JP2001228169A - Electrical connector - Google Patents

Electrical connector

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JP2001228169A
JP2001228169A JP2000043146A JP2000043146A JP2001228169A JP 2001228169 A JP2001228169 A JP 2001228169A JP 2000043146 A JP2000043146 A JP 2000043146A JP 2000043146 A JP2000043146 A JP 2000043146A JP 2001228169 A JP2001228169 A JP 2001228169A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the relative positional deviation between a contact part and a chip electrode due to temperature rise. SOLUTION: The electrical connector includes a grid having a plurality of apertures in X direction and in Y direction crossing each other and a probe sheet having a plurality of probe elements provided with contact parts and arranged in the respective apertures of the grid. The probe sheet is arranged on one side face of the grid so that the contact parts are positioned in the parts corresponding to the apertures, and in the boundary part between the adjacent aperture areas including one or more apertures, the probe sheet is divided into a plurality of probe areas separated from each other.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
検査に用いる電気的接続装置に関し、特にプローブシー
トを用いた電気的接続装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrical connection device used for testing semiconductor devices, and more particularly to an electrical connection device using a probe sheet.

【0002】[0002]

【従来の技術】集積回路(IC)のような半導体デバイ
スは、回路が仕様書通りに動作するか否かの通電試験
(検査)をされる。そのような通電試験は、半導体ウエ
ーハからICチップに切り離す前に行われることが多
く、また針先(接触子)をチップの電極に押圧される複
数のプローブ(又はプローブ要素)を備えたプローブカ
ードのような電気的接続装置を用いて行われる。
2. Description of the Related Art A semiconductor device such as an integrated circuit (IC) is subjected to a conduction test (inspection) to determine whether or not the circuit operates according to specifications. Such an energization test is often performed before the semiconductor wafer is separated into IC chips, and a probe card provided with a plurality of probes (or probe elements) whose tips (contacts) are pressed against the electrodes of the chip. This is performed using an electrical connection device such as

【0003】この種の電気的接続装置の1つとして、複
数のプローブ要素を電気絶縁性フィルムに形成したプロ
ーブシートと、開口を中央に有する配線基板とを用いる
ものがある。各プローブ要素は、チップの電極に押圧さ
れる接触部を有する。プローブシートは、プローブ要素
の接触部が配線基板の開口と対向するように、配線基板
の一方の面に装着されている。
One type of this type of electrical connection device uses a probe sheet having a plurality of probe elements formed on an electrically insulating film and a wiring board having an opening at the center. Each probe element has a contact that is pressed against the electrode of the chip. The probe sheet is mounted on one surface of the wiring board such that a contact portion of the probe element faces an opening of the wiring board.

【0004】[0004]

【解決しようとする課題】しかし、従来の電気的接続装
置では、プローブシートが周囲温度やウエーハの温度の
変化により大きく熱伸縮し、その結果接触部の相対的位
置関係及び接触部とチップの電極との相対的位置関係が
大きくずれ、チップの電極に接触しない接触部が存在す
る。特に、バーイン試験のようにウエーハを加熱室内に
おいて試験する場合や、多数のチップを同時に試験する
場合には、プローブシートの温度上昇が早く、短時間で
試験不能になる。
However, in the conventional electric connection device, the probe sheet greatly expands and contracts due to a change in the ambient temperature or the temperature of the wafer. As a result, the relative positional relationship between the contact portions and the electrode between the contact portion and the chip are increased. Relative position greatly deviates, and there are contact portions that do not contact the electrodes of the chip. In particular, when a wafer is tested in a heating chamber as in a burn-in test, or when a large number of chips are tested at the same time, the temperature of the probe sheet rises so quickly that the test cannot be performed in a short time.

【0005】それゆえに、ICチップの通電試験に用い
る電気的接続装置においては、温度上昇にともなう接触
部とチップの電極との相対的な位置ずれを小さくするこ
とが望まれる。
[0005] Therefore, in an electrical connection device used for an energization test of an IC chip, it is desired to reduce a relative displacement between a contact portion and an electrode of the chip due to a rise in temperature.

【0006】[0006]

【解決手段、作用及び効果】本発明に係る電気的接続装
置は、互いに交差するX方向及びY方向に複数の開口を
有する格子と、接触部を有する複数のプローブ要素を前
記格子の開口毎に備えるプローブシートとを含む。前記
プローブシートは、前記接触部が前記開口に対応する箇
所に位置するように前記格子の一方の面に配置されてお
り、また1以上の前記開口を含む隣り合う開口領域の境
界部において互いに切り離された複数のプローブ領域に
分割されている。
An electrical connection device according to the present invention comprises a grid having a plurality of openings in X and Y directions intersecting each other, and a plurality of probe elements having a contact portion for each opening of the grid. And a probe sheet provided. The probe sheet is disposed on one surface of the lattice so that the contact portion is located at a position corresponding to the opening, and is separated from each other at a boundary between adjacent opening regions including one or more openings. Divided into multiple probe regions.

【0007】半導体ウエーハ上のチップの通電試験時、
各プローブ要素はその接触部をチップの電極に押圧さ
れ、その状態で通電される。バーイン試験のような加熱
試験や、複数のチップの同時通電試験を行うとき、プロ
ーブシートは、周囲の温度や、半導体ウエーハ及びプロ
ーブ要素自体の温度上昇により膨張する。
At the time of conducting a current test of a chip on a semiconductor wafer,
Each probe element has its contact portion pressed against the electrode of the chip, and is energized in that state. When a heating test such as a burn-in test or a simultaneous energization test for a plurality of chips is performed, the probe sheet expands due to an ambient temperature or a rise in the temperature of the semiconductor wafer and the probe element itself.

【0008】しかし、電気的接続装置においては、プロ
ーブシートが開口領域の境界部に対応する箇所において
切り離された複数のプローブ領域に分割されているか
ら、各プローブ領域の熱膨張は隣のプローブ領域に影響
を与えない。また、プローブ要素の接触部が格子の開口
に対応する箇所に位置するから、プローブ要素、特に接
触部の相対的位置関係、ひいてはチップの電極に対する
接触部の位置関係がプローブ領域の熱膨張により大きな
影響を受けるおそれがない。それらの結果、温度上昇に
ともなう接触部とチップの電極との相対的な位置ずれが
小さくなる。
However, in the electrical connection device, since the probe sheet is divided into a plurality of probe regions separated at locations corresponding to the boundaries of the opening regions, the thermal expansion of each probe region is caused by the adjacent probe region. Does not affect Further, since the contact portion of the probe element is located at a position corresponding to the opening of the lattice, the relative positional relationship of the probe element, particularly the contact portion, and furthermore, the positional relationship of the contact portion with the electrode of the chip is large due to the thermal expansion of the probe region. There is no risk of being affected. As a result, the relative displacement between the contact portion and the electrode of the chip due to the temperature rise is reduced.

【0009】各接触部は前記格子と反対側に突出する突
起電極を含み、前記突起電極は、円錐形、角錐形等の錐
形の形状を有することができる。そのようにすれば、突
起電極がチップの電極に押圧されたとき、突起電極の先
鋭な先端がチップの電極に突き刺さるか、電極の周りの
酸化膜を削り取るから、突起電極とチップの電極とが電
気的に確実に接続される。
Each contact portion includes a protruding electrode protruding on the side opposite to the grid, and the protruding electrode may have a conical shape such as a conical shape or a pyramid shape. By doing so, when the protruding electrode is pressed against the chip electrode, the sharp tip of the protruding electrode pierces the chip electrode or scrapes off the oxide film around the electrode, so that the protruding electrode and the chip electrode are separated. It is securely connected electrically.

【0010】電気的接続装置は、さらに、前記開口内に
配置されたゴムのような弾性体を含み、前記プローブシ
ートはさらに前記弾性体に装着されていることができ
る。そのようにすれば、接触部がチップの電極に押圧さ
れたとき、弾性体がプローブ要素の反力体として作用す
るから、接触部の高さ位置のばらつきが吸収され、接触
部とチップの電極とが電気的に確実に接触する。
[0010] The electrical connection device may further include an elastic body such as rubber disposed in the opening, and the probe sheet may be further mounted on the elastic body. By doing so, when the contact portion is pressed against the tip electrode, the elastic body acts as a reaction force body of the probe element, so that the variation in the height position of the contact portion is absorbed, and the contact portion and the tip electrode Makes reliable electrical contact.

【0011】電気的接続装置は、さらに、前記格子の他
方の面側に配置された複数の支持体であって前記X方向
及び前記Y方向のいずれか一方に間隔をおいて他方へ伸
びかつ前記弾性体に当接する複数の支持体と、該支持体
が組み付けられたベース板とを含むことができる。
The electrical connection device may further include a plurality of supports disposed on the other surface side of the grid, the support extending to the other at an interval in one of the X direction and the Y direction, and It may include a plurality of supports that contact the elastic body, and a base plate to which the supports are attached.

【0012】前記格子は熱膨張係数が半導体ウエーハの
それより小さい材料から形成されていることができる。
そのようにすれば、格子の熱膨張が小さいから、接触部
とチップの電極との相対的な位置ずれがより小さくな
る。
[0012] The lattice may be formed of a material having a coefficient of thermal expansion smaller than that of a semiconductor wafer.
In this case, since the thermal expansion of the lattice is small, the relative displacement between the contact portion and the electrode of the chip becomes smaller.

【0013】前記支持体は前記格子より前記プローブシ
ートと反対側に突出していることができる。
[0013] The support may protrude from the grid on a side opposite to the probe sheet.

【0014】電気的接続装置は、さらに、前記プローブ
要素に電気的に接続されたワイヤであって前記格子を貫
通して伸びるワイヤを備えることができる。そのように
すれば、プローブ要素の接触部と電気回路との間におけ
る試験用の信号又は電力の受け渡しを、ワイヤを介して
行うことができる。
[0014] The electrical connection device may further comprise a wire electrically connected to the probe element, the wire extending through the grid. In this case, a test signal or power can be transferred between the contact portion of the probe element and the electric circuit via the wire.

【0015】電気的接続装置は、さらに、前記ワイヤに
接続された複数の配線を有するフィルム状の1以上の接
続基板を含むことができる。そのようにすれば、プロー
ブ要素の接触部と電気回路との間における試験用の信号
又は電力の受け渡しを、接続基板の配線を介して行うこ
とができる。前記ワイヤはさらに前記ベース板を貫通し
て伸びていてもよい。
[0015] The electrical connection device may further include at least one film-shaped connection board having a plurality of wirings connected to the wires. In this case, the transfer of a test signal or power between the contact portion of the probe element and the electric circuit can be performed via the wiring of the connection board. The wire may further extend through the base plate.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】図1から図8を参照するに、電気
的接続装置10は、図示の例では、半導体ウエーハ上の
未切断の複数のチップを同時に試験する装置として用い
られる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Referring to FIGS. 1 to 8, an electrical connection device 10 is used in the illustrated example as a device for simultaneously testing a plurality of uncut chips on a semiconductor wafer.

【0017】電気的接続装置10は、格子12と、格子
12の一方の面(図示の例では、下面)に装着されたプ
ローブシート14と、プローブシート12から上方へ伸
びる複数のワイヤ16と、格子12に配置されたゴム板
状の複数の弾性体18と、格子12の他方の面側に配置
された長尺の複数の支持体20と、支持体20が組み付
けられたベース板22と、フィルム状の複数の接続基板
24とを含む。
The electrical connection device 10 includes a grid 12, a probe sheet 14 mounted on one surface (a lower surface in the illustrated example) of the grid 12, a plurality of wires 16 extending upward from the probe sheet 12, A plurality of rubber plate-shaped elastic members 18 arranged on the lattice 12, a plurality of long supports 20 arranged on the other surface side of the lattice 12, a base plate 22 on which the supports 20 are assembled, And a plurality of connection substrates 24 in the form of a film.

【0018】格子12は、金属のような適宜な材料から
なる複数の板部材26を矩形の枠28に縦横に組み付け
ることにより形成されており、また検査すべきチップの
形状に応じた矩形の複数の開口30を互いに交差するX
方向及びY方向のそれぞれに有する。
The grid 12 is formed by vertically and horizontally assembling a plurality of plate members 26 made of a suitable material such as a metal into a rectangular frame 28, and a plurality of rectangular members corresponding to the shape of a chip to be inspected. X crossing each other through openings 30
It has in each of the direction and the Y direction.

【0019】プローブシート14は、ポリイミドのよう
な電気絶縁性の樹脂で形成されたフィルム32と、導電
性金属材料により帯状に形成された複数の配線34とを
一体的及び面一に有する。プローブシート14は、格子
12の隣り合う開口30の境界部(図示の例では、板部
材26)に対応する箇所に形成されたスリット36によ
り互いに切り離された矩形の複数のプローブ領域38に
分割されている。スリット36はフィルム32の部分に
形成されている。
The probe sheet 14 has a film 32 made of an electrically insulating resin such as polyimide and a plurality of strips 34 made of a conductive metal material integrally and in a plane. The probe sheet 14 is divided into a plurality of rectangular probe regions 38 separated from each other by slits 36 formed at locations corresponding to boundaries (plate members 26 in the illustrated example) of adjacent openings 30 of the lattice 12. ing. The slit 36 is formed in the portion of the film 32.

【0020】各プローブ領域38は、互いに間隔をおい
て同じ方向へ伸びる複数の配線34をそれぞれ含む2つ
の配線群を有する。両配線群の配線34は、それらの長
手方向に間隔をおいて一端を向き合わされており、また
一端から互いに反対方向へ伸びている。各配線群の配線
34の一端は、仮想的な直線上に位置されている。
Each probe region 38 has two wiring groups each including a plurality of wirings 34 extending in the same direction at an interval from each other. The wirings 34 of both wiring groups have one ends facing each other at an interval in their longitudinal direction, and extend from the one end in opposite directions. One end of the wiring 34 of each wiring group is located on a virtual straight line.

【0021】各配線群の配線34は、下方に突出する突
起電極40を一端部に有する。突起電極40は、先端を
チップの電極に押圧される接触部として用いられる。各
突起電極40は、図示の例では、角錐形の先端を有する
が、円錐形、半球形、単なる突起等、他の形状の先端を
有していてもよい。
The wiring 34 of each wiring group has a protruding electrode 40 projecting downward at one end. The protruding electrode 40 is used as a contact portion whose tip is pressed by the electrode of the chip. Each protruding electrode 40 has a pyramid-shaped tip in the illustrated example, but may have a tip having another shape such as a conical shape, a hemispherical shape, a simple projection, or the like.

【0022】各配線34の一端部は、その付近のフィル
ム32の部分及び突起電極40と共にプローブ要素42
を形成している。各プローブ領域38は、複数のプロー
ブ要素42を含み、フィルム32の部分において格子1
2(板部材26及び枠28)の下面に接着されている。
One end of each wiring 34 is connected to a probe element 42 together with a portion of the film 32 and the protruding electrode 40 in the vicinity thereof.
Is formed. Each probe area 38 includes a plurality of probe elements 42 and a grid 1
2 (the plate member 26 and the frame 28).

【0023】各プローブ要素42は、両配線群の間を伸
びるスリット44及び隣り合う配線34の一端部の間を
伸びるスリット46により隣のプローブ要素42から独
立されている。スリット46はフィルム32の部分に形
成されている。プローブ要素42、特に突起電極40
は、開口30に対応する箇所に位置されている。
Each probe element 42 is independent of an adjacent probe element 42 by a slit 44 extending between both wiring groups and a slit 46 extending between one ends of adjacent wirings 34. The slit 46 is formed in the portion of the film 32. Probe element 42, especially bump electrode 40
Are located at locations corresponding to the openings 30.

【0024】各ワイヤ16は、ワイヤ・ボンディング技
術等により導電性材料から形成されている。ワイヤ16
は、配線34ひいてはプローブ要素42に個々に対応さ
れており、対応する配線34の他端部から、格子12、
弾性体18、ベース板22及び接続基板24を貫通し
て、上方へ伸びている。
Each wire 16 is formed from a conductive material by a wire bonding technique or the like. Wire 16
Correspond to the wiring 34 and thus the probe element 42, and the other end of the corresponding wiring 34
The elastic body 18, the base plate 22, and the connection board 24 are penetrated and extend upward.

【0025】上記のようなプローブシート14は、例え
ば、先ず電気絶縁性合成樹脂を基台に塗布することによ
り電気絶縁性フィルムを形成し、次いでホトレジストを
用いるエッチングにより配線34及び突起電極40に対
応する凹所を電気絶縁性フィルムに形成し、配線34及
び突起電極40を電鋳法のようなメッキにより形成する
ことにより、製作することができる。
The probe sheet 14 as described above, for example, first forms an electrically insulating film by applying an electrically insulating synthetic resin to a base, and then forms the electrical insulating film corresponding to the wirings 34 and the projecting electrodes 40 by etching using a photoresist. By forming the recesses in the electrically insulating film, and forming the wirings 34 and the protruding electrodes 40 by plating such as electroforming, it can be manufactured.

【0026】各弾性体18は、シリコーンゴムのような
ゴムにより板状に形成されており、格子12の開口38
内に収容されており、プローブシート14のスリット4
4,46に続く複数のスリット48を有している。各弾
性体18は、プローブシート14を格子12に装着し、
ワイヤ16を形成した後、未硬化のゴムを開口38に注
入し、そのゴムを硬化させることにより、形成すること
ができる。このため、プローブ領域38と弾性体18と
は接着されている。
Each elastic body 18 is formed in a plate shape by rubber such as silicone rubber.
And the slit 4 of the probe sheet 14
It has a plurality of slits 48 following 4,46. Each elastic body 18 attaches the probe sheet 14 to the grid 12,
After the wire 16 is formed, it can be formed by injecting uncured rubber into the opening 38 and curing the rubber. Therefore, the probe region 38 and the elastic body 18 are bonded.

【0027】プローブシート12のスリット36,4
4,46は、プローブシート14を格子12に装着し、
弾性体18を格子12に配置した後に、弾性体18のス
リット48と共に、レーザ加工のような適宜な技術によ
り形成すればよい。
The slits 36, 4 of the probe sheet 12
4, 46 attach the probe sheet 14 to the grid 12,
After disposing the elastic body 18 on the lattice 12, the elastic body 18 and the slit 48 of the elastic body 18 may be formed by an appropriate technique such as laser processing.

【0028】支持体20は、金属製の角材から形成され
ており、X方向及びY方向のいずれか一方、好ましくは
配線34の長手方向に間隔をおいて、他方、好ましくは
プローブ要素42の配列方向(スリット44の長手方
向)へ伸びかつ弾性体18の上側に当接する状態に格子
12に組み付けられている。各支持体20は、格子12
より上方へ突出している。支持体20は、上記した未硬
化のゴムが硬化する前に組み付けることができる。
The support 20 is formed of a metal square material, and is spaced apart in one of the X direction and the Y direction, preferably in the longitudinal direction of the wiring 34, and preferably, the arrangement of the probe elements 42. It extends in the direction (longitudinal direction of the slit 44) and is attached to the lattice 12 in a state of contacting the upper side of the elastic body 18. Each support 20 includes a grid 12
It protrudes upward. The support 20 can be assembled before the uncured rubber is cured.

【0029】ベース板22は、合成樹脂、非導電性金属
等の電気絶縁材料から形成されており、複数のねじ部
材、接着剤等の適宜な手段により支持体20を下面に組
み付けている。
The base plate 22 is formed of an electrically insulating material such as a synthetic resin or a non-conductive metal, and has the support body 20 attached to the lower surface thereof by a suitable means such as a plurality of screw members and an adhesive.

【0030】各接続基板24は、複数の配線50をポリ
イミドのような電気絶縁性フィルム52の一方の面に形
成したフィルム状の配線基板であり、一端部においてベ
ース板22に組み付けられている。各接続基板24の配
線50は、ワイヤ16に一対一の形に対応されており、
半田のような導電性接着剤により対応するワイヤ16に
電気的に接続されている。各配線50は、図示しない配
線基板のような適宜な手段を介してテスタの電気回路に
接続される。
Each connection board 24 is a film-shaped wiring board in which a plurality of wires 50 are formed on one surface of an electrically insulating film 52 such as polyimide, and is attached to the base plate 22 at one end. The wiring 50 of each connection board 24 corresponds to the wire 16 in a one-to-one manner.
It is electrically connected to the corresponding wire 16 by a conductive adhesive such as solder. Each wiring 50 is connected to an electric circuit of the tester via an appropriate means such as a wiring board (not shown).

【0031】各接続基板24は、図示の例では、配線5
0を上側とした状態に、フィルム52においてベース板
22に組み付けられている。このため、各ワイヤ16
は、フィルム52及び配線50を貫通している。
In the illustrated example, each connection board 24 is
The film 52 is attached to the base plate 22 with 0 being the upper side. Therefore, each wire 16
Penetrates through the film 52 and the wiring 50.

【0032】電気的接続装置10において、格子12、
プローブシート14、ワイヤ16及び弾性体18は支持
体20に支持されている。また、格子12、プローブシ
ート14、ワイヤ16、弾性体18及び支持体20は、
プローブユニット54(図5参照)として用いられ、ベ
ース板22に支持されている。
In the electrical connection device 10, the grid 12,
The probe sheet 14, the wires 16, and the elastic body 18 are supported by a support 20. Further, the grid 12, the probe sheet 14, the wire 16, the elastic body 18, and the support 20
It is used as a probe unit 54 (see FIG. 5) and is supported by the base plate 22.

【0033】半導体ウエーハ上のチップの通電試験時、
各プローブ要素42はその突起電極40をチップの電極
に押圧され、その状態で通電される。バーイン試験のよ
うな加熱試験や、複数のチップの同時通電試験を行う電
気的接続装置においては、プローブシート14は、周囲
の温度や、半導体ウエーハ及びプローブ要素自体の温度
上昇により膨張する。
At the time of a current test of a chip on a semiconductor wafer,
Each probe element 42 has its protruding electrode 40 pressed against the chip electrode, and is energized in that state. In an electrical connection device that performs a heating test such as a burn-in test or a simultaneous energization test of a plurality of chips, the probe sheet 14 expands due to an increase in the ambient temperature or the temperature of the semiconductor wafer and the probe element itself.

【0034】しかし、電気的接続装置10においては、
プローブシート14が開口30の境界部に対応する箇所
において切り離された複数のプローブ領域38に分割さ
れているから、各プローブ領域38の熱膨張は隣のプロ
ーブ領域38に影響を与えない。また、プローブ要素4
2、特に突起電極40が格子12の開口30に対向され
ているから、プローブ要素42、特に突起電極40の相
対的位置関係、ひいてはチップの電極に対する突起電極
40の位置関係がプローブ領域38の熱膨張により大き
な影響を受けるおそれがない。それらの結果、温度上昇
にともなう突起電極40とチップの電極との相対的な位
置ずれが小さくなる。
However, in the electrical connection device 10,
Since the probe sheet 14 is divided into a plurality of separated probe regions 38 at locations corresponding to the boundaries of the openings 30, the thermal expansion of each probe region 38 does not affect the adjacent probe region 38. Also, the probe element 4
2, especially the protruding electrode 40 is opposed to the opening 30 of the grid 12, so that the relative positional relationship between the probe element 42, especially the protruding electrode 40, and thus the positional relationship of the protruding electrode 40 with respect to the chip electrode is affected by the heat of the probe region 38. There is no possibility of being greatly affected by expansion. As a result, the relative displacement between the protruding electrode 40 and the chip electrode due to the temperature rise is reduced.

【0035】電気的接続装置10において、格子12及
び支持体20は、その熱膨張係数が半導体ウエーハのそ
れより小さい材料、たとえば42アロイから形成されて
いる。このため、温度変化に起因する格子12及び支持
体20の熱伸縮が小さく、突起電極40とチップの電極
との相対的な位置ずれがより小さい。格子12及び支持
体20は、その熱膨張係数がノビナイトのように他の材
料で形成されていてもよい。
In the electrical connection device 10, the grid 12 and the support 20 are made of a material whose coefficient of thermal expansion is smaller than that of the semiconductor wafer, for example, 42 alloy. For this reason, thermal expansion and contraction of the grid 12 and the support body 20 due to the temperature change are small, and the relative displacement between the projecting electrode 40 and the electrode of the chip is small. The lattice 12 and the support 20 may be formed of another material such as novinite having a coefficient of thermal expansion.

【0036】突起電極40がチップの電極に押圧された
とき、突起電極40の先鋭な先端は、チップの電極に突
き刺さるか、電極の周りの酸化膜を削り取る。これによ
り、突起電極40とチップの電極とが電気的に確実に接
続される。
When the protruding electrode 40 is pressed against the chip electrode, the sharp tip of the protruding electrode 40 pierces the chip electrode or scrapes the oxide film around the electrode. Thus, the protruding electrode 40 and the electrode of the chip are electrically connected reliably.

【0037】突起電極40がチップの電極に押圧された
とき、プローブ要素42自体がオーバドライブにより弾
性変形し、弾性体18がプローブ要素42の反力体とし
て作用する。これにより、突起電極40の高さ位置に多
少のばらつきがあっても、そのばらつきがプローブ要素
42自体の弾性変形及び弾性体18の弾性変形により吸
収されるから、突起電極40とチップの電極とが電気的
に確実に接触する。
When the protruding electrode 40 is pressed against the electrode of the chip, the probe element 42 itself is elastically deformed by overdrive, and the elastic body 18 acts as a reaction force body of the probe element 42. Thereby, even if there is some variation in the height position of the protruding electrode 40, the variation is absorbed by the elastic deformation of the probe element 42 itself and the elastic deformation of the elastic body 18. Are securely in electrical contact.

【0038】突起電極40がチップの電極に押圧された
とき、支持体20は弾性体18が大きく変形することを
防止する。これにより、突起電極40とチップの電極と
が電気的に確実に接触する。
When the protruding electrode 40 is pressed against the electrode of the chip, the support 20 prevents the elastic body 18 from being significantly deformed. As a result, the protruding electrode 40 and the electrode of the chip make electrical contact with each other.

【0039】上記実施例では、プローブ要素42のフィ
ルム32と配線34とが面一であるプローブシート14
を用いているが、複数の配線を電気絶縁性フィルムの一
方の面に形成し、その配線の一端部及びその近傍をプロ
ーブ要素としたプローブシートを用いてもよい。また、
長いプローブ要素を有するプローブシートを用いる代わ
りに、円形又は多角形の配線と電気絶縁性フィルムとが
面一であるプローブ要素を有するプローブシートを用い
てもよい。
In the above embodiment, the probe sheet 14 in which the film 32 and the wiring 34 of the probe element 42 are flush with each other.
However, a probe sheet may be used in which a plurality of wires are formed on one surface of an electrically insulating film, and one end of the wires and the vicinity thereof are used as probe elements. Also,
Instead of using a probe sheet having a long probe element, a probe sheet having a probe element in which a circular or polygonal wiring and an electrically insulating film are flush with each other may be used.

【0040】上記実施例では、突起電極40及びプロー
ブ要素42を各プローブ領域42にそれぞれ2列に配置
しているが、突起電極及びプローブ要素の配列は検査す
べきチップの電極の配列により定まる。
In the above embodiment, the protruding electrodes 40 and the probe elements 42 are arranged in two rows in each probe area 42. However, the arrangement of the protruding electrodes and the probe elements is determined by the arrangement of the electrodes of the chip to be inspected.

【0041】本発明は、上記実施例に限定されない。本
発明は、その趣旨を逸脱しない限り、種々変更すること
ができる。
The present invention is not limited to the above embodiment. The present invention can be variously modified without departing from the gist thereof.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る電気的接続装置の一実施例を示す
断面図
FIG. 1 is a cross-sectional view showing one embodiment of an electrical connection device according to the present invention.

【図2】図1に示す電気的接続装置の底面図FIG. 2 is a bottom view of the electrical connection device shown in FIG.

【図3】図1に示す電気的接続装置の要部の拡大断面図FIG. 3 is an enlarged sectional view of a main part of the electrical connection device shown in FIG. 1;

【図4】図3に示す要部の拡大底面図FIG. 4 is an enlarged bottom view of a main part shown in FIG. 3;

【図5】プローブユニットの部分を示す斜視図FIG. 5 is a perspective view showing a part of a probe unit.

【図6】弾性体を省略した状態におけるプローブユニッ
トの分解斜視図
FIG. 6 is an exploded perspective view of the probe unit in a state where an elastic body is omitted.

【図7】格子と支持体との組み付け状態を示す分解斜視
FIG. 7 is an exploded perspective view showing an assembled state of the lattice and the support.

【図8】プローブ要素の拡大斜視図FIG. 8 is an enlarged perspective view of a probe element.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 電気的接続装置 12 格子 14 プローブシート 16 ワイヤ 18 弾性体 20 支持体 22 ベース板 24 接続基板 30 格子の凹所 32 電気絶縁性フィルム 34 配線 36,44,46 スリット 38 プローブ領域 40 突起電極 42 プローブ要素 54 プローブユニット REFERENCE SIGNS LIST 10 electrical connection device 12 lattice 14 probe sheet 16 wire 18 elastic body 20 support 22 base plate 24 connection substrate 30 lattice recess 32 electrical insulating film 34 wiring 36, 44, 46 slit 38 probe area 40 protruding electrode 42 probe Element 54 Probe unit

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 互いに交差するX方向及びY方向に複数
の開口を有する格子と、接触部を有する複数のプローブ
要素を前記開口毎に備えるプローブシートとを含み、前
記プローブシートは、前記接触部が前記開口に対応する
箇所に位置するように前記格子の一方の面に配置されて
おり、また1以上の前記開口を含む隣り合う開口領域の
境界部において互いに切り離された複数のプローブ領域
に分割されている、電気的接続装置。
1. A probe sheet comprising: a grid having a plurality of openings in an X direction and a Y direction intersecting each other; and a probe sheet having a plurality of probe elements having a contact portion for each of the openings. Are arranged on one surface of the lattice so as to be located at positions corresponding to the openings, and are divided into a plurality of probe regions separated from each other at boundaries between adjacent opening regions including one or more of the openings. Electrical connection device.
【請求項2】 各接触部は前記格子と反対側に突出する
突起電極を含む、請求項1に記載の電気的接続装置。
2. The electrical connection device according to claim 1, wherein each contact portion includes a protruding electrode protruding on a side opposite to the grid.
【請求項3】 さらに、前記開口内に配置されたゴムの
ような弾性体を含み、前記プローブシートはさらに前記
弾性体に装着されている、請求項1又は2に記載の電気
的接続装置。
3. The electrical connection device according to claim 1, further comprising an elastic body such as rubber disposed in the opening, wherein the probe sheet is further mounted on the elastic body.
【請求項4】 さらに、前記格子の他方の面側に配置さ
れた複数の支持体であって前記X方向及び前記Y方向の
いずれか一方に間隔をおいて他方へ伸びかつ前記弾性体
に当接する複数の支持体と、該支持体が組み付けられた
ベース板とを含む、請求項1から3のいずれか1項に記
載の電気的接続装置。
4. A plurality of supports disposed on the other surface side of the grid, the support extending to the other at an interval in one of the X direction and the Y direction and contacting the elastic body. The electrical connection device according to any one of claims 1 to 3, further comprising a plurality of supports that are in contact with each other, and a base plate to which the supports are attached.
【請求項5】 少なくとも前記格子は熱膨張係数が半導
体ウエーハのそれより小さい材料から形成されている、
請求項4に記載の電気的接続装置。
5. At least the lattice is formed from a material having a coefficient of thermal expansion smaller than that of a semiconductor wafer.
The electrical connection device according to claim 4.
【請求項6】 前記支持体は前記格子より前記プローブ
シートと反対側に突出している、請求項4又は5に記載
の電気的接続装置。
6. The electrical connection device according to claim 4, wherein the support protrudes from the grid on a side opposite to the probe sheet.
【請求項7】 さらに、前記プローブ要素に電気的に接
続されたワイヤであって前記格子を貫通して伸びるワイ
ヤを備える、請求項1から6のいずれか1項に記載の電
気的接続装置。
7. The electrical connection device according to claim 1, further comprising a wire electrically connected to the probe element, the wire extending through the lattice.
【請求項8】 さらに、前記ワイヤに接続された複数の
配線を有するフィルム状の1以上の接続基板を含む、請
求項8に記載の電気的接続装置。
8. The electrical connection device according to claim 8, further comprising one or more film-shaped connection boards having a plurality of wirings connected to the wires.
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