JP2001215689A - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 感度および解像度に優れ、かつ光近接効果が
小さく、孤立ラインパターンおいても微細パターンを高
精度にかつ安定して形成することができ、しかも孤立ラ
インパターンに対して十分なフォーカス余裕度を確保し
うる、ポジ型あるいはネガ型の化学増幅型レジストとし
て有用な感放射線性樹脂組成物を提供する。 【解決手段】 ポジ型感放射線性樹脂組成物は、（Ａ）
少なくとも１個の水素原子が窒素原子に結合したアミノ
基を有する化合物の該水素原子がｔ−ブトキシカルボニ
ル基で置換された低分子化合物、（Ｂ）感放射線性酸発
生剤、並びに（Ｃ）（イ）酸解離性基が解離したときに
アルカリ可溶性となる酸解離性基含有樹脂または（ロ）
アルカリ可溶性樹脂およびアルカリ溶解性制御剤を含有
する。また、ネガ型感放射線性樹脂組成物は、前記
（Ａ）成分、前記（Ｂ）成分、（Ｄ）アルカリ可溶性樹
脂、並びに（Ｅ）架橋剤を含有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、紫外線、遠紫外
線、Ｘ線あるいは荷電粒子線の如き各種の放射線を用い
る超微細加工に好適なレジストとして有用なポジ型およ
びネガ型の感放射線性樹脂組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】集積回路素子の製造に代表される微細加
工の分野においては、より高い集積度を得るために、リ
ソグラフィーにおける加工サイズの微細化が進んでお
り、近年では、０．５μｍ以下の微細加工を再現性よく
行なうことの可能な技術が必要とされている。そのた
め、微細加工に用いられるレジストにおいても０．５μ
ｍ以下のパターンを精度よく形成することが必要である
が、従来の可視光線（波長８００〜４００ｎｍ）あるい
は近紫外線（波長４００〜３００ｎｍ）を用いる方法で
は、０．５μｍ以下の微細パターンを高精度に形成する
ことが極めて困難である。そこで、より短波長（波長３
００ｎｍ以下）の放射線の利用が鋭意検討されている。
このような短波長の放射線としては、例えば、水銀灯の
輝線スペクトル（波長２５４ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレ
ーザー（波長２４８ｎｍ）あるいはＡｒＦエキシマレー
ザー（波長１９３ｎｍ）等に代表される遠紫外線、シン
クロトロン放射線等のＸ線、電子線等の荷電粒子線を挙
げることができるが、これらのうち特にエキシマレーザ
ーを使用するリソグラフィーが、その高出力、高効率特
性等の理由から、特に注目されている。そこで、リソグ
ラフィーに用いられるレジストに関しても、エキシマレ
ーザーにより０．５μｍ以下の微細パターンを高感度か
つ高解像度で再現性よく形成できることが必要とされて
いる。そして、エキシマレーザー等の遠紫外線に適した
レジストとして、放射線の照射（以下、「露光」とい
う。）により酸を生成する感放射線性酸発生剤を使用
し、その酸の触媒作用によりレジストの感度を向上させ
た「化学増幅型レジスト」が提案されている。このよう
な化学増幅型レジストとしては、例えば、特開昭５９−
４５４３９号公報に、ｔ−ブチル基あるいはｔ−ブトキ
シカルボニル基で保護された樹脂と感放射線性酸発生剤
との組合せが、また特開昭６０−５２８４５号公報に
は、シリル基で保護された樹脂と感放射線性酸発生剤と
の組合せが、それぞれ開示されている。またその他に
も、アセタール基を有する樹脂と感放射線性酸発生剤と
を含有するレジスト（特開平２−２５８５０号公報）
等、化学増幅型レジストに関しては多くの報告がなされ
ている。

【０００３】しかしながら、従来の化学増幅型レジスト
にはそれぞれ固有の問題があり、特に０．２５μｍ以下
の微細加工への実用化に際して種々の困難を伴うことが
指摘されている。その第一の問題として、いわゆる光近
接効果の影響が大きく、パターンの疎密による寸法差あ
るいはパターン端部における丸まりや後退現象を生じや
すい点が指摘されている。パターンの疎密による寸法差
が大きいと、ライン・アンド・スペースパターンに対す
る最適露光量で露光したとき、孤立ラインパターンの場
合その設計寸法どおりのパターンが得られず、近年にお
けるロジック回路とメモリ回路のワンチップ化へのニー
ズを満足させることができない。また第二の問題とし
て、特に孤立ラインパターンに対して十分なフォーカス
余裕度を確保できず、特殊性、商業性の高いロジック回
路へのニーズを満足させることができないことが挙げら
れる。このような事情から、感度および解像度に優れる
のみならず、光近接効果が小さく、孤立ラインパターン
においても微細パターンを高精度にかつ安定して形成す
ることができ、かつ孤立ラインパターンに対して十分な
フォーカス余裕度を確保しうるレジストが求められるよ
うになってきている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、各種
の放射線に有効に感応し、感度および解像度に優れ、か
つ光近接効果が小さく、孤立ラインパターンおいても微
細パターンを高精度にかつ安定して形成することがで
き、しかも孤立ラインパターンに対して十分なフォーカ
ス余裕度を確保しうる、ポジ型あるいはネガ型の化学増
幅型レジストとして有用な感放射線性組成物を提供する
ことにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明によると、前記課
題は、第一に、（Ａ）少なくとも１個の水素原子が窒素
原子に結合したアミノ基を一つ以上有する化合物の前記
窒素原子に結合した水素原子の１個以上がｔ−ブトキシ
カルボニル基で置換された低分子化合物、（Ｂ）感放射
線性酸発生剤、並びに（Ｃ）（イ）酸解離性基で保護さ
れたアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂であっ
て、該酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性とな
る樹脂または（ロ）アルカリ可溶性樹脂およびアルカリ
溶解性制御剤を含有することを特徴とするポジ型感放射
線性樹脂組成物（以下、「第１発明」という。）、によ
って達成される。

【０００６】本発明によると、前記課題は、第二に、
（Ａ）少なくとも１個の水素原子が窒素原子に結合した
アミノ基を一つ以上有する化合物の前記窒素原子に結合
した水素原子の１個以上がｔ−ブトキシカルボニル基で
置換された低分子化合物、（Ｂ）感放射線性酸発生剤、
（Ｄ）アルカリ可溶性樹脂、並びに（Ｅ）酸の存在下で
アルカリ可溶性樹脂を架橋しうる化合物を含有すること
を特徴とするネガ型感放射線性樹脂組成物（以下、「第
２発明」という。）、によって達成される。

【０００７】以下、本発明を詳細に説明する。（Ａ）成分 第１発明および第２発明における（Ａ）成分は、少なく
とも１個の水素原子が窒素原子に結合したアミノ基を一
つ以上有する化合物（以下、「アミノ化合物（ａ）」と
いう。）の前記窒素原子に結合した水素原子の１個以上
がｔ−ブトキシカルボニル基で置換された化合物（以
下、「化合物（Ａ）」という。）からなる。アミノ化合
物（ａ）における「アミノ基」とは、カルボニル基に結
合したアミノ基を含む。また、化合物（Ａ）において、
アミノ化合物（ａ）が、少なくとも１個の水素原子が窒
素原子に結合したアミノ基を二つ以上有し、かつｔ−ブ
トキシカルボニル基を二つ以上有する場合、各ｔ−ブト
キシカルボニル基は同一または異なる窒素原子に結合す
ることができる。化学増幅型レジストとして使用される
感放射線性樹脂組成物においては、感放射線性酸発生剤
から生成した酸のレジスト被膜中における拡散現象を制
御し、非露光領域での好ましくない化学反応を抑制する
作用を有する酸拡散制御剤を配合することにより、樹脂
組成物の貯蔵安定性が向上し、またレジストとして解像
度が向上するとともに、露光から現像処理までの引き置
き時間（ＰＥＤ）の変動によるレジストパターンの線幅
変化を抑えることができ、プロセス安定性も改善される
ことが知られている。本発明者らは、感放射線性酸発生
剤を含有する感放射線性樹脂組成物における酸拡散制御
剤について鋭意検討した結果、塩基性アミノ基を酸解離
性のｔ−ブトキシカルボニル基で保護した低分子化合物
を使用することにより、レジストとしての諸性能が著し
く改善されることを見い出し、本発明を成すに至った。
アミノ化合物（ａ）としては、例えば、下記式（１）

【０００８】

【化１】

【０００９】〔式（１）において、Ｒ¹ およびＲ² は相
互に独立に水素原子、直鎖状、分岐状もしくは環状のア
ルキル基、アリール基またはアラルキル基を示し、これ
らのアルキル基、アリール基およびアラルキル基はそれ
ぞれ置換されていてもよい。〕で表される化合物（以
下、「含窒素化合物（Ｉ）」という。）、同一分子内に
窒素原子を２個有する化合物（以下、「含窒素化合物
（II）」という。）、窒素原子を３個以上有する化合物
（以下、「含窒素化合物（III)」という。）、アミド基
含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等を挙
げることができる。

【００１０】含窒素化合物（Ｉ）としては、例えば、ｎ
−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチル
アミン、ｎ−ノニルアミン、ｎ−デシルアミン、シクロ
ヘキシルアミン等のモノアルキルアミン類；ジ−ｎ−ブ
チルアミン、ジ−ｎ−ペンチルアミン、ジ−ｎ−ヘキシ
ルアミン、ジ−ｎ−ヘプチルアミン、ジ−ｎ−オクチル
アミン、ジ−ｎ−ノニルアミン、ジ−ｎ−デシルアミ
ン、シクロヘキシル・メチルアミン、ジシクロヘキシル
アミン等のジアルキルアミン類；アニリン、Ｎ−メチル
アニリン、２−メチルアニリン、３−メチルアニリン、
４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、ジフェニル
アミン、１−ナフチルアミン、２−（４−アミノフェニ
ル）−２−（３−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−
（４−アミノフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン等の芳香族アミン類；エタノールアミン、
ジエタノールアミン等のアルカノールアミン類や、１−
アダマンチルアミン、Ｎ−メチル−１−アダマンチルア
ミン等を挙げることができる。含窒素化合物（II）とし
ては、例えば、エチレンジアミン、テトラメチレンジア
ミン、ヘキサメチレンジアミン、１，７−ジアミノヘプ
タン、１，８−ジアミノオクタン、１，９−ジアミノノ
ナン、１，１０−ジアミノデカン、１，１２−ジアミノ
ドデカン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，
４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミ
ノベンゾフェノン、２，２−ビス（４−アミノフェニ
ル）プロパン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４
−アミノフェニル）プロパン、１，４−ビス［１−（４
−アミノフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼン、
１，３−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチ
ルエチル］ベンゼン等を挙げることができる。含窒素化
合物（III)としては、例えば、４，４’−ジアミノジフ
ェニルアミン、ポリアリルアミン、ポリメタリルアミ
ン、Ｎ−（２−アミノエチル）アクリルアミドの重合体
等を挙げることができる。

【００１１】前記アミド基含有化合物としては、例え
ば、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、アセトア
ミド、Ｎ−メチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベ
ンズアミド、ピロリドン等を挙げることができる。前記
ウレア化合物としては、例えば、尿素、メチルウレア、
１，１−ジメチルウレア、１，３−ジメチルウレア、
１，３−ジフェニルウレア、トリ−ｎ−ブチルチオウレ
ア等を挙げることができる。前記含窒素複素環化合物と
しては、例えば、イミダゾール、ベンズイミダゾール、
２−メチルイミダゾール、４−メチルイミダゾール、２
−フェニルイミダゾール、４−フェニルイミダゾール、
２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−メチル−
４−フェニルイミダゾール、２−メチルベンズイミダゾ
ール、２−フェニルベンズイミダゾール等のイミダゾー
ル類のほか、インドール、ピロール、ピラゾール、アデ
ニン、グアニン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、モ
ルホリン、ピペラジン等を挙げることができる。

【００１２】これらのアミノ化合物（ａ）のうち、含窒
素化合物（Ｉ）、含窒素化合物（II）、含窒素複素環化
合物が好ましい。また、含窒素化合物（Ｉ）の中では、
ジアルキルアミン類、１−アダマンチルアミン類がさら
に好ましく、特に、ジ−ｎ−オクチルアミン、ジ−ｎ−
ノニルアミン、ジ−ｎ−デシルアミン、ジシクロヘキシ
ルアミン、１−アダマンチルアミン、Ｎ−メチル−１−
アダマンチルアミン等が好ましく、含窒素化合物（II）
の中では、ヘキサメチレンジアミン、１，７−ジアミノ
ヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、１，９−ジアミ
ノノナン、１，１０−ジアミノデカン、１，１２−ジア
ミノドデカン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン等
がさらに好ましく、含窒素複素環化合物の中では、イミ
ダゾール類がさらに好ましく、特に、ベンズイミダゾー
ル、２−メチルイミダゾール、２−フェニルベンズイミ
ダゾール等が好ましい。また、アミノ化合物（ａ）は、
その共役酸のｐＫａ（測定温度２５℃。以下同様。）が
０以上であることが好ましい。この場合、アミノ化合物
（ａ）に替えて、例えばイミド化合物などのように共役
酸のｐＫａが０未満である化合物を用いると、得られる
レジストの解像度やパターン形状が損なわれる場合があ
る。

【００１３】本発明における特に好ましい化合物（Ａ）
を具体的に示すと、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ
−オクチルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ
−ノニルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−
デシルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジシクロヘ
キシルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−１−アダ
マンチルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｎ−メ
チル−１−アダマンチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｔ−ブト
キシカルボニル−１−アダマンチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ
−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｎ−メチル−１−アダマン
チルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−４，４’−
ジアミノジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキ
シカルボニルヘキサメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’
Ｎ’−テトラ−ｔ−ブトキシカルボニルヘキサメチレン
ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−
１，７−ジアミノヘプタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキ
シカルボニル−１，８−ジアミノオクタン、Ｎ，Ｎ’−
ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，９−ジアミノノナ
ン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，１０
−ジアミノデカン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボ
ニル−１，１２−ジアミノドデカン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ
−ブトキシカルボニル−４，４’−ジアミノジフェニル
メタン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルベンズイミダゾー
ル、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−２−メチルベンズイ
ミダゾール、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−２−フェニ
ルベンズイミダゾール等を挙げることができる。化合物
（Ａ）の分子量は、通常、１００〜３，０００、好まし
くは２００〜２，０００、特に好ましくは２５０〜１，
０００である。本発明において、化合物（Ａ）は、単独
でまたは２種以上を混合して使用することができる。

【００１４】（Ｂ）成分 本発明における（Ｂ）成分は、露光により酸を発生する
感放射線性酸発生剤（以下、「酸発生剤（Ｂ）」とい
う。）からなる。酸発生剤（Ｂ）としては、オニウム
塩化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化
合物、スルホンイミド化合物、ジアゾメタン化合
物、ジスルホニルメタン化合物等を挙げることができ
る。以下に、これらの酸発生剤（Ｂ）の例を示す。

【００１５】オニウム塩化合物：オニウム塩化合物と
しては、例えば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩（但
し、テトラヒドロチオフェニウム塩を含む。）、ホスホ
ニウム塩、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩、ピリジニ
ウム塩等を挙げることができる。オニウム塩化合物の具
体例としては、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨード
ニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−ｔ
−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブ
タンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨ
ードニウムピレンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチル
フェニル）ヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネ
ート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｐ
−トルエンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニ
ル）ヨードニウムベンゼンスルホネート、ビス（４−ｔ
−ブチルフェニル）ヨードニウム１０−カンファースル
ホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウ
ムｎ−オクタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフ
ェニル）ヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼン
スルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨード
ニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、
ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム２，４−
ジフルオロベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニ
ウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨー
ドニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフ
ェニルヨードニウムピレンスルホネート、ジフェニルヨ
ードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ジフェ
ニルヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ジフェニ
ルヨードニウムベンゼンスルホネート、ジフェニルヨー
ドニウム１０−カンファースルホネート、ジフェニルヨ
ードニウムｎ−オクタンスルホネート、ジフェニルヨー
ドニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネー
ト、ジフェニルヨードニウム４−トリフルオロメチルベ
ンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム２，４−
ジフルオロベンゼンスルホネート、

【００１６】トリフェニルスルホニウムトリフルオロメ
タンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフル
オロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニ
ウムピレンスルホネート、トリフェニルスルホニウムｎ
−ドデシルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホ
ニウムｐ−トルエンスルホネート、トリフェニルスルホ
ニウムベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウ
ム１０−カンファースルホネート、トリフェニルスルホ
ニウムｎ−オクタンスルホネート、トリフェニルスルホ
ニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、
トリフェニルスルホニウム４−トリフルオロベンゼンス
ルホネート、トリフェニルスルホニウム２，４−ジフル
オロベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウム
ヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニ
ウム１−ナフタレンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェ
ニル・ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスル
ホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホ
ニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−ｔ
−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムピレンスル
ホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホ
ニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブ
チルフェニル・ジフェニルスルホニウムｐ−トルエンス
ルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスル
ホニウムベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニ
ル・ジフェニルスルホニウム１０−カンファースルホネ
ート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウ
ムｎ−オクタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル
・ジフェニルスルホニウム２−トリフルオロメチルベン
ゼンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニ
ルスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホ
ネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニ
ウム２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、４−ｔ
−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウムノナフル
オロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−ヒドロキシフェニ
ル・ベンジル・メチルスルホニウムｐ−トルエンスルホ
ネート等を挙げることができる。

【００１７】スルホン化合物：スルホン化合物として
は、例えば、β−ケトスルホン、β−スルホニルスルホ
ンや、これらのα−ジアゾ化合物等を挙げることができ
る。スルホン化合物の具体例としては、フェナシルフェ
ニルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビス（フ
ェニルスルホニル）メタン、４−トリスフェナシルスル
ホン等を挙げることができる。 スルホン酸エステル化合物：スルホン酸エステル化合
物としては、例えば、アルキルスルホン酸エステル、ハ
ロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エ
ステル、イミノスルホネート等を挙げることができる。
スルホン酸エステル化合物の具体例としては、ベンゾイ
ントシレート、ピロガロールトリス（トリフルオロメタ
ンスルホネート）、ピロガロールトリス（ノナフルオロ
−ｎ−ブタンスルホネート）、ピロガロールトリス（メ
タンスルホネート）、ニトロベンジル−９，１０−ジエ
トキシアントラセン−２−スルホネート、α−メチロー
ルベンゾイントシレート、α−メチロールベンゾインｎ
−オクタンスルホネート、α−メチロールベンゾイント
リフルオロメタンスルホネート、α−メチロールベンゾ
インｎ−ドデカンスルホネート等を挙げることができ
る。 スルホンイミド化合物：スルホンイミド化合物として
は、例えば、下記式（２）

【００１８】

【化２】 〔式（１）において、Ｖはアルキレン基、アリーレン
基、アルコキシレン基等の２価の基を示し、Ｒ³ はアル
キル基、アリール基、ハロゲン置換アルキル基、ハロゲ
ン置換アリール基等の１価の基を示す。〕で表される化
合物を挙げることができる。

【００１９】スルホンイミド化合物の具体例としては、
Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）スクシン
イミド、Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）
フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオ
キシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（トリフルオロメタ
ンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−
５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフ
ルオロメタンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ
［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキ
シイミド、Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオキ
シ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ
−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメ
タンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（１０−
カンファースルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−
（１０−カンファースルホニルオキシ）フタルイミド、
Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ジフェニル
マレイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキ
シ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３
−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホ
ニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプ
ト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１
０−カンファースルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．
１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシ
イミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ナ
フチルイミド、

【００２０】Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）ス
クシンイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）
フタルイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）
ジフェニルマレイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニル
オキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−
２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスル
ホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘ
プト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−
（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．
１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシ
イミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）ナフチ
ルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルベンゼンスル
ホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−トリフルオ
ロメチルベンゼンスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ
−（２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキ
シ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメ
チルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．
１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキ
シ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−
エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２ートリフ
ルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジ
カルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルベン
ゼンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、

【００２１】Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンゼンス
ルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（４−トリフル
オロメチルベンゼンスルホニルオキシ）フタルイミド、
Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキ
シ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（４−トリフルオロメ
チルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．
１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキ
シ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−
エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−トリフ
ルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２.１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジ
カルボキシイミド、Ｎ−（４−トリフルオロメチルベン
ゼンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（ノナフ
ルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキシ）スクシンイミ
ド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキ
シ）フタルイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンス
ルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（ノナフ
ルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．
２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミ
ド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキ
シ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−
エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ノナフルオ
ロ−ｎ−ブタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．
１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシ
イミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオ
キシ）ナフチルイミド、

【００２２】Ｎ−（ペンタフルオロベンゼンスルホニル
オキシ）スクシンイミド、Ｎ−（ペンタフルオロベンゼ
ンスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（ペンタフル
オロベンゼンスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミ
ド、Ｎ−（ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシ）
ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジ
カルボキシイミド、Ｎ−（ペンタフルオロベンゼンスル
ホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘ
プト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−
（ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジ
カルボキシイミド、Ｎ−（ペンタフルオロベンゼンスル
ホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（パーフルオロ−
ｎ−オクタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−
（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）フタ
ルイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニ
ルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（パーフルオロ
−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．
１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）
−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン
−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（パーフルオロ−
ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．
１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシ
イミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニル
オキシ）ナフチルイミド、Ｎ−｛（５−メチル−５−カ
ルボキシメタンビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イ
ル）スルホニルオキシ｝スクシンイミド等を挙げること
ができる。 ジアゾメタン化合物：ジアゾメタン化合物としては、
例えば、下記式（３）

【００２３】

【化３】 〔式（３）において、Ｒ⁴ およびＲ⁵ は相互に独立にア
ルキル基、アリール基、ハロゲン置換アルキル基、ハロ
ゲン置換アリール基等の１価の基を示す。〕で表される
化合物を挙げることができる。

【００２４】ジアゾメタン化合物の具体例としては、ビ
ス（トリフルオロメタンスルホニル）ジアゾメタン、ビ
ス（シクロヘキサンスルホニル）ジアゾメタン、ビス
（ベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トル
エンスルホニル）ジアゾメタン、メタンスルホニル−ｐ
−トルエンスルホニルジアゾメタン、シクロヘキサンス
ルホニル−１，１−ジメチルエチルスルホニルジアゾメ
タン、ビス（１，１−ジメチルエタンスルホニル）ジア
ゾメタン、ビス（３，３−ジメチル−１，５−ジオキサ
スピロ［５．５］ドデカン−８−スルホニル）ジアゾメ
タン、ビス（１，４−ジオキサスピロ［４．５］デカン
−７−スルホニル）ジアゾメタン等を挙げることができ
る。 ジスルホニルメタン化合物：ジスルホニルメタン化合
物としては、例えば、下記式（４）

【００２５】

【化４】

【００２６】〔式（４）において、Ｒ⁶ およびＲ⁷ は相
互に独立に直鎖状もしくは分岐状の１価の脂肪族炭化水
素基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基ま
たはヘテロ原子を有する１価の他の有機基を示し、Ｘお
よびＹは相互に独立にアリール基、水素原子、直鎖状も
しくは分岐状の１価の脂肪族炭化水素基またはヘテロ原
子を有する１価の他の有機基を示し、かつＸおよびＹの
少なくとも一方がアリール基であるか、あるいはＸとＹ
が相互に連結して少なくとも１個の不飽和結合を有する
単環または多環を形成しているか、あるいはＸとＹが相
互に連結して下記式

【００２７】

【化５】

【００２８】（但し、Ｘ’およびＹ’は相互に独立に水
素原子、ハロゲン原子、直鎖状もしくは分岐状のアルキ
ル基、シクロアルキル基、アリール基またはアラルキル
基を示すか、あるいは同一のもしくは異なる炭素原子に
結合したＸ’とＹ’が相互に連結して炭素単環構造を形
成しており、複数存在するＸ’およびＹ’はそれぞれ相
互に同一でも異なってもよく、ｎは２〜１０の整数であ
る。）で表される基を形成している。〕で表される化合
物を挙げることができる。

【００２９】酸発生剤（Ｂ）としては、オニウム塩化
合物およびスルホンイミド化合物が好ましく、特に、
ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフル
オロメタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニ
ル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−ブタンスルホネー
ト、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｐ−
トルエンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニ
ル）ヨードニウム１０−カンファースルホネート、ビス
（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム２−トリフル
オロメチルベンゼンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチ
ルフェニル）ヨードニウム４−トリフルオロメチルベン
ゼンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨ
ードニウム２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、
トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネ
ート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−ブ
タンスルホネート、トリフェニルスルホニウムｐ−トル
エンスルホネート、トリフェニルスルホニウム１０−カ
ンファースルホネート、トリフェニルスルホニウム２−
トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、トリフェニ
ルスルホニウム４−トリフルオロベンゼンスルホネー
ト、トリフェニルスルホニウム２，４−ジフルオロメチ
ルベンゼンスルホネート、Ｎ−（トリフルオロメタンス
ルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロ
メタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプ
ト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１
０−カンファースルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ
−（１０−カンファースルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキ
シイミドおよびＮ−｛（５−メチル−５−カルボキシメ
タンビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル）スルホ
ニルオキシ｝スクシンイミドの群から選ばれる少なくと
も１種を用いるのが好ましい。

【００３０】酸解離性基含有樹脂 第１発明（成分（Ｃ）（イ））において使用される酸解
離性基で保護されたアルカリ不溶性またはアルカリ難溶
性の樹脂であって、該酸解離性基が解離したときにアル
カリ可溶性となる樹脂（以下、「酸解離性基含有樹脂」
という。）は、フェノール性水酸基、カルボキシル基等
の１種以上の酸性官能基を含有する樹脂、例えば後述す
る式（７）〜（１０）で表される繰返し単位を有するア
ルカリ可溶性樹脂中の酸性官能基の水素原子を、酸の存
在下で解離することができる１種以上の酸解離性基で置
換した、それ自体としてはアルカリ不溶性またはアルカ
リ難溶性の樹脂である。ここで言う「アルカリ不溶性ま
たはアルカリ難溶性」とは、酸解離性基含有樹脂を含有
する感放射線性樹脂組成物を用いて形成されるレジスト
被膜からレジストパターンを形成する際に採用されるア
ルカリ現像条件下で、当該レジスト被膜の代わりに酸解
離性基含有樹脂のみを用いた被膜を現像した場合に、当
該被膜の初期膜厚の５０％以上が現像後に残存する性質
を意味する。

【００３１】酸解離性基含有樹脂における前記酸解離性
基としては、例えば、置換メチル基、１−置換エチル
基、１−置換−ｎ−プロピル基、１−分岐アルキル基、
シリル基、ゲルミル基、アルコキシカルボニル基、アシ
ル基、環式酸解離性基等を挙げることができる。前記置
換メチル基としては、例えば、メトキシメチル基、メチ
ルチオメチル基、エトキシメチル基、エチルチオメチル
基、メトキシエトキシメチル基、ベンジルオキシメチル
基、ベンジルチオメチル基、フェナシル基、４−ブロモ
フェナシル基、４−メトキシフェナシル基、４−メチル
チオフェナシル基、α−メチルフェナシル基、シクロプ
ロピルメチル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基、ト
リフェニルメチル基、４−ブロモベンジル基、４−ニト
ロベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−メチルチ
オベンジル基、４−エトキシベンジル基、４−エチルチ
オベンジル基、ピペロニル基、メトキシカルボニルメチ
ル基、エトキシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカ
ルボニルメチル基、ｉ−プロポキシカルボニルメチル
基、ｎ−ブトキシカルボニルメチル基、ｔ−ブトキシカ
ルボニルメチル基等を挙げることができる。また、前記
１−置換エチル基としては、例えば、１−メトキシエチ
ル基、１−メチルチオエチル基、１，１−ジメトキシエ
チル基、１−エトキシエチル基、１−エチルチオエチル
基、１，１−ジエトキシエチル基、１−フェノキシエチ
ル基、１−フェニルチオエチル基、１，１−ジフェノキ
シエチル基、１−ベンジルオキシエチル基、１−ベンジ
ルチオエチル基、１−シクロプロピルオキシエチル基、
１−シクロヘキシルオキシエチル基、１−フェニルエチ
ル基、１，１−ジフェニルエチル基、１−メトキシカル
ボニルエチル基、１−エトキシカルボニルエチル基、１
−ｎ−プロポキシカルボニルエチル基、１−ｉ−プロポ
キシカルボニルエチル基、１−ｎ−ブトキシカルボニル
エチル基、１−ｔ−ブトキシカルボニルエチル基等を挙
げることができる。

【００３２】また、前記１−置換−ｎ−プロピル基とし
ては、例えば、１−メトキシ−ｎ−プロピル基、１−エ
トキシ−ｎ−プロピル基等を挙げることができる。ま
た、前記１−分岐アルキル基としては、例えば、ｉ−プ
ロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、１，１−
ジメチルプロピル基、１−メチルブチル基、１，１−ジ
メチルブチル基等を挙げることができる。また、前記シ
リル基としては、例えば、トリメチルシリル基、エチル
ジメチルシリル基、メチルジエチルシリル基、トリエチ
ルシリル基、ｉ−プロピルジメチルシリル基、メチルジ
−ｉ−プロピルシリル基、トリ−ｉ−プロピルシリル
基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、メチルジ−ｔ−ブチ
ルシリル基、トリ−ｔ−ブチルシリル基、フェニルジメ
チルシリル基、メチルジフェニルシリル基、トリフェニ
ルシリル基等を挙げることができる。また、前記ゲルミ
ル基としては、例えば、トリメチルゲルミル基、エチル
ジメチルゲルミル基、メチルジエチルゲルミル基、トリ
エチルゲルミル基、ｉ−プロピルジメチルゲルミル基、
メチルジ−ｉ−プロピルゲルミル基、トリ−ｉ−プロピ
ルゲルミル基、ｔ−ブチルジメチルゲルミル基、メチル
ジ−ｔ−ブチルゲルミル基、トリ−ｔ−ブチルゲルミル
基、フェニルジメチルゲルミル基、メチルジフェニルゲ
ルミル基、トリフェニルゲルミル基等を挙げることがで
きる。また、前記アルコキシカルボニル基としては、例
えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、
ｉ−プロポキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル
基等を挙げることができる。

【００３３】また、前記アシル基としては、例えば、ア
セチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ヘプタノイル
基、ヘキサノイル基、バレリル基、ピバロイル基、イソ
バレリル基、ラウリロイル基、ミリストイル基、パルミ
トイル基、ステアロイル基、オキサリル基、マロニル
基、スクシニル基、グルタリル基、アジポイル基、ピペ
ロイル基、スベロイル基、アゼラオイル基、セバコイル
基、アクリロイル基、プロピオロイル基、メタクリロイ
ル基、クロトノイル基、オレオイル基、マレオイル基、
フマロイル基、メサコノイル基、カンホロイル基、ベン
ゾイル基、フタロイル基、イソフタロイル基、テレフタ
ロイル基、ナフトイル基、トルオイル基、ヒドロアトロ
ポイル基、アトロポイル基、シンナモイル基、フロイル
基、テノイル基、ニコチノイル基、イソニコチノイル
基、ｐ−トルエンスルホニル基、メシル基等を挙げるこ
とができる。さらに、前記環式酸解離性基としては、例
えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘ
キシル基、シクロヘキセニル基、４−メトキシシクロヘ
キシル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラ
ニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロチ
オフラニル基、３−ブロモテトラヒドロピラニル基、４
−メトキシテトラヒドロピラニル基、４−メトキシテト
ラヒドロチオピラニル基、３−テトラヒドロチオフェン
−１，１−ジオキシド基等を挙げることができる。

【００３４】これらの酸解離性基のうち、ベンジル基、
ｔ−ブトキシカルボニルメチル基、１−メトキシエチル
基、１−エトキシエチル基、１−シクロヘキシルオキシ
エチル基、１−エトキシ−ｎ−プロピル基、ｔ−ブチル
基、１，１−ジメチルプロピル基、トリメチルシリル
基、ｔ−ブトキシカルボニル基、テトラヒドロピラニル
基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオピラニ
ル基、テトラヒドロチオフラニル基等が好ましい。酸解
離性基含有樹脂中における酸解離性基の導入率（酸解離
性基含有樹脂中の酸性官能基と酸解離性基との合計数に
対する酸解離性基の数の割合）は、酸解離性基や該基が
導入されるアルカリ可溶性樹脂の種類により一概には規
定できないが、好ましくは５〜１００％、さらに好まし
くは１０〜１００％である。

【００３５】酸解離性基含有樹脂は、例えば、予め製造
したアルカリ可溶性樹脂に１種以上の酸解離性基を導入
する方法のほか、酸解離性基を有する１種以上の重合性
不飽和単量体を、場合により１種以上の他の重合性不飽
和単量体と共に、（共）重合する方法、酸解離性基を有
する１種以上の重縮合成分を、場合により１種以上の他
の重縮合成分と共に、（共）重縮合する方法等によって
製造することができる。前記酸解離性基を有する重合性
不飽和単量体としては、例えば、後述する式（７）〜
（９）で表される繰返し単位に対応する単量体中のフェ
ノール性水酸基あるいはカルボキシル基の水素原子を該
酸解離性基で置換した化合物を挙げることができ、また
前記他の重合性不飽和単量体としては、例えば、後述す
るアルカリ可溶性樹脂について例示した他の重合性不飽
和単量体と同様の化合物を挙げることができる。さら
に、前記酸解離性基を有する１種以上の重縮合成分とし
ては、例えば、後述する式（１０）で表される繰返し単
位に対応する重縮合成分中のフェノール性水酸基の水素
原子を該酸解離性基で置換した化合物を挙げることがで
きる。酸解離性基含有樹脂を製造する際の酸解離性基を
有する重合性不飽和単量体のの（共）重合は、単量体や
反応媒質の種類等に応じて、ラジカル重合開始剤、アニ
オン重合触媒、配位アニオン重合触媒、カチオン重合触
媒等の重合開始剤あるいは重合触媒を適宜に選定し、塊
状重合、溶液重合、沈澱重合、乳化重合、懸濁重合、塊
状−懸濁重合等の適宜の重合方法により実施することが
でき、また酸解離性基を有する重縮合成分の（共）縮合
は、酸性触媒の存在下、水媒質中または水と親水性溶媒
との混合媒質中で（共）重縮合することによって製造す
ることができる。

【００３６】酸解離性基含有樹脂には、場合により、重
合性不飽和結合を２つ以上有する多官能性単量体を用い
て、分岐構造を導入することもできる。このような多官
能性単量体としては、例えば、特開平８−３１６８８８
に記載されているような多官能性（メタ）アクリレート
類や、ジビニルベンゼン、ジイソプロペニルベンゼン等
の多官能性芳香族ビニル化合物等を挙げることができ
る。前記多官能性単量体は、単独でまたは２種以上を混
合して使用することができる。多官能性単量体として、
例えば、１，１−ジメチルエチレングリコールのジ（メ
タ）アクリレートを用いる場合、下記式（５）で表され
る酸解離性の分岐構造が酸解離性基含有樹脂に導入され
る。

【００３７】

【化６】

【００３８】また、酸解離性基含有樹脂がフェノール性
水酸基を有する場合、該フェノール性水酸基と１種以上
のジビニルエーテル化合物とを反応させることにより、
アセタール性架橋基による分岐構造を酸解離性基含有樹
脂に導入することができる。このような分岐構造を与え
るジビニルエーテル化合物としては、例えば、エチレン
グリコールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジ
ビニルエーテル、シクロヘキサン−１，４−ジメタノー
ルジビニルエーテル等を挙げることができる。前記アセ
タール性架橋基による分岐構造の例としては、下記式
（６）で表される酸解離性の分岐構造を挙げることがで
きる。

【００３９】

【化７】 〔式（６）において、Ｚは２価の有機基を示す。〕

【００４０】酸解離性基含有樹脂中における多官能性単
量体および／またはアセタール性架橋基による分岐構造
の導入率は、該分岐構造やそれが導入される酸解離性基
含有樹脂の種類により一概には規定できないが、全繰返
し単位に対して、１０モル％以下であることが好まし
い。

【００４１】第１発明における酸解離性基含有樹脂とし
ては、特に、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）中のフェ
ノール性水酸基の水素原子の一部または全部を前記酸解
離性基で置換した樹脂、ｐ−ヒドロキシスチレンおよび
／またはｐ−ヒドロキシ−α−メチルスチレンと（メ
タ）アクリル酸との共重合体中のフェノール性水酸基の
水素原子および／またはカルボキシル基の水素原子の一
部または全部を前記酸解離性基で置換した樹脂や、これ
らの樹脂に前記分岐構造を導入した樹脂等が好ましい。

【００４２】酸解離性基含有樹脂のゲルパーミエーショ
ンクロマトグラフィーで測定したポリスチレン換算重量
分子量（以下、「Ｍｗ」という。）は、次のとおりであ
る。分岐構造をもたない酸解離性基含有樹脂の場合、Ｍ
ｗは、好ましくは１，０００〜１５０，０００、さらに
好ましくは３，０００〜１００，０００である。また、
分岐構造を有する酸解離性基含有樹脂の場合、Ｍｗは、
好ましくは５，０００〜５００，０００、さらに好まし
くは８，０００〜３００，０００である。第１発明にお
いて、酸解離性基含有樹脂は、単独でまたは２種以上を
混合して使用することができる。酸解離性基含有樹脂
は、またアルカリ可溶性樹脂のアルカリ溶解性を制御す
る性質を有し、酸の存在下で解離して、該アルカリ可溶
性樹脂のアルカリ溶解性を制御する効果を低下もしくは
消失するか、または該アルカリ可溶性樹脂のアルカリ溶
解性を促進する作用を有するものであり、第１発明の成
分（Ｃ）（ロ）におけるアルカリ溶解性制御剤の範疇に
入るものである。

【００４３】アルカリ可溶性樹脂 第１発明（成分（Ｃ）（ロ））および第２発明（成分
（Ｄ））において使用されるアルカリ可溶性樹脂は、ア
ルカリ現像液と親和性を示す官能基、例えば、フェノー
ル性水酸基、カルボキシル基等の酸性官能基を１種以上
有する、アルカリ現像液に可溶な樹脂である。このよう
なアルカリ可溶性樹脂としては、例えば、下記式（７）
〜（９）で表される繰返し単位を１種以上有する付加重
合系樹脂、下記式（１０）で表される繰返し単位を１種
以上有する重縮合系樹脂等を挙げることができる。

【００４４】

【化８】 〔式（７）において、Ｒ⁸ は水素原子またはメチル基を
示し、Ｒ⁹ は水酸基、カルボキシル基、−Ｒ¹⁰ＣＯＯ
Ｈ、−ＯＲ¹⁰ＣＯＯＨ、−ＯＣＯＲ¹⁰ＣＯＯＨまたは−
ＣＯＯＲ¹⁰ＣＯＯＨ（但し、Ｒ¹⁰は−（ＣＨ₂)g −を示
し、ｇは１〜４の整数である。）を示す。〕

【００４５】

【化９】 〔式（８）において、Ｒ¹¹は水素原子またはメチル基を
示す。〕

【００４６】

【化１０】

【００４７】

【化１１】 〔式（１０）において、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵および
Ｒ¹⁶は相互に独立に水素原子または炭素数１〜４のアル
キル基を示す。〕

【００４８】アルカリ可溶性樹脂が付加重合系樹脂の場
合、前記式（７）〜（９）で表される繰返し単位のみか
ら構成されていてもよいが、生成した樹脂がアルカリ現
像液に可溶である限りでは、１種以上の他の繰返し単位
をさらに有することもできる。このような他の繰返し単
位としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、
無水マレイン酸、（メタ）アクリロニトリル、クロトン
ニトリル、マレインニトリル、フマロニトリル、メサコ
ンニトリル、シトラコンニトリル、イタコンニトリル、
（メタ）アクリルアミド、クロトンアミド、マレインア
ミド、フマルアミド、メサコンアミド、シトラコンアミ
ド、イタコンアミド、ビニルアニリン、ビニルピリジ
ン、ビニル−ε−カプロラクタム、ビニルピロリドン、
ビニルイミダゾール等の重合性不飽和結合が開裂した単
位を挙げることができる。前記付加重合系樹脂は、例え
ば式（７）〜（９）で表される繰返し単位に対応する単
量体を、場合により前記他の繰返し単位を形成する単量
体と共に、（共）重合することにより製造することがで
きる。これらの（共）重合は、単量体や反応媒質の種類
等に応じて、ラジカル重合開始剤、アニオン重合触媒、
配位アニオン重合触媒、カチオン重合触媒等の重合開始
剤あるいは重合触媒を適宜に選定し、塊状重合、溶液重
合、沈澱重合、乳化重合、懸濁重合、塊状−懸濁重合等
の適宜の重合方法により実施することができる。

【００４９】また、アルカリ可溶性樹脂が重縮合系樹脂
の場合、前記式（１０）で表される繰返し単位のみから
構成されていてもよいが、生成した樹脂がアルカリ現像
液に可溶である限りでは、１種以上の他の繰返し単位を
さらに有することもできる。このような重縮合系樹脂
は、式（１０）で表される繰返し単位に対応するフェノ
ール類とアルデヒド類とを、場合により他の繰返し単位
を形成しうる重縮合成分と共に、酸性触媒の存在下、水
媒質中または水と親水性溶媒との混合媒質中で（共）重
縮合することによって製造することができる。前記フェ
ノール類としては、例えば、ｏ−クレゾール、ｍ−クレ
ゾール、ｐ−クレゾール、２，３−キシレノール、２，
４−キシレノール、２，５−キシレノール、３，４−キ
シレノール、３，５−キシレノール、２，３，５−トリ
メチルフェノール、３，４，５−トリメチルフェノール
等を挙げることができ、また前記アルデヒド類として
は、例えば、ホルムアルデヒド、トリオキサン、パラホ
ルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、アセトアルデヒ
ド、プロピルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド等
を挙げることができる。

【００５０】アルカリ可溶性樹脂中の式（７）〜（１
０）で表される繰返し単位の含有率は、場合により含有
される前記他の繰返し単位の種類により一概に規定でき
ないが、好ましくは１０〜１００モル％、さらに好まし
くは２０〜１００モル％である。アルカリ可溶性樹脂
は、式（７）、式（１０）等で表されるような炭素−炭
素不飽和結合を含有する繰返し単位を有する場合、水素
添加物として用いることもできる。この場合の水素添加
率は、式（７）、式（１０）等で表される繰返し単位中
に含まれる炭素−炭素不飽和結合の、通常、７０％以
下、好ましくは５０％以下、さらに好ましくは４０％以
下である。この場合、水素添加率が７０％を超えると、
アルカリ可溶性樹脂のアルカリ現像液による現像性が低
下するおそれがある。

【００５１】第１発明および第２発明におけるアルカリ
可溶性樹脂としては、特に、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチ
レン）、ｐ−ヒドロキシスチレン／ｐ−ヒドロキシ−α
−メチルスチレン共重合体、ｐ−ヒドロキシスチレン／
スチレン共重合体等を主成分とする樹脂が好ましい。ア
ルカリ可溶性樹脂のＭｗは、感放射線性樹脂組成物の所
望の特性に応じて変わるが、好ましくは１，０００〜１
５０，０００、さらに好ましくは３，０００〜１００，
０００である。第１発明および第２発明において、アル
カリ可溶性樹脂は、単独でまたは２種以上を混合して使
用することができる。

【００５２】アルカリ溶解性制御剤 次に、第１発明の成分（Ｃ）（ロ）において使用される
アルカリ溶解性制御剤としては、例えば、フェノール性
水酸基、カルボキシル基等の酸性官能基の水素原子を酸
の存在下で解離しうる１種以上の置換基（以下、「酸解
離性置換基」という。）で置換した化合物を挙げること
ができる。このような酸解離性置換基としては、例え
ば、前記酸解離性基含有樹脂について例示した置換メチ
ル基、１−置換エチル基、１−置換−ｎ−プロピル基、
１−分岐アルキル基、シリル基、ゲルミル基、アルコキ
シカルボニル基、アシル基、環式酸解離性基等の酸解離
性基と同様の基を挙げることができる。アルカリ溶解性
制御剤は、低分子化合物でも高分子化合物でもよいが、
低分子化合物の具体例としては、下記式（１１）〜（１
５）で表される化合物等を挙げることができる。

【００５３】

【化１２】 〔式（１１）において、Ｒ¹⁷は酸解離性置換基を示し、
複数存在するＲ¹⁷は相互に同一でも異なってもよく、Ｒ
¹⁸は炭素数１〜４のアルキル基、フェニル基または１−
ナフチル基を示し、複数存在するＲ¹⁸は相互に同一でも
異なってもよく、ｐは１以上の整数、ｑは０以上の整数
で、ｐ＋ｑ≦６を満たす。〕

【００５４】

【化１３】

【００５５】〔式（１２）において、Ｒ¹⁷およびＲ¹⁸は
式（１１）と同義であり、Ａは単結合、−Ｏ−、−Ｓ
−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂ −、−
Ｃ（Ｒ¹⁹)(Ｒ²⁰）−（但し、Ｒ¹⁹およびＲ²⁰は相互に独
立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数２〜
１１のアシル基、フェニル基もしくは１−ナフチル基を
示す。）または下記式で表される基

【００５６】

【化１４】

【００５７】（但し、Ｒ¹⁸は前記に同じであり、ｘは０
〜４の整数である。）を示し、ｐ、ｑ、ｒおよびｓはそ
れぞれ０以上の整数で、ｐ＋ｑ≦５、ｒ＋ｓ≦５、ｐ＋
ｒ≧１を満たす。〕

【００５８】

【化１５】 〔式（１３）において、Ｒ¹⁷およびＲ¹⁸は式（１１）と
同義であり、Ｒ²¹は水素原子、炭素数１〜４のアルキル
基またはフェニル基を示し、ｐ、ｑ、ｒ、ｓ、ｔおよび
ｕはそれぞれ０以上の整数で、ｐ＋ｑ≦５、ｒ＋ｓ≦
５、ｔ＋ｕ≦５、ｐ＋ｒ＋ｔ≧１を満たす。〕

【００５９】

【化１６】 〔式（１４）において、Ｒ¹⁷およびＲ¹⁸は式（１１）と
同義であり、Ａは式（１２）と同義であり、Ｒ²¹は式
（１３）と同義であり、複数存在するＲ²¹は相互に同一
でも異なってもよく、ｐ、ｑ、ｒ、ｓ、ｔ、ｕ、ｖおよ
びｗはそれぞれ０以上の整数で、ｐ＋ｑ≦５、ｒ＋ｓ≦
５、ｔ＋ｕ≦５、ｖ＋ｗ≦５、ｐ＋ｒ＋ｔ＋ｖ≧１を満
たす。〕

【００６０】

【化１７】 〔式（１５）において、Ｒ¹⁷およびＲ¹⁸は式（１１）と
同義であり、Ｒ²¹は式（１３）と同義であり、複数存在
するＲ²¹は相互に同一でも異なってもよく、ｐ、ｑ、
ｒ、ｓ、ｔ、ｕ、ｖおよびｗはそれぞれ０以上の整数
で、ｐ＋ｑ≦５、ｒ＋ｓ≦５、ｔ＋ｕ≦５、ｖ＋ｗ≦
４、ｐ＋ｒ＋ｔ＋ｖ≧１を満たす。〕

【００６１】また、高分子のアルカリ溶解性制御剤とし
ては、例えば、前述した酸解離性基含有樹脂を使用する
ことができる。第１発明におけるアルカリ溶解性制御剤
としては、特に、下記式（１６）または式（１７）で表
される化合物が好ましい。

【００６２】

【化１８】

【００６３】

【化１９】

【００６４】第１発明において、アルカリ溶解性制御剤
は、低分子化合物、高分子化合物（即ち、酸解離性基含
有樹脂）それぞれについて、単独でまたは２種以上を混
合して使用することができ、また、低分子化合物と高分
子化合物とを併用することもできる。

【００６５】架橋剤 第２発明（成分（Ｅ））において使用される酸（例えば
露光により生じた酸）の存在下でアルカリ可溶性樹脂を
架橋しうる化合物（以下、「架橋剤」という。）として
は、例えば、アルカリ可溶性樹脂との架橋反応性を有す
る１種以上の官能基（以下、「架橋性官能基」とい
う。）を有する化合物を挙げることができる。前記架橋
性官能基としては、例えば、下記式（１８）〜（２２）
で表される基等を挙げることができる。

【００６６】

【化２０】 〔式（１８）において、ｋは１または２であり、Ｑ
¹ は、ｋ＝１のとき、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ
Ｏ−または−ＮＨ−を示し、ｋ＝２のとき、３価の窒素
原子を示し、Ｑ² は−Ｏ−または−Ｓ−を示し、i は０
〜３の整数、j は１〜３の整数で、i ＋ j＝１〜４を満
たす。〕

【００６７】

【化２１】 〔式（１９）において、Ｑ³ は−Ｏ−、−ＣＯ−または
−ＣＯＯ−を示し、Ｒ²²およびＲ²³は相互に独立に水素
原子または炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ²⁴は炭
素数１〜５のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基
または炭素数７〜１４のアラルキル基を示し、y は１以
上の整数である。〕

【００６８】

【化２２】 〔式（２０）において、Ｒ²⁵、Ｒ²⁶およびＲ²⁷は相互に
独立に水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を示
す。〕

【００６９】

【化２３】 〔式（２１）において、Ｒ²²およびＲ²³は式（１９）と
同義であり、Ｒ²⁸およびＲ²⁹は相互に独立に炭素数１〜
５のアルキル基または炭素数１〜５のアルキロール基を
示し、y は１以上の整数である。〕

【００７０】

【化２４】 〔式（２２）において、Ｒ²²およびＲ²³は式（１９）と
同義であり、Ｒ³⁰は酸素原子、硫黄原子または窒素原子
のいずれかのヘテロ原子を有し、３〜８員環を形成する
２価の有機基を示し、y は１以上の整数である。〕

【００７１】このような架橋性官能基の具体例として
は、グリシジルエーテル基、グリシジルエステル基、グ
リシジルアミノ基、メトキシメチル基、エトキシメチル
基、ベンジルオキシメチル基、アセトキシメチル基、ベ
ンゾイロキシメチル基、ホルミル基、アセチル基、ビニ
ル基、イソプロペニル基、ジメチルアミノメチル基、ジ
エチルアミノメチル基、ジメチロールアミノメチル基、
ジエチロールアミノメチル基、モルホリノメチル基等を
挙げることができる。

【００７２】前記架橋性官能基を有する化合物として
は、例えば、ビスフェノールＡ系エポキシ化合物、ビス
フェノールＦ系エポキシ化合物、ビスフェノールＳ系エ
ポキシ化合物、ノボラック樹脂系エポキシ化合物、レゾ
ール樹脂系エポキシ化合物、ポリ（ヒドロキシスチレ
ン）系エポキシ化合物、メチロール基含有メラミン化合
物、メチロール基含有ベンゾグアナミン化合物、メチロ
ール基含有尿素化合物、メチロール基含有フェノール化
合物、アルコキシアルキル基含有メラミン化合物、アル
コキシアルキル基含有ベンゾグアナミン化合物、アルコ
キシアルキル基含有尿素化合物、アルコキシアルキル基
含有フェノール化合物、カルボキシメチル基含有メラミ
ン樹脂、カルボキシメチル基含有ベンゾグアナミン樹
脂、カルボキシメチル基含有尿素樹脂、カルボキシメチ
ル基含有フェノール樹脂、カルボキシメチル基含有メラ
ミン化合物、カルボキシメチル基含有ベンゾグアナミン
化合物、カルボキシメチル基含有尿素化合物、カルボキ
シメチル基含有フェノール化合物等を挙げることができ
る。

【００７３】これらの架橋性官能基を有する化合物のう
ち、メチロール基含有フェノール化合物、メトキシメチ
ル基含有メラミン化合物、メトキシメチル基含有フェノ
ール化合物、メトキシメチル基含有グリコールウリル化
合物、メトキシメチル基含有ウレア化合物およびアセト
キシメチル基含有フェノール化合物が好ましく、さらに
好ましくはメトキシメチル基含有メラミン化合物（例え
ばヘキサメトキシメチルメラミン等）、メトキシメチル
基含有グリコールウリル化合物、メトキシメチル基含有
ウレア化合物等である。メトキシメチル基含有メラミン
化合物は、ＣＹＭＥＬ３００、ＣＹＭＥＬ３０１、ＣＹ
ＭＥＬ３０３、ＣＹＭＥＬ３０５（三井サイアナミッド
（株）製）等の商品名で、メトキシメチル基含有グリコ
ールウリル化合物はＣＹＭＥＬ１１７４（三井サイアナ
ミッド（株）製）等の商品名で、またメトキシメチル基
含有ウレア化合物は、ＭＸ２９０（三和ケミカル（株）
製）等の商品名で、それぞれ市販されている。

【００７４】架橋剤としては、さらに、アルカリ可溶性
樹脂中の酸性官能基の水素原子を前記架橋性官能基で置
換して、架橋剤としての性質を付与した化合物も好適に
使用することができる。その場合の架橋性官能基の導入
率は、架橋性官能基や該基が導入されるアルカリ可溶性
樹脂の種類により一概には規定できないが、アルカリ可
溶性樹脂中の全酸性官能基に対して、通常、５〜６０モ
ル％、好ましくは１０〜５０モル％、さらに好ましくは
１５〜４０モル％である。この場合、架橋性官能基の導
入率が５モル％未満では、残膜率の低下、パターンの蛇
行や膨潤等を来しやすくなる傾向があり、また６０モル
％を超えると、露光部の現像性が低下する傾向がある。

【００７５】第２発明における架橋剤としては、特に、
メトキシメチル基含有化合物、例えば、ジメトキシメチ
ルウレア、テトラメトキシメチルグリコールウリル等が
好ましい。第２発明において、架橋剤は、単独でまたは
２種以上を混合して使用することができる。

【００７６】第１発明のポジ型感放射線性樹脂組成物お
よび第２発明のネガ型感放射線性樹脂組成物を構成する
各成分の配合割合は、レジストの所望の特性に応じて変
わるが、好ましい配合割合は、以下のとおりである。先
ず、第１発明において、化合物（Ａ）の配合量は、酸解
離性基含有樹脂またはアルカリ可溶性樹脂１００重量部
当たり、好ましくは０．００１〜１５重量部、さらに好
ましくは０．００５〜１０重量部、特に好ましくは０．
０１〜３重量部である。この場合、化合物（Ａ）の配合
量が０．００１重量部未満では、解像度の低下やパター
ン形状の劣化を来しやすくなる傾向があり、一方１５重
量部を超えると、感度や露光部の現像性が低下する傾向
がある。また、酸発生剤（Ｂ）の配合量は、酸解離性基
含有樹脂またはアルカリ可溶性樹脂１００重量部当た
り、好ましくは０．０１〜７０重量部、さらに好ましく
は０．１〜５０重量部、特に好ましくは０．５〜２０重
量部である。この場合、酸発生剤（Ｂ）の配合量が０．
０１重量部未満では、感度や解像度が低下する傾向があ
り、一方７０重量部を超えると、レジストの塗布性やパ
ターン形状の劣化を来しやすくなる傾向がある。また、
アルカリ溶解性制御剤の配合量は、アルカリ可溶性樹脂
１００重量部当たり、好ましくは５〜１５０重量部、さ
らに好ましくは５〜１００重量部、特に好ましくは５〜
５０重量部である。この場合、アルカリ溶解性制御剤の
配合量が５重量部未満では、残膜率の低下、パターンの
膨潤等を来しやすくなる傾向があり、一方１５０重量部
を超えると、膜面荒れや膜強度の低下を来しやすくなる
傾向がある。

【００７７】第１発明における各成分の配合割合をより
具体的に示すと、好ましくは、〔１−１〕化合物（Ａ）
０．００１〜１５重量部、酸発生剤（Ｂ）０．０１〜７
０重量部および酸解離性基含有樹脂１００重量部、また
は〔１−２〕化合物（Ａ）０．００１〜１５重量部、酸
発生剤（Ｂ）０．０１〜７０重量部、アルカリ可溶性樹
脂１００重量部およびアルカリ溶解性制御剤５〜１５０
重量部であり、さらに好ましくは、〔１−３〕化合物
（Ａ）０．００５〜１０重量部、酸発生剤（Ｂ）０．１
〜５０重量部および酸解離性基含有樹脂１００重量部、
または〔１−４〕化合物（Ａ）０．００５〜１０重量
部、酸発生剤（Ｂ）０．１〜５０重量部、アルカリ可溶
性樹脂１００重量部およびアルカリ溶解性制御剤５〜１
００重量部であり、特に好ましくは、〔１−５〕化合物
（Ａ）０．０１〜３重量部、酸発生剤（Ｂ）０．５〜２
０重量部および酸解離性基含有樹脂１００重量部、また
は〔１−６〕化合物（Ａ）０．０１〜３重量部、酸発生
剤（Ｂ）０．５〜２０重量部、アルカリ可溶性樹脂１０
０重量部およびアルカリ溶解性制御剤５〜５０重量部で
ある。

【００７８】次に、第２発明において、化合物（Ａ）の
配合量は、酸解離性基含有樹脂またはアルカリ可溶性樹
脂１００重量部当たり、好ましくは０．００１〜１５重
量部、さらに好ましくは０．００５〜１０重量部、特に
好ましくは０．０１〜３重量部である。この場合、化合
物（Ａ）の配合量が０．００１重量部未満では、解像度
の低下やパターン形状の劣化を来しやすくなる傾向があ
り、一方１５重量部を超えると、感度や露光部の現像性
が低下する傾向がある。また、酸発生剤（Ｂ）の配合量
は、アルカリ可溶性樹脂１００重量部当たり、好ましく
は０．０１〜７０重量部、さらに好ましくは０．１〜５
０重量部、特に好ましくは０．５〜２０重量部である。
この場合、酸発生剤（Ｂ）の配合量が０．０１重量部未
満では、感度や解像度が低下する傾向があり、一方７０
重量部を超えると、レジストの塗布性やパターン形状の
劣化を来しやすくなる傾向がある。また、架橋剤の配合
量は、アルカリ可溶性樹脂１００重量部当たり、好まし
くは５〜９５重量部、さらに好ましくは１５〜８５重量
部、特に好ましくは２０〜７５重量部である。この場
合、架橋剤の配合量が５重量部未満では、残膜率の低
下、パターンの蛇行や膨潤等を来しやすくなる傾向があ
り、一方９５重量部を超えると、露光部の現像性が低下
する傾向がある。

【００７９】第２発明における各成分の配合割合をより
具体的に示すと、好ましくは、〔２−１〕化合物（Ａ）
０．００１〜１５重量部、酸発生剤（Ｂ）０．０１〜７
０重量部、アルカリ可溶性樹脂１００重量部および架橋
剤５〜９５重量部であり、さらに好ましくは、〔２−
２〕化合物（Ａ）０．００５〜１０重量部、酸発生剤
（Ｂ）０．１〜５０重量部、アルカリ可溶性樹脂１００
重量部および架橋剤１５〜８５重量部であり、特に好ま
しくは、〔２−３〕化合物（Ａ）０．０１〜３重量部、
酸発生剤（Ｂ）０．５〜２０重量部、アルカリ可溶性樹
脂１００重量部および架橋剤２０〜７５重量部である。

【００８０】添加剤 第１発明のポジ型感放射線性樹脂組成物および第２発明
のネガ型感放射線性樹脂組成物には、必要に応じて、化
合物（Ａ）以外の酸拡散制御剤（以下、「他の酸拡散制
御剤」という。）、界面活性剤、増感剤等の各種の添加
剤を配合することができる。また、第１発明の酸解離性
基含有樹脂を用いるポジ型感放射線性樹脂組成物に対し
ては、さらに前記アルカリ可溶性樹脂および／またはア
ルカリ溶解性制御剤を配合することもできる。他の酸拡
散制御剤としては、例えば、下記式（２３）

【００８１】

【化２５】

【００８２】〔式（２３）において、Ｒ³¹、Ｒ³²および
Ｒ³³は相互に独立に水素原子、直鎖状、分岐状もしくは
環状のアルキル基、アリール基またはアラルキル基を示
し、これらのアルキル基、アリール基およびアラルキル
基はそれぞれ置換されていてもよい。〕で表される化合
物（以下、「含窒素化合物（Ｉ')」という。）、同一分
子内に窒素原子を２個有する化合物（以下、「含窒素化
合物（II')」という。）、窒素原子を３個以上有する化
合物（以下、「含窒素化合物（III') 」という。）、ア
ミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物
等を挙げることができる。

【００８３】含窒素化合物（Ｉ')としては、前記アミノ
化合物（ａ）として例示した含窒素化合物（Ｉ）のほか
に、例えば、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルア
ミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルア
ミン、トリ−ｎ−ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ヘプチル
アミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ノニル
アミン、トリ−ｎ−デシルアミン、シクロヘキシルジメ
チルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、トリシク
ロヘキシルアミン等のトリアルキルアミン類；エタノー
ルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン
等のアルカノールアミン類等を挙げることができる。

【００８４】含窒素化合物（II')としては、前記アミノ
化合物（ａ）として例示した含窒素化合物（II）のほか
に、例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレ
ンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒ
ドロキシエチル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，
Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシプロピル）エチレン
ジアミン等を挙げることができる。含窒素化合物（II
I') としては、前記アミノ化合物（ａ）として例示した
含窒素化合物（III)のほかに、例えば、ポリエチレンイ
ミン、Ｎ−（２−ジメチルアミノエチル）アクリルアミ
ドの重合体等を挙げることができる。

【００８５】前記アミド基含有化合物としては、前記ア
ミノ化合物（ａ）として例示したアミド基含有化合物の
ほかに、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等を
挙げることができる。前記ウレア化合物としては、前記
アミノ化合物（ａ）として例示したウレア化合物のほか
に、例えば、１，１，３，３−テトラメチルウレア等を
挙げることができる。前記含窒素複素環化合物として
は、前記アミノ化合物（ａ）として例示した含窒素複素
環化合物のほかに、例えば、ピリジン、２−メチルピリ
ジン、４−メチルピリジン、２−エチルピリジン、４−
エチルピリジン、２−フェニルピリジン、４−フェニル
ピリジン、２−メチル−４−フェニルピリジン、ニコチ
ン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、８−オ
キシキノリン、アクリジン等のピリジン類や、ピラジ
ン、ピリダジン、キノザリン、４−メチルモルホリン、
１，４−ジメチルピペラジン、１，４−ジアザビシクロ
［２．２．２］オクタン等を挙げることができる。

【００８６】これらの他の酸拡散制御剤のうち、含窒素
化合物（Ｉ')、含窒素化合物（II')、含窒素複素環化合
物等が好ましい。前記他の酸拡散制御剤は、単独でまた
は２種以上を混合して使用することができる。他の酸拡
散制御剤の配合量は、化合物（Ａ）と他の酸拡散制御剤
との合計に対して、通常、９０重量％以下、好ましくは
７０重量％以下、特に好ましくは５０重量％以下であ
る。この場合、他の酸拡散制御剤の配合量が９０重量％
を超えると、本発明における所期の効果が損なわれるお
それがある。

【００８７】また、前記界面活性剤は、感放射線性樹脂
組成物の塗布性、ストリエーション、現像性等を改良す
る作用を示す。このような界面活性剤としては、アニオ
ン系、カチオン系、ノニオン系あるいは両性のいずれで
も使用することができるが、好ましい界面活性剤はノニ
オン系界面活性剤である。ノニオン系界面活性剤の例と
しては、ポリオキシエチレン高級アルキルエーテル類、
ポリオキシエチレン高級アルキルフェニルエーテル類、
ポリエチレングリコールの高級脂肪酸ジエステル類等の
ほか、以下商品名で、ＫＰ（信越化学工業製）、ポリフ
ロー（共栄社油脂化学工業製）、エフトップ（トーケム
プロダクツ製）、メガファック（大日本インキ化学工業
製）、フロラード（住友スリーエム製）、アサヒガー
ド、サーフロン（旭硝子製）等の各シリーズを挙げるこ
とができる。前記界面活性剤は、単独でまたは２種以上
を混合して使用することができる。界面活性剤の配合量
は、感放射線性樹脂組成物中の全樹脂成分１００重量部
当たり、界面活性剤の有効成分として、通常、２重量部
以下である。

【００８８】また、前記増感剤は、放射線のエネルギー
を吸収して、そのエネルギーを酸発生剤（Ｂ）に伝達
し、それにより酸の生成量を増加する作用を示すもの
で、感放射線性樹脂組成物のみかけの感度を向上させる
効果を有する。好ましい増感剤は、アセトフェノン類、
ベンゾフェノン類、ナフタレン類、ビアセチル、エオシ
ン、ローズベンガル、ピレン類、アントラセン類、フェ
ノチアジン類等である。前記増感剤は、単独でまたは２
種以上を混合して使用することができる。増感剤の配合
量は、感放射線性樹脂組成物中の全樹脂成分１００重量
部当たり、通常５０重量部以下、好ましくは３０重量部
以下である。また、染料および／または顔料を配合する
ことにより、露光部の潜像を可視化させて、露光時のハ
レーションの影響を緩和でき、接着助剤を配合すること
により、基板との接着性を改善することができる。さら
に、他の添加剤としては、ハレーション防止剤、保存安
定剤、消泡剤、形状改良剤等、具体的には４−ヒドロキ
シ−４’−メチルカルコン等を挙げることができる。

【００８９】溶剤 第１発明のポジ型感放射線性樹脂組成物および第２発明
のネガ型感放射線性樹脂組成物は、その使用に際して、
固形分濃度が例えば２〜５０重量％となるように溶剤に
溶解したのち、例えば孔径０．２μｍ程度のフィルター
でろ過することによって、組成物溶液として調製され
る。前記溶剤としては、例えば、エーテル類、エステル
類、エーテルエステル類、ケトンエステル類、ケトン
類、アミド類、アミドエステル類、ラクタム類、ラクト
ン類、（ハロゲン化）炭化水素類等を挙げることがで
き、より具体的には、エチレングリコールモノアルキル
エーテル類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル
類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プ
ロピレングリコールジアルキルエーテル類、エチレング
リコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレ
ングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、酢酸
エステル類、ヒドロキシ酢酸エステル類、アルコキシ酢
酸エステル類、アセト酢酸エステル類、プロピオン酸エ
ステル類、乳酸エステル類、アルコキシプロピオン酸エ
ステル類、酪酸エステル類、ピルビン酸エステル類、
（非）環式ケトン類、Ｎ，Ｎ−ジアルキルホルムアミド
類、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアセトアミド類、Ｎ−アルキル
ピロリドン類、γ−ラクトン類、（ハロゲン化）脂肪族
炭化水素類、（ハロゲン化）芳香族炭化水素類等を挙げ
ることができる。

【００９０】このような溶剤の具体例としては、エチレ
ングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコール
モノエチルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−プ
ロピルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−ブチル
エーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジ
エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリ
コールジ−ｎ−プロピルエーテル、ジエチレングリコー
ルジ−ｎ−ブチルエーテル、エチレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチ
ルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ−ｎ−
プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモ
ノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモ
ノ−ｎ−プロピルエーテルアセテート、酢酸エチル、酢
酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸イソプロペニ
ル、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−
メトキシブチルアセテート、ヒドロキシ酢酸エチル、エ
トキシ酢酸エチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチ
ル、プロピオン酸イソプロペニル、３−メチル−３−メ
トキシブチルプロピオネート、乳酸エチル、２−ヒドロ
キシ−２−メチルプロピオン酸エチル、３−メトキシプ
ロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、
３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピ
オン酸エチル、３−メチル−３−メトキシブチルブチレ
ート、２−ヒドロキシ−３−メチル酪酸メチル、メチル
エチルケトン、シクロヘキサノン、２−ヘプタノン、３
−ヘプタノン、４−ヘプタノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル
ピロリドン、トルエン、キシレン等を挙げることができ
る。これらの溶剤のうち、プロピレングリコールモノア
ルキルエーテルアセテート類、乳酸エステル類、３−ア
ルコキシプロピオン酸エステル類、（非）環式ケトン類
等が好ましい。前記溶剤は、単独でまたは２種以上を混
合して使用することができる。

【００９１】さらに前記溶剤には、必要に応じて、ベン
ジルエチルエーテル、ジ−ｎ−ヘキシルエーテル、ジエ
チレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリ
コールモノエチルエーテル、アセトニルアセトン、イソ
ホロン、カプロン酸、カプリル酸、１−オクタノール、
１−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、
安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチ
ル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレ
ン、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテー
ト等の高沸点溶剤を１種以上添加することもできる。

【００９２】レジストパターンの形成 第１発明のポジ型感放射線性樹脂組成物および第２発明
のネガ型感放射線性樹脂組成物からレジストパターンを
形成する際には、前述のようにして調製された組成物溶
液を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の手段によっ
て、例えば、シリコンウエハー、アルミニウムで被覆さ
れたウエハー等の基板上に塗布することにより、レジス
ト被膜を形成したのち、加熱処理（以下、「ＰＢ」とい
う。）を行い、次いで所定のマスクパターンを介して該
レジスト被膜に露光する。その際に使用することができ
る放射線としては、水銀灯の輝線スペクトル（波長２５
４ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）
あるいはＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）等
の遠紫外線が好ましいが、酸発生剤（Ｂ）の種類に応じ
て、シンクロトロン放射線等のＸ線、電子線等の荷電粒
子線等を使用することもできる。また、放射線量等の露
光条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成、添加剤の
種類等に応じて、適宜選定される。露光後、レジストの
みかけの感度を向上させるために、加熱処理（以下、
「ＰＥＢ」という。）を行うことが好ましい。その加熱
条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成、添加剤の種
類等により変わるが、通常、３０〜２００℃、好ましく
は５０〜１５０℃である。その後、アルカリ現像液で現
像することにより、所定のレジストパターンを形成させ
る。前記アルカリ現像液としては、例えば、アルカリ金
属水酸化物、アンモニア水、アルキルアミン類、アルカ
ノールアミン類、複素環式アミン類、テトラアルキルア
ンモニウムヒドロキシド類、コリン、１，８−ジアザビ
シクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、１，５−ジア
ザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン等のアルカリ性
化合物の１種以上を、通常、１〜１０重量％、好ましく
は２〜５重量％の濃度となるように溶解したアルカリ性
水溶液が使用される。特に好ましいアルカリ現像液は、
テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド類の水溶液で
ある。また、前記アルカリ性水溶液からなる現像液に
は、例えば、メタノール、エタノール等の水溶性有機溶
剤や界面活性剤等を適量添加することもできる。なお、
このようにアルカリ性水溶液からなる現像液を使用する
場合には、一般に、現像後、水洗する。

【００９３】

【発明の実施の形態】以下、実施例を挙げて、本発明の
実施の形態をさらに具体的に説明する。但し、本発明
は、これらの実施例に何ら制約されるものではない。こ
こで、各レジストの評価は、下記の要領で実施した。感度 設計寸法０．２０μｍのライン・アンド・スペースパタ
ーン（１Ｌ１Ｓ）を１対１の線幅に形成する露光量を最
適露光量とし、この最適露光量で評価した。解像度（１Ｌ１Ｓ） 設計寸法０．２０μｍのライン・アンド・スペースパタ
ーン（１Ｌ１Ｓ）について、最適露光量で露光したとき
に解像される最小寸法（μｍ）を、解像度（１Ｌ１Ｓ）
とした。解像度（１Ｌ５Ｓ） ラインパターンの設計寸法が０．２０μｍの孤立ライン
パターン（１Ｌ５Ｓ）について、前記ライン・アンド・
スペースパターン（１Ｌ１Ｓ）の場合の最適露光量で露
光したときに解像されるラインパターンの線幅が（設計
寸法±１０％）の範囲に入る最小寸法（μｍ）を、解像
度（１Ｌ５Ｓ）とした。この解像度（１Ｌ５Ｓ）の解像
度（１Ｌ１Ｓ）との差は、パターンの疎密による寸法差
の大きさ、即ち光近接効果の影響の程度を表している。ＤＯＦ（１Ｌ５Ｓ） ラインパターンの設計寸法が０．２０μｍの孤立ライン
パターン（１Ｌ５Ｓ）について、該孤立ラインパターン
（１Ｌ５Ｓ）を１対５の線幅に形成する露光量を最適露
光量とし、この最適露光量において焦点深度を振り、ラ
インパターンの線幅が（設計寸法±１０％）の範囲に入
る焦点深度の広さ（μｍ）を、孤立ラインパターン（１
Ｌ５Ｓ）のフォーカス余裕度（ＤＯＦ（１Ｌ５Ｓ））と
した。ＤＯＦが広いほどプロセスマージンが高くなり、
デバイス製造時の歩留まりが高くなるため好ましい。保存安定性 調製後２３℃で６ヵ月保管した組成物溶液を用いたとき
のレジストの評価結果を、調製直後の組成物溶液を用い
たときのレジストの評価結果と比較して、解像度および
パターン形状に変化が認められず、かつ設計寸法０．２
０μｍのライン・アンド・スペースパターン（１Ｌ１
Ｓ）の最適露光量の変化率が±２％未満の場合を
“○”、解像度およびパターン形状に変化が認められ
ず、かつ設計寸法０．２０μｍのライン・アンド・スペ
ースパターン（１Ｌ１Ｓ）の最適露光量の変化率が±
（２〜５％）の場合を“△”、解像度あるいはパターン
形状のいずれか一つ以上が変化しているか、前記設計寸
法０．２０μｍのライン・アンド・スペースパターン
（１Ｌ１Ｓ）の最適露光量の変化率が±５％を超える場
合を“×”として評価した。

【００９４】各実施例および比較例で用いた各成分は、
下記の通りである。 〔Ｉ〕ポジ型感放射線性樹脂組成物酸拡散制御剤 化合物（Ａ） Ａ―１：Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−１−アダマンチ
ルアミン Ａ―２：Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−オクチル
アミン Ａ―３：Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジシクロヘキシル
アミン Ａ―４：Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−４，４’−ジア
ミノジフェニルメタン Ａ―５：Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−２−フェニルベ
ンズイミダゾール

【００９５】他の化合物 α−１：メチルジシクロヘキシルアミン α−２：Ｎ，Ｎ，Ｎ',Ｎ' −テトラキス（２−ヒドロキ
シプロピル）エチレンジアミン α−３：２−フェニルベンズイミダゾール酸発生剤（Ｂ） Ｂ−１：Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）
ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジ
カルボキシイミド Ｂ−２：Ｎ−｛（５−メチル−５−カルボキシメタンビ
シクロ［２，２，１］ヘプタ−２−イル）スルホニルオ
キシ｝スクシンイミド Ｂ−３：Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ス
クシンイミド Ｂ−４：ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム
１０−カンファースルホネート Ｂ−５：ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム
ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート Ｂ−６：ビス（シクロヘキサンスルホニル）ジアゾメタ
ン Ｂ−７：トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタン
スルホネート

【００９６】酸解離性基含有樹脂 Ｃ−１：ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）中のフェノー
ル性水酸基の水素原子の２６モル％がｔ−ブトキシカル
ボニル基で置換された樹脂（Ｍｗ＝９，０００） Ｃ−２：ｔ−ブトキシスチレン／ｐ−ヒドロキシスチレ
ン／スチレン共重合体（共重合モル比＝２５：６０：
５、Ｍｗ＝１５，０００） Ｃ−３：ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）中のフェノー
ル性水酸基の水素原子の１０モル％がｔ−ブチル基で置
換され２０モル％が１―エトキシエチル基で置換された
樹脂（Ｍｗ＝１２，０００） Ｃ−４：ｔ−ブトキシスチレン／ｐ−ヒドロキシスチレ
ン／２，５−ジメチル−２，５−ヘキサンジオールジア
クリレート共重合体（共重合モル比＝２５：７２：３、
Ｍｗ＝３０，０００） Ｃ−５：ｔ−ブトキシスチレン／ｔ−ブチルアクリレー
ト／ｐ−ヒドロキシスチレン共重合体（共重合モル比＝
１５：１５：７０、Ｍｗ＝１６，０００） Ｃ−６：ｔ−ブチルアクリレート／ｐ−ヒドロキシスチ
レン／スチレン共重合体（共重合モル比＝２０：６０：
２０、Ｍｗ＝１３，０００） Ｃ−７：ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）中のフェノー
ル性水酸基の水素原子の３０モル％が１―シクロヘキシ
ルオキシエチル基で置換された樹脂（Ｍｗ＝１２，００
０）溶剤 Ｓ−１：乳酸エチル Ｓ−２：３−エトキシプロピオン酸エチル Ｓ−３：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート Ｓ−４：２−ヘプタノン

【００９７】〔II〕ネガ型感放射線性樹脂組成物酸拡散制御剤 〔Ｉ〕ポジ型感放射線性樹脂組成物に用いた化合物と同
様のものを用いた。酸発生剤（Ｂ） 〔Ｉ〕ポジ型感放射線性樹脂組成物に用いた化合物と同
様のものを用いた。アルカリ可溶性樹脂 Ｄ−１：ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）（Ｍｗ＝７，
５００） Ｄ−２：ｐ−ヒドロキシスチレン／スチレン共重合体
（共重合モル比＝８：２、Ｍｗ＝４，０００）架橋剤 Ｅ−１：ジメトキシメチルウレア（商品名ＭＸ２９０、
三和ケミカル（株）製） Ｅ−２：テトラメトキシメチルグリコールウリル（商品
名ＣＹＭＥＬ１１７４、三井サイアナミッド（株）製）溶剤 〔Ｉ〕ポジ型感放射線性樹脂組成物に用いた溶剤と同様
のものを用いた。

【００９８】

【実施例】ポジ型感放射線性樹脂組成物 実施例１〜１１および比較例１〜２ 表１（但し、部は重量に基づく。）に示す各成分を混合
して均一溶液としたのち、孔径０．２μｍのメンブラン
フィルターでろ過して、組成物溶液を調製した。その
後、各組成物溶液をシリコンウェハー上に回転塗布した
のち、表２に示す条件でＰＢを行って、膜厚０．５μｍ
のレジスト被膜を形成した。次いで、実施例１〜１０お
よび比較例１〜２では、（株）ニコン製ＫｒＦエキシマ
レーザー照射装置（商品名ＮＳＲ−２２０５ ＥＸ１２
Ｂ、開口数０．５５）を用いて、波長２４８ｎｍのエキ
シマレーザーをマスクパターンを介し露光量を変えて露
光し、また実施例１１では、日立製作所（株）製直描用
電子線描画装置（商品名ＨＬ７００、加速電圧３０Ｋｅ
Ｖ）を加速電圧５０ＫｅＶに改良した装置を用いて、電
子線をマスクパターンを介し露光量を変えて露光したの
ち、表２に示す条件でＰＥＢを行った。その後、２．３
８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液
を用い、２３℃で６０秒間、パドル法により現像したの
ち、純水で３０秒間洗浄し、乾燥して、レジストパター
ンを形成した。評価結果を、表３に示す。

【００９９】

【表１】

【０１００】

【表２】

【０１０１】

【表３】

【０１０２】ネガ型感放射線性樹脂組成物 実施例１２〜１３および比較例３ 表４（但し、部は重量に基づく。）に示す各成分を混合
して均一溶液としたのち、孔径０．２μｍのメンブレン
フィルターでろ過して、組成物溶液を調製した。その
後、各組成物溶液をシリコンウエハー上に回転塗布した
のち、表５に示す条件でＰＢを行って、膜厚０．５μｍ
のレジスト被膜を形成した。次いで、各レジスト被膜
に、（株）ニコン製ＫｒＦエキシマレーザー照射装置
（商品名ＮＳＲ−２２０５ ＥＸ１２Ｂ、開口数０．５
５）を用いて、波長２４８ｎｍのエキシマレーザーをマ
スクパターンを介し露光量を変えて露光したのち、表５
に示す条件でＰＥＢを行った。その後、２．３８重量％
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用い、
２３℃で６０秒間、パドル法により現像したのち、純水
で３０秒間洗浄し、乾燥して、レジストパターンを形成
した。評価結果を、表６に示す。

【０１０３】

【表４】

【０１０４】

【表５】

【０１０５】

【表６】

【０１０６】

【発明の効果】本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物お
よびネガ型感放射線性樹脂組成物は、酸拡散制御剤とし
て特定の化合物（Ａ）を用いることにより、感度および
解像度に優れており、光近接効果が小さく、孤立ライン
パターンにおいても微細パターンを高精度にかつ安定し
て形成することができ、かつ孤立ラインパターンに対し
て十分なフォーカス余裕度を確保できるとともに、保存
安定性にも優れている。しかも、両感放射線性樹脂組成
物は、遠紫外線、Ｘ線、荷電粒子線の如き各種の放射線
に対して有効に感応することができる。したがって、本
発明のポジ形感放射線性樹脂組成物およびネガ形感放射
線性樹脂組成物は、特に、今後ますます微細化が進行す
ると予想される半導体デバイス製造用のレジストとして
極めて有用である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 原 宏道 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 夏目 紀浩 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA01 AA02 AA03 AB16 AC04 AC08 AD01 AD03 BE00 BE10 BG00 CB17 CB41 CC17 CC20

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）少なくとも１個の水素原子が窒素
   原子に結合したアミノ基を一つ以上有する化合物の前記
   窒素原子に結合した水素原子の１個以上がｔ−ブトキシ
   カルボニル基で置換された低分子化合物、（Ｂ）感放射
   線性酸発生剤、並びに（Ｃ）（イ）酸解離性基で保護さ
   れたアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂であっ
   て、該酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性とな
   る樹脂または（ロ）アルカリ可溶性樹脂およびアルカリ
   溶解性制御剤を含有することを特徴とするポジ型感放射
   線性樹脂組成物。
2. 【請求項２】 （Ａ）少なくとも１個の水素原子が窒素
   原子に結合したアミノ基を一つ以上有する化合物の前記
   窒素原子に結合した水素原子の１個以上がｔ−ブトキシ
   カルボニル基で置換された低分子化合物、（Ｂ）感放射
   線性酸発生剤、（Ｄ）アルカリ可溶性樹脂、並びに
   （Ｅ）酸の存在下でアルカリ可溶性樹脂を架橋しうる化
   合物を含有することを特徴とするネガ型感放射線性樹脂
   組成物。