JP3970567B2 - Wet processing equipment - Google Patents

Wet processing equipment Download PDF

Info

Publication number
JP3970567B2
JP3970567B2 JP2001282441A JP2001282441A JP3970567B2 JP 3970567 B2 JP3970567 B2 JP 3970567B2 JP 2001282441 A JP2001282441 A JP 2001282441A JP 2001282441 A JP2001282441 A JP 2001282441A JP 3970567 B2 JP3970567 B2 JP 3970567B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
processing liquid
processed
processing
treatment liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001282441A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2003092277A (en
Inventor
健一 三森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Alps Alpine Co Ltd
Original Assignee
Alps Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Alps Electric Co Ltd filed Critical Alps Electric Co Ltd
Priority to JP2001282441A priority Critical patent/JP3970567B2/en
Priority to KR10-2002-0052863A priority patent/KR100525601B1/en
Priority to CNB021431205A priority patent/CN1189925C/en
Publication of JP2003092277A publication Critical patent/JP2003092277A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3970567B2 publication Critical patent/JP3970567B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体デバイス、液晶表示パネルなどの製造プロセスにおける洗浄、エッチング等のウェット処理工程において、被処理物上に処理液を供給するためのノズルを備えたウェット処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイス、液晶表示パネル等の電子機器の分野においては、その製造プロセス中に被処理物である半導体基板やガラス基板を洗浄処理する工程が必須である。洗浄工程においては、製造工程中の種々の除去対象物質を除去すべく、超純水、電解イオン水、オゾン水、水素水等、種々の処理液を用いた洗浄が行われるが、これら処理液は洗浄装置のノズルから基板上に供給される。ところが、従来一般の洗浄用ノズルを用いた場合、処理液の使用量が多くなるという問題があった。例えば500mm角の基板の洗浄を電解イオン水等の処理液を用いて行い、かかる処理液による洗浄とリンス洗浄水によるリンスを行った後の基板上のパーティクルの残存量として0.5個/cm2レベルの洗浄度を達成しよう等すると、25〜30リットル/分程度の処理液及びリンス処理液を使用しなければならなかった。
【0003】
そこで、従来型に比べて処理液の使用量を大幅に削減できる省液型の洗浄用ノズルとして、被処理基板上に処理液を供給して被処理基板のウェット処理を行う際に用いるウェット処理用ノズルであって、一端に処理液を導入するための導入口を有する導入通路と、一端に使用後の処理液を外部に排出するための排出口を有する排出通路とが形成され、これら導入通路と排出通路のそれぞれの他端に、被処理基板に向けて開口する導入開口部と排出開口部とが設けられたウェット処理用ノズルが提案されている。
【0004】
図7は、上記構成を備えたウェット処理用ノズルの一例を示す断面図であり、この図に示すウェット処理用ノズル100は、被処理基板Wを例えば矢印Aの方向へ移動させながら、被処理基板W上に処理液を供給して洗浄を行うようになっている。このウェット処理用ノズル100は、一端に処理液110を導入するための導入口101aを有する導入管101と、一端にウェット処理後の処理液110を外部へ排出するための排出口102aを有する排出管102とが設けられ、導入管101と排出管102のそれぞれの他端が連結され、被処理基板Wに対向する連結部103が形成され、この連結部103に導入管101が開口している第1開口部101bと、排出管102が開口している第2開口部102bが設けられたものである。上記連結部103と被処理基板Wの間の空間には、ウェット処理を行う処理領域105が形成されている。また、上記連結部103には、処理領域105内の処理液110に超音波振動を付与するための超音波振動子が設けられている。ここでの超音波振動子は、振動板106と、振動板106の主面の両端から立ち上がる側板107と、振動板106の主面上に設けられた超音波振動子本体108とから構成されている。ここでの超音波振動子108は、電源(図示略)に接続されている。また排出管102の排出口102aには、減圧ポンプ(図示略)が接続されている。
また、上記第1開口部101b及び第2開口部102bには、これら開口部101b、102bを通過して導入及び排出される処理液110が、被処理基板W上に均一に導入されるようにするための整流部材111、112が設けられている。これらの整流部材111,112は、被処理基板Wの被処理領域全体に均一に処理液が供給されるようにするためのもので、テフロン(登録商標)等からなるシートに小径の透孔を複数形成したものなどが用いられる。
【0005】
また、処理液110は導入管101の導入口101aから供給され、第1開口部101bの整流部材111に到るが、排出管102の排出口102aには、上述のように減圧ポンプ(図示略)が接続されているので、減圧ポンプの吸引圧力を制御することにより、導入管101に供給された処理液110の、第1開口部101b側における圧力(処理液110の表面張力と被処理基板Wの被処理面の表面張力も含む)と、大気圧との圧力差を制御できるようになっている。
すなわち、第1開口部101bにおいて大気と接触している処理液110の圧力Pw(処理液の表面張力と被処理基板Wの被処理面の表面張力も含む)と大気圧Paとの関係を、Pw≒Paとすることにより、第1開口部101bの整流部材111を通じて被処理基板Wに供給され、被処理基板Wに接触した処理液110はウェット処理用ノズル100の外部に漏れることなく、排出管102へ排出される。このため、図7のウェット処理用ノズル100は、処理液110の使用量を大幅に削減することができる。
また、図7に示すウェット処理用ノズル100では、被処理基板Wを洗浄する際、処理領域105に処理液110を供給した状態で上記超音波振動子本体108により超音波振動を付与し、処理液110と共働して被処理基板Wを洗浄することができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図7に示すウェット処理用ノズル100では、処理液110を供給しながら被処理基板Wのウェット処理を行っている際に、処理領域105に処理液110が供給されなくなる問題が生じる場合があることが判明した。これは、ウェット処理用ノズル100では、板材を曲げ加工することで連結部103の側板107を、振動板106の両端から立ち上がるように形成しているため、連結部103の底部両端の角部に、曲面部107Rが形成されることに起因すると本発明者は考えた。すなわち、このような曲面部107Rが存在すると、整流部材111の下面から被処理基板Wに向けて供給される処理液110に同伴される微細な気泡が、整流部材111と曲面部107Rとにより形成される断面略くさび状の溝101A内に滞留し、この気泡がウェット処理の時間経過とともに大きくなる。そして、この気泡が被処理基板Wへ到達する大きさになると、この気泡により部分的あるいは全体的に、処理領域105における処理液110の流れが遮断される。ウェット処理装置100は、排出通路102に接続された減圧ポンプにより処理液110の圧力制御を行っているため、処理領域105内で処理液110が分断されると、処理液110を第1開口部101bから処理領域105へ引き込む力が弱くなり、処理液110の供給が停止される。そして、処理液110の供給が停止されると、洗浄能力が低下し、被処理基板Wの洗浄が不十分なものとなる。
【0007】
従って本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、運転中に安定して処理液を供給/回収することができ、かつ処理液の導入側から排出側への処理液の流れを均一に維持することができるウェット処理装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明のウェット処理装置は、被処理物に対向する面に、該被処理物に処理液を導入する処理液導入部と、前記被処理物から処理液を回収する処理液回収部と、これら処理液導入部及び処理液回収部とを連結する連結部とを有するノズルを備えるウェット処理装置であって、前記連結部の被処理物側の面と、前記処理液導入部の被処理物側の面と、前記処理液回収部の被処理物側の面とが同一の基板から形成され、処理液が導入される複数の処理液導入口と、複数の処理液回収口が、前記基板を貫通してそれぞれ形成されてなり、前記基板と、該基板の被処理物と反対側の面に対向して配設された支持板とにより挟持された中空の隔壁部材により前記処理液導入部及び処理液回収部が形成されており、前記隔壁部材の各中空部は、前記複数の処理液導入口及び前記複数の処理液回収口より前記被処理物に対向する面から見た断面積が大きく形成されて処理液を貯溜可能にするとともに、前記の各中空部と、前記複数の処理液導入口及び前記複数の処理液回収口とがそれぞれ接続されて前記処理液の流れを均一にするよう前記処理液の流路が形成されてなり、前記隔壁部材は、疎水性材料で形成されており、前記隔壁部材の周縁部が前記基板の外周側を取り囲んで前記基板の被処理基板と対向する面と同一面を形成していることを特徴とする。
【0009】
本発明のウェット処理装置は、処理液導入口から処理液を被処理物に供給し、被処理物のウェット処理に供された処理液を前記処理液回収口から回収する構成のウェット処理装置である。つまり、ノズルと被処理物とに挟まれ、処理液導入口から処理液回収口に到る領域が、処理液が流動されて被処理物のウェット処理が行われる処理領域とされている。そして、本発明のウェット処理装置は、処理液導入部と処理液回収部の被処理物側の面と、前記連結部の被処理物側の面とが面一に形成されていることで、前記処理領域において、処理液導入口から処理液回収口に到る経路中に気泡が滞留する場所が形成されない構造を実現している。従って、本発明のウェット処理装置は、上述の従来のウェット処理用ノズル100のように、処理領域105内で気泡が成長して処理液の流れを遮断することがなく、処理領域における処理液の流れを安定に維持することができる。
【0011】
また、前記ノズルの被処理物と対向する側に基板を配し、この基板を貫通させて処理液導入口と、処理液回収口を形成することで、処理液導入口から処理液回収口に到る処理領域が、前記基板の被処理物側の面と、被処理物とに挟まれた領域となるので、前記ノズルの処理領域側の面をより面一に形成することが可能となり、これにより処理液導入口から導入された処理液に同伴される気泡の処理領域内での滞留をさらに効果的に防止することができる。
【0013】
また、上記基板上に設けられた中空の隔壁部材により処理液導入部と処理液回収部とが形成され、この中空部に処理液を貯溜可能とされていることで、この中空部に接続された処理液導入口への処理液の供給、あるいは処理液回収口からの処理液の回収における処理液流量をこの中空部での貯溜により調整することができ、処理液の流れを均一にすることができる。さらには、上述のように基板と隔壁部材と支持板とを基本構造とすることで、構造を簡素化してノズルの製造コストを低減するとともに、メンテナンスが容易でトラブルの少ないノズルを実現することができる。また、被処理物と対向する面を、前記基板の一面側で構成することで、処理液に同伴される気泡の処理領域内での滞留を防止できるのは勿論である。
【0014】
次に、本発明のウェット処理装置は、前記連結部に、該連結部と前記被処理物との間の処理液に振動を付与するための振動付与手段が設けられた構成とすることもできる。
【0015】
このような構成とすることで、例えば本発明のウェット処理装置を洗浄装置として用いる場合には、上記振動付与手段により処理液(洗浄液)に与えられた振動による付着物の除去効果により洗浄効率を高めることができる。また、この振動付与手段は前記ノズルに対して着脱可能とされていてもよく、このような構成とすれば例えば振動周波数の異なる他の振動付与手段や、光照射手段と容易に交換することができ、ウェット処理装置の汎用性を高めることができる。
【0016】
次に、本発明のウェット処理装置は、前記連結部の前記被処理物側の面が、紫外線を透過する部材で形成されており、前記連結部に、前記被処理物に向けて紫外線を照射するための紫外線照射手段が設けられた構成とすることもできる。
【0017】
このような構成とすることで、処理液中にオゾンを発生させて被処理物をオゾン処理したり、処理液の殺菌を行うことができるウェット処理装置を実現することができる。また、この紫外線照射手段も、上記振動付与手段と同様に前記ノズルに対して着脱可能とすることができるのは勿論である。
【0018】
次に、本発明のウェット処理装置においては、前記連結部と前記支持板と、前記隔壁部材とに囲まれる空間に紫外線照射手段が収納されており、前記空間の内部を不活性ガスと置換するためのガス置換手段が設けられていてもよい。
【0019】
このような構成とすることで、紫外線照射手段から照射された紫外線が周囲の酸素に吸収されて減衰するのを防止することができる。従って、本構成によれば、連結部を透過して被処理物へ到達する紫外線量を増加させ、処理液中でのオゾンの発生効率、処理液の殺菌効率を高めることができる。
【0020】
次に、本発明のウェット処理装置においては、前記基板が親水性材料で形成されることが好ましい。このような構成とすることで、基板と接して流動する処理液と基板との親和性を高めることができるので、処理領域における処理液の流れをより円滑にすることができ、処理液の流れの均一性、制御性を高めることができる。
【0021】
次に、本発明のウェット処理装置においては、前記基板の被処理物側の面に、微細な凹凸形状が形成されていてもよい。このような構成とすることによっても、処理液の流れに対する基板表面の抵抗を低減することができ、処理液の流れをより円滑にし、処理液の流れの制御性を高めることができる。
【0022】
また、隔壁部材を疎水性材料で構成し、この隔壁部材の周縁部を、前記基板の外周側を取り囲んで前記基板の被処理基板と対向する面と同一面とすることで、
処理液導入口より外側への処理液の広がりを上記疏水性材料により規制することができるので、処理領域内に処理液を容易に閉じこめることができ、その結果処理液の流れの制御性を高めることができる。
【0023】
また、上記処理液導入口側と同様に、疎水性材料からなる隔壁部材を配置することで、処理液回収口側においても処理液を処理領域内に閉じ込め易くなり、処理液の流れの制御性を高めることができる。
【0024】
次に、本発明のウェット処理装置は、前記ノズルと、前記被処理物とを、互いの間隔を一定に保ちつつ相対移動させる、ノズル又は被処理物の移動手段を備える構成とすることができる。このような構成とすることで、被処理物の被処理面上で上記ノズルを移動させながら被処理物のウェット処理を行うことが可能となり、より作業効率に優れたウェット処理装置を実現することができる。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。
【0026】
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態である洗浄装置(ウェット処理装置)の全体構成を模式的に示す斜視構成図であり、図2は図1に示すB−B’線に沿う断面構造を示す図である。また、図3は、図1,2に示す洗浄用ノズル1を被処理基板W側から見た平面図である。
図1及び図2に示すように、本実施形態の洗浄装置は、洗浄用ノズル1に対して被処理物である被処理基板Wを移動方向Aに移動させる移動手段(図示せず)とから概略構成されている。
【0027】
図1〜図3に示す洗浄用ノズル1は、平板状の基板(連結部)2と、この基板2の外周を取り囲んで基板2上に配設された隔壁部材11と、隔壁部材11上に配設された支持板7と、基板2の被処理基板Wと反対側の面に設けられた振動付与手段13とを備えて構成されている。
基板2は、被処理基板Wに施される洗浄処理の種類に応じてステンレス鋼等の金属基板や、石英や、ガラス基板等で構成されている。図2及び図3に示すように、この基板2は洗浄用ノズル1において被処理基板Wと対向する面を形成する部材であり、その両側の長辺端に沿って複数の処理液導入口16及び処理液回収口17が形成されている。より詳細には、基板2の被処理基板Wと反対側の面に、その両側の長辺端に沿って平面視長方形状の溝部2A及び2Bが刻設されており、この溝部2Aの底面から被処理基板W側へ貫通して複数の処理液導入口16が形成されており、溝部2Bの底面から被処理基板W側へ貫通して複数の処理液回収口17が形成されている。本実施形態の洗浄用ノズル1では、処理液導入口16を介して処理液(洗浄用処理液)10を被処理基板Wへ供給し、処理液回収口17を介して洗浄液10を被処理基板Wから回収するようになっている。この処理液導入口16と処理液回収口17との間の、基板2と被処理基板Wとに挟まれる領域が、本実施形態の洗浄装置における処理領域5とされており、この処理領域5に接している被処理基板Wの表面が、洗浄(ウェット処理)に供されるようになっている。
【0028】
上記処理液導入口16及び処理液回収口17は、それぞれ所定の間隔や孔径を有して形成され、被処理基板Wの幅方向(基板2の長手方向)において洗浄液10を均一に供給し、また回収できるようになっている。図3では、一例として同一の孔径の15個の処理液導入口16(処理液回収口17)を、溝部2A(溝部2B)の長さ方向に沿って等間隔で配列形成した例を示したが、これらの孔径や間隔、形状に限定されるものではなく、これら処理液導入口16、処理液回収口17の配列方向(基板2長手方向)における処理液10の流量を均一にできるならば、任意の形状や配列間隔とすることができる。
【0029】
上記基板2の少なくとも被処理基板W側の面は、親水性とされていることが好ましく、基板2を貫通して形成されている処理液導入口16及び処理液回収口17の内面側も親水性とされることが好ましい。処理領域5を構成する基板2の表面を親水性とすることで、処理領域5における処理液10の流れを円滑にし、その制御性を向上させることができる。また、処理液導入口16及び処理液回収口17の内面側を親水性とすることで、処理液10の導入と回収も円滑に行うことができ、より処理液10の流れを安定なものとすることができる。
【0030】
基板2上に設けられた隔壁部材11は、図2,3に示すように平面視略額縁状であり、その周縁部の一部が、基板2の外周側に突出されるとともに、その周縁部の被処理基板W側の面が、基板2の被処理基板W側の面と面一とされている。すなわち、換言するならば、額縁状の隔壁部材11の被処理基板W側の内周に沿って形成された段差部に、基板2が嵌合されて構成されている。隔壁部材11には、その両長辺に沿って隔壁部材11の厚さ方向に貫通して中空部11A、11Bがそれぞれ形成されており、これらの中空部11A、11Bは、基板2に形成された平面視長方形状の溝部2A、2Bと対応する位置に、それぞれ溝部2A、2Bとほぼ同じ平面形状で形成され、中空部11Aと溝部2A、中空部11Bと溝部2Bとがそれぞれ連通されている。そして、中空部11A及び処理液導入口16を含む部分が処理液導入部3とされ、中空部11B及び処理液回収口17を含む部分が処理液回収部4とされている。これら中空部11A、11Bには、処理液10を貯溜できるようになっており、処理液導入部3においては処理液導入口16への処理液10の供給をより均一にすることができ、また処理液回収部4においては、被処理基板Wからの処理液10の回収をより均一にすることができる。
【0031】
上記隔壁部材11は、例えばテフロン(登録商標)などの疎水性材料で構成することが好ましい。隔壁部材11を疏水性材料とすることで、基板2の外周側を取り囲み被処理基板Wと対向する隔壁部材11の内側の領域(処理領域5))に、処理液10を閉じ込めやすくなるので、処理領域5における処理液10の流れの制御性を高めることができ、より安定に処理液10を流動させ易くなる。また、処理領域5の外側へ流出する処理液10の量を抑えることができるので、処理液10の使用量を低減できるほか、処理液10に取り込まれたパーティクルの再付着も抑制することができる。
【0032】
隔壁部材11の図2上側には、支持板7が設けられており、この支持板7の長手方向中央部には、処理液導入管7A及び処理液回収管7Bが、隔壁部材11側と反対方向(図示上方)に延設されており、これら処理液導入管7Aの内部及び処理液回収管7Bの内部は、支持板7を貫通し、支持板7の反対側と連通されている。そして、処理液導入管7Aの支持板7側は、中空部11Aの上方に配置されて処理液導入管7Aの内部と中空部11Aとが連通され、処理液回収管7Bの支持板7側は中空部11Bの上側に配置されて処理液回収管7Bの内部と中空部11Bとが連通されている。
【0033】
このように、本実施形態の洗浄用ノズル1では、処理液導入管7Aから、中空部11A及び溝部2Aを経由して処理液導入口16に到る経路を通って処理液10が被処理基板Wへ導入されるようになっており、処理液回収口17から、溝部2B及び中空部11Bを経由して処理液回収管7Bに到る経路を通って処理液10が被処理基板Wから回収されるとともに外部に排出されるようになっている。
【0034】
図2に示す隔壁部材11と基板2、及び隔壁部材11と支持板7との接合面は、中空部11A,11B内を流動する処理液10の漏洩を防止するために、シール材(図示せず)などにより封止されている。接合面の封止は、処理液10がこれらの接合面を介して外部へ漏洩しないようにできれば、特にその材料や構造に制限はなく、例えばこれらの接合面にOリングを設けても良く、あるいは接合面に接着剤などを塗布することで封止しても良い。
【0035】
本実施形態の洗浄用ノズル1では、基板2と、支持板7と、隔壁部材11とに囲まれた空間S内に、処理液10に振動を付与するための振動付与手段13が収納されており、その一面側は、基板2の内面側に接合されている。また、振動付与手段13を駆動、制御するためのケーブル18が振動付与手段13に接続されており、このケーブル18は支持板7の端部側で支持板7を貫通して洗浄用ノズル1の外側へ導出され、図示しない駆動制御部に接続されている。この振動付与手段としては、振動周波数0.7〜1.5MHz程度の超音波を発生する超音波振動子や、振動周波数28〜60kHz程度の比較的低周波の超音波を発生するボルト締めランジュバン型振動子などを用いることができ、被洗浄基板Wの種類や、洗浄目的に応じて適宜最適な周波数のものを選択すればよい。
【0036】
本実施形態の洗浄用ノズル1では、支持板7の処理液回収管7Bに図示しない圧力制御部が設けられている。この圧力制御部は、処理液導入口16から供給され、被処理基板Wに接触した処理液10が、洗浄処理後に処理液回収口17に回収されるように処理液導入口16側の大気と接触している処理液10の圧力(処理液の表面張力と被処理基板表面の表面張力も含む)と大気圧との均衡がとれるようにするものである。より具体的には、この圧力制御部は、処理液回収管7Bに接続された減圧ポンプにより構成することができ、この減圧ポンプにより処理液回収管7B内の処理液10を吸引する力を制御することで、上記大気圧との均衡をとるようになっている。このようにして、処理領域5内へ導入された処理液10は、処理領域5の外側へ漏れることなく、処理液回収口17へ回収される。つまり、被処理基板Wへ導入された処理液10は、処理領域5内の被処理基板W表面以外の領域に触れることなく、処理液回収部4へ回収されるようになっている。
【0037】
以上の構成の本実施形態の洗浄用ノズル1は、被処理基板Wと対向する面に基板2が配置され、この基板2を貫通して処理液導入口16及び処理液回収口17が形成されているので、処理液導入口16から処理液回収口17に到る処理領域5と接する面が、基板2の一面内とされている。すなわち、処理液導入口16の被処理基板W側の端部と、基板2の被処理基板W側の面と、処理液回収口17の被処理基板W側の端部とが、面一に形成されている。このような構造とされていることで、処理液10に同伴されて処理領域5内へ気泡が混入した場合に、この気泡が滞留し得る位置を無くし、気泡の滞留による処理液10の流れの遮断が起こらないようになっている。従って、本実施形態の洗浄用ノズル1及び洗浄装置によれば、処理領域5内での処理液10の流れを安定に維持することができ、被処理基板Wをムラ無く、均一に洗浄することが可能である。
【0038】
また、上記構成の洗浄用ノズル1において、処理領域5に処理液10を供給した状態で振動付与手段13から振動を付与すれば、処理液10とこの振動とを共働させて被処理基板Wを洗浄することができ、洗浄効率をより高めることができる。
【0039】
また、図2では、被処理基板Wの一面側にのみ洗浄用ノズル1を配した場合について示したが、本実施形態に係る洗浄用ノズル1は、図4に示すように被処理基板Wの両面に配して使用することができる。図4に示す洗浄用ノズルの構成は図2と同様であるのでその説明は省略する。
図4に示すように、洗浄用ノズル1を被処理基板Wの両側に配置することで、被処理基板Wの両面の洗浄を一度に行うことができ、効率よく洗浄処理を行えるのに加え、両面を同時に洗浄処理することで、洗浄後の被処理基板Wの汚染を最小限に抑えることができる。
【0040】
図4に示すように、洗浄用ノズル1を被処理基板Wの両面に配置する場合には、被処理基板Wの下面側に配置される洗浄用ノズル1の隔壁部材11が、基板2の被処理基板W側の表面よりも、被処理基板W側へ若干突出するように形成しても良い。このような構成とすれば、被処理基板Wの上側に配置された洗浄用ノズルに比して、処理液10を処理領域5内へ保持するのが困難である下側の洗浄用ノズルにおいても、容易に処理領域5内に処理液10を閉じ込めることができ、処理液10の流れの安定性をより高めることができる。
【0041】
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態である洗浄装置(ウェット処理装置)について、図5を参照して以下に説明する。図5は、本実施形態の洗浄用ノズル20の断面構造を示す図である。この図に示す洗浄用ノズル20が、図2に示す洗浄用ノズル1と異なる点は、基板22が紫外線を透過する材料で構成されており、この基板22と、支持板7と、隔壁部材11とに囲まれる空間Sに、紫外線照射手段23が収納されており、前記空間S内にその一端が挿入されたガス導入管25及びガス排出管26とが設けられている点である。
尚、上記本実施形態の洗浄用ノズル20の特徴点以外の構成は、図2に示す第1の実施形態と同様であるので、図2に示すものと同一の構成要素には同一の符号を付してその詳細な説明は省略する。
【0042】
上記基板22としては、紫外線を透過し得る材料で構成されていれば、問題なく適用することができ、例えば石英などをその構成材料として用いることができる。また、上記第1の実施形態に係る基板2と同様に、処理領域5内における処理液10の流れの制御性を高めるために、基板22の被処理基板W側の面は、親水性とされることが好ましい。
【0043】
本実施形態の洗浄用ノズル20においては、紫外線照射手段23が設けられていることで、この紫外線照射手段23から照射された紫外線により、処理液10及び被処理基板W表面からの不純物の除去、殺菌、あるいは処理液10内にオゾンを発生させて被処理基板Wをオゾン処理することができるようになっている。また、この紫外線照射手段23を駆動、制御するための図示しない駆動制御部がケーブル18を介して接続されている。
【0044】
ガス導入管25及びガス排出管26は、前記空間S内のガスを不活性ガスに置換するためのガス置換手段を構成している。すなわち、ガス導入管25の他端側に接続された図示しない不活性ガス供給源から、このガス導入管25を介して空間S内に導入するとともに、ガス排出管26から空間S内のガスを排出することで、空間S内の雰囲気を不活性ガスと置換し、紫外線照射手段23から照射された紫外線が、空間S内の酸素に吸収されて減衰し、被処理基板Wあるいは処理液10へ照射される紫外線量が低下しないようになっている。従って、このようにガス置換手段を備えた本実施形態の洗浄用ノズル20では、紫外線を効率良く処理液10あるいは被処理基板Wに照射することができ、効率良く不純物の除去や殺菌を行うことができるとともに、処理液中にオゾンを発生させる場合には、十分なオゾン発生量が得られるようになっている。
【0045】
本実施形態の洗浄用ノズル20においては、空間S内のガスの置換を行うようになっているので、空間Sは外気と遮断可能な構造とされていることが好ましい。空間Sを外気と遮断すれば、空間S内へ導入された不活性ガスが外部へ漏れることが無く、また外気が空間S内へ混入することもないので、所定量の不活性ガスを空間S内へ供給し、ガスの置換が完了した時点で不活性ガスの供給を停止することができ、不活性ガスの使用量を低減することができるので経済的である。
【0046】
また、図5に示す本実施形態の洗浄用ノズル20においては、処理液導入口16から被処理基板Wへ処理液10を供給し、処理領域5内を流動させて被処理基板Wを洗浄し、洗浄後の処理液10を処理液回収口17へ回収するのは、上記第1の実施形態と同様であり、処理領域5内における処理液10の流れを安定に維持することができ、効率よく被処理基板Wの洗浄を行うことができるのは同様である。
また、図5に示す2基の洗浄用ノズル1と同様に、被処理基板Wの両面側に洗浄用ノズル20を配し、被処理基板Wの両面を同時に洗浄する構成としても良いのは勿論である。
【0047】
(第3の実施形態)
次に、上記のいずれかの実施形態のウェット処理装置を備えた洗浄装置の一例について、図6を参照して説明する。図6は、本実施形態の洗浄装置51の概略構成を示す図であって、例えば被処理基板として数百mm角程度の大型のガラス基板(以下、単に基板と言う。)を枚葉洗浄するための装置である。
図中符号52は洗浄部、53はステージ(基板保持手段)、54〜56、89は洗浄用ノズル、57は基板搬送ロボット、58はローダカセット、59はアンローダカセット、60は水素水・オゾン水生成部、61は処理液再生部、Wはガラス基板(被処理物)である。
【0048】
図に示すように、装置上面中央が洗浄部52とされており、基板Wを保持するステージ53が設けられている。ステージ53には、基板Wの形状に合致した矩形の段部が設けられ、この段部上に基板Wが嵌め込まれて、基板Wの表面とステージ53の表面が面一状態でステージ53に保持されるようになっている。また、段部の下方には空間部が形成され、この空間部にはステージ53の下方から基板昇降用シャフト(図示略)が突出している。基板昇降用シャフトの下端にはシリンダ等のシャフト駆動源(図示略)が設けられ、基板搬送ロボット57による基板Wの受け渡しの際にシリンダの作動により上記基板昇降用シャフトが上下動し、シャフトの上下動に伴って基板Wが上昇又は下降するようになっている。
【0049】
ステージ53を挟んで対向する位置に一対のラックベース62が設けられ、これらラックベース62間に洗浄用ノズル54,55,56,89が架設されている。洗浄用ノズルは並列配置された4本のノズルからなり、各洗浄用ノズル54,55,56,89が異なる洗浄方法により洗浄を行うものとなっている。本実施形態の場合、これら4本のノズルは基板にオゾンを供給するとともに紫外線ランプ63から紫外線を照射することによって主に有機物を分解除去する紫外線洗浄用ノズル54、オゾン水を供給しつつ超音波振動子本体48により超音波振動を付与して洗浄する水素水超音波洗浄用ノズル56、純水を供給してリンス洗浄を行う純水リンス洗浄用ノズル89である。
【0050】
各洗浄用ノズル54,55,56,89は、プッシュ・プル型ノズル(省液型ノズル)と呼ばれるものである。また、これら4本のノズルのうちオゾン水超音波洗浄用ノズル55と、水素水超音波洗浄用ノズル56は、図1〜図3を用いて説明した洗浄用ノズルと同様の構成のもの、あるいは1本の洗浄用ノズルにつき、図1〜図3を用いて説明したいずれかの洗浄用ノズルが複数設けられたものである。ただし、ここでは図示の都合上、超音波振動子本体48のみを図示し、処理液導入部、処理液回収部等に区分した図示は省略する。また、洗浄用ノズル54は、超音波振動子本体48に代えて紫外線ランプ63が設けられた以外は上記実施形態の洗浄用ノズルと略同様の構成であり、洗浄用ノズル89は、超音波振動子本体48が設けられていない以外は、上記実施形態の洗浄用ノズルと略同様の構成である。ただし、ここでは図示の都合上処理液導入部、処理液回収部等に区分した図示は省略する。
この洗浄装置51では、上記4本の洗浄用ノズルが基板Wの上方で基板Wとの間隔を一定に保ちながらラックベース62に沿って順次移動することにより、基板Wの被洗浄面全域(被処理面全域)が4種類の洗浄方法により洗浄される構成となっている。
【0051】
各洗浄用ノズルの移動手段(ノズル・被処理物相対移動手段)としては、各ラックベース62上のリニアガイドに沿って水平移動可能とされたスライダがそれぞれ設けられ、各スライダの上面に支柱がそれぞれ立設され、これら支柱に各洗浄用ノズル54,55,56,89の両端部が固定されている。各スライダ上にはモータ等の駆動源が設置されており、各スライダがラックベース62上を自走する構成となっている。そして、装置の制御部(図示略)から供給される制御信号により各スライダ上のモータがそれぞれ作動することによって、各洗浄用ノズル54,55,56,89が個別に水平移動する構成となっている。また、上記支柱にはシリンダ(図示略)等の駆動源が設けられ、支柱が上下動することにより各洗浄用ノズル54,55,56,89の高さ、すなわち各洗浄用ノズル54,55,56,89と基板Wとの間隔がそれぞれ調整可能となっている。
【0052】
洗浄部52の側方に、水素水・オゾン水生成部60と処理液再生部61とが設けられている。水素水、オゾン水生成部60には、水素水製造装置64とオゾン水製造装置65とが組み込まれている。いずれの処理液も、純水中に水素ガスやオゾンガスを溶解させることによって生成することができる。そして、水素水製造装置64で生成された水素水が、水素水供給配管66の途中に設けられた送液ポンプ67により水素水超音波洗浄用ノズル56に供給されるようになっている。
同様に、オゾン水製造装置65で生成されたオゾン水が、オゾン水供給配管68の途中に設けられた送液ポンプ69によりオゾン水超音波洗浄用ノズル55に供給されるようになっている。尚、純水リンス洗浄用ノズル89には製造ライン内の純水供給装置(図示略)から純水が供給されるようになっている。
【0053】
また、処理液再生部61には、使用後の処理液中に含まれたパーティクルや異物を除去するためのフィルタ70,71が設けられている。水素水中のパーティクルを除去するための水素水用フィルタ70と、オゾン水中のパーティクルを除去するためのオゾン水用フィルタ71が別系統に設けられている。すなわち、水素水超音波洗浄用ノズル56の排出口から排出された使用後の水素水(排出液)は、水素水回収配管72の途中に設けられた送液ポンプ73により水素水用フィルタ70に回収されるようになっている。同様に、オゾン水超音波洗浄用ノズル55の排出口から排出された使用後のオゾン水(排出液)は、オゾン水回収配管74の途中に設けられた送液ポンプ75によりオゾン水用フィルタ71に回収されるようになっている。
【0054】
そして、水素水用フィルタ70を通した後の水素水は、再生水素水供給配管76の途中に設けられた送液ポンプ77により水素水超音波洗浄用ノズル56に供給されるようになっている。同様に、オゾン水用フィルタ71を通した後のオゾン水は、再生オゾン水供給配管78の途中に設けられた送液ポンプ79によりオゾン水超音波洗浄用ノズル55に供給されるようになっている。また、水素水供給配管66と再生水素水供給配管76は水素水超音波洗浄用ノズル56の手前で接続され、弁80によって水素水超音波洗浄用ノズル56に新しい水素水を導入するか、再生水素水を導入するかを切り換え可能になっている。同様に、オゾン水供給配管68と再生オゾン水供給配管78は、オゾン水超音波洗浄用ノズル55に新しいオゾン水を導入するか、再生オゾン水を導入するかを切り換え可能となっている。尚、各フィルタ70,71を通した後の水素水やオゾン水は、パーティクルが除去されてはいるものの、液中気体含有濃度が低下しているため、配管を通じて再度水素水製造装置64やオゾン水製造装置65に戻し、水素ガスやオゾンガスを補充するようにしてもよい。
【0055】
洗浄部62の側方に、ローダカセット58,アンローダカセット59が着脱可能に設けられている。これら2つのカセット58,59は、複数枚の基板Wが収納可能な同一の形状のものであり、ローダカセット58に洗浄前(ウェット処理前)の基板Wを収容し、アンローダカセット59には洗浄済(ウェット処理後)の基板Wが収容される。そして、洗浄部52とローダカセット58,アンローダカセット59の中間の位置に基板搬送ロボット57が設置されている。基板搬送ロボット57は、その上部に伸縮自在のリンク機構を有するアーム82を有し、アーム82は回転可能かつ昇降可能となっており、アーム82の先端部で基板Wを支持、搬送するようになっている。
【0056】
上記構成の洗浄装置51は、例えば洗浄用ノズル54,55,56,89と基板Wとの間隔、洗浄用ノズルの移動速度、処理液の流量など、種々の洗浄条件をオペレータが設定する他は、各部の動作が制御部により制御されており、自動運転する構成となっている。従って、この洗浄装置51を使用する際には、洗浄前の基板Wをローダカセット58にセットし、オペレータがスタートスイッチを操作すれば、基板搬送ロボット57によりローダカセット58からステージ53上に基板Wが搬送され、ステージ53上で各洗浄用ノズル54,55,56,89により紫外線洗浄、オゾン水超音波洗浄、水素水超音波洗浄、リンス洗浄が順次自動的に行われ、洗浄後、基板搬送ロボット57によりアンローダカセット59に収容される。
【0057】
本実施形態の洗浄装置51においては、本発明の実施形態の洗浄用ノズル55,56と、上記のノズル・被処理物相対移動手段とを備えたことにより、上記本実施形態の洗浄用ノズルの利点を有したまま基板Wの被洗浄面全域を洗浄することができる。また本実施形態の洗浄装置51は、4本の洗浄用ノズル54,55,56,89の各々が、紫外線洗浄、オゾン水超音波洗浄、水素水超音波洗浄、リンス洗浄といった異なる洗浄方法により洗浄処理する構成であるため、本装置1台で種々の洗浄方法を実施することができる。
【0058】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明のウェット処理装置は、前記連結部の被処理物側の面と、前記処理液導入部の被処理物側の面と、前記処理液回収部の被処理物側の面とが面一に形成され、前記処理液導入部の前記連結部と面一にされた部分に、処理液が導入される処理液導入口が形成され、前記処理液回収部の前記連結部と面一にされた部分に処理液回収口が形成されてなる構成としたことで、処理液導入口から処理液回収口に到る処理領域中に、処理液に同伴されて処理領域に混入した気泡が滞留しないようにすることができる。従って、本発明のウェット処理装置によれば、処理領域における処理液の流れを安定に維持することができ、効率よく被処理物のウェット処理が可能である。
【0059】
次に、本発明のウェット処理装置において、前記連結部の被処理物側の面と、前記処理液導入部の被処理物側の面と、前記処理液回収部の被処理物側の面とが、同一の基板から形成され、前記処理液導入口と、前記処理液回収口が、前記基板を貫通して形成された構成とするならば、処理液導入口から処理液回収口に到る処理液の流路が、基板の一面と被処理物とにより構成されるので、ノズル側において処理液に同伴された気泡が滞留し得る場所が形成されることが無く、より処理液の流れを安定に維持できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は、本発明の第1の実施形態の洗浄装置の全体構成を示す斜視図である。
【図2】 図2は、図1に示すB−B’線に沿う断面図である。
【図3】 図3は、図2に示す洗浄用ノズル1を被洗浄基板側から見た平面図である。
【図4】 図4は、本発明の第1の実施形態の洗浄装置の他の適用例を示す断面図である。
【図5】 図5は、本発明の第2の実施形態の洗浄装置の断面構造を示す図である。
【図6】 図6は、本発明の第3の実施形態の洗浄装置の概略構成を示す平面図である。
【図7】 図7は、従来の洗浄装置の一例における断面構造を示す図である。
【符号の説明】
1,20 洗浄用ノズル
2,22 基板(連結部)
3 処理液導入部
4 処理液回収部
7 支持板
11 隔壁部材
11A,11B 中空部
16 処理液導入口
17 処理液回収口
13 振動付与手段
23 紫外線照射手段
25 ガス導入管(ガス置換手段)
26 ガス排出管(ガス置換手段)
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a wet processing apparatus including a nozzle for supplying a processing liquid onto an object to be processed in a wet processing step such as cleaning and etching in a manufacturing process of a semiconductor device, a liquid crystal display panel, and the like.
[0002]
[Prior art]
In the field of electronic devices such as semiconductor devices and liquid crystal display panels, a process of cleaning a semiconductor substrate or glass substrate, which is an object to be processed, during the manufacturing process is essential. In the cleaning process, in order to remove various substances to be removed in the manufacturing process, cleaning using various processing liquids such as ultrapure water, electrolytic ion water, ozone water, and hydrogen water is performed. Is supplied onto the substrate from the nozzle of the cleaning device. However, when a conventional cleaning nozzle is used, there is a problem that the amount of processing liquid used is increased. For example, a 500 mm square substrate is cleaned using a treatment liquid such as electrolytic ion water, and the remaining amount of particles on the substrate after cleaning with the treatment liquid and rinsing with rinse water is 0.5 particles / cm.2In order to achieve a level of cleanliness, a treatment solution and a rinsing treatment solution of about 25 to 30 liters / minute had to be used.
[0003]
Therefore, as a liquid-saving type cleaning nozzle that can significantly reduce the amount of processing liquid used compared to the conventional type, wet processing is used when supplying the processing liquid onto the substrate to be processed and performing wet processing on the substrate to be processed. A nozzle for introducing a treatment liquid at one end and a discharge passage having a discharge outlet for discharging the used treatment liquid to the outside at one end. There has been proposed a wet processing nozzle in which an introduction opening and a discharge opening that open toward the substrate to be processed are provided at the other ends of the passage and the discharge passage.
[0004]
FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of a wet processing nozzle having the above-described configuration. The wet processing nozzle 100 shown in FIG. 7 is a target to be processed while moving the target substrate W in the direction of arrow A, for example. Cleaning is performed by supplying a processing liquid onto the substrate W. The wet processing nozzle 100 has an introduction pipe 101 having an introduction port 101a for introducing the treatment liquid 110 at one end, and a discharge having a discharge port 102a for discharging the treatment liquid 110 after the wet treatment to the outside at one end. The pipe 102 is provided, the other ends of the introduction pipe 101 and the discharge pipe 102 are connected to each other, and a connection portion 103 that faces the substrate to be processed W is formed. The introduction pipe 101 is open to the connection portion 103. A first opening 101b and a second opening 102b in which the discharge pipe 102 is opened are provided. In the space between the connecting portion 103 and the substrate to be processed W, a processing region 105 for performing wet processing is formed. In addition, the connecting portion 103 is provided with an ultrasonic transducer for applying ultrasonic vibration to the processing liquid 110 in the processing region 105. The ultrasonic transducer here is composed of a diaphragm 106, side plates 107 rising from both ends of the main surface of the diaphragm 106, and an ultrasonic transducer body 108 provided on the main surface of the diaphragm 106. Yes. The ultrasonic transducer | vibrator 108 here is connected to the power supply (not shown). In addition, a decompression pump (not shown) is connected to the discharge port 102 a of the discharge pipe 102.
Further, the processing liquid 110 introduced and discharged through the first openings 101b and the second openings 102b through the openings 101b and 102b is uniformly introduced onto the substrate W to be processed. Rectifying members 111 and 112 are provided for this purpose. These rectifying members 111 and 112 are provided so that the processing liquid is uniformly supplied to the entire processing area of the processing target substrate W, and a small-diameter through hole is formed in a sheet made of Teflon (registered trademark) or the like. A plurality of formed ones are used.
[0005]
Further, the processing liquid 110 is supplied from the introduction port 101a of the introduction pipe 101 and reaches the rectifying member 111 of the first opening 101b. However, as described above, the decompression pump (not shown) is provided in the discharge port 102a of the discharge pipe 102. ) Is connected, the pressure on the first opening 101b side of the processing liquid 110 supplied to the introduction pipe 101 (the surface tension of the processing liquid 110 and the substrate to be processed) is controlled by controlling the suction pressure of the decompression pump. (Including the surface tension of the surface to be treated of W) and the atmospheric pressure can be controlled.
That is, the relationship between the pressure Pw of the processing liquid 110 in contact with the atmosphere in the first opening 101b (including the surface tension of the processing liquid and the surface tension of the processing target surface of the processing target substrate W) and the atmospheric pressure Pa, By setting Pw≈Pa, the processing liquid 110 supplied to the substrate to be processed W through the rectifying member 111 of the first opening 101b and contacting the substrate to be processed W is discharged without leaking to the outside of the wet processing nozzle 100. It is discharged to the tube 102. Therefore, the wet processing nozzle 100 of FIG. 7 can greatly reduce the amount of processing liquid 110 used.
Further, in the wet processing nozzle 100 shown in FIG. 7, when the substrate W to be processed is cleaned, ultrasonic vibration is applied by the ultrasonic transducer body 108 in a state where the processing liquid 110 is supplied to the processing region 105, and processing is performed. The substrate W to be processed can be cleaned in cooperation with the liquid 110.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the wet processing nozzle 100 shown in FIG. 7, there is a case where there is a problem that the processing liquid 110 is not supplied to the processing region 105 when the processing target substrate W is wet processed while the processing liquid 110 is supplied. It turned out to be. In the wet processing nozzle 100, the side plate 107 of the connecting portion 103 is formed so as to rise from both ends of the diaphragm 106 by bending the plate material. The inventors considered that the curved surface portion 107R is formed. That is, when such a curved surface portion 107R exists, fine bubbles accompanying the processing liquid 110 supplied from the lower surface of the rectifying member 111 toward the substrate to be processed W are formed by the rectifying member 111 and the curved surface portion 107R. The air bubbles stay in the groove 101A having a substantially wedge-shaped cross section, and the bubbles become larger as the wet treatment time elapses. When the size of the bubbles reaches the substrate W to be processed, the flow of the processing liquid 110 in the processing region 105 is partially or entirely blocked by the bubbles. Since the wet processing apparatus 100 controls the pressure of the processing liquid 110 by the decompression pump connected to the discharge passage 102, when the processing liquid 110 is divided in the processing region 105, the processing liquid 110 is removed from the first opening. The force drawn from 101b to the processing region 105 becomes weak, and the supply of the processing liquid 110 is stopped. Then, when the supply of the processing liquid 110 is stopped, the cleaning capability is reduced, and the cleaning of the substrate W to be processed becomes insufficient.
[0007]
Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problems, and the object thereof is to stably supply / recover the processing liquid during operation and from the processing liquid introduction side to the discharge side. An object of the present invention is to provide a wet processing apparatus capable of maintaining a uniform flow of the processing liquid.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
  In order to achieve the above object, the present invention employs the following configuration.
  The wet processing apparatus of the present invention includes a processing liquid introduction unit that introduces a processing liquid into the processing object, a processing liquid recovery unit that recovers the processing liquid from the processing object, and a surface that faces the processing object. A wet processing apparatus comprising a nozzle having a connecting portion for connecting a processing liquid introducing portion and a processing liquid collecting portion, the surface of the connecting portion on the object to be processed side, and the object to be processed side of the processing liquid introducing portion And the surface on the workpiece side of the processing liquid recovery partA plurality of processing liquid inlets and a plurality of processing liquid recovery ports formed from the same substrate are introduced through the substrate, respectively, and the substrate and the substrate to be processed are formed. The treatment liquid introduction part and the treatment liquid recovery part are formed by a hollow partition member sandwiched by a support plate disposed opposite to the surface opposite to the object, and each hollow part of the partition member is The plurality of processing liquid inlets and the plurality of processing liquid recovery ports have a large cross-sectional area as viewed from the surface facing the object to be processed so that the processing liquid can be stored, and the hollow portions described above The plurality of processing liquid inlets and the plurality of processing liquid recovery ports are connected to each other to form a flow path for the processing liquid so as to make the flow of the processing liquid uniform. Formed of a conductive material, and a peripheral edge of the partition member Forms a same plane as the substrate to be processed and the opposing surfaces of the substrate surrounding the outer periphery of the substrateIt is characterized by that.
[0009]
The wet processing apparatus of the present invention is a wet processing apparatus configured to supply a processing liquid from a processing liquid introduction port to an object to be processed and collect the processing liquid used for the wet processing of the object to be processed from the processing liquid recovery port. is there. That is, the region between the nozzle and the object to be processed and reaching the processing liquid recovery port from the processing liquid inlet is a processing region where the processing liquid is flowed and the object to be processed is wet processed. And in the wet processing apparatus of the present invention, the surface on the processing object side of the processing liquid introduction part and the processing liquid recovery part and the surface on the processing object side of the connecting part are formed flush with each other, In the processing region, a structure in which a place where bubbles stay is not formed in a path from the processing liquid introduction port to the processing liquid recovery port is realized. Therefore, the wet processing apparatus of the present invention does not block the flow of the processing liquid due to the growth of bubbles in the processing area 105 unlike the conventional wet processing nozzle 100 described above, and the processing liquid in the processing area is not blocked. The flow can be kept stable.
[0011]
  Also,A substrate is disposed on the side of the nozzle facing the object to be processed, and a processing liquid introduction port and a processing liquid recovery port are formed through the substrate.by doing,Since the processing area from the processing liquid introduction port to the processing liquid recovery port is an area sandwiched between the surface of the substrate to be processed and the object to be processed, the surface of the nozzle on the processing area side is more It becomes possible to form the same surface, and thereby, it is possible to more effectively prevent the bubbles accompanying the processing liquid introduced from the processing liquid introduction port from staying in the processing area.
[0013]
  Also,A treatment liquid introduction part and a treatment liquid recovery part are formed by the hollow partition member provided on the substrate, and the treatment liquid can be stored in the hollow part, so that the treatment connected to the hollow part is performed. It is possible to adjust the flow rate of the processing liquid in the supply of the processing liquid to the liquid introduction port or the processing liquid in the recovery of the processing liquid from the processing liquid recovery port by storing in the hollow portion, and the processing liquid flow can be made uniform. . Furthermore, the basic structure of the substrate, the partition member, and the support plate as described above can simplify the structure and reduce the manufacturing cost of the nozzle, and realize a nozzle that is easy to maintain and trouble-free. it can. In addition, by configuring the surface facing the object to be processed on one surface side of the substrate, it is a matter of course that the bubbles entrained by the processing liquid can be prevented from staying in the processing region.
[0014]
Next, the wet processing apparatus according to the present invention may be configured such that the connecting portion is provided with vibration applying means for applying vibration to the processing liquid between the connecting portion and the workpiece. .
[0015]
By adopting such a configuration, for example, when the wet processing apparatus of the present invention is used as a cleaning apparatus, the cleaning efficiency is improved by the effect of removing deposits by the vibration applied to the processing liquid (cleaning liquid) by the vibration applying means. Can be increased. Further, the vibration applying means may be detachable from the nozzle. With such a configuration, for example, it can be easily exchanged with other vibration applying means having a different vibration frequency or light irradiation means. The versatility of the wet processing apparatus can be improved.
[0016]
Next, in the wet processing apparatus of the present invention, the surface of the connection part on the object to be processed side is formed of a member that transmits ultraviolet rays, and the connection part is irradiated with ultraviolet rays toward the object to be processed. It is also possible to adopt a configuration in which an ultraviolet irradiation means is provided.
[0017]
With such a configuration, it is possible to realize a wet processing apparatus capable of generating ozone in the processing liquid to ozone-treat the processing object or sterilizing the processing liquid. Of course, the ultraviolet irradiation means can be attached to and detached from the nozzle in the same manner as the vibration applying means.
[0018]
Next, in the wet processing apparatus of the present invention, ultraviolet irradiation means is accommodated in a space surrounded by the connecting portion, the support plate, and the partition member, and the interior of the space is replaced with an inert gas. A gas replacement means may be provided.
[0019]
With such a configuration, it is possible to prevent the ultraviolet rays irradiated from the ultraviolet irradiation means from being absorbed and attenuated by the surrounding oxygen. Therefore, according to this structure, the ultraviolet-ray amount which permeate | transmits a connection part and reaches | attains a to-be-processed object can be increased, and the generation | occurrence | production efficiency of ozone in a process liquid and the disinfection efficiency of a process liquid can be improved.
[0020]
Next, in the wet processing apparatus of the present invention, it is preferable that the substrate is formed of a hydrophilic material. By adopting such a configuration, the affinity between the substrate and the processing liquid that flows in contact with the substrate can be increased, so that the flow of the processing liquid in the processing region can be made smoother, and the flow of the processing liquid Uniformity and controllability can be improved.
[0021]
Next, in the wet processing apparatus of the present invention, a fine uneven shape may be formed on the surface of the substrate on the workpiece side. Also with such a configuration, the resistance of the substrate surface with respect to the flow of the processing liquid can be reduced, the flow of the processing liquid can be made smoother, and the controllability of the flow of the processing liquid can be improved.
[0022]
  Further, the partition member is made of a hydrophobic material, and the peripheral edge portion of the partition member surrounds the outer peripheral side of the substrate and is flush with the surface of the substrate facing the substrate to be processed.
Since the spreading of the treatment liquid to the outside from the treatment liquid inlet can be regulated by the hydrophobic material, the treatment liquid can be easily confined in the treatment region, and as a result, the controllability of the treatment liquid flow is improved. be able to.
[0023]
  In addition, similar to the treatment liquid inlet side,By arranging a partition member made of a hydrophobic material,Also on the treatment liquid recovery port side, the treatment liquid can be easily confined in the treatment region, and the controllability of the treatment liquid flow can be improved.
[0024]
Next, the wet processing apparatus of the present invention can be configured to include a nozzle or an object moving means for relatively moving the nozzle and the object to be processed while keeping the distance between them constant. . By adopting such a configuration, it becomes possible to perform wet processing on the processing object while moving the nozzle on the processing surface of the processing object, and to realize a wet processing apparatus with higher work efficiency. Can do.
[0025]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited to the following embodiments.
[0026]
(First embodiment)
FIG. 1 is a perspective configuration diagram schematically showing the overall configuration of a cleaning apparatus (wet processing apparatus) according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross section taken along line BB ′ shown in FIG. It is a figure which shows a structure. FIG. 3 is a plan view of the cleaning nozzle 1 shown in FIGS. 1 and 2 as viewed from the substrate W to be processed.
As shown in FIGS. 1 and 2, the cleaning apparatus according to the present embodiment includes a moving unit (not shown) that moves the substrate W to be processed in the moving direction A with respect to the cleaning nozzle 1. It is roughly structured.
[0027]
The cleaning nozzle 1 shown in FIGS. 1 to 3 includes a flat substrate (connecting portion) 2, a partition member 11 that surrounds the outer periphery of the substrate 2, and is disposed on the substrate 2. The support plate 7 is provided, and the vibration applying means 13 is provided on the surface of the substrate 2 opposite to the substrate W to be processed.
The substrate 2 is made of a metal substrate such as stainless steel, quartz, a glass substrate, or the like according to the type of cleaning process performed on the substrate to be processed W. As shown in FIGS. 2 and 3, the substrate 2 is a member that forms a surface facing the substrate W to be processed in the cleaning nozzle 1, and a plurality of processing liquid inlets 16 are formed along the long side edges on both sides thereof. In addition, a treatment liquid recovery port 17 is formed. More specifically, the grooves 2A and 2B having a rectangular shape in plan view are engraved on the surface of the substrate 2 opposite to the substrate W to be processed along the long side ends on both sides thereof, from the bottom surface of the groove 2A. A plurality of processing liquid inlets 16 are formed penetrating to the substrate to be processed W side, and a plurality of processing liquid recovery ports 17 are formed penetrating from the bottom surface of the groove 2B to the substrate to be processed W side. In the cleaning nozzle 1 of the present embodiment, the processing liquid (cleaning processing liquid) 10 is supplied to the target substrate W through the processing liquid inlet 16 and the cleaning liquid 10 is supplied to the target substrate via the processing liquid recovery port 17. It comes to collect from W. A region between the processing liquid introduction port 16 and the processing liquid recovery port 17 and sandwiched between the substrate 2 and the substrate W to be processed is a processing region 5 in the cleaning apparatus of the present embodiment. The surface of the substrate W to be in contact with the substrate is subjected to cleaning (wet processing).
[0028]
The processing liquid inlet 16 and the processing liquid recovery port 17 are formed with predetermined intervals and hole diameters, respectively, and uniformly supply the cleaning liquid 10 in the width direction of the substrate W to be processed (longitudinal direction of the substrate 2). It can also be collected. FIG. 3 shows an example in which fifteen treatment liquid inlets 16 (treatment liquid recovery ports 17) having the same hole diameter are arrayed at equal intervals along the length direction of the groove 2A (groove 2B). However, it is not limited to these hole diameters, intervals, and shapes, and the flow rate of the processing liquid 10 in the arrangement direction (the longitudinal direction of the substrate 2) of the processing liquid introduction port 16 and the processing liquid recovery port 17 can be made uniform. Any shape or arrangement interval can be used.
[0029]
It is preferable that at least the surface of the substrate 2 on the substrate W side is hydrophilic, and the inner surfaces of the processing liquid inlet 16 and the processing liquid recovery port 17 formed so as to penetrate the substrate 2 are also hydrophilic. It is preferable that By making the surface of the substrate 2 constituting the processing region 5 hydrophilic, the flow of the processing liquid 10 in the processing region 5 can be made smooth and its controllability can be improved. Further, by making the inner surfaces of the processing liquid inlet 16 and the processing liquid recovery port 17 hydrophilic, the processing liquid 10 can be smoothly introduced and recovered, and the flow of the processing liquid 10 can be made more stable. can do.
[0030]
The partition wall member 11 provided on the substrate 2 has a substantially frame shape in plan view as shown in FIGS. 2 and 3, and a part of the peripheral edge protrudes to the outer peripheral side of the substrate 2, and the peripheral edge The surface of the substrate to be processed W is flush with the surface of the substrate 2 on the substrate to be processed W side. That is, in other words, the substrate 2 is configured to be fitted to a step portion formed along the inner periphery of the frame-shaped partition wall member 11 on the substrate to be processed W side. The partition wall member 11 is formed with hollow portions 11A and 11B penetrating in the thickness direction of the partition wall member 11 along both long sides thereof, and these hollow portions 11A and 11B are formed on the substrate 2. Are formed in substantially the same planar shape as the groove portions 2A and 2B at positions corresponding to the rectangular groove portions 2A and 2B in plan view, and the hollow portion 11A and the groove portion 2A, and the hollow portion 11B and the groove portion 2B communicate with each other. . A portion including the hollow portion 11 </ b> A and the processing liquid inlet 16 is the processing liquid inlet 3, and a portion including the hollow portion 11 </ b> B and the processing liquid recovery port 17 is the processing liquid recovery portion 4. In these hollow portions 11A and 11B, the processing liquid 10 can be stored, and in the processing liquid introduction section 3, the supply of the processing liquid 10 to the processing liquid introduction port 16 can be made more uniform. In the processing liquid recovery unit 4, the recovery of the processing liquid 10 from the target substrate W can be made more uniform.
[0031]
The partition member 11 is preferably made of a hydrophobic material such as Teflon (registered trademark). Since the partition member 11 is made of a hydrophobic material, the processing liquid 10 can be easily confined in a region (processing region 5) inside the partition member 11 that surrounds the outer peripheral side of the substrate 2 and faces the substrate W to be processed. The controllability of the flow of the processing liquid 10 in the processing area 5 can be improved, and the processing liquid 10 can be more easily flowed. Further, since the amount of the processing liquid 10 flowing out of the processing region 5 can be suppressed, the amount of the processing liquid 10 used can be reduced, and the reattachment of particles taken into the processing liquid 10 can also be suppressed. .
[0032]
A support plate 7 is provided on the upper side of the partition member 11 in FIG. 2, and a processing liquid introduction pipe 7 </ b> A and a processing liquid recovery pipe 7 </ b> B are opposite to the partition member 11 side at the center in the longitudinal direction of the support plate 7. The inside of the processing liquid introduction pipe 7 </ b> A and the inside of the processing liquid recovery pipe 7 </ b> B penetrate the support plate 7 and communicate with the opposite side of the support plate 7. The support liquid 7 side of the treatment liquid introduction tube 7A is disposed above the hollow portion 11A so that the inside of the treatment liquid introduction pipe 7A communicates with the hollow portion 11A, and the support liquid 7 side of the treatment liquid recovery pipe 7B is connected to the support plate 7 side. It arrange | positions above the hollow part 11B and the inside of the process liquid collection | recovery pipe | tube 7B and the hollow part 11B are connected.
[0033]
As described above, in the cleaning nozzle 1 of the present embodiment, the processing liquid 10 passes through the path from the processing liquid introduction pipe 7A to the processing liquid introduction port 16 via the hollow portion 11A and the groove 2A. The processing liquid 10 is recovered from the substrate W to be processed through a path from the processing liquid recovery port 17 to the processing liquid recovery pipe 7B via the groove 2B and the hollow portion 11B. And discharged to the outside.
[0034]
The joint surfaces of the partition member 11 and the substrate 2 and the partition member 11 and the support plate 7 shown in FIG. 2 are provided with a sealing material (not shown) to prevent leakage of the processing liquid 10 flowing in the hollow portions 11A and 11B. Or the like). The sealing of the joint surfaces is not particularly limited in material and structure as long as the treatment liquid 10 can be prevented from leaking outside through these joint surfaces. For example, an O-ring may be provided on these joint surfaces, Or you may seal by apply | coating an adhesive agent etc. to a joint surface.
[0035]
In the cleaning nozzle 1 of the present embodiment, vibration applying means 13 for applying vibration to the processing liquid 10 is accommodated in a space S surrounded by the substrate 2, the support plate 7, and the partition wall member 11. The one surface side is joined to the inner surface side of the substrate 2. In addition, a cable 18 for driving and controlling the vibration applying means 13 is connected to the vibration applying means 13, and this cable 18 penetrates the support plate 7 on the end side of the support plate 7 and the cleaning nozzle 1. It is led out and connected to a drive control unit (not shown). As this vibration applying means, an ultrasonic vibrator that generates an ultrasonic wave with a vibration frequency of about 0.7 to 1.5 MHz, or a bolted Langevin type that generates a relatively low frequency ultrasonic wave with a vibration frequency of about 28 to 60 kHz. A vibrator or the like can be used, and a substrate having an optimal frequency may be selected as appropriate according to the type of the substrate to be cleaned W and the purpose of cleaning.
[0036]
In the cleaning nozzle 1 of the present embodiment, a pressure control unit (not shown) is provided in the treatment liquid recovery pipe 7B of the support plate 7. The pressure control unit supplies the processing liquid 10 supplied from the processing liquid inlet 16 and comes into contact with the substrate W to be processed to the processing liquid inlet 16 side atmosphere so that the processing liquid recovery port 17 recovers the processing liquid 10 after the cleaning process. The pressure of the processing liquid 10 in contact (including the surface tension of the processing liquid and the surface tension of the surface of the substrate to be processed) and the atmospheric pressure are balanced. More specifically, this pressure control unit can be constituted by a decompression pump connected to the treatment liquid recovery pipe 7B, and controls the force for sucking the treatment liquid 10 in the treatment liquid recovery pipe 7B by this decompression pump. By doing so, the above atmospheric pressure is balanced. In this way, the processing liquid 10 introduced into the processing region 5 is recovered to the processing liquid recovery port 17 without leaking outside the processing region 5. That is, the processing liquid 10 introduced into the substrate to be processed W is recovered by the processing liquid recovery unit 4 without touching the region other than the surface of the substrate to be processed W in the processing region 5.
[0037]
In the cleaning nozzle 1 of the present embodiment having the above-described configuration, the substrate 2 is disposed on the surface facing the substrate to be processed W, and the processing liquid introduction port 16 and the processing liquid recovery port 17 are formed through the substrate 2. Therefore, the surface in contact with the processing region 5 from the processing liquid introduction port 16 to the processing liquid recovery port 17 is within one surface of the substrate 2. That is, the end of the processing liquid inlet 16 on the target substrate W side, the surface of the substrate 2 on the target substrate W side, and the end of the processing liquid recovery port 17 on the target substrate W side are flush with each other. Is formed. By adopting such a structure, when bubbles are mixed into the processing region 5 along with the processing liquid 10, the position where the bubbles can stay is eliminated, and the flow of the processing liquid 10 due to the staying of the bubbles is eliminated. There is no blocking. Therefore, according to the cleaning nozzle 1 and the cleaning apparatus of the present embodiment, the flow of the processing liquid 10 in the processing region 5 can be stably maintained, and the substrate W to be processed can be uniformly cleaned without unevenness. Is possible.
[0038]
Further, in the cleaning nozzle 1 having the above-described configuration, if vibration is applied from the vibration applying unit 13 while the processing liquid 10 is supplied to the processing region 5, the processing liquid 10 and the vibration are caused to work together to process the target substrate W. The cleaning efficiency can be further increased.
[0039]
2 shows a case where the cleaning nozzle 1 is disposed only on one surface side of the substrate W to be processed. However, the cleaning nozzle 1 according to the present embodiment is arranged on the substrate W to be processed as shown in FIG. Can be used on both sides. The configuration of the cleaning nozzle shown in FIG. 4 is the same as that shown in FIG.
As shown in FIG. 4, by disposing the cleaning nozzles 1 on both sides of the substrate to be processed W, both surfaces of the substrate to be processed W can be cleaned at a time, and in addition to performing the cleaning process efficiently, By simultaneously performing the cleaning process on both surfaces, the contamination of the substrate W to be processed after cleaning can be minimized.
[0040]
As shown in FIG. 4, when the cleaning nozzles 1 are disposed on both surfaces of the substrate to be processed W, the partition wall member 11 of the cleaning nozzle 1 disposed on the lower surface side of the substrate to be processed W You may form so that it may protrude a little to the to-be-processed substrate W side from the surface by the side of the process substrate W. With such a configuration, even in the lower cleaning nozzle that is difficult to hold the processing liquid 10 in the processing region 5 as compared with the cleaning nozzle disposed on the upper side of the substrate W to be processed. The processing liquid 10 can be easily confined in the processing region 5, and the flow stability of the processing liquid 10 can be further improved.
[0041]
(Second Embodiment)
Next, a cleaning apparatus (wet processing apparatus) according to a second embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. FIG. 5 is a diagram showing a cross-sectional structure of the cleaning nozzle 20 of the present embodiment. The cleaning nozzle 20 shown in this figure is different from the cleaning nozzle 1 shown in FIG. 2 in that the substrate 22 is made of a material that transmits ultraviolet rays, and the substrate 22, the support plate 7, and the partition wall member 11. The ultraviolet irradiation means 23 is accommodated in the space S surrounded by and the gas introduction pipe 25 and the gas discharge pipe 26 into which the one end was inserted in the space S are provided.
Since the configuration other than the characteristic points of the cleaning nozzle 20 of the present embodiment is the same as that of the first embodiment shown in FIG. 2, the same components as those shown in FIG. A detailed description thereof will be omitted.
[0042]
The substrate 22 can be applied without any problem as long as it is made of a material that can transmit ultraviolet rays. For example, quartz or the like can be used as the material for the substrate 22. Similarly to the substrate 2 according to the first embodiment, in order to improve the controllability of the flow of the processing liquid 10 in the processing region 5, the surface of the substrate 22 on the substrate W side is made hydrophilic. It is preferable.
[0043]
In the cleaning nozzle 20 of the present embodiment, the ultraviolet irradiation means 23 is provided, so that impurities from the processing liquid 10 and the surface of the substrate W to be processed are removed by the ultraviolet rays irradiated from the ultraviolet irradiation means 23. The substrate W to be processed can be subjected to ozone treatment by sterilization or by generating ozone in the processing liquid 10. A drive control unit (not shown) for driving and controlling the ultraviolet irradiation means 23 is connected via the cable 18.
[0044]
The gas introduction pipe 25 and the gas discharge pipe 26 constitute a gas replacement means for replacing the gas in the space S with an inert gas. That is, an inert gas supply source (not shown) connected to the other end side of the gas introduction pipe 25 is introduced into the space S through the gas introduction pipe 25, and the gas in the space S is supplied from the gas discharge pipe 26. By exhausting, the atmosphere in the space S is replaced with an inert gas, and the ultraviolet rays irradiated from the ultraviolet irradiation means 23 are absorbed by the oxygen in the space S and attenuated to the substrate W or the processing liquid 10. The amount of irradiated ultraviolet rays is not reduced. Therefore, in the cleaning nozzle 20 of this embodiment provided with the gas replacement means as described above, the treatment liquid 10 or the substrate to be processed W can be efficiently irradiated with ultraviolet rays, and impurities can be efficiently removed and sterilized. In addition, when ozone is generated in the treatment liquid, a sufficient ozone generation amount can be obtained.
[0045]
In the cleaning nozzle 20 of the present embodiment, since the gas in the space S is replaced, it is preferable that the space S has a structure capable of shutting off from the outside air. If the space S is blocked from the outside air, the inert gas introduced into the space S will not leak to the outside, and the outside air will not enter the space S. Since the supply of the inert gas can be stopped when the gas replacement is completed, the amount of the inert gas used can be reduced, which is economical.
[0046]
Further, in the cleaning nozzle 20 of the present embodiment shown in FIG. 5, the processing liquid 10 is supplied from the processing liquid introduction port 16 to the target substrate W and flows in the processing region 5 to clean the target substrate W. The recovery of the processing liquid 10 after the cleaning to the processing liquid recovery port 17 is the same as in the first embodiment, and the flow of the processing liquid 10 in the processing region 5 can be stably maintained. It is the same that the substrate W to be processed can be cleaned well.
Further, like the two cleaning nozzles 1 shown in FIG. 5, it is of course possible to arrange the cleaning nozzles 20 on both sides of the substrate to be processed W so that both surfaces of the substrate W to be processed are cleaned simultaneously. It is.
[0047]
(Third embodiment)
Next, an example of a cleaning apparatus including the wet processing apparatus according to any one of the above embodiments will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a diagram showing a schematic configuration of the cleaning apparatus 51 of the present embodiment. For example, a large glass substrate (hereinafter simply referred to as a substrate) of about several hundred mm square is processed as a substrate to be processed. It is a device for.
In the figure, reference numeral 52 denotes a cleaning unit, 53 denotes a stage (substrate holding means), 54 to 56 and 89 denote cleaning nozzles, 57 denotes a substrate transfer robot, 58 denotes a loader cassette, 59 denotes an unloader cassette, and 60 denotes hydrogen water / ozone water. A generating unit, 61 is a processing liquid regeneration unit, and W is a glass substrate (object to be processed).
[0048]
As shown in the figure, the center of the upper surface of the apparatus is a cleaning unit 52, and a stage 53 for holding the substrate W is provided. The stage 53 is provided with a rectangular step portion that matches the shape of the substrate W, and the substrate W is fitted on the step portion, and the surface of the substrate W and the surface of the stage 53 are held on the stage 53 in a flush state. It has come to be. A space is formed below the step, and a substrate lifting shaft (not shown) protrudes from below the stage 53 in this space. A shaft driving source (not shown) such as a cylinder is provided at the lower end of the substrate elevating shaft, and the substrate elevating shaft moves up and down by the operation of the cylinder when the substrate transfer robot 57 delivers the substrate W. The substrate W is raised or lowered along with the vertical movement.
[0049]
A pair of rack bases 62 are provided at positions facing each other across the stage 53, and cleaning nozzles 54, 55, 56, and 89 are installed between the rack bases 62. The cleaning nozzle is composed of four nozzles arranged in parallel, and each of the cleaning nozzles 54, 55, 56, 89 performs cleaning by different cleaning methods. In the case of the present embodiment, these four nozzles supply ozone to the substrate and irradiate ultraviolet rays from the ultraviolet lamp 63 to mainly decompose and remove organic substances, and supply ultrasonic water while supplying ozone water. There are a hydrogen water ultrasonic cleaning nozzle 56 for cleaning by applying ultrasonic vibration by the vibrator body 48 and a pure water rinsing cleaning nozzle 89 for supplying pure water to perform rinsing cleaning.
[0050]
Each of the cleaning nozzles 54, 55, 56, 89 is called a push-pull type nozzle (liquid-saving nozzle). Of these four nozzles, the ozone water ultrasonic cleaning nozzle 55 and the hydrogen water ultrasonic cleaning nozzle 56 have the same configuration as the cleaning nozzle described with reference to FIGS. One cleaning nozzle is provided with a plurality of any of the cleaning nozzles described with reference to FIGS. However, for the sake of illustration, only the ultrasonic transducer main body 48 is shown here, and illustrations divided into a processing liquid introduction part, a processing liquid recovery part, and the like are omitted. The cleaning nozzle 54 has substantially the same configuration as the cleaning nozzle of the above embodiment except that an ultraviolet lamp 63 is provided instead of the ultrasonic transducer body 48, and the cleaning nozzle 89 has ultrasonic vibration. The configuration is substantially the same as the cleaning nozzle of the above embodiment except that the child main body 48 is not provided. However, for the sake of illustration, the illustration divided into the processing liquid introduction part, the processing liquid recovery part, etc. is omitted here.
In the cleaning device 51, the four cleaning nozzles sequentially move along the rack base 62 while maintaining a constant distance from the substrate W above the substrate W, whereby the entire surface (surface to be cleaned) of the substrate W is cleaned. The entire processing surface) is cleaned by four cleaning methods.
[0051]
Each cleaning nozzle moving means (nozzle / workpiece relative moving means) is provided with a slider that can be moved horizontally along a linear guide on each rack base 62, and a column is provided on the upper surface of each slider. Each of the cleaning nozzles 54, 55, 56, and 89 is fixed to these columns. A drive source such as a motor is installed on each slider, and each slider is configured to run on the rack base 62. Each of the cleaning nozzles 54, 55, 56, and 89 is individually moved horizontally by operating the motor on each slider in accordance with a control signal supplied from a control unit (not shown) of the apparatus. Yes. Further, the support column is provided with a drive source such as a cylinder (not shown), and when the support column moves up and down, the height of each cleaning nozzle 54, 55, 56, 89, that is, each cleaning nozzle 54, 55, The distance between 56 and 89 and the substrate W can be adjusted.
[0052]
A hydrogen water / ozone water generation unit 60 and a treatment liquid regeneration unit 61 are provided on the side of the cleaning unit 52. A hydrogen water production device 64 and an ozone water production device 65 are incorporated in the hydrogen water / ozone water generation unit 60. Any of the treatment liquids can be generated by dissolving hydrogen gas or ozone gas in pure water. Then, the hydrogen water generated by the hydrogen water production apparatus 64 is supplied to the hydrogen water ultrasonic cleaning nozzle 56 by a liquid feed pump 67 provided in the middle of the hydrogen water supply pipe 66.
Similarly, the ozone water generated by the ozone water production apparatus 65 is supplied to the ozone water ultrasonic cleaning nozzle 55 by a liquid feed pump 69 provided in the middle of the ozone water supply pipe 68. The pure water rinse cleaning nozzle 89 is supplied with pure water from a pure water supply device (not shown) in the production line.
[0053]
In addition, the processing liquid regenerating unit 61 is provided with filters 70 and 71 for removing particles and foreign matters contained in the used processing liquid. A hydrogen water filter 70 for removing particles in the hydrogen water and an ozone water filter 71 for removing particles in the ozone water are provided in different systems. That is, the used hydrogen water (discharged liquid) discharged from the discharge port of the hydrogen water ultrasonic cleaning nozzle 56 is supplied to the hydrogen water filter 70 by a liquid feed pump 73 provided in the middle of the hydrogen water recovery pipe 72. It has come to be collected. Similarly, the used ozone water (discharged liquid) discharged from the discharge port of the ozone water ultrasonic cleaning nozzle 55 is filtered by an ozone water filter 71 by a liquid feed pump 75 provided in the middle of the ozone water recovery pipe 74. It has come to be collected.
[0054]
The hydrogen water after passing through the hydrogen water filter 70 is supplied to the hydrogen water ultrasonic cleaning nozzle 56 by a liquid feed pump 77 provided in the middle of the regenerated hydrogen water supply pipe 76. . Similarly, the ozone water that has passed through the ozone water filter 71 is supplied to the ozone water ultrasonic cleaning nozzle 55 by a liquid feed pump 79 provided in the middle of the regenerated ozone water supply pipe 78. Yes. The hydrogen water supply pipe 66 and the regenerated hydrogen water supply pipe 76 are connected in front of the hydrogen water ultrasonic cleaning nozzle 56, and new hydrogen water is introduced into the hydrogen water ultrasonic cleaning nozzle 56 by the valve 80 or regenerated. It is possible to switch between introducing hydrogen water. Similarly, the ozone water supply pipe 68 and the regenerated ozone water supply pipe 78 can be switched between introducing new ozone water or introducing regenerated ozone water into the ozone water ultrasonic cleaning nozzle 55. The hydrogen water and ozone water after passing through the filters 70 and 71 have particles removed, but the concentration of gas in the liquid is low. You may make it return to the water manufacturing apparatus 65 and replenish hydrogen gas and ozone gas.
[0055]
A loader cassette 58 and an unloader cassette 59 are detachably provided on the side of the cleaning unit 62. These two cassettes 58 and 59 are of the same shape capable of storing a plurality of substrates W, the substrate W before cleaning (before wet processing) is stored in the loader cassette 58, and the unloader cassette 59 is cleaned. A finished substrate W (after wet processing) is accommodated. A substrate transfer robot 57 is installed at an intermediate position between the cleaning unit 52, the loader cassette 58, and the unloader cassette 59. The substrate transport robot 57 has an arm 82 having an expandable / contractible link mechanism at an upper portion thereof, and the arm 82 is rotatable and can be moved up and down so that the substrate W is supported and transported by a tip portion of the arm 82. It has become.
[0056]
The cleaning device 51 having the above-described configuration is that the operator sets various cleaning conditions such as the distance between the cleaning nozzles 54, 55, 56, and 89 and the substrate W, the moving speed of the cleaning nozzle, the flow rate of the processing liquid, and the like. The operation of each unit is controlled by the control unit, so that automatic operation is performed. Therefore, when using this cleaning apparatus 51, the substrate W before cleaning is set in the loader cassette 58, and if the operator operates the start switch, the substrate transfer robot 57 moves the substrate W from the loader cassette 58 onto the stage 53. UV cleaning, ozone water ultrasonic cleaning, hydrogen water ultrasonic cleaning, and rinse cleaning are automatically performed in sequence on the stage 53 by the cleaning nozzles 54, 55, 56, and 89 on the stage 53. After cleaning, the substrate is transported. The robot 57 accommodates the unloader cassette 59.
[0057]
In the cleaning apparatus 51 of the present embodiment, the cleaning nozzles 55 and 56 of the embodiment of the present invention and the nozzle / workpiece relative movement means described above are provided. The entire surface to be cleaned of the substrate W can be cleaned while having the advantage. In the cleaning device 51 of this embodiment, each of the four cleaning nozzles 54, 55, 56, and 89 is cleaned by different cleaning methods such as ultraviolet cleaning, ozone water ultrasonic cleaning, hydrogen water ultrasonic cleaning, and rinse cleaning. Since it is the structure to process, various washing | cleaning methods can be implemented with one this apparatus.
[0058]
【The invention's effect】
As described above in detail, the wet processing apparatus of the present invention includes a surface on the workpiece side of the connecting portion, a surface on the workpiece side of the processing liquid introduction portion, and a surface of the processing liquid recovery portion. A treatment liquid introduction port is formed in a portion formed flush with a surface on the processing object side and flush with the connecting portion of the treatment liquid introduction portion, and the treatment liquid recovery portion Since the processing liquid recovery port is formed in the portion flush with the connecting portion, the processing liquid is accompanied by the processing liquid in the processing region from the processing liquid introduction port to the processing liquid recovery port. It is possible to prevent bubbles mixed in the processing region from staying. Therefore, according to the wet treatment apparatus of the present invention, the flow of the treatment liquid in the treatment region can be stably maintained, and the wet treatment of the workpiece can be performed efficiently.
[0059]
Next, in the wet processing apparatus of the present invention, a surface on the workpiece side of the connecting portion, a surface on the workpiece side of the processing liquid introduction portion, and a surface on the workpiece side of the processing liquid recovery portion, However, if the processing liquid inlet and the processing liquid recovery port are formed from the same substrate and pass through the substrate, the processing liquid inlet and the processing liquid recovery port are reached. Since the flow path of the processing liquid is constituted by one surface of the substrate and the object to be processed, a place where bubbles entrained by the processing liquid can stay on the nozzle side is not formed, and the flow of the processing liquid is further increased. It can be maintained stably.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing an overall configuration of a cleaning apparatus according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line B-B ′ shown in FIG.
FIG. 3 is a plan view of the cleaning nozzle 1 shown in FIG. 2 as viewed from the substrate to be cleaned.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing another application example of the cleaning apparatus according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a diagram showing a cross-sectional structure of a cleaning device according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a plan view showing a schematic configuration of a cleaning apparatus according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a diagram showing a cross-sectional structure of an example of a conventional cleaning apparatus.
[Explanation of symbols]
1,20 Cleaning nozzle
2,22 Board (connecting part)
3 Treatment liquid introduction part
4 Treatment liquid recovery unit
7 Support plate
11 Bulkhead member
11A, 11B Hollow part
16 Treatment liquid inlet
17 Treatment liquid recovery port
13 Vibration imparting means
23 UV irradiation means
25 Gas introduction pipe (gas replacement means)
26 Gas exhaust pipe (gas replacement means)

Claims (7)

被処理物に対向する面に、該被処理物に処理液を導入する処理液導入部と、前記被処理物から処理液を回収する処理液回収部と、これら処理液導入部及び処理液回収部とを連結する連結部とを有するノズルを備えるウェット処理装置であって、
前記連結部の被処理物側の面と、前記処理液導入部の被処理物側の面と、前記処理液回収部の被処理物側の面とが同一の基板から形成され、処理液が導入される複数の処理液導入口と、複数の処理液回収口が、前記基板を貫通してそれぞれ形成されてなり、
前記基板と、該基板の被処理物と反対側の面に対向して配設された支持板とにより挟持された中空の隔壁部材により前記処理液導入部及び処理液回収部が形成されており、前記隔壁部材の各中空部は、前記複数の処理液導入口及び前記複数の処理液回収口より前記被処理物に対向する面から見た断面積が大きく形成されて処理液を貯溜可能にするとともに、前記の各中空部と、前記複数の処理液導入口及び前記複数の処理液回収口とがそれぞれ接続されて前記処理液の流れを均一にするよう前記処理液の流路が形成されてなり、
前記隔壁部材は、疎水性材料で形成されており、前記隔壁部材の周縁部が前記基板の外周側を取り囲んで前記基板の被処理基板と対向する面と同一面を形成していることを特徴とするウェット処理装置。
A treatment liquid introduction section for introducing a treatment liquid into the treatment object, a treatment liquid collection section for collecting the treatment liquid from the treatment object, a treatment liquid introduction section, and a treatment liquid collection on a surface facing the treatment object A wet processing apparatus comprising a nozzle having a connecting part for connecting the parts,
The surface on the workpiece side of the connecting portion, the surface on the workpiece side of the treatment liquid introduction portion, and the surface on the workpiece side of the treatment liquid recovery portion are formed from the same substrate, and the treatment liquid is A plurality of treatment liquid introduction ports to be introduced and a plurality of treatment liquid recovery ports are respectively formed through the substrate,
The processing liquid introduction part and the processing liquid recovery part are formed by a hollow partition member sandwiched between the substrate and a support plate disposed opposite to the surface of the substrate opposite to the object to be processed. Each of the hollow portions of the partition member has a larger cross-sectional area as viewed from a surface facing the object to be processed than the plurality of processing liquid introduction ports and the plurality of processing liquid recovery ports, so that the processing liquid can be stored. In addition, each of the hollow portions, the plurality of treatment liquid inlets, and the plurality of treatment liquid recovery ports are connected to form a flow path for the treatment liquid so that the flow of the treatment liquid is uniform. And
The partition member is made of a hydrophobic material, and a peripheral portion of the partition member surrounds the outer peripheral side of the substrate and forms the same surface as a surface of the substrate facing the substrate to be processed. Wet processing equipment.
前記連結部に、該連結部と前記被処理物との間の処理液に振動を付与するための振動付与手段が設けられたことを特徴とする請求項1に記載のウェット処理装置。  The wet processing apparatus according to claim 1, wherein the connection portion is provided with vibration applying means for applying vibration to a processing liquid between the connection portion and the object to be processed. 前記連結部の前記被処理物側の面が、紫外線を透過する部材で形成されており、前記連結部に、前記被処理物に向けて紫外線を照射するための紫外線照射手段が設けられたことを特徴とする請求項1に記載のウェット処理装置。  The surface of the connecting part on the side of the object to be processed is formed of a member that transmits ultraviolet light, and the connecting part is provided with ultraviolet irradiation means for irradiating the object to be processed with ultraviolet light. The wet processing apparatus according to claim 1. 前記連結部と前記支持板と、前記隔壁部材とに囲まれる空間に紫外線照射手段が収納されており、前記空間の内部を不活性ガスと置換するためのガス置換手段が設けられたことを特徴とする請求項1に記載のウェット処理装置。An ultraviolet irradiation means is accommodated in a space surrounded by the connecting portion, the support plate, and the partition member, and a gas replacement means for replacing the inside of the space with an inert gas is provided. The wet processing apparatus according to claim 1 . 前記基板が、親水性材料で形成されたことを特徴とする請求項1に記載のウェット処理装置。The wet processing apparatus according to claim 1 , wherein the substrate is made of a hydrophilic material. 前記基板の被処理物側の面に、微細な凹凸形状が形成されたことを特徴とする請求項1に記載のウェット処理装置。The wet processing apparatus according to claim 1 , wherein a fine uneven shape is formed on a surface of the substrate on the processing object side. 前記ノズルと、前記被処理物とを、互いの間隔を一定に保ちつつ相対移動させる、ノズル又は被処理物の移動手段を備えることを特徴とする請求項1に記載のウェット処理装置。  2. The wet processing apparatus according to claim 1, further comprising a nozzle or an object to be processed moving means for relatively moving the nozzle and the object to be processed while maintaining a constant interval therebetween.
JP2001282441A 2001-09-17 2001-09-17 Wet processing equipment Expired - Fee Related JP3970567B2 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001282441A JP3970567B2 (en) 2001-09-17 2001-09-17 Wet processing equipment
KR10-2002-0052863A KR100525601B1 (en) 2001-09-17 2002-09-03 Wet treating device
CNB021431205A CN1189925C (en) 2001-09-17 2002-09-13 Wet treating device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001282441A JP3970567B2 (en) 2001-09-17 2001-09-17 Wet processing equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003092277A JP2003092277A (en) 2003-03-28
JP3970567B2 true JP3970567B2 (en) 2007-09-05

Family

ID=19106089

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001282441A Expired - Fee Related JP3970567B2 (en) 2001-09-17 2001-09-17 Wet processing equipment

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP3970567B2 (en)
KR (1) KR100525601B1 (en)
CN (1) CN1189925C (en)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4343573B2 (en) * 2003-04-10 2009-10-14 芝浦メカトロニクス株式会社 Coating device and head cleaning method
TWI275141B (en) * 2004-07-01 2007-03-01 Future Vision Inc Substrate processor
JP4731622B2 (en) * 2007-03-07 2011-07-27 富士通株式会社 Cleaning device and cleaning method
KR100854981B1 (en) * 2007-10-10 2008-08-28 홍경표 Wet processing treatment apparatus for manufacturing printed circuit board
WO2014091544A1 (en) * 2012-12-10 2014-06-19 藤森工業株式会社 Electrode lead wire member for nonaqueous batteries
KR102010329B1 (en) * 2017-08-04 2019-10-15 주식회사 디엠에스 Substrate processing apparatus and in line type substrate processing system using the same

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4215900B2 (en) * 1999-08-13 2009-01-28 アルプス電気株式会社 Wet processing nozzle device and wet processing device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003092277A (en) 2003-03-28
CN1405851A (en) 2003-03-26
CN1189925C (en) 2005-02-16
KR100525601B1 (en) 2005-11-02
KR20030024573A (en) 2003-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3653198B2 (en) Nozzle for drying, drying apparatus and cleaning apparatus using the same
US6230722B1 (en) Liquid feed nozzle, wet treatment, apparatus and wet treatment method
WO2003052805A1 (en) Film removing device, film removing method, and substrate processing system
JP2002075947A (en) Wet processor
JP3768789B2 (en) Ultrasonic vibrator, wet processing nozzle and wet processing apparatus
KR100385906B1 (en) nozzle device and wet processing equipment
JP3970567B2 (en) Wet processing equipment
JP4180306B2 (en) Wet processing nozzle and wet processing apparatus
JP3873099B2 (en) Substrate guide device and cleaning device using the same
JP3725349B2 (en) Cleaning device
JP3955197B2 (en) Wet processing nozzle and wet processing apparatus
JP3681916B2 (en) Substrate cleaning device
KR100360120B1 (en) Cleansing apparatus
JP3992894B2 (en) Cleaning device
JP4789446B2 (en) Substrate processing equipment
KR100502751B1 (en) Wet processing apparatus and wet processing method
JP2003158110A (en) Wet treatment nozzle and device thereof
JP2003200120A (en) Device and method of wet treatment
JP2015087642A (en) Light alignment device
JP2003100689A (en) Device and method for wet treatment
KR20150049190A (en) Apparatus for treating substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040520

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20051115

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060703

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061024

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061220

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070522

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070606

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100615

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110615

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120615

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees