JP2001210265A - 集束イオンビーム装置 - Google Patents
集束イオンビーム装置Info
- Publication number
- JP2001210265A JP2001210265A JP2000018544A JP2000018544A JP2001210265A JP 2001210265 A JP2001210265 A JP 2001210265A JP 2000018544 A JP2000018544 A JP 2000018544A JP 2000018544 A JP2000018544 A JP 2000018544A JP 2001210265 A JP2001210265 A JP 2001210265A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion beam
- processed
- focused ion
- protective film
- workpiece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Welding Or Cutting Using Electron Beams (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 加工処理作業を容易にする。
【解決手段】 イオン源２、イオン源２から発生したイ
オンビームを被加工材料３上に細く集束するための集束
レンズ４、及び、イオンビームにより被加工材料３上を
二次元的に走査するための偏向器５等を備える。又、薄
膜シート２２を枠２３に取り付け、直線移動可能な駆動
軸２４にこの枠を取り付け、被加工材料表面上若しくは
被加工材料表面上方に配置したり、被加工材料表面上若
しくは被加工材料表面上方から移動させたり出来るよう
に成す。
オンビームを被加工材料３上に細く集束するための集束
レンズ４、及び、イオンビームにより被加工材料３上を
二次元的に走査するための偏向器５等を備える。又、薄
膜シート２２を枠２３に取り付け、直線移動可能な駆動
軸２４にこの枠を取り付け、被加工材料表面上若しくは
被加工材料表面上方に配置したり、被加工材料表面上若
しくは被加工材料表面上方から移動させたり出来るよう
に成す。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、集束イオンビームによ
り被加工材料に穴や溝等の加工を行うための集束イオン
ビーム装置に関する。
り被加工材料に穴や溝等の加工を行うための集束イオン
ビーム装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】イオンは電子に比べて質量が著しく大き
く、その為、物質中での散乱が少ない等の特徴を有する
ことから、被加工材料への穴や溝開け等の加工にイオン
ビームが使用されている。
く、その為、物質中での散乱が少ない等の特徴を有する
ことから、被加工材料への穴や溝開け等の加工にイオン
ビームが使用されている。
【０００３】図１は集束イオンビーム装置の概略を示し
たものである。図中１は集束イオンビーム光学鏡筒で、
内部に、例えば、ガリウムイオンを発生するイオン源
２、該イオン源からのイオンビームを被加工材料３上で
集束させるための集束レンズ４、該イオンビームの被加
工材料上での照射位置をコントロールするための偏向器
５等が設けられている。図中６は前記集束イオンビーム
光学鏡筒１を載置している加工室で、内部に、被加工材
料３、被加工材料を載置するためのステージ７等が設け
られている。
たものである。図中１は集束イオンビーム光学鏡筒で、
内部に、例えば、ガリウムイオンを発生するイオン源
２、該イオン源からのイオンビームを被加工材料３上で
集束させるための集束レンズ４、該イオンビームの被加
工材料上での照射位置をコントロールするための偏向器
５等が設けられている。図中６は前記集束イオンビーム
光学鏡筒１を載置している加工室で、内部に、被加工材
料３、被加工材料を載置するためのステージ７等が設け
られている。
【０００４】図中８は偏向器５へ偏向信号を供給するた
めの偏向器制御回路、９はステージの駆動機構で、これ
らはコンピュータの如き中央制御装置１０の指令に基づ
いて作動する。
めの偏向器制御回路、９はステージの駆動機構で、これ
らはコンピュータの如き中央制御装置１０の指令に基づ
いて作動する。
【０００５】この様な集束イオンビーム装置において、
例えば、被加工材料上の所望の領域に穴を開ける場合に
ついて説明する。尚、加工領域（穴開け領域）に関する
位置や穴の深さに関するデータは予め中央制御装置１０
の内蔵メモリ（図示せず）に記憶されているとする。
例えば、被加工材料上の所望の領域に穴を開ける場合に
ついて説明する。尚、加工領域（穴開け領域）に関する
位置や穴の深さに関するデータは予め中央制御装置１０
の内蔵メモリ（図示せず）に記憶されているとする。
【０００６】先ず、被加工材料３をステージ７上の所定
位置にセットした状態で、中央制御装置１０に指令に基
づいてステージ駆動機構９を制御し、被加工材料３の中
心がイオンビーム光軸下に来るようにステージ７を移動
させる。次に、制御装置１０に指令に基づいて偏向制御
回路８を制御し、被加工材料３上の穴開け領域を走査す
るための走査信号が偏向器５に供給される。この結果、
イオン源２から発生され、集束レンズ４により細く絞ら
れたガリウムイオンは被加工材料３上の穴開け領域を、
所定の深さの穴が開けられる時間走査するので、被加工
材料３上の所望の領域に所望の深さの穴が開けられるこ
とになる。尚、被加工材料の穴開け加工においては前記
のようにイオンビームの走査速度、即ち、イオンビーム
照射時間をコントロールするようにしても良いし、該イ
オンビーム照射時間及び／若しくはイオン電流及び／若
しくはイオンの加速エネルギーでコントロールするよう
にしても良い。
位置にセットした状態で、中央制御装置１０に指令に基
づいてステージ駆動機構９を制御し、被加工材料３の中
心がイオンビーム光軸下に来るようにステージ７を移動
させる。次に、制御装置１０に指令に基づいて偏向制御
回路８を制御し、被加工材料３上の穴開け領域を走査す
るための走査信号が偏向器５に供給される。この結果、
イオン源２から発生され、集束レンズ４により細く絞ら
れたガリウムイオンは被加工材料３上の穴開け領域を、
所定の深さの穴が開けられる時間走査するので、被加工
材料３上の所望の領域に所望の深さの穴が開けられるこ
とになる。尚、被加工材料の穴開け加工においては前記
のようにイオンビームの走査速度、即ち、イオンビーム
照射時間をコントロールするようにしても良いし、該イ
オンビーム照射時間及び／若しくはイオン電流及び／若
しくはイオンの加速エネルギーでコントロールするよう
にしても良い。
【０００７】さて、集束イオンビームは、細く絞られて
いるが、図２の（ａ）の強度分布に示す様に、ガウシャ
ン分布を成していることは良く知られている。その為
に、図２の（ｂ）に示す様に、被加工材料３に開けられ
た穴１６の周囲（加工を望んでいない部分）がガウシャ
ン分布の裾部に相当するイオンビームの照射により少し
削られることにより円みを帯び、所定の穴形状が得られ
ない。又、該穴の周囲（加工を望んでいない部分）にも
イオンが注入され、損傷（例えば、被加工材料の結晶が
破壊されてしまう等）等を発生する。
いるが、図２の（ａ）の強度分布に示す様に、ガウシャ
ン分布を成していることは良く知られている。その為
に、図２の（ｂ）に示す様に、被加工材料３に開けられ
た穴１６の周囲（加工を望んでいない部分）がガウシャ
ン分布の裾部に相当するイオンビームの照射により少し
削られることにより円みを帯び、所定の穴形状が得られ
ない。又、該穴の周囲（加工を望んでいない部分）にも
イオンが注入され、損傷（例えば、被加工材料の結晶が
破壊されてしまう等）等を発生する。
【０００８】そこで、被加工材料３を集束イオンビーム
装置の加工室６内にセットする前に、蒸着装置やスパツ
タ装置等により、被加工材料表面上に、イオンの侵入長
より厚い膜１７（保護膜と称す）を形成し（図３の
（ａ））、保護膜１７の上から集束イオンビームを照射
して被加工材料３に穴１６を開ける。この際、前記ガウ
シャン分布の裾部に相当するイオンビームが保護膜１７
の部分にだけ照射されるので、保護膜１７の部分だけ丸
みを帯びる（図３の（ｂ））。最後に被加工材料を集束
イオンビーム装置の加工室外に出し、全体をエッチング
液（例えば、ＨＣｌ水溶液）中に浸漬して保護膜１７を
エッチングする（図３の（ｃ））。
装置の加工室６内にセットする前に、蒸着装置やスパツ
タ装置等により、被加工材料表面上に、イオンの侵入長
より厚い膜１７（保護膜と称す）を形成し（図３の
（ａ））、保護膜１７の上から集束イオンビームを照射
して被加工材料３に穴１６を開ける。この際、前記ガウ
シャン分布の裾部に相当するイオンビームが保護膜１７
の部分にだけ照射されるので、保護膜１７の部分だけ丸
みを帯びる（図３の（ｂ））。最後に被加工材料を集束
イオンビーム装置の加工室外に出し、全体をエッチング
液（例えば、ＨＣｌ水溶液）中に浸漬して保護膜１７を
エッチングする（図３の（ｃ））。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】さて、この様に、保護
膜１７をエッチングする為に被加工全体をエッチング液
に浸漬すると、保護膜１７以外の被加工材料がエッチン
グ液の化学的影響を受けてしまう。この際、被加工材料
の材質によっては被加工材料が損傷を受けてしまう。
膜１７をエッチングする為に被加工全体をエッチング液
に浸漬すると、保護膜１７以外の被加工材料がエッチン
グ液の化学的影響を受けてしまう。この際、被加工材料
の材質によっては被加工材料が損傷を受けてしまう。
【００１０】又、この様な保護膜のエッチング作業その
ものが極めて厄介な作業であり、時間も掛かる。
ものが極めて厄介な作業であり、時間も掛かる。
【００１１】本発明は、この様な問題点を解決する為に
なされたもので、新規な集束イオンビーム装置を提供す
ることを目的とするものである。
なされたもので、新規な集束イオンビーム装置を提供す
ることを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の集束イオンビー
ム装置は、イオン源、イオン源から発生したイオンビー
ムを被加工材料上に細く集束するための集束手段、及
び、イオンビームにより被加工材料上を二次元的に走査
するための走査手段を備えており、シート状の膜を、被
加工材料表面上若しくは被加工材料表面上方に配置した
り、被加工材料表面上若しくは被加工材料表面上方から
移動させたり出来るように成したこと特徴とする。
ム装置は、イオン源、イオン源から発生したイオンビー
ムを被加工材料上に細く集束するための集束手段、及
び、イオンビームにより被加工材料上を二次元的に走査
するための走査手段を備えており、シート状の膜を、被
加工材料表面上若しくは被加工材料表面上方に配置した
り、被加工材料表面上若しくは被加工材料表面上方から
移動させたり出来るように成したこと特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
施の形態を詳細に説明する。
【００１４】図４は本発明の集束イオンビーム装置の１
概略例を示したもので、図中前記図１と同一記号の付さ
れたものは同一構成要素を示す。
概略例を示したもので、図中前記図１と同一記号の付さ
れたものは同一構成要素を示す。
【００１５】図４に示す構成が図１に示す構成と異なる
ところは、保護膜を被加工材料上に被せたり外したりす
る機構にある。
ところは、保護膜を被加工材料上に被せたり外したりす
る機構にある。
【００１６】図中２１は、図５に示す様に、被加工材料
上の加工領域より著しく広い大きさを有し、イオンの侵
入長に相応する厚さを有する薄膜のシート２２を枠２３
に取り付けた保護膜体で、該保護膜体の枠２３にはウォ
ーム軸の如き駆動軸２４が取り付けられている。この駆
動軸２４は、加工室との間のシール性を良くして加工室
６に取り付けられた軸受け（図示せず）に支持され、且
つ、加工室外に設けられた保護膜体駆動機構２５に繋が
っており、該駆動機構により直線的に移動する。この保
護膜体駆動機構は制御装置１０の指令に基づいて作動す
る。
上の加工領域より著しく広い大きさを有し、イオンの侵
入長に相応する厚さを有する薄膜のシート２２を枠２３
に取り付けた保護膜体で、該保護膜体の枠２３にはウォ
ーム軸の如き駆動軸２４が取り付けられている。この駆
動軸２４は、加工室との間のシール性を良くして加工室
６に取り付けられた軸受け（図示せず）に支持され、且
つ、加工室外に設けられた保護膜体駆動機構２５に繋が
っており、該駆動機構により直線的に移動する。この保
護膜体駆動機構は制御装置１０の指令に基づいて作動す
る。
【００１７】しかして、被加工材料３をステージ７上の
所定位置にセットした状態で、制御装置１０に指令に基
づいてステージ駆動機構９を制御し、被加工材料３の中
心がイオンビーム光軸下に来るようにステージ７を移動
させる。
所定位置にセットした状態で、制御装置１０に指令に基
づいてステージ駆動機構９を制御し、被加工材料３の中
心がイオンビーム光軸下に来るようにステージ７を移動
させる。
【００１８】次に、制御装置１０に指令に基づいて保護
膜体駆動機構２５を制御し、薄膜シート２２を被加工材
料３の被加工材料表面上の所定の位置に配置させる（図
６の（ａ））。この際、薄膜シート２２を、被加工材料
表面との間に殆ど隙間無く配置するようにしても良い
し、僅かな隙間が出来るように配置させるようにしても
良し、或いは薄膜シート２２が被加工材料表面上に密着
するようにしても良い。
膜体駆動機構２５を制御し、薄膜シート２２を被加工材
料３の被加工材料表面上の所定の位置に配置させる（図
６の（ａ））。この際、薄膜シート２２を、被加工材料
表面との間に殆ど隙間無く配置するようにしても良い
し、僅かな隙間が出来るように配置させるようにしても
良し、或いは薄膜シート２２が被加工材料表面上に密着
するようにしても良い。
【００１９】次に、制御装置１０に指令に基づいて偏向
制御回路８を制御し、被加工材料３上の穴開け領域を走
査するための走査信号が偏向器５に供給される。この結
果、イオン源２から発生され、集束レンズ４により細く
絞られたガリウムイオンは、薄膜シート２２を介して被
加工材料３上の穴開け領域を走査する。この際、被加工
材料３上の穴開け領域に、所定の深さの穴が開けられる
時間イオンビーム走査を行うので、図６の（ａ）に示す
様に、被加工材料３上の所望の領域に所望の穴２６が開
けられることになる。又、この際、薄膜シート２２の周
辺部２７のみガウシャン分布の裾部に相当するイオンビ
ームの照射による加工（丸み）が行われる。
制御回路８を制御し、被加工材料３上の穴開け領域を走
査するための走査信号が偏向器５に供給される。この結
果、イオン源２から発生され、集束レンズ４により細く
絞られたガリウムイオンは、薄膜シート２２を介して被
加工材料３上の穴開け領域を走査する。この際、被加工
材料３上の穴開け領域に、所定の深さの穴が開けられる
時間イオンビーム走査を行うので、図６の（ａ）に示す
様に、被加工材料３上の所望の領域に所望の穴２６が開
けられることになる。又、この際、薄膜シート２２の周
辺部２７のみガウシャン分布の裾部に相当するイオンビ
ームの照射による加工（丸み）が行われる。
【００２０】この後、制御装置１０に指令に基づいて保
護膜体駆動機構２５を制御し、薄膜シート２２が被加工
材料３表面上から完全に離れるように駆動軸２４を移動
させる。
護膜体駆動機構２５を制御し、薄膜シート２２が被加工
材料３表面上から完全に離れるように駆動軸２４を移動
させる。
【００２１】この様に本発明では、予め被加工材料上に
保護膜を形成し、保護膜の上からイオンビームを照射し
て穴を開け、その後、保護膜をエッチング等により被加
工材料から剥がすのではなく、枠等の支持手段にシート
状の薄膜を取り付けた保護膜体を被加工材料表面に対し
て移動可能と成し、イオンビームによる加工時に薄膜シ
ートが被加工材料表面上に位置し、加工後に該被加工表
面上から外れるように移動させるようにしたので、保護
膜を被加工材料から剥がす為のエッチングの如き厄介で
時間の掛かる作業が不要となるばかりか、被加工材料が
エッチング等による損傷等を受けることがなくなる。
保護膜を形成し、保護膜の上からイオンビームを照射し
て穴を開け、その後、保護膜をエッチング等により被加
工材料から剥がすのではなく、枠等の支持手段にシート
状の薄膜を取り付けた保護膜体を被加工材料表面に対し
て移動可能と成し、イオンビームによる加工時に薄膜シ
ートが被加工材料表面上に位置し、加工後に該被加工表
面上から外れるように移動させるようにしたので、保護
膜を被加工材料から剥がす為のエッチングの如き厄介で
時間の掛かる作業が不要となるばかりか、被加工材料が
エッチング等による損傷等を受けることがなくなる。
【００２２】尚、前記例では加工領域に関するデータを
予め制御装置９の内蔵メモリ（図示せず）に記憶させ、
該データを読み出して穴開け等の加工を行うようにした
が、加工前に、加工されない程度の走査時間で被加工材
料表面をイオンビームで走査し、該走査により発生した
二次電子を検出器（図示せず）で検出し、該検出信号を
画像データとしてフレームメモリ（図示せず）に記憶さ
せ、該データを読み出してＣＲＴ（図示せず）に表示さ
せ、この表示された被加工材料像から加工領域を決め、
キーボード等の入力装置により該加工領域を中央制御装
置１０に入力し、該制御装置の指令に基づいて偏向制御
回路８を制御して、加工領域がイオンビームで走査され
るようにして穴開け加工を行うようにしても良い。
予め制御装置９の内蔵メモリ（図示せず）に記憶させ、
該データを読み出して穴開け等の加工を行うようにした
が、加工前に、加工されない程度の走査時間で被加工材
料表面をイオンビームで走査し、該走査により発生した
二次電子を検出器（図示せず）で検出し、該検出信号を
画像データとしてフレームメモリ（図示せず）に記憶さ
せ、該データを読み出してＣＲＴ（図示せず）に表示さ
せ、この表示された被加工材料像から加工領域を決め、
キーボード等の入力装置により該加工領域を中央制御装
置１０に入力し、該制御装置の指令に基づいて偏向制御
回路８を制御して、加工領域がイオンビームで走査され
るようにして穴開け加工を行うようにしても良い。
【００２３】又、前記例では保護膜体は、薄膜シートを
枠に取り付けた構造のものにしたが、この様な構造に限
定されず、シート状の薄膜を支持手段に取り付けた構造
なら外のものでも良い。
枠に取り付けた構造のものにしたが、この様な構造に限
定されず、シート状の薄膜を支持手段に取り付けた構造
なら外のものでも良い。
【００２４】又、前記例では保護膜体２１に駆動軸２４
を取り付け、該駆動軸を保護膜体駆動機構２５により直
線移動させるようにして、薄膜シート２２が被加工材料
表面の上若しくは上方に位置させたり、該位置から外す
ように成したが、被加工材料表面に平行な水平面上で回
転可能な駆動軸に薄膜シートの枠を取り付け、駆動軸の
回転により、薄膜シート２２を被加工材料表面の上若し
くは上方に位置させたり、該位置から外すように成して
も良い。
を取り付け、該駆動軸を保護膜体駆動機構２５により直
線移動させるようにして、薄膜シート２２が被加工材料
表面の上若しくは上方に位置させたり、該位置から外す
ように成したが、被加工材料表面に平行な水平面上で回
転可能な駆動軸に薄膜シートの枠を取り付け、駆動軸の
回転により、薄膜シート２２を被加工材料表面の上若し
くは上方に位置させたり、該位置から外すように成して
も良い。
【００２５】又、前記例では保護膜体２１に駆動軸２４
を取り付け、該駆動軸を保護膜体駆動機構２５により直
線移動させるように成したが、駆動軸２４や駆動機構２
５など設けず、保護膜体２１を被加工材料表面上に被せ
られるような構造にし、加工前にピンセット等で保護膜
体２１を摘んで被加工材料表面上にセットし、加工後に
ピンセットなどで摘んで被加工材料表面から外すように
成しても良い。
を取り付け、該駆動軸を保護膜体駆動機構２５により直
線移動させるように成したが、駆動軸２４や駆動機構２
５など設けず、保護膜体２１を被加工材料表面上に被せ
られるような構造にし、加工前にピンセット等で保護膜
体２１を摘んで被加工材料表面上にセットし、加工後に
ピンセットなどで摘んで被加工材料表面から外すように
成しても良い。
【００２６】又、薄膜自身はイオン照射によりチャージ
する場合も考えられるので、薄膜は導電性物質若しくは
導電性処理されたものが望ましい。
する場合も考えられるので、薄膜は導電性物質若しくは
導電性処理されたものが望ましい。
【００２７】又、薄膜が余り厚いと被加工材料への加工
に支障をきたすので、数１０００Åが望ましい。
に支障をきたすので、数１０００Åが望ましい。
【図１】 従来の集束イオンビーム装置の１概略例を示
している。
している。
【図２】 集束イオンビームの特性を示す図である。
【図３】 従来の集束イオンビーム装置による加工の様
子を示す。
子を示す。
【図４】 本発明の集束イオンビーム装置の１概略例を
示している。
示している。
【図５】 図４に示された保護膜体の１概略例を示して
いる。
いる。
【図６】 本発明の集束イオンビーム装置による加工の
様子を示している。
様子を示している。
１…集束イオンビーム光学鏡筒 ２…イオン源 ３…被加工材料 ４…集束レンズ ５…偏向器 ６…加工室 ７…ステージ ８…偏向制御回路 ９…ステージ駆動機構 １０…中央制御装置 １６…穴 １７…保護膜 ２１…保護膜体 ２２…薄膜シート ２３…枠 ２４…駆動軸 ２５…保護膜体駆動機構 ２６…穴 ２７…薄膜シートの周辺部
Claims (4)
- 【請求項１】 イオン源、イオン源から発生したイオン
ビームを被加工材料上に細く集束するための集束手段、
及び、イオンビームにより被加工材料上を二次元的に走
査するための走査手段を備えており、シート状の膜を、
被加工材料表面上若しくは被加工材料表面上方に配置し
たり、被加工材料表面上若しくは被加工材料表面上方か
ら移動させたり出来るように成した集束イオンビーム装
置。 - 【請求項２】 シート状の膜が支持体で支持されている
請求項１記載の集束イオンビーム装置。 - 【請求項３】 支持体は枠から成る請求項２記載の集束
イオンビーム装置。 - 【請求項４】 支持体を被加工材料方向及び被加工材料
方向とは異なった方向に移動させるための移動手段が設
けられている請求項１，２，３記載の集束イオンビーム
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000018544A JP2001210265A (ja) | 2000-01-27 | 2000-01-27 | 集束イオンビーム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000018544A JP2001210265A (ja) | 2000-01-27 | 2000-01-27 | 集束イオンビーム装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001210265A true JP2001210265A (ja) | 2001-08-03 |
Family
ID=18545376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000018544A Withdrawn JP2001210265A (ja) | 2000-01-27 | 2000-01-27 | 集束イオンビーム装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001210265A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006088202A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 機能デバイス、プローブおよびそれを用いた走査プローブ顕微鏡、ならびに、機能デバイスおよびプローブの作製方法 |
| JP2010276617A (ja) * | 2010-08-31 | 2010-12-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | プローブの作製方法およびプローブ、ならびに走査プローブ顕微鏡 |
| WO2014156154A1 (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-02 | 日東電工株式会社 | 多孔性高分子フィルムの製造方法 |
| WO2014156155A1 (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-02 | 日東電工株式会社 | 多孔性高分子フィルムの製造方法および多孔性高分子フィルム |
-
2000
- 2000-01-27 JP JP2000018544A patent/JP2001210265A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006088202A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 機能デバイス、プローブおよびそれを用いた走査プローブ顕微鏡、ならびに、機能デバイスおよびプローブの作製方法 |
| JP4627168B2 (ja) * | 2004-09-24 | 2011-02-09 | 日本電信電話株式会社 | 機能デバイスの作製方法および機能デバイス |
| JP2010276617A (ja) * | 2010-08-31 | 2010-12-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | プローブの作製方法およびプローブ、ならびに走査プローブ顕微鏡 |
| WO2014156154A1 (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-02 | 日東電工株式会社 | 多孔性高分子フィルムの製造方法 |
| WO2014156155A1 (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-02 | 日東電工株式会社 | 多孔性高分子フィルムの製造方法および多孔性高分子フィルム |
| CN105073855A (zh) * | 2013-03-27 | 2015-11-18 | 日东电工株式会社 | 多孔聚合物膜的制造方法 |
| CN105189626A (zh) * | 2013-03-27 | 2015-12-23 | 日东电工株式会社 | 多孔聚合物膜的制造方法及多孔聚合物膜 |
| US9708453B2 (en) | 2013-03-27 | 2017-07-18 | Nitto Denko Corporation | Method for producing porous polymer film and porous polymer film |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5173142B2 (ja) | 試料作製のための反復的周状切削 | |
| US8642958B2 (en) | Composite charged particle beam apparatus and sample processing and observing method | |
| US8071960B2 (en) | Method and apparatus for producing samples for transmission electron microscopy | |
| JP4932117B2 (ja) | 基板の断面の画像化装置 | |
| JP5222507B2 (ja) | イオンビーム加工装置及び試料加工方法 | |
| JP3457875B2 (ja) | Ｆｉｂ−ｓｅｍ装置における試料断面観察方法およびｆｉｂ−ｓｅｍ装置 | |
| JP4283432B2 (ja) | 試料作製装置 | |
| JP2005310757A (ja) | 微細３次元構造物作製装置及び方法 | |
| JP2006313704A (ja) | 集束イオンビーム装置 | |
| JP2001210265A (ja) | 集束イオンビーム装置 | |
| JP7160868B2 (ja) | イオンミリング装置および試料作製方法 | |
| JPH0512851B2 (ja) | ||
| JP2672808B2 (ja) | イオンビーム加工装置 | |
| JPH06134583A (ja) | イオンビーム加工装置 | |
| JP4834705B2 (ja) | 試料作製装置 | |
| JP4354657B2 (ja) | 集束イオンビーム装置 | |
| JP3074375B2 (ja) | 集束イオンビーム加工装置および集束イオンビーム加工方法 | |
| US6146797A (en) | Focused ion beam lithography method with sample inspection through oblique angle tilt | |
| JPH0515981A (ja) | 断面加工方法 | |
| JPH1068683A (ja) | 透過電子顕微鏡用薄膜試料の作製方法 | |
| JPH0582081A (ja) | 収束イオンビーム質量分析方法及び収束イオンビーム質量分析複合装置 | |
| JP3820427B2 (ja) | 集束イオンビーム装置 | |
| JP4834704B2 (ja) | 試料作製方法 | |
| JP2887407B2 (ja) | 集束イオンビームによる試料観察方法 | |
| JPH11354058A (ja) | イオンビーム照射装置およびそれを用いた試料の処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070403 |