KR200169709Y1

KR200169709Y1 - 반도체 에칭장치의 챔버리드어셈블리

Info

Publication number: KR200169709Y1
Application number: KR2019970013093U
Authority: KR
Inventors: 강종대
Original assignee: 김영환; 현대반도체주식회사
Priority date: 1997-05-31
Filing date: 1997-05-31
Publication date: 2000-02-01
Also published as: KR19980068457U

Abstract

본 고안은 구조를 단순화한 반도체 에칭장치의 챔버리드어셈블리에 관한 것으로, 중앙부에 삽입구멍(101)이 형성되어 있고, 그 두께층을 따라 상기 삽입구멍(101)에 연통되는 가스이송로(107)가 형성된 덮개본체(100)와; 내주면에 단턱(121)을 형성한 설치구멍(122)이 형성되어 있고, 상기 덮개본체(100)의 저면부에 안착되어지는 조립플레이트(120)와; 상기 설치구멍(122)의 단턱(121)에 설치되는 외측링(30)과; 이 외측링(30)의 내턱(32)에 삽입 설치되는 내측링(20)과; 이 내측링(20)을 덮어 씌우면서 상기 덮개본체(100)의 삽입구멍(101) 상면에 나사결합되는 가스인입커버(10)로 구성된 것으로서, 구조를 단순화하여 결합 부품의 수를 줄이므로써 분해 조립이 신속히 이루어지고, 각 부품간의 인접부가 상대적으로 감소되므로써 가스 누출의 염려가 적으며, 마모가 적어 제품수명을 최대한 연장할 수 있도록 된 반도체 에칭장치의 챔버리드어셈블리에 관한 것이다.

Description

반도체 에칭장치의 챔버리드어셈블리

본 고안은 반도체 에칭장치의 챔버리드어셈블리에 관한 것으로, 특히 많은 부품으로 구성된 종래의 단일슬릿형 가스분배 덮개조립체(SSGD Lid Assembly)에 있어서 이 덮개조립체를 자주 분해 및 조립할 경우, 각 부품간의 인접부가 마모되어 가스가 누출되는 결점을 보완할 수 있도록 구조를 단순화하므로써 인접부를 최소화한 반도체 에칭장치의 챔버리드어셈블리에 관한 것이다.

일반적인 종래의 단일슬릿형 가스분배 덮개조립체(Single Slit Gas Distribution Lid Assembly; SSGD Lid Assembly; 이하, "챔버리드어셈블리(Chamber Lid Assembly)"라 함.)는 도 1에 도시된 바와 같이, 내주면에 단턱(106)을 형성한 삽입구멍(101)이 형성되어 있는 덮개본체(100)와; 상기 설치구멍(122)의 단턱(121)에 설치되는 외측링(30)과; 이 외측링(30)의 내턱(32)에 삽입 설치되는 내측링(20)과; 이 내측링(20)을 덮어 씌우면서 상기 덮개본체(100)의 삽입구멍(101) 상면에 나사결합되는 가스인입커버(10)로 구성되어 있다.

상기 가스인입커버(10)와 내측링(20) 및 외측링(30) 사이와, 삽입구멍(101)의 단턱(106)과 외측링(30) 사이에는 패킹링(13)(14)(31)으로 각각 밀봉되어 있다.

또한, 상기 가스인입커버(10)의 외주 일측에는 방사상 방향으로 성장된 가스이송대(11)가 형성되어 있고, 그 내부는 상기 가스인입커버(10)의 중심으로 향하는 가스이송로(11a)가 형성되어 있다.

상기 가스이송대(11)의 선단에는 가스이송대커버(12)가 나사결합되어 있으며, 이 가스이송대커버(12)와 상기 가스이송대(11)의 선단 사이에는 패킹링(15)이 개재되어 상기 가스이송로(11a)의 누출을 방지할 수 있도록 되어 있다.

도면중 미설명부호 16은 상기 가스이송대(11)와 가스이송대커버(12)를 체결하기 위한 고정나사, 17 및 19는 와셔, 18은 가스인입커버(10)를 고정하기 위한 고정나사, 102는 손잡이, 103은 히터블럭(Heater Block), 104는 챔버본체(200)에 체결되는 고정보울트, 105는 PID제어기(Proportional-Integral-Derivative Controller), 108은 상기 고정나사가 체결되는 나사구멍, 200은 챔버본체, 201은 가스이송관을 나타낸다.

상기와 같은 구성을 갖는 본 고안의 질소가스 주입경로를 도 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다.

질소가스는 챔버본체(200)의 측면에 장착된 가스이송관(201)을 타고 상기 가스이송대(11)의 가스이송로(11a)를 따라 가스인입커버(10)의 내측에 도달하게 된다. 상기 삽입구멍(101)에 도달된 상기 질소가스는 외측링(30)과 내측링(20) 사이의 틈새를 타고 원주상 형태로 고압 분사되어 챔버본체(200)의 내부로 주입되는 것이다.

그러나, 종래의 챔버리드어셈블리는 많은 부품으로 조립 구성되어 있어 각 부품과 부품간의 인접부가 많이 발생되므로써, 누출을 방지하기 위해서는 그 인접부마다 각각 패킹링 등으로 밀봉을 하여야 하는 문제점이 있었다.

특히, 분해 및 조립을 자주하게 되면, 그 결합부가 마모되므로써 누출이 발생되어 작업처리중인 반도체의 불량을 초래하게 되는 심각한 문제점이 있었다.

이에 본 고안은 상기와 같은 제반 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 구조를 단순화하여 결합 부품의 수를 줄이므로써 분해 조립이 신속히 이루어지고, 각 부품간의 인접부가 상대적으로 감소되므로써 가스 누출의 염려가 적으며, 마모가 적어 제품수명을 최대한 연장할 수 있도록 된 반도체 에칭장치의 챔버리드어셈블리를 제공하는데 그 목적이 있다.

도 1은 종래 기술에 따른 챔버리드어셈블리의 구조를 보인 분해사시도,

도 2는 종래 기술에 따른 챔버리드어셈블리의 주요부에 대한 결합단면도,

도 3은 본 고안에 따른 챔버리드어셈블리의 구조를 보인 분해사시도,

도 4는 본 고안에 따른 챔버리드어셈블리의 결합 단면도이다.

** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 **

10 ; 가스인입커버11 ; 가스이송대

11a, 107; 가스이송로12 ; 가스이송대커버

13, 14, 15, 31, 110; 패킹링16, 18; 고정나사

17, 19; 와셔20 ; 내측링

30 ; 외측링32 ; 내턱

100; 덮개본체101; 삽입구멍

102; 손잡이103; 히터블럭

104; 고정보울트105; PID제어기

106, 121; 단턱108; 나사구멍

120; 조립플레이트122; 설치구멍

200; 챔버본체201; 가스이송관

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 고안에 따른 반도체 에칭장치의 챔버리드어셈블리는 중앙부에 삽입구멍이 형성되어 있고, 그 두께층을 따라 상기 삽입구멍에 연통되는 가스이송로가 형성된 덮개본체와; 내주면에 단턱을 형성한 설치구멍이 형성되어 있고, 상기 덮개본체의 저면부에 안착되어지는 조립플레이트와; 상기 설치구멍의 단턱에 설치되는 외측링과; 이 외측링의 내턱에 삽입 설치되는 내측링과; 이 내측링을 덮어 씌우면서 상기 덮개본체의 삽입구멍 상면에 나사결합되는 가스인입커버로 구성됨을 특징으로 한다.

이하, 본 고안을 첨부된 도면에 의거하여 상세히 설명한다.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 고안에 따른 반도체 에칭장치의 챔버리드어셈블리는 중앙부에 삽입구멍(101)이 형성되어 있고, 그 두께층을 따라 상기 삽입구멍(101)에 연통되는 가스이송로(107)가 형성된 덮개본체(100)와; 내주면에 단턱(121)을 형성한 설치구멍(122)이 형성되어 있고, 패킹링(110)을 개재하여 상기 덮개본체(100)의 저면부에 안착되어지는 조립플레이트(120)와; 상기 설치구멍(122)의 단턱(121)에 설치되는 외측링(30)과; 이 외측링(30)의 내턱(32)에 삽입 설치되는 내측링(20)과; 이 내측링(20)을 덮어 씌우면서 상기 덮개본체(100)의 삽입구멍(101) 상면에 나사결합되는 가스인입커버(10)로 구성되어 있다.

여기서, 상기 조립플레이트(120)는 가스 분배기능 이외에도 접지(Ground) 기능을 동시에 수행하게 된다.

상기 가스인입커버(10)와 삽입구멍(101) 상면부 사이와, 설치구멍(122)의 단턱(121)과 외측링(30) 사이에는 패킹링(13)(31)으로 각각 밀봉되어 있다.

도면중 미설명부호 18은 가스인입커버(10)를 고정하기 위한 고정나사, 19는 와셔, 102는 손잡이, 103은 히터블럭(Heater Block), 104는 챔버본체(200)에 체결되는 고정보울트, 105는 PID제어기(Proportional-Integral-Derivative Controller), 108은 상기 고정나사가 체결되는 나사구멍을 나타낸다.

상기와 같은 구성을 갖는 본 고안의 질소가스 주입경로를 도 4를 참조하여 설명하면 다음과 같다.

질소가스는 챔버본체(200)의 측면에 장착된 가스이송관(미도시)을 타고 상기 덮개본체(100)의 가스이송로(107)를 따라 삽입구멍(101)에 도달하게 된다. 삽입구멍(101)에 도달된 상기 질소가스는 외측링(30)과 내측링(20) 사이의 틈새를 타고 원주상 형태로 고압 분사되어 챔버본체(200)의 내부로 주입되는 것이다.

또한, 일반적으로 가스누출이 가장 많이 발생할 수 있는 가스 분배부, 즉, 본 고안의 구조에 의하면 상기 조립플레이트(120)에 해당되는 바, 누출이 발생할 경우에는 상기 조립플레이트(120) 만을 교체하면 되므로 보수관리가 매우 용이하고, 이에 따라 반도체 제작시에 원가절감 효과도 기대할 수 있게 된다.

상기와 같은 구성및 작용에 의해 기대할 수 있는 본 고안의 효과는 다음과 같다.

본 고안에 따른 반도체 에칭장치의 챔버리드어셈블리는 구조를 단순화하여 결합 부품의 수를 줄이므로써 분해 조립이 신속히 이루어지고, 각 부품간의 인접부가 상대적으로 감소되므로써 가스 누출의 염려가 적으며, 마모가 적어 제품수명을 최대한 연장할 수 있는 효과가 있다.

Claims

중앙부에 삽입구멍이 형성되어 있고, 그 두께층을 따라 상기 삽입구멍에 연통되는 가스이송로가 형성된 덮개본체와; 내주면에 단턱을 형성한 설치구멍이 형성되어 있고, 상기 덮개본체의 저면부에 안착되어지는 조립플레이트와; 상기 설치구멍의 단턱에 설치되는 외측링과; 이 외측링의 내턱에 삽입 설치되는 내측링과; 이 내측링을 덮어 씌우면서 상기 덮개본체의 삽입구멍 상면에 나사결합되는 가스인입커버로 구성됨을 특징으로 반도체 에칭장치의 챔버리드어셈블리.