JP2001176031A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 記録ヘッドの磁界によって再生素子の磁区が
乱されることを抑制し、再生出力のノイズを低減する薄
膜磁気ヘッドを提供する。 【解決手段】 下部シールドと上部シールドの間に再生
素子を設けたＭＲヘッドと、磁気回路を形成する上部磁
極と下部磁極との接合部の周囲に配置された薄膜コイル
を有する記録ヘッドとを備える薄膜磁気ヘッドであっ
て、前記ＭＲヘッドと前記記録ヘッドが分離されてお
り、前記上部シールドの長さＬＵＳが媒体対向面から前
記下部磁極のバックギャップまでの距離ＬＢＰに対し
て、ＬＵＳ≦ＬＢ Ｐの関係にあることを特徴とする。
乱されることを抑制し、再生出力のノイズを低減する薄
膜磁気ヘッドを提供する。 【解決手段】 下部シールドと上部シールドの間に再生
素子を設けたＭＲヘッドと、磁気回路を形成する上部磁
極と下部磁極との接合部の周囲に配置された薄膜コイル
を有する記録ヘッドとを備える薄膜磁気ヘッドであっ
て、前記ＭＲヘッドと前記記録ヘッドが分離されてお
り、前記上部シールドの長さＬＵＳが媒体対向面から前
記下部磁極のバックギャップまでの距離ＬＢＰに対し
て、ＬＵＳ≦ＬＢ Ｐの関係にあることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜コイルを用い
る薄膜ヘッドと磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）を備える
薄膜磁気ヘッドに関し、特に再生素子にＧＭＲ素子を用
いる薄膜磁気ヘッドに係る。
る薄膜ヘッドと磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）を備える
薄膜磁気ヘッドに関し、特に再生素子にＧＭＲ素子を用
いる薄膜磁気ヘッドに係る。
【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜磁気ヘッドの構成を図５で説
明する。図５の（ａ）は薄膜磁気ヘッドを設けたスライ
ダーの斜視図である。このスライダー１０１は、非磁性
基板１０３の底面に媒体対向面１０２を形成し、その側
面に薄膜磁気ヘッド１０４やその電極パッド１０５を設
けた構造である。薄膜磁気ヘッド１０４を設けた箇所の
詳細を図５（ｂ）の斜視図に拡大して説明する。図５
（ｂ）において、薄膜磁気ヘッドは非磁性基板１０３の
上に、下部シールド１１１、再生素子１１３、下部磁極
としての機能を有するミッドシールド１１２、上部磁極
１１４、上部磁極とミッドシールドの間に巻かれた薄膜
コイル１０６を有する。非磁性基板上に設けたこれらの
構成をアルミナの保護膜１１５で被覆している。引き出
し端子１０５ｂは、薄膜コイル１０６や再生素子１１３
を外部回路に接続する電極パッド１０５に接続させる。
また、ミッドシールドより上に積層した領域は記録ヘッ
ド１０４Ｗに相当し、ミッドシールドより下に形成した
領域はＭＲヘッド１０４Ｒに相当し、双方を合わせて薄
膜磁気ヘッドの先端部１０４を構成している。記録ヘッ
ド１０４Ｗは、ミッドシールド（下部磁極）と上部磁極
の接合部で磁気的に接合され、この接合部の周囲に薄膜
コイルが巻かれており、先端部で記録ギャップ膜を介し
て対向することにより、磁気的なギャップを構成する。
薄膜コイルに電流を流すと、このギャップから記録磁界
を発生させることができる。（ｂ）の構成をｘ軸方向か
らみた一部拡大断面図を図６に示す。再生素子１１３は
絶縁膜１１３ａで覆い、ミッドシールド１１２と上部磁
極１１４の間には記録ギャップ膜１１２ａを設け、薄膜
コイル１０６は絶縁樹脂膜で被覆した。
明する。図５の（ａ）は薄膜磁気ヘッドを設けたスライ
ダーの斜視図である。このスライダー１０１は、非磁性
基板１０３の底面に媒体対向面１０２を形成し、その側
面に薄膜磁気ヘッド１０４やその電極パッド１０５を設
けた構造である。薄膜磁気ヘッド１０４を設けた箇所の
詳細を図５（ｂ）の斜視図に拡大して説明する。図５
（ｂ）において、薄膜磁気ヘッドは非磁性基板１０３の
上に、下部シールド１１１、再生素子１１３、下部磁極
としての機能を有するミッドシールド１１２、上部磁極
１１４、上部磁極とミッドシールドの間に巻かれた薄膜
コイル１０６を有する。非磁性基板上に設けたこれらの
構成をアルミナの保護膜１１５で被覆している。引き出
し端子１０５ｂは、薄膜コイル１０６や再生素子１１３
を外部回路に接続する電極パッド１０５に接続させる。
また、ミッドシールドより上に積層した領域は記録ヘッ
ド１０４Ｗに相当し、ミッドシールドより下に形成した
領域はＭＲヘッド１０４Ｒに相当し、双方を合わせて薄
膜磁気ヘッドの先端部１０４を構成している。記録ヘッ
ド１０４Ｗは、ミッドシールド（下部磁極）と上部磁極
の接合部で磁気的に接合され、この接合部の周囲に薄膜
コイルが巻かれており、先端部で記録ギャップ膜を介し
て対向することにより、磁気的なギャップを構成する。
薄膜コイルに電流を流すと、このギャップから記録磁界
を発生させることができる。（ｂ）の構成をｘ軸方向か
らみた一部拡大断面図を図６に示す。再生素子１１３は
絶縁膜１１３ａで覆い、ミッドシールド１１２と上部磁
極１１４の間には記録ギャップ膜１１２ａを設け、薄膜
コイル１０６は絶縁樹脂膜で被覆した。
【０００３】図５の（ｂ）の構成を媒体対向面１０２
（ｘｚ平面）で拡大した様子を同図の（ｃ）に示す。記
録ヘッドとＭＲヘッドが共有するミッドシールドは、下
部磁極と上部シールドの両方の機能を有する。基板１０
３側には、下部シールド１１１と、再生素子１１３と、
ミッドシールド１１２と、上部磁極１１４を有し、これ
らの層間を絶縁するためにアルミナの絶縁膜を設けると
ともに、アルミナの保護膜１１５を被覆している。再生
素子は、磁気抵抗効果を利用したものであり、ＭＲ素
子、スピンバルブ素子、ＧＭＲ素子等を含む用語として
用いる。
（ｘｚ平面）で拡大した様子を同図の（ｃ）に示す。記
録ヘッドとＭＲヘッドが共有するミッドシールドは、下
部磁極と上部シールドの両方の機能を有する。基板１０
３側には、下部シールド１１１と、再生素子１１３と、
ミッドシールド１１２と、上部磁極１１４を有し、これ
らの層間を絶縁するためにアルミナの絶縁膜を設けると
ともに、アルミナの保護膜１１５を被覆している。再生
素子は、磁気抵抗効果を利用したものであり、ＭＲ素
子、スピンバルブ素子、ＧＭＲ素子等を含む用語として
用いる。
【０００４】
【発明の解決しようとする課題】従来構成のミッドシー
ルドは、下部磁極及び上部シールドとして用いていた。
しかし、再生素子の感度向上に伴って、ミッドシールド
中の磁区の変化が再生素子の出力に影響を与えるように
なった。記録ヘッドで磁界を発生させると、その磁界に
よって変化したミッドシールドの磁区が再生素子の磁区
を乱す。また、記録ヘッドの磁界が直接に再生素子の磁
区を乱すこともある。再生素子の磁区の乱れは、再生出
力の変動（ＣＯＶ）としてノイズの原因となる。そこ
で、本発明の目的は、記録ヘッドの磁界によって再生素
子の磁区が乱されることを抑制し、再生出力のノイズを
低減する薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
ルドは、下部磁極及び上部シールドとして用いていた。
しかし、再生素子の感度向上に伴って、ミッドシールド
中の磁区の変化が再生素子の出力に影響を与えるように
なった。記録ヘッドで磁界を発生させると、その磁界に
よって変化したミッドシールドの磁区が再生素子の磁区
を乱す。また、記録ヘッドの磁界が直接に再生素子の磁
区を乱すこともある。再生素子の磁区の乱れは、再生出
力の変動（ＣＯＶ）としてノイズの原因となる。そこ
で、本発明の目的は、記録ヘッドの磁界によって再生素
子の磁区が乱されることを抑制し、再生出力のノイズを
低減する薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、下部シールドと上部シールドの間に再生素子を設け
たＭＲヘッドと、磁気回路を形成する上部磁極と下部磁
極の接合部の周囲に配置された薄膜コイルを有する記録
ヘッドとを備える薄膜磁気ヘッドであって、前記ＭＲヘ
ッドと前記記録ヘッドが非磁性の絶縁膜を介して分離さ
れており、前記上部シールドの長さＬＵＳが媒体対向面
から前記下部磁極のバックギャップまでの距離ＬＢＰに
対して、ＬＵＳ≦ＬＢＰの関係にあることを特徴とす
る。好ましくは、前記上部シールドの長さＬＵＳが前記
下部磁極のバックギャップまでの距離ＬＢＰより短い構
成とする。ＭＲヘッドと記録ヘッドの分離とは、シール
ドと磁極を同じ膜で兼用しないで、別々の部材として形
成することである。ＬＵＳは、上部シールドの媒体対向
面に垂直な向きにおける長さである。
は、下部シールドと上部シールドの間に再生素子を設け
たＭＲヘッドと、磁気回路を形成する上部磁極と下部磁
極の接合部の周囲に配置された薄膜コイルを有する記録
ヘッドとを備える薄膜磁気ヘッドであって、前記ＭＲヘ
ッドと前記記録ヘッドが非磁性の絶縁膜を介して分離さ
れており、前記上部シールドの長さＬＵＳが媒体対向面
から前記下部磁極のバックギャップまでの距離ＬＢＰに
対して、ＬＵＳ≦ＬＢＰの関係にあることを特徴とす
る。好ましくは、前記上部シールドの長さＬＵＳが前記
下部磁極のバックギャップまでの距離ＬＢＰより短い構
成とする。ＭＲヘッドと記録ヘッドの分離とは、シール
ドと磁極を同じ膜で兼用しないで、別々の部材として形
成することである。ＬＵＳは、上部シールドの媒体対向
面に垂直な向きにおける長さである。
【０００６】上記本発明において、前記下部シールドの
長さＬＢＳは前記ＬＵＳに対して、ＬＵＳ≦ＬＢＳの関
係とすることができる。上部シールドと下部シールドを
共に長さを短くしすぎると、ＭＲ素子を磁気的にシール
ドする機能が低下するため、前記下部シールドの長さＬ
ＢＳは前記ＬＵＳより長いことがより望ましい。さら
に、下部シールドの長さＬＢＳをＬＢＰより長くする
と、記録ヘッドとＭＲヘッド間の平坦化を行いやすく、
放熱性を確保するうえで好ましい。また、本発明では、
下部磁極をパターニングをする際に、上部シールドと下
部シールドを同時にパターニングすることで、前記上部
シールドの媒体対向面側の幅ＷＵＳが、前記下部磁極の
幅ＷＢＰと同様の長さにすることができる。なお、高記
録密度化とセンス電流の増大に伴って、ＭＲ素子の温度
は高くなる傾向がある。ＭＲ素子から発生した熱を放散
するためには、上部シールドの面積を広くとる方がよ
い。一方で、記録ヘッドのノイズを低減するには上部シ
ールドを下部磁極とは分離して、その面積を狭くすべき
である。これらの要件を両立させるため、上記本発明に
おいて、望ましくはＷＵＳやＷＢＳをＷＢＰより大きく
してシールドの総面積を減らさないようにする。
長さＬＢＳは前記ＬＵＳに対して、ＬＵＳ≦ＬＢＳの関
係とすることができる。上部シールドと下部シールドを
共に長さを短くしすぎると、ＭＲ素子を磁気的にシール
ドする機能が低下するため、前記下部シールドの長さＬ
ＢＳは前記ＬＵＳより長いことがより望ましい。さら
に、下部シールドの長さＬＢＳをＬＢＰより長くする
と、記録ヘッドとＭＲヘッド間の平坦化を行いやすく、
放熱性を確保するうえで好ましい。また、本発明では、
下部磁極をパターニングをする際に、上部シールドと下
部シールドを同時にパターニングすることで、前記上部
シールドの媒体対向面側の幅ＷＵＳが、前記下部磁極の
幅ＷＢＰと同様の長さにすることができる。なお、高記
録密度化とセンス電流の増大に伴って、ＭＲ素子の温度
は高くなる傾向がある。ＭＲ素子から発生した熱を放散
するためには、上部シールドの面積を広くとる方がよ
い。一方で、記録ヘッドのノイズを低減するには上部シ
ールドを下部磁極とは分離して、その面積を狭くすべき
である。これらの要件を両立させるため、上記本発明に
おいて、望ましくはＷＵＳやＷＢＳをＷＢＰより大きく
してシールドの総面積を減らさないようにする。
【０００７】本発明では、記録ヘッドとＭＲヘッドを分
離するとともに、ＭＲヘッドに及ぶ記録磁界の成分を低
減するものである。具体的には、上部シールドと下部磁
極の間に非磁性の絶縁膜を設けて、両者を磁気的に分離
する。分離用の絶縁膜の厚さは０．２〜０．５μｍ程度
とすることが好ましい。さらに、ＬＵＳをＬＢＰより短
くすることで、記録動作の際に磁極内の磁束が上部シー
ルドに入りにくいようにした。これらの構成により、上
部シールドや下部シールドの磁区の変化を低減できる。
離するとともに、ＭＲヘッドに及ぶ記録磁界の成分を低
減するものである。具体的には、上部シールドと下部磁
極の間に非磁性の絶縁膜を設けて、両者を磁気的に分離
する。分離用の絶縁膜の厚さは０．２〜０．５μｍ程度
とすることが好ましい。さらに、ＬＵＳをＬＢＰより短
くすることで、記録動作の際に磁極内の磁束が上部シー
ルドに入りにくいようにした。これらの構成により、上
部シールドや下部シールドの磁区の変化を低減できる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図面によって本発明に係る
実施形態を説明する。図１は本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドの断面図である。図２は、図１の構成を浮上面側から
みた断面図である。図３は、図２に係る製造工程を説明
する工程フロー図である。図４は本発明に係る他の薄膜
磁気ヘッドの断面図である。
実施形態を説明する。図１は本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドの断面図である。図２は、図１の構成を浮上面側から
みた断面図である。図３は、図２に係る製造工程を説明
する工程フロー図である。図４は本発明に係る他の薄膜
磁気ヘッドの断面図である。
【０００９】図１の断面図に実施の形態を説明する。こ
の構成は上部シールドと下部磁極を分離して、接合部８
ａと浮上面１０間の距離ＬＢＰを上部シールドの長さＬ
ＵＳより長くして、下部シールドの長さＬＢＳをＬＵＳ
より長くしたものである。すなわち、アルミナ絶縁膜１
ａを被覆した非磁性基板上に、下部シールド２と、アル
ミナのギャップ膜３ａで挟んだ再生素子３と、上部シー
ルド４とを有するＭＲヘッドを設け、さらに分離膜とな
るアルミナ絶縁膜４ａを介して記録ヘッドを設け、それ
を保護膜９で被覆したものとした。記録ヘッドは下部磁
極５と、記録ギャップ膜５ａと、絶縁樹脂膜５ｂで被覆
した薄膜コイル７と、上部磁極８を有する構成とした。
の構成は上部シールドと下部磁極を分離して、接合部８
ａと浮上面１０間の距離ＬＢＰを上部シールドの長さＬ
ＵＳより長くして、下部シールドの長さＬＢＳをＬＵＳ
より長くしたものである。すなわち、アルミナ絶縁膜１
ａを被覆した非磁性基板上に、下部シールド２と、アル
ミナのギャップ膜３ａで挟んだ再生素子３と、上部シー
ルド４とを有するＭＲヘッドを設け、さらに分離膜とな
るアルミナ絶縁膜４ａを介して記録ヘッドを設け、それ
を保護膜９で被覆したものとした。記録ヘッドは下部磁
極５と、記録ギャップ膜５ａと、絶縁樹脂膜５ｂで被覆
した薄膜コイル７と、上部磁極８を有する構成とした。
【００１０】図２は、図１の構成を媒体対向面１０から
みた側面図である。本実施例の構成では、下部シールド
の幅ＷＢＳと、上部シールドの幅ＷＵＳ（図中では記載
を省略したが、ＷＢＳと同じ向きの寸法である）と、下
部磁極の幅ＷＢＰを同じにした。なお、ＷＢＰに対して
ＷＵＳやＷＢＳを長く形成すると、上部シールドや下部
シールドの面積を確保して、放熱性を保持する上で好ま
しい。もし、上部シールドの長さ寸法を短くするととも
に、その幅も狭くすると、記録ヘッドに起因するノイズ
を低減できても、十分な放熱性を得ることが難しくな
り、結果として再生出力のノイズを増やしかねない。
みた側面図である。本実施例の構成では、下部シールド
の幅ＷＢＳと、上部シールドの幅ＷＵＳ（図中では記載
を省略したが、ＷＢＳと同じ向きの寸法である）と、下
部磁極の幅ＷＢＰを同じにした。なお、ＷＢＰに対して
ＷＵＳやＷＢＳを長く形成すると、上部シールドや下部
シールドの面積を確保して、放熱性を保持する上で好ま
しい。もし、上部シールドの長さ寸法を短くするととも
に、その幅も狭くすると、記録ヘッドに起因するノイズ
を低減できても、十分な放熱性を得ることが難しくな
り、結果として再生出力のノイズを増やしかねない。
【００１１】図３のフロー図で、図２の構成の製造工程
を各々のステップ毎に説明する。まず、アルミナチタン
カーバイトの非磁性基板１の上に、アルミナの絶縁膜２
をスパッタで被覆した（ｓ１）。平坦な絶縁膜２の上に
下部シールドとしてＮｉＦｅ膜をフレームメッキ法で成
膜した（ｓ２）フレームメッキ法とは、スパッタで形成
した下地膜の上に、フォトリソグラフィー技術で形成し
たフォトレジストのフレームを設け、フレームの内側に
電気メッキで金属の薄膜を形成する方法をいう。続け
て、下部シールド上にアルミナ絶縁膜をスパッタで成膜
して下層ギャップ膜とした（ｓ３）。その上に、再生素
子３やこれに電流を供給する電極膜やバイアス膜を形成
した（ｓ４）。この再生素子３はスピンバルブ素子であ
り、外部磁界に対して回転可能な強磁性膜である自由層
と、スペーサとなる非磁性金属層と、外部磁界によって
磁化が動かない強磁性膜である固定層と、この固定層の
磁化の向きを固定する反強磁性層と、反強磁性層を保護
するキャップ層を積層した多層膜で構成した。このスピ
ンバルブ素子の両端にはバイアス膜としてＣｏＣｒＰｔ
の永久磁石膜と、電極膜を設けた。
を各々のステップ毎に説明する。まず、アルミナチタン
カーバイトの非磁性基板１の上に、アルミナの絶縁膜２
をスパッタで被覆した（ｓ１）。平坦な絶縁膜２の上に
下部シールドとしてＮｉＦｅ膜をフレームメッキ法で成
膜した（ｓ２）フレームメッキ法とは、スパッタで形成
した下地膜の上に、フォトリソグラフィー技術で形成し
たフォトレジストのフレームを設け、フレームの内側に
電気メッキで金属の薄膜を形成する方法をいう。続け
て、下部シールド上にアルミナ絶縁膜をスパッタで成膜
して下層ギャップ膜とした（ｓ３）。その上に、再生素
子３やこれに電流を供給する電極膜やバイアス膜を形成
した（ｓ４）。この再生素子３はスピンバルブ素子であ
り、外部磁界に対して回転可能な強磁性膜である自由層
と、スペーサとなる非磁性金属層と、外部磁界によって
磁化が動かない強磁性膜である固定層と、この固定層の
磁化の向きを固定する反強磁性層と、反強磁性層を保護
するキャップ層を積層した多層膜で構成した。このスピ
ンバルブ素子の両端にはバイアス膜としてＣｏＣｒＰｔ
の永久磁石膜と、電極膜を設けた。
【００１２】次に、再生素子等を被覆するように上層ギ
ャップ膜としてアルミナ絶縁膜をスパッタで成膜した
（ｓ５）。この際、下層ギャップ膜と上層ギャッップ膜
が直接に接触した箇所で、両者は一体化した。この一体
化した下層ギャップ膜と上層ギャップ膜をギャップ膜３
ａと称す。続けて、上部シールド４としてＮｉＦｅ膜を
フレームメッキ法で形成した（ｓ６）
ャップ膜としてアルミナ絶縁膜をスパッタで成膜した
（ｓ５）。この際、下層ギャップ膜と上層ギャッップ膜
が直接に接触した箇所で、両者は一体化した。この一体
化した下層ギャップ膜と上層ギャップ膜をギャップ膜３
ａと称す。続けて、上部シールド４としてＮｉＦｅ膜を
フレームメッキ法で形成した（ｓ６）
【００１３】次に、下部シールドから上部シールドを形
成する過程で生じた基板上の段差を、アルミナ絶縁膜で
被覆した。これをＣＭＰ研磨で平坦化することにより、
上部シールドの上面と研磨で平坦化したアルミナ絶縁膜
からなる平面を形成した。研磨した面をより平坦化する
ことと、記録ヘッドとＭＲヘッドの分離のために、再度
アルミナ絶縁膜４ａを０．３μｍの厚さで被覆して、平
坦な絶縁膜の面を構成した。ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）研磨
は、半導体分野で用いられる平坦化技術であり、１０ｎ
ｍ以下の平坦化加工ができるとともに、加工量の制御が
容易である。
成する過程で生じた基板上の段差を、アルミナ絶縁膜で
被覆した。これをＣＭＰ研磨で平坦化することにより、
上部シールドの上面と研磨で平坦化したアルミナ絶縁膜
からなる平面を形成した。研磨した面をより平坦化する
ことと、記録ヘッドとＭＲヘッドの分離のために、再度
アルミナ絶縁膜４ａを０．３μｍの厚さで被覆して、平
坦な絶縁膜の面を構成した。ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）研磨
は、半導体分野で用いられる平坦化技術であり、１０ｎ
ｍ以下の平坦化加工ができるとともに、加工量の制御が
容易である。
【００１４】次に、平坦化した面にフレームメッキ法で
下部磁極５を形成した（ｓ１０）。下部磁極５の上に記
録ギャップ膜５ａとなるアルミナ絶縁膜をスパッタで形
成し（ｓ１１）、薄膜コイル７をフレームメッキ法で形
成した後、これを絶縁樹脂層５ｂで被覆した（ｓ１
２）。絶縁樹脂層５ｂの上に上部磁極８をフレームメッ
キ法で形成した（ｓ１３）。さらに、上部磁極のトラッ
ク幅領域６とすべき箇所と上部磁極８をマスクで覆った
後、上部磁極と下部磁極をイオンミリングでエッチング
した。これにより、下部磁極５の先端を凸形状とし、上
部磁極のトラック幅領域６を下部磁極の凸形状に対応す
るトラック幅に加工した。この際、下部磁極をマスク代
わりにして、上部シールド４と下部シールド２もエッチ
ングして、これらの幅を下部磁極と同様にした。従っ
て、上部シールドはエッチングされる分を上乗せして厚
めに形成しておいた。（ｓ１４）。最後に、これらの積
層構造をアルミナ保護膜９を被覆して、薄膜磁気ヘッド
を作製した。
下部磁極５を形成した（ｓ１０）。下部磁極５の上に記
録ギャップ膜５ａとなるアルミナ絶縁膜をスパッタで形
成し（ｓ１１）、薄膜コイル７をフレームメッキ法で形
成した後、これを絶縁樹脂層５ｂで被覆した（ｓ１
２）。絶縁樹脂層５ｂの上に上部磁極８をフレームメッ
キ法で形成した（ｓ１３）。さらに、上部磁極のトラッ
ク幅領域６とすべき箇所と上部磁極８をマスクで覆った
後、上部磁極と下部磁極をイオンミリングでエッチング
した。これにより、下部磁極５の先端を凸形状とし、上
部磁極のトラック幅領域６を下部磁極の凸形状に対応す
るトラック幅に加工した。この際、下部磁極をマスク代
わりにして、上部シールド４と下部シールド２もエッチ
ングして、これらの幅を下部磁極と同様にした。従っ
て、上部シールドはエッチングされる分を上乗せして厚
めに形成しておいた。（ｓ１４）。最後に、これらの積
層構造をアルミナ保護膜９を被覆して、薄膜磁気ヘッド
を作製した。
【００１５】本発明の他の実施の形態を図４の断面図で
説明する。この構成は、上部磁極をポールチップ６ａと
ヨーク８ｂで構成するとともに、ヨーク８ｂの端を下部
磁極の端と同様の位置（接合部８ａ）に合わせた薄膜磁
気ヘッドである。工程順に各々の構成を説明する。ま
ず、非磁性基板１の上にアルミナ絶縁膜１ａを介して下
部シールド２を設け、さらにアルミナ保護膜３ａで挟ん
だ再生素子３を設け、上部シールド４を設けた後、アル
ミナ絶縁膜で被覆し、ＣＭＰ研磨を施し、再度アルミナ
絶縁膜４ａを被覆した。ここまでの工程は図１の構成と
同様である。
説明する。この構成は、上部磁極をポールチップ６ａと
ヨーク８ｂで構成するとともに、ヨーク８ｂの端を下部
磁極の端と同様の位置（接合部８ａ）に合わせた薄膜磁
気ヘッドである。工程順に各々の構成を説明する。ま
ず、非磁性基板１の上にアルミナ絶縁膜１ａを介して下
部シールド２を設け、さらにアルミナ保護膜３ａで挟ん
だ再生素子３を設け、上部シールド４を設けた後、アル
ミナ絶縁膜で被覆し、ＣＭＰ研磨を施し、再度アルミナ
絶縁膜４ａを被覆した。ここまでの工程は図１の構成と
同様である。
【００１６】次に、下部磁極５を形成を設けた後、その
トラック幅領域以外の部分をイオンミリングで削って、
トラック幅領域を凸形状とした。次に、記録ギャップと
なるアルミナ絶縁膜５ａを形成した。この上に絶縁樹脂
膜５ｂを形成した。絶縁樹脂膜５ｂの端と浮上面の間に
位置するように、上部磁極の先端に相当するポールチッ
プ６ａをフレームメッキ法で形成した。ポールチップ６
ａと絶縁樹脂層５ｂをＣＭＰ研磨して平坦な研磨面を得
た。この上に１層目薄膜コイルをフレームメッキ法で形
成し、絶縁樹脂膜で被覆したのち、さらに１層目の薄膜
コイルと電気的に直列接続させる２層面薄膜コイルを形
成した。１層目と２層目を合わせた薄膜コイル７を絶縁
樹脂膜で被覆した。この上に、ヨーク８ｂをフレームメ
ッキ法で形成し、ヨーク８ｂの先端がポールチップ６ａ
に接合し、ヨーク８ｂの後端が下部磁極５の後端と接合
するようにした。最後に、これらの積層構造をアルミナ
の保護膜９で被覆した。この薄膜磁気ヘッドを用いるこ
とによって、記録動作後の再生出力のノイズを１／５程
度とすることができた。
トラック幅領域以外の部分をイオンミリングで削って、
トラック幅領域を凸形状とした。次に、記録ギャップと
なるアルミナ絶縁膜５ａを形成した。この上に絶縁樹脂
膜５ｂを形成した。絶縁樹脂膜５ｂの端と浮上面の間に
位置するように、上部磁極の先端に相当するポールチッ
プ６ａをフレームメッキ法で形成した。ポールチップ６
ａと絶縁樹脂層５ｂをＣＭＰ研磨して平坦な研磨面を得
た。この上に１層目薄膜コイルをフレームメッキ法で形
成し、絶縁樹脂膜で被覆したのち、さらに１層目の薄膜
コイルと電気的に直列接続させる２層面薄膜コイルを形
成した。１層目と２層目を合わせた薄膜コイル７を絶縁
樹脂膜で被覆した。この上に、ヨーク８ｂをフレームメ
ッキ法で形成し、ヨーク８ｂの先端がポールチップ６ａ
に接合し、ヨーク８ｂの後端が下部磁極５の後端と接合
するようにした。最後に、これらの積層構造をアルミナ
の保護膜９で被覆した。この薄膜磁気ヘッドを用いるこ
とによって、記録動作後の再生出力のノイズを１／５程
度とすることができた。
【００１７】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明の構成を用い
ることで記録磁界の影響を抑制し、再生出力のノイズを
低減した薄膜磁気ヘッドを得ることができた。
ることで記録磁界の影響を抑制し、再生出力のノイズを
低減した薄膜磁気ヘッドを得ることができた。
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図２】図１の薄膜磁気ヘッドを浮上面側からみた断面
図である。
図である。
【図３】図１に係る製造工程を説明する工程フロー図で
ある。
ある。
【図４】本発明に係る他の薄膜磁気ヘッドの断面図であ
る。
る。
【図５】従来の薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図６】図５中の（ｂ）の一部拡大断面図である。
１ 非磁性基板、１ａ アルミナ絶縁膜、２ 下部シー
ルド、３ 再生素子、３ａ ギャップ膜、４ 上部シー
ルド、４ａ アルミナ絶縁膜、５ 下部磁極、５ａ 記
録ギャップ膜、５ｂ 絶縁樹脂層、６ 上部磁極のトラ
ック幅領域、６ａ ポールチップ、７ 薄膜コイル、７
ｂ 絶縁樹脂層、８ 上部磁極、８ａ 接合部、８ｂ
ヨーク、９ 保護膜、１０ 媒体対向面
ルド、３ 再生素子、３ａ ギャップ膜、４ 上部シー
ルド、４ａ アルミナ絶縁膜、５ 下部磁極、５ａ 記
録ギャップ膜、５ｂ 絶縁樹脂層、６ 上部磁極のトラ
ック幅領域、６ａ ポールチップ、７ 薄膜コイル、７
ｂ 絶縁樹脂層、８ 上部磁極、８ａ 接合部、８ｂ
ヨーク、９ 保護膜、１０ 媒体対向面
Claims (3)
- 【請求項１】 下部シールドと上部シールドの間に再生
素子を設けたＭＲヘッドと、磁気回路を形成する上部磁
極と下部磁極の接合部の周囲に配置された薄膜コイルを
有する記録ヘッドとを備える薄膜磁気ヘッドであって、
前記ＭＲヘッドと前記記録ヘッドが非磁性の絶縁膜を介
して分離されており、前記上部シールドの長さＬＵＳが
媒体対向面から前記下部磁極のバックギャップまでの距
離ＬＢ Ｐに対して、ＬＵＳ≦ＬＢＰの関係にあることを
特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記下部シールドの長さＬＢＳは前記ＬＵＳに対し
て、ＬＵＳ≦ＬＢＳの関係にあることを特徴とする薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記上部シールドの媒体対向面側の幅Ｗ
ＵＳが、前記下部磁極の幅ＷＢＰに対してＷＢＰ≦Ｗ
ＵＳの関係にあることを特徴とする請求項１または２の
いずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35790999A JP2001176031A (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35790999A JP2001176031A (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001176031A true JP2001176031A (ja) | 2001-06-29 |
Family
ID=18456568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35790999A Withdrawn JP2001176031A (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001176031A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7061726B2 (en) | 2003-05-09 | 2006-06-13 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Thin film magnetic head |
| US7218475B2 (en) * | 2003-06-24 | 2007-05-15 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head and magnetic recording apparatus |
| US7606006B2 (en) | 2003-12-24 | 2009-10-20 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic recording head and magnetic disk storage apparatus mounting the magnetic head |
| US7755864B2 (en) | 2004-10-27 | 2010-07-13 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic recording head for perpendicular recording, fabrication process, and magnetic disk storage apparatus mounting the magnetic recording head |
-
1999
- 1999-12-16 JP JP35790999A patent/JP2001176031A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7061726B2 (en) | 2003-05-09 | 2006-06-13 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Thin film magnetic head |
| US7218475B2 (en) * | 2003-06-24 | 2007-05-15 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head and magnetic recording apparatus |
| US7606006B2 (en) | 2003-12-24 | 2009-10-20 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic recording head and magnetic disk storage apparatus mounting the magnetic head |
| US7755864B2 (en) | 2004-10-27 | 2010-07-13 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic recording head for perpendicular recording, fabrication process, and magnetic disk storage apparatus mounting the magnetic recording head |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20040205 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040225 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040310 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20040624 |