JP2001213885A - カルボシロキサンデンドリマー - Google Patents
カルボシロキサンデンドリマーInfo
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- JP2001213885A JP2001213885A JP2000023053A JP2000023053A JP2001213885A JP 2001213885 A JP2001213885 A JP 2001213885A JP 2000023053 A JP2000023053 A JP 2000023053A JP 2000023053 A JP2000023053 A JP 2000023053A JP 2001213885 A JP2001213885 A JP 2001213885A
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- carbosiloxane dendrimer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い縮合反応性を有し、強固な架橋体の形成
や界面接着性を効率よく発現し得る新規なカルボシロキ
サンデンドリマーを提供する。 【解決手段】 ポリシロキサン構造を核として、シロキ
サン結合とシルアルキレン結合が交互に配列した高分岐
構造を有し、かつ、ケイ素原子結合アシロキシ基、ハロ
ゲン原子または水酸基を有する新規なカルボシロキサン
デンドリマー。
や界面接着性を効率よく発現し得る新規なカルボシロキ
サンデンドリマーを提供する。 【解決手段】 ポリシロキサン構造を核として、シロキ
サン結合とシルアルキレン結合が交互に配列した高分岐
構造を有し、かつ、ケイ素原子結合アシロキシ基、ハロ
ゲン原子または水酸基を有する新規なカルボシロキサン
デンドリマー。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は新規なカルボシロキ
サンデンドリマーに関し、詳しくは、高い縮合反応性を
有する新規なカルボシロキサンデンドリマーに関する。
サンデンドリマーに関し、詳しくは、高い縮合反応性を
有する新規なカルボシロキサンデンドリマーに関する。
【０００２】
【従来の技術】一つの核から放射状に高度な枝分かれ構
造を有し、分子量分布が狭い高分子化合物はデンドリマ
ーと呼ばれ、低粘性，高反応性，高溶解性，低ガラス転
移温度といった特徴的な性質を持っており、その応用が
注目されている。本発明者らは、先に、シロキサン結合
とシルアルキレン結合が交互に配列した高分岐構造の新
規なカルボシロキサンデンドリマー（分岐状シロキサン
・シルアルキレン共重合体）を提案した（特開平１０−
２９８２８８号公報、特開平１１−１４８５号公報、特
願平１０−１６６４２３号明細書、特願平１０−２５７
４７８号明細書および特願平１１−４８５１２号明細
書）。これらのカルボシロキサンデンドリマーは高分子
量化が可能であり、かつ分子量分布が狭いという特徴を
有している。中でも、ケイ素原子結合アルコキシ基を有
するカルボシロキサンデンドリマーは、アルコキシ基の
加水分解縮合反応によって架橋体を形成したり、界面接
着性を発現するために有効であることが確認されてい
る。しかしながら、このようなカルボシロキサンデンド
リマーであっても反応性が十分ではなく、反応が遅延し
たりあるいは反応が未完結になることがあるため、上記
したような効果が十分に発現しないという問題点があっ
た。
造を有し、分子量分布が狭い高分子化合物はデンドリマ
ーと呼ばれ、低粘性，高反応性，高溶解性，低ガラス転
移温度といった特徴的な性質を持っており、その応用が
注目されている。本発明者らは、先に、シロキサン結合
とシルアルキレン結合が交互に配列した高分岐構造の新
規なカルボシロキサンデンドリマー（分岐状シロキサン
・シルアルキレン共重合体）を提案した（特開平１０−
２９８２８８号公報、特開平１１−１４８５号公報、特
願平１０−１６６４２３号明細書、特願平１０−２５７
４７８号明細書および特願平１１−４８５１２号明細
書）。これらのカルボシロキサンデンドリマーは高分子
量化が可能であり、かつ分子量分布が狭いという特徴を
有している。中でも、ケイ素原子結合アルコキシ基を有
するカルボシロキサンデンドリマーは、アルコキシ基の
加水分解縮合反応によって架橋体を形成したり、界面接
着性を発現するために有効であることが確認されてい
る。しかしながら、このようなカルボシロキサンデンド
リマーであっても反応性が十分ではなく、反応が遅延し
たりあるいは反応が未完結になることがあるため、上記
したような効果が十分に発現しないという問題点があっ
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは上記問題
点を解決すべく鋭意検討した結果、本発明に到達した。
即ち、本発明の目的は、高い縮合反応性を有し、強固な
架橋体の形成や界面接着性を効率よく発現し得る新規な
カルボシロキサンデンドリマーを提供することにある。
点を解決すべく鋭意検討した結果、本発明に到達した。
即ち、本発明の目的は、高い縮合反応性を有し、強固な
架橋体の形成や界面接着性を効率よく発現し得る新規な
カルボシロキサンデンドリマーを提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、一般式：X1R1 a
SiO(3-a)/2で示されるシロキサン単位１〜１００モル％
と一般式：R1 gSiO(4-g)/2で示されるシロキサン単位９
９〜０モル％とからなり、一般式：−R4−SiR5 (3-c)Yc
で示される置換シリルアルキル基を１分子中に１個以上
有し、数平均分子量が１００万以下であることを特徴と
するカルボシロキサンデンドリマー、および、一般式：
SiO(3-a)/2で示されるシロキサン単位１〜１００モル％
と一般式：R1 gSiO(4-g)/2で示されるシロキサン単位９
９〜０モル％とからなり、一般式：−R4−SiR5 (3-c)Yc
で示される置換シリルアルキル基を１分子中に１個以上
有し、数平均分子量が１００万以下であることを特徴と
するカルボシロキサンデンドリマー、および、一般式：
【化４】 で示され、一般式：−R4−SiR5 (3-c)Ycで示される置換
シリルアルキル基を１分子中に１個以上有することを特
徴とするカルボシロキサンデンドリマーに関する。［式
中、R1は炭素原子数１〜１０のアルキル基もしくはアリ
ール基であり、aは０〜２の整数であり、X1はi=1とした
場合の次式で示されるシリルアルキル基である。
シリルアルキル基を１分子中に１個以上有することを特
徴とするカルボシロキサンデンドリマーに関する。［式
中、R1は炭素原子数１〜１０のアルキル基もしくはアリ
ール基であり、aは０〜２の整数であり、X1はi=1とした
場合の次式で示されるシリルアルキル基である。
【化５】 ｛式中、R1は前記と同じであり、R2は炭素原子数２〜１
０のアルキレン基であり、R3は炭素原子数１〜１０のア
ルキル基であり、Xi+1は上記シリルアルキル基または一
般式：−R4−SiR5 (3-c)Yc（式中、R4は炭素原子数２〜
１０のアルキレン基であり、R5は炭素原子数１〜１０の
アルキル基もしくはアリール基であり、Yは炭素原子数
１〜１０のアシロキシ基、ハロゲン原子または水酸基で
あり、cは１〜３の整数である。）で示される置換シリ
ルアルキル基である。iは上記シリルアルキル基の階層
を示している１〜１０の整数であり、biは０〜３の整数
であり、ｇは０〜３の整数である。Zは置換炭化水素基
であり、dは０〜５０の整数であり、eは１〜３の整数で
ある。｝］
０のアルキレン基であり、R3は炭素原子数１〜１０のア
ルキル基であり、Xi+1は上記シリルアルキル基または一
般式：−R4−SiR5 (3-c)Yc（式中、R4は炭素原子数２〜
１０のアルキレン基であり、R5は炭素原子数１〜１０の
アルキル基もしくはアリール基であり、Yは炭素原子数
１〜１０のアシロキシ基、ハロゲン原子または水酸基で
あり、cは１〜３の整数である。）で示される置換シリ
ルアルキル基である。iは上記シリルアルキル基の階層
を示している１〜１０の整数であり、biは０〜３の整数
であり、ｇは０〜３の整数である。Zは置換炭化水素基
であり、dは０〜５０の整数であり、eは１〜３の整数で
ある。｝］
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明のカルボシロキサンデンド
リマーは、一般式：X1R1 aSiO(3-a)/2で示される同一も
しくは異種のシロキサン単位１〜１００モル％と、一般
式：R1 gSiO(4 -g)/2で示される同一もしくは異種のシロ
キサン単位９９〜０モル％とからなり、一般式：−R4−
SiR5 (3-c)Ycで示される置換シリルアルキル基を１分子
中に１個以上有する化合物である。式中、R1は炭素原子
数１〜１０のアルキル基もしくはアリール基であり、ア
ルキル基としては、メチル基，エチル基，プロピル基，
ブチル基，ペンチル基，イソプロピル基，イソブチル
基，シクロペンチル基，シクロヘキシル基が例示され、
アリール基としては、フェニル基，ナフチル基が例示さ
れる。これらの中でもメチル基が好ましい。aは０〜２
の整数である。X1はi=1とした場合の次式で示されるシ
リルアルキル基である。
リマーは、一般式：X1R1 aSiO(3-a)/2で示される同一も
しくは異種のシロキサン単位１〜１００モル％と、一般
式：R1 gSiO(4 -g)/2で示される同一もしくは異種のシロ
キサン単位９９〜０モル％とからなり、一般式：−R4−
SiR5 (3-c)Ycで示される置換シリルアルキル基を１分子
中に１個以上有する化合物である。式中、R1は炭素原子
数１〜１０のアルキル基もしくはアリール基であり、ア
ルキル基としては、メチル基，エチル基，プロピル基，
ブチル基，ペンチル基，イソプロピル基，イソブチル
基，シクロペンチル基，シクロヘキシル基が例示され、
アリール基としては、フェニル基，ナフチル基が例示さ
れる。これらの中でもメチル基が好ましい。aは０〜２
の整数である。X1はi=1とした場合の次式で示されるシ
リルアルキル基である。
【化６】 上式中、R2は炭素原子数２〜１０のアルキレン基であ
り、エチレン基，プロピレン基，ブチレン基，ヘキシレ
ン基などの直鎖状アルキレン基；メチルメチレン基，メ
チルエチレン基，１−メチルペンチレン基，１,４−ジ
メチルブチレン基などの分岐状アルキレン基が例示され
る。これらの中でも、エチレン基，メチルメチレン基，
ヘキシレン基，１−メチルペンチレン基，１,４−ジメ
チルブチレン基が好ましい。R3は炭素原子数１〜１０の
アルキル基であり、メチル基，エチル基，プロピル基，
ブチル基，ペンチル基，イソプロピル基が例示される。
これらの中でもメチル基またはエチル基が好ましい。R1
は前記と同じである。Xi+1は上記シリルアルキル基また
は一般式：−R4−SiR5 (3-c)Ycで示される置換シリルア
ルキル基である。R4は炭素原子数２〜１０のアルキレン
基であり、前記R2と同様の基が例示される。R5は炭素原
子数１〜１０のアルキル基もしくはアリール基であり、
前記R1と同様の基が例示される。Yは炭素原子数１〜１
０のアシロキシ基、ハロゲン原子または水酸基であり、
アシロキシ基としては、アセトキシ基，ベンゾイロキシ
基，アクリロキシ基，メタクリロキシ基が例示され、ハ
ロゲン原子としては、フッ素原子，塩素原子，臭素原子
が例示される。cは１〜３の整数である。iは１〜１０の
整数であり、biは０〜３の整数である。ここで、iは上
記シリルアルキル基の階層数、即ち、上記シリルアルキ
ル基の繰り返し数を示している。従って、階層数が１で
ある場合に、上記シリルアルキル基は一般式：
り、エチレン基，プロピレン基，ブチレン基，ヘキシレ
ン基などの直鎖状アルキレン基；メチルメチレン基，メ
チルエチレン基，１−メチルペンチレン基，１,４−ジ
メチルブチレン基などの分岐状アルキレン基が例示され
る。これらの中でも、エチレン基，メチルメチレン基，
ヘキシレン基，１−メチルペンチレン基，１,４−ジメ
チルブチレン基が好ましい。R3は炭素原子数１〜１０の
アルキル基であり、メチル基，エチル基，プロピル基，
ブチル基，ペンチル基，イソプロピル基が例示される。
これらの中でもメチル基またはエチル基が好ましい。R1
は前記と同じである。Xi+1は上記シリルアルキル基また
は一般式：−R4−SiR5 (3-c)Ycで示される置換シリルア
ルキル基である。R4は炭素原子数２〜１０のアルキレン
基であり、前記R2と同様の基が例示される。R5は炭素原
子数１〜１０のアルキル基もしくはアリール基であり、
前記R1と同様の基が例示される。Yは炭素原子数１〜１
０のアシロキシ基、ハロゲン原子または水酸基であり、
アシロキシ基としては、アセトキシ基，ベンゾイロキシ
基，アクリロキシ基，メタクリロキシ基が例示され、ハ
ロゲン原子としては、フッ素原子，塩素原子，臭素原子
が例示される。cは１〜３の整数である。iは１〜１０の
整数であり、biは０〜３の整数である。ここで、iは上
記シリルアルキル基の階層数、即ち、上記シリルアルキ
ル基の繰り返し数を示している。従って、階層数が１で
ある場合に、上記シリルアルキル基は一般式：
【化７】 で示される。階層数が２である場合に、該シリルアルキ
ル基は一般式：
ル基は一般式：
【化８】 で示される。階層数が３である場合に、該シリルアルキ
ル基は一般式：
ル基は一般式：
【化９】 で示される。上式中、R1,R2,R3,R4,R5,Yおよびcは前記
と同じであり、b1,b2,b3 は０〜３の数である。また、ｇ
は０〜３の整数である。本発明のカルボシロキサンデン
ドリマーの数平均分子量は、通常、１００万以下である
が、５００〜５０万の範囲であることが好ましく、１,
０００〜１０万の範囲であることがより好ましい。
と同じであり、b1,b2,b3 は０〜３の数である。また、ｇ
は０〜３の整数である。本発明のカルボシロキサンデン
ドリマーの数平均分子量は、通常、１００万以下である
が、５００〜５０万の範囲であることが好ましく、１,
０００〜１０万の範囲であることがより好ましい。
【０００６】このような本発明のカルボシロキサンデン
ドリマーを構成するシロキサン単位としては、一般式：X
1R1 2SiO1/2またはR1 3SiO1/2で示される１官能シロキサ
ン単位（Ｍ単位），一般式：X1R1SiO2/2またはR1 2SiO
2/2で示される２官能シロキサン単位（Ｄ単位），一般
式：X1SiO3/2またはR1SiO3/2で示される３官能シロキサ
ン単位（Ｔ単位），SiO4/2で示される４官能シロキサン
単位（Ｑ単位）が挙げられる。本発明のカルボシロキサ
ンデンドリマーは、このようなシロキサン単位が結合し
たポリシロキサン構造を核とし、この核から放射状に高
度な枝分かれ構造を有している。このような本発明のカ
ルボシロキサンデンドリマーとしては、下記一般式で示
される化合物が挙げられる。下式中、X1およびR1は前記
と同じであり、m,n,x,y,z,p,q,r,s,tは一分子中に存在
するシロキサン単位数を示す１以上の数であるが、（p+
q）は５以上、（s+t）は６以上である。
ドリマーを構成するシロキサン単位としては、一般式：X
1R1 2SiO1/2またはR1 3SiO1/2で示される１官能シロキサ
ン単位（Ｍ単位），一般式：X1R1SiO2/2またはR1 2SiO
2/2で示される２官能シロキサン単位（Ｄ単位），一般
式：X1SiO3/2またはR1SiO3/2で示される３官能シロキサ
ン単位（Ｔ単位），SiO4/2で示される４官能シロキサン
単位（Ｑ単位）が挙げられる。本発明のカルボシロキサ
ンデンドリマーは、このようなシロキサン単位が結合し
たポリシロキサン構造を核とし、この核から放射状に高
度な枝分かれ構造を有している。このような本発明のカ
ルボシロキサンデンドリマーとしては、下記一般式で示
される化合物が挙げられる。下式中、X1およびR1は前記
と同じであり、m,n,x,y,z,p,q,r,s,tは一分子中に存在
するシロキサン単位数を示す１以上の数であるが、（p+
q）は５以上、（s+t）は６以上である。
【化１０】
【化１１】
【化１２】
【化１３】
【化１４】
【化１５】
【化１６】
【化１７】 (X1R1 2SiO1/2)p(R1SiO3/2)q (X1SiO3/2)r (X1R1 2SiO1/2)s(SiO4/2)t
【０００７】本発明のもう一方のカルボシロキサンデン
ドリマーは、一般式：
ドリマーは、一般式：
【化１８】 で示され、分子鎖片末端に放射状の高度な枝分かれ構造
を有し、もう一方の末端に１個の置換炭化水素基を有す
るオルガノポリシロキサンである。式中、R1およびX1は
前記と同じである。Zは置換炭化水素基であり、好まし
くは、アルコール性水酸基，フェノール性水酸基，アミ
ノ基，メルカプト基，カルボキシル基，ニトリル基，ハ
ロゲン原子，環状もしくは非環状のエーテル，ケトン，
カルボン酸エステルから選択される基、原子または構造
の少なくとも１個が、炭素原子を介してケイ素原子に結
合している基である。アルコール性水酸基置換炭化水素
基としては3−ヒドロキシプロピル基，ヒドロキシメチ
ル基；フェノール性水酸基置換炭化水素基としてはヒド
ロキシフェニル基，ヒドロキシフェニルプロピル基；ア
ミノ基置換炭化水素基としてはアミノプロピル基，アミ
ノメチル基，N−ブチルアミノプロピル基，N−シクロヘ
キシルアミノプロピル基，N,N−ジブチルアミノプロピ
ル基，N,N−ジブチルアミノメチル基；メルカプト基置
換炭化水素基としてはメルカプトプロピル基，メルカプ
トメチル基；カルボキシル基置換炭化水素基としては3
−カルボキシプロピル基，10−カルボキシデシル基；ニ
トリル基置換炭化水素基としては2−シアノエチル基，3
−シアノプロピル基；ハロゲン原子置換炭化水素基とし
ては3−クロロプロピル基，クロロメチル基，3,3,3−ト
リフルオロプロピル基，p−クロロメチルフェネチル
基，ノナフルオロヘキシル基；環状エーテル置換炭化水
素基としてはグリシドキシプロピル基，5,6−オキシラ
ニルブチル基，テトラヒドロフリロキシプロピル基；非
環状エーテル置換炭化水素基としてはメトキシエトキシ
プロピル基，ポリオキシエチレニルプロピル基，ポリオ
キシプロピレニルプロピル基；ケトン置換炭化水素基と
してはアセチルメチル基，ベンゾイルメチル基；カルボ
ン酸エステル置換炭化水素基としては3−メタクリロキ
シプロピル基，3−アクリロキシプロピル基，3−アクリ
ルアミドプロピル基，メタクリロキシメチル基，アクリ
ロキシメチル基，3−アセトキシプロピル基，エトキシ
カルボニルプロピル基，3−ベンゾイロキシプロピル
基，アセトキシメチル基が挙げられる。これらの他に
も、アルコール性水酸基とエーテル構造を有する基とし
てヒドロキシエトキシプロピル基，ヒドロキシプロポキ
シ基；フェノール性水酸基とエーテル構造を有する基と
して4−ヒドロキシ−3−メトキシフェニルプロピル基；
ケトンとカルボン酸エステル構造を有する基としてアセ
チルアセトキシプロピル基，ベンゾイルアセトキシプロ
ピル基が例示される。dは０〜５０の整数であり、eは１
〜３の整数である。
を有し、もう一方の末端に１個の置換炭化水素基を有す
るオルガノポリシロキサンである。式中、R1およびX1は
前記と同じである。Zは置換炭化水素基であり、好まし
くは、アルコール性水酸基，フェノール性水酸基，アミ
ノ基，メルカプト基，カルボキシル基，ニトリル基，ハ
ロゲン原子，環状もしくは非環状のエーテル，ケトン，
カルボン酸エステルから選択される基、原子または構造
の少なくとも１個が、炭素原子を介してケイ素原子に結
合している基である。アルコール性水酸基置換炭化水素
基としては3−ヒドロキシプロピル基，ヒドロキシメチ
ル基；フェノール性水酸基置換炭化水素基としてはヒド
ロキシフェニル基，ヒドロキシフェニルプロピル基；ア
ミノ基置換炭化水素基としてはアミノプロピル基，アミ
ノメチル基，N−ブチルアミノプロピル基，N−シクロヘ
キシルアミノプロピル基，N,N−ジブチルアミノプロピ
ル基，N,N−ジブチルアミノメチル基；メルカプト基置
換炭化水素基としてはメルカプトプロピル基，メルカプ
トメチル基；カルボキシル基置換炭化水素基としては3
−カルボキシプロピル基，10−カルボキシデシル基；ニ
トリル基置換炭化水素基としては2−シアノエチル基，3
−シアノプロピル基；ハロゲン原子置換炭化水素基とし
ては3−クロロプロピル基，クロロメチル基，3,3,3−ト
リフルオロプロピル基，p−クロロメチルフェネチル
基，ノナフルオロヘキシル基；環状エーテル置換炭化水
素基としてはグリシドキシプロピル基，5,6−オキシラ
ニルブチル基，テトラヒドロフリロキシプロピル基；非
環状エーテル置換炭化水素基としてはメトキシエトキシ
プロピル基，ポリオキシエチレニルプロピル基，ポリオ
キシプロピレニルプロピル基；ケトン置換炭化水素基と
してはアセチルメチル基，ベンゾイルメチル基；カルボ
ン酸エステル置換炭化水素基としては3−メタクリロキ
シプロピル基，3−アクリロキシプロピル基，3−アクリ
ルアミドプロピル基，メタクリロキシメチル基，アクリ
ロキシメチル基，3−アセトキシプロピル基，エトキシ
カルボニルプロピル基，3−ベンゾイロキシプロピル
基，アセトキシメチル基が挙げられる。これらの他に
も、アルコール性水酸基とエーテル構造を有する基とし
てヒドロキシエトキシプロピル基，ヒドロキシプロポキ
シ基；フェノール性水酸基とエーテル構造を有する基と
して4−ヒドロキシ−3−メトキシフェニルプロピル基；
ケトンとカルボン酸エステル構造を有する基としてアセ
チルアセトキシプロピル基，ベンゾイルアセトキシプロ
ピル基が例示される。dは０〜５０の整数であり、eは１
〜３の整数である。
【０００８】このような上記一般式で示される本発明の
カルボシロキサンデンドリマーとしては、下記一般式で
示される化合物が挙げられる。下式中、X1，R1およびZ
は前記と同じである。
カルボシロキサンデンドリマーとしては、下記一般式で
示される化合物が挙げられる。下式中、X1，R1およびZ
は前記と同じである。
【化１９】
【化２０】
【化２１】
【化２２】
【０００９】本発明のカルボシロキサンデンドリマー
は、単一化合物もしくはそれらの混合物であるが、ポリ
スチレン換算の分子量における分散度指数、即ち重量平
均分子量と数平均分子量の商（Ｍｗ／Ｍｎ）が２以下で
あることが好ましい。
は、単一化合物もしくはそれらの混合物であるが、ポリ
スチレン換算の分子量における分散度指数、即ち重量平
均分子量と数平均分子量の商（Ｍｗ／Ｍｎ）が２以下で
あることが好ましい。
【００１０】このような本発明のカルボシロキサンデン
ドリマーとして具体的には、下記平均分子式で示される
重合体が挙げられる。下式中、Acはアセチル基を示して
いる。
ドリマーとして具体的には、下記平均分子式で示される
重合体が挙げられる。下式中、Acはアセチル基を示して
いる。
【化２３】
【化２４】
【化２５】
【化２６】
【化２７】
【化２８】
【化２９】
【化３０】
【化３１】
【化３２】
【００１１】本発明のカルボシロキサンデンドリマーに
おいて、Ｙがアシロキシ基またはハロゲン原子であるカ
ルボシロキサンデンドリマーは、ケイ素原子結合水素原
子含有カルボシロキサンデンドリマーに、アシロキシ基
またはハロゲン原子を有するアルケニルシランをヒドロ
シリル化反応させる方法、あるいは、アルケニル基含有
カルボシロキサンデンドリマーに、アシロキシ基または
ハロゲン原子を有するヒドロシランをヒドロシリル化反
応させる方法により製造することができる。ヒドロシリ
ル化反応に使用される触媒は白金系遷移金属触媒である
ことが好ましく、塩化白金酸，アルコール変性塩化白金
酸，白金のオレフィン錯体，白金のジケトナート錯体が
例示される。一方、Ｙが水酸基である本発明のカルボシ
ロキサンデンドリマーは、アセトキシ基もしくはハロゲ
ン原子を含有する本発明のカルボシロキサンデンドリマ
ーまたはアルコキシ基含有カルボシロキサンデンドリマ
ーを加水分解する方法により製造することができる。こ
の加水分解反応では、生成したシラノール同士の縮合に
よる高分子量化が副反応として起こりうるので、それを
防止するために、反応系のpHを３〜１０の範囲、好まし
くは４〜９の範囲に制御して、即ち、強酸あるいは強ア
ルカリ条件を避けて反応を行うのが好ましい。
おいて、Ｙがアシロキシ基またはハロゲン原子であるカ
ルボシロキサンデンドリマーは、ケイ素原子結合水素原
子含有カルボシロキサンデンドリマーに、アシロキシ基
またはハロゲン原子を有するアルケニルシランをヒドロ
シリル化反応させる方法、あるいは、アルケニル基含有
カルボシロキサンデンドリマーに、アシロキシ基または
ハロゲン原子を有するヒドロシランをヒドロシリル化反
応させる方法により製造することができる。ヒドロシリ
ル化反応に使用される触媒は白金系遷移金属触媒である
ことが好ましく、塩化白金酸，アルコール変性塩化白金
酸，白金のオレフィン錯体，白金のジケトナート錯体が
例示される。一方、Ｙが水酸基である本発明のカルボシ
ロキサンデンドリマーは、アセトキシ基もしくはハロゲ
ン原子を含有する本発明のカルボシロキサンデンドリマ
ーまたはアルコキシ基含有カルボシロキサンデンドリマ
ーを加水分解する方法により製造することができる。こ
の加水分解反応では、生成したシラノール同士の縮合に
よる高分子量化が副反応として起こりうるので、それを
防止するために、反応系のpHを３〜１０の範囲、好まし
くは４〜９の範囲に制御して、即ち、強酸あるいは強ア
ルカリ条件を避けて反応を行うのが好ましい。
【００１２】以上のような本発明のカルボシロキサンデ
ンドリマーは、ポリシロキサン構造を核として、シロキ
サン結合とシルアルキレン結合が交互に配列した高分岐
構造を有する化合物である。このカルボシロキサンデン
ドリマーは、ケイ素原子結合アシロキシ基、ハロゲン原
子または水酸基という縮合反応性に富む官能基を有する
ので、強固な架橋体を形成したり、界面接着性を効率よ
く発現できるという特徴を有する。さらにこのカルボシ
ロキサンデンドリマーは分子量分布が狭いので、高分岐
構造を有するにもかかわらず粘度が低く、線状ポリシロ
キサンと同程度の低いガラス転移温度を有し、しかも結
晶化を起こしにくいという利点を有する。このため、本
発明のカルボシロキサンデンドリマーは、架橋剤，コー
ティング剤，接着促進剤として有用である。
ンドリマーは、ポリシロキサン構造を核として、シロキ
サン結合とシルアルキレン結合が交互に配列した高分岐
構造を有する化合物である。このカルボシロキサンデン
ドリマーは、ケイ素原子結合アシロキシ基、ハロゲン原
子または水酸基という縮合反応性に富む官能基を有する
ので、強固な架橋体を形成したり、界面接着性を効率よ
く発現できるという特徴を有する。さらにこのカルボシ
ロキサンデンドリマーは分子量分布が狭いので、高分岐
構造を有するにもかかわらず粘度が低く、線状ポリシロ
キサンと同程度の低いガラス転移温度を有し、しかも結
晶化を起こしにくいという利点を有する。このため、本
発明のカルボシロキサンデンドリマーは、架橋剤，コー
ティング剤，接着促進剤として有用である。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明する。実施
例中、本発明のカルボシロキサンデンドリマーの同定
は、29Ｓｉ−核磁気共鳴分析およびゲル透過クロマトグ
ラフィー分析（溶媒：クロロホルム）により行った。
例中、本発明のカルボシロキサンデンドリマーの同定
は、29Ｓｉ−核磁気共鳴分析およびゲル透過クロマトグ
ラフィー分析（溶媒：クロロホルム）により行った。
【００１４】
【実施例１】撹拌装置、温度計、還流冷却管、滴下ロー
トを取り付けた２００ｍｌ４つ口フラスコに、ビニルト
リメトキシシラン１０７ｇと塩化白金酸３％イソプロパ
ノール溶液０．０４ｇを投入して、これらを撹拌しなが
ら１００℃に加熱した。次いでこれに、テトラキス（ジ
メチルシロキシ）シラン４９．４ｇを、滴下ロートを用
いて反応温度が１００℃を保つようにゆっくり滴下し
た。滴下終了後、反応溶液を１２０℃で１時間加熱し
た。冷却後、減圧濃縮したところ、１３８ｇの微褐色液
体が得られた。これを中間体Ａとした。次に、撹拌装
置、温度計、還流冷却管、滴下ロートを取り付けた５０
０ｍｌ４つ口フラスコに、１,１,３,３−テトラメチル
ジシロキサン１２７ｇ、濃塩酸３３ｍｌ、水６６ｍｌお
よびイソプロパノール６６ｍｌを投入して、これらを撹
拌した。次いでこれに、上記で得た中間体Ａ１００ｇを
滴下ロートを用いて１時間かけてゆっくり滴下した。滴
下終了後、反応溶液を室温で１時間撹拌した。次いでこ
の反応溶液を分液ロートに移して下層を分取した後、残
った上層液を水３０ｍｌで２回、飽和炭酸水素ナトリウ
ム水溶液３０ｍｌで１回洗浄して、無水硫酸ナトリウム
で乾燥した。固形分を濾別して、得られた溶液を減圧濃
縮したところ、１５６ｇの無色透明液体が得られた。こ
れを中間体Ｂとした。一方、撹拌装置、温度計、還流冷
却管、滴下ロートを取り付けた１００ｍｌ４つ口フラス
コに、ジメチルビニルクロロシラン２０．９ｇと塩化白
金酸３％イソプロパノール溶液０．０３ｇを投入して、
これらを撹拌しながら７０℃に加熱した。次いでこれ
に、上記で得た中間体Ｂ２０．０ｇを、滴下ロートを用
いて反応温度が７０℃を保つようにゆっくり滴下した。
滴下終了後、反応溶液を８０℃で１時間加熱した。冷却
後、反応溶液を減圧濃縮して反応生成物３８．３０ｇを
得た。この反応生成物は、下記平均構造式で示されるカ
ルボシロキサンデンドリマーであった。このカルボシロ
キサンデンドリマーは、ゲル透過クロマトグラフィーに
よるポリスチレン換算数平均分子量が２,７５７であ
り、分散度指数が１.０７であった。
トを取り付けた２００ｍｌ４つ口フラスコに、ビニルト
リメトキシシラン１０７ｇと塩化白金酸３％イソプロパ
ノール溶液０．０４ｇを投入して、これらを撹拌しなが
ら１００℃に加熱した。次いでこれに、テトラキス（ジ
メチルシロキシ）シラン４９．４ｇを、滴下ロートを用
いて反応温度が１００℃を保つようにゆっくり滴下し
た。滴下終了後、反応溶液を１２０℃で１時間加熱し
た。冷却後、減圧濃縮したところ、１３８ｇの微褐色液
体が得られた。これを中間体Ａとした。次に、撹拌装
置、温度計、還流冷却管、滴下ロートを取り付けた５０
０ｍｌ４つ口フラスコに、１,１,３,３−テトラメチル
ジシロキサン１２７ｇ、濃塩酸３３ｍｌ、水６６ｍｌお
よびイソプロパノール６６ｍｌを投入して、これらを撹
拌した。次いでこれに、上記で得た中間体Ａ１００ｇを
滴下ロートを用いて１時間かけてゆっくり滴下した。滴
下終了後、反応溶液を室温で１時間撹拌した。次いでこ
の反応溶液を分液ロートに移して下層を分取した後、残
った上層液を水３０ｍｌで２回、飽和炭酸水素ナトリウ
ム水溶液３０ｍｌで１回洗浄して、無水硫酸ナトリウム
で乾燥した。固形分を濾別して、得られた溶液を減圧濃
縮したところ、１５６ｇの無色透明液体が得られた。こ
れを中間体Ｂとした。一方、撹拌装置、温度計、還流冷
却管、滴下ロートを取り付けた１００ｍｌ４つ口フラス
コに、ジメチルビニルクロロシラン２０．９ｇと塩化白
金酸３％イソプロパノール溶液０．０３ｇを投入して、
これらを撹拌しながら７０℃に加熱した。次いでこれ
に、上記で得た中間体Ｂ２０．０ｇを、滴下ロートを用
いて反応温度が７０℃を保つようにゆっくり滴下した。
滴下終了後、反応溶液を８０℃で１時間加熱した。冷却
後、反応溶液を減圧濃縮して反応生成物３８．３０ｇを
得た。この反応生成物は、下記平均構造式で示されるカ
ルボシロキサンデンドリマーであった。このカルボシロ
キサンデンドリマーは、ゲル透過クロマトグラフィーに
よるポリスチレン換算数平均分子量が２,７５７であ
り、分散度指数が１.０７であった。
【化３３】
【００１５】
【実施例２】撹拌装置，温度計，還流冷却管，滴下ロー
トを取り付けた３００ｍｌ４つ口フラスコに、水２．０
１ｇ、トリエチルアミン１６．１２ｇ、テトラヒドロフ
ラン５０ｇ、トルエン５０ｇを入れて攪拌した。次いで
これに、実施例１で得たカルボシロキサンデンドリマー
３．０ｇとテトラヒドロフラン１０ｇの混合液を４０℃
以下で滴下した。滴下終了後、濾過して生成した塩を取
り除いた。次いで減圧下にて溶媒留去を行い、再びトル
エンに溶解させた。この溶液を分液ロートに移して水５
０ｍｌで３回洗浄して、無水硫酸ナトリウムで乾燥し
た。固形分を濾別して、得られた溶液を減圧濃縮したと
ころ、２．７３ｇの微黄色液体が得られた。この反応生
成物を29Ｓｉ−核磁気共鳴分析により分析したところ、
下記平均構造式で示されるカルボシロキサンデンドリマ
ーであることが判明した。このカルボシロキサンデンド
リマーは、ゲル透過クロマトグラフィーによるポリスチ
レン換算数平均分子量が１,８３６であり、分散度指数
が１.１１であることが判明した。
トを取り付けた３００ｍｌ４つ口フラスコに、水２．０
１ｇ、トリエチルアミン１６．１２ｇ、テトラヒドロフ
ラン５０ｇ、トルエン５０ｇを入れて攪拌した。次いで
これに、実施例１で得たカルボシロキサンデンドリマー
３．０ｇとテトラヒドロフラン１０ｇの混合液を４０℃
以下で滴下した。滴下終了後、濾過して生成した塩を取
り除いた。次いで減圧下にて溶媒留去を行い、再びトル
エンに溶解させた。この溶液を分液ロートに移して水５
０ｍｌで３回洗浄して、無水硫酸ナトリウムで乾燥し
た。固形分を濾別して、得られた溶液を減圧濃縮したと
ころ、２．７３ｇの微黄色液体が得られた。この反応生
成物を29Ｓｉ−核磁気共鳴分析により分析したところ、
下記平均構造式で示されるカルボシロキサンデンドリマ
ーであることが判明した。このカルボシロキサンデンド
リマーは、ゲル透過クロマトグラフィーによるポリスチ
レン換算数平均分子量が１,８３６であり、分散度指数
が１.１１であることが判明した。
【化３４】 このようにして得られたカルボシロキサンデンドリマー
０．９３ｇとテトラエトキシシラン２．１７ｇを混合
し、次いでこれに、イソプロピルアルコール３．３ｇ、
ぎ酸１．２ｇおよび水１．７ｇの混合液を加えて均一に
混合した。得られた混合溶液をガラス板表面にコーテイ
ングして空乾させたところ、無色透明で弾性を有し、か
つ、溶媒により溶出しない硬化膜が得られた。
０．９３ｇとテトラエトキシシラン２．１７ｇを混合
し、次いでこれに、イソプロピルアルコール３．３ｇ、
ぎ酸１．２ｇおよび水１．７ｇの混合液を加えて均一に
混合した。得られた混合溶液をガラス板表面にコーテイ
ングして空乾させたところ、無色透明で弾性を有し、か
つ、溶媒により溶出しない硬化膜が得られた。
【００１６】
【実施例３】撹拌装置、温度計、還流冷却管、滴下ロー
トを取り付けた１００ｍｌ４つ口フラスコに、ビニルト
リメトキシシラン１０１．5ｇと塩化白金酸３％イソプ
ロパノール溶液０．０３ｇを投入して、これらを撹拌し
ながら７０℃に加熱した。次いでこれに、実施例１で得
た中間体Ｂ１００．０ｇを、滴下ロートを用いて反応温
度が１００℃を保つようにゆっくり滴下した。滴下終了
後、反応溶液を１２０℃で１時間加熱した。冷却後、反
応溶液を減圧濃縮して、反応生成物１９１．２ｇを得
た。これを中間体Ｃとした。次に、撹拌装置、温度計、
還流冷却管、滴下ロートを取り付けた５００ｍｌ４つ口
フラスコに、１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン
７５．１２ｇ、濃塩酸２２．２ｍｌ、水４４．５ｍｌお
よびイソプロパノール４４．５ｍｌを投入して、これら
を撹拌した。次いでこれに、上記で得た中間体Ｃ６６．
９ｇを滴下ロートを用いて１時間かけてゆっくり滴下し
た。滴下終了後、反応溶液を室温で１時間撹拌した。次
いでこの反応溶液を分液ロートに移して下層を分取した
後、残った上層液を水３０ｍｌで２回、飽和炭酸水素ナ
トリウム水溶液３０ｍｌで１回洗浄して、無水硫酸ナト
リウムで乾燥した。固形分を濾別して、得られた溶液を
減圧濃縮したところ、１１０．３ｇの無色透明液体が得
られた。次に、撹拌装置、温度計、還流冷却管、滴下ロ
ートを取り付けた５００ｍｌ４つ口フラスコに、上記で
得られた液体全量と酢酸５３．７３ｇを投入して、これ
らを攪拌しながら５０℃まで昇温した。さらにトリフル
オロメタンスルホン酸を０．０８ｇ添加して、５０℃で
１時間攪拌した。攪拌後、反応溶液を減圧濃縮したとこ
ろ、７７．１４ｇの無色透明液体が得られた。これを中
間体Ｄとした。次に、撹拌装置、温度計、還流冷却管、
滴下ロートを取り付けた１００ｍｌ４つ口フラスコに、
ジメチルビニルクロロシラン１９．１ｇと塩化白金酸３
％イソプロパノール溶液０．０３ｇを投入し、これらを
撹拌しながら７０℃に加熱した。次いでこれに、上記で
得た中間体Ｄ２０．０ｇを、滴下ロートを用いて反応温
度が７０℃を保つようにゆっくり滴下した。滴下終了
後、反応溶液を８０℃で１時間加熱した。冷却後、反応
溶液を減圧濃縮して反応生成物３３．２ｇを得た。この
反応生成物は、下記平均構造式で示されるカルボシロキ
サンデンドリマーであった。このカルボシロキサンデン
ドリマーは、ゲル透過クロマトグラフィーによるポリス
チレン換算数平均分子量が４,２００であり、分散度指
数が１.３７であった。
トを取り付けた１００ｍｌ４つ口フラスコに、ビニルト
リメトキシシラン１０１．5ｇと塩化白金酸３％イソプ
ロパノール溶液０．０３ｇを投入して、これらを撹拌し
ながら７０℃に加熱した。次いでこれに、実施例１で得
た中間体Ｂ１００．０ｇを、滴下ロートを用いて反応温
度が１００℃を保つようにゆっくり滴下した。滴下終了
後、反応溶液を１２０℃で１時間加熱した。冷却後、反
応溶液を減圧濃縮して、反応生成物１９１．２ｇを得
た。これを中間体Ｃとした。次に、撹拌装置、温度計、
還流冷却管、滴下ロートを取り付けた５００ｍｌ４つ口
フラスコに、１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン
７５．１２ｇ、濃塩酸２２．２ｍｌ、水４４．５ｍｌお
よびイソプロパノール４４．５ｍｌを投入して、これら
を撹拌した。次いでこれに、上記で得た中間体Ｃ６６．
９ｇを滴下ロートを用いて１時間かけてゆっくり滴下し
た。滴下終了後、反応溶液を室温で１時間撹拌した。次
いでこの反応溶液を分液ロートに移して下層を分取した
後、残った上層液を水３０ｍｌで２回、飽和炭酸水素ナ
トリウム水溶液３０ｍｌで１回洗浄して、無水硫酸ナト
リウムで乾燥した。固形分を濾別して、得られた溶液を
減圧濃縮したところ、１１０．３ｇの無色透明液体が得
られた。次に、撹拌装置、温度計、還流冷却管、滴下ロ
ートを取り付けた５００ｍｌ４つ口フラスコに、上記で
得られた液体全量と酢酸５３．７３ｇを投入して、これ
らを攪拌しながら５０℃まで昇温した。さらにトリフル
オロメタンスルホン酸を０．０８ｇ添加して、５０℃で
１時間攪拌した。攪拌後、反応溶液を減圧濃縮したとこ
ろ、７７．１４ｇの無色透明液体が得られた。これを中
間体Ｄとした。次に、撹拌装置、温度計、還流冷却管、
滴下ロートを取り付けた１００ｍｌ４つ口フラスコに、
ジメチルビニルクロロシラン１９．１ｇと塩化白金酸３
％イソプロパノール溶液０．０３ｇを投入し、これらを
撹拌しながら７０℃に加熱した。次いでこれに、上記で
得た中間体Ｄ２０．０ｇを、滴下ロートを用いて反応温
度が７０℃を保つようにゆっくり滴下した。滴下終了
後、反応溶液を８０℃で１時間加熱した。冷却後、反応
溶液を減圧濃縮して反応生成物３３．２ｇを得た。この
反応生成物は、下記平均構造式で示されるカルボシロキ
サンデンドリマーであった。このカルボシロキサンデン
ドリマーは、ゲル透過クロマトグラフィーによるポリス
チレン換算数平均分子量が４,２００であり、分散度指
数が１.３７であった。
【化３５】
【００１７】
【実施例４】撹拌装置，温度計，還流冷却管，滴下ロー
トを取り付けた３００ｍｌ４つ口フラスコに、水０．３
２ｇ、トリエチルアミン２．０８ｇ、テトラヒドロフラ
ン５０ｇおよびトルエン５０ｇを入れて攪拌した。次い
でこれに、実施例３で得られたカルボシロキサンデンド
リマー３．０ｇとテトラヒドロフラン１０ｇの混合液を
４０℃以下で滴下した。滴下終了後、濾過して生成した
塩を取り除いた。次いで減圧下で溶媒留去を行い、再び
トルエンに溶解させた。この反応溶液を分液ロートに移
して水５０ｍｌで３回洗浄して、無水硫酸ナトリウムで
乾燥した。固形分を濾別して、得られた溶液を減圧濃縮
したところ、２．７２ｇの微黄色液体が得られた。この
反応生成物を分析したところ、下記の平均構造式で示さ
れるカルボシロキサンデンドリマーであることが判明し
た。このカルボシロキサンデンドリマーは、ゲル透過ク
ロマトグラフィーによるポリスチレン換算数平均分子量
が３,３１４であり、分散度指数が１.４５であることが
判明した。
トを取り付けた３００ｍｌ４つ口フラスコに、水０．３
２ｇ、トリエチルアミン２．０８ｇ、テトラヒドロフラ
ン５０ｇおよびトルエン５０ｇを入れて攪拌した。次い
でこれに、実施例３で得られたカルボシロキサンデンド
リマー３．０ｇとテトラヒドロフラン１０ｇの混合液を
４０℃以下で滴下した。滴下終了後、濾過して生成した
塩を取り除いた。次いで減圧下で溶媒留去を行い、再び
トルエンに溶解させた。この反応溶液を分液ロートに移
して水５０ｍｌで３回洗浄して、無水硫酸ナトリウムで
乾燥した。固形分を濾別して、得られた溶液を減圧濃縮
したところ、２．７２ｇの微黄色液体が得られた。この
反応生成物を分析したところ、下記の平均構造式で示さ
れるカルボシロキサンデンドリマーであることが判明し
た。このカルボシロキサンデンドリマーは、ゲル透過ク
ロマトグラフィーによるポリスチレン換算数平均分子量
が３,３１４であり、分散度指数が１.４５であることが
判明した。
【化３６】
【００１８】
【実施例５】撹拌装置、温度計、還流冷却管、滴下ロー
トを取り付けた２００ｍｌ４つ口フラスコに、ビニルト
リアセトキシシラン４０．２ｇと塩化白金酸３％イソプ
ロパノール溶液０．１０ｇを投入して、これらを撹拌し
ながら１０℃に加熱した。次いでこれに、実施例１で得
た中間体Ｂ２０．０ｇを、滴下ロートを用いて反応温度
が１００℃を保つようにゆっくり滴下した。滴下終了
後、反応溶液を１００℃で２時間加熱した。冷却後、反
応溶液を減圧濃縮して反応生成物５８．１ｇを得た。こ
の反応生成物は、下記平均構造式で示されるカルボシロ
キサンデンドリマーであった。このカルボシロキサンデ
ンドリマーは、ゲル透過クロマトグラフィーによるポリ
スチレン換算数平均分子量が２,８２９であり、分散度
指数が１.２１であった。
トを取り付けた２００ｍｌ４つ口フラスコに、ビニルト
リアセトキシシラン４０．２ｇと塩化白金酸３％イソプ
ロパノール溶液０．１０ｇを投入して、これらを撹拌し
ながら１０℃に加熱した。次いでこれに、実施例１で得
た中間体Ｂ２０．０ｇを、滴下ロートを用いて反応温度
が１００℃を保つようにゆっくり滴下した。滴下終了
後、反応溶液を１００℃で２時間加熱した。冷却後、反
応溶液を減圧濃縮して反応生成物５８．１ｇを得た。こ
の反応生成物は、下記平均構造式で示されるカルボシロ
キサンデンドリマーであった。このカルボシロキサンデ
ンドリマーは、ゲル透過クロマトグラフィーによるポリ
スチレン換算数平均分子量が２,８２９であり、分散度
指数が１.２１であった。
【化３７】 このようにして得られたカルボシロキサンデンドリマー
５ｇに水１ｇを加えて均一に混合した。この混合溶液を
室温で放置したところ、３．５分後には流動性がなくな
り、ゲル化していた。
５ｇに水１ｇを加えて均一に混合した。この混合溶液を
室温で放置したところ、３．５分後には流動性がなくな
り、ゲル化していた。
【００１９】
【実施例６】撹拌装置、温度計、還流冷却管、滴下ロー
トを取り付けた２００ｍｌ４つ口フラスコに、ビニルト
リメトキシシラン７４．１ｇと塩化白金酸３％イソプロ
パノール溶液０．０２ｇを投入して、これらを撹拌しな
がら１００℃に加熱した。次いでこれに、３−メタクリ
ロキシプロピルトリス（ジメチルシロキシ）シラン３
８．１ｇを、滴下ロートを用いて反応温度が１００〜１
１０℃を保つようにゆっくり滴下した。滴下終了後、反
応溶液を１２０℃で１時間加熱した。冷却後、反応溶液
を減圧濃縮して、微褐色透明な液体８２．５ｇを得た。
これを中間体Ｅとした。次に、撹拌装置、温度計、還流
冷却管、滴下ロートを取り付けた３００ｍｌ４つ口フラ
スコに、１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン４
０．３ｇ、濃塩酸３０ｍｌ、水６０ｍｌおよびイソプロ
パノール６０ｍｌを投入して、これらを撹拌した。次い
でこれに、上記で得た中間体Ｅ２７．６ｇを滴下ロート
を用いて１時間かけてゆっくり滴下した。滴下終了後、
反応溶液を室温で１時間撹拌した。次いでこの反応溶液
を分液ロートに移して下層を分取した後、残った上層液
を水３０ｍｌで２回、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液３
０ｍｌで１回洗浄して、無水硫酸ナトリウムで乾燥し
た。固形分を濾別して、得られた溶液を減圧濃縮したと
ころ、４１．６ｇの無色透明液体が得られた。これを中
間体Ｆとした。次に撹拌装置、温度計、還流冷却管、滴
下ロートを取り付けた１００ｍｌ４つ口フラスコに、ジ
メチルビニルクロロシラン７５．０ｇと塩化白金酸３％
イソプロパノール溶液０．０３ｇを投入して、これらを
撹拌しながら７０℃に加熱した。次いでこれに、上記で
得た中間体Ｆ３０．０ｇを、滴下ロートを用いて反応温
度が７０℃を保つようにゆっくり滴下した。滴下終了
後、反応溶液を８０℃で１時間加熱した。冷却後、反応
溶液を減圧濃縮して反応生成物６３．４５ｇを得た。こ
の反応生成物を分析したところ、下記平均構造式で示さ
れるカルボシロキサンデンドリマーであることが判明し
た。このカルボシロキサンデンドリマーは、ゲル透過ク
ロマトグラフィーによるポリスチレン換算数平均分子量
が２,２４９であり、分散度指数が１.１１であった。
トを取り付けた２００ｍｌ４つ口フラスコに、ビニルト
リメトキシシラン７４．１ｇと塩化白金酸３％イソプロ
パノール溶液０．０２ｇを投入して、これらを撹拌しな
がら１００℃に加熱した。次いでこれに、３−メタクリ
ロキシプロピルトリス（ジメチルシロキシ）シラン３
８．１ｇを、滴下ロートを用いて反応温度が１００〜１
１０℃を保つようにゆっくり滴下した。滴下終了後、反
応溶液を１２０℃で１時間加熱した。冷却後、反応溶液
を減圧濃縮して、微褐色透明な液体８２．５ｇを得た。
これを中間体Ｅとした。次に、撹拌装置、温度計、還流
冷却管、滴下ロートを取り付けた３００ｍｌ４つ口フラ
スコに、１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン４
０．３ｇ、濃塩酸３０ｍｌ、水６０ｍｌおよびイソプロ
パノール６０ｍｌを投入して、これらを撹拌した。次い
でこれに、上記で得た中間体Ｅ２７．６ｇを滴下ロート
を用いて１時間かけてゆっくり滴下した。滴下終了後、
反応溶液を室温で１時間撹拌した。次いでこの反応溶液
を分液ロートに移して下層を分取した後、残った上層液
を水３０ｍｌで２回、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液３
０ｍｌで１回洗浄して、無水硫酸ナトリウムで乾燥し
た。固形分を濾別して、得られた溶液を減圧濃縮したと
ころ、４１．６ｇの無色透明液体が得られた。これを中
間体Ｆとした。次に撹拌装置、温度計、還流冷却管、滴
下ロートを取り付けた１００ｍｌ４つ口フラスコに、ジ
メチルビニルクロロシラン７５．０ｇと塩化白金酸３％
イソプロパノール溶液０．０３ｇを投入して、これらを
撹拌しながら７０℃に加熱した。次いでこれに、上記で
得た中間体Ｆ３０．０ｇを、滴下ロートを用いて反応温
度が７０℃を保つようにゆっくり滴下した。滴下終了
後、反応溶液を８０℃で１時間加熱した。冷却後、反応
溶液を減圧濃縮して反応生成物６３．４５ｇを得た。こ
の反応生成物を分析したところ、下記平均構造式で示さ
れるカルボシロキサンデンドリマーであることが判明し
た。このカルボシロキサンデンドリマーは、ゲル透過ク
ロマトグラフィーによるポリスチレン換算数平均分子量
が２,２４９であり、分散度指数が１.１１であった。
【化３８】
【００２０】
【実施例７】撹拌装置，温度計，還流冷却管，滴下ロー
トを取り付けた３００ｍｌ４つ口フラスコに、水０．６
ｇ、トリエチルアミン７．６ｇ、テトラヒドロフラン５
０ｇおよびトルエン５０ｇを入れて攪拌した。次いでこ
れに、実施例６で得られたカルボシロキサンデンドリマ
ー５．０ｇとテトラヒドロフラン５．０ｇの混合液を４
０℃以下で滴下した。滴下終了後、濾過して生成した塩
を取り除いた。次いで、反応溶液を分液ロートに移して
水５０ｍｌで３回洗浄して、無水硫酸ナトリウムで乾燥
した。固形分を濾別して、得られた溶液を減圧濃縮した
ところ、４．３ｇの微黄色液体が得られた。この反応生
成物を分析したところ、下記平均構造式で示されるカル
ボシロキサンデンドリマーであることが判明した。この
カルボシロキサンデンドリマーは、ゲル透過クロマトグ
ラフィーによるポリスチレン換算数平均分子量が１,５
３８であり、分散度指数が１.１４であることが判明し
た。
トを取り付けた３００ｍｌ４つ口フラスコに、水０．６
ｇ、トリエチルアミン７．６ｇ、テトラヒドロフラン５
０ｇおよびトルエン５０ｇを入れて攪拌した。次いでこ
れに、実施例６で得られたカルボシロキサンデンドリマ
ー５．０ｇとテトラヒドロフラン５．０ｇの混合液を４
０℃以下で滴下した。滴下終了後、濾過して生成した塩
を取り除いた。次いで、反応溶液を分液ロートに移して
水５０ｍｌで３回洗浄して、無水硫酸ナトリウムで乾燥
した。固形分を濾別して、得られた溶液を減圧濃縮した
ところ、４．３ｇの微黄色液体が得られた。この反応生
成物を分析したところ、下記平均構造式で示されるカル
ボシロキサンデンドリマーであることが判明した。この
カルボシロキサンデンドリマーは、ゲル透過クロマトグ
ラフィーによるポリスチレン換算数平均分子量が１,５
３８であり、分散度指数が１.１４であることが判明し
た。
【化３９】
【００２１】
【発明の効果】本発明のカルボシロキサンデンドリマー
は、ケイ素原子結合アシロキシ基、ハロゲン原子または
水酸基を含有するので縮合反応性が高く、このため、強
固な架橋体の形成や界面接着性を効率よく発現できると
いう特徴を有する。
は、ケイ素原子結合アシロキシ基、ハロゲン原子または
水酸基を含有するので縮合反応性が高く、このため、強
固な架橋体の形成や界面接着性を効率よく発現できると
いう特徴を有する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉武 誠 千葉県市原市千種海岸２番２ 東レ・ダウ コーニング・シリコーン株式会社研究開発 本部内 Ｆターム(参考） 4H049 VN01 VP09 VP10 VQ02 VQ12 VQ16 VQ30 VQ31 VQ79 VR21 VR23 VR31 VR41 VR43 VR44 VU20 VW02 4J035 BA01 BA02 CA02U CA021 CA052 CA132 CA172 CA25M HA01
Claims (4)
- 【請求項１】 一般式：X1R1 aSiO(3-a)/2 ［式中、R1は炭素原子数１〜１０のアルキル基もしくは
アリール基であり、aは０〜２の整数であり、X1はi=1と
した場合の次式で示されるシリルアルキル基である。 【化１】 ｛式中、R1は前記と同じであり、R2は炭素原子数２〜１
０のアルキレン基であり、R3は炭素原子数１〜１０のア
ルキル基であり、Xi+1は上記シリルアルキル基または一
般式：−R4−SiR5 (3-c)Yc（式中、R4は炭素原子数２〜
１０のアルキレン基であり、R5は炭素原子数１〜１０の
アルキル基もしくはアリール基であり、Yは炭素原子数
１〜１０のアシロキシ基、ハロゲン原子または水酸基で
あり、cは１〜３の整数である。）で示される置換シリ
ルアルキル基である。iは上記シリルアルキル基の階層
を示している１〜１０の整数であり、biは０〜３の整数
である。｝］で示されるシロキサン単位
１〜１００モル％と、 一般式：R1 gSiO(4-g)/2 （式中、R1は前記と同じであり、ｇは０〜３の整数であ
る。）で示されるシロキサン単位
９９〜０モル％ とからなり、前記一般式：−R4−SiR5 (3-c)Ycで示され
る置換シリルアルキル基を１分子中に１個以上有し、数
平均分子量が１００万以下であることを特徴とするカル
ボシロキサンデンドリマー。 - 【請求項２】 一般式： 【化２】 ［式中、Zは置換炭化水素基であり、R1は炭素原子数１
〜１０のアルキル基もしくはアリール基であり、dは０
〜５０の整数であり、eは１〜３の整数であり、X1 はi=
１とした場合の次式で示されるシリルアルキル基であ
る。 【化３】 ｛式中、R1は前記と同じであり、R2は炭素原子数２〜１
０のアルキレン基であり、R3は炭素原子数１〜１０のア
ルキル基であり、Xi+1は上記シリルアルキル基または一
般式：−R4−SiR5 (3-c)Yc（式中、R4は炭素原子数２〜
１０のアルキレン基であり、R5は炭素原子数１〜１０の
アルキル基もしくはアリール基であり、Yは炭素原子数
１〜１０のアシロキシ基、ハロゲン原子または水酸基で
あり、cは１〜３の整数である。）で示される置換シリ
ルアルキル基である。iは上記シリルアルキル基の階層
を示している１〜１０の整数であり、biは０〜３の整数
である。｝］で示され、前記一般式：−R4−SiR5 (3-c)Y
cで示される置換シリルアルキル基を１分子中に１個以
上有することを特徴とするカルボシロキサンデンドリマ
ー。 - 【請求項３】 Ｚの置換炭化水素基が、アルコール性水
酸基，フェノール性水酸基，アミノ基，メルカプト基，
カルボキシル基，ニトリル基，ハロゲン原子，環状もし
くは非環状のエーテル，ケトン，カルボン酸エステルか
ら選択される基、原子もしくは構造の少なくとも１個が
炭素原子を介して結合している基である、請求項２に記
載のカルボシロキサンデンドリマー。 - 【請求項４】 ポリスチレン換算分子量の分散度指数が
２以下である請求項１〜３のいずれか１項に記載のカル
ボシロキサンデンドリマー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000023053A JP2001213885A (ja) | 2000-01-31 | 2000-01-31 | カルボシロキサンデンドリマー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000023053A JP2001213885A (ja) | 2000-01-31 | 2000-01-31 | カルボシロキサンデンドリマー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001213885A true JP2001213885A (ja) | 2001-08-07 |
Family
ID=18549271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000023053A Pending JP2001213885A (ja) | 2000-01-31 | 2000-01-31 | カルボシロキサンデンドリマー |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001213885A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009022621A1 (ja) | 2007-08-10 | 2009-02-19 | Shiseido Company Ltd. | 表面処理剤、表面処理粉体及び化粧料 |
| WO2009099007A1 (ja) | 2008-02-05 | 2009-08-13 | Shiseido Company Ltd. | 洗浄料 |
| JP2010513664A (ja) * | 2006-12-21 | 2010-04-30 | ダウ・コーニング・コーポレイション | デュアル硬化ポリマーおよびそれらの調製方法と使用 |
| WO2010147227A1 (en) | 2009-06-15 | 2010-12-23 | Dow Corning Toray Co., Ltd. | Method of producing a polyether-modified organopolysiloxane |
| WO2014046309A1 (en) | 2012-09-21 | 2014-03-27 | Dow Corning Toray Co., Ltd. | Curable silicone composition, and semiconductor sealing material and optical semiconductor device using the same |
| WO2014046310A1 (en) | 2012-09-21 | 2014-03-27 | Dow Corning Toray Co., Ltd. | Curable silicone composition, and semiconductor sealing material and optical semiconductor device using the same |
| WO2014046308A1 (en) | 2012-09-21 | 2014-03-27 | Dow Corning Toray Co., Ltd. | Highly refractive surface treatment agent, and fine member and optical material surface-treated using the same |
| CN110387043A (zh) * | 2019-07-12 | 2019-10-29 | 湖北大学 | 具有多端官能基团的树枝状有机硅化合物及其制备方法 |
-
2000
- 2000-01-31 JP JP2000023053A patent/JP2001213885A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR101516453B1 (ko) | 2007-08-10 | 2015-05-04 | 가부시키가이샤 시세이도 | 표면 처리제, 표면 처리 분체와 화장료 |
| WO2009099007A1 (ja) | 2008-02-05 | 2009-08-13 | Shiseido Company Ltd. | 洗浄料 |
| US8513174B2 (en) | 2008-02-05 | 2013-08-20 | Shiseido Company Ltd. | Cleanser |
| WO2010147227A1 (en) | 2009-06-15 | 2010-12-23 | Dow Corning Toray Co., Ltd. | Method of producing a polyether-modified organopolysiloxane |
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| WO2014046310A1 (en) | 2012-09-21 | 2014-03-27 | Dow Corning Toray Co., Ltd. | Curable silicone composition, and semiconductor sealing material and optical semiconductor device using the same |
| WO2014046308A1 (en) | 2012-09-21 | 2014-03-27 | Dow Corning Toray Co., Ltd. | Highly refractive surface treatment agent, and fine member and optical material surface-treated using the same |
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