JP2001237239A5 - - Google Patents
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【特許請求の範囲】
【請求項1】 収納された基材を加工するための熱加工チャンバー(10)であって、
第一領域(44)を定義し、且つ加工すべき基材が前記加工チャンバーの前記第一領域(44)内に挿入されそして前記第一領域(44)から除去され得る開口部(21)を備える、加工すべき基材が配置され得る主加工部(12)、
前記主加工部の上に配置され、第二領域(39)を定義し、且つ前記加工チャンバーの閉鎖端部を備える上部(14)、
前記主加工部(12)の前記第一領域(44)内に配置された、前記第二領域(39)にガスを供給するガス注入器(18)、及び
前記第一領域(44)を前記第二領域(39)から分離しているガス分散板(20)であって、前記ガス注入器(18)が該ガス分散板(20)内に伸びており、前記第二領域に供給されたガスを前記第一領域に流入可能にする多数の通路(40,42)を備えるガス分散板(20)からなり、
前記ガス注入器(18)、前記ガス分散板(20)、前記主加工部(12)及び前記上部(14)が全て同一材料から構成されており、且つ焼成一体化して集積アセンブリーを形成している熱加工チャンバー(10)。
【請求項2】 前記主加工部(12)、前記上部(14)、前記ガス注入器(18)及び前記ガス分散板(20)が炭化珪素(SiC)からなる請求項1記載の熱加工チャンバー(10)。
【請求項3】 前記ガス注入器(18)が、前記加工部の前記開口部(21)から前記加工チャンバーの前記第二領域(39)内に伸びる管からなり、該管は前記主加工部(12)の全長に実質的に沿って、その壁に隣接するがしかしその壁から離れて伸びている請求項2記載の熱加工チャンバー(10)。
【請求項4】 前記開口部(21)を定義した低部フランジ(16)を更に含み、該低部フランジは前記管(18)の下端部(24)が据え付けられている孔(26)を備えた請求項3記載の熱加工チャンバー(10)。
【請求項5】 前記低部フランジ(16)が炭化珪素(SiC)からなる請求項4記載の熱加工チャンバー(10)。
【請求項6】 前記ガス分散板(20)中の前記通路(40,42)が第一通路(40)と第二通路(42)とからなり、前記第二通路(42)が前記第一通路(40)よりも互いに接近して配置されている請求項2記載の熱加工チャンバー(10)。
【請求項7】 前記第二通路(42)が前記ガス分散板(20)の周辺部に沿って配置されている請求項6記載の熱加工チャンバー(10)。
【請求項8】 前記熱加工チャンバー内周の回りに伸びている内側に突き出たリッジ(22)であって、前記ガス分散板(20)が前記熱加工チャンバー内にそれ自体をよりかからせるエッジ(36)を備えるリッジ(22)を更に含む請求項4記載の熱加工チャンバー(10)。
【請求項9】 前記リッジ(22)に、前記管(18)の上端部(32)が少なくとも部分的に貫通した孔(34)が設けられている請求項8記載の熱加工チャンバー(10)。
【請求項10】 前記主加工部(12)、前記上部(14)、前記ガス注入器(18)及び前記ガス分散板(20)により形成された接合部に、化学的気相蒸着(CVD)法を介して施される蒸発された炭化珪素を更に含む請求項2記載の熱加工チャンバー(10)。
【請求項1】 収納された基材を加工するための熱加工チャンバー(10)であって、
第一領域(44)を定義し、且つ加工すべき基材が前記加工チャンバーの前記第一領域(44)内に挿入されそして前記第一領域(44)から除去され得る開口部(21)を備える、加工すべき基材が配置され得る主加工部(12)、
前記主加工部の上に配置され、第二領域(39)を定義し、且つ前記加工チャンバーの閉鎖端部を備える上部(14)、
前記主加工部(12)の前記第一領域(44)内に配置された、前記第二領域(39)にガスを供給するガス注入器(18)、及び
前記第一領域(44)を前記第二領域(39)から分離しているガス分散板(20)であって、前記ガス注入器(18)が該ガス分散板(20)内に伸びており、前記第二領域に供給されたガスを前記第一領域に流入可能にする多数の通路(40,42)を備えるガス分散板(20)からなり、
前記ガス注入器(18)、前記ガス分散板(20)、前記主加工部(12)及び前記上部(14)が全て同一材料から構成されており、且つ焼成一体化して集積アセンブリーを形成している熱加工チャンバー(10)。
【請求項2】 前記主加工部(12)、前記上部(14)、前記ガス注入器(18)及び前記ガス分散板(20)が炭化珪素(SiC)からなる請求項1記載の熱加工チャンバー(10)。
【請求項3】 前記ガス注入器(18)が、前記加工部の前記開口部(21)から前記加工チャンバーの前記第二領域(39)内に伸びる管からなり、該管は前記主加工部(12)の全長に実質的に沿って、その壁に隣接するがしかしその壁から離れて伸びている請求項2記載の熱加工チャンバー(10)。
【請求項4】 前記開口部(21)を定義した低部フランジ(16)を更に含み、該低部フランジは前記管(18)の下端部(24)が据え付けられている孔(26)を備えた請求項3記載の熱加工チャンバー(10)。
【請求項5】 前記低部フランジ(16)が炭化珪素(SiC)からなる請求項4記載の熱加工チャンバー(10)。
【請求項6】 前記ガス分散板(20)中の前記通路(40,42)が第一通路(40)と第二通路(42)とからなり、前記第二通路(42)が前記第一通路(40)よりも互いに接近して配置されている請求項2記載の熱加工チャンバー(10)。
【請求項7】 前記第二通路(42)が前記ガス分散板(20)の周辺部に沿って配置されている請求項6記載の熱加工チャンバー(10)。
【請求項8】 前記熱加工チャンバー内周の回りに伸びている内側に突き出たリッジ(22)であって、前記ガス分散板(20)が前記熱加工チャンバー内にそれ自体をよりかからせるエッジ(36)を備えるリッジ(22)を更に含む請求項4記載の熱加工チャンバー(10)。
【請求項9】 前記リッジ(22)に、前記管(18)の上端部(32)が少なくとも部分的に貫通した孔(34)が設けられている請求項8記載の熱加工チャンバー(10)。
【請求項10】 前記主加工部(12)、前記上部(14)、前記ガス注入器(18)及び前記ガス分散板(20)により形成された接合部に、化学的気相蒸着(CVD)法を介して施される蒸発された炭化珪素を更に含む請求項2記載の熱加工チャンバー(10)。
【0009】
【課題を解決するための手段】
収納された基材を加工するための熱加工チャンバーであって、
(i)第一領域を定義し、且つ加工すべき基材が前記加工チャンバーの前記第一領域内に挿入されそして前記第一領域から除去され得る開口部を備える、加工すべき基材が配置され得る主加工部、
(ii)前記主加工部の上に配置され、第二領域を定義し、且つ前記加工チャンバーの閉鎖端部を備える上部、
(iii) 前記第二領域にガスを供給するガス注入器、及び
(iv)前記第一領域を前記第二領域から分離するガス分散板
からなる熱加工チャンバーが提供される。
前記ガス分散板は、前記第二領域に供給されたガスを前記第一領域に流入可能にする多数の通路を提供する。前記ガス分散板は、前記主加工部及び前記上部を一体化して形成されている。一つの態様において、前記主加工部、前記上部、前記ガス注入器及び前記ガス分散板を含む熱加工チャンバー全体は炭化珪素(SiC)からなる。
本発明は特に、収納された基材を加工するための熱加工チャンバー(10)であって、
第一領域(44)を定義し、且つ加工すべき基材が前記加工チャンバーの前記第一領域(44)内に挿入されそして前記第一領域(44)から除去され得る開口部(21)を備える、加工すべき基材が配置され得る主加工部(12)、
前記主加工部の上に配置され、第二領域(39)を定義し、且つ前記加工チャンバーの閉鎖端部を備える上部(14)、
前記主加工部(12)の前記第一領域(44)内に配置された、前記第二領域(39)にガスを供給するガス注入器(18)、及び
前記第一領域(44)を前記第二領域(39)から分離しているガス分散板(20)であって、前記ガス注入器(18)が該ガス分散板(20)内に伸びており、前記第二領域に供給されたガスを前記第一領域に流入可能にする多数の通路(40,42)を備えるガス分散板(20)からなり、
前記ガス注入器(18)、前記ガス分散板(20)、前記主加工部(12)及び前記上部(14)が全て同一材料から構成されており、且つ焼成一体化して集積アセンブリーを形成している熱加工チャンバー(10)に関するものである。
【課題を解決するための手段】
収納された基材を加工するための熱加工チャンバーであって、
(i)第一領域を定義し、且つ加工すべき基材が前記加工チャンバーの前記第一領域内に挿入されそして前記第一領域から除去され得る開口部を備える、加工すべき基材が配置され得る主加工部、
(ii)前記主加工部の上に配置され、第二領域を定義し、且つ前記加工チャンバーの閉鎖端部を備える上部、
(iii) 前記第二領域にガスを供給するガス注入器、及び
(iv)前記第一領域を前記第二領域から分離するガス分散板
からなる熱加工チャンバーが提供される。
前記ガス分散板は、前記第二領域に供給されたガスを前記第一領域に流入可能にする多数の通路を提供する。前記ガス分散板は、前記主加工部及び前記上部を一体化して形成されている。一つの態様において、前記主加工部、前記上部、前記ガス注入器及び前記ガス分散板を含む熱加工チャンバー全体は炭化珪素(SiC)からなる。
本発明は特に、収納された基材を加工するための熱加工チャンバー(10)であって、
第一領域(44)を定義し、且つ加工すべき基材が前記加工チャンバーの前記第一領域(44)内に挿入されそして前記第一領域(44)から除去され得る開口部(21)を備える、加工すべき基材が配置され得る主加工部(12)、
前記主加工部の上に配置され、第二領域(39)を定義し、且つ前記加工チャンバーの閉鎖端部を備える上部(14)、
前記主加工部(12)の前記第一領域(44)内に配置された、前記第二領域(39)にガスを供給するガス注入器(18)、及び
前記第一領域(44)を前記第二領域(39)から分離しているガス分散板(20)であって、前記ガス注入器(18)が該ガス分散板(20)内に伸びており、前記第二領域に供給されたガスを前記第一領域に流入可能にする多数の通路(40,42)を備えるガス分散板(20)からなり、
前記ガス注入器(18)、前記ガス分散板(20)、前記主加工部(12)及び前記上部(14)が全て同一材料から構成されており、且つ焼成一体化して集積アセンブリーを形成している熱加工チャンバー(10)に関するものである。
【符号の説明】
10:加工チャンバー 11:ベル・ジャー
12:円筒状主部(主加工部) 14:ドーム状冠部(上部)
16:低部フランジ 18:注入管(ガス注入器又は管)
20:ガス分散板 21:開口部
22:リッジ 23:突出部
24:低端部 26,34:孔
28:レッジ 32:上端部
36:エッジ 38:外辺部
39:第二領域 40:通路(流路又は孔)
42:通路(流路又は孔) 44:第一領域
10:加工チャンバー 11:ベル・ジャー
12:円筒状主部(主加工部) 14:ドーム状冠部(上部)
16:低部フランジ 18:注入管(ガス注入器又は管)
20:ガス分散板 21:開口部
22:リッジ 23:突出部
24:低端部 26,34:孔
28:レッジ 32:上端部
36:エッジ 38:外辺部
39:第二領域 40:通路(流路又は孔)
42:通路(流路又は孔) 44:第一領域
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| US09/468,238 US6302963B1 (en) | 1999-12-21 | 1999-12-21 | Bell jar having integral gas distribution channeling |
| US09/468238 | 1999-12-21 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP2001237239A5 true JP2001237239A5 (ja) | 2008-01-10 |
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| JP2000388743A Expired - Fee Related JP4665204B2 (ja) | 1999-12-21 | 2000-12-21 | 熱加工チャンバー |
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| JP (1) | JP4665204B2 (ja) |
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2000
- 2000-12-15 KR KR1020000076881A patent/KR100559198B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2000-12-15 EP EP00311255A patent/EP1111660A3/en not_active Withdrawn
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- 2000-12-21 JP JP2000388743A patent/JP4665204B2/ja not_active Expired - Fee Related
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