JP2001185622A - 半導体集積回路およびその修正方法 - Google Patents

半導体集積回路およびその修正方法

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JP2001185622A
JP2001185622A JP36378799A JP36378799A JP2001185622A JP 2001185622 A JP2001185622 A JP 2001185622A JP 36378799 A JP36378799 A JP 36378799A JP 36378799 A JP36378799 A JP 36378799A JP 2001185622 A JP2001185622 A JP 2001185622A
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Tamotsu Yoshiki
保 吉木
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Abstract

(57)【要約】 【課題】本来回路修正のためだけに使用されるスペアセ
ルを、より短いテストパターンで故障検出率を上げるた
めに有効利用して、テストのためのコストと時間を削減
することができる半導体集積回路およびその修正方法を
提供する。 【解決手段】スキャンパス方式のテストを採用し、下地
トランジスタから製造される半導体集積回路において、
回路修正用セルの記憶回路としてスキャンセルを備え、
スキャンセルを、ある組合せ回路の制御性および観測性
を向上させるためのスキャンチェーンの少なくとも一部
を構成するよう配線して、半導体集積回路を製造するた
めの全層のマスクパターンを作成し、その後の回路修正
に応じて、スキャンセルを、回路修正に対応する組合せ
回路の制御性および観測性を向上させるためのスキャン
チェーンの少なくとも一部を構成するように配線し直
し、配線層のみのマスクパターンを作成し直すことによ
り、上記課題を解決する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、スタンダードセル
方式等のように、下地トランジスタから製造される半導
体集積回路において、製造時にあらかじめ作り込まれ、
製造後の半導体集積回路を変更する際にのみ使用される
回路修正用セルを有効活用するための技術分野に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】ASIC(Application Specific IC:用
途限定IC)を実現する手法としては、大別してゲート
アレイ方式とスタンダードセル方式とがある。なお、詳
細には、トランジスタレベルから設計を行うフルカスタ
ム方式や、FPGA(Field Programmable Gate Array
)等のように、プログラマブルに論理を構成可能なプ
ログラマブル論理デバイス等もあるが、以下の説明では
ゲートアレイ方式とスタンダードセル方式とを対比させ
て説明を行う。
【0003】まず、ゲートアレイ方式では、基本セルが
格子状に配置され、ピン数、ゲート数、チップサイズ等
の異なる複数のベースアレイをあらかじめ製造してお
く。設計者は、ユーザ論理に応じて最適なベースアレイ
を選択し、メタル配線のみをカスタマイズすることによ
り様々な機能ブロックを構成する。ゲートアレイ方式で
は、メタル配線のみをカスタマイズすればよいため、作
成すべきマスクパターンの枚数が少なく、短期間で製造
できるという利点がある。
【0004】これに対し、スタンダードセル方式では、
設計者が基本セルやマクロセル等を含む全ての機能ブロ
ックを任意の場所に配置することができ、下地トランジ
スタやメタル配線等を含む全ての製造工程を経て製造さ
れる。従って、スタンダードセル方式では、ゲートアレ
イ方式と比べて作成すべきマスクパターンの枚数が多
く、製造期間が長くなるという問題はあるが、ゲートア
レイ方式よりも高密度化や最適化が可能であるという利
点を持っている。
【0005】しかし、ゲートアレイ方式のように、メタ
ル配線のみのカスタマイズで回路変更が可能なものに比
べて、スタンダードセル方式のように、下地トランジス
タから製造する半導体集積回路では、マスクパターンの
作成後や装置の製造後に回路変更が必要となる場合、下
地トランジスタやメタル配線等を含む全層のマスクパタ
ーンを作り直す必要がある。従って、一般的に、スタン
ダードセル方式はゲートアレイ方式よりも多くのコスト
や時間を必要とするという問題がある。
【0006】この対策として、スタンダードセル方式で
は、一般的にスペアセルと呼ばれ、回路変更時にのみ使
用される専用の回路修正用セルをあらかじめレイアウト
中に配置している。そして、スタンダードセル方式で
は、マスクパターンの作成後や装置の製造後に回路変更
が必要な際には、これらの回路修正用セルを使用して、
ゲートアレイ方式の場合と同様に、メタル配線のやり直
しのみで対応可能とする手法が用いられている。
【0007】ここで、図2に、従来の半導体集積回路の
一例の構成回路図を示す。同図は、回路修正用セルとし
てのフリップフロップ14の回路修正前の接続状態を示
す。同図には、ユーザ論理を概念的に示す2つの組合せ
回路16,18が配置されており、両者は1本の配線で
接続されている。回路修正用セルのフリップフロップ1
4はユーザ論理とは独立に配置され、その入力端子は全
て電源電位に接続され、その出力端子は開放状態とされ
ている。
【0008】図2に示すように、回路修正用セルは、回
路変更時にのみ使用されるスペアセルであるため、例え
ば入力端子を電源電位またはグランド電位に接続し、出
力端子を開放するなどして、ユーザ論理とは独立した箇
所に未使用状態で配置される。そして、回路修正が必要
な際には、この回路修正用セルを使用して、フリップフ
ロップのクロック端子、データ入力端子およびデータ出
力端子等を回路修正に応じて接続し直す。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】この回路修正用セルを
設けていないと、スタンダードセル方式では、回路修正
時に下地トランジスタから作り直さなければならなくな
る。しかし、回路修正はまれにしか行われない場合が多
く、その場合の回路修正用セルは、半導体チップ上に無
駄なセルとして存在することになるという問題がある。
また、従来の半導体集積回路では、回路修正用セルとし
てのフリップフロップやラッチのテストは何も考慮され
ていないというのが現実であった。
【0010】本発明の目的は、前記従来技術に基づく問
題点を解消し、本来回路修正のためだけに使用されるス
ペアセルを、より短いテストパターンで故障検出率を上
げるために有効利用して、テストのためのコストと時間
を削減することができる半導体集積回路およびその修正
方法を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、スキャンパス方式のテストを採用し、下
地トランジスタから製造される半導体集積回路であっ
て、回路修正用セルの記憶回路として、キャプチャー動
作とシフト動作とを切り替えるスキャンイネーブル信号
の状態に応じて、第1の組合せ回路からの出力とスキャ
ンイン信号とを選択的に保持してスキャンアウト信号と
して出力するスキャンセルと、通常動作とテスト動作と
を切り替えるスキャンモード信号の状態に応じて、前記
第1の組合せ回路からの出力と前記スキャンアウト信号
とを第2の組合せ回路に対して選択的に出力するマルチ
プレクサとを備え、前記スキャンセルは、前記第1およ
び第2の組合せ回路の制御性および観測性を向上させる
ためのスキャンチェーンの少なくとも一部を構成するこ
とを特徴とする半導体集積回路を提供するものである。
【0012】また、本発明は、スキャンパス方式のテス
トを採用し、下地トランジスタから製造される半導体集
積回路の修正方法であって、回路修正用セルの記憶回路
としてスキャンセルを備え、当該スキャンセルを、ある
組合せ回路の制御性および観測性を向上させるためのス
キャンチェーンの少なくとも一部を構成するよう配線し
て、前記半導体集積回路を製造するための全層のマスク
パターンを作成し、その後の回路修正に応じて、前記ス
キャンセルを、スキャンチェーンの一部であることを保
持したまま回路修正により新たにフリップフロップが必
要とされる所に接続し直し、配線層のみのマスクパター
ンを作成し直すことを特徴とする半導体集積回路の修正
方法を提供する。
【0013】
【発明の実施の形態】以下に、添付の図面に示す好適実
施例に基づいて、本発明の半導体集積回路およびその修
正方法を詳細に説明する。
【0014】図1は、本発明の半導体集積回路の一実施
例の構成回路図である。まず、同図(a)は、図2に示
す従来の半導体集積回路の回路修正用セルに対して本発
明を適用したもので、回路修正用セルの記憶回路として
のスキャンセル10の回路修正前の接続状態を示す。す
なわち、本発明では、記憶回路としてのフリップフロッ
プやラッチ等を、各々対応するタイプのスキャンセルに
置き換えて配置する。
【0015】なお、言うまでもなく、本発明は、組合せ
回路の制御性および観測性を向上させるために、記憶回
路としてスキャンセルを用いてスキャンチェーンを構成
するスキャンパス方式のテストを採用し、かつ、例えば
スタンダードセル方式やフルカスタム方式等を採用する
半導体集積回路のように下地トランジスタから製造さ
れ、しかも回路修正用セルとして記憶回路を備える半導
体集積回路に対して適用されるものである。
【0016】図1には、図2の場合と同じように2つの
組合せ回路16,18が配置され、両者は、スキャンテ
スト用のマルチプレクサ20を介して1本の配線で接続
されている。より詳しくは、図中左側の組合せ回路16
からの出力がマルチプレクサ20の入力端子0に入力さ
れ、マルチプレクサ20からの出力が図中右側の組合せ
回路18に入力されている。また、マルチプレクサ20
の選択入力端子にはスキャンモード信号SCAN MO
DEが入力されている。
【0017】また、回路修正用セルの記憶回路は、スキ
ャンイネーブル信号SCAN ENABLEに応じて、
入力0と入力1とを切り替えて出力するマルチプレクサ
12と、このマルチプレクサ12からの出力を保持する
フリップフロップ14とからなる、図2に示す従来の半
導体集積回路の回路修正用セルのフリップフロップに対
応するタイプのスキャンセル10である。なお、フリッ
プフロップ14の代わりに各種タイプのフリップフロッ
プやラッチ等を使用可能である。
【0018】ここで、マルチプレクサ12の入力端子0
には左側の組合せ回路16からの出力が入力され、その
入力端子1にはスキャンイン信号SCANINが入力さ
れている。また、フリップフロップ14のデータ入力端
子にはマルチプレクサ12からの出力が入力され、その
クロック入力端子にはクロック信号CLOCKが入力さ
れ、その出力は、スキャンアウト信号SCANOUTと
して出力されるとともに、マルチプレクサ20の入力端
子1にも入力されている。
【0019】なお、同図には、回路修正用セルの記憶回
路としてのスキャンセル10を1つのみ表示している
が、実際には、ユーザ論理の順序回路を構成する記憶回
路としてのスキャンセルが複数存在するし、本発明の回
路修正用セルの記憶回路としての他のスキャンセルが複
数存在していてもよい。スキャンテスト時には、これら
複数のスキャンセルが直列に接続され、1本ないしは複
数本のスキャンチェーン(シフトレジスタ)が構成され
る。
【0020】図示例の半導体集積回路において、スキャ
ンモード信号SCAN MODEは、通常動作とテスト
動作とを切り替える信号で、本実施例では、スキャンモ
ード信号SCAN MODEが‘0’の場合は通常動
作、‘1’の場合はテスト動作となる。マルチプレクサ
20からは、通常動作時には、組合せ回路16からの出
力が選択され、テスト動作時にはスキャンセル10を構
成するフリップフロップ14からの出力が選択出力され
る。
【0021】また、スキャンイネーブル信号SCAN
ENABLEは、スキャンセル10に対して、組合せ回
路16からの出力をキャプチャーするか、前段のスキャ
ンセル(図示省略)からの出力を取り込んでシフト動作
するかを切り替える信号で、本実施例では、スキャンイ
ネーブル信号SCAN ENABLEが‘0’の場合に
組合せ回路16からの出力をキャプチャーし、‘1’の
場合に前段のスキャンセルからの出力を取り込んでシフ
ト動作する。
【0022】スキャンイン信号SCANINは、この半
導体集積回路の外部から外部端子を通して入力される信
号、もしくは、前段のスキャンセルからのスキャンアウ
ト信号SCANOUTであり、これに対して、スキャン
アウト信号SCANOUTは、次段のスキャンセルへの
スキャンイン信号SCANIN、もしくは、この半導体
集積回路の外部端子を通して外部へ出力される信号であ
る。また、クロック信号CLOCKはスキャンテスト用
のクロック信号である。
【0023】回路修正前の半導体集積回路において、ス
キャンモード信号SCAN MODEが‘0’すなわち
通常動作時には、マルチプレクサ20からは組合せ回路
16からの出力が選択出力される。従って、通常動作時
の動作は、図2に示す従来の半導体集積回路と同じであ
る。これに対し、スキャンモード信号SCAN MOD
Eが‘1’すなわちテスト動作時には、マルチプレクサ
20からは、スキャンセル10からの出力が選択出力さ
れる。
【0024】テスト動作時には、スキャンイネーブル信
号SCAN ENABLEを‘0’とすれば、マルチプ
レクサ12からは組合せ回路16からの出力が選択出力
され、その間にクロック信号CLOCKを立ち上げるこ
とにより、マルチプレクサ12からの出力すなわち組合
せ回路16からの出力がフリップフロップ14に保持さ
れ、マルチプレクサ20を通して組合せ回路18に入力
されるとともに、スキャンアウト信号SCANOUTと
して出力される。
【0025】一方、テスト動作時にスキャンイネーブル
信号SCAN ENABLEを‘1’とすれば、マルチ
プレクサ12からはスキャンイン信号SCANINが選
択出力される。この間にクロック信号CLOCKを連続
的に立ち上げることにより、スキャンセルのフリップフ
ロップ14には前段のスキャンセルからの出力が順次シ
フトされ、その出力は、マルチプレクサ20を介して組
合せ回路18に入力されるとともに、スキャンアウト信
号SCANOUTとして順次出力される。
【0026】従って、スキャンパス方式を採用する本発
明の半導体集積回路では、対応する組合せ回路16から
の出力をスキャンセル10のフリップフロップ14に保
持し、これを順次シフトすることで組合せ回路16から
の出力を半導体集積回路の外部まで出力することができ
る。また、スキャンイン信号SCANINとして半導体
集積回路の外部から信号を順次シフトすれば、マルチプ
レクサ20を介して対応する組合せ回路18に任意の信
号を与えることができる。
【0027】このように、本発明の半導体集積回路で
は、回路修正用セルとしての記憶回路は、回路修正用セ
ルを回路修正のために使用しない場合、スキャンパス方
式のテストの際にスキャンチェーンの一部を構成するス
キャンセルとして使用される。これにより、組合せ回路
16,18をテストする際の制御性および観測性を向上
させることができ、従来よりも短いテストパターンで検
出率の高いテストを行うことができる。
【0028】ところで、ユーザ論理としてスキャンセル
を追加して図1(a)と同じ回路を実現することは容易
に可能である。しかし、本発明では、回路を追加するこ
となく、回路修正が必要ない場合には使用されない回路
修正用セルを使用してスキャンチェーンを構成し、組合
せ回路16,18の制御性および観測性を高めることが
できるとともに、回路修正用セルである記憶回路自身の
テストも同時に行うことができる、また、回路修正が必
要な場合には元のユーザ論理を変更することなく回路修
正用セル10を別の論理用に使うことができるという利
点がある。
【0029】次に、本発明の半導体集積回路の修正方法
に従って、マスクパターンの作成後や半導体集積回路の
製造後に回路修正が必要な場合について説明する。図1
(b)は、本発明の半導体集積回路の回路修正用セルの
記憶回路としてのスキャンセル10の回路修正後の接続
状態を示す。同図には、図1(a)に示す2つの組合せ
回路16,18に加えて、さらに回路変更後の接続元お
よび接続先となる2つの組合せ回路22,24を示して
いる。
【0030】回路修正が必要な場合、マルチプレクサ1
2の入力端子0に入力されていた組合せ回路16からの
出力を切断し、その代わりに回路変更後の接続元となる
組合せ回路22からの出力を接続する。また、フリップ
フロップ14からの出力信号を回路変更後の接続先とな
る組合せ回路24に接続する。なお、クロック信号CL
OCKを接続し直す必要がある場合には、回路修正に応
じてクロック信号CLOCKも接続し直す。組合せ回路
16と18の間に存在するマルチプレクサに接続される
すべての配線を切断し、組合せ回路16と18を接続す
る。マルチプレクサ20は必要に応じて回路修正に用い
てもよい。
【0031】そして、回路修正に伴う配線接続に応じ
て、配線層のマスクパターンのみを作成し直し、作成し
直した配線層のマスクパターンを使用して半導体集積回
路を製造し直す。なお、図1(a)に示すスキャンセル
10は、未使用の回路修正用セルを組合せ回路16,1
8のテストの制御性および観測性を向上させるために有
効利用しているものであるが、図1(b)に示すスキャ
ンセル10は、回路修正に伴って回路修正用セルをユー
ザ論理として使用しているものである。同時に組合せ回
路22の観測、組合せ回路24の制御を行うスキャンセ
ルとしても機能する。
【0032】回路修正後の半導体集積回路において、組
合せ回路16,18は、図2に示す従来の半導体集積回
路と同じである。この時、スキャンイネーブル信号SC
ANENABLEを‘0’とすれば、回路修正後の組合
せ回路22,24は通常動作する。
【0033】より詳しく説明すると、図2に示す従来の
半導体集積回路において、組合せ回路16,18は直結
されている。従って、その出力は、入力に応じて一意に
決定される。しかし、組合せ回路への入力数が多い場
合、全ての組合せをテストするのに長時間を必要とす
る。これを防止するために、本発明では、図1(a)に
示すように、未使用の回路修正用セルを有効利用して組
合せ回路16,18のテスト時の制御性および観測性を
向上させている。
【0034】回路修正用セルを使用して回路修正を行う
必要が生じた場合には、この回路修正用セルは、ユーザ
論理の一部として使用されるため、すなわち、未使用の
回路修正用セルではなくなるため、これを利用して組合
せ回路16,18のテスト時の制御性および観測性を向
上させることはできない。従って、組合せ回路16,1
8に関連する回路を、図2に示すような本来の構成に戻
す。
【0035】テスト動作時には、図示例のように、回路
修正後のユーザ論理である組合せ回路22,24につい
ても、通常のスキャンパス方式を採用するスキャンテス
トを実施することができる。
【0036】すなわち、スキャンイネーブル信号SCA
N ENABLEを‘0’とすれば、マルチプレクサ1
2からは組合せ回路22からの出力が選択され、その間
にクロック信号CLOCKを立ち上げることにより、マ
ルチプレクサ12からの出力すなわち組合せ回路22か
らの出力がフリップフロップ14に保持され、組合せ回
路24に入力されるとともに、スキャンアウト信号SC
ANOUTとして出力される。
【0037】また、テスト動作時にスキャンイネーブル
信号SCAN ENABLEを‘1’とすれば、マルチ
プレクサ12からはスキャンイン信号SCANINが選
択される。この間にクロック信号CLOCKを連続的に
立ち上げることにより、スキャンセルのフリップフロッ
プ14には前段のスキャンセルからの出力が順次シフト
され、その出力は、組合せ回路24に入力されるととも
に、スキャンアウト信号SCANOUTとして順次出力
される。
【0038】本発明の半導体集積回路の修正方法に従っ
て回路を修正することにより、従来通りに回路修正用セ
ルを使用して回路修正を行うことができる。本発明の半
導体集積回路およびその修正方法は、基本的に以上のよ
うなものである。以上、本発明の半導体集積回路および
その修正方法について詳細に説明したが、本発明は上記
実施例に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲に
おいて、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんで
ある。
【0039】
【発明の効果】以上詳細に説明した様に、本発明の半導
体集積回路は、回路修正用セルの記憶回路としてスキャ
ンセルを備え、未使用のスキャンセルを有効利用して、
組合せ回路のテスト時の制御性および観測性を向上させ
るためのスキャンチェーンを構成するものである。ま
た、本発明の半導体集積回路の修正方法は、前述のよう
に、未使用の回路修正用セルを有効利用し、回路修正が
必要な場合には、スキャンセルを、回路修正に対応する
組合せ回路の制御性および観測性を向上させるためのス
キャンチェーンの少なくとも一部を構成するように配線
し直し、配線層のみのマスクパターンを作成し直すもの
である。これにより、本発明によれば、回路を追加する
ことなく、組合せ回路をテストする際の制御性および観
測性を向上させることができ、従来よりも短いテストパ
ターンで検出率の高いテストを行うことができるととも
に、回路修正用セルである記憶回路自身のテストも同時
に行うことができる、また、回路修正が必要な場合には
元のユーザ論理を変更することなく回路修正用セルを別
の論理用に使うことができるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 (a)および(b)は、それぞれ本発明の半
導体集積回路の回路修正用セルの回路修正前および回路
修正後の接続状態を表す一実施例の構成回路図である。
【図2】 従来の半導体集積回路の回路修正用セルの回
路修正前の接続状態を表す一例の構成回路図である。
【符号の説明】
10 スキャンセル 12,20 マルチプレクサ 14 フリップフロップ 16,18,22,24 組合せ回路

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】スキャンパス方式のテストを採用し、下地
    トランジスタから製造される半導体集積回路であって、 回路修正用セルの記憶回路として、キャプチャー動作と
    シフト動作とを切り替えるスキャンイネーブル信号の状
    態に応じて、第1の組合せ回路からの出力とスキャンイ
    ン信号とを選択的に保持してスキャンアウト信号として
    出力するスキャンセルと、通常動作とテスト動作とを切
    り替えるスキャンモード信号の状態に応じて、前記第1
    の組合せ回路からの出力と前記スキャンアウト信号とを
    第2の組合せ回路に対して選択的に出力するマルチプレ
    クサとを備え、 前記スキャンセルは、前記第1および第2の組合せ回路
    の制御性および観測性を向上させるためのスキャンチェ
    ーンの少なくとも一部を構成することを特徴とする半導
    体集積回路。
  2. 【請求項2】スキャンパス方式のテストを採用し、下地
    トランジスタから製造される半導体集積回路の修正方法
    であって、 回路修正用セルの記憶回路としてスキャンセルを備え、 当該スキャンセルを、ある組合せ回路の制御性および観
    測性を向上させるためのスキャンチェーンの少なくとも
    一部を構成するよう配線して、前記半導体集積回路を製
    造するための全層のマスクパターンを作成し、 その後の回路修正に応じて、前記スキャンセルを、スキ
    ャンチェーンの一部であることを保持したまま回路修正
    により新たにフリップフロップが必要とされる所に接続
    し直し、配線層のみのマスクパターンを作成し直すこと
    を特徴とする半導体集積回路の修正方法。
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