JP2001231114A

JP2001231114A - ガス絶縁開閉装置

Info

Publication number: JP2001231114A
Application number: JP2000034808A
Authority: JP
Inventors: Shigeto Fujita; 重人藤田; Yasuhiro Maeda; 泰宏前田; Hiroyuki Haneuma; 洋之羽馬
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2000-02-14
Filing date: 2000-02-14
Publication date: 2001-08-24

Abstract

(57)【要約】【課題】部品点数を増やすことなく、また、組立て工
程を複雑にすることなく、絶縁スペーサから電磁波が漏
洩するのを防止するとともに、外被サージの誘導を抑制
し、制御系の電子機器の損傷を防止することができる信
頼性の高いガス絶縁開閉装置を得る。【解決手段】二つのＧＩＳタンク７，８を、導体支持
用の絶縁スペーサ５を介して密閉接続したガス絶縁開閉
装置において、絶縁スペーサ５が、絶縁部５ａと、絶縁
部５ａの外周側を囲む電気伝導体部５ｂとを備え、電気
伝導体部５ｂが二つのＧＩＳタンク７，８と接する面間
で二つのＧＩＳタンク７，８を電気的に接続する構成と
した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、ガス絶縁開閉装
置（ＧＩＳ（ＧａｓＩｎｓｕｌａｔｅｄＳｗｉｔｃ
ｈｇｅａｒ））中の断路器操作時等に発生する急峻波サ
ージにより発生する電磁波障害とＧＩＳ制御系への移行
サージを抑制したガス絶縁開閉装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】ＧＩＳでは、主導体等保持のため絶縁物
からなる絶縁スペーサが用いられている。ＧＩＳ中の断
路器等の操作時に発生する急峻サージにより、絶縁スペ
ーサから電磁波が外に漏れ出すことが知られている。ま
た、絶縁スペーサ部からＧＩＳの外被にサージが移行す
ることも知られている。

【０００３】図７は、ＧＩＳの構成を示す構成図で、１
は断路器、２はガス絶縁開閉器（ＧＣＢ）、３および４
は母線、５および６は主導体（図８参照）を保持するた
めの絶縁スペーサ、７および８はＧＩＳタンクで、断路
器１およびガス絶縁開閉器２は、母線３、４に接続され
ている。

【０００４】図８は、図７中に示したＧＩＳタンク７，
８を、絶縁スペーサ５を介して接続した接続部分の構成
を示す断面図である。図において、９は主導体で、主導
体９は絶縁スペーサ５によって保持され、ＧＩＳタンク
７，８は絶縁スペーサ５を介してボルト１１とナット１
２により締結されている。

【０００５】上記のようなＧＩＳの構成において、ＧＩ
Ｓ中の断路器１等の操作時に発生する急峻波サージは、
電磁波を放射しつつ主導体９を伝搬していく。この伝搬
の際、主導体９のまわりを電気伝導体からなるＧＩＳタ
ンク７，８が覆っているので、電磁波はシールドされて
ＧＩＳタンク７、８の外に漏れないが、絶縁スペーサ５
の部分では電磁波はシールドされずに外部に漏れる。

【０００６】また、絶縁スペーサ５を挟んだ接続部は、
主導体９とＧＩＳタンク７，８との間のサージインピー
ダンス、およびＧＩＳタンク７，８と対地との間のサー
ジインピーダンスに基づき、誘導による数ＭＨｚ〜数十
ＭＨｚにおよぶ高周波の外被サージが発生し、ＧＩＳタ
ンク７，８の外被を伝搬する。この外被サージによっ
て、絶縁スペーサ５を挟むＧＩＳタンク７，８の金属フ
ランジ部両端に放電が発生し、この放電によって電磁波
が放射される。

【０００７】上記の電磁波あるいは外被サージは、ＧＩ
Ｓ制御のための電子機器に悪影響を及ぼす可能性があっ
た。

【０００８】図９は、上記外被サージを抑制する従来の
構成を示す断面図で、例えば、特開平８−０６９７３１
号公報に記載されたものである。図９において、５は絶
縁スペーサ、７および８はＧＩＳタンク、９は主導体、
１０はワッシャ、１１はボルト、１２はナット、１３は
アースボンド、１４は金属部、１５は絶縁ワッシャ、１
６は絶縁切り溝、１７は導電性物質で、タンク７とタン
ク８は絶縁スペーサ５を介してボルト１１、ワッシャ１
０、およびナット１２により締結され、両タンク７，８
はアースボンド１３により電気的に接続されている。ま
た、絶縁スペーサ５と一体の金属部１４に電流が流れな
いようにして金属部１４の発熱を防ぐため、絶縁ワッシ
ャ１５と絶縁切り溝１６が用いられ、さらに商用周波数
ではアースボンド１３よりも抵抗が高く、急峻波サージ
に対してはアースボンド１３よりも抵抗が低い導電性物
質１７を用いてワッシャ１０とタンク７間を電気的に接
続している。

【０００９】図９の構成においては、通常の運転時に通
電される電流はアースボンド１３を大部分が流れ、急峻
波サージに対しては、導電性物質１７を通じて両タンク
７，８に電流が流れ、急峻波サージがＧＩＳタンク７，
８の外被へ移行しないようにすることができる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】従来のガス絶縁開閉装
置を制御するために接続された電子機器は、上述したよ
うに放射電磁波や外被サージによって、故障あるいは不
良動作を起こす可能性があった。

【００１１】この問題を解決するために、図９に示した
構造をガス絶縁開閉装置に設けると、この接合部を構築
するための部品点数が大幅に増大するとともに、複雑な
組立て工程が必要になる。また、放射電磁波の漏洩にた
いする考慮がなされていないという問題がある。

【００１２】そこで、図１０に示すように、絶縁スペー
サ５の外周を金属性のフランジ１２で覆うことによっ
て、電磁波が漏れてくるのを抑制することができ、ま
た、ＧＩＳタンク７，８を電気伝導体からなる金属フラ
ンジ１８で電気的に接続することによって、急峻波サー
ジがＧＩＳタンク７，８の外被へ移行しないようにする
ことができる。

【００１３】しかし、図１０に示した構造をガス絶縁開
閉装置に設けると、経年劣化により金属フランジ１２と
絶縁スペーサ５との間の剥離が発生する可能性があると
いう問題がある。

【００１４】本発明は上記のような問題を解決するため
になされたもので、部品点数を増やすことなく、また、
作業性よく組み立てることができ、ＧＩＳ中の断路器等
の操作の際に放射される電磁波が絶縁スペーサ部から漏
れないように、また、この絶縁スペーサ部によりＧＩＳ
外被に外被サージが誘導されないようにした高信頼性の
ガス絶縁開閉装置を得ることを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明に係る第１のガス
絶縁開閉装置は、二つのタンクを、導体支持用の絶縁ス
ペーサを介して密閉接続したガス絶縁開閉装置におい
て、上記絶縁スペーサが、絶縁部と、この絶縁部の外周
側を囲む電気伝導体部とを備え、この電気伝導体部が上
記絶縁部と一体に形成され、上記二つのタンクと接する
面間で上記二つのタンクを電気的に接続するものであ
る。

【００１６】本発明に係る第２のガス絶縁開閉装置は、
上記第１のガス絶縁開閉装置において、電気伝導体部
が、薄膜状の金属であるものである。

【００１７】本発明に係る第３のガス絶縁開閉装置は、
上記第１のガス絶縁開閉装置において、電気伝導体部
が、薄板状の金属であるものである。

【００１８】本発明に係る第４のガス絶縁開閉装置は、
上記第１のガス絶縁開閉装置において、電気伝導体部
が、導電性粒子からなり、薄膜状であるものである。

【００１９】本発明に係る第５のガス絶縁開閉装置は、
上記第１のガス絶縁開閉装置において、電気伝導体部
が、導電性プラスチックであるものである。

【００２０】本発明に係る第６のガス絶縁開閉装置は、
上記第５のガス絶縁開閉装置において、導電性プラスチ
ックが、導電性粒子とバインダ樹脂との混合物であるも
のである。

【００２１】本発明に係る第７のガス絶縁開閉装置は、
上記第１のガス絶縁開閉装置において、電気伝導体部の
厚みが１μｍ以上であるものである。

【００２２】本発明に係る第８のガス絶縁開閉装置は、
上記第１のガス絶縁開閉装置において、電気伝導体部
が、金属メッシュであるものである。

【００２３】本発明に係る第９のガス絶縁開閉装置は、
上記第８のガス絶縁開閉装置において、電気伝導体部
が、絶縁部に埋め込まれているものである。

【００２４】本発明に係る第１０のガス絶縁開閉装置
は、上記第８のガス絶縁開閉装置において、メッシュの
間隔が、１５０ｍｍ以下であるものである。

【００２５】本発明に係る第１１のガス絶縁開閉装置
は、二つのタンクを、導体支持用の絶縁スペーサを介し
て密閉接続したガス絶縁開閉装置において、上記絶縁ス
ペーサが、絶縁部と、この絶縁部の外周側に一体に形成
された電気伝導体部とを備え、この電気伝導体部が導電
性高分子からなり、上記二つのタンクと接する面間で上
記二つのタンクを電気的に接続するものである。

【００２６】本発明に係る第１２のガス絶縁開閉装置
は、上記第１または第１１のガス絶縁開閉装置におい
て、電気伝導体部の電気抵抗が、１オーム以下であるも
のである。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図
１〜図６に従って説明する。実施の形態１．図１は実施の形態１のＧＩＳタンクを示
す部分断面図である。図において、５は絶縁スペーサ、
７および８はＧＩＳタンク、９は主導体、１１はボル
ト、１２はナットで、主導体９は絶縁スペーサ５で保持
され、ＧＩＳタンク７，８は絶縁スペーサ５を介してボ
ルト１１とナット１２で締結・接続され、密閉構造とさ
れている。絶縁スペーサ５は、絶縁部５ａの外周側全周
を囲むように電気伝導体部５ｂが設けられ、ＧＩＳタン
ク７，８を締結することによって、電気伝導体部５ｂは
ＧＩＳタンク７，８を電気的に接続する。一方、絶縁ス
ペーサ５の内周側には主導体９が保持され、主導体９は
ＧＩＳタンクと絶縁されている。

【００２８】このガス絶縁開閉装置の電磁波の放射およ
び外被サージの抑制は以下に示すとおり行われる。主導
体９を流れるサージから放射される電磁波は、絶縁スペ
ーサ５の外周側の電気伝導体部５ｂによりシールドされ
るため、ＧＩＳタンク７，８の外に出ることはない。ま
た、ＧＩＳタンク７，８が電気伝導体部５ｂにより電気
的に接続されているため、この部分によって外被サージ
が誘導されることはない。

【００２９】ここで、導体中を周波数ｆ（Ｈｚ）の表面
電流が流れるものとすると、表皮効果として考慮すべき
値Ｌは、下記の式（１）で表される。

【００３０】

【数１】

【００３１】上記式（１）において、σは導電率（Ｓ／
ｍ）、μは透磁率（Ｈ／ｍ）で、銅の場合、 σ＝（２×１０^-8）^-1、μ＝４π×１０^-7 である。

【００３２】ＧＩＳタンク７，８を流れるサージ電流の
周波数を１００ＭＨｚとすると、Ｌは下記式（２）とな
り、表面電流は下記式（２）のＬの深さまで流れるの
で、電気伝導体部５ｂの厚みはこのＬの値以上というこ
とになる。以上の概算から、材料によって異なる導電率
を考慮すると、電気伝導体５ｂの厚みは１μｍ程度以上
であることが望ましいと推察される。

【００３３】

【数２】

【００３４】断路器サージ現象は、非常に急峻な現象で
あるため、断路器に流れるサージ電流は変電所の外から
流れてくるのではなく、変電所に帯電した電荷によるも
のであると推察される。変電所全体のキャパシタンスを
概算すると、ＧＩＳでは、１００（ｐＦ／ｍ）×５００
ｍ＝５ｎＦ変圧器では、５０００ｐＦであるから５．５
ｎＦと求められる。５５０ｋＶで運転するＧＩＳの場
合、対地電圧のピークは４５０ｋＶである。この時、変
電所全体の電荷Ｑは、Ｑ＝２．４７５μＣとなる。この電荷Ｑが断路器操作の際に、１０ｎｓで放
電したとすると、その場合の電流Ｉは下記式（３）にな
る。

【００３５】

【数３】

【００３６】上記式（３）の電流Ｉは主回路に流れる断
路器サージの電流値であり、ＧＩＳタンク７，８の外被
サージはこの主回路に流れるサージの帰路電流であるか
ら、外被サージ電流の全体の大きさは、この電流Ｉであ
ると考えられ、絶縁スペーサ５に流れ込む電流は上記電
流Ｉの１０％とし、絶縁スペーサ５の電気伝導体部５ｂ
の抵抗をＲ（Ω）とすると、絶縁スペーサ５部に発生す
る電圧は、Ｖ（ｋＶ）＝０．１×２５０（ｋＡ）×Ｒ（Ω）である。従って、絶縁スペーサ５部で発生する電圧を１
０ｋＶ以下にするためには、Ｒ≦１０（ｋＶ）／（０．１×２５０（ｋＡ））＝０．
４（Ω）となる。以上の概算より、種々の外的および内的条件を
考慮すれば、電気伝導体部５ｂの抵抗は１（Ω）程度以
下であることが望ましいと推察される。

【００３７】本実施の形態における絶縁スペーサ５の電
気伝導体部５ｂは、絶縁スペーサ５の絶縁部５ａの外周
側の全周に、例えば、金属を溶射、蒸着、レーザアブレ
ーション等により薄膜状にコーティングして一体に形成
することにより、絶縁部５ａに対する楔効果により強固
に接合され剥離が起こりにくくなる。

【００３８】また、電気伝導体５ｂに金属薄板を用い、
この金属薄板を絶縁スペーサ５の成形時に一体に形成す
ることにより、電気伝導体部５ｂと絶縁部５ａとを一体
に形成した絶縁スペーサ５を簡便に得ることができる。
この場合、剥離に対する強度を上げるために、金属薄板
の表面を化学処理、ブラスト等の機械的な処理あるいは
エンボス処理等を施しておくことが好ましい。

【００３９】溶射、蒸着に用いる金属、金属薄板として
は、銅、鉄、アルミニウム等が入手性、価格の面から好
ましい。

【００４０】また、上述の溶射等による薄膜の形成方法
に代えて、金属微粒子、金属繊維、カーボンブラック、
カーボン繊維等の導電性粒子を有機溶媒に混合し、この
混合物を塗布等の方法でコーティイングし、その後加熱
して有機溶媒を蒸発させることによって、導電性粒子か
らなり、絶縁部５ａに強固に密着した薄膜状の電気伝導
体部５ｂを得ることができる。

【００４１】電気伝導体部５ｂとして、各種金属の他、
導電性プラスチックを用いることができる。

【００４２】導電性プラスチックとしては、金属粒子あ
るいは金属繊維等の金属、カーボンブラックあるいはカ
ーボン繊維等のカーボンの他、人工ダイアモンド等の導
電性粒子と、エポキシ樹脂等のバインダ樹脂との混合物
を用いることができる。この場合は、導電性粒子とバイ
ンダ樹脂との混合溶液を塗布等の方法でコーティングす
ることによって、絶縁スペーサ５の絶縁部５ａに強固に
接合した電気伝導体部５ｂを形成することができる。

【００４３】本実施の形態におけるガス絶縁開閉装置で
は、絶縁スペーサ５の絶縁部５ａと電気伝導体部５ｂが
一体に形成してあるので、ガス絶縁開閉装置全体として
部品点数が増えることはない。また、複雑な組み立て工
程を必要としない。さらに、電気伝導体部５ｂは、薄膜
あるいは薄板とすることによって剥離が起りにくくな
る。

【００４４】実施の形態２．図２は実施の形態２のＧＩ
Ｓタンクを示す部分断面図であり、図１と同一符号は同
一または相当部分を示している。本実施の形態において
は、絶縁スペーサ５の外周側に設けられた電気伝導体部
５ｂには、金属メッシュが用いられている。金属メッシ
ュには、銅、鉄、アルミニウム等の各種金属からなるも
のを用いることができる。

【００４５】本実施の形態におけるガス絶縁開閉装置に
おいて、電磁波の放射および外被サージの抑制は以下に
示すとおり行われる。主導体９を流れるサージから放出
される電磁波は、絶縁フランジ５の外周側の金属メッシ
ュからなる電気伝導体部５ｂによりシールドされるた
め、ＧＩＳタンク７，８の外に漏れ出ることはない。ま
た、ＧＩＳタンク７，８は絶縁フランジ５の外周側の金
属メッシュにより電気的に接続されているため、この部
分により外被サージが誘導されることはない。

【００４６】図３に示した、縦ｌ₁×横ｌ₂、メッシュ間
隔ｃ、メッシュの空隙ｄ×ｄの寸法の金属メッシュにお
ける、シールド効果Ｓは下記式（４）、（５）および
（６）で得られる。

【００４７】

【数４】

【００４８】上記式（４）〜（６）に従って、図４に示
す直径ａの導体を用い、メッシュ間隔がＤ＋ａの金属メ
ッシュを用いた場合のシールド効果（−Ｓ）を求める。
図５は、メッシュの間隔とシールド効果の関係を示す図
であり、絶縁スペーサ５の外周の面積を１００（ｍｍ）
×３０００（ｍｍ）とし、導体線の直径ａが５ｍｍ、１
０ｍｍ、１５ｍｍ、２０ｍｍの場合を示している。

【００４９】図５に示されているように、金属メッシュ
の間隔が、およそ１５０ｍｍになるとシールドを透過す
る電磁波が１０分の１になることがわかる。従って、金
属メッシュの間隔は１５０ｍｍ程度以下であることが望
ましいと考えられる。

【００５０】本実施の形態におけるガス絶縁開閉装置で
は、絶縁スペーサ５が絶縁部５ａに金属メッシュを一体
に形成したものであるので、ガス絶縁開閉装置全体とし
て部品点数が増えることはなく、また、剥離が生じにく
い。また、複雑な組み立て工程を必要としない。

【００５１】また、絶縁部５ａに金属メッシュの外周辺
が埋め込まれた構造とすることによって、剥離を起こり
にくくすることができる。

【００５２】実施の形態３．図６は実施の形態３におけ
るＧＩＳタンクを示す部分断面図であり、図１と同一符
号は同一または相当部分を示している。本実施の形態に
おいては、絶縁スペーサ５の外周側の電気伝導体部５ｂ
が、それ自体が導電性を有する導電性高分子になってお
り、絶縁スペーサ５は絶縁部５ａと導電性高分子からな
る電気伝導体部５ｂを一体に成形することによって得ら
れる。

【００５３】本実施の形態におけるガス絶縁開閉装置に
おいて、電磁波の放射および外被サージの抑制は以下に
示すとおり行われる。主導体９を流れるサージから放出
される電磁波は、絶縁スペーサ５の外周側にある導電性
高分子からなる電気伝導体部５ｂによりシールドされる
ため、ＧＩＳタンク７，８の外に出ることはない。ま
た、ＧＩＳタンク７，８は絶縁スペーサ５の導電性高分
子によって電気的に接続されているため、外被サージが
誘導されることはない。

【００５４】本実施の形態におけるガス絶縁開閉装置で
は、絶縁部５ａと導電性高分子からなる電気伝導体部５
ｂが一体に成形されているので部品点数を増やすことは
なく、また、複雑な組立て工程が不要で、作業性がよく
なる。

【００５５】また、絶縁部５ａと導電性高分子からなる
電気伝導体部５ｂの熱膨張係数が近いので、剥離が起こ
りにくい。

【００５６】

【発明の効果】本発明に係る第１のガス絶縁開閉装置に
よれば、二つのタンクを、導体支持用の絶縁スペーサを
介して密閉接続したガス絶縁開閉装置において、上記絶
縁スペーサが、絶縁部と、この絶縁部の外周側を囲む電
気伝導体部とを備え、この電気伝導体部が上記絶縁部と
一体に形成され、上記二つのタンクと接する面間で上記
二つのタンクを電気的に接続するものであるので、絶縁
スペーサから電磁波が漏れるのを防ぎ、かつ外被サージ
が発生するのを抑制することができる。また、部品点数
が増えることもなく、複雑な組立て作業を必要とせず、
作業性が向上する。

【００５７】本発明に係る第２のガス絶縁開閉装置によ
れば、電気伝導体部が、薄膜状の金属であるので、電気
伝導体部の剥離が生じにくくなり、信頼性が向上する。

【００５８】本発明に係る第３のガス絶縁開閉装置によ
れば、電気伝導体部が、薄板状の金属であるので、簡便
な方法で、絶縁部と電気伝導体部とを一体にした絶縁ス
ペーサが得られる。

【００５９】本発明に係る第４のガス絶縁開閉装置によ
れば、電気伝導体部が、導電性粒子からなり、薄膜状で
あるので、電気伝導体部の剥離が生じにくくなり、信頼
性が向上する。

【００６０】本発明に係る第５および第６のガス絶縁開
閉装置によれば、電気伝導体部が、導電性プラスチック
であるので、絶縁部との密着性がよく、剥離が生じにく
くなり、信頼性が向上する。

【００６１】本発明に係る第７のガス絶縁開閉装置によ
れば、電気伝導体部の厚みが１μｍ以上であるので、電
磁波の漏洩を防止する効果が極めて大きくなる。

【００６２】本発明に係る第８のガス絶縁開閉装置によ
れば、電気伝導体部が、金属メッシュであるので、絶縁
部との接合性がよく、剥離が生じにくくなり、信頼性が
向上する。

【００６３】本発明に係る第９のガス絶縁開閉装置によ
れば、電気伝導体部が、絶縁部に埋め込まれているの
で、より一層剥離が生じにくくなり、信頼性が向上す
る。

【００６４】本発明に係る第１０のガス絶縁開閉装置に
よれば、メッシュの間隔が、１５０ｍｍ以下であるの
で、電磁波の漏洩を防止する効果が極めて大きくなる。

【００６５】本発明に係る第１１のガス絶縁開閉装置に
よれば、二つのタンクを、導体支持用の絶縁スペーサを
介して密閉接続したガス絶縁開閉装置において、上記絶
縁スペーサが、絶縁部と、この絶縁部の外周側に一体に
形成された電気伝導体部とを備え、この電気伝導体部が
導電性高分子からなり、上記二つのタンクと接する面間
で上記二つのタンクを電気的に接続するものであるの
で、絶縁スペーサから電磁波が漏れるのを防ぎ、かつ外
被サージが発生するのを抑制することができる。また、
部品点数が増えることもなく、複雑な組立て作業を必要
とせず、作業性が向上する。さらに、絶縁部と導電性高
分子からなる電気伝導体部の熱膨張係数が近いので、剥
離が生じにくく、信頼性が向上する。

【００６６】本発明に係る第１２のガス絶縁開閉装置に
よれば、電気伝導体部の電気抵抗が、１オーム以下であ
るので、外被サージの誘導を防止する効果が望ましい状
態になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における実施の形態１のガス絶縁開閉
装置の絶縁スペーサ部を示す断面図である。

【図２】本発明における実施の形態２のガス絶縁開閉
装置の絶縁スペーサ部を示す断面図である。

【図３】金属メッシュを示す平面図である。

【図４】導体線により構成された金属メッシュを示す
平面図である。

【図５】導体線の直径を変えた場合の金属メッシュの
間隔とシールド効果の関係を示す図である。

【図６】本発明における実施の形態３のガス絶縁開閉
装置の絶縁スペーサ部を示す断面図である。

【図７】ガス絶縁開閉装置の構成を示す構成図であ
る。

【図８】従来のガス絶縁開閉装置の絶縁スペーサ部を
示す断面図である。

【図９】従来のガス絶縁開閉装置の絶縁スペーサ部を
示す断面図である。

【図１０】ガス絶縁開閉装置における絶縁スペーサ部
の一例を示す断面図である。

【符号の説明】

１断路器、２ガス絶縁開閉器、３，４母線、５，
６絶縁スペーサ、５ａ絶縁部、５ｂ電気伝導体
部、７，８ＧＩＳタンク、９主導体、１０ワッシ
ャ、１１ボルト、１２ナット、１３アースボン
ド、１４金属部、１５絶縁ワッシャ、１６絶縁切
り溝、１７導電性物質、１８金属フランジ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者羽馬洋之東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三菱電機株式会社内Ｆターム(参考） 5G017 FF06 5G365 DA14 DE01 DF02 DF05

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】二つのタンクを、導体支持用の絶縁スペ
ーサを介して密閉接続したガス絶縁開閉装置において、
上記絶縁スペーサが、絶縁部と、この絶縁部の外周側を
囲む電気伝導体部とを備え、この電気伝導体部が上記絶
縁部と一体に形成され、上記二つのタンクと接する面間
で上記二つのタンクを電気的に接続することを特徴とす
るガス絶縁開閉装置。
【請求項２】電気伝導体部が、薄膜状の金属であるこ
とを特徴とする請求項１記載のガス絶縁開閉装置。
【請求項３】電気伝導体部が、薄板状の金属であるこ
とを特徴とする請求項１記載のガス絶縁開閉装置。
【請求項４】電気伝導体部が、導電性粒子からなり、
薄膜状であることを特徴とする請求項１記載のガス絶縁
開閉装置。
【請求項５】電気伝導体部が、導電性プラスチックで
あることを特徴とする請求項１記載のガス絶縁開閉装
置。
【請求項６】導電性プラスチックが、導電性粒子とバ
インダ樹脂との混合物であることを特徴とする請求項５
記載のガス絶縁開閉装置。
【請求項７】電気伝導体部の厚みが、１μｍ以上であ
ることを特徴とする請求項１記載のガス絶縁開閉装置。
【請求項８】電気伝導体部が、金属メッシュであるこ
とを特徴とする請求項１記載のガス絶縁開閉装置。
【請求項９】電気伝導体部が、絶縁部に埋め込まれて
いることを特徴とする請求項８記載のガス絶縁開閉装
置。
【請求項１０】メッシュの間隔が、１５０ｍｍ以下で
あることを特徴とする請求項８記載のガス絶縁開閉装
置。
【請求項１１】二つのタンクを、導体支持用の絶縁ス
ペーサを介して密閉接続したガス絶縁開閉装置におい
て、上記絶縁スペーサが、絶縁部と、この絶縁部の外周
側に一体に形成された電気伝導体部とを備え、この電気
伝導体部が導電性高分子からなり、上記二つのタンクと
接する面間で上記二つのタンクを電気的に接続すること
を特徴とするガス絶縁開閉装置。
【請求項１２】電気伝導体部の電気抵抗が、１オーム
以下であることを特徴とする請求項１または１１記載の
ガス絶縁開閉装置。