JP2001190072A - スイッチング電源 - Google Patents
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Abstract
上させることが可能なスイッチング電源を提供すること
を目的とする。 【解決手段】 交流電源からの入力を整流する整流回路
と、前記整流回路から出力される整流電圧を平滑する平
滑コンデンサと、前記平滑コンデンサの出力電圧を入力
として高周波スイッチングにより電圧変換を行なうと共
に高周波交流電圧を発生する高周波交流電圧源を具備す
るDC/DCコンバータを備えたスイッチング電源にお
いて、前記整流回路の正側出力に直列に接続される第1
の端子と、前記平滑コンデンサの正極にダイオードを介
し直列に接続される第2の端子と、前記DC/DCコン
バータ内の高周波交流電圧源に直流電圧阻止素子を介し
て接続される第3の端子を持つカップルドインダクタン
ス素子を備えた。
Description
の力率改善と高調波抑制に関するものである。
を示す回路図である。同図において、交流電源ACは、
ダイオードD1〜D4で構成されたダイオードブリッジ
11に接続され、このダイオードブリッジ11には平滑
用コンデンサC1が並列接続されている。このダイオー
ドブリッジ11は、交流電源ACを整流する整流回路で
ある。
スTRの1次側巻線端子21に接続され、トランスTR
の1次側巻線端子22はスイッチング素子Qを介して平
滑用コンデンサC1の負側端子に接続されている。
は、ダイオードD7と平滑用コンデンサC2によって構
成される整流回路25に接続され、整流回路25の出力
は負荷回路31に接続されている。
を監視し、整流回路25の出力電圧が一定の値になるよ
うにスイッチング素子Qの制御信号GSWを制御してい
る。このトランスTRと整流回路25とスイッチング素
子Qと制御回路26は、トランスTRの1次側に印加さ
れた直流電力をトランスTRの2次側に絶縁伝送するD
C/DCコンバータ20を構成している。
は、交流電源ACの出力をダイオードブリッジ11と平
滑用コンデンサC1によって直流変換された直流電圧V
C1がDC/DCコンバータ20のトランスTRの1次
巻線端子21に印加されて、FET(電界効果トランジ
スタ)などのスイッチング素子Qによってオンオフされ
る。すると1次側巻線N1を流れる電流IN1がパルス
状に流れるため2次巻線N2にはスイッチング電流IN
2が誘起され、これをダイオードD7およびコンデンサ
C2で構成された整流回路25によって直流化し負荷回
路31に供給している。
整流回路11に印加された交流電源ACの出力を整流回
路11と平滑用コンデンサC1によって直流化し、ここ
で得られた直流電力をDC/DCコンバータ20によっ
て絶縁し、この絶縁された直流電力を負荷回路31に供
給することによって、交流電源ACと絶縁された直流電
力を負荷回路31に供給することが可能である。
イッチング電源では、交流電源ACの整流電圧Vrec
が平滑用コンデンサC1の両端電圧VC1より低い状態
では平滑用コンデンサC1の入力電流IC1が流れな
い。このためスイッチング電源10の入力電流(交流電
源ACの出力電流である。)Iinの波形がパルス状に
なるため、入力電流の導通角が小さくなり、力率の低下
と高調波電流の増加を招くという問題点があった。
の入力電圧Vinと入力電流Iinと交流電源ACの整
流電圧Vrecと平滑用コンデンサC1の両端電圧VC
1の波形図である。同図より明らかなように、入力電流
Iinは、交流電源ACの整流電圧Vrecが平滑用コ
ンデンサC1の両端電圧VC1より低い区間T2では流
れず、交流電源ACの整流電圧Vrecが平滑用コンデ
ンサC1の両端電圧VC1より高い区間T1ではパルス
状に流れる。
電流Iinがパルス状に流れることによって、入力電流
の導通角が小さくなりスイッチング電源10の力率の低
下を招くと共に高調波電流の増加を招いてしまう。
周波電流の発生を抑制すると共に力率を向上させること
が可能なスイッチング電源を提供することを目的とす
る。
るために請求項1に記載の発明では、交流電源からの入
力を整流する整流回路と、前記整流回路から出力される
整流電圧を平滑する平滑コンデンサと、前記平滑コンデ
ンサの出力電圧を入力として高周波スイッチングにより
電圧変換を行なうと共に高周波交流電圧を発生する高周
波交流電圧源を具備するDC/DCコンバータを備えた
スイッチング電源において、前記整流回路の正側出力に
直列に接続される第1の端子と、前記平滑コンデンサの
正極にダイオードを介し直列に接続される第2の端子
と、前記DC/DCコンバータ内の高周波交流電圧源に
直流電圧阻止素子を介して接続される第3の端子を持つ
カップルドインダクタンス素子を備えたことを特徴とす
るものである。
載の発明において、前記直流電圧阻止素子は、ダイオー
ドであることを特徴とするものである。
載の発明において、前記直流電圧阻止素子は、DCカッ
トコンデンサであることを特徴とするものである。
載の発明において、前記カップルドインダクタンス素子
は、少なくとも一組の巻線を有するトランスによって構
成されており、両方の巻線の入力端子を前記カップルド
インダクタンス素子の第1の端子とし、一方の巻線の出
力端子を前記カップルドインダクタンス素子の第2の端
子とし、他方の巻線の出力端子を前記カップルドインダ
クタンス素子の第3の端子として構成されたことを特徴
とするものである。
載の発明において、前記カップルドインダクタンス素子
は、中間タップを有するインダクタによって構成されて
おり、一方の極の端子を前記カップルドインダクタンス
素子の第1の端子とし、他方の極の端子を前記カップル
ドインダクタンス素子の第2の端子とし、中間タップを
前記カップルドインダクタンス素子の第3の端子として
構成されたことを特徴とするものである。
載の発明において、前記カップルドインダクタンス素子
は、中間タップを有するインダクタによって構成されて
おり、一方の極の端子を前記カップルドインダクタンス
素子の第1の端子とし、中間タップを前記カップルドイ
ンダクタンス素子の第2の端子とし、他方の極の端子を
前記カップルドインダクタンス素子の第3の端子として
構成されたことを特徴とするものである。
載の発明において、前記カップルドインダクタンス素子
は、Δ形に結線された3個の巻線を持つインダクタであ
り、各巻線同士の接続点をそれぞれ、前記カップルドイ
ンダクタンス素子の第1の端子、第2の端子、第3の端
子として構成されたことを特徴とするものである。
載の発明において、前記カップルドインダクタンス素子
は、Y形に結線された3個の巻線を持つインダクタであ
り、各巻線の共通接続点と反対側の端子をそれぞれ、前
記カップルドインダクタンス素子の第1の端子、第2の
端子、第3の端子として構成されたことを特徴とするも
のである。
載の発明において、前記カップルドインダクタンス素子
は、結合係数を0.9以下として構成されたことを特徴
とするものである。
記載の発明において、前記カップルドインダクタンス素
子は、少なくとも一対の異なる巻数の巻線によって構成
されたことを特徴とするものである。
記載の発明において、前記DC/DCコンバータは、前
記平滑用コンデンサの正側端子が1次側巻線端子の入力
端子に接続され、出力端子がスイッチング素子を介して
前記平滑用コンデンサの負側端子に接続されたトランス
と、前記トランスの2次側巻線端子に接続された整流回
路と、前記整流回路の出力電圧を監視し、整流回路の出
力電圧が一定の値になるように前記スイッチング素子を
駆動する制御回路によって構成されたことを特徴とする
ものである。
に記載の発明において、前記トランスは、1次側巻線に
センタータップを備え、前記DC/DCコンバータは、
このセンタータップに発生する電圧を前記高周波交流電
圧源として用いるように構成されたことを特徴とするも
のである。
に記載の発明において、前記DC/DCコンバータは、
前記トランスと前記スイッチング素子の共通接続点に発
生する電圧を前記高周波交流電圧源として用いるように
構成されたことを特徴とするものである。
に記載の発明において、前記トランスは、1次側巻線に
第2の巻線を備え、前記DC/DCコンバータは、この
第2の巻線に発生する電圧を前記高周波交流電圧源とし
て用いるように構成されたことを特徴とするものであ
る。
記載の発明において、前記DC/DCコンバータは、フ
ライバック方式であることを特徴とするものである。
記載の発明において、前記DC/DCコンバータは、フ
ォワード方式であることを特徴とするものである。
記載の発明において、前記DC/DCコンバータは、ハ
ーフブリッジ方式であることを特徴とするものである。
記載の発明において、前記DC/DCコンバータは、C
uk方式、またはSEPIC方式、または、Zeta方
式であることを特徴とするものである。
説明する。図1は本発明に係るスイッチング電源の一実
施例を示す回路図である。尚、同図において従来例と異
なる点は、トランスTRの代わりにセンタータップ25
を備えたトランスT1を用い、このセンタータップ25
に現れる電圧を高周波交流電圧源として使用するように
構成した点と、ダイオードブリッジ11とDC/DCコ
ンバータ20の間にカップルドインダクタンス素子40
とダイオードD5、D6を挿入した点である。その他の
構成については従来例と同様の符号を付し、その説明を
省略する。
ブリッジ11に接続され、このダイオードブリッジ11
の正側出力は、カップルドインダクタンス素子40の第
1の端子41に接続されている。
ランスT2によって構成され、このトランスT2の巻線
N21及び巻線N22の入力端子は第1の端子41に接
続され、巻線N22の出力端子は第2の端子42に接続
され、巻線N21の出力端子は第3の端子43に接続さ
れている。また、巻線N21と巻線N22の巻数比は、
N21>N22とし、結合係数を1としている。
ス素子40の第2の端子は、ダイオードD6を介して平
滑コンデンサC1の正極に接続され、第3の端子43
は、ダイオードD5を介してトランスT1のセンタータ
ップ25に接続されている。
を図2の波形図を用いて説明する。また、以下の説明に
おいて、トランスT1の一次側巻線端子21からセンタ
ータップ25の間の巻線を巻線N11と言い、2次側巻
線を巻線N12と言い、一次側巻線端子22からセンタ
ータップ25の間の巻線を巻線N13と言う。
SWと、スイッチング素子Qの端子間に発生する電圧V
SWと、スイッチング素子Qに流入する電流ISWと、
巻線N13に発生する電圧VN13と、カップルドイン
ダクタンス素子40に流入する励磁電流IT2と、巻線
N21,N22に流れる電流IN21、IN22と、巻
線N21,N22に発生する電圧VN21、VN22
と、平滑用コンデンサC1に流入する電流IC1と、平
滑用コンデンサC1に発生する電圧VC1と、巻線N1
2に発生する電圧VN12と電流IN12の波形を示す
図である。
素子Qがオンになっている区間であり、この区間ではス
イッチング素子Qの制御信号GSWがハイとなるため、
スイッチング素子Qに電流ISWが流れる。従ってスイ
ッチング素子Qの端子間に発生する電圧VSWはローと
なる。
子Qがオンとなることによって、トランスT1とダイオ
ードD5の接続点aには、平滑用コンデンサC1の電圧
VC1と巻線N11、N13の巻数比によって決定され
る電圧VN13が発生する。(図2のP1に示した電圧
である。)ここで発生する電圧VN13は、巻線N11
と巻線N13の巻数をそれぞれ、n11、n13とする
と、 VN13=(n13/(n11+n13))×VC1 (1) で表される。
1は、ダイオードブリッジ11の整流電圧Vrecより
昇圧しているものとすれば、入力電流Iinの導通時に
おいては、VN13≦Vrec<VC1となり、ダイオ
ードD5が導通し、トランスT2の巻線N21に、整流
電圧Vrecと電圧VN13の電位差と、巻線N21の
インダクタンスによって決定される電流IN21が流れ
る。(図2のP2に示した電流である。)
ことにより、巻線N22には、下記(2)式によって示
される電圧VN22が発生する。(図2のP3に示した
電圧である。) VN22=Vrec+(VN13−Vrec)×(n22/n21) (2) ただし、上記(2)式におけるn21,n22は、巻線
N21,N22の巻数である。
c<VC1であるので、(2)式中の(VN13−Vr
ec)の項が、ゼロ若しくは負の値となり、VN22<
VC1となるため、ダイオードD6は導通せず、電流I
N22は流れない。(図2のP4に示した電流であ
る。)
がオフになっている区間であり、この区間ではスイッチ
ング素子Qの制御信号GSWがローとなるため、スイッ
チング素子Qに電流ISWが流れない。従ってスイッチ
ング素子Qの端子間に発生する電圧VSWはハイとな
る。
がオフとなることによって、巻線N13には、巻線N1
2に発生する電圧VN12と、平滑用コンデンサC1の
電圧VC1と、巻線N12と巻線N13の巻数比によっ
て決定される電圧VN13が発生する。(図2のP5に
示した電圧である。)ここで発生する電圧VN13は、 VN13=VC1+(n11/n12)×VN12 (3) で、表される。
であるので、Vrec<VN13となるため、ダイオー
ドD5は非導通となる。これによって、巻線N22には
スイッチング素子Qのオフ直前の電流IN21の値をn
21/n22倍した値を初期値とする、整流電圧Vre
cと平滑用コンデンサC1の電圧VC1の電位差と巻線
N22のインダクタンスによって決定される電流IN2
2が流れ、トランスT2をリセットする。(図2のP6
に示した電流である。)
スイッチング素子Qのオン期間において各部の電圧が、
VN13≦Vrecの条件を満たす時、図2のP2に示
す電流IN21が巻線N21に流れ始め、この電流IN
21のn11/(n11+n13)倍の電流がスイッチ
ング素子Qに流れる。(図2のP7に示した電流であ
る。)また、スイッチング素子Qのオフ期間において各
部の電圧が、Vrec<VN13の条件を満たす時、図
2のP6に示す電流IN22が巻線N22に流れ始め、
この電流IN22が平滑用コンデンサC1に流入する。
(図2のP8に示した電流である。)
40には、上記電流IN21と電流IN22の電流を加
算した励磁電流IT2が流れ、(図2のP9に示した電
流である。)これによって入力電流Iinが流れる。
1周期の非常に短い時間軸を持つ波形図を用いて説明し
たが、理解を容易にするため、これを交流電源ACの1
周期の時間軸を用いて表すと図3のような波形図とな
る。同図は、カップルドインダクタンス素子40に流入
する励磁電流IT2と、入力電流Iinと、巻線N13
に発生する電圧VN13と、平滑用コンデンサC1の端
子間に発生する電圧VC1と、交流電源ACの整流電圧
Vrecと、入力電圧Vinを交流電源ACの1周期の
時間軸を用いて表した波形図である。
チング電源では、各部の電圧が、VN13≦Vrecの
条件を満たす時(同図に点線Fで示した範囲であ
る。)、入力電流Iinが流れるため、従来のスイッチ
ング電源に比べ、入力電流導入角を広げ、力率を改善す
ることが可能である。
ランスT2の巻線N21と巻線N22の巻数比をn21
>n22とすることによって、スイッチング素子Qに流
れる電流量を低減することが可能である。これを、図4
を用いて説明する。
流IT2の波形を拡大した図であり、同図(b)は、ト
ランスT2の巻線N21と巻線N22の巻数比をn21
=n22とした場合の励磁電流IT2の波形図である。
また、前述のように、励磁電流IT2において、同図斜
線部Xは電流IN21によって流れる電流成分であり、
斜線部Yは電流IN22によって流れる電流成分であ
る。
電流量は、この波形の面積に表されているが、同図
(a)では、巻線N21と巻線N22の巻数比をn21
>n22とすることによって、電流IN21が抑えら
れ、電流IN22が大きくなっている。また、前述のよ
うにスイッチング素子Qに流れる電流ISWは、電流I
N21に比例し、電流IN22は、平滑用コンデンサC
1に流入する。
巻線N21と巻線N22の巻数比をn21>n22とす
ることによって、スイッチング素子Qに流れる電流IS
Wに影響する電流IN21を抑え、平滑用コンデンサC
1に流入する巻線N22電流IN22を大きくすること
ができる。従って、巻線N21と巻線N22の巻数比を
n21=n22とした場合と比較して、同様の電流量を
確保しながら、スイッチング素子Qに流れる電流量を低
減することが可能である。
グ電源では、従来のスイッチング電源に比べ、力率を大
きく改善することが可能であるが、一方、このような構
成のスイッチング電源では、例えば、負荷回路31の要
求電力が大きい場合、図5に示すように、カップルドイ
ンダクタンス素子40に流入する励磁電流IT2が、ゼ
ロまで下がらなくなり、入力電流Iinの波形が歪むた
め、電流導通角が狭まり、力率が悪化する。
な場合においても、トランスT2の結合係数をおよそ
0.9以下の低結合度に調整することによって、力率を
改善することが可能である。以下にその方法について説
明する。
のインダクタンスLをL=200μH、巻線N21と巻線N
22の巻数比をn21:n22=1:2、結合係数KをK=0.8、平滑
用コンデンサC1の静電容量C1をC1=330μF、トラン
スT1のインダクタンスT1をT1=1.39mH、トランスT
1の巻線N11、N12、N13の巻数比をn11:n12:n1
3=43:24:29、コンデンサC2の静電容量C2をC2=1000
μFとした場合の主要各部の波形を示す図である。
スイッチング電源においてトランスT2の結合係数Kを
0.8とした時の、点線部100の回路の等価回路であ
る。尚、同図において、トランスIdealは巻線N2
1と巻線N22を有する理想トランスであり、Lmpは
励磁インダクタンスであり、Ls1、Ls2は漏洩イン
ダクタンスである。
イッチング電源の動作を説明するが、この説明におい
て、理解を容易にするため、図7(a)に示す等価回路
を参照して説明を行なう。
抵抗、ダイオードD5、D6、D7の電圧降下を無視す
る。更に、以下の説明において、カップルドインダクタ
ンス素子40に流入する励磁電流IT2が、ゼロまで下
がる場合を、インダクタ電流不連続モード(DCM)と
言い、励磁電流IT2が、ゼロまで下がらない場合を、
インダクタ電流連続モード(CCM)と言う。
SW、スイッチング素子Qの端子間に発生する電圧VS
Wと、スイッチング素子Qに流入する電流ISWと、巻
線N12に流れる電流IN12と、巻線N22に発生す
る電圧VN22と、漏洩インダクタンスLs2に発生す
る電圧Ve2と、平滑用コンデンサC1に発生する電圧
VC1と、整流電圧Vrecと漏洩インダクタンスLs
1に発生する電圧Ve1の差電圧と、巻線N21に発生
する電圧VN21と、漏洩インダクタンスLs1に発生
する電圧Ve1と、巻線N13に発生する電圧VN13
と、巻線N21,N22に流れる電流IN21、IN2
2と、カップルドインダクタンス素子40に流入する励
磁電流IT2の波形が示されている。
Qがターンオンすると(同図にP1で示したタイミング
である。)、トランスT1の一次側巻線の両端には、平
滑用コンデンサC1の電圧VC1が印加され、そのセン
タータップ25には、一次側巻線N11、N13の巻数
比に応じた電圧VN13が発生する。(同図でP2に示
した電圧である。)この時、発生する電圧VN13は、
一次側巻線N11、N13の巻数を、それぞれn11、
n13とすると、 VN13=n13/(n11+n13)×VC1 (4) で、表される。
ット電流が流れるため、ダイオードD6がオン状態とな
り、漏洩インダクタンスLs2の平滑用コンデンサC1
側の一端にかかる電圧VN22は、VN22=VC1と
なる。(同図にP3で示したタイミングである。)
p、漏洩インダクタンスLs1の励磁電流が流れ、励磁
インダクタンスLmpのダイオードブリッジ側の一端に
かかる電圧は電圧Vrecと同じになり、漏洩インダク
タンスLs1のセンタータップ25側の一端にかかる電
圧VN21は、VN21=VN13となる。(同図にP
4で示したタイミングである。)
Lmpと漏洩インダクタンスLs1の接合点の電位Ve
1は、 Ve1=[Vrec/Lmp+{(n21/n22)×VC1+(1−n21 /n22)×Vrec}/{(n21/n22)2×Ls2}+VN13/Ls 1]/[1/Lmp+1/{(n21/n22)2×Ls2}+1/Ls1] (5) となる。
スLmpの励磁電圧Vrec−Ve1(図6のP5の区
間の電圧である。)は、期間2の励磁電圧Vrec−V
e1(図6のP6の区間の電圧である。)より小さくな
り、期間1が終了、即ち漏洩インダクタンスLs2のリ
セットが完了するまで、この状態が継続する。また、L
s2のリセットによりダイオードD6に流れる電流は徐
々に減少するため、ダイオードD6はソフトスイッチン
グターンオフとなる。
タータップ25に発生する電圧VN13によって励磁さ
れるものの、期間1の間、その励磁電圧の振幅が漏洩イ
ンダクタンスにより減殺されるため、実行的な励磁時間
がスイッチング素子Qのオン時間より減少することにな
る。そして、入力電流Iinが大きいほど期間1は長く
なるため、励磁インダクタンスLmpの実効的な励磁時
間が減少して入力電流Iinが抑制される。
インダクタンスLs1の励磁電流がセンタータップ25
のタップ位置の巻数比n11、n13に応じて流れるた
め、電流の傾きが大きくなる。
スLs2のリセットが終了し、ダイオードD6がオフ状
態になると、励磁インダクタンスLmp、漏洩インダク
タンスLs1の直列接続に励磁電流が流れ、その接合点
の電位Ve1は、 Ve1=(Vrec/Lmp+VN13/Ls1)/(1/Lmp+1/Ls 1) (6) となり、図6のP6に示すように、期間1における励磁
電圧Vrec−Ve1に比べ、期間2におけるVrec
−Ve1が増加する。
インダクタンスLmpと漏洩インダクタンスLs1の直
列接続に励磁電流がセンタータップ25のタップ位置の
巻数比n11、n13に応じて流れるため、電流の傾き
が小さくなる。
Qがターンオフすると(同図にP7で示したタイミング
である。)、トランスT1の巻線電圧が反転し、二次側
ダイオードD7がオン状態となり、トランスT1のリセ
ット電流が二次側に流れる。
ット電流が、ダイオードD5→トランスT1→一次巻線
N11→平滑用コンデンサC1の経路に流れる。そし
て、トランスT1の一次側巻線N11と二次側巻線N1
2はトランス接続であることから、巻数比に応じた電流
が二次側に流れ、トランスT1のリセット電流に重畳さ
れる。また、期間T3は、漏洩インダクタンスLs1の
リセットが終了し、ダイオードD5がオフ状態になるま
で継続し、ここでは、漏洩インダクタンスLs1のリセ
ット電流によりダイオードD5に流れる電流は、徐々に
減少し、ダイオードD5はソフトスイッチングターンオ
フとなる。
流は、トランスT1のリセット電流のみになる。また、
励磁インダクタンスLmpが理想トランスIdealを
介してリセットされ、リセット電流が、漏洩インダクタ
ンスLs2→ダイオードD6→平滑用コンデンサC1の
経路を流れる。この際の、理想トランスIdealと漏
洩インダクタンスLs2の接合点の電位Ve2は、理想
トランスIdealの巻線N21、N22の巻数をそれ
ぞれn21,n22とすると、 Ve2=[Vrec/{(n22/n21)2×Lmp}+VC1/Ls2] /[1/{(n22/n21)2×Lmp}+1/Ls2] (7) となる。
40には、図6に示した励磁電流IT2が流れ、これに
従って入力電流Iinが流れる。
ダクタ電流連続モードで動作させた場合の入力電流Ii
nの実測波形を示す。
合係数KをK=1とした場合の入力電流Iinの波形で
あり、同図(b)は、トランスT2の結合係数KをK=
0.8とした場合の入力電流Iinの波形であり、同図
(c)は、上記の波形にフィルタ処理を施した波形に入
力電圧Vinを重ねあわせて表示した図である。
結合係数KをK=0.8とした場合の入力電流Iinの
導入角LD0.8が、トランスT2の結合係数KをK=
1とした場合の入力電流Iinの導入角LD1より大き
くなっているため、本発明のスイッチング電源は、イン
ダクタ電流連続モードで動作させる場合、トランスT2
の結合係数を低結合度に調整することによって、力率を
改善することが可能である。また、入力電流Iinの導
通角が広がったことにより、入力電流Iinの波形が滑
らかになるため、高調波電流の発生を抑えることが可能
となる。
に示したスイッチング電源は、図1に示したスイッチン
グ電源装置におけるカップルドインダクタンス素子40
に、タップを備えたインダクターを適用した例である。
図1のスイッチング電源装置におけるカップルドインダ
クタンス素子40は、2つの巻線N21、N22を備え
たトランスT2によって実現されていたが、両者の巻線
の極性と巻数がN21>N22の関係にあることを考慮
すると、図9のように、カップルドインダクタンス素子
40に、タップを備えたインダクターを適用した回路と
等価になる。この場合、図1のスイッチング電源装置に
比べ、カップルドインダクタンス素子40の巻線の数が
減るという効果がある。更に、この場合には、直流電圧
阻止素子として、ダイオードD5の代わりにDCカット
コンデンサC5を用いることも可能である。
る。本発明のスイッチング電源は、このような構成の回
路を用いても図1の回路と同様の動作を行なうことがで
きる。
は、図11(a)に示すように、中間タップ型のインダ
クターや、図11(b)に示すように、Δ型のインダク
ターや、図12(c)に示すように、Y型のインダクタ
ーを用いて実現することが可能である。
は、図12に示すように、フォワードコンバータに適用
することが可能であり、図13に示すように、Cukコ
ンバータに適用することが可能である。また、図13に
示すCukコンバータの構成では、Cukコンバータを
構成するインダクターL1の中間タップLtをダイオー
ドD5のカソードに接続することにより、中間タップL
tに発生する電圧をカップルドインダクタンス素子40
を駆動する高周波交流電圧源として用いることができ
る。
2及び図13に示したように、交流電源ACの入力にE
MIフィルタ26を備えることによって、スイッチング
電源の外部から侵入する電磁ノイズの影響を防止するこ
とが可能である。
4(a)及び(b)に示すように、トランスT1の一次
側に別巻線L2或はL3を設け、この別巻線L2或はL
3をダイオードD5或はD6のカソードに接続すること
により、この別巻線L2或はL3に発生する電圧をカッ
プルドインダクタンス素子40を駆動する高周波交流電
圧源として用いることができる。
例示を目的として特定の好適な実施例を示したに過ぎな
い。したがって本発明は、上記実施例に限定されること
なく、その本質から逸脱しない範囲で更に多くの変更、
変形をも含むものである。
明のスイッチング電源は、ハーフブリッジ方式、SEP
IC方式、Zeta方式のDC/DCコンバータに適用
することが可能である。
本発明によれば次のような効果がある。請求項1から1
8に記載の発明では、上述した構成のカップルドインダ
クタ素子を用いることにより、インダクタ電流不連続モ
ードにおいて、スイッチング電源の力率を改善すること
が可能であり、インダクタ電流連続モードにおいては、
上述した構成のカップルドインダクタ素子の結合係数を
低く調整することによって、スイッチング電源の力率を
改善することが可能である。
上述した構成のカップルドインダクタ素子を用い、その
結合係数を調整することにより、インダクタ電流不連続
モードにおいても、インダクタ電流連続モードにおいて
も、同じ部品点数の回路で力率を改善することが可能で
ある。このことは、電源の低コスト化において有効であ
る。
ドインダクタは、EEコア等のボビン巻き枠の中心部に
幅数mm程度のバリアを設け、2つの巻線をバリアの両
側に分割して巻く等して容易に実現できるため、製造コ
ストは従来のスイッチング電源に用いるインダクタと同
程度に抑えることが可能である。
ダクタ電流連続モードで動作させる場合、カップルドイ
ンダクタ素子のインダクタンスをインダクタ電流不連続
モードで動作させる場合に比べて大きくすることによ
り、励磁電流を抑えることが可能となり、スイッチング
素子Q、トランスT1の一次巻線、ダイオードD5、D
6等に流れるR.M.S電流を抑えることができる。ま
た、漏洩インダクタンスによりダイオードD5、D6が
ソフトスイッチングターンオフとなりダイオードリカバ
リー損失と抑えることが可能となる。このため、更にス
イッチング電源の効率を上げることが可能となる。
イッチング成分の振幅も抑えられるため、ノルマルモー
ドノイズが減少し、スイッチング電源を適用する機器に
備えられるEMIフィルタの小型化、低コスト化に有効
である。
ンダクタ素子のリセット電流も減少するため、このリセ
ット電流によって充電される平滑用コンデンサ電圧の上
昇を抑えることが可能である。このことは、図15に示
す実験結果により確認されている。従って、本発明のス
イッチング電源は、インダクタ電流連続モードで動作さ
せる場合、インダクタ電流不連続モードで動作させる場
合に比べ、低耐圧の部品を使用することができるためコ
ストを低減できる効果がある。
す構成図である。
示す図である。
示す図である。
形を示す図である。
示す図である。
示す図である。
す図である。
形を示す図である。
示す構成図である。
を示す構成図である。
を示す構成図である。
を示す構成図である。
を示す構成図である。
を示す構成図である。
する表である。
である。
である。
ド C1、C2 コンデンサ C5 DCカットコンデンサ T1、T2 トランス Q スイッチング素子 11 ダイオードブリッジ 20 DC/DCコンバータ 25 整流回路 26 制御回路 27 EMIフィルタ 31 負荷回路 40 カップルドインダクタンス素子
Claims (18)
- 【請求項1】交流電源からの入力を整流する整流回路
と、 前記整流回路から出力される整流電圧を平滑する平滑コ
ンデンサと、 前記平滑コンデンサの出力電圧を入力として高周波スイ
ッチングにより電圧変換を行なうと共に高周波交流電圧
を発生する高周波交流電圧源を具備するDC/DCコン
バータを備えたスイッチング電源において、 前記整流回路の正側出力に直列に接続される第1の端子
と、前記平滑コンデンサの正極にダイオードを介し直列
に接続される第2の端子と、前記DC/DCコンバータ
内の高周波交流電圧源に直流電圧阻止素子を介して接続
される第3の端子を持つカップルドインダクタンス素子
を備えたことを特徴とするスイッチング電源。 - 【請求項2】前記直流電圧阻止素子は、ダイオードであ
ることを特徴とする請求項1に記載のスイッチング電
源。 - 【請求項3】前記直流電圧阻止素子は、DCカットコン
デンサであることを特徴とする請求項1に記載のスイッ
チング電源。 - 【請求項4】前記カップルドインダクタンス素子は、少
なくとも一組の巻線を有するトランスによって構成され
ており、両方の巻線の入力端子を前記カップルドインダ
クタンス素子の第1の端子とし、一方の巻線の出力端子
を前記カップルドインダクタンス素子の第2の端子と
し、他方の巻線の出力端子を前記カップルドインダクタ
ンス素子の第3の端子として構成されたことを特徴とす
る請求項1に記載のスイッチング電源。 - 【請求項5】前記カップルドインダクタンス素子は、中
間タップを有するインダクタによって構成されており、
一方の極の端子を前記カップルドインダクタンス素子の
第1の端子とし、他方の極の端子を前記カップルドイン
ダクタンス素子の第2の端子とし、中間タップを前記カ
ップルドインダクタンス素子の第3の端子として構成さ
れたことを特徴とする請求項1に記載のスイッチング電
源。 - 【請求項6】前記カップルドインダクタンス素子は、中
間タップを有するインダクタによって構成されており、
一方の極の端子を前記カップルドインダクタンス素子の
第1の端子とし、中間タップを前記カップルドインダク
タンス素子の第2の端子とし、他方の極の端子を前記カ
ップルドインダクタンス素子の第3の端子として構成さ
れたことを特徴とする請求項1に記載のスイッチング電
源。 - 【請求項7】前記カップルドインダクタンス素子は、Δ
形に結線された3個の巻線を持つインダクタであり、各
巻線同士の接続点をそれぞれ、前記カップルドインダク
タンス素子の第1の端子、第2の端子、第3の端子とし
て構成されたことを特徴とする請求項1に記載のスイッ
チング電源。 - 【請求項8】前記カップルドインダクタンス素子は、Y
形に結線された3個の巻線を持つインダクタであり、各
巻線の共通接続点と反対側の端子をそれぞれ、前記カッ
プルドインダクタンス素子の第1の端子、第2の端子、
第3の端子として構成されたことを特徴とする請求項1
に記載のスイッチング電源。 - 【請求項9】前記カップルドインダクタンス素子は、結
合係数を0.9以下として構成されたことを特徴とする
請求項1に記載のスイッチング電源。 - 【請求項10】前記カップルドインダクタンス素子は、
少なくとも一対の異なる巻数の巻線によって構成された
ことを特徴とする請求項1に記載のスイッチング電源。 - 【請求項11】前記DC/DCコンバータは、 前記平滑用コンデンサの正側端子が1次側巻線端子の入
力端子に接続され、出力端子がスイッチング素子を介し
て前記平滑用コンデンサの負側端子に接続されたトラン
スと、 前記トランスの2次側巻線端子に接続された整流回路
と、 前記整流回路の出力電圧を監視し、整流回路の出力電圧
が一定の値になるように前記スイッチング素子を駆動す
る制御回路によって構成されたことを特徴とする請求項
1に記載のスイッチング電源。 - 【請求項12】前記トランスは、1次側巻線にセンター
タップを備え、前記DC/DCコンバータは、このセン
タータップに発生する電圧を前記高周波交流電圧源とし
て用いるように構成されたことを特徴とする請求項11
に記載のスイッチング電源。 - 【請求項13】前記DC/DCコンバータは、前記トラ
ンスと前記スイッチング素子の共通接続点に発生する電
圧を前記高周波交流電圧源として用いるように構成され
たことを特徴とする請求項11に記載のスイッチング電
源。 - 【請求項14】前記トランスは、1次側巻線に第2の巻
線を備え、前記DC/DCコンバータは、この第2の巻
線に発生する電圧を前記高周波交流電圧源として用いる
ように構成されたことを特徴とする請求項11に記載の
スイッチング電源。 - 【請求項15】前記DC/DCコンバータは、フライバ
ック方式であることを特徴とする請求項1に記載のスイ
ッチング電源。 - 【請求項16】前記DC/DCコンバータは、フォワー
ド方式であることを特徴とする請求項1に記載のスイッ
チング電源。 - 【請求項17】前記DC/DCコンバータは、ハーフブ
リッジ方式であることを特徴とする請求項1に記載のス
イッチング電源。 - 【請求項18】前記DC/DCコンバータは、Cuk方
式、またはSEPIC方式、または、Zeta方式であ
ることを特徴とする請求項1に記載のスイッチング電
源。
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