JP2001207141A - 接着性シリコーンゴムシート - Google Patents
接着性シリコーンゴムシートInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、半導体チップとフィルム基板間
の接着性が良好で、接着性能を発揮するポットライフが
長く、冷凍保存の必要もなく、保存安定性に優れた、接
着性シリコーンゴムシート及びそれを用いた半導体装置
を提供する。 【解決手段】 本発明は、少なくとも片面に、エポキ
シ基及びケイ素結合水素原子を有する有機ケイ素化合物
から成る接着成分が塗布されたシリコーンゴムシートか
ら成る接着性シリコーンゴムシートであり、即ち、予め
加硫成形されたシリコーンゴムシートにこの接着成分を
塗布して、シート内部に拡散させることにより、加硫成
形時の加熱による接着成分中の反応性官能基の反応や不
活性化を防止し、半導体チップとフィルム基板との間の
接着性を改良する。
の接着性が良好で、接着性能を発揮するポットライフが
長く、冷凍保存の必要もなく、保存安定性に優れた、接
着性シリコーンゴムシート及びそれを用いた半導体装置
を提供する。 【解決手段】 本発明は、少なくとも片面に、エポキ
シ基及びケイ素結合水素原子を有する有機ケイ素化合物
から成る接着成分が塗布されたシリコーンゴムシートか
ら成る接着性シリコーンゴムシートであり、即ち、予め
加硫成形されたシリコーンゴムシートにこの接着成分を
塗布して、シート内部に拡散させることにより、加硫成
形時の加熱による接着成分中の反応性官能基の反応や不
活性化を防止し、半導体チップとフィルム基板との間の
接着性を改良する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、接着性シリコー
ンゴムシートに関し、特に半導体チップとフィルム基板
との間を接着し、応力緩和に使用される接着性シリコー
ンゴムシート及びそれを用いた半導体装置に関する。
ンゴムシートに関し、特に半導体チップとフィルム基板
との間を接着し、応力緩和に使用される接着性シリコー
ンゴムシート及びそれを用いた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体チップの接着には、半導体
チップと取付けタブ間の応力緩和効果を持つシリコーン
ゴム系接着剤が使用されていた。これらは、付加硬化タ
イプであり、接着成分としては、分子中にケイ素原子に
結合したアルコキシ基と、ケイ素原子に結合したアルケ
ニル基又はケイ素結合水素原子を、それぞれ1以上含有
する有機ケイ素化合物が用いられてきた（特開昭61−55
30号、特許第2882823号）。
チップと取付けタブ間の応力緩和効果を持つシリコーン
ゴム系接着剤が使用されていた。これらは、付加硬化タ
イプであり、接着成分としては、分子中にケイ素原子に
結合したアルコキシ基と、ケイ素原子に結合したアルケ
ニル基又はケイ素結合水素原子を、それぞれ1以上含有
する有機ケイ素化合物が用いられてきた（特開昭61−55
30号、特許第2882823号）。
【０００３】半導体パッケージが小型化し、多ピン化対
応としてボールグリッドアレイ（BGA）等のグリッドア
レイ構造が実用化されていくのに伴い、半導体チップに
掛かる応力を緩和する方法が各種提案されている。即
ち、従来タブに接着された半導体チップは金属製リード
フレーム共々樹脂封止されてパッケージ中に収められて
おり、実装基板との間の歪みは、金属製接続端子部分で
吸収され、チップ、パッケージに応力がかからないよう
になっていた。これに対し、最近のBGAパッケージにお
いては、半導体チップは配線層を有するフィルム基板を
介して、実装基板と全面的に密着するため、実装基板の
歪みや熱による応力が半導体チップに伝わりやすく、半
導体チップ接着部分にかかる応力が増大して配線の接続
に問題が生じやすい。この応力を緩和する対策が各種提
案されているが、その一つとして接着部分に、内部で応
力を緩和するに必要な一定厚以上の、ゴム弾性を有する
材料を使用する方法が考案され（米国特許第5,148,265
号、同第5,148,266号）、これらは実用化されている。
応としてボールグリッドアレイ（BGA）等のグリッドア
レイ構造が実用化されていくのに伴い、半導体チップに
掛かる応力を緩和する方法が各種提案されている。即
ち、従来タブに接着された半導体チップは金属製リード
フレーム共々樹脂封止されてパッケージ中に収められて
おり、実装基板との間の歪みは、金属製接続端子部分で
吸収され、チップ、パッケージに応力がかからないよう
になっていた。これに対し、最近のBGAパッケージにお
いては、半導体チップは配線層を有するフィルム基板を
介して、実装基板と全面的に密着するため、実装基板の
歪みや熱による応力が半導体チップに伝わりやすく、半
導体チップ接着部分にかかる応力が増大して配線の接続
に問題が生じやすい。この応力を緩和する対策が各種提
案されているが、その一つとして接着部分に、内部で応
力を緩和するに必要な一定厚以上の、ゴム弾性を有する
材料を使用する方法が考案され（米国特許第5,148,265
号、同第5,148,266号）、これらは実用化されている。
【０００４】また特開平11−12546号には、接着成分を
内添して加硫させたシリコーンゴムシート両面を樹脂製
キャリアフィルムで挟んだ３層構造のシートで供給され
るゴム弾性を有する材料が開示されている。このシート
は、半導体チップの大きさに合わせて切断して、片側の
フィルムを剥離した後、ポリイミド等のフィルム基板に
ゴムシートの剥離面を押付け、加圧し、加熱（0．4〜
0．8MPa／1〜5秒／190〜250℃）し、フィルム基板に接
着する。ついで反対側のフィルムを剥離した後、半導体
チップにゴムシートの剥離面を押付け、加圧し、加熱
（0．4〜0．8MPa／1〜5秒／190〜250℃）し、半導体チ
ップに接着する。そして、ダイボンディング後、最終加
熱（150℃／30分）を行ない接着を完結させる。接着成
分としては、ビニル基、エポキシ基、ケイ素結合水素原
子等の反応性官能基及びアルコキシ基の両方を持つケイ
素化合物を用いることが開示されている。この方法にお
いては、接着成分を内添した後にシリコーンゴムの加硫
の際に熱が加えられるために、接着成分にも熱が加えら
れて反応性官能基が反応してしまい接着性能が失活した
りポットライフが短くなる可能性があり、シリコーンゴ
ムの加硫条件が制限される。
内添して加硫させたシリコーンゴムシート両面を樹脂製
キャリアフィルムで挟んだ３層構造のシートで供給され
るゴム弾性を有する材料が開示されている。このシート
は、半導体チップの大きさに合わせて切断して、片側の
フィルムを剥離した後、ポリイミド等のフィルム基板に
ゴムシートの剥離面を押付け、加圧し、加熱（0．4〜
0．8MPa／1〜5秒／190〜250℃）し、フィルム基板に接
着する。ついで反対側のフィルムを剥離した後、半導体
チップにゴムシートの剥離面を押付け、加圧し、加熱
（0．4〜0．8MPa／1〜5秒／190〜250℃）し、半導体チ
ップに接着する。そして、ダイボンディング後、最終加
熱（150℃／30分）を行ない接着を完結させる。接着成
分としては、ビニル基、エポキシ基、ケイ素結合水素原
子等の反応性官能基及びアルコキシ基の両方を持つケイ
素化合物を用いることが開示されている。この方法にお
いては、接着成分を内添した後にシリコーンゴムの加硫
の際に熱が加えられるために、接着成分にも熱が加えら
れて反応性官能基が反応してしまい接着性能が失活した
りポットライフが短くなる可能性があり、シリコーンゴ
ムの加硫条件が制限される。
【０００５】また、上記ゴム弾性を有する材料として、
接着性を有する熱硬化性樹脂と低弾性樹脂成分からなる
シートを使用する方法（特開平11−97578号）や、ミラ
ブル型シリコーンゴムに接着成分及び架橋剤を配合した
未加硫ゴムシートを使用する方法（特開平11−92718
号）も提案されているが、このような未加硫ゴムシート
を使用して半導体チップとフィルム基板を接着する場合
には、寸法精度が低くなったり、接着面の平滑性が悪く
接着性にばらつきがでるといった問題がある。
接着性を有する熱硬化性樹脂と低弾性樹脂成分からなる
シートを使用する方法（特開平11−97578号）や、ミラ
ブル型シリコーンゴムに接着成分及び架橋剤を配合した
未加硫ゴムシートを使用する方法（特開平11−92718
号）も提案されているが、このような未加硫ゴムシート
を使用して半導体チップとフィルム基板を接着する場合
には、寸法精度が低くなったり、接着面の平滑性が悪く
接着性にばらつきがでるといった問題がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明は、半導
体チップとフィルム基板間の接着性が良好で、接着性能
を発揮するポットライフが長く、冷凍保存の必要もな
く、保存安定性に優れた、接着性シリコーンゴムシート
及びそれを用いた半導体装置を提供することを目的とす
る。
体チップとフィルム基板間の接着性が良好で、接着性能
を発揮するポットライフが長く、冷凍保存の必要もな
く、保存安定性に優れた、接着性シリコーンゴムシート
及びそれを用いた半導体装置を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成するために、少なくとも片面に、エポキシ基及び
ケイ素結合水素原子を有する有機ケイ素化合物から成る
接着成分が塗布されたシリコーンゴムシートから成る接
着性シリコーンゴムシートを提供する。即ち、接着成分
としてエポキシ基及びケイ素結合水素原子を有する有機
ケイ素化合物を使用し、予め加硫成形されたシリコーン
ゴムシートにこの接着成分を塗布して、シート内部に拡
散させることにより、加硫成形時の加熱による接着成分
中の反応性官能基の反応や不活性化を防止し、半導体チ
ップとフィルム基板との間の接着性を改良することを可
能にした。
を達成するために、少なくとも片面に、エポキシ基及び
ケイ素結合水素原子を有する有機ケイ素化合物から成る
接着成分が塗布されたシリコーンゴムシートから成る接
着性シリコーンゴムシートを提供する。即ち、接着成分
としてエポキシ基及びケイ素結合水素原子を有する有機
ケイ素化合物を使用し、予め加硫成形されたシリコーン
ゴムシートにこの接着成分を塗布して、シート内部に拡
散させることにより、加硫成形時の加熱による接着成分
中の反応性官能基の反応や不活性化を防止し、半導体チ
ップとフィルム基板との間の接着性を改良することを可
能にした。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の接着性シリコーンゴムシ
ートは、主ポリマーとしてオルガノポリシロキサンを含
むシリコーンゴム組成物を硬化させてシリコーンゴムシ
ートを作成し、これに接着成分を塗布することにより、
作成される。本発明に用いるシリコーンゴムシートとし
ては、通常のミラブル型又は液状の未加硫シリコーンゴ
ムをシート状に加硫成形したものが用いられる。この加
硫方法には付加加硫、有機過酸化物による加硫及び縮合
加硫等があり、接着性及び加硫に際して分解残渣や縮合
による低分子化合物が生成しないという観点から付加加
硫が好ましい。この付加加硫の場合には、主ポリマーた
るオルガノポリシロキサンとして、ケイ素原子に直結し
たアルケニル基を２個以上有し、ケイ素原子に直結した
水素原子を２個以上有するオルガノハイドロジェンポリ
シロキサンを使用し、触媒として白金又は白金系化合物
を使用して、これらの付加反応によって加硫硬化させる
ことができる。
ートは、主ポリマーとしてオルガノポリシロキサンを含
むシリコーンゴム組成物を硬化させてシリコーンゴムシ
ートを作成し、これに接着成分を塗布することにより、
作成される。本発明に用いるシリコーンゴムシートとし
ては、通常のミラブル型又は液状の未加硫シリコーンゴ
ムをシート状に加硫成形したものが用いられる。この加
硫方法には付加加硫、有機過酸化物による加硫及び縮合
加硫等があり、接着性及び加硫に際して分解残渣や縮合
による低分子化合物が生成しないという観点から付加加
硫が好ましい。この付加加硫の場合には、主ポリマーた
るオルガノポリシロキサンとして、ケイ素原子に直結し
たアルケニル基を２個以上有し、ケイ素原子に直結した
水素原子を２個以上有するオルガノハイドロジェンポリ
シロキサンを使用し、触媒として白金又は白金系化合物
を使用して、これらの付加反応によって加硫硬化させる
ことができる。
【０００９】ベースポリマーであるオルガノポリシロキ
サンは、下記平均組成式（1） ＲｍＳｉＯ（４−ｍ）／２ ‥‥（1） で表される。式中、Ｒは、同一であっても異なっていて
もよく、水酸基又は一価有機基であり、ｍは１．９８〜
２．０２である。Ｒが一価有機基の場合には、Ｒは、例
えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等の
アルキル基、ビニル基、アリル基、ブタニエル基等のア
ルケニル基、フェニル基、トリル基等のアリール基、こ
れらの基の炭素原子に結合した水素原子の一部若しくは
全部をハロゲン原子、シアノ基等で置換したクロロメチ
ル基、クロロプロピル基、3，3，3−トリフルオロプロ
ピル基、2−シアノエチル基、又は架橋点となるような
有機基であるメトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ
基、アセトキシ基等である。付加加硫により硬化させる
場合には、一分子中にアルケニル基を2個以上有する必
要がある。
サンは、下記平均組成式（1） ＲｍＳｉＯ（４−ｍ）／２ ‥‥（1） で表される。式中、Ｒは、同一であっても異なっていて
もよく、水酸基又は一価有機基であり、ｍは１．９８〜
２．０２である。Ｒが一価有機基の場合には、Ｒは、例
えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等の
アルキル基、ビニル基、アリル基、ブタニエル基等のア
ルケニル基、フェニル基、トリル基等のアリール基、こ
れらの基の炭素原子に結合した水素原子の一部若しくは
全部をハロゲン原子、シアノ基等で置換したクロロメチ
ル基、クロロプロピル基、3，3，3−トリフルオロプロ
ピル基、2−シアノエチル基、又は架橋点となるような
有機基であるメトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ
基、アセトキシ基等である。付加加硫により硬化させる
場合には、一分子中にアルケニル基を2個以上有する必
要がある。
【００１０】また、このオルガノポリシロキサンは直鎖
状又は分枝状でもよいが、直鎖状であることが好まし
く、その分子鎖末端がトリメチルシリル基、ジメチルフ
ェニル基、ジメチルヒドロキシシリル基、ジメチルビニ
ル基、トリビニルシリル基等で封鎖されたものであるこ
とが好ましく、また分子構造の異なる2種以上の混合物
であってもよい。このオルガノポリシロキサンの平均重
合度は100〜100,000、好ましくは500〜10,000であり、2
5℃における粘度は100〜100,000,000センチストークス
（cSt）、好ましくは5,000〜10,000,000cStである。
状又は分枝状でもよいが、直鎖状であることが好まし
く、その分子鎖末端がトリメチルシリル基、ジメチルフ
ェニル基、ジメチルヒドロキシシリル基、ジメチルビニ
ル基、トリビニルシリル基等で封鎖されたものであるこ
とが好ましく、また分子構造の異なる2種以上の混合物
であってもよい。このオルガノポリシロキサンの平均重
合度は100〜100,000、好ましくは500〜10,000であり、2
5℃における粘度は100〜100,000,000センチストークス
（cSt）、好ましくは5,000〜10,000,000cStである。
【００１１】付加加硫に使用されるオルガノハイドロジ
ェンポリシロキサンは、分子中にケイ素原子に直結した
水素原子（≡ＳｉＨ）を２以上有するものであれば特に
制限されるものではなく、直鎖状、分枝状又は環状のい
ずれでもよく、好ましくは重合度が300以下である。こ
のオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、例えば、
ジメチルハイドロジェンシリル基で末端が封鎖されたジ
オルガノポリシロキサン、ジメチルシロキサン単位、メ
チルハイドロジェンシロキサン単位及び末端トリメチル
シロキシ単位の共重合体、ジメチルハイドロジェンシロ
キサン単位（Ｈ（ＣＨ３）２ＳｉＯ０．５単位）並びに
ＳｉＯ２単位及び／又はＲＳｉＯ３／２単位（式中、Ｒ
は、同一であっても異なっていてもよく、水素、水酸基
又は飽和若しくは不飽和の一価炭化水素基である。）か
らなる低粘度流体、1，3，5，7−テトラハイドロジェン
−1，3，5，7−テトラメチルシクロテトラシロキサン、
1−プロピル−3，8，7−トリハイドロジェン−1，3，
5，7−テトラメチルシクロテトラシロキサン、1，５−
ジハイドロジェン−3，7−ジヘキシルー1，3，5，7−テ
トラメチルシクロテトラシロキサンである。またこのオ
ルガノハイドロジェンポリシロキサンの配合量は、ベー
スポリマーのオルガノポリシロキサンのアルケニル基に
対してケイ素原子に直結する水素原子の比が０．２〜
５．０、特に０．５〜３．０となる量であることが好ま
しい。
ェンポリシロキサンは、分子中にケイ素原子に直結した
水素原子（≡ＳｉＨ）を２以上有するものであれば特に
制限されるものではなく、直鎖状、分枝状又は環状のい
ずれでもよく、好ましくは重合度が300以下である。こ
のオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、例えば、
ジメチルハイドロジェンシリル基で末端が封鎖されたジ
オルガノポリシロキサン、ジメチルシロキサン単位、メ
チルハイドロジェンシロキサン単位及び末端トリメチル
シロキシ単位の共重合体、ジメチルハイドロジェンシロ
キサン単位（Ｈ（ＣＨ３）２ＳｉＯ０．５単位）並びに
ＳｉＯ２単位及び／又はＲＳｉＯ３／２単位（式中、Ｒ
は、同一であっても異なっていてもよく、水素、水酸基
又は飽和若しくは不飽和の一価炭化水素基である。）か
らなる低粘度流体、1，3，5，7−テトラハイドロジェン
−1，3，5，7−テトラメチルシクロテトラシロキサン、
1−プロピル−3，8，7−トリハイドロジェン−1，3，
5，7−テトラメチルシクロテトラシロキサン、1，５−
ジハイドロジェン−3，7−ジヘキシルー1，3，5，7−テ
トラメチルシクロテトラシロキサンである。またこのオ
ルガノハイドロジェンポリシロキサンの配合量は、ベー
スポリマーのオルガノポリシロキサンのアルケニル基に
対してケイ素原子に直結する水素原子の比が０．２〜
５．０、特に０．５〜３．０となる量であることが好ま
しい。
【００１２】付加反応の触媒として使用する白金又は白
金系化合物は、白金元素単体、白金化合物又は白金複合
体の何れであってもよく、例えば、塩化白金第一酸、塩
化白金第二酸等の塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール
化合物、アルデヒド化合物、エーテル化合物、各種オレ
フイン類とのコンプレックス等である。この付加反応の
触媒は、ベースポリマーのオルガノポリシロキサンに対
して白金原子として０．１〜２，０００ｐｐｍ、特に１
〜５００ｐｐｍとなる量であることが好ましい。
金系化合物は、白金元素単体、白金化合物又は白金複合
体の何れであってもよく、例えば、塩化白金第一酸、塩
化白金第二酸等の塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール
化合物、アルデヒド化合物、エーテル化合物、各種オレ
フイン類とのコンプレックス等である。この付加反応の
触媒は、ベースポリマーのオルガノポリシロキサンに対
して白金原子として０．１〜２，０００ｐｐｍ、特に１
〜５００ｐｐｍとなる量であることが好ましい。
【００１３】本発明に用いるシリコーンゴム組成物は、
オルガノポリシロキサンを主成分とし、通常、補強性シ
リカ系充填材及び／又はシリコーンレジンを含有するも
のであるが、接着性の点で、シリコーンレジンを含有す
るものが好ましい。シリコーンレジンとしては、Ｒ３Ｓ
ｉＯ１／２単位、ＳｉＯ２単位、ＲＳｉＯ３／２単位、
Ｒ２ＳｉＯ２／２単位（式中、Ｒは、同一であっても異
なっていてもよく、水素、水酸基又は飽和若しくは不飽
和の一価炭化水素基であり、その90モル％以上は炭化水
素基である。）から成り、Ｒ３ＳｉＯ１／２単位は20〜
70モル％、ＳｉＯ２単位は20〜70モル％、ＲＳｉＯ
３／２単位は0〜70モル％、Ｒ２ＳｉＯ２／ ２単位は0〜
50モル％の割合で存在するものが好ましい。シリコーン
レジンの配合量は、ベースポリマーのオルガノポリシロ
キサン１００重量部に対して１〜１００重量部、特に５
〜５０重量部であることが好ましい。
オルガノポリシロキサンを主成分とし、通常、補強性シ
リカ系充填材及び／又はシリコーンレジンを含有するも
のであるが、接着性の点で、シリコーンレジンを含有す
るものが好ましい。シリコーンレジンとしては、Ｒ３Ｓ
ｉＯ１／２単位、ＳｉＯ２単位、ＲＳｉＯ３／２単位、
Ｒ２ＳｉＯ２／２単位（式中、Ｒは、同一であっても異
なっていてもよく、水素、水酸基又は飽和若しくは不飽
和の一価炭化水素基であり、その90モル％以上は炭化水
素基である。）から成り、Ｒ３ＳｉＯ１／２単位は20〜
70モル％、ＳｉＯ２単位は20〜70モル％、ＲＳｉＯ
３／２単位は0〜70モル％、Ｒ２ＳｉＯ２／ ２単位は0〜
50モル％の割合で存在するものが好ましい。シリコーン
レジンの配合量は、ベースポリマーのオルガノポリシロ
キサン１００重量部に対して１〜１００重量部、特に５
〜５０重量部であることが好ましい。
【００１４】本発明に用いるシリコーンゴム組成物に
は、上記の成分のほか、重合度が100以下のシラノール
基含有シロキサン、シラノール基含有シラン、アルコキ
シ基含有シランなどの分散助剤、アセチレンアルコール
その他付加加硫の制御剤、チタン、アルミニウム、ジル
コニウム等の金属のキレート化合物又はアルコキサイ
ド、けいそう土、石英粉末、溶融石英粉末、クレー、ア
ルミナ、水酸化アルミニウム、水酸化カルシウム、タル
ク等の無機充填材、セリウム又はセリウム系化合物、赤
ベンガラ、黒ベンガラ、フェライト、酸化亜鉛、炭酸亜
鉛、炭酸マンガン、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウ
ムなどの耐熱、耐油向上剤、カーボンブラック、群青な
どの着色のための顔料、離型剤、その他通常のシリコー
ンゴム組成物に添加される添加剤を適宜配合することが
できる。
は、上記の成分のほか、重合度が100以下のシラノール
基含有シロキサン、シラノール基含有シラン、アルコキ
シ基含有シランなどの分散助剤、アセチレンアルコール
その他付加加硫の制御剤、チタン、アルミニウム、ジル
コニウム等の金属のキレート化合物又はアルコキサイ
ド、けいそう土、石英粉末、溶融石英粉末、クレー、ア
ルミナ、水酸化アルミニウム、水酸化カルシウム、タル
ク等の無機充填材、セリウム又はセリウム系化合物、赤
ベンガラ、黒ベンガラ、フェライト、酸化亜鉛、炭酸亜
鉛、炭酸マンガン、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウ
ムなどの耐熱、耐油向上剤、カーボンブラック、群青な
どの着色のための顔料、離型剤、その他通常のシリコー
ンゴム組成物に添加される添加剤を適宜配合することが
できる。
【００１５】本発明の接着性シリコーンゴムシートの成
形方法としては、ダイコーター、カレンダーによる分出
し後、常圧熱空気加硫によるほか、金型を使用した圧縮
成形によることもできる。本発明の接着性シリコーンゴ
ムシートは最終的には、図１に示すように、表面を保護
するために樹脂製キャリアフィルムで表面を覆われた状
態で供給されるため、樹脂製キャリアフィルム上にカレ
ンダーによる分出し後、常圧で熱空気による加硫を行な
うか、樹脂製キャリアフィルムに乗せた状態で圧縮成形
を行なうことが好ましい。シリコーンゴムシートの厚さ
は、実装基板と半導体チップ間で応力を緩和するに必要
な厚さ以上であればよく、5〜300μｍが適当である。
形方法としては、ダイコーター、カレンダーによる分出
し後、常圧熱空気加硫によるほか、金型を使用した圧縮
成形によることもできる。本発明の接着性シリコーンゴ
ムシートは最終的には、図１に示すように、表面を保護
するために樹脂製キャリアフィルムで表面を覆われた状
態で供給されるため、樹脂製キャリアフィルム上にカレ
ンダーによる分出し後、常圧で熱空気による加硫を行な
うか、樹脂製キャリアフィルムに乗せた状態で圧縮成形
を行なうことが好ましい。シリコーンゴムシートの厚さ
は、実装基板と半導体チップ間で応力を緩和するに必要
な厚さ以上であればよく、5〜300μｍが適当である。
【００１６】樹脂製キャリアフィルムは、接着性シリコ
ーンゴムシートの表面を挨や水分等の接着性を低下させ
る要因から保護し、取扱いを容易にするものであり、接
着性シリコーンゴムシートは、両面をフィルムで挟んだ
3層構造で供給される。接着性シリコーンゴムシートを
フィルム基板や半導体チップに接着する際には、この樹
脂製キャリアフィルムは容易に剥離されなければなら
ず、かつ片側のフィルムを剥離した後、接着の際にかか
る熱によってもう片面のフィルムの剥離性や接着力が低
下したり、熱溶融や変形しない必要がある。さらにフィ
ルム自体から溶出する成分によってフィルムの剥離性や
接着力が低下しない必要がある。好ましい樹脂製キャリ
アフィルムの材質としては、ポリエチレンテレフタレー
ト（PET）、ポリサルフォン（PSF）、ポリエーテルサル
フォン（PES）、ポリエーテルエーテルケトン（PEE
K）、ポリエーテルイミド（PEI）等が挙げられる。接着
性シリコーンゴムシートの接着性を妨げない範囲で、フ
ィルムの剥離性を高めるために表面コーティング、離型
剤塗布を行なってもよい。樹脂製キャリアフィルムの厚
さは、薄すぎると3層構造のシートが軟らかすぎて取扱
いが困難となり、厚すぎると所定の大きさに切断するの
が困難となりまたロール状に巻き取るのも困難となるた
め、10〜100μmが適当である。
ーンゴムシートの表面を挨や水分等の接着性を低下させ
る要因から保護し、取扱いを容易にするものであり、接
着性シリコーンゴムシートは、両面をフィルムで挟んだ
3層構造で供給される。接着性シリコーンゴムシートを
フィルム基板や半導体チップに接着する際には、この樹
脂製キャリアフィルムは容易に剥離されなければなら
ず、かつ片側のフィルムを剥離した後、接着の際にかか
る熱によってもう片面のフィルムの剥離性や接着力が低
下したり、熱溶融や変形しない必要がある。さらにフィ
ルム自体から溶出する成分によってフィルムの剥離性や
接着力が低下しない必要がある。好ましい樹脂製キャリ
アフィルムの材質としては、ポリエチレンテレフタレー
ト（PET）、ポリサルフォン（PSF）、ポリエーテルサル
フォン（PES）、ポリエーテルエーテルケトン（PEE
K）、ポリエーテルイミド（PEI）等が挙げられる。接着
性シリコーンゴムシートの接着性を妨げない範囲で、フ
ィルムの剥離性を高めるために表面コーティング、離型
剤塗布を行なってもよい。樹脂製キャリアフィルムの厚
さは、薄すぎると3層構造のシートが軟らかすぎて取扱
いが困難となり、厚すぎると所定の大きさに切断するの
が困難となりまたロール状に巻き取るのも困難となるた
め、10〜100μmが適当である。
【００１７】本発明で使用する接着成分は、エポキシ基
及びケイ素結合水素原子を有する有機ケイ素化合物から
成ることを特徴とする。この接着成分は、１）有機ケイ
素化合物単体、２）有機ケイ素化合物のオルガノポリシ
ロキサン溶液、３）有機ケイ素化合物を揮発性有機溶媒
に溶解させた溶液、又は４）有機ケイ素化合物、ケイ素
原子に直結したアルケニル基を２個以上有するオルガノ
ポリシロキサン及び白金若しくは白金系化合物の混合物
として使用してもよい。この有機ケイ素化合物として
は、エポキシ基含有アルキル基及びケイ素原子結合水素
原子を有するケイ素数３〜１０の環状又は直鎖状シロキ
サン、特にメチル基の一部がエポキシ基含有アルキル基
及びケイ素原子結合水素原子で置換されたケイ素数３〜
１０の環状又は直鎖状ジメチルシロキサンが好ましく、
下記構造式
及びケイ素結合水素原子を有する有機ケイ素化合物から
成ることを特徴とする。この接着成分は、１）有機ケイ
素化合物単体、２）有機ケイ素化合物のオルガノポリシ
ロキサン溶液、３）有機ケイ素化合物を揮発性有機溶媒
に溶解させた溶液、又は４）有機ケイ素化合物、ケイ素
原子に直結したアルケニル基を２個以上有するオルガノ
ポリシロキサン及び白金若しくは白金系化合物の混合物
として使用してもよい。この有機ケイ素化合物として
は、エポキシ基含有アルキル基及びケイ素原子結合水素
原子を有するケイ素数３〜１０の環状又は直鎖状シロキ
サン、特にメチル基の一部がエポキシ基含有アルキル基
及びケイ素原子結合水素原子で置換されたケイ素数３〜
１０の環状又は直鎖状ジメチルシロキサンが好ましく、
下記構造式
【００１８】
【化１】
【００１９】
【化２】
【００２０】
【化３】 で示されるシロキサンがより好ましい。
【００２１】これらの接着成分はシリコーンゴムシート
に塗布された後、放置されるとシート内部に均一に拡散
することで接着性を発揮するものであるが、塗布方法と
しては、ダイコーター、スプレー、刷毛塗り等によりシ
リコーンゴムシートに直接塗布する方法、接着成分中に
シリコーンゴムシートを浸漬する方法、樹脂製キャリア
フィルムやその他接着成分が浸透又は吸着されない平板
上に接着成分をコーテイングし、ついでシリコーンゴム
シートを重ね合わせて放置することで接着成分をゴム中
に均一に浸透させる方法等が挙げられる。接着成分を均
一に一定量塗布できる点、及び接着成分塗布後のシリコ
ーンゴムシートは表面を保護するために樹脂製キャリア
フィルムで表面を覆われた状態で供給する点から、樹脂
製キャリアフィルム上に接着成分をコーティングし、つ
いでシリコーンゴムシートを重ね合わせる方法が好まし
い。この方法及び接着成分をシリコーンゴムシートに直
接塗布する方法においては、厚さ5〜300μmのシリコー
ンゴムシートの片面に塗布することで、放置により接着
成分はシリコーンゴムシート全体に均一に拡散し、もう
片面に塗布しなくともシリコーンゴムシートの両面に接
着性が付与されるが、シリコーンゴムシートの両面に塗
布したり、片面をフィルム基板に接着した後にもう片面
に上記の方法で塗布してもよい。
に塗布された後、放置されるとシート内部に均一に拡散
することで接着性を発揮するものであるが、塗布方法と
しては、ダイコーター、スプレー、刷毛塗り等によりシ
リコーンゴムシートに直接塗布する方法、接着成分中に
シリコーンゴムシートを浸漬する方法、樹脂製キャリア
フィルムやその他接着成分が浸透又は吸着されない平板
上に接着成分をコーテイングし、ついでシリコーンゴム
シートを重ね合わせて放置することで接着成分をゴム中
に均一に浸透させる方法等が挙げられる。接着成分を均
一に一定量塗布できる点、及び接着成分塗布後のシリコ
ーンゴムシートは表面を保護するために樹脂製キャリア
フィルムで表面を覆われた状態で供給する点から、樹脂
製キャリアフィルム上に接着成分をコーティングし、つ
いでシリコーンゴムシートを重ね合わせる方法が好まし
い。この方法及び接着成分をシリコーンゴムシートに直
接塗布する方法においては、厚さ5〜300μmのシリコー
ンゴムシートの片面に塗布することで、放置により接着
成分はシリコーンゴムシート全体に均一に拡散し、もう
片面に塗布しなくともシリコーンゴムシートの両面に接
着性が付与されるが、シリコーンゴムシートの両面に塗
布したり、片面をフィルム基板に接着した後にもう片面
に上記の方法で塗布してもよい。
【００２２】本発明による接着性シリコーンゴムシート
（図１）の製造方法として例えば次の工程が挙げられ
る。 未加硫シリコーンゴムを樹脂製キャリアフィルム上
にカレンダーによる分出した後、常圧で熱空気により加
硫する工程、 別の樹脂製キャリアフィルム上に接着成分をコーテ
ィングする工程、及び のゴム面とのコーティング面を重ね合わせて、
接着成分をゴムに拡散させる工程から成り、更に必要に
応じて 所定の幅にスリットし、テープ状にする工程、及び 半導体のチップのサイズに合わせ抜き加工する工程
により実際に使用される。 このうち工程はフィルム基板メーカーや半導体組立て
メーカーで行なってもよい。
（図１）の製造方法として例えば次の工程が挙げられ
る。 未加硫シリコーンゴムを樹脂製キャリアフィルム上
にカレンダーによる分出した後、常圧で熱空気により加
硫する工程、 別の樹脂製キャリアフィルム上に接着成分をコーテ
ィングする工程、及び のゴム面とのコーティング面を重ね合わせて、
接着成分をゴムに拡散させる工程から成り、更に必要に
応じて 所定の幅にスリットし、テープ状にする工程、及び 半導体のチップのサイズに合わせ抜き加工する工程
により実際に使用される。 このうち工程はフィルム基板メーカーや半導体組立て
メーカーで行なってもよい。
【００２３】このようにして製造された接着性シリコー
ンゴムシートは、例えば、以下のように使用され、図２
に示すような半導体装置が製造される。なお使用法はこ
れらに限定されない。 （１）半導体組立てメーカーで全ての製造を行なう場合 一次加熱：接着性シリコーンゴムシートの片側の樹脂
製キャリアフィルムを剥離後、ポリイミド等のフィルム
基板にゴムシートの剥離面を押付け、加圧し、加熱
（0．4〜0．8Mpa／1〜5秒／190〜250℃）して、フィル
ム基板に接着する。 二次加熱：反対側の樹脂製キャリアフィルムを剥離
後、半導体チップにゴムシートの剥離面を押付け、加圧
し、加熱（0．4〜0．8Mpa／1〜5秒／190〜250℃）し、
半導体チップに接着する。 三次加熱：ダイボンディング後、最終加熱（150℃／3
0分）を行ない接着を完結させる。
ンゴムシートは、例えば、以下のように使用され、図２
に示すような半導体装置が製造される。なお使用法はこ
れらに限定されない。 （１）半導体組立てメーカーで全ての製造を行なう場合 一次加熱：接着性シリコーンゴムシートの片側の樹脂
製キャリアフィルムを剥離後、ポリイミド等のフィルム
基板にゴムシートの剥離面を押付け、加圧し、加熱
（0．4〜0．8Mpa／1〜5秒／190〜250℃）して、フィル
ム基板に接着する。 二次加熱：反対側の樹脂製キャリアフィルムを剥離
後、半導体チップにゴムシートの剥離面を押付け、加圧
し、加熱（0．4〜0．8Mpa／1〜5秒／190〜250℃）し、
半導体チップに接着する。 三次加熱：ダイボンディング後、最終加熱（150℃／3
0分）を行ない接着を完結させる。
【００２４】（２）フィルム基板メーカー及び半導体組
立てメーカーで分担して製造を行なう場合 一次加熱：フィルム基板メーカーにて接着性シリコー
ンゴムシートの片側の樹脂製キャリアフィルムを剥離
後、ポリイミド等のフィルム基板にゴムシートの剥離面
を押付け、加圧し、加熱（0．4〜0．8Mpa／1〜5秒／190
〜250℃）し、フィルム基板に接着する。 半導体組立てメーカーへ輸送する。 二次加熱：反対側の樹脂製キャリアフィルムを剥離
後、半導体チップにゴムシートの剥離面を押付け、加圧
し、加熱（0．4〜0．8Mpa／1〜5秒／190〜250℃）し、
半導体チップに接着する。 三次加熱：ダイボンディング後、最終加熱（150℃／3
0分）を行ない接着を完結させる。
立てメーカーで分担して製造を行なう場合 一次加熱：フィルム基板メーカーにて接着性シリコー
ンゴムシートの片側の樹脂製キャリアフィルムを剥離
後、ポリイミド等のフィルム基板にゴムシートの剥離面
を押付け、加圧し、加熱（0．4〜0．8Mpa／1〜5秒／190
〜250℃）し、フィルム基板に接着する。 半導体組立てメーカーへ輸送する。 二次加熱：反対側の樹脂製キャリアフィルムを剥離
後、半導体チップにゴムシートの剥離面を押付け、加圧
し、加熱（0．4〜0．8Mpa／1〜5秒／190〜250℃）し、
半導体チップに接着する。 三次加熱：ダイボンディング後、最終加熱（150℃／3
0分）を行ない接着を完結させる。
【００２５】（３）フィルム基板メーカー及び半導体組
立てメーカーで分担して製造を行なう場合（別法） 一次加熱：フィルム基板メーカーにて接着性シリコー
ンゴムシートの片側の樹脂製キャリアフィルムを剥離
後、ポリイミド等のフィルム基板にゴムシートの剥離面
を押付け、加圧し、加熱（0．4〜0．8Mpa／1〜5秒／190
〜250℃）し、フィルム基板に接着する。 反対側の樹脂製キャリアフィルムを、接着成分をコー
ティングした別の樹脂製キャリアフィルムに張り替え
る。 半導体組立てメーカーヘ輸送する。 二次加熱：反対側の樹脂製キャリアフィルムを剥離
後、半導体チップにゴムシートの剥離面を押付け、加圧
し、加熱（0．4〜0．8Mpa／1〜5秒／190〜250℃）し、
半導体チップに接着する。 三次加熱：ダイボンディング後、最終加熱（160℃／3
0分）を行ない接着を完結させる。
立てメーカーで分担して製造を行なう場合（別法） 一次加熱：フィルム基板メーカーにて接着性シリコー
ンゴムシートの片側の樹脂製キャリアフィルムを剥離
後、ポリイミド等のフィルム基板にゴムシートの剥離面
を押付け、加圧し、加熱（0．4〜0．8Mpa／1〜5秒／190
〜250℃）し、フィルム基板に接着する。 反対側の樹脂製キャリアフィルムを、接着成分をコー
ティングした別の樹脂製キャリアフィルムに張り替え
る。 半導体組立てメーカーヘ輸送する。 二次加熱：反対側の樹脂製キャリアフィルムを剥離
後、半導体チップにゴムシートの剥離面を押付け、加圧
し、加熱（0．4〜0．8Mpa／1〜5秒／190〜250℃）し、
半導体チップに接着する。 三次加熱：ダイボンディング後、最終加熱（160℃／3
0分）を行ない接着を完結させる。
【００２６】このように本発明による接着性シリコーン
ゴムシートは、半導体組立てメーカーで全ての製造を行
なう場合でも、フィルム基板メーカー及び半導体組立て
メーカーで分担して製造を行なう場合でも、その工程に
応じた使用方法をとることが可能である。
ゴムシートは、半導体組立てメーカーで全ての製造を行
なう場合でも、フィルム基板メーカー及び半導体組立て
メーカーで分担して製造を行なう場合でも、その工程に
応じた使用方法をとることが可能である。
【００２７】
【発明の効果】本発明の、シリコーンゴムシートに、エ
ポキシ基及びケイ素結合水素原子を有する有機ケイ素化
合物を含有する接着成分を、表面塗布して、シート内部
に拡散させることで製造された接着性シリコーンゴムシ
ートは、半導体チップとフィルム基板との間の接着性が
良好で、接着性性能を発揮し得るポットライフが長く、
冷凍保存の必要もなく、保存安定性に優れており、一次
加熱と二次加熱の間で放置が可能なためフィルム基板メ
ーカーにおいてフィルム基板上にシリコーンゴムシート
を接着して供給し、半導体パッケージ組立てメーカーに
おいて半導体チップを接着するという工程も可能とな
り、生産効率の向上が可能であり、実装基板と半導体チ
ップとの間で応力を綬和する接着性ゴムシートとして有
用に使用することができる。以下、実施例を挙げて本発
明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限さ
れるものではない。なお、以下の例において、部は重量
部を示す。
ポキシ基及びケイ素結合水素原子を有する有機ケイ素化
合物を含有する接着成分を、表面塗布して、シート内部
に拡散させることで製造された接着性シリコーンゴムシ
ートは、半導体チップとフィルム基板との間の接着性が
良好で、接着性性能を発揮し得るポットライフが長く、
冷凍保存の必要もなく、保存安定性に優れており、一次
加熱と二次加熱の間で放置が可能なためフィルム基板メ
ーカーにおいてフィルム基板上にシリコーンゴムシート
を接着して供給し、半導体パッケージ組立てメーカーに
おいて半導体チップを接着するという工程も可能とな
り、生産効率の向上が可能であり、実装基板と半導体チ
ップとの間で応力を綬和する接着性ゴムシートとして有
用に使用することができる。以下、実施例を挙げて本発
明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限さ
れるものではない。なお、以下の例において、部は重量
部を示す。
【００２８】
【実施例】実施例１〜４、比較例１ 分子鎖両末端がジメチルビニルシリル基で封鎖された粘
度が100,000 cStのオルガノポリシロキサン100部、ジメ
チルビニルシロキサン単位（（ＣＨ２＝ＣＨ）（Ｃ
Ｈ３）２ＳｉＯ０．５単位）、トリメチルシロキサン単
位（（ＣＨ３）３ＳｉＯ０．５単位）及びＳｉＯ２単位
からなるシリコーンレジン30部、ジメチルハイドロジェ
ンシロキサン単位（Ｈ（ＣＨ３）２ＳｉＯ０．５単位）
及びＳｉＯ ２単位からなる低粘度流体6部、環状メチル
ビニルシロキサン0．8部を均一に混合し、液状シリコー
ンゴム組成物を得た。上記シリコーンゴム組成物100部
に、更に硬化触媒として、塩化白金酸の2−エチルヘキ
サノール溶液（白金含有量2％）0．08部を添加して混合
し、50μm厚のポリエーテルサルフォン製フィルム（樹
脂製キャリアフィルム）上に、厚さが50μmとなる様に
ダイコーターを用いてコーティングし、ついで120℃で1
0分間の常圧で熱空気により加硫成形を行うことにより
フィルムに乗った状態のシリコーンゴムシートを作製し
た。
度が100,000 cStのオルガノポリシロキサン100部、ジメ
チルビニルシロキサン単位（（ＣＨ２＝ＣＨ）（Ｃ
Ｈ３）２ＳｉＯ０．５単位）、トリメチルシロキサン単
位（（ＣＨ３）３ＳｉＯ０．５単位）及びＳｉＯ２単位
からなるシリコーンレジン30部、ジメチルハイドロジェ
ンシロキサン単位（Ｈ（ＣＨ３）２ＳｉＯ０．５単位）
及びＳｉＯ ２単位からなる低粘度流体6部、環状メチル
ビニルシロキサン0．8部を均一に混合し、液状シリコー
ンゴム組成物を得た。上記シリコーンゴム組成物100部
に、更に硬化触媒として、塩化白金酸の2−エチルヘキ
サノール溶液（白金含有量2％）0．08部を添加して混合
し、50μm厚のポリエーテルサルフォン製フィルム（樹
脂製キャリアフィルム）上に、厚さが50μmとなる様に
ダイコーターを用いてコーティングし、ついで120℃で1
0分間の常圧で熱空気により加硫成形を行うことにより
フィルムに乗った状態のシリコーンゴムシートを作製し
た。
【００２９】別の50μm厚のポリエーテルサルフォン製
フィルム（樹脂製キャリアフィルム）上に、表1に示す
組成成分を混合してなる接着成分をコーターを用いて塗
布し（15g/m2）、この接着成分のコーティング面と上記
シリコーンゴムシートのゴム面とを重ね合わせ、24時間
放置することで、3層構造のシートを作製した。
フィルム（樹脂製キャリアフィルム）上に、表1に示す
組成成分を混合してなる接着成分をコーターを用いて塗
布し（15g/m2）、この接着成分のコーティング面と上記
シリコーンゴムシートのゴム面とを重ね合わせ、24時間
放置することで、3層構造のシートを作製した。
【００３０】このようにして作成した３層構造の接着性
シリコーンゴムシートについて以下の試験を行った。 試験１： 上記シートを５ｍｍ角に切断し、片側のフィ
ルムを剥離後、ポリイミド製フィルム（フィルム基板）
にゴムシートの剥離面を押付け、加圧し、加熱（0．8Mp
a/5秒/250℃）し（一次加熱）、ポリイミド製フィルム
への接着性を調べた。 試験２： 試験１に引続き反対側のフィルムを剥離後、
別のポリイミド製フィルム（フィルム基板）にゴムシー
トの剥離面を押付け、加圧し、加熱（0．8Mpa/5秒/250
℃）し（二次加熱）、ポリイミド製フィルムへの接着性
を調べた。 試験３： 作製した3層構造のシートを25℃で14日間放
置し、試験１と同様の試験を行なった。 試験４： 試験３で使用した試験片の反対側について、
試験１と同様の試験を行なった。 試験５： 試験１で使用した試験片について、試験片を
25℃で14日間放置し、試験４と同様の接着試験を行なっ
た。
シリコーンゴムシートについて以下の試験を行った。 試験１： 上記シートを５ｍｍ角に切断し、片側のフィ
ルムを剥離後、ポリイミド製フィルム（フィルム基板）
にゴムシートの剥離面を押付け、加圧し、加熱（0．8Mp
a/5秒/250℃）し（一次加熱）、ポリイミド製フィルム
への接着性を調べた。 試験２： 試験１に引続き反対側のフィルムを剥離後、
別のポリイミド製フィルム（フィルム基板）にゴムシー
トの剥離面を押付け、加圧し、加熱（0．8Mpa/5秒/250
℃）し（二次加熱）、ポリイミド製フィルムへの接着性
を調べた。 試験３： 作製した3層構造のシートを25℃で14日間放
置し、試験１と同様の試験を行なった。 試験４： 試験３で使用した試験片の反対側について、
試験１と同様の試験を行なった。 試験５： 試験１で使用した試験片について、試験片を
25℃で14日間放置し、試験４と同様の接着試験を行なっ
た。
【００３１】これらの試験結果を表１に示す。
【表１】
【００３２】
【化４】
【００３３】これらの結果より、接着成分としてエポキ
シ基を有し、ケイ素結合水素原子を有しない有機ケイ素
化合物を用いた場合（比較例１）、試験３〜５の接着性
が試験１及び２に比べて劣ることから、接着性能を発揮
し得るポットライフが短い欠点があることがわかる。こ
れに対し本発明の接着性シリコーンゴムシートは、ポリ
イミド（フィルム基板）との接着性が良好で、接着性能
を発揮し得るポットライフが長く、試験５のように一次
加熱と二次加熱との間で放置も可能であり、優れた接着
性能を示すことが確認された。
シ基を有し、ケイ素結合水素原子を有しない有機ケイ素
化合物を用いた場合（比較例１）、試験３〜５の接着性
が試験１及び２に比べて劣ることから、接着性能を発揮
し得るポットライフが短い欠点があることがわかる。こ
れに対し本発明の接着性シリコーンゴムシートは、ポリ
イミド（フィルム基板）との接着性が良好で、接着性能
を発揮し得るポットライフが長く、試験５のように一次
加熱と二次加熱との間で放置も可能であり、優れた接着
性能を示すことが確認された。
【図面の簡単な説明】
【図１】接着性シリコーンゴムシートの断面図である。
【図２】接着性シリコーンゴムシートを使用した半導体
装置の断面図である。
装置の断面図である。
１ 樹脂製キャリアフィルム ２、４ シリコーンゴムシート ３ 半導体チップ ５ フィルム基板を構成するポリイミドフィルム ６ フィルム基板を構成する配線 ７ 半田バンプ ８ 絶縁膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｌ 83/04 Ｃ０８Ｌ 83/04 ４Ｊ０４０ Ｃ０９Ｊ 163/00 Ｃ０９Ｊ 163/00 ５Ｆ０４７ 171/00 171/00 Ｚ Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｅ // Ｈ０１Ｌ 23/12 23/12 Ｌ Ｆターム(参考） 4F006 AA42 AB39 BA01 CA08 DA04 4F071 AA67 AF58A AH12 BB03 BB04 BB06 BC01 4F100 AK01C AK01D AK49C AK49D AK52A AK52B AK55C AK55D AK56C AK56D AL05B AN02B BA02 BA04 BA07 BA15 EJ06B EJ08B GB41 JL11A 4J002 CP03X CP04Y CP12W GQ05 4J004 AA11 AB05 CA06 CB03 CC02 CD10 DA03 DB02 EA05 FA05 FA07 4J040 EC461 EE021 FA201 GA11 GA30 HD30 JB02 LA09 MA12 NA20 PA30 5F047 AA17 BA23 BA34 BB03
Claims (9)
- 【請求項１】 少なくとも片面に、エポキシ基及びケイ
素結合水素原子を有する有機ケイ素化合物から成る接着
成分が塗布されたシリコーンゴムシートから成る接着性
シリコーンゴムシート。 - 【請求項２】 前記有機ケイ素化合物が、ケイ素数３〜
１０の環状又は直鎖状シロキサンである請求項１に記載
の接着性シリコーンゴムシート。 - 【請求項３】 前記シリコーンゴムシートがシリコーン
レジンを含むシリコーンゴム組成物の硬化物である請求
項１又は２に記載の接着性シリコーンゴムシート。 - 【請求項４】 前記シリコーンゴムシートが付加加硫に
より硬化したものである請求項１〜３のいずれか一項に
記載の接着性シリコーンゴムシート。 - 【請求項５】 前記接着性シリコーンゴムシートの両面
を樹脂製キャリアフィルムで挟んだ３層構造の請求項１
〜４のいずれか一項に記載の接着性シリコーンゴムシー
ト。 - 【請求項６】 前記樹脂製キャリアフィルムの樹脂が、
ポリサルフォン（PSF）、ポリエーテルサルフォン（PE
S）、ポリエーテルエーテルケトン（PEEK）又はポリエ
ーテルイミド（PEI）である請求項５に記載の接着性シ
リコーンゴムシート。 - 【請求項７】 半導体チップとフィルム基板との間に使
用される請求項１〜６のいずれか一項に記載の接着性シ
リコーンゴムシート。 - 【請求項８】 半導体チップとフィルム基板との間に請
求項１〜６に記載の接着性シリコーンゴムシートを有す
る半導体装置。 - 【請求項９】 半導体チップとフィルム基板との間に請
求項１〜６に記載の接着性シリコーンゴムシートを挟
み、加熱及び圧着することにより接着させる段階から成
る半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000020584A JP3734243B2 (ja) | 2000-01-28 | 2000-01-28 | 接着性シリコーンゴムシート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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