー・バイアス構造体及び
    アドレス電極を形成し、 前記半導体基板上に第１のスペーサ層を堆積し、 前記第１のスペーサ層をパターニングして、ヒンジ支持
    スペーサビア位置を定め、 前記第１のスペーサ層上に金属ヒンジ層を堆積し、 前記金属ヒンジ層上に少なくとも１つのヒンジ・エッチ
    ・マスクを形成し、 前記金属ヒンジ層及び前記ヒンジ・エッチ・マスク上に
    金属ヨーク層を堆積し、 前記金属ヒンジ層及び前記金属ヨーク層をパターニング
    して、少なくとも１つのヒンジ、及び前記ヒンジに取付
    けられる少なくとも１つのヒンジ・ヨークを形成し、 前記金属ヨーク層上に第２のスペーサ層を堆積し、 前記第２のスペーサ層をパターニングしてミラー支持ス
    ペーサビア位置を定め、 前記第２のスペーサ層上に金属ミラー層を堆積し、 前記金属ミラーをパターニングしてマイクロミラーのア
    レイを定め、前記マイクロミラーのアレイは内部アクテ
    ィブ領域及び外部ボーダー領域を形成し、前記マイクロ
    ミラーは隣接するマイクロミラーからミラー・ギャップ
    によって離され、前記内部アクティブ領域のマイクロミ
    ラー間の前記ミラー・ギャップは、前記外部ボーダー領
    域の少なくとも幾つかのマイクロミラー間の前記ミラー
    ・ギャップより大きく、更に前記第１及び第２のスペー
    サ層を取り除くことを含む方法。
  3. 【請求項３】 表示装置であって、 光の通路に沿って光のビームを生成する光源と、 画像面に向かう第２の光の通路に沿って前記光のビーム
    の一部を選択的に反射させるための前記光の通路内のマ
    イクロミラー・デバイスとを含み、前記マイクロミラー
    ・デバイスは、 基板の第１の表面上につくられる電気的部品を有する基
    板と、 マイクロメカニカル光変調素子のアレイとを有し、マイ
    クロメカニカル光変調素子はそれぞれ、アドレス回路
    と、前記基板によって支持されそれから離されて配置さ
    れるミラーとを有し、前記各ミラーは隣接するミラーか
    らギャップによって離され、前記アレイは内部光変調領
    域、及び内部光変調領域を囲む外部ボーダー領域とを形
    成し、 前記ギャップは、内部光変調領域のミラー間よりも外部
    ボーダー領域のミラー間のほうが小さい表示装置。
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Families Citing this family (232)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6674562B1 (en) * 1994-05-05 2004-01-06 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US7550794B2 (en) * 2002-09-20 2009-06-23 Idc, Llc Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer
US8014059B2 (en) * 1994-05-05 2011-09-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for charge control in a MEMS device
US7123216B1 (en) * 1994-05-05 2006-10-17 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
US6680792B2 (en) * 1994-05-05 2004-01-20 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US6969635B2 (en) * 2000-12-07 2005-11-29 Reflectivity, Inc. Methods for depositing, releasing and packaging micro-electromechanical devices on wafer substrates
US7907319B2 (en) * 1995-11-06 2011-03-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light with optical compensation
US7471444B2 (en) * 1996-12-19 2008-12-30 Idc, Llc Interferometric modulation of radiation
US8928967B2 (en) * 1998-04-08 2015-01-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
WO1999052006A2 (en) * 1998-04-08 1999-10-14 Etalon, Inc. Interferometric modulation of radiation
WO2003007049A1 (en) * 1999-10-05 2003-01-23 Iridigm Display Corporation Photonic mems and structures
US6841412B1 (en) * 1999-11-05 2005-01-11 Texas Instruments Incorporated Encapsulation for particle entrapment
US20020071169A1 (en) 2000-02-01 2002-06-13 Bowers John Edward Micro-electro-mechanical-system (MEMS) mirror device
US6585383B2 (en) 2000-05-18 2003-07-01 Calient Networks, Inc. Micromachined apparatus for improved reflection of light
US6560384B1 (en) 2000-06-01 2003-05-06 Calient Networks, Inc. Optical switch having mirrors arranged to accommodate freedom of movement
US7019376B2 (en) * 2000-08-11 2006-03-28 Reflectivity, Inc Micromirror array device with a small pitch size
US7006275B2 (en) * 2000-08-30 2006-02-28 Reflectivity, Inc Packaged micromirror array for a projection display
US6825967B1 (en) 2000-09-29 2004-11-30 Calient Networks, Inc. Shaped electrodes for micro-electro-mechanical-system (MEMS) devices to improve actuator performance and methods for fabricating the same
US6962771B1 (en) * 2000-10-13 2005-11-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Dual damascene process
US6603894B1 (en) * 2001-01-26 2003-08-05 Tellium, Inc. MEMS mirror arrays and external lens system in an optical switch
US7291363B2 (en) * 2001-06-30 2007-11-06 Texas Instruments Incorporated Lubricating micro-machined devices using fluorosurfactants
US7023606B2 (en) * 2001-08-03 2006-04-04 Reflectivity, Inc Micromirror array for projection TV
US6544863B1 (en) 2001-08-21 2003-04-08 Calient Networks, Inc. Method of fabricating semiconductor wafers having multiple height subsurface layers
DE60214111T2 (de) * 2001-11-21 2007-02-22 Texas Instruments Inc., Dallas Jochlose digitale Mikrospiegel-Vorrichtung mit verdecktem Gelenk
US6856446B2 (en) * 2001-12-12 2005-02-15 Texas Instruments Incorporated Digital micromirror device having mirror-attached spring tips
US7088486B2 (en) * 2002-01-31 2006-08-08 Texas Instruments Incorporated Yokeless hidden hinge micromirror device with double binge layer
US6794119B2 (en) * 2002-02-12 2004-09-21 Iridigm Display Corporation Method for fabricating a structure for a microelectromechanical systems (MEMS) device
US6574033B1 (en) 2002-02-27 2003-06-03 Iridigm Display Corporation Microelectromechanical systems device and method for fabricating same
US6965468B2 (en) 2003-07-03 2005-11-15 Reflectivity, Inc Micromirror array having reduced gap between adjacent micromirrors of the micromirror array
US7781850B2 (en) * 2002-09-20 2010-08-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Controlling electromechanical behavior of structures within a microelectromechanical systems device
US6870659B2 (en) * 2002-10-11 2005-03-22 Exajoule, Llc Micromirror systems with side-supported mirrors and concealed flexure members
US6825968B2 (en) * 2002-10-11 2004-11-30 Exajoule, Llc Micromirror systems with electrodes configured for sequential mirror attraction
US6798560B2 (en) * 2002-10-11 2004-09-28 Exajoula, Llc Micromirror systems with open support structures
TWI289708B (en) * 2002-12-25 2007-11-11 Qualcomm Mems Technologies Inc Optical interference type color display
US7187484B2 (en) * 2002-12-30 2007-03-06 Texas Instruments Incorporated Digital micromirror device with simplified drive electronics for use as temporal light modulator
US7042622B2 (en) * 2003-10-30 2006-05-09 Reflectivity, Inc Micromirror and post arrangements on substrates
US7483198B2 (en) * 2003-02-12 2009-01-27 Texas Instruments Incorporated Micromirror device and method for making the same
US6906848B2 (en) * 2003-02-24 2005-06-14 Exajoule, Llc Micromirror systems with concealed multi-piece hinge structures
US6900922B2 (en) * 2003-02-24 2005-05-31 Exajoule, Llc Multi-tilt micromirror systems with concealed hinge structures
TW594360B (en) * 2003-04-21 2004-06-21 Prime View Int Corp Ltd A method for fabricating an interference display cell
TW570896B (en) 2003-05-26 2004-01-11 Prime View Int Co Ltd A method for fabricating an interference display cell
US7221495B2 (en) * 2003-06-24 2007-05-22 Idc Llc Thin film precursor stack for MEMS manufacturing
US6980347B2 (en) * 2003-07-03 2005-12-27 Reflectivity, Inc Micromirror having reduced space between hinge and mirror plate of the micromirror
TW200506479A (en) * 2003-08-15 2005-02-16 Prime View Int Co Ltd Color changeable pixel for an interference display
TWI231865B (en) * 2003-08-26 2005-05-01 Prime View Int Co Ltd An interference display cell and fabrication method thereof
TWI232333B (en) * 2003-09-03 2005-05-11 Prime View Int Co Ltd Display unit using interferometric modulation and manufacturing method thereof
US7142346B2 (en) * 2003-12-09 2006-11-28 Idc, Llc System and method for addressing a MEMS display
US7161728B2 (en) * 2003-12-09 2007-01-09 Idc, Llc Area array modulation and lead reduction in interferometric modulators
US6937382B2 (en) * 2003-12-31 2005-08-30 Texas Instruments Incorporated Active border pixels for digital micromirror device
US7532194B2 (en) * 2004-02-03 2009-05-12 Idc, Llc Driver voltage adjuster
US7342705B2 (en) * 2004-02-03 2008-03-11 Idc, Llc Spatial light modulator with integrated optical compensation structure
US7706050B2 (en) * 2004-03-05 2010-04-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Integrated modulator illumination
US7855824B2 (en) * 2004-03-06 2010-12-21 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for color optimization in a display
US7060895B2 (en) * 2004-05-04 2006-06-13 Idc, Llc Modifying the electro-mechanical behavior of devices
US7476327B2 (en) * 2004-05-04 2009-01-13 Idc, Llc Method of manufacture for microelectromechanical devices
US7164520B2 (en) * 2004-05-12 2007-01-16 Idc, Llc Packaging for an interferometric modulator
US7113322B2 (en) * 2004-06-23 2006-09-26 Reflectivity, Inc Micromirror having offset addressing electrode
US7256922B2 (en) * 2004-07-02 2007-08-14 Idc, Llc Interferometric modulators with thin film transistors
TWI233916B (en) * 2004-07-09 2005-06-11 Prime View Int Co Ltd A structure of a micro electro mechanical system
KR101354520B1 (ko) * 2004-07-29 2014-01-21 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. 간섭 변조기의 미소기전 동작을 위한 시스템 및 방법
US7119944B2 (en) * 2004-08-25 2006-10-10 Reflectivity, Inc. Micromirror device and method for making the same
US7215459B2 (en) * 2004-08-25 2007-05-08 Reflectivity, Inc. Micromirror devices with in-plane deformable hinge
US7436572B2 (en) * 2004-08-25 2008-10-14 Texas Instruments Incorporated Micromirrors and hinge structures for micromirror arrays in projection displays
US6980349B1 (en) 2004-08-25 2005-12-27 Reflectivity, Inc Micromirrors with novel mirror plates
US7019880B1 (en) * 2004-08-25 2006-03-28 Reflectivity, Inc Micromirrors and hinge structures for micromirror arrays in projection displays
US7515147B2 (en) * 2004-08-27 2009-04-07 Idc, Llc Staggered column drive circuit systems and methods
US7560299B2 (en) * 2004-08-27 2009-07-14 Idc, Llc Systems and methods of actuating MEMS display elements
US7889163B2 (en) * 2004-08-27 2011-02-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Drive method for MEMS devices
US7602375B2 (en) * 2004-09-27 2009-10-13 Idc, Llc Method and system for writing data to MEMS display elements
US7920135B2 (en) * 2004-09-27 2011-04-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for driving a bi-stable display
US7527995B2 (en) * 2004-09-27 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of making prestructure for MEMS systems
US7911428B2 (en) * 2004-09-27 2011-03-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for manipulating color in a display
US7564612B2 (en) * 2004-09-27 2009-07-21 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
US20060066596A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-30 Sampsell Jeffrey B System and method of transmitting video data
US7299681B2 (en) * 2004-09-27 2007-11-27 Idc, Llc Method and system for detecting leak in electronic devices
US7424198B2 (en) 2004-09-27 2008-09-09 Idc, Llc Method and device for packaging a substrate
US20060077126A1 (en) * 2004-09-27 2006-04-13 Manish Kothari Apparatus and method for arranging devices into an interconnected array
US8878825B2 (en) * 2004-09-27 2014-11-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for providing a variable refresh rate of an interferometric modulator display
US7893919B2 (en) 2004-09-27 2011-02-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display region architectures
US7668415B2 (en) * 2004-09-27 2010-02-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for providing electronic circuitry on a backplate
US7626581B2 (en) * 2004-09-27 2009-12-01 Idc, Llc Device and method for display memory using manipulation of mechanical response
US7372613B2 (en) 2004-09-27 2008-05-13 Idc, Llc Method and device for multistate interferometric light modulation
US7343080B2 (en) * 2004-09-27 2008-03-11 Idc, Llc System and method of testing humidity in a sealed MEMS device
US20060065622A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-30 Floyd Philip D Method and system for xenon fluoride etching with enhanced efficiency
US8008736B2 (en) * 2004-09-27 2011-08-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device
US7373026B2 (en) * 2004-09-27 2008-05-13 Idc, Llc MEMS device fabricated on a pre-patterned substrate
US7701631B2 (en) * 2004-09-27 2010-04-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device having patterned spacers for backplates and method of making the same
US7807488B2 (en) * 2004-09-27 2010-10-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display element having filter material diffused in a substrate of the display element
US20060065366A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-30 Cummings William J Portable etch chamber
US7898521B2 (en) * 2004-09-27 2011-03-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device and method for wavelength filtering
US7302157B2 (en) * 2004-09-27 2007-11-27 Idc, Llc System and method for multi-level brightness in interferometric modulation
US7928928B2 (en) * 2004-09-27 2011-04-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Apparatus and method for reducing perceived color shift
US7345805B2 (en) * 2004-09-27 2008-03-18 Idc, Llc Interferometric modulator array with integrated MEMS electrical switches
US7525730B2 (en) * 2004-09-27 2009-04-28 Idc, Llc Method and device for generating white in an interferometric modulator display
US7359066B2 (en) * 2004-09-27 2008-04-15 Idc, Llc Electro-optical measurement of hysteresis in interferometric modulators
US7417735B2 (en) * 2004-09-27 2008-08-26 Idc, Llc Systems and methods for measuring color and contrast in specular reflective devices
US7349136B2 (en) * 2004-09-27 2008-03-25 Idc, Llc Method and device for a display having transparent components integrated therein
US7813026B2 (en) * 2004-09-27 2010-10-12 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method of reducing color shift in a display
US8102407B2 (en) * 2004-09-27 2012-01-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for manipulating color in a display
EP1800173A1 (en) * 2004-09-27 2007-06-27 Idc, Llc Method and device for multistate interferometric light modulation
US7554714B2 (en) * 2004-09-27 2009-06-30 Idc, Llc Device and method for manipulation of thermal response in a modulator
US7460246B2 (en) * 2004-09-27 2008-12-02 Idc, Llc Method and system for sensing light using interferometric elements
US7289256B2 (en) * 2004-09-27 2007-10-30 Idc, Llc Electrical characterization of interferometric modulators
US7317568B2 (en) * 2004-09-27 2008-01-08 Idc, Llc System and method of implementation of interferometric modulators for display mirrors
US7710632B2 (en) * 2004-09-27 2010-05-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device having an array of spatial light modulators with integrated color filters
US8124434B2 (en) * 2004-09-27 2012-02-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for packaging a display
US8310441B2 (en) 2004-09-27 2012-11-13 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for writing data to MEMS display elements
US7808703B2 (en) * 2004-09-27 2010-10-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for implementation of interferometric modulator displays
US7583429B2 (en) 2004-09-27 2009-09-01 Idc, Llc Ornamental display device
US7321456B2 (en) * 2004-09-27 2008-01-22 Idc, Llc Method and device for corner interferometric modulation
US7532195B2 (en) * 2004-09-27 2009-05-12 Idc, Llc Method and system for reducing power consumption in a display
US7446927B2 (en) * 2004-09-27 2008-11-04 Idc, Llc MEMS switch with set and latch electrodes
US7289259B2 (en) 2004-09-27 2007-10-30 Idc, Llc Conductive bus structure for interferometric modulator array
US7420725B2 (en) 2004-09-27 2008-09-02 Idc, Llc Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same
US8031133B2 (en) * 2004-09-27 2011-10-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for manipulating color in a display
US7405861B2 (en) * 2004-09-27 2008-07-29 Idc, Llc Method and device for protecting interferometric modulators from electrostatic discharge
US7355780B2 (en) 2004-09-27 2008-04-08 Idc, Llc System and method of illuminating interferometric modulators using backlighting
US20060066557A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-30 Floyd Philip D Method and device for reflective display with time sequential color illumination
US7675669B2 (en) 2004-09-27 2010-03-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for driving interferometric modulators
US7130104B2 (en) * 2004-09-27 2006-10-31 Idc, Llc Methods and devices for inhibiting tilting of a mirror in an interferometric modulator
US7553684B2 (en) * 2004-09-27 2009-06-30 Idc, Llc Method of fabricating interferometric devices using lift-off processing techniques
US7368803B2 (en) * 2004-09-27 2008-05-06 Idc, Llc System and method for protecting microelectromechanical systems array using back-plate with non-flat portion
US7944599B2 (en) 2004-09-27 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US7535466B2 (en) * 2004-09-27 2009-05-19 Idc, Llc System with server based control of client device display features
US7679627B2 (en) 2004-09-27 2010-03-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Controller and driver features for bi-stable display
US7653371B2 (en) * 2004-09-27 2010-01-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Selectable capacitance circuit
US20060067650A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-30 Clarence Chui Method of making a reflective display device using thin film transistor production techniques
US8362987B2 (en) * 2004-09-27 2013-01-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for manipulating color in a display
US7545550B2 (en) * 2004-09-27 2009-06-09 Idc, Llc Systems and methods of actuating MEMS display elements
US7369294B2 (en) * 2004-09-27 2008-05-06 Idc, Llc Ornamental display device
US7492502B2 (en) * 2004-09-27 2009-02-17 Idc, Llc Method of fabricating a free-standing microstructure
US7710629B2 (en) * 2004-09-27 2010-05-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for display device with reinforcing substance
US7916103B2 (en) 2004-09-27 2011-03-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for display device with end-of-life phenomena
US7415186B2 (en) * 2004-09-27 2008-08-19 Idc, Llc Methods for visually inspecting interferometric modulators for defects
US7429334B2 (en) * 2004-09-27 2008-09-30 Idc, Llc Methods of fabricating interferometric modulators by selectively removing a material
US7586484B2 (en) * 2004-09-27 2009-09-08 Idc, Llc Controller and driver features for bi-stable display
US7843410B2 (en) * 2004-09-27 2010-11-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for electrically programmable display
US7136213B2 (en) * 2004-09-27 2006-11-14 Idc, Llc Interferometric modulators having charge persistence
US20060066932A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-30 Clarence Chui Method of selective etching using etch stop layer
US7692839B2 (en) * 2004-09-27 2010-04-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method of providing MEMS device with anti-stiction coating
US7304784B2 (en) * 2004-09-27 2007-12-04 Idc, Llc Reflective display device having viewable display on both sides
US20060076634A1 (en) 2004-09-27 2006-04-13 Lauren Palmateer Method and system for packaging MEMS devices with incorporated getter
US7630119B2 (en) * 2004-09-27 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Apparatus and method for reducing slippage between structures in an interferometric modulator
US7369296B2 (en) * 2004-09-27 2008-05-06 Idc, Llc Device and method for modifying actuation voltage thresholds of a deformable membrane in an interferometric modulator
US7719500B2 (en) * 2004-09-27 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Reflective display pixels arranged in non-rectangular arrays
US20060103643A1 (en) * 2004-09-27 2006-05-18 Mithran Mathew Measuring and modeling power consumption in displays
US7259449B2 (en) * 2004-09-27 2007-08-21 Idc, Llc Method and system for sealing a substrate
US7724993B2 (en) * 2004-09-27 2010-05-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS switches with deforming membranes
US7417783B2 (en) * 2004-09-27 2008-08-26 Idc, Llc Mirror and mirror layer for optical modulator and method
US20060176487A1 (en) * 2004-09-27 2006-08-10 William Cummings Process control monitors for interferometric modulators
US7936497B2 (en) * 2004-09-27 2011-05-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device having deformable membrane characterized by mechanical persistence
US7684104B2 (en) * 2004-09-27 2010-03-23 Idc, Llc MEMS using filler material and method
US20060066594A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-30 Karen Tyger Systems and methods for driving a bi-stable display element
US7038831B2 (en) * 2004-09-30 2006-05-02 Lucent Technologies, Inc. Micromirror apparatus with improved in-plane rotation tolerance
US7180573B2 (en) * 2004-10-15 2007-02-20 Asml Holding N.V. System and method to block unwanted light reflecting from a pattern generating portion from reaching an object
US7092143B2 (en) * 2004-10-19 2006-08-15 Reflectivity, Inc Micromirror array device and a method for making the same
US7158279B2 (en) * 2004-10-19 2007-01-02 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulators with non-uniform pixels
US7106492B2 (en) * 2004-12-21 2006-09-12 Texas Instruments Incorporated Bias voltage routing scheme for a digital micro-mirror device
TW200628877A (en) * 2005-02-04 2006-08-16 Prime View Int Co Ltd Method of manufacturing optical interference type color display
CA2607807A1 (en) 2005-05-05 2006-11-16 Qualcomm Incorporated Dynamic driver ic and display panel configuration
US7920136B2 (en) * 2005-05-05 2011-04-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method of driving a MEMS display device
US7948457B2 (en) * 2005-05-05 2011-05-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Systems and methods of actuating MEMS display elements
US20060277486A1 (en) * 2005-06-02 2006-12-07 Skinner David N File or user interface element marking system
KR20080041663A (ko) * 2005-07-22 2008-05-13 콸콤 인코포레이티드 Ｍｅｍｓ 장치를 위한 지지 구조물 및 그 방법들
EP2495212A3 (en) 2005-07-22 2012-10-31 QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. Mems devices having support structures and methods of fabricating the same
EP1910218A1 (en) 2005-07-22 2008-04-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mems devices having support structures and methods of fabricating the same
US20070058182A1 (en) * 2005-08-30 2007-03-15 Texas Instruments Incorporated Multiple spatial light modulators in a package
US7355779B2 (en) * 2005-09-02 2008-04-08 Idc, Llc Method and system for driving MEMS display elements
US7630114B2 (en) * 2005-10-28 2009-12-08 Idc, Llc Diffusion barrier layer for MEMS devices
US8391630B2 (en) * 2005-12-22 2013-03-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for power reduction when decompressing video streams for interferometric modulator displays
US7795061B2 (en) * 2005-12-29 2010-09-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of creating MEMS device cavities by a non-etching process
US7636151B2 (en) * 2006-01-06 2009-12-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for providing residual stress test structures
US7916980B2 (en) * 2006-01-13 2011-03-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interconnect structure for MEMS device
US7382515B2 (en) * 2006-01-18 2008-06-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in MEMS manufacture
US8194056B2 (en) * 2006-02-09 2012-06-05 Qualcomm Mems Technologies Inc. Method and system for writing data to MEMS display elements
US7582952B2 (en) * 2006-02-21 2009-09-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method for providing and removing discharging interconnect for chip-on-glass output leads and structures thereof
US7547568B2 (en) * 2006-02-22 2009-06-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electrical conditioning of MEMS device and insulating layer thereof
US7550810B2 (en) * 2006-02-23 2009-06-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device having a layer movable at asymmetric rates
US7450295B2 (en) * 2006-03-02 2008-11-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for producing MEMS with protective coatings using multi-component sacrificial layers
US7903047B2 (en) * 2006-04-17 2011-03-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mode indicator for interferometric modulator displays
US7417784B2 (en) * 2006-04-19 2008-08-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing a porous surface
US7527996B2 (en) * 2006-04-19 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems
US20070249078A1 (en) * 2006-04-19 2007-10-25 Ming-Hau Tung Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems
US7711239B2 (en) 2006-04-19 2010-05-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing nanoparticles
US7623287B2 (en) * 2006-04-19 2009-11-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems
US8004743B2 (en) * 2006-04-21 2011-08-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and apparatus for providing brightness control in an interferometric modulator (IMOD) display
US8049713B2 (en) * 2006-04-24 2011-11-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Power consumption optimized display update
US7369292B2 (en) * 2006-05-03 2008-05-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electrode and interconnect materials for MEMS devices
US7649671B2 (en) * 2006-06-01 2010-01-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device with electrostatic actuation and release
US7405863B2 (en) * 2006-06-01 2008-07-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Patterning of mechanical layer in MEMS to reduce stresses at supports
US7471442B2 (en) * 2006-06-15 2008-12-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and apparatus for low range bit depth enhancements for MEMS display architectures
US7702192B2 (en) 2006-06-21 2010-04-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Systems and methods for driving MEMS display
US7385744B2 (en) * 2006-06-28 2008-06-10 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Support structure for free-standing MEMS device and methods for forming the same
US7835061B2 (en) * 2006-06-28 2010-11-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Support structures for free-standing electromechanical devices
US7777715B2 (en) 2006-06-29 2010-08-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Passive circuits for de-multiplexing display inputs
US7527998B2 (en) 2006-06-30 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control
US7388704B2 (en) * 2006-06-30 2008-06-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Determination of interferometric modulator mirror curvature and airgap variation using digital photographs
US7566664B2 (en) * 2006-08-02 2009-07-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Selective etching of MEMS using gaseous halides and reactive co-etchants
US7763546B2 (en) 2006-08-02 2010-07-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for reducing surface charges during the manufacture of microelectromechanical systems devices
US20080043315A1 (en) * 2006-08-15 2008-02-21 Cummings William J High profile contacts for microelectromechanical systems
ATE556272T1 (de) 2006-10-06 2012-05-15 Qualcomm Mems Technologies Inc Optische verluststruktur in einer beleuchtungsvorrichtung
US8872085B2 (en) 2006-10-06 2014-10-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device having front illuminator with turning features
US7545552B2 (en) * 2006-10-19 2009-06-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Sacrificial spacer process and resultant structure for MEMS support structure
US20080111834A1 (en) * 2006-11-09 2008-05-15 Mignard Marc M Two primary color display
US7706042B2 (en) 2006-12-20 2010-04-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device and interconnects for same
US7911672B2 (en) * 2006-12-26 2011-03-22 Zhou Tiansheng Micro-electro-mechanical-system micromirrors for high fill factor arrays and method therefore
US7535621B2 (en) 2006-12-27 2009-05-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Aluminum fluoride films for microelectromechanical system applications
US8064122B2 (en) * 2007-03-15 2011-11-22 Asml Holding N.V. Apertured window for enabling flexible illumination overfill of patterning devices
US7719752B2 (en) 2007-05-11 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same
US8111262B2 (en) 2007-05-18 2012-02-07 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator displays with reduced color sensitivity
US7625825B2 (en) * 2007-06-14 2009-12-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of patterning mechanical layer for MEMS structures
US8068268B2 (en) * 2007-07-03 2011-11-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS devices having improved uniformity and methods for making them
US8354992B2 (en) * 2007-07-13 2013-01-15 Tte Indianapolis Appearance improvement for zone backlit LCD displays
US8068710B2 (en) 2007-12-07 2011-11-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Decoupled holographic film and diffuser
US7863079B2 (en) 2008-02-05 2011-01-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods of reducing CD loss in a microelectromechanical device
KR20100121498A (ko) * 2008-02-11 2010-11-17 퀄컴 엠이엠스 테크놀로지스, 인크. 디스플레이 구동 체계가 통합된 표시소자의 감지, 측정 혹은 평가 방법 및 장치, 그리고 이를 이용한 시스템 및 용도
US8541850B2 (en) * 2008-12-12 2013-09-24 Texas Instruments Incorporated Method and system for forming resonators over CMOS
US8270056B2 (en) * 2009-03-23 2012-09-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device with openings between sub-pixels and method of making same
WO2010111306A1 (en) * 2009-03-25 2010-09-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Em shielding for display devices
US8736590B2 (en) * 2009-03-27 2014-05-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Low voltage driver scheme for interferometric modulators
US8238018B2 (en) * 2009-06-01 2012-08-07 Zhou Tiansheng MEMS micromirror and micromirror array
EP2556403A1 (en) 2010-04-09 2013-02-13 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mechanical layer of an electromechanical device and methods of forming the same
US8848294B2 (en) 2010-05-20 2014-09-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and structure capable of changing color saturation
US9036231B2 (en) 2010-10-20 2015-05-19 Tiansheng ZHOU Micro-electro-mechanical systems micromirrors and micromirror arrays
US10551613B2 (en) 2010-10-20 2020-02-04 Tiansheng ZHOU Micro-electro-mechanical systems micromirrors and micromirror arrays
US8963159B2 (en) 2011-04-04 2015-02-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US9134527B2 (en) 2011-04-04 2015-09-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US8659816B2 (en) 2011-04-25 2014-02-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mechanical layer and methods of making the same
US9385634B2 (en) 2012-01-26 2016-07-05 Tiansheng ZHOU Rotational type of MEMS electrostatic actuator
US9335510B2 (en) * 2012-09-28 2016-05-10 Apple Inc. Display with electromechanical mirrors for minimizing display borders
US11977220B2 (en) 2020-06-03 2024-05-07 Texas Instruments Incorporated Sculpted micromirror in a digital micromirror device
US11736809B2 (en) * 2020-11-17 2023-08-22 Dell Products L.P. Method to dynamically adjust display to enhance ambient lighting in a video conference and system therefor

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5061049A (en) * 1984-08-31 1991-10-29 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
EP0246547A3 (de) * 1986-05-22 1990-06-13 Siemens Aktiengesellschaft Anordnung zur optischen Bildverarbeitung
KR970003008B1 (ko) * 1993-05-21 1997-03-13 대우전자 주식회사 투사형 화상표시장치용 광로조절장치의 제조방법
KR970003448B1 (ko) * 1993-07-21 1997-03-18 대우전자 주식회사 투사형 화상표시장치용 광로조절장치 및 그 제조방법
CA2176111A1 (en) * 1993-11-09 1995-05-18 Jeong Beom Ji Thin film actuated mirror array for use in an optical projection system and method for the manufacture thereof
US5583688A (en) * 1993-12-21 1996-12-10 Texas Instruments Incorporated Multi-level digital micromirror device
US5636052A (en) * 1994-07-29 1997-06-03 Lucent Technologies Inc. Direct view display based on a micromechanical modulation
US5739946A (en) * 1995-09-21 1998-04-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Display device
US5661591A (en) * 1995-09-29 1997-08-26 Texas Instruments Incorporated Optical switch having an analog beam for steering light
WO1998038801A1 (en) * 1997-02-26 1998-09-03 Daewoo Electronics Co., Ltd. Thin film actuated mirror array in an optical projection system and method for manufacturing the same
US5815305A (en) * 1997-03-10 1998-09-29 Daewoo Electronics Co., Ltd. Thin film actuated mirror array in an optical projection system and method for manufacturing the same
EP0877272B1 (en) * 1997-05-08 2002-07-31 Texas Instruments Incorporated Improvements in or relating to spatial light modulators
US5790297A (en) * 1997-06-26 1998-08-04 Xerox Corporation Optical row displacement for a fault tolerant projective display

Also Published As

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