JP2001196345A - Substrate guide device and cleaning equipment using it - Google Patents

Substrate guide device and cleaning equipment using it

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JP2001196345A
JP2001196345A JP2000004936A JP2000004936A JP2001196345A JP 2001196345 A JP2001196345 A JP 2001196345A JP 2000004936 A JP2000004936 A JP 2000004936A JP 2000004936 A JP2000004936 A JP 2000004936A JP 2001196345 A JP2001196345 A JP 2001196345A
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guide device
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Nobuaki Haga
宣明 芳賀
Kenichi Mimori
健一 三森
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Alps Alpine Co Ltd
Daiichi Institution Industry Co Ltd
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Alps Electric Co Ltd
Daiichi Institution Industry Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate guide device which can support a substrate by preventing the occurrence of contact contamination, can improve the setting accuracy of the positions and states of nozzles for cleaning, etc., and a substrate and the treating efficiency of cleaning, etc., can be simplified in constitution, and can be reduced in manufacturing cost. SOLUTION: The substrate guide device is provided with a pair of fluid blowing-out nozzles which are arranged in such a way that their supply openings 202a and 202b are faced oppositely to each with a gap in between and a fluid supplying means which supplies a fluid to the nozzles 201a and 201b. The guide device controls the relative distances between the substrate 10 inserted into the gap between the ports 202a and 202b and the nozzles 201a and 201b by blowing out the fluid from the openings 202a and 202b of the nozzles into the gap.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板ガイド装置な
らびにこれを用いた洗浄装置に係り、特に、半導体デバ
イス、液晶表示パネル等の製造工程における洗浄処理に
用いて好適な技術に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate guide apparatus and a cleaning apparatus using the same, and more particularly to a technique suitable for use in a cleaning process in a manufacturing process of a semiconductor device, a liquid crystal display panel, and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体デバイス、液晶表示パネル等の電
子機器の分野においては、その製造プロセス中に被処理
基板である半導体基板やガラス基板を洗浄処理する工程
が必須である。このような洗浄処理としては、基板表面
に付着している有機物を除去する工程が必要である。そ
の場合、例えば、種々の洗浄液を基板に接触させて洗浄
するウエット処理と、紫外線(UV)を放射するドライ
処理とが選択可能であった。
2. Description of the Related Art In the field of electronic devices such as semiconductor devices and liquid crystal display panels, a process of cleaning a semiconductor substrate or a glass substrate, which is a substrate to be processed, is essential during the manufacturing process. Such a cleaning process requires a step of removing organic substances attached to the substrate surface. In that case, for example, a wet process in which various cleaning liquids are brought into contact with the substrate for cleaning, and a dry process in which ultraviolet rays (UV) are emitted can be selected.

【0003】ウエット処理においては、製造工程中の種
々の除去対象物質を除去すべく、超純水、電解イオン
水、オゾン水、水素水等、種々の洗浄液を用いた洗浄が
おこなわれるが、これら洗浄液は洗浄装置の洗浄ノズル
から基板上に供給される。ところが、従来一般の洗浄用
ノズルを用いた場合、洗浄液の使用量が多くなるという
問題があった。そこで、本出願人は、従来型に比べて洗
浄液の使用量を大幅に削減できる省液型の洗浄用ノズル
を既に出願している。この種の洗浄用ノズルの一例を図
13(a)および(b)に示す。図13(a)は洗浄用
ノズルの下面図、図13(b)は図13(a)のXIII−
XIII線に沿う側断面図である。これらの図に示すよう
に、洗浄用ノズル100は、一端に洗浄液Lを導入する
ための導入口101aを有する導入通路101と、一端
に使用後の洗浄液Lを系外に排出するための排出口10
2aを有する排出通路102とが設けられ、導入通路1
01と排出通路102とをそれぞれの他端において交差
させて交差部103が形成され、交差部103に基板W
に向けて開口する開口部104が設けられたものであ
る。また、排出通路102の排出口102aには減圧ポ
ンプ(図示略)が接続されており、減圧ポンプの吸引圧
力を制御することにより、開口部104の大気と接触し
ている洗浄液Lの圧力(洗浄液Lの表面張力と基板Wの
被洗浄面の表面張力も含む)と大気圧との差を制御でき
るようになっている。
In the wet treatment, various cleaning liquids such as ultrapure water, electrolytic ionic water, ozone water and hydrogen water are used to remove various substances to be removed during the manufacturing process. The cleaning liquid is supplied onto the substrate from the cleaning nozzle of the cleaning device. However, when a conventional general cleaning nozzle is used, there is a problem that the amount of the cleaning liquid used increases. Therefore, the present applicant has already filed an application for a liquid-saving cleaning nozzle that can greatly reduce the amount of cleaning liquid used compared to the conventional type. One example of this type of cleaning nozzle is shown in FIGS. FIG. 13A is a bottom view of the cleaning nozzle, and FIG.
FIG. 3 is a side sectional view taken along line XIII. As shown in these drawings, the cleaning nozzle 100 has an introduction passage 101 having an introduction port 101a for introducing the cleaning liquid L at one end, and an outlet for discharging the used cleaning liquid L to the outside of the system at one end. 10
2a is provided, and the introduction passage 1 is provided.
01 and the discharge passage 102 at the other end thereof to form an intersection 103, and the intersection W
An opening 104 is provided to open toward the camera. A pressure reducing pump (not shown) is connected to the discharge port 102 a of the discharge passage 102, and by controlling the suction pressure of the pressure reducing pump, the pressure of the cleaning liquid L in contact with the atmosphere of the opening 104 (the cleaning liquid L) is controlled. L (including the surface tension of the surface to be cleaned of the substrate W) and the atmospheric pressure.

【0004】すなわち、開口部104の大気と接触して
いる洗浄液Lの圧力Pw(洗浄液の表面張力と基板Wの
被洗浄面の表面張力も含む)と大気圧Paとの関係をPw
≒P aとすることにより、開口部104を通じて基板W
に供給され、基板Wに接触した洗浄液Lは、洗浄用ノズ
ル100の外部に漏れることなく、排出通路102に排
出される。このため、洗浄用ノズル100から基板W上
に供給された洗浄液Lは、基板W上の洗浄液Lを供給し
た部分(開口部104)以外の部分に接触することな
く、基板W上から除去されることになる。このようにし
て、本提案の洗浄用ノズルは、従来型ノズルに比べて洗
浄液の使用量を大幅に削減することができる。また、こ
れらの洗浄液を供給した状態で、洗浄ノズルに設けられ
た超音波振動子により超音波振動を付与して超音波洗浄
をおこなうこともあった。
[0004] That is, in contact with the atmosphere of the opening 104
Pressure P of the cleaning liquid Lw(Surface tension of cleaning liquid and substrate W
(Including the surface tension of the surface to be cleaned) and the atmospheric pressure PaThe relationship with Pw
≒ P aBy doing so, the substrate W
Is supplied to the substrate W and comes into contact with the substrate W.
Discharge to the discharge passage 102 without leaking to the outside of the
Will be issued. Therefore, the cleaning nozzle 100
The cleaning liquid L supplied to the substrate W supplies the cleaning liquid L on the substrate W.
Do not touch any part other than the part (opening 104)
That is, it is removed from the substrate W. Like this
Therefore, the proposed cleaning nozzle is more clean than the conventional nozzle.
The use amount of the purified liquid can be greatly reduced. Also,
These cleaning liquids are supplied to the cleaning nozzle
Ultrasonic vibration by applying ultrasonic vibration with the ultrasonic transducer
Was sometimes performed.

【0005】一方、ドライ処理においては、洗浄ノズル
の紫外線光源から放射された紫外線を基板等に照射して
有機物等を分解除去し、基板表面の洗浄をおこなってい
た。
[0005] On the other hand, in the dry process, ultraviolet rays emitted from an ultraviolet light source of a cleaning nozzle are irradiated on a substrate or the like to decompose and remove organic substances and the like, thereby cleaning the substrate surface.

【0006】さらに、ウエット処理後の基板を次工程に
流す前に基板の乾燥が必要である場合があるが、この場
合、例えば任意の乾燥用気体、例えばエアーの供給源に
接続された乾燥用ノズル、いわゆるエアーナイフと呼ば
れるノズルを有する乾燥装置を用い、ノズル先端のスリ
ットから基板に向けてエアーを吹き付けることにより基
板の乾燥をおこなっていた。このような、基板等の乾燥
処理においては、乾燥ノズルから噴出するエアーの量を
少なくするため、また、被処理物(基板)表面に残る気
液混合物の量を少なくするため、一つのノズル内におい
て、乾燥用気体供給部から乾燥用気体を噴射したら、そ
の直近で気液混合物を気液混合物排出部から直ちに排出
する構成のものが存在している。上記のような洗浄処理
以外にも、各処理用ノズルと基板とを相対移動させるこ
とによりおこなう、様々な基板等の表面処理が存在して
いる。
In some cases, it is necessary to dry the substrate before flowing the substrate after the wet processing to the next step. In this case, for example, an arbitrary drying gas, for example, a drying gas connected to a supply source of air is used. A substrate was dried by using a drying apparatus having a nozzle, a so-called air knife, and blowing air toward the substrate from a slit at the tip of the nozzle. In such a drying process of a substrate or the like, in order to reduce the amount of air ejected from the drying nozzle and to reduce the amount of the gas-liquid mixture remaining on the surface of the object (substrate) to be processed, one nozzle is used. There is a configuration in which the gas-liquid mixture is immediately discharged from the gas-liquid mixture discharge unit immediately after the drying gas is injected from the gas supply unit for drying. In addition to the above-described cleaning processing, there are various surface treatments of substrates and the like performed by relatively moving each processing nozzle and the substrate.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上記のようなウエット
処理に用いられる省液型の洗浄用ノズルにおいては、使
用する洗浄液の量を削減するために、基板と洗浄ノズル
との距離を小さくしたいという要求があった。また、超
音波振動子による超音波洗浄における洗浄効率低下を防
止するために、基板と洗浄ノズルとの距離を小さくした
いという要求があった。また、前述のようなUV照射に
よるドライ処理においても、基板表面における紫外線の
照度低下を防止し、有機物等の分解洗浄効率を維持する
ために、紫外線洗浄用ノズルと基板との距離を小さくし
たいという要求が存在していた。さらに、乾燥ノズルか
ら噴出するエアーの量を少なくするため、また、被処理
物(基板)表面に残る気液混合物の量を少なくするた
め、乾燥ノズルと基板との距離を小さくしたいという要
求があった。同様に、各処理用ノズルと基板とを相対移
動させることによりおこなう、様々な基板等の表面処理
の場合にも、処理効率の向上などのため、ノズルと基板
との距離を小さくしたいという要求は存在していた。
In the liquid-saving type cleaning nozzle used for the wet processing as described above, it is desired to reduce the distance between the substrate and the cleaning nozzle in order to reduce the amount of the cleaning liquid to be used. There was a request. In addition, there has been a demand for reducing the distance between the substrate and the cleaning nozzle in order to prevent a reduction in cleaning efficiency in ultrasonic cleaning using an ultrasonic vibrator. Also, in the dry treatment by UV irradiation as described above, it is desired to reduce the distance between the UV cleaning nozzle and the substrate in order to prevent a decrease in the illuminance of ultraviolet light on the substrate surface and maintain the efficiency of decomposing and cleaning organic substances and the like. Request existed. Further, there is a demand for reducing the distance between the drying nozzle and the substrate in order to reduce the amount of air ejected from the drying nozzle and to reduce the amount of the gas-liquid mixture remaining on the surface of the workpiece (substrate). Was. Similarly, in the case of surface treatment of various substrates and the like performed by relatively moving each processing nozzle and the substrate, there is a demand for reducing the distance between the nozzles and the substrate in order to improve processing efficiency. Existed.

【0008】ここで、例えば数百mm角の基板を処理す
る場合には、ガラス等からなる基板に、そり、うねり等
の変形を生じる可能性がある。さらに、この基板のそ
り、うねり等の変形は、基板のサイズが大きくなり、1
000mm角程度になった場合には、基板の面法線方向
に対して2mm〜3mm程度になることが予想されてい
る。また、基板表面に各種膜を成膜した後は、一般にそ
り量がさらに大きくなる。このため、各ノズルと基板表
面との間隔が1mm〜1.5mm程度であると、基板が
ノズルに接触する可能性が生じ、これを防止するため
に、ノズルと基板表面との間隔をこの1mm〜1.5m
m程度に比べ充分大きく設定する必要がある。その結
果、基板表面における洗浄効率等が低下し、充分な効果
を得ることができない可能性があるという問題があっ
た。さらに、距離を大きく設定した場合、短い処理時間
では、充分な洗浄効果を得ることができなくなる可能性
があるという問題があった。
Here, for example, when processing a substrate having a size of several hundred mm square, there is a possibility that a substrate made of glass or the like may be deformed such as warp or undulation. Further, the deformation of the substrate, such as warpage or undulation, increases the size of the substrate, and
When it is about 000 mm square, it is expected that it will be about 2 mm to 3 mm with respect to the normal direction of the surface of the substrate. Further, after various films are formed on the substrate surface, the amount of warpage generally increases further. For this reason, if the distance between each nozzle and the substrate surface is about 1 mm to 1.5 mm, there is a possibility that the substrate contacts the nozzle, and in order to prevent this, the distance between the nozzle and the substrate surface is set to this 1 mm. ~ 1.5m
It is necessary to set it sufficiently larger than about m. As a result, there has been a problem in that the cleaning efficiency and the like on the substrate surface are reduced, and a sufficient effect may not be obtained. Furthermore, when the distance is set large, there is a problem that a short cleaning time may not be able to obtain a sufficient cleaning effect.

【0009】さらに、連設されたローラーコンベア等に
より基板全面を接触支持しながらノズルと基板とを相対
移動させて洗浄等の処理をおこなった場合には、支持部
分に接触した基板表面が汚染されてしまう可能性があ
り、接触部の面積を小さくする必要があった。また、こ
の汚染を防止するために基板面の端部など一部分のみを
支持した場合には、基板全体のそり、うねり、たわみ等
の変形が大きくなり、洗浄等の処理効率が低下する可能
性があり、実用的でないという問題があった。また、装
置のコンパクト化、および、製造コストやランニングコ
ストの低減化という要求は、常に存在している。
Further, when a process such as cleaning is performed by relatively moving the nozzle and the substrate while contacting and supporting the entire surface of the substrate by a roller conveyor or the like provided continuously, the surface of the substrate in contact with the supporting portion is contaminated. Therefore, it is necessary to reduce the area of the contact portion. In addition, if only a part of the substrate surface, such as an edge, is supported to prevent this contamination, deformation of the entire substrate, such as warpage, undulation, and bending, may increase, and the processing efficiency such as cleaning may decrease. There was a problem that it was not practical. Further, there is always a demand for downsizing of the apparatus and reduction of manufacturing costs and running costs.

【0010】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
ので、以下の目的を達成しようとするものである。 洗浄等の処理時に、基板等の被処理物におけるそ
り、うねり等の変形の矯正を図ること。 洗浄等の処理用ノズルと基板との位置状態設定の正
確性の向上を図ること。 洗浄等の処理効率の向上を図ること。 接触汚染を極小にして基板の支持を図ること。 装置構成の簡略化と、製造コストの削減とを図るこ
と。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and aims to achieve the following objects. At the time of processing such as cleaning, correction of deformation such as warpage or undulation of an object to be processed such as a substrate. An object of the present invention is to improve the accuracy of setting the positional state between a nozzle for processing such as cleaning and a substrate. Improve processing efficiency such as cleaning. Minimize contact contamination and support the substrate. To simplify the device configuration and reduce the manufacturing cost.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明の基板ガイド装置
は、互いに吹出口を対向させるとともに間隔を設けて配
置した一対の流体吹出ノズルと、該一対の流体吹出ノズ
ルのそれぞれに流体を供給する流体供給手段とを有し、
この流体を前記流体吹出ノズルの吹出口から前記間隙に
吹き出すことにより、該間隙に挿入される基板と前記流
体吹出ノズルとの相対距離を制御することにより上記課
題を解決した。本発明の基板ガイド装置においては、前
記吹出口が、多孔部材により形成されていることが望ま
しい。また、本発明の基板ガイド装置において、前記一
対の流体吹出ノズルが上下方向に間隔を設けて配置され
るとともに、この間隙に略水平状態に位置された基板が
挿入され、前記一対の流体吹出ノズルのうち前記基板の
上側に位置する流体吹出ノズルと前記基板表面との間隔
が、1mmないし10mmの範囲に設定される手段か、
前記一対の流体吹出ノズルのうち前記基板の下側に位置
する流体吹出ノズルと前記基板裏面との間隔が、0.1
mmないし10mmの範囲に設定される手段を採用する
こともできる。また、本発明の基板ガイド装置におい
て、前記吹出口から吹き出された流体を吸引排出する流
体吸引ノズルが、前記吹出口近傍に設けられることもで
きる。本発明の洗浄装置においては、上記基板ガイド装
置と、該基板ガイド装置の流体吹出ノズルとこの一対の
流体吹出ノズルの間隙に挿入された前記基板とを相対移
動させる相対移動手段と、この基板移動方向の前記流体
吹出ノズル下流側に設けられ前記基板を洗浄する洗浄ノ
ズルと、を具備することにより上記課題を解決した。ま
た、本発明の洗浄装置においては、上記基板ガイド装置
と、該基板ガイド装置の流体吹出ノズルとこの一対の流
体吹出ノズルの間隙に挿入された前記基板とを相対移動
させる相対移動手段と、この基板移動方向の前記流体吹
出ノズル上流側に設けられ前記基板を洗浄する洗浄ノズ
ルと、を具備することができる。
According to the present invention, there is provided a substrate guide apparatus comprising: a pair of fluid ejection nozzles having outlets opposed to each other and arranged at intervals; and supplying a fluid to each of the pair of fluid ejection nozzles. Fluid supply means,
This problem is solved by blowing out this fluid from the outlet of the fluid outlet nozzle into the gap to control the relative distance between the substrate inserted into the gap and the fluid outlet nozzle. In the substrate guide device of the present invention, it is preferable that the outlet is formed of a porous member. Further, in the substrate guide device of the present invention, the pair of fluid ejection nozzles are arranged at intervals in a vertical direction, and a substrate positioned substantially horizontally is inserted into the gap, and the pair of fluid ejection nozzles is provided. Means for setting a distance between the fluid blowing nozzle located above the substrate and the substrate surface in a range of 1 mm to 10 mm,
The interval between the fluid ejection nozzle located below the substrate and the back surface of the substrate among the pair of fluid ejection nozzles is 0.1.
Means set in the range of mm to 10 mm can also be employed. Further, in the substrate guide device of the present invention, a fluid suction nozzle for sucking and discharging the fluid blown out from the outlet may be provided near the outlet. In the cleaning apparatus of the present invention, the substrate guide device, a relative moving unit that relatively moves the fluid ejection nozzle of the substrate guide device and the substrate inserted into a gap between the pair of fluid ejection nozzles, And a cleaning nozzle for cleaning the substrate, the cleaning nozzle being provided on the downstream side of the fluid ejection nozzle in the direction. Further, in the cleaning apparatus of the present invention, the substrate guide device, a relative moving means for relatively moving the fluid ejection nozzle of the substrate guide device and the substrate inserted into a gap between the pair of fluid ejection nozzles, A cleaning nozzle provided on an upstream side of the fluid blowing nozzle in a substrate moving direction to clean the substrate.

【0012】本発明の基板ガイド装置は、一対の流体吹
出ノズル前記流体吹出ノズルの吹出口から、液体または
気体とされる流体を前記間隙に吹き出すことにより、該
間隙に挿入される基板と前記流体吹出ノズルとの相対距
離を制御した状態で基板を支持することができる。これ
により、基板に対して直接接触することなく基板の接触
汚染を防止した状態で基板を支持するとともに、基板面
法線方向における該基板の位置設定をおこなうことが可
能となり、基板におけるそり、ゆがみ等の変形を矯正し
た状態で、基板面方向への基板の移動を容易におこなう
ことが可能となる。
A substrate guide device according to the present invention is characterized in that a fluid, which is a liquid or a gas, is blown out from a pair of fluid blowout nozzles through a blowout opening of the fluid blowout nozzle into the gap, whereby the substrate inserted into the gap and the fluid are blown out. The substrate can be supported in a state where the relative distance to the blow nozzle is controlled. This makes it possible to support the substrate in a state where contact contamination of the substrate is prevented without directly contacting the substrate, and to set the position of the substrate in the normal direction of the substrate surface. The substrate can be easily moved in the direction of the substrate surface in a state where the deformation of the substrate is corrected.

【0013】本発明の基板ガイド装置は、多孔部材によ
り形成されている吹出口の表面から一様に流体を噴出す
ることができ、これにより、基板に対して面方向均一な
圧力を生じさせて、基板面法線方向に対する基板の位置
設定を所望の状態に設定することが可能となり、同時
に、基板の変形矯正をその面方向における所定の範囲に
亘っておこなうことが可能となる。また、基板幅方向に
延在するスリットから気体を吹き出すエアーナイフ状の
構成とすることも可能である。
The substrate guide device of the present invention can uniformly eject a fluid from the surface of the air outlet formed by the porous member, thereby generating a uniform pressure on the substrate in the surface direction. In addition, it is possible to set the position of the substrate with respect to the normal direction of the substrate surface to a desired state, and at the same time, it is possible to correct the deformation of the substrate over a predetermined range in the surface direction. It is also possible to adopt an air knife-like configuration in which gas is blown from a slit extending in the substrate width direction.

【0014】また、本発明の基板ガイド装置において、
流体供給手段により流体吹出ノズルに供給される流体の
量を制御することにより、前記一対の流体吹出ノズルの
うち前記基板の上側に位置する流体吹出ノズルと前記基
板表面との間隔を、1mmないし10mmの範囲に設定
し、また、前記一対の流体吹出ノズルのうち前記基板の
下側に位置する流体吹出ノズルと前記基板裏面との間隔
を、0.1mmないし10mmの範囲に設定する。これ
により、基板面方向を略水平方向と一致させたこの基板
の上下方向位置の設定および上下方向形状の設定を可能
とすることができる。ここで、前記一対の流体吹出ノズ
ルのうち前記基板の上側に位置する流体吹出ノズルと前
記基板表面との間隔が、1mm未満に設定された場合に
は、基板と上側流体吹き出しノズルとが接触してしまう
可能性が生じてしまうとともに、流体の流れの制御が難
しく基板の変形矯正効果が低下し、結果として本基板ガ
イド装置を洗浄装置に適応した場合に洗浄効率が低下
し、好ましくない。また、この上側流体吹出ノズルと前
記基板表面との間隔が、10mmより大きく設定された
場合には、基板のそり、ゆがみ等の変形を矯正してこの
基板を所定の位置および形状に維持するために該基板に
向けて噴出する流体が大量に必要となり基板を汚染する
可能性が増大するという問題がある。また、このように
噴出する流体が不足した場合には、流体の圧力を基板面
方向に一様な状態として基板の位置設定をおこなうこと
が困難となり好ましくない。また、前記一対の流体吹出
ノズルのうち前記基板の下側に位置する流体吹出ノズル
と前記基板裏面との間隔は、基板がコロ等の保持体で保
持されているので、上側の流体吹出ノズルと基板表面と
の間隔より高い制御性で維持できる。この間隔が、0.
1mm未満に設定された場合には、流体の制御性が低
く、引いては間隔の制御性が低下し、基板と下側流体吹
き出しノズルとが接触してしまう可能性が生じてしま
い、好ましくない。また、この下側流体吹出ノズルと前
記基板表面との間隔が、10mmより大きく設定された
場合には、基板の変形を矯正するとともに基板を支持す
るために基板に対して噴出する流体が大量に必要とな
り、かつ、その量に見合った流体供給手段としての加圧
手段等を必要とするため、装置に必要な空間およびコス
トが増大してしまうという問題があり、また、流体の圧
力を基板面方向に一様な状態、少なくとも基板幅方向に
一様な状態として基板の上下方向の位置設定をおこなう
ことが困難となる。また、流体のミスト発生要因とな
り、好ましくない。
In the substrate guide device of the present invention,
By controlling the amount of fluid supplied to the fluid ejection nozzle by the fluid supply means, the distance between the fluid ejection nozzle located above the substrate and the substrate surface among the pair of fluid ejection nozzles is 1 mm to 10 mm. The distance between the fluid ejection nozzle located below the substrate and the back surface of the substrate is set in the range of 0.1 mm to 10 mm. This makes it possible to set the vertical position and the vertical shape of the substrate so that the substrate surface direction is substantially the same as the horizontal direction. Here, when the distance between the fluid ejection nozzle located above the substrate and the substrate surface of the pair of fluid ejection nozzles is set to less than 1 mm, the substrate and the upper fluid ejection nozzle come into contact with each other. In addition to this, it is difficult to control the flow of the fluid, and the effect of correcting the deformation of the substrate is reduced. As a result, when the substrate guide device is applied to a cleaning device, the cleaning efficiency is reduced, which is not preferable. Further, when the distance between the upper fluid ejection nozzle and the substrate surface is set to be larger than 10 mm, in order to correct deformation such as warpage and distortion of the substrate and maintain the substrate at a predetermined position and shape. In addition, there is a problem that a large amount of fluid to be ejected toward the substrate is required, and the possibility of contaminating the substrate increases. In addition, when the amount of the fluid to be ejected is insufficient, it is difficult to set the position of the substrate while keeping the pressure of the fluid uniform in the substrate surface direction, which is not preferable. Further, the interval between the fluid ejection nozzle located on the lower side of the substrate and the back surface of the substrate among the pair of fluid ejection nozzles is such that the substrate is held by a holding member such as a roller. It can be maintained with higher controllability than the distance from the substrate surface. This interval is 0.
If the distance is set to less than 1 mm, the controllability of the fluid is low, and the controllability of the distance is reduced, and the possibility that the substrate and the lower fluid ejection nozzle come into contact occurs, which is not preferable. . Further, when the distance between the lower fluid ejection nozzle and the substrate surface is set to be larger than 10 mm, a large amount of fluid is ejected to the substrate to correct the deformation of the substrate and to support the substrate. This requires a pressurizing means or the like as a fluid supply means corresponding to the amount thereof, which causes a problem that the space and cost required for the apparatus increase, and that the pressure of the fluid is reduced on the substrate surface. It is difficult to set the position of the substrate in the vertical direction as a state uniform in the direction, at least a state uniform in the substrate width direction. Moreover, it becomes a factor of generating mist of the fluid, which is not preferable.

【0015】また、本発明の基板ガイド装置において、
前記吹出口から吹き出された流体を、前記吹出口近傍に
設けられる流体吸引ノズルから吸引排出することによ
り、基板にかかる流体の圧力の制御をより容易におこな
うことが可能になるとともに、基板状態に応じて選択さ
れる、空気、オゾン、水素等のガス、および、これらを
含んだ液体等とされる流体を回収することができる。ま
た、これにより、ランニングコストの削減を図ることが
できるとともに、本発明の基板ガイド装置を洗浄処理等
の処理用ノズルと共通の構成とすることが可能となり、
基板ガイド装置をこれら処理用ノズルと別構成として設
けた場合に比べ、装置の製造コスト、スペース等の低減
が可能となる。
Further, in the substrate guide device of the present invention,
By suctioning and discharging the fluid blown out from the outlet from a fluid suction nozzle provided near the outlet, it is possible to more easily control the pressure of the fluid applied to the substrate, and to change the state of the substrate. Gases such as air, ozone, hydrogen, and the like, and fluids containing these, such as liquids, can be recovered. In addition, thereby, it is possible to reduce the running cost, and it is possible to make the substrate guide device of the present invention a common configuration with a processing nozzle for a cleaning process or the like,
Compared with the case where the substrate guide device is provided separately from these processing nozzles, the manufacturing cost and space of the device can be reduced.

【0016】さらに、本発明の基板ガイド装置におい
て、互いに対向する吹出口の間隔を、基板の移動方向下
流側に対して上流側を大きく設定することが可能であ
る。これにより、基板ガイド装置の対向する吹出口の間
に相対移動する基板先端が位置した際に、基板のそり、
ゆがみ等の変形が発生していたとしても、基板ガイド装
置には接触することなく基板が相対移動続けることがで
きる。そして、基板は相対移動するにしたがい、この基
板のそり、ゆがみ等の変形をしだいに矯正しながら基板
ガイド装置吹出口下流側に相対移動してゆき、基板が基
板ガイド装置吹出口下流側に位置した際に、基板の変形
が最も矯正された状態で基板ガイド装置からさらに下流
側に相対移動することができる。これにより、そり、ゆ
がみ等の変形が大きな基板であっても、基板ガイド装置
に接触することなく、その変形を矯正することができ
る。また、本発明の基板ガイド装置において、流体吹出
ノズルおよび流体吸引ノズルが基板相対移動方向に並設
された場合には、それらの対向するノズルどうしの間隔
において、その上流側の間隔を下流側の間隔に対して大
きく設定することにより、上記と同様の作用効果を得る
ことができる。
Further, in the substrate guide device of the present invention, the interval between the outlets facing each other can be set to be larger on the upstream side than on the downstream side in the moving direction of the substrate. Thus, when the front end of the substrate relatively moving between the opposed outlets of the substrate guide device is located, the warpage of the substrate,
Even if deformation such as distortion occurs, the substrate can continue to relatively move without contacting the substrate guide device. As the substrate relatively moves, the substrate relatively moves to the downstream side of the substrate guide device outlet while gradually correcting the deformation such as warpage and distortion of the substrate, and the substrate is positioned downstream of the substrate guide device outlet. In this case, the substrate can be relatively moved further downstream from the substrate guide device in a state where the deformation of the substrate is most corrected. Thereby, even if the substrate has a large deformation such as warpage or distortion, the deformation can be corrected without contacting the substrate guide device. Further, in the substrate guide device of the present invention, when the fluid blowing nozzle and the fluid suction nozzle are arranged side by side in the direction of relative movement of the substrate, the interval between the nozzles facing each other is changed to the interval between the upstream side and the downstream side. By setting the distance to be large, the same operation and effect as described above can be obtained.

【0017】本発明の洗浄装置においては、上記基板ガ
イド装置により基板を支持し、基板のそり、ゆがみ等の
変形を矯正して、かつ、その基板面法線方向位置を設定
した状態で、相対移動手段により基板と洗浄ノズルとを
相対移動させることで、基板ガイド装置下流側に位置す
る洗浄ノズルにおいてこの基板を洗浄することができ
る。このため、洗浄ノズルと、基板とが接触する可能性
を低減することが可能となるとともに、同時に、洗浄ノ
ズルと基板表面との間隔を制御することが可能となるた
め、洗浄ノズルと基板表面との距離に依存する洗浄処理
の効率が低減することを防止することができる。さら
に、洗浄ノズルにおける洗浄処理に対応して、基板ガイ
ド装置から噴出する流体の種類および状態を選択するこ
とが可能であり、洗浄処理に対する前処理を基板ガイド
装置から基板に噴出する流体により、選択しておこなう
ことが可能となる。例えば、基板ガイド装置における前
処理としては、洗浄ノズルにおける洗浄処理の種類によ
って、オゾン水を流体として利用した有機物の分解、上
流側における処理で付着した液体等のリンス、2種類以
上の洗浄液間の相互コンタミネーションの防止、エアー
吹き付けによる基板上の洗浄液の少量化、エアー吹き付
けによる乾燥等を選択することが可能である。また、基
板の変形矯正に対しては、基板ガイド装置において噴出
する流体として気体を選択することにより最もその効果
を高くすることができる。
In the cleaning apparatus of the present invention, the substrate is supported by the substrate guide device, the substrate is corrected for deformation such as warpage and distortion, and the relative position of the substrate is set in the normal direction of the substrate surface. By relatively moving the substrate and the cleaning nozzle by the moving means, the substrate can be cleaned by the cleaning nozzle located on the downstream side of the substrate guide device. For this reason, it is possible to reduce the possibility that the cleaning nozzle contacts the substrate, and at the same time, it is possible to control the distance between the cleaning nozzle and the substrate surface. Can be prevented from being reduced depending on the distance of the cleaning process. Further, it is possible to select the type and state of the fluid ejected from the substrate guide device in accordance with the washing process in the washing nozzle, and select the pretreatment for the washing process by the fluid ejected from the substrate guide device to the substrate. It is possible to do it. For example, as the pre-processing in the substrate guide device, depending on the type of cleaning processing in the cleaning nozzle, decomposition of organic substances using ozone water as a fluid, rinsing of liquid or the like attached in the processing on the upstream side, between two or more cleaning liquids It is possible to select prevention of mutual contamination, reduction of the amount of cleaning liquid on the substrate by air blowing, drying by air blowing, and the like. In addition, the effect of correcting the deformation of the substrate can be maximized by selecting a gas as the fluid to be ejected in the substrate guide device.

【0018】本発明の洗浄装置においては、相対移動手
段により基板と洗浄ノズルとを相対移動させることで、
基板ガイド装置上流側に位置する洗浄ノズルにおいてこ
の基板を洗浄する際に、上記基板ガイド装置により基板
を支持し、基板のそり、ゆがみ等の変形を矯正して、か
つ、その基板面法線方向位置を設定することができる。
このため、洗浄ノズルと、基板とが接触する可能性を低
減することが可能となるとともに、同時に、洗浄ノズル
と基板表面との間隔を制御することが可能となるため、
洗浄ノズルと基板表面との距離に依存する洗浄処理の効
率が低減することを防止することができる。さらに、洗
浄ノズルにおける洗浄処理に対応して、基板ガイド装置
から噴出する流体の種類および状態を選択することが可
能であり、洗浄処理に対する後処理を基板ガイド装置か
ら基板に噴出する流体により、選択しておこなうことが
可能となる。例えば、基板ガイド装置における後処理と
しては、洗浄ノズルにおける洗浄処理の種類によって、
洗浄処理で付着した液体等のリンス、2種類以上の洗浄
液間の相互コンタミネーションの防止、エアー吹き付け
による基板上の洗浄液の少量化、エアー吹き付けによる
乾燥等を選択することが可能である。また、基板の変形
矯正に対しては、基板ガイド装置において噴出する流体
として気体を選択することにより最もその効果を高くす
ることができる。
In the cleaning apparatus of the present invention, the substrate and the cleaning nozzle are relatively moved by the relative moving means,
When cleaning the substrate with the cleaning nozzle located on the upstream side of the substrate guide device, the substrate is supported by the substrate guide device, and the substrate is corrected for deformation such as warpage and distortion, and in the normal direction of the substrate surface. The position can be set.
Therefore, it is possible to reduce the possibility that the cleaning nozzle contacts the substrate, and at the same time, it is possible to control the distance between the cleaning nozzle and the substrate surface.
It is possible to prevent the efficiency of the cleaning process depending on the distance between the cleaning nozzle and the substrate surface from being reduced. Further, it is possible to select the type and state of the fluid ejected from the substrate guide device in accordance with the washing process in the washing nozzle, and to select post-processing for the washing process by the fluid ejected from the substrate guide device to the substrate. It is possible to do it. For example, as post-processing in the substrate guide device, depending on the type of cleaning processing in the cleaning nozzle,
It is possible to select rinsing of liquid or the like adhered in the cleaning process, prevention of mutual contamination between two or more types of cleaning liquids, reduction of the amount of cleaning liquid on the substrate by air blowing, and drying by air blowing. In addition, the effect of correcting the deformation of the substrate can be maximized by selecting a gas as the fluid to be ejected in the substrate guide device.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】[第1の実施の形態]以下、本発
明に係る基板ガイド装置の第1の実施の形態を、図面に
基づいて説明する。図1は本実施の形態の基板ガイド装
置を示す斜視図、図2は図1のII−II線に沿う断面図で
ある。本実施の形態の基板ガイド装置は、例えば矩形の
ガラス基板(被処理物)を処理する際に用いられるもの
であり、図において、符号10は基板、201は基板ガ
イド装置である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [First Embodiment] A first embodiment of a substrate guide device according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing a substrate guide device of the present embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II of FIG. The substrate guide device of the present embodiment is used, for example, when processing a rectangular glass substrate (object to be processed). In the drawing, reference numeral 10 denotes a substrate, and 201 denotes a substrate guide device.

【0020】本実施の形態の基板ガイド装置201は、
図1,図2に示すように、ともに細長い箱状の一対のエ
アー吹出ノズル(流体吹出ノズル)201a,201b
が、互いにその吹出口202a,202bを対向させる
とともに、間隔を設けて上下方向に配置されている。エ
アー吹出ノズル201a,201bは、基板表面に向け
てエアー(乾燥用気体)を噴出する機能を有するもので
あり、その吹出口202a,202bからエアーを噴出
するための多数の貫通孔を有するものである。エアー吹
出ノズル201aの上側、および、エアー吹出ノズル2
01bの下側には、それぞれ2つの流体供給口203
a,203bが設けられている。エアー吹出ノズル20
1a,201bの使用時には、これら流体供給口203
a,203bに接続されたエアー供給手段(流体供給手
段)から、エアー(流体)が供給される。
The substrate guide device 201 according to the present embodiment
As shown in FIGS. 1 and 2, a pair of elongated box-shaped air ejection nozzles (fluid ejection nozzles) 201 a and 201 b are used.
However, the outlets 202a and 202b are opposed to each other, and are arranged in the vertical direction with an interval. The air blowing nozzles 201a and 201b have a function of blowing air (drying gas) toward the surface of the substrate, and have a large number of through holes for blowing air from the outlets 202a and 202b. is there. The upper side of the air blowing nozzle 201a and the air blowing nozzle 2
01b, two fluid supply ports 203 are provided respectively.
a and 203b are provided. Air blowing nozzle 20
1a and 201b, these fluid supply ports 203 are used.
Air (fluid) is supplied from the air supply means (fluid supply means) connected to a and 203b.

【0021】エアー吹出ノズル201a,201bは、
図1,図2に示すように、吹出口202a,202bの
開口した箱状のケーシング204a,204bの内部
に、多数の貫通孔を有する多孔質材205a,205b
が収容、固定されている。この多孔質材205a,20
5bは、使用時に基板10に対向するケーシング204
a,204bの吹出口202a,202b側面を覆うよ
うに収容・固定されるとともに、ケーシング204a,
204bの内部には、エアーを安定して吹出口202
a,202b面均一に噴出させるために、いわゆる畜圧
器となる空間部206a,206bが設けられ、この空
間部206a,206bに流体供給口203a,203
bが連通される。図において、空間部206a,206
bは、流体供給口203a,203b近傍のみにあり、
ケーシング204a,204b内部の大部分に多孔質材
205a,205bが収容されているが、空間部206
a,206bを、ケーシング204a,204b内部の
大きな部分を占有するように構成することも可能であ
り、この場合には、レギュレーターとしての空間部20
6a,206bにより、エアー(流体)の圧力を、より
一層吹出口202a,202bの面方向均一にすること
ができる。また、流体供給口203a,203bを多数
設けることも可能であり、この場合、吹出口202a,
202bの面方向において噴出するエアーを均等にする
ことができる。
The air blowing nozzles 201a and 201b are
As shown in FIGS. 1 and 2, porous materials 205 a and 205 b having a large number of through holes are provided inside box-shaped casings 204 a and 204 b having open outlets 202 a and 202 b.
Is housed and fixed. This porous material 205a, 20
5b is a casing 204 facing the substrate 10 during use.
a, 204b are housed and fixed so as to cover the side surfaces of the outlets 202a, 202b.
In the interior of 204b, air is stably blown out.
In order to uniformly eject the surfaces a and 202b, spaces 206a and 206b serving as a so-called compressor are provided, and fluid supply ports 203a and 203 are provided in the spaces 206a and 206b.
b is communicated. In the figure, spaces 206a, 206
b is only in the vicinity of the fluid supply ports 203a and 203b,
Porous materials 205a and 205b are accommodated in most of the interior of the casings 204a and 204b.
a, 206b may be configured to occupy a large portion inside the casings 204a, 204b. In this case, the space 20 as a regulator may be used.
6a and 206b, the pressure of the air (fluid) can be further uniformed in the plane direction of the outlets 202a and 202b. It is also possible to provide a large number of fluid supply ports 203a, 203b.
The air ejected in the plane direction of 202b can be equalized.

【0022】これら、エアー吹出ノズル201a,20
1bは、吹出口202a,202bーを形成する多孔質
材205a,205bの表面がそれぞれ、平行になるよ
うに位置されている。多孔質材205a,205bに
は、例えば金属、プラスティック、セラミック等が用い
られ、この多孔質材205a,205bの基板10に対
向する面、すなわち、吹出口202a,202bとなる
面は、表面粗さが小さく、うねりが小さいことが望まし
い。この流体供給口203a,203bには、流体供給
手段が接続されている。
These air blowing nozzles 201a, 201
1b is positioned such that the surfaces of the porous materials 205a and 205b forming the outlets 202a and 202b are parallel to each other. For example, metal, plastic, ceramic, or the like is used for the porous materials 205a and 205b, and the surfaces of the porous materials 205a and 205b facing the substrate 10, that is, the surfaces serving as the outlets 202a and 202b have surface roughness. It is desirable that the swell is small and the swell is small. Fluid supply means is connected to the fluid supply ports 203a and 203b.

【0023】エアー供給手段は、エアー吹出ノズル20
1a,201bにエアーを供給するためのエアー供給部
と、このエアー供給部から供給されるエアーの量を制御
する制御部とを有するものとされ、例えば圧縮空気とさ
れる気体(エアー)の圧力を、基板10の材質、縦横厚
みの大きさ寸法、重量等に対応して制御する。さらに詳
細には、流体供給部は、例えば300kPa程度の圧力
を生じることが可能な構成とされる。また、エアー供給
手段の制御部は、一対のエアー吹出ノズル201a,2
01bに供給するエアー(流体)の量を、基板10の上
側に位置するエアー吹出ノズル201aと前記基板10
表面との間隔L1 が、1mmないし10mmの範囲に設
定され、また、前記基板10の下側に位置するエアー吹
出ノズル201bと前記基板10裏面との間隔L2 が、
0.1mmないし10mmの範囲に設定されるように制
御する。これにより、基板10面方向を略水平方向とし
たこの基板10の上下方向位置の設定および上下方向形
状の設定を可能とする。
The air supply means includes an air blowing nozzle 20.
It has an air supply unit for supplying air to 1a and 201b, and a control unit for controlling the amount of air supplied from the air supply unit. For example, the pressure of gas (air) which is compressed air Is controlled in accordance with the material of the substrate 10, the size of the vertical and horizontal thickness, the weight, and the like. More specifically, the fluid supply unit is configured to generate a pressure of, for example, about 300 kPa. The control unit of the air supply means includes a pair of air blowing nozzles 201a, 201a.
The amount of air (fluid) to be supplied to the substrate 10 is controlled by the air blowing nozzle 201a located above the substrate 10 and the substrate 10
Distance L 1 between the surface, to not 1mm is set in a range of 10 mm, The distance L 2 between the substrate 10 backside the air blowing nozzle 201b positioned on the lower side of the substrate 10,
Control is performed so as to be set in the range of 0.1 mm to 10 mm. Thereby, it is possible to set the vertical position and the vertical shape of the substrate 10 with the surface direction of the substrate 10 being substantially horizontal.

【0024】ここで、前記一対のエアー吹出ノズル20
1a,201bのうち前記基板10の上側に位置するエ
アー吹出ノズル201aと前記基板10表面との間隔L
1 が、1mm未満に設定された場合には、基板10と上
側のエアー吹出ノズル201aとが接触してしまう可能
性が生じてしまうとともに、流体の流れの制御が難しく
基板の変形矯正効果が低下し、結果として本基板ガイド
装置を洗浄装置に適応した場合に洗浄効率が低下し、好
ましくない。また、この上側のエアー吹出ノズル201
aと前記基板10表面との間隔L1 が、10mmより大
きく設定された場合には、基板10のそり、ゆがみ等の
変形を矯正してこの基板10を所定の位置および形状に
維持するために該基板10に向けて噴出するエアー(流
体)が大量に必要となり基板10を汚染する可能性が増
大するとともにコストが増大するという問題がある。さ
らに、噴出するエアーが不足した場合には、エアーの圧
力を基板10面方向に一様な状態として基板10の位置
設定をおこなうことが困難となり、好ましくない。
Here, the pair of air blowing nozzles 20
1a and 201b, the distance L between the air blowing nozzle 201a located above the substrate 10 and the surface of the substrate 10
If 1 is set to less than 1 mm, there is a possibility that the substrate 10 may come into contact with the upper air blowing nozzle 201a, and it is difficult to control the flow of the fluid and the effect of correcting the deformation of the substrate is reduced. However, as a result, when the substrate guide device is applied to a cleaning device, the cleaning efficiency decreases, which is not preferable. Also, the upper air blowing nozzle 201
distance L 1 between a and the substrate 10 surface, if it is larger than 10mm, the warping of the substrate 10, and correct the deformation such as distortion in order to maintain the substrate 10 at a predetermined position and shape There is a problem that a large amount of air (fluid) ejected toward the substrate 10 is required, so that the possibility of contaminating the substrate 10 increases and the cost increases. Furthermore, when the amount of air to be blown out is insufficient, it is difficult to set the position of the substrate 10 while keeping the pressure of the air uniform in the surface direction of the substrate 10, which is not preferable.

【0025】また、基板10の下側に位置する流体吹出
ノズル201bと前記基板10表面との間隔L2 は、基
板が図示しないコロ等の保持体で保持されているので、
上側の流体吹出ノズルと基板表面との間隔より高い制御
性で維持できる。この間隔L 2 が、0.1mm未満に設
定された場合には、流体の制御性が低く、引いては間隔
の制御性が低下し、基板10と下側の流体吹き出しノズ
ル201bとが接触してしまう可能性が生じてしまい、
好ましくない。また、この下側のエアー吹出ノズル20
1bと前記基板10表面との間隔L2 が、10mmより
大きく設定された場合には、基板10の変形を矯正する
とともに基板10を支持するためにこの基板10に対し
て噴出するエアーが大量に必要となり、かつ、その量に
見合ったエアー供給手段としてのコンプレッサー等加圧
手段を必要とするため、基板ガイド装置201に必要な
空間およびコストが増大してしまうという問題があり、
また、エアーの圧力を基板10面方向に一様な状態、少
なくとも基板10幅方向(図において矢印Kと直交する
方向)に一様な状態として、基板10の上下方向の形
状、および、位置設定をおこなうことが困難となる。ま
た、流体のミスト発生要因となり、好ましくない。
A fluid blowout located below the substrate 10
The distance L between the nozzle 201b and the surface of the substrate 10Two Is the base
Since the plate is held by a holder such as a roller (not shown),
Control higher than the distance between the upper fluid ejection nozzle and the substrate surface
Sex can be maintained. This interval L Two Is set to less than 0.1 mm
If defined, fluid controllability is low and
Controllability is reduced, and the substrate 10 and the lower fluid blowing nozzle
The possibility of contact with the tool 201b.
Not preferred. In addition, the lower air blowing nozzle 20
1b and the distance L between the surface of the substrate 10Two But from 10mm
When set to a large value, the deformation of the substrate 10 is corrected.
Together with the substrate 10 to support the substrate 10
Requires a large amount of air to be blown out.
Pressurizing the compressor etc. as a suitable air supply means
Means for the substrate guide device 201
There is a problem that space and cost increase,
Further, the air pressure is kept uniform in the direction of the substrate 10 surface,
At least in the width direction of the substrate 10 (perpendicular to the arrow K in the figure)
Direction), the shape of the substrate 10 in the vertical direction
It is difficult to set the shape and position. Ma
Further, it becomes a factor of generating mist of the fluid, which is not preferable.

【0026】本実施形態の基板ガイド装置201は、図
1,図2に示すように、上下一対のエアー吹出ノズル2
01a,201bにおいて、エアー供給手段により供給
されたエアーを、それぞれ空間部206a,206bを
経由して多孔質材205a,205bの多数の貫通孔を
通して噴出させる(図2中にエアーの流れを実線の矢印
で示す)。この際、エアー供給手段によって、供給する
エアー(流体)の量が、エアー吹出ノズル201aと前
記基板10表面との間隔L1 を1mmないし10mmの
範囲に、また、エアー吹出ノズル201bと前記基板1
0裏面との間隔L2 を、0.1mmないし10mmの範
囲に、それぞれ設定する。このように制御されたエアー
の圧力により、エアー吹出ノズル201a,201bの
間に位置する基板10が、このエアー吹出ノズル201
a,201bに対する上下方向位置を規定されることに
なる。同時に、基板10の上下方向におけるそり、ゆが
み等の変形を矯正することができる。
As shown in FIGS. 1 and 2, the substrate guide device 201 of the present embodiment has a pair of upper and lower air blowing nozzles 2.
01a and 201b, the air supplied by the air supply means is jetted through a large number of through holes of the porous materials 205a and 205b via the space portions 206a and 206b, respectively (the flow of air is indicated by a solid line in FIG. 2). Indicated by arrows). At this time, the air supply means, the amount of air (fluid) is supplied, to no 1mm spacing L 1 between the air blowing nozzle 201a and the substrate 10 surface in the range of 10 mm, also the the air blowing nozzle 201b substrate 1
The distance L 2 between 0 backside, in the range of from 0.1 mm 10 mm, respectively set. The substrate 10 positioned between the air blowing nozzles 201a and 201b is moved by the air pressure controlled in this manner.
The vertical position with respect to a and 201b is defined. At the same time, deformation such as warpage and distortion in the vertical direction of the substrate 10 can be corrected.

【0027】[第2の実施の形態]以下、本発明に係る
基板ガイド装置ならびにこれを用いた洗浄装置の第2の
実施の形態を、図面に基づいて説明する。図3は本実施
の形態の洗浄装置を示す模式図、図4は、図3の洗浄装
置における表面洗浄ノズルを示す下面図、図5は図4の
V−V線に沿って洗浄ノズルを示す断面図である。本実施
の形態の洗浄装置は、例えば矩形のガラス基板(被処理
物)を洗浄する際に用いられるものであり、図1ないし
図2に示す第1実施形態と共通の構成要素には共通の符
号を付けてその説明を省略する。
[Second Embodiment] A second embodiment of a substrate guide apparatus and a cleaning apparatus using the same according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 3 is a schematic view showing a cleaning apparatus of the present embodiment, FIG. 4 is a bottom view showing a surface cleaning nozzle in the cleaning apparatus of FIG. 3, and FIG.
It is sectional drawing which shows a washing nozzle along the VV line. The cleaning apparatus of the present embodiment is used for cleaning, for example, a rectangular glass substrate (object to be processed), and has the same components as those of the first embodiment shown in FIGS. The description is omitted by attaching the reference numerals.

【0028】図において、符号200は洗浄装置であ
り、この洗浄装置200は、洗浄ノズル210と、この
洗浄ノズル210の基板10移動方向の上流側と下流側
にそれぞれ一対、つまり2対の基板ガイド装置201,
201と、基板10を洗浄ノズル210と相対移動する
ための図示しない相対移動手段とを具備している。この
基板ガイド装置201,201は、それぞれ図1ないし
図2に示す第1の実施の形態と略同等の構成とされ、エ
アー吹出ノズル(流体吹出ノズル)201a,201b
が、それぞれ流体供給手段(エアー供給手段)208,
208に接続されている。
In the figure, reference numeral 200 denotes a cleaning device. The cleaning device 200 includes a cleaning nozzle 210 and a pair of substrate guides, ie, two pairs of substrate guides on the upstream side and the downstream side of the cleaning nozzle 210 in the moving direction of the substrate 10. Device 201,
201 and a relative moving means (not shown) for moving the substrate 10 relative to the cleaning nozzle 210. The substrate guide devices 201, 201 have substantially the same configuration as the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2, respectively, and have air blowing nozzles (fluid blowing nozzles) 201a, 201b.
Are fluid supply means (air supply means) 208,
208.

【0029】本実施の形態の洗浄用ノズル210は、図
4および図5に示すように、基板10の表面を超音波洗
浄するための表面洗浄ノズル210Aと、基板10の裏
面をウエット処理により洗浄するための裏面洗浄ノズル
210Bとからなり、これら、表面洗浄ノズル210A
と裏面洗浄ノズル210Bとが上下方向に配置されてい
る。
As shown in FIGS. 4 and 5, the cleaning nozzle 210 according to the present embodiment has a front surface cleaning nozzle 210A for ultrasonically cleaning the front surface of the substrate 10 and a rear surface of the substrate 10 by wet processing. And a back surface cleaning nozzle 210B.
And the back surface cleaning nozzle 210B are arranged vertically.

【0030】表面洗浄ノズル210Aは、図4および図
5に示すように、ケーシング212がその短手方向に3
つの領域に分割されており、両端がそれぞれ洗浄液導入
部213、洗浄液排出部214であり、中央が超音波振
動子収容部215である。洗浄液導入部213の上面に
洗浄液導入管216(導入通路)がノズルの長手方向に
離間して2本設けられ、同様に、洗浄液排出部214の
上面には洗浄液排出管217(排出通路)が2本設けら
れている。各洗浄液導入管216の上端は開口してここ
から洗浄液L(処理液)を導入するための導入口216
aとなり、下端はケーシング212の内部で基板10
(被処理基板)に向けて開口する導入開口部216bと
なっている。同様に、各洗浄液排出管217の上端は開
口してここから使用後の洗浄液Wを外部に排出するため
の排出口217aとなり、下端はケーシング212の内
部で基板10に向けて開口する排出開口部217bとな
っている。洗浄液排出管217の排出口217aは、減
圧ポンプ(図示せず)に接続し、減圧ポンプの吸引力を
制御することにより、使用後の洗浄液Wの圧力と大気圧
との差を制御し、洗浄液Lを確実に排出するようにして
いる。
As shown in FIG. 4 and FIG. 5, the surface cleaning nozzle 210A is
The cleaning liquid introduction unit 213 and the cleaning liquid discharge unit 214 are located at both ends, and the ultrasonic transducer housing unit 215 is located at the center. Two cleaning liquid introduction pipes 216 (introduction passages) are provided on the upper surface of the cleaning liquid introduction part 213 in the longitudinal direction of the nozzle, and two cleaning liquid discharge pipes 217 (discharge passages) are similarly provided on the upper surface of the cleaning liquid discharge part 214. Book is provided. The upper end of each cleaning liquid introduction pipe 216 is opened, and an inlet 216 for introducing the cleaning liquid L (processing liquid) therefrom.
a, and the lower end is the substrate 10 inside the casing 212.
The opening 216b opens toward the (substrate to be processed). Similarly, the upper end of each of the cleaning liquid discharge pipes 217 is opened to serve as a discharge port 217a for discharging the used cleaning liquid W to the outside, and the lower end thereof is a discharge opening that opens toward the substrate 10 inside the casing 212. 217b. The discharge port 217a of the cleaning liquid discharge pipe 217 is connected to a decompression pump (not shown), and by controlling the suction force of the decompression pump, the difference between the pressure of the used cleaning liquid W and the atmospheric pressure is controlled. L is surely discharged.

【0031】また、超音波振動子収容部215の内部に
は、洗浄液Wに超音波振動を付与することで超音波洗浄
をおこなうための超音波振動子218(超音波振動付与
手段)が収容されている。超音波振動子収容部215の
中央には超音波振動子215を制御するためのケーブル
221が設けられている。
An ultrasonic vibrator 218 (ultrasonic vibration applying means) for performing ultrasonic cleaning by applying ultrasonic vibration to the cleaning liquid W is accommodated in the ultrasonic vibrator housing section 215. ing. A cable 221 for controlling the ultrasonic vibrator 215 is provided at the center of the ultrasonic vibrator housing 215.

【0032】図5に示すように、導入開口部216bの
内部には、多孔質材からなる洗浄液供給部材222(処
理液供給部材)が装入されている。多孔質材として、具
体的にはフッ素樹脂、ポリエチレン等のプラスティッ
ク、SUS316等の金属、アルミナ、シリコン酸化物
等のセラミックス、表面に親水基を持たせる親水処理を
おこなったプラスティック、TiO2 のような金属酸化
物等の材料を用いることができ、特に、シリコン酸化
物、アルミナ、親水処理を施したプラスティック等のよ
うな親水性材料であれば、より好ましい。あるいは、洗
浄液供給部材222全体を親水性材料としなくても、少
なくとも基板10上の洗浄液Wに接する部分のみを親水
性材料で形成しても良いし、表面を親水性処理しても良
い。いずれにしても、洗浄液供給部材222が多孔質材
で形成されたことによって、洗浄液導入管216から導
入開口部216b内に洗浄液Wが供給された際に洗浄液
供給部材222の多数の貫通孔を通じて基板10表面に
洗浄液Wが供給される。
As shown in FIG. 5, a cleaning liquid supply member 222 (processing liquid supply member) made of a porous material is inserted into the introduction opening 216b. As a porous material, specifically, such as fluorine resin, plastic such as polyethylene, metals SUS316 etc., alumina, ceramics such as silicon oxide, plastic which was subjected to hydrophilic treatment to have a hydrophilic group on the surface, TiO 2 Materials such as metal oxides can be used. In particular, hydrophilic materials such as silicon oxide, alumina, and plastics subjected to hydrophilic treatment are more preferable. Alternatively, at least a portion of the substrate 10 that is in contact with the cleaning liquid W may be formed of a hydrophilic material, or the surface thereof may be subjected to a hydrophilic treatment, without using the entire cleaning liquid supply member 222 with a hydrophilic material. In any case, since the cleaning liquid supply member 222 is formed of a porous material, when the cleaning liquid W is supplied from the cleaning liquid introduction pipe 216 into the introduction opening 216b, the substrate is passed through the many through holes of the cleaning liquid supply member 222. The cleaning liquid W is supplied to the surface 10.

【0033】一方、排出開口部217bの内部にも、多
孔質材からなる洗浄液排出部材223(処理液排出部
材)が装入されている。洗浄液排出部材223に使用さ
れる多孔質材も、洗浄液供給部材222に使用されるも
のと同様の材料を用いることができる。ここで、1つの
ノズル内で洗浄液供給部材222と洗浄液排出部材22
3に用いられる多孔質材が、同種であっても異種であっ
ても一向に差し支えない。洗浄液排出部材223が多孔
質材で形成されたことによって、基板10上に残る使用
後の洗浄液Wが洗浄液排出部材223の多数の貫通孔か
ら吸引され、洗浄液排出管217を通じてノズル外部に
排出される。
On the other hand, a cleaning liquid discharge member 223 (processing liquid discharge member) made of a porous material is also inserted into the discharge opening 217b. As the porous material used for the cleaning liquid discharge member 223, the same material as that used for the cleaning liquid supply member 222 can be used. Here, the cleaning liquid supply member 222 and the cleaning liquid discharge member 22 are provided in one nozzle.
The porous materials used in 3 may be the same or different types. Since the cleaning liquid discharging member 223 is formed of a porous material, the used cleaning liquid W remaining on the substrate 10 is sucked from the many through holes of the cleaning liquid discharging member 223 and discharged to the outside of the nozzle through the cleaning liquid discharging pipe 217. .

【0034】裏面洗浄ノズル210Bは、図5に示すよ
うに、表面洗浄ノズル210Aと上下方向に対向するよ
う設けられて、表面洗浄ノズル210Aと略同等の構成
とされ、共通の構成要素には同一の符号を付けその説明
を省略する。この裏面洗浄ノズル210Bが、表面洗浄
ノズル210Aと異なる点は、超音波振動子218,ケ
ーブル221が設けられていない点である。
As shown in FIG. 5, the back surface cleaning nozzle 210B is provided so as to be vertically opposed to the front surface cleaning nozzle 210A, and has substantially the same configuration as the front surface cleaning nozzle 210A. And description thereof is omitted. The back cleaning nozzle 210B is different from the front cleaning nozzle 210A in that the ultrasonic vibrator 218 and the cable 221 are not provided.

【0035】次に、上記構成の洗浄用ノズル210のシ
ーケンスを説明する。この洗浄用ノズル210を用いて
従来の技術の項で述べたような省液型ノズルを実現する
場合、基板10表面および裏面の洗浄液Wが、洗浄用ノ
ズル210と基板10との間の空間外に流れないように
洗浄液Wの圧力と大気圧との差を制御し、両ノズル21
0A,210Bの洗浄液排出管217を通して洗浄液を
吸引排出するための排水用ポンプ(図示略)を洗浄液排
出管217に接続してノズル装置を構成する。さらに、
両ノズル210A,210Bの洗浄液導入管216には
任意の洗浄液供給手段が接続される。また、図5におい
ては、相対移動手段によって移動される基板10の洗浄
用ノズル210に対する移動方向を矢印Kで示してい
る。
Next, the sequence of the cleaning nozzle 210 having the above configuration will be described. When the cleaning nozzle 210 is used to realize a liquid-saving nozzle as described in the section of the related art, the cleaning liquid W on the front surface and the back surface of the substrate 10 is applied outside the space between the cleaning nozzle 210 and the substrate 10. The difference between the pressure of the cleaning liquid W and the atmospheric pressure is controlled so as not to flow into
A drain pump (not shown) for sucking and discharging the cleaning liquid through the cleaning liquid discharge pipes 217 of OA and 210B is connected to the cleaning liquid discharge pipe 217 to form a nozzle device. further,
Arbitrary cleaning liquid supply means is connected to the cleaning liquid introduction pipes 216 of both nozzles 210A and 210B. In FIG. 5, the direction of movement of the substrate 10 with respect to the cleaning nozzle 210 moved by the relative moving means is indicated by an arrow K.

【0036】まず最初に、表面洗浄ノズル210Aの超
音波振動子218を作動させない状態で、基板10の先
端、もしくは、基板10の被洗浄部位先端が洗浄液供給
部材222の下方にさしかかったところで、両ノズル2
10A,210Bの洗浄液供給部材222から基板10
上に洗浄液Wが供給される。さらに基板10が移動する
と、表面洗浄ノズル210Aの超音波振動子218の下
方位置に洗浄液Wが流れ込むようになる。さらに基板1
0が移動し、両ノズル210A,210Bの洗浄液排出
部材223の間に到達した時点で排水用ポンプを作動さ
せ、両ノズル210A,210Bの洗浄液供給部材22
2から基板10上に供給された洗浄液Wを洗浄液排出部
材223から排出する。この段階で洗浄液Wは基板10
表面および裏面を定常的に流れるようになるので、これ
と同時に表面洗浄ノズル210Aの超音波振動子218
を作動させることにより基板10の超音波洗浄がおこな
われる。最後に、基板10の終端が両ノズル210A,
210Bの洗浄液供給部材222の間を通り過ぎたとこ
ろで洗浄液Wの供給を停止するとともに、表面洗浄ノズ
ル210Aの超音波振動子218を停止する。そして、
最後に基板10表面および裏面に残った洗浄液Wを両ノ
ズル210A,210Bの洗浄液排出部材223から排
出する。このようにして、基板10の表面全域を超音波
洗浄するとともに、基板10の裏面全域をウエット処理
洗浄することができる。
First, in a state where the ultrasonic oscillator 218 of the surface cleaning nozzle 210A is not operated, when the front end of the substrate 10 or the front end of the portion to be cleaned of the substrate 10 comes under the cleaning liquid supply member 222, Nozzle 2
The substrate 10 is supplied from the cleaning liquid supply member 222 of 10A and 210B.
The cleaning liquid W is supplied thereon. When the substrate 10 is further moved, the cleaning liquid W flows to a position below the ultrasonic vibrator 218 of the front surface cleaning nozzle 210A. Further substrate 1
0 moves and reaches a position between the cleaning liquid discharge members 223 of both nozzles 210A and 210B, the drain pump is operated, and the cleaning liquid supply members 22 of both nozzles 210A and 210B are operated.
The cleaning liquid W supplied onto the substrate 10 from 2 is discharged from the cleaning liquid discharging member 223. At this stage, the cleaning liquid W
Since the fluid flows constantly on the front surface and the back surface, at the same time, the ultrasonic vibrator 218 of the front surface cleaning nozzle 210A
The ultrasonic cleaning of the substrate 10 is performed by operating. Lastly, the end of the substrate 10 is located at both nozzles 210A,
After passing between the cleaning liquid supply members 222 of 210B, the supply of the cleaning liquid W is stopped, and the ultrasonic oscillator 218 of the surface cleaning nozzle 210A is stopped. And
Finally, the cleaning liquid W remaining on the front and back surfaces of the substrate 10 is discharged from the cleaning liquid discharge members 223 of both nozzles 210A and 210B. In this way, the entire surface of the substrate 10 can be subjected to ultrasonic cleaning and the entire rear surface of the substrate 10 can be subjected to wet cleaning.

【0037】本実施形態の洗浄装置200においては、
上述したように、洗浄ノズル210により基板10表面
の超音波洗浄および基板10裏面のウエット洗浄をおこ
なうが、この際、図1ないし図2に示す第1実施形態で
説明したように、基板ガイド部材201,201におい
ては、流体供給手段208,208により制御されて噴
出されたエアーの圧力により、エアー吹出ノズル201
a,201bの間に位置する基板10が、このエアー吹
出ノズル201a,201bに対する上下方向位置を規
定されることになる。同時に、基板10の上下方向にお
けるそり、ゆがみ等の変形を矯正することができる。し
たがって、この状態において相対移動手段により基板1
0と洗浄ノズル210とを基板10の面内方向に相対移
動させることで、上流側の基板ガイド装置201によ
り、基板10を支持するとともに、基板10の変形を矯
正し、かつ、その基板10面法線方向位置を設定した状
態で、洗浄ノズル210の両ノズル210A,210B
の間に基板10を挿入することができる。このため、洗
浄ノズル210と、基板10とが接触する可能性を低減
することが可能となる。さらに、上流側の基板ガイド装
置201により、基板10を支持するとともに、基板1
0の変形を矯正し、かつ、その基板10面法線方向位置
を設定した状態で、表面洗浄ノズル210Aと基板10
表面との間隔、および裏面洗浄ノズル210Bと基板1
0裏面との間隔を、それぞれ制御することが可能とな
る。このため、洗浄ノズル210と基板10表面または
裏面との距離に依存する洗浄処理の効率、つまり、表面
洗浄ノズル210Aにおける超音波洗浄の効率、およ
び、裏面洗浄ノズル210Bにおけるウエット処理洗浄
の効率が低減することを防止するとともに、同時に、こ
れらの処理における洗浄液Wの使用量を低減することが
可能となる。
In the cleaning apparatus 200 of the present embodiment,
As described above, the ultrasonic cleaning of the front surface of the substrate 10 and the wet cleaning of the back surface of the substrate 10 are performed by the cleaning nozzle 210. At this time, as described in the first embodiment shown in FIGS. In 201, 201, the air blowing nozzle 201 is controlled by the fluid supply means 208, 208 to control the pressure of the blown air.
The vertical position of the substrate 10 located between a and 201b is defined with respect to the air blowing nozzles 201a and 201b. At the same time, deformation such as warpage and distortion in the vertical direction of the substrate 10 can be corrected. Therefore, in this state, the substrate 1 is moved by the relative moving means.
By moving the cleaning nozzle 210 and the cleaning nozzle 210 relative to each other in the in-plane direction of the substrate 10, the substrate guide device 201 on the upstream side supports the substrate 10, corrects the deformation of the substrate 10, and fixes the surface of the substrate 10. With the normal position set, both nozzles 210A and 210B of the cleaning nozzle 210 are set.
The substrate 10 can be inserted between them. Therefore, it is possible to reduce the possibility that the cleaning nozzle 210 and the substrate 10 come into contact with each other. Further, the substrate 10 is supported by the substrate guide device 201 on the upstream side, and
0, and the surface cleaning nozzle 210A and the substrate 10
The distance from the front surface, the back surface cleaning nozzle 210B and the substrate 1
It is possible to control the distance from the back surface to the zero. Therefore, the efficiency of the cleaning process depending on the distance between the cleaning nozzle 210 and the front surface or the back surface of the substrate 10, that is, the efficiency of the ultrasonic cleaning in the front surface cleaning nozzle 210A and the efficiency of the wet processing cleaning in the back surface cleaning nozzle 210B are reduced. And at the same time, the amount of the cleaning liquid W used in these processes can be reduced.

【0038】また、洗浄ノズル210により基板10表
面の超音波洗浄および基板10裏面のウエット処理洗浄
をおこなう際、洗浄ノズル210下流側の基板ガイド装
置201により、基板10を支持するとともに、基板1
0の変形を矯正し、かつ、その基板10面法線方向位置
を設定した状態で、洗浄ノズル210の両ノズル210
A,210Bの間における基板10の位置設定をおこな
うことができる。したがって、洗浄ノズル210の上流
側の基板ガイド装置201のみにより、基板10の位置
設定をおこなう場合よりも、より位置精度を向上するこ
とができ、上記の洗浄ノズル210と基板10表面また
は裏面との距離に依存する洗浄処理の効率をより一層向
上することが可能となる。
When ultrasonic cleaning of the front surface of the substrate 10 and wet cleaning of the back surface of the substrate 10 are performed by the cleaning nozzle 210, the substrate 10 is supported by the substrate guide device 201 on the downstream side of the cleaning nozzle 210.
0 in a state where the deformation of the cleaning nozzle 210 is corrected and the position of the normal direction in the surface of the substrate 10 is set.
The position of the substrate 10 can be set between A and 210B. Therefore, the positional accuracy of the substrate 10 can be further improved by using only the substrate guide device 201 on the upstream side of the cleaning nozzle 210, and the positional accuracy between the cleaning nozzle 210 and the front surface or the back surface of the substrate 10 can be improved. The efficiency of the cleaning process depending on the distance can be further improved.

【0039】なお、洗浄ノズル210における洗浄処理
に対応して、基板ガイド装置201,201から噴出す
る流体の種類および状態を選択することが可能である。
本実施形態の場合にはエアーを選択し、洗浄ノズル21
0上流下流両側の基板ガイド装置201,201を、乾
燥用のエアー吹き出し手段として洗浄処理工程に組み込
むことが可能である。また、洗浄ノズル210では、超
音波振動子218のかわりに、紫外線光源を設け、同時
に紫外線透過可能な構造とすることにより、紫外線オゾ
ン洗浄による有機物の分解除去処理可能な洗浄装置とし
てもよい。さらに、この洗浄ノズル210を、さらに上
流側に位置する洗浄等のウエット処理工程に対する純水
を使用したリンス工程に使用することも可能である。ま
た、洗浄ノズル210を、それぞれ、両洗浄ノズル21
0A,210Bを上下逆の構造とすること、上下とも超
音波洗浄または紫外線洗浄の可能な構造、上下ともウエ
ット処理洗浄のみの構造、あるいは、表面洗浄ノズル2
10A、または裏面洗浄ノズル210Bのみの構成とす
ることも可能である。
It is possible to select the type and state of the fluid ejected from the substrate guide devices 201, 201 in accordance with the cleaning process in the cleaning nozzle 210.
In the case of the present embodiment, air is selected and the cleaning nozzle 21 is selected.
The substrate guide devices 201 on both the upstream and downstream sides can be incorporated in the cleaning process as air blowing means for drying. The cleaning nozzle 210 may be provided with an ultraviolet light source instead of the ultrasonic vibrator 218 and have a structure capable of transmitting ultraviolet light at the same time, so that a cleaning device capable of performing a process of decomposing and removing organic substances by ultraviolet ozone cleaning may be used. Further, the cleaning nozzle 210 can be used in a rinsing step using pure water for a wet processing step such as cleaning located further upstream. Further, the cleaning nozzles 210 are respectively connected to both the cleaning nozzles 21.
0A and 210B have an upside down structure, an upper and lower structure capable of ultrasonic cleaning or ultraviolet cleaning, an upper and lower structure of only wet processing cleaning, or a surface cleaning nozzle 2
10A or only the back surface cleaning nozzle 210B may be used.

【0040】[第3の実施の形態]以下、本発明に係る
基板ガイド装置第3の実施の形態を、図面に基づいて説
明する。図6は本実施の形態の基板ガイド装置を示す断
面図である。本実施の形態の基板ガイド装置は、例えば
矩形のガラス基板(被処理物)を処理する際に用いられ
るものであり、図において、図1ないし図2に示す第1
実施形態と共通の構成要素には共通の符号を付けてその
説明を省略する。本実施形態において、図1,図2に示
す第1実施形態と異なるところは、各流体吹出ノズルが
それぞれ傾けて配置された点である。
[Third Embodiment] Hereinafter, a third embodiment of the substrate guide device according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 6 is a sectional view showing the substrate guide device of the present embodiment. The substrate guide device of the present embodiment is used, for example, when processing a rectangular glass substrate (object to be processed).
The same components as those of the embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. The present embodiment differs from the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2 in that the fluid ejection nozzles are arranged at an angle.

【0041】本実施形態の基板ガイド装置201におい
ては、エアー吹出ノズル(流体吹出ノズル)201a,
201bが、それぞれ基板10の面方向に対して平行で
はない状態に配置されており、互いに対向する吹出口2
02a,202bの間隔が、図に矢印Kで示す基板10
の移動方向下流側に対して上流側が大きく設定されてい
る。この吹出口202a,202bの間隔は、吹出口2
02aと基板10の表面との間隔が、図6に示すよう
に、エアー吹出ノズル201aの最上流側では間隔L 1A
に、また、最下流側が間隔L1Bに設定されている。ま
た、吹出口202bと基板10の裏面との間隔が、図6
に示すように、エアー吹出ノズル201bの最上流側で
は間隔L2Aに、また、最下流側が間隔L2Bに設定されて
いる。ここで、それぞれの間隔は、それぞれ、 L1A>L1B2A>L2B となるように設定されている。勿論、このような基板1
0と吹出口202a,202bとの間隔は、上記のエア
ー吹出ノズル201a,201bの配置のみならず、基
板ガイド装置201の使用状態におけるエアー供給手段
(流体供給手段)によるエアー(流体)の供給制御によ
って実現されるものである。ここで、上記の基板10と
吹出口202a,202bとの間隔は、L1AおよびL2A
は10mm以下、L1Bは1mm以上、L 2Bは0.1mm
以上に、それぞれ設定されるものとする。
In the substrate guide device 201 of this embodiment,
The air blowing nozzle (fluid blowing nozzle) 201a,
201b are parallel to the plane direction of the substrate 10 respectively.
Are arranged in a state where there is no
02a, 202b, the substrate 10 indicated by the arrow K in the figure
The upstream side is set larger than the downstream side in the moving direction of
You. The interval between the outlets 202a and 202b is the outlet 2
02a and the distance between the surface of the substrate 10 are as shown in FIG.
On the most upstream side of the air blowing nozzle 201a, the interval L 1A
And the most downstream side is the interval L1BIs set to Ma
The distance between the outlet 202b and the back surface of the substrate 10 is as shown in FIG.
As shown in the figure, at the most upstream side of the air blowing nozzle 201b,
Is the interval L2AAnd the most downstream side is the interval L2BSet to
I have. Here, each interval is L1A> L1B L2A> L2B It is set to be. Of course, such a substrate 1
0 and the outlets 202a, 202b
-Not only the arrangement of the blowing nozzles 201a and 201b,
Air supply means in use state of plate guide device 201
Control of air (fluid) supply by (fluid supply means)
Is realized. Here, the above-mentioned substrate 10 and
The distance between the outlets 202a and 202b is L1AAnd L2A
Is 10 mm or less, L1BIs 1 mm or more, L 2BIs 0.1 mm
It is assumed that these are set as described above.

【0042】上記のような構造の基板ガイド装置201
においては、前述した図1,図2に示すの第1実施形態
と同等の効果を奏するとともに、この様な構成としたこ
とにより、基板ガイド装置201の対向する吹出口20
2a,202bの間に相対移動する基板10先端が位置
した際に、基板10の反り、歪み等の変形が発生してい
たとしても、吹出口202a,202bの間隔を上記の
ように上流側が大きく設定しているため、基板ガイド装
置201のエアー吹出ノズル201a,201bに接触
することなく、この基板10は矢印K方向に相対移動続
けることができる。そして、基板10は矢印K方向に相
対移動するにしたがって、噴出されるエアーの圧力によ
って基板10の変形が次第に矯正されながら、基板ガイ
ド装置201下流側に相対移動してゆき、基板10は、
基板ガイド装置201最下流側に位置した際に、基板1
0の変形が最も矯正された状態となる。したがって、こ
のように位置矯正された状態のまま、基板ガイド装置2
01からさらに下流側に相対移動することができる。こ
れにより、基板10の変形が大きい状態であっても、基
板ガイド装置201のエアー吹出ノズル201a,20
1bに接触することなく、接触汚染を起こさずに基板1
0の変形を矯正することができる。
The substrate guide device 201 having the above structure
Has the same effect as the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2 described above, and by adopting such a configuration, the opposed outlets 20 of the substrate guide device 201 are provided.
Even when deformation such as warpage or distortion of the substrate 10 occurs when the front end of the substrate 10 relatively moving between 2a and 202b is located, the interval between the outlets 202a and 202b is increased on the upstream side as described above. Since the setting is performed, the substrate 10 can continue to relatively move in the arrow K direction without contacting the air blowing nozzles 201a and 201b of the substrate guide device 201. Then, as the substrate 10 relatively moves in the direction of arrow K, the deformation of the substrate 10 is gradually corrected by the pressure of the ejected air, and the substrate 10 relatively moves toward the downstream side of the substrate guide device 201.
When the substrate guide device 201 is located at the most downstream side, the substrate 1
The deformation of 0 is the most corrected state. Therefore, with the position corrected in this way, the substrate guide device 2
It is possible to relatively move further downstream from 01. Thereby, even if the deformation of the substrate 10 is large, the air blowing nozzles 201a, 201
1b without contact and without contact contamination.
Zero deformation can be corrected.

【0043】[第4の実施の形態]以下、本発明に係る
基板ガイド装置の第4の実施の形態を、図面に基づいて
説明する。図7は本実施の形態の基板ガイド装置を示す
斜視図、図8は図7のVIII−VIII線に沿う断面図であ
る。本実施の形態の基板ガイド装置が、図1,図2に示
した第1実施形態、図6に示した第3実施形態と異なる
ところは、流体吸引ノズルを有する点である。それ以外
の共通の構成要素に対しては、同一の符号を付け説明を
省略する。図において、符号230は基板ガイド装置で
ある。
[Fourth Embodiment] Hereinafter, a fourth embodiment of the substrate guide apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 7 is a perspective view showing the substrate guide device of the present embodiment, and FIG. 8 is a cross-sectional view along the line VIII-VIII in FIG. The difference between the substrate guide device of the present embodiment and the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2 and the third embodiment shown in FIG. 6 is that the substrate guide device has a fluid suction nozzle. The other common components are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted. In the figure, reference numeral 230 is a substrate guide device.

【0044】本実施形態の基板ガイド装置230におい
ては、図7,図8に示すように、流体吹出ノズル201
a,201bの下流側に、それぞれ、流体吸引ノズル2
01c,201dが設けられた構成とされている。これ
ら、流体吸引ノズル201c,201dは、第1の実施
形態の流体吹出ノズル201a,201bをその下流側
にもう一つ連結したものであり、それぞれの構造は第1
の実施の形態の流体吹出ノズル201a,201bとほ
ぼ変わらないものとされる。ここで、基板10上側のノ
ズル230Aにおいては流体吹出ノズル201aと流体
吸引ノズル201cとが、また、基板10下側のノズル
230Bにおいては流体吹出ノズル201bと流体吸引
ノズル201dとが、それぞれ相互に固定されている。
本実施形態においては、流体吹出ノズル201a,20
1bに連結される流体供給手段は、流体として液体、特
に、純水を供給するものとされる。
In the substrate guide device 230 of this embodiment, as shown in FIGS.
a, the downstream side of the fluid suction nozzle 2
01c and 201d are provided. These fluid suction nozzles 201c and 201d are obtained by connecting the fluid ejection nozzles 201a and 201b of the first embodiment to another one downstream thereof, and their respective structures are the same as those of the first embodiment.
Is almost the same as the fluid blowing nozzles 201a and 201b of the embodiment. Here, the fluid blowing nozzle 201a and the fluid suction nozzle 201c are fixed to each other in the nozzle 230A on the upper side of the substrate 10, and the fluid blowing nozzle 201b and the fluid suction nozzle 201d are fixed to each other in the nozzle 230B on the lower side of the substrate 10. Have been.
In the present embodiment, the fluid blowing nozzles 201a, 201
The fluid supply means connected to 1b supplies a liquid as a fluid, in particular, pure water.

【0045】流体吸引ノズル201c,201dは、図
7,図8に示すように、吸引口202c,202dの開
口した箱状のケーシング204c,204dの内部に、
多数の貫通孔を有する多孔質材205c,205dが収
容、固定されている。この多孔質材205c,205d
は、使用時に基板10に対向するケーシング204c,
204dの吸引口202c,202d側の面を覆うよう
に収容・固定されている。多孔質材205c,205d
には、ケーシング204c,204dの内部において、
空間部206c,206dを介して流体排出口203
c,203dが連通される。
As shown in FIGS. 7 and 8, the fluid suction nozzles 201c and 201d are provided inside box-shaped casings 204c and 204d having suction ports 202c and 202d opened.
Porous materials 205c and 205d having a large number of through holes are accommodated and fixed. This porous material 205c, 205d
Are casings 204c facing the substrate 10 during use.
The housing 204d is accommodated and fixed so as to cover the surfaces on the suction ports 202c and 202d side. Porous material 205c, 205d
Inside the casings 204c and 204d,
Fluid outlet 203 via space portions 206c and 206d
c and 203d are communicated.

【0046】これら、流体吸引ノズル201c,201
dは、吸引口202c,202dを形成する多孔質材2
05c,205dの表面がそれぞれ平行、かつ、吹出口
202a,202bを形成する多孔質材205a,20
5bの表面とも平行になるように位置されている。多孔
質材205c,205dには、例えば金属、プラスティ
ック、セラミック等が用いられ、この多孔質材205
c,205dの基板10に対向する面、すなわち、吸引
口202c,202dとなる面は、表面粗さが小さく、
うねりが小さいことが望ましい。この流体排出口203
c,203dには、流体排出手段が接続されている。
These fluid suction nozzles 201c, 201
d is a porous material 2 forming the suction ports 202c and 202d.
The porous materials 205a, 205d whose surfaces are parallel to each other and which form the outlets 202a, 202b.
5b is positioned so as to be parallel to the surface. For example, metal, plastic, ceramic, or the like is used for the porous materials 205c and 205d.
The surfaces of the substrates c and 205d facing the substrate 10, that is, the surfaces serving as the suction ports 202c and 202d have small surface roughness.
It is desirable that the swell be small. This fluid outlet 203
Fluid discharge means is connected to c and 203d.

【0047】流体排出手段は、流体吹出ノズル201
a,201bから噴出されて基板10の表面および裏面
に接触した流体(純水)を、流体吸引ノズル201c,
201dを介して吸引排出する(図8中に洗浄液等の流
体の流れを実線の矢印で示す)。ここで、この吸引排出
量を制御する制御部と、吸引排出された流体を貯留する
部分とを有するものとされる。
The fluid discharging means is a fluid blowing nozzle 201
a, 201b, the fluid (pure water) that has come into contact with the front and back surfaces of the substrate 10 is discharged to the fluid suction nozzles 201c,
The liquid is sucked and discharged through 201d (the flow of a fluid such as a cleaning liquid is shown by a solid arrow in FIG. 8). Here, it has a control unit for controlling the suction and discharge amount, and a part for storing the suctioned and discharged fluid.

【0048】本実施形態の基板ガイド装置230におい
ては、流体吹出ノズル201a,201bから吹き出す
流体を液体としたことにより、前述の各実施形態と同様
に、基板10の両ノズル230A,230Bに対する位
置設定をおこない、基板10の変形を矯正することがで
きるとともに、流体吸引ノズル201c,201dを設
け、流体排出手段により流体吹出ノズル201a,20
1bから吹き出す流体を吸引排出することにより、基板
10にかかる流体の圧力の制御をより容易におこなうこ
とが可能になる。同時に、流体として、液体を流体吹出
ノズル201a,201bから噴出するとともに、流体
吸引ノズル201c,201dを介して吸引排出するこ
とにより、図3ないし図5に示す第2実施形態における
洗浄ノズル210のように、基板ガイド装置230と基
板10との間の空間外に流れないように流体の圧力と大
気圧との差を制御した状態で、基板10表面および裏面
の洗浄(ここでは、純水によるリンス処理)等の処理を
おこなうことができる。ここで、前述の第2実施形態の
ように、基板10の表面および裏面に接触している流体
の量を制御して、流体(純水)が基板10上に満遍なく
行き渡り、液溜まりが生じることがなく、かつ、基板1
0付近から垂れない程度に確実に排出するようにしてい
る。
In the substrate guide device 230 of this embodiment, since the fluid blown out from the fluid blowout nozzles 201a and 201b is a liquid, the position of the substrate 10 with respect to both nozzles 230A and 230B is set as in the above-described embodiments. Can be performed to correct the deformation of the substrate 10, and the fluid suction nozzles 201c and 201d are provided, and the fluid discharge nozzles 201a and 201d are provided by the fluid discharge means.
By suctioning and discharging the fluid blown out from 1b, the pressure of the fluid applied to the substrate 10 can be more easily controlled. At the same time, as the fluid, the liquid is ejected from the fluid ejection nozzles 201a and 201b, and is sucked and discharged through the fluid suction nozzles 201c and 201d, so that the cleaning nozzle 210 in the second embodiment shown in FIGS. In the state where the difference between the pressure of the fluid and the atmospheric pressure is controlled so as not to flow out of the space between the substrate guide device 230 and the substrate 10, the front and rear surfaces of the substrate 10 are cleaned (here, rinsing with pure water). Processing) can be performed. Here, as in the above-described second embodiment, the amount of fluid that is in contact with the front and back surfaces of the substrate 10 is controlled so that the fluid (pure water) spreads all over the substrate 10 and a liquid pool occurs. And no substrate 1
Discharge is ensured to the extent that it does not drop from near zero.

【0049】なお、本実施形態の基板ガイド装置230
に供給する流体として、オゾン水、水素水、酸素水、窒
素水、純水等を選択することにより、オゾン水による有
機物分解処理、水素水によるパーティクル再付着防止、
純水等によるリンスのような処理をおこなうことも可能
である。
The substrate guide device 230 of the present embodiment
By selecting ozone water, hydrogen water, oxygen water, nitrogen water, pure water, etc. as the fluid to be supplied to, organic matter decomposition treatment with ozone water, particle reattachment prevention with hydrogen water,
It is also possible to perform a treatment such as a rinse with pure water.

【0050】[第5の実施の形態]以下、本発明に係る
基板ガイド装置ならびにこれを用いた洗浄装置の第5の
実施の形態を、図面に基づいて説明する。図9は本実施
の形態の洗浄装置を示す模式図である。本実施の形態の
洗浄装置は、例えば矩形のガラス基板(被処理物)を洗
浄する際に用いられるものであり、図1ないし図8に示
す第1ないし第4の実施形態と共通の構成要素には共通
の符号を付けてその説明を省略する。
[Fifth Embodiment] Hereinafter, a fifth embodiment of the substrate guide apparatus and the cleaning apparatus using the same according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 9 is a schematic diagram illustrating a cleaning device according to the present embodiment. The cleaning apparatus of the present embodiment is used for cleaning, for example, a rectangular glass substrate (object to be processed), and has the same components as those of the first to fourth embodiments shown in FIGS. 1 to 8. Are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

【0051】本実施形態においては、図3ないし図5に
示す第2実施形態の洗浄装置200において、洗浄ノズ
ル210の上流側に設けられた基板ガイド装置が図6に
示す第3実施形態と略同等の構成を有するものとされ、
かつ、洗浄ノズル210の下流側に設けられた基板ガイ
ド装置が図7,図8に示す第4実施形態のものとされて
いる。
In the present embodiment, in the cleaning apparatus 200 of the second embodiment shown in FIGS. 3 to 5, the substrate guide device provided upstream of the cleaning nozzle 210 is substantially the same as the third embodiment shown in FIG. It is assumed to have an equivalent configuration,
The substrate guide device provided on the downstream side of the cleaning nozzle 210 is that of the fourth embodiment shown in FIGS.

【0052】ここで、洗浄ノズル210の下流側に設け
られた基板ガイド装置230においては、流体吹出ノズ
ル201a,201bに液体(純水)を供給する流体供
給手段231が接続され、流体吸引ノズル201c,2
01dに液体を吸引排出する流体排出手段232が接続
される。
Here, in the substrate guide device 230 provided on the downstream side of the cleaning nozzle 210, a fluid supply means 231 for supplying a liquid (pure water) to the fluid blowing nozzles 201a and 201b is connected, and the fluid suction nozzle 201c is provided. , 2
01d is connected to a fluid discharging means 232 for sucking and discharging the liquid.

【0053】このような洗浄装置200によれば、前述
の図1ないし図8に示す第1ないし第4の実施形態と同
等の効果を奏するとともに、洗浄ノズル210の上流側
では、基板ガイド装置201において噴出する流体とし
て気体を選択することにより、基板10の変形矯正に対
して最も高い効果を得ることができる。同時に、洗浄ノ
ズル210の下流側では、この洗浄ノズル210におい
て使用した洗浄液Wの除去をおこなうリンス処理を、基
板ガイド装置230によりおこなうことができる。これ
により、洗浄装置200として、基板ガイド装置とリン
ス装置とを別々の構成として設けた場合に比べて、製造
コストの低減を図ることができ、基板10の変形矯正用
の流体によりリンスをおこなうことができるので、ラン
ニングコストを低減することができるという効果を奏す
る。
According to such a cleaning apparatus 200, the same effects as those of the first to fourth embodiments shown in FIGS. 1 to 8 can be obtained, and at the upstream side of the cleaning nozzle 210, the substrate guide apparatus 201 is provided. By selecting a gas as the fluid to be ejected in the above, the highest effect on the deformation correction of the substrate 10 can be obtained. At the same time, on the downstream side of the cleaning nozzle 210, a rinsing process for removing the cleaning liquid W used in the cleaning nozzle 210 can be performed by the substrate guide device 230. As a result, the manufacturing cost can be reduced as compared with the case where the substrate guide device and the rinsing device are provided as separate components as the cleaning device 200, and the rinsing is performed by the fluid for correcting the deformation of the substrate 10. Therefore, there is an effect that the running cost can be reduced.

【0054】[第6の実施の形態]以下、本発明の第6
の実施の形態を図10および図11を参照して説明す
る。図10は本実施の形態の基板ガイド装置を示す斜視
図、図11は図10のXI−XI線に沿う断面図である。本
実施の形態の基板ガイド装置は、例えば矩形のガラス基
板(被処理物)を処理する際に用いられるものであり、
基板10の変形矯正以外に、基板10の表面と裏面の双
方を同時に乾燥し得る乾燥用ノズル25とされる。
[Sixth Embodiment] Hereinafter, a sixth embodiment of the present invention will be described.
Will be described with reference to FIGS. 10 and 11. FIG. FIG. 10 is a perspective view showing the substrate guide device of the present embodiment, and FIG. 11 is a cross-sectional view along the line XI-XI in FIG. The substrate guide device of the present embodiment is used, for example, when processing a rectangular glass substrate (object to be processed).
In addition to correcting the deformation of the substrate 10, the drying nozzle 25 can simultaneously dry both the front surface and the rear surface of the substrate 10.

【0055】本実施の形態の乾燥用ノズル25は、図1
0および図11に示すように、図1ないし図9に示す第
1ないし第5の実施の形態の基板ガイド装置と同様に、
上下対称な構成とされている。したがって、図10およ
び図11において、上側および下側とで共通の構成要素
については、上側のノズルでは「*a」、下側のノズル
では「*b」と添字を付けて同一の符号を付す。
The drying nozzle 25 of the present embodiment is similar to that of FIG.
As shown in FIGS. 0 and 11, like the substrate guide devices of the first to fifth embodiments shown in FIGS.
It has a vertically symmetric configuration. Therefore, in FIG. 10 and FIG. 11, the same reference numerals are given to the components common to the upper side and the lower side by adding a suffix “* a” to the upper nozzle and “* b” to the lower nozzle. .

【0056】本実施の形態の乾燥用ノズル(基板ガイド
装置)25は、図10,図11に示すように、ともに細
長い箱状の乾燥用気体供給部(流体吹出ノズル)2a,
2bと気液混合物排出部(流体吸引ノズル)3a,3b
とが、基板10表面に沿う方向に隣接並置されている。
乾燥用気体供給部2a,2bは、基板表面に向けてエア
ー(乾燥用気体)を噴出する機能を有するものであり、
気液混合物排出部3a,3bは、基板10表面から所定
距離離間して配置されることにより乾燥前に基板10表
面および裏面における液体の液厚を一定にする機能を有
するとともにエアーと液体との気液混合物を基板表面か
ら排出するための多数の貫通孔を有するものである。乾
燥用気体供給部2a,2bの長手方向の一端面にエアー
供給口4a,4bが設けられ、気液混合物排出部3a,
3bの上面には2つの気液混合物排出口5a,5bが設
けられている。乾燥用ノズル25の使用時には、エアー
供給口4a,4bに例えば製造ライン内の任意のエアー
供給源(流体供給手段)が接続され、気液混合物排出口
5a,5bには排液及び排気機能を持つポンプ等の任意
の吸引手段(流体排出手段)が接続される。
As shown in FIGS. 10 and 11, the drying nozzle (substrate guide device) 25 of the present embodiment has a long and thin box-shaped drying gas supply unit (fluid blowing nozzle) 2a,
2b and gas-liquid mixture discharge section (fluid suction nozzle) 3a, 3b
Are juxtaposed in the direction along the surface of the substrate 10.
The drying gas supply units 2a and 2b have a function of blowing air (drying gas) toward the substrate surface.
The gas-liquid mixture discharge sections 3a and 3b are arranged at a predetermined distance from the surface of the substrate 10 so as to have a function of making the liquid thickness of the liquid on the surface and the back surface of the substrate 10 constant before drying. It has a large number of through holes for discharging the gas-liquid mixture from the substrate surface. Air supply ports 4a, 4b are provided at one end surface in the longitudinal direction of the drying gas supply sections 2a, 2b, and the gas-liquid mixture discharge sections 3a, 4b are provided.
Two gas-liquid mixture outlets 5a and 5b are provided on the upper surface of 3b. When the drying nozzle 25 is used, for example, an arbitrary air supply source (fluid supply means) in a production line is connected to the air supply ports 4a and 4b, and the gas-liquid mixture discharge ports 5a and 5b have drainage and exhaust functions. Arbitrary suction means (fluid discharge means) such as a pump provided is connected.

【0057】乾燥用気体供給部2a,2bは、図10,
図11に示すように、箱状のケーシング6a,6bの内
部に、内管7a,7bと外管8a,8bの2重管からな
るエアー供給用チューブ9a,9b(気体導入路)が収
容されている。エアー供給用チューブ9a,9bを構成
する内管7a,7bと外管8a,8bは、ともにその内
面および外面が研磨処理され、これらの管からの発塵が
ないようにされている。これにより、基板10上に噴出
されるエアー中に塵埃等が含まれることがなく、基板1
0が汚染されることがない。一例として、エアー供給用
チューブ9a,9bを構成する内管7a,7bおよび外
管8a,8bにはステンレス(SUS316L)が用い
られ、表面にGEP−W処理(神鋼パンテック(株)に
よる)が施されている。そして、エアー供給用チューブ
9a,9bは、溶接等の手段によりそれぞれ上下2箇所
の固定部11a,11a,11b,11bでケーシング
6a,6bに対して固定されている。
The drying gas supply units 2a and 2b are arranged as shown in FIG.
As shown in FIG. 11, inside the box-shaped casings 6a and 6b, air supply tubes 9a and 9b (gas introduction paths) each composed of a double pipe of inner pipes 7a and 7b and outer pipes 8a and 8b are accommodated. ing. The inner and outer surfaces of the inner tubes 7a, 7b and the outer tubes 8a, 8b constituting the air supply tubes 9a, 9b are both polished so that no dust is generated from these tubes. Thereby, dust or the like is not included in the air jetted onto the substrate 10 and the substrate 1
0 is not contaminated. As an example, stainless steel (SUS316L) is used for the inner pipes 7a and 7b and the outer pipes 8a and 8b that constitute the air supply tubes 9a and 9b, and the surface is GEP-W treated (by Shinko Pantech Co., Ltd.). It has been subjected. The air supply tubes 9a and 9b are fixed to the casings 6a and 6b at upper and lower fixing portions 11a, 11a, 11b and 11b, respectively, by means such as welding.

【0058】内管7a,7bの一部には開口部22a,
22bが設けられ、この開口部22a,22bにエアー
均一供給用抵抗部材12a,12bが組み込まれ、ネジ
13a,13b等の固定手段により内管7a,7bに固
定されている。エアー均一供給用抵抗部材12a,12
bは、エアー供給用チューブ9a,9bの一端から内管
7a,7b内に導入されたエアーを内管7a,7bと外
管8a,8bとの間の空間に均一に放出するために、エ
アーが透過可能な材料で構成され、かつエアー透過時に
はある程度の抵抗を有している。つまり、エアー均一供
給用抵抗部材12a,12b内をエアーが透過する際に
ある程度の抵抗があるために、エアー供給用チューブ9
a,9bの一端のみからエアーを内管7a,7b内に供
給しても、エアーが内管7a,7b内に均一に拡散した
後にエアー均一供給用抵抗部材12a,12b内を通っ
て内管7a,7bと外管8a,8bとの間の空間に流出
し、乾燥用気体供給部2a,2bの長手方向のどの位置
からもエアーが均一に噴射される。エアー均一供給用抵
抗部材12a,12bは、例えば多孔質セラミック等の
材料で形成されるが、周知のフィルター材料の使用も可
能である。
An opening 22a, a part of the inner pipe 7a, 7b
A resistance member 12a, 12b for uniformly supplying air is incorporated in the openings 22a, 22b, and is fixed to the inner tubes 7a, 7b by fixing means such as screws 13a, 13b. Resistance members 12a, 12 for uniformly supplying air
b is air for uniformly discharging the air introduced into the inner tubes 7a, 7b from one end of the air supply tubes 9a, 9b to the space between the inner tubes 7a, 7b and the outer tubes 8a, 8b. Is made of a material that can transmit, and has a certain degree of resistance during air transmission. That is, since there is a certain degree of resistance when air passes through the inside of the air uniform supply resistance members 12a and 12b, the air supply tube 9
Even if air is supplied into the inner tubes 7a and 7b from only one end of the inner tubes 7a and 7b, the air is uniformly diffused into the inner tubes 7a and 7b, and then passes through the air uniform supply resistance members 12a and 12b to form the inner tube. The air flows out into the space between the outer tubes 7a and 7b and the outer tubes 8a and 8b, and the air is uniformly injected from any position in the longitudinal direction of the drying gas supply units 2a and 2b. The resistance members 12a and 12b for uniformly supplying air are formed of a material such as a porous ceramic, for example, but a known filter material may be used.

【0059】また、エアー均一供給用抵抗部材12a,
12bの取付位置のほぼ反対側にあたる内管7a,7b
の外面には、略三角形状に突出したエアー流れ方向制御
部14a,14bが溶接等により固定される一方、エア
ー流れ方向制御部14a,14bの取付位置に対応する
外管8a,8b上の位置に開口部23a,23bが形成
され、開口部23a,23bにはエアーを噴出するため
のノズル部15a,15bが先端を気液混合物排出部3
a,3b側に向けて溶接等により固定されている。ノズ
ル部15a,15bの傾きは、基板10表面の法線との
なす角度が5°〜30°程度となるようにすることが望
ましい。そして、ケーシング6a,6bの下面には、図
10,図11に示すように、長手方向に延びるエアー噴
出スリット16a,16bが形成され、エアー噴出スリ
ット16a,16b内にノズル部15a,15bの先端
が位置しており、ノズル部15a,15b先端とケーシ
ング6a,6bのエアー噴出スリット16a,16bと
の間の間隙が封止部17a,17bにより封止されてい
る。この構成により、内管7a,7b内に供給したエア
ーは、エアー均一供給用抵抗部材12a,12b内を通
って内管7a,7bと外管8a,8bとの間の空間に流
出し、この空間内を周方向に流れ、エアー流れ方向制御
部14a,14bの形状によりノズル部15a,15b
に誘導され、ノズル部15a,15b先端、すなわち乾
燥用気体供給部2a,2bの下面のエアー噴出スリット
16a,16bから基板10に向けて噴射される(図1
1中にエアーの流れを破線の矢印で示す)。
The resistance members 12a for uniformly supplying air are provided.
Inner tubes 7a, 7b substantially opposite to the mounting position of 12b
The air flow direction control portions 14a and 14b projecting in a substantially triangular shape are fixed to the outer surface of the outer tube by welding or the like, and the positions on the outer tubes 8a and 8b corresponding to the mounting positions of the air flow direction control portions 14a and 14b. In the openings 23a and 23b, nozzles 15a and 15b for ejecting air are provided at the ends of the openings 23a and 23b.
It is fixed by welding or the like toward the sides a and 3b. It is desirable that the inclination of the nozzle portions 15a and 15b be set so that the angle formed by the normal to the surface of the substrate 10 is about 5 ° to 30 °. As shown in FIGS. 10 and 11, air ejection slits 16a and 16b extending in the longitudinal direction are formed on the lower surfaces of the casings 6a and 6b, and the tips of the nozzle portions 15a and 15b are provided in the air ejection slits 16a and 16b. Are located, and the gaps between the tips of the nozzle portions 15a, 15b and the air ejection slits 16a, 16b of the casings 6a, 6b are sealed by sealing portions 17a, 17b. With this configuration, the air supplied into the inner pipes 7a and 7b flows through the air uniform supply resistance members 12a and 12b into the space between the inner pipes 7a and 7b and the outer pipes 8a and 8b. The air flows in the space in the circumferential direction, and depends on the shape of the air flow direction control units 14a and 14b.
The nozzles 15a, 15b are jetted toward the substrate 10 from the tips of the nozzles 15a, 15b, that is, the air jet slits 16a, 16b on the lower surfaces of the drying gas supply units 2a, 2b (FIG. 1).
The flow of air is indicated by a broken arrow in FIG. 1).

【0060】気液混合物排出部3a,3bは、図11に
示すように、箱状のケーシング18a,18bの内部
に、多数の貫通孔を有する多孔質材19a,19bが収
容、固定されている。この多孔質材19a,19bに
は、例えば金属、プラスティック、セラミック等が用い
られるが、少なくとも基板10に対向する部分が親水性
を有することが好ましい。その場合、基板10表面の気
液混合物と多孔質材19a,19bとの接触性が良くな
り、気液混合物の排出を効率良くおこなうことができ
る。また、多孔質材19a,19bの基板10に対向す
る面は、表面粗さが小さく、うねりが小さいことが望ま
しい。この乾燥用ノズル25を使用する際には、ケーシ
ング18a上面およびケーシング18b下面に設けられ
た気液混合物排出口5a,5bにポンプ等の吸引手段が
接続され、基板10表面および裏面の気液混合物が多孔
質材19a,19bの多数の貫通孔を通って気液混合物
排出口5a,5bから排出される(図11中に気液混合
物の流れを実線の矢印で示す)。また、乾燥用気体供給
部2a,2bと気液混合物排出部3a,3bとはそれぞ
れのケーシング6a,18a、およびケーシング6b,
18b同士がネジ20a,20bにより固定されてい
る。
As shown in FIG. 11, the gas-liquid mixture discharge sections 3a and 3b accommodate and fix porous materials 19a and 19b having a large number of through holes inside box-shaped casings 18a and 18b. . For example, metal, plastic, ceramic, or the like is used for the porous materials 19a and 19b, and it is preferable that at least a portion facing the substrate 10 has hydrophilicity. In this case, the contact between the gas-liquid mixture on the surface of the substrate 10 and the porous materials 19a and 19b is improved, and the gas-liquid mixture can be efficiently discharged. It is desirable that the surfaces of the porous materials 19a and 19b facing the substrate 10 have small surface roughness and small undulation. When the drying nozzle 25 is used, suction means such as a pump is connected to the gas-liquid mixture outlets 5a and 5b provided on the upper surface of the casing 18a and the lower surface of the casing 18b, and the gas-liquid mixture on the front surface and the rear surface of the substrate 10 is connected. Is discharged from the gas-liquid mixture outlets 5a, 5b through a number of through holes of the porous materials 19a, 19b (the flow of the gas-liquid mixture is indicated by solid arrows in FIG. 11). Further, the drying gas supply units 2a and 2b and the gas-liquid mixture discharge units 3a and 3b are respectively provided with casings 6a and 18a and casings 6b and 6b.
18b are fixed by screws 20a and 20b.

【0061】上記構成の乾燥用ノズル25は、例えば洗
浄等のウエット処理後の基板10を処理可能なものとさ
れ、乾燥用気体供給部2a,2bと気液混合物排出部3
a,3bとが基板10表面および裏面に沿う方向に隣接
並置されており、使用時には基板10表面および裏面が
気液混合物排出部3a,3b、乾燥用気体供給部2a,
2bの順に対向する方向(図11に矢印Kで示す基板1
0の移動方向)に乾燥用ノズル25と基板10とを相対
移動させて基板10の乾燥をおこなうことができる。ま
ず、濡れた基板10表面の上方および裏面の下方に、後
述するように設定された距離だけ離間して配置された気
液混合物排出部3a,3bが通過すると、基板10表面
および裏面に盛り上がるように付着していた液体21が
押しのけられて、液厚が一定かつ薄くなる。次に、一定
液厚となった液体21が付着した基板10表面および裏
面に向けて乾燥用気体供給部2a,2bのエアー噴出ス
リット16a,16bからエアーが噴射されることによ
り、液体21が気液混合物排出部3a,3b側に吹き寄
せられ、エアーが噴射された部分の基板10が乾燥す
る。そして、気液混合物排出部3a,3bの近傍に吹き
寄せられた液体とエアーとが混合した気液混合物が、気
液混合物排出部3a,3bの多孔質材19a,19bの
多数の貫通孔を通じて基板10表面および裏面から吸
引、排出される。このようにして、基板10表面および
裏面の全域を乾燥させることができる。
The drying nozzle 25 having the above structure is capable of processing the substrate 10 after wet processing such as washing, for example, and includes the drying gas supply units 2 a and 2 b and the gas-liquid mixture discharge unit 3.
a and 3b are adjacently juxtaposed in the direction along the front and back surfaces of the substrate 10, and when used, the front and back surfaces of the substrate 10 have the gas-liquid mixture discharge sections 3a and 3b and the drying gas supply sections 2a and 2a.
2b (substrate 1 indicated by arrow K in FIG. 11).
The substrate 10 can be dried by moving the drying nozzle 25 and the substrate 10 relative to each other in the direction of movement (0). First, when the gas-liquid mixture discharge units 3a and 3b disposed above and below the wetted substrate 10 and separated by a distance set as described later pass through the wetted substrate 10, the surface of the wetted substrate 10 rises on the front and back surfaces of the substrate 10. The liquid 21 adhering to the liquid is pushed away, and the liquid thickness becomes constant and thin. Next, air is ejected from the air ejection slits 16a and 16b of the drying gas supply units 2a and 2b toward the front surface and the back surface of the substrate 10 to which the liquid 21 having a constant liquid thickness adheres, so that the liquid 21 is vaporized. The portion of the substrate 10 that is blown toward the liquid mixture discharge sections 3a and 3b and sprayed with air is dried. Then, the gas-liquid mixture in which the liquid and the air blown to the vicinity of the gas-liquid mixture discharge portions 3a, 3b are mixed with the substrate through many through holes of the porous materials 19a, 19b of the gas-liquid mixture discharge portions 3a, 3b. 10 Suction and discharge from front and back. In this manner, the entire area of the front surface and the back surface of the substrate 10 can be dried.

【0062】同時に、本実施形態の乾燥用ノズル(基板
ガイド装置)25においては、前述の各実施形態と同様
に、乾燥用気体供給部2a,2bに供給する流体(エア
ー)の量と、気液混合物排出部3a,3bから吸引除去
する気液混合物の量とを制御することによって基板10
にかかる圧力を制御し、図11に示すように、乾燥用気
体供給部2aおよび気液混合物排出部3aと基板10表
面との間隔L1 が、1mmないし10mmの範囲に設定
され、また、乾燥用気体供給部2bおよび気液混合物排
出部3bと基板10裏面との間隔間隔L2 が、0.1m
mないし10mmの範囲に設定される。このように制御
されたエアーの圧力により、上下の乾燥用ノズル25の
間に位置する基板10が、この乾燥用ノズル25に対す
る上下方向位置を規定されることになる。同時に、基板
10の上下方向におけるそり、ゆがみ等の変形を矯正す
ることができる。
At the same time, in the drying nozzle (substrate guide device) 25 of this embodiment, the amount of the fluid (air) supplied to the drying gas supply units 2a and 2b and the air The substrate 10 is controlled by controlling the amount of the gas-liquid mixture to be suctioned and removed from the liquid mixture discharge sections 3a and 3b.
Controlling the pressure exerted on, as shown in FIG. 11, the interval L 1 between the drying gas supply unit 2a and the gas-liquid mixture discharge section 3a and the substrate 10 surface, to no 1mm is set in a range of 10 mm, also, dried spacing distance L 2 between the use gas supply unit 2b and the gas-liquid mixture discharge section 3b and the substrate 10 backside, 0.1 m
It is set in the range of m to 10 mm. The substrate 10 positioned between the upper and lower drying nozzles 25 defines the vertical position with respect to the drying nozzles 25 by the air pressure controlled as described above. At the same time, deformation such as warpage and distortion in the vertical direction of the substrate 10 can be corrected.

【0063】[第7の実施の形態]以下、本発明に係る
基板ガイド装置ならびにこれを用いた洗浄装置の第7の
実施の形態を、図面に基づいて説明する。図12は本実
施の形態の洗浄装置を示す模式図である。本実施の形態
の洗浄装置は、例えば矩形のガラス基板(被処理物)を
洗浄する際に用いられるものであり、図1ないし図11
に示す第1ないし第6の実施形態と共通の構成要素には
共通の符号を付けてその説明を省略する。
[Seventh Embodiment] Hereinafter, a seventh embodiment of a substrate guide device and a cleaning apparatus using the same according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 12 is a schematic diagram showing the cleaning device of the present embodiment. The cleaning apparatus of the present embodiment is used for cleaning, for example, a rectangular glass substrate (object to be processed), and is shown in FIGS.
The same components as those of the first to sixth embodiments shown in FIG.

【0064】本実施形態においては、図9に示す第5実
施形態の洗浄装置200において、洗浄ノズル210の
上流側に設けられた基板ガイド装置が図7,図8に示す
第4実施形態と略同等の構成を有する基板ガイド装置2
30とされ、かつ、洗浄ノズル210の下流側に設けら
れた基板ガイド装置が図10,図11に示す第6実施形
態の基板ガイド装置25と略同等の構成を有するものと
されている。
In the present embodiment, in the cleaning apparatus 200 of the fifth embodiment shown in FIG. 9, the substrate guide device provided on the upstream side of the cleaning nozzle 210 is substantially the same as the fourth embodiment shown in FIGS. Substrate guide device 2 having the same configuration
The substrate guide device 30 is provided downstream of the cleaning nozzle 210 and has substantially the same configuration as the substrate guide device 25 of the sixth embodiment shown in FIGS.

【0065】ここで、基板ガイド装置230において
は、流体吹出ノズル201a,201bに、液体(ここ
ではオゾン水)を供給する流体供給手段231が接続さ
れるとともに、流体吸引ノズル201c,201dに、
液体を吸引排出する流体排出手段232が接続される。
また、基板ガイド装置(乾燥用ノズル)25において
は、乾燥用気体供給部(流体吹出ノズル)2a,2bに
流体(エアー;乾燥用気体)を供給する流体供給手段
(エアー供給源)233が接続され、気液混合物排出部
(流体吸引ノズル)3a,3bから流体(気液混合物)
を吸引除去する流体排出手段(吸引手段)234が接続
されている。
Here, in the substrate guide device 230, fluid supply means 231 for supplying a liquid (here, ozone water) is connected to the fluid blowing nozzles 201a and 201b, and fluid supply nozzles 201c and 201d are connected to the fluid suction nozzles 201c and 201d.
A fluid discharging means 232 for sucking and discharging the liquid is connected.
In the substrate guide device (drying nozzle) 25, fluid supply means (air supply source) 233 for supplying a fluid (air; drying gas) to the drying gas supply units (fluid blowing nozzles) 2a and 2b is connected. The fluid (gas-liquid mixture) is discharged from the gas-liquid mixture discharge sections (fluid suction nozzles) 3a, 3b.
A fluid discharge means (suction means) 234 for sucking and removing the fluid is connected.

【0066】このような洗浄装置によれば、前述の図1
ないし図11に示す第1ないし第6の実施形態と同等の
効果を奏するとともに、洗浄ノズル210の上流側で
は、基板ガイド装置230において噴出する流体として
液体を選択して、基板10の変形矯正をおこなうと同時
に、この流体として、オゾン水を選択することにより、
洗浄ノズル210の洗浄液Wによる洗浄処理に先立ち、
基板10表面および裏面に対して有機物分解処理をおこ
なうことができる。また、洗浄ノズル210における洗
浄液Wの除去をおこなう乾燥処理を、乾燥用エアーを噴
出する乾燥ノズル(基板ガイド装置)25によりおこな
うことができる。これにより、洗浄装置200として、
基板ガイド装置と有機物分解処理ノズルと乾燥ノズルと
を別々の構成として設けた場合に比べて、装置に必要な
スペースを低減でき、製造コストの低減が図れ、基板1
0の変形矯正用の流体によって有機物分解処理および乾
燥処理をおこなうことができるので、ランニングコスト
を低減することができるという効果を奏する。
According to such a cleaning apparatus, the aforementioned FIG.
In addition to the effects equivalent to those of the first to sixth embodiments shown in FIGS. 11 to 11, the liquid is selected as the fluid to be ejected in the substrate guide device 230 on the upstream side of the cleaning nozzle 210 to correct the deformation of the substrate 10. At the same time, by selecting ozone water as this fluid,
Prior to the cleaning process of the cleaning nozzle 210 with the cleaning liquid W,
Organic substance decomposition treatment can be performed on the front and back surfaces of the substrate 10. In addition, a drying process for removing the cleaning liquid W in the cleaning nozzle 210 can be performed by a drying nozzle (substrate guide device) 25 that blows out drying air. Thereby, as the cleaning device 200,
As compared with the case where the substrate guide device, the organic substance decomposition processing nozzle, and the drying nozzle are provided as separate components, the space required for the device can be reduced, the manufacturing cost can be reduced, and
Since the organic matter decomposing process and the drying process can be performed by the zero deformation correcting fluid, there is an effect that the running cost can be reduced.

【0067】[0067]

【発明の効果】本発明の基板ガイド装置ならびにこれを
用いた洗浄装置によれば、流体を吹出して基板の変形矯
正および位置設定をおこなうことにより、接触汚染を防
止して基板を支持が可能で、洗浄等の処理用ノズルと基
板との位置状態設定の正確性の向上を図り、洗浄等の処
理効率を向上し、装置構成の簡略化と、製造コストの削
減とを図るという効果を奏する。
According to the substrate guide device of the present invention and the cleaning device using the same, the substrate can be supported by preventing the contact contamination by blowing the fluid to correct the deformation of the substrate and set the position. In addition, it is possible to improve the accuracy of setting the positional state between the processing nozzle for cleaning and the like and the substrate, improve the efficiency of processing for cleaning and the like, simplify the apparatus configuration, and reduce the manufacturing cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明に係る基板ガイド装置の第1の実施
形態を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a first embodiment of a substrate guide device according to the present invention.

【図2】 図1のII−II線に沿って基板ガイド装置を
示す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing the substrate guide device along the line II-II in FIG.

【図3】 本発明に係る基板ガイド装置ならびにこれ
を用いた洗浄装置の第2の実施の形態における洗浄装置
を示す模式図である。
FIG. 3 is a schematic diagram showing a cleaning device in a second embodiment of a substrate guide device and a cleaning device using the same according to the present invention.

【図4】 図3の洗浄装置における表面洗浄ノズルを
示す下面図である。
FIG. 4 is a bottom view showing a front surface cleaning nozzle in the cleaning device of FIG. 3;

【図5】 図4のV−V線に沿って洗浄ノズルを示す断
面図である。
FIG. 5 is a sectional view showing the cleaning nozzle along the line VV in FIG. 4;

【図6】 本発明に係る基板ガイド装置の第3の実施
の形態を示す断面図である。
FIG. 6 is a sectional view showing a third embodiment of the substrate guide device according to the present invention.

【図7】 本発明に係る基板ガイド装置の第4の実施
の形態を示す斜視図である。
FIG. 7 is a perspective view showing a fourth embodiment of the substrate guide device according to the present invention.

【図8】 図7のVIII−VIII線に沿って基板ガイド装
置を示す断面図である。
8 is a cross-sectional view showing the substrate guide device along the line VIII-VIII in FIG.

【図9】 本発明に係る基板ガイド装置ならびにこれ
を用いた洗浄装置の第5の実施の形態における洗浄装置
を示す模式図である。
FIG. 9 is a schematic view showing a cleaning device in a fifth embodiment of a substrate guide device and a cleaning device using the same according to the present invention.

【図10】 本発明に係る基板ガイド装置の第6の実
施の形態を示す斜視図である。
FIG. 10 is a perspective view showing a sixth embodiment of the substrate guide device according to the present invention.

【図11】 図10のXI−XI線沿って洗浄ノズルを示
す断面図である。
FIG. 11 is a sectional view showing the cleaning nozzle along the line XI-XI in FIG. 10;

【図12】 本発明に係る基板ガイド装置ならびにこ
れを用いた洗浄装置の第7の実施の形態における洗浄装
置を示す模式図である。
FIG. 12 is a schematic view showing a cleaning device in a seventh embodiment of a substrate guide device and a cleaning device using the same according to the present invention.

【図13】 従来の省液型ノズルの一例を示す図であ
って、図13(a)は洗浄用ノズルの下面図、図13
(b)は図13(a)のXIII−XIII線に沿う側断面図で
ある。
13A and 13B are diagrams illustrating an example of a conventional liquid-saving nozzle, in which FIG. 13A is a bottom view of a cleaning nozzle, and FIG.
13B is a side sectional view taken along line XIII-XIII in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

W…洗浄液 2a,2b…乾燥用気体供給部(流体吹出ノズル) 3a,3b…気液混合物排出部(流体吸引ノズル) 4a,4b…エアー供給口 5a,5b…気液混合物排出口 6a,6b…ケーシング 7a,7b…内管 8a,8b…外管 9a,9b…エアー供給用チューブ 10…基板 11a,11b…固定部 12a,12b…エアー均一供給用抵抗部材 13a,13b,20a,20b…ネジ 14a,14b…エアー流れ方向制御部 15a,15b…ノズル部 16a,16b…エアー噴出スリット 17a,17b…封止部 18a,18b,204a,204b,204c,20
4d…ケーシング 19a,19b,205a,205b,205c,20
5d…多孔質材 21…液体 22a,22b,23a,23b…開口部 25…乾燥用ノズル(基板ガイド装置) 200…洗浄装置 201,230…基板ガイド装置 201a,201b…エアー吹出ノズル(流体吹出ノズ
ル) 201c,201d…流体吸引ノズル 202a,202b…吹出口 202c,202d…吸引口 203a,203b…流体供給口 203c,203d…流体排出口 206a,206b,206c,206d…空間部 208…エアー供給手段(流体供給手段) 210…洗浄ノズル 230A…上側ノズル 230B…下側ノズル 231,233…流体供給手段 232,234…流体排出手段
W: Cleaning liquid 2a, 2b: Drying gas supply unit (fluid blowing nozzle) 3a, 3b: Gas-liquid mixture discharge unit (fluid suction nozzle) 4a, 4b: Air supply port 5a, 5b: Gas-liquid mixture discharge port 6a, 6b ... Casing 7a, 7b ... Inner tube 8a, 8b ... Outer tube 9a, 9b ... Air supply tube 10 ... Substrate 11a, 11b ... Fixed part 12a, 12b ... Air uniform supply resistance member 13a, 13b, 20a, 20b ... Screw 14a, 14b ... air flow direction control unit 15a, 15b ... nozzle unit 16a, 16b ... air ejection slit 17a, 17b ... sealing unit 18a, 18b, 204a, 204b, 204c, 20
4d Casing 19a, 19b, 205a, 205b, 205c, 20
5d: Porous material 21: Liquid 22a, 22b, 23a, 23b: Opening 25: Drying nozzle (substrate guide device) 200: Cleaning device 201, 230: Substrate guide device 201a, 201b: Air blowing nozzle (fluid blowing nozzle) 201c, 201d ... fluid suction nozzles 202a, 202b ... outlets 202c, 202d ... suction ports 203a, 203b ... fluid supply ports 203c, 203d ... fluid discharge ports 206a, 206b, 206c, 206d ... space 208 ... air supply means ( Fluid supply means) 210: cleaning nozzle 230A: upper nozzle 230B: lower nozzle 231, 233: fluid supply means 232, 234: fluid discharge means

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三森 健一 宮城県仙台市泉区明通三丁目31番地 株式 会社フロンテック内 Fターム(参考) 3B116 AA02 AB14 AB42 BB24 BB32 BB72 BB85 CC03 CD42 CD43 3B201 AA02 AB14 AB42 BB24 BB32 BB72 BB85 BB92 CC12 CD42 CD43  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Kenichi Mimori 3-31 Meido, Izumi-ku, Sendai-shi, Miyagi F-term in Frontech Co., Ltd. 3B116 AA02 AB14 AB42 BB24 BB32 BB72 BB85 CC03 CD42 CD43 3B201 AA02 AB14 AB42 BB24 BB32 BB72 BB85 BB92 CC12 CD42 CD43

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 互いに吹出口を対向させるとともに間
隔を設けて配置した一対の流体吹出ノズルと、該一対の
流体吹出ノズルのそれぞれに流体を供給する流体供給手
段とを有し、 この流体を前記流体吹出ノズルの吹出口から前記間隙に
吹き出すことにより、該間隙に挿入される基板と前記流
体吹出ノズルとの相対距離を制御することを特徴とする
基板ガイド装置。
1. A pair of fluid outlet nozzles having outlets opposed to each other and arranged at an interval, and fluid supply means for supplying a fluid to each of the pair of fluid outlet nozzles. A substrate guide device, wherein a relative distance between a substrate inserted into the gap and the fluid ejection nozzle is controlled by blowing the fluid from the outlet of the fluid ejection nozzle into the gap.
【請求項2】 前記吹出口が、多孔部材により形成さ
れていることを特徴とする請求項1記載の基板ガイド装
置。
2. The substrate guide device according to claim 1, wherein the outlet is formed of a porous member.
【請求項3】 前記一対の流体吹出ノズルが上下方向
に間隔を設けて配置されるとともに、この間隙に略水平
状態に位置された基板が挿入され、 前記一対の流体吹出ノズルのうち前記基板の上側に位置
する流体吹出ノズルと前記基板表面との間隔が、1mm
ないし10mmの範囲に設定されることを特徴とする請
求項1記載の基板ガイド装置。
3. The pair of fluid ejection nozzles are arranged at intervals in the vertical direction, and a substrate positioned in a substantially horizontal state is inserted into the gap. The distance between the fluid ejection nozzle located on the upper side and the substrate surface is 1 mm
2. The substrate guide device according to claim 1, wherein the substrate guide device is set in a range of 10 to 10 mm.
【請求項4】 前記一対の流体吹出ノズルが上下方向
に間隔を設けて配置されるとともに、この間隙に略水平
状態に位置された基板が挿入され、 前記一対の流体吹出ノズルのうち前記基板の下側に位置
する流体吹出ノズルと前記基板裏面との間隔が、0.1
mmないし10mmの範囲に設定されることを特徴とす
る請求項1記載の基板ガイド装置。
4. The pair of fluid ejection nozzles are arranged at intervals in the vertical direction, and a substrate positioned in a substantially horizontal state is inserted into the gap. The distance between the lower fluid ejection nozzle and the back surface of the substrate is 0.1
2. The substrate guide device according to claim 1, wherein the substrate guide device is set in a range of mm to 10 mm.
【請求項5】 前記吹出口から吹き出された流体を吸
引排出する流体吸引ノズルが、前記吹出口近傍に設けら
れることを特徴とする請求項1記載の基板ガイド装置。
5. The substrate guide device according to claim 1, wherein a fluid suction nozzle for sucking and discharging the fluid blown out from the outlet is provided near the outlet.
【請求項6】 請求項1記載の基板ガイド装置と、 該基板ガイド装置の流体吹出ノズルとこの一対の流体吹
出ノズルの間隙に挿入された前記基板とを相対移動させ
る相対移動手段と、 この基板移動方向の前記流体吹出ノズル下流側に設けら
れ前記基板を洗浄する洗浄ノズルと、を具備することを
特徴とする洗浄装置。
6. A substrate guide device according to claim 1, relative movement means for relatively moving a fluid blowout nozzle of said substrate guide device and said substrate inserted into a gap between said pair of fluid blowout nozzles, and said substrate. A cleaning nozzle provided downstream of the fluid blowing nozzle in a moving direction for cleaning the substrate.
【請求項7】 請求項1記載の基板ガイド装置と、 該基板ガイド装置の流体吹出ノズルとこの一対の流体吹
出ノズルの間隙に挿入された前記基板とを相対移動させ
る相対移動手段と、 この基板移動方向の前記流体吹出ノズル上流側に設けら
れ前記基板を洗浄する洗浄ノズルと、を具備することを
特徴とする洗浄装置。
7. The substrate guide device according to claim 1, relative movement means for relatively moving a fluid blowing nozzle of the substrate guide device and the substrate inserted into a gap between the pair of fluid blowing nozzles, A cleaning nozzle provided upstream of the fluid blowing nozzle in a moving direction to clean the substrate.
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006501693A (en) * 2002-09-30 2006-01-12 ラム リサーチ コーポレーション Substrate processing system using meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold
JP2006501655A (en) * 2002-09-30 2006-01-12 ラム リサーチ コーポレーション Method and apparatus for drying a semiconductor wafer surface using a plurality of inlets and outlets held in close proximity to the wafer surface
WO2006013848A1 (en) * 2004-08-05 2006-02-09 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Deposit removing device
KR100586239B1 (en) * 2002-04-19 2006-06-02 주식회사 디엠에스 Cleaning apparatus having fluid mixing nozzle for manufacturing flat panel display
JP2009051654A (en) * 2007-08-29 2009-03-12 Toppan Printing Co Ltd Substrate carrying device and substrate inspection device
US7552503B2 (en) 2003-07-17 2009-06-30 Sony Corporation Apparatus and method for cleaning a surface with high pressure air
JP2009178672A (en) * 2008-01-31 2009-08-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
CN115254789A (en) * 2022-08-22 2022-11-01 赫曼半导体技术(深圳)有限公司 Wet processing substrate processing device

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100586239B1 (en) * 2002-04-19 2006-06-02 주식회사 디엠에스 Cleaning apparatus having fluid mixing nozzle for manufacturing flat panel display
JP2006501693A (en) * 2002-09-30 2006-01-12 ラム リサーチ コーポレーション Substrate processing system using meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold
JP2006501655A (en) * 2002-09-30 2006-01-12 ラム リサーチ コーポレーション Method and apparatus for drying a semiconductor wafer surface using a plurality of inlets and outlets held in close proximity to the wafer surface
US7552503B2 (en) 2003-07-17 2009-06-30 Sony Corporation Apparatus and method for cleaning a surface with high pressure air
WO2006013848A1 (en) * 2004-08-05 2006-02-09 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Deposit removing device
US8499410B2 (en) 2004-08-05 2013-08-06 Kobe Steel, Ltd. Deposit removing device
JP2009051654A (en) * 2007-08-29 2009-03-12 Toppan Printing Co Ltd Substrate carrying device and substrate inspection device
JP2009178672A (en) * 2008-01-31 2009-08-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
TWI392045B (en) * 2008-01-31 2013-04-01 Dainippon Screen Mfg A substrate processing apparatus and a substrate processing method
CN115254789A (en) * 2022-08-22 2022-11-01 赫曼半导体技术(深圳)有限公司 Wet processing substrate processing device

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