JP2001210622A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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Abstract
換を容易に行うことができ、且つ下部電極部を効果的に
冷却することができるプラズマ処理装置を提供するこ
と。 【解決手段】 真空チャンバ内に上部電極部と下部電極
部3を備える。下部電極部3はワークを真空吸着する吸
着孔17が形成されており、吸着孔17は下部3aの吸
引路61に連通する。また下部電極部3には冷媒路6
3,64,65が形成されている。吸引路61のジョイ
ント部62と冷媒路64,65のジョイント部66,6
7を受けユニット12の孔部71,72,73に抜き差
し自在に装着する。吸着孔17は第1の真空吸引ポンプ
21に真空吸引され、冷媒路63には冷却装置から冷媒
が流される。
Description
チングやクリーニングなどを行うためのプラズマ処理装
置に関するものである。
表面のクリーニングなどのためにプラズマ処理を施すこ
とが知られている。プラズマ処理装置の真空チャンバに
は上部電極部と下部電極部が備えられており、下部電極
部上にウェハやプリント基板などのワークを載置し、上
部電極部と下部電極部の間に高周波電圧を印加すること
によりプラズマを発生させ、イオン等をワークの表面に
衝突させるなどして作用させてプラズマ処理を行うもの
である。
置において、プラズマ処理の対象物であるウェハやプリ
ント基板などのワークのサイズは大小様々である。した
がってワークの品種変更によりワークのサイズが変わる
場合には、最適のプラズマ処理を行うためにワークを載
置する下部電極部のサイズもワークのサイズに合わせた
ものに変更することが望ましい。またこの場合、プラズ
マ処理中には下部電極部は高温に加熱されることから、
下部電極部を効果的に冷却することが望ましい。
サイズのワークの処理しか想定していなかったため、ワ
ークのサイズが変更されるときには、プラズマ処理装置
そのものをそのワークに適したものと入れ換えるように
なっていたものであり、このため設備コストがかかり、
またワーク変更にともなう段取り替えに多大な手間と時
間を要するものであった。
て、下部電極部の変換を容易に行うことができ、且つ下
部電極部を効果的に冷却することができるプラズマ処理
装置を提供することを目的とする。
真空チャンバと、この真空チャンバに設けられた上部電
極部および下部電極部とを備え、減圧手段により前記真
空チャンバ内を減圧するとともに前記真空チャンバ内に
プラズマ発生用ガスを送り、且つ前記上部電極部と前記
下部電極部の間に高周波電圧を印加してワークのプラズ
マ処理を行うプラズマ処理装置であって、前記下部電極
部に、その上に載置されるワークを真空吸着するための
吸着孔およびその内部に冷媒を流す冷媒路が形成され、
且つ前記下部電極部の下部に前記吸着孔のジョイント部
と前記冷媒路のジョイント部を設け、また前記下部電極
部が着脱自在に装着される受けユニットを設け、この受
けユニットに、前記吸着孔の前記ジョイント部が連結さ
れる第1の被ジョイント部および前記冷媒路のジョイン
ト部が連結される第2の被ジョイント部を設け、更に、
前記第1の被ジョイント部が接続されて前記吸着孔内を
真空吸引する第1の真空吸引手段と、前記第2の被ジョ
イント部が接続されて前記冷媒路に冷媒を送る冷却装置
を備え、前記下部電極部を前記受けユニットに交換自在
に装着するようにした。
前記受けユニットは、機械的結合手段により着脱自在に
結合される。
ズに応じて、前記高周波電圧の大きさを制御する制御部
を備えた。
空圧を測定する第1の圧力測定器と、前記真空チャンバ
内の真空圧を測定する第2の圧力測定器と、前記吸着孔
内の真空圧が前記真空チャンバ内の真空圧よりも小さく
なるように前記減圧手段と前記真空吸引手段を制御する
制御部を備えた。
変更に応じて下部電極部を交換することにより、それぞ
れのワークについて最適のプラズマ処理を行うことがで
きる。また冷媒路に冷媒を流すことにより、下部電極部
を効果的に冷却することができる。
を参照して説明する。図1は本発明の一実施の形態にお
けるプラズマ処理装置の全体構成図、図2は本発明の一
実施の形態におけるプラズマ処理装置のジョイント部の
分離状態の断面図、図3は本発明の一実施の形態におけ
るプラズマ処理装置のジョイント部の接合状態の断面
図、図4は本発明の一実施の形態における真空圧の変化
図である。
全体構成を説明する。真空チャンバ1の内部には、上部
電極部2と下部電極部3が上下に間隔Tをおいて互いに
対向して配設されている。上部電極部2はアース部4に
接地されており、また真空チャンバ1も接地されてい
る。真空チャンバ1は、上体1aと下体1bに上下に2
分割可能な構造になっており、下部電極部2の交換時や
真空チャンバ1内のメンテナンス時に、ボルト等の結合
具19による結合を解除して上下に分離できるようにな
っている。
上下動自在に貫通する垂直なシャフト5の下端部に連結
されている。シャフト5の上端部は、アーム6を介して
シリンダ7のロッド8に連結されている。したがってシ
リンダ7のロッド8が突没すると、シャフト5と上部電
極部2は上下動し、上部電極部2と下部電極部3の間隔
Tの大きさが変更される。すなわち、シリンダ7は上部
電極部2の下部電極部3に対する相対的な高さを調整す
ることにより、上記間隔Tの大きさを変更する間隔変更
手段となっている。勿論、上部電極部2を上下動させる
手段としては、シリンダ7以外にも、送りねじ機構など
も適用できる。また本実施の形態では、下部電極部3に
対して上部電極部2を上下動させることにより、間隔T
を変更しているが、上部電極部2に対して下部電極部3
を上下動させるようにしてもよい。なお真空チャンバに
上部電極部を兼務させてもよいものであるが、この場合
には下部電極部を上下動させて間隔Tを変更する。
0にバルブ11を介して接続されている。シャフト5は
中空のパイプであり、バルブ11を開くと、ガス供給部
10からシャフト5の孔路5aを通して上部電極部2に
プラズマ発生用のガスが供給され、このガスは上部電極
部2の下面に複数個形成されたガス吹出孔9から下部電
極部3へ向って吹出される。
ット12に支持されている。受けユニット12は真空チ
ャンバ1の下壁に装着されている。受けユニット12は
絶縁体から成っている。13は冷却装置であり、パイプ
14,15を通して下部電極部3の内部に形成された冷
媒路(後述)に冷水などの冷媒を循環させ、プラズマ処
理時に加熱される下部電極部3およびこれに載せられた
ワーク20を冷却する。16は上部電極部2と下部電極
部3の間に高周波高圧を印加する高周波電源であり、下
部電極部3に接続されている。
る。下部電極部3の上面には吸着孔17(図2)が複数
個形成されており、吸引路23を介して第1の真空ポン
プ21に接続されている。真空吸引手段としての第1の
真空ポンプ21にて吸着孔17内を吸引することによ
り、ワーク20を下部電極部3上に真空吸着して固定す
る。22は第1の真空ポンプ21と下部電極部3の間の
吸引路23に設けられたバルブであり、吸引路23を開
閉する。
続された大気圧開放ユニットであり、バルブ25を開く
と吸着孔17内の真空状態は破壊されて大気圧に戻り、
吸着孔17によるワーク20の真空吸着状態は解除され
る。26は真空チャンバ1内を真空吸引して減圧する減
圧手段としての第2の真空ポンプ、27は真空チャンバ
1内を大気圧に戻すための大気圧開放ユニットであり、
それぞれバルブ28,29を介して真空チャンバ1の吸
引路30に接続されている。18は、吸引路30が接続
される真空チャンバ1の孔部である。31は下部電極部
3の吸着孔17内の真空圧を測定する第1の圧力測定
器、32は真空チャンバ1内の真空圧を測定する第2の
圧力測定器であり、それぞれ吸引路23,30に設けら
れている。33は制御部であり、圧力測定器31,32
の測定信号が入力され、また破線で接続された高周波電
源16、真空ポンプ21,26などの各要素を制御す
る。
ワーク20を出し入れするための出し入れ口40が開口
されている。出し入れ口40にはカバー板41が装着さ
れている。カバー板41にはシリンダ42のロッド43
が結合されており、ロッド43が突没するとカバー板4
1は上下動し、出し入れ口40を開閉する。すなわち、
カバー板41とシリンダ42は出し入れ口40の開閉手
段となっている。
空チャンバ1に出し入れするワーク出し入れ手段50が
設けられている。ワーク出し入れ手段50は、可動ユニ
ット51を備えている。可動ユニット51は、Xテーブ
ル52、Yテーブル53、Zテーブル54から成ってい
る。Zテーブル54には、ロッド55が立設されてお
り、ロッド55の上端部に連結された水平なアーム56
の先端部には保持ヘッド57が装着されている。保持ヘ
ッド57は、その下面に形成された吸着孔にワーク20
を真空吸着するなどしてワーク20を着脱自在に保持す
る。Xテーブル52とYテーブル53が駆動すると、保
持ヘッド57はX方向やY方向へ水平移動し、またZテ
ーブル54が駆動する上下動する。シリンダ42や出し
入れ装置50などの各要素も制御部33に制御される。
極部3と受けユニット12の構造を説明する。下部電極
部3の上面には吸着孔17が複数形成されている。吸着
孔17は、下部電極部3の内部に形成された孔部60に
連通している。また下部電極部3の下部3aの中央には
孔部60に連通する吸引路61が形成されており、吸引
路61は下部電極部3の下面中央から下方へ突出するパ
イプから成るジョイント部62に連通している。
されている。冷媒路63は供給側の冷媒路64と環流側
の冷媒路65に連通している。冷媒路64,65は下部
3aの吸引路61の側方に形成されており、それぞれ下
部電極部3の下面から下方へ突出するパイプから成るジ
ョイント部66,67に連通している。下部電極部3の
下部3aの外周には、管状のナット部68が設けられて
いる。
下部3aが上方から抜き差し自在に装着される管部12
aになっており、その外周面にはナット部68が螺着さ
れるねじ部70になっている。ナット部68とねじ部7
0は、下部電極部3と受けユニット12を機械的に着脱
自在に結合する結合手段となっており、真空圧で下部電
極部3ががたつかないように、これをしっかり固着す
る。また図1に示すように、ねじ部70に螺着されるナ
ット部68は真空チャンバ1内にあり、真空チャンバ1
を上下に2分割した状態で、ねじ部70に着脱すること
ができる。受けユニット12の内部には、3つの孔部7
1,72,73が形成されている。下部電極部3のジョ
イント部62,66,67はこれらの孔部71,72,
73に上方から抜き差し自在に装着される。すなわち、
孔部71は第1の被ジョイント部になっており、孔部7
2,73は第2の被ジョイント部になっている。
3に接続されており、したがって吸着孔17は第1の真
空ポンプ21により真空吸引される。また孔部72,7
3はパイプ14,15に接続されており、したがって冷
却装置13が駆動することにより、水などの冷媒はパイ
プ14から冷媒路63を流れ、またパイプ15から冷却
装置13に環流される。
より成り、次に図4を参照しながらプラズマ処理方法を
説明する。ワーク20が下部電極部3上に載置されたな
らば、第1の真空ポンプ21で吸着孔17内の真空吸引
を開始し(図4のタイミング)、設定圧1(例えば1
00Pa程度)まで圧力が低下したならば、第2の真空
ポンプ26で真空チャンバ1内の真空吸引を開始し(タ
イミング)、設定圧2(例えば500Pa程度)にな
るまで真空吸引する(タイミング)。このように設定
圧1は設定圧2よりもやや低くしてあり、第1の真空ポ
ンプ21による吸着孔17内の真空圧P1が、第2の真
空ポンプP2による真空チャンバ1内の真空圧P2より
も小さくなるように(すなわち、第1の真空ポンプ21
による吸着力が第2の真空ポンプ26による吸引力より
も大きくなるように)、これらの真空ポンプ21、26
を制御部33で制御する。このようにすれば、安価な真
空ポンプを用いてワーク20の下部電極部3上への固定
を確実に行うことができる。なお、第1の真空ポンプ2
1による吸着力が第2の真空ポンプ26による吸引力よ
りも小さければ、下部電極部3上のワーク20は浮き上
るなどしてがたつき、安定したプラズマ処理を行うこと
はできない。
1内の真空圧P2は、圧力測定器31,32によりモニ
ターされており、制御部33は圧力測定器31,32の
圧力測定結果をみながら真空ポンプ21,26を制御す
る。また設定圧1、設定値2の設定やプログラムの実行
に必要な演算・判断なども制御部33で行われる。最終
的には、吸着孔17内の真空圧を10Pa以下まで低く
する。
を上部電極部2のガス吹出孔9から下部電極部3へ吹き
出し(タイミング)、下部電極部3に高周波電圧を印
加する。すると上部電極部2と下部電極部3の間にプラ
ズマが発生し、イオン等はワーク20の上面に衝突する
などして作用してプラズマ処理が行われる。この場合、
間隔Tを小さく設定することにより、上部電極部2と下
部電極部3の間のプラズマ密度を上げることができ、こ
れによりエッチングレート(エッチング力)を大きくし
て、短時間で速かに所定のプラズマ処理を完了できる。
なおタイミングからタイミングへ移行する間に、真
空圧P2が上昇するのは、プラズマ発生用ガスの供給を
開始したためである。〜はガスを供給しながら、プ
ラズマ処理が行われる間であり、この間、真空チャンバ
1の真空圧P2は処理圧力範囲を維持する。
発生用ガスの供給を停止し(タイミング)、真空圧P
2が設定圧1となって真空チャンバ1内のプラズマ発生
用ガスの排気が確認されたならば、バルブ28を開いて
真空チャンバ1内の真空状態を破壊して大気圧に戻し
(タイミング)、続いてバルブ22を開いて吸着孔1
7内の真空状態を破壊して大気圧に戻す(タイミング
)。このように、まず真空チャンバ1内の真空状態を
破壊し、次いで吸着孔17内の真空状態を破壊するよう
にすれば、下部電極部3上のワーク20ががたつくこと
はない。なおタイミングからタイミングへ移行する
間に、真空圧P2が低下するのは、プラズマ発生用ガス
の供給を停止したことによる。
ワークは静電チャック手段により下部電極部上に固定し
ていたものであるが、静電チャック手段はきわめて高価
であり、コストアップの一因になっていた。そこで本実
施の形態のプラズマ処理装置は、上述のように装置の運
転を行うことにより、安価な真空ポンプ21、26を用
いてワーク20の固定を行えるようにしている。
は大小様々である。そこでワークの品種変更によりその
サイズが変わるときは、下部電極部3をワークのサイズ
に適したものと交換する。この交換は下部電極部3を受
けユニット12に着脱することにより簡単に行うことが
できる。勿論、ワークのサイズが大きくなれば下部電極
部のサイズは大きくなり、またワークのサイズが小さく
なれば下部電極部のサイズも小さくなる。
ば、これに印加する高周波電圧の電力も大きくする。下
部電極部3に供給する電力の大きさは制御部33が高周
波電源16を制御することにより調整する。以上のよう
にワークのサイズに応じて下部電極部を交換し、また下
部電極部に供給する電力を調整することにより、最適の
プラズマ処理を行うことができる。
械研削面のストレス層(薄形化等のための機械研削によ
ってクラックが発生した層)の除去等のためには、ウェ
ハの全面を深く(例えば5μm)エッチングして除去す
る必要がある。ところが従来のプラズマ処理装置は、プ
ラズマ密度が低く、エッチングレートが小さいため、こ
のような深いエッチングを行うには長大な時間を要する
ことから、このような用途には使用困難・不使不能であ
ったものである。しかしながら本プラズマ処理装置によ
れば、上部電極部と下部電極部の間隔を例えば5mm〜
15mmまで小さくしてプラズマ密度を上げてエッチン
グレートを大きくすることができるので、このような用
途にも使用できる。またこのようにプラズマ密度を上げ
ると下部電極部の発熱も大きくなるが、発熱が大きくな
っても、上記冷却手段により効果的に冷却することがで
きる。
導体処理時には、真空チャンバの真空圧は1Pa程度の
きわめて真空度の高い低圧に設定されていたものであ
り、このため容量の大きいきわめて大型の真空ポンプを
必要としていたものであるが、本発明によれば、真空チ
ャンバの真空圧を従来よりかなり高めの1000Pa〜
3000Paに設定することにより、従来よりも比較的
小容量・小型の真空ポンプを用いて、プラズマ密度をよ
り一層高くして高速エッチングを実現することができ
る。
ークのサイズに応じて下部電極部を交換することにより
最適のプラズマ処理を行うことができ、また下部電極部
を効果的に冷却することができる。
置の全体構成図
置のジョイント部の分離状態の断面図
置のジョイント部の接合状態の断面図
Claims (4)
- 【請求項1】真空チャンバと、この真空チャンバに設け
られた上部電極部および下部電極部とを備え、減圧手段
により前記真空チャンバ内を減圧するとともに前記真空
チャンバ内にプラズマ発生用ガスを送り、且つ前記上部
電極部と前記下部電極部の間に高周波電圧を印加してワ
ークのプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、 前記下部電極部に、その上に載置されるワークを真空吸
着するための吸着孔およびその内部に冷媒を流す冷媒路
が形成され、且つ前記下部電極部の下部に前記吸着孔の
ジョイント部と前記冷媒路のジョイント部を設け、 また前記下部電極部が着脱自在に装着される受けユニッ
トを設け、この受けユニットに、前記吸着孔の前記ジョ
イント部が連結される第1の被ジョイント部および前記
冷媒路のジョイント部が連結される第2の被ジョイント
部を設け、更に、前記第1の被ジョイント部が接続され
て前記吸着孔内を真空吸引する真空吸引手段と、前記第
2の被ジョイント部が接続されて前記冷媒路に冷媒を送
る冷却装置を備え、前記下部電極部を前記受けユニット
に交換自在に装着するようにしたことを特徴とするプラ
ズマ処理装置。 - 【請求項2】前記下部電極部と前記受けユニットは、機
械的結合手段により着脱自在に結合されることを特徴と
する請求項1記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項3】前記下部電極部のサイズに応じて、前記高
周波電圧の大きさを制御する制御部を備えたことを特徴
とする請求項1または2記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項4】前記吸着孔内の真空圧を測定する第1の圧
力測定器と、前記真空チャンバ内の真空圧を測定する第
2の圧力測定器と、前記吸着孔内の真空圧が前記真空チ
ャンバ内の真空圧よりも小さくなるように前記減圧手段
と前記真空吸引手段を制御する制御部を備えたことを特
徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のプラズマ処理
装置。
Priority Applications (1)
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JP2000016762A JP3514201B2 (ja) | 2000-01-26 | 2000-01-26 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2001210622A true JP2001210622A (ja) | 2001-08-03 |
JP3514201B2 JP3514201B2 (ja) | 2004-03-31 |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007193997A (ja) * | 2006-01-17 | 2007-08-02 | Tateyama Machine Kk | プラズマ処理装置 |
US7708860B2 (en) | 2003-07-23 | 2010-05-04 | Panasonic Corporation | Plasma processing apparatus |
KR100984912B1 (ko) * | 2005-09-20 | 2010-10-01 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판 배면 압력 측정을 이용한 기판 정위치 결정 방법 및장치 |
KR20220068157A (ko) * | 2020-11-18 | 2022-05-25 | 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드. 차이나 | 플라즈마 처리 장치 및 그 조절 방법 |
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