TW477096B - Semiconductor laser emitting apparatus - Google Patents

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Tomoyuki Kitamura
Yuichi Hamaguchi
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Sony Corp
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Description

477096 五、發明說明（1) 發明背景 發明領域 本發明係關於一種半導體雷射放射裝置，較特別的是本 發明關於一種以一多橫向模式放射一雷射束之半導體雷射 放射裝置，即近場圖案（文後通稱為π NFP”）得以穩定。 ·' 相關拮藝說明 、 一以一多橫向模式放射一雷射束之習知半導體雷射放射 ‘ 裝置係在一主動層上具有一長條狀覆層，使其寬度大到1 0 微米以上（即寬條結構），且具有如圖6所示之結構。 如圖8所示，在以一多橫向模式放射一雷射束之習知半 導體雷射放射裝置101中，製成於一主動層111上之一覆層 _ 1 1 2部分係呈長條狀，此長條狀部分構成一電流注入區1 2 1 ，在電流注入區1 2 1之二側上製成已植入例如硼離子（Β+) 之電流非注入區1 2 2。覆層1 1 2係製成使電流非注入區1 2 2 下方之覆層1 1 2部分之厚度t為1微米以上，例如大約1 · 3微 米。 惟，在以一多橫向模式放射一雷射束之習知半導體雷射 放射裝置101中，NFP在一特定之注入電流值時（即輸出）呈 現不穩定，此現象係參考圖9 A、9 B所示。 在圖9A所示之一半導體雷射放射裝置101中，亮部L及暗 部D係製成於N F P中。當注入電流值（或一光學輸出）改變時鲁 ，亮部L可看出其在右與左方向中變動（如箭頭所示）。另 者，NFP中之亮部L及暗部D整體之一部分改變，因此，如 圖9B所示，半導體雷射放射裝置101係在NFP中之亮部L及
第5頁 477096 五、發明說明（2) 暗，D呈現相反之狀態，亦即亮部L及暗 而相互不規則地換位置。此外，發光：者時間過去 ，之邊緣處觀察到’因此NFp會隨著碑在 NFP中之亮部及暗部變動之現象為多 ^疋 雷射放射裝置之原有問題，但暑豆 ”向板式之丰導體 寬度之半導體♦射讲射梦罟由’、。致發生於較窄長條 俗稱之單一槿气掂、、基坐道駚+ j如X約3微米以下），即 二早核式振盪+導體雷射放射裝置。 此外，在一具有增益波導結構 置中’折射指數差異並未dm”雷射f射裝 其外側之間，因此，NFP亦在長條狀部八刀正下方部y刀與 側方向中加寬，故其亦發生上述:Fp;::下方部分之外 當上述半導體雷射放射裝置係用於之現象。 之機器中時，例如印表機，則NFP不穩而要達成發光均度 均勻（例如印表機之印刷不均勻）。現象會造成不 在-方&中-#盪雷射束通過—光發光之均度， 用生成之均勻雷射束，惟，使用方句勻狀，以利使 增加。 万法會不利地造成成本 再者，N F P不穩定時之電流值係 =操作環境之溫度，且在相同條ϋ作條件而改變，例 導，雷射放射裝置具有NFP不穩定下^乂相同材料製成之半 桎i難以在操作半導體雷射放射裝詈拉不同電流值。因此 才呆作點。 展置時避開N F P不穩定之 本發明係 ^^ 種用於解決先刖技藝上述問題之半導體雷射
477096 五、發明說明（3) 放射裝置。本發明之半導體雷射放射裝置係以一多橫向模 式放射一雷射束，且其包含一製成於一主動層上之長條狀 覆層，其中半導體雷射放射裝置之一電流注入區具有一光 學吸收損失差異於電流注入區之内側及外侧之間，其中設 於電流注入區外側上之覆層係製成具有0 . 7微米以下之厚 度。另者，在本發明之半導體雷射放射裝置中，一電流注 入區具有一折射指數差異於電流注入區之内側及外側之間 ，且覆層係僅製成於電流注入區内。 在本發明之半導體雷射放射裝置中，設於電流注入區外 側上之覆層係製成具有0. 7微米以下之厚度，因此，電流 係有效地注入電流注入區，故可抑制電流漏損量。此外， 半導體雷射放射裝置之電流注入區具有一光學吸收損失差 異於電流注入區之内側與外側之間，因此，一雷射之波導 係在長條狀電流注入區之内側與外側之間改變，使得雷射 直接保持雷射於長條狀部分之下，因而可取得一穩定之 NFP，即其鸟並無亮部及暗部之變動。 如上所述，在本發明之半導體雷射放射裝置中，設於電 流注入區外側上之覆層係製成具有0. 7微米以下之厚度， 辽覆層係僅製成於電流注入區内，因此可抑制電流漏損量 ，使電流有效地注入電流注入區。此外，半導體雷射放射 裝置之電流注入區具有一光學吸收損失差異於電流注入區 之内側與外側之間，因此，一雷射之波導係在長條狀電流 注入區之内側與外側之間改變，使得雷射直接保持雷射於 長條狀部分之下，因而可取得一穩定之NFP，而無光輸出
第7頁 477096 五、發明說明（4) 或電流注入量變化所致隨著時間改變發光圖案、NFP邊緣 處強度改變、及類此者之問題，而諸問題卻為以一多橫向 模式放射一雷射束之習知半導體雷射放射裝置需面對者。 因此，以一多橫向模式放射一雷射束之半導體雷射放射 裝置可應用於需要達成發光均度之領域中，再者，發光均 度可在不用光纖下達成，故可避免成本增加。 圖式簡單說明 本發明之前述及其他目的、特性及優點可在習於此技者 審讀以下本發明較佳實施例說明及相關圖式後更易於明瞭 ，其中： 圖1係一截面示意圖，揭示本發明第一實施例之一半導 體雷射放射裝置； 圖2 A至2 C係截面示意圖，揭示製成本發明一半導體雷射 放射裝置之方法； 圖3係一截面示意圖，揭示本發明第二實施例之一半導 體雷射放射裝置； 揭示本發明第三實施例之一半導 揭示本發明第四實施例之一半導 揭示本發明第五實施例之一半導 揭示本發明第六實施例之一半導 圖4係一截面示意圖 體雷射放射裝置； 圖5係一截面示意圖 體雷射放射裝置； 圖6係一截面示意圖 體雷射放射裝置； 圖7係一截面示意圖 體雷射放射裝置；
第8頁 477096 五、發明說明（5) 圖8係一截面示意圖，揭示一習知半導體雷射放射裝置 ;及 -- 一‘ 圖9 A及9 B係一截面說明圖，揭示一習知半導體雷射放射 裝置之問題所在。 較佳實施例詳細說明 本發明第一實施例之半導體雷射放射裝置係參考圖1之 截面示意圖說明之。 如圖1所示，在一第一半導體雷射放射裝置1中，在一由 鎵砷基材所組成之基材11之一表面側上，·由下至上依序製 成一第一η型緩衝層12、一第二η型緩衝層13、一η型覆層 14、一導引層15、一主動層16、一導引層17、一ρ型覆層 18、及一由ρ型鎵砷組成之ρ型帽蓋層19。另方面，在基材 1 1之一背側上製成一 η型電極層9 1 。 上述諸層實例可說明如下。第一 η型緩衝層1 2係藉由沉 積η型鎵砷至例如0.5微米厚度而製成，而第二η型緩衝層 1 3藉由沉積η型鋁3鎵Q. 7砷至例如0 . 5微米厚度而製成。此 外，η型覆層1 4係藉由沉積η型鋁x鎵^砷至例如1 . 8微米厚 度而製成，導引層1 5藉由沉積鋁Q.3鎵。.7砷至例如6 0 - 6 5毫微 米厚度而製成，主動層16藉由沉積I呂Q1蘇〇 9石申至例如1 0毫 微米厚度而製成，及導引層1 7藉由沉積鋁Q.3鎵u砷至例如 60-65毫微米厚度而製成，再者，ρ型覆層18藉由沉積ρ型 鋁x鎵^砷至例如1 . 8微米厚度而製成。在上述諸層材料之 化學式中，鋁原子之比率X係例如0 · 5 ( X = 0 · 5 )。 ρ型帽蓋層1 9及ρ型覆層1 8係製成長條狀，藉此以例如1 0
O:\68\68070.ptd 第9頁 477096 五、發明說明（6) 微米寬度構成一電流注入區2 1。在電流注入區2 1之二側上 ，電流非注入區2 2係製成槽道狀，用於電流非注入區2 2之 P型覆層1 8部分之厚度t為0 . 7微米以下，另者，構成電流 非注入區22之槽道可製成貫穿主動層16。 再者，一鎵砷層31、一？型鋁().5鎵().5砷層32、及一11型鎵 砷層3 3係相互堆疊，以覆蓋長條狀之電流注入區2 1及用於 電流非注入區2 2之p型覆層1 8部分，且一開孔部3 4製成於 電流注入區21上之η型鎵砷層33内，一p型電極（p型歐姆電 極）（圖中未示）製成於開孔部3 4内。
第一半導體雷射放射裝置1係以一多橫向模式放射一雷 射束，因此，構成電流注入區2 1之長條狀部分之寬度即設 定在例如1 0至5 0 0微米範圍内。 在具有上述結構之第一半導體雷射放射裝置1中，用於 電流非注入區22之ρ型覆層18部分之厚度t為0.7微米以下 ，因此可抑制電流漏損量。此外，一雷射之波導係在長條 狀電流注入區2 1及電流非注入區2 2之間改變，使得電流注 入區2 1及電流非注入區2 2之間之光學吸收損失差異直接保 持雷射於長條狀部分之下，因而可取得一穩定之N F P。
反之，當用於電流非注入區22之ρ型覆層18部分之厚度t 超過0 . 7微米，電流漏損量即層加，且變得難以取得一穩 定之NFP。 其次，用於製成第一半導體雷射放射裝置1之一方法係 參考圖2A至2C以說明之，在圖2A至2C及圖1中，相似組件 或部分係以相同參考號碼表示。此外，在圖2B及2C中，其
第10頁 477096 五、發明說明（7) 並未緣示底層部分。 如圖2A所示，在一由鎵砷基材所組成之基材11之一表面 側上，一第一η型緩衝層12、一第二η型緩衝層13、一 η型 覆層14、一導引層15、一主動層16、一導引層17、一ρ型 覆層18、及一由ρ型鎵砷組成之ρ型帽蓋層1 9係在例如大約 1 3 3kPa之降低壓力下，利用一金屬有機化學氣體沉積（文 後簡稱為M0CVD)法依序製成。 上述諸層實例中，在基材1 1之表面側上，η型鎵砷係沉 積至例如0 · 5微米厚度而製成第一 η型緩衝層1 2，鋁Q 3鎵0 7 砷沉積至例如0 . 5微米厚度而製成第二η型緩衝層1 3。隨後 ，η型紹χ鎵㈠砷係沉積至例如1 · 8微米厚度而製成η型覆層 1 4，接著，鋁〇·3鎵。7砷沉積至例如6 0 - 6 5毫微米厚度而製成 導引層1 5，鋁G」鎵Q 9砷沉積至例如1 0毫微米厚度而製成主 動層1 6，及鋁Q 3鎵Q 7砷沉積至例如6 0 - 6 5毫微米厚度而製成 導引層1 7 ’再者，ρ型|gx鎵^珅沉積至例如1 · 8微米厚度而 製成P型覆層18。在上述諸層材料之化學式中，链原子之 比率X係例如0· 5 (χ = 〇· 5)。 ' 如圖2Β所示，ρ型帽蓋層19及ρ型覆層a利用一石版印」 技術及一蝕刻技術處理，以製成一長條狀之電流注入區2 及在電流注入區21之二側上製成一槽道狀電流非注^ 。用於電流非注入區22之Ρ型覆層18部分之厚度t為η 7與 米以下，另者，構成電流#注入區2 2之槽道可製成| 動層16 。 人貝牙： 隨後如圖2 C所示，一鎵砷層3 1 口裂銘0. 5鎵G. 5石申層3 2、
477096 五 、發明說明（8) 及 η型鎵砷層33係利用M0CVD法依序製成，以覆蓋長 之電流注入區21及ρ型覆層18。 · / 隨後利用一石版印刷技術及一蝕刻f’‘技術去除長條狀、士 注入區21上之η型鎵砷層31，藉此製成一開孔部34'。 進行一用於擴散鋅（Zn)之步驟，隨後製成一p型電極 = 歐姆電極）（圖中未示）及一 n型電極（n型歐姆電極Μ 示）。關於製成長條狀結構後用於沉積諸層之材料並益禾 定限制，例如諸層可以僅由鎵砷製成。 ’、“、、特 ^次，本發明-第二實施例之另一半導體雷射放射裝 多考圖3之截面不意圖說明如下，在圖3及圖1中，又’、 件或部分係以相同參考號碼表示，此外，較低於 /、、且 例裝置中，主動層之部分係相同於第一實施例之7 $ $ ，因此在第二實施例中將省略有關於上 ^ 者 ’此可參考第—實施例中之相對應說明之坪細說明 如圖3所示，在第二半導體雷射放射裝77 砷基材所組成之基材丨丨之一表面側上，—在一由鎵 12、一第二η型緩衝層13、一„型覆 莫衝層 主動層16、及一導引層17係依此順m丨J15、一 緩衝層12至導引層17之諸層中，1 在自第一 η型 ^二^射放射裝置中相對應層:；：；^; ，及一具有折射指數大两邊者χ 申製成於導引層17上 鎵Η懷於Ρ型覆層i 8中周在上述層4 =如由-Ρ型銘y 丁 ％ 層材料之化學式中
第12頁 477096 五、發明說明（9) ，鋁原子之比率X、y係滿足於一要求，例如X為〇 5 (Χ = 0· 5)且X大於y (x>y )。據此，p型覆層1 8 ( ! 8八 較大折射指數之層41、p型覆層18 (18B)、及一 p型^具有 1 9係相互堆疊於導引層1 7上，且具有較大折射指數帽蓋層 、P型覆層18B、及p型帽蓋層19構成一具有長條狀結&層41 電流注入區2 1 ，其寬度例如為1 0微米。在第二丰道構之 放射裝置2中，用於電流非注入區22之ρ型覆層18 (18田射 度t為0 · 7微米以下，另者，構成電流非注入區2 2夕她）厚 製成貫穿主動層16。 <㈣可 再者，一鎵砷層31、一p型鋁〇·5鎵〇·5砷層32、及一n型錄 砷層3 3係相互堆疊，以覆蓋用於長條狀電流注入區2 1及電 流非注入區2 2之p塑覆層1 8以及P型帽蓋層1 9，且一開孔部 34製成於電流注入區21上之n型鎵砷層33内’ —P型電極（p 型歐姆電極）（圖中未示）製成於開孔°卩Μ内。 第二半導體雷射放射裝置2係以一夕仏向核式放射一雷 射束，因此，構成電流注入區2 1之長條狀部分之寬度即設 定在例如1〇至5 0 0微米範圍内。 疋至，第二半導體雷射放射裝置2中，用於 在具有上述、纟〇 超覆層1 8Α之厚度t為0· 7微米以下，因 電流非注入區22 。此外，一雷射之波導係在長條狀電 此可抑制電流漏賴二注入區2 2之間改變，使得電流注入區 流注入區2 1及電流之間之光學吸收損失差異直接保持雷 2 1及電流非注入區 因而可取得〆穩定之N F p。 射於長條狀部分之 注入區22之？型覆層18A之厚度t超 反之，當用於電’
第13頁 477096 五、發明說明（10) 過〇_ 7微米 之NFP。 電流漏損量即層加， 且變得難以取得一穩定 第二半導體雷射放射裝置2可由 型緩衝層12至p型帽蓋層19之諸；j 了方政，，，1第一n 於基材丨丨上，隨後-長條狀力/製成 蝕刻技術製成於生成之諸層^接著，鎵石申層3,技：型及-紹〇·5鎵〇·5砷層32、及η型鎵砷層33依序製成於其上，而開孔 部3 4以相同於第一實施例方式製成，隨後製成ρ型電極（ 中未示）及η型電極91。 °
其次，本發明第三實施例之又一半導體雷射放射裝置係 參考圖4之截面示意圖說明如下，在圖4及圖1中，相似組 件或部分係以相同參考號碼表示，此外，較低於第三實施 例裝置中之主動層之部分係相同於第一實施例之裝置中^ ，因此在第三實施例中將省略有關於上述部分之詳細說明 ，此可參考第一實施例中之相對應說明部分。 如圖4所示，在第三半導體雷射放射裝置3中，在一由錄 砷基材所組成之基材1 1之一表面側上，一第一 η型緩衝層 12、一第二η型緩衝層13、一η型覆層14、一導引層15 / 一 主動層1 6、一導引層1 7、及一 ρ型覆層1 8係依此順序相互 堆疊製成。
構成電流非注入區2 2之電流拘限槽道5 1、5 2係製成於0 梨覆層1 8内，且電流拘限槽道5 1、5 2之間之長條狀部分構 成一電流注入區21。在第三半導體雷射放射裝置3中，電 流拘限槽道51、52下方之ρ型覆層18部分之厚度t為〇· 7微
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477096 五、發明說明（11) 米以下，另者，電流拘限样 ^ <製成貫穿主動層16 ，且此一結構不影響第三^ = 射放射裝置3之性質。 ，此外，一p型帽蓋層19及_ ^(P型歐姆電極）35係 製成於用於長條狀電流注入區2丨ιρ贺覆層I 8上，另方面 ’ 之—背側上製成二η蜇電極91。 射束τ因ί體：J J f置3係以’多橫向模式放射-雷 ^ . , Λ 構成電流〉主入區2 1之長條狀邱八々官洚gp执 疋在例如10至5 0 0微米範圍内。 狀。P分之寬度即- 拘限槽道51述& ^ ^ f二】半導體雷射放射裝置3中，電流 長條狀電2 ί Ϊ Ϊ9電流漏損量。此外，一雷射之波導係在 入區21及内側及外側之間改變，使得電流注 持二射於县^ ^〉主入區2 2之間之光學吸收損失差異直接保 、=、；条狀部分之下，因而可取得一穩定之NFp。 Ρ 之&’、畜電流拘限槽道51、52下方之Ρ型覆層18部分之 予^超過0 · 7微米，電流漏損量即層加，且變得難以取得 一穩定之NFP。 # π π 刑ί二半導體雷射放射裝置3可由以下方法製成，自第一 η ，緩衝層12至ρ型帽蓋層l9之諸層係利用一減壓之CVD法製 基材II上’隨後電流拘限槽道51、52利用一石版印刷 技術及一姓刻技術製成於生成之諸層内，藉此製成一長條 狀結，。隨後製成p型電極35及n型電極91耩 < 成長條 ^次，本發明_第四實施例之又一半導體雷射放射裝置係 多考圖5之截面示意圖說明如下，在圖5及圖1中，相似組
第15頁 ^//096 $'發明說明（12) 件或部分係以相同參考號碼表示，此外， 例^置中之主動層之部分係相同於第一實 ，因此在第四實，例中將省略有關於上述部分之^細二明 ’此可參考第一實施例中之相對應說明部分。 、5 如圖5所示，在第四半導體雷射放射裝置刀;， 砷基材所組成之基材1 1之一表面側上，一 一 ’ 12、一第二η型缓衝層U、1型覆層14衝弋 主動層16、一導引層17、及一ρ型覆層18係 ^5互 堆疊製成。另方面，在基材1 1之一背側上制#丨員序相互 月1別上製成一 η型電極 層9 1 〇 構成電流非注入區22之離子植入區61、62係 覆層18内，且離子植入區61、62之間之長條狀一 電流注入區21。在第四半導體雷射放射裝置4 '77 入區61、62下方之ρ型覆層18部分之厚度H = ，另者，離子植入區61、62可製成貫穿主 八 結構不影響第四半導體雷射放射裝置4之勒層1 6，且此一 此外’一 P型帽蓋層19係製成於&用於·' ^。 2 1之p型覆層1 8上。 、長條狀電流注入區 第四半導體雷射放射裝置4係以—夕^ 射束，因此，構成電流注入區2 1之夕仏向模式放射一雷 定在例如1 0至5 0 〇微米範圍内。 條狀部分之寬度即設 植 下 在具有上述結構之第四半導體命 入區61、62下方之p型覆層18田八射放射裝置4中，離子 ，因此可抑制電流漏損量。此刀之厚度t為〇 . 7微米以 ，一雷射之波導係在長
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/U^O 五、發明說明（13) 益二，21之内側及外側之間改變，使得電流注人 雷射於長條狀Ϊ 2 Π2之間之光學吸收損失差異直接保持 反之，合籬#刀之下，因而可取得一穩定之NFP。 度t超過0.田7檄：植C、62下方之ρ型覆層18部分之厚 穩定之NFP。未，電〜漏損量即層加，且變得難以取得一 型以3雷二放射裝置4可由以下方法製成，自第-η 成於基材1 1 _ΐΛ%巾^層之諸層係利用—減壓之GVD法製 術製成於生成之ΪίΪ植入區61、62利用-離子植入技 成ρ型電極(㊁中夫：5此製成一長條狀結•。隨後製 土电圖中未不）及η型電極η。 石申ί i Ϊ各實，例中，其說明藉由容許1呂鎵石申生長於一鎵 Η " 而取得之鎵砷/鋁鎵砷半導體雷射放射事置、，作 疋本發明半導體雷射放射裝置射裝置仁 2材與材料而取得之半導體；用m 體雷射放射裝置之-鎵銦磷/紹鎵銦磷半導體 1可，裴置或一鋁鎵氮/銦鎵氮半導體雷射放射梦置， 其可避免NFP不穩定之不利現象。 ㈣射裝置’ 此半導體雷射放射裝置之實 ，一 J /紹鎵鋼磷半導體雷射放㈣置係說明做、·工〜之鎵姻 之ί二並Λ參半閱導圖】；Ξ面示意圖，而-放射藍色【 銦鎵氮+導體雷射放射裝置 ”六實施例’及請參閱圖7之截面示意圖？做為本發明 圖6所示’在-放射紅色光之鎵銦磷/ig鎵銦料導體
477096 五、發明說明（14) 雷射放射裝置（第五半導體雷射放射裝置）5中，在一 η型 基材11之一表面側上，一η型覆層72、一導引層73、一主 動層7 4、及一導引層7 5係依此順序相互堆疊製成。一 ρ型 覆層76 (76Α、76Β)製成於導引層75上，及一具有折射指 數大於周邊者之層7 7係例如由一 ρ型銘χ鎵銦填層製成於ρ 型覆層7 6内。 η型覆層7 2係例如由一 η型铭鎵銦填層製成，導引層7 3例 如由一鎵銦磷層製成，主動層74例如‘由一鋁鎵銦磷層製成 ，該導引層7 5係由例如鎵銦填層所形成，ρ型覆層7 6 A、 7 6 B例如由一 ρ型鋁x鎵銦磷層製成，具有折射指數之層7 7 例如由一 P型銘y鎵銦鱗層製成。在上述諸層材料之化學式 中，銘原子之比率X、y滿足於一要求，例如X大於y (x>y)。 據此，ρ型覆層76 (76A)、具有較大折射指數之層77、p 型覆層76 (76B)、及一ρ型帽蓋層（例如一ρ型鎵珅層）78 係相互堆疊於導引層7 5上，且具有較大折射指數之層7 7、 P型覆層7 6 B、及ρ型帽蓋層7 8構成一具有長條狀結構之電 流注入區21。在第五半導體雷射放射’裝置5中，ρ型覆層 76A厚度t為0.7微米以下。 此外，例如鎵砷層7 9係製成於電流注入區2 1二側上之電
流非注入區2 2上。 第五半導體雷射放射裝置5係以一多橫向模式放射一雷 射束，因此，構成電流注入區2 1之長條狀部分之寬度即設 定在例如1 0至5 0 0微米範圍内。 477096 五、發明說明（15) 在具有上述結構之第五半導體雷射放射裝置5中，用於 電流非注入區22之P型覆層76A之摩度t為〇·7微米以下’因 此可抑制電流漏損量。此外，一雷射之波導係在長條狀電 流注入區2 1之内側及外側之間改變’使得電流注入區2 1及 電流非注入區2 2之間之光學吸收損失差異直接保持雷射於 長條狀部分之下，因而可取得一穩定之NFP。 反之，當用於電流非注入區22之P型覆層76A之厚度t超 過0 · 7微米，電流漏損量即增加，且變得難以取得一备疋 之NFP 〇 第五半導體雷射放射裝置5可由以下方法製成，自η型覆 層72至ρ型帽蓋層78之諸層係利用一減壓法製成於基 材1 1上，隨後，構成電流非注入區22之槽道係利 ' 二 印刷技術及一蝕刻技術製成，藉此製成一具 *版 之電流注入區21。隨後分別製成電極。’長條狀結構 其次，如圖7所示，在一放射藍色光 導體雷射放射裝置（第六半導體雷射放奘鎵氮/銦鎵氮半 η型基材11之一表面側上，一n型覆層、置）6中，一 此順序相互堆疊製成。一型覆層8 主動層8 ^总价 且一都公η刑费旺。， 衣成於± 3係依 浐、'主入巴21 W呈長條狀’⑶長條狀^動層”上， 流注入區2i二側上之電流非注人區2=、置6，H 一電 分之厚度t為〇 . 7微米以下。 &部之p型藉條狀電 η型覆層82係例如由一厚度為15 覆層84部 氣層製成 成’主動層83例如由一厚度為5〇毫微米氮層製
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477096 五、發明說明（16) P型覆層84例如由一p型铭鎵氮層製成，p型覆層84之長條 狀部分則例如製成1 . 5微米厚度。 此外，例如鋁鎵氮層8 5係製成於電流注入區2 1二側上之 電流非注入區2 2上。 電流注入區2 1二側上之電流非注入區2 2例如由一鎵砷層 製成。 第六半導體雷射放射裝置6係以一多橫向模式放射一雷 射束，因此，構成電流注入區2 1之長條狀部分之寬度即設 定在例如1 0至5 0 0微米範圍内。 在具有上述結構之第六半導體雷射放射裝置6中，用於 電流非注入區2 2之p型覆層8 4部分之厚度t為0 . 7微米以下 ，因此可抑制電流漏損量。此外，一雷射之波導係在長條 狀電流注入區2 1之内側及外側之間改變，使得電流注入區 2 1及電流非注入區2 2之間之光學吸收損失差異直接保持雷 射於長條狀部分之下，因而可取得一穩定之N F P。 反之，當用於電流非注入區22之p型覆層84部分之厚度t 超過0 . 7微米，電流漏損量即層加，且變得難以取得一穩 定之NFP。 第六半導體雷射放射裝置6可由以下方法製成，自η型覆 層82至ρ型覆層84之諸層係利用一減壓之CVD法製成於基材 1 1上，隨後，構成電流非注入區2 2之槽道係利用一石版印 刷技術及一蝕刻技術製成，藉此製成一具有長條狀結構之 電流注入區2 1。隨後分別製成電極（圖中未示）。
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Claims (1)

  1. 477096 六、申請專利範圍 一種以一多 裝置 長條 ，該半導體 狀覆層，其 該半導體雷 收損失差異於該 設於該電流 下之厚度。 如申請專利 流注入區具 側之間。 米以 該電 及外 3. 裝置 長條 收損 4. 該電 及外 一種以一多 ，該半導體 狀覆層，其 該半導體雷 失差異於該 該覆層係僅 如申請專利 流注入區具 側之間。 橫向模式放射一雷射束之半導體雷射放射 雷射放射裝置包含一製成於一主動層上之 中： 射放射裝置之一電流注入區具有一光學吸 電流注入區之内側及外側之間， 注入區外側上之該覆層係製成具有0 . 7微 範圍第1項之半導體雷射放射裝置，其中 有一折射指數差異於該電流注入區之内側 橫向模式放射一雷射束之半導體雷射放射 雷射放射裝置包含一製成於一主動層上之 中·· 射放射裝置之一電流注入區具有一光學吸 電流注入區之内側及外側之間， 製成於該電流注入區内。 範圍第3項之半導體雷射放射裝置，其中 有一折射指數差異於該電流注入區之内側
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