JP2001196735A

JP2001196735A - リフローノズル

Info

Publication number: JP2001196735A
Application number: JP2000002365A
Authority: JP
Inventors: Yoshimasa Matsubara; 賢政松原
Original assignee: Taisei Kaken KK
Current assignee: Taisei Kaken KK
Priority date: 2000-01-11
Filing date: 2000-01-11
Publication date: 2001-07-19

Abstract

(57)【要約】【課題】リフロー炉を使用することなく電子部品を半
田付けし、プリント基板を酸化させずに電子部品をリワ
ークする。【解決手段】不活性ガス(G) を噴出するノズル(10)外
側をカバー(18,20)で覆い、カバーの先端縁を基板(40)
と密着させてワーク(30)の周囲に不活性ガス雰囲気を形
成し、半田(31)を溶融し得る温度及びワークを基板から
浮上させ得る圧力の不活性ガスをワークと基板との間に
廻り込ませ、基板上のワークを半田付けし又は基板から
ワークを取り外す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はリフローノズルに関
し、特にプリント基板（以下、ＰＣ板という）上のパッ
トやランドホールに電子部品を接合し、又接合した電子
部品のＰＣ板から取外す（以下、リワーク又はリペアー
ともいう）のに適したノズルに関する。

【０００２】

【従来の技術】電子部品のプリント基板（以下、ＰＣ板
という）への接合及び電子部品のリワークは電子部品の
実装を円滑かつ効率よく行う上で非常に重要な技術であ
る。

【０００３】従来より、電子部品をＰＣ板に接合する場
合には半田付け技術が広く採用されている。例えば、Ｓ
ＭＤ（Surface Mount Device）部品を実装する場合、Ｐ
Ｃ板にクリーム半田を印刷した後、ＳＭＤ部品をＰＣ板
に載せ、クリーム半田をリフローさせて硬化させ、ＳＭ
Ｄ部品を半田付けすることが行われている。

【０００４】また、リード部品をＰＣ板のランドホール
に接合する場合、リード部品をＰＣ板のランドホールに
挿入した後、手作業によって半田付けするか、又はディ
ップによって半田付けするか、あるいはロボット等によ
る自動半田付け装置によって半田付けすることが行われ
ている。

【０００５】他方、例えばＳＭＤ部品をリワークする場
合、手で半田ごてを持ち、ＰＣ板のパット上に接合され
たＳＭＤ部品の半田を溶融させた後、半田吸取機によっ
て溶融半田を吸い取り、ＳＭＤ部品を取り外すことが行
われている。また、ＰＣ板のランドホールに接合された
リード部品をリワークする場合にも同様の手順が採用さ
れている。

【０００６】また、ＢＧＡ（Ball Grid Array ）部品、
ＣＳＰ（Chip Size Package ）部品、ＴＳＯＰ（Thin S
mall Outline Package）部品あるいはＴＱＦＰ（Thin Q
uadFlat Package）部品をリワークする場合、ＰＣ板の
パット上に実装されたＢＧＡ部品等のデバイスの近傍を
予熱（プリヒート）した後、デバイス形状に対応する専
用のノズルをリワークすべきデバイスに覆い被せ、ノズ
ル内部に高温の熱風を吹き込んで加熱し、デバイスとＰ
Ｃ板のパットとを接合している半田を溶融させ、半田が
溶融した時点で吸着パット等の機械的な手段によってデ
バイスをＰＣ板上から取外すことが行われている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、ＳＭＤ部品を
ＰＣ板に接合する場合、接合プロセスの途中にリフロー
炉という大型の設備を必要とし、又リフロー炉はＰＣ板
上の多数の電子部品を一括に半田付けするので、一括半
田付けによる接合のできないＳＭＤ部品、いわゆる単一
部品の場合には適用できないという問題がある。

【０００８】また、ＢＧＡ部品等のデバイスをリワーク
する場合、予熱や熱風加熱を行っているが、これらの作
業は全て大気雰囲気中で行われているので、デバイスを
取り外した後のＰＣ板は酸化され、ほとんど再利用する
ことができないという問題がある。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる問題点
に鑑み、リフロー炉を使用することなく電子部品を半田
付けでき、又ＰＣ板を酸化させずに電子部品をリワーク
できるようにすることを課題とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本件発明者は上述の課題
を解決すべく鋭意研究したところ、電子部品の半田付け
に当たって不活性ガスによるポイントリフローが可能な
ノズルを採用すればよいことに着目し、更に研究を続け
た結果、ノズルをカバーで覆い、カバー内の圧力分布を
上手く設定すると、半田が溶融した後、電子部品が不活
性ガスの圧力によって浮上して分離できることを知見
し、本発明を完成するに至った。

【００１１】そこで、本発明に係るリフローノズルは、
不活性ガスを用いて半田を溶融して基板上のワークを半
田付けし又は基板からワークを取り外す際に用いるリフ
ローノズルであって、先端側に不活性ガスの噴出口が形
成されたノズルと、該ノズルの外側を覆って設けられ、
先端周縁が上記基板と密着されて上記ワークの周囲に不
活性ガス雰囲気を形成し、上記半田を溶融し得る温度及
び上記ワークを基板から浮上させ得る圧力の不活性ガス
を上記ワークと基板との間に廻り込ませるカバーと、該
カバーに設けられ、雰囲気を構成する不活性ガスの一部
を系外に排出するガス排出口と、上記ノズルから噴出さ
れる不活性ガスを所望の温度に加熱する加熱手段とを備
えたことを特徴とする。

【００１２】本発明の特徴の１つは不活性ガスの噴出ノ
ズルをカバーで覆い、カバー内に不活性ガスの雰囲気を
形成し、しかも不活性ガスの一部をワークと基板との間
に廻り込ませるようにした点にある。これにより、従来
のようなリフロー炉を使用することなくＰＣ板上の半田
を溶融させることができ、ポイントリフローによる電子
部品の半田付けが可能となり、又不活性ガス雰囲気中で
ワークのリワークやリペアーを行えるので、電子部品を
取り外した後のＰＣ板は酸化されておらず、再利用する
ことができることとなる。

【００１３】また、本発明の他の特徴は雰囲気を構成す
る不活性ガスの一部をワークと基板との間に廻り込ませ
るようにした点にある。これにより、不活性ガスの圧力
を制御することによって半田溶融後のワークを基板から
浮上させることができ、しかも不活性ガスの流量を制御
することによって溶融半田をワーク側と基板側とに分離
できる結果、電子部品のリワークやリペアーを自動的に
行うことができる。かかる圧力浮上による分離方式を本
件発明では「浮上分離」という。また、ワークを下方か
らカバーで覆い、「浮上分離」の場合と同様の操作を行
うと、ワークは圧力によってＰＣ板から浮き上がり、自
重によって落下させて分離させることができる。かかる
分離方式を本件発明では「自重落下分離」という。

【００１４】本発明に係るリフローノズルは不活性ガス
を用いた非接触式の半田ごて（例えば、特開平１０−８
７３０５号公報、ＷＯ９８／３０３５２号、特願平１１
−１４５８６３号、等参照）を利用して構築することも
できる。

【００１５】即ち、本発明に係るリフローノズルは、不
活性ガスを用いて半田を溶融して基板上のワークを半田
付けし又は基板からワークを取り外す際に用いるリフロ
ーノズルであって、先端側に不活性ガスの噴出口が形成
されたノズルと、該ノズルの外側を覆って設けられ、先
端周縁が上記基板と密着されて上記ワークの周囲に不活
性ガス雰囲気を形成し、上記ワークを基板から浮上させ
得る圧力の不活性ガスを上記ワークと基板との間に廻り
込ませるカバーと、該カバーに設けられ、雰囲気を構成
する不活性ガスの一部を系外に排出するガス排出口とを
備えたことを特徴とする。

【００１６】本件発明では不活性ガス雰囲気の圧力を制
御することが大切であるが、ワークと基板との間に不活
性ガスの一部を確実に廻り込ませることが重要である。
カバー内には単にノズルから不活性ガスを噴出させて不
活性ガス雰囲気を形成してもよいが、電子部品と基板と
の間の隙間が小さいと、不活性ガスが上手く廻り込まな
いおそれがある。そこで、加熱された不活性ガスを上記
カバー内に供給する供給口部を更に備えるようにする
と、ノズルから噴出された不活性ガスは周囲の不活性ガ
スによって包囲され、ワークに当たると、ワークに沿っ
て移動し、さらに周囲に不活性ガスによって電子部品と
基板との間に案内させることができる。

【００１７】供給口部は不活性ガスの供給通路等をカバ
ーに設けて構成するようにしてもよいが、ノズルの基部
にオリフィスを形成し、ノズルに供給される不活性ガス
の一部をカバーとノズルとの間を介してノズルの周囲に
噴出させるようにするのが構造上も簡単である。

【００１８】カバーは一重とし、カバーの先端側にガス
排出口を形成してもよいが、カバーを内外の二重とし、
内外のカバーの間にガス排出口を形成すると、不活性ガ
スの廃熱を利用して内側カバーやノズルを保温でき、不
活性ガスの利用効率を向上できる。

【００１９】即ち、カバーを、ノズルの外側を所定の隙
間をあけて覆い、供給口部から供給される不活性ガスを
ワークと基板との間に廻り込ませるとともにワークの周
囲に不活性ガス雰囲気を形成する内側カバーと、内側カ
バーの外側を所定の隙間をあけて覆いかつ内側カバーの
先端周縁と基板との間に所定の隙間が形成されるように
設けられ、その先端周縁が基板と密着されて上記内側カ
バー内の不活性ガス雰囲気を維持する外側カバーとから
構成する一方、ガス排出口を内側カバーと外側カバーと
の間に設けるようにするのがよい。

【００２０】また、カバーを、ノズルの外側を所定の隙
間をあけて覆い、供給口部から供給される不活性ガスを
ワークと基板との間に廻り込ませるとともにワークの周
囲に不活性ガス雰囲気を形成する一方、供給口部から供
給される不活性ガスの一部を分岐して外側に供給する第
２の供給口部を有する内側カバーと、内側カバーの外側
を所定の隙間をあけて覆いかつ内側カバーの先端周縁と
基板との間に所定の隙間が形成されるように設けられ、
その先端周縁が基板と密着され、第２の供給口部から供
給される不活性ガスをワークと基板との間に廻り込ませ
るとともに内側カバー内の不活性ガス雰囲気を維持する
外側カバーとから構成する一方、ガス排出口を内側カバ
ーと外側カバーとの間に設けるようにしてもよい。

【００２１】さらに、カバーを、ノズルの外側を所定の
隙間をあけて覆い、ワークの周囲に不活性ガス雰囲気を
形成する一方、供給口部から供給される不活性ガスの一
部を分岐して外側に供給する第２の供給口部を有する内
側カバーと、内側カバーの外側を所定の隙間をあけて覆
いかつ内側カバーの先端周縁と基板との間に所定の隙間
が形成されるように設けられ、その先端周縁が基板と密
着され、第２の供給口部から供給される不活性ガスをワ
ークと基板との間に廻り込ませるとともに内側カバー内
の不活性ガス雰囲気を維持する外側カバーとから構成す
る一方、ガス排出口を内側カバーと外側カバーとの間に
設けるようにすることもできる。

【００２２】外側カバーと内側カバーとの間から不活性
ガスを供給する場合、ワークに対して均等に供給するの
がよい。そこで、第２の供給口部からの不活性ガスがワ
ークに対して均等に供給されるように内側カバー内及び
外側カバーと内側カバーとの間を複数に仕切るのがよ
い。

【００２３】また、雰囲気中の不活性ガスはカバーから
そのまま系外に排出してもよいが、外側カバーをガス排
出口部よりも後方部分がノズルの基部との間に隙間をあ
けて覆った形状となすと、不活性ガスはノズル基部を予
熱しながら排出されるので、不活性ガスの利用効率を更
によくすることができる。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示す具体例
に基づいて詳細に説明する。図１ないし図３は本発明に
係るリフローノズルの好ましい実施形態を示す。図にお
いて、ノズル１０は中心軸線上に小径の不活性ガスの供
給通路が形成され、該供給通路の先端側はノズル１０の
先端に不活性ガスの噴射口１９として開口されている。

【００２５】このノズル１０の後端部には大径の筒状部
分（基部）１１が一体的に形成され、該筒状部分１１内
には筒状のセラミックヒータ１２が挿入され、該セラミ
ックヒータ１２内を不活性ガスが供給されて加熱される
ようになっている。

【００２６】また、筒状部分１１の先端側には段部が形
成され、筒状部分１１のノズル１０との境界部位には４
つのオリフィス（供給口部）１３・・・が９０°の等角
度間隔をあけて形成され、オリフィス１３・・・の先端
側は段部に開口されている。

【００２７】この段部には内側アタッチメントカバー２
０がオリフィス１３・・・の開口部及びノズル１０の外
周面と間に隙間をあけて着脱可能（又は固定的）に取付
けられ、内側アタッチメントカバー２０の下端側は内ケ
ース部１４が一体的に形成され、内ケース部１４はリフ
ロー又はリワークすべきワークを覆う大きさの四角形状
をなしている。

【００２８】また、内側アタッチメントカバー２０の外
側には外側アタッチメントカバー１８が連結壁２１によ
って固定されている。この外側アタッチメントカバー１
８は上方部分がノズル１０の筒状部分１１との間に所定
の隙間を有する筒状をなし、これに連続する下方部分は
断面台形状に拡大され、その下方には外ケース部１５が
一体的に形成され、外ケース部１５はその下端縁が内ケ
ース部１４の下端縁より下方に位置し、かつ内ケース部
１４との間に所定の隙間が設けられている。

【００２９】また、外ケース部１５の下端縁にはシール
部材１６が全周にわたって固定され、シール部材１６に
は耐熱ガラスあるいは耐熱シリコンゴム、テフロン、そ
の他シリコン系の接着硬化材が用いられている。

【００３０】さらに、内側アタッチメントカバー２０と
外側アタッチメントカバー１８との間の連結壁２１には
４つの不活性ガスの排出口１７・・・形成されている。

【００３１】外側アタッチメントカバー１８にはステン
レス鋼を用いることができるが、その外表面に耐熱ガラ
ス材、耐熱シリコン材あるいはテフロン材を貼付ける
と、周囲の電子部品やＰＣ板に対する熱影響を軽減でき
る。

【００３２】本例のリフローノズルにおいて、セラミッ
クヒータ１２に通電を行って発熱させるとともに、セラ
ミックヒータ１２内に所定圧力の窒素ガスＧを供給する
と、窒素ガスＧはセラミックヒータ１２によって所定の
温度に加熱されてノズル１０の噴出口１９から前方に噴
出される一方、セラミックヒータ１２を流通してきた高
温窒素ガスＧの一部はオリフィス１３・・・から内側ア
タッチメントカバー２０内に供給される。

【００３３】例えば、ＰＣ板にＣＳＰ部品を半田付けす
る場合、図２に示されるように、パット４１上にクリー
ム半田を印刷したＰＣ板４０上にＣＳＰ部品３０を載
せ、その上から本例のリフローノズルの内外のアタッチ
メントカバー２０、１８のケース部１４、１５を被せて
外ケース部１５のシール部材１６をＰＣ板４０の表面に
密着させる。

【００３４】すると、内側アタッチメントカバー２０の
内ケース部１４内にはノズル１０の噴出口１９及びオリ
フィス１３から供給された高温窒素ガスＧが充満されて
ＣＳＰ部品３０の周囲に窒素ガスによる不活性雰囲気が
形成される。

【００３５】しかも、ノズル１０の噴出口１９から高温
窒素ガスＧが噴出されてＣＳＰ部品３０に当たり、ＣＳ
Ｐ部品３０の上面に沿って周囲に移動し、同時にオリフ
ィス１３・・・から供給された高温窒素ガスＧが内側ア
タッチメントカバー２０の内ケース１４内に広がってノ
ズル１０から噴出された高温窒素ガスＧの周囲を包み込
むので、高温窒素ガスＧの一部はＣＳＰ部品３０の周囲
から下側に素早く廻り込み、クリーム半田３１は高温窒
素ガスＧによってクリーム半田が素早くリフローされ
る。

【００３６】内ケース部１４内に充満した高温窒素ガス
Ｇは内外のケース部１４、１５の間、排出口１７・・
・、内外のアタッチメントカバー２０、１８及びノズル
１０の筒状部分１１と外側アタッチメントカバー１８の
上方筒状部分との間を経て系外に排出されるが、その
際、窒素ガスＧは内側アタッチメントカバー２０の筒状
部分及びノズル１０の筒状部分１１を予熱するので、セ
ラミックヒータ１２、ノズル１０及び内側アタッチメン
トカバー２０を素早く昇温させることができ、窒素ガス
Ｇを所定の温度に加熱できるとともに、高温窒素ガスＧ
の温度低下を防止できる。

【００３７】クリーム半田がリフローすると、セラミッ
クヒータ１２の発熱温度を制御して窒素ガスＧの温度を
低下させると、リフローしたクリーム半田が素早く凝固
して半田バンプ３１・・・となり、こうしてＣＳＰ部品
３０をＰＣ板４０上に半田付けできることとなる。

【００３８】その際、内ケース部１４内に供給された低
温の窒素ガスＧは内外のケース部１４、１５の間、排出
口１７・・・、内外のアタッチメントカバー２０、１８
及びノズル１０の筒状部分１１と外側アタッチメントカ
バー１８の上方筒状部分との間を経て系外に排出され、
窒素ガスＧは内側アタッチメントカバー２０の筒状部分
及びノズル１０の筒状部分１１を冷却するので、セラミ
ックヒータ１２、ノズル１０及び内側アタッチメントカ
バー２０を素早く温度低下させることができ、窒素ガス
Ｇを所定の温度に素早く冷却することができる。

【００３９】逆に、ＰＣ板にＣＳＰ部品を取外す場合、
上記と同様の操作を行うが、内側アタッチメントカバー
２０内の高温窒素ガスＧは加圧され、しかもシール部材
１６とＰＣ板４０とが密着されているので、内側アタッ
チメントカバー２０内における高温窒素ガスＧの温度分
布及び圧力分布が均一化し、ＣＳＰ部品３０の半田バン
プ３１・・・はその中心部分まで素早く昇温し、ＣＳＰ
部品３０の半田バンプ３１・・・を溶かすことができ
る。

【００４０】半田バンプ３１・・・が溶融した後、窒素
ガスＧの圧力を例えば０．１ＭＰａ、０．２ＭＰａ、
０．３ＭＰａ、・・・と上昇させると、内側アタッチメ
ントカバー２０内の高温窒素ガスＧの圧力が上昇してＣ
ＳＰ部品３０がＰＣ板４０から少し持ち上げられて浮上
する。

【００４１】ＣＳＰ部品３０が少し浮上すると、窒素ガ
スＧの流量を例えば１リットル／ｍｉｎ、２リットル／
ｍｉｎ、３リットル／ｍｉｎ・・・と増加させる。する
と、内側アタッチメントカバー２０内の窒素ガスＧがセ
ラミックヒータ１２の設定温度以上の熱を奪い、冷却す
るので、半田バンプ３１の溶融半田は図３に示されるよ
うに表面張力によってＣＳＰ部品３０側とＰＣ板４０の
パット４１側と分離する。

【００４２】その後、セラミックヒータ１２の通電を停
止し又はセラミックヒータ１２の温度を調節し、冷却し
た又は低温の窒素ガスＧを内側アタッチメントカバー２
０内に供給すると、ＣＳＰ部品３０側とＰＣ板４０のパ
ット４１側とに分離した溶融半田は素早く凝固し、こう
してＣＳＰ部品３０をＰＣ板４０から浮上分離させるこ
とができる。

【００４３】上記の説明では本例のリフローノズルを上
方から被せるようにしたが、ＰＣ板４０の裏面に電子部
品がある場合には本例のリフローノズルを下方から被せ
て上記と同様の操作を行うと、半田バンプ３１の半田が
溶融して少し電子部品がＰＣ板４０から少し浮いた段階
で溶融半田に電子部品の重さが作用し、上述の内側アタ
ッチメントカバー２０内の窒素ガスＧの分離作用に加
え、電子部品の重量も手伝って電子部品をＰＣ板４０か
ら落下し、こうして電子部品を重力落下分離させること
もできる。

【００４４】以上のように、本例のリフローノズルでは
アタッチメントカバー２０、１８で電子部品を覆って窒
素ガスを充満させ、半田を溶融させるようにしたので、
大型の設備を用いることなく、酸素分圧を限りなく真空
のそれに近づけた環境下において電子部品のポイント半
田づけ、リワーク、リペアを行うことができる。

【００４５】再半田付けや再々半田付け等の作業では特
に電子部品やＰＣ板に対するダメージを極力抑制する必
要があり、特に温度変化や高温に弱い電子部品等に対し
ては短時間で半田付けを行うことが必要である。本例の
リフローノズルでは窒素ガスＧの圧力、流量、温度を複
合的に制御することにより半田を溶融させることができ
るので、電子部品やＰＣ板及びそのパターンに対する熱
影響の少ない温度プロファイル、従って最適な半田付け
条件を見い出すことができ、リフロー時間を大幅に短縮
でき、又電子部品の再利用も可能とできる。

【００４６】また、窒素ガ５Ｇの圧力、流量、温度を複
合的に制御することにより、「浮上分離」や「重力落下
分離」といった分離方式を採用できるので、電子部品の
リワークやリペア等に幅広く適用できる。

【００４７】特に、ＢＧＡ部品やＣＳＰ部品等、極小の
電子部品についてはリワーク時やリペア時において吸着
パット等で取扱い難い。これに対し、本例のリフローノ
ズルでは「浮上分離」や「重力落下分離」、吸着パット
等の機械的な手段を必要としない分離方式を採用でき、
極小の電子部品に対するリワークやリペアを効率よくか
く確実に行うことができる。

【００４８】特に、半田付け作業のパラメータ（窒素ガ
スの流量、圧力、温度）をマイクロコンピュータ等で制
御するようにすると、アタッチメントカバーを電子部品
の形状に合わせて作成し、制御ソフトを準備することに
より、自動化や省力化を実現した全く新しい半田付け方
式が構築できる。

【００４９】図４及び図５は第２の実施形態を示し、図
において図１ないし図３と同一符号は同一又は相当部分
を示す。本例では内側アタッチメントカバー２０の内ケ
ース部１４の四角形の各側面の上端部側に、幅方向に延
びる長穴（第２の供給口部）２３・・・が形成される一
方、内ケース部１４内には仕切壁２４が設けられ、該仕
切壁２４には多数の穴が穿設され、又仕切壁２４の上方
にはオリフィス１３・・・から供給された不活性ガスを
受けてその衝撃を緩和する衝撃緩和材２５が設けられて
いる。

【００５０】さらに、内側アタッチメントカバー２０及
び内ケース部１４内は仕切壁（図示せず）によって四角
形の対角線を通る面で４つに仕切られ、内ケース部１４
と外側アタッチメントカバー１８の外ケース部１５との
間も仕切壁（図示せず）によって四角形の対角線を通る
面で４つに仕切られている。

【００５１】本例のリフローノズルにおいて、セラミッ
クヒータ１２に通電を行って発熱させるとともに、セラ
ミックヒータ１２内に所定圧力の窒素ガスＧを供給する
と、窒素ガスＧはセラミックヒータ１２によって所定の
温度に加熱されてノズル１０の噴出口１９からＰＣ板４
０上のＣＳＰ部品３０に向けて噴出される。

【００５２】他方、セラミックヒータ１２を流通してき
た高温窒素ガスＧの一部はオリフィス１３・・・から内
側アタッチメントカバー２０内に供給され、衝撃緩和材
２５で供給の衝撃を緩和された後、その一部は仕切壁２
４の多数の穴を介してＰＣ板４０上のＣＳＰ部品３０に
向けて供給され、ＣＳＰ部品３０に当たり、ＣＳＰ部品
３０の上面に沿って周囲に移動し、ノズル１０の噴出口
１９から噴出された高温窒素ガスＧとともにＣＳＰ部品
３０の下側に廻り込む。

【００５３】同時に、内側アタッチメントカバー２０内
に供給されて衝撃を緩和された高温窒素ガスＧの一部は
長穴２３を介して内外ケース部１４、１５間に供給さ
れ、内ケース部１４とＰＣ板４０との間を介してＣＳＰ
部品３０の下側に廻り込むが、内外ケース部１４、１５
の間が仕切壁によって仕切られているので、ＣＳＰ部品
３０の下側には均等に高温窒素ガスＧが廻り込むことと
なる。

【００５４】ＣＳＰ部品３０廻りの雰囲気圧力が所定の
圧力以上になると、高温窒素ガスＧの一部はガス排出口
１７から系外に排出される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るリフローノズルの好ましい実施
形態を示す断面構成図である。

【図２】上記実施形態における作用を説明するための
図である。

【図３】上記実施形態における作用を説明するための
図である。

【図４】本発明に係るリフローノズルの第２の実施形
態を示す断面構成図である。

【図５】上記実施形態における作用を説明するための
図である。

【符号の説明】

１０ノズル１１筒状部分（ノズル基部）１２セラミックヒータ（加熱手段）１３オリフィス（供給口部）１４内カバー１５外カバー１６シール材１７ガス排出口１８外側アタッチメントカバー２０内側アタッチメントカバー２３長穴（第２の供給口部）３０ＣＳＰ部品（ワーク）３１半田バンプ４０ＰＣ板（基板）４１パット

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】不活性ガスを用いて半田を溶融して基板
上のワークを半田付けし又は基板からワークを取り外す
際に用いるリフローノズルであって、先端側に不活性ガスの噴出口が形成されたノズルと、該ノズルの外側を覆って設けられ、先端周縁が上記基板
と密着されて上記ワークの周囲に不活性ガス雰囲気を形
成し、上記半田を溶融し得る温度及び上記ワークを基板
から浮上させ得る圧力の不活性ガスを上記ワークと基板
との間に廻り込ませるカバーと、該カバーに設けられ、雰囲気を構成する不活性ガスの一
部を系外に排出するガス排出口と、上記ノズルから噴出される不活性ガスを所望の温度に加
熱する加熱手段とを備えたことを特徴とするリフローノ
ズル。
【請求項２】不活性ガスを用いて半田を溶融して基板
上のワークを半田付けし又は基板からワークを取り外す
際に用いるリフローノズルであって、先端側に不活性ガスの噴出口が形成されたノズルと、該ノズルの外側を覆って設けられ、先端周縁が上記基板
と密着されて上記ワークの周囲に不活性ガス雰囲気を形
成し、上記ワークを基板から浮上させ得る圧力の不活性
ガスを上記ワークと基板との間に廻り込ませるカバー
と、該カバーに設けられ、雰囲気を構成する不活性ガスの一
部を系外に排出するガス排出口とを備えたことを特徴と
するリフローノズル。
【請求項３】加熱された不活性ガスを上記カバー内に
供給する供給口部を更に備えた請求項１又は２記載のリ
フローノズル。
【請求項４】上記供給口部が、上記ノズルの基部に形
成され、上記ノズルに供給される不活性ガスの一部を上
記カバーとノズルとの間を介して上記ノズルの周囲に噴
出するオリフィスである請求項４記載のリフローノズ
ル。
【請求項５】上記カバーが、上記ノズルの外側を所定
の隙間をあけて覆い、上記供給口部から供給される不活
性ガスをワークと基板との間に廻り込ませるとともに上
記ワークの周囲に不活性ガス雰囲気を形成する内側カバ
ーと、該内側カバーの外側を所定の隙間をあけて覆いか
つ上記内側カバーの先端周縁と上記基板との間に所定の
隙間が形成されるように設けられ、その先端周縁が上記
基板と密着されて上記内側カバー内の不活性ガス雰囲気
を維持する外側カバーとから構成される一方、上記ガス排出口が上記内側カバーと外側カバーとの間に
設けられている請求項３又は４記載のリフローノズル。
【請求項６】上記カバーが、上記ノズルの外側を所定
の隙間をあけて覆い、上記供給口部から供給される不活
性ガスをワークと基板との間に廻り込ませるとともに上
記ワークの周囲に不活性ガス雰囲気を形成する一方、上
記供給口部から供給される不活性ガスの一部を分岐して
外側に供給する第２の供給口部を有する内側カバーと、
該内側カバーの外側を所定の隙間をあけて覆いかつ上記
内側カバーの先端周縁と上記基板との間に所定の隙間が
形成されるように設けられ、その先端周縁が上記基板と
密着され、上記第２の供給口部から供給される不活性ガ
スを上記内側カバーの先端周縁と基板との間を介してワ
ークと基板との間に廻り込ませるとともに上記内側カバ
ー内の不活性ガス雰囲気を維持する外側カバーとから構
成される一方、上記ガス排出口が上記内側カバーと外側カバーとの間に
設けられている請求項３又は４記載のリフローノズル。
【請求項７】上記カバーが、上記ノズルの外側を所定
の隙間をあけて覆い、上記ワークの周囲に不活性ガス雰
囲気を形成する一方、上記供給口部から供給される不活
性ガスの一部を分岐して外側に供給する第２の供給口部
を有する内側カバーと、該内側カバーの外側を所定の隙
間をあけて覆いかつ上記内側カバーの先端周縁と上記基
板との間に所定の隙間が形成されるように設けられ、そ
の先端周縁が上記基板と密着され、上記第２の供給口部
から供給される不活性ガスを上記内側カバーの先端周縁
と基板との間を介してワークと基板との間に廻り込ませ
るとともに上記内側カバー内の不活性ガス雰囲気を維持
する外側カバーとから構成される一方、上記ガス排出口が上記内側カバーと外側カバーとの間に
設けられている請求項３又は４記載のリフローノズル。
【請求項８】上記第２の供給口部からの不活性ガスが
上記ワークに対して均等に供給されるように上記内側カ
バー内及び外側カバーと内側カバーとの間が複数に仕切
られている請求項６又は７記載のリフローノズル。
【請求項９】上記外側カバーはガス排出口部よりも後
方部分が上記ノズルの基部との間に隙間をあけて覆った
形状をなし、排出された不活性ガスにてノズル基部を保
温するようになした請求項４ないし６のいずれかに記載
のリフローノズル。