JP2003092277A - Wet treatment apparatus - Google Patents

Wet treatment apparatus

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JP2003092277A JP2001282441A JP2001282441A JP2003092277A JP 2003092277 A JP2003092277 A JP 2003092277A JP 2001282441 A JP2001282441 A JP 2001282441A JP 2001282441 A JP2001282441 A JP 2001282441A JP 2003092277 A JP2003092277 A JP 2003092277A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wet treatment apparatus in which a treatment solution can be supplied/recovered stably during an operation and in which the flow of the treatment solution to the discharge side from the introduction side of the treatment solution can be maintained uniform. SOLUTION: In the wet treatment apparatus, a face facing a substrate W to be treated is provided with a nozzle 1 which comprises a treatment-solution introduction part 3 used to introduce the treatment solution 10 to the substrate W to be treated, a treatment-solution recovery part 4 used to recover the treatment solution 10 from the substrate W to be treated and a board 2 used to connect the part 3 to the part 4. In the apparatus, a treatment-solution inlet port 16 which passes the board 2 and to which the treatment solution is introduced and a treatment-solution recovery port 17 are formed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体デバ
イス、液晶表示パネルなどの製造プロセスにおける洗
浄、エッチング等のウェット処理工程において、被処理
物上に処理液を供給するためのノズルを備えたウェット
処理装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wet process including a nozzle for supplying a processing liquid onto an object to be processed in a wet processing step such as cleaning and etching in a manufacturing process of semiconductor devices, liquid crystal display panels and the like. The present invention relates to a processing device.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体デバイス、液晶表示パネル等の電
子機器の分野においては、その製造プロセス中に被処理
物である半導体基板やガラス基板を洗浄処理する工程が
必須である。洗浄工程においては、製造工程中の種々の
除去対象物質を除去すべく、超純水、電解イオン水、オ
ゾン水、水素水等、種々の処理液を用いた洗浄が行われ
るが、これら処理液は洗浄装置のノズルから基板上に供
給される。ところが、従来一般の洗浄用ノズルを用いた
場合、処理液の使用量が多くなるという問題があった。
例えば500mm角の基板の洗浄を電解イオン水等の処
理液を用いて行い、かかる処理液による洗浄とリンス洗
浄水によるリンスを行った後の基板上のパーティクルの
残存量として0.5個/cm2レベルの洗浄度を達成し
よう等すると、25〜30リットル/分程度の処理液及
びリンス処理液を使用しなければならなかった。
2. Description of the Related Art In the field of electronic devices such as semiconductor devices and liquid crystal display panels, a step of cleaning a semiconductor substrate or a glass substrate, which is an object to be processed, is essential during the manufacturing process. In the cleaning process, various treatment liquids such as ultrapure water, electrolytic ion water, ozone water and hydrogen water are used to remove various substances to be removed during the manufacturing process. Is supplied onto the substrate from the nozzle of the cleaning device. However, when the conventional general cleaning nozzle is used, there is a problem that the amount of the processing liquid used increases.
For example, a substrate having a size of 500 mm square is washed with a treatment liquid such as electrolytic ion water, and after the washing with the treatment liquid and the rinse with the rinse water, the residual amount of particles on the substrate is 0.5 particles / cm. In order to achieve a cleaning level of 2 levels, it was necessary to use a processing solution and a rinse processing solution of about 25 to 30 liters / minute.

【0003】そこで、従来型に比べて処理液の使用量を
大幅に削減できる省液型の洗浄用ノズルとして、被処理
基板上に処理液を供給して被処理基板のウェット処理を
行う際に用いるウェット処理用ノズルであって、一端に
処理液を導入するための導入口を有する導入通路と、一
端に使用後の処理液を外部に排出するための排出口を有
する排出通路とが形成され、これら導入通路と排出通路
のそれぞれの他端に、被処理基板に向けて開口する導入
開口部と排出開口部とが設けられたウェット処理用ノズ
ルが提案されている。
Therefore, as a liquid-saving type cleaning nozzle capable of significantly reducing the amount of the processing liquid used as compared with the conventional type, when the processing liquid is supplied onto the substrate to be processed and the substrate to be processed is wet-processed. A wet processing nozzle used, wherein an introduction passage having an introduction port for introducing a treatment liquid at one end and a discharge passage having a discharge port for discharging a used treatment liquid to the outside are formed at one end. There has been proposed a wet processing nozzle in which an introduction opening and a discharge opening that open toward the substrate to be processed are provided at the other ends of the introduction path and the discharge path, respectively.

【0004】図7は、上記構成を備えたウェット処理用
ノズルの一例を示す断面図であり、この図に示すウェッ
ト処理用ノズル100は、被処理基板Wを例えば矢印A
の方向へ移動させながら、被処理基板W上に処理液を供
給して洗浄を行うようになっている。このウェット処理
用ノズル100は、一端に処理液110を導入するため
の導入口101aを有する導入管101と、一端にウェ
ット処理後の処理液110を外部へ排出するための排出
口102aを有する排出管102とが設けられ、導入管
101と排出管102のそれぞれの他端が連結され、被
処理基板Wに対向する連結部103が形成され、この連
結部103に導入管101が開口している第1開口部1
01bと、排出管102が開口している第2開口部10
2bが設けられたものである。上記連結部103と被処
理基板Wの間の空間には、ウェット処理を行う処理領域
105が形成されている。また、上記連結部103に
は、処理領域105内の処理液110に超音波振動を付
与するための超音波振動子が設けられている。ここでの
超音波振動子は、振動板106と、振動板106の主面
の両端から立ち上がる側板107と、振動板106の主
面上に設けられた超音波振動子本体108とから構成さ
れている。ここでの超音波振動子108は、電源(図示
略)に接続されている。また排出管102の排出口10
2aには、減圧ポンプ(図示略)が接続されている。ま
た、上記第1開口部101b及び第2開口部102bに
は、これら開口部101b、102bを通過して導入及
び排出される処理液110が、被処理基板W上に均一に
導入されるようにするための整流部材111、112が
設けられている。これらの整流部材111,112は、
被処理基板Wの被処理領域全体に均一に処理液が供給さ
れるようにするためのもので、テフロン(登録商標)等
からなるシートに小径の透孔を複数形成したものなどが
用いられる。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of a wet processing nozzle having the above-described structure. The wet processing nozzle 100 shown in this figure shows a substrate W to be processed, for example, an arrow A.
While moving in the direction of, the processing liquid is supplied onto the substrate W to be cleaned. This wet processing nozzle 100 has an inlet pipe 101 having an inlet 101a for introducing the treatment liquid 110 at one end, and an outlet 102a having one end for discharging the treatment liquid 110 after the wet treatment to the outside. A pipe 102 is provided, the other ends of the introduction pipe 101 and the discharge pipe 102 are connected to each other, and a connecting portion 103 facing the substrate W to be processed is formed, and the introducing pipe 101 is opened to this connecting portion 103. First opening 1
01b and the second opening 10 where the discharge pipe 102 is open
2b is provided. In the space between the connecting portion 103 and the substrate W to be processed, a processing region 105 for performing wet processing is formed. Further, the connecting portion 103 is provided with an ultrasonic transducer for applying ultrasonic vibration to the treatment liquid 110 in the treatment area 105. The ultrasonic transducer here includes a vibrating plate 106, side plates 107 rising from both ends of the main surface of the vibrating plate 106, and an ultrasonic vibrator main body 108 provided on the main surface of the vibrating plate 106. There is. The ultrasonic transducer 108 here is connected to a power source (not shown). In addition, the discharge port 10 of the discharge pipe 102
A decompression pump (not shown) is connected to 2a. In addition, the processing liquid 110 that is introduced into and discharged from the first opening 101b and the second opening 102b through the openings 101b and 102b is uniformly introduced onto the substrate W to be processed. The rectifying members 111 and 112 are provided for this purpose. These rectifying members 111 and 112 are
The processing liquid is uniformly supplied to the entire region to be processed of the substrate W to be processed, and a sheet made of Teflon (registered trademark) or the like having a plurality of small through holes is used.

【0005】また、処理液110は導入管101の導入
口101aから供給され、第1開口部101bの整流部
材111に到るが、排出管102の排出口102aに
は、上述のように減圧ポンプ(図示略)が接続されてい
るので、減圧ポンプの吸引圧力を制御することにより、
導入管101に供給された処理液110の、第1開口部
101b側における圧力(処理液110の表面張力と被
処理基板Wの被処理面の表面張力も含む)と、大気圧と
の圧力差を制御できるようになっている。すなわち、第
1開口部101bにおいて大気と接触している処理液1
10の圧力Pw(処理液の表面張力と被処理基板Wの被
処理面の表面張力も含む)と大気圧Paとの関係を、P
w≒Paとすることにより、第1開口部101bの整流
部材111を通じて被処理基板Wに供給され、被処理基
板Wに接触した処理液110はウェット処理用ノズル1
00の外部に漏れることなく、排出管102へ排出され
る。このため、図7のウェット処理用ノズル100は、
処理液110の使用量を大幅に削減することができる。
また、図7に示すウェット処理用ノズル100では、被
処理基板Wを洗浄する際、処理領域105に処理液11
0を供給した状態で上記超音波振動子本体108により
超音波振動を付与し、処理液110と共働して被処理基
板Wを洗浄することができる。
The treatment liquid 110 is supplied from the introduction port 101a of the introduction pipe 101 and reaches the rectifying member 111 of the first opening 101b, but the discharge port 102a of the discharge pipe 102 has the decompression pump as described above. (Not shown) is connected, so by controlling the suction pressure of the decompression pump,
The pressure difference between the pressure (including the surface tension of the processing liquid 110 and the surface tension of the surface to be processed of the substrate W to be processed) of the processing liquid 110 supplied to the introduction pipe 101 on the side of the first opening 101b and the atmospheric pressure. Can be controlled. That is, the processing liquid 1 in contact with the atmosphere at the first opening 101b
The relationship between the pressure Pw of 10 (including the surface tension of the processing liquid and the surface tension of the surface to be processed of the substrate W to be processed) and the atmospheric pressure Pa is P
By setting w≈Pa, the processing liquid 110, which is supplied to the substrate W to be processed through the rectifying member 111 of the first opening 101b and is in contact with the substrate W to be processed, is the nozzle 1 for the wet process.
00 is discharged to the discharge pipe 102 without leaking to the outside. Therefore, the wet process nozzle 100 of FIG.
The amount of the processing liquid 110 used can be significantly reduced.
Further, in the wet processing nozzle 100 shown in FIG. 7, when the substrate W to be processed is cleaned, the processing liquid 11 is applied to the processing region 105.
With the supply of 0, ultrasonic vibration can be applied by the ultrasonic vibrator main body 108, and the substrate W to be processed can be cleaned in cooperation with the processing liquid 110.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図7に
示すウェット処理用ノズル100では、処理液110を
供給しながら被処理基板Wのウェット処理を行っている
際に、処理領域105に処理液110が供給されなくな
る問題が生じる場合があることが判明した。これは、ウ
ェット処理用ノズル100では、板材を曲げ加工するこ
とで連結部103の側板107を、振動板106の両端
から立ち上がるように形成しているため、連結部103
の底部両端の角部に、曲面部107Rが形成されること
に起因すると本発明者は考えた。すなわち、このような
曲面部107Rが存在すると、整流部材111の下面か
ら被処理基板Wに向けて供給される処理液110に同伴
される微細な気泡が、整流部材111と曲面部107R
とにより形成される断面略くさび状の溝101A内に滞
留し、この気泡がウェット処理の時間経過とともに大き
くなる。そして、この気泡が被処理基板Wへ到達する大
きさになると、この気泡により部分的あるいは全体的
に、処理領域105における処理液110の流れが遮断
される。ウェット処理装置100は、排出通路102に
接続された減圧ポンプにより処理液110の圧力制御を
行っているため、処理領域105内で処理液110が分
断されると、処理液110を第1開口部101bから処
理領域105へ引き込む力が弱くなり、処理液110の
供給が停止される。そして、処理液110の供給が停止
されると、洗浄能力が低下し、被処理基板Wの洗浄が不
十分なものとなる。
However, in the wet processing nozzle 100 shown in FIG. 7, the processing liquid 110 is applied to the processing region 105 while the processing liquid 110 is being supplied while the substrate W to be processed is being wet-processed. It was found that there may be a problem that the product is not supplied. In the wet process nozzle 100, the side plate 107 of the connecting portion 103 is formed by bending the plate material so as to rise from both ends of the vibrating plate 106.
The present inventor has considered that the curved surface portions 107R are formed at the corners at both ends of the bottom portion of the. That is, when such a curved surface portion 107R is present, fine bubbles entrained in the processing liquid 110 supplied from the lower surface of the rectifying member 111 toward the substrate W to be processed generate the rectifying member 111 and the curved surface portion 107R.
The bubbles are retained in the groove 101A having a substantially wedge-shaped cross section formed by and the bubbles increase with the lapse of time in the wet treatment. Then, when the bubbles reach the size of the substrate W to be processed, the flow of the processing liquid 110 in the processing region 105 is partially or wholly blocked by the bubbles. Since the wet processing apparatus 100 controls the pressure of the processing liquid 110 by the decompression pump connected to the discharge passage 102, when the processing liquid 110 is divided in the processing region 105, the processing liquid 110 is discharged through the first opening portion. The force of drawing from 101b to the processing region 105 becomes weak, and the supply of the processing liquid 110 is stopped. Then, when the supply of the processing liquid 110 is stopped, the cleaning ability is lowered, and the cleaning of the substrate W to be processed becomes insufficient.

【0007】従って本発明は、上記課題を解決するため
になされたものであって、その目的は、運転中に安定し
て処理液を供給/回収することができ、かつ処理液の導
入側から排出側への処理液の流れを均一に維持すること
ができるウェット処理装置を提供することにある。
Therefore, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and its purpose is to be able to stably supply / recover the treatment liquid during operation and to introduce the treatment liquid from the introduction side. It is an object of the present invention to provide a wet processing apparatus capable of maintaining a uniform flow of processing liquid to the discharge side.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は以下の構成を採用した。本発明のウェッ
ト処理装置は、被処理物に対向する面に、該被処理物に
処理液を導入する処理液導入部と、前記被処理物から処
理液を回収する処理液回収部と、これら処理液導入部及
び処理液回収部とを連結する連結部とを有するノズルを
備えるウェット処理装置であって、前記連結部の被処理
物側の面と、前記処理液導入部の被処理物側の面と、前
記処理液回収部の被処理物側の面とが面一に形成され、
前記処理液導入部の前記連結部と面一にされた部分に、
処理液が導入される処理液導入口が形成され、前記処理
液回収部の前記連結部と面一にされた部分に処理液回収
口が形成されてなることを特徴とする。
In order to achieve the above object, the present invention has the following constitutions. The wet processing apparatus of the present invention, on the surface facing the object to be processed, a processing solution introducing section for introducing a processing solution into the object to be processed, a processing solution recovery section for recovering the processing solution from the object, and It is a wet processing device provided with a nozzle which has a connecting part which connects a processing liquid introduction part and a processing liquid recovery part, A processed object side surface of the connection part, and an object side of the processing liquid introduction part. And the surface of the treatment liquid recovery section on the side of the object to be treated are formed flush with each other,
In a portion flush with the connecting portion of the treatment liquid introducing portion,
A treatment liquid introducing port for introducing the treatment liquid is formed, and a treatment liquid collecting port is formed in a portion of the treatment liquid collecting unit that is flush with the connecting portion.

【0009】本発明のウェット処理装置は、処理液導入
口から処理液を被処理物に供給し、被処理物のウェット
処理に供された処理液を前記処理液回収口から回収する
構成のウェット処理装置である。つまり、ノズルと被処
理物とに挟まれ、処理液導入口から処理液回収口に到る
領域が、処理液が流動されて被処理物のウェット処理が
行われる処理領域とされている。そして、本発明のウェ
ット処理装置は、処理液導入部と処理液回収部の被処理
物側の面と、前記連結部の被処理物側の面とが面一に形
成されていることで、前記処理領域において、処理液導
入口から処理液回収口に到る経路中に気泡が滞留する場
所が形成されない構造を実現している。従って、本発明
のウェット処理装置は、上述の従来のウェット処理用ノ
ズル100のように、処理領域105内で気泡が成長し
て処理液の流れを遮断することがなく、処理領域におけ
る処理液の流れを安定に維持することができる。
The wet processing apparatus of the present invention is configured such that the processing liquid is supplied from the processing liquid introduction port to the object to be processed and the processing liquid used for the wet processing of the object is recovered from the processing liquid recovery port. It is a processing device. That is, a region sandwiched between the nozzle and the object to be processed and extending from the processing liquid introduction port to the processing liquid recovery port is a processing region where the processing liquid flows and the object to be processed is wet-processed. And, the wet processing apparatus of the present invention, the surface of the processing liquid introduction section and the processing object side of the processing solution recovery section, and the surface of the processing object side of the connecting portion are formed flush with each other, In the processing region, there is realized a structure in which no place where bubbles stay is formed in the path from the processing liquid introduction port to the processing liquid recovery port. Therefore, unlike the above-described conventional wet processing nozzle 100, the wet processing apparatus of the present invention does not block the flow of the processing liquid by growing bubbles in the processing region 105, and prevents the processing liquid from flowing in the processing region. The flow can be maintained stable.

【0010】次に、本発明のウェット処理装置は、前記
連結部の被処理物側の面と、前記処理液導入部の被処理
物側の面と、前記処理液回収部の被処理物側の面とが、
同一の基板から形成され、前記処理液導入口と、前記処
理液回収口が、前記基板を貫通して形成されてなる構成
とすることができる。
Next, in the wet processing apparatus of the present invention, the surface of the connecting portion on the side of the object to be processed, the surface of the processing liquid introducing portion on the side of the object to be processed, and the surface of the processing liquid collecting portion on the side of the object to be processed. The surface of
The processing liquid introduction port and the processing liquid recovery port may be formed from the same substrate and formed so as to penetrate the substrate.

【0011】本構成のウェット処理装置は、前記ノズル
の被処理物と対向する側に基板を配し、この基板を貫通
させて処理液導入口と、処理液回収口を形成したもので
ある。このような構成とすることで、処理液導入口から
処理液回収口に到る処理領域が、前記基板の被処理物側
の面と、被処理物とに挟まれた領域となるので、前記ノ
ズルの処理領域側の面をより面一に形成することが可能
となり、これにより処理液導入口から導入された処理液
に同伴される気泡の処理領域内での滞留をさらに効果的
に防止することができる。
In the wet processing apparatus of this structure, a substrate is arranged on the side of the nozzle facing the object to be processed, and a processing liquid introduction port and a processing liquid recovery port are formed by penetrating the substrate. With such a configuration, since the processing region from the processing liquid introduction port to the processing liquid recovery port is a region sandwiched between the surface of the substrate on the side of the object to be processed and the object to be processed, It is possible to form the surface of the nozzle on the side of the processing region more evenly, thereby more effectively preventing retention of bubbles entrained in the processing liquid introduced from the processing liquid inlet in the processing region. be able to.

【0012】次に、本発明のウェット処理装置は、前記
基板と、該基板の被処理物と反対側の面に対向して配設
された支持板とにより挟持された中空の隔壁部材により
前記処理液導入部及び処理液回収部が形成されており、
前記隔壁部材の中空部に処理液が貯溜可能とされるとと
もに、前記中空部と、前記処理液導入口、前記処理液回
収口とがそれぞれ接続されて前記処理液の流路が形成さ
れてなる構成とすることもできる。
Next, in the wet processing apparatus of the present invention, the hollow partition member sandwiched by the substrate and a supporting plate arranged to face the surface of the substrate opposite to the object to be processed is used. A treatment liquid introduction part and a treatment liquid recovery part are formed,
A processing liquid can be stored in a hollow portion of the partition member, and the hollow portion, the processing liquid introduction port, and the processing liquid recovery port are respectively connected to form a processing liquid flow path. It can also be configured.

【0013】上記基板上に設けられた中空の隔壁部材に
より処理液導入部と処理液回収部とが形成され、この中
空部に処理液を貯溜可能とされていることで、この中空
部に接続された処理液導入口への処理液の供給、あるい
は処理液回収口からの処理液の回収における処理液流量
をこの中空部での貯溜により調整することができ、処理
液の流れを均一にすることができる。さらには、上述の
ように基板と隔壁部材と支持板とを基本構造とすること
で、構造を簡素化してノズルの製造コストを低減すると
ともに、メンテナンスが容易でトラブルの少ないノズル
を実現することができる。また、被処理物と対向する面
を、前記基板の一面側で構成することで、処理液に同伴
される気泡の処理領域内での滞留を防止できるのは勿論
である。
A hollow partition member provided on the substrate forms a processing liquid introducing portion and a processing liquid collecting portion, and the processing liquid can be stored in the hollow portion so that the processing liquid can be connected to the hollow portion. The flow rate of the processing liquid in supplying the processing liquid to the processed processing liquid inlet or collecting the processing liquid from the processing liquid recovery port can be adjusted by the storage in the hollow portion, and the flow of the processing liquid can be made uniform. be able to. Furthermore, by using the substrate, the partition member, and the support plate as the basic structure as described above, it is possible to simplify the structure and reduce the manufacturing cost of the nozzle, and to realize a nozzle that is easy to maintain and has no trouble. it can. Further, it is needless to say that by forming the surface facing the object to be processed on the one surface side of the substrate, it is possible to prevent the bubbles entrained in the processing liquid from staying in the processing region.

【0014】次に、本発明のウェット処理装置は、前記
連結部に、該連結部と前記被処理物との間の処理液に振
動を付与するための振動付与手段が設けられた構成とす
ることもできる。
Next, the wet processing apparatus of the present invention is configured such that the connecting portion is provided with vibration applying means for applying vibration to the processing liquid between the connecting portion and the object to be processed. You can also

【0015】このような構成とすることで、例えば本発
明のウェット処理装置を洗浄装置として用いる場合に
は、上記振動付与手段により処理液(洗浄液)に与えら
れた振動による付着物の除去効果により洗浄効率を高め
ることができる。また、この振動付与手段は前記ノズル
に対して着脱可能とされていてもよく、このような構成
とすれば例えば振動周波数の異なる他の振動付与手段
や、光照射手段と容易に交換することができ、ウェット
処理装置の汎用性を高めることができる。
With such a structure, when the wet processing apparatus of the present invention is used as a cleaning apparatus, for example, the vibration applied to the processing liquid (cleaning liquid) by the vibration imparting means makes it possible to remove adhering substances. The cleaning efficiency can be improved. Further, this vibration applying means may be detachable from the nozzle, and with such a configuration, it can be easily replaced with another vibration applying means having a different vibration frequency or a light irradiation means. Therefore, the versatility of the wet processing apparatus can be improved.

【0016】次に、本発明のウェット処理装置は、前記
連結部の前記被処理物側の面が、紫外線を透過する部材
で形成されており、前記連結部に、前記被処理物に向け
て紫外線を照射するための紫外線照射手段が設けられた
構成とすることもできる。
Next, in the wet processing apparatus of the present invention, the surface of the connecting portion on the side of the object to be processed is formed of a member that transmits ultraviolet rays, and the connecting portion faces the object to be processed. It is also possible to adopt a configuration in which an ultraviolet ray irradiation means for emitting ultraviolet rays is provided.

【0017】このような構成とすることで、処理液中に
オゾンを発生させて被処理物をオゾン処理したり、処理
液の殺菌を行うことができるウェット処理装置を実現す
ることができる。また、この紫外線照射手段も、上記振
動付与手段と同様に前記ノズルに対して着脱可能とする
ことができるのは勿論である。
With such a structure, it is possible to realize a wet processing apparatus which can generate ozone in the treatment liquid to ozone-treat the object to be treated and can sterilize the treatment liquid. Further, it is needless to say that this ultraviolet irradiation means can also be attached to and detached from the nozzle similarly to the vibration applying means.

【0018】次に、本発明のウェット処理装置において
は、前記連結部と前記支持板と、前記隔壁部材とに囲ま
れる空間に紫外線照射手段が収納されており、前記空間
の内部を不活性ガスと置換するためのガス置換手段が設
けられていてもよい。
Next, in the wet processing apparatus of the present invention, an ultraviolet irradiation means is housed in a space surrounded by the connecting portion, the support plate and the partition member, and the inside of the space is filled with an inert gas. There may be provided a gas replacement means for replacing

【0019】このような構成とすることで、紫外線照射
手段から照射された紫外線が周囲の酸素に吸収されて減
衰するのを防止することができる。従って、本構成によ
れば、連結部を透過して被処理物へ到達する紫外線量を
増加させ、処理液中でのオゾンの発生効率、処理液の殺
菌効率を高めることができる。
With such a structure, it is possible to prevent the ultraviolet rays radiated from the ultraviolet ray radiating means from being absorbed by ambient oxygen and being attenuated. Therefore, according to this configuration, it is possible to increase the amount of ultraviolet rays that pass through the connecting portion and reach the object to be processed, and increase the ozone generation efficiency in the processing liquid and the sterilization efficiency of the processing liquid.

【0020】次に、本発明のウェット処理装置において
は、前記基板が親水性材料で形成されることが好まし
い。このような構成とすることで、基板と接して流動す
る処理液と基板との親和性を高めることができるので、
処理領域における処理液の流れをより円滑にすることが
でき、処理液の流れの均一性、制御性を高めることがで
きる。
Next, in the wet processing apparatus of the present invention, it is preferable that the substrate is made of a hydrophilic material. With such a configuration, the affinity between the processing liquid that flows in contact with the substrate and the substrate can be increased,
The flow of the processing liquid in the processing region can be made smoother, and the uniformity and controllability of the flow of the processing liquid can be improved.

【0021】次に、本発明のウェット処理装置において
は、前記基板の被処理物側の面に、微細な凹凸形状が形
成されていてもよい。このような構成とすることによっ
ても、処理液の流れに対する基板表面の抵抗を低減する
ことができ、処理液の流れをより円滑にし、処理液の流
れの制御性を高めることができる。
Next, in the wet processing apparatus of the present invention, fine irregularities may be formed on the surface of the substrate on the side of the object to be processed. With such a configuration, the resistance of the substrate surface against the flow of the processing liquid can be reduced, the flow of the processing liquid can be made smoother, and the controllability of the flow of the processing liquid can be improved.

【0022】次に、本発明のウェット処理装置において
は、前記基板の処理液導入口側の周囲部分に、疎水性材
料からなる部材が配置されることが好ましい。このよう
な構成とすることで、処理液導入口より外側への処理液
の広がりを上記疏水性材料により規制することができる
ので、処理領域内に処理液を容易に閉じこめることがで
き、その結果処理液の流れの制御性を高めることができ
る。
Next, in the wet processing apparatus of the present invention, it is preferable that a member made of a hydrophobic material is arranged in the peripheral portion of the substrate on the processing liquid introducing port side. With such a configuration, since the spread of the treatment liquid to the outside of the treatment liquid inlet can be regulated by the hydrophobic material, the treatment liquid can be easily confined in the treatment area, and as a result, The controllability of the flow of the processing liquid can be improved.

【0023】次に、本発明のウェット処理装置において
は、前記基板の処理液回収口側の周囲部分に、疏水性材
料からなる部材が配置されることが好ましい。このよう
な構成とすることで、上記処理液導入口側と同様に、処
理液回収口側においても処理液を処理領域内に閉じ込め
易くなり、処理液の流れの制御性を高めることができ
る。
Next, in the wet processing apparatus of the present invention, it is preferable that a member made of a hydrophobic material is arranged in the peripheral portion of the substrate on the processing liquid recovery port side. With such a configuration, the treatment liquid can be easily confined in the treatment region on the treatment liquid inlet side as well as the treatment liquid inlet side, and the controllability of the flow of the treatment liquid can be improved.

【0024】次に、本発明のウェット処理装置は、前記
ノズルと、前記被処理物とを、互いの間隔を一定に保ち
つつ相対移動させる、ノズル又は被処理物の移動手段を
備える構成とすることができる。このような構成とする
ことで、被処理物の被処理面上で上記ノズルを移動させ
ながら被処理物のウェット処理を行うことが可能とな
り、より作業効率に優れたウェット処理装置を実現する
ことができる。
Next, the wet processing apparatus of the present invention comprises a nozzle or a means for moving the object to be processed, which moves the nozzle and the object to be processed relative to each other while keeping a constant distance from each other. be able to. With such a configuration, it is possible to perform the wet processing of the object to be processed while moving the nozzle on the surface to be processed of the object to be processed, and to realize a wet processing apparatus with higher work efficiency. You can

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明するが、本発明は以下の実施の形態に限
定されるものではない。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings, but the present invention is not limited to the following embodiments.

【0026】(第1の実施形態)図1は、本発明の第1
の実施形態である洗浄装置(ウェット処理装置)の全体
構成を模式的に示す斜視構成図であり、図2は図1に示
すB−B’線に沿う断面構造を示す図である。また、図
3は、図1,2に示す洗浄用ノズル1を被処理基板W側
から見た平面図である。図1及び図2に示すように、本
実施形態の洗浄装置は、洗浄用ノズル1に対して被処理
物である被処理基板Wを移動方向Aに移動させる移動手
段(図示せず)とから概略構成されている。
(First Embodiment) FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a perspective configuration diagram schematically showing the overall configuration of the cleaning apparatus (wet processing apparatus) which is the embodiment of FIG. 2, and FIG. 2 is a diagram showing a sectional structure taken along line BB ′ shown in FIG. 1. Further, FIG. 3 is a plan view of the cleaning nozzle 1 shown in FIGS. As shown in FIGS. 1 and 2, the cleaning apparatus according to the present embodiment includes a moving unit (not shown) that moves a substrate W to be processed, which is an object to be processed, in a moving direction A with respect to the cleaning nozzle 1. It is roughly configured.

【0027】図1〜図3に示す洗浄用ノズル1は、平板
状の基板(連結部)2と、この基板2の外周を取り囲ん
で基板2上に配設された隔壁部材11と、隔壁部材11
上に配設された支持板7と、基板2の被処理基板Wと反
対側の面に設けられた振動付与手段13とを備えて構成
されている。基板2は、被処理基板Wに施される洗浄処
理の種類に応じてステンレス鋼等の金属基板や、石英
や、ガラス基板等で構成されている。図2及び図3に示
すように、この基板2は洗浄用ノズル1において被処理
基板Wと対向する面を形成する部材であり、その両側の
長辺端に沿って複数の処理液導入口16及び処理液回収
口17が形成されている。より詳細には、基板2の被処
理基板Wと反対側の面に、その両側の長辺端に沿って平
面視長方形状の溝部2A及び2Bが刻設されており、こ
の溝部2Aの底面から被処理基板W側へ貫通して複数の
処理液導入口16が形成されており、溝部2Bの底面か
ら被処理基板W側へ貫通して複数の処理液回収口17が
形成されている。本実施形態の洗浄用ノズル1では、処
理液導入口16を介して処理液(洗浄用処理液)10を
被処理基板Wへ供給し、処理液回収口17を介して洗浄
液10を被処理基板Wから回収するようになっている。
この処理液導入口16と処理液回収口17との間の、基
板2と被処理基板Wとに挟まれる領域が、本実施形態の
洗浄装置における処理領域5とされており、この処理領
域5に接している被処理基板Wの表面が、洗浄(ウェッ
ト処理)に供されるようになっている。
The cleaning nozzle 1 shown in FIGS. 1 to 3 has a flat plate-shaped substrate (connecting portion) 2, a partition member 11 surrounding the outer periphery of the substrate 2 and arranged on the substrate 2, and a partition member. 11
It comprises a support plate 7 arranged above and a vibration applying means 13 provided on the surface of the substrate 2 opposite to the substrate W to be processed. The substrate 2 is composed of a metal substrate such as stainless steel, quartz, a glass substrate, or the like, depending on the type of cleaning process performed on the substrate W to be processed. As shown in FIGS. 2 and 3, the substrate 2 is a member that forms a surface of the cleaning nozzle 1 that faces the substrate W to be processed, and a plurality of processing liquid inlets 16 are provided along the long side edges on both sides thereof. Also, a processing liquid recovery port 17 is formed. More specifically, on the surface of the substrate 2 opposite to the substrate W to be processed, groove portions 2A and 2B having a rectangular shape in plan view are engraved along the long side edges on both sides thereof. A plurality of processing liquid introducing ports 16 are formed so as to penetrate to the processed substrate W side, and a plurality of processing liquid recovery ports 17 are formed so as to penetrate from the bottom surface of the groove portion 2B to the processed substrate W side. In the cleaning nozzle 1 of the present embodiment, the processing liquid (cleaning processing liquid) 10 is supplied to the target substrate W through the processing liquid inlet 16 and the cleaning liquid 10 is supplied through the processing liquid recovery port 17. It is designed to be collected from W.
A region between the processing liquid inlet 16 and the processing liquid recovery port 17 that is sandwiched between the substrate 2 and the substrate W to be processed is a processing region 5 in the cleaning apparatus of the present embodiment. The surface of the substrate W to be processed that is in contact with is subjected to cleaning (wet processing).

【0028】上記処理液導入口16及び処理液回収口1
7は、それぞれ所定の間隔や孔径を有して形成され、被
処理基板Wの幅方向(基板2の長手方向)において洗浄
液10を均一に供給し、また回収できるようになってい
る。図3では、一例として同一の孔径の15個の処理液
導入口16(処理液回収口17)を、溝部2A(溝部2
B)の長さ方向に沿って等間隔で配列形成した例を示し
たが、これらの孔径や間隔、形状に限定されるものでは
なく、これら処理液導入口16、処理液回収口17の配
列方向(基板2長手方向)における処理液10の流量を
均一にできるならば、任意の形状や配列間隔とすること
ができる。
The processing liquid inlet 16 and the processing liquid recovery port 1
7 are formed with predetermined intervals and hole diameters, respectively, so that the cleaning liquid 10 can be uniformly supplied and collected in the width direction of the target substrate W (longitudinal direction of the substrate 2). In FIG. 3, as an example, fifteen processing liquid inlets 16 (processing liquid recovery ports 17) having the same hole diameter are provided in the groove 2A (the groove 2).
Although the example in which the array is formed at equal intervals along the length direction of B) is shown, it is not limited to these hole diameters, intervals, and shapes, and the array of the processing liquid introduction port 16 and the processing liquid recovery port 17 is shown. If the flow rate of the processing liquid 10 in the direction (longitudinal direction of the substrate 2) can be made uniform, any shape and arrangement interval can be adopted.

【0029】上記基板2の少なくとも被処理基板W側の
面は、親水性とされていることが好ましく、基板2を貫
通して形成されている処理液導入口16及び処理液回収
口17の内面側も親水性とされることが好ましい。処理
領域5を構成する基板2の表面を親水性とすることで、
処理領域5における処理液10の流れを円滑にし、その
制御性を向上させることができる。また、処理液導入口
16及び処理液回収口17の内面側を親水性とすること
で、処理液10の導入と回収も円滑に行うことができ、
より処理液10の流れを安定なものとすることができ
る。
At least the surface of the substrate 2 on the side of the substrate to be processed W is preferably hydrophilic, and the inner surfaces of the processing liquid inlet 16 and the processing liquid recovery port 17 formed through the substrate 2 are formed. The side is also preferably hydrophilic. By making the surface of the substrate 2 forming the processing region 5 hydrophilic,
The flow of the processing liquid 10 in the processing region 5 can be made smooth and the controllability thereof can be improved. Further, by making the inner surfaces of the processing liquid inlet 16 and the processing liquid recovery port 17 hydrophilic, the introduction and recovery of the processing liquid 10 can be performed smoothly,
The flow of the processing liquid 10 can be made more stable.

【0030】基板2上に設けられた隔壁部材11は、図
2,3に示すように平面視略額縁状であり、その周縁部
の一部が、基板2の外周側に突出されるとともに、その
周縁部の被処理基板W側の面が、基板2の被処理基板W
側の面と面一とされている。すなわち、換言するなら
ば、額縁状の隔壁部材11の被処理基板W側の内周に沿
って形成された段差部に、基板2が嵌合されて構成され
ている。隔壁部材11には、その両長辺に沿って隔壁部
材11の厚さ方向に貫通して中空部11A、11Bがそ
れぞれ形成されており、これらの中空部11A、11B
は、基板2に形成された平面視長方形状の溝部2A、2
Bと対応する位置に、それぞれ溝部2A、2Bとほぼ同
じ平面形状で形成され、中空部11Aと溝部2A、中空
部11Bと溝部2Bとがそれぞれ連通されている。そし
て、中空部11A及び処理液導入口16を含む部分が処
理液導入部3とされ、中空部11B及び処理液回収口1
7を含む部分が処理液回収部4とされている。これら中
空部11A、11Bには、処理液10を貯溜できるよう
になっており、処理液導入部3においては処理液導入口
16への処理液10の供給をより均一にすることがで
き、また処理液回収部4においては、被処理基板Wから
の処理液10の回収をより均一にすることができる。
The partition member 11 provided on the substrate 2 has a substantially frame shape in plan view as shown in FIGS. 2 and 3, and a part of its peripheral portion is projected to the outer peripheral side of the substrate 2 and The surface of the peripheral portion on the side of the target substrate W is the target substrate W of the substrate 2.
It is flush with the side surface. In other words, in other words, the substrate 2 is fitted to the stepped portion formed along the inner circumference of the frame-shaped partition wall member 11 on the substrate W side to be processed. Hollow portions 11A and 11B are formed in the partition member 11 along both long sides thereof in the thickness direction of the partition member 11, and these hollow portions 11A and 11B are formed.
Are groove portions 2A, 2A formed in the substrate 2 and having a rectangular shape in plan view.
The groove 2A and the groove 2B are formed at the positions corresponding to B in substantially the same planar shape as the grooves 2A and 2B, and the hollow portion 11A and the groove portion 2A communicate with the hollow portion 11B and the groove portion 2B, respectively. The portion including the hollow portion 11A and the treatment liquid introduction port 16 is the treatment liquid introduction portion 3, and the hollow portion 11B and the treatment liquid recovery port 1 are provided.
A portion including 7 is a treatment liquid recovery unit 4. The processing liquid 10 can be stored in the hollow portions 11A and 11B, so that the processing liquid 10 can be more uniformly supplied to the processing liquid introducing port 16 in the processing liquid introducing unit 3. In the processing liquid recovery unit 4, the processing liquid 10 can be recovered from the substrate W to be processed more uniformly.

【0031】上記隔壁部材11は、例えばテフロン(登
録商標)などの疎水性材料で構成することが好ましい。
隔壁部材11を疏水性材料とすることで、基板2の外周
側を取り囲み被処理基板Wと対向する隔壁部材11の内
側の領域(処理領域5))に、処理液10を閉じ込めや
すくなるので、処理領域5における処理液10の流れの
制御性を高めることができ、より安定に処理液10を流
動させ易くなる。また、処理領域5の外側へ流出する処
理液10の量を抑えることができるので、処理液10の
使用量を低減できるほか、処理液10に取り込まれたパ
ーティクルの再付着も抑制することができる。
The partition member 11 is preferably made of a hydrophobic material such as Teflon (registered trademark).
Since the partition member 11 is made of a hydrophobic material, the treatment liquid 10 can be easily confined in a region (the processing region 5) inside the partition member 11 that surrounds the outer peripheral side of the substrate 2 and faces the substrate W to be processed. The controllability of the flow of the processing liquid 10 in the processing region 5 can be improved, and the processing liquid 10 can be made to flow more stably more easily. Further, since the amount of the processing liquid 10 flowing out of the processing region 5 can be suppressed, the usage amount of the processing liquid 10 can be reduced, and reattachment of particles taken into the processing liquid 10 can be suppressed. .

【0032】隔壁部材11の図2上側には、支持板7が
設けられており、この支持板7の長手方向中央部には、
処理液導入管7A及び処理液回収管7Bが、隔壁部材1
1側と反対方向(図示上方)に延設されており、これら
処理液導入管7Aの内部及び処理液回収管7Bの内部
は、支持板7を貫通し、支持板7の反対側と連通されて
いる。そして、処理液導入管7Aの支持板7側は、中空
部11Aの上方に配置されて処理液導入管7Aの内部と
中空部11Aとが連通され、処理液回収管7Bの支持板
7側は中空部11Bの上側に配置されて処理液回収管7
Bの内部と中空部11Bとが連通されている。
A support plate 7 is provided on the upper side of the partition member 11 in FIG. 2, and a central portion of the support plate 7 in the longitudinal direction is provided.
The processing liquid introduction pipe 7A and the processing liquid recovery pipe 7B are the partition member 1
The processing liquid introduction pipe 7A and the processing liquid recovery pipe 7B extend through the support plate 7 and communicate with the opposite side of the support plate 7. ing. The support plate 7 side of the treatment liquid introduction pipe 7A is disposed above the hollow portion 11A so that the inside of the treatment liquid introduction pipe 7A communicates with the hollow portion 11A, and the treatment liquid recovery pipe 7B has a support plate 7 side. The processing liquid recovery pipe 7 is disposed above the hollow portion 11B.
The inside of B and the hollow portion 11B communicate with each other.

【0033】このように、本実施形態の洗浄用ノズル1
では、処理液導入管7Aから、中空部11A及び溝部2
Aを経由して処理液導入口16に到る経路を通って処理
液10が被処理基板Wへ導入されるようになっており、
処理液回収口17から、溝部2B及び中空部11Bを経
由して処理液回収管7Bに到る経路を通って処理液10
が被処理基板Wから回収されるとともに外部に排出され
るようになっている。
Thus, the cleaning nozzle 1 of this embodiment
Then, from the processing liquid introducing pipe 7A, the hollow portion 11A and the groove portion 2 are formed.
The processing liquid 10 is introduced into the substrate W to be processed through a path reaching the processing liquid introducing port 16 via A.
The treatment liquid 10 passes through the path from the treatment liquid recovery port 17 to the treatment liquid recovery pipe 7B via the groove 2B and the hollow portion 11B.
Are collected from the substrate W to be processed and are discharged to the outside.

【0034】図2に示す隔壁部材11と基板2、及び隔
壁部材11と支持板7との接合面は、中空部11A,1
1B内を流動する処理液10の漏洩を防止するために、
シール材(図示せず)などにより封止されている。接合
面の封止は、処理液10がこれらの接合面を介して外部
へ漏洩しないようにできれば、特にその材料や構造に制
限はなく、例えばこれらの接合面にOリングを設けても
良く、あるいは接合面に接着剤などを塗布することで封
止しても良い。
The joint surfaces between the partition member 11 and the substrate 2 and between the partition member 11 and the support plate 7 shown in FIG.
In order to prevent leakage of the processing liquid 10 flowing in 1B,
It is sealed with a sealing material (not shown) or the like. The sealing of the joint surfaces is not particularly limited in terms of material and structure as long as the treatment liquid 10 can be prevented from leaking to the outside through these joint surfaces. For example, an O ring may be provided on these joint surfaces. Alternatively, the joint surface may be sealed by applying an adhesive or the like.

【0035】本実施形態の洗浄用ノズル1では、基板2
と、支持板7と、隔壁部材11とに囲まれた空間S内
に、処理液10に振動を付与するための振動付与手段1
3が収納されており、その一面側は、基板2の内面側に
接合されている。また、振動付与手段13を駆動、制御
するためのケーブル18が振動付与手段13に接続され
ており、このケーブル18は支持板7の端部側で支持板
7を貫通して洗浄用ノズル1の外側へ導出され、図示し
ない駆動制御部に接続されている。この振動付与手段と
しては、振動周波数0.7〜1.5MHz程度の超音波
を発生する超音波振動子や、振動周波数28〜60kH
z程度の比較的低周波の超音波を発生するボルト締めラ
ンジュバン型振動子などを用いることができ、被洗浄基
板Wの種類や、洗浄目的に応じて適宜最適な周波数のも
のを選択すればよい。
In the cleaning nozzle 1 of this embodiment, the substrate 2
Vibration imparting means 1 for imparting vibration to the treatment liquid 10 in a space S surrounded by the support plate 7 and the partition member 11.
3 is housed, and one surface side thereof is joined to the inner surface side of the substrate 2. Further, a cable 18 for driving and controlling the vibration applying means 13 is connected to the vibration applying means 13, and the cable 18 penetrates the support plate 7 on the end side of the support plate 7 and is connected to the cleaning nozzle 1. It is led out to the outside and connected to a drive control unit (not shown). As the vibration imparting means, an ultrasonic vibrator that generates ultrasonic waves with a vibration frequency of about 0.7 to 1.5 MHz, or a vibration frequency of 28 to 60 kHz
A bolted Langevin type oscillator that generates ultrasonic waves of a relatively low frequency of about z can be used, and an appropriate frequency can be selected depending on the type of the substrate W to be cleaned and the purpose of cleaning. .

【0036】本実施形態の洗浄用ノズル1では、支持板
7の処理液回収管7Bに図示しない圧力制御部が設けら
れている。この圧力制御部は、処理液導入口16から供
給され、被処理基板Wに接触した処理液10が、洗浄処
理後に処理液回収口17に回収されるように処理液導入
口16側の大気と接触している処理液10の圧力(処理
液の表面張力と被処理基板表面の表面張力も含む)と大
気圧との均衡がとれるようにするものである。より具体
的には、この圧力制御部は、処理液回収管7Bに接続さ
れた減圧ポンプにより構成することができ、この減圧ポ
ンプにより処理液回収管7B内の処理液10を吸引する
力を制御することで、上記大気圧との均衡をとるように
なっている。このようにして、処理領域5内へ導入され
た処理液10は、処理領域5の外側へ漏れることなく、
処理液回収口17へ回収される。つまり、被処理基板W
へ導入された処理液10は、処理領域5内の被処理基板
W表面以外の領域に触れることなく、処理液回収部4へ
回収されるようになっている。
In the cleaning nozzle 1 of the present embodiment, the treatment liquid recovery pipe 7B of the support plate 7 is provided with a pressure control unit (not shown). The pressure controller is connected to the atmosphere on the side of the processing liquid introducing port 16 so that the processing liquid 10 supplied from the processing liquid introducing port 16 and contacting the substrate W to be processed is collected by the processing liquid collecting port 17 after the cleaning process. The pressure of the processing liquid 10 in contact (including the surface tension of the processing liquid and the surface tension of the substrate to be processed) and the atmospheric pressure are balanced. More specifically, the pressure control unit can be configured by a decompression pump connected to the treatment liquid recovery pipe 7B, and the decompression pump controls the force for sucking the treatment liquid 10 in the treatment liquid recovery pipe 7B. By doing so, the pressure is balanced with the atmospheric pressure. In this way, the processing liquid 10 introduced into the processing area 5 does not leak to the outside of the processing area 5,
It is recovered to the processing liquid recovery port 17. That is, the substrate W to be processed
The processing liquid 10 introduced into the processing liquid 5 is collected in the processing liquid collecting unit 4 without touching a region other than the surface of the target substrate W in the processing region 5.

【0037】以上の構成の本実施形態の洗浄用ノズル1
は、被処理基板Wと対向する面に基板2が配置され、こ
の基板2を貫通して処理液導入口16及び処理液回収口
17が形成されているので、処理液導入口16から処理
液回収口17に到る処理領域5と接する面が、基板2の
一面内とされている。すなわち、処理液導入口16の被
処理基板W側の端部と、基板2の被処理基板W側の面
と、処理液回収口17の被処理基板W側の端部とが、面
一に形成されている。このような構造とされていること
で、処理液10に同伴されて処理領域5内へ気泡が混入
した場合に、この気泡が滞留し得る位置を無くし、気泡
の滞留による処理液10の流れの遮断が起こらないよう
になっている。従って、本実施形態の洗浄用ノズル1及
び洗浄装置によれば、処理領域5内での処理液10の流
れを安定に維持することができ、被処理基板Wをムラ無
く、均一に洗浄することが可能である。
The cleaning nozzle 1 of the present embodiment having the above configuration
The substrate 2 is disposed on the surface facing the substrate W to be processed, and the processing liquid introducing port 16 and the processing liquid collecting port 17 are formed so as to penetrate the substrate 2, so that the processing liquid is introduced from the processing liquid introducing port 16. The surface that contacts the processing area 5 that reaches the recovery port 17 is within one surface of the substrate 2. That is, the end of the processing liquid introducing port 16 on the processed substrate W side, the surface of the substrate 2 on the processed substrate W side, and the end of the processing liquid recovery port 17 on the processed substrate W side are flush with each other. Has been formed. With such a structure, when air bubbles are entrained in the treatment liquid 10 and enter the treatment area 5, the position where the air bubbles can stay is eliminated, and the flow of the treatment liquid 10 due to the stay of the air bubbles is eliminated. The interruption does not occur. Therefore, according to the cleaning nozzle 1 and the cleaning apparatus of the present embodiment, the flow of the processing liquid 10 in the processing area 5 can be stably maintained, and the substrate W to be processed can be uniformly and uniformly cleaned. Is possible.

【0038】また、上記構成の洗浄用ノズル1におい
て、処理領域5に処理液10を供給した状態で振動付与
手段13から振動を付与すれば、処理液10とこの振動
とを共働させて被処理基板Wを洗浄することができ、洗
浄効率をより高めることができる。
Further, in the cleaning nozzle 1 having the above structure, if the vibration is applied from the vibration applying means 13 while the processing liquid 10 is being supplied to the processing region 5, the processing liquid 10 and this vibration are caused to cooperate with each other. The processed substrate W can be cleaned, and the cleaning efficiency can be further improved.

【0039】また、図2では、被処理基板Wの一面側に
のみ洗浄用ノズル1を配した場合について示したが、本
実施形態に係る洗浄用ノズル1は、図4に示すように被
処理基板Wの両面に配して使用することができる。図4
に示す洗浄用ノズルの構成は図2と同様であるのでその
説明は省略する。図4に示すように、洗浄用ノズル1を
被処理基板Wの両側に配置することで、被処理基板Wの
両面の洗浄を一度に行うことができ、効率よく洗浄処理
を行えるのに加え、両面を同時に洗浄処理することで、
洗浄後の被処理基板Wの汚染を最小限に抑えることがで
きる。
Although FIG. 2 shows the case where the cleaning nozzle 1 is arranged only on one surface side of the substrate W to be processed, the cleaning nozzle 1 according to the present embodiment is processed as shown in FIG. It can be arranged on both sides of the substrate W for use. Figure 4
Since the structure of the cleaning nozzle shown in FIG. 2 is the same as that in FIG. 2, its description is omitted. As shown in FIG. 4, by disposing the cleaning nozzles 1 on both sides of the substrate W to be processed, both surfaces of the substrate W to be processed can be cleaned at one time, and the cleaning process can be performed efficiently. By cleaning both sides simultaneously,
The contamination of the substrate W to be processed after cleaning can be minimized.

【0040】図4に示すように、洗浄用ノズル1を被処
理基板Wの両面に配置する場合には、被処理基板Wの下
面側に配置される洗浄用ノズル1の隔壁部材11が、基
板2の被処理基板W側の表面よりも、被処理基板W側へ
若干突出するように形成しても良い。このような構成と
すれば、被処理基板Wの上側に配置された洗浄用ノズル
に比して、処理液10を処理領域5内へ保持するのが困
難である下側の洗浄用ノズルにおいても、容易に処理領
域5内に処理液10を閉じ込めることができ、処理液1
0の流れの安定性をより高めることができる。
As shown in FIG. 4, when the cleaning nozzles 1 are arranged on both sides of the substrate W to be processed, the partition member 11 of the cleaning nozzle 1 arranged on the lower surface side of the substrate W to be processed is the substrate. It may be formed so as to slightly project to the processed substrate W side from the surface of the processed substrate W side. With such a configuration, even in the lower cleaning nozzle in which it is difficult to hold the processing liquid 10 in the processing region 5 as compared with the cleaning nozzle arranged on the upper side of the substrate W to be processed. The treatment liquid 10 can be easily confined in the treatment region 5, and the treatment liquid 1
The stability of the zero flow can be further increased.

【0041】(第2の実施形態)次に、本発明の第2の
実施形態である洗浄装置(ウェット処理装置)につい
て、図5を参照して以下に説明する。図5は、本実施形
態の洗浄用ノズル20の断面構造を示す図である。この
図に示す洗浄用ノズル20が、図2に示す洗浄用ノズル
1と異なる点は、基板22が紫外線を透過する材料で構
成されており、この基板22と、支持板7と、隔壁部材
11とに囲まれる空間Sに、紫外線照射手段23が収納
されており、前記空間S内にその一端が挿入されたガス
導入管25及びガス排出管26とが設けられている点で
ある。尚、上記本実施形態の洗浄用ノズル20の特徴点
以外の構成は、図2に示す第1の実施形態と同様である
ので、図2に示すものと同一の構成要素には同一の符号
を付してその詳細な説明は省略する。
(Second Embodiment) Next, a cleaning apparatus (wet processing apparatus) according to a second embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. FIG. 5 is a diagram showing a cross-sectional structure of the cleaning nozzle 20 of this embodiment. The cleaning nozzle 20 shown in this figure is different from the cleaning nozzle 1 shown in FIG. 2 in that the substrate 22 is made of a material that transmits ultraviolet rays, and the substrate 22, the support plate 7, and the partition member 11 are provided. The ultraviolet irradiation means 23 is housed in a space S surrounded by and a gas introduction pipe 25 and a gas discharge pipe 26, one end of which is inserted into the space S, are provided. Since the configuration of the cleaning nozzle 20 of the present embodiment is the same as that of the first embodiment shown in FIG. 2 except for the characteristic points, the same components as those shown in FIG. The detailed description thereof will be omitted.

【0042】上記基板22としては、紫外線を透過し得
る材料で構成されていれば、問題なく適用することがで
き、例えば石英などをその構成材料として用いることが
できる。また、上記第1の実施形態に係る基板2と同様
に、処理領域5内における処理液10の流れの制御性を
高めるために、基板22の被処理基板W側の面は、親水
性とされることが好ましい。
If the substrate 22 is made of a material capable of transmitting ultraviolet rays, it can be applied without any problem. For example, quartz or the like can be used as its constituent material. Further, similarly to the substrate 2 according to the first embodiment, the surface of the substrate 22 on the processed substrate W side is made hydrophilic in order to enhance the controllability of the flow of the processing liquid 10 in the processing region 5. Preferably.

【0043】本実施形態の洗浄用ノズル20において
は、紫外線照射手段23が設けられていることで、この
紫外線照射手段23から照射された紫外線により、処理
液10及び被処理基板W表面からの不純物の除去、殺
菌、あるいは処理液10内にオゾンを発生させて被処理
基板Wをオゾン処理することができるようになってい
る。また、この紫外線照射手段23を駆動、制御するた
めの図示しない駆動制御部がケーブル18を介して接続
されている。
Since the cleaning nozzle 20 of this embodiment is provided with the ultraviolet irradiation means 23, the ultraviolet rays emitted from the ultraviolet irradiation means 23 cause impurities from the surface of the processing liquid 10 and the surface of the substrate W to be processed. Can be removed, sterilized, or ozone can be generated in the treatment liquid 10 to subject the substrate W to be treated to ozone treatment. Further, a drive control unit (not shown) for driving and controlling the ultraviolet irradiation means 23 is connected via a cable 18.

【0044】ガス導入管25及びガス排出管26は、前
記空間S内のガスを不活性ガスに置換するためのガス置
換手段を構成している。すなわち、ガス導入管25の他
端側に接続された図示しない不活性ガス供給源から、こ
のガス導入管25を介して空間S内に導入するととも
に、ガス排出管26から空間S内のガスを排出すること
で、空間S内の雰囲気を不活性ガスと置換し、紫外線照
射手段23から照射された紫外線が、空間S内の酸素に
吸収されて減衰し、被処理基板Wあるいは処理液10へ
照射される紫外線量が低下しないようになっている。従
って、このようにガス置換手段を備えた本実施形態の洗
浄用ノズル20では、紫外線を効率良く処理液10ある
いは被処理基板Wに照射することができ、効率良く不純
物の除去や殺菌を行うことができるとともに、処理液中
にオゾンを発生させる場合には、十分なオゾン発生量が
得られるようになっている。
The gas introduction pipe 25 and the gas discharge pipe 26 constitute gas replacement means for replacing the gas in the space S with an inert gas. That is, an inert gas supply source (not shown) connected to the other end of the gas introducing pipe 25 introduces the gas in the space S from the gas discharging pipe 26 while introducing the gas in the space S through the gas introducing pipe 25. By discharging, the atmosphere in the space S is replaced with an inert gas, and the ultraviolet rays emitted from the ultraviolet ray irradiating means 23 are absorbed by oxygen in the space S and are attenuated, so that the substrate W or the processing liquid 10 is treated. The amount of ultraviolet rays applied is not reduced. Therefore, in the cleaning nozzle 20 of the present embodiment equipped with the gas replacement means as described above, the treatment liquid 10 or the substrate W to be treated can be efficiently irradiated with ultraviolet rays, and impurities can be efficiently removed and sterilized. In addition, when ozone is generated in the treatment liquid, a sufficient ozone generation amount can be obtained.

【0045】本実施形態の洗浄用ノズル20において
は、空間S内のガスの置換を行うようになっているの
で、空間Sは外気と遮断可能な構造とされていることが
好ましい。空間Sを外気と遮断すれば、空間S内へ導入
された不活性ガスが外部へ漏れることが無く、また外気
が空間S内へ混入することもないので、所定量の不活性
ガスを空間S内へ供給し、ガスの置換が完了した時点で
不活性ガスの供給を停止することができ、不活性ガスの
使用量を低減することができるので経済的である。
Since the gas in the space S is replaced in the cleaning nozzle 20 of this embodiment, it is preferable that the space S has a structure capable of blocking the outside air. When the space S is cut off from the outside air, the inert gas introduced into the space S does not leak to the outside and the outside air does not mix into the space S, so that a predetermined amount of the inert gas is introduced into the space S. It is economical because the supply of the inert gas can be stopped when the gas replacement is completed and the gas replacement is completed, and the amount of the inert gas used can be reduced.

【0046】また、図5に示す本実施形態の洗浄用ノズ
ル20においては、処理液導入口16から被処理基板W
へ処理液10を供給し、処理領域5内を流動させて被処
理基板Wを洗浄し、洗浄後の処理液10を処理液回収口
17へ回収するのは、上記第1の実施形態と同様であ
り、処理領域5内における処理液10の流れを安定に維
持することができ、効率よく被処理基板Wの洗浄を行う
ことができるのは同様である。また、図5に示す2基の
洗浄用ノズル1と同様に、被処理基板Wの両面側に洗浄
用ノズル20を配し、被処理基板Wの両面を同時に洗浄
する構成としても良いのは勿論である。
Further, in the cleaning nozzle 20 of the present embodiment shown in FIG. 5, the substrate W to be processed is supplied from the processing liquid introducing port 16.
Similar to the first embodiment, the processing liquid 10 is supplied to the processing region 5 to flow through the processing region 5 to clean the substrate W to be processed and the processing liquid 10 after cleaning is recovered to the processing liquid recovery port 17. Similarly, the flow of the processing liquid 10 in the processing region 5 can be stably maintained, and the substrate W to be processed can be efficiently cleaned. Further, similarly to the two cleaning nozzles 1 shown in FIG. 5, the cleaning nozzles 20 may be arranged on both sides of the substrate to be processed W to simultaneously clean both sides of the substrate to be processed W. Is.

【0047】(第3の実施形態)次に、上記のいずれか
の実施形態のウェット処理装置を備えた洗浄装置の一例
について、図6を参照して説明する。図6は、本実施形
態の洗浄装置51の概略構成を示す図であって、例えば
被処理基板として数百mm角程度の大型のガラス基板
(以下、単に基板と言う。)を枚葉洗浄するための装置
である。図中符号52は洗浄部、53はステージ(基板
保持手段)、54〜56、89は洗浄用ノズル、57は
基板搬送ロボット、58はローダカセット、59はアン
ローダカセット、60は水素水・オゾン水生成部、61
は処理液再生部、Wはガラス基板(被処理物)である。
(Third Embodiment) Next, an example of a cleaning apparatus including the wet processing apparatus according to any one of the above embodiments will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a diagram showing a schematic configuration of the cleaning apparatus 51 of the present embodiment. For example, a large glass substrate (hereinafter, simply referred to as a substrate) having a size of several hundreds mm square is subjected to single-wafer cleaning as a substrate to be processed. It is a device for. In the figure, reference numeral 52 is a cleaning unit, 53 is a stage (substrate holding means), 54 to 56 and 89 are cleaning nozzles, 57 is a substrate transfer robot, 58 is a loader cassette, 59 is an unloader cassette, and 60 is hydrogen water / ozone water. Generator, 61
Is a treatment liquid regenerator, and W is a glass substrate (object to be treated).

【0048】図に示すように、装置上面中央が洗浄部5
2とされており、基板Wを保持するステージ53が設け
られている。ステージ53には、基板Wの形状に合致し
た矩形の段部が設けられ、この段部上に基板Wが嵌め込
まれて、基板Wの表面とステージ53の表面が面一状態
でステージ53に保持されるようになっている。また、
段部の下方には空間部が形成され、この空間部にはステ
ージ53の下方から基板昇降用シャフト(図示略)が突
出している。基板昇降用シャフトの下端にはシリンダ等
のシャフト駆動源(図示略)が設けられ、基板搬送ロボ
ット57による基板Wの受け渡しの際にシリンダの作動
により上記基板昇降用シャフトが上下動し、シャフトの
上下動に伴って基板Wが上昇又は下降するようになって
いる。
As shown in the figure, the cleaning unit 5 is located at the center of the upper surface of the apparatus.
2 and a stage 53 for holding the substrate W is provided. The stage 53 is provided with a rectangular step portion conforming to the shape of the substrate W, and the substrate W is fitted onto the step portion, and the surface of the substrate W and the surface of the stage 53 are held on the stage 53 in a flush state. It is supposed to be done. Also,
A space is formed below the step, and a substrate elevating shaft (not shown) projects from below the stage 53 in this space. A shaft drive source (not shown) such as a cylinder is provided at the lower end of the substrate elevating shaft, and the substrate elevating shaft is moved up and down by the operation of the cylinder when the substrate W is transferred by the substrate transfer robot 57. The substrate W moves up or down as it moves up and down.

【0049】ステージ53を挟んで対向する位置に一対
のラックベース62が設けられ、これらラックベース6
2間に洗浄用ノズル54,55,56,89が架設され
ている。洗浄用ノズルは並列配置された4本のノズルか
らなり、各洗浄用ノズル54,55,56,89が異な
る洗浄方法により洗浄を行うものとなっている。本実施
形態の場合、これら4本のノズルは基板にオゾンを供給
するとともに紫外線ランプ63から紫外線を照射するこ
とによって主に有機物を分解除去する紫外線洗浄用ノズ
ル54、オゾン水を供給しつつ超音波振動子本体48に
より超音波振動を付与して洗浄する水素水超音波洗浄用
ノズル56、純水を供給してリンス洗浄を行う純水リン
ス洗浄用ノズル89である。
A pair of rack bases 62 are provided at positions facing each other with the stage 53 interposed therebetween.
Cleaning nozzles 54, 55, 56 and 89 are installed between the two. The cleaning nozzle is composed of four nozzles arranged in parallel, and the cleaning nozzles 54, 55, 56, 89 perform cleaning by different cleaning methods. In the case of the present embodiment, these four nozzles supply ozone to the substrate and irradiate the ultraviolet lamp 63 with ultraviolet rays to irradiate the ultraviolet rays, and the ultraviolet cleaning nozzle 54 mainly decomposes and removes organic substances. A hydrogen water ultrasonic cleaning nozzle 56 for cleaning by applying ultrasonic vibrations by the vibrator body 48, and a pure water rinse cleaning nozzle 89 for supplying pure water for rinse cleaning.

【0050】各洗浄用ノズル54,55,56,89
は、プッシュ・プル型ノズル(省液型ノズル)と呼ばれ
るものである。また、これら4本のノズルのうちオゾン
水超音波洗浄用ノズル55と、水素水超音波洗浄用ノズ
ル56は、図1〜図3を用いて説明した洗浄用ノズルと
同様の構成のもの、あるいは1本の洗浄用ノズルにつ
き、図1〜図3を用いて説明したいずれかの洗浄用ノズ
ルが複数設けられたものである。ただし、ここでは図示
の都合上、超音波振動子本体48のみを図示し、処理液
導入部、処理液回収部等に区分した図示は省略する。ま
た、洗浄用ノズル54は、超音波振動子本体48に代え
て紫外線ランプ63が設けられた以外は上記実施形態の
洗浄用ノズルと略同様の構成であり、洗浄用ノズル89
は、超音波振動子本体48が設けられていない以外は、
上記実施形態の洗浄用ノズルと略同様の構成である。た
だし、ここでは図示の都合上処理液導入部、処理液回収
部等に区分した図示は省略する。この洗浄装置51で
は、上記4本の洗浄用ノズルが基板Wの上方で基板Wと
の間隔を一定に保ちながらラックベース62に沿って順
次移動することにより、基板Wの被洗浄面全域(被処理
面全域)が4種類の洗浄方法により洗浄される構成とな
っている。
Cleaning nozzles 54, 55, 56, 89
Is a push-pull type nozzle (liquid-saving type nozzle). Of these four nozzles, the ozone water ultrasonic cleaning nozzle 55 and the hydrogen water ultrasonic cleaning nozzle 56 have the same configuration as the cleaning nozzle described with reference to FIGS. 1 to 3, or One cleaning nozzle is provided with a plurality of any of the cleaning nozzles described with reference to FIGS. 1 to 3. However, for convenience of illustration, only the ultrasonic transducer main body 48 is illustrated here, and the illustration of the processing liquid introducing unit, the processing liquid collecting unit, and the like is omitted. Further, the cleaning nozzle 54 has substantially the same configuration as the cleaning nozzle of the above-described embodiment except that the ultraviolet lamp 63 is provided in place of the ultrasonic vibrator main body 48, and the cleaning nozzle 89.
Except that the ultrasonic transducer body 48 is not provided,
It has substantially the same configuration as the cleaning nozzle of the above embodiment. However, here, for convenience of illustration, the illustration of the processing liquid introducing unit, the processing liquid collecting unit, and the like is omitted. In the cleaning device 51, the four cleaning nozzles sequentially move above the substrate W along the rack base 62 while keeping a constant distance from the substrate W, thereby cleaning the entire surface of the substrate W to be cleaned. The entire processing surface) is cleaned by four kinds of cleaning methods.

【0051】各洗浄用ノズルの移動手段(ノズル・被処
理物相対移動手段)としては、各ラックベース62上の
リニアガイドに沿って水平移動可能とされたスライダが
それぞれ設けられ、各スライダの上面に支柱がそれぞれ
立設され、これら支柱に各洗浄用ノズル54,55,5
6,89の両端部が固定されている。各スライダ上には
モータ等の駆動源が設置されており、各スライダがラッ
クベース62上を自走する構成となっている。そして、
装置の制御部(図示略)から供給される制御信号により
各スライダ上のモータがそれぞれ作動することによっ
て、各洗浄用ノズル54,55,56,89が個別に水
平移動する構成となっている。また、上記支柱にはシリ
ンダ(図示略)等の駆動源が設けられ、支柱が上下動す
ることにより各洗浄用ノズル54,55,56,89の
高さ、すなわち各洗浄用ノズル54,55,56,89
と基板Wとの間隔がそれぞれ調整可能となっている。
As the moving means (nozzle / processed object relative moving means) for each cleaning nozzle, sliders that can be horizontally moved along a linear guide on each rack base 62 are provided, and the upper surface of each slider is provided. Stanchions are erected on the stanchions, and cleaning nozzles 54, 55, 5
Both ends of 6, 89 are fixed. A drive source such as a motor is installed on each slider, and each slider is configured to run on the rack base 62 by itself. And
The cleaning nozzles 54, 55, 56, 89 are individually horizontally moved by operating the motors on the sliders in response to a control signal supplied from a controller (not shown) of the apparatus. A drive source such as a cylinder (not shown) is provided on the column, and the column moves up and down to raise the height of each cleaning nozzle 54, 55, 56, 89, that is, each cleaning nozzle 54, 55, 56,89
The distance between the substrate and the substrate W can be adjusted.

【0052】洗浄部52の側方に、水素水・オゾン水生
成部60と処理液再生部61とが設けられている。水素
水、オゾン水生成部60には、水素水製造装置64とオ
ゾン水製造装置65とが組み込まれている。いずれの処
理液も、純水中に水素ガスやオゾンガスを溶解させるこ
とによって生成することができる。そして、水素水製造
装置64で生成された水素水が、水素水供給配管66の
途中に設けられた送液ポンプ67により水素水超音波洗
浄用ノズル56に供給されるようになっている。同様
に、オゾン水製造装置65で生成されたオゾン水が、オ
ゾン水供給配管68の途中に設けられた送液ポンプ69
によりオゾン水超音波洗浄用ノズル55に供給されるよ
うになっている。尚、純水リンス洗浄用ノズル89には
製造ライン内の純水供給装置(図示略)から純水が供給
されるようになっている。
A hydrogen water / ozone water generator 60 and a treatment liquid regenerator 61 are provided on the side of the cleaning unit 52. A hydrogen water production device 64 and an ozone water production device 65 are incorporated in the hydrogen water / ozone water production unit 60. Any treatment liquid can be generated by dissolving hydrogen gas or ozone gas in pure water. Then, the hydrogen water produced by the hydrogen water producing apparatus 64 is supplied to the hydrogen water ultrasonic cleaning nozzle 56 by a liquid feed pump 67 provided in the middle of the hydrogen water supply pipe 66. Similarly, the ozone water produced by the ozone water producing device 65 is supplied to the ozone water supply pipe 68 by a liquid delivery pump 69.
The ozone water is supplied to the nozzle 55 for ultrasonic cleaning. Pure water is supplied to the pure water rinse cleaning nozzle 89 from a pure water supply device (not shown) in the production line.

【0053】また、処理液再生部61には、使用後の処
理液中に含まれたパーティクルや異物を除去するための
フィルタ70,71が設けられている。水素水中のパー
ティクルを除去するための水素水用フィルタ70と、オ
ゾン水中のパーティクルを除去するためのオゾン水用フ
ィルタ71が別系統に設けられている。すなわち、水素
水超音波洗浄用ノズル56の排出口から排出された使用
後の水素水(排出液)は、水素水回収配管72の途中に
設けられた送液ポンプ73により水素水用フィルタ70
に回収されるようになっている。同様に、オゾン水超音
波洗浄用ノズル55の排出口から排出された使用後のオ
ゾン水(排出液)は、オゾン水回収配管74の途中に設
けられた送液ポンプ75によりオゾン水用フィルタ71
に回収されるようになっている。
Further, the treatment liquid regenerator 61 is provided with filters 70 and 71 for removing particles and foreign substances contained in the treatment liquid after use. A hydrogen water filter 70 for removing particles in hydrogen water and an ozone water filter 71 for removing particles in ozone water are provided in different systems. That is, the used hydrogen water (discharged liquid) discharged from the discharge port of the hydrogen water ultrasonic cleaning nozzle 56 is supplied to the hydrogen water filter 70 by the liquid feed pump 73 provided in the middle of the hydrogen water recovery pipe 72.
It is supposed to be collected at. Similarly, the used ozone water (exhaust liquid) discharged from the discharge port of the ozone water ultrasonic cleaning nozzle 55 is supplied to the ozone water filter 71 by the liquid feed pump 75 provided in the middle of the ozone water recovery pipe 74.
It is supposed to be collected at.

【0054】そして、水素水用フィルタ70を通した後
の水素水は、再生水素水供給配管76の途中に設けられ
た送液ポンプ77により水素水超音波洗浄用ノズル56
に供給されるようになっている。同様に、オゾン水用フ
ィルタ71を通した後のオゾン水は、再生オゾン水供給
配管78の途中に設けられた送液ポンプ79によりオゾ
ン水超音波洗浄用ノズル55に供給されるようになって
いる。また、水素水供給配管66と再生水素水供給配管
76は水素水超音波洗浄用ノズル56の手前で接続さ
れ、弁80によって水素水超音波洗浄用ノズル56に新
しい水素水を導入するか、再生水素水を導入するかを切
り換え可能になっている。同様に、オゾン水供給配管6
8と再生オゾン水供給配管78は、オゾン水超音波洗浄
用ノズル55に新しいオゾン水を導入するか、再生オゾ
ン水を導入するかを切り換え可能となっている。尚、各
フィルタ70,71を通した後の水素水やオゾン水は、
パーティクルが除去されてはいるものの、液中気体含有
濃度が低下しているため、配管を通じて再度水素水製造
装置64やオゾン水製造装置65に戻し、水素ガスやオ
ゾンガスを補充するようにしてもよい。
After passing through the hydrogen water filter 70, the hydrogen water ultrasonic cleaning nozzle 56 is supplied by the liquid feed pump 77 provided in the middle of the regenerated hydrogen water supply pipe 76.
To be supplied to. Similarly, the ozone water that has passed through the ozone water filter 71 is supplied to the ozone water ultrasonic cleaning nozzle 55 by the liquid feeding pump 79 provided in the middle of the recycled ozone water supply pipe 78. There is. Further, the hydrogen water supply pipe 66 and the regenerated hydrogen water supply pipe 76 are connected in front of the hydrogen water ultrasonic cleaning nozzle 56, and new hydrogen water is introduced into the hydrogen water ultrasonic cleaning nozzle 56 by the valve 80 or regenerated. It is possible to switch whether to introduce hydrogen water. Similarly, ozone water supply pipe 6
8 and the regenerated ozone water supply pipe 78 can switch whether new ozone water or regenerated ozone water is introduced into the ozone water ultrasonic cleaning nozzle 55. The hydrogen water and the ozone water after passing through the filters 70 and 71 are
Although the particles have been removed, the concentration of the gas in the liquid is low, so the gas may be returned to the hydrogen water producing device 64 or the ozone water producing device 65 again through the pipe to supplement the hydrogen gas or ozone gas. .

【0055】洗浄部62の側方に、ローダカセット5
8,アンローダカセット59が着脱可能に設けられてい
る。これら2つのカセット58,59は、複数枚の基板
Wが収納可能な同一の形状のものであり、ローダカセッ
ト58に洗浄前(ウェット処理前)の基板Wを収容し、
アンローダカセット59には洗浄済(ウェット処理後)
の基板Wが収容される。そして、洗浄部52とローダカ
セット58,アンローダカセット59の中間の位置に基
板搬送ロボット57が設置されている。基板搬送ロボッ
ト57は、その上部に伸縮自在のリンク機構を有するア
ーム82を有し、アーム82は回転可能かつ昇降可能と
なっており、アーム82の先端部で基板Wを支持、搬送
するようになっている。
The loader cassette 5 is provided on the side of the cleaning section 62.
8. An unloader cassette 59 is detachably provided. These two cassettes 58 and 59 have the same shape capable of accommodating a plurality of substrates W, and the loader cassette 58 accommodates the substrates W before cleaning (before wet processing).
The unloader cassette 59 has been cleaned (after wet processing)
Substrate W is accommodated. A substrate transfer robot 57 is installed at an intermediate position between the cleaning unit 52, the loader cassette 58, and the unloader cassette 59. The substrate transfer robot 57 has an arm 82 having an expandable link mechanism on the upper part thereof, and the arm 82 is rotatable and can be moved up and down. The tip of the arm 82 supports and transfers the substrate W. Has become.

【0056】上記構成の洗浄装置51は、例えば洗浄用
ノズル54,55,56,89と基板Wとの間隔、洗浄
用ノズルの移動速度、処理液の流量など、種々の洗浄条
件をオペレータが設定する他は、各部の動作が制御部に
より制御されており、自動運転する構成となっている。
従って、この洗浄装置51を使用する際には、洗浄前の
基板Wをローダカセット58にセットし、オペレータが
スタートスイッチを操作すれば、基板搬送ロボット57
によりローダカセット58からステージ53上に基板W
が搬送され、ステージ53上で各洗浄用ノズル54,5
5,56,89により紫外線洗浄、オゾン水超音波洗
浄、水素水超音波洗浄、リンス洗浄が順次自動的に行わ
れ、洗浄後、基板搬送ロボット57によりアンローダカ
セット59に収容される。
In the cleaning apparatus 51 having the above structure, the operator sets various cleaning conditions such as the distance between the cleaning nozzles 54, 55, 56 and 89 and the substrate W, the moving speed of the cleaning nozzle, the flow rate of the processing liquid, and the like. Other than that, the operation of each unit is controlled by the control unit, and the configuration is such that automatic operation is performed.
Therefore, when the cleaning device 51 is used, the substrate W before cleaning is set in the loader cassette 58, and the operator operates the start switch, so that the substrate transfer robot 57 can be used.
The substrate W from the loader cassette 58 onto the stage 53.
Of the cleaning nozzles 54, 5 on the stage 53.
Ultraviolet cleaning, ozone water ultrasonic cleaning, hydrogen water ultrasonic cleaning, and rinse cleaning are sequentially and automatically performed by 5, 56, 89, and after cleaning, the substrate transfer robot 57 stores them in the unloader cassette 59.

【0057】本実施形態の洗浄装置51においては、本
発明の実施形態の洗浄用ノズル55,56と、上記のノ
ズル・被処理物相対移動手段とを備えたことにより、上
記本実施形態の洗浄用ノズルの利点を有したまま基板W
の被洗浄面全域を洗浄することができる。また本実施形
態の洗浄装置51は、4本の洗浄用ノズル54,55,
56,89の各々が、紫外線洗浄、オゾン水超音波洗
浄、水素水超音波洗浄、リンス洗浄といった異なる洗浄
方法により洗浄処理する構成であるため、本装置1台で
種々の洗浄方法を実施することができる。
The cleaning apparatus 51 of the present embodiment is provided with the cleaning nozzles 55, 56 of the embodiment of the present invention and the above-mentioned nozzle / processed object relative moving means. Substrate W with the advantages of a nozzle
The entire surface to be cleaned can be cleaned. Further, the cleaning device 51 of the present embodiment has four cleaning nozzles 54, 55,
Since each of 56 and 89 is configured to perform cleaning processing by different cleaning methods such as ultraviolet cleaning, ozone water ultrasonic cleaning, hydrogen water ultrasonic cleaning, and rinse cleaning, various cleaning methods should be performed with this device alone. You can

【0058】[0058]

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
ウェット処理装置は、前記連結部の被処理物側の面と、
前記処理液導入部の被処理物側の面と、前記処理液回収
部の被処理物側の面とが面一に形成され、前記処理液導
入部の前記連結部と面一にされた部分に、処理液が導入
される処理液導入口が形成され、前記処理液回収部の前
記連結部と面一にされた部分に処理液回収口が形成され
てなる構成としたことで、処理液導入口から処理液回収
口に到る処理領域中に、処理液に同伴されて処理領域に
混入した気泡が滞留しないようにすることができる。従
って、本発明のウェット処理装置によれば、処理領域に
おける処理液の流れを安定に維持することができ、効率
よく被処理物のウェット処理が可能である。
As described above in detail, the wet processing apparatus of the present invention comprises the surface of the connecting portion on the side of the object to be processed,
A portion of the processing liquid introducing portion on the side of the processed object and a surface of the processing liquid collecting portion on the side of the processing object are flush with each other, and are flush with the connecting portion of the processing liquid introducing portion. Further, the processing liquid introducing port for introducing the processing liquid is formed, and the processing liquid collecting port is formed in a portion flush with the connecting portion of the processing liquid collecting unit. It is possible to prevent bubbles that are entrained in the processing liquid and mixed in the processing region from staying in the processing region from the introduction port to the processing liquid recovery port. Therefore, according to the wet processing apparatus of the present invention, the flow of the processing liquid in the processing region can be stably maintained, and the wet processing of the object to be processed can be efficiently performed.

【0059】次に、本発明のウェット処理装置におい
て、前記連結部の被処理物側の面と、前記処理液導入部
の被処理物側の面と、前記処理液回収部の被処理物側の
面とが、同一の基板から形成され、前記処理液導入口
と、前記処理液回収口が、前記基板を貫通して形成され
た構成とするならば、処理液導入口から処理液回収口に
到る処理液の流路が、基板の一面と被処理物とにより構
成されるので、ノズル側において処理液に同伴された気
泡が滞留し得る場所が形成されることが無く、より処理
液の流れを安定に維持できるようになる。
Next, in the wet processing apparatus of the present invention, the surface of the connecting part on the side of the object to be processed, the surface of the processing liquid introducing part on the side of the object to be processed, and the surface of the processing liquid collecting part on the side of the object to be processed. Surface is formed from the same substrate, and if the processing liquid introducing port and the processing liquid collecting port are formed so as to penetrate the substrate, the processing liquid collecting port and the processing liquid collecting port are formed. Since the flow path of the processing liquid reaching the substrate is composed of the one surface of the substrate and the object to be processed, there is no formation of a place where bubbles entrained in the processing liquid can stay on the nozzle side. Will be able to maintain a stable flow.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 図1は、本発明の第1の実施形態の洗浄装置
の全体構成を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing an overall configuration of a cleaning device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 図2は、図1に示すB−B’線に沿う断面図
である。
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ shown in FIG.

【図3】 図3は、図2に示す洗浄用ノズル1を被洗浄
基板側から見た平面図である。
FIG. 3 is a plan view of the cleaning nozzle 1 shown in FIG. 2 viewed from the side of the substrate to be cleaned.

【図4】 図4は、本発明の第1の実施形態の洗浄装置
の他の適用例を示す断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing another application example of the cleaning apparatus according to the first embodiment of the present invention.

【図5】 図5は、本発明の第2の実施形態の洗浄装置
の断面構造を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a cross-sectional structure of a cleaning device according to a second embodiment of the present invention.

【図6】 図6は、本発明の第3の実施形態の洗浄装置
の概略構成を示す平面図である。
FIG. 6 is a plan view showing a schematic configuration of a cleaning device according to a third embodiment of the present invention.

【図7】 図7は、従来の洗浄装置の一例における断面
構造を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a cross-sectional structure in an example of a conventional cleaning device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,20 洗浄用ノズル 2,22 基板(連結部) 3 処理液導入部 4 処理液回収部 7 支持板 11 隔壁部材 11A,11B 中空部 16 処理液導入口 17 処理液回収口 13 振動付与手段 23 紫外線照射手段 25 ガス導入管(ガス置換手段) 26 ガス排出管(ガス置換手段) 1,20 Cleaning nozzle 2,22 substrate (connecting part) 3 Processing liquid introduction part 4 Processing liquid recovery unit 7 Support plate 11 Partition member 11A, 11B hollow part 16 Processing liquid inlet 17 Processing liquid recovery port 13 Vibration imparting means 23 Ultraviolet irradiation means 25 Gas introduction pipe (gas replacement means) 26 Gas discharge pipe (gas replacement means)

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被処理物に対向する面に、該被処理物に
処理液を導入する処理液導入部と、前記被処理物から処
理液を回収する処理液回収部と、これら処理液導入部及
び処理液回収部とを連結する連結部とを有するノズルを
備えるウェット処理装置であって、 前記連結部の被処理物側の面と、前記処理液導入部の被
処理物側の面と、前記処理液回収部の被処理物側の面と
が面一に形成され、 前記処理液導入部の前記連結部と面一にされた部分に、
処理液が導入される処理液導入口が形成され、前記処理
液回収部の前記連結部と面一にされた部分に処理液回収
口が形成されてなることを特徴とするウェット処理装
置。
1. A processing liquid introducing unit for introducing a processing liquid to the object to be processed, a processing liquid collecting unit for collecting the processing liquid from the object, and a processing liquid introducing unit on a surface facing the object to be processed. A wet treatment apparatus having a nozzle having a connecting portion that connects the processing portion and the processing liquid recovery portion, wherein a surface of the connecting portion on the side of the object to be processed and a surface of the processing liquid introducing portion on the side of the object to be processed. A surface of the treatment liquid recovery portion on the side of the object to be treated is formed flush with the portion of the treatment liquid introduction portion that is flush with the connecting portion,
A wet processing apparatus, characterized in that a processing liquid introducing port for introducing the processing liquid is formed, and the processing liquid collecting port is formed at a portion of the processing liquid collecting part that is flush with the connecting portion.
【請求項2】 前記連結部の被処理物側の面と、前記処
理液導入部の被処理物側の面と、前記処理液回収部の被
処理物側の面とが、同一の基板から形成され、 前記処理液導入口と、前記処理液回収口が、前記基板を
貫通して形成されてなることを特徴とする請求項1に記
載のウェット処理装置。
2. A surface of the connecting portion on the side of the object to be processed, a surface of the processing liquid introducing portion on the side of the object to be processed, and a surface of the processing liquid recovery part on the side of the object to be processed are from the same substrate. The wet processing apparatus according to claim 1, wherein the wet processing apparatus is formed, and the processing liquid introduction port and the processing liquid recovery port are formed so as to penetrate the substrate.
【請求項3】 前記基板と、該基板の被処理物と反対側
の面に対向して配設された支持板とにより挟持された中
空の隔壁部材により前記処理液導入部及び処理液回収部
が形成されており、 前記隔壁部材の中空部に処理液が貯溜可能とされるとと
もに、前記中空部と、前記処理液導入口、前記処理液回
収口とがそれぞれ接続されて前記処理液の流路が形成さ
れてなることを特徴とする請求項1に記載のウェット処
理装置。
3. The treatment liquid introducing part and the treatment liquid collecting part by a hollow partition member sandwiched by the substrate and a support plate arranged to face the surface of the substrate opposite to the object to be treated. Is formed, and the treatment liquid can be stored in the hollow portion of the partition member, and the hollow portion, the treatment liquid introduction port, and the treatment liquid recovery port are connected to each other to flow the treatment liquid. The wet processing apparatus according to claim 1, wherein a channel is formed.
【請求項4】 前記連結部に、該連結部と前記被処理物
との間の処理液に振動を付与するための振動付与手段が
設けられたことを特徴とする請求項1に記載のウェット
処理装置。
4. The wet method according to claim 1, wherein the connecting portion is provided with vibration applying means for applying vibration to the processing liquid between the connecting portion and the object to be processed. Processing equipment.
【請求項5】 前記連結部の前記被処理物側の面が、紫
外線を透過する部材で形成されており、前記連結部に、
前記被処理物に向けて紫外線を照射するための紫外線照
射手段が設けられたことを特徴とする請求項1に記載の
ウェット処理装置。
5. The surface of the connecting portion on the side of the object to be processed is formed of a member that transmits ultraviolet rays, and the connecting portion has
The wet processing apparatus according to claim 1, further comprising an ultraviolet irradiation unit for irradiating the object to be processed with ultraviolet rays.
【請求項6】 前記連結部と前記支持板と、前記隔壁部
材とに囲まれる空間に紫外線照射手段が収納されてお
り、 前記空間の内部を不活性ガスと置換するためのガス置換
手段が設けられたことを特徴とする請求項3に記載のウ
ェット処理装置。
6. An ultraviolet irradiation means is housed in a space surrounded by the connecting portion, the support plate, and the partition member, and a gas replacement means for replacing the inside of the space with an inert gas is provided. The wet processing apparatus according to claim 3, wherein the wet processing apparatus is provided.
【請求項7】 前記基板が、親水性材料で形成されたこ
とを特徴とする請求項2に記載のウェット処理装置。
7. The wet processing apparatus according to claim 2, wherein the substrate is made of a hydrophilic material.
【請求項8】 前記基板の被処理物側の面に、微細な凹
凸形状が形成されたことを特徴とする請求項2に記載の
ウェット処理装置。
8. The wet processing apparatus according to claim 2, wherein fine irregularities are formed on the surface of the substrate on the side of the object to be processed.
【請求項9】 前記基板の処理液導入口側の周囲部分
に、疎水性材料からなる部材が配置されたことを特徴と
する請求項2に記載のウェット処理装置。
9. The wet processing apparatus according to claim 2, wherein a member made of a hydrophobic material is arranged in a peripheral portion of the substrate on the processing liquid introducing port side.
【請求項10】 前記基板の処理液回収口側の周囲部分
に、疏水性材料からなる部材が配置されたことを特徴と
する請求項2に記載のウェット処理装置。
10. The wet processing apparatus according to claim 2, wherein a member made of a hydrophobic material is arranged in the peripheral portion of the processing liquid recovery port side of the substrate.
【請求項11】 前記ノズルと、前記被処理物とを、互
いの間隔を一定に保ちつつ相対移動させる、ノズル又は
被処理物の移動手段を備えることを特徴とする請求項1
に記載のウェット処理装置。
11. A nozzle or an object-to-be-processed moving means for moving the nozzle and the object to be processed relative to each other while maintaining a constant interval therebetween.
The wet processing apparatus described in 1.
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