JP2001234346A - 反応性ガスを利用する真空処理装置 - Google Patents
反応性ガスを利用する真空処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】効率よい加熱を達成できしかも反応性ガスの望
ましくない凝集や分解を防止できるようにした反応性ガ
スを利用する真空処理装置を提供する。 【解決手段】コールドウォールタイプのチャンバー内に
ホットウォールタイプのシールドを設け、シールドの内
部に反応領域を制限するように構成したことを特徴とす
る。
ましくない凝集や分解を防止できるようにした反応性ガ
スを利用する真空処理装置を提供する。 【解決手段】コールドウォールタイプのチャンバー内に
ホットウォールタイプのシールドを設け、シールドの内
部に反応領域を制限するように構成したことを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空チャンバー内
に反応性ガスを導入し、基板表面上で化学反応を起こさ
せ基板ホルダーに装着した基板を処理するようにした真
空処理装置に関するものである。
に反応性ガスを導入し、基板表面上で化学反応を起こさ
せ基板ホルダーに装着した基板を処理するようにした真
空処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】CVＤプロセスおいては反応パラメーター
を満たすためにガスの組成、圧力及び温度の制御が重要
である。熱ＣＶＤに代表されるように、一般に２００℃
以上の高い温度が必要とされる。また、使用するガスに
関して、常温では液体や固体である原料が多く、そのた
め原料を加熱し気化させて反応チャンバー内に導入され
る。その場合、導入されるガスの温度が下がると、再凝
集してしまい、ＣＶＤプロセスが進行しなくなるので、
反応チャンバーの内壁自体を一般にホットウォールと呼
ばれる手段で所望の高温に加熱する方法が採られてき
た。
を満たすためにガスの組成、圧力及び温度の制御が重要
である。熱ＣＶＤに代表されるように、一般に２００℃
以上の高い温度が必要とされる。また、使用するガスに
関して、常温では液体や固体である原料が多く、そのた
め原料を加熱し気化させて反応チャンバー内に導入され
る。その場合、導入されるガスの温度が下がると、再凝
集してしまい、ＣＶＤプロセスが進行しなくなるので、
反応チャンバーの内壁自体を一般にホットウォールと呼
ばれる手段で所望の高温に加熱する方法が採られてき
た。
【０００３】しかしながら、このようなホットウォール
を用いた方式では、耐熱シール材がないか、あったとし
ても非常に高価であり、またチャンバーの内壁表面でＣ
ＶＤ反応が生じてしまい、これは反応を基板表面で効果
的に進行させる点及び気相中の固体の形成を抑制する点
から好ましくなく、さらには大気側へ熱が逃げて行くた
めに加熱を効率よくできないなどの欠点がある。
を用いた方式では、耐熱シール材がないか、あったとし
ても非常に高価であり、またチャンバーの内壁表面でＣ
ＶＤ反応が生じてしまい、これは反応を基板表面で効果
的に進行させる点及び気相中の固体の形成を抑制する点
から好ましくなく、さらには大気側へ熱が逃げて行くた
めに加熱を効率よくできないなどの欠点がある。
【０００４】すなわち、ソースガスは固体である場合、
原料固体を２５０℃に加熱し気化してチャンバー内に導
入される。このソースガスを再凝集させずしかも分解を
生じさせないために、ソースガスの接触する面を２５０
℃の近傍に加熱しておく必要がある。そのためにチャン
バー自体を２５０℃に加熱する場合には高価な耐熱有機
材料を選択するか、メタルシールを使う必要がある。し
かし、駆動部（例えば基板の搬入搬出口のゲートバル
ブ）では、メタルシールを使用できないので、耐熱有機
材料を選ばなければならず、このことが装置コストを高
いものにしている。一方、チャンバー外側の大気に熱が
放出されるため、チャンバーを２５０℃に維持するため
には実際には３５０〜４００℃の加熱能力が必要であ
り、効率が非常に悪い。
原料固体を２５０℃に加熱し気化してチャンバー内に導
入される。このソースガスを再凝集させずしかも分解を
生じさせないために、ソースガスの接触する面を２５０
℃の近傍に加熱しておく必要がある。そのためにチャン
バー自体を２５０℃に加熱する場合には高価な耐熱有機
材料を選択するか、メタルシールを使う必要がある。し
かし、駆動部（例えば基板の搬入搬出口のゲートバル
ブ）では、メタルシールを使用できないので、耐熱有機
材料を選ばなければならず、このことが装置コストを高
いものにしている。一方、チャンバー外側の大気に熱が
放出されるため、チャンバーを２５０℃に維持するため
には実際には３５０〜４００℃の加熱能力が必要であ
り、効率が非常に悪い。
【０００５】これらの欠点を解消するため、チャンバー
を低温に維持するコールドウォールタイプの成膜方法が
提案されてきた。しかしながら、この方法は上述のよう
にＣＶＤガスの凝縮の問題が伴うことになる。
を低温に維持するコールドウォールタイプの成膜方法が
提案されてきた。しかしながら、この方法は上述のよう
にＣＶＤガスの凝縮の問題が伴うことになる。
【０００６】
【発明が解決しよう課題】そこで、本発明は、従来技術
の問題点を解決するため、コールドウォールタイプのチ
ャンバー内にホットウォールタイプのシールドを設け、
シールドの内部に反応領域を制限するように構成して効
率よい加熱を達成できしかも反応性ガスの望ましくない
凝集を防止できるようにした反応性ガスを利用する真空
処理装置を提供することを目的としている。
の問題点を解決するため、コールドウォールタイプのチ
ャンバー内にホットウォールタイプのシールドを設け、
シールドの内部に反応領域を制限するように構成して効
率よい加熱を達成できしかも反応性ガスの望ましくない
凝集を防止できるようにした反応性ガスを利用する真空
処理装置を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解消するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明によれば、真空チャンバー内に反応性ガス
を導入し、基板表面上で化学反応を起こさせ基板ホルダ
ーに装着した基板を処理するようにした真空処理装置に
おいて、真空チャンバー内を、チャンバー壁から分離し
た主反応領域とチャンバー壁に沿った周囲空間領域とに
仕切るシールド手段を設け、主反応領域を所定の反応条
件に維持できるように構成したことを特徴としている。
めに、本発明によれば、真空チャンバー内に反応性ガス
を導入し、基板表面上で化学反応を起こさせ基板ホルダ
ーに装着した基板を処理するようにした真空処理装置に
おいて、真空チャンバー内を、チャンバー壁から分離し
た主反応領域とチャンバー壁に沿った周囲空間領域とに
仕切るシールド手段を設け、主反応領域を所定の反応条
件に維持できるように構成したことを特徴としている。
【０００８】シールド手段は、主反応領域を所定の温度
に維持する加熱手段及び（又は）冷却手段を備えること
ができ、そして約１００〜５００℃の温度に制御され得
る。また真空チャンバーのチャンバー壁は、約１００℃
以下の温度に保持され得る。好ましくは、シールド手段
は、主反応領域と周囲空間領域との間を密封保持できる
ように取付けられ得る。また好ましくは、シールド手段
は、基板ホルダーに対して昇降可能にされ、そして真空
チャンバーのチャンバー壁にラビリンスシールを介して
当接するように構成され得る。代りに、シールド手段を
固定配置し、基板ホルダーを昇降可能に構成することも
できる。また、本発明の真空処理装置においては、シー
ルド手段で画定された主反応領域に反応性ガスを供給す
る手段を設け、また主反応領域を、排気口を介して排気
系に接続するように構成され得る。さらに、チャンバー
壁に沿った周囲空間領域は別の排気口を介して排気系に
接続され得る。更にまた効果を上げるためにパージガス
を導入するように構成することもできる。
に維持する加熱手段及び（又は）冷却手段を備えること
ができ、そして約１００〜５００℃の温度に制御され得
る。また真空チャンバーのチャンバー壁は、約１００℃
以下の温度に保持され得る。好ましくは、シールド手段
は、主反応領域と周囲空間領域との間を密封保持できる
ように取付けられ得る。また好ましくは、シールド手段
は、基板ホルダーに対して昇降可能にされ、そして真空
チャンバーのチャンバー壁にラビリンスシールを介して
当接するように構成され得る。代りに、シールド手段を
固定配置し、基板ホルダーを昇降可能に構成することも
できる。また、本発明の真空処理装置においては、シー
ルド手段で画定された主反応領域に反応性ガスを供給す
る手段を設け、また主反応領域を、排気口を介して排気
系に接続するように構成され得る。さらに、チャンバー
壁に沿った周囲空間領域は別の排気口を介して排気系に
接続され得る。更にまた効果を上げるためにパージガス
を導入するように構成することもできる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下添付図面を参照して本発明の
実施の形態について説明する。図１には、本発明をＭＯ
ＣＶＤ法の反応に応用した実施の形態を示し、図面にお
いて１は真空チャンバーで、真空チャンバー１内の底部
には処理すべき基板２を支持する基板ホルダー3が配置
され、真空チャンバー１内の頂部には反応ガスのシャワ
ープレート4が配置されている。シャワープレート4は反
応ガス導入部5を介して図示していない外部の反応ガス
源に接続され、そして支持枠体6及びベローズ7により真
空チャンバー１の上部に密封して昇降可能に支持されて
いる。なお、シャワープレート4側に高周波電力を印加
して使用する場合には、支持枠体6とベローズ7との間に
はテフロンなどの絶縁フランジが介挿され、電気的分離
を保証するようにされる。
実施の形態について説明する。図１には、本発明をＭＯ
ＣＶＤ法の反応に応用した実施の形態を示し、図面にお
いて１は真空チャンバーで、真空チャンバー１内の底部
には処理すべき基板２を支持する基板ホルダー3が配置
され、真空チャンバー１内の頂部には反応ガスのシャワ
ープレート4が配置されている。シャワープレート4は反
応ガス導入部5を介して図示していない外部の反応ガス
源に接続され、そして支持枠体6及びベローズ7により真
空チャンバー１の上部に密封して昇降可能に支持されて
いる。なお、シャワープレート4側に高周波電力を印加
して使用する場合には、支持枠体6とベローズ7との間に
はテフロンなどの絶縁フランジが介挿され、電気的分離
を保証するようにされる。
【００１０】シャワープレート4の外周縁部には真空チ
ャンバー１内の底部チャンバー壁1aに向ってのびるシー
ルド８が設けられ、このシールド８は、真空チャンバー
１内の空間を、シャワープレート4と基板２との間にの
びかつチャンバー壁から分離した主反応領域９と、チャ
ンバー壁に沿った周囲空間領域10とに仕切る働きをして
いる。
ャンバー１内の底部チャンバー壁1aに向ってのびるシー
ルド８が設けられ、このシールド８は、真空チャンバー
１内の空間を、シャワープレート4と基板２との間にの
びかつチャンバー壁から分離した主反応領域９と、チャ
ンバー壁に沿った周囲空間領域10とに仕切る働きをして
いる。
【００１１】シールド８は、温度調整できるようにする
ため、図２に示すように、シールド内部に冷媒や温媒を
通す通路8aを設けたり、図3に示すようにシールドの外
側に冷媒や温媒を通すＣｕ製のパイプ8bをろう付けして
いる。また図4に示すように、ヒーター例えばシースヒ
ーター8cはクランプによりシールドの外側に取付けられ
る。なお、これらの通路、パイプ及びヒーターは、図示
していないが反応ガス導入部5の壁内部又は壁の外側に
沿ってのび、そして適当な外部冷媒、温媒源やヒーター
電源に接続される。また通路、パイプに流す冷媒、温媒
は当然、適当な流量制御装置により、またヒーターへの
給電はヒーター運転制御手段によりそれぞれ制御され、
動作条件に応じてシールド自体を所望の温度に調整でき
るようにしている。
ため、図２に示すように、シールド内部に冷媒や温媒を
通す通路8aを設けたり、図3に示すようにシールドの外
側に冷媒や温媒を通すＣｕ製のパイプ8bをろう付けして
いる。また図4に示すように、ヒーター例えばシースヒ
ーター8cはクランプによりシールドの外側に取付けられ
る。なお、これらの通路、パイプ及びヒーターは、図示
していないが反応ガス導入部5の壁内部又は壁の外側に
沿ってのび、そして適当な外部冷媒、温媒源やヒーター
電源に接続される。また通路、パイプに流す冷媒、温媒
は当然、適当な流量制御装置により、またヒーターへの
給電はヒーター運転制御手段によりそれぞれ制御され、
動作条件に応じてシールド自体を所望の温度に調整でき
るようにしている。
【００１２】図５、図６及び図７には、シールドの先端
部を真空チャンバー１内の底部チャンバー壁1aに密封当
接する仕方の幾つかの例を示している。図５に示す実施
の形態では、シールドの先端部は真空チャンバー１の底
部チャンバー壁1aに形成した溝1b内に嵌合してラビリン
スシール構造を形成するようにされている。
部を真空チャンバー１内の底部チャンバー壁1aに密封当
接する仕方の幾つかの例を示している。図５に示す実施
の形態では、シールドの先端部は真空チャンバー１の底
部チャンバー壁1aに形成した溝1b内に嵌合してラビリン
スシール構造を形成するようにされている。
【００１３】また、図６に示す実施の形態では、底部チ
ャンバー壁1aに形成した溝1b内に例えばテフロン、耐熱
シールのベスペル、低温（200℃）以下で運転する場合
にはカルレッツやテフロン等の凹型シール部材９が装着
され、その凹型シール部材11内にシールド８の先端部が
当接するように構成されている。
ャンバー壁1aに形成した溝1b内に例えばテフロン、耐熱
シールのベスペル、低温（200℃）以下で運転する場合
にはカルレッツやテフロン等の凹型シール部材９が装着
され、その凹型シール部材11内にシールド８の先端部が
当接するように構成されている。
【００１４】シャワープレート4側にＲＦ電力を印加し
て処理を実施する場合には、シールド８の先端部と底部
チャンバー壁1aとの電気的絶縁を確保するため、図７に
示すように、底部チャンバー壁1aに形成した溝1b内に例
えば耐熱シールのベスペル、カルレッツやテフロン等の
凸型シール部材12が装着され、この凸型シール部材12は
底部チャンバー壁1a の表面から15mm以上突出し、その
突出端面上にシールド８の先端部が当接するように構成
されている。
て処理を実施する場合には、シールド８の先端部と底部
チャンバー壁1aとの電気的絶縁を確保するため、図７に
示すように、底部チャンバー壁1aに形成した溝1b内に例
えば耐熱シールのベスペル、カルレッツやテフロン等の
凸型シール部材12が装着され、この凸型シール部材12は
底部チャンバー壁1a の表面から15mm以上突出し、その
突出端面上にシールド８の先端部が当接するように構成
されている。
【００１５】再び図1に戻って、シャワープレート4で画
定された主反応領域９及び周囲空間領域10はそれぞれ排
気口13、14を介して排気系（図示していない）に連結さ
れる。また周囲空間領域10には、頂部チャンバー壁に環
状に設けた複数の不活性ガス導入口15から例えばアルゴ
ンのような不活性ガスがシャワーカーテンとして導入さ
れる。このように主反応領域９及び周囲空間領域10の両
方をそれぞれ排気系に接続すると共に、周囲空間領域10
に不活性ガスを導入するように構成したことにより、装
置の作動中における主反応領域９から周囲空間領域10へ
漏れる反応ガスを排気でき、しかも導入された不活性ガ
スにより漏れてきた反応ガスの拡散を実質的に防止する
ことができる。
定された主反応領域９及び周囲空間領域10はそれぞれ排
気口13、14を介して排気系（図示していない）に連結さ
れる。また周囲空間領域10には、頂部チャンバー壁に環
状に設けた複数の不活性ガス導入口15から例えばアルゴ
ンのような不活性ガスがシャワーカーテンとして導入さ
れる。このように主反応領域９及び周囲空間領域10の両
方をそれぞれ排気系に接続すると共に、周囲空間領域10
に不活性ガスを導入するように構成したことにより、装
置の作動中における主反応領域９から周囲空間領域10へ
漏れる反応ガスを排気でき、しかも導入された不活性ガ
スにより漏れてきた反応ガスの拡散を実質的に防止する
ことができる。
【００１６】さらに、図示装置においては、処理すべき
基板2の搬入、搬出用のゲートバルブ16が設けられてい
る。
基板2の搬入、搬出用のゲートバルブ16が設けられてい
る。
【００１７】このように構成した図示装置の動作におい
て、 処理すべき基板２を搬入する際には、図示してな
い昇降駆動機構によりシャワープレート4及びシールド8
を上昇させ、ゲートバルブ16を開放して基板２を真空チ
ャンバー１内の基板ホルダー3上に装着する。その後真
空チャンバー１内を真空排気すると共にシャワープレー
ト4及びシールド8を下降させて図示した状態にし、所要
の反応ガスをシャワープレート4から主反応領域９内に
導入する。この場合、シールド8の先端部のラビリンス
構造による密封及び（又は）主反応領域９内に排気口13
を設けているので、反応ガスが主反応領域９から周囲空
間領域10へ漏れるは防止され得る。
て、 処理すべき基板２を搬入する際には、図示してな
い昇降駆動機構によりシャワープレート4及びシールド8
を上昇させ、ゲートバルブ16を開放して基板２を真空チ
ャンバー１内の基板ホルダー3上に装着する。その後真
空チャンバー１内を真空排気すると共にシャワープレー
ト4及びシールド8を下降させて図示した状態にし、所要
の反応ガスをシャワープレート4から主反応領域９内に
導入する。この場合、シールド8の先端部のラビリンス
構造による密封及び（又は）主反応領域９内に排気口13
を設けているので、反応ガスが主反応領域９から周囲空
間領域10へ漏れるは防止され得る。
【００１８】シールド8はそれ自体上述のように実施さ
れる反応条件に応じた最適な温度に調整されておりしか
もシールド8自体減圧下にあるため、大気による熱の逃
げが少なく、効率よく加熱することができる。また基板
２は基板ホルダー3に組込まれたヒーター（図示してい
ない）により600℃に加熱して誘電体膜の固体ソースを
用いたＭＯＣＶＤ処理を実施した。このときのシールド
8の温度は250℃、チャンバー壁の温度は室温であった。
その結果、シールド8、真空チャンバー1の内壁のいずれ
にもＣＶＤソースの分解、凝集はみられなかった。
れる反応条件に応じた最適な温度に調整されておりしか
もシールド8自体減圧下にあるため、大気による熱の逃
げが少なく、効率よく加熱することができる。また基板
２は基板ホルダー3に組込まれたヒーター（図示してい
ない）により600℃に加熱して誘電体膜の固体ソースを
用いたＭＯＣＶＤ処理を実施した。このときのシールド
8の温度は250℃、チャンバー壁の温度は室温であった。
その結果、シールド8、真空チャンバー1の内壁のいずれ
にもＣＶＤソースの分解、凝集はみられなかった。
【００１９】ところで、図示実施の形態では、シールド
8をシャワープレート4と共に昇降するように構成してい
るが、代りに、シールド８を固定配置し、基板ホルダー
３を昇降可能に構成することもできる。また、本発明は
ＭＯＣＶＤに応用した場合について説明してきたが、液
体ソース又は固体ソースを使用する熱ＣＶＤ、プラズマ
アシストＣＶＤ、エピタキシャル成長法、反応性アニー
ル、表面改質などのプロセスにも同様に応用うすること
ができる。
8をシャワープレート4と共に昇降するように構成してい
るが、代りに、シールド８を固定配置し、基板ホルダー
３を昇降可能に構成することもできる。また、本発明は
ＭＯＣＶＤに応用した場合について説明してきたが、液
体ソース又は固体ソースを使用する熱ＣＶＤ、プラズマ
アシストＣＶＤ、エピタキシャル成長法、反応性アニー
ル、表面改質などのプロセスにも同様に応用うすること
ができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、真空チャンバー内を、チャンバー壁から分離した主
反応領域とチャンバー壁に沿った周囲空間領域とに仕切
るシールド手段を設け、主反応領域を所定の反応条件に
維持できるように構成したことにより、効率よい加熱が
達成できしかも高温化学気相成長プロセスおいて、真空
チャンバー内におけるソースガスの凝集や分解を防止す
ることができるようになる。また、コールドウォールタ
イプのチャンバー内にホットウォールタイプのシールド
を設け、シールドの内部に反応領域を制限するように構
成しているので、シール材、加熱電源のコストダウンを
図ることができるようになる。
ば、真空チャンバー内を、チャンバー壁から分離した主
反応領域とチャンバー壁に沿った周囲空間領域とに仕切
るシールド手段を設け、主反応領域を所定の反応条件に
維持できるように構成したことにより、効率よい加熱が
達成できしかも高温化学気相成長プロセスおいて、真空
チャンバー内におけるソースガスの凝集や分解を防止す
ることができるようになる。また、コールドウォールタ
イプのチャンバー内にホットウォールタイプのシールド
を設け、シールドの内部に反応領域を制限するように構
成しているので、シール材、加熱電源のコストダウンを
図ることができるようになる。
【図１】本発明の一つの実施の形態を示す装置の概略断
面図。
面図。
【図２】本発明の装置に使用されるシールド構造の一例
を示す拡大部分断面図。
を示す拡大部分断面図。
【図３】本発明の装置に使用されるシールド構造の別の
例を示す拡大部分断面図。
例を示す拡大部分断面図。
【図４】本発明の装置に使用されるシールド構造のさら
に別の例を示す拡大部分断面図。
に別の例を示す拡大部分断面図。
【図５】本発明の装置におけるシールドの密封構造の一
例を示す拡大部分断面図。
例を示す拡大部分断面図。
【図６】本発明の装置におけるシールドの密封構造の別
の例を示す拡大部分断面図。
の例を示す拡大部分断面図。
【図７】本発明の装置におけるシールドの密封構造のさ
らに別の例を示す拡大部分断面図。
らに別の例を示す拡大部分断面図。
１：真空チャンバ ２：処理すべき基板 ３：基板ホルダー ４：反応ガスのシャワープレート ５：反応ガス導入部 ６：支持枠体 ７：ベロー ８：シールド ９：主反応領域 10：周囲空間領域 11：凹型シール部材 12：凸型シール部材 13、14：排気口 15：不活性ガス導入口 16：ゲートバルブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小松 孝 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社半導体技術研究所内 (72)発明者 樋口 靖 静岡県裾野市須山1220−14 日本真空技術 株式会社富士裾野工場半導体技術研究所内 (72)発明者 上東 俊光 静岡県裾野市須山1220−14 日本真空技術 株式会社富士裾野工場半導体技術研究所内 Ｆターム(参考） 4K030 AA11 EA05 FA10 JA10 KA08 KA10 KA12 KA22 KA26 LA15
Claims (11)
- 【請求項１】真空チャンバー内に反応性ガスを導入し、
基板表面上で化学反応を起こさせ基板ホルダーに装着し
た基板を処理するようにした真空処理装置において、 真空チャンバー内を、チャンバー壁から分離した主反応
領域とチャンバー壁に沿った周囲空間領域とに仕切るシ
ールド手段を設け、主反応領域を所定の反応条件に維持
できるように構成したことを特徴とする反応性ガスを利
用する真空処理装置。 - 【請求項２】シールド手段が、主反応領域を所定の温度
に維持する加熱手段及び（又は）冷却手段を備えている
ことを特徴とする請求項1に記載の反応性ガスを利用す
る真空処理装置。 - 【請求項３】シールド手段が、加熱手段により約１００
〜５００℃の温度に制御されることを特徴とする請求項
２に記載の反応性ガスを利用する真空処理装置。 - 【請求項４】真空チャンバーのチャンバー壁が、約１０
０℃以下の温度に保持されることを特徴とする請求項２
に記載の反応性ガスを利用する真空処理装置。 - 【請求項５】主反応領域と周囲空間領域との間を密封保
持できるようにシールド手段が取付けられていることを
特徴とする請求項1に記載の真空処理装置。 - 【請求項６】シールド手段が、基板ホルダーに対して昇
降可能に構成されていることを特徴とする請求項1に記
載の真空処理装置。 - 【請求項７】シールド手段が、真空チャンバーのチャン
バー壁にラビリンスシールを介して当接することを特徴
とする請求項１に記載の真空処理装置。 - 【請求項８】基板ホルダーが昇降可能に構成されている
ことを特徴とする請求項1に記載の真空処理装置。 - 【請求項９】シールド手段で画定された主反応領域に反
応性ガスを供給する手段を設け、また主反応領域が排気
口を介して排気系に接続されることを特徴とする請求項
1に記載の真空処理装置。 - 【請求項１０】チャンバー壁に沿った周囲空間領域が別
の排気口を介して排気系に接続されることを特徴とする
請求項1に記載の真空処理装置。 - 【請求項１１】チャンバー壁に沿った周囲空間領域に不
活性ガスを導入するように構成したことを特徴とする請
求項1に記載の真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000040320A JP4378014B2 (ja) | 2000-02-17 | 2000-02-17 | 反応性ガスを利用する真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000040320A JP4378014B2 (ja) | 2000-02-17 | 2000-02-17 | 反応性ガスを利用する真空処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001234346A true JP2001234346A (ja) | 2001-08-31 |
| JP4378014B2 JP4378014B2 (ja) | 2009-12-02 |
Family
ID=18563717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000040320A Expired - Fee Related JP4378014B2 (ja) | 2000-02-17 | 2000-02-17 | 反応性ガスを利用する真空処理装置 |
Country Status (1)
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