JP2001185418A - グラニュラ膜及び磁性メモリ - Google Patents
グラニュラ膜及び磁性メモリInfo
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 更に安定したトンネル電流を得ることができ
る特性の良好なグラニュラ膜及び磁性メモリを提供す
る。 【解決手段】 一般的に、抵抗値と接合面積は反比例の
関係になる。これをグラフＧとして示す。グラニュラ膜
の絶縁性マトリクス中にＭｏを分散させた場合は（Ａ）
に示すようになり、Ｗを分散させた場合は（Ｂ）に示す
ようになる。いずれも、各サンプルの抵抗値がグラフＧ
に沿った分布となっており、トンネル電流制御膜として
良好な特性となっている。このような測定結果からする
と、絶縁性マトリクス中に分散させる金属微粒子とし
て、ＭｏやＷを使うことで、特性の良好なグラニュラ膜
を得ることができる。
る特性の良好なグラニュラ膜及び磁性メモリを提供す
る。 【解決手段】 一般的に、抵抗値と接合面積は反比例の
関係になる。これをグラフＧとして示す。グラニュラ膜
の絶縁性マトリクス中にＭｏを分散させた場合は（Ａ）
に示すようになり、Ｗを分散させた場合は（Ｂ）に示す
ようになる。いずれも、各サンプルの抵抗値がグラフＧ
に沿った分布となっており、トンネル電流制御膜として
良好な特性となっている。このような測定結果からする
と、絶縁性マトリクス中に分散させる金属微粒子とし
て、ＭｏやＷを使うことで、特性の良好なグラニュラ膜
を得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁マトリクス中
に金属微粒子が分散されたグラニュラ膜及び磁化の向き
によって情報を記録する磁気メモリの改良に関するもの
である。
に金属微粒子が分散されたグラニュラ膜及び磁化の向き
によって情報を記録する磁気メモリの改良に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】磁性層と非磁性層の積層膜の電気抵抗
が、磁性層の磁化の状態によって大きく変化する現象
は、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）と呼ばれており、これ
を利用した磁性メモリは、大きな出力信号を得ることが
できるとともに、高速読み出しも可能であることから注
目されている。この現象を利用したものとして、特開平
７−６６０３３号公報に開示された磁気抵抗素子ならび
にそれを用いた磁性薄膜メモリ及び磁気抵抗センサがあ
る。
が、磁性層の磁化の状態によって大きく変化する現象
は、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）と呼ばれており、これ
を利用した磁性メモリは、大きな出力信号を得ることが
できるとともに、高速読み出しも可能であることから注
目されている。この現象を利用したものとして、特開平
７−６６０３３号公報に開示された磁気抵抗素子ならび
にそれを用いた磁性薄膜メモリ及び磁気抵抗センサがあ
る。
【０００３】この特開平７−６６０３３号公報の磁性メ
モリでは、センス電流が膜面と平行に流れる。しかし、
巨大磁気抵抗効果素子においては、センス電流は、膜面
内よりも膜面に対して垂直に流れた場合の方が大きな抵
抗変化が得られることが理論的に推測されており、それ
を裏付ける実験結果も報告され始めている（例えば、日
本応用磁気学会第８８回研究会資料，Ｐ１〜６，新庄輝
也「巨大磁気抵抗効果研究の最近の進展」参照）。ま
た、上述した特開平７−６６０３３号の従来技術では、
各セルが直列に配置されている。このため、セル数が増
大すると、同一センスライン全体の抵抗も増大する。こ
こで、同一センスライン上の一つのセルの抵抗が変化す
る場合を考えると、センスライン全体の抵抗値が高いと
きは、全抵抗に対する一つのセルの抵抗変化率が非常に
小さくなってしまう。従って、抵抗変化の検出感度は、
セル数が増大すればするほど低くならざるを得ない。
モリでは、センス電流が膜面と平行に流れる。しかし、
巨大磁気抵抗効果素子においては、センス電流は、膜面
内よりも膜面に対して垂直に流れた場合の方が大きな抵
抗変化が得られることが理論的に推測されており、それ
を裏付ける実験結果も報告され始めている（例えば、日
本応用磁気学会第８８回研究会資料，Ｐ１〜６，新庄輝
也「巨大磁気抵抗効果研究の最近の進展」参照）。ま
た、上述した特開平７−６６０３３号の従来技術では、
各セルが直列に配置されている。このため、セル数が増
大すると、同一センスライン全体の抵抗も増大する。こ
こで、同一センスライン上の一つのセルの抵抗が変化す
る場合を考えると、センスライン全体の抵抗値が高いと
きは、全抵抗に対する一つのセルの抵抗変化率が非常に
小さくなってしまう。従って、抵抗変化の検出感度は、
セル数が増大すればするほど低くならざるを得ない。
【０００４】このような不都合を解消することを目的と
して、スピントンネル結合を利用した磁性メモリが提案
されている（例えば、日本応用磁気学会誌Ｖol.２０，
Ｎo.２，Ｐ３６９〜３７２，１９９６，王智剛・中村慶
久「ＧＭＲ人工格子メモリの記憶メカニズム」参照）。
スピントンネル磁気抵抗効果型の磁性メモリは、図３に
積層構造を示すように、非磁性基板１００上に、強磁性
体による第一磁性層１０２，非磁性体によるスペーサ層
もしくは絶縁層１０４，強磁性体による第二磁性層１０
６を積層形成した構成となっている。更に、情報記録用
のワード線１０８が、積層膜の上部又は下部に配置形成
されている。磁性層１０２，１０６は、保磁力に差が生
ずるように、Ｃｏ基合金の組成や成膜条件を変化させる
ことによって成膜される。各磁性層１０２，１０６は、
図示しないセンスラインに接続されている。
して、スピントンネル結合を利用した磁性メモリが提案
されている（例えば、日本応用磁気学会誌Ｖol.２０，
Ｎo.２，Ｐ３６９〜３７２，１９９６，王智剛・中村慶
久「ＧＭＲ人工格子メモリの記憶メカニズム」参照）。
スピントンネル磁気抵抗効果型の磁性メモリは、図３に
積層構造を示すように、非磁性基板１００上に、強磁性
体による第一磁性層１０２，非磁性体によるスペーサ層
もしくは絶縁層１０４，強磁性体による第二磁性層１０
６を積層形成した構成となっている。更に、情報記録用
のワード線１０８が、積層膜の上部又は下部に配置形成
されている。磁性層１０２，１０６は、保磁力に差が生
ずるように、Ｃｏ基合金の組成や成膜条件を変化させる
ことによって成膜される。各磁性層１０２，１０６は、
図示しないセンスラインに接続されている。
【０００５】ワード線１０８に電流を流すと、その電流
に応じた磁界が周囲に発生し、磁性層１０２，１０６を
磁化する。図４（Ａ）は、ワード線１０８に紙面の表側
から裏側に向けて十分な電流を流した状態である。ワー
ド線１０８に対する通電によって発生する磁界は、矢印
ＦＡで示すように紙面上で時計回りとなる。このため、
磁性層１０２，１０６の磁化の向きは、矢印Ｆａで示す
ようにいずれも左向きとなる。両磁性層の磁化の向きが
同じであるため、この状態におけるセンスラインの抵抗
は低い。
に応じた磁界が周囲に発生し、磁性層１０２，１０６を
磁化する。図４（Ａ）は、ワード線１０８に紙面の表側
から裏側に向けて十分な電流を流した状態である。ワー
ド線１０８に対する通電によって発生する磁界は、矢印
ＦＡで示すように紙面上で時計回りとなる。このため、
磁性層１０２，１０６の磁化の向きは、矢印Ｆａで示す
ようにいずれも左向きとなる。両磁性層の磁化の向きが
同じであるため、この状態におけるセンスラインの抵抗
は低い。
【０００６】図４（Ｂ）は、ワード線１０８に紙面の裏
側から表側に向けて適度な電流を流した状態である。ワ
ード線１０８に対する通電によって発生する磁界は、矢
印ＦＢで示すように紙面上で反時計回りとなる。ここで
電流値を調節すれば、矢印Ｆｂで示すように、保磁力の
小さい磁性層１０６の磁化方向のみが反転する。このた
め、磁性層１０２，１０６の磁化の向きが互いに逆向き
となり、巨大磁気抵抗効果が生じて、センスラインの抵
抗は高くなる。以上のようなセンスライン抵抗の高低に
よって、情報（論理値の「１」，「０」）を記録するこ
とができる。
側から表側に向けて適度な電流を流した状態である。ワ
ード線１０８に対する通電によって発生する磁界は、矢
印ＦＢで示すように紙面上で反時計回りとなる。ここで
電流値を調節すれば、矢印Ｆｂで示すように、保磁力の
小さい磁性層１０６の磁化方向のみが反転する。このた
め、磁性層１０２，１０６の磁化の向きが互いに逆向き
となり、巨大磁気抵抗効果が生じて、センスラインの抵
抗は高くなる。以上のようなセンスライン抵抗の高低に
よって、情報（論理値の「１」，「０」）を記録するこ
とができる。
【０００７】このように、積層構造を持つトンネル接合
において、トンネル抵抗は両磁性層１０２，１０６の磁
化方向の相対角度に依存して変化する。両強磁性層の磁
化が互いに逆方向を向いているときはトンネル抵抗は高
く、両強磁性層の磁化が同一方向を向いているときはト
ンネル抵抗は低くなる。
において、トンネル抵抗は両磁性層１０２，１０６の磁
化方向の相対角度に依存して変化する。両強磁性層の磁
化が互いに逆方向を向いているときはトンネル抵抗は高
く、両強磁性層の磁化が同一方向を向いているときはト
ンネル抵抗は低くなる。
【０００８】ところで、前記文献によれば、スピントン
ネル磁気抵抗効果を利用した磁性メモリは高Ｓ／Ｎが期
待できることが報告されている。このタイプでは、セン
ス電流が膜面に対して垂直方向に流れ、各セルは並列に
配置されている。スピントンネル結合の場合、スペ−サ
となる非磁性層が絶縁体によって形成される。このた
め、膜面に対する垂直方向の抵抗がある程度大きくな
り、センス電流を膜面に対して垂直方向に流すことが可
能となる。
ネル磁気抵抗効果を利用した磁性メモリは高Ｓ／Ｎが期
待できることが報告されている。このタイプでは、セン
ス電流が膜面に対して垂直方向に流れ、各セルは並列に
配置されている。スピントンネル結合の場合、スペ−サ
となる非磁性層が絶縁体によって形成される。このた
め、膜面に対する垂直方向の抵抗がある程度大きくな
り、センス電流を膜面に対して垂直方向に流すことが可
能となる。
【０００９】以上のようなスピントンネル磁気抵抗効果
を得るためには、絶縁層に対して、 電子がトンネルできる薄さであること，ピンホール
などがなく、しかも均一な絶縁膜であることが求められ
る。このため、絶縁層は数nmという極薄膜にする必要が
あり、しかも欠陥などによって上下の磁性層がショート
しないようにする必要がある。このような点から、絶縁
層としてはＡｌ（アルミニウム）酸化物が多く使われて
おり、その膜厚は数nm以下の厚さとなっている。また、
欠陥が生じないように、Ａｌの自然酸化法が多く用いら
れている。
を得るためには、絶縁層に対して、 電子がトンネルできる薄さであること，ピンホール
などがなく、しかも均一な絶縁膜であることが求められ
る。このため、絶縁層は数nmという極薄膜にする必要が
あり、しかも欠陥などによって上下の磁性層がショート
しないようにする必要がある。このような点から、絶縁
層としてはＡｌ（アルミニウム）酸化物が多く使われて
おり、その膜厚は数nm以下の厚さとなっている。また、
欠陥が生じないように、Ａｌの自然酸化法が多く用いら
れている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た数nm（例えば３nm）程度の絶縁薄膜を均一にしかもピ
ンホールや異物の影響がないように形成することは非常
に難しく、必ずしも量産向きではない。上述した方法で
は、正常に動作するセルが得られる確率は非常に低い。
また、超薄膜のため、基板の表面性の影響を直接受けや
すく、基板の超平滑化が必要となってくる。このような
基板の平滑化の点からもコスト高となってしまう。
た数nm（例えば３nm）程度の絶縁薄膜を均一にしかもピ
ンホールや異物の影響がないように形成することは非常
に難しく、必ずしも量産向きではない。上述した方法で
は、正常に動作するセルが得られる確率は非常に低い。
また、超薄膜のため、基板の表面性の影響を直接受けや
すく、基板の超平滑化が必要となってくる。このような
基板の平滑化の点からもコスト高となってしまう。
【００１１】以上のような不都合を改良するものとし
て、例えば特願平１１−２７６５７６号として出願され
た磁性メモリがある。これによれば、第一の強磁性膜と
第二の強磁性膜の間のトンネル電流を制御するトンネル
電流制御膜として、ＳｉＯ２による絶縁性マトリクス中
に金属微粒子としてＣｒを分散したグラニュラ膜が使用
される。これをＡｌの自然酸化膜と比較すれば、トンネ
ル電流は相当安定するようになるが、しかし必ずしも満
足し得るものとはいえず、更に特性の良好なトンネル電
流制御膜が要望されている。
て、例えば特願平１１−２７６５７６号として出願され
た磁性メモリがある。これによれば、第一の強磁性膜と
第二の強磁性膜の間のトンネル電流を制御するトンネル
電流制御膜として、ＳｉＯ２による絶縁性マトリクス中
に金属微粒子としてＣｒを分散したグラニュラ膜が使用
される。これをＡｌの自然酸化膜と比較すれば、トンネ
ル電流は相当安定するようになるが、しかし必ずしも満
足し得るものとはいえず、更に特性の良好なトンネル電
流制御膜が要望されている。
【００１２】本発明は、以上の点に着目したもので、更
に安定したトンネル電流を得ることができる特性の良好
なグラニュラ膜及び磁性メモリを提供することを、その
目的とするものである。
に安定したトンネル電流を得ることができる特性の良好
なグラニュラ膜及び磁性メモリを提供することを、その
目的とするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁性マトリ
クス中に金属微粒子が分散されており、磁気抵抗効果に
おけるトンネル電流を制御するためのグラニュラ膜であ
って、前記絶縁性マトリクスとしてＳｉＯ２を使用し、
前記金属微粒子としてＭｏもしくはＷを使用したことを
特徴とする。他の発明は、第一の強磁性膜と第二の強磁
性膜の間にトンネル電流を制御するトンネル電流制御膜
を積層形成した磁性メモリにおいて、前記トンネル電流
制御膜として、前記いずれかのグラニュラ膜を使用した
ことを特徴とする。
クス中に金属微粒子が分散されており、磁気抵抗効果に
おけるトンネル電流を制御するためのグラニュラ膜であ
って、前記絶縁性マトリクスとしてＳｉＯ２を使用し、
前記金属微粒子としてＭｏもしくはＷを使用したことを
特徴とする。他の発明は、第一の強磁性膜と第二の強磁
性膜の間にトンネル電流を制御するトンネル電流制御膜
を積層形成した磁性メモリにおいて、前記トンネル電流
制御膜として、前記いずれかのグラニュラ膜を使用した
ことを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
詳細に説明する。 ＜実施例１＞……最初に実施例１について説明する。こ
の実施例１では、グラニュラ膜として、ＳｉＯ２を絶縁
性マトリクスとして使用し、これに金属微粒子としてＭ
ｏ微粒子を分散したものを使用している。この例のグラ
ニュラ薄膜は、例えばＲＦスパッタリング装置を用い
て、以下の条件で成膜する。まず、φ１５２．４mm（６
インチ）のＳｉＯ２ターゲット上に、５×５×１mmのＭ
ｏチップを配置する。そして、高周波電力３００Ｗ，Ａ
ｒガス圧力２Ｐａでスパッタリングを行い、膜厚１００
nmのグラニュラ膜を形成する。なお、図３に示した他の
各層の形成条件は、従来と同様である。
詳細に説明する。 ＜実施例１＞……最初に実施例１について説明する。こ
の実施例１では、グラニュラ膜として、ＳｉＯ２を絶縁
性マトリクスとして使用し、これに金属微粒子としてＭ
ｏ微粒子を分散したものを使用している。この例のグラ
ニュラ薄膜は、例えばＲＦスパッタリング装置を用い
て、以下の条件で成膜する。まず、φ１５２．４mm（６
インチ）のＳｉＯ２ターゲット上に、５×５×１mmのＭ
ｏチップを配置する。そして、高周波電力３００Ｗ，Ａ
ｒガス圧力２Ｐａでスパッタリングを行い、膜厚１００
nmのグラニュラ膜を形成する。なお、図３に示した他の
各層の形成条件は、従来と同様である。
【００１５】以上のようにして、ＳｉＯ２中にＭｏが分
散したグラニュラ膜を非磁性絶縁層として含むセルを得
る。セルのサンプルは、第一磁性層及び第二磁性層と非
磁性絶縁層との接合面積を変化させて複数作製する。
散したグラニュラ膜を非磁性絶縁層として含むセルを得
る。セルのサンプルは、第一磁性層及び第二磁性層と非
磁性絶縁層との接合面積を変化させて複数作製する。
【００１６】＜実施例２＞……次に実施例２について説
明する。この実施例２では、上述した実施例１における
グラニュラ膜中の金属微粒子として、Ｍｏの変わりにＷ
を使用したものである。他は、前記実施例１と同様であ
る。
明する。この実施例２では、上述した実施例１における
グラニュラ膜中の金属微粒子として、Ｍｏの変わりにＷ
を使用したものである。他は、前記実施例１と同様であ
る。
【００１７】＜比較例＞……次に、比較例として、従来
技術で説明したように、Ｃｒを金属微粒子としてＳｉＯ
２に分散したグラニュラ膜を作製した。この比較例も、
同様に第一磁性層及び第二磁性層と非磁性絶縁層との接
合面積を変化させて複数作製する。
技術で説明したように、Ｃｒを金属微粒子としてＳｉＯ
２に分散したグラニュラ膜を作製した。この比較例も、
同様に第一磁性層及び第二磁性層と非磁性絶縁層との接
合面積を変化させて複数作製する。
【００１８】＜特性の比較＞……次に、上述した各実施
例及び比較例のグラニュラ膜を評価するため、上述した
各セルにおけるグラニュラ膜の抵抗値を測定した。図１
には、前記実施例の接合面積と抵抗値の関係が示されて
おり、図２には比較例の接合面積と抵抗値の関係が示さ
れている。これらの図において、横軸はグラニュラ膜の
接合面積であり、縦軸はグラニュラ膜の抵抗値である。
一般的に、抵抗値と接合面積は反比例の関係になる。そ
こで、反比例の関係を示すｙ＝ａ／ｘのグラフＧを図中
に示した。なお、「ｘ」は接合面積であり、「ｙ」は抵
抗値であり、「ａ」は定数である。
例及び比較例のグラニュラ膜を評価するため、上述した
各セルにおけるグラニュラ膜の抵抗値を測定した。図１
には、前記実施例の接合面積と抵抗値の関係が示されて
おり、図２には比較例の接合面積と抵抗値の関係が示さ
れている。これらの図において、横軸はグラニュラ膜の
接合面積であり、縦軸はグラニュラ膜の抵抗値である。
一般的に、抵抗値と接合面積は反比例の関係になる。そ
こで、反比例の関係を示すｙ＝ａ／ｘのグラフＧを図中
に示した。なお、「ｘ」は接合面積であり、「ｙ」は抵
抗値であり、「ａ」は定数である。
【００１９】これらの図を比較すると、図１（Ａ）の実
施例１及び図１（Ｂ）の実施例２については、各サンプ
ルの抵抗値（○印）がいずれもグラフＧに沿った分布と
なっており、トンネル電流制御膜として良好な特性とな
っている。これに対し、図２に示す比較例については、
各サンプルの抵抗値（○印）がグラフＧからかなりはず
れており、良好なトンネル電流制御膜として働いていな
い。
施例１及び図１（Ｂ）の実施例２については、各サンプ
ルの抵抗値（○印）がいずれもグラフＧに沿った分布と
なっており、トンネル電流制御膜として良好な特性とな
っている。これに対し、図２に示す比較例については、
各サンプルの抵抗値（○印）がグラフＧからかなりはず
れており、良好なトンネル電流制御膜として働いていな
い。
【００２０】このような測定結果からすると、絶縁性マ
トリクス中に分散させる金属微粒子として、Ｃｒの代り
に、ＭｏやＷを使ったほうが、特性の良好なグラニュラ
膜を得ることができることがわかる。
トリクス中に分散させる金属微粒子として、Ｃｒの代り
に、ＭｏやＷを使ったほうが、特性の良好なグラニュラ
膜を得ることができることがわかる。
【００２１】なお、本発明は何ら上記実施形態に限定さ
れるものではなく、例えば前記実施形態では、グラニュ
ラ層の作製にＲＦスパッタ法を用いたが、蒸着法など他
の公知の成膜方法を用いてよい。また、グラニュラ膜の
膜厚も、所要の特性が得られるよう適宜設定してよい。
他の非磁性基板や磁性層についても同様である。
れるものではなく、例えば前記実施形態では、グラニュ
ラ層の作製にＲＦスパッタ法を用いたが、蒸着法など他
の公知の成膜方法を用いてよい。また、グラニュラ膜の
膜厚も、所要の特性が得られるよう適宜設定してよい。
他の非磁性基板や磁性層についても同様である。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
グラニュラ膜を構成する絶縁性マトリクスとしてＳｉＯ
２を使用するとともに、導電性微粒子としてＭｏもしく
はＷを使用することとしたので、より安定したトンネル
電流を得ることができ、特性の安定したメモリセルを量
産することが可能となるという効果がある。
グラニュラ膜を構成する絶縁性マトリクスとしてＳｉＯ
２を使用するとともに、導電性微粒子としてＭｏもしく
はＷを使用することとしたので、より安定したトンネル
電流を得ることができ、特性の安定したメモリセルを量
産することが可能となるという効果がある。
【図１】本発明の実施例のセル接合面積と抵抗値の関係
を示す図である。
を示す図である。
【図２】比較例のセル接合面積と抵抗値の関係を示す図
である。
である。
【図３】スピントンネル磁気抵抗効果型の磁性メモリの
積層構造を示す図である。
積層構造を示す図である。
【図４】前記図３の磁性メモリにおける磁化の様子を示
す図である。
す図である。
１００…非磁性基板 １０２…第一磁性層 １０４…絶縁層 １０６…第二磁性層 １０８…ワード線 Ｇ…反比例を表すグラフ
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁性マトリクス中に金属微粒子が分散
されており、磁気抵抗効果におけるトンネル電流を制御
するためのグラニュラ膜であって、 前記絶縁性マトリクスとしてＳｉＯ２を使用し、前記金
属微粒子としてＭｏを使用したことを特徴とするグラニ
ュラ膜。 - 【請求項２】 絶縁性マトリクス中に金属微粒子が分散
されており、磁気抵抗効果におけるトンネル電流を制御
するためのグラニュラ膜であって、 前記絶縁性マトリクスとしてＳｉＯ２を使用し、前記金
属微粒子としてＷを使用したことを特徴とするグラニュ
ラ膜。 - 【請求項３】 第一の強磁性膜と第二の強磁性膜の間に
トンネル電流を制御するトンネル電流制御膜を積層形成
した磁性メモリにおいて、 前記トンネル電流制御膜として、請求項１又は２記載の
グラニュラ膜を使用したことを特徴とする磁性メモリ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36588799A JP2001185418A (ja) | 1999-12-24 | 1999-12-24 | グラニュラ膜及び磁性メモリ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36588799A JP2001185418A (ja) | 1999-12-24 | 1999-12-24 | グラニュラ膜及び磁性メモリ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001185418A true JP2001185418A (ja) | 2001-07-06 |
Family
ID=18485371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36588799A Pending JP2001185418A (ja) | 1999-12-24 | 1999-12-24 | グラニュラ膜及び磁性メモリ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001185418A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100394628C (zh) * | 2001-12-27 | 2008-06-11 | 富士通株式会社 | 磁电阻元件 |
| US7573686B2 (en) | 2006-06-26 | 2009-08-11 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head including low-resistance TMR element |
-
1999
- 1999-12-24 JP JP36588799A patent/JP2001185418A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100394628C (zh) * | 2001-12-27 | 2008-06-11 | 富士通株式会社 | 磁电阻元件 |
| US7573686B2 (en) | 2006-06-26 | 2009-08-11 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head including low-resistance TMR element |
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