KR101130045B1 - 가스분사장치 및 이를 구비하는 박막증착장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 가스분사장치는 원료 물질을 기화시키는 가열 수단과, 상기 가열 수단의 하부에 마련되며 가열 수단으로부터 공급받아 내부에 원료 물질이 머무르는 내부 공간과, 상기 내부 공간과 연통되어 하부면에 관통되도록 연장 형성된 가스분사유로를 포함하는 분사 수단을 포함하고, 상기 내부 공간과 연통된 가스분사유로의 일단은 내부 공간이 형성된 분사 수단의 내측 바닥면보다 높은 위치에 형성된다.
상기와 같은 발명은 분말 형태의 원료 물질의 기화 효율을 높임으로써, 수율을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
가열 플레이트, 분사 플레이트, 박막, 기판, 가스분사장치

Description

가스분사장치 및 이를 구비하는 박막증착장치{GAS INJECTION APPARATUS AND APPARATUS DEPOSITING THIN FILM HAVING THE SAME}
본 발명은 박막증착장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 분말 형태의 원료 물질의 기화 효율을 높여 증착 수율을 증가시키는 가스분사장치 및 이를 구비하는 박막증착장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위한 공정에서 기판의 표면에서 반응 기체를 반응시켜 필요한 재질의 막을 형성하는 공정을 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition; 이하 'CVD'라 한다) 공정이라 한다.
종래 증착 공정을 수행하기 위한 박막증착장치는 챔버와, 상기 챔버 내에 마련되어 기판을 지지하는 기판 지지부와, 상기 기판 지지부와 대향 마련되어 기판의 상부면에 기화된 원료 물질을 공급하는 가스 분사부를 포함한다. 여기서, 가스 분사부의 내부에는 분말 형태의 원료 물질을 기화시켜 기화된 원료 물질을 저장하는 소정 공간이 마련되어 있으며, 가스 분사부의 하부면에는 소정 공간과 연통되어 기판에 기화된 원료 물질을 분사하기 위한 다수의 분사홀이 형성된다.
하지만, 기화된 원료 물질을 분사하는 분사홀은 분말 형태의 원료 물질의 도 입구과 기화된 원료 물질의 배츨구가 상하로 형성되어 있기 때문에 가스 분사부에서 미처 기화되지 못한 원료 물질이 챔버 내로 분사되는 문제점이 발생된다. 또한, 분말 형태의 원료 물질이 가스 분사부에서 기화되는 동안 가스 분사부 내에서 발생될 수 있는 파티클과 같은 이물질이 상하 관통 형성된 분사홀에 의해 챔버 내로 분사되게 된다.
따라서, 가스 분사부에서 미처 기화되지 못한 원료 물질이나 가스 분사부에서 발생되는 파티클과 같은 이물질이 챔버 내로 분사되어 기판의 상부에 공급되면, 기화되지 못한 분말 형태의 원료 물질이나 파티클과 같은 이물질은 기판의 상부면에 증착이 이루어지고, 이로 인해 공정 수율(yield)을 떨어뜨리는 문제점을 야기시킨다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 분말 형태의 원료 물질의 기화 효율을 높여 공정 수율을 높이기 위한 가스분사장치 및 이를 구비하는 박막증착장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 가스분사장치는 원료 물질을 기화시키는 가열 수단과, 상기 가열 수단의 하부에 마련되며 가열 수단으로부터 공급받아 내부에 원료 물질이 머무르는 내부 공간과, 상기 내부 공간과 연통되어 하부면에 관통되도록 연장 형성된 가스분사유로를 포함하는 분사 수단을 포함하고, 상기 내부 공간과 연통된 가스분사유로의 일단은 내부 공간이 형성된 분사 수단의 내측 바닥면보다 높은 위치에 형성될 수 있다.
상기 가스분사유로는 절곡 형성될 수 있다. 상기 가스분사유로는 적어도 하나의 평면부와, 상기 평면부에 연결된 적어도 하나의 수직부를 포함할 수 있다.
상기 분사 수단은 내부 공간이 형성된 제 1 분사 수단과, 제 1 분사 수단의 외측에 결합된 제 2 분사 수단을 포함하고, 가스분사유로는 제 1 분사 수단 및 제 2 분사 수단의 내측에 형성될 수 있다. 상기 가스분사유로는 제 1 분사 수단의 내측면에서 제 2 분사 수단의 하부면에 연장되어 형성될 수 있다.
상기 내부 공간은 단면이 사각, 마름모, 원형 및 타원형 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
본 발명은 가스분사유로의 일단을 유로가 형성된 분사 플레이트의 내측벽에 형성함으로써, 기화되지 못한 원료 물질이나 파티클과 같은 이물질이 기판을 향해 곧바로 분사되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 가스분사유로를 길게 형성하여 기화되지 못한 원료 물질을 가스분사유로 내에서 다시 기화시킴으로써, 미처 기화되지 못한 원료 물질이 기판을 향해 분사되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 가스분사유로의 개수를 늘림으로써, 기판의 박막 균일도를 높일 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 가스분사유로 내에 망을 더 설치함으로써, 기화되지 못한 원료 물질이나 파티클과 같은 이물질이 기판을 향해 분사되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 분말 형태의 원료 물질의 기화 효율을 높임으로써, 수율을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상의 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명에 따른 가스분사장치가 구비된 박막증착장치를 나타낸 개략 단면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 가스분사장치의 외관에서 바라본 부분 사시도이고, 도 3은 도 2의 A-A 단면 중 분사 플레이트를 나타낸 단면도이고, 도 4 내지 도 7은 본 발명에 따른 가스분사장치에 구비된 분사 플레이트의 변형예를 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 박막증착장치는 챔버(100)와, 상기 챔버(100) 내의 상부에 마련된 가스분사장치(200)와, 상기 가스분사장치(200)와 대향하여 마련된 기판 지지부(300)를 포함한다.
챔버(100)는 원통형 또는 사각 박스 형상으로 형성되며, 내부에는 기판(S)을 처리할 수 있도록 소정 공간이 마련된다. 상기에서는 챔버(100)를 원통형 또는 사각 박스 형상으로 형성하였으나, 이에 한정되지 않으며 기판(S)의 형상에 대응되는 형상으로 형성되는 것이 바람직하다. 챔버(100)의 일측벽에는 기판(S)이 인입 및 인출되는 기판 출입구(110)가 형성되며, 이러한 기판 출입구(110)는 챔버(100)의 타측벽에도 형성될 수 있다. 또한, 챔버(100)의 하부면에는 챔버(100)의 내부를 배기하기 배기부(120)가 마련되며, 이러한 배기부(120)에는 진공 펌프와 같은 배기 수단(130)이 연결된다. 상기에서는 챔버를 일체형으로 설명하였지만, 챔버를 상부가 개방된 하부 챔버와, 하부 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드로 분리하여 구성할 수 있음은 물론이다.
본 발명에 따른 가스분사장치(200)는 챔버(100) 내의 상부에 마련되어 있으며, 기판(S)의 상부에서 수평으로 회전하면서 기판(S)을 향해 기화된 원료 물질을 공급하는 역할을 한다. 이러한 가스분사장치(200)는 바 형상의 인젝터 타입으로 형성되며, 가스분사장치(200)에 공급된 분말 형태의 원료 물질을 기화시켜 기화된 원료 물질을 기판(S)에 공급한다. 여기서, 가스분사장치(200)는 가스분사장치(200) 내에 공급된 분말 형태의 원료 물질을 충분히 기화시켜 기화되지 못한 원료 물질 또는 가스분사장치(200) 내에서 형성된 파티클이 기판(S)을 향해 분사되지 않도록 구성되며, 이러한 가스분사장치(200)의 구조는 이후 도면을 통해 상세히 설명한다. 또한, 가스분사장치(200)의 상부에는 가스분사장치(200)를 중심축을 중심으로 수평으로 회전시키기 위한 회전축(230)이 연결되어 있으며, 회전축(230)을 지지하기 위해 챔버(100)의 상부 외측으로 돌출되어 회전축(230)을 감싸는 하우징(234)과, 하우징(234)과 회전축(230) 사이를 밀봉하는 실링 부재(232)를 더 구비할 수 있다. 여기서, 실링 부재(232)로는 마그네트 시일을 사용하는 것이 효과적이다. 도시되지는 않았지만, 회전축(230)을 회전시키는 구동 부재(미도시) 예를 들어, 모터 등을 더 구비할 수 있다. 또한, 챔버(100)의 외부에는 가스분사장치(200)에 분말 형태의 원료 물질을 공급하기 위한 증착원 공급원(400)이 마련되어 있으며, 증착원 공급원(400)에서 공급된 분말 형태의 원료 물질은 회전축(230)의 내측을 거쳐 가스분사장치(200)의 내부로 공급된다.
기판 지지부(300)는 챔버(100) 내의 하부에 마련되고, 챔버(100) 내로 인입된 기판(S)을 안착시켜 기판(S)을 증착 위치로 이동시키는 역할을 하며, 기판(S)이 안착되는 지지대(310)와, 상기 지지대(310)의 하부에 연결된 구동 부재(320)를 포함한다. 지지대(310)는 통상 기판(S)의 형상과 대응하는 형상으로 형성되며, 지지 대(310)에 안착된 기판(S)을 처리하는 공정을 진행하면서, 기판(S)이 공정에 적합한 온도로 유지될 수 있도록 지지대(310)의 내부에는 가열 부재 또는 냉각 부재와 같은 온도 제어 장치를 구비할 수 있다. 또한, 지지대(310)의 하부에는 구동 부재(320)가 지지대(310)와 수직으로 연결되고, 이러한 구동 부재(320)는 지지대(310)를 승하강 또는 회전시키는 역할을 한다.
한편, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 가스분사장치(200)는 가열 플레이트(210)와, 상기 가열 플레이트(210)의 하부에 마련된 분사 플레이트(220)를 포함한다. 여기서, 가열 플레이트(210)의 상부에는 가열 플레이트(210) 및 분사 플레이트(220)를 수직축을 중심으로 회전시키기 위한 회전축(230)이 더 연결될 수 있다.
가열 플레이트(210)는 사각의 바(bar) 형상으로 형성되며, 분말 형태의 원료 물질을 공급받아 기화시키는 역할을 한다. 가열 플레이트(210)의 내부에는 분말 형태의 원료 물질을 저장하기 위해 가열 플레이트(210)의 길이 방향으로 형성된 제 1 유로(212)가 형성된다. 또한, 가열 플레이트(210)의 상부면에는 제 1 유로(212)와 연통되도록 증착원 공급원(400)이 연결되며, 가열 플레이트(210)의 하부면 가장자리에는 제 1 유로(212)와 연통되도록 공급홀(214)이 관통되어 형성되어 있다. 여기서, 제 1 유로(212)는 그 내부에서 분말 형태의 원료 물질이 충분히 기화될 수 있도록 충분히 길게 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 가열 플레이트(210)의 하부면에는 가열 플레이트(210)를 가열시켜 가열 플레이트(210)의 내부에 공급된 분말 형태의 원료 물질을 기화시키기 위한 가열 부재(216)가 마련되고, 이러한 가열 부 재(216)를 수납하기 위해 가열 플레이트(210)의 하부면 중심 영역에는 내측으로 오목한 홈이 형성될 수 있다. 여기서, 가열 부재(216)로는 코어히터 등이 사용될 수 있으며, 가열 플레이트(210)의 하부면 가장자리에 형성된 공급홀(214)과 간섭되지 않도록 배치되는 것이 바람직하다.
가열 플레이트(210)의 하부면에는 가열 플레이트(210)의 하부면과 면 접촉하여 결합되는 분사 플레이트(220)가 마련된다. 분사 플레이트(220)는 가열 플레이트(210)로부터 기화된 원료 물질을 기판(S)을 향해 분사시키는 역할을 하며, 이와 동시에 가열 플레이트(210)에서 기화가 완전히 이루어지지 않은 원료 물질을 기화시키는 역할을 한다. 또한, 가열 플레이트(210) 및 분사 플레이트(220) 내에서 발생되는 파티클과 같은 이물질이 챔버(100) 내로 분사되는 것을 방지하는 역할을 한다.
분사 플레이트(220)의 상부면에는 가열 플레이트(210)로부터 기화된 원료 물질을 공급받는 연통홀(224)이 형성되고, 분사 플레이트(220)의 내측에는 연통홀(224)에 연통되어 소정의 내부 공간 즉, 제 2 유로(222)가 형성된다. 여기서, 연통홀(224)은 가열 플레이트(210)의 하부면에 형성된 공급홀(214)에 대응하는 위치에 형성되는 것이 바람직하고, 이에 의해 공급홀(214)에서 공급된 기화된 원료 물질은 연통홀(224)을 거쳐 제 2 유로(222)의 내부에 공급된다. 또한, 분사 플레이트(220)의 하부면에는 제 2 유로(222)와 연통되도록 분사 플레이트(220)의 길이 방향으로 다수의 가스분사유로(226)가 형성되며, 가스분사유로(226)의 일단은 제 2 유로(222)가 형성된 분사 플레이트(220)의 내측의 일측벽에 연장되어 단면이 'ㄱ' 자 형상으로 형성된다. 물론, 가스분사유로(226)는 제 2 유로(222)가 형성된 분사 플레이트(220)의 내측의 일측벽과 대면하는 타측벽에 형성될 수 있다. 여기서, 분사 플레이트(220)의 내측벽에 형성된 가스분사유로(226)의 일단은 제 2 유로(222)가 형성된 분사 플레이트(220)의 바닥부보다 높은 위치에 형성되는 것이 바람직하다.
증착원 공급부(400)로부터 분말 형태의 원료 물질이 가열 플레이트(210) 내부의 제 1 유로(212)에 공급되면, 가열 플레이트(210)는 가열 플레이트(210)의 하부에 배치된 가열 부재(216)에 의해 소정의 열이 가해진다. 이로 인해 가열 플레이트(210)의 내부에 공급된 분말 형태의 원료 물질은 기화되어 제 1 유로(212)의 중심부로부터 양 가장자리로 이동하면서 제 1 유로(212)의 내부에 고르게 분포된다. 제 1 유로(212)에 고르게 분포된 기화된 원료 물질은 가열 플레이트(210)의 하부면 가장자리에 형성된 공급홀(214)을 거처 분사 플레이트(220)의 상부면에 형성된 연통홀(224)에 공급된다. 이후, 분사 플레이트(220)에 공급된 기화된 원료 물질은 제 2 유로(222)의 내부로 이동하여 제 2 유로(222)의 내부에 고르게 분포된다. 이때, 분사 플레이트(220)의 상부면은 가열 플레이트(210)의 하부면에 접하여 결합되어 있기 때문에 가열 플레이트(210)에 가해진 열이 분사 플레이트(220)로 전도되며, 이로부터 분사 플레이트(220)의 내부에 공급된 기화된 원료 물질이 응축되지 않고 기화된 상태로 유지된다. 또한, 제 2 유로(222)에 공급된 원료 물질에는 미처 가열 플레이트(210)에서 기화되지 못한 원료 물질과 가열 플레이트(210) 또는 분사 플레이트(220) 내에서 발생하는 파티클과 같은 이물질이 포함될 수 있다.
기화된 원료 물질은 제 2 유로(222)가 형성된 분사 플레이트(220)의 내측벽에 형성된 가스분사유로(226)의 일단을 거쳐 분사 플레이트(220)의 하부면에까지 관통되어 연장 형성된 가스분사유로(226)의 타단을 거쳐 챔버(100) 내로 분사되고, 이로인해 기판(S)의 상부면에 원하는 박막을 형성한다. 이때, 가열 플레이트(210)에서 미처 기화되지 못한 원료 물질은 가스분사유로(226)를 통해 바로 분사되지 않고, 제 2 유로(222)에서 충분히 머물러 분사 플레이트(220) 내에서 기화가 이루어진다. 이로부터 기화된 원료 물질은 가스분사유로(226)를 거처 챔버(100) 내로 분사되게 된다. 이때, 가스분사유로(226)는 분사 플레이트(220)의 연통홀(224)을 거쳐 인입되는 원료 물질의 진행 방향과 교차되도록 충분히 길게 형성되어 있기 때문에 제 2 유로(222) 내에서 분말 형태의 원료 물질이 기화되지 못하면, 가스분사유로(226)에 인입되어 기화되지 못한 원료 물질을 정체시킬 수 있으며, 이에 의해 가스분사유로(226) 내에서 충분히 기화시킬 수 있다. 따라서, 가스분사유로(226)에서 기화된 원료 물질은 챔버(100) 내로 분사되어 기판(S)에 원하는 박막을 형성할 수 있다. 또한, 제 2 유로(222)가 형성된 분사 플레이트(220)의 내측벽에 형성된 가스분사유로(226)는 제 2 유로(222)가 형성된 분사 플레이트(220)의 바닥부보다 높은 위치에 형성되어 있기 때문에 제 2 유로(222)에 인입된 파티클은 제 2 유로(222)의 바닥부에 가라앉게 되고 이에 의해 파티클이 챔버(100) 내로 분사되는 것을 방지할 수 있다.
상기에서는 가스공급유로를 분사 플레이트의 내측에 형성하였지만, 이에 한정되지 않고, 분사 플레이트 내에 형성된 제 2 유로와 연통되도록 분사 플레이트의 외측벽에 파이프 형상으로 형성될 수 있음은 물론이다.
종래에는 가스 분사부의 하부면에 형성된 분사홀이 분말 형태의 원료 물질의 도입구과 기화된 원료 물질의 배츨구가 상하로 형성되어 있기 때문에 가스 분사부에서 미처 기화되지 못한 원료 물질이 가스 분사부의 소정 공간에 인입된 후 바로 분사홀을 통해 챔버 내로 분사되고, 이로 인해 기화되지 못한 원료 물질이 기판을 향해 곧바로 공급되어 공정 수율을 떨어뜨리는 문제점을 발생시켰다. 또한, 가스 분사부 내에 형성될 수 있는 파티클과 같은 이물질도 소정 공간을 거쳐 곧바로 관통홀을 통해 챔버 내로 분사되어 공정 수율을 더욱 악화시키는 문제점이 발생되었다.
이와 대조적으로, 본 발명은 가스분사유로를 제 2 유로가 형성된 분사 플레이트의 내측벽에서 꺽어지도록 형성함으로써, 가열 플레이트에서 미처 기화되지 못했던 원료 물질 및 파티클과 같은 이물질이 제 2 유로 및 가스분사유로를 거쳐 곧바로 기판으로 공급되는 것을 방지할 수 있었다. 이는 미처 기화되지 못했던 원료 물질이 제 2 유로에 머무는 시간을 길게 함으로써, 제 2 유로 내에서 기화되지 못했던 원료 물질을 기화시켜 기판에 기화되지 못한 원료 물질이 분사되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 가스분사유로의 경로를 종래 분사홀에 비해 더욱 길고 복잡하게 형성함으로써, 미처 기화되지 못한 원료 물질이 가스분사유로에 머무는 시간을 길게 하여 기화되지 못한 원료 물질을 가스분사유로에서 기화시킬 수 있다. 또한, 가스분사유로를 제 2 유로가 형성된 분사 플레이트의 내측의 일측벽 및 타측벽에 형성하여 가스분사유로의 개수를 늘림으로써, 기판에 증착되는 박막의 균일도를 향상 시킬 수 있는 효과가 있다.
상기 분사 플레이트에 형성된 가스분사유로는 도 4 내지 도 7에 도시된 바와 같이 구성할 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 가스분사유로(226, 228)는 분사 플레이트(220) 내에 형성된 소정의 내부 공간 즉, 제 2 유로(222)와 연통되도록 다수개로 형성할 수 있다. 즉, 제 1 가스분사유로(226)는 분사 플레이트(220)의 하부로부터 제 2 유로(222)와 연통되도록 제 2 유로(222)가 형성된 분사 플레이트(220)의 내측벽에 형성되고, 제 2 가스분사유로(228)는 제 1 가스분사유로(226)와 소정 간격 이격되도록 형성된다. 즉, 분사 플레이트(220)의 하부면에 형성된 제 2 가스분사유로(228)의 일단은 제 1 가스분사유로(226) 일단의 외측을 향해 소정 간격 이격되도록 형성되고, 제 2 가스분사유로(228)의 타단은 제 1 가스분사유로(226)의 타단과 이격되도록 제 1 가스분사유로(226)의 동일한 축상의 상부에 형성될 수 있다. 상기와 같은 구성은 분사 플레이트(220)에 다수개의 가스분사유로(226, 228)를 형성함으로써, 기판(S)에 분사되는 가스분사유로(226, 228)의 개수를 늘릴 수 있으며 이로 인해 기판(S)의 박막 균일도를 높일 수 있는 효과가 있다.
또한, 도 5에 도시된 바와 같이, 분사 플레이트(500) 내에는 소정의 내부 공간 즉, 제 2 유로(510)가 형성되며, 제 2 유로(510)는 단면이 마름모 형상으로 형성된다. 분사 플레이트(500)의 하부에는 다수의 가스분사유로(530)가 형성되며, 이러한 가스분사유로(530)는 제 2 유로(510)와 연통되도록 형성된다. 이때, 가스분사유로(530)는 도 5a에 도시된 바와 같이, 일방향으로 형성된 파이프 형상으로 형성 될 수 있고, 도 5b에 도시된 바와 같이, 절곡된 형태를 가질 수 있음은 물론이다. 여기서, 제 2 유로(510)와 연통된 가스분사유로(530)의 일단은 제 2 유로(510)가 형성된 분사 플레이트(500)의 내측 바닥면보다 높은 위치에 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 도 6에 도시된 바와 같이, 분사 플레이트(600) 내에 형성된 소정의 내부 공간 즉, 제 2 유로(610)는 원형 또는 타원형 형상으로 형성되고, 분사 플레이트(600)의 하부에는 다수의 가스분사유로(630)가 제 2 유로(610)와 연통되도록 형성된다. 다수의 가스분사유로(630)는 도 6a에 도시된 바와 같이, 일방향으로 연장 형성된 파이프 형상으로 형성될 수 있으며, 분사 플레이트(600)의 하부에서 소정 간격 기울어지도록 형성될 수 있다. 또한, 가스분사유로(630)는 도 6b에 도시된 바와 같이, 절곡된 형상으로 형성될 수 있음은 물론이다. 물론, 제 2 유로(610)와 연통된 가스분사유로(630)의 일단은 제 2 유로(610)가 형성된 분사 플레이트(600)의 내측 바닥면보다 높은 위치에 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 도 7에 도시된 바와 같이, 분사 플레이트(700, 740)는 제 1 분사 플레이트(700)와, 제 1 분사 플레이트(700)의 외측에 결합된 제 2 분사 플레이트(740)를 포함한다. 제 1 분사 플레이트(700) 내에는 제 2 유로(710)가 형성되며, 이러한 제 2 유로(710)는 단면이 사각 형상으로 형성된다. 제 1 분사 플레이트(700) 및 제 2 분사 플레이트(740)에는 내측에는 가스분사유로(742)가 형성되며, 이러한 가스분사유로(742)는 제 1 분사 플레이트(700)의 대향하는 양측면으로부터 제 2 분사 플레이트(740)의 하부면에 연장되어 형성된다. 여기서, 제 2 유로(710)와 연통된 가 스분사유로(742)의 일단은 제 2 유로(710)가 형성된 제 1 분사 플레이트(700)의 내측 바닥면보다 높은 위치에 형성되는 것이 바람직하다.
상기에서는 도면 및 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명은 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음은 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 가스분사장치가 구비된 박막증착장치를 나타낸 개략 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 가스분사장치의 외관에서 바라본 부분 사시도이다.
도 3은 도 2의 A-A 단면 중 분사 플레이트를 나타낸 단면도이다.
도 4 내지 도 7은 본 발명에 따른 가스분사장치에 구비된 분사 플레이트의 변형예를 나타낸 단면도이다.
< 도면 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
100: 챔버 210: 가열 플레이트
220: 분사 플레이트 222: 제 2 유로
224: 연통홀 226: 가스분사유로
230: 회전축 300: 기판지지부

Claims (9)

  1. 원료 물질을 기화시키는 가열 수단과,
    상기 가열 수단의 하부에 마련되며 가열 수단으로부터 공급받아 내부에 원료 물질이 머무르는 내부 공간과, 상기 내부 공간과 연통되어 하부면에 관통되도록 연장 형성된 가스분사유로를 포함하는 분사 수단을 포함하고,
    상기 가스분사유로의 일단은 상기 내부 공간의 측벽에 형성되는 가스분사장치.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 가스분사유로는 절곡 형성되는 가스분사장치.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 가스분사유로는 적어도 하나의 평면부와, 상기 평면부에 연결된 적어도 하나의 수직부를 포함하는 가스분사장치.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 분사 수단은 내부 공간이 형성된 제 1 분사 수단과, 제 1 분사 수단의 외측에 결합된 제 2 분사 수단을 포함하고, 가스분사유로는 제 1 분사 수단 및 제 2 분사 수단의 내측에 형성되는 가스분사장치.
  5. 청구항 4에 있어서, 상기 가스분사유로는 제 1 분사 수단의 내측면에서 제 2 분사 수단의 하부면에 연장되어 형성되는 가스분사장치.
  6. 삭제
  7. 챔버와,
    상기 챔버 내의 하부에 마련된 기판 지지부와,
    상기 기판 지지부와 대향하여 마련되어 내부에 원료 물질이 머무르는 내부 공간과, 상기 내부 공간과 연통되어 하부면에 관통되도록 연장 형성된 가스분사유로를 포함하는 가스분사장치를 포함하고,
    상기 가스분사유로의 일단은 상기 내부 공간의 측벽에 형성되는 박막증착장치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 가스분사유로는 상기 내부 공간과 연통되어 하부면에 관통되도록 연장 형성되되, 상기 내부 공간의 내측벽에서 꺽어지도록 형성된 박막증착장치.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 내부 공간은 바닥면이 밀폐되고, 상기 가스분사유로는 상기 내부 공간 내측의 일측벽에 그 단면이 'ㄱ'자 형상으로 형성되는 박막증착장치.
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