JP2001170638A - 水処理装置 - Google Patents
水処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】残留塩素センサＳ２を用いて被処理水Ｗの残留
塩素濃度を制御する水処理装置１であって、被処理水Ｗ
の残留塩素濃度を良好に制御できる装置が望まれてい
た。 【解決手段】残留塩素センサＳ２の測定値に基づいて、
必要な量の遊離残留塩素を発生させるように、電解槽１
２への通電量を制御する制御手段４０を設ける。 【効果】電気分解によって発生する遊離残留塩素量は、
加えた電流量と相関があるので、不足残留塩素分の塩素
量を電気分解にて発生させれば、残留塩素濃度制御が良
好に行える。
塩素濃度を制御する水処理装置１であって、被処理水Ｗ
の残留塩素濃度を良好に制御できる装置が望まれてい
た。 【解決手段】残留塩素センサＳ２の測定値に基づいて、
必要な量の遊離残留塩素を発生させるように、電解槽１
２への通電量を制御する制御手段４０を設ける。 【効果】電気分解によって発生する遊離残留塩素量は、
加えた電流量と相関があるので、不足残留塩素分の塩素
量を電気分解にて発生させれば、残留塩素濃度制御が良
好に行える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、プール、浴場の
浴槽といった大型の水槽から、ビルの屋上などに配置さ
れる給水槽、一般家庭用の浴槽といった小型の水槽ま
で、種々の水槽に貯留された被処理水を滅菌処理するこ
とができる、新規な水処理装置に関するものである。
浴槽といった大型の水槽から、ビルの屋上などに配置さ
れる給水槽、一般家庭用の浴槽といった小型の水槽ま
で、種々の水槽に貯留された被処理水を滅菌処理するこ
とができる、新規な水処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】たとえば屋内外に設置されたプール、あ
るいは旅館の浴場や公衆浴場における浴槽などは、その
水質を維持するために定期的に、いわゆるカルキ（サラ
シ粉、高度サラシ粉）や次亜塩素酸ソーダ（ＮａＣｌ
Ｏ）の水溶液を投入して滅菌処理をする必要がある。し
かし従来は、この作業を、プールや浴場の従業者などが
営業時間外（早朝や深夜など）に手作業で行っており、
しかもカルキや次亜塩素酸ソーダの水溶液は刺激性を有
するため十分に注意しながら作業を行わなければならな
いなど、処理をするのに大変な労力を要するという問題
があった。
るいは旅館の浴場や公衆浴場における浴槽などは、その
水質を維持するために定期的に、いわゆるカルキ（サラ
シ粉、高度サラシ粉）や次亜塩素酸ソーダ（ＮａＣｌ
Ｏ）の水溶液を投入して滅菌処理をする必要がある。し
かし従来は、この作業を、プールや浴場の従業者などが
営業時間外（早朝や深夜など）に手作業で行っており、
しかもカルキや次亜塩素酸ソーダの水溶液は刺激性を有
するため十分に注意しながら作業を行わなければならな
いなど、処理をするのに大変な労力を要するという問題
があった。
【０００３】また特にカルキは固形粉末であるため、投
入後、溶解して濃度が均一になるまでに長時間を要し、
その間、プールや浴槽を使用できないという問題もあっ
た。また、ビルの屋上などに配置される給水槽や、ある
いは一般家庭用の浴槽の場合は、水道水中に含まれる塩
素の滅菌力のみに頼っているのが現状であり、特に給水
槽の場合には、内部に藻が繁殖するなどして水質が悪化
することがある。また、一般家庭用の浴槽の場合は通
常、ほぼ１〜２日ごとに水を入れ替えるため水質の点で
問題はないように思われがちであるが、浴槽に接続され
たボイラー内は頻繁に清掃できないために雑菌やかびな
どが繁殖しやすく、やはり水質の悪化が懸念される。
入後、溶解して濃度が均一になるまでに長時間を要し、
その間、プールや浴槽を使用できないという問題もあっ
た。また、ビルの屋上などに配置される給水槽や、ある
いは一般家庭用の浴槽の場合は、水道水中に含まれる塩
素の滅菌力のみに頼っているのが現状であり、特に給水
槽の場合には、内部に藻が繁殖するなどして水質が悪化
することがある。また、一般家庭用の浴槽の場合は通
常、ほぼ１〜２日ごとに水を入れ替えるため水質の点で
問題はないように思われがちであるが、浴槽に接続され
たボイラー内は頻繁に清掃できないために雑菌やかびな
どが繁殖しやすく、やはり水質の悪化が懸念される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な各水槽に貯留された被処理水を滅菌処理する場合に
は、水槽および被処理水の用途に応じて、残留塩素濃度
が所定の範囲内になるようにする必要がある。残留塩素
濃度は、残留塩素センサを用いて測定することができる
が、プールや公衆浴場等の大きな水槽の場合、水槽内の
平均的な残留塩素濃度と、残留塩素センサで測定される
濃度との間に、時間的なずれが生じるという課題があっ
た。
な各水槽に貯留された被処理水を滅菌処理する場合に
は、水槽および被処理水の用途に応じて、残留塩素濃度
が所定の範囲内になるようにする必要がある。残留塩素
濃度は、残留塩素センサを用いて測定することができる
が、プールや公衆浴場等の大きな水槽の場合、水槽内の
平均的な残留塩素濃度と、残留塩素センサで測定される
濃度との間に、時間的なずれが生じるという課題があっ
た。
【０００５】すなわち、次亜塩素酸ソーダ等が投入され
た後、水槽内の残留塩素濃度が平均化するまでに時間が
かかり、特定の場所で残留塩素センサにより残留塩素濃
度を測定しても、正しい測定値が求められず、測定値が
正しくなるまでに時間を要するという課題があった。そ
こでこの発明は、上記のような種々の水槽に貯留された
被処理水を、簡単かつ効率的に滅菌処理することができ
る、新規な水処理装置を提供することを目的とする。
た後、水槽内の残留塩素濃度が平均化するまでに時間が
かかり、特定の場所で残留塩素センサにより残留塩素濃
度を測定しても、正しい測定値が求められず、測定値が
正しくなるまでに時間を要するという課題があった。そ
こでこの発明は、上記のような種々の水槽に貯留された
被処理水を、簡単かつ効率的に滅菌処理することができ
る、新規な水処理装置を提供することを目的とする。
【０００６】またこの発明は、残留塩素センサを用いて
被処理水の残留塩素濃度を測定する水処理装置であっ
て、被処理水の残留塩素濃度を良好に測定することがで
きる水処理装置を提供することを目的とする。またこの
発明は、被処理水の残留塩素濃度をレスポンス良く自動
的に所望の範囲内に維持することのできる水処理装置を
提供することを目的とする。
被処理水の残留塩素濃度を測定する水処理装置であっ
て、被処理水の残留塩素濃度を良好に測定することがで
きる水処理装置を提供することを目的とする。またこの
発明は、被処理水の残留塩素濃度をレスポンス良く自動
的に所望の範囲内に維持することのできる水処理装置を
提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段および発明の効果】請求項
１記載の発明は、被処理水を貯留する水槽と、被処理水
を電気化学反応によって滅菌する電解槽と、水槽から被
処理水を電解槽へ導入し、かつ電解槽で滅菌された後の
水を水槽に還流する水処理経路と、被処理水の残留塩素
濃度を測定する残留塩素センサと、残留塩素センサの測
定値に基づいて、必要な量の遊離残留塩素を発生させる
ように、電解槽への通電量を制御する制御手段と、を含
むことを特徴とする水処理装置である。
１記載の発明は、被処理水を貯留する水槽と、被処理水
を電気化学反応によって滅菌する電解槽と、水槽から被
処理水を電解槽へ導入し、かつ電解槽で滅菌された後の
水を水槽に還流する水処理経路と、被処理水の残留塩素
濃度を測定する残留塩素センサと、残留塩素センサの測
定値に基づいて、必要な量の遊離残留塩素を発生させる
ように、電解槽への通電量を制御する制御手段と、を含
むことを特徴とする水処理装置である。
【０００８】請求項２記載の発明は、被処理水を貯留す
る水槽と、被処理水を電気化学反応によって滅菌する電
解槽と、残留塩素濃度を測定する残留塩素センサと、水
槽から被処理水を残留塩素センサを経由して電解槽へ導
入し、かつ電解槽で滅菌された後の水を残留塩素センサ
を経由せずに水槽へ還流する第１の水処理経路と、水槽
から被処理水を残留塩素センサを経由せずに電解槽へ導
入し、かつ電解槽で滅菌された後の水を残留塩素センサ
を経由して水槽へ還流する第２の水処理経路と、第１の
水処理経路に水を流すか、第２の水処理経路に水を流す
かを切換える切換え制御手段と、を含むことを特徴とす
る水処理装置である。
る水槽と、被処理水を電気化学反応によって滅菌する電
解槽と、残留塩素濃度を測定する残留塩素センサと、水
槽から被処理水を残留塩素センサを経由して電解槽へ導
入し、かつ電解槽で滅菌された後の水を残留塩素センサ
を経由せずに水槽へ還流する第１の水処理経路と、水槽
から被処理水を残留塩素センサを経由せずに電解槽へ導
入し、かつ電解槽で滅菌された後の水を残留塩素センサ
を経由して水槽へ還流する第２の水処理経路と、第１の
水処理経路に水を流すか、第２の水処理経路に水を流す
かを切換える切換え制御手段と、を含むことを特徴とす
る水処理装置である。
【０００９】請求項３記載の発明は、第１の水処理経路
および第２の水処理経路は、その一部が共用されてお
り、かつ経路には弁等が介在されていて、切換え制御手
段は、弁等を切換えて、電解槽へ入る前の水が残留塩素
センサを通るか、電解槽から出る水が残留塩素センサを
通るかを切換えることを特徴とする、請求項２記載の水
処理装置である。請求項４記載の発明は、被処理水を貯
留する水槽と、被処理水を電気化学分解によって滅菌す
る電解槽と、水槽の処理水を電解槽へ導入し、かつ電解
槽で滅菌された後の水を水槽に還流する水処理経路と、
電解槽の出口側の水処理経路に配置され、電解槽から水
槽へ還流される水の残留塩素濃度を測定する残留塩素セ
ンサと、残留塩素センサの測定値に基づいて、電解槽に
おける被処理水の電気化学分解量を制御し、還流される
水の残留塩素濃度を所定の範囲に保つ制御手段と、を含
むことを特徴とする水処理装置である。
および第２の水処理経路は、その一部が共用されてお
り、かつ経路には弁等が介在されていて、切換え制御手
段は、弁等を切換えて、電解槽へ入る前の水が残留塩素
センサを通るか、電解槽から出る水が残留塩素センサを
通るかを切換えることを特徴とする、請求項２記載の水
処理装置である。請求項４記載の発明は、被処理水を貯
留する水槽と、被処理水を電気化学分解によって滅菌す
る電解槽と、水槽の処理水を電解槽へ導入し、かつ電解
槽で滅菌された後の水を水槽に還流する水処理経路と、
電解槽の出口側の水処理経路に配置され、電解槽から水
槽へ還流される水の残留塩素濃度を測定する残留塩素セ
ンサと、残留塩素センサの測定値に基づいて、電解槽に
おける被処理水の電気化学分解量を制御し、還流される
水の残留塩素濃度を所定の範囲に保つ制御手段と、を含
むことを特徴とする水処理装置である。
【００１０】請求項５記載の発明は、制御手段は、電解
槽への通電量を調整する通電量調整手段を含むことを特
徴とする、請求項４記載の水処理装置である。請求項６
記載の発明は、制御手段は、電解槽への被処理水の導入
量を調整する導入量調整手段を含むことを特徴とする、
請求項４記載の水処理装置である。請求項７記載の発明
は、制御手段は、電解槽へ導入される被処理水に添加す
るＮａＣｌの量を調整する手段を含むことを特徴とす
る、請求項４記載の水処理装置である。
槽への通電量を調整する通電量調整手段を含むことを特
徴とする、請求項４記載の水処理装置である。請求項６
記載の発明は、制御手段は、電解槽への被処理水の導入
量を調整する導入量調整手段を含むことを特徴とする、
請求項４記載の水処理装置である。請求項７記載の発明
は、制御手段は、電解槽へ導入される被処理水に添加す
るＮａＣｌの量を調整する手段を含むことを特徴とす
る、請求項４記載の水処理装置である。
【００１１】請求項８記載の発明は、高濃度のＮａＣｌ
溶液が溜められたＮａＣｌ槽と、ＮａＣｌ槽からＮａＣ
ｌ溶液を電解槽へ導入する流路と、流路に備えられたポ
ンプとを有し、ＮａＣｌの量を調整する手段は、ポンプ
の動作を制御することを特徴とする、請求項７記載の水
処理装置である。請求項９記載の発明は、被処理水を貯
留する水槽と、被処理水の残留塩素濃度を測定する残留
塩素センサと、残留塩素センサの測定値がしきい値未満
のときに、被処理水の残留塩素濃度を高めるために動作
する塩素投入手段とを有する水処理装置において、前記
残留塩素センサの測定値が予め定める基本しきい値に比
べて一定値以上低いときには、当該しきい値を、当該測
定値に関連する低しきい値に下げるしきい値変更手段を
有することを特徴とする水処理装置である。
溶液が溜められたＮａＣｌ槽と、ＮａＣｌ槽からＮａＣ
ｌ溶液を電解槽へ導入する流路と、流路に備えられたポ
ンプとを有し、ＮａＣｌの量を調整する手段は、ポンプ
の動作を制御することを特徴とする、請求項７記載の水
処理装置である。請求項９記載の発明は、被処理水を貯
留する水槽と、被処理水の残留塩素濃度を測定する残留
塩素センサと、残留塩素センサの測定値がしきい値未満
のときに、被処理水の残留塩素濃度を高めるために動作
する塩素投入手段とを有する水処理装置において、前記
残留塩素センサの測定値が予め定める基本しきい値に比
べて一定値以上低いときには、当該しきい値を、当該測
定値に関連する低しきい値に下げるしきい値変更手段を
有することを特徴とする水処理装置である。
【００１２】請求項１０記載の発明は、前記残留塩素セ
ンサの測定値が基本しきい値以上になったときには、前
記しきい値変更手段は、前記低しきい値を基本しきい値
に変更することを特徴とする請求項９記載の水処理装置
である。請求項１１記載の発明は、前記しきい値変更手
段は、前記低しきい値を、前記残留塩素センサの測定値
に応じて、基本しきい値に達するまで段階的に上げるよ
うに変更することを特徴とする、請求項１０記載の水処
理装置である。
ンサの測定値が基本しきい値以上になったときには、前
記しきい値変更手段は、前記低しきい値を基本しきい値
に変更することを特徴とする請求項９記載の水処理装置
である。請求項１１記載の発明は、前記しきい値変更手
段は、前記低しきい値を、前記残留塩素センサの測定値
に応じて、基本しきい値に達するまで段階的に上げるよ
うに変更することを特徴とする、請求項１０記載の水処
理装置である。
【００１３】請求項１２記載の発明は、被処理水を貯留
する水槽と、被処理水の残留塩素濃度を測定する残留塩
素センサと、残留塩素センサの測定値がしきい値未満の
ときに、被処理水の残留塩素濃度を高めるために動作す
る塩素導入手段とを有する水処理装置において、前記塩
素投入手段の投入する塩素量に上限を設定し、一定時間
以内に設定された上限量以上の塩素投入が行われないよ
うに塩素投入手段を制御する制御手段を設けたことを特
徴とする水処理装置である。
する水槽と、被処理水の残留塩素濃度を測定する残留塩
素センサと、残留塩素センサの測定値がしきい値未満の
ときに、被処理水の残留塩素濃度を高めるために動作す
る塩素導入手段とを有する水処理装置において、前記塩
素投入手段の投入する塩素量に上限を設定し、一定時間
以内に設定された上限量以上の塩素投入が行われないよ
うに塩素投入手段を制御する制御手段を設けたことを特
徴とする水処理装置である。
【００１４】請求項１の発明は、電気分解によって発生
する遊離残留塩素（以下「残留塩素」という。）量が、
加えた電流量（電荷量）と相関があることを利用したも
のである。残留塩素センサで測定した被処理水の残留塩
素濃度と、予め決められている必要な残留塩素濃度との
差を求め、この差の値と水槽に貯留されている被処理水
の水量とから、不足している残留塩素量が求まる。そし
て不足残留塩素分の塩素量を電気分解にて発生させるの
に必要な電流量（電荷量）を電解槽に通電することによ
り、残留塩素濃度制御が無駄なく行える。
する遊離残留塩素（以下「残留塩素」という。）量が、
加えた電流量（電荷量）と相関があることを利用したも
のである。残留塩素センサで測定した被処理水の残留塩
素濃度と、予め決められている必要な残留塩素濃度との
差を求め、この差の値と水槽に貯留されている被処理水
の水量とから、不足している残留塩素量が求まる。そし
て不足残留塩素分の塩素量を電気分解にて発生させるの
に必要な電流量（電荷量）を電解槽に通電することによ
り、残留塩素濃度制御が無駄なく行える。
【００１５】このように、請求項１の構成によれば、残
留塩素センサの測定値に基づき、自動で通電量制御を行
うことによって、被処理水の残留塩素濃度を所定の範囲
に精度良く保つことができる。請求項２の構成では、第
１の水処理経路に水を流すか、第２の水処理経路に水を
流すかが切換えられる。２つの水処理経路は、共通に使
用される１つの残留塩素センサを経由して水が流れる。
第１の水処理経路を用いると、電解槽で滅菌される前の
処理水の残留塩素濃度を、残留塩素センサで測定でき
る。また、第２の水処理経路を用いると、電解槽で滅菌
された後の水の残留塩素濃度を、残留塩素センサで測定
できる。従って、１つの残留塩素センサにより、電解槽
での滅菌前後の水の残留塩素濃度を、必要に応じて測定
するように切換えることができる。よって、高価な残留
塩素センサを複数用いることなく、処理前の水の残留塩
素濃度と、処理後の水の残留塩素濃度とを測定し、必要
な制御を行うことができる。
留塩素センサの測定値に基づき、自動で通電量制御を行
うことによって、被処理水の残留塩素濃度を所定の範囲
に精度良く保つことができる。請求項２の構成では、第
１の水処理経路に水を流すか、第２の水処理経路に水を
流すかが切換えられる。２つの水処理経路は、共通に使
用される１つの残留塩素センサを経由して水が流れる。
第１の水処理経路を用いると、電解槽で滅菌される前の
処理水の残留塩素濃度を、残留塩素センサで測定でき
る。また、第２の水処理経路を用いると、電解槽で滅菌
された後の水の残留塩素濃度を、残留塩素センサで測定
できる。従って、１つの残留塩素センサにより、電解槽
での滅菌前後の水の残留塩素濃度を、必要に応じて測定
するように切換えることができる。よって、高価な残留
塩素センサを複数用いることなく、処理前の水の残留塩
素濃度と、処理後の水の残留塩素濃度とを測定し、必要
な制御を行うことができる。
【００１６】請求項３記載のように、水処理経路の一部
は共用し、弁やバルブ等を切換えて、水の流路を変更す
ることにより、比較的簡単に処理前の水および処理後の
水を選択的に残留塩素センサを経由するように流すこと
ができる。請求項４の構成では、電解槽で処理された後
の水が水槽へ還流されるときに、その水の残留塩素濃度
が測定される。電解槽で処理されて水槽へ還流される水
は、処理後であるから残留塩素濃度が高い。高濃度すぎ
る残留塩素は電解槽から水槽への配管を流れる際に、配
管系に腐食を生じさせるおそれがある。そこで、経路を
流れる処理後の水の残留塩素濃度をある一定値以下に制
御することにより、経路の腐食を極力抑えながら、水槽
の被処理水を目的とする残留塩素濃度にするように管理
することができる。
は共用し、弁やバルブ等を切換えて、水の流路を変更す
ることにより、比較的簡単に処理前の水および処理後の
水を選択的に残留塩素センサを経由するように流すこと
ができる。請求項４の構成では、電解槽で処理された後
の水が水槽へ還流されるときに、その水の残留塩素濃度
が測定される。電解槽で処理されて水槽へ還流される水
は、処理後であるから残留塩素濃度が高い。高濃度すぎ
る残留塩素は電解槽から水槽への配管を流れる際に、配
管系に腐食を生じさせるおそれがある。そこで、経路を
流れる処理後の水の残留塩素濃度をある一定値以下に制
御することにより、経路の腐食を極力抑えながら、水槽
の被処理水を目的とする残留塩素濃度にするように管理
することができる。
【００１７】被処理水の電気化学分解量の制御は、請求
項５のように、電解槽への通電量、すなわち電気分解の
電流量（電荷量）を調整することにより達成することが
できる。また、請求項６のように、電解槽へ導入される
被処理水の導入量、すなわち単位時間当たりに電解槽へ
導入される被処理水の量を調整することによっても行う
ことができる。導入量が多ければ、電解槽内に水が留ま
る時間が短くなるので、電解槽から流出する水の残留塩
素濃度は低くなる。逆に導入量を少なくすると、水は電
解槽内をゆっくりと流れるから、電解槽から流出する水
の残留塩素濃度が高くなる。
項５のように、電解槽への通電量、すなわち電気分解の
電流量（電荷量）を調整することにより達成することが
できる。また、請求項６のように、電解槽へ導入される
被処理水の導入量、すなわち単位時間当たりに電解槽へ
導入される被処理水の量を調整することによっても行う
ことができる。導入量が多ければ、電解槽内に水が留ま
る時間が短くなるので、電解槽から流出する水の残留塩
素濃度は低くなる。逆に導入量を少なくすると、水は電
解槽内をゆっくりと流れるから、電解槽から流出する水
の残留塩素濃度が高くなる。
【００１８】また、請求項７のように、電解槽へ導入さ
れる添加剤としてのＮａＣｌの量を調整してもよい。被
処理水に溶けているＮａＣｌの濃度が高ければ、電気化
学分解反応が促進されるから、このＮａＣｌの濃度を調
整することによっても、処理後の水の残留塩素濃度を調
整することができる。ＮａＣｌの添加量の調整は、請求
項８のように、高濃度、好ましくは飽和濃度のＮａＣｌ
溶液が溜められたＮａＣｌ槽を設け、この槽から電解槽
へ導入するＮａＣｌ溶液の流量を調整するようにするの
が、簡易でかつ良好な調整に適している。
れる添加剤としてのＮａＣｌの量を調整してもよい。被
処理水に溶けているＮａＣｌの濃度が高ければ、電気化
学分解反応が促進されるから、このＮａＣｌの濃度を調
整することによっても、処理後の水の残留塩素濃度を調
整することができる。ＮａＣｌの添加量の調整は、請求
項８のように、高濃度、好ましくは飽和濃度のＮａＣｌ
溶液が溜められたＮａＣｌ槽を設け、この槽から電解槽
へ導入するＮａＣｌ溶液の流量を調整するようにするの
が、簡易でかつ良好な調整に適している。
【００１９】請求項９〜１２の発明は、被処理水の残留
塩素濃度を高めるときに、残留塩素濃度のオーバーシュ
ートが生じないようにするための制御構成を特定するも
のである。請求項９のように、残留塩素センサで測定さ
れた残留塩素濃度が基本しきい値に比べて一定値以上低
下しているとき、つまり極端に低くなっているときに
は、基本しきい値を一旦低いしきい値に下げて、センサ
の測定値がそのしきい値になるように塩素投入手段を動
作させる。こうすると、塩素投入によって残留塩素濃度
がオーバーシュートしても、そのオーバーシュートの基
準が低いしきい値を基準としているから、元の基本しき
い値をオーバーシュートしてしまうという不具合がな
い。このようにしきい値を変更する理由は、投入された
塩素が水に溶けて残留塩素濃度の変化として反映される
までに一定の時間を要し、残留塩素センサの測定値は所
定の時間遅れを伴うからである。
塩素濃度を高めるときに、残留塩素濃度のオーバーシュ
ートが生じないようにするための制御構成を特定するも
のである。請求項９のように、残留塩素センサで測定さ
れた残留塩素濃度が基本しきい値に比べて一定値以上低
下しているとき、つまり極端に低くなっているときに
は、基本しきい値を一旦低いしきい値に下げて、センサ
の測定値がそのしきい値になるように塩素投入手段を動
作させる。こうすると、塩素投入によって残留塩素濃度
がオーバーシュートしても、そのオーバーシュートの基
準が低いしきい値を基準としているから、元の基本しき
い値をオーバーシュートしてしまうという不具合がな
い。このようにしきい値を変更する理由は、投入された
塩素が水に溶けて残留塩素濃度の変化として反映される
までに一定の時間を要し、残留塩素センサの測定値は所
定の時間遅れを伴うからである。
【００２０】しきい値の変更は、請求項１１のように、
一旦下げたしきい値を段階的に上昇させ、そして最後
は、請求項１０のように基本しきい値に戻すような操作
をするのが好ましい。また、請求項１２のように、塩素
投入手段による投入塩素量の上限を設けておき、上限値
まで投入した後は、所定時間経過するまでは追加投入を
行わないような構成にしても、残留塩素濃度のオーバー
シュートを防止することが可能である。
一旦下げたしきい値を段階的に上昇させ、そして最後
は、請求項１０のように基本しきい値に戻すような操作
をするのが好ましい。また、請求項１２のように、塩素
投入手段による投入塩素量の上限を設けておき、上限値
まで投入した後は、所定時間経過するまでは追加投入を
行わないような構成にしても、残留塩素濃度のオーバー
シュートを防止することが可能である。
【００２１】そしてこれらの構成により、水槽内の被処
理水の残留塩素濃度が所望の値に維持できる良好な水処
理装置とすることができる。
理水の残留塩素濃度が所望の値に維持できる良好な水処
理装置とすることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下には、図面を参照して、この
発明の実施形態について具体的に説明をする。図１は、
この発明の一実施形態にかかる水処理装置１を、プール
という大型の水槽２に組み込んだ構造を簡略化して示す
図である。水槽２には、その中に貯留された被処理水Ｗ
を循環させるための主循環経路２０が備えられている。
主循環経路２０には、循環ポンプ２３、砂濾過のための
フィルタ２１および被処理水Ｗを加熱するための熱交換
器２２が配置されている。水槽２の被処理水Ｗは、一点
鎖線で示すように、主循環経路２０を循環される。
発明の実施形態について具体的に説明をする。図１は、
この発明の一実施形態にかかる水処理装置１を、プール
という大型の水槽２に組み込んだ構造を簡略化して示す
図である。水槽２には、その中に貯留された被処理水Ｗ
を循環させるための主循環経路２０が備えられている。
主循環経路２０には、循環ポンプ２３、砂濾過のための
フィルタ２１および被処理水Ｗを加熱するための熱交換
器２２が配置されている。水槽２の被処理水Ｗは、一点
鎖線で示すように、主循環経路２０を循環される。
【００２３】この実施形態にかかる水処理装置１は、フ
ィルタ２１の下流側の分岐点Ｊ１から分岐して水を取り
込み、処理した後の水を熱交換器２２の下流側の分岐点
Ｊ２に合流させる水処理経路１０を有する。分岐点Ｊ１
から分岐された水処理経路１０には、流量調整のための
調整弁Ｂ１、減圧のための減圧弁Ｂ２、循環ポンプＰ
１、被処理水中のイオンの総濃度を測定するための導電
率センサＳ１、被処理水の残留塩素濃度を測定するため
の残留塩素センサＳ２、濾過用のフィルタ１３、イオン
交換樹脂１４、電解槽１２、弁Ｂ５、循環ポンプＰ２お
よび逆流防止用の逆止弁Ｂ６を経由して分岐点Ｊ２に合
流している。
ィルタ２１の下流側の分岐点Ｊ１から分岐して水を取り
込み、処理した後の水を熱交換器２２の下流側の分岐点
Ｊ２に合流させる水処理経路１０を有する。分岐点Ｊ１
から分岐された水処理経路１０には、流量調整のための
調整弁Ｂ１、減圧のための減圧弁Ｂ２、循環ポンプＰ
１、被処理水中のイオンの総濃度を測定するための導電
率センサＳ１、被処理水の残留塩素濃度を測定するため
の残留塩素センサＳ２、濾過用のフィルタ１３、イオン
交換樹脂１４、電解槽１２、弁Ｂ５、循環ポンプＰ２お
よび逆流防止用の逆止弁Ｂ６を経由して分岐点Ｊ２に合
流している。
【００２４】さらに、水処理経路１０のイオン交換樹脂
１４と電解槽１２との間の経路には、ＮａＣｌ添加用の
経路が備えられている。具体的には、上流側の分岐点Ｊ
４から導入路３２が分岐している。導入路３２の途中に
は弁Ｂ７が介在されている。導入路３２によって被処理
水は溶液槽３０に供給される。溶液槽３０内にはＮａＣ
ｌが収容されており、水が供給されることにより溶液槽
３０には飽和濃度のＮａＣｌ水溶液が貯留される。この
ＮａＣｌ水溶液は定量ポンプＰ３によって供給路３１を
介して吸い上げられ、分岐点Ｊ３で水処理経路１０に合
流されて、電解槽１２へ供給される。溶液槽３０には、
上述したＮａＣｌ水溶液に代えて、塩化カルシウム水溶
液、塩酸などの水溶液が収容されてもよく、水の電気化
学反応に寄与する電解質溶液であればよい。
１４と電解槽１２との間の経路には、ＮａＣｌ添加用の
経路が備えられている。具体的には、上流側の分岐点Ｊ
４から導入路３２が分岐している。導入路３２の途中に
は弁Ｂ７が介在されている。導入路３２によって被処理
水は溶液槽３０に供給される。溶液槽３０内にはＮａＣ
ｌが収容されており、水が供給されることにより溶液槽
３０には飽和濃度のＮａＣｌ水溶液が貯留される。この
ＮａＣｌ水溶液は定量ポンプＰ３によって供給路３１を
介して吸い上げられ、分岐点Ｊ３で水処理経路１０に合
流されて、電解槽１２へ供給される。溶液槽３０には、
上述したＮａＣｌ水溶液に代えて、塩化カルシウム水溶
液、塩酸などの水溶液が収容されてもよく、水の電気化
学反応に寄与する電解質溶液であればよい。
【００２５】電解槽１２には複数の電極組１１が備えら
れている。複数の電極組１１は、それぞれ、複数枚の電
極板１１０を有する。電極板１１０は、たとえばチタニ
ウム（Ｔｉ）製の基板の表面全面に金（Ａｕ）、白金
（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金−イリジウム（Ｐ
ｔ−Ｉｒ）等の貴金属の薄膜を、めっき法や焼成処理に
よってコーティングしたものが好ましい。電解槽１２の
出口側水路には、電解槽１２から流出される水の圧力を
測定するための圧力計Ｓ３が備えられている。
れている。複数の電極組１１は、それぞれ、複数枚の電
極板１１０を有する。電極板１１０は、たとえばチタニ
ウム（Ｔｉ）製の基板の表面全面に金（Ａｕ）、白金
（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金−イリジウム（Ｐ
ｔ−Ｉｒ）等の貴金属の薄膜を、めっき法や焼成処理に
よってコーティングしたものが好ましい。電解槽１２の
出口側水路には、電解槽１２から流出される水の圧力を
測定するための圧力計Ｓ３が備えられている。
【００２６】水処理装置１の作用は次の通りである。水
槽２の水は循環ポンプ２３で汲み出され、フィルタ２１
で砂濾過により有機物が除去される。そして分岐点Ｊ１
で、熱交換器２２を通って水槽２に還流される水と、水
処理装置１に流入される水とに分かれる。水処理装置１
に流入された水は、調整弁Ｂ１および減圧弁Ｂ２によっ
てその流量および水圧が調整され、循環ポンプＰ１で循
環される。循環される水は、導電率センサＳ１および残
留塩素センサＳ２を経由してフィルタ１３に与えられて
有機物が除去され、イオン交換樹脂１４でＣａ2+、Ｍｇ
2+等のイオンが除去された後、電解槽１２へ与えられ
る。
槽２の水は循環ポンプ２３で汲み出され、フィルタ２１
で砂濾過により有機物が除去される。そして分岐点Ｊ１
で、熱交換器２２を通って水槽２に還流される水と、水
処理装置１に流入される水とに分かれる。水処理装置１
に流入された水は、調整弁Ｂ１および減圧弁Ｂ２によっ
てその流量および水圧が調整され、循環ポンプＰ１で循
環される。循環される水は、導電率センサＳ１および残
留塩素センサＳ２を経由してフィルタ１３に与えられて
有機物が除去され、イオン交換樹脂１４でＣａ2+、Ｍｇ
2+等のイオンが除去された後、電解槽１２へ与えられ
る。
【００２７】また、電解槽１２には、溶液槽３０から定
量ポンプＰ３によりＮａＣｌ水溶液が送り込まれてく
る。これにより電解槽１２内の水溶液は電気分解可能な
水溶液となる。電解槽１２内では電極組１１に直流の電
流が通電されることにより電気分解が行われる。電気分
解では、電極間に次のような電気化学反応が生じ、この
反応により発生する次亜塩素酸イオン（ＣｌＯ-）、塩
素ガス、ＨＣｌＯあるいは反応過程でごく短時間発生す
る活性酸素（Ｏ2 -）等によって被処理水が滅菌処理され
る。
量ポンプＰ３によりＮａＣｌ水溶液が送り込まれてく
る。これにより電解槽１２内の水溶液は電気分解可能な
水溶液となる。電解槽１２内では電極組１１に直流の電
流が通電されることにより電気分解が行われる。電気分
解では、電極間に次のような電気化学反応が生じ、この
反応により発生する次亜塩素酸イオン（ＣｌＯ-）、塩
素ガス、ＨＣｌＯあるいは反応過程でごく短時間発生す
る活性酸素（Ｏ2 -）等によって被処理水が滅菌処理され
る。
【００２８】（陽極側） ４Ｈ2Ｏ−４ｅ-→４Ｈ+＋Ｏ2↑＋２Ｈ2Ｏ ２Ｃｌ-→Ｃｌ2＋２ｅ- Ｈ2Ｏ＋Ｃｌ2⇔ＨＣｌＯ＋Ｈ+＋Ｃｌ- （陰極側） ４Ｈ2Ｏ＋４ｅ-→２Ｈ2↑＋４ＯＨ- （陽極側＋陰極側） Ｈ+＋ＯＨ-→Ｈ2Ｏ 図２は、図１に示す水処理装置１の電気的な構成を示す
ブロック図である。水処理装置１には、マイクロコンピ
ュータ等で構成された制御部４０が備えられている。残
留塩素センサＳ１および導電率センサＳ２の出力は制御
部４０へ与えられる。制御部４０内には、メモリ４１が
備えられている。メモリ４１には、プール２に貯留され
た水量（たとえば４００［ｍ3］）およびプール２内の
基準残留塩素濃度（たとえば１［ｐｐｍ］）が登録され
ている。
ブロック図である。水処理装置１には、マイクロコンピ
ュータ等で構成された制御部４０が備えられている。残
留塩素センサＳ１および導電率センサＳ２の出力は制御
部４０へ与えられる。制御部４０内には、メモリ４１が
備えられている。メモリ４１には、プール２に貯留され
た水量（たとえば４００［ｍ3］）およびプール２内の
基準残留塩素濃度（たとえば１［ｐｐｍ］）が登録され
ている。
【００２９】制御部４０は、残留塩素センサＳ２や導電
率センサＳ１の出力に基づいて、以下に説明する演算を
行い、それに基づいて制御信号をドライバ４２へ与え
る。ドライバ４２は、与えられる制御信号に基づき、電
極組１１の通電電流および通電時間ならびに調整弁Ｂ
１、減圧弁Ｂ２、循環ポンプＰ１、止弁Ｂ５，Ｂ７、循
環ポンプＰ２および定量ポンプＰ３を制御する。図３
は、制御部４０により行われる制御内容を示すフローチ
ャートである。このフローチャートの流れに従い、制御
部４０の制御動作について説明をする。
率センサＳ１の出力に基づいて、以下に説明する演算を
行い、それに基づいて制御信号をドライバ４２へ与え
る。ドライバ４２は、与えられる制御信号に基づき、電
極組１１の通電電流および通電時間ならびに調整弁Ｂ
１、減圧弁Ｂ２、循環ポンプＰ１、止弁Ｂ５，Ｂ７、循
環ポンプＰ２および定量ポンプＰ３を制御する。図３
は、制御部４０により行われる制御内容を示すフローチ
ャートである。このフローチャートの流れに従い、制御
部４０の制御動作について説明をする。
【００３０】たとえば朝一番に、担当者が水処理装置１
の電源を投入すると、制御部４０は残留塩素センサＳ２
に測定した残留塩素濃度の送信を要求する。応じて残留
塩素センサＳ２は現在測定している残留塩素濃度Ｘを送
信する。これにより制御部４０に現在の残留塩素濃度Ｘ
が読み込まれる（ステップＳＰ１）。読み込まれた残留
塩素濃度Ｘは、メモリ４１に登録されている基準濃度：
１［ｐｐｍ］と比較される（ステップＳＰ２）。読み込
まれた残留塩素濃度Ｘ＝１［ｐｐｍ］であれば、この時
点での処理は終了する。
の電源を投入すると、制御部４０は残留塩素センサＳ２
に測定した残留塩素濃度の送信を要求する。応じて残留
塩素センサＳ２は現在測定している残留塩素濃度Ｘを送
信する。これにより制御部４０に現在の残留塩素濃度Ｘ
が読み込まれる（ステップＳＰ１）。読み込まれた残留
塩素濃度Ｘは、メモリ４１に登録されている基準濃度：
１［ｐｐｍ］と比較される（ステップＳＰ２）。読み込
まれた残留塩素濃度Ｘ＝１［ｐｐｍ］であれば、この時
点での処理は終了する。
【００３１】一方、読み込まれた残留塩素濃度Ｘが、た
とえばＸ＝０．９［ｐｐｍ］とすると、制御部４０は、
不足している残留塩素濃度を計算する。計算式は下記
（１）となる。 （１−Ｘ）×４００＝（１−０．９）×４００＝４０［ｇ］ …（１） 制御部４０は、不足残留塩素濃度を必要電気量に換算す
る（ステップＳＰ４）。
とえばＸ＝０．９［ｐｐｍ］とすると、制御部４０は、
不足している残留塩素濃度を計算する。計算式は下記
（１）となる。 （１−Ｘ）×４００＝（１−０．９）×４００＝４０［ｇ］ …（１） 制御部４０は、不足残留塩素濃度を必要電気量に換算す
る（ステップＳＰ４）。
【００３２】残留塩素（Ｃｌ2、ＨＣｌＯ、ＣｌＯ-）が
通常どの状態で存在しているかは、水（電解水）のｐＨ
によって決まってくる。遊泳プールの衛生基準の水素イ
オン濃度は、ｐＨ＝５．８〜８．６であり、中間値であ
るｐＨ＝７．２では、残留塩素はＨＣｌＯ≒６５％、Ｃ
ｌＯ-≒３５％となっている。そこで、プール２のｐＨ
≒７．２として計算すると、 40/[(1+35.5+16)×0.65+(35.5+16)×0.35]×6.022×1023×1.602×10-19 =40/52.15×6.022×1.602×104 ≒74×103 [C] …（２） 上記式（２）で、１＋３５．５＋１６はＨＣｌＯの分子
量，３５．５＋１６はＣｌＯの分子量，６．０２２×１
０23は１［ｍｏｌ］の分子数，１６０２×１０
-19［Ｃ］は電子および陽子の電荷量のことである。
通常どの状態で存在しているかは、水（電解水）のｐＨ
によって決まってくる。遊泳プールの衛生基準の水素イ
オン濃度は、ｐＨ＝５．８〜８．６であり、中間値であ
るｐＨ＝７．２では、残留塩素はＨＣｌＯ≒６５％、Ｃ
ｌＯ-≒３５％となっている。そこで、プール２のｐＨ
≒７．２として計算すると、 40/[(1+35.5+16)×0.65+(35.5+16)×0.35]×6.022×1023×1.602×10-19 =40/52.15×6.022×1.602×104 ≒74×103 [C] …（２） 上記式（２）で、１＋３５．５＋１６はＨＣｌＯの分子
量，３５．５＋１６はＣｌＯの分子量，６．０２２×１
０23は１［ｍｏｌ］の分子数，１６０２×１０
-19［Ｃ］は電子および陽子の電荷量のことである。
【００３３】ここで、加えた電流量に対して発生する塩
素の効率をη［％］とすると、実際に必要な電流量は、
計算により ７４×１０3×（１００／η） …（３） となる。効率ηは電極の材質および電解液のＮａＣｌ濃
度等によって決まる定数で、一般的には１５［％］程度
である。従って、η＝１５を代入すると、 ７４×１０3×（１００／１５）≒４９３×１０3 ［Ｃ］ …（４） 従って、これだけの電気量の電流を流せば、プール２の
残留塩素濃度の平均が１［ｐｐｍ］となる。
素の効率をη［％］とすると、実際に必要な電流量は、
計算により ７４×１０3×（１００／η） …（３） となる。効率ηは電極の材質および電解液のＮａＣｌ濃
度等によって決まる定数で、一般的には１５［％］程度
である。従って、η＝１５を代入すると、 ７４×１０3×（１００／１５）≒４９３×１０3 ［Ｃ］ …（４） 従って、これだけの電気量の電流を流せば、プール２の
残留塩素濃度の平均が１［ｐｐｍ］となる。
【００３４】電解槽１２において、電気分解により発生
する残留塩素濃度は、電解槽１２内の被処理水のＮａＣ
ｌ濃度、被処理水の流量、電極組１１へ供給される電気
量により決まる。よって、制御部４０は、必要な制御信
号をドライバ４２へ与え、ドライバ４２は電極組１１へ
の通電量を制御する。また、調整弁Ｂ１、減圧弁Ｂ２、
循環ポンプＰ１，Ｐ２および弁Ｂ５を適当に調整して、
電解槽１２を流れる被処理水の流量を調整する。さらに
また、制御部４０はドライバ４２を介して弁Ｂ７および
定量ポンプＰ３を制御し、電解槽１２内の被処理水のＮ
ａＣｌ濃度を調整する。なお、各弁は、電磁弁とするこ
とにより、ドライバ４２で容易に開閉度を制御できる。
する残留塩素濃度は、電解槽１２内の被処理水のＮａＣ
ｌ濃度、被処理水の流量、電極組１１へ供給される電気
量により決まる。よって、制御部４０は、必要な制御信
号をドライバ４２へ与え、ドライバ４２は電極組１１へ
の通電量を制御する。また、調整弁Ｂ１、減圧弁Ｂ２、
循環ポンプＰ１，Ｐ２および弁Ｂ５を適当に調整して、
電解槽１２を流れる被処理水の流量を調整する。さらに
また、制御部４０はドライバ４２を介して弁Ｂ７および
定量ポンプＰ３を制御し、電解槽１２内の被処理水のＮ
ａＣｌ濃度を調整する。なお、各弁は、電磁弁とするこ
とにより、ドライバ４２で容易に開閉度を制御できる。
【００３５】今、電極組１１への通電量が２５２［Ａ］
で適当であるとすれば、上記式（４）で求めた電気量を
流すためには、 ４９３×１０3／２５２ ≒１９５６［ｓ］ …（５） となる。すなわち、約３２分あまりの通電を行うことに
より、電気分解により残留塩素濃度が上昇して、プール
２の残留塩素濃度を基準濃度である１［ｐｐｍ］とする
ことができる。
で適当であるとすれば、上記式（４）で求めた電気量を
流すためには、 ４９３×１０3／２５２ ≒１９５６［ｓ］ …（５） となる。すなわち、約３２分あまりの通電を行うことに
より、電気分解により残留塩素濃度が上昇して、プール
２の残留塩素濃度を基準濃度である１［ｐｐｍ］とする
ことができる。
【００３６】図４は、この発明の他の実施形態にかかる
プール２用の水処理装置１の構成を示す図解図である。
図４の構成が図１に示す構成と異なる点は、水処理装置
１の配管である。図４の構成では、残留塩素センサＳ２
に対して、電解槽１２で処理する前の水が流れるか、電
解槽１２で処理した後の水が流れるかが切換えられるよ
うになっている。そしてこの切換えにより、１つの残留
塩素センサＳ２によって、処理前の水の残留塩素濃度お
よび処理後の水の残留塩素濃度を測定可能になってい
る。
プール２用の水処理装置１の構成を示す図解図である。
図４の構成が図１に示す構成と異なる点は、水処理装置
１の配管である。図４の構成では、残留塩素センサＳ２
に対して、電解槽１２で処理する前の水が流れるか、電
解槽１２で処理した後の水が流れるかが切換えられるよ
うになっている。そしてこの切換えにより、１つの残留
塩素センサＳ２によって、処理前の水の残留塩素濃度お
よび処理後の水の残留塩素濃度を測定可能になってい
る。
【００３７】電磁弁Ｂ１，Ｂ２，Ｂ１１，Ｂ１２，Ｂ１
３，Ｂ５，Ｂ６は開にし、電磁弁Ｂ１５，Ｂ１４は閉に
する。こうすると、水はＪ１→Ｊ８→電解槽１２へと流
れると共に、センサＳ２が設けられた経路であるＪ５→
Ｊ６→Ｊ７→Ｊ８→電解槽１２→Ｊ９→Ｊ１０→Ｊ２へ
も流れる。よって、電解槽１２で処理される前の水が残
留塩素センサＳ２を流れる。一方、電磁弁Ｂ１，Ｂ２，
Ｂ５，Ｂ１４，Ｂ１５，Ｂ６を開、電磁弁Ｂ１１，Ｂ１
２，Ｂ１３を閉にする。すると、水はＪ１→Ｊ８→電解
槽１２→Ｊ９→Ｊ７→Ｊ６→Ｊ１０→Ｊ２と流れる。よ
って残留塩素センサＳ２を電解槽１２で処理された後の
水が流れる。
３，Ｂ５，Ｂ６は開にし、電磁弁Ｂ１５，Ｂ１４は閉に
する。こうすると、水はＪ１→Ｊ８→電解槽１２へと流
れると共に、センサＳ２が設けられた経路であるＪ５→
Ｊ６→Ｊ７→Ｊ８→電解槽１２→Ｊ９→Ｊ１０→Ｊ２へ
も流れる。よって、電解槽１２で処理される前の水が残
留塩素センサＳ２を流れる。一方、電磁弁Ｂ１，Ｂ２，
Ｂ５，Ｂ１４，Ｂ１５，Ｂ６を開、電磁弁Ｂ１１，Ｂ１
２，Ｂ１３を閉にする。すると、水はＪ１→Ｊ８→電解
槽１２→Ｊ９→Ｊ７→Ｊ６→Ｊ１０→Ｊ２と流れる。よ
って残留塩素センサＳ２を電解槽１２で処理された後の
水が流れる。
【００３８】ところで、電解槽１２で発生される残留塩
素のうち次亜塩素酸は、腐食性が強いので発生する濃度
が高過ぎると、水処理経路のステンレス管や鋼管配管を
腐食させる可能性が高くなる。従って、電解槽２から出
る処理後の水の残留塩素濃度を測定し、この濃度をある
値以下に制御することが必要な場合がある。そこで図４
のように配管を構成して、電磁弁を使って残留塩素セン
サＳ２に流れる水の経路を切換えられるようにする。こ
の結果、プール２内の被処理水Ｗの残留塩素濃度を測定
する場合には、電磁弁を上述した前者の開，閉の組合わ
せにする。一方、電解槽１２で処理された後の水の残留
塩素濃度を測定する場合には、電磁弁を上述した後者の
組合わせとする。
素のうち次亜塩素酸は、腐食性が強いので発生する濃度
が高過ぎると、水処理経路のステンレス管や鋼管配管を
腐食させる可能性が高くなる。従って、電解槽２から出
る処理後の水の残留塩素濃度を測定し、この濃度をある
値以下に制御することが必要な場合がある。そこで図４
のように配管を構成して、電磁弁を使って残留塩素セン
サＳ２に流れる水の経路を切換えられるようにする。こ
の結果、プール２内の被処理水Ｗの残留塩素濃度を測定
する場合には、電磁弁を上述した前者の開，閉の組合わ
せにする。一方、電解槽１２で処理された後の水の残留
塩素濃度を測定する場合には、電磁弁を上述した後者の
組合わせとする。
【００３９】そして残留塩素センサＳ２で測定された処
理前の水の残留塩素濃度および処理後の水の残留塩素濃
度に基づき、電解槽１２における通電量等を制御する。
つまり電解槽１２において、上述した式（４）のクーロ
ンの電気量を流すように、かつ、処理後の水の残留塩素
濃度が一定値内に納まるように、制御する。この制御
は、上述したように、通電量だけでなく、添加するＮａ
Ｃｌ溶液の量を定量ポンプＰ３で制御したり、電解槽１
２に導入する処理水の流量を調整することによっても行
うことができる。
理前の水の残留塩素濃度および処理後の水の残留塩素濃
度に基づき、電解槽１２における通電量等を制御する。
つまり電解槽１２において、上述した式（４）のクーロ
ンの電気量を流すように、かつ、処理後の水の残留塩素
濃度が一定値内に納まるように、制御する。この制御
は、上述したように、通電量だけでなく、添加するＮａ
Ｃｌ溶液の量を定量ポンプＰ３で制御したり、電解槽１
２に導入する処理水の流量を調整することによっても行
うことができる。
【００４０】図５は、制御部が残留塩素センサＳ２から
読み込んだ測定値をしきい値と比較する場合において、
オーバーシュートが生じないようにする処理を示すフロ
ーチャートである。制御部では、まず、しきい値＝０．
５［ｐｐｍ］およびしきい値ＭＡＸ＝０．５［ｐｐｍ］
を設定する（ステップＳＰ１１）。そして残留塩素セン
サにより測定された現在の残留塩素濃度Ｐを得る。ま
た、その濃度Ｐを得た時刻ｔを得る（ステップＳＰ１
２）。
読み込んだ測定値をしきい値と比較する場合において、
オーバーシュートが生じないようにする処理を示すフロ
ーチャートである。制御部では、まず、しきい値＝０．
５［ｐｐｍ］およびしきい値ＭＡＸ＝０．５［ｐｐｍ］
を設定する（ステップＳＰ１１）。そして残留塩素セン
サにより測定された現在の残留塩素濃度Ｐを得る。ま
た、その濃度Ｐを得た時刻ｔを得る（ステップＳＰ１
２）。
【００４１】そして濃度Ｐがしきい値＝０．５よりも大
きいか否かの判別をする（ステップＳＰ１３）。しきい
値より濃度Ｐが大きければ、さらにしきい値ＭＡＸ＝
０．５よりも濃度Ｐが大きいか否かの判別をする（ステ
ップＳＰ１４）。しきい値ＭＡＸよりも濃度Ｐが大きけ
れば、しきい値をしきい値ＭＡＸに設定する（ステップ
ＳＰ１５）。そして、ステップＳＰ１６で、電源がオフ
になったか否かを判別し、電源がオフでなければ、ステ
ップＳＰ１２に戻る。
きいか否かの判別をする（ステップＳＰ１３）。しきい
値より濃度Ｐが大きければ、さらにしきい値ＭＡＸ＝
０．５よりも濃度Ｐが大きいか否かの判別をする（ステ
ップＳＰ１４）。しきい値ＭＡＸよりも濃度Ｐが大きけ
れば、しきい値をしきい値ＭＡＸに設定する（ステップ
ＳＰ１５）。そして、ステップＳＰ１６で、電源がオフ
になったか否かを判別し、電源がオフでなければ、ステ
ップＳＰ１２に戻る。
【００４２】一方、ステップＳＰ１３で、濃度Ｐがしき
い値以下であれば、ステップＳＰ１７へ進んで、塩素投
入が行われる。そして濃度Ｐに０．０５［ｐｐｍ］を加
算した値と、しきい値とが比較される（ステップＳＰ１
８）。しきい値に比べて測定された濃度Ｐがわずかに低
下しているだけであれば、ステップＳＰ１８ではＹＥＳ
と判別されて、処理はステップＳ１６へ進む。一方、測
定された濃度Ｐがしきい値に比べて極端に低下している
のであれば、ステップＳ１８の判断はＮＯとなる。この
場合は、しきい値が、測定された濃度Ｐに関連した値に
変更される。すなわち、しきい値＝Ｐ＋０．０５と変更
される（ステップＰＳ１９）。そしてｔｍｉｎに現在時
刻ｔが設定される（ステップＳＰ２０）。
い値以下であれば、ステップＳＰ１７へ進んで、塩素投
入が行われる。そして濃度Ｐに０．０５［ｐｐｍ］を加
算した値と、しきい値とが比較される（ステップＳＰ１
８）。しきい値に比べて測定された濃度Ｐがわずかに低
下しているだけであれば、ステップＳＰ１８ではＹＥＳ
と判別されて、処理はステップＳ１６へ進む。一方、測
定された濃度Ｐがしきい値に比べて極端に低下している
のであれば、ステップＳ１８の判断はＮＯとなる。この
場合は、しきい値が、測定された濃度Ｐに関連した値に
変更される。すなわち、しきい値＝Ｐ＋０．０５と変更
される（ステップＰＳ１９）。そしてｔｍｉｎに現在時
刻ｔが設定される（ステップＳＰ２０）。
【００４３】次に、処理はステップＳＰ１６からＳＰ１
２へ戻り、再び残留塩素センサの測定濃度Ｐと現在時刻
ｔとが読み込まれる（ステップＳＰ１２）。読み込まれ
た濃度Ｐはしきい値と比較される（ステップＳＰ１
３）。前回、ステップＳＰ１７において塩素投入がされ
た場合であっても、塩素投入の結果が直ちに残留塩素セ
ンサの測定値に反映されるわけではなく、いくらかの時
間遅れがある。そこで通常、ステップＳＰ１３から何度
かステップＳＰ１７の処理へ進んで、塩素投入が何回か
繰り返される。
２へ戻り、再び残留塩素センサの測定濃度Ｐと現在時刻
ｔとが読み込まれる（ステップＳＰ１２）。読み込まれ
た濃度Ｐはしきい値と比較される（ステップＳＰ１
３）。前回、ステップＳＰ１７において塩素投入がされ
た場合であっても、塩素投入の結果が直ちに残留塩素セ
ンサの測定値に反映されるわけではなく、いくらかの時
間遅れがある。そこで通常、ステップＳＰ１３から何度
かステップＳＰ１７の処理へ進んで、塩素投入が何回か
繰り返される。
【００４４】そのうち、ステップＳＰ１３で、測定濃度
Ｐがしきい値を超えることになる。するとステップＳＰ
１４で、測定濃度Ｐがしきい値ＭＡＸと比較される。測
定濃度Ｐがしきい値ＭＡＸ以下であれば、ステップＳＰ
２１へ進む。ステップＳＰ２１では、現在時刻ｔがステ
ップＳＰ２０で設定された時刻から１０分が経過してい
るか否かが判別され、１０分が経過するごとにしきい値
は、たとえば０．０２［ｐｐｍ］上げられる（ステップ
ＳＰ２２）。つまり、ステップＳＰ１９では、測定され
た濃度Ｐがしきい値に比べて極端に低下している場合、
しきい値が測定された濃度Ｐに関連した値に変更され
た。しきい値は、ずっとそのまま低い値にしておくこと
はできないから、ステップＳＰ２２において、１０分ご
とに、上述のように少しずつしきい値が上げられるよう
にした。
Ｐがしきい値を超えることになる。するとステップＳＰ
１４で、測定濃度Ｐがしきい値ＭＡＸと比較される。測
定濃度Ｐがしきい値ＭＡＸ以下であれば、ステップＳＰ
２１へ進む。ステップＳＰ２１では、現在時刻ｔがステ
ップＳＰ２０で設定された時刻から１０分が経過してい
るか否かが判別され、１０分が経過するごとにしきい値
は、たとえば０．０２［ｐｐｍ］上げられる（ステップ
ＳＰ２２）。つまり、ステップＳＰ１９では、測定され
た濃度Ｐがしきい値に比べて極端に低下している場合、
しきい値が測定された濃度Ｐに関連した値に変更され
た。しきい値は、ずっとそのまま低い値にしておくこと
はできないから、ステップＳＰ２２において、１０分ご
とに、上述のように少しずつしきい値が上げられるよう
にした。
【００４５】次いで、ステップＳＰ２３で、しきい値
と、しきい値ＭＡＸとが比べられ、その小さい方が改め
てしきい値として設定される。しきい値が、しきい値Ｍ
ＡＸよりも大きい場合とは、しきい値を１０分ごとに上
げていったときに、たとえば０．４９となり、さらにそ
のしきい値を０．０２上げるような場合が例示できる。
しきい値がしきい値ＭＡＸよりも高くならないように、
ステップＳＰ２３の処理が設けられている。
と、しきい値ＭＡＸとが比べられ、その小さい方が改め
てしきい値として設定される。しきい値が、しきい値Ｍ
ＡＸよりも大きい場合とは、しきい値を１０分ごとに上
げていったときに、たとえば０．４９となり、さらにそ
のしきい値を０．０２上げるような場合が例示できる。
しきい値がしきい値ＭＡＸよりも高くならないように、
ステップＳＰ２３の処理が設けられている。
【００４６】そしてしきい値を設定した時刻が、ｔｍｉ
ｎとして設定される（ステップＳＰ２４）。その後ステ
ップＳＰ１２からの処理が繰り返される。図５のフロー
チャートでは、測定された残留塩素濃度Ｐが極端に低い
ような場合に、残留塩素濃度Ｐの比較値であるしきい値
を低下させる実施例を説明した。このような制御に代え
て、塩素投入手段により投入される塩素の上限量を決め
ておき、一定時間内にその上限量以上の塩素が投入され
ないように制御をすることによっても、残留塩素濃度が
濃くなり過ぎるようなオーバーシュートを防止すること
が可能である。
ｎとして設定される（ステップＳＰ２４）。その後ステ
ップＳＰ１２からの処理が繰り返される。図５のフロー
チャートでは、測定された残留塩素濃度Ｐが極端に低い
ような場合に、残留塩素濃度Ｐの比較値であるしきい値
を低下させる実施例を説明した。このような制御に代え
て、塩素投入手段により投入される塩素の上限量を決め
ておき、一定時間内にその上限量以上の塩素が投入され
ないように制御をすることによっても、残留塩素濃度が
濃くなり過ぎるようなオーバーシュートを防止すること
が可能である。
【００４７】なお、図５や上述した制御において、「塩
素投入」とは、先に説明した実施例のように電解槽１２
により電気化学反応によって遊離残留塩素を発生させる
こと以外に、たとえば次亜塩素酸ソーダの水溶液を水槽
に直接投入する等の処理であってもよい。この発明は、
以上説明した実施形態に特定されるものではなく、請求
項記載の範囲内において種々の変更が可能である。
素投入」とは、先に説明した実施例のように電解槽１２
により電気化学反応によって遊離残留塩素を発生させる
こと以外に、たとえば次亜塩素酸ソーダの水溶液を水槽
に直接投入する等の処理であってもよい。この発明は、
以上説明した実施形態に特定されるものではなく、請求
項記載の範囲内において種々の変更が可能である。
【図１】この発明の一実施形態に係る水処理をプールに
組み込んだ構造を簡略化して示す図である。
組み込んだ構造を簡略化して示す図である。
【図２】この発明の一実施形態にかかる水処理装置の電
気的な構成を示すブロック図である。
気的な構成を示すブロック図である。
【図３】制御部により行われる制御内容を示すフローチ
ャートである。
ャートである。
【図４】この発明の他の実施形態に係るプール用の水処
理装置の構成を示す図解図である。
理装置の構成を示す図解図である。
【図５】測定した残留塩素濃度をしきい値と比較する場
合において、オーバーシュートが生じないようにする処
理を示すフローチャートである。
合において、オーバーシュートが生じないようにする処
理を示すフローチャートである。
１ 水処理装置 ２ プール（水槽） １０ 水処理経路 １１ 電極組 １２ 電解槽 ３０ 溶液槽 Ｐ１，Ｐ２ 循環ポンプ Ｐ３ 定量ポンプ Ｂ１，Ｂ２，Ｂ５，Ｂ６，Ｂ１１，Ｂ１２，Ｂ１３，Ｂ
１４，Ｂ１５ 電磁弁 Ｓ２ 残留塩素センサ
１４，Ｂ１５ 電磁弁 Ｓ２ 残留塩素センサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岸 稔 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 志水 康彦 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 4D050 AA01 AA10 AB06 BB05 BB06 BD02 BD04 BD06 BD08 CA01 CA08 CA10 CA15 4D061 DA07 DB01 DB09 DB10 EA03 EB20 EB30 EB37 EB39 ED01 ED13 FA01 FA08 FA13 GA06 GA21 GC01 GC02 GC05 GC11 GC12 GC19 GC20 4K021 AB07 BA03 BB01 BB05 BC01 CA06 CA09 CA10 CA13 DC07
Claims (12)
- 【請求項１】被処理水を貯留する水槽と、 被処理水を電気化学反応によって滅菌する電解槽と、 水槽から被処理水を電解槽へ導入し、かつ電解槽で滅菌
された後の水を水槽に還流する水処理経路と、 被処理水の残留塩素濃度を測定する残留塩素センサと、 残留塩素センサの測定値に基づいて、必要な量の遊離残
留塩素を発生させるように、電解槽への通電量を制御す
る制御手段と、を含むことを特徴とする水処理装置。 - 【請求項２】被処理水を貯留する水槽と、 被処理水を電気化学反応によって滅菌する電解槽と、 残留塩素濃度を測定する残留塩素センサと、 水槽から被処理水を残留塩素センサを経由して電解槽へ
導入し、かつ電解槽で滅菌された後の水を残留塩素セン
サを経由せずに水槽へ還流する第１の水処理経路と、 水槽から被処理水を残留塩素センサを経由せずに電解槽
へ導入し、かつ電解槽で滅菌された後の水を残留塩素セ
ンサを経由して水槽へ還流する第２の水処理経路と、 第１の水処理経路に水を流すか、第２の水処理経路に水
を流すかを切換える切換え制御手段と、を含むことを特
徴とする水処理装置。 - 【請求項３】第１の水処理経路および第２の水処理経路
は、その一部が共用されており、かつ経路には弁等が介
在されていて、 切換え制御手段は、弁等を切換えて、電解槽へ入る前の
水が残留塩素センサを通るか、電解槽から出る水が残留
塩素センサを通るかを切換えることを特徴とする、請求
項２記載の水処理装置。 - 【請求項４】被処理水を貯留する水槽と、 被処理水を電気化学分解によって滅菌する電解槽と、 水槽の処理水を電解槽へ導入し、かつ電解槽で滅菌され
た後の水を水槽に還流する水処理経路と、 電解槽の出口側の水処理経路に配置され、電解槽から水
槽へ還流される水の残留塩素濃度を測定する残留塩素セ
ンサと、 残留塩素センサの測定値に基づいて、電解槽における被
処理水の電気化学分解量を制御し、還流される水の残留
塩素濃度を所定の範囲に保つ制御手段と、を含むことを
特徴とする水処理装置。 - 【請求項５】制御手段は、電解槽への通電量を調整する
通電量調整手段を含むことを特徴とする、請求項４記載
の水処理装置。 - 【請求項６】制御手段は、電解槽への被処理水の導入量
を調整する導入量調整手段を含むことを特徴とする、請
求項４記載の水処理装置。 - 【請求項７】制御手段は、電解槽へ導入される被処理水
に添加するＮａＣｌの量を調整する手段を含むことを特
徴とする、請求項４記載の水処理装置。 - 【請求項８】高濃度のＮａＣｌ溶液が溜められたＮａＣ
ｌ槽と、 ＮａＣｌ槽からＮａＣｌ溶液を電解槽へ導入する流路
と、流路に備えられたポンプとを有し、 ＮａＣｌの量を調整する手段は、ポンプの動作を制御す
ることを特徴とする、請求項７記載の水処理装置。 - 【請求項９】被処理水を貯留する水槽と、被処理水の残
留塩素濃度を測定する残留塩素センサと、残留塩素セン
サの測定値がしきい値未満のときに、被処理水の残留塩
素濃度を高めるために動作する塩素投入手段とを有する
水処理装置において、 前記残留塩素センサの測定値が予め定める基本しきい値
に比べて一定値以上低いときには、当該しきい値を、当
該測定値に関連する低しきい値に下げるしきい値変更手
段を有することを特徴とする水処理装置。 - 【請求項１０】前記残留塩素センサの測定値が基本しき
い値以上になったときには、前記しきい値変更手段は、
前記低しきい値を基本しきい値に変更することを特徴と
する請求項９記載の水処理装置。 - 【請求項１１】前記しきい値変更手段は、前記低しきい
値を、前記残留塩素センサの測定値に応じて、基本しき
い値に達するまで段階的に上げるように変更することを
特徴とする、請求項１０記載の水処理装置。 - 【請求項１２】被処理水を貯留する水槽と、被処理水の
残留塩素濃度を測定する残留塩素センサと、残留塩素セ
ンサの測定値がしきい値未満のときに、被処理水の残留
塩素濃度を高めるために動作する塩素導入手段とを有す
る水処理装置において、前記塩素投入手段の投入する塩
素量に上限を設定し、一定時間以内に設定された上限量
以上の塩素投入が行われないように塩素投入手段を制御
する制御手段を設けたことを特徴とする水処理装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35487599A JP3439164B2 (ja) | 1999-12-14 | 1999-12-14 | 水処理装置 |
| US09/734,001 US6627053B2 (en) | 1999-12-14 | 2000-12-12 | Water treatment device |
| DE60020327T DE60020327D1 (de) | 1999-12-14 | 2000-12-13 | Wasserbehandlungsvorrichtung |
| EP00311087A EP1108683B1 (en) | 1999-12-14 | 2000-12-13 | Water treatment device |
| KR10-2000-0075734A KR100404948B1 (ko) | 1999-12-14 | 2000-12-13 | 용수처리장치 |
| CNB001282646A CN1151980C (zh) | 1999-12-14 | 2000-12-14 | 水处理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35487599A JP3439164B2 (ja) | 1999-12-14 | 1999-12-14 | 水処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001170638A true JP2001170638A (ja) | 2001-06-26 |
| JP3439164B2 JP3439164B2 (ja) | 2003-08-25 |
Family
ID=18440501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35487599A Expired - Lifetime JP3439164B2 (ja) | 1999-12-14 | 1999-12-14 | 水処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3439164B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003039071A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 水処理装置及び水処理方法 |
| WO2005077833A1 (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | 液体の無害化処理方法及びその装置 |
| JP2005288392A (ja) * | 2004-04-02 | 2005-10-20 | Hsp Hanbai Kk | 水質の管理方法 |
| JP2007117882A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Takenaka Komuten Co Ltd | 循環水用塩素殺菌システム |
| JP2007152147A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 水処理装置 |
| JP2007181839A (ja) * | 2007-04-09 | 2007-07-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 水処理装置 |
| JP2008212816A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | West Japan Railway Technos Corp | 排水処理装置及び排水処理方法 |
| JP2013538107A (ja) * | 2010-06-30 | 2013-10-10 | イーコラブ ユーエスエー インコーポレイティド | Ｃｉｐ用途における電解水の濃度を制御するための制御システムおよびその使用方法 |
| JP2018001049A (ja) * | 2016-06-27 | 2018-01-11 | 有限会社イシズチコーポレーション | プール水の殺菌方法 |
-
1999
- 1999-12-14 JP JP35487599A patent/JP3439164B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003039071A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 水処理装置及び水処理方法 |
| JP4716617B2 (ja) * | 2001-07-31 | 2011-07-06 | 三洋電機株式会社 | 水処理装置 |
| WO2005077833A1 (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | 液体の無害化処理方法及びその装置 |
| CN100393632C (zh) * | 2004-02-13 | 2008-06-11 | 三菱重工业株式会社 | 液体脱毒方法及液体脱毒用装置 |
| JP2005288392A (ja) * | 2004-04-02 | 2005-10-20 | Hsp Hanbai Kk | 水質の管理方法 |
| JP4729263B2 (ja) * | 2004-04-02 | 2011-07-20 | イーエス・テクノロジー株式会社 | 水質の管理方法 |
| JP2007117882A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Takenaka Komuten Co Ltd | 循環水用塩素殺菌システム |
| JP2007152147A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 水処理装置 |
| JP2008212816A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | West Japan Railway Technos Corp | 排水処理装置及び排水処理方法 |
| JP2007181839A (ja) * | 2007-04-09 | 2007-07-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 水処理装置 |
| JP2013538107A (ja) * | 2010-06-30 | 2013-10-10 | イーコラブ ユーエスエー インコーポレイティド | Ｃｉｐ用途における電解水の濃度を制御するための制御システムおよびその使用方法 |
| JP2018001049A (ja) * | 2016-06-27 | 2018-01-11 | 有限会社イシズチコーポレーション | プール水の殺菌方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3439164B2 (ja) | 2003-08-25 |
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