JP2001212688A - レーザ溶接方法および装置 - Google Patents
レーザ溶接方法および装置Info
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Abstract
能なレーザ溶接方法および装置を得る。 【解決手段】レーザ溶接装置10を構成するヘッド部1
2は、レーザ収束部16が結合されたレーザ照射管14
を備えている。レーザ照射管14には、主シールドガス
Gaを噴射する主噴射部30が同軸状かつ回転自在に装
着されている。主噴射部30には、結合部48を介し
て、副シールドガスGbを噴射する副噴射部50が一体
的に取り付けられている。主噴射部30および副噴射部
50は、モータ32の駆動作用下に、レーザ照射管14
を中心に回転する。これら主噴射部30および副噴射部
50の回転に伴って、副噴射部50から副シールドガス
Gbが噴射する方向が、溶接部Bを倣うように変位され
る。
Description
よび装置に関し、一層詳細には、溶接部の酸化を確実に
防止することが可能なレーザ溶接方法および装置に関す
る。
す際には、ワークの溶接部の酸化防止を図るために、ワ
ークにおけるレーザ光の被照射部をシールドガスによっ
て覆わせるようにしていた。
光の被照射部を連続的に移動させながら溶接を行う場合
には、溶接部が高温状態であり、酸素に対する活性が高
い状態にあるうちに、溶接部がシールドガスで覆われた
領域の外に出てしまう場合がある。このため、溶接部の
酸化を確実に防止することができなくなるおそれがあ
る。
される。この酸化皮膜は、塗装作業によって溶接部上に
形成された塗膜の密着性を低下させる原因となる。従っ
て、酸化が生じた溶接部に対しては、塗装作業を行う前
に、酸化皮膜を除去する工程が必要となる。
は、溶接および塗装作業の工程数が増加し、これら作業
に要するコストが増大するという不都合があった。
なされたものであり、溶接部の酸化を確実に防止するこ
とが可能なレーザ溶接方法および装置を提供することを
目的とする。
方法は、レーザ光をワークの被照射部に照射させる工程
と、前記被照射部を連続的に変位させる工程と、前記レ
ーザ光の照射時に前記被照射部を主シールドガスで覆わ
せる工程と、前記被照射部の軌跡に沿って形成された溶
接部を、副シールドガスによって、前記主シールドガス
と連続的に覆わせる工程と、前記副シールドガスの噴射
方向を前記溶接部に倣わせる工程とを含んでいる(請求
項1記載の発明)。
ドガスによって溶接部を確実にシールドし、溶接部に酸
化が生じることを確実に防ぐことができる。
まで冷却された後に、前記主シールドガスおよび前記副
シールドガスで覆われた領域の外に出される(請求項2
記載の発明)。このため、溶接部に酸化が生じることを
一層確実に防ぐことができる。
振器から導入されたレーザ光を収束させてワークに照射
するレーザヘッドと、前記レーザヘッドを移動させるレ
ーザヘッド移動機構と、前記レーザヘッドとともに移動
しつつ、前記ワークにおける前記レーザ光の被照射部を
覆わせるように主シールドガスを噴射する主噴射部と、
前記レーザヘッドとともに移動しつつ、前記ワークにお
ける前記被照射部の軌跡に沿って形成された溶接部を前
記主シールドガスと連続的に覆わせるように副シールド
ガスを噴射する副噴射部と、前記副噴射部からの前記副
シールドガスの噴射方向を前記溶接部に倣わせるべく、
該副噴射部を前記レーザヘッドに対して変位させる副噴
射部変位機構とを有している(請求項3記載の発明)。
ドガスによって溶接部を確実にシールドし、溶接部に酸
化が生じることを確実に防ぐことができる。
対して回転自在であり、前記副噴射部変位機構は、前記
副噴射部を前記レーザヘッドに対して回転させる回転機
構である(請求項4記載の発明)。
て回転させるという簡単な動作によって、副噴射部から
副シールドガスが噴射する方向を溶接部に倣わせる作業
を確実に実行させることができる。
ドに回転自在に装着し、前記副噴射部を前記主噴射部に
一体的に取り付けるようにしてもよい(請求項5記載の
発明)。
冷却された後に、前記主シールドガスおよび前記副シー
ルドガスで覆われた領域の外に出される(請求項6記載
の発明)。このため、溶接部に酸化が生じることを一層
確実に防ぐことができる。
いて、それを実施する装置との関係において好適な実施
の形態を挙げ、添付の図面を参照しながら以下詳細に説
明する。
置10の概略的なブロック構成を示している。また、図
2は、レーザ溶接装置10を構成するヘッド部12を斜
視的に示している。
2は、レーザ照射管14を備えている。また、図1に示
すように、このレーザ照射管14の上端部には、図示し
ない集束光学系等を備えたレーザ収束部16が結合され
ている。この場合、レーザ発振器20からレーザ収束部
16に導入されたレーザ光Lは、レーザ収束部16にお
いて収束された後に、レーザ照射管14を通ってワーク
Wの所望の被照射部Aに照射される(図2参照)。すな
わち、レーザ照射管14およびレーザ収束部16によっ
て、レーザ光Lを収束させてワークWに照射するレーザ
ヘッドが構成されている。
であるが、鉄合金、アルミニウム合金等の金属製材料か
らなるワークWに本実施の形態を適用することも可能で
ある。また、図3に示すように、ワークWは、例えば、
自動車を構成するドア部22であってもよく、特に、ド
ア部22の前端部の中央部分(図3中、破線で囲まれた
領域内の部分)、すなわち、溶接部(レーザ光Lの照射
によって溶接が施された部分:ビード)Bが外部に露呈
する部分であってもよい。
管14には、ノズル状に形成された主噴射部30が同軸
状かつ回転自在に装着されている。主噴射部30の上面
部には、モータ32が設けられており、このモータ32
の駆動軸に装着されたギア34は、レーザ照射管14に
同軸状に固定されたギア36と連結されている。この場
合、図1に示すように、ドライバ38からの駆動電流に
よってモータ32が回転駆動されると、これに伴って、
主噴射部30がレーザ照射管14を中心に回転する。す
なわち、モータ32およびギア34、36は、主噴射部
30および後述する副噴射部50をレーザ照射管14に
対して回転させる回転機構を構成している。
0の上面部には、給気口40が設けられており、図1に
示すシールドガス源42からガス量制御装置44を介し
てこの給気口40に供給されたシールドガス(アルゴ
ン、ヘリウム、二酸化炭素、窒素等のガス)Gは、主噴
射部30の内部を通って、主噴射部30の下端部に形成
された主噴射口46から主シールドガスGaとして噴射
される。この場合、主噴射口46は、レーザ照射管14
の下端部を囲むように形成されており、この主噴射口4
6からの主シールドガスGaは、レーザ光Lの照射方向
と同じ方向に向けて噴射される。
射部30には、結合部48を介して副噴射部50が一体
的に取り付けられている。図1に示すように、副噴射部
50は、結合部48を介して主噴射部30と連通してい
る。また、副噴射部50の下端部には副噴射口52が形
成されている。そして、主噴射部30から結合部48を
介して供給されたシールドガスGは、この副噴射口52
から副シールドガスGbとして噴射される。
2からの副シールドガスGbの噴射方向は、主噴射部3
0の主噴射口46からの主シールドガスGaの噴射方向
と略平行となるように設定されている。また、副噴射口
52から噴射される副シールドガスGbの広がり角度
は、主噴射口46から噴射される主シールドガスGaの
広がり角度よりも広角となるように設定されている。す
なわち、副噴射口52からの副シールドガスGbは、主
噴射口46からの主シールドガスGaよりも広い領域を
覆うこととなる。
ガスGaおよび副噴射部50からの副シールドガスGb
は、連続したシールド領域をワークW上に形成する。な
お、主噴射部30からの主シールドガスGaの噴射量お
よび副噴射部50からの副シールドガスGbの噴射量
は、ガス量制御装置44において制御されている。
6が設けられている。このCCDカメラ56の視野は、
図2に示す溶接部B上に向けられている。そして、図1
に示すように、CCDカメラ56によって得られた溶接
部Bの画像情報は、画像認識部58に送られる。
60を構成するアーム62が連結されている。そして、
ヘッド部12は、レーザヘッド移動機構60によって、
所望の経路に沿って移動される。
ーラ70を備えている。このシステムコントローラ70
は、レーザ発振器20、ドライバ38、ガス量制御装置
44およびレーザヘッド移動機構60とそれぞれ電気的
に接続されており、これらレーザ発振器20、ドライバ
38、ガス量制御装置44およびレーザヘッド移動機構
60は、システムコントローラ70からの制御信号によ
って制御されている。
認識部58と電気的に接続されており、システムコント
ローラ70には、この画像認識部58を介して、CCD
カメラ56からの画像情報が供給される。
クス72を備えており、このティーチングボックス72
を介して作業者によって入力された動作手順は、システ
ムコントローラ70に供給される。システムコントロー
ラ70は、この動作手順に従ってレーザ発振器20、ド
ライバ38、ガス量制御装置44、レーザヘッド移動機
構60等を制御することによって、ヘッド部12を介し
て所定の溶接動作を実行させる。
装置10による、主に、溶接作業時の動作について説明
する。
的に示している。この図4中、1点鎖線は、ワークWに
溶接を施すべき所望の経路Cを示している。この経路C
は、図1に示すティーチングボックス72を介して、作
業者によって教示される。
70からの制御信号に従って、レーザ発振器20からヘ
ッド部12のレーザ収束部16にレーザ光Lが導入され
ると、このレーザ光Lは、レーザ収束部16において収
束された後に、図2に示すワークWの被照射部Aに照射
される。なお、レーザ発振器20からのレーザ光Lの出
力は、システムコントローラ70からの制御信号によっ
て制御されている。
の被照射部Aを図4の経路Cに沿って変位させるよう
に、レーザヘッド移動機構60がシステムコントローラ
70からの制御信号に従って駆動される。このとき、図
2に示すように、被照射部Aの軌跡に沿って、溶接部B
が連続的に形成される。
場合には、ヘッド部12の移動に伴って、副噴射部50
から副シールドガスGbを噴射させる方向を溶接部Bに
向けて変更する必要がある。
bまで移動した場合、すなわち、ヘッド部12が右方向
にカーブしながら移動した場合には、図1に示すシステ
ムコントローラ70からの制御信号に従ってモータ32
を回転させて、副噴射部50を右方向に変位させるよう
にする。
で移動した場合、すなわち、ヘッド部12が左方向にカ
ーブしながら移動した場合には、副噴射部50を左方向
に変位させるようにする。
は、ティーチングボックス72を介して予め設定してお
くようにしてもよく、または、ティーチングされた経路
Cから自動的に算出するようにしてもよい。さらには、
CCDカメラ56で得られた画像に基づく画像処理によ
って、副噴射部50が溶接部Bを追尾するようにしても
よい。
ドガスGbの噴射方向を溶接部Bに倣わせる(追従させ
る)ことによって、図2に示すように、被照射部Aおよ
び該被照射部Aから所定の距離dの範囲内に含まれる溶
接部Bは、主シールドガスGaおよび副シールドガスG
bで覆われることになる。
4m/min程度の高速で移動させた場合に、溶接部B
の温度Tが約300℃(好ましくは、298℃)まで低
下した後に、溶接部Bが主シールドガスGaおよび副シ
ールドガスGbによるシールド領域の外に出るような距
離(例えば、d=0.1m)に設定される。なお、温度
T(298℃)は、ワークWを構成する金属(この場
合、鉄)の酸素に対する活性が十分に低下する温度であ
る。従って、温度Tは、ワークWを構成する金属の種類
に応じて変化することとなる。
ドガスGbは、溶接部Bの冷却にも寄与している。
画像はCCDカメラ56で撮像され、得られた画像情報
は画像認識部58を介してシステムコントローラ70に
送られる。そして、この画像情報に基づく溶接部Bの画
像が、図示しないモニタ等に表示される。このため、作
業者は、この画像から溶接部Bの溶接品質を確認するこ
とができる。
ーザ光Lの被照射部Aに向けて主シールドガスGaを噴
射する主噴射部30に加えて、被照射部Aから所定の距
離dの範囲内に含まれる溶接部Bを覆わせるべく、溶接
部Bに向けて副シールドガスGbを噴射する副噴射部5
0を設けるようにしている。
Tまで低下した後に、主シールドガスGaおよび副シー
ルドガスGbによるシールド領域の外に出ることとな
る。従って、溶接部Bに酸化皮膜(FeO、Fe2O3、
Fe3O4等)が形成されることを確実に防止することが
できる。この場合、塗装作業によって溶接部B上に形成
された塗膜の密着性が低下することがなく、その結果、
溶接部Bにおける優れた外観品質および耐食性を得るこ
とができる。
と一体的に移動し、溶接部Bが曲線状となっている場合
には、溶接部Bの位置の変化に追従すべく、レーザ照射
管14に対して変位駆動される。このため、被照射部A
から所定の距離dの範囲内に含まれる溶接部Bを確実に
シールドし、溶接部Bに酸化が生じることを確実に防止
することができる。
14に対して回転自在な主噴射部30に一体的に装着さ
れている。このため、主噴射部30および副噴射部50
をレーザ照射管14に対して回転させるという簡単な動
作によって、副噴射部50から副シールドガスGbが噴
射する方向を溶接部Bに倣わせる作業を確実に実行させ
ることができる。
によれば、主噴射部からの主シールドガスおよび副噴射
部からの副シールドガスによって、ワークの溶接部をシ
ールドさせるようにしている。この場合、副噴射部は、
溶接部に倣わせるように変位駆動される。このため、溶
接部を確実にシールドし、溶接部に酸化が生じることを
確実に防止することができる。
略的な構成を示すブロック図である。
す斜視図である。
ある。
る。
ローラ 72…ティーチングボックス
Claims (6)
- 【請求項1】レーザ光をワークの被照射部に照射させる
工程と、 前記被照射部を連続的に変位させる工程と、 前記レーザ光の照射時に前記被照射部を主シールドガス
で覆わせる工程と、 前記被照射部の軌跡に沿って形成された溶接部を、副シ
ールドガスによって、前記主シールドガスと連続的に覆
わせる工程と、 前記副シールドガスの噴射方向を前記溶接部に倣わせる
工程と、 を含むことを特徴とするレーザ溶接方法。 - 【請求項2】請求項1記載のレーザ溶接方法において、 前記溶接部は、約300℃以下まで冷却された後に、前
記主シールドガスおよび前記副シールドガスで覆われた
領域の外に出されることを特徴とするレーザ溶接方法。 - 【請求項3】レーザ発振器から導入されたレーザ光を収
束させてワークに照射するレーザヘッドと、 前記レーザヘッドを移動させるレーザヘッド移動機構
と、 前記レーザヘッドとともに移動しつつ、前記ワークにお
ける前記レーザ光の被照射部を覆わせるように主シール
ドガスを噴射する主噴射部と、 前記レーザヘッドとともに移動しつつ、前記ワークにお
ける前記被照射部の軌跡に沿って形成された溶接部を前
記主シールドガスと連続的に覆わせるように副シールド
ガスを噴射する副噴射部と、 前記副噴射部からの前記副シールドガスの噴射方向を前
記溶接部に倣わせるべく、該副噴射部を前記レーザヘッ
ドに対して変位させる副噴射部変位機構と、 を有することを特徴とするレーザ溶接装置。 - 【請求項4】請求項3記載のレーザ溶接装置において、 前記副噴射部は前記レーザヘッドに対して回転自在であ
り、 前記副噴射部変位機構は、前記副噴射部を前記レーザヘ
ッドに対して回転させる回転機構であることを特徴とす
るレーザ溶接装置。 - 【請求項5】請求項4記載のレーザ溶接装置において、 前記主噴射部は前記レーザヘッドに回転自在に装着され
ており、 前記副噴射部は前記主噴射部に一体的に取り付けられて
いることを特徴とするレーザ溶接装置。 - 【請求項6】請求項3〜5のいずれか1項に記載のレー
ザ溶接装置において、 前記溶接部は、約300℃以下まで冷却された後に、前
記主シールドガスおよび前記副シールドガスで覆われた
領域の外に出されることを特徴とするレーザ溶接装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000021509A JP4583535B2 (ja) | 2000-01-31 | 2000-01-31 | レーザ溶接方法および装置 |
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- 2000-01-31 JP JP2000021509A patent/JP4583535B2/ja not_active Expired - Fee Related
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