JP2001230493A - 半導体レーザ発光装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 多重横モードレーザ光を発振する半導体レー
ザ発光装置の近視野像の安定化を図って、応用分野の拡
大を図る。 【解決手段】 多重横モードレーザ光を発振するもので
活性層１６上にストライプ状に形成されたクラッド層１
８を備えた半導体レーザ発光装置１において、該半導体
レーザ発光装置１の電流注入領域２１はその内部と外部
とで光の吸収損失差を有し、前記電流注入領域２１外の
クラッド層１８は０．７μｍ以下の厚さに形成されてい
るものである。
ザ発光装置の近視野像の安定化を図って、応用分野の拡
大を図る。 【解決手段】 多重横モードレーザ光を発振するもので
活性層１６上にストライプ状に形成されたクラッド層１
８を備えた半導体レーザ発光装置１において、該半導体
レーザ発光装置１の電流注入領域２１はその内部と外部
とで光の吸収損失差を有し、前記電流注入領域２１外の
クラッド層１８は０．７μｍ以下の厚さに形成されてい
るものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ発光
装置に関し、詳しくは多重横モードレーザ光を発振する
もので近視野像（ＮＦＰと略記される、ＮＦＰはNear F
ield Patternの略）の安定化を図った半導体レーザ発光
装置に関する。
装置に関し、詳しくは多重横モードレーザ光を発振する
もので近視野像（ＮＦＰと略記される、ＮＦＰはNear F
ield Patternの略）の安定化を図った半導体レーザ発光
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の多重横モードレーザ光を発振する
半導体レーザ発光装置は、活性層上に１０μｍ以上の幅
を有するストライプ構造（以下、ワイドストライプ構造
という）のクラッド層を備えたもので、図８に示すよう
な構造を有している。
半導体レーザ発光装置は、活性層上に１０μｍ以上の幅
を有するストライプ構造（以下、ワイドストライプ構造
という）のクラッド層を備えたもので、図８に示すよう
な構造を有している。
【０００３】図８に示すように、従来の多重横モードの
レーザ光を発振する半導体レーザ発光装置１０１では、
活性層１１１上に形成されたクラッド層１１２の一部が
ストライプ状に形成され、このストライプ部分で電流注
入領域１２１が構成されている。この電流注入領域１２
１の両側には、例えばボロンイオン（Ｂ+）を注入して
電流非注入領域１２２が形成されている。この電流非注
入領域１２２底部のクラッド層１１２は、厚さｔが１μ
ｍ以上、例えば１．３μｍ程度になるように形成されて
いる。
レーザ光を発振する半導体レーザ発光装置１０１では、
活性層１１１上に形成されたクラッド層１１２の一部が
ストライプ状に形成され、このストライプ部分で電流注
入領域１２１が構成されている。この電流注入領域１２
１の両側には、例えばボロンイオン（Ｂ+）を注入して
電流非注入領域１２２が形成されている。この電流非注
入領域１２２底部のクラッド層１１２は、厚さｔが１μ
ｍ以上、例えば１．３μｍ程度になるように形成されて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、多重横
モードのレーザ光を発振する従来の半導体レーザ発光装
置では、ある注入電流値（出力）で近視野像（ＮＦＰ）
が不安定となる。この現象を、図９によって以下に説明
する。
モードのレーザ光を発振する従来の半導体レーザ発光装
置では、ある注入電流値（出力）で近視野像（ＮＦＰ）
が不安定となる。この現象を、図９によって以下に説明
する。
【０００５】図９の（１）に示す半導体レーザ発光装置
１０１では、近視野像に明るい部分Ｌと暗い部分Ｄとが
できる。注入電流値（もしくは光出力）を変化させてい
くと、明るい部分Ｌが左右（矢印方向）に揺れて見え
る。または、明暗の近視野像の一部もしくは全体の明暗
が変化することで、図９の（２）に示すように、半導体
レーザ発光装置１０１は近視野像の明るい部分Ｌと暗い
部分Ｄとが逆転した状態になる。すなわち、時間の経過
とともに明るい部分Ｌと暗い部分Ｄとが不規則に入れ替
わる。また、近視野像端部に発光強度の変化が見られ
る。このように近視野像が不安定になっている。
１０１では、近視野像に明るい部分Ｌと暗い部分Ｄとが
できる。注入電流値（もしくは光出力）を変化させてい
くと、明るい部分Ｌが左右（矢印方向）に揺れて見え
る。または、明暗の近視野像の一部もしくは全体の明暗
が変化することで、図９の（２）に示すように、半導体
レーザ発光装置１０１は近視野像の明るい部分Ｌと暗い
部分Ｄとが逆転した状態になる。すなわち、時間の経過
とともに明るい部分Ｌと暗い部分Ｄとが不規則に入れ替
わる。また、近視野像端部に発光強度の変化が見られ
る。このように近視野像が不安定になっている。
【０００６】なお、上記近視野像の明暗が揺らぐという
現象は、多重モード発振の半導体レーザ発光装置特有の
課題であり、ストライプ幅が狭い（例えば３μｍ程度も
しくはそれ以下）、いわゆるシングルモード発振の半導
体レーザ発光装置では現れないので問題とはならない。
現象は、多重モード発振の半導体レーザ発光装置特有の
課題であり、ストライプ幅が狭い（例えば３μｍ程度も
しくはそれ以下）、いわゆるシングルモード発振の半導
体レーザ発光装置では現れないので問題とはならない。
【０００７】また、従来の利得導波構造の半導体レーザ
発光装置では、ストライプ状に形成された部分の直下と
その外側とでは屈折率差が設けられていないため、スト
ライプ状に形成された部分の直下の外側方向にも近視野
像が広がり、上記のような近視野像の不安定性が現れ
る。
発光装置では、ストライプ状に形成された部分の直下と
その外側とでは屈折率差が設けられていないため、スト
ライプ状に形成された部分の直下の外側方向にも近視野
像が広がり、上記のような近視野像の不安定性が現れ
る。
【０００８】このように近視野像が不安定になる現象の
ため、印刷機のような発光の均一性が要求される機器に
上記半導体レーザ発光装置を適用すると、むら（例えば
印刷機の場合には印刷むら）を生じる。そこで、発光の
均一性を得るために、発振されたレーザ光を、一旦光フ
ァイバに通して均一化し、その均一化された光を用いる
方法がある。しかしこの方法ではコスト高となる。
ため、印刷機のような発光の均一性が要求される機器に
上記半導体レーザ発光装置を適用すると、むら（例えば
印刷機の場合には印刷むら）を生じる。そこで、発光の
均一性を得るために、発振されたレーザ光を、一旦光フ
ァイバに通して均一化し、その均一化された光を用いる
方法がある。しかしこの方法ではコスト高となる。
【０００９】また、近視野像に不安定が生じる電流値
は、動作環境の温度のような動作条件によって変化し、
さらには同一材料、条件で製造した半導体レーザ発振装
置であっても、近視野像が不安定になる現象が生じる電
流値はそれぞれに異なるため、近視野像が不安定になる
動作点を避けることも困難であった。
は、動作環境の温度のような動作条件によって変化し、
さらには同一材料、条件で製造した半導体レーザ発振装
置であっても、近視野像が不安定になる現象が生じる電
流値はそれぞれに異なるため、近視野像が不安定になる
動作点を避けることも困難であった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされた半導体レーザ発光装置である。
決するためになされた半導体レーザ発光装置である。
【００１１】上記半導体レーザ発光装置は、多重横モー
ドレーザ光を発振するもので活性層上にストライプ状に
形成されたクラッド層を備えた半導体レーザ発光装置に
おいて、該半導体レーザ発光装置の電流注入領域はその
内部と外部とで光の吸収損失差を有し、前記電流注入領
域外のクラッド層は０．７μｍ以下の厚さに形成されて
いるものである。または、該半導体レーザ発光装置の電
流注入領域はその内部と外部とで光の吸収損失差を有
し、前記電流注入領域のみに前記クラッド層は形成され
ているものである。
ドレーザ光を発振するもので活性層上にストライプ状に
形成されたクラッド層を備えた半導体レーザ発光装置に
おいて、該半導体レーザ発光装置の電流注入領域はその
内部と外部とで光の吸収損失差を有し、前記電流注入領
域外のクラッド層は０．７μｍ以下の厚さに形成されて
いるものである。または、該半導体レーザ発光装置の電
流注入領域はその内部と外部とで光の吸収損失差を有
し、前記電流注入領域のみに前記クラッド層は形成され
ているものである。
【００１２】上記半導体レーザ発光装置では、電流注入
領域外のクラッド層は０．７μｍ以下の厚さに形成され
ていることから、または電流注入領域のみにクラッド層
は形成されていることから、効率よく電流注入領域に電
流が注入され電流リーク量が抑制される。また半導体レ
ーザ発光装置の電流注入領域はその内部と外部とで光の
吸収損失差を有することから、レーザ光の導波をストラ
イプ状に形成された電流注入領域の内部と外部とで変え
られる。よって、光がストライプ状に形成された部分の
直下に効率よく閉じ込められるため、近視野像の明るい
部分と暗い部分とが揺らぐことなく、安定した近視野像
（ＮＦＰ）が得られるようになる。
領域外のクラッド層は０．７μｍ以下の厚さに形成され
ていることから、または電流注入領域のみにクラッド層
は形成されていることから、効率よく電流注入領域に電
流が注入され電流リーク量が抑制される。また半導体レ
ーザ発光装置の電流注入領域はその内部と外部とで光の
吸収損失差を有することから、レーザ光の導波をストラ
イプ状に形成された電流注入領域の内部と外部とで変え
られる。よって、光がストライプ状に形成された部分の
直下に効率よく閉じ込められるため、近視野像の明るい
部分と暗い部分とが揺らぐことなく、安定した近視野像
（ＮＦＰ）が得られるようになる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の半導体レーザ発光装置に
係る第１の実施の形態を、図１の概略構成断面図によっ
て説明する。
係る第１の実施の形態を、図１の概略構成断面図によっ
て説明する。
【００１４】図１に示すように、ＧａＡｓ基板からなる
基板１１の表面側には、第１のｎ型バッファ層１２、第
２のｎ型バッファ層１３、ｎ型クラッド層１４、ガイド
層１５、活性層１６、ガイド層１７、ｐ型クラッド層１
８、ｐ型ＧａＡｓからなるｐ型キャップ層１９が下層よ
り順に形成されている。また、上記基板１１の裏面側に
はｎ型電極層９１が形成されている。
基板１１の表面側には、第１のｎ型バッファ層１２、第
２のｎ型バッファ層１３、ｎ型クラッド層１４、ガイド
層１５、活性層１６、ガイド層１７、ｐ型クラッド層１
８、ｐ型ＧａＡｓからなるｐ型キャップ層１９が下層よ
り順に形成されている。また、上記基板１１の裏面側に
はｎ型電極層９１が形成されている。
【００１５】一例として、上記第１のｎ型バッファ層１
２はｎ型ＧａＡｓを例えば０．５μｍの厚さに堆積して
形成されていて、上記第２のｎ型バッファ層１３はｎ型
Ａｌ 0.3ＧａＡｓを例えば０．５μｍの厚さに堆積して
形成されている。また、上記ｎ型クラッド層１４はｎ型
Ａｌx ＧａＡｓを例えば１．８μｍの厚さに堆積して形
成されている。さらに、上記ガイド層１５はＡｌ0.3Ｇ
ａＡｓを例えば６０ｎｍ〜６５ｎｍの厚さに堆積して形
成されていて、上記活性層１６はＡｌ0.1ＧａＡｓを例
えば１０ｎｍの厚さに堆積して形成されていて、上記ガ
イド層１７はＡｌ0.3ＧａＡｓを例えば６０ｎｍ〜６５
ｎｍの厚さに堆積して形成されている。さらにまた、上
記ｐ型クラッド層１８はｐ型Ａｌx ＧａＡｓを例えば
１．８μｍの厚さに堆積して形成されている。なお、ア
ルミニウム（Ａｌ）濃度ｘは、例えばｘ＝０．５であ
る。
２はｎ型ＧａＡｓを例えば０．５μｍの厚さに堆積して
形成されていて、上記第２のｎ型バッファ層１３はｎ型
Ａｌ 0.3ＧａＡｓを例えば０．５μｍの厚さに堆積して
形成されている。また、上記ｎ型クラッド層１４はｎ型
Ａｌx ＧａＡｓを例えば１．８μｍの厚さに堆積して形
成されている。さらに、上記ガイド層１５はＡｌ0.3Ｇ
ａＡｓを例えば６０ｎｍ〜６５ｎｍの厚さに堆積して形
成されていて、上記活性層１６はＡｌ0.1ＧａＡｓを例
えば１０ｎｍの厚さに堆積して形成されていて、上記ガ
イド層１７はＡｌ0.3ＧａＡｓを例えば６０ｎｍ〜６５
ｎｍの厚さに堆積して形成されている。さらにまた、上
記ｐ型クラッド層１８はｐ型Ａｌx ＧａＡｓを例えば
１．８μｍの厚さに堆積して形成されている。なお、ア
ルミニウム（Ａｌ）濃度ｘは、例えばｘ＝０．５であ
る。
【００１６】上記ｐ型キャップ層１９およびｐ型クラッ
ド層１８は、幅が例えば１０μｍのストライプ状に形成
されており、電流注入領域２１となっている。その電流
注入領域２１の両側には溝状の電流非注入領域２２が形
成されている。この電流非注入領域２２に残されている
ｐ型クラッド層１８の厚さｔは０．７μｍ以下とする。
もしくは、活性層１６を突き抜けるように上記電流非注
入領域２２を構成する溝が形成されていてもよい。
ド層１８は、幅が例えば１０μｍのストライプ状に形成
されており、電流注入領域２１となっている。その電流
注入領域２１の両側には溝状の電流非注入領域２２が形
成されている。この電流非注入領域２２に残されている
ｐ型クラッド層１８の厚さｔは０．７μｍ以下とする。
もしくは、活性層１６を突き抜けるように上記電流非注
入領域２２を構成する溝が形成されていてもよい。
【００１７】さらに、上記ストライプ状に形成された電
流注入領域２１および電流非注入領域２２のｐ型クラッ
ド層１８上を被覆するように、ＧａＡｓ層３１、ｐ型の
Ａｌ 0.5ＧａＡｓ層３２、ｎ型ＧａＡｓ層３３が積層さ
れていて、上記電流注入領域２１上のｎ型ＧａＡｓ層３
３には開口部３４が形成されている。この開口部３４に
はｐ型電極（ｐ型オーミック電極）（図示せず）が形成
されている。
流注入領域２１および電流非注入領域２２のｐ型クラッ
ド層１８上を被覆するように、ＧａＡｓ層３１、ｐ型の
Ａｌ 0.5ＧａＡｓ層３２、ｎ型ＧａＡｓ層３３が積層さ
れていて、上記電流注入領域２１上のｎ型ＧａＡｓ層３
３には開口部３４が形成されている。この開口部３４に
はｐ型電極（ｐ型オーミック電極）（図示せず）が形成
されている。
【００１８】上記半導体レーザ発光装置１では多重横モ
ードレーザ光を発振させるため、電流注入領域２１とな
るストライプ部分の幅は、例えば１０μｍ〜５００μｍ
の範囲内で設定される。
ードレーザ光を発振させるため、電流注入領域２１とな
るストライプ部分の幅は、例えば１０μｍ〜５００μｍ
の範囲内で設定される。
【００１９】以上のように構成された半導体レーザ発光
装置１では、電流非注入領域２２のｐ型クラッド層１８
の厚さｔが０．７μｍ以下に形成されていることから、
電流リーク量が抑制される。またレーザ光の導波をスト
ライプ状に形成された電流注入領域２１と上記電流非注
入領域２２とによって変えることから、電流注入領域２
１と電流非注入領域２２とにおける光吸収損失差によっ
て光がストライプ状に形成された部分の直下に閉じ込め
られるため、安定した近視野像（ＮＦＰ）を得ることが
できる。
装置１では、電流非注入領域２２のｐ型クラッド層１８
の厚さｔが０．７μｍ以下に形成されていることから、
電流リーク量が抑制される。またレーザ光の導波をスト
ライプ状に形成された電流注入領域２１と上記電流非注
入領域２２とによって変えることから、電流注入領域２
１と電流非注入領域２２とにおける光吸収損失差によっ
て光がストライプ状に形成された部分の直下に閉じ込め
られるため、安定した近視野像（ＮＦＰ）を得ることが
できる。
【００２０】一方、電流非注入領域２２のｐ型クラッド
層１８の厚さが０．７μｍを超えると、電流リーク量が
多くなり、安定した近視野像を得ることが困難になる。
層１８の厚さが０．７μｍを超えると、電流リーク量が
多くなり、安定した近視野像を得ることが困難になる。
【００２１】次に、上記半導体レーザ発光装置１の製造
方法を図２によって説明する。図２では前記図１によっ
て示した構成部品と同様のものには同一符号を付与す
る。また、図２の（２）および（３）では下層部分の図
示を省略した。
方法を図２によって説明する。図２では前記図１によっ
て示した構成部品と同様のものには同一符号を付与す
る。また、図２の（２）および（３）では下層部分の図
示を省略した。
【００２２】図２の（１）に示すように、例えば１３３
ｋＰａ程度の減圧下のＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chem
ical Vapor Deposition ）法によって、ＧａＡｓ基板か
らなる基板１１の表面側に、第１のｎ型バッファ層１
２、第２のｎ型バッファ層１３、ｎ型クラッド層１４、
ガイド層１５、活性層１６、ガイド層１７、ｐ型クラッ
ド層１８、ｐ型ＧａＡｓからなるｐ型キャップ層１９を
順次形成する。
ｋＰａ程度の減圧下のＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chem
ical Vapor Deposition ）法によって、ＧａＡｓ基板か
らなる基板１１の表面側に、第１のｎ型バッファ層１
２、第２のｎ型バッファ層１３、ｎ型クラッド層１４、
ガイド層１５、活性層１６、ガイド層１７、ｐ型クラッ
ド層１８、ｐ型ＧａＡｓからなるｐ型キャップ層１９を
順次形成する。
【００２３】一例として、基板１１の表面側に、ｎ型Ｇ
ａＡｓを例えば０．５μｍの厚さに堆積して上記第１の
ｎ型バッファ層１２を形成し、その上にｎ型Ａｌ0.3Ｇ
ａＡｓを例えば０．５μｍの厚さに堆積して上記第２の
ｎ型バッファ層１３を形成する。次いで、ｎ型Ａｌx Ｇ
ａＡｓを例えば１．８μｍの厚さに堆積して上記ｎ型ク
ラッド層１４を形成する。続いて、Ａｌ0.3ＧａＡｓを
例えば６０ｎｍ〜６５ｎｍの厚さに堆積して上記ガイド
層１５を形成し、Ａｌ0.1ＧａＡｓを例えば１０ｎｍの
厚さに堆積して上記活性層１６を形成し、Ａｌ0.3Ｇａ
Ａｓを例えば６０ｎｍ〜６５ｎｍの厚さに堆積して上記
ガイド層１７を形成する。さらに、ｐ型Ａｌx ＧａＡｓ
を例えば１．８μｍの厚さに堆積して上記ｐ型クラッド
層１８を形成する。なお、アルミニウム（Ａｌ）濃度ｘ
は、例えばｘ＝０．５である。
ａＡｓを例えば０．５μｍの厚さに堆積して上記第１の
ｎ型バッファ層１２を形成し、その上にｎ型Ａｌ0.3Ｇ
ａＡｓを例えば０．５μｍの厚さに堆積して上記第２の
ｎ型バッファ層１３を形成する。次いで、ｎ型Ａｌx Ｇ
ａＡｓを例えば１．８μｍの厚さに堆積して上記ｎ型ク
ラッド層１４を形成する。続いて、Ａｌ0.3ＧａＡｓを
例えば６０ｎｍ〜６５ｎｍの厚さに堆積して上記ガイド
層１５を形成し、Ａｌ0.1ＧａＡｓを例えば１０ｎｍの
厚さに堆積して上記活性層１６を形成し、Ａｌ0.3Ｇａ
Ａｓを例えば６０ｎｍ〜６５ｎｍの厚さに堆積して上記
ガイド層１７を形成する。さらに、ｐ型Ａｌx ＧａＡｓ
を例えば１．８μｍの厚さに堆積して上記ｐ型クラッド
層１８を形成する。なお、アルミニウム（Ａｌ）濃度ｘ
は、例えばｘ＝０．５である。
【００２４】次いで、図２の（２）に示すように、リソ
グラフィー技術およびエッチング技術を用いて、上記ｐ
型キャップ層１９およびｐ型クラッド層１８を加工し
て、ストライプ状の電流注入領域２１を形成するととも
に、その両側に溝状の電流非注入領域２２を形成する。
この電流非注入領域２２に残されているｐ型クラッド層
１８の厚さｔは０．７μｍ以下とする。もしくは、活性
層１６を突き抜けるように上記電流非注入領域２２を構
成する溝を形成してもよい。
グラフィー技術およびエッチング技術を用いて、上記ｐ
型キャップ層１９およびｐ型クラッド層１８を加工し
て、ストライプ状の電流注入領域２１を形成するととも
に、その両側に溝状の電流非注入領域２２を形成する。
この電流非注入領域２２に残されているｐ型クラッド層
１８の厚さｔは０．７μｍ以下とする。もしくは、活性
層１６を突き抜けるように上記電流非注入領域２２を構
成する溝を形成してもよい。
【００２５】次いで、図２の（３）に示すように、ＭＯ
ＣＶＤ法によって、上記ストライプ状に形成された電流
注入領域２１およびp型クラッド層１８上を被覆するよ
うに、ＧａＡｓ層３１、ｐ型Ａｌ0.5ＧａＡｓ層３２、
ｎ型ＧａＡｓ層３３を順次成膜する。
ＣＶＤ法によって、上記ストライプ状に形成された電流
注入領域２１およびp型クラッド層１８上を被覆するよ
うに、ＧａＡｓ層３１、ｐ型Ａｌ0.5ＧａＡｓ層３２、
ｎ型ＧａＡｓ層３３を順次成膜する。
【００２６】次いで、リソグラフィー技術およびエッチ
ング技術を用いて、ストライプ状の電流注入領域２１上
のｎ型ＧａＡｓ層３１を除去して開口部３４を形成す
る。その後、亜鉛（Ｚｎ）拡散工程を行った後、ｐ型電
極（例えばｐ型オーミック電極）（図示せず）およびｎ
型電極（例えばｎ型オーミック電極）（図示せず）を形
成する。なお、ストライプ構造を形成した後に成長させ
る層は、上記説明した材料に限定されることはなく、例
えばＧａＡｓのみで構成してもよい。
ング技術を用いて、ストライプ状の電流注入領域２１上
のｎ型ＧａＡｓ層３１を除去して開口部３４を形成す
る。その後、亜鉛（Ｚｎ）拡散工程を行った後、ｐ型電
極（例えばｐ型オーミック電極）（図示せず）およびｎ
型電極（例えばｎ型オーミック電極）（図示せず）を形
成する。なお、ストライプ構造を形成した後に成長させ
る層は、上記説明した材料に限定されることはなく、例
えばＧａＡｓのみで構成してもよい。
【００２７】次に、本発明の半導体レーザ発光装置に係
る第２の実施の形態を図３の概略構成断面図によって説
明する。なお、図３では前記図１によって示した構成部
品と同様のものには同一符号を付与する。また、活性層
より下部は前記第１の実施の形態で説明したのと同様で
あるので、ここでの詳細な説明は省略し、詳細は前記第
１の実施の形態を参照していただきたい。
る第２の実施の形態を図３の概略構成断面図によって説
明する。なお、図３では前記図１によって示した構成部
品と同様のものには同一符号を付与する。また、活性層
より下部は前記第１の実施の形態で説明したのと同様で
あるので、ここでの詳細な説明は省略し、詳細は前記第
１の実施の形態を参照していただきたい。
【００２８】図３に示すように、第２の半導体レーザ発
光装置２は、ＧａＡｓ基板からなる基板１１の表面側
に、第１のｎ型バッファ層１２、第２のｎ型バッファ層
１３、ｎ型クラッド層１４、ガイド層１５、活性層１
６、ガイド層１７が順に積層されている。上記第１のｎ
型クラッド層１２から上記ガイド層１７までの各層の材
質は、例えば前記第１の実施の形態で説明したものと同
様のものを用いている。一方、基板１１の裏面側にはｎ
型電極９１が形成されている。
光装置２は、ＧａＡｓ基板からなる基板１１の表面側
に、第１のｎ型バッファ層１２、第２のｎ型バッファ層
１３、ｎ型クラッド層１４、ガイド層１５、活性層１
６、ガイド層１７が順に積層されている。上記第１のｎ
型クラッド層１２から上記ガイド層１７までの各層の材
質は、例えば前記第１の実施の形態で説明したものと同
様のものを用いている。一方、基板１１の裏面側にはｎ
型電極９１が形成されている。
【００２９】上記ガイド層１７上にはｐ型クラッド層１
８が、例えばｐ型Ａｌx ＧａＡｓ層で形成されていて、
そのｐ型クラッド層１８中には周囲よりも屈折率が大き
い層４１が例えばｐ型Ａｌy ＧａＡｓ層で形成されてい
る。なお、Ａｌ濃度ｘ、ｙは、例えばｘ＝０．５、ｘ＞
ｙである。したがって、ガイド層１７上には、ｐ型クラ
ッド層１８（１８Ａ）、屈折率が大きい層４１、ｐ型ク
ラッド層１８（１８Ｂ）、ｐ型キャップ層１９が積層さ
れていて、屈折率が大きい層４１、ｐ型クラッド層１８
Ｂおよびｐ型キャップ層１９によって、幅が例えば１０
μｍのストライプ構造の電流注入領域２１が形成されて
いる。この半導体レーザ発光装置２においても、電流非
注入領域２２のｐ型クラッド層１８（１８Ａ）の厚さｔ
は０．７μｍ以下とする。もしくは、活性層１６を突き
抜けるように上記電流非注入領域２２を構成する溝が形
成されていてもよい。
８が、例えばｐ型Ａｌx ＧａＡｓ層で形成されていて、
そのｐ型クラッド層１８中には周囲よりも屈折率が大き
い層４１が例えばｐ型Ａｌy ＧａＡｓ層で形成されてい
る。なお、Ａｌ濃度ｘ、ｙは、例えばｘ＝０．５、ｘ＞
ｙである。したがって、ガイド層１７上には、ｐ型クラ
ッド層１８（１８Ａ）、屈折率が大きい層４１、ｐ型ク
ラッド層１８（１８Ｂ）、ｐ型キャップ層１９が積層さ
れていて、屈折率が大きい層４１、ｐ型クラッド層１８
Ｂおよびｐ型キャップ層１９によって、幅が例えば１０
μｍのストライプ構造の電流注入領域２１が形成されて
いる。この半導体レーザ発光装置２においても、電流非
注入領域２２のｐ型クラッド層１８（１８Ａ）の厚さｔ
は０．７μｍ以下とする。もしくは、活性層１６を突き
抜けるように上記電流非注入領域２２を構成する溝が形
成されていてもよい。
【００３０】さらに、上記ストライプ状に形成された電
流注入領域２１および電流非注入領域２２のｐ型クラッ
ド層１８、ｐ型キャップ層１９上を被覆するように、Ｇ
ａＡｓ層３１、ｐ型のＡｌ0.5ＧａＡｓ層３２、ｎ型Ｇ
ａＡｓ層３３が積層されていて、上記電流注入領域２１
上のｎ型ＧａＡｓ層３３には開口部３４が形成されてい
る。この開口部３４にはｐ型電極（ｐ型オーミック電
極）（図示せず）が形成されている。
流注入領域２１および電流非注入領域２２のｐ型クラッ
ド層１８、ｐ型キャップ層１９上を被覆するように、Ｇ
ａＡｓ層３１、ｐ型のＡｌ0.5ＧａＡｓ層３２、ｎ型Ｇ
ａＡｓ層３３が積層されていて、上記電流注入領域２１
上のｎ型ＧａＡｓ層３３には開口部３４が形成されてい
る。この開口部３４にはｐ型電極（ｐ型オーミック電
極）（図示せず）が形成されている。
【００３１】上記半導体レーザ発光装置２では多重横モ
ードレーザ光を発振させるため、電流注入領域２１とな
るストライプ部分の幅は、例えば１０μｍ〜５００μｍ
の範囲内で設定される。
ードレーザ光を発振させるため、電流注入領域２１とな
るストライプ部分の幅は、例えば１０μｍ〜５００μｍ
の範囲内で設定される。
【００３２】以上のように構成された半導体レーザ発光
装置１では、電流非注入領域２２のｐ型クラッド層１８
Ａの厚さｔが０．７μｍ以下に形成されていることか
ら、電流リーク量が抑制される。またレーザ光の導波を
ストライプ状に形成された電流注入領域２１と上記電流
非注入領域２２とによって変えることから、電流注入領
域２１と電流非注入領域２２とにおける光の吸収損失差
によって光がストライプ状に形成された部分の直下に閉
じ込められるため、安定した近視野像（ＮＦＰ）を得る
ことができる。
装置１では、電流非注入領域２２のｐ型クラッド層１８
Ａの厚さｔが０．７μｍ以下に形成されていることか
ら、電流リーク量が抑制される。またレーザ光の導波を
ストライプ状に形成された電流注入領域２１と上記電流
非注入領域２２とによって変えることから、電流注入領
域２１と電流非注入領域２２とにおける光の吸収損失差
によって光がストライプ状に形成された部分の直下に閉
じ込められるため、安定した近視野像（ＮＦＰ）を得る
ことができる。
【００３３】一方、電流非注入領域２２のｐ型クラッド
層１８Ａの厚さｔが０．７μｍを超えると、電流リーク
量が多くなり、安定した近視野像を得ることが困難にな
る。
層１８Ａの厚さｔが０．７μｍを超えると、電流リーク
量が多くなり、安定した近視野像を得ることが困難にな
る。
【００３４】上記半導体レーザ発光装置２の製造方法
は、例えば減圧下のＭＯＣＶＤ法によって、基板１１上
にｎクラッド層１２からＰ型キャップ層１９までの各層
を形成した後、リソグラフィー技術とエッチング技術と
を用いてストライプ構造を形成する。次いで、前記第１
の実施の形態で説明したのと同様の方法によって、Ｇａ
Ａｓ層３１、ｐ型Ａｌ0.5ＧａＡｓ層３２、ｎ型ＧａＡ
ｓ層３３の各層を順に形成し、さらに開口部３４を形成
する。その後、ｐ型電極（図示せず）およびｎ型電極９
１を形成すればよい。
は、例えば減圧下のＭＯＣＶＤ法によって、基板１１上
にｎクラッド層１２からＰ型キャップ層１９までの各層
を形成した後、リソグラフィー技術とエッチング技術と
を用いてストライプ構造を形成する。次いで、前記第１
の実施の形態で説明したのと同様の方法によって、Ｇａ
Ａｓ層３１、ｐ型Ａｌ0.5ＧａＡｓ層３２、ｎ型ＧａＡ
ｓ層３３の各層を順に形成し、さらに開口部３４を形成
する。その後、ｐ型電極（図示せず）およびｎ型電極９
１を形成すればよい。
【００３５】次に、本発明の半導体レーザ発光装置に係
る第３の実施の形態を図４の概略構成断面図によって説
明する。なお、図４では前記図１によって示した構成部
品と同様のものには同一符号を付与する。また、活性層
より下部は前記第１の実施の形態で説明したのと同様で
あるので、ここでの詳細な説明は省略し、詳細は前記第
１の実施の形態を参照していただきたい。
る第３の実施の形態を図４の概略構成断面図によって説
明する。なお、図４では前記図１によって示した構成部
品と同様のものには同一符号を付与する。また、活性層
より下部は前記第１の実施の形態で説明したのと同様で
あるので、ここでの詳細な説明は省略し、詳細は前記第
１の実施の形態を参照していただきたい。
【００３６】図４に示すように、第３の半導体レーザ発
光装置３は、ＧａＡｓ基板からなる基板１１の表面側
に、第１のｎ型バッファ層１２、第２のｎ型バッファ層
１３、ｎ型クラッド層１４、ガイド層１５、活性層１
６、ガイド層１７およびｐ型クラッド層１８が順に積層
されている。
光装置３は、ＧａＡｓ基板からなる基板１１の表面側
に、第１のｎ型バッファ層１２、第２のｎ型バッファ層
１３、ｎ型クラッド層１４、ガイド層１５、活性層１
６、ガイド層１７およびｐ型クラッド層１８が順に積層
されている。
【００３７】上記ｐ型クラッド層１８には、電流非注入
領域２２となる電流狭窄溝５１、５２が形成されてい
て、電流狭窄溝５１、５２間のストライプ状の部分が電
流注入領域２１となっている。一方、電流狭窄溝５１、
５２が電流非注入領域２２となっている。この半導体レ
ーザ発光装置３では、上記電流狭窄溝５１、５２底部の
ｐ型クラッド層１８の厚さｔは０．７μｍ以下とする。
なお、上記電極狭窄溝５１、５１は活性層１６を突き抜
ける状態に形成されていても、半導体レーザ発光装置３
の特性上は差し支えない。
領域２２となる電流狭窄溝５１、５２が形成されてい
て、電流狭窄溝５１、５２間のストライプ状の部分が電
流注入領域２１となっている。一方、電流狭窄溝５１、
５２が電流非注入領域２２となっている。この半導体レ
ーザ発光装置３では、上記電流狭窄溝５１、５２底部の
ｐ型クラッド層１８の厚さｔは０．７μｍ以下とする。
なお、上記電極狭窄溝５１、５１は活性層１６を突き抜
ける状態に形成されていても、半導体レーザ発光装置３
の特性上は差し支えない。
【００３８】さらに、上記ストライプ状に形成された電
流注入領域２１のｐ型クラッド層１８上には、ｐ型キャ
ップ層１９、ｐ型電極（ｐ型オーミック電極）３５が形
成されている。一方、基板１１の裏面側にはｎ型電極９
１が形成されている。
流注入領域２１のｐ型クラッド層１８上には、ｐ型キャ
ップ層１９、ｐ型電極（ｐ型オーミック電極）３５が形
成されている。一方、基板１１の裏面側にはｎ型電極９
１が形成されている。
【００３９】上記半導体レーザ発光装置３では多重横モ
ードレーザ光を発振させるため、電流注入領域２１とな
るストライプ部分の幅は、例えば１０μｍ〜５００μｍ
の範囲内で設定される。
ードレーザ光を発振させるため、電流注入領域２１とな
るストライプ部分の幅は、例えば１０μｍ〜５００μｍ
の範囲内で設定される。
【００４０】以上のように構成された半導体レーザ発光
装置３では、電流狭窄溝５１、５２底部のｐ型クラッド
層１８の厚さｔが０．７μｍ以下に形成されていること
から、電流リーク量が抑制される。またレーザ光の導波
をストライプ状に形成された電流注入領域２１の内部と
その外部とによって変えることから、電流注入領域２１
と電流非注入領域２２とにおける光の吸収損失差によっ
て光がストライプ状に形成された部分の直下に閉じ込め
られるため、安定した近視野像（ＮＦＰ）を得ることが
できる。
装置３では、電流狭窄溝５１、５２底部のｐ型クラッド
層１８の厚さｔが０．７μｍ以下に形成されていること
から、電流リーク量が抑制される。またレーザ光の導波
をストライプ状に形成された電流注入領域２１の内部と
その外部とによって変えることから、電流注入領域２１
と電流非注入領域２２とにおける光の吸収損失差によっ
て光がストライプ状に形成された部分の直下に閉じ込め
られるため、安定した近視野像（ＮＦＰ）を得ることが
できる。
【００４１】一方、電流狭窄溝５１、５２底部のｐ型ク
ラッド層１８Ａの厚さｔが０．７μｍを超えると、電流
リーク量が多くなり、安定した近視野像を得ることが困
難になる。
ラッド層１８Ａの厚さｔが０．７μｍを超えると、電流
リーク量が多くなり、安定した近視野像を得ることが困
難になる。
【００４２】上記半導体レーザ発光装置３の製造方法
は、例えば減圧ＣＶＤ法によって、基板１１上にｎクラ
ッド層１２からＰ型キャップ層１９までの各層を形成し
た後、リソグラフィー技術とエッチング技術とを用いて
電流狭窄溝５１、５２を形成してストライプ構造を成
す。その後、ｐ型電極（図示せず）およびｎ型電極９１
を形成すればよい。
は、例えば減圧ＣＶＤ法によって、基板１１上にｎクラ
ッド層１２からＰ型キャップ層１９までの各層を形成し
た後、リソグラフィー技術とエッチング技術とを用いて
電流狭窄溝５１、５２を形成してストライプ構造を成
す。その後、ｐ型電極（図示せず）およびｎ型電極９１
を形成すればよい。
【００４３】次に、本発明の半導体レーザ発光装置に係
る第４の実施の形態を図５の概略構成断面図によって説
明する。なお、図５では前記図１によって示した構成部
品と同様のものには同一符号を付与する。また、活性層
より下部は前記第１の実施の形態で説明したのと同様で
あるので、ここでの詳細な説明は省略し、詳細は前記第
１の実施の形態を参照していただきたい。
る第４の実施の形態を図５の概略構成断面図によって説
明する。なお、図５では前記図１によって示した構成部
品と同様のものには同一符号を付与する。また、活性層
より下部は前記第１の実施の形態で説明したのと同様で
あるので、ここでの詳細な説明は省略し、詳細は前記第
１の実施の形態を参照していただきたい。
【００４４】図５に示すように、第４の半導体レーザ発
光装置４は、ＧａＡｓ基板からなる基板１１の表面側
に、第１のｎ型バッファ層１２、第２のｎ型バッファ層
１３、ｎ型クラッド層１４、ガイド層１５、活性層１
６、ガイド層１７およびｐ型クラッド層１８が順に積層
されている。一方、基板１１の裏面側にはＰ型電極９１
が形成されている。
光装置４は、ＧａＡｓ基板からなる基板１１の表面側
に、第１のｎ型バッファ層１２、第２のｎ型バッファ層
１３、ｎ型クラッド層１４、ガイド層１５、活性層１
６、ガイド層１７およびｐ型クラッド層１８が順に積層
されている。一方、基板１１の裏面側にはＰ型電極９１
が形成されている。
【００４５】上記ｐ型クラッド層１８には、電流非注入
領域２２となるイオン注入領域６１、６２が形成されて
いて、イオン注入領域６１、６２間のストライプ状の部
分が電流注入領域２１となっている。この半導体レーザ
発光装置４では、上記イオン注入領域６１、６２底部の
ｐ型クラッド層１８の厚さｔは０．７μｍ以下とする。
なお、上記イオン注入領域６１、６２は活性層１６を突
き抜ける状態に形成されていても、半導体レーザ発光装
置４の特性上は差し支えない。
領域２２となるイオン注入領域６１、６２が形成されて
いて、イオン注入領域６１、６２間のストライプ状の部
分が電流注入領域２１となっている。この半導体レーザ
発光装置４では、上記イオン注入領域６１、６２底部の
ｐ型クラッド層１８の厚さｔは０．７μｍ以下とする。
なお、上記イオン注入領域６１、６２は活性層１６を突
き抜ける状態に形成されていても、半導体レーザ発光装
置４の特性上は差し支えない。
【００４６】さらに、上記ストライプ状に形成された電
流注入領域２１のｐ型クラッド層１８上には、ｐ型キャ
ップ層１９が形成されている。
流注入領域２１のｐ型クラッド層１８上には、ｐ型キャ
ップ層１９が形成されている。
【００４７】上記半導体レーザ発光装置４では多重横モ
ードレーザ光を発振させるため、電流注入領域２１とな
るストライプ部分の幅は、例えば１０μｍ〜５００μｍ
の範囲内で設定される。
ードレーザ光を発振させるため、電流注入領域２１とな
るストライプ部分の幅は、例えば１０μｍ〜５００μｍ
の範囲内で設定される。
【００４８】以上のように構成された半導体レーザ発光
装置４では、イオン注入領域６１、６２底部のｐ型クラ
ッド層１８の厚さｔが０．７μｍ以下に形成されている
ことから、電流リーク量が抑制される。またレーザ光の
導波をストライプ状に形成された電流注入領域２１の内
部とその外部とによって変えることから、電流注入領域
２１と電流非注入領域２２とにおける光吸収損失差によ
って光がストライプ状に形成された部分の直下に閉じ込
められるため、安定した近視野像（ＮＦＰ）を得ること
ができる。
装置４では、イオン注入領域６１、６２底部のｐ型クラ
ッド層１８の厚さｔが０．７μｍ以下に形成されている
ことから、電流リーク量が抑制される。またレーザ光の
導波をストライプ状に形成された電流注入領域２１の内
部とその外部とによって変えることから、電流注入領域
２１と電流非注入領域２２とにおける光吸収損失差によ
って光がストライプ状に形成された部分の直下に閉じ込
められるため、安定した近視野像（ＮＦＰ）を得ること
ができる。
【００４９】一方、イオン注入領域６１、６２底部のｐ
型クラッド層１８の厚さｔが０．７μｍを超えると、電
流リーク量が多くなり、安定した近視野像を得ることが
困難になる。
型クラッド層１８の厚さｔが０．７μｍを超えると、電
流リーク量が多くなり、安定した近視野像を得ることが
困難になる。
【００５０】上記半導体レーザ発光装置４の製造方法
は、例えば減圧ＣＶＤ法によって、基板１１上にｎクラ
ッド層１２からＰ型キャップ層１９までの各層を形成し
た後、イオン注入技術を用いてイオン注入領域６１、６
２を形成してストライプ構造を成す。その後、Ｐ型電極
（図示せず）およびｎ型電極９１を形成すればよい。
は、例えば減圧ＣＶＤ法によって、基板１１上にｎクラ
ッド層１２からＰ型キャップ層１９までの各層を形成し
た後、イオン注入技術を用いてイオン注入領域６１、６
２を形成してストライプ構造を成す。その後、Ｐ型電極
（図示せず）およびｎ型電極９１を形成すればよい。
【００５１】上記各実施の形態では、ＧａＡｓ基板上に
成長させたＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ発光
装置について述べたが、基板や材質の異なる半導体レー
ザ発光装置についても本発明の構成を適用することがで
きる。例えば、ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レ
ーザ発光装置やＧａＮ／ＩｎＧａＮ系半導体レーザ発光
装置に本発明の構成を適用することによって、近視野像
の不安定現象を改善することができる。
成長させたＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ発光
装置について述べたが、基板や材質の異なる半導体レー
ザ発光装置についても本発明の構成を適用することがで
きる。例えば、ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レ
ーザ発光装置やＧａＮ／ＩｎＧａＮ系半導体レーザ発光
装置に本発明の構成を適用することによって、近視野像
の不安定現象を改善することができる。
【００５２】その実施の形態の一例を、第５の実施の形
態として赤色発光のＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ系半導
体レーザ発光装置を図６の概略構成断面図によって説明
し、第６の実施の形態として青色発光のＧａＮ／ＩｎＧ
ａＮ系半導体レーザ発光装置を図７の概略構成断面図に
よって説明する。
態として赤色発光のＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ系半導
体レーザ発光装置を図６の概略構成断面図によって説明
し、第６の実施の形態として青色発光のＧａＮ／ＩｎＧ
ａＮ系半導体レーザ発光装置を図７の概略構成断面図に
よって説明する。
【００５３】図６に示すように、赤色発光のＧａＩｎＰ
／ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ発光装置（第５の半導
体レーザ発光装置）５は、ｎ型の基板１１の表面側に、
ｎ型クラッド層７２、ガイド層７３、活性層７４、ガイ
ド層７５が順に積層されている。このガイド層７５上に
はｐ型クラッド層７６が形成されていて、そのｐ型クラ
ッド層７６中には周囲よりも屈折率が大きい層７７が例
えばｐ型Ａｌx ＧａＩｎＰ層（ただしｘ＞ｙ）で形成さ
れている。
／ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ発光装置（第５の半導
体レーザ発光装置）５は、ｎ型の基板１１の表面側に、
ｎ型クラッド層７２、ガイド層７３、活性層７４、ガイ
ド層７５が順に積層されている。このガイド層７５上に
はｐ型クラッド層７６が形成されていて、そのｐ型クラ
ッド層７６中には周囲よりも屈折率が大きい層７７が例
えばｐ型Ａｌx ＧａＩｎＰ層（ただしｘ＞ｙ）で形成さ
れている。
【００５４】上記ｎ型クラッド層７２は、例えばｎ型Ａ
ｌＧａＩｎＰ層で形成されている。上記ガイド層７３
は、例えばＧａＩｎＰ層で形成されている。上記活性層
７４は、例えばＡｌＧａＩｎＰ層で形成されている。上
記ガイド層７５は、例えばＧａＩｎＰ層で形成されてい
る。さらに、上記ｐ型クラッド層７６Ａ、７６Ｂは、例
えばｐ型Ａｌx ＧａＩｎＰ層で形成されている。また、
上記屈折率が大きい層７７は、例えばｐ型Ａｌy ＧａＩ
ｎＰ層（ただしｘ＞ｙ）で形成されている。
ｌＧａＩｎＰ層で形成されている。上記ガイド層７３
は、例えばＧａＩｎＰ層で形成されている。上記活性層
７４は、例えばＡｌＧａＩｎＰ層で形成されている。上
記ガイド層７５は、例えばＧａＩｎＰ層で形成されてい
る。さらに、上記ｐ型クラッド層７６Ａ、７６Ｂは、例
えばｐ型Ａｌx ＧａＩｎＰ層で形成されている。また、
上記屈折率が大きい層７７は、例えばｐ型Ａｌy ＧａＩ
ｎＰ層（ただしｘ＞ｙ）で形成されている。
【００５５】したがって、ガイド層７５上にはｐ型クラ
ッド層７６（７６Ａ）、屈折率が大きい層７７、ｐ型ク
ラッド層７６（７６Ｂ）、ｐ型キャップ層（例えば、ｐ
型ＧａＡｓ層）７８が積層されていて、屈折率が大きい
層７７、ｐ型クラッド層７６Ｂおよびｐ型キャップ層７
８によってストライプ構造の電流注入領域２１が形成さ
れている。この半導体レーザ発光装置においても、ｐ型
クラッド層７６Ａの厚さは０．７μｍ以下とする。
ッド層７６（７６Ａ）、屈折率が大きい層７７、ｐ型ク
ラッド層７６（７６Ｂ）、ｐ型キャップ層（例えば、ｐ
型ＧａＡｓ層）７８が積層されていて、屈折率が大きい
層７７、ｐ型クラッド層７６Ｂおよびｐ型キャップ層７
８によってストライプ構造の電流注入領域２１が形成さ
れている。この半導体レーザ発光装置においても、ｐ型
クラッド層７６Ａの厚さは０．７μｍ以下とする。
【００５６】また、電流注入領域２１の両側の電流非注
入領域２２は、例えばＧａＡｓ層７９が形成されてい
る。
入領域２２は、例えばＧａＡｓ層７９が形成されてい
る。
【００５７】上記半導体レーザ発光装置５では多重横モ
ードレーザ光を発振させるため、電流注入領域２１とな
るストライプ部分の幅は、例えば１０μｍ〜５００μｍ
の範囲内で設定される。
ードレーザ光を発振させるため、電流注入領域２１とな
るストライプ部分の幅は、例えば１０μｍ〜５００μｍ
の範囲内で設定される。
【００５８】以上のように構成された半導体レーザ発光
装置５では、電流非注入領域２２のｐ型クラッド層１８
Ａの厚さｔが０．７μｍ以下に形成されていることか
ら、電流リーク量が抑制される。またレーザ光の導波を
ストライプ状に形成された電流注入領域２１の内部とそ
の外部とによって変えることから、電流注入領域２１と
電流非注入領域２２とにおける光吸収損失差によって光
がストライプ状に形成された部分の直下に閉じ込められ
るため、安定した近視野像（ＮＦＰ）を得ることができ
る。
装置５では、電流非注入領域２２のｐ型クラッド層１８
Ａの厚さｔが０．７μｍ以下に形成されていることか
ら、電流リーク量が抑制される。またレーザ光の導波を
ストライプ状に形成された電流注入領域２１の内部とそ
の外部とによって変えることから、電流注入領域２１と
電流非注入領域２２とにおける光吸収損失差によって光
がストライプ状に形成された部分の直下に閉じ込められ
るため、安定した近視野像（ＮＦＰ）を得ることができ
る。
【００５９】一方、電流非注入領域２２のｐ型クラッド
層１８Ａの厚さｔが０．７μｍを超えると、電流リーク
量が多くなり、安定した近視野像を得ることが困難にな
る。
層１８Ａの厚さｔが０．７μｍを超えると、電流リーク
量が多くなり、安定した近視野像を得ることが困難にな
る。
【００６０】上記半導体レーザ発光装置５の製造方法
は、例えば減圧ＣＶＤ法によって、基板１１上にｎクラ
ッド層７２からＰ型キャップ層７８までの各層を形成し
た後、リソグラフィー技術とエッチング技術とを用いて
電極非注入領域２２となる溝を形成してストライプ構造
の電流注入領域２１を形成する。その後、各電極を形成
すればよい。
は、例えば減圧ＣＶＤ法によって、基板１１上にｎクラ
ッド層７２からＰ型キャップ層７８までの各層を形成し
た後、リソグラフィー技術とエッチング技術とを用いて
電極非注入領域２２となる溝を形成してストライプ構造
の電流注入領域２１を形成する。その後、各電極を形成
すればよい。
【００６１】次に、図７に示すように、青色発光のＧａ
Ｎ／ＩｎＧａＮ系半導体レーザ発光装置（第６の半導体
レーザ発光装置）６は、ｎ型の基板１１の表面側に、ｎ
型クラッド層８２、活性層８３が順に積層されている。
この活性層８３上にはｐ型クラッド層８４が形成されて
いて、そのｐ型クラッド層８４の一部はストライプ状に
形成され、そのストライプ状に形成されている部分が電
流注入領域２１となっている。この半導体レーザ発光装
置６においても、ストライプ構造の電流注入領域２１の
両側における電極非注入領域２２底部のｐ型クラッド層
８４の厚さｔは０．７μｍ以下になっている。
Ｎ／ＩｎＧａＮ系半導体レーザ発光装置（第６の半導体
レーザ発光装置）６は、ｎ型の基板１１の表面側に、ｎ
型クラッド層８２、活性層８３が順に積層されている。
この活性層８３上にはｐ型クラッド層８４が形成されて
いて、そのｐ型クラッド層８４の一部はストライプ状に
形成され、そのストライプ状に形成されている部分が電
流注入領域２１となっている。この半導体レーザ発光装
置６においても、ストライプ構造の電流注入領域２１の
両側における電極非注入領域２２底部のｐ型クラッド層
８４の厚さｔは０．７μｍ以下になっている。
【００６２】上記ｎ型クラッド層８２は、例えば厚さが
１．５μｍのｎ型ＧａＮ層で形成されている。上記活性
層８３は、例えば厚さが５０ｎｍのＩｎＧａＮ層で形成
されている。上記ｐ型クラッド層８４は、例えばｐ型Ｇ
ａＮ層で形成されていて、ストライプ状に形成されてい
る部分は例えば１．５μｍの厚さに形成されている。
１．５μｍのｎ型ＧａＮ層で形成されている。上記活性
層８３は、例えば厚さが５０ｎｍのＩｎＧａＮ層で形成
されている。上記ｐ型クラッド層８４は、例えばｐ型Ｇ
ａＮ層で形成されていて、ストライプ状に形成されてい
る部分は例えば１．５μｍの厚さに形成されている。
【００６３】また、電流注入領域２１の両側の電流非注
入領域２２は、例えばＡｌＧａＮ層で８５が形成されて
いる。
入領域２２は、例えばＡｌＧａＮ層で８５が形成されて
いる。
【００６４】また、電流注入領域２１の両側の電流非注
入領域２２は、例えばＧａＡｓ層で形成されている。
入領域２２は、例えばＧａＡｓ層で形成されている。
【００６５】上記半導体レーザ発光装置６では多重横モ
ードレーザ光を発振させるため、電流注入領域２１とな
るストライプ部分の幅は、例えば１０μｍ〜５００μｍ
の範囲内で設定される。
ードレーザ光を発振させるため、電流注入領域２１とな
るストライプ部分の幅は、例えば１０μｍ〜５００μｍ
の範囲内で設定される。
【００６６】以上のように構成された半導体レーザ発光
装置６では、電流非注入領域２２のｐ型クラッド層８４
の厚さｔが０．７μｍ以下に形成されていることから、
電流リーク量が抑制される。またレーザ光の導波をスト
ライプ状に形成された電流注入領域２１の内部とその外
部とによって変えることから、電流注入領域２１と電流
非注入領域２２とにおける光吸収損失差によって光がス
トライプ状に形成された部分の直下に閉じ込められるた
め、安定した近視野像（ＮＦＰ）を得ることができる。
装置６では、電流非注入領域２２のｐ型クラッド層８４
の厚さｔが０．７μｍ以下に形成されていることから、
電流リーク量が抑制される。またレーザ光の導波をスト
ライプ状に形成された電流注入領域２１の内部とその外
部とによって変えることから、電流注入領域２１と電流
非注入領域２２とにおける光吸収損失差によって光がス
トライプ状に形成された部分の直下に閉じ込められるた
め、安定した近視野像（ＮＦＰ）を得ることができる。
【００６７】一方、電流非注入領域２２のｐ型クラッド
層８４の厚さｔが０．７μｍを超えると、電流リーク量
が多くなり、安定した近視野像を得ることが困難にな
る。
層８４の厚さｔが０．７μｍを超えると、電流リーク量
が多くなり、安定した近視野像を得ることが困難にな
る。
【００６８】上記半導体レーザ発光装置６の製造方法
は、例えば減圧ＣＶＤ法によって、基板１１上にｎクラ
ッド層８２からＰ型クラッド層８４までの各層を形成し
た後、リソグラフィー技術とエッチング技術とを用いて
電極非注入領域２２となる溝を形成してストライプ構造
の電流注入領域２１を形成する。その後、各電極（図示
せず）を形成すればよい。
は、例えば減圧ＣＶＤ法によって、基板１１上にｎクラ
ッド層８２からＰ型クラッド層８４までの各層を形成し
た後、リソグラフィー技術とエッチング技術とを用いて
電極非注入領域２２となる溝を形成してストライプ構造
の電流注入領域２１を形成する。その後、各電極（図示
せず）を形成すればよい。
【００６９】
【発明の効果】以上、説明したように本発明の半導体レ
ーザ発光装置によれば、電流注入領域外のクラッド層は
０．７μｍ以下の厚さに形成されているので、または電
流注入領域のみにクラッド層は形成されているので、電
流リーク量を抑制することができるため、電流注入領域
に電流が効率よく注入できる。また半導体レーザ発光装
置の電流注入領域はその内部と外部とで光の吸収損失差
を有するので、レーザ光の導波をストライプ状に形成さ
れた電流注入領域の内部と外部とで変えられる。よっ
て、光がストライプ状に形成された部分の直下に効率よ
く閉じ込められるため、従来の多重横モードレーザ光を
発振する半導体レーザ発光装置の問題であった光出力も
しくは電流注入量による発光パターンの時間的変化、近
視野像の端部の強度変化等を起こすことなく、安定した
近視野像（ＮＦＰ）を得ることができる。
ーザ発光装置によれば、電流注入領域外のクラッド層は
０．７μｍ以下の厚さに形成されているので、または電
流注入領域のみにクラッド層は形成されているので、電
流リーク量を抑制することができるため、電流注入領域
に電流が効率よく注入できる。また半導体レーザ発光装
置の電流注入領域はその内部と外部とで光の吸収損失差
を有するので、レーザ光の導波をストライプ状に形成さ
れた電流注入領域の内部と外部とで変えられる。よっ
て、光がストライプ状に形成された部分の直下に効率よ
く閉じ込められるため、従来の多重横モードレーザ光を
発振する半導体レーザ発光装置の問題であった光出力も
しくは電流注入量による発光パターンの時間的変化、近
視野像の端部の強度変化等を起こすことなく、安定した
近視野像（ＮＦＰ）を得ることができる。
【００７０】それによって、発光の均一性が要求されて
いる応用分野への多重横モードレーザ光を発振する半導
体レーザ発光装置の適用が可能になる。また、発光の均
一性を光ファイバを用いることなく改善することができ
るので、コストの増大を防ぐことができる。
いる応用分野への多重横モードレーザ光を発振する半導
体レーザ発光装置の適用が可能になる。また、発光の均
一性を光ファイバを用いることなく改善することができ
るので、コストの増大を防ぐことができる。
【図１】本発明の半導体レーザ発光装置に係る第１の実
施の形態を示す概略構成断面図である。
施の形態を示す概略構成断面図である。
【図２】本発明の半導体レーザ発光装置の製造方法を示
す製造工程断面図である。
す製造工程断面図である。
【図３】本発明の半導体レーザ発光装置に係る第２の実
施の形態を示す概略構成断面図である。
施の形態を示す概略構成断面図である。
【図４】本発明の半導体レーザ発光装置に係る第３の実
施の形態を示す概略構成断面図である。
施の形態を示す概略構成断面図である。
【図５】本発明の半導体レーザ発光装置に係る第４の実
施の形態を示す概略構成断面図である。
施の形態を示す概略構成断面図である。
【図６】本発明の半導体レーザ発光装置に係る第５の実
施の形態を示す概略構成断面図である。
施の形態を示す概略構成断面図である。
【図７】本発明の半導体レーザ発光装置に係る第６の実
施の形態を示す概略構成断面図である。
施の形態を示す概略構成断面図である。
【図８】従来の半導体レーザ発光装置を示す概略構成断
面図である。
面図である。
【図９】従来の半導体レーザ発光装置に係る課題を説明
する模式図である。
する模式図である。
１…半導体レーザ発光装置、１６…活性層、１８…ｐ型
クラッド層、２１…電流注入領域
クラッド層、２１…電流注入領域
Claims (4)
- 【請求項１】 多重横モードレーザ光を発振するもので
活性層上にストライプ状に形成されたクラッド層を備え
た半導体レーザ発光装置において、 該半導体レーザ発光装置の電流注入領域はその内部と外
部とで光の吸収損失差を有し、 前記電流注入領域外のクラッド層は０．７μｍ以下の厚
さに形成されていることを特徴とする半導体レーザ発光
装置。 - 【請求項２】 電界注入領域はその内部と外部とで光の
屈折率差を有していることを特徴とする請求項１記載の
半導体レーザ発光装置。 - 【請求項３】 多重横モードレーザ光を発振するもので
活性層上にストライプ状に形成されたクラッド層を備え
た半導体レーザ発光装置において、 該半導体レーザ発光装置の電流注入領域はその内部と外
部とで光の吸収損失差を有し、 前記電流注入領域のみに前記クラッド層は形成されてい
ることを特徴とする半導体レーザ発光装置。 - 【請求項４】 電流注入領域はその内部と外部とで光の
屈折率差を有していることを特徴とする請求項３記載の
半導体レーザ発光装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000042338A JP2001230493A (ja) | 2000-02-21 | 2000-02-21 | 半導体レーザ発光装置 |
| TW090103797A TW477096B (en) | 2000-02-21 | 2001-02-20 | Semiconductor laser emitting apparatus |
| GB0104162A GB2365218B (en) | 2000-02-21 | 2001-02-20 | Semiconductor laser emitting apparatus |
| GB0409264A GB2397692B (en) | 2000-02-21 | 2001-02-20 | Semiconductor laser emitting apparatus |
| KR1020010008663A KR100776188B1 (ko) | 2000-02-21 | 2001-02-21 | 반도체 레이저 발광 장치 |
| US09/790,018 US6628687B2 (en) | 2000-02-21 | 2001-02-21 | Semiconductor laser emitting apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000042338A JP2001230493A (ja) | 2000-02-21 | 2000-02-21 | 半導体レーザ発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001230493A true JP2001230493A (ja) | 2001-08-24 |
Family
ID=18565423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000042338A Pending JP2001230493A (ja) | 2000-02-21 | 2000-02-21 | 半導体レーザ発光装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6628687B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001230493A (ja) |
| KR (1) | KR100776188B1 (ja) |
| GB (1) | GB2365218B (ja) |
| TW (1) | TW477096B (ja) |
Cited By (4)
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|---|---|---|---|---|
| JP2005012044A (ja) * | 2003-06-20 | 2005-01-13 | Sony Corp | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| JP2006228941A (ja) * | 2005-02-17 | 2006-08-31 | Sony Corp | 半導体レーザ |
| JP2007227504A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Opnext Japan Inc | 半導体発光装置およびこれを利用した集積型半導体光導波路素子 |
| JP2022520738A (ja) * | 2019-01-31 | 2022-04-01 | フェルディナント－ブラウン－インスティツット ゲーゲーエムベーハー， ライプニッツ－インスティツット フュー ヘーヒストフレクエンツテヒニク | レーザ照射生成装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9368935B2 (en) * | 2008-04-28 | 2016-06-14 | Northrop Grumman Systems Corporation | Method for mode control in multimode semiconductor waveguide lasers |
| CN110402524B (zh) * | 2017-03-16 | 2021-04-16 | 新唐科技日本株式会社 | 半导体激光装置、半导体激光模块以及焊接用激光源系统 |
| CN114497310B (zh) * | 2022-04-15 | 2022-07-05 | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 | 侧向光模式控制高功率半导体器件及其制备方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4309668A (en) * | 1978-02-20 | 1982-01-05 | Nippon Electric Co., Ltd. | Stripe-geometry double heterojunction laser device |
| JPS6024084A (ja) * | 1983-07-19 | 1985-02-06 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS63288086A (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-25 | Seiko Epson Corp | 半導体レ−ザ |
| JP2558744B2 (ja) * | 1987-10-08 | 1996-11-27 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| JPH0231487A (ja) * | 1988-07-20 | 1990-02-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置とその製造方法 |
| US4961197A (en) * | 1988-09-07 | 1990-10-02 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser device |
| US4965806A (en) * | 1989-06-15 | 1990-10-23 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Semiconductor laser devices having lateral refractive index tailoring |
| JP2846668B2 (ja) * | 1989-08-18 | 1999-01-13 | 三洋電機株式会社 | ブロードエリアレーザ |
| US5388116A (en) * | 1992-09-25 | 1995-02-07 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| JPH06216461A (ja) * | 1993-01-19 | 1994-08-05 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| US5557627A (en) * | 1995-05-19 | 1996-09-17 | Sandia Corporation | Visible-wavelength semiconductor lasers and arrays |
| US6023483A (en) * | 1997-03-26 | 2000-02-08 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor light-emitting device |
| JP4274393B2 (ja) | 1999-02-26 | 2009-06-03 | 富士フイルム株式会社 | 半導体発光装置 |
-
2000
- 2000-02-21 JP JP2000042338A patent/JP2001230493A/ja active Pending
-
2001
- 2001-02-20 TW TW090103797A patent/TW477096B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-02-20 GB GB0104162A patent/GB2365218B/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-21 US US09/790,018 patent/US6628687B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-21 KR KR1020010008663A patent/KR100776188B1/ko not_active IP Right Cessation
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| JP2007227504A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Opnext Japan Inc | 半導体発光装置およびこれを利用した集積型半導体光導波路素子 |
| JP2022520738A (ja) * | 2019-01-31 | 2022-04-01 | フェルディナント－ブラウン－インスティツット ゲーゲーエムベーハー， ライプニッツ－インスティツット フュー ヘーヒストフレクエンツテヒニク | レーザ照射生成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2365218A (en) | 2002-02-13 |
| GB2365218B (en) | 2004-06-30 |
| KR100776188B1 (ko) | 2007-11-16 |
| TW477096B (en) | 2002-02-21 |
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| US20010043631A1 (en) | 2001-11-22 |
| US6628687B2 (en) | 2003-09-30 |
| GB0104162D0 (en) | 2001-04-11 |
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