JP2001172705A - 金属粉末の製造方法、並びに導電性ペーストおよびセラミック電子部品 - Google Patents
金属粉末の製造方法、並びに導電性ペーストおよびセラミック電子部品Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】不純物混入の恐れがなく、分散性に優れた、微
細な金属粉末を効率よく安価に製造する方法を提供す
る。 【解決手段】水溶性アルコールからなる非水溶媒中
に、トリエタノールアミン、ジエタノールアミンおよび
モノエタノールアミンよりなる群から選ばれる少なくと
も１種のキレート化剤、並びに高分子タイプ界面活性剤
を溶解する工程、非水溶媒中に、金属塩を溶解または
分散する工程、非水溶媒中に、塩基性化合物の水溶液
を添加してｐＨをアルカリに調整して未溶解の金属塩を
溶解して溶液とし、加温する工程、加温した溶液に、
超音波を照射しながら、溶液中に溶解している金属イオ
ンをＭn+とした場合、金属イオンＭn+とのモル比率Ｎ2
Ｈ4／Ｍ n+がｎ（ただし、ｎは金属イオンの価数）以上
になる量のＮ2Ｈ4を加えて還元反応を行ない金属を析出
させる工程、とを備える。
細な金属粉末を効率よく安価に製造する方法を提供す
る。 【解決手段】水溶性アルコールからなる非水溶媒中
に、トリエタノールアミン、ジエタノールアミンおよび
モノエタノールアミンよりなる群から選ばれる少なくと
も１種のキレート化剤、並びに高分子タイプ界面活性剤
を溶解する工程、非水溶媒中に、金属塩を溶解または
分散する工程、非水溶媒中に、塩基性化合物の水溶液
を添加してｐＨをアルカリに調整して未溶解の金属塩を
溶解して溶液とし、加温する工程、加温した溶液に、
超音波を照射しながら、溶液中に溶解している金属イオ
ンをＭn+とした場合、金属イオンＭn+とのモル比率Ｎ2
Ｈ4／Ｍ n+がｎ（ただし、ｎは金属イオンの価数）以上
になる量のＮ2Ｈ4を加えて還元反応を行ない金属を析出
させる工程、とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、導電性ペースト用
などの電子材料として用いられるニッケルなどの金属粉
末の製造方法に関し、特に化学的還元法による金属粉末
の製造方法に関する。また、得られた金属粉末を用いた
導電性ペーストおよびセラミック電子部品に関する。
などの電子材料として用いられるニッケルなどの金属粉
末の製造方法に関し、特に化学的還元法による金属粉末
の製造方法に関する。また、得られた金属粉末を用いた
導電性ペーストおよびセラミック電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、Ｎｉ、Ｃｏなどの金属粉末が導電
性ペースト用などの電子材料として盛んに用いられてい
る。金属粉末の工業的製造方法としては、機械的粉砕
法、化学的還元法、気相法などがある。
性ペースト用などの電子材料として盛んに用いられてい
る。金属粉末の工業的製造方法としては、機械的粉砕
法、化学的還元法、気相法などがある。
【０００３】機械的粉砕法は、金属塊を機械的に粉砕し
て金属粉末を得る方法である。
て金属粉末を得る方法である。
【０００４】化学的還元法は、金属イオンを含む水溶液
に還元剤を添加して、金属イオンを還元して金属粉末を
得る方法である。
に還元剤を添加して、金属イオンを還元して金属粉末を
得る方法である。
【０００５】気相法は、塩化物などの金属化合物蒸気を
水素と反応させたのち冷却して金属粉末を得る化学気相
法、水素ガス雰囲気中においてアーク放電で溶融・蒸発
させた金属蒸気を冷却して金属粉末を得る水素アーク
法、不活性ガス中で高周波誘導加熱などで加熱蒸発させ
た金属蒸気を冷却して金属粉末を得るガス中蒸発法など
である。
水素と反応させたのち冷却して金属粉末を得る化学気相
法、水素ガス雰囲気中においてアーク放電で溶融・蒸発
させた金属蒸気を冷却して金属粉末を得る水素アーク
法、不活性ガス中で高周波誘導加熱などで加熱蒸発させ
た金属蒸気を冷却して金属粉末を得るガス中蒸発法など
である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、機械的
粉砕法による場合は、得られる金属粉末の粒径が粗く、
粉砕時に不純物混入の恐れがあり、導電性ペースト用な
どの電子材料として不向きである。
粉砕法による場合は、得られる金属粉末の粒径が粗く、
粉砕時に不純物混入の恐れがあり、導電性ペースト用な
どの電子材料として不向きである。
【０００７】また、化学的還元法の場合、例えば、Ｎｉ
またはＣｏの金属粉末を得る方法として、Ｎｉ2+または
Ｃｏ2+を水溶液中でＮａＢＨ4またはＮ2Ｈ4で還元する
方法がある。この化学的還元法によれば、粒径の細かい
金属粉末が得られるが、還元剤としてＮａＢＨ4を用い
ると副生成物として金属の硼化物（硼化ニッケル、硼化
コバルトなど）が生成し、純粋な金属粉末を得ることが
できないという致命的な欠点を有している。また、還元
反応で得られる金属粉末は凝集しているため、別途、分
散剤を用いて分散させなければならないという欠点も有
している。さらに、水溶液中で還元反応を行なうため、
例えばＮｉ2+やＣｏ2+が酸化され易く、この酸化を防ぐ
ためには水溶液のｐＨを一定範囲に厳密に調整する必要
がある。
またはＣｏの金属粉末を得る方法として、Ｎｉ2+または
Ｃｏ2+を水溶液中でＮａＢＨ4またはＮ2Ｈ4で還元する
方法がある。この化学的還元法によれば、粒径の細かい
金属粉末が得られるが、還元剤としてＮａＢＨ4を用い
ると副生成物として金属の硼化物（硼化ニッケル、硼化
コバルトなど）が生成し、純粋な金属粉末を得ることが
できないという致命的な欠点を有している。また、還元
反応で得られる金属粉末は凝集しているため、別途、分
散剤を用いて分散させなければならないという欠点も有
している。さらに、水溶液中で還元反応を行なうため、
例えばＮｉ2+やＣｏ2+が酸化され易く、この酸化を防ぐ
ためには水溶液のｐＨを一定範囲に厳密に調整する必要
がある。
【０００８】さらに、気相法の場合、いずれの気相法に
おいても、得られる金属粉末は粒径が細かく電子材料と
して好適であるが、量産性に乏しくまたは製造設備費が
高価であって、製造コストが高くなるという問題点を有
している。
おいても、得られる金属粉末は粒径が細かく電子材料と
して好適であるが、量産性に乏しくまたは製造設備費が
高価であって、製造コストが高くなるという問題点を有
している。
【０００９】そこで、本発明の目的は、上記問題点を解
決した、不純物混入の恐れがなく、分散性に優れた、微
細な金属粉末を効率よく安価に製造する方法を提供する
ことにある。また、得られた金属粉末を用いた導電性ペ
ースト、およびこの導電性ペーストを用いたセラミック
電子部品を提供することにある。
決した、不純物混入の恐れがなく、分散性に優れた、微
細な金属粉末を効率よく安価に製造する方法を提供する
ことにある。また、得られた金属粉末を用いた導電性ペ
ースト、およびこの導電性ペーストを用いたセラミック
電子部品を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の金属粉末の製造方法は、水溶性アルコール
からなる非水溶媒中に、トリエタノールアミン、ジエタ
ノールアミンおよびモノエタノールアミンよりなる群か
ら選ばれる少なくとも１種のキレート化剤、並びに高分
子タイプ界面活性剤を溶解する工程、前記非水溶媒中
に、さらに、金属塩を溶解または分散する工程、前記金
属塩が溶解または分散した非水溶媒中に、塩基性化合物
の水溶液を添加してｐＨをアルカリに調整して未溶解の
金属塩を溶解して溶液とし、該溶液を加温する工程、前
記加温した溶液に、超音波を照射しながら、前記溶液中
に溶解している金属イオンをＭn+とした場合、該金属イ
オンＭn+とのモル比率Ｎ2Ｈ4／Ｍn+がｎ（ただし、ｎは
金属イオンの価数）以上になる量のＮ2Ｈ4を加えて還元
反応を行ない金属を析出させる工程、とを備えることを
特徴とする。
め、本発明の金属粉末の製造方法は、水溶性アルコール
からなる非水溶媒中に、トリエタノールアミン、ジエタ
ノールアミンおよびモノエタノールアミンよりなる群か
ら選ばれる少なくとも１種のキレート化剤、並びに高分
子タイプ界面活性剤を溶解する工程、前記非水溶媒中
に、さらに、金属塩を溶解または分散する工程、前記金
属塩が溶解または分散した非水溶媒中に、塩基性化合物
の水溶液を添加してｐＨをアルカリに調整して未溶解の
金属塩を溶解して溶液とし、該溶液を加温する工程、前
記加温した溶液に、超音波を照射しながら、前記溶液中
に溶解している金属イオンをＭn+とした場合、該金属イ
オンＭn+とのモル比率Ｎ2Ｈ4／Ｍn+がｎ（ただし、ｎは
金属イオンの価数）以上になる量のＮ2Ｈ4を加えて還元
反応を行ない金属を析出させる工程、とを備えることを
特徴とする。
【００１１】そして、前記金属塩はＮｉ金属塩であり、
前記調整したｐＨは１１〜１２であり、前記加温温度は
５５℃以上であり、前記金属イオンＭn+はＮｉ2+であ
り、前記金属粉末はＮｉ粉末であることを特徴とする。
前記調整したｐＨは１１〜１２であり、前記加温温度は
５５℃以上であり、前記金属イオンＭn+はＮｉ2+であ
り、前記金属粉末はＮｉ粉末であることを特徴とする。
【００１２】また、前記金属塩は、硝酸塩、硫酸塩、酢
酸塩および塩化物よりなる群から選ばれる少なくとも１
種であることを特徴とする。
酸塩および塩化物よりなる群から選ばれる少なくとも１
種であることを特徴とする。
【００１３】また、前記高分子タイプ界面活性剤は、ポ
リビニルピロリドン、ヒドロキシプロピルセルロース、
ポリビニルアルコールおよびカルボキシメチルセルロー
スよりなる群から選ばれる少なくとも１種であることを
特徴とする。
リビニルピロリドン、ヒドロキシプロピルセルロース、
ポリビニルアルコールおよびカルボキシメチルセルロー
スよりなる群から選ばれる少なくとも１種であることを
特徴とする。
【００１４】また、前記塩基性化合物は、ＮａＯＨ、Ｌ
ｉＯＨ、ＫＯＨ、ＣｓＯＨ、ＮＨ4ＯＨおよびＲｂＯＨ
よりなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特
徴とする。
ｉＯＨ、ＫＯＨ、ＣｓＯＨ、ＮＨ4ＯＨおよびＲｂＯＨ
よりなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特
徴とする。
【００１５】また、本発明の導電性ペーストは、金属粉
末と有機ビヒクルとを含有する導電性ペーストであっ
て、前記金属粉末は上記の製造方法により製造されたも
のであることを特徴とする。
末と有機ビヒクルとを含有する導電性ペーストであっ
て、前記金属粉末は上記の製造方法により製造されたも
のであることを特徴とする。
【００１６】また、本発明のセラミック電子部品は、セ
ラミックと、該セラミックに形成された導体とを備えた
セラミック電子部品であって、前記導体が、上記の導電
性ペーストを焼成して得られたものを含むことを特徴と
する。
ラミックと、該セラミックに形成された導体とを備えた
セラミック電子部品であって、前記導体が、上記の導電
性ペーストを焼成して得られたものを含むことを特徴と
する。
【００１７】さらに、本発明のセラミック電子部品は、
複数の積層された誘電体セラミック層と、該誘電体セラ
ミック層の特定の界面に沿って形成された内部電極と、
該内部電極に電気的に接続された外部電極とを備えて積
層コンデンサが構成されており、かつ、前記内部電極
は、Ｎｉを主成分とするものであって、上記の導電性ペ
ーストを焼成して得られたものであることを特徴とす
る。
複数の積層された誘電体セラミック層と、該誘電体セラ
ミック層の特定の界面に沿って形成された内部電極と、
該内部電極に電気的に接続された外部電極とを備えて積
層コンデンサが構成されており、かつ、前記内部電極
は、Ｎｉを主成分とするものであって、上記の導電性ペ
ーストを焼成して得られたものであることを特徴とす
る。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の金属粉末の製造方法は、
水溶性アルコールからなる非水溶媒中に、トリエタノ
ールアミン、ジエタノールアミンおよびモノエタノール
アミンよりなる群から選ばれる少なくとも１種のキレー
ト化剤、並びに高分子タイプ界面活性剤を溶解する工
程、前記非水溶媒中に、さらに、金属塩を溶解または
分散する工程、前記金属塩が溶解または分散した非水
溶媒中に、塩基性化合物の水溶液を添加してｐＨをアル
カリに調整して未溶解の金属塩を溶解して溶液とし、該
溶液を加温する工程、前記加温した溶液に、超音波を
照射しながら、前記溶液中に溶解している金属イオンを
Ｍn+とした場合、該金属イオンＭn+とのモル比率Ｎ 2Ｈ4
／Ｍn+がｎ（ただし、ｎは金属イオンの価数）以上にな
る量のＮ2Ｈ4を加えて還元反応を行ない金属粉末を析出
させる工程、を備える。
水溶性アルコールからなる非水溶媒中に、トリエタノ
ールアミン、ジエタノールアミンおよびモノエタノール
アミンよりなる群から選ばれる少なくとも１種のキレー
ト化剤、並びに高分子タイプ界面活性剤を溶解する工
程、前記非水溶媒中に、さらに、金属塩を溶解または
分散する工程、前記金属塩が溶解または分散した非水
溶媒中に、塩基性化合物の水溶液を添加してｐＨをアル
カリに調整して未溶解の金属塩を溶解して溶液とし、該
溶液を加温する工程、前記加温した溶液に、超音波を
照射しながら、前記溶液中に溶解している金属イオンを
Ｍn+とした場合、該金属イオンＭn+とのモル比率Ｎ 2Ｈ4
／Ｍn+がｎ（ただし、ｎは金属イオンの価数）以上にな
る量のＮ2Ｈ4を加えて還元反応を行ない金属粉末を析出
させる工程、を備える。
【００１９】このような製造方法により、不純物混入の
恐れがなく、分散性に優れた、微細な金属粉末を効率よ
く安価に得ることができる。
恐れがなく、分散性に優れた、微細な金属粉末を効率よ
く安価に得ることができる。
【００２０】なお、水溶性アルコールからなる非水溶媒
としては、メチルアルコール、エチルアルコール、プロ
ピルアルコールなどの一価アルコール、エチレングリコ
ール、グリセリンなどの多価アルコールが挙げられる。
そして、これらを単独で、あるいは混合して用いること
ができる。これらアルコールは水に可溶であり、反応溶
液のｐＨを調整するのに用いるＮａＯＨ、ＫＯＨ、Ｌｉ
ＯＨ、ＣｓＯＨおよびＮＨ4ＯＨを容易に溶解する。し
たがって、これらの非水溶媒を用いることによって、得
られる金属粉末に含まれる不純物を洗浄除去することが
容易となる。
としては、メチルアルコール、エチルアルコール、プロ
ピルアルコールなどの一価アルコール、エチレングリコ
ール、グリセリンなどの多価アルコールが挙げられる。
そして、これらを単独で、あるいは混合して用いること
ができる。これらアルコールは水に可溶であり、反応溶
液のｐＨを調整するのに用いるＮａＯＨ、ＫＯＨ、Ｌｉ
ＯＨ、ＣｓＯＨおよびＮＨ4ＯＨを容易に溶解する。し
たがって、これらの非水溶媒を用いることによって、得
られる金属粉末に含まれる不純物を洗浄除去することが
容易となる。
【００２１】また、得られる金属粉末としては、特に限
定されるものではなく、金属塩を適宜選択することによ
り、例えばＮｉ粉末、Ｃｏ粉末などの種々の金属粉末を
得ることができる。
定されるものではなく、金属塩を適宜選択することによ
り、例えばＮｉ粉末、Ｃｏ粉末などの種々の金属粉末を
得ることができる。
【００２２】また、金属塩の塩としては、硝酸塩、硫酸
塩、酢酸塩、塩化物などを適宜用いることがでいる。
塩、酢酸塩、塩化物などを適宜用いることがでいる。
【００２３】また、高分子タイプ界面活性剤としては、
カルボン酸エステルタイプの界面活性材を除くポリビニ
ールピロリドン（ＰＶＰ）、ヒドロキシプロピルセルロ
ース（ＨＰＣ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、カ
ルボキシメチルセルロース（ＣＭＣ）などを適宜用いる
ことができる。
カルボン酸エステルタイプの界面活性材を除くポリビニ
ールピロリドン（ＰＶＰ）、ヒドロキシプロピルセルロ
ース（ＨＰＣ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、カ
ルボキシメチルセルロース（ＣＭＣ）などを適宜用いる
ことができる。
【００２４】また、塩基性化合物としては、ＮａＯＨ、
ＬｉＯＨ、ＫＯＨ、ＣｓＯＨ、ＮＨ 4ＯＨおよびＲｂＯ
Ｈなどを適宜用いることができる。
ＬｉＯＨ、ＫＯＨ、ＣｓＯＨ、ＮＨ 4ＯＨおよびＲｂＯ
Ｈなどを適宜用いることができる。
【００２５】本発明の製造方法は、還元反応を超音波を
照射しながら行なう方法であるため、反応溶液内が酸化
性の状態になりやすい。このように、酸化されやすい状
態になると、金属イオンの還元効率が低下し、金属粉末
の収率に影響を与える。しかしながら、キレート化剤と
して、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）、ジエタノール
アミン（ＤＥＡ）またはモノエタノールアミン（ＭＥ
Ａ）を用いることにより、金属イオンが水酸化物の形で
沈殿するのを防止するのみならず、反応溶液内が酸化性
の状態になるのを抑制して、金属イオンの金属粉末への
還元効率の低下を防ぐことができる。
照射しながら行なう方法であるため、反応溶液内が酸化
性の状態になりやすい。このように、酸化されやすい状
態になると、金属イオンの還元効率が低下し、金属粉末
の収率に影響を与える。しかしながら、キレート化剤と
して、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）、ジエタノール
アミン（ＤＥＡ）またはモノエタノールアミン（ＭＥ
Ａ）を用いることにより、金属イオンが水酸化物の形で
沈殿するのを防止するのみならず、反応溶液内が酸化性
の状態になるのを抑制して、金属イオンの金属粉末への
還元効率の低下を防ぐことができる。
【００２６】また、反応溶液に超音波を照射するため、
反応溶液系内にキャビテーションが起こり、キャビテー
ション内に高エネルギーが与えられ、このエネルギーに
よってキャビテーション内での反応、すなわち還元反応
が促進される。また、超音波照射は生成する金属粉末の
分散を促進し、凝集の少ない金属粉末を得ることが可能
となる。
反応溶液系内にキャビテーションが起こり、キャビテー
ション内に高エネルギーが与えられ、このエネルギーに
よってキャビテーション内での反応、すなわち還元反応
が促進される。また、超音波照射は生成する金属粉末の
分散を促進し、凝集の少ない金属粉末を得ることが可能
となる。
【００２７】また、超音波照射に加えて、高分子タイプ
界面活性剤を添加することにより、得られる金属粉末の
分散を助け、さらに凝集の少ない金属粉末を得ることが
できる。
界面活性剤を添加することにより、得られる金属粉末の
分散を助け、さらに凝集の少ない金属粉末を得ることが
できる。
【００２８】例えばＮｉ金属粉末を製造する場合、具体
的に以下のように、超音波照射により還元反応が促進さ
れる。
的に以下のように、超音波照射により還元反応が促進さ
れる。
【００２９】還元反応中に超音波を照射しない場合、Ｎ
2Ｈ4／Ｎｉ2+のモル比率が２であって反応温度が５５℃
のとき、理論反応の約４０％程度しか還元反応が進まな
い。これに対して、還元反応中に超音波を照射した場
合、Ｎ2Ｈ4／Ｎｉ2+のモル比率が２であって反応温度が
５５℃のとき、理論どおりの１００％反応が進む。還元
反応中に超音波を照射しない場合、Ｎｉ2+の還元反応を
１００％進めるためには、反応温度を７５〜８０℃に高
める必要がある。
2Ｈ4／Ｎｉ2+のモル比率が２であって反応温度が５５℃
のとき、理論反応の約４０％程度しか還元反応が進まな
い。これに対して、還元反応中に超音波を照射した場
合、Ｎ2Ｈ4／Ｎｉ2+のモル比率が２であって反応温度が
５５℃のとき、理論どおりの１００％反応が進む。還元
反応中に超音波を照射しない場合、Ｎｉ2+の還元反応を
１００％進めるためには、反応温度を７５〜８０℃に高
める必要がある。
【００３０】次に、本発明の導電性ペーストは、上記の
製造方法で得られた金属粉末を有機ビヒクル中に分散さ
せることにより得られる。なお、有機ビヒクルは、通
常、樹脂および溶剤を主成分とし、それ以外に必要に応
じて、分散剤、可塑剤、消泡材、静電気防止剤などを所
定量含む。
製造方法で得られた金属粉末を有機ビヒクル中に分散さ
せることにより得られる。なお、有機ビヒクルは、通
常、樹脂および溶剤を主成分とし、それ以外に必要に応
じて、分散剤、可塑剤、消泡材、静電気防止剤などを所
定量含む。
【００３１】そして、樹脂としては、セルロース系樹
脂、アクリル系樹脂、ブチラール系樹脂、アルキッド系
樹脂などが挙げられ、これらを単独あるいは混合して用
いることができる。また、溶剤としては、たとえば、テ
ルピネオール、グリコール類、セロソルブ類、酢酸エス
テル類などが挙げられるが、特に限定されるものではな
い。樹脂の種類、塗布方法などとの兼ね合いで、適宜選
択して用いることができる。
脂、アクリル系樹脂、ブチラール系樹脂、アルキッド系
樹脂などが挙げられ、これらを単独あるいは混合して用
いることができる。また、溶剤としては、たとえば、テ
ルピネオール、グリコール類、セロソルブ類、酢酸エス
テル類などが挙げられるが、特に限定されるものではな
い。樹脂の種類、塗布方法などとの兼ね合いで、適宜選
択して用いることができる。
【００３２】また、この導電性ペースト中には、例えば
積層セラミックコンデンサを製造する際、セラミックグ
リーンシートとの密着性を向上させるために、共材とし
て前記セラミックグリーンシートと同種の原料粉末を所
定量添加してもよい。
積層セラミックコンデンサを製造する際、セラミックグ
リーンシートとの密着性を向上させるために、共材とし
て前記セラミックグリーンシートと同種の原料粉末を所
定量添加してもよい。
【００３３】次に、本発明のセラミック電子部品は、セ
ラミックと、上記の導電性ペーストの焼成により形成さ
れた導体とを含むものであり、例えば、積層セラミック
コンデンサ、セラミック多層回路基板、セラミックコン
デンサ、セラミック共振器、セラミックアクチュエータ
などがある。
ラミックと、上記の導電性ペーストの焼成により形成さ
れた導体とを含むものであり、例えば、積層セラミック
コンデンサ、セラミック多層回路基板、セラミックコン
デンサ、セラミック共振器、セラミックアクチュエータ
などがある。
【００３４】図１は本発明のセラミック電子部品の一例
を示す積層セラミックコンデンサの断面図であり、図２
は図１に示す積層セラミックコンデンサの積層体２の分
解斜視図である。
を示す積層セラミックコンデンサの断面図であり、図２
は図１に示す積層セラミックコンデンサの積層体２の分
解斜視図である。
【００３５】図１および２を参照して、積層セラミック
コンデンサ１は、複数の積層された誘電体セラミック層
３および４と、積層方向における中間部に位置する誘電
体セラミック層４間の特定の界面に沿いかつ積層体２の
積層方向に互いに重なり合った状態で形成された複数の
内部電極５および６とを含む、直方体形状の積層体２を
備えている。この内部電極５および６が、Ｎｉを主成分
とするものであって、本発明の導電性ペーストを焼成し
て形成されている。
コンデンサ１は、複数の積層された誘電体セラミック層
３および４と、積層方向における中間部に位置する誘電
体セラミック層４間の特定の界面に沿いかつ積層体２の
積層方向に互いに重なり合った状態で形成された複数の
内部電極５および６とを含む、直方体形状の積層体２を
備えている。この内部電極５および６が、Ｎｉを主成分
とするものであって、本発明の導電性ペーストを焼成し
て形成されている。
【００３６】そして、積層体２の外表面上であって、そ
の各端部には、第１および第２の外部電極７および８が
それぞれ形成されている。外部電極７および８は、それ
ぞれ、内部電極５および６のうちの特定のものに電気的
に接続されるもので、第１の外部電極７に電気的に接続
される内部電極５と第２の外部電極８に電気的に接続さ
れる内部電極６とは、交互に積層方向に配置されてい
る。
の各端部には、第１および第２の外部電極７および８が
それぞれ形成されている。外部電極７および８は、それ
ぞれ、内部電極５および６のうちの特定のものに電気的
に接続されるもので、第１の外部電極７に電気的に接続
される内部電極５と第２の外部電極８に電気的に接続さ
れる内部電極６とは、交互に積層方向に配置されてい
る。
【００３７】なお、外部電極７および８の各上には、ニ
ッケル、銅などからなる第１のめっき層９が形成され、
さらにその上には、はんだ、錫などからなる第２のめっ
き層１０が形成されてもよい。
ッケル、銅などからなる第１のめっき層９が形成され、
さらにその上には、はんだ、錫などからなる第２のめっ
き層１０が形成されてもよい。
【００３８】次に、この積層セラミックコンデンサ１の
製造方法について、製造工程順に説明する。
製造方法について、製造工程順に説明する。
【００３９】まず、例えば、チタン酸バリウムを主成分
とした非還元性の誘電体セラミック原料粉末を用意し、
これに有機バインダを加えてスラリー化し、このスラリ
ーをシート状に成形して、誘電体セラミック層３および
４のためのセラミックグリーンシートを得る。
とした非還元性の誘電体セラミック原料粉末を用意し、
これに有機バインダを加えてスラリー化し、このスラリ
ーをシート状に成形して、誘電体セラミック層３および
４のためのセラミックグリーンシートを得る。
【００４０】次に、中間部に位置する誘電体セラミック
層４となるセラミックグリーンシートの各一方の主面上
に、ニッケルを導電成分として含む内部電極５および６
を形成する。これら内部電極５および６は、本発明の導
電性ペーストを用いて、スクリーン印刷法などの印刷法
で形成される。
層４となるセラミックグリーンシートの各一方の主面上
に、ニッケルを導電成分として含む内部電極５および６
を形成する。これら内部電極５および６は、本発明の導
電性ペーストを用いて、スクリーン印刷法などの印刷法
で形成される。
【００４１】次に、内部電極５または６を形成した誘電
体セラミック層４のためのセラミックグリーンシート
を、必要枚数積層するとともに、図２に示すように、こ
れらセラミックグリーンシートを、外層部に位置する、
内部電極が形成されていない誘電体セラミック層３のた
めのセラミックグリーンシートによって挟んだ状態と
し、これらを圧着することによって、生の積層体を得
る。
体セラミック層４のためのセラミックグリーンシート
を、必要枚数積層するとともに、図２に示すように、こ
れらセラミックグリーンシートを、外層部に位置する、
内部電極が形成されていない誘電体セラミック層３のた
めのセラミックグリーンシートによって挟んだ状態と
し、これらを圧着することによって、生の積層体を得
る。
【００４２】その後、この生の積層体を、所定の非酸化
性雰囲気中で所定の温度にて焼成し、積層体２を得る。
性雰囲気中で所定の温度にて焼成し、積層体２を得る。
【００４３】次に、積層体２の両端面上に、内部電極５
および６の特定のものと電気的に接続されるように、外
部電極７および８を形成する。この外部電極７および８
の材料としては、内部電極５および６と同じ材料、すな
わちニッケルを使用することができるが、それ以外に、
銀、パラジウム、銀−パラジウム合金なども使用可能で
ある。また、これら金属粉末に、Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ｂ
ａＯ系ガラス、Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2−ＢａＯ系ガラスなど
のガラスフリットを添加したものが使用される。これら
外部電極材料については、積層セラミックコンデンサ１
の用途、使用場所などを考慮して適当な材料が選択され
る。
および６の特定のものと電気的に接続されるように、外
部電極７および８を形成する。この外部電極７および８
の材料としては、内部電極５および６と同じ材料、すな
わちニッケルを使用することができるが、それ以外に、
銀、パラジウム、銀−パラジウム合金なども使用可能で
ある。また、これら金属粉末に、Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ｂ
ａＯ系ガラス、Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2−ＢａＯ系ガラスなど
のガラスフリットを添加したものが使用される。これら
外部電極材料については、積層セラミックコンデンサ１
の用途、使用場所などを考慮して適当な材料が選択され
る。
【００４４】また、外部電極７および８は、典型的に
は、材料となる金属粉末ペーストを、焼成により得た積
層体に塗布して、焼付けることによって形成されるが、
焼成前に塗布して、積層体２を得るための焼成と同時に
焼付けることによって形成してもよい。
は、材料となる金属粉末ペーストを、焼成により得た積
層体に塗布して、焼付けることによって形成されるが、
焼成前に塗布して、積層体２を得るための焼成と同時に
焼付けることによって形成してもよい。
【００４５】その後、外部電極７および８の上に、ニッ
ケル、銅などのめっきを施し、第１のめっき層９を形成
する。最後に、この第１のめっき層９の上に、はんだ、
錫などの第２のめっき層１０を形成し、積層セラミック
コンデンサ１を完成させる。
ケル、銅などのめっきを施し、第１のめっき層９を形成
する。最後に、この第１のめっき層９の上に、はんだ、
錫などの第２のめっき層１０を形成し、積層セラミック
コンデンサ１を完成させる。
【００４６】
【実施例】以下、本発明の金属粉末の製造方法の実施例
を、Ｎｉ粉末の製造方法を例として示す。
を、Ｎｉ粉末の製造方法を例として示す。
【００４７】まず、非水溶媒としてエチルアルコール
（Ｃ2Ｈ5ＯＨ）を用意した。次に、エチルアルコールに
表１に示す割合で、Ｎｉの金属塩としての塩化ニッケル
（ＮｉＣｌ2・６Ｈ2Ｏ）、キレート化剤としてのトリエ
タノールアミン（ＴＥＡ、ＴＥＡ／Ｎｉ2+＝１（モル比
率で））、および高分子タイプ界面活性剤としてのポリ
ビニルピロリドン（ＰＶＰ、分子量２５０００）を加え
て溶解した。その後、塩基性化合物としてのＮａＯＨ水
溶液（１２Ｎ−ＮａＯＨ）を加えて、溶液のｐＨを１１
〜１２の範囲内に調整した。
（Ｃ2Ｈ5ＯＨ）を用意した。次に、エチルアルコールに
表１に示す割合で、Ｎｉの金属塩としての塩化ニッケル
（ＮｉＣｌ2・６Ｈ2Ｏ）、キレート化剤としてのトリエ
タノールアミン（ＴＥＡ、ＴＥＡ／Ｎｉ2+＝１（モル比
率で））、および高分子タイプ界面活性剤としてのポリ
ビニルピロリドン（ＰＶＰ、分子量２５０００）を加え
て溶解した。その後、塩基性化合物としてのＮａＯＨ水
溶液（１２Ｎ−ＮａＯＨ）を加えて、溶液のｐＨを１１
〜１２の範囲内に調整した。
【００４８】次に、ｐＨを調整した溶液を表１に示す温
度に加温した。そして、この溶液に超音波（２８ｋＨｚ
・２０秒間−４５ｋＨｚ・２０秒間−１００ｋＨｚ・２
０秒間を１サイクルとして、還元反応中繰り返す）を照
射しながら、表１に示した量のＮ2Ｈ4（包水ヒドラジン
Ｎ2Ｈ4・Ｈ2Ｏとして）を還元剤として添加して、還元
反応を３０分間行ないＮｉ金属粉末を得た。なお、表１
において試料番号に＊印を付したものは本発明の範囲外
のものであり、それ以外は本発明の範囲内のものであ
る。
度に加温した。そして、この溶液に超音波（２８ｋＨｚ
・２０秒間−４５ｋＨｚ・２０秒間−１００ｋＨｚ・２
０秒間を１サイクルとして、還元反応中繰り返す）を照
射しながら、表１に示した量のＮ2Ｈ4（包水ヒドラジン
Ｎ2Ｈ4・Ｈ2Ｏとして）を還元剤として添加して、還元
反応を３０分間行ないＮｉ金属粉末を得た。なお、表１
において試料番号に＊印を付したものは本発明の範囲外
のものであり、それ以外は本発明の範囲内のものであ
る。
【００４９】
【表１】
【００５０】還元反応終了後、濾液のｐＨが６．５〜
７．０の中性になるまで純水で洗浄して、生成したＮａ
Ｃｌを除去した。その後、Ｎｉ金属粉末のアセトン洗浄
を繰り返して、水−有機溶剤の置換を行ない、Ｎｉ金属
粉末表面の水分を除去した。その後、Ｎｉ金属粉末を真
空乾燥機を用いて乾燥し、乾燥Ｎｉ金属粉末を得た。
７．０の中性になるまで純水で洗浄して、生成したＮａ
Ｃｌを除去した。その後、Ｎｉ金属粉末のアセトン洗浄
を繰り返して、水−有機溶剤の置換を行ない、Ｎｉ金属
粉末表面の水分を除去した。その後、Ｎｉ金属粉末を真
空乾燥機を用いて乾燥し、乾燥Ｎｉ金属粉末を得た。
【００５１】得られた乾燥Ｎｉ金属粉末の重量を秤量
し、（得られたＮｉ金属粉末の量／理論反応時のＮｉ金
属粉末の量）×１００の計算式を用いて、Ｎｉ金属粉末
の収率を求めた。また、得られた金属Ｎｉ粉末のＦＥ−
ＳＥＭ観察を行ない、Ｎｉ金属粉末の一次粒子径および
凝集状態の二次粒子径を求めた。これらの結果を表２に
示す。なお、表２において試料番号に＊印を付したもの
は本発明の範囲外のものであり、それ以外は本発明の範
囲内のものである。
し、（得られたＮｉ金属粉末の量／理論反応時のＮｉ金
属粉末の量）×１００の計算式を用いて、Ｎｉ金属粉末
の収率を求めた。また、得られた金属Ｎｉ粉末のＦＥ−
ＳＥＭ観察を行ない、Ｎｉ金属粉末の一次粒子径および
凝集状態の二次粒子径を求めた。これらの結果を表２に
示す。なお、表２において試料番号に＊印を付したもの
は本発明の範囲外のものであり、それ以外は本発明の範
囲内のものである。
【００５２】
【表２】
【００５３】表２の試料番号３、５、６と、試料番号
９、１０、１１を比較する。
９、１０、１１を比較する。
【００５４】試料番号３、５および６のように、還元反
応時に超音波を照射することにより、Ｎｉ金属粉末の収
率が理論値通りの１００％となり、一次粒子径が２０〜
３０ｎｍと細かく、二次粒子径が１００〜２００ｎｍと
凝集の少ない分散性にすぐれたＮｉ金属粉末が得られ
る。これに対して、試料番号９、１０および１１のよう
に、還元反応時に超音波を照射しない場合は、Ｎｉ金属
粉末の収率が理論値より大幅に悪く３８〜７５％とな
り、一次粒子径が１００〜１５０ｎｍと大きく、二次粒
子径が１０００〜２０００ｎｍと分散性が悪く凝集した
Ｎｉ金属粉末しか得られない。還元反応時に超音波を照
射しない場合には、試料番号１４〜１７のように、反応
温度を７５℃以上に高めて、初めて収率を１００％とす
ることができる。
応時に超音波を照射することにより、Ｎｉ金属粉末の収
率が理論値通りの１００％となり、一次粒子径が２０〜
３０ｎｍと細かく、二次粒子径が１００〜２００ｎｍと
凝集の少ない分散性にすぐれたＮｉ金属粉末が得られ
る。これに対して、試料番号９、１０および１１のよう
に、還元反応時に超音波を照射しない場合は、Ｎｉ金属
粉末の収率が理論値より大幅に悪く３８〜７５％とな
り、一次粒子径が１００〜１５０ｎｍと大きく、二次粒
子径が１０００〜２０００ｎｍと分散性が悪く凝集した
Ｎｉ金属粉末しか得られない。還元反応時に超音波を照
射しない場合には、試料番号１４〜１７のように、反応
温度を７５℃以上に高めて、初めて収率を１００％とす
ることができる。
【００５５】すなわち、Ｎｉイオンを含む溶液に還元剤
を加えて、還元反応によりＮｉ金属を析出させるＮｉ金
属粉末の製造方法において、還元反応時に溶液に超音波
を照射することにより、分散性に優れた微細なＮｉ金属
粉末を、より低温で理論どおりの収率で得ることができ
る。
を加えて、還元反応によりＮｉ金属を析出させるＮｉ金
属粉末の製造方法において、還元反応時に溶液に超音波
を照射することにより、分散性に優れた微細なＮｉ金属
粉末を、より低温で理論どおりの収率で得ることができ
る。
【００５６】次に、試料番号４と１８との比較で明らか
なように、反応溶液中に高分子タイプ界面活性剤を添加
することにより、界面活性剤を添加しない場合に比べ
て、一次粒子径は１／２〜１／３になり、二次粒子径は
１／２〜１／５になる。すなわち、高分子タイプ界面活
性剤を添加することにより、より微細であって、分散性
に優れたＮｉ金属粉末を得ることができる。
なように、反応溶液中に高分子タイプ界面活性剤を添加
することにより、界面活性剤を添加しない場合に比べ
て、一次粒子径は１／２〜１／３になり、二次粒子径は
１／２〜１／５になる。すなわち、高分子タイプ界面活
性剤を添加することにより、より微細であって、分散性
に優れたＮｉ金属粉末を得ることができる。
【００５７】次に、試料番号１〜８間の比較で明らかな
ように、還元反応を理論どおり１００％進行させるに
は、Ｎ2Ｈ4／Ｎｉ2+のモル比率を２以上とする必要があ
る。試料１および２のように、Ｎ2Ｈ4／Ｎｉ2+のモル比
率が１または１．５の場合には、収率が１００％になら
ない。
ように、還元反応を理論どおり１００％進行させるに
は、Ｎ2Ｈ4／Ｎｉ2+のモル比率を２以上とする必要があ
る。試料１および２のように、Ｎ2Ｈ4／Ｎｉ2+のモル比
率が１または１．５の場合には、収率が１００％になら
ない。
【００５８】還元剤Ｎ2Ｈ4の還元反応は１電子放出反応
であるので、当然、Ｎ2Ｈ4／Ｎ2+のモル比率が２未満で
はＮｉ2+→Ｎｉ0の還元反応進行率は１００％にならな
い。理論計算すると、Ｎ2Ｈ4／Ｎｉ2+＝１．０〜１．５
の間では５０〜７５％の反応進行率となるが、実際には
試料番号１および２のように、６０〜８０％となってい
る。すなわち、還元反応時に超音波を照射することによ
り、理論値よりも１０％程度反応を進めることができ
る。ところで、Ｎ2Ｈ4自身は反応条件によって１〜４電
子放出して反応するといわれており、この実験の結果で
理論値よりも１０％程度反応が進行しているのは、１電
子反応のみでなく、一部２電子放出反応を伴った還元反
応が起こった結果であると推測される。
であるので、当然、Ｎ2Ｈ4／Ｎ2+のモル比率が２未満で
はＮｉ2+→Ｎｉ0の還元反応進行率は１００％にならな
い。理論計算すると、Ｎ2Ｈ4／Ｎｉ2+＝１．０〜１．５
の間では５０〜７５％の反応進行率となるが、実際には
試料番号１および２のように、６０〜８０％となってい
る。すなわち、還元反応時に超音波を照射することによ
り、理論値よりも１０％程度反応を進めることができ
る。ところで、Ｎ2Ｈ4自身は反応条件によって１〜４電
子放出して反応するといわれており、この実験の結果で
理論値よりも１０％程度反応が進行しているのは、１電
子反応のみでなく、一部２電子放出反応を伴った還元反
応が起こった結果であると推測される。
【００５９】さらに、反応温度については、試料番号１
２、１３のように４５〜５０℃では収率が８６〜９０％
となり、還元反応を理論通り１００％進めることができ
ない。したがって、超音波照射しながら金属Ｎｉ粉末を
得るためには、反応温度として５５℃以上が好ましい。
２、１３のように４５〜５０℃では収率が８６〜９０％
となり、還元反応を理論通り１００％進めることができ
ない。したがって、超音波照射しながら金属Ｎｉ粉末を
得るためには、反応温度として５５℃以上が好ましい。
【００６０】なお、上記実施例においては、Ｎｉ金属粉
末を得る場合について説明したが、金属粉末としては特
に限定されるものでなく、例えばＣｏ金属粉末など他の
金属粉末の場合も同様に得ることができる。
末を得る場合について説明したが、金属粉末としては特
に限定されるものでなく、例えばＣｏ金属粉末など他の
金属粉末の場合も同様に得ることができる。
【００６１】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
金属粉末の製造方法によれば、粉砕工程あるいは還元剤
からの不純物混入の恐れがなく、分散性に優れた、微細
な金属粉末を効率よく安価に得ることができる。
金属粉末の製造方法によれば、粉砕工程あるいは還元剤
からの不純物混入の恐れがなく、分散性に優れた、微細
な金属粉末を効率よく安価に得ることができる。
【００６２】そして、本発明の製造方法による金属粉末
を用いることにより、分散性に優れた微細な金属粉末を
含有する導電性ペーストを得ることができる。また、こ
の導電性ペーストを用いることにより、より平滑かつ均
一な導体を備えた積層セラミックコンデンサなどのセラ
ミック電子部品を得ることができる。
を用いることにより、分散性に優れた微細な金属粉末を
含有する導電性ペーストを得ることができる。また、こ
の導電性ペーストを用いることにより、より平滑かつ均
一な導体を備えた積層セラミックコンデンサなどのセラ
ミック電子部品を得ることができる。
【図１】本発明のセラミック電子部品の一例を示す積層
セラミックコンデンサの断面図である。
セラミックコンデンサの断面図である。
【図２】図１に示す積層セラミックコンデンサの積層体
２の分解斜視図である。
２の分解斜視図である。
１ 積層セラミックコンデンサ ２ 積層体 ３、４ 誘電体セラミック層 ５、６ 内部電極 ７、８ 外部電極 ９、１０ めっき層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K017 AA03 BA03 CA08 DA01 EJ01 FA29 FB07 5E001 AB03 AC09 AE02 AE03 AH01 AJ01 5E082 AA01 AB03 EE04 EE23 EE35 FF05 FG06 FG26 FG46 FG54 GG10 GG11 GG28 JJ23 LL02 PP06 PP10 5G301 DA10 DA42 DD01 DE03
Claims (8)
- 【請求項１】 水溶性アルコールからなる非水溶媒中
に、トリエタノールアミン、ジエタノールアミンおよび
モノエタノールアミンよりなる群から選ばれる少なくと
も１種のキレート化剤、並びに高分子タイプ界面活性剤
を溶解する工程、 前記非水溶媒中に、さらに、金属塩を溶解または分散す
る工程、 前記金属塩が溶解または分散した非水溶媒中に、塩基性
化合物の水溶液を添加してｐＨをアルカリに調整して未
溶解の金属塩を溶解して溶液とし、該溶液を加温する工
程、 前記加温した溶液に、超音波を照射しながら、前記溶液
中に溶解している金属イオンをＭn+とした場合、該金属
イオンＭn+とのモル比率Ｎ2Ｈ4／Ｍn+がｎ（ただし、ｎ
は金属イオンの価数）以上になる量のＮ2Ｈ4を加えて還
元反応を行ない金属を析出させる工程、とを備えること
を特徴とする、金属粉末の製造方法。 - 【請求項２】 前記金属塩はＮｉ金属塩であり、前記調
整したｐＨは１１〜１２であり、前記加温温度は５５℃
以上であり、前記金属イオンＭn+はＮｉ2+であり、前記
金属粉末はＮｉ粉末であることを特徴とする、請求項１
に記載の金属粉末の製造方法。 - 【請求項３】 前記金属塩は、硝酸塩、硫酸塩、酢酸塩
および塩化物よりなる群から選ばれる少なくとも１種で
あることを特徴とする、請求項１または２に記載の金属
粉末の製造方法。 - 【請求項４】 前記高分子タイプ界面活性剤は、ポリビ
ニルピロリドン、ヒドロキシプロピルセルロース、ポリ
ビニルアルコールおよびカルボキシメチルセルロースよ
りなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴
とする、請求項１から３のいずれかに記載の金属粉末の
製造方法。 - 【請求項５】 前記塩基性化合物は、ＮａＯＨ、ＬｉＯ
Ｈ、ＫＯＨ、ＣｓＯＨ、ＮＨ4ＯＨおよびＲｂＯＨより
なる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴と
する、請求項１から４のいずれかに記載の金属粉末の製
造方法。 - 【請求項６】 金属粉末と有機ビヒクルとを含有する導
電性ペーストであって、前記金属粉末は、請求項１から
５のいずれかに記載の製造方法により製造されたもので
あることを特徴とする、導電性ペースト。 - 【請求項７】 セラミックと、該セラミックに形成され
た導体とを備えたセラミック電子部品であって、前記導
体が、請求項６に記載の導電性ペーストを焼成して得ら
れたものを含むことを特徴とする、セラミック電子部
品。 - 【請求項８】 複数の積層された誘電体セラミック層
と、該誘電体セラミック層の特定の界面に沿って形成さ
れた内部電極と、該内部電極に電気的に接続された外部
電極とを備えて積層コンデンサが構成されており、か
つ、前記内部電極は、Ｎｉを主成分とするものであっ
て、請求項６に記載の導電性ペーストを焼成して得られ
たものであることを特徴とする、セラミック電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35721299A JP4238444B2 (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | 金属粉末の製造方法、並びに導電性ペーストおよびセラミック電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35721299A JP4238444B2 (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | 金属粉末の製造方法、並びに導電性ペーストおよびセラミック電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001172705A true JP2001172705A (ja) | 2001-06-26 |
| JP4238444B2 JP4238444B2 (ja) | 2009-03-18 |
Family
ID=18452964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35721299A Expired - Lifetime JP4238444B2 (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | 金属粉末の製造方法、並びに導電性ペーストおよびセラミック電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4238444B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002025360A (ja) * | 2001-04-16 | 2002-01-25 | Murata Mfg Co Ltd | 耐酸化性を備える導電粉末の製造方法、導電粉末、導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品 |
| WO2006001310A1 (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-05 | Mitsubishi Materials Corporation | 金属コロイド粒子、金属コロイド、及び金属コロイドの用途 |
| JP2007314869A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 金属ナノ粒子の製造方法およびこれにより製造された金属ナノ粒子 |
| JP2008221121A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | キャビテーション反応の加速方法及びそれを用いた金属ナノ粒子の生成方法 |
| JP2008538593A (ja) * | 2005-04-20 | 2008-10-30 | フィブロ−テック，インコーポレイテッド | 微粒子の銅粉末の生成 |
| CN100581693C (zh) * | 2006-12-31 | 2010-01-20 | 中国科学技术大学 | 一种多晶均匀镍微球及其线形镍链的制备方法 |
| KR100967708B1 (ko) * | 2002-12-02 | 2010-07-07 | 주식회사 포스코 | 입자 크기가 단일분포를 가지는 금속 산화물 나노입자의제조방법 및 이로부터 제조되는 금속 산화물 나노입자 |
| JP2011179074A (ja) * | 2010-03-01 | 2011-09-15 | Utsunomiya Univ | 金ナノ粒子及びその製造方法 |
-
1999
- 1999-12-16 JP JP35721299A patent/JP4238444B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002025360A (ja) * | 2001-04-16 | 2002-01-25 | Murata Mfg Co Ltd | 耐酸化性を備える導電粉末の製造方法、導電粉末、導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品 |
| JP4595235B2 (ja) * | 2001-04-16 | 2010-12-08 | 株式会社村田製作所 | 耐酸化性を備える導電粉末の製造方法、導電粉末、導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品 |
| KR100967708B1 (ko) * | 2002-12-02 | 2010-07-07 | 주식회사 포스코 | 입자 크기가 단일분포를 가지는 금속 산화물 나노입자의제조방법 및 이로부터 제조되는 금속 산화물 나노입자 |
| WO2006001310A1 (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-05 | Mitsubishi Materials Corporation | 金属コロイド粒子、金属コロイド、及び金属コロイドの用途 |
| US8709296B2 (en) | 2004-06-25 | 2014-04-29 | Mitsubishi Materials Corporation | Metal colloidal particles, metal colloid and use of metal colloid |
| JP2008538593A (ja) * | 2005-04-20 | 2008-10-30 | フィブロ−テック，インコーポレイテッド | 微粒子の銅粉末の生成 |
| JP2007314869A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 金属ナノ粒子の製造方法およびこれにより製造された金属ナノ粒子 |
| CN100581693C (zh) * | 2006-12-31 | 2010-01-20 | 中国科学技术大学 | 一种多晶均匀镍微球及其线形镍链的制备方法 |
| JP2008221121A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | キャビテーション反応の加速方法及びそれを用いた金属ナノ粒子の生成方法 |
| JP2011179074A (ja) * | 2010-03-01 | 2011-09-15 | Utsunomiya Univ | 金ナノ粒子及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4238444B2 (ja) | 2009-03-18 |
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