JP2001235713A - 光変調器、半導体光素子、及びそれらの作製方法 - Google Patents
光変調器、半導体光素子、及びそれらの作製方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電気抵抗が低く、高周波特性に優れた光変調
器、及びそのような光変調器と半導体レーザ素子とを集
積した半導体光素子を提供する。 【解決手段】 本光変調器１０は、ｎ−ＩｎＰ基板１２
上に、ｎ−ＩｎＰ層１４、ＡｌＧａＩｎＡｓ系ＭＱＷ１
６、ＧａＩｎＡｓＰ層１８、ｐ−ＩｎＰ層２０、ｐ−Ａ
ｌＩｎＡｓ層２２、ｐ−ＩｎＰ層２４、及び、ｐ−Ｇａ
ＩｎＡｓ層２６からなる積層構造を備える。ｐ−ＡｌＩ
ｎＡｓ層、ｐ−ＩｎＰ層、及びｐ−ＧａＩｎＡｓ層は、
幅１０μｍのストライプ状リッジとして形成されてい
る。ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層の両側には、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ
層中のＡｌを選択的に酸化してなるＡｌ酸化層２８が、
ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層の縁からリッジ側面まで３．５μｍ
の幅で延在している。光変調器は、酸化狭窄構造を備え
ていることにより、ｐ−クラッド層の幅を１０μｍに広
くすることができるので、デバイス抵抗が低い。また、
酸化狭窄構造を備えているので、リッジ側面荒れの影響
が小さく、周波数特性が良好である。
器、及びそのような光変調器と半導体レーザ素子とを集
積した半導体光素子を提供する。 【解決手段】 本光変調器１０は、ｎ−ＩｎＰ基板１２
上に、ｎ−ＩｎＰ層１４、ＡｌＧａＩｎＡｓ系ＭＱＷ１
６、ＧａＩｎＡｓＰ層１８、ｐ−ＩｎＰ層２０、ｐ−Ａ
ｌＩｎＡｓ層２２、ｐ−ＩｎＰ層２４、及び、ｐ−Ｇａ
ＩｎＡｓ層２６からなる積層構造を備える。ｐ−ＡｌＩ
ｎＡｓ層、ｐ−ＩｎＰ層、及びｐ−ＧａＩｎＡｓ層は、
幅１０μｍのストライプ状リッジとして形成されてい
る。ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層の両側には、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ
層中のＡｌを選択的に酸化してなるＡｌ酸化層２８が、
ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層の縁からリッジ側面まで３．５μｍ
の幅で延在している。光変調器は、酸化狭窄構造を備え
ていることにより、ｐ−クラッド層の幅を１０μｍに広
くすることができるので、デバイス抵抗が低い。また、
酸化狭窄構造を備えているので、リッジ側面荒れの影響
が小さく、周波数特性が良好である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、量子閉じ込めシュ
タルク効果型光変調器、量子閉じ込めシュタルク効果型
光変調器と半導体レーザ素子とを集積させた半導体光素
子、及びそれらの作製方法に関し、更に詳細には、デバ
イス抵抗が低く、かつ周波数特性が良好な光変調器、及
び半導体光素子、並びにそれらの作製方法に関するもの
である。
タルク効果型光変調器、量子閉じ込めシュタルク効果型
光変調器と半導体レーザ素子とを集積させた半導体光素
子、及びそれらの作製方法に関し、更に詳細には、デバ
イス抵抗が低く、かつ周波数特性が良好な光変調器、及
び半導体光素子、並びにそれらの作製方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】超格子構造では、層方向に垂直に電界を
印加したとき、バリヤ層が励起子の解離を防ぐために、
弱い電界では励起子が解離するようなことは生じない。
例えば１０4 Ｖの電界が１０ｎｍ幅の量子井戸に印加さ
れると、井戸は１０ｍｅＶだけ傾く。この程度の電界で
は、量子井戸中の励起子は解離することはなく、光吸収
スペクトルは低エネルギー側にシフトしたピーク構造が
観察される。この現象が量子閉じ込めシュタルク効果
（ＱＣＳＥ）と呼ばれるものである。そして、ＡｌＧａ
ＩｎＡｓ系量子井戸構造を用いて、量子閉じ込めシュタ
ルク効果を利用した量子閉じ込めシュタルク効果型光変
調器が、Journal of Lightwave Technology, Vol.8.No.
7, July 1990等に提案されており、ＧａＩｎＡｓＰ系に
比べ、低電圧動作、及び高速変調が可能であると評価さ
れている。
印加したとき、バリヤ層が励起子の解離を防ぐために、
弱い電界では励起子が解離するようなことは生じない。
例えば１０4 Ｖの電界が１０ｎｍ幅の量子井戸に印加さ
れると、井戸は１０ｍｅＶだけ傾く。この程度の電界で
は、量子井戸中の励起子は解離することはなく、光吸収
スペクトルは低エネルギー側にシフトしたピーク構造が
観察される。この現象が量子閉じ込めシュタルク効果
（ＱＣＳＥ）と呼ばれるものである。そして、ＡｌＧａ
ＩｎＡｓ系量子井戸構造を用いて、量子閉じ込めシュタ
ルク効果を利用した量子閉じ込めシュタルク効果型光変
調器が、Journal of Lightwave Technology, Vol.8.No.
7, July 1990等に提案されており、ＧａＩｎＡｓＰ系に
比べ、低電圧動作、及び高速変調が可能であると評価さ
れている。
【０００３】以下に、図１５を参照して、従来の量子閉
じ込めシュタルク効果型光変調器の構成を説明する。図
１５は従来の量子閉じ込めシュタルク効果型光変調器の
構成を示す斜視図である。従来の量子閉じ込めシュタル
ク効果型光変調器（以下、簡単に光変調器と言う）１１
０は、図１５に示すように、光導波路構造の光変調器で
あって、ｉ層のＡｌＧａＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓ多重量
子井戸（ＭＱＷ）１１８をｐ型のクラッド層１２０及び
ｎ型のクラッド層１１６で挟んだｐｉｎ構造を備えて、
ＩｎＰ基板１１２上に作製されている。光変調器１１０
は、ＭＢＥ法（分子線エピタキシー法）等によってｎ−
ＩｎＰ基板１１２上に、順次、成膜された、ｎ−ＩｎＰ
層１１４、ｎ−ＡｌＩｎＡｓクラッド層１１６、ＭＱＷ
１１８、ｐ−ＡｌＩｎＡｓクラッド層１２０、及びｐ−
ＩｎＧａＡｓコンタクト層１２２の積層構造を備え、ｐ
−コンタクト層１２２上にｐ側電極１２４、ＩｎＰ基板
１１２の裏面にｎ側電極１２６を有する。
じ込めシュタルク効果型光変調器の構成を説明する。図
１５は従来の量子閉じ込めシュタルク効果型光変調器の
構成を示す斜視図である。従来の量子閉じ込めシュタル
ク効果型光変調器（以下、簡単に光変調器と言う）１１
０は、図１５に示すように、光導波路構造の光変調器で
あって、ｉ層のＡｌＧａＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓ多重量
子井戸（ＭＱＷ）１１８をｐ型のクラッド層１２０及び
ｎ型のクラッド層１１６で挟んだｐｉｎ構造を備えて、
ＩｎＰ基板１１２上に作製されている。光変調器１１０
は、ＭＢＥ法（分子線エピタキシー法）等によってｎ−
ＩｎＰ基板１１２上に、順次、成膜された、ｎ−ＩｎＰ
層１１４、ｎ−ＡｌＩｎＡｓクラッド層１１６、ＭＱＷ
１１８、ｐ−ＡｌＩｎＡｓクラッド層１２０、及びｐ−
ＩｎＧａＡｓコンタクト層１２２の積層構造を備え、ｐ
−コンタクト層１２２上にｐ側電極１２４、ＩｎＰ基板
１１２の裏面にｎ側電極１２６を有する。
【０００４】ＭＱＷ１１８は、膜厚８６ÅのＡｌＧａＩ
ｎＡｓ井戸層と膜厚５０ÅのＡｌＩｎＡｓバリア層との
３０周期のペアで構成されていて、ｎ−ＡｌＩｎＡｓク
ラッド層１１６、ＭＱＷ１１８、ｐ−ＡｌＩｎＡｓクラ
ッド層１２０及びｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１２２
は、幅４μｍ及び長さ９０μｍから１２０μｍのハイメ
サ型のリッジとして形成されている。また、ｎ−ＩｎＰ
層１１４及びリッジは、ｐ側電極１２４を除いてＳｉＯ
2 膜で被覆されている。
ｎＡｓ井戸層と膜厚５０ÅのＡｌＩｎＡｓバリア層との
３０周期のペアで構成されていて、ｎ−ＡｌＩｎＡｓク
ラッド層１１６、ＭＱＷ１１８、ｐ−ＡｌＩｎＡｓクラ
ッド層１２０及びｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１２２
は、幅４μｍ及び長さ９０μｍから１２０μｍのハイメ
サ型のリッジとして形成されている。また、ｎ−ＩｎＰ
層１１４及びリッジは、ｐ側電極１２４を除いてＳｉＯ
2 膜で被覆されている。
【０００５】光変調器１１０に、逆バイアス電圧を印加
すると、量子閉じ込めシュタルク効果により、励起子吸
収ピークが長波長側に移動し、レーザ光に対する光吸収
を増加させることができる。この電界効果は、逆バイア
スｐｉｎ接合を利用するために、小さな駆動電圧で大き
な吸収率の変化を実現することができ、更に、この電界
効果は高速性を有する。
すると、量子閉じ込めシュタルク効果により、励起子吸
収ピークが長波長側に移動し、レーザ光に対する光吸収
を増加させることができる。この電界効果は、逆バイア
スｐｉｎ接合を利用するために、小さな駆動電圧で大き
な吸収率の変化を実現することができ、更に、この電界
効果は高速性を有する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のハイメ
サ型光変調器には、以下の問題があった。それは、ハイ
メサ型のリッジを備えているので、リッジ形成時に発生
するリッジ側面荒れの影響により、伝搬光の散乱損失が
生じ、デバイス特性の劣化を招いている。また、リッジ
幅が比較的細いために、抵抗の大きなｐ−クラッド層で
の抵抗が大きくなり、その結果、デバイス抵抗が大きく
なるという問題もある。さらに、半導体レーザと集積す
る場合において、ＭＱＷ及びクラッド層の材料がＡｌを
含むため、選択成長法を用いることが困難である。以上
のことから、優れたデバイス特性を示す高機能の光変調
器、或いは光変調器と半導体レーザ素子とを共通基板上
に集積してなる半導体光素子を作製することが難しい。
サ型光変調器には、以下の問題があった。それは、ハイ
メサ型のリッジを備えているので、リッジ形成時に発生
するリッジ側面荒れの影響により、伝搬光の散乱損失が
生じ、デバイス特性の劣化を招いている。また、リッジ
幅が比較的細いために、抵抗の大きなｐ−クラッド層で
の抵抗が大きくなり、その結果、デバイス抵抗が大きく
なるという問題もある。さらに、半導体レーザと集積す
る場合において、ＭＱＷ及びクラッド層の材料がＡｌを
含むため、選択成長法を用いることが困難である。以上
のことから、優れたデバイス特性を示す高機能の光変調
器、或いは光変調器と半導体レーザ素子とを共通基板上
に集積してなる半導体光素子を作製することが難しい。
【０００７】そこで、本発明の目的は、電気抵抗が低
く、高周波特性に優れた光変調器、及びそのような光変
調器と半導体レーザ素子とを共通基板上に集積した半導
体光素子、並びにそれらの作製方法を提供することであ
る。
く、高周波特性に優れた光変調器、及びそのような光変
調器と半導体レーザ素子とを共通基板上に集積した半導
体光素子、並びにそれらの作製方法を提供することであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る量子閉じ込めシュタルク効果型光変調
器（以下、第１の発明と言う）は、ＡｌＧａＩｎＡｓ系
多重量子井戸構造（以下、ＭＱＷと言う）と、ＭＱＷを
挟む相互に異なる導電型のクラッド層と、ＭＱＷ上、又
はｐ型クラッド層中に形成され、Ａｌ酸化層からなる電
流狭窄層とを有する積層構造を化合物半導体基板上に備
え、少なくとも電流狭窄層を含む上部積層構造が、スト
ライプ状リッジとして形成され、Ａｌ酸化層は、Ａｌを
含む被酸化層中のＡｌを選択的に酸化してなる電流狭窄
層としてリッジの両側面から内方に延在し、かつ、リッ
ジの一方の側面から内方に延びるＡｌ酸化層と、リッジ
の他方の側面から内方に延びるＡｌ酸化層との間には、
Ａｌを含む被酸化層が、未酸化のままで延在することを
特徴としている。
に、本発明に係る量子閉じ込めシュタルク効果型光変調
器（以下、第１の発明と言う）は、ＡｌＧａＩｎＡｓ系
多重量子井戸構造（以下、ＭＱＷと言う）と、ＭＱＷを
挟む相互に異なる導電型のクラッド層と、ＭＱＷ上、又
はｐ型クラッド層中に形成され、Ａｌ酸化層からなる電
流狭窄層とを有する積層構造を化合物半導体基板上に備
え、少なくとも電流狭窄層を含む上部積層構造が、スト
ライプ状リッジとして形成され、Ａｌ酸化層は、Ａｌを
含む被酸化層中のＡｌを選択的に酸化してなる電流狭窄
層としてリッジの両側面から内方に延在し、かつ、リッ
ジの一方の側面から内方に延びるＡｌ酸化層と、リッジ
の他方の側面から内方に延びるＡｌ酸化層との間には、
Ａｌを含む被酸化層が、未酸化のままで延在することを
特徴としている。
【０００９】本発明では、リッジの両側面側にＡｌ酸化
層からなる電流狭窄層を備えた構造を有するので、リッ
ジ内のクラッド層の幅が従来の量子閉じ込めシュタルク
効果型光変調器に比べて広いので、電気抵抗が低くな
る。また、Ａｌ酸化層による電流狭窄構造を備えること
により、リッジ側面荒れの影響が小さくなり、光の伝搬
損失が低減する。これらの効果により、周波数特性の向
上も得られる。また、Ａｌを含む被酸化層として、例え
ばＡｌＩｎＡｓ層を使用することができる。
層からなる電流狭窄層を備えた構造を有するので、リッ
ジ内のクラッド層の幅が従来の量子閉じ込めシュタルク
効果型光変調器に比べて広いので、電気抵抗が低くな
る。また、Ａｌ酸化層による電流狭窄構造を備えること
により、リッジ側面荒れの影響が小さくなり、光の伝搬
損失が低減する。これらの効果により、周波数特性の向
上も得られる。また、Ａｌを含む被酸化層として、例え
ばＡｌＩｎＡｓ層を使用することができる。
【００１０】本発明に係る半導体光素子（以下、第２の
発明と言う）は、ＧａＩｎＡｓＰ系、又はＡｌＧａＩｎ
Ａｓ系半導体レーザ素子と、光変調器の導波方向が半導
体レーザ素子の光出射方向の延長線上にあるように、半
導体レーザ素子と共通のＩｎＰ基板上に集積された、請
求項１又は２に記載の量子閉じ込めシュタルク効果型光
変調器とを備えていることを特徴としている。本発明で
は、半導体レーザ素子が埋め込みヘテロ構造（ＢＨ）レ
ーザ素子であって、半導体レーザ素子と光変調器との接
続領域で、半導体レーザ素子を構成する少なくとも一部
の化合物半導体層と光変調器を構成する少なくとも一部
の化合物半導体層とが、突き合わせ接続されているか、
又は、半導体レーザ素子がリッジ導波路型レーザ素子で
あって、半導体レーザ素子と光変調器との接続領域で、
半導体レーザ素子を構成する各化合物半導体層と光変調
器を構成する各化合物半導体層とが連続している。
発明と言う）は、ＧａＩｎＡｓＰ系、又はＡｌＧａＩｎ
Ａｓ系半導体レーザ素子と、光変調器の導波方向が半導
体レーザ素子の光出射方向の延長線上にあるように、半
導体レーザ素子と共通のＩｎＰ基板上に集積された、請
求項１又は２に記載の量子閉じ込めシュタルク効果型光
変調器とを備えていることを特徴としている。本発明で
は、半導体レーザ素子が埋め込みヘテロ構造（ＢＨ）レ
ーザ素子であって、半導体レーザ素子と光変調器との接
続領域で、半導体レーザ素子を構成する少なくとも一部
の化合物半導体層と光変調器を構成する少なくとも一部
の化合物半導体層とが、突き合わせ接続されているか、
又は、半導体レーザ素子がリッジ導波路型レーザ素子で
あって、半導体レーザ素子と光変調器との接続領域で、
半導体レーザ素子を構成する各化合物半導体層と光変調
器を構成する各化合物半導体層とが連続している。
【００１１】本発明の半導体光素子は、電気抵抗が低
く、優れた周波数特性を有する光変調器と半導体レーザ
素子とを集積させたものである。
く、優れた周波数特性を有する光変調器と半導体レーザ
素子とを集積させたものである。
【００１２】本発明に係る量子閉じ込めシュタルク効果
型光変調器の作製方法（以下、第１の発明方法と言う）
は、ＩｎＰ基板上に、ＡｌＧａＩｎＡｓ系多重量子井戸
構造（以下、ＭＱＷと言う）、ＭＱＷを挟む相互に異な
る導電型のクラッド層、及びＭＱＷ上にＡｌを含む被酸
化層を有する積層構造を形成する工程と、少なくともＡ
ｌを含む被酸化層を含む積層構造をストライプ状リッジ
に加工する工程と、リッジ側面から内方に、Ａｌを含む
被酸化層中のＡｌを選択的に酸化して、Ａｌ酸化層を生
成すると共にリッジ中央部にＡｌを含む被酸化層を未酸
化のまま残存させる工程とを有することを特徴としてい
る。
型光変調器の作製方法（以下、第１の発明方法と言う）
は、ＩｎＰ基板上に、ＡｌＧａＩｎＡｓ系多重量子井戸
構造（以下、ＭＱＷと言う）、ＭＱＷを挟む相互に異な
る導電型のクラッド層、及びＭＱＷ上にＡｌを含む被酸
化層を有する積層構造を形成する工程と、少なくともＡ
ｌを含む被酸化層を含む積層構造をストライプ状リッジ
に加工する工程と、リッジ側面から内方に、Ａｌを含む
被酸化層中のＡｌを選択的に酸化して、Ａｌ酸化層を生
成すると共にリッジ中央部にＡｌを含む被酸化層を未酸
化のまま残存させる工程とを有することを特徴としてい
る。
【００１３】本発明に係る半導体光素子の作製方法（以
下、第２の発明方法と言う）は、突き合わせ構造の半導
体光素子の作製方法であって、半導体レーザ素子を構成
する第１の積層構造をＩｎＰ基板全面に形成する工程
と、半導体レーザ素子領域の第１の積層構造上に選択成
長用マスクを形成する工程と、光変調器領域の第１の積
層構造を除去してＩｎＰ基板を露出させる工程と、請求
項６に記載の各工程を実施して、光変調器領域のＩｎＰ
基板上に量子閉じ込めシュタルク効果型光変調器の第２
の積層構造を形成する工程とを備え、かつ、第２の積層
構造を形成する工程では、ＭＱＷの井戸層を除くＡｌ系
化合物半導体層を成膜する際、マスク上に生成する多結
晶をエッチングするエッチングガスを成膜原料ガスに添
加することを特徴としている。
下、第２の発明方法と言う）は、突き合わせ構造の半導
体光素子の作製方法であって、半導体レーザ素子を構成
する第１の積層構造をＩｎＰ基板全面に形成する工程
と、半導体レーザ素子領域の第１の積層構造上に選択成
長用マスクを形成する工程と、光変調器領域の第１の積
層構造を除去してＩｎＰ基板を露出させる工程と、請求
項６に記載の各工程を実施して、光変調器領域のＩｎＰ
基板上に量子閉じ込めシュタルク効果型光変調器の第２
の積層構造を形成する工程とを備え、かつ、第２の積層
構造を形成する工程では、ＭＱＷの井戸層を除くＡｌ系
化合物半導体層を成膜する際、マスク上に生成する多結
晶をエッチングするエッチングガスを成膜原料ガスに添
加することを特徴としている。
【００１４】本発明に係る半導体光素子の別の作製方法
（以下、第３の発明方法と言う）は、連続接続構造の半
導体光素子の作製方法であって、半導体レーザ素子領域
に選択領域成長用マスクを形成させる工程と、選択領域
成長法によって、半導体レーザ素子を構成する積層構造
のうちＭＱＷ及びＭＱＷを挟む上下クラッド層をＩｎＰ
基板全面に形成する工程と、次いで、Ａｌを含む被酸化
層、及び少なくとも第２の上クラッド層を成膜する工程
と、少なくともＡｌを含む被酸化層を含む積層構造をス
トライプ状リッジに加工する工程と、リッジ側面から内
方に、Ａｌを含む被酸化層中のＡｌを選択的に酸化し
て、Ａｌ酸化層を生成すると共にリッジ中央部にＡｌを
含む被酸化層を未酸化のまま残存させる工程とを備え、
選択領域成長工程では、ＭＱＷの井戸層を除くＡｌ系化
合物半導体層を成膜する際、マスク上に生成する多結晶
をエッチングするエッチングガスを成膜原料ガスに添加
することを特徴としている。
（以下、第３の発明方法と言う）は、連続接続構造の半
導体光素子の作製方法であって、半導体レーザ素子領域
に選択領域成長用マスクを形成させる工程と、選択領域
成長法によって、半導体レーザ素子を構成する積層構造
のうちＭＱＷ及びＭＱＷを挟む上下クラッド層をＩｎＰ
基板全面に形成する工程と、次いで、Ａｌを含む被酸化
層、及び少なくとも第２の上クラッド層を成膜する工程
と、少なくともＡｌを含む被酸化層を含む積層構造をス
トライプ状リッジに加工する工程と、リッジ側面から内
方に、Ａｌを含む被酸化層中のＡｌを選択的に酸化し
て、Ａｌ酸化層を生成すると共にリッジ中央部にＡｌを
含む被酸化層を未酸化のまま残存させる工程とを備え、
選択領域成長工程では、ＭＱＷの井戸層を除くＡｌ系化
合物半導体層を成膜する際、マスク上に生成する多結晶
をエッチングするエッチングガスを成膜原料ガスに添加
することを特徴としている。
【００１５】第２及び第３の発明方法では、ＭＱＷの井
戸層を除くＡｌ系化合物半導体層を成膜する際、マスク
上に生成する多結晶をエッチングするエッチングガス、
例えばＣＢｒ4 ガスを成膜原料ガスに添加することによ
り、マスク上の多結晶成長が抑制され、良好な選択成長
が可能となる。即ち、エッチングガスの導入により、Ａ
ｌ系化合物半導体層の選択領域成長が容易になるので、
光変調器と半導体レーザ素子とを共通基板上に集積化す
ることが可能となる。また、原料ガスへのＣＢｒ4 の導
入により、Ｃがドーピングされるので、これを利用し
て、障壁層の成膜の際のみにＣＢｒ4 を導入することに
より、変調ドープ構造を容易に形成することができる。
ＣＢｒ4 の添加率は、原料ガスに対して５ｍｏｌ％以上
５０ｍｏｌ％以下が望ましい。また、Ｃを含まないエッ
チャント、例えばＨＣｌを導入すると、Ｃのドーピング
がないので、井戸層の成膜の際に用いることも可能であ
る。
戸層を除くＡｌ系化合物半導体層を成膜する際、マスク
上に生成する多結晶をエッチングするエッチングガス、
例えばＣＢｒ4 ガスを成膜原料ガスに添加することによ
り、マスク上の多結晶成長が抑制され、良好な選択成長
が可能となる。即ち、エッチングガスの導入により、Ａ
ｌ系化合物半導体層の選択領域成長が容易になるので、
光変調器と半導体レーザ素子とを共通基板上に集積化す
ることが可能となる。また、原料ガスへのＣＢｒ4 の導
入により、Ｃがドーピングされるので、これを利用し
て、障壁層の成膜の際のみにＣＢｒ4 を導入することに
より、変調ドープ構造を容易に形成することができる。
ＣＢｒ4 の添加率は、原料ガスに対して５ｍｏｌ％以上
５０ｍｏｌ％以下が望ましい。また、Ｃを含まないエッ
チャント、例えばＨＣｌを導入すると、Ｃのドーピング
がないので、井戸層の成膜の際に用いることも可能であ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下に、添付図面を参照し、実施
例を挙げて本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に説明
する。光変調器の実施形態例 本実施形態例は、第１の発明に係る光変調器の実施形態
の一例であって、図１は本実施形態例の光変調器の構成
を示す断面図である。本実施形態例の光変調器１０は、
図１に示すように、ｎ−ＩｎＰ基板１２上に、順次、エ
ピタキシャル成長した、ｎ−ＩｎＰクラッド層１４、Ａ
ｌＧａＩｎＡｓ系多重量子井戸（以下、ＭＱＷと言う）
１６、ＧａＩｎＡｓＰ光閉じ込め層１８、ｐ−ＩｎＰク
ラッド層２０、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ被酸化層２２、ｐ−Ｉ
ｎＰクラッド層２４、及び、ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタク
ト層２６からなるＡｌＧａＩｎＡｓ系積層構造を備えて
いる。
例を挙げて本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に説明
する。光変調器の実施形態例 本実施形態例は、第１の発明に係る光変調器の実施形態
の一例であって、図１は本実施形態例の光変調器の構成
を示す断面図である。本実施形態例の光変調器１０は、
図１に示すように、ｎ−ＩｎＰ基板１２上に、順次、エ
ピタキシャル成長した、ｎ−ＩｎＰクラッド層１４、Ａ
ｌＧａＩｎＡｓ系多重量子井戸（以下、ＭＱＷと言う）
１６、ＧａＩｎＡｓＰ光閉じ込め層１８、ｐ−ＩｎＰク
ラッド層２０、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ被酸化層２２、ｐ−Ｉ
ｎＰクラッド層２４、及び、ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタク
ト層２６からなるＡｌＧａＩｎＡｓ系積層構造を備えて
いる。
【００１７】ｎ−ＩｎＰクラッド層１４は、膜厚が１０
０ｎｍ、キャリア濃度が５×１０17ｃｍ-3であり、ＭＱ
Ｗ１６は、λｇが１．５２μｍであり、ＧａＩｎＡｓＰ
光閉じ込め層１８は、膜厚が１０ｎｍ、λｇが１．２μ
ｍであり、ｐ−ＩｎＰクラッド層２０は、膜厚が１５０
ｎｍ、キャリア濃度が５×１０17ｃｍ-3であり、ｐ−Ａ
ｌＩｎＡｓ被酸化層２２は、膜厚が１００ｎｍ、キャリ
ア濃度が１×１０18ｃｍ-3であり、ｐ−ＩｎＰクラッド
層２４は、膜厚が２０００ｎｍ、キャリア濃度が１×１
０18ｃｍ-3であり、ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２６
は膜厚が３００ｎｍ、キャリア濃度が１×１０19ｃｍ-3
である。ＭＱＷ構造は、ＧａＩｎＡｓ井戸層（９ｎｍ）
と、ＡｌＩｎＡｓバリア層（５ｎｍ）の１０ペアから形
成される。
０ｎｍ、キャリア濃度が５×１０17ｃｍ-3であり、ＭＱ
Ｗ１６は、λｇが１．５２μｍであり、ＧａＩｎＡｓＰ
光閉じ込め層１８は、膜厚が１０ｎｍ、λｇが１．２μ
ｍであり、ｐ−ＩｎＰクラッド層２０は、膜厚が１５０
ｎｍ、キャリア濃度が５×１０17ｃｍ-3であり、ｐ−Ａ
ｌＩｎＡｓ被酸化層２２は、膜厚が１００ｎｍ、キャリ
ア濃度が１×１０18ｃｍ-3であり、ｐ−ＩｎＰクラッド
層２４は、膜厚が２０００ｎｍ、キャリア濃度が１×１
０18ｃｍ-3であり、ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２６
は膜厚が３００ｎｍ、キャリア濃度が１×１０19ｃｍ-3
である。ＭＱＷ構造は、ＧａＩｎＡｓ井戸層（９ｎｍ）
と、ＡｌＩｎＡｓバリア層（５ｎｍ）の１０ペアから形
成される。
【００１８】積層構造のうち、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ被酸化
層２２、ｐ−ＩｎＰクラッド層２４、及びｐ−ＧａＩｎ
Ａｓコンタクト層２６は、幅１０μｍのストライプ状リ
ッジとして形成されている。ｐ−ＡｌＩｎＡｓ被酸化層
２２の両側には、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層２２中のＡｌを選
択的に酸化してなるＡｌ酸化層２８が、ｐ−ＡｌＩｎＡ
ｓ層２２の縁からリッジ側面まで３．５μｍの幅で延在
している。
層２２、ｐ−ＩｎＰクラッド層２４、及びｐ−ＧａＩｎ
Ａｓコンタクト層２６は、幅１０μｍのストライプ状リ
ッジとして形成されている。ｐ−ＡｌＩｎＡｓ被酸化層
２２の両側には、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層２２中のＡｌを選
択的に酸化してなるＡｌ酸化層２８が、ｐ−ＡｌＩｎＡ
ｓ層２２の縁からリッジ側面まで３．５μｍの幅で延在
している。
【００１９】リッジを含む積層構造上には、リッジ上部
を除いてＳｉＮ膜３０が絶縁膜兼保護膜として成膜され
ている。リッジ上部のＳｉＮ膜３０の窓を介してｐ−Ｇ
ａＩｎＡｓコンタクト層２６上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの積
層金属膜からなるｐ側電極３２、及びＩｎＰ基板１２の
裏面にＡｕＧｅＮｉ／Ａｕからなるｎ側電極３４が形成
されている。
を除いてＳｉＮ膜３０が絶縁膜兼保護膜として成膜され
ている。リッジ上部のＳｉＮ膜３０の窓を介してｐ−Ｇ
ａＩｎＡｓコンタクト層２６上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの積
層金属膜からなるｐ側電極３２、及びＩｎＰ基板１２の
裏面にＡｕＧｅＮｉ／Ａｕからなるｎ側電極３４が形成
されている。
【００２０】従来の光変調器では、幅３μｍ程度のリッ
ジを有し、抵抗率の高いｐ−クラッド層の幅が細いた
め、デバイス抵抗は８Ωと大きかった。一方、本実施形
態例の光変調器１０のデバイス抵抗は、６．８Ωであっ
た。これは、光変調器１０は、酸化狭窄構造を備えてい
ることにより、ｐ−クラッド層の幅を１０μｍに広くす
ることができるので、デバイス抵抗を低減することがで
きたことによる。酸化狭窄構造がない従来の光変調器の
場合、特性周波数が２０ＧＨｚであったのに対し、酸化
狭窄構造を有する本実施形態例の光変調器１０の場合
は、２５ＧＨｚであって、デバイスの周波数特性が向上
している。
ジを有し、抵抗率の高いｐ−クラッド層の幅が細いた
め、デバイス抵抗は８Ωと大きかった。一方、本実施形
態例の光変調器１０のデバイス抵抗は、６．８Ωであっ
た。これは、光変調器１０は、酸化狭窄構造を備えてい
ることにより、ｐ−クラッド層の幅を１０μｍに広くす
ることができるので、デバイス抵抗を低減することがで
きたことによる。酸化狭窄構造がない従来の光変調器の
場合、特性周波数が２０ＧＨｚであったのに対し、酸化
狭窄構造を有する本実施形態例の光変調器１０の場合
は、２５ＧＨｚであって、デバイスの周波数特性が向上
している。
【００２１】光変調器の作製方法の実施形態例 本実施形態例は、第１の発明方法に係る光変調器の作製
方法を実施形態例の光変調器１０の作製に適用した実施
形態の一例であって、図２（ａ）から（ｃ）は本実施形
態例の方法に従って光変調器を作製した際の工程毎の断
面図である。先ず、図２（ａ）に示すように、ＩｎＰ基
板１２上に、ＭＯＣＶＤ法によって、順次、膜厚が１０
０ｎｍでキャリア濃度が５×１０17ｃｍ-3のｎ−ＩｎＰ
クラッド層１４、λｇ＝１．５２μｍのＡｌＧａＩｎＡ
ｓ系ＭＱＷ１６、膜厚が１０ｎｍでλｇ＝１．２μｍの
ＧａＩｎＡｓＰ光閉じ込め層１８、膜厚が１５０ｎｍで
キャリア濃度が５×１０17ｃｍ-3のｐ−ＩｎＰクラッド
層２０、及び膜厚が１００ｎｍで１×１０18ｃｍ-3のｐ
−ＡｌＩｎＡｓ被酸化層２２をエピタキシャル成長させ
る。
方法を実施形態例の光変調器１０の作製に適用した実施
形態の一例であって、図２（ａ）から（ｃ）は本実施形
態例の方法に従って光変調器を作製した際の工程毎の断
面図である。先ず、図２（ａ）に示すように、ＩｎＰ基
板１２上に、ＭＯＣＶＤ法によって、順次、膜厚が１０
０ｎｍでキャリア濃度が５×１０17ｃｍ-3のｎ−ＩｎＰ
クラッド層１４、λｇ＝１．５２μｍのＡｌＧａＩｎＡ
ｓ系ＭＱＷ１６、膜厚が１０ｎｍでλｇ＝１．２μｍの
ＧａＩｎＡｓＰ光閉じ込め層１８、膜厚が１５０ｎｍで
キャリア濃度が５×１０17ｃｍ-3のｐ−ＩｎＰクラッド
層２０、及び膜厚が１００ｎｍで１×１０18ｃｍ-3のｐ
−ＡｌＩｎＡｓ被酸化層２２をエピタキシャル成長させ
る。
【００２２】更に、膜厚が２０００ｎｍで、キャリア濃
度が１×１０18ｃｍ-3のｐ−ＩｎＰクラッド層２４、及
び、膜厚が３００ｎｍで、キャリア濃度が１×１０19ｍ
-3のｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２６をエピタキシャ
ル成長させる。
度が１×１０18ｃｍ-3のｐ−ＩｎＰクラッド層２４、及
び、膜厚が３００ｎｍで、キャリア濃度が１×１０19ｍ
-3のｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２６をエピタキシャ
ル成長させる。
【００２３】次に、図２（ｂ）に示すように、ｐ−Ｇａ
ＩｎＡｓコンタクト層２６、ｐ−ＩｎＰクラッド層２
４、及びｐ−ＡｌＩｎＡｓ被酸化層２２をエッチングし
て幅１０μｍのストライプ状リッジとして形成すると共
にリッジの脇にｐ−ＩｎＰ層２０を露出させる。次い
で、既知の条件で既知の方法によって酸化処理をリッジ
内のｐ−ＧａＩｎＡｓ被酸化層２６に施して、リッジの
両側面からそれぞれ内方に延在するｐ−ＡｌＩｎＡｓ層
２６中のＡｌを選択的に酸化して、幅３．５μｍのＡｌ
酸化層２８をリッジの両側面からそれぞれ内方に生成さ
せる。
ＩｎＡｓコンタクト層２６、ｐ−ＩｎＰクラッド層２
４、及びｐ−ＡｌＩｎＡｓ被酸化層２２をエッチングし
て幅１０μｍのストライプ状リッジとして形成すると共
にリッジの脇にｐ−ＩｎＰ層２０を露出させる。次い
で、既知の条件で既知の方法によって酸化処理をリッジ
内のｐ−ＧａＩｎＡｓ被酸化層２６に施して、リッジの
両側面からそれぞれ内方に延在するｐ−ＡｌＩｎＡｓ層
２６中のＡｌを選択的に酸化して、幅３．５μｍのＡｌ
酸化層２８をリッジの両側面からそれぞれ内方に生成さ
せる。
【００２４】次いで、図２（ｃ）に示すように、リッジ
を含む積層構造上にＳｉＮ膜４６を成膜し、続いてリッ
ジ上のＳｉＮ膜４６を除去し、ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタ
クト層２６を露出させた窓を形成する。次に、ｐ−Ｇａ
ＩｎＡｓ層２６上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層金属膜から
なるｐ側電極３２、及びＩｎＰ基板１２の裏面にＡｕＧ
ｅＮｉ／Ａｕからなるｎ側電極３４を形成する。これに
より、実施形態例の光変調器１０を形成することができ
る。
を含む積層構造上にＳｉＮ膜４６を成膜し、続いてリッ
ジ上のＳｉＮ膜４６を除去し、ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタ
クト層２６を露出させた窓を形成する。次に、ｐ−Ｇａ
ＩｎＡｓ層２６上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層金属膜から
なるｐ側電極３２、及びＩｎＰ基板１２の裏面にＡｕＧ
ｅＮｉ／Ａｕからなるｎ側電極３４を形成する。これに
より、実施形態例の光変調器１０を形成することができ
る。
【００２５】半導体光素子の実施形態例１ 本実施形態例は、第２の発明に係る半導体光素子を光変
調器付き半導体レーザ素子に適用した実施形態の一例で
あって、図３は本実施形態例の半導体光素子の平面的構
成を示す平面図、図４は本実施形態例の半導体光素子を
構成する半導体レーザ素子の構成を示す断面図、及び図
５は半導体レーザ素子と光変調器との接続領域の構成を
示す断面図である。本実施形態例の半導体光素子３６
は、図３に示すように、光導波路３８を挟んでほぼ対向
した配置で半導体レーザ素子４０と実施形態例の光変調
器１０とを一つの共通基板上に集積した半導体光素子で
ある。そして、半導体光素子３６は、いわゆる光変調器
と突き合わせ接続型（Butt−Joint 型）の半導体レーザ
素子であって、半導体光素子４０の少なくとも一部の層
と光変調器１０の少なくとも一部の層とは光導波路３８
の構造内で突き合わせ接続している。
調器付き半導体レーザ素子に適用した実施形態の一例で
あって、図３は本実施形態例の半導体光素子の平面的構
成を示す平面図、図４は本実施形態例の半導体光素子を
構成する半導体レーザ素子の構成を示す断面図、及び図
５は半導体レーザ素子と光変調器との接続領域の構成を
示す断面図である。本実施形態例の半導体光素子３６
は、図３に示すように、光導波路３８を挟んでほぼ対向
した配置で半導体レーザ素子４０と実施形態例の光変調
器１０とを一つの共通基板上に集積した半導体光素子で
ある。そして、半導体光素子３６は、いわゆる光変調器
と突き合わせ接続型（Butt−Joint 型）の半導体レーザ
素子であって、半導体光素子４０の少なくとも一部の層
と光変調器１０の少なくとも一部の層とは光導波路３８
の構造内で突き合わせ接続している。
【００２６】半導体レーザ素子４０は、ＢＨ（Buried H
eterostructure、埋め込み構造）のＧａＩｎＡｓＰ系の
分布帰還型半導体レーザ素子（ＤＦＢ−ＬＤ、以下、Ｄ
ＦＢ−ＬＤと言う）であって、図４に示すように、光変
調器１０と共通のｎ−ＩｎＰ基板１２に上に、ｎ−Ｉｎ
Ｐクラッド層４４、発光波長１５５０ｎｍのＧａＩｎＡ
ｓＰ系多重量子井戸（ＭＱＷ）４６、回折格子が形成さ
れているＧａＩｎＡｓＰ層４８、及びｐ−ＩｎＰクラッ
ド層５０からなる積層構造を備えている。そして、積層
構造のうち、ｎ−ＩｎＰクラッド層４４の上部、ＭＱＷ
４６、ＧａＩｎＡｓＰ層４８、及びｐ−ＩｎＰクラッド
層５０は、ストライプ状リッジとして形成され、かつリ
ッジの両側面がｐ−ＩｎＰブロッキング層５２及びｎ−
ＩｎＰブロッキング層５４で埋め込まれていて、ｐｎ接
合による電流狭窄領域が形成されている。
eterostructure、埋め込み構造）のＧａＩｎＡｓＰ系の
分布帰還型半導体レーザ素子（ＤＦＢ−ＬＤ、以下、Ｄ
ＦＢ−ＬＤと言う）であって、図４に示すように、光変
調器１０と共通のｎ−ＩｎＰ基板１２に上に、ｎ−Ｉｎ
Ｐクラッド層４４、発光波長１５５０ｎｍのＧａＩｎＡ
ｓＰ系多重量子井戸（ＭＱＷ）４６、回折格子が形成さ
れているＧａＩｎＡｓＰ層４８、及びｐ−ＩｎＰクラッ
ド層５０からなる積層構造を備えている。そして、積層
構造のうち、ｎ−ＩｎＰクラッド層４４の上部、ＭＱＷ
４６、ＧａＩｎＡｓＰ層４８、及びｐ−ＩｎＰクラッド
層５０は、ストライプ状リッジとして形成され、かつリ
ッジの両側面がｐ−ＩｎＰブロッキング層５２及びｎ−
ＩｎＰブロッキング層５４で埋め込まれていて、ｐｎ接
合による電流狭窄領域が形成されている。
【００２７】更に、ｐ−ＩｎＰクラッド層５０上及びｎ
−ＩｎＰブロッキング層５４上にｐ−ＩｎＰクラッド層
５６及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層５８が形成され
ている。ｐ−ＩｎＰ層５６及びｐ−ＧａＩｎＡｓ層５８
は、それぞれ、光変調器１０のｐ−ＩｎＰ層２４及びｐ
−ＧａＩｎＡｓ層２６との共通層として形成されてい
る。また、ｐ−ＧａＩｎＡｓ層５８の上には、Ｔｉ／Ｐ
ｔ／Ａｕの積層金属膜からなるｐ側電極６０、及びＩｎ
Ｐ基板１２の裏面に光変調器１０のｎ側電極３４と共通
のｎ側電極６２が設けてある。
−ＩｎＰブロッキング層５４上にｐ−ＩｎＰクラッド層
５６及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層５８が形成され
ている。ｐ−ＩｎＰ層５６及びｐ−ＧａＩｎＡｓ層５８
は、それぞれ、光変調器１０のｐ−ＩｎＰ層２４及びｐ
−ＧａＩｎＡｓ層２６との共通層として形成されてい
る。また、ｐ−ＧａＩｎＡｓ層５８の上には、Ｔｉ／Ｐ
ｔ／Ａｕの積層金属膜からなるｐ側電極６０、及びＩｎ
Ｐ基板１２の裏面に光変調器１０のｎ側電極３４と共通
のｎ側電極６２が設けてある。
【００２８】ｎ−ＩｎＰクラッド層４４は、膜厚１００
ｎｍ、キャリア濃度が５×１０17ｃｍ-3であり、ＭＱＷ
４６はλｇが１．５５μｍであり、ＧａＩｎＡｓＰ層４
８は膜厚が１０ｎｍ、λｇが１．２μｍであって、回折
格子が形成されている。また、ｐ−ＩｎＰクラッド層５
０は膜厚が２００ｎｍ、キャリア濃度が５×１０17ｃｍ
-3である。埋め込み層のｐ−ＩｎＰ層５２は、膜厚５０
０ｎｍ、キャリア濃度が１×１０ 18ｃｍ-3であり、ｎ−
ＩｎＰ層５４は、膜厚が５００ｎｍでキャリア濃度が１
×１０18ｃｍ-3である。また、ｐ−ＩｎＰクラッド層５
６は、膜厚が２０００ｎｍ、キャリア濃度が１×１０18
ｃｍ-3であり、ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層５８は、
膜厚が３００ｎｍで、キャリア濃度が１×１０19ｍ-3で
ある。
ｎｍ、キャリア濃度が５×１０17ｃｍ-3であり、ＭＱＷ
４６はλｇが１．５５μｍであり、ＧａＩｎＡｓＰ層４
８は膜厚が１０ｎｍ、λｇが１．２μｍであって、回折
格子が形成されている。また、ｐ−ＩｎＰクラッド層５
０は膜厚が２００ｎｍ、キャリア濃度が５×１０17ｃｍ
-3である。埋め込み層のｐ−ＩｎＰ層５２は、膜厚５０
０ｎｍ、キャリア濃度が１×１０ 18ｃｍ-3であり、ｎ−
ＩｎＰ層５４は、膜厚が５００ｎｍでキャリア濃度が１
×１０18ｃｍ-3である。また、ｐ−ＩｎＰクラッド層５
６は、膜厚が２０００ｎｍ、キャリア濃度が１×１０18
ｃｍ-3であり、ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層５８は、
膜厚が３００ｎｍで、キャリア濃度が１×１０19ｍ-3で
ある。
【００２９】半導体レーザ素子４０と光変調器１０との
接続領域では、図５に示すように、光変調器１０のｎ−
ＩｎＰクラッド層１４、ＡｌＧａＩｎＡｓ系ＭＱＷ１
６、ＧａＩｎＡｓＰ光閉じ込め層１８、ｐ−ＩｎＰクラ
ッド層２０、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ被酸化層２２、及びｐ−
ＩｎＰクラッド層２３と、半導体レーザ素子４０のｎ−
ＩｎＰクラッド層４４、ＧａＩｎＡｓＰ系多重量子井戸
（ＭＱＷ）４６、回折格子が形成されているＧａＩｎＡ
ｓＰ層４８、及びｐ−ＩｎＰクラッド層５０とが、それ
ぞれ、突き合わせ接続している。尚、ｐ−ＩｎＰクラッ
ド層２３は、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ被酸化層２２の保護膜と
して形成されている。
接続領域では、図５に示すように、光変調器１０のｎ−
ＩｎＰクラッド層１４、ＡｌＧａＩｎＡｓ系ＭＱＷ１
６、ＧａＩｎＡｓＰ光閉じ込め層１８、ｐ−ＩｎＰクラ
ッド層２０、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ被酸化層２２、及びｐ−
ＩｎＰクラッド層２３と、半導体レーザ素子４０のｎ−
ＩｎＰクラッド層４４、ＧａＩｎＡｓＰ系多重量子井戸
（ＭＱＷ）４６、回折格子が形成されているＧａＩｎＡ
ｓＰ層４８、及びｐ−ＩｎＰクラッド層５０とが、それ
ぞれ、突き合わせ接続している。尚、ｐ−ＩｎＰクラッ
ド層２３は、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ被酸化層２２の保護膜と
して形成されている。
【００３０】半導体光素子の作製方法の実施形態例２ 本実施形態例は、第２の発明方法に係る半導体光素子の
作製方法を上述の半導体光素子３６の作製に適用した実
施形態の一例であって、図６（ａ）から（ｃ）、図７
（ｄ）から（ｆ）、及び図８（ｇ）と（ｈ）は、それぞ
れ、本実施形態例の方法に従って半導体光素子を作製す
る際の工程毎の断面図である。 （１）ＤＦＢ−ＬＤ構造の形成工程 図６（ａ）に示すように、既知の方法によって、ｎ−Ｉ
ｎＰ基板１２の全面にＧａＩｎＡｓＰ系分布帰還型半導
体レーザ素子４０（以下、ＤＦＢ−ＬＤ４０と言う）の
積層構造を形成する。先ず、膜厚１００ｎｍでキャリア
濃度が５×１０17ｃｍ-3のｎ−ＩｎＰクラッド層４４、
λｇ＝１．５５μｍのＧａＩｎＡｓＰ系多重量子井戸
（ＭＱＷ）４６及び膜厚が１０ｎｍでλｇ＝１．２μｍ
のＧａＩｎＡｓＰ層４８からなる導波層をエピタキシャ
ル成長させる。次いで、既知の方法によってＧａＩｎＡ
ｓＰ層４８に回折格子を形成する。更に、膜厚が２００
ｎｍでキャリア濃度が５×１０17ｃｍ-3のｐ−ＩｎＰク
ラッド層５０をエピタキシャル成長させる。
作製方法を上述の半導体光素子３６の作製に適用した実
施形態の一例であって、図６（ａ）から（ｃ）、図７
（ｄ）から（ｆ）、及び図８（ｇ）と（ｈ）は、それぞ
れ、本実施形態例の方法に従って半導体光素子を作製す
る際の工程毎の断面図である。 （１）ＤＦＢ−ＬＤ構造の形成工程 図６（ａ）に示すように、既知の方法によって、ｎ−Ｉ
ｎＰ基板１２の全面にＧａＩｎＡｓＰ系分布帰還型半導
体レーザ素子４０（以下、ＤＦＢ−ＬＤ４０と言う）の
積層構造を形成する。先ず、膜厚１００ｎｍでキャリア
濃度が５×１０17ｃｍ-3のｎ−ＩｎＰクラッド層４４、
λｇ＝１．５５μｍのＧａＩｎＡｓＰ系多重量子井戸
（ＭＱＷ）４６及び膜厚が１０ｎｍでλｇ＝１．２μｍ
のＧａＩｎＡｓＰ層４８からなる導波層をエピタキシャ
ル成長させる。次いで、既知の方法によってＧａＩｎＡ
ｓＰ層４８に回折格子を形成する。更に、膜厚が２００
ｎｍでキャリア濃度が５×１０17ｃｍ-3のｐ−ＩｎＰク
ラッド層５０をエピタキシャル成長させる。
【００３１】次に、光変調器１０領域、及びＤＦＢ−Ｌ
Ｄ４０領域の全域上にＳｉＮ膜を成膜し、続いてパター
ニングして、図６（ｂ）に示すように、ＤＦＢ−ＬＤ４
０領域の電流注入領域のみを覆うマスク５１を成膜す
る。次いで、ＳｉＮ膜のマスク５１を使って、エッチン
グして、ＤＦＢ−ＬＤ領域のｐ−ＩｎＰクラッド層５
０、ＧａＩｎＡｓＰ層４８、ＭＱＷ４６、及びｎ−Ｉｎ
Ｐクラッド層１４の上部をストライプ状リッジに加工す
る。続いて、ＳｉＮ膜のマスク５１を選択成長法のマス
クとして使って、リッジの両側に膜厚５００ｎｍでキャ
リア濃度が１×１０18ｃｍ-3のｐ−ＩｎＰブロッキング
層５２及び膜厚が５００ｎｍでキャリア濃度が１×１０
18ｃｍ-3のｎ−ＩｎＰブロッキング層５４を選択成長さ
せ、リッジを埋め込むと共にＤＦＢ−ＬＤ４０の電流狭
窄領域を形成する。
Ｄ４０領域の全域上にＳｉＮ膜を成膜し、続いてパター
ニングして、図６（ｂ）に示すように、ＤＦＢ−ＬＤ４
０領域の電流注入領域のみを覆うマスク５１を成膜す
る。次いで、ＳｉＮ膜のマスク５１を使って、エッチン
グして、ＤＦＢ−ＬＤ領域のｐ−ＩｎＰクラッド層５
０、ＧａＩｎＡｓＰ層４８、ＭＱＷ４６、及びｎ−Ｉｎ
Ｐクラッド層１４の上部をストライプ状リッジに加工す
る。続いて、ＳｉＮ膜のマスク５１を選択成長法のマス
クとして使って、リッジの両側に膜厚５００ｎｍでキャ
リア濃度が１×１０18ｃｍ-3のｐ−ＩｎＰブロッキング
層５２及び膜厚が５００ｎｍでキャリア濃度が１×１０
18ｃｍ-3のｎ−ＩｎＰブロッキング層５４を選択成長さ
せ、リッジを埋め込むと共にＤＦＢ−ＬＤ４０の電流狭
窄領域を形成する。
【００３２】以上の工程を経ることにより、ＤＦＢ−Ｌ
Ｄ４０領域では、図６（ｂ）に示す積層構造が形成さ
れ、光変調器１０領域及び接続領域では、ＤＦＢ−ＬＤ
４０領域のストライプ状リッジの長手方向に見て、図６
（ｃ）に示す積層構造ガ形成される。
Ｄ４０領域では、図６（ｂ）に示す積層構造が形成さ
れ、光変調器１０領域及び接続領域では、ＤＦＢ−ＬＤ
４０領域のストライプ状リッジの長手方向に見て、図６
（ｃ）に示す積層構造ガ形成される。
【００３３】（２）ＡｌＧａＩｎＡｓ系光変調器構造の
形成工程 先ず、マスク５１を除去し、次いで図７（ｄ）に示すよ
うに、ＤＦＢ−ＬＤ４０領域のみにＳｉＮ膜からなるマ
スク５５を形成する。次いで、光変調器１０領域に形成
されている図６（ｃ）に示す積層構造をＩｎＰ基板１２
までエッチングして、ＩｎＰ基板１２を露出させる。続
いて、図７（ｅ）に示すように、膜厚が１００ｎｍでキ
ャリア濃度が５×１０17ｃｍ-3のｎ−ＩｎＰクラッド層
１４、λｇ＝１．５２μｍのＡｌＧａＩｎＡｓ系ＭＱＷ
１６、膜厚が１０ｎｍでλｇ＝１．２μｍのＧａＩｎＡ
ｓＰ光閉じ込め層１８、膜厚が５０ｎｍでキャリア濃度
が５×１０17ｃｍ-3のｐ−ＩｎＰクラッド層２０、膜厚
が１００ｎｍで１×１０18ｃｍ-3のｐ−ＡｌＩｎＡｓ被
酸化層２２、及び膜厚１０ｎｍで１×１０18ｃｍ-3のｐ
−ＩｎＰクラッド層２３をエピタキシャル成長させる。
尚、ｐ−ＩｎＰクラッド層２３は、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ被
酸化層２２の保護膜として機能する。
形成工程 先ず、マスク５１を除去し、次いで図７（ｄ）に示すよ
うに、ＤＦＢ−ＬＤ４０領域のみにＳｉＮ膜からなるマ
スク５５を形成する。次いで、光変調器１０領域に形成
されている図６（ｃ）に示す積層構造をＩｎＰ基板１２
までエッチングして、ＩｎＰ基板１２を露出させる。続
いて、図７（ｅ）に示すように、膜厚が１００ｎｍでキ
ャリア濃度が５×１０17ｃｍ-3のｎ−ＩｎＰクラッド層
１４、λｇ＝１．５２μｍのＡｌＧａＩｎＡｓ系ＭＱＷ
１６、膜厚が１０ｎｍでλｇ＝１．２μｍのＧａＩｎＡ
ｓＰ光閉じ込め層１８、膜厚が５０ｎｍでキャリア濃度
が５×１０17ｃｍ-3のｐ−ＩｎＰクラッド層２０、膜厚
が１００ｎｍで１×１０18ｃｍ-3のｐ−ＡｌＩｎＡｓ被
酸化層２２、及び膜厚１０ｎｍで１×１０18ｃｍ-3のｐ
−ＩｎＰクラッド層２３をエピタキシャル成長させる。
尚、ｐ−ＩｎＰクラッド層２３は、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ被
酸化層２２の保護膜として機能する。
【００３４】ＭＱＷ１６の障壁層及びｐ−ＡｌＩｎＡｓ
層３８をエピタキシャル成長させる際には、５ｍｏｌ％
から５０ｍｏｌ％の添加率でＣＢｒ4 ガスを原料ガス中
に添加する。Ａｌ系化合物半導体層の選択成長の際、多
結晶がＳｉＮマスク上に生成するために、良質のＡｌ系
化合物半導体層を成長させることが難しい。そこで、エ
ッチャントとしてＣＢｒ4 ガスを原料ガス中に添加し、
ＳｉＮマスク上に生成する多結晶をエッチングして除去
することにより、良好な膜質のＡｌ系化合物半導体層を
選択成長させることができる。また、ＭＱＷ１６の障壁
層の成長の際にＣＢｒ4 を添加することにより、Ｃが障
壁層にドーピングされるため、変調ドープ構造を容易に
形成することができる。尚、エッチャントとして、Ｃを
含まないエッチャント、例えばＨＣｌを添加すると、Ｃ
の混入がないので、井戸層の成長の際にも、多結晶の生
成防止のために、エッチャントを用いることもできる。
層３８をエピタキシャル成長させる際には、５ｍｏｌ％
から５０ｍｏｌ％の添加率でＣＢｒ4 ガスを原料ガス中
に添加する。Ａｌ系化合物半導体層の選択成長の際、多
結晶がＳｉＮマスク上に生成するために、良質のＡｌ系
化合物半導体層を成長させることが難しい。そこで、エ
ッチャントとしてＣＢｒ4 ガスを原料ガス中に添加し、
ＳｉＮマスク上に生成する多結晶をエッチングして除去
することにより、良好な膜質のＡｌ系化合物半導体層を
選択成長させることができる。また、ＭＱＷ１６の障壁
層の成長の際にＣＢｒ4 を添加することにより、Ｃが障
壁層にドーピングされるため、変調ドープ構造を容易に
形成することができる。尚、エッチャントとして、Ｃを
含まないエッチャント、例えばＨＣｌを添加すると、Ｃ
の混入がないので、井戸層の成長の際にも、多結晶の生
成防止のために、エッチャントを用いることもできる。
【００３５】以上の工程を経ることにより、ＤＦＢ−Ｌ
Ｄ４０領域では、図７（ｄ）に示す積層構造が維持さ
れ、光変調器１０領域では、図７（ｅ）に示す積層構造
が形成され、ＤＦＢ−ＬＤ４０領域と光変調器１０領域
との接続領域では、ＤＦＢ−ＬＤ４０領域のストライプ
状リッジの長手方向に見て図７（ｆ）に示す積層構造が
形成される。
Ｄ４０領域では、図７（ｄ）に示す積層構造が維持さ
れ、光変調器１０領域では、図７（ｅ）に示す積層構造
が形成され、ＤＦＢ−ＬＤ４０領域と光変調器１０領域
との接続領域では、ＤＦＢ−ＬＤ４０領域のストライプ
状リッジの長手方向に見て図７（ｆ）に示す積層構造が
形成される。
【００３６】（３）ｐ−ＩｎＰクラッド層及びＧａＩｎ
Ａｓコンタクト層の成膜 次いで、ＤＦＢ−ＬＤ４０領域からＳｉＮマスク５５を
除去し、基板全面に膜厚が２０００ｎｍで、キャリア濃
度が１×１０18ｃｍ-3のｐ−ＩｎＰクラッド層２４（５
６）、及び、膜厚が３００ｎｍで、キャリア濃度が１×
１０19ｍ-3のｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２６（５
８）をエピタキシャル成長させる。
Ａｓコンタクト層の成膜 次いで、ＤＦＢ−ＬＤ４０領域からＳｉＮマスク５５を
除去し、基板全面に膜厚が２０００ｎｍで、キャリア濃
度が１×１０18ｃｍ-3のｐ−ＩｎＰクラッド層２４（５
６）、及び、膜厚が３００ｎｍで、キャリア濃度が１×
１０19ｍ-3のｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２６（５
８）をエピタキシャル成長させる。
【００３７】以上の工程を経ることにより、ＤＦＢ−Ｌ
Ｄ領域では、図８（ｇ）に示す積層構造が形成され、光
変調器１０領域では、図２（ａ）に示す積層構造が形成
され、ＤＦＢ−ＬＤ４０領域と光変調器１０領域との接
続領域では、ＤＦＢ−ＬＤ４０領域のストライプ状リッ
ジの長手方向に見て、図８（ｈ）に示す積層構造が形成
される。
Ｄ領域では、図８（ｇ）に示す積層構造が形成され、光
変調器１０領域では、図２（ａ）に示す積層構造が形成
され、ＤＦＢ−ＬＤ４０領域と光変調器１０領域との接
続領域では、ＤＦＢ−ＬＤ４０領域のストライプ状リッ
ジの長手方向に見て、図８（ｈ）に示す積層構造が形成
される。
【００３８】（４）光変調器領域に酸化狭窄領域の形成 次に、ＤＦＢ−ＬＤ４０領域全面及び光変調器１０領域
の電流注入領域を覆うマスク（図示せず）を形成し、光
変調器１０領域のｐ−ＡｌＩｎＡｓ被酸化層２２、ｐ−
ＩｎＰクラッド層２４、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタク
ト層２６をエッチングして、ＤＦＢ−ＬＤ４０領域の電
流注入領域の延長線上に、図２（ｂ）に示すように、幅
１０μｍのストライプ状リッジ状に形成すると共にｐ−
ＩｎＰクラッド層２０を露出させる。次いで、酸化処理
を施して、光変調器１０領域のリッジの両側面からそれ
ぞれ内方にｐ−ＡｌＩｎＡｓ層２２中のＡｌを選択的に
酸化して、図２（ｂ）に示すように、幅３．５μｍのＡ
ｌ酸化層２８をリッジの両側面に生成すると共にリッジ
中央部に未酸化のｐ−ＡｌＩｎＡｓ被酸化層２２を残存
させる。次いで、光変調器１０のｐ−ＩｎＰ層２０上及
びリッジに沿ってＳｉＮ膜３０を成膜し、続いてリッジ
上のＳｉＮ膜４６を除去して窓を開け、ｐ−ＧａＩｎＡ
ｓ層２６を露出させる。
の電流注入領域を覆うマスク（図示せず）を形成し、光
変調器１０領域のｐ−ＡｌＩｎＡｓ被酸化層２２、ｐ−
ＩｎＰクラッド層２４、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタク
ト層２６をエッチングして、ＤＦＢ−ＬＤ４０領域の電
流注入領域の延長線上に、図２（ｂ）に示すように、幅
１０μｍのストライプ状リッジ状に形成すると共にｐ−
ＩｎＰクラッド層２０を露出させる。次いで、酸化処理
を施して、光変調器１０領域のリッジの両側面からそれ
ぞれ内方にｐ−ＡｌＩｎＡｓ層２２中のＡｌを選択的に
酸化して、図２（ｂ）に示すように、幅３．５μｍのＡ
ｌ酸化層２８をリッジの両側面に生成すると共にリッジ
中央部に未酸化のｐ−ＡｌＩｎＡｓ被酸化層２２を残存
させる。次いで、光変調器１０のｐ−ＩｎＰ層２０上及
びリッジに沿ってＳｉＮ膜３０を成膜し、続いてリッジ
上のＳｉＮ膜４６を除去して窓を開け、ｐ−ＧａＩｎＡ
ｓ層２６を露出させる。
【００３９】（５）電極形成 次に、相互に離間させるようにして、ＤＦＢ−ＬＤ４０
領域及び光変調器１０領域上に、図４及び図１に示すよ
うに、それぞれ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層金属膜からな
るｐ側電極６０、及びｐ側電極３２を形成し、ＩｎＰ基
板１２の裏面にＡｕＧｅＮｉ／Ａｕからなる共通のｎ側
電極３４を形成する。
領域及び光変調器１０領域上に、図４及び図１に示すよ
うに、それぞれ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層金属膜からな
るｐ側電極６０、及びｐ側電極３２を形成し、ＩｎＰ基
板１２の裏面にＡｕＧｅＮｉ／Ａｕからなる共通のｎ側
電極３４を形成する。
【００４０】尚、先ず、ＡｌＧａＩｎＡｓ系光変調器構
造を形成し、次いで、ＧａＩｎＡｓＰ系ＤＦＢ−ＬＤ構
造を再成長で形成する方法もある。この場合、ＳｉＮ膜
等の成長防止マスク上に多結晶の析出は見られないもの
の、ＤＦＢ−ＬＤの活性層が再成長層となるため、マス
クエッジ付近での量子井戸特性が、マスクの影響の無い
領域と異なってしまうため、デバイスとしての特性の劣
化を招く。従って、実施形態例２の半導体光素子の作製
では、ＡｌＧａＩｎＡｓ系光変調器を２回目の成長工程
で形成する方が好ましい。そして、その際、ＣＢｒ4 等
のエッチャントの添加は、非常に効果的である。
造を形成し、次いで、ＧａＩｎＡｓＰ系ＤＦＢ−ＬＤ構
造を再成長で形成する方法もある。この場合、ＳｉＮ膜
等の成長防止マスク上に多結晶の析出は見られないもの
の、ＤＦＢ−ＬＤの活性層が再成長層となるため、マス
クエッジ付近での量子井戸特性が、マスクの影響の無い
領域と異なってしまうため、デバイスとしての特性の劣
化を招く。従って、実施形態例２の半導体光素子の作製
では、ＡｌＧａＩｎＡｓ系光変調器を２回目の成長工程
で形成する方が好ましい。そして、その際、ＣＢｒ4 等
のエッチャントの添加は、非常に効果的である。
【００４１】本実施形態例の方法で作製した半導体光素
子３６では、ＤＦＢ−ＬＤ４０は、通常の作製プロセス
に従って作製されているので、通常のＤＦＢ−ＬＤと同
じレーザ特性が得られている。そして、光変調器１０
は、前述のように優れた特性を備えている。
子３６では、ＤＦＢ−ＬＤ４０は、通常の作製プロセス
に従って作製されているので、通常のＤＦＢ−ＬＤと同
じレーザ特性が得られている。そして、光変調器１０
は、前述のように優れた特性を備えている。
【００４２】半導体光素子の実施形態例２ 本実施形態例は、第２の発明に係る半導体光素子を光変
調器付き半導体レーザ素子に適用した実施形態の別の例
であって、図９は本実施形態例の半導体光素子の構成を
示す平面図、図１０は本実施形態例の半導体光素子の半
導体レーザ素子の構成を示す断面図、図１１は本実施形
態例の半導体光素子の光変調器の構成を示す断面図、及
び図１２は半導体レーザ素子と光変調器との接続領域の
構成を示す断面図である。本実施形態例の半導体光素子
６６は、図９に示すように、実施形態例１の半導体光素
子と同様に、半導体レーザ素子７０と光変調器１００と
を一つの共通基板上に集積した半導体光素子であって、
半導体光素子７０の各層と光変調器１００の各層は、選
択領域成長で、膜厚組成を変化させたものであり、同一
のものである。
調器付き半導体レーザ素子に適用した実施形態の別の例
であって、図９は本実施形態例の半導体光素子の構成を
示す平面図、図１０は本実施形態例の半導体光素子の半
導体レーザ素子の構成を示す断面図、図１１は本実施形
態例の半導体光素子の光変調器の構成を示す断面図、及
び図１２は半導体レーザ素子と光変調器との接続領域の
構成を示す断面図である。本実施形態例の半導体光素子
６６は、図９に示すように、実施形態例１の半導体光素
子と同様に、半導体レーザ素子７０と光変調器１００と
を一つの共通基板上に集積した半導体光素子であって、
半導体光素子７０の各層と光変調器１００の各層は、選
択領域成長で、膜厚組成を変化させたものであり、同一
のものである。
【００４３】半導体レーザ素子７０は、リッジ導波路型
のＤＦＢ−ＬＤであって、図１０に示すように、ｎ−Ｉ
ｎＰ基板７２上に、順次、エピタキシャル成長した、ｎ
−ＩｎＰクラッド層７４、ＡｌＧａＩｎＡｓ系ＭＱＷ７
６、回折格子が形成されたＧａＩｎＡｓＰ層７８、ｐ−
ＩｎＰクラッド層８０、ｐ−ＩｎＰクラッド層８１、ｐ
−ＡｌＩｎＡｓ被酸化層８２、ｐ−ＩｎＰクラッド層８
４、及び、ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層８６からなる
ＡｌＧａＩｎＡｓ系積層構造を備えている。
のＤＦＢ−ＬＤであって、図１０に示すように、ｎ−Ｉ
ｎＰ基板７２上に、順次、エピタキシャル成長した、ｎ
−ＩｎＰクラッド層７４、ＡｌＧａＩｎＡｓ系ＭＱＷ７
６、回折格子が形成されたＧａＩｎＡｓＰ層７８、ｐ−
ＩｎＰクラッド層８０、ｐ−ＩｎＰクラッド層８１、ｐ
−ＡｌＩｎＡｓ被酸化層８２、ｐ−ＩｎＰクラッド層８
４、及び、ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層８６からなる
ＡｌＧａＩｎＡｓ系積層構造を備えている。
【００４４】ｎ−ＩｎＰクラッド層７４は、膜厚が１０
０ｎｍ、キャリア濃度が５×１０17ｃｍ-3であり、ＭＱ
Ｗ７６は、発光波長が１．５５μｍであり、ＧａＩｎＡ
ｓＰ層７８は、膜厚が８ｎｍ、λｇが１．２μｍであ
り、ｐ−ＩｎＰクラッド層８０及びｐ−ＩｎＰクラッド
層８１は、それぞれ、膜厚が１００ｎｍ、キャリア濃度
が５×１０17ｃｍ-3であり、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ被酸化層
８２は、膜厚が１００ｎｍ、キャリア濃度が１×１０18
ｃｍ-3であり、ｐ−ＩｎＰクラッド層８４は、膜厚が２
０００ｎｍ、キャリア濃度が１×１０18ｃｍ-3であり、
ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２６は膜厚が３００ｎ
ｍ、キャリア濃度が１×１０19ｃｍ-3である。
０ｎｍ、キャリア濃度が５×１０17ｃｍ-3であり、ＭＱ
Ｗ７６は、発光波長が１．５５μｍであり、ＧａＩｎＡ
ｓＰ層７８は、膜厚が８ｎｍ、λｇが１．２μｍであ
り、ｐ−ＩｎＰクラッド層８０及びｐ−ＩｎＰクラッド
層８１は、それぞれ、膜厚が１００ｎｍ、キャリア濃度
が５×１０17ｃｍ-3であり、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ被酸化層
８２は、膜厚が１００ｎｍ、キャリア濃度が１×１０18
ｃｍ-3であり、ｐ−ＩｎＰクラッド層８４は、膜厚が２
０００ｎｍ、キャリア濃度が１×１０18ｃｍ-3であり、
ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２６は膜厚が３００ｎ
ｍ、キャリア濃度が１×１０19ｃｍ-3である。
【００４５】ｎ−ＩｎＰ基板７２上の積層構造、即ち、
ｎ−ＩｎＰクラッド層７４、ＭＱＷ７６、回折格子が形
成されたＧａＩｎＡｓＰ層７８、ｐ−ＩｎＰクラッド層
８０、ｐ−ＩｎＰクラッド層８１、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ被
酸化層８２、ｐ−ＩｎＰクラッド層８４、及び、ｐ−Ｇ
ａＩｎＡｓコンタクト層８６は、幅１０μｍのストライ
プ状リッジ状に形成されている。ｐ−ＡｌＩｎＡｓ被酸
化層８２の両側には、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ被酸化層８２中
のＡｌを選択的に酸化してなるＡｌ酸化層８８がｐ−Ａ
ｌＩｎＡｓ層８２の縁からリッジ側面まで３．５μｍの
幅で延在している。
ｎ−ＩｎＰクラッド層７４、ＭＱＷ７６、回折格子が形
成されたＧａＩｎＡｓＰ層７８、ｐ−ＩｎＰクラッド層
８０、ｐ−ＩｎＰクラッド層８１、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ被
酸化層８２、ｐ−ＩｎＰクラッド層８４、及び、ｐ−Ｇ
ａＩｎＡｓコンタクト層８６は、幅１０μｍのストライ
プ状リッジ状に形成されている。ｐ−ＡｌＩｎＡｓ被酸
化層８２の両側には、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ被酸化層８２中
のＡｌを選択的に酸化してなるＡｌ酸化層８８がｐ−Ａ
ｌＩｎＡｓ層８２の縁からリッジ側面まで３．５μｍの
幅で延在している。
【００４６】リッジを含む積層構造上には、リッジ上部
を除いてＳｉＮ膜９０が絶縁膜兼保護膜として成膜され
ている。リッジ上部のＳｉＮ膜９０の窓を介してｐ−Ｇ
ａＩｎＡｓ層８６上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層金属膜か
らなるｐ側電極９２、及びＩｎＰ基板７２の裏面にＡｕ
ＧｅＮｉ／Ａｕからなるｎ側電極９４が形成されてい
る。
を除いてＳｉＮ膜９０が絶縁膜兼保護膜として成膜され
ている。リッジ上部のＳｉＮ膜９０の窓を介してｐ−Ｇ
ａＩｎＡｓ層８６上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層金属膜か
らなるｐ側電極９２、及びＩｎＰ基板７２の裏面にＡｕ
ＧｅＮｉ／Ａｕからなるｎ側電極９４が形成されてい
る。
【００４７】光変調器１００は、図１１に示すように、
半導体レーザ素子７０と共通のｎ−ＩｎＰ基板７２上
に、それぞれ、半導体レーザ素子７０と各層と連続して
いる、ｎ−ＩｎＰクラッド層７４、ＡｌＧａＩｎＡｓ系
ＭＱＷ７６、ＧａＩｎＡｓＰ光閉じ込め層７８、ｐ−Ｉ
ｎＰクラッド層８０、ｐ−ＩｎＰクラッド層８１、ｐ−
ＡｌＩｎＡｓ被酸化層８２、ｐ−ＩｎＰクラッド層８
４、及び、ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層８６からなる
ＡｌＧａＩｎＡｓ系積層構造を備えている。但し、光変
調器１００のｎ−ＩｎＰクラッド層７４、ＭＱＷ７６、
ＧａＩｎＡｓＰ層７８、及びｐ−ＩｎＰクラッド層８０
は、キャリア濃度が半導体レーザ素子７０のそれぞれの
層と同じであるものの、膜厚は薄く、ｎ−ＩｎＰクラッ
ド層７４、ＧａＩｎＡｓＰ層７８、及びｐ−ＩｎＰクラ
ッド層８０は、それぞれ、８０ｎｍ、、６ｎｍ、及び８
０ｎｍであり、ＧａＩｎＡｓＰ層７８には、回折格子が
形成されていない。また、ＭＱＷは、λｇが１．５２μ
ｍとなるように制御している。また、ｐ−ＩｎＰクラッ
ド層８１、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ被酸化層８２、ｐ−ＩｎＰ
クラッド層８４、及び、ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層
８６は、膜厚及びキャリア濃度とも、半導体レーザ素子
７０と同じである。
半導体レーザ素子７０と共通のｎ−ＩｎＰ基板７２上
に、それぞれ、半導体レーザ素子７０と各層と連続して
いる、ｎ−ＩｎＰクラッド層７４、ＡｌＧａＩｎＡｓ系
ＭＱＷ７６、ＧａＩｎＡｓＰ光閉じ込め層７８、ｐ−Ｉ
ｎＰクラッド層８０、ｐ−ＩｎＰクラッド層８１、ｐ−
ＡｌＩｎＡｓ被酸化層８２、ｐ−ＩｎＰクラッド層８
４、及び、ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層８６からなる
ＡｌＧａＩｎＡｓ系積層構造を備えている。但し、光変
調器１００のｎ−ＩｎＰクラッド層７４、ＭＱＷ７６、
ＧａＩｎＡｓＰ層７８、及びｐ−ＩｎＰクラッド層８０
は、キャリア濃度が半導体レーザ素子７０のそれぞれの
層と同じであるものの、膜厚は薄く、ｎ−ＩｎＰクラッ
ド層７４、ＧａＩｎＡｓＰ層７８、及びｐ−ＩｎＰクラ
ッド層８０は、それぞれ、８０ｎｍ、、６ｎｍ、及び８
０ｎｍであり、ＧａＩｎＡｓＰ層７８には、回折格子が
形成されていない。また、ＭＱＷは、λｇが１．５２μ
ｍとなるように制御している。また、ｐ−ＩｎＰクラッ
ド層８１、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ被酸化層８２、ｐ−ＩｎＰ
クラッド層８４、及び、ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層
８６は、膜厚及びキャリア濃度とも、半導体レーザ素子
７０と同じである。
【００４８】光変調器１００では、ｎ−ＩｎＰ基板７２
上の積層構造は、半導体レーザ素子７０と同様に、半導
体レーザ素子７０のストライプ状リッジに連続して、幅
１０μｍのストライプ状リッジ状に形成されている。ま
た、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ被酸化層８２の両側には、ｐ−Ａ
ｌＩｎＡｓ被酸化層８２中のＡｌを選択的に酸化してな
るＡｌ酸化層８８がｐ−ＡｌＩｎＡｓ被酸化層８２の縁
からリッジ側面まで３．５μｍの幅で延在している。リ
ッジを含む積層構造上には、リッジ上部を除いてＳｉＮ
膜９０が絶縁膜兼保護膜として成膜されている。リッジ
上部のＳｉＮ膜９０の窓を介してｐ−ＧａＩｎＡｓコン
タクト層８６上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層金属膜からな
るｐ側電極１０２、及びＩｎＰ基板７２の裏面にＡｕＧ
ｅＮｉ／Ａｕからなるｎ側電極９４が形成されている。
上の積層構造は、半導体レーザ素子７０と同様に、半導
体レーザ素子７０のストライプ状リッジに連続して、幅
１０μｍのストライプ状リッジ状に形成されている。ま
た、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ被酸化層８２の両側には、ｐ−Ａ
ｌＩｎＡｓ被酸化層８２中のＡｌを選択的に酸化してな
るＡｌ酸化層８８がｐ−ＡｌＩｎＡｓ被酸化層８２の縁
からリッジ側面まで３．５μｍの幅で延在している。リ
ッジを含む積層構造上には、リッジ上部を除いてＳｉＮ
膜９０が絶縁膜兼保護膜として成膜されている。リッジ
上部のＳｉＮ膜９０の窓を介してｐ−ＧａＩｎＡｓコン
タクト層８６上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層金属膜からな
るｐ側電極１０２、及びＩｎＰ基板７２の裏面にＡｕＧ
ｅＮｉ／Ａｕからなるｎ側電極９４が形成されている。
【００４９】本実施形態例の半導体光素子６６では、図
１２に示すように、半導体光素子７０の各層と光変調器
１００の各層は接続領域で相互に連続している。
１２に示すように、半導体光素子７０の各層と光変調器
１００の各層は接続領域で相互に連続している。
【００５０】半導体光素子の作製方法の実施形態例２ 本実施形態例は、第３の発明に係る半導体光素子の作製
方法を上述の実施形態例２の半導体光素子６６の作製に
適用した実施形態の一例であって、図１３（ａ）から
（ｄ）及び図１４（ｅ）から（ｇ）は、それぞれ、本実
施形態例の方法に従って半導体光素子を作製する際の工
程毎の断面図である。 （１）マスクの形成 先ず、図１３（ａ）に示すように、ｎ−ＩｎＰ基板７２
の半導体レーザ素子７０の形成領域上に、ＳｉＮ膜で所
定のマスクパターンを有する選択領域成長用マスク７３
を形成する。選択領域成長用マスク７３のマスクパター
ンは、マスク幅Ｗが３０μｍでマスクギャップＧが２０
μｍである。
方法を上述の実施形態例２の半導体光素子６６の作製に
適用した実施形態の一例であって、図１３（ａ）から
（ｄ）及び図１４（ｅ）から（ｇ）は、それぞれ、本実
施形態例の方法に従って半導体光素子を作製する際の工
程毎の断面図である。 （１）マスクの形成 先ず、図１３（ａ）に示すように、ｎ−ＩｎＰ基板７２
の半導体レーザ素子７０の形成領域上に、ＳｉＮ膜で所
定のマスクパターンを有する選択領域成長用マスク７３
を形成する。選択領域成長用マスク７３のマスクパター
ンは、マスク幅Ｗが３０μｍでマスクギャップＧが２０
μｍである。
【００５１】（２）第１の積層構造の形成 次いで、図１３（ａ）に示すように、ＭＯＣＶＤ法によ
り、選択領域成長法によって、基板全面に、キャリア濃
度が５×１０17ｃｍ-3のｎ−ＩｎＰクラッド層７４、Ａ
ｌＧａＩｎＡｓ系ＭＱＷ７６、及び、λｇ＝１．２μｍ
のＧａＩｎＡｓＰ層７８、キャリア濃度が５×１０17ｃ
ｍ-3のｐ−ＩｎＰクラッド層８０をエピタキシャル成長
させる。
り、選択領域成長法によって、基板全面に、キャリア濃
度が５×１０17ｃｍ-3のｎ−ＩｎＰクラッド層７４、Ａ
ｌＧａＩｎＡｓ系ＭＱＷ７６、及び、λｇ＝１．２μｍ
のＧａＩｎＡｓＰ層７８、キャリア濃度が５×１０17ｃ
ｍ-3のｐ−ＩｎＰクラッド層８０をエピタキシャル成長
させる。
【００５２】このとき、各層の膜厚は、選択領域成長用
マスク７３の影響のない光変調器１００領域では、ｎ−
ＩｎＰクラッド層７４で４０ｎｍ、ＧａＩｎＡｓＰ層７
８で６ｎｍ、ｐ−ＩｎＰクラッド層８０で８ｎｍとす
る。半導体レーザ素子７０では、選択領域成長用マスク
７３のマスク効果によって、ｎ−ＩｎＰクラッド層７４
で５０ｎｍ、ＧａＩｎＡｓＰ層７８で８ｎｍ、ｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層８０で１０ｎｍとなる。また、ＭＱＷ７６
は、光変調器１００領域ではλg ＝１．５２μｍとな
り、一方、半導体レーザ素子７０領域ではλg ＝１．５
５μｍとなる。尚、Ａｌ系の化合物半導体層、つまりＭ
ＱＷ７６の障壁層をエピタキシャル成長させる際には、
原料ガスにエッチャントとしてＣＢｒ4 ガスを添加す
る。次いで、選択領域成長用マスク７３を除去して、半
導体レーザ素子７０領域のＧａＩｎＡｓＰ層７８に既知
の方法によって、回折格子を形成する。
マスク７３の影響のない光変調器１００領域では、ｎ−
ＩｎＰクラッド層７４で４０ｎｍ、ＧａＩｎＡｓＰ層７
８で６ｎｍ、ｐ−ＩｎＰクラッド層８０で８ｎｍとす
る。半導体レーザ素子７０では、選択領域成長用マスク
７３のマスク効果によって、ｎ−ＩｎＰクラッド層７４
で５０ｎｍ、ＧａＩｎＡｓＰ層７８で８ｎｍ、ｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層８０で１０ｎｍとなる。また、ＭＱＷ７６
は、光変調器１００領域ではλg ＝１．５２μｍとな
り、一方、半導体レーザ素子７０領域ではλg ＝１．５
５μｍとなる。尚、Ａｌ系の化合物半導体層、つまりＭ
ＱＷ７６の障壁層をエピタキシャル成長させる際には、
原料ガスにエッチャントとしてＣＢｒ4 ガスを添加す
る。次いで、選択領域成長用マスク７３を除去して、半
導体レーザ素子７０領域のＧａＩｎＡｓＰ層７８に既知
の方法によって、回折格子を形成する。
【００５３】この結果、半導体レーザ１００領域では、
図１３（ｃ）に示す積層構造が、また接続領域では図１
３（ｄ）に示す積層構造が、それぞれ、形成される。
図１３（ｃ）に示す積層構造が、また接続領域では図１
３（ｄ）に示す積層構造が、それぞれ、形成される。
【００５４】（３）第２の積層構造の形成 基板全面に、ｐ−ＩｎＰ膜厚が１００ｎｍでキャリア濃
度が５×１０17ｃｍ-3のｐ−ＩｎＰクラッド層８１、膜
厚が１００ｎｍでキャリア濃度が１×１０18ｃｍ-3のｐ
−ＡｌＩｎＡｓ被酸化層８２、膜厚が２０００ｎｍで、
キャリア濃度が１×１０18ｃｍ-3のｐ−ＩｎＰクラッド
層８４、及び膜厚が３００ｎｍで、キャリア濃度が１×
１０19ｃｍ-3のｐ−ＧａＩｎＡｓＰコンタクト層８６を
エピタキシャル成長させる。これにより、半導体レーザ
素子７０領域では、図１４（ｅ）に示す積層構造が、光
変調器１００領域では、図１４（ｆ）に示す積層構造
が、光の進行方向の断面では、図１４（ｇ）に示す積層
構造が、それぞれ、形成される。
度が５×１０17ｃｍ-3のｐ−ＩｎＰクラッド層８１、膜
厚が１００ｎｍでキャリア濃度が１×１０18ｃｍ-3のｐ
−ＡｌＩｎＡｓ被酸化層８２、膜厚が２０００ｎｍで、
キャリア濃度が１×１０18ｃｍ-3のｐ−ＩｎＰクラッド
層８４、及び膜厚が３００ｎｍで、キャリア濃度が１×
１０19ｃｍ-3のｐ−ＧａＩｎＡｓＰコンタクト層８６を
エピタキシャル成長させる。これにより、半導体レーザ
素子７０領域では、図１４（ｅ）に示す積層構造が、光
変調器１００領域では、図１４（ｆ）に示す積層構造
が、光の進行方向の断面では、図１４（ｇ）に示す積層
構造が、それぞれ、形成される。
【００５５】（４）ＤＦＢ−ＬＤ領域及び光変調器領域
にリッジの形成 半導体レーザ素子７０領域及び光変調器１００領域のｎ
−ＩｎＰ基板７２上の積層構造、即ちｐ−ＧａＩｎＡｓ
Ｐコンタクト層８６、ｐ−ＩｎＰクラッド層８４、ｐ−
ＡｌＩｎＡｓ被酸化層８２、ｐ−ＩｎＰクラッド層８
１、ｐ−ＩｎＰクラッド層８０、ＧａＩｎＡｓＰ層７
８、ＭＱＷ７６、及びｎ−ＩｎＰクラッド層７４をエッ
チングして、幅１０μｍのストライプ状リッジを、それ
ぞれ、半導体レーザ素子７０領域及び変調器１００領域
の同一ストライプ上に形成する。
にリッジの形成 半導体レーザ素子７０領域及び光変調器１００領域のｎ
−ＩｎＰ基板７２上の積層構造、即ちｐ−ＧａＩｎＡｓ
Ｐコンタクト層８６、ｐ−ＩｎＰクラッド層８４、ｐ−
ＡｌＩｎＡｓ被酸化層８２、ｐ−ＩｎＰクラッド層８
１、ｐ−ＩｎＰクラッド層８０、ＧａＩｎＡｓＰ層７
８、ＭＱＷ７６、及びｎ−ＩｎＰクラッド層７４をエッ
チングして、幅１０μｍのストライプ状リッジを、それ
ぞれ、半導体レーザ素子７０領域及び変調器１００領域
の同一ストライプ上に形成する。
【００５６】（５）ＤＦＢ−ＬＤ領域及び光変調器領域
に酸化狭窄領域の形成 次いで、半導体レーザ素子７０領域及び光変調器１００
領域のリッジに酸化処理を施して、リッジの両側面から
それぞれ内方にｐ−ＡｌＩｎＡｓ被酸化層８２中のＡｌ
を選択的に酸化して、幅３．５μｍのＡｌ酸化層８８を
リッジの両側面に生成する。次いで、半導体レーザ素子
７０領域及び光変調器１００上にＳｉＮ膜９０を成膜
し、続いてリッジ上のＳｉＮ膜９０を除去して窓を開口
し、それぞれ、ｐ−ＧａＩｎＡｓＰ層８６を露出させ
る。
に酸化狭窄領域の形成 次いで、半導体レーザ素子７０領域及び光変調器１００
領域のリッジに酸化処理を施して、リッジの両側面から
それぞれ内方にｐ−ＡｌＩｎＡｓ被酸化層８２中のＡｌ
を選択的に酸化して、幅３．５μｍのＡｌ酸化層８８を
リッジの両側面に生成する。次いで、半導体レーザ素子
７０領域及び光変調器１００上にＳｉＮ膜９０を成膜
し、続いてリッジ上のＳｉＮ膜９０を除去して窓を開口
し、それぞれ、ｐ−ＧａＩｎＡｓＰ層８６を露出させ
る。
【００５７】（６）電極形成 次に、光導波路６８上の一部を除いて、半導体レーザ素
子７０領域及び光変調器１００領域上に、それぞれ、Ｔ
ｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層金属膜からなるｐ側電極９２及び
１０２を形成し、更に、ＩｎＰ基板７２の裏面にＡｕＧ
ｅＮｉ／Ａｕからなるｎ側電極９４を形成する。これに
より、図１０に示す半導体光素子７０及び図１１に示す
光変調器１００とを図１２に示す光導波路６８で接続し
た半導体光素子６６を作製することができる。
子７０領域及び光変調器１００領域上に、それぞれ、Ｔ
ｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層金属膜からなるｐ側電極９２及び
１０２を形成し、更に、ＩｎＰ基板７２の裏面にＡｕＧ
ｅＮｉ／Ａｕからなるｎ側電極９４を形成する。これに
より、図１０に示す半導体光素子７０及び図１１に示す
光変調器１００とを図１２に示す光導波路６８で接続し
た半導体光素子６６を作製することができる。
【００５８】本実施形態例の方法によれば、実施形態例
１の方法と同様に特性の優れた半導体光素子を容易に作
製することができる。
１の方法と同様に特性の優れた半導体光素子を容易に作
製することができる。
【００５９】
【発明の効果】第１の発明によれば、リッジの両側面に
Ａｌ酸化層からなる電流狭窄層を備えた構造を有するの
で、リッジ内のクラッド層の幅を従来の量子閉じ込めシ
ュタルク効果型光変調器より広くすることができるか
ら、電気抵抗が低くなく、また、Ａｌ酸化層による電流
狭窄構造を備えることにより、リッジ側面荒れの影響が
小さくなり、光の伝搬損失が低減し、従って周波数特性
が良好な光変調器を実現することができる。第２の発明
によれば、第１の発明に係る光変調器と半導体レーザ素
子とを共通基板上に集積させた半導体光素子を実現して
いる。第１の発明方法は本発明に係る光変調器を容易に
作製できる方法を実現し、第２及び第３の発明方法は、
それぞれ、本発明に係る半導体光素子の作製方法を実現
している。
Ａｌ酸化層からなる電流狭窄層を備えた構造を有するの
で、リッジ内のクラッド層の幅を従来の量子閉じ込めシ
ュタルク効果型光変調器より広くすることができるか
ら、電気抵抗が低くなく、また、Ａｌ酸化層による電流
狭窄構造を備えることにより、リッジ側面荒れの影響が
小さくなり、光の伝搬損失が低減し、従って周波数特性
が良好な光変調器を実現することができる。第２の発明
によれば、第１の発明に係る光変調器と半導体レーザ素
子とを共通基板上に集積させた半導体光素子を実現して
いる。第１の発明方法は本発明に係る光変調器を容易に
作製できる方法を実現し、第２及び第３の発明方法は、
それぞれ、本発明に係る半導体光素子の作製方法を実現
している。
【図１】実施形態例の光変調器の構成を示す断面図であ
る。
る。
【図２】図２（ａ）から（ｃ）は実施形態例の方法に従
って光変調器を作製した際の工程毎の断面図である。
って光変調器を作製した際の工程毎の断面図である。
【図３】実施形態例１の半導体光素子の平面的構成を示
す平面図である。
す平面図である。
【図４】実施形態例１の半導体光素子を構成する半導体
レーザ素子の構成を示す断面図である。
レーザ素子の構成を示す断面図である。
【図５】実施形態例１の半導体レーザ素子と光変調器と
の接続領域の構成を示す断面図である。
の接続領域の構成を示す断面図である。
【図６】図６（ａ）から（ｃ）は、それぞれ、実施形態
例１の方法に従って半導体光素子を作製する際の工程毎
の断面図である。
例１の方法に従って半導体光素子を作製する際の工程毎
の断面図である。
【図７】図７（ｄ）から（ｆ）は、それぞれ、図６
（ｃ）に続いて、実施形態例１の方法に従って半導体光
素子を作製する際の工程毎の断面図である。
（ｃ）に続いて、実施形態例１の方法に従って半導体光
素子を作製する際の工程毎の断面図である。
【図８】図８（ｇ）と（ｈ）は、それぞれ、図７（ｆ）
に続いて、実施形態例１の方法に従って半導体光素子を
作製する際の工程毎の断面図である。
に続いて、実施形態例１の方法に従って半導体光素子を
作製する際の工程毎の断面図である。
【図９】実施形態例２の半導体光素子の構成を示す平面
図である。
図である。
【図１０】実施形態例２の半導体光素子の半導体レーザ
素子の構成を示す断面図である。
素子の構成を示す断面図である。
【図１１】実施形態例２の半導体光素子の光変調器の構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図１２】実施形態例２の半導体レーザ素子と光変調器
との接続領域の構成を示す断面図である。
との接続領域の構成を示す断面図である。
【図１３】図１３（ａ）から（ｄ）は、それぞれ、実施
形態例２の方法に従って半導体光素子を作製する際の工
程毎の断面図である。
形態例２の方法に従って半導体光素子を作製する際の工
程毎の断面図である。
【図１４】図１４（ｅ）から（ｇ）は、それぞれ、図１
３（ｄ）に続いて、実施形態例２の方法に従って半導体
光素子を作製する際の工程毎の断面図である。
３（ｄ）に続いて、実施形態例２の方法に従って半導体
光素子を作製する際の工程毎の断面図である。
【図１５】従来の量子閉じ込めシュタルク効果型光変調
器の構成を示す斜視図である。
器の構成を示す斜視図である。
１０ 実施形態例の光変調器 １２ ｎ−ＩｎＰ基板 １４ ｎ−ＩｎＰクラッド層 １６ ＡｌＧａＩｎＡｓからなるＭＱＷ １８ ＧａＩｎＡｓＰ光閉じ込め層 ２０ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ２２ ｐ−ＡｌＩｎＡｓ被酸化層 ２４ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ２６ ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層 ２８ Ａｌ酸化層 ３０ ＳｉＮ膜 ３２ ｐ側電極 ３４ ｎ側電極 ３６ 実施形態例１の半導体光素子 ４０ 半導体レーザ素子 ４４ ｎ−ＩｎＰクラッド層 ４６ ＧａＩｎＡｓＰ多重量子井戸（ＭＱＷ） ４８ 回折格子が形成されているＧａＩｎＡｓＰ層 ５０ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ５２ ｐ−ＩｎＰブロッキング層 ５４ ｎ−ＩｎＰブロッキング層 ５６ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ５８ ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層 ６０ ｐ側電極 ６２ ｎ側電極 ６６ 実施形態例の半導体光素子 ７０ 半導体レーザ素子 ７２ ｎ−ＩｎＰ基板 ７４ ｎ−ＩｎＰクラッド層 ７６ ＭＱＷ ７８ 回折格子が形成されているＧａＩｎＡｓＰ層 ８０ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ８１ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ８２ ｐ−ＡｌＩｎＡｓ被酸化層 ８４ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ８６ ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層 ８８ Ａｌ酸化層 ９０ ＳｉＮ膜 ９２ ｐ側電極 ９４ ｎ側電極 １００ 光変調器 １０２ ｐ側電極 １１０ 従来の量子閉じ込めシュタルク効果型光変調器 １１２ ｎ−ＩｎＰ基板 １１４ ｎ−ＩｎＰ層 １１６ ｎ−ＡｌＩｎＡｓクラッド層 １１８ ＭＱＷ １２０ ｐ−ＡｌＩｎＡｓクラッド層 １２２ ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層 １２４ ｐ側電極 １２６ ｎ側電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H079 AA02 AA13 BA01 CA05 DA16 EA03 EA07 EB06 HA04 JA07 KA18 5F073 AA07 AA11 AA22 AA74 AB21 CA12 CA15 DA27
Claims (8)
- 【請求項１】 ＡｌＧａＩｎＡｓ系多重量子井戸構造
（以下、ＭＱＷと言う）と、ＭＱＷを挟む相互に異なる
導電型のクラッド層と、ＭＱＷ上又はｐ型クラッド層中
に形成され、Ａｌ酸化層からなる電流狭窄層とを有する
積層構造を化合物半導体基板上に備え、 少なくとも電流狭窄層を含む上部積層構造が、ストライ
プ状リッジとして形成され、 Ａｌ酸化層は、Ａｌを含む被酸化層中のＡｌを選択的に
酸化してなる電流狭窄層としてリッジの両側面から内方
に延在し、かつ、リッジの一方の側面から内方に延びる
Ａｌ酸化層と、リッジの他方の側面から内方に延びるＡ
ｌ酸化層との間には、Ａｌを含む被酸化層が、未酸化の
ままで延在することを特徴とする量子閉じ込めシュタル
ク効果型光変調器。 - 【請求項２】 Ａｌを含む被酸化層が、ＡｌＩｎＡｓ層
であることを特徴とする請求項１に記載の量子閉じ込め
シュタルク効果型光変調器。 - 【請求項３】 ＧａＩｎＡｓＰ系、又はＡｌＧａＩｎＡ
ｓ系半導体レーザ素子と、 光変調器の導波方向が半導体レーザ素子の光出射方向の
延長線上にあるように、半導体レーザ素子と共通のＩｎ
Ｐ基板上に集積された、請求項１又は２に記載の量子閉
じ込めシュタルク効果型光変調器とを備えていることを
特徴とする半導体光素子。 - 【請求項４】 半導体レーザ素子が埋め込みヘテロ構造
（ＢＨ）レーザ素子であって、半導体レーザ素子と光変
調器との接続領域で、半導体レーザ素子を構成する少な
くとも一部の化合物半導体層と光変調器を構成する少な
くとも一部の化合物半導体層とが、突き合わせ接続され
ていることを特徴とする請求項３に記載の半導体光素
子。 - 【請求項５】 半導体レーザ素子がリッジ導波路型レー
ザ素子であって、半導体レーザ素子と光変調器との接続
領域で、半導体レーザ素子を構成する各化合物半導体層
と光変調器を構成する各化合物半導体層とが連続してい
ることを特徴とする請求項３に記載の半導体光素子。 - 【請求項６】 ＩｎＰ基板上に、ＡｌＧａＩｎＡｓ系多
重量子井戸構造（以下、ＭＱＷと言う）、ＭＱＷを挟む
相互に異なる導電型のクラッド層、及びＭＱＷ上にＡｌ
を含む被酸化層を有する積層構造を形成する工程と、 少なくともＡｌを含む被酸化層を含む積層構造をストラ
イプ状リッジに加工する工程と、 リッジ側面から内方に、Ａｌを含む被酸化層中のＡｌを
選択的に酸化して、Ａｌ酸化層を生成すると共にリッジ
中央部にＡｌを含む被酸化層を未酸化のまま残存させる
工程とを有することを特徴とする量子閉じ込めシュタル
ク効果型光変調器の作製方法。 - 【請求項７】 請求項４に記載の半導体光素子の作製方
法であって、 半導体レーザ素子を構成する第１の積層構造をＩｎＰ基
板全面に形成する工程と、 半導体レーザ素子領域の第１の積層構造上に選択成長用
マスクを形成する工程と、 光変調器領域の第１の積層構造を除去してＩｎＰ基板を
露出させる工程と、 請求項６に記載の各工程を実施して、光変調器領域のＩ
ｎＰ基板上に量子閉じ込めシュタルク効果型光変調器の
第２の積層構造を形成する工程とを備え、 かつ、第２の積層構造を形成する工程では、ＭＱＷの井
戸層を除くＡｌ系化合物半導体層を成膜する際、マスク
上に生成する多結晶をエッチングするエッチングガスを
成膜原料ガスに添加することを特徴とする半導体光素子
の作製方法。 - 【請求項８】 請求項５に記載の半導体光素子の作製方
法であって、 半導体レーザ素子領域に選択領域成長用マスクを形成す
る工程と、 選択領域成長法によって、半導体レーザ素子を構成する
積層構造のうちＭＱＷ及びＭＱＷを挟む上下クラッド層
をＩｎＰ基板全面に形成する工程と、 次いで、Ａｌを含む被酸化層、及び少なくとも第２の上
クラッド層を成膜する工程と、 少なくともＡｌを含む被酸化層を含む積層構造をストラ
イプ状リッジに加工する工程と、 リッジ側面から内方に、Ａｌを含む被酸化層中のＡｌを
選択的に酸化して、Ａｌ酸化層を生成すると共にリッジ
中央部にＡｌを含む被酸化層を未酸化のまま残存させる
工程とを備え、選択領域成長工程では、ＭＱＷの井戸層
を除くＡｌ系化合物半導体層を成膜する際、マスク上に
生成する多結晶をエッチングするエッチングガスを成膜
原料ガスに添加することを特徴とする半導体光素子の作
製方法。
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005317659A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Nec Corp | 集積型半導体光デバイス及びその製造方法 |
| US7072372B2 (en) | 2002-02-14 | 2006-07-04 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device, semiconductor laser module, and optical fiber amplifier |
| KR100710048B1 (ko) | 2004-12-14 | 2007-04-23 | 한국전자통신연구원 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
| US7830580B2 (en) | 2007-03-09 | 2010-11-09 | Nec Corporation | Semiconductor optical modulator |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005033021A (ja) * | 2003-07-04 | 2005-02-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子及びその製造方法 |
| CN100384038C (zh) * | 2004-09-16 | 2008-04-23 | 中国科学院半导体研究所 | 选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法 |
| KR100674862B1 (ko) * | 2005-08-25 | 2007-01-29 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광 소자 |
| WO2007038600A2 (en) * | 2005-09-27 | 2007-04-05 | Northwestern University | A single-photon detector and applications of same |
| JP2014063052A (ja) * | 2012-09-21 | 2014-04-10 | Mitsubishi Electric Corp | 光変調器の製造方法および光変調器 |
| JP6270387B2 (ja) * | 2013-09-12 | 2018-01-31 | 日本オクラロ株式会社 | 半導体光共振器、半導体光素子及び光通信モジュール |
| US9791622B2 (en) * | 2013-09-12 | 2017-10-17 | Oclaro Japan, Inc. | Optical semiconductor resonator, optical semiconductor device, and optical module |
| CN114300945A (zh) * | 2022-03-09 | 2022-04-08 | 广东先导院科技有限公司 | 用于GaAs边发射激光器的脊波导结构制备方法 |
| CN115799990A (zh) * | 2022-11-14 | 2023-03-14 | 中国科学院半导体研究所 | 一种高铝组分的氧化限制半导体激光器及其制备方法 |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH077232A (ja) * | 1993-03-03 | 1995-01-10 | Nec Corp | 光半導体装置 |
| JPH07176827A (ja) * | 1993-08-20 | 1995-07-14 | Mitsubishi Electric Corp | 変調器付半導体レーザ装置の製造方法 |
| JPH08201741A (ja) * | 1995-01-31 | 1996-08-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光導波路形光変調器 |
| JPH08220496A (ja) * | 1995-02-09 | 1996-08-30 | Nec Corp | 半導体光変調素子 |
| JPH08307016A (ja) * | 1995-05-10 | 1996-11-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH1022579A (ja) * | 1996-07-03 | 1998-01-23 | Mitsubishi Electric Corp | 光導波路構造とこの光導波路構造を用いた半導体レーザ、変調器及び集積型半導体レーザ装置 |
| JPH10209568A (ja) * | 1997-01-28 | 1998-08-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体光デバイスの製造方法 |
| JPH11312840A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| JP2000012976A (ja) * | 1998-06-23 | 2000-01-14 | Nec Corp | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の成長方法及びこの方法を用いた半導体発光素子の製造方法 |
| JP2000022204A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2001091913A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-04-06 | Mitsubishi Electric Corp | 変調器と変調器付き半導体レーザ装置並びにその製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5229622A (en) * | 1989-06-09 | 1993-07-20 | U.S. Philips Corp. | Integrated semiconductor optoelectronic switch |
| EP0466082B1 (en) * | 1990-07-09 | 1997-05-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of modulating light and optical modulator |
| US5764670A (en) * | 1995-02-27 | 1998-06-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser apparatus requiring no external modulator, method of driving semiconductor laser device, and optical communication system using the semiconductor laser apparatus |
| FR2738678B1 (fr) * | 1995-09-08 | 1997-10-17 | France Telecom | Dispositif d'emission semi-conducteur avec modulation rapide de longueur d'ondes |
| JPH09318918A (ja) * | 1996-05-29 | 1997-12-12 | Nec Corp | 半導体光変調器 |
| JPH09331110A (ja) * | 1996-06-12 | 1997-12-22 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置、および光半導体装置の製造方法 |
| US5953479A (en) * | 1998-05-07 | 1999-09-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Tilted valance-band quantum well double heterostructures for single step active and passive optical waveguide device monolithic integration |
-
2000
- 2000-02-22 JP JP2000044252A patent/JP4690515B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-02-21 US US09/791,439 patent/US6603138B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH077232A (ja) * | 1993-03-03 | 1995-01-10 | Nec Corp | 光半導体装置 |
| JPH07176827A (ja) * | 1993-08-20 | 1995-07-14 | Mitsubishi Electric Corp | 変調器付半導体レーザ装置の製造方法 |
| JPH08201741A (ja) * | 1995-01-31 | 1996-08-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光導波路形光変調器 |
| JPH08220496A (ja) * | 1995-02-09 | 1996-08-30 | Nec Corp | 半導体光変調素子 |
| JPH08307016A (ja) * | 1995-05-10 | 1996-11-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH1022579A (ja) * | 1996-07-03 | 1998-01-23 | Mitsubishi Electric Corp | 光導波路構造とこの光導波路構造を用いた半導体レーザ、変調器及び集積型半導体レーザ装置 |
| JPH10209568A (ja) * | 1997-01-28 | 1998-08-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体光デバイスの製造方法 |
| JPH11312840A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| JP2000012976A (ja) * | 1998-06-23 | 2000-01-14 | Nec Corp | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の成長方法及びこの方法を用いた半導体発光素子の製造方法 |
| JP2000022204A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2001091913A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-04-06 | Mitsubishi Electric Corp | 変調器と変調器付き半導体レーザ装置並びにその製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7072372B2 (en) | 2002-02-14 | 2006-07-04 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device, semiconductor laser module, and optical fiber amplifier |
| JP2005317659A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Nec Corp | 集積型半導体光デバイス及びその製造方法 |
| KR100710048B1 (ko) | 2004-12-14 | 2007-04-23 | 한국전자통신연구원 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
| US7830580B2 (en) | 2007-03-09 | 2010-11-09 | Nec Corporation | Semiconductor optical modulator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4690515B2 (ja) | 2011-06-01 |
| US6603138B2 (en) | 2003-08-05 |
| US20010034071A1 (en) | 2001-10-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070105 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090909 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090914 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091110 |
|
| RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20100409 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100430 |
|
| RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433 Effective date: 20100604 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100604 |
|
| A521 | Written amendment |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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